JP2003068743A - エピタキシャルウエーハおよびその製造方法 - Google Patents
エピタキシャルウエーハおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2003068743A JP2003068743A JP2001253510A JP2001253510A JP2003068743A JP 2003068743 A JP2003068743 A JP 2003068743A JP 2001253510 A JP2001253510 A JP 2001253510A JP 2001253510 A JP2001253510 A JP 2001253510A JP 2003068743 A JP2003068743 A JP 2003068743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heat treatment
- epitaxial
- single crystal
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 57
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 56
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims abstract description 49
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims abstract description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 105
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 201000006935 Becker muscular dystrophy Diseases 0.000 description 4
- 208000037663 Best vitelliform macular dystrophy Diseases 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 208000020938 vitelliform macular dystrophy 2 Diseases 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
- H01L21/3225—Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 デバイス工程に依存せず、確実に高いゲッタ
リング能力を持つシリコン単結晶ウエーハを得る。 【解決手段】 エピタキシャルウエーハであって、窒素
がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコ
ンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中
のゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物密度が
１０８個／ｃｍ３以上であることを特徴とするエピタキ
シャルウエーハ。および、チョクラルスキー法により窒
素を添加したシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単
結晶をウエーハに加工してシリコン単結晶ウエーハを製
造し、該シリコン単結晶ウエーハに熱処理を行ってウエ
ーハのバルク中におけるゲッタリング能力を有するサイ
ズの酸素析出物密度を１０８個／ｃｍ３以上とし、その
後、前記シリコン単結晶ウエーハにエピタキシャル成長
を行うことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造
方法。
リング能力を持つシリコン単結晶ウエーハを得る。 【解決手段】 エピタキシャルウエーハであって、窒素
がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコ
ンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中
のゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物密度が
１０８個／ｃｍ３以上であることを特徴とするエピタキ
シャルウエーハ。および、チョクラルスキー法により窒
素を添加したシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単
結晶をウエーハに加工してシリコン単結晶ウエーハを製
造し、該シリコン単結晶ウエーハに熱処理を行ってウエ
ーハのバルク中におけるゲッタリング能力を有するサイ
ズの酸素析出物密度を１０８個／ｃｍ３以上とし、その
後、前記シリコン単結晶ウエーハにエピタキシャル成長
を行うことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、どのようなデバイ
ス形成熱処理（特に、低温、短時間の熱処理）がウエー
ハに施される場合であっても、ウエーハに十分なゲッタ
リング能力を持たせるべく、ゲッターサイトとして十分
なＢＭＤ（Bulk Micro Defect：内部微小欠陥）をウエ
ーハ内部に形成したエピタキシャルウエーハとその製造
方法に関する。
ス形成熱処理（特に、低温、短時間の熱処理）がウエー
ハに施される場合であっても、ウエーハに十分なゲッタ
リング能力を持たせるべく、ゲッターサイトとして十分
なＢＭＤ（Bulk Micro Defect：内部微小欠陥）をウエ
ーハ内部に形成したエピタキシャルウエーハとその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路等のデバイスを作製する
ためのウエーハとしては、主にＣＺ法によって育成され
た、シリコン単結晶ウエーハが用いられている。このシ
リコン単結晶ウエーハの表面近傍を極力無欠陥化する
と、デバイスの品質が向上するが、その最も効果的な方
法の一つがエピタキシャルウエーハであり、その優位性
はほぼ証明されている。
ためのウエーハとしては、主にＣＺ法によって育成され
た、シリコン単結晶ウエーハが用いられている。このシ
リコン単結晶ウエーハの表面近傍を極力無欠陥化する
と、デバイスの品質が向上するが、その最も効果的な方
法の一つがエピタキシャルウエーハであり、その優位性
はほぼ証明されている。
【０００３】一方、ウエーハのバルク中には高密度の欠
陥（ＢＭＤ）を形成した方が、デバイス作製には有利で
ある。というのは、デバイス形成熱処理中には、重金属
不純物の汚染にさらされる機会がはなはだ多く、その重
金属がデバイス動作に悪影響を及ぼすため、それらをデ
バイス形成領域である表面近傍から除去する必要にしば
しば迫られるからである。その要求に応える方法がゲッ
タリング技術であり、このゲッタリング技術においては
ウエーハのバルク部にゲッタリングサイトとしてＢＭＤ
を形成することがある。
陥（ＢＭＤ）を形成した方が、デバイス作製には有利で
ある。というのは、デバイス形成熱処理中には、重金属
不純物の汚染にさらされる機会がはなはだ多く、その重
金属がデバイス動作に悪影響を及ぼすため、それらをデ
バイス形成領域である表面近傍から除去する必要にしば
しば迫られるからである。その要求に応える方法がゲッ
タリング技術であり、このゲッタリング技術においては
ウエーハのバルク部にゲッタリングサイトとしてＢＭＤ
を形成することがある。
【０００４】チョクラルスキー（ＣＺ）法によって製造
されるシリコン単結晶は製造段階において不可避的に酸
素を含有するが、その酸素濃度の制御は可能であり、種
々の酸素濃度を持つＣＺ-シリコンウエーハが目的に応
じて製造されている。これらの酸素原子は熱処理を受け
ると、ウエーハ内部に酸素析出物が形成される。これが
ＢＭＤの主な成分である。これらのＢＭＤの周囲には結
晶格子の歪みを少なからず含んでおり、この歪みに重金
属不純物が捕獲される。これは種々のゲッタリング技術
のうちの、ＩＧ（Internal Gettering）と呼ばれる方法
である。
されるシリコン単結晶は製造段階において不可避的に酸
素を含有するが、その酸素濃度の制御は可能であり、種
々の酸素濃度を持つＣＺ-シリコンウエーハが目的に応
じて製造されている。これらの酸素原子は熱処理を受け
ると、ウエーハ内部に酸素析出物が形成される。これが
ＢＭＤの主な成分である。これらのＢＭＤの周囲には結
晶格子の歪みを少なからず含んでおり、この歪みに重金
属不純物が捕獲される。これは種々のゲッタリング技術
のうちの、ＩＧ（Internal Gettering）と呼ばれる方法
である。
【０００５】一般的にこのＩＧ法を適用するにはいくつ
かの方法が考えられる。最も簡便なものはデバイス形成
熱処理中に同時にＢＭＤを形成する方法である。これは
デバイス形成熱処理が高温の場合に有効であるが、１０
００℃以下のような低温では効果を発揮できない。特
に、近年デバイスプロセスは低温化しており、ＢＭＤの
形成が期待できなくなっている。このような低温プロセ
スの場合でも強いゲッタリング能力を欲する時は、デバ
イスプロセス投入前にＢＭＤを形成する方法もある。こ
れはＤＺ（Denuded Zone）−ＩＧと呼ばれ、高温熱処理
により表面付近の酸素原子を外方拡散してウエーハ外へ
放出させたのち、酸素析出核形成と成長の２段熱処理を
施して、目的に応じたＢＭＤ密度を得る方法である。し
かし熱処理が複雑で長時間を要するものであり、コスト
が非常に高い。
かの方法が考えられる。最も簡便なものはデバイス形成
熱処理中に同時にＢＭＤを形成する方法である。これは
デバイス形成熱処理が高温の場合に有効であるが、１０
００℃以下のような低温では効果を発揮できない。特
に、近年デバイスプロセスは低温化しており、ＢＭＤの
形成が期待できなくなっている。このような低温プロセ
スの場合でも強いゲッタリング能力を欲する時は、デバ
イスプロセス投入前にＢＭＤを形成する方法もある。こ
れはＤＺ（Denuded Zone）−ＩＧと呼ばれ、高温熱処理
により表面付近の酸素原子を外方拡散してウエーハ外へ
放出させたのち、酸素析出核形成と成長の２段熱処理を
施して、目的に応じたＢＭＤ密度を得る方法である。し
かし熱処理が複雑で長時間を要するものであり、コスト
が非常に高い。
【０００６】そこでゲッタリングに必要なＢＭＤをウエ
ーハのバルク中に簡便に形成するための手段として、Ｃ
Ｚ法で引き上げられるシリコン単結晶中に窒素を添加す
る方法が最近用いられている。シリコン中に窒素と酸素
が共存すると、酸素の析出核形成速度が高まるため、容
易にＢＭＤが形成できることが知られている。この方法
によって製造されたシリコンウエーハは高いＢＭＤ密度
を持つため、ゲッタリングには最適なウエーハであると
されていた。
ーハのバルク中に簡便に形成するための手段として、Ｃ
Ｚ法で引き上げられるシリコン単結晶中に窒素を添加す
る方法が最近用いられている。シリコン中に窒素と酸素
が共存すると、酸素の析出核形成速度が高まるため、容
易にＢＭＤが形成できることが知られている。この方法
によって製造されたシリコンウエーハは高いＢＭＤ密度
を持つため、ゲッタリングには最適なウエーハであると
されていた。
【０００７】この窒素添加ウエーハのゲッタリング能力
と優れた表層品質の両者を同時に実現できるウエーハが
窒素添加ウエーハを基板としたエピタキシャルウエーハ
である。これは従来のエピタキシャルウエーハに比べ、
ＢＭＤを最初から含有しているため、高いゲッタリング
能力を持つものとされていた。実際に、デバイス形成熱
処理を受けた後のウエーハは、ＢＭＤがさらに成長する
ために十分なゲッタリング能力を有するという特徴を持
っていた。
と優れた表層品質の両者を同時に実現できるウエーハが
窒素添加ウエーハを基板としたエピタキシャルウエーハ
である。これは従来のエピタキシャルウエーハに比べ、
ＢＭＤを最初から含有しているため、高いゲッタリング
能力を持つものとされていた。実際に、デバイス形成熱
処理を受けた後のウエーハは、ＢＭＤがさらに成長する
ために十分なゲッタリング能力を有するという特徴を持
っていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが最近、デバイ
ス形成熱処理が低温化のみならず、ＲＴＡ（Rapid Ther
mal Annealing）化する傾向が出てきた。つまり今まで
数時間かかっていたデバイス形成熱処理が、数秒から数
分という単位で実施されることになってきた。このよう
な短時間の熱処理では、その過程中にＢＭＤの形成ある
いは成長を期待することはほとんどできない。そして、
このようなデバイス形成熱処理を施された後のウエーハ
は、そのウエーハバルク中に検出されるＢＭＤ密度が、
十分なＢＭＤ密度とされている１０８個／ｃｍ３程度で
あっても、ゲッタリング能力不足に陥ることがあった。
ス形成熱処理が低温化のみならず、ＲＴＡ（Rapid Ther
mal Annealing）化する傾向が出てきた。つまり今まで
数時間かかっていたデバイス形成熱処理が、数秒から数
分という単位で実施されることになってきた。このよう
な短時間の熱処理では、その過程中にＢＭＤの形成ある
いは成長を期待することはほとんどできない。そして、
このようなデバイス形成熱処理を施された後のウエーハ
は、そのウエーハバルク中に検出されるＢＭＤ密度が、
十分なＢＭＤ密度とされている１０８個／ｃｍ３程度で
あっても、ゲッタリング能力不足に陥ることがあった。
【０００９】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、後でウエーハに施されるデバイス工程に依
存せず、確実に高いゲッタリング能力を持つエピタキシ
ャルウエーハを得ることを目的とする。
れたもので、後でウエーハに施されるデバイス工程に依
存せず、確実に高いゲッタリング能力を持つエピタキシ
ャルウエーハを得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明は、エピタキシャルウエーハであって、窒素が
ドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコン
エピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中の
ゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物密度が１
０８個／ｃｍ３以上であることを特徴とするエピタキシ
ャルウエーハである（請求項１）。
め本発明は、エピタキシャルウエーハであって、窒素が
ドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコン
エピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中の
ゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物密度が１
０８個／ｃｍ３以上であることを特徴とするエピタキシ
ャルウエーハである（請求項１）。
【００１１】このように、エピタキシャル層を形成した
基板のバルク中のゲッタリング能力を有するサイズの酸
素析出物密度が１０８個／ｃｍ３以上であるエピタキシ
ャルウエーハは、その後ウエーハが投入されるデバイス
プロセスがＲＴＡ化あるいは低温化されているような場
合でも、ゲッタリング能力を有するサイズのＢＭＤが十
分な密度で存在するため、十分なゲッタリング能力を発
揮することができる。さらに、ウエーハ表面にはエピタ
キシャル層が形成されているため、ウエーハの表面の品
質も良好なものとなる。なお、酸素析出物のサイズが現
状の光学的測定装置により検出可能なサイズである半径
３０〜４０ｎｍ（形状を球状と仮定した場合）であれば
確実にゲッタリング能力を有するが、それ以下のサイズ
であっても半径１０ｎｍ以上であれば、ゲッタリング能
力を有するものと透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観
察の結果、確認されている。
基板のバルク中のゲッタリング能力を有するサイズの酸
素析出物密度が１０８個／ｃｍ３以上であるエピタキシ
ャルウエーハは、その後ウエーハが投入されるデバイス
プロセスがＲＴＡ化あるいは低温化されているような場
合でも、ゲッタリング能力を有するサイズのＢＭＤが十
分な密度で存在するため、十分なゲッタリング能力を発
揮することができる。さらに、ウエーハ表面にはエピタ
キシャル層が形成されているため、ウエーハの表面の品
質も良好なものとなる。なお、酸素析出物のサイズが現
状の光学的測定装置により検出可能なサイズである半径
３０〜４０ｎｍ（形状を球状と仮定した場合）であれば
確実にゲッタリング能力を有するが、それ以下のサイズ
であっても半径１０ｎｍ以上であれば、ゲッタリング能
力を有するものと透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観
察の結果、確認されている。
【００１２】また本発明は、チョクラルスキー法により
窒素を添加したシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン
単結晶をウエーハに加工してシリコン単結晶ウエーハを
製造し、該シリコン単結晶ウエーハに熱処理を行ってウ
エーハのバルク中におけるゲッタリング能力を有するサ
イズの酸素析出物密度を１０８個／ｃｍ３以上とし、そ
の後、前記シリコン単結晶ウエーハにエピタキシャル成
長を行うことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製
造方法である（請求項２）。
窒素を添加したシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン
単結晶をウエーハに加工してシリコン単結晶ウエーハを
製造し、該シリコン単結晶ウエーハに熱処理を行ってウ
エーハのバルク中におけるゲッタリング能力を有するサ
イズの酸素析出物密度を１０８個／ｃｍ３以上とし、そ
の後、前記シリコン単結晶ウエーハにエピタキシャル成
長を行うことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製
造方法である（請求項２）。
【００１３】このように、シリコン単結晶ウエーハに熱
処理を行ってウエーハのバルク中におけるゲッタリング
能力を有するサイズの酸素析出物密度を１０８個／ｃｍ
３以上とし、その後にエピタキシャル成長を行うことに
より、ウエーハバルク中に十分なゲッタリング能力を有
するサイズのＢＭＤが十分な密度で存在するものとする
ことができる。そのため、その後のデバイスプロセスが
ＲＴＡ化あるは低温化等されていたとしても、要求を満
たすゲッタリング能力を有するウエーハを製造すること
ができる。また、この場合の熱処理は、シリコン単結晶
に窒素が添加されているため、窒素が添加されていない
ウエーハのように複雑で長時間の熱処理は必要なく、比
較的簡単で短時間の熱処理でよい。そして、ウエーハ表
面にはエピタキシャル成長によりエピタキシャル層を形
成するため、ウエーハの表層品質も良好なものが得られ
る。
処理を行ってウエーハのバルク中におけるゲッタリング
能力を有するサイズの酸素析出物密度を１０８個／ｃｍ
３以上とし、その後にエピタキシャル成長を行うことに
より、ウエーハバルク中に十分なゲッタリング能力を有
するサイズのＢＭＤが十分な密度で存在するものとする
ことができる。そのため、その後のデバイスプロセスが
ＲＴＡ化あるは低温化等されていたとしても、要求を満
たすゲッタリング能力を有するウエーハを製造すること
ができる。また、この場合の熱処理は、シリコン単結晶
に窒素が添加されているため、窒素が添加されていない
ウエーハのように複雑で長時間の熱処理は必要なく、比
較的簡単で短時間の熱処理でよい。そして、ウエーハ表
面にはエピタキシャル成長によりエピタキシャル層を形
成するため、ウエーハの表層品質も良好なものが得られ
る。
【００１４】なお、このシリコン単結晶ウエーハに施す
熱処理は、その後に行われる高温下のエピタキシャル成
長により酸素析出物のサイズが縮小することがあるの
で、好ましくはこの熱処理工程で、酸素析出物のサイズ
を半径３０〜４０ｎｍ以上に、密度を１０９個／ｃｍ３
以上としておくことが望ましい。すなわち、結果として
エピタキシャル成長後におけるエピタキシャルウエーハ
のゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物が１０
８個／ｃｍ３以上となるようにすればよい。
熱処理は、その後に行われる高温下のエピタキシャル成
長により酸素析出物のサイズが縮小することがあるの
で、好ましくはこの熱処理工程で、酸素析出物のサイズ
を半径３０〜４０ｎｍ以上に、密度を１０９個／ｃｍ３
以上としておくことが望ましい。すなわち、結果として
エピタキシャル成長後におけるエピタキシャルウエーハ
のゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物が１０
８個／ｃｍ３以上となるようにすればよい。
【００１５】この場合、前記シリコン単結晶ウエーハに
行う熱処理として、６００℃〜１０００℃で０．５時間
〜８時間の第１熱処理と８００℃〜１１５０℃で０時間
〜１０時間の第２熱処理からなる熱処理を行うことが好
ましい（請求項３）。
行う熱処理として、６００℃〜１０００℃で０．５時間
〜８時間の第１熱処理と８００℃〜１１５０℃で０時間
〜１０時間の第２熱処理からなる熱処理を行うことが好
ましい（請求項３）。
【００１６】これは、窒素添加によって酸素析出核形成
が促進されるにしても、酸素析出過程は析出核形成と成
長の２段階に分けられるからである。そして、その各段
階において、最適な温度および時間は、初期酸素濃度や
添加窒素濃度等によって異なり、熱処理条件を決定する
には、最適化の必要がある。従って、本発明による効果
を持たせるには、熱処理条件は６００℃〜１０００℃で
０．５時間〜８時間の範囲で行う第１熱処理と、８００
℃〜１１５０℃で０時間〜１０時間の範囲で行う第２熱
処理からなる熱処理を行うことにより、ウエーハバルク
中に確実にゲッタリング能力を発揮する１０ｎｍ以上の
必要なサイズのＢＭＤを必要な密度で形成することがで
きる。
が促進されるにしても、酸素析出過程は析出核形成と成
長の２段階に分けられるからである。そして、その各段
階において、最適な温度および時間は、初期酸素濃度や
添加窒素濃度等によって異なり、熱処理条件を決定する
には、最適化の必要がある。従って、本発明による効果
を持たせるには、熱処理条件は６００℃〜１０００℃で
０．５時間〜８時間の範囲で行う第１熱処理と、８００
℃〜１１５０℃で０時間〜１０時間の範囲で行う第２熱
処理からなる熱処理を行うことにより、ウエーハバルク
中に確実にゲッタリング能力を発揮する１０ｎｍ以上の
必要なサイズのＢＭＤを必要な密度で形成することがで
きる。
【００１７】この場合、前記窒素を添加したシリコン単
結晶を引き上げる際に、該単結晶に添加する窒素濃度を
１０１３〜１０１４個／ｃｍ３にすることが好ましい
（請求項４）。前述したようにシリコン結晶中への窒素
添加により、酸素析出核形成が促進されることが知られ
ている。その際、窒素添加が確実に効果を持つ濃度が１
×１０ １３個／ｃｍ３であるため、この濃度以上とする
ことが好ましい。一方、窒素濃度が１×１０１４個／ｃ
ｍ３以下であれば、シリコンウエーハ表面の欠陥が起因
して形成されるエピタキシャル層の積層欠陥（ＳＦ）な
どのエピ欠陥は著しく抑制されるため、この濃度以下と
することが好ましい。
結晶を引き上げる際に、該単結晶に添加する窒素濃度を
１０１３〜１０１４個／ｃｍ３にすることが好ましい
（請求項４）。前述したようにシリコン結晶中への窒素
添加により、酸素析出核形成が促進されることが知られ
ている。その際、窒素添加が確実に効果を持つ濃度が１
×１０ １３個／ｃｍ３であるため、この濃度以上とする
ことが好ましい。一方、窒素濃度が１×１０１４個／ｃ
ｍ３以下であれば、シリコンウエーハ表面の欠陥が起因
して形成されるエピタキシャル層の積層欠陥（ＳＦ）な
どのエピ欠陥は著しく抑制されるため、この濃度以下と
することが好ましい。
【００１８】以下、本発明をさらに詳細に説明する。本
発明者は、デバイス工程に依存せずゲッタリング能力を
持つエピタキシャルウエーハを得るため鋭意研究を行っ
た。従来の窒素をドープしたシリコン単結晶ウエーハに
エピタキシャル成長を行ったウエーハは、バルク中の酸
素析出物を検出可能なサイズまで成長させる熱処理（例
えば８００℃／４ｈ＋１０００℃／１６ｈ）を加えた後
にＢＭＤ密度を測定すると、デバイスプロセス投入前か
らＢＭＤを１０８個／ｃｍ３程度は有しており、高いゲ
ッタリング能力を有するものとされていた。しかし、そ
の後に投入されるデバイスプロセスによっては、要求さ
れるゲッタリング能力を得られないことがあった。
発明者は、デバイス工程に依存せずゲッタリング能力を
持つエピタキシャルウエーハを得るため鋭意研究を行っ
た。従来の窒素をドープしたシリコン単結晶ウエーハに
エピタキシャル成長を行ったウエーハは、バルク中の酸
素析出物を検出可能なサイズまで成長させる熱処理（例
えば８００℃／４ｈ＋１０００℃／１６ｈ）を加えた後
にＢＭＤ密度を測定すると、デバイスプロセス投入前か
らＢＭＤを１０８個／ｃｍ３程度は有しており、高いゲ
ッタリング能力を有するものとされていた。しかし、そ
の後に投入されるデバイスプロセスによっては、要求さ
れるゲッタリング能力を得られないことがあった。
【００１９】そこで本発明者は、窒素を添加したシリコ
ン単結晶をそのままウエーハに加工したas-grownの窒素
ドープシリコン単結晶ウエーハやそれにエピタキシャル
層を成長させただけのエピタキシャルウエーハについ
て、透過型電子顕微鏡を用いてバルク中のＢＭＤを詳細
に調査した。その結果、確かに検出されるＢＭＤの密度
は１０８個／ｃｍ３程度はあるものの、そのＢＭＤのサ
イズは大部分が半径１０ｎｍを下回るものであることが
判明した。一方、ＤＺ−ＩＧのように高温、長時間の熱
処理を施され、必要とされるゲッタリング能力を有する
ウエーハについても同様に調査を行ったところ、同じＢ
ＭＤ密度であっても、そのＢＭＤのサイズは半径１０ｎ
ｍを上回り、大部分が光学的測定装置により検出可能な
半径３０〜４０ｎｍをも上回ることが判明した。
ン単結晶をそのままウエーハに加工したas-grownの窒素
ドープシリコン単結晶ウエーハやそれにエピタキシャル
層を成長させただけのエピタキシャルウエーハについ
て、透過型電子顕微鏡を用いてバルク中のＢＭＤを詳細
に調査した。その結果、確かに検出されるＢＭＤの密度
は１０８個／ｃｍ３程度はあるものの、そのＢＭＤのサ
イズは大部分が半径１０ｎｍを下回るものであることが
判明した。一方、ＤＺ−ＩＧのように高温、長時間の熱
処理を施され、必要とされるゲッタリング能力を有する
ウエーハについても同様に調査を行ったところ、同じＢ
ＭＤ密度であっても、そのＢＭＤのサイズは半径１０ｎ
ｍを上回り、大部分が光学的測定装置により検出可能な
半径３０〜４０ｎｍをも上回ることが判明した。
【００２０】このことから、ＢＭＤが実際にゲッタリン
グ能力を発揮するには、そのサイズが少なくとも半径１
０ｎｍ以上、好ましくは半径３０ｎｍ以上はあることを
必要とし、このＢＭＤのサイズを少なくとも半径１０ｎ
ｍ以上とすることにより、後のデバイス工程に依存せず
にゲッタリング能力を発揮するウエーハを提供すること
ができることが予想された。
グ能力を発揮するには、そのサイズが少なくとも半径１
０ｎｍ以上、好ましくは半径３０ｎｍ以上はあることを
必要とし、このＢＭＤのサイズを少なくとも半径１０ｎ
ｍ以上とすることにより、後のデバイス工程に依存せず
にゲッタリング能力を発揮するウエーハを提供すること
ができることが予想された。
【００２１】そこで、本発明者は窒素を添加したシリコ
ン単結晶ウエーハに対して、エピタキシャル成長を行う
前に熱処理を施し、ＢＭＤのサイズを成長させ、実際に
ゲッタリング能力を有するサイズのＢＭＤ密度を増やす
ことを想到した。この場合の熱処理は、前述のＤＺ−Ｉ
Ｇで行う熱処理とは異なり、ウエーハに窒素を添加して
いるために比較的簡単な短時間の熱処理で必要なＢＭＤ
を形成することができる。本発明はこのような基本思想
に基づき、諸条件を検討の結果、完成したものである。
ン単結晶ウエーハに対して、エピタキシャル成長を行う
前に熱処理を施し、ＢＭＤのサイズを成長させ、実際に
ゲッタリング能力を有するサイズのＢＭＤ密度を増やす
ことを想到した。この場合の熱処理は、前述のＤＺ−Ｉ
Ｇで行う熱処理とは異なり、ウエーハに窒素を添加して
いるために比較的簡単な短時間の熱処理で必要なＢＭＤ
を形成することができる。本発明はこのような基本思想
に基づき、諸条件を検討の結果、完成したものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。本発明において、ＣＺ法によって窒素をドープした
シリコン単結晶棒を育成するには、例えば特開昭６０−
２５１１９０号に記載されているような公知の方法によ
れば良い。
て説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。本発明において、ＣＺ法によって窒素をドープした
シリコン単結晶棒を育成するには、例えば特開昭６０−
２５１１９０号に記載されているような公知の方法によ
れば良い。
【００２３】すなわち、ＣＺ法は、石英ルツボ中に収容
された多結晶シリコン原料の融液に種結晶を接触させ、
これを回転させながらゆっくりと引き上げて所望直径の
シリコン単結晶棒を育成する方法であるが、あらかじめ
石英ルツボ内に窒化物を入れておくか、シリコン融液中
に窒化物を投入するか、雰囲気ガスを窒素を含む雰囲気
等とすることによって、引き上げ結晶中に窒素をドープ
することができる。この際、窒化物の量あるいは窒素ガ
スの濃度あるいは導入時間等を調整することによって、
結晶中のドープ量を制御することが出来る。
された多結晶シリコン原料の融液に種結晶を接触させ、
これを回転させながらゆっくりと引き上げて所望直径の
シリコン単結晶棒を育成する方法であるが、あらかじめ
石英ルツボ内に窒化物を入れておくか、シリコン融液中
に窒化物を投入するか、雰囲気ガスを窒素を含む雰囲気
等とすることによって、引き上げ結晶中に窒素をドープ
することができる。この際、窒化物の量あるいは窒素ガ
スの濃度あるいは導入時間等を調整することによって、
結晶中のドープ量を制御することが出来る。
【００２４】このように、ＣＺ法によって単結晶棒を育
成する際に、窒素をドープすることによって、シリコン
中の酸素原子の凝縮を助長し、酸素析出物密度を高くす
ることが出来る。この場合、窒素濃度は１×１０１３〜
１×１０１４個／ｃｍ３にすることが好ましい。これ
は、窒素濃度が１×１０１３個／ｃｍ３以上であれば、
酸素析出核がas-grown状態で確実に形成されるため、熱
処理後にゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物
密度が１×１０8個／ｃｍ３以上となるエピタキシャル
ウエーハをより確実に作製することができ、また窒素濃
度が１×１０１４個／ｃｍ３以下であれば、基板である
シリコンウエーハに起因したエピタキシャル層に形成さ
れる積層欠陥（ＳＦ）などのエピ結晶欠陥が著しく抑制
されるからである。
成する際に、窒素をドープすることによって、シリコン
中の酸素原子の凝縮を助長し、酸素析出物密度を高くす
ることが出来る。この場合、窒素濃度は１×１０１３〜
１×１０１４個／ｃｍ３にすることが好ましい。これ
は、窒素濃度が１×１０１３個／ｃｍ３以上であれば、
酸素析出核がas-grown状態で確実に形成されるため、熱
処理後にゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物
密度が１×１０8個／ｃｍ３以上となるエピタキシャル
ウエーハをより確実に作製することができ、また窒素濃
度が１×１０１４個／ｃｍ３以下であれば、基板である
シリコンウエーハに起因したエピタキシャル層に形成さ
れる積層欠陥（ＳＦ）などのエピ結晶欠陥が著しく抑制
されるからである。
【００２５】こうして、ＣＺ法において所望濃度の窒素
がドープされたシリコン単結晶棒が得られる。これを通
常の方法にしたがい、内周刃スライサあるいはワイヤソ
ー等の切断装置でスライスした後、面取り、ラッピン
グ、エッチング、研磨等の工程を経てシリコン単結晶ウ
エーハに加工する。もちろん、これらの工程は例示列挙
したにとどまり、この他にも研削、洗浄等種々の工程が
あり得るし、工程順の変更、一部省略等目的に応じ適宜
工程は変更使用されている。
がドープされたシリコン単結晶棒が得られる。これを通
常の方法にしたがい、内周刃スライサあるいはワイヤソ
ー等の切断装置でスライスした後、面取り、ラッピン
グ、エッチング、研磨等の工程を経てシリコン単結晶ウ
エーハに加工する。もちろん、これらの工程は例示列挙
したにとどまり、この他にも研削、洗浄等種々の工程が
あり得るし、工程順の変更、一部省略等目的に応じ適宜
工程は変更使用されている。
【００２６】次に、このウエーハに熱処理を行ってエピ
タキシャル成長後のエピタキシャルウエーハのバルク中
におけるゲッタリング能力を有するサイズ、例えば半径
１０ｎｍ以上の酸素析出物密度を１０８個／ｃｍ３以上
とする熱処理を行う。なお、この熱処理は、その後に行
われるエピタキシャル成長により酸素析出物のサイズが
縮小することがあるので、好ましくはこの熱処理工程
で、半径３０〜４０ｎｍ以上の酸素析出物の密度が１０
９個／ｃｍ３以上となるようにしておくことが望まし
い。そして、結果としてエピタキシャル成長後における
エピタキシャルウエーハの半径１０ｎｍ以上の酸素析出
物密度が１０８個／ｃｍ３以上となるようにする。この
熱処理は、バルク中の酸素析出物のサイズを成長させて
上記サイズの酸素析出物の密度を１０８個／ｃｍ３以上
とできるものであれば、どのような方法によっても良
い。特に本発明では、シリコン単結晶ウエーハに窒素が
添加されているため、比較的に短時間の熱処理で所望の
ＢＭＤを形成することができる。
タキシャル成長後のエピタキシャルウエーハのバルク中
におけるゲッタリング能力を有するサイズ、例えば半径
１０ｎｍ以上の酸素析出物密度を１０８個／ｃｍ３以上
とする熱処理を行う。なお、この熱処理は、その後に行
われるエピタキシャル成長により酸素析出物のサイズが
縮小することがあるので、好ましくはこの熱処理工程
で、半径３０〜４０ｎｍ以上の酸素析出物の密度が１０
９個／ｃｍ３以上となるようにしておくことが望まし
い。そして、結果としてエピタキシャル成長後における
エピタキシャルウエーハの半径１０ｎｍ以上の酸素析出
物密度が１０８個／ｃｍ３以上となるようにする。この
熱処理は、バルク中の酸素析出物のサイズを成長させて
上記サイズの酸素析出物の密度を１０８個／ｃｍ３以上
とできるものであれば、どのような方法によっても良
い。特に本発明では、シリコン単結晶ウエーハに窒素が
添加されているため、比較的に短時間の熱処理で所望の
ＢＭＤを形成することができる。
【００２７】しかし、窒素添加によって酸素析出核形成
が促進されるにしても、酸素析出過程は析出核形成と成
長の２段階に分けられる。その各段階において、最適な
温度および時間は、初期酸素濃度や添加窒素濃度等によ
って異なり、熱処理条件を決定するには、これらを最適
化する必要がある。従って、本発明による効果を確実に
持たせるには、シリコン単結晶中の窒素濃度が特に１０
１３〜１０１４個／ｃｍ３の場合、熱処理条件は６００
℃〜１０００℃で０．５時間〜８時間の範囲で行う第１
熱処理と、８００℃〜１１５０℃で０時間〜１０時間の
範囲で行う第２熱処理からなる熱処理とすることが好ま
しい。
が促進されるにしても、酸素析出過程は析出核形成と成
長の２段階に分けられる。その各段階において、最適な
温度および時間は、初期酸素濃度や添加窒素濃度等によ
って異なり、熱処理条件を決定するには、これらを最適
化する必要がある。従って、本発明による効果を確実に
持たせるには、シリコン単結晶中の窒素濃度が特に１０
１３〜１０１４個／ｃｍ３の場合、熱処理条件は６００
℃〜１０００℃で０．５時間〜８時間の範囲で行う第１
熱処理と、８００℃〜１１５０℃で０時間〜１０時間の
範囲で行う第２熱処理からなる熱処理とすることが好ま
しい。
【００２８】第１熱処理が６００℃未満であると新たな
析出核形成が期待できず、逆に１０００℃を超えると既
に存在する析出核を消滅させるおそれがある。また第２
熱処理が８００℃未満であると析出物成長に長時間を要
し効果的でなく、１１５０℃を超えるとスリップ転位や
金属汚染等が懸念される。第２熱処理時間が０時間の場
合は第１熱処理のみということになるが、窒素が添加さ
れているため、第１熱処理条件の範囲内において比較的
高温長時間の熱処理を行えば、目的とする酸素析出物を
得ることができる。
析出核形成が期待できず、逆に１０００℃を超えると既
に存在する析出核を消滅させるおそれがある。また第２
熱処理が８００℃未満であると析出物成長に長時間を要
し効果的でなく、１１５０℃を超えるとスリップ転位や
金属汚染等が懸念される。第２熱処理時間が０時間の場
合は第１熱処理のみということになるが、窒素が添加さ
れているため、第１熱処理条件の範囲内において比較的
高温長時間の熱処理を行えば、目的とする酸素析出物を
得ることができる。
【００２９】この熱処理をする際の雰囲気としては、特
に限定されるものではなく、水素、窒素またはアルゴン
等の不活性ガス、あるいはこれらの混合ガス、場合によ
っては酸素等であっても良い。
に限定されるものではなく、水素、窒素またはアルゴン
等の不活性ガス、あるいはこれらの混合ガス、場合によ
っては酸素等であっても良い。
【００３０】また、熱処理に使用する装置としては、エ
ピタキシャル成長装置を用いて、熱処理とエピタキシャ
ル堆積を連続的に行うようにすれば、高い生産性で処理
できる。また、熱処理を比較的長時間行う場合には、同
時に数十枚以上のウエーハの熱処理が可能なヒーター加
熱方式の熱処理炉を用いてバッチ処理すると効率的であ
る。
ピタキシャル成長装置を用いて、熱処理とエピタキシャ
ル堆積を連続的に行うようにすれば、高い生産性で処理
できる。また、熱処理を比較的長時間行う場合には、同
時に数十枚以上のウエーハの熱処理が可能なヒーター加
熱方式の熱処理炉を用いてバッチ処理すると効率的であ
る。
【００３１】このシリコン単結晶ウエーハのバルク中に
ゲッタリング能力を有するサイズのＢＭＤを形成する熱
処理を行った後、ウエーハ表面にシリコンエピタキシャ
ル層を形成する。このエピタキシャル成長は、一般的な
ＣＶＤ法により行うことができる。このＣＶＤ法では、
例えばシリンダタイプのベルジャ内にシリコン基板を載
置するサセプタを配置した輻射加熱方式のエピタキシャ
ル成長炉内にトリクロロシランを導入することにより、
シリコン単結晶ウエーハ上にシリコンをエピタキシャル
成長させる。
ゲッタリング能力を有するサイズのＢＭＤを形成する熱
処理を行った後、ウエーハ表面にシリコンエピタキシャ
ル層を形成する。このエピタキシャル成長は、一般的な
ＣＶＤ法により行うことができる。このＣＶＤ法では、
例えばシリンダタイプのベルジャ内にシリコン基板を載
置するサセプタを配置した輻射加熱方式のエピタキシャ
ル成長炉内にトリクロロシランを導入することにより、
シリコン単結晶ウエーハ上にシリコンをエピタキシャル
成長させる。
【００３２】このように、本発明では、デバイス工程投
入前のエピタキシャルウエーハ中に、半径１０ｎｍ以上
の酸素析出物（ＢＭＤ）が１０８個／ｃｍ３以上存在す
る。従って、デバイス工程がＲＴＡ化し短時間化あるい
は低温化していたとしても、十分なゲッタリング能力を
発揮することができる。従来の窒素ドープエピタキシャ
ルウエーハはＢＭＤの密度は１０８個／ｃｍ３があった
としても、その後のデバイスプロセスが、ＲＴＡ化、低
温化した場合は、サイズが１０ｎｍ以上にまで成長せ
ず、ゲッタリング能力を十分には発揮できない場合があ
った。
入前のエピタキシャルウエーハ中に、半径１０ｎｍ以上
の酸素析出物（ＢＭＤ）が１０８個／ｃｍ３以上存在す
る。従って、デバイス工程がＲＴＡ化し短時間化あるい
は低温化していたとしても、十分なゲッタリング能力を
発揮することができる。従来の窒素ドープエピタキシャ
ルウエーハはＢＭＤの密度は１０８個／ｃｍ３があった
としても、その後のデバイスプロセスが、ＲＴＡ化、低
温化した場合は、サイズが１０ｎｍ以上にまで成長せ
ず、ゲッタリング能力を十分には発揮できない場合があ
った。
【００３３】
【実施例】以下、本発明の実施例および比較例を挙げて
具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。 （実施例１）ＣＺ法により、直径８インチ、初期酸素濃
度１４ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ：日本電子工業振興協会規
格）、方位<１００>の結晶棒を引き上げた。その際、原
料中にあらかじめ窒化珪素膜を有するシリコンウエーハ
を投入し、窒素濃度が３×１０１３個／ｃｍ３になるよ
う制御して添加した。この結晶棒を加工して基板ウエー
ハとした。
具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。 （実施例１）ＣＺ法により、直径８インチ、初期酸素濃
度１４ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ：日本電子工業振興協会規
格）、方位<１００>の結晶棒を引き上げた。その際、原
料中にあらかじめ窒化珪素膜を有するシリコンウエーハ
を投入し、窒素濃度が３×１０１３個／ｃｍ３になるよ
う制御して添加した。この結晶棒を加工して基板ウエー
ハとした。
【００３４】この基板ウエーハに（８００℃、２ｈｒ）
＋（１０００℃、８ｈｒ）の酸素析出熱処理を窒素雰囲
気にて施した後、エピタキシャル層を３μｍ堆積させ
た。エピタキシャル成長は、シリンダタイプのベルジャ
内にシリコン基板を載置するサセプタが配置された輻射
加熱方式のエピタキシャル成長炉を用い、１１２５℃の
温度でトリクロロシランを導入することにより行った。
このエピタキシャルウエーハをＬＳＴ（光散乱トモグラ
フ法）によってウエーハバルク中のＢＭＤを測定した。
このＬＳＴは半導体にレーザ光を照射し、半導体内部の
欠陥で散乱した散乱光をモニタして半導体内部の欠陥分
布を断層像として観測する手法であり、シリコンウエー
ハのＢＭＤ測定に適用した場合、ＢＭＤの密度、サイ
ズ、分布等を測定することができる。
＋（１０００℃、８ｈｒ）の酸素析出熱処理を窒素雰囲
気にて施した後、エピタキシャル層を３μｍ堆積させ
た。エピタキシャル成長は、シリンダタイプのベルジャ
内にシリコン基板を載置するサセプタが配置された輻射
加熱方式のエピタキシャル成長炉を用い、１１２５℃の
温度でトリクロロシランを導入することにより行った。
このエピタキシャルウエーハをＬＳＴ（光散乱トモグラ
フ法）によってウエーハバルク中のＢＭＤを測定した。
このＬＳＴは半導体にレーザ光を照射し、半導体内部の
欠陥で散乱した散乱光をモニタして半導体内部の欠陥分
布を断層像として観測する手法であり、シリコンウエー
ハのＢＭＤ測定に適用した場合、ＢＭＤの密度、サイ
ズ、分布等を測定することができる。
【００３５】こうしてＢＭＤ密度を測定した結果、ＢＭ
Ｄ密度は１０９個／ｃｍ３であった。その時の球状仮定
のＢＭＤ半径は平均約４０ｎｍであった。
Ｄ密度は１０９個／ｃｍ３であった。その時の球状仮定
のＢＭＤ半径は平均約４０ｎｍであった。
【００３６】このウエーハにＮｉを故意汚染し、表面に
発生するシャローピットを光学顕微鏡で観察したところ
シャローピットは観察されず、この実施例１のエピタキ
シャルウエーハが高いゲッタリング能力を持っているこ
とがわかった。
発生するシャローピットを光学顕微鏡で観察したところ
シャローピットは観察されず、この実施例１のエピタキ
シャルウエーハが高いゲッタリング能力を持っているこ
とがわかった。
【００３７】この結果から本発明によるエピタキシャル
ウエーハでは、十分なサイズを有するＢＭＤの密度が高
いため、ゲッタリング能力の優れたエピタキシャルウエ
ーハを作製できることが判る。特に、その後の熱処理に
よりＢＭＤを発生させる必要がないため、デバイス工程
に依存せず、かつデバイス工程の初期からゲッタリング
能力を有するウエーハを作製できた。
ウエーハでは、十分なサイズを有するＢＭＤの密度が高
いため、ゲッタリング能力の優れたエピタキシャルウエ
ーハを作製できることが判る。特に、その後の熱処理に
よりＢＭＤを発生させる必要がないため、デバイス工程
に依存せず、かつデバイス工程の初期からゲッタリング
能力を有するウエーハを作製できた。
【００３８】（実施例２）実施例１と同様にＣＺ法によ
り、窒素を添加してシリコン単結晶棒を引き上げ、この
結晶棒を加工して基板ウエーハとした。この基板ウエー
ハに（８５０℃、１ｈｒ）＋（１１００℃、２ｈｒ）の
実施例１に比べて短時間の熱処理を施した後、実施例１
と同様にエピタキシャル層を３μｍ堆積させた。このエ
ピタキシャルウエーハを実施例１と同様にＬＳＴによっ
てウエーハバルク中のＢＭＤを測定した。
り、窒素を添加してシリコン単結晶棒を引き上げ、この
結晶棒を加工して基板ウエーハとした。この基板ウエー
ハに（８５０℃、１ｈｒ）＋（１１００℃、２ｈｒ）の
実施例１に比べて短時間の熱処理を施した後、実施例１
と同様にエピタキシャル層を３μｍ堆積させた。このエ
ピタキシャルウエーハを実施例１と同様にＬＳＴによっ
てウエーハバルク中のＢＭＤを測定した。
【００３９】ＢＭＤ密度を測定した結果、ＢＭＤ密度は
４×１０９個／ｃｍ３であった。その時の球状仮定のＢ
ＭＤ半径は平均約３５ｎｍであった。
４×１０９個／ｃｍ３であった。その時の球状仮定のＢ
ＭＤ半径は平均約３５ｎｍであった。
【００４０】このウエーハに実施例１と同様にＮｉを故
意汚染し、表面に発生するシャローピットを光学顕微鏡
で観察したところシャローピットは観察されず、この実
施例２のエピタキシャルウエーハが高いゲッタリング能
力を持っていることがわかった。この結果から、短い熱
処理時間でも本発明の効果が得られることが判る。
意汚染し、表面に発生するシャローピットを光学顕微鏡
で観察したところシャローピットは観察されず、この実
施例２のエピタキシャルウエーハが高いゲッタリング能
力を持っていることがわかった。この結果から、短い熱
処理時間でも本発明の効果が得られることが判る。
【００４１】（比較例１）実施例１と同様に窒素を添加
してシリコン単結晶棒を引き上げ、この結晶棒を加工し
て基板ウエーハとした。この基板ウエーハに、実施例１
及び実施例２のようなエピタキシャル成長前の熱処理を
施さないで直接エピタキシャル層を３μｍ堆積させた。
このエピタキシャルウエーハを実施例１と同様にＬＳＴ
によってウエーハバルク中のＢＭＤを測定した。ＢＭＤ
密度を測定した結果、検出されたＢＭＤ密度は１０７個
／ｃｍ３であった。
してシリコン単結晶棒を引き上げ、この結晶棒を加工し
て基板ウエーハとした。この基板ウエーハに、実施例１
及び実施例２のようなエピタキシャル成長前の熱処理を
施さないで直接エピタキシャル層を３μｍ堆積させた。
このエピタキシャルウエーハを実施例１と同様にＬＳＴ
によってウエーハバルク中のＢＭＤを測定した。ＢＭＤ
密度を測定した結果、検出されたＢＭＤ密度は１０７個
／ｃｍ３であった。
【００４２】このウエーハに実施例１と同様にＮｉを故
意汚染し、表面に発生するシャローピットを光学顕微鏡
で観察したところ大量のシャローピットが観察され、こ
の比較例１のエピタキシャルウエーハのゲッタリング能
力が不足していることがわかった。
意汚染し、表面に発生するシャローピットを光学顕微鏡
で観察したところ大量のシャローピットが観察され、こ
の比較例１のエピタキシャルウエーハのゲッタリング能
力が不足していることがわかった。
【００４３】（比較例２）窒素を添加しないこと以外は
実施例１と同様にシリコン単結晶棒を引き上げ、この結
晶棒を加工して基板ウエーハとした。この基板ウエーハ
に実施例１と同様に（８００℃、２ｈｒ）＋（１０００
℃、８ｈｒ）の酸素析出熱処理を窒素雰囲気にて施した
後、エピタキシャル層を３μｍ堆積させた。このエピタ
キシャルウエーハをＬＳＴによってウエーハバルク中の
ＢＭＤを測定した。ＢＭＤ密度を測定した結果、検出さ
れたＢＭＤ密度は１０７個／ｃｍ３であった。
実施例１と同様にシリコン単結晶棒を引き上げ、この結
晶棒を加工して基板ウエーハとした。この基板ウエーハ
に実施例１と同様に（８００℃、２ｈｒ）＋（１０００
℃、８ｈｒ）の酸素析出熱処理を窒素雰囲気にて施した
後、エピタキシャル層を３μｍ堆積させた。このエピタ
キシャルウエーハをＬＳＴによってウエーハバルク中の
ＢＭＤを測定した。ＢＭＤ密度を測定した結果、検出さ
れたＢＭＤ密度は１０７個／ｃｍ３であった。
【００４４】このウエーハに実施例１と同様にＮｉを故
意汚染し、表面に発生するシャローピットを光学顕微鏡
で観察したところ大量のシャローピットが観察され、こ
の比較例２のエピタキシャルウエーハのゲッタリング能
力が不足していることがわかった。
意汚染し、表面に発生するシャローピットを光学顕微鏡
で観察したところ大量のシャローピットが観察され、こ
の比較例２のエピタキシャルウエーハのゲッタリング能
力が不足していることがわかった。
【００４５】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではない。上記形態は例示であり、本発明の特許請
求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成
を有し、かつ同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ものではない。上記形態は例示であり、本発明の特許請
求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成
を有し、かつ同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４６】例えば本発明において、エピ前熱処理の条
件は厳密には問われていないものであり、他の温度によ
る熱処理、時間を用いるか、あるいは数段の熱処理プロ
セスを組み合わせて同様の効果を持たせたエピタキシャ
ルシリコンウエーハを作製しても、本発明の範囲に含ま
れる。
件は厳密には問われていないものであり、他の温度によ
る熱処理、時間を用いるか、あるいは数段の熱処理プロ
セスを組み合わせて同様の効果を持たせたエピタキシャ
ルシリコンウエーハを作製しても、本発明の範囲に含ま
れる。
【００４７】
【発明の効果】以上のように、本発明により簡単な方法
で後に行われるデバイス工程に依存せず、高いゲッタリ
ング能力を持つエピタキシャルウエーハを得ることがで
きる。
で後に行われるデバイス工程に依存せず、高いゲッタリ
ング能力を持つエピタキシャルウエーハを得ることがで
きる。
Claims (4)
- 【請求項１】 エピタキシャルウエーハであって、窒素
がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコ
ンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中
のゲッタリング能力を有するサイズの酸素析出物密度が
１０８個／ｃｍ３以上であることを特徴とするエピタキ
シャルウエーハ。 - 【請求項２】 チョクラルスキー法により窒素を添加し
たシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単結晶をウエ
ーハに加工してシリコン単結晶ウエーハを製造し、該シ
リコン単結晶ウエーハに熱処理を行ってウエーハのバル
ク中におけるゲッタリング能力を有するサイズの酸素析
出物密度を１０８個／ｃｍ３以上とし、その後、前記シ
リコン単結晶ウエーハにエピタキシャル成長を行うこと
を特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 【請求項３】 前記シリコン単結晶ウエーハに行う熱処
理として、６００℃〜１０００℃で０．５時間〜８時間
の第１熱処理と８００℃〜１１５０℃で０時間〜１０時
間の第２熱処理からなる熱処理を行うことを特徴とする
請求項２に記載されたエピタキシャルウエーハの製造方
法。 - 【請求項４】 前記窒素を添加したシリコン単結晶を引
き上げる際に、該単結晶に添加する窒素濃度を１０１３
〜１０１４個／ｃｍ３にすることを特徴とする請求項２
または請求項３に記載されたエピタキシャルウエーハの
製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001253510A JP4615161B2 (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | エピタキシャルウエーハの製造方法 |
| US10/487,043 US7071079B2 (en) | 2001-08-23 | 2002-08-21 | Epitaxial wafer and a method for producing it |
| EP02762823A EP1420440B1 (en) | 2001-08-23 | 2002-08-21 | An epitaxial wafer and a method for producing it |
| KR1020047002529A KR100885762B1 (ko) | 2001-08-23 | 2002-08-21 | 에피텍셜 웨이퍼 및 그 제조방법 |
| PCT/JP2002/008437 WO2003019647A1 (fr) | 2001-08-23 | 2002-08-21 | Tranche épitaxiale et son procédé de production |
| CNB028162978A CN1280879C (zh) | 2001-08-23 | 2002-08-21 | 外延晶片及其制造方法 |
| TW091119017A TW557496B (en) | 2001-08-23 | 2002-08-22 | Epitaxial wafer and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001253510A JP4615161B2 (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | エピタキシャルウエーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068743A true JP2003068743A (ja) | 2003-03-07 |
| JP4615161B2 JP4615161B2 (ja) | 2011-01-19 |
Family
ID=19081823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001253510A Expired - Fee Related JP4615161B2 (ja) | 2001-08-23 | 2001-08-23 | エピタキシャルウエーハの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7071079B2 (ja) |
| EP (1) | EP1420440B1 (ja) |
| JP (1) | JP4615161B2 (ja) |
| KR (1) | KR100885762B1 (ja) |
| CN (1) | CN1280879C (ja) |
| TW (1) | TW557496B (ja) |
| WO (1) | WO2003019647A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008103673A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-05-01 | Siltronic Ag | 半導体用シリコンウエハ、およびその製造方法 |
| WO2013153724A1 (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-17 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハとその製造方法 |
| CN108474137A (zh) * | 2015-12-22 | 2018-08-31 | 硅电子股份公司 | 具有均匀的径向氧变化的硅晶片 |
| JP2020526472A (ja) * | 2017-07-10 | 2020-08-31 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトＳｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ | 単結晶シリコンから作られる半導体ウェハおよびその製造プロセス |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1928016B1 (en) | 2006-12-01 | 2010-01-06 | Siltronic AG | Silicon wafer and method for manufacturing the same |
| KR100839657B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-06-19 | 주식회사 실트론 | 에피텍셜 웨이퍼의 제작 방법 |
| US9945048B2 (en) * | 2012-06-15 | 2018-04-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor structure and method |
| US20150187597A1 (en) * | 2013-12-31 | 2015-07-02 | Texas Instruments Incorporated | Method to improve slip resistance of silicon wafers |
| CN105280491A (zh) * | 2015-06-17 | 2016-01-27 | 上海超硅半导体有限公司 | 硅片及制造方法 |
| CN107151817A (zh) | 2016-03-03 | 2017-09-12 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭 |
| CN108511317B (zh) * | 2017-02-28 | 2021-10-22 | 胜高股份有限公司 | 外延晶圆的制造方法及外延晶圆 |
| JP6711320B2 (ja) | 2017-06-26 | 2020-06-17 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000072593A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アンチモンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ並びにこれらの製造方法 |
| JP2000109396A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-04-18 | Nippon Steel Corp | シリコン半導体基板及びその製造方法 |
| JP2000211995A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-08-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエ―ハおよびシリコン単結晶ウエ―ハの製造方法 |
| JP2002076006A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | エピタキシャルウェーハを製造する方法及びその方法により製造されたエピタキシャルウェーハ |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5818929A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60251190A (ja) | 1984-05-25 | 1985-12-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
| TW331017B (en) * | 1996-02-15 | 1998-05-01 | Toshiba Co Ltd | Manufacturing and checking method of semiconductor substrate |
| TW589415B (en) | 1998-03-09 | 2004-06-01 | Shinetsu Handotai Kk | Method for producing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer |
| JP3771737B2 (ja) * | 1998-03-09 | 2006-04-26 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウエーハの製造方法 |
| WO1999057344A1 (fr) * | 1998-05-01 | 1999-11-11 | Nippon Steel Corporation | Plaquette de semi-conducteur en silicium et son procede de fabrication |
| WO2000012787A1 (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon single crystal wafer, epitaxial silicon wafer, and method for producing them |
| WO2001027362A1 (fr) * | 1999-10-15 | 2001-04-19 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Microplaquette epitaxiale, silicium monocristallin a cet effet, procede de production et d'evaluation |
| JP4566478B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2010-10-20 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコン半導体基板およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-08-23 JP JP2001253510A patent/JP4615161B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-08-21 KR KR1020047002529A patent/KR100885762B1/ko active IP Right Grant
- 2002-08-21 CN CNB028162978A patent/CN1280879C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-21 EP EP02762823A patent/EP1420440B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-21 US US10/487,043 patent/US7071079B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-21 WO PCT/JP2002/008437 patent/WO2003019647A1/ja active Application Filing
- 2002-08-22 TW TW091119017A patent/TW557496B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000109396A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-04-18 | Nippon Steel Corp | シリコン半導体基板及びその製造方法 |
| JP2000072593A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アンチモンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ並びにこれらの製造方法 |
| JP2000211995A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-08-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエ―ハおよびシリコン単結晶ウエ―ハの製造方法 |
| JP2002076006A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | エピタキシャルウェーハを製造する方法及びその方法により製造されたエピタキシャルウェーハ |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008103673A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-05-01 | Siltronic Ag | 半導体用シリコンウエハ、およびその製造方法 |
| WO2013153724A1 (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-17 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハとその製造方法 |
| CN108474137A (zh) * | 2015-12-22 | 2018-08-31 | 硅电子股份公司 | 具有均匀的径向氧变化的硅晶片 |
| JP2019505467A (ja) * | 2015-12-22 | 2019-02-28 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトＳｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ | 均質な径方向の酸素変化量を有するシリコンウェハ |
| US10731271B2 (en) | 2015-12-22 | 2020-08-04 | Siltronic Ag | Silicon wafer with homogeneous radial oxygen variation |
| CN108474137B (zh) * | 2015-12-22 | 2021-02-26 | 硅电子股份公司 | 具有均匀的径向氧变化的硅晶片 |
| JP2020526472A (ja) * | 2017-07-10 | 2020-08-31 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトＳｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ | 単結晶シリコンから作られる半導体ウェハおよびその製造プロセス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003019647A1 (fr) | 2003-03-06 |
| CN1280879C (zh) | 2006-10-18 |
| KR20040027957A (ko) | 2004-04-01 |
| TW557496B (en) | 2003-10-11 |
| US7071079B2 (en) | 2006-07-04 |
| EP1420440A4 (en) | 2007-11-07 |
| JP4615161B2 (ja) | 2011-01-19 |
| EP1420440A1 (en) | 2004-05-19 |
| KR100885762B1 (ko) | 2009-02-26 |
| US20040180505A1 (en) | 2004-09-16 |
| CN1545725A (zh) | 2004-11-10 |
| EP1420440B1 (en) | 2012-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5072460B2 (ja) | 半導体用シリコンウエハ、およびその製造方法 | |
| US6299982B1 (en) | Silicon single crystal wafer and method for producing silicon single crystal wafer | |
| JP4670224B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| JP2002100632A (ja) | シリコンウエーハの製造方法およびシリコンウエーハ | |
| KR19990077707A (ko) | 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조방법 및 실리콘 단결정 웨이퍼 | |
| JP3975605B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハおよびシリコン単結晶ウエーハの製造方法 | |
| JP2002187794A (ja) | シリコンウェーハおよびこれに用いるシリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2007176732A (ja) | アニールウエハ及びアニールウエハの製造方法 | |
| JP4615161B2 (ja) | エピタキシャルウエーハの製造方法 | |
| JP2003327493A (ja) | シリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにシリコン単結晶の製造方法 | |
| JP4567251B2 (ja) | シリコン半導体基板およびその製造方法 | |
| KR100847925B1 (ko) | 어닐웨이퍼의 제조방법 및 어닐웨이퍼 | |
| JP3614019B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハの製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ | |
| KR100526427B1 (ko) | 실리콘 반도체기판 및 그 제조방법 | |
| JP3771737B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハの製造方法 | |
| JP2007242920A (ja) | 窒素ドープアニールウェーハの製造方法及び窒素ドープアニールウェーハ | |
| JPH1192283A (ja) | シリコンウエハ及びその製造方法 | |
| JP4126879B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP3861524B2 (ja) | シリコンウエーハ及びその製造方法 | |
| JP2001284362A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| JP3452042B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| WO2024009659A1 (ja) | シリコンウェーハ及びその製造方法 | |
| JP4414012B2 (ja) | シリコン単結晶ウェハの熱処理方法 | |
| JP2000068279A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070904 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071101 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080325 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080520 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080528 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080620 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101020 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4615161 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |