JP2003059061A

JP2003059061A - 光ディスク及び光ディスクの製造方法

Info

Publication number: JP2003059061A
Application number: JP2001242773A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Nakano; 淳中野; Yuji Akiyama; 雄治秋山
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-08-09
Filing date: 2001-08-09
Publication date: 2003-02-28

Abstract

(57)【要約】【課題】不正にデータが改ざんされたり複写されたり
することを防止する。【解決手段】基板１１の少なくとも一方の面に信号記
録面が形成され、この信号記録面上に、光透過層１７が
設けられ、この光透過層１７側から光ビームを照射しデ
ータの記録再生が行われる光ディスクであって、信号記
録面には、第１のトラックピッチでデータが記録される
外周側信号記録領域５が設けられ、この外周側信号記録
領域５の内周側に、第２のトラックピッチでピットパタ
ーンにより著作権管理データが記録された内周側信号記
録領域４が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、著作権保護データ
等を改ざんできないように記録する光ディスク及びこの
光ディスクの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＤ（compact disk）、ＤＶＤ（digita
l versatile disk）等の光ディスクに比べ記録密度を高
めて情報信号を記録することができるようにした光ディ
スクがある。この光ディスクでは、使用する光ビームの
波長をＣＤやＤＶＤより短い４００ｎｍ程度とし、対物
レンズの開口数（ＮＡ：numerical aperture）をＣＤや
ＤＶＤより大きい０．８５程度とすることで、上記ＣＤ
やＤＶＤより記録密度を高めて情報信号を記録すること
ができるようになっている。例えば、ＣＤやＤＶＤより
記録密度を高めて情報信号を記録することができる光デ
ィスクは、合成樹脂製の基板の一方の面にランドとグル
ーブからなる所定パターンを形成し、この所定パターン
上に光ビームを反射する反射層を設け、この反射層上に
相変化材料等からなる信号記録層を設け、この信号記録
層上に光透過層を設けるようにしている。そして、この
光ディスクは、光透過層側から光ビームを照射し、ラン
ドに比べ記録再生特性の良いランド上に情報信号が記録
されるようになっている。

【０００３】この光ディスクにおいて、信号のＳ／Ｎ
は、グルーブが浅い程良く、一方、サーボ信号は、グル
ーブが深い程良い。そこで、この光ディスクでは、直径
が１２ｃｍの基板で２５ギガバイト程度の記憶容量を達
成するため、トラックピッチが０．３２μｍでグルーブ
の深さが２０ｎｍ程度となるように形成されている。し
かしながら、この光ディスクは、グルーブの深さが浅い
ため変調度が小さく、信号を検出しにくくなる。そこ
で、この光ディスクでは、内周側に、グルーブをウォブ
ルさせることによって、著作権保護データ、ディスクの
初期情報等の付加データが記録される。このようなデー
タは、容易に複写できるものであったり、書き換えたり
することができるものであってはならない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】これらのデータは、ウ
ォブル変調されて記録されたとき、グルーブのウォブル
そのものがデータとなることから、書き換えられる、す
なわち改ざんされるおそれはない。しかしながら、不心
得者によって、溶剤等で信号記録層や反射層が剥がさ
れ、グルーブが形成されている合成樹脂製の基板に、メ
ッキが施されることによって、基板を成型するためのス
タンパが製造され、不正に複写がなされてしまうことが
ある。

【０００５】また、この光ディスクでは、高開口数の対
物レンズを用いることから、光ディスクと対物レンズと
の距離が極めて近接する。このため、この光ディスクで
は、光透過層の膜厚制御を正確に行う必要がある。しか
しながら、光透過層の膜厚制御は困難であり、このた
め、この光ディスクでは、２枚の対物レンズを用い、対
物レンズ間の距離を調整することができるような光ピッ
クアップを用いることによって、光透過層の誤差を許容
することができるようにしている。この２枚の対物レン
ズ間の距離の調整は、光ディスクが装着される度に行わ
れるものであるから、再生開始までの時間を短くするた
めにも、迅速に行う必要がある。そこで、光ディスクの
グルーブは、高周波数でウォブルさせる必要がある。し
かし、グルーブを高周波数でウォブルさせると、信号の
Ｓ／Ｎが劣化してしまう。

【０００６】また、これらのデータは、工場出荷時等
に、信号記録層に記録することもできる。しかしなが
ら、データの書き換えが可能な信号記録層にこれらのデ
ータを記録することは、不正に第三者に改ざんされてし
まうおそれもある。

【０００７】本発明の目的は、不正にデータが改ざんさ
れたり複写されたりすることを防止することができる光
ディスク及び光ディスクの製造方法を提供することにあ
る。

【０００８】また、本発明の目的は、高密度にデータが
記録される光ディスクにおいて、不正な改ざんや複写を
防止する光ディスク及び光ディスクの製造方法を提供す
ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る光ディスク
は、上述した課題を解決すべく、基板の少なくとも一方
の面に信号記録面が形成され、この信号記録面上に、光
透過層が設けられ、この光透過層側から光ビームを照射
しデータの記録再生が行われる光ディスクであって、信
号記録面には、第１のトラックピッチで主データが記録
される第１の記録領域が設けられ、この第１の記録領域
の内周側に、第２のトラックピッチでピットパターンに
より付加データが記録された第２の記録領域が設けられ
る。例えば、第２の記録領域には、付加データとして著
作権保護データが記録される。ここで、第２のトラック
ピッチは、トラッキングサーボはかからなくとも読出に
必要な変調度を確保できる寸法で、例えば０．３５μｍ
以下である。第２の記録領域でトラッキングサーボがか
からなくてもよいのは、ここに記録される付加データは
著作権管理データ等であり、短いデータであるため、ト
ラッキングサーボがかからなくとも、変調度を確保でき
れば短いデータの読出は可能だからである。また、主デ
ータがピットパターンにより記録されているとき、第１
の記録領域の第１のトラックピッチは、トラッキングサ
ーボをかけながらデータの読出を行うため略０．４μｍ
以上である。

【００１０】また、本発明に係る光ディスクの製造方法
は、上述した課題を解決すべく、基板に対してフォトレ
ジストを塗布し、このフォトレジストを露光現像するこ
とで一方の面の第１の領域に、第１のトラックピッチで
第１の凹凸パターンを形成すると共に、第１の領域の内
周側の第２の領域に、第２のトラックピッチで第２の凹
凸パターンを形成するステップと、第１の領域に第１の
凹凸パターンが設けられ、第２の領域に第２の凹凸パタ
ーンが形成された基板を元にして転写パターンが形成さ
れたディスクマスタを形成するステップと、ディスクマ
スタの一方の面側をエッチングし、転写パターンを構成
する凸部の幅を狭くするステップと、凸部の幅が狭くさ
れたディスクマスタの転写パターンを更に転写してスタ
ンパを形成するステップと、スタンパに設けられた凹凸
パターンを転写して光ディスクの基板に所定パターンを
形成するステップとを有する。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明が適用された光ディ
スク及び光ディスクの製造方法について、図面を参照し
て説明する。

【００１２】図１に示すように、本発明が適用された光
ディスク１は、直径が１２ｃｍで、記憶容量が２５ギガ
バイト程度の記憶容量を有する書き換え型の光ディスク
であって、ディスク回転駆動機構が係合されるセンタ孔
２の周囲に、内周側非信号記録領域３が設けられ、この
内周側非信号記録領域３の外周側に、著作権保護デー
タ、ディスクの初期情報、管理情報等の付加データがピ
ットパターンにより記録される内周側信号記録領域４が
設けられ、この内周側信号記録領域４の外周側に、記録
データとなる主データが記録される外周側信号記録領域
５が設けられ、この外周側信号記録領域５の外周側に外
周側非信号記録領域６が設けられている。

【００１３】図２に示すように、外周側信号記録領域５
では、記録再生特性がグルーブ１４に比べて記録再生特
性に優れるランド１３にデータが記録される。また、内
周側信号記録領域４のトラックピッチＴＰ_１は、略０．
３５μｍ以下、例えば０．３２μｍとされ、最短ピット
長は、０．２６μｍ程度とされる。内周側信号記録領域
４に記録される付加データは、著作権管理等の重要なデ
ータであり、不正に改ざんされるものであってはならな
い。そこで、内周側信号記録領域４は、付加データをピ
ットパターンで記録することで、付加データが改ざんさ
れないようにしている。また、内周側信号記録領域４
は、このようにトラックピッチを狭め、ピットを小さく
することで、基板１１からピットパターンを転写するこ
とができないようにしている。

【００１４】また、内周側信号記録領域４は、このよう
にトラックピッチが狭くピットが小さいことから、記録
再生時、後述する光ピックアップによって、読出に必要
な変調度を確保できるがトラッキングサーボをかけるの
に必要なトラッキング誤差信号、すなわちプッシュプル
信号のレベルを得ることができない。しかし、内周側信
号記録領域４に記録される付加データは、データサイズ
が小さい著作権管理データ等の付加データであることか
ら、必要な変調度を確保することができればトラッキン
グサーボがかからなくても、後述する光ピックアップに
よって読み出すことができる。このように、内周側信号
記録領域４は、付加データを読み出すのに最低限必要な
トラックピッチとし、また、最短ピット長とすること
で、他の光ピックアップでデータが読み出されることを
防止することができる。

【００１５】なお、内周側信号記録領域４にピットパタ
ーンを設けるのは、基板の成型時、成型金型の温度が外
周側より内周側の方が高くなり、微小なピットパターン
１２をスタンパより転写し易いためである。

【００１６】また、外周側信号記録領域５のトラックピ
ッチＴＰ_２は、略０．３２μｍとされる。これによっ
て、外周側信号記録領域５は、１２ｃｍで２５ギガバイ
トの記録容量を確保し、既存の光ディスクより記録容量
を増やしている。

【００１７】このような光ディスク１の層構造について
説明すると、図２及び図３に示すように、光ディスク１
は、内周側信号記録領域４ではピットパターン１２が設
けられ、外周側信号記録領域５ではランド１３及びグル
ーブ１４が設けられた基板１１と、基板１１の一方の面
側に設けられる反射層１５と、この反射層１５上に設け
られる信号記録層１６と、この信号記録層１６上に設け
られる光透過層１７とが順に積層されている。そして、
この光ディスク１は、光透過層１７側から光ビームを照
射することによって信号記録層１６に情報信号が記録さ
れる。

【００１８】基板１１の内周側信号記録領域４のピット
パターン１２や外周側信号記録領域５のランド１３及び
グルーブ１４は、基板１１を成型する際に、スタンパに
設けられた凹凸パターンが転写されることにより形成さ
れる。

【００１９】外周側信号記録領域５のグルーブ１４は、
ウォブルして形成されている。これは、光ディスク１の
アドレス情報等を記録するためである。

【００２０】また、ピット１２やグルーブ１４の深さＤ
は、２０〜３０ｎｍ、好ましくは２５ｎｍとなるように
形成されている。これは、ピット１２やグルーブ１４の
深さを２０ｎｍより浅くすると、トラッキングやフォー
カシングのサーボ信号を検出しにくくなるためであり、
また、３０ｎｍより深くすると、Ｓ／Ｎが悪くなるため
である。

【００２１】また、この基板１１の一方の面は、表面粗
さ（Ｒａ）が０．４ｎｍ以下とされたスタンパにより形
成され、通常より平坦に形成されている。したがって、
この光ディスク１では、基板１１上に被着された反射層
１５が、照射された光ビームを乱反射させることなく確
実に反射し、記録再生特性が良くなるようにされてい
る。

【００２２】このピット１２、ランド１３及びグルーブ
１４が形成された基板１１の一方の面には、入射された
光ビームを反射する反射層１５が形成されている。この
反射層１５は、アルミニウム等の金属からなる反射材料
を基板１１の一方の面に蒸着することにより形成されて
いる。この反射層１５上には、厚さＴ_１が２００ｎｍ程
度の相変化材料からなる信号記録層１６が形成されてい
る。なお、この信号記録層１６は、相変化材料の外、有
機色素材料、誘電体等で形成するようにしてもよい。

【００２３】信号記録層１６上には、光ピックアップよ
り出射された光ビームを透過する光透過層１７が形成さ
れている。例えば、この光透過層１７は、信号記録層１
６上に光透過性を有するポリマーシートが感圧性粘着剤
により貼着されることにより形成される。このような光
透過層１７は、信号記録層１６の保護を図りつつ、焦点
深度の浅い高開口数の対物レンズ１０にも対応すること
ができるように、厚さＴ_２が例えば０．１ｍｍとなるよ
うに形成されている。

【００２４】以上のように構成された光ディスク１は、
光透過層１７側から照射される波長４００ｎｍ程度の光
ビームを開口数（ＮＡ）が０．８５の対物レンズ１０を
用いて集光することによって、信号記録層１６に情報信
号が書き込まれ、また、信号記録層１６に記録されてい
る情報信号が読み出される。そして、この光ディスク１
は、ディスク回転駆動機構によって、ＣＬＶ（constant
linear velocity）で線速が一定となるように回転され
る。なお、光ディスク１はＺＣＡＶ（zone cnstant ang
ular velocity）、ＣＡＶ（constant angular velocit
y）、ＺＣＬＶ（zone constant linear velocity）等で
回転されるようにしてもよい。

【００２５】次に、以上のような光ディスク１の製造方
法について説明する。基板１１に所定パターンを形成す
るためのスタンパの製造について説明すると、先ず、ガ
ラス原盤を用意し、このガラス原盤は、フォトレジスト
が塗布される面側が研磨され平坦化された後、フォトレ
ジストがピット１２やグルーブ１４の深さに合わせて、
例えば厚さ２８ｎｍ程度塗布される。次いで、このフォ
トレジストは、乾燥される。そして、フォトレジストが
塗布されたガラス原盤は、熱処理により安定化される。

【００２６】次いで、ガラス原盤に塗布されたフォトレ
ジストは、カッティングマシンによって所定パターンに
カッティング、すなわち露光される。ここで、このカッ
ティングマシンは、波長が２６６ｎｍの光ビームを用い
てフォトレジストを所定パターンに露光する。具体的
に、内周側信号記録領域４を形成するための内周側領域
を露光するときには、ＥＦＭ変調（Eight to Fourteen
Modulation）されたデータに基づいてフォトレジストに
光ビームを照射し、外周側信号記録領域５を形成するた
めの外周側領域を露光するときには、グルーブ１４を形
成する領域に、ウォブル変調されたアドレス情報に基づ
いて光ビームを照射する。このとき、カッティングマシ
ンは、ガラス原盤をＣＬＶで回転する。

【００２７】所定パターンに基づいて露光されたフォト
レジストは、次いで、現像されることによって露光部分
が除去される。これによって、ガラス原盤には、凹凸パ
ターンが形成される。この凹凸パターンが形成されたガ
ラス原盤からは、ニッケル等が無電解メッキにより、図
４に示すディスクマスタ２０が形成される。

【００２８】このディスクマスタ２０は、図４に示すよ
うに、ランド１３を形成するための凸部２０ａとピット
パターン１２やグルーブ１４を形成するための凹部２０
ｂとが連続して設けられている。次いで、ディスクマス
タ２０は、図４及び図５に示すように、表面を平坦化す
るために、エッチングされる。ここでのエッチングは、
ドライエッチングであり、例えば、ディスクマスタ２０
をロータリポンプ及びターボポンプで８．０×１０^−３
Ｐａに真空引きされたチャンバ内にセットし、酸素及び
アルゴンを１×１０^２Ｐａとなるように流量をチャンバ
内に供給し、ＲＦ電源１５０Ｗで６０秒間行われる。
このエッチングは、２回行うことによって、表面が平坦
化される。

【００２９】次いで、以上のようにエッチングがされた
ディスクマスタ２０を元にして、マザーマスタが製造さ
れる。このマザーマスタは、図６に示すように、基板１
１に所定パターンを転写するためのスタンパ３０とな
る。このスタンパ３０は、表面がエッチングされたディ
スクマスタ２０を元にして製造されるものであるから、
表面粗さ（Ｒａ）が０．４ｎｍ以下となる。また、この
スタンパ３０は、内周側信号記録領域４となる領域では
トラックピッチＴＰ_１が例えば０．３５μｍで、外周側
信号記録領域５となる領域ではトラックピッチＴＰ_２が
略０．３５μｍとなるように形成される。また、内周側
信号記録領域４となる領域では、最短マーク長が略０．
３μｍとなるように形成される。

【００３０】そして、このスタンパ３０は、成型金型に
設置され、図７に示すように、射出成型により厚さが
１．１ｍｍ程度の基板１１が成型される。例えば、スタ
ンパ３０のパターンは、樹脂温度が３５０℃、成型金型
温度が１２８℃、圧縮１５トンの条件で転写される。こ
の基板１１には、例えば内周側信号記録領域４のトラッ
クピッチＴＰ_１が略０．３２μｍで、最短マーク長が略
０．２６μｍのパターンが形成される。また、深さも、
１０％程度浅いピットパターンが形成された。そして、
基板１１の一方の面側には、反射層１５を設けた後、反
射層１５上に２００ｎｍ程度の信号記録層１６が形成さ
れ、更に、信号記録層１６上に、厚さ０．１ｍｍ程度の
光透過層１７が形成される。

【００３１】次に、以上のように製造された光ディス
ク、すなわち内周側信号記録領域４に第１のトラックピ
ッチＴＰ_１でピットパターン１２により付加データを記
録し、外周側信号記録領域５に第２のトラックピッチＴ
Ｐ_２でランド１３及びグルーブ１４を形成した光ディス
ク１に用いる光ピックアップ４０について、図８を用い
て説明する。

【００３２】この光ピックアップ４０は、図８に示すよ
うに、非球面２群対物レンズ機構４１を有する。この非
球面２群対物レンズ機構４１は、第１のレンズ４２と第
２のレンズ４３とを有する。第２のレンズ４３は、第２
の電磁アクチュエータ４５上に搭載され、その開口数Ｎ
Ａは約０．５となっている。また、第１のレンズ４２
は、第２のレンズ４３と同一の光軸上に位置するよう
に、別に設けられた第１の電磁アクチュエータ４４上に
搭載され、光軸方向の任意の位置に変位される。

【００３３】第１の電磁アクチュエータ４４は、第１の
レンズ４２を第２のレンズ４３に対して相対的に光軸方
向に移動するものであり、第１の電磁アクチュエータ４
４に印加する電圧により第１のレンズ４２と第２のレン
ズ４３の間隔を調整することができるようになってい
る。

【００３４】第２の電磁アクチュエータ４５は、２軸ア
クチュエータであり、第１のレンズ４２と第２のレンズ
４３を光軸方向（フォーカス方向）に移動すると共に、
これらを光ディスク１のトラックに対し垂直な方向（ト
ラッキング方向）へ移動する。第２の電磁アクチュエー
タ４５は、フォーカス誤差信号とトラッキング誤差信号
とに基づいて、第１のレンズ４２と第２のレンズ４３の
光ディスク１からの距離を調節することによりフォーカ
ス調整を行うと共に、光ディスク１のトラックに対し垂
直な方向に移動することによりトラッキング制御を行
う。以上のような非球面２群対物レンズ機構４１では、
第１のレンズ４２と第２のレンズ４３により開口数が
０．８５にされる。

【００３５】また、光ピックアップ４０において、半導
体レーザ４６は、上述したように波長が４００ｎｍ程度
の光ビームを出射する。この光ビームは、コリメータレ
ンズ４７で平行光とされ、サイドスポット生成用の回折
格子４８を通過した後、光ビームに１／２の位相差を与
える１／２波長板４９、ビームスプリッタ５０、光ビー
ムに１／４の位相差を与える１／４波長板５１をそれぞ
れ通過して、２群対物レンズの第２のレンズ４３及び第
１のレンズ４２によって光ディスク１上に集光される。
光ビームの一部は、ビームスプリッタ５０によって反射
され、レンズ５２によって集光され、発光出力検出用受
光素子５３へと導かれて、光ディスク１上でのレーザ盤
面出力を制御する目的に用いられる。なお、同受光素子
５３への入射光量は、１／２波長板４９を回転すること
によって調整される。

【００３６】一方、光ディスク１で反射された戻りの光
ビームは、上述したビームスプリッタ５０によって反射
された後、検出経路へと導かれる。この光ピックアップ
４０では、フォーカス誤差信号としてスポットサイズ法
を、また、トラッキング誤差信号として、差動プッシュ
プル法を用いている。ビームスプリッタ５０で反射され
た戻りの光ビームは、凸レンズ５４で収束され、次い
で、ホログラム素子５５、フーコープリズム５６によっ
て光路分割され、サーボ誤差信号兼ＲＦ信号検出用受光
素子５７へと入射され、光電変換される。

【００３７】ここで、サーボ誤差信号兼ＲＦ信号検出用
受光素子５７は、図９に示すように、１２分割された光
検出素子から構成されている。Ａ〜Ｌまでの１２個の受
光素子が、２分割受光部のＡとＢ、ＣとＤ、ＥとＦとが
それぞれトラック横断方向（図９中左右方向）に、トラ
ックの接線方向に対して対称に配置され、３分割受光部
のＧ，Ｈ，Ｉ及びＪ，Ｋ，ＬのうちのＧとＪ，ＨとＫ，
ＩとＬがそれぞれ対称に配置されている。そして、Ｇか
らＬまでの各受光素子の出力に基づいて、下式によりフ
ォーカス誤差信号ＦＥが演算で求められる。

【００３８】ＦＥ＝｛Ｈ−（Ｇ＋Ｉ）｝−｛Ｋ−（Ｊ＋
Ｌ）｝また、トラッキング誤差信号ＴＥは、ｎを定数とする
と、ＡからＦまでの各受光素子の出力に基づいて、下式
により演算で求められる。

【００３９】ＴＥ＝（Ａ−Ｂ）−ｎ｛（Ｃ−Ｄ）＋（Ｅ
−Ｆ）｝／２また、再生ＲＦ信号は、下式により、Ａ及びＢの各受光
素子の出力和によって求められる。

【００４０】ＲＦ＝Ａ＋Ｂ以上のように構成された光ピックアップ４０は、光ディ
スク１がドライブのディスク装着部に装着されると、フ
ォーカスサーボ引き込みを行い、次いで、第１の電磁ア
クチュエータ４４を駆動し、第１のレンズ４２を光軸方
向に移動し、第１のレンズ４２と第２のレンズ４３の距
離を調整し、フォーカスオフセットの調整を行う。

【００４１】図１０に示すように、光ディスク１の内周
側信号記録領域４では、トラックピッチＴＰ_１は、０．
３５μｍ以下と極めて狭くされている。このため、外周
側信号記録領域５では、トラッキング誤差信号であるプ
ッシュプル信号のレベルが０．２程度であるのに対し
て、内周側信号記録領域４では、０．１５若しくはこれ
より小さくなる。このため、内周側信号記録領域４で
は、トラッキングサーボをかけることができなくなる。
しかし、内周側信号記録領域４に記録される付加データ
は、非常に少ないデータ量であることから、トラッキン
グサーボがかからなくても、上述した光ピックアップ４
０より付加データを読み出すことができる。また、外周
側信号記録領域５では、プッシュプル信号がトラッキン
グサーボをかけるのに十分な０．２程度のレベルである
から、トラッキングサーボをかけながらデータの読み出
しが行われる。

【００４２】ところで、上述したように、光ディスク１
を製造するとき、スタンパ３０は、内周側信号記録領域
４となる領域ではトラックピッチＴＰ_１が例えば０．３
５μｍで、最短マーク長が略０．３μｍとなるように形
成されるのに対して、このスタンパ３０によりパターン
が転写されて成型される基板１１は、内周側信号記録領
域４のトラックピッチＴＰ_１が略０．３２μｍで、最短
マーク長が略０．２６μｍのパターンが形成される。す
なわち、全体として、基板１１は、スタンパ３０に対し
て、例えば１０％程度小さく形成される。したがって、
この光ディスク１では、仮に溶剤等で信号記録層や反射
層が剥がされ、グルーブが形成されている合成樹脂製の
基板に、メッキを施すことによって、基板を成型するた
めのスタンパが製造され、このスタンパによって基板１
１が成型されたときであっても、この基板１１に転写さ
れるパターンは更に小さくなり、また、正確に転写する
ことができなくなる。したがって、このように不正に成
型された基板を用いて製造された光ディスクは、上述し
た光ピックアップを用いたとしても内周側信号記録領域
４に記録されたデータを読み出すことができなくなる。
したがって、本システムでは、この光ディスク１の内周
側信号記録領域４に記録されたデータの再生を条件とし
て、外周側信号記録領域５へのデータの記録再生を行う
ことができるようにすることで、不正に製造された光デ
ィスクを排除することができる。

【００４３】なお、以上、外周側信号記録領域５にラン
ド１３とグルーブ１４のパターンが設けられた例を説明
したが、本発明は、外周側信号記録領域５にも、ピット
パターンを設けるようにしてもよい。この場合、ランド
１３とグルーブ１４のパターンが設けられた外周側信号
記録領域５と同レベルのプッシュプル信号を得るには、
図１０に示すように、トラックピッチを０．４μｍ以上
とすればよい。ピットパターンでデータが記録された光
ディスクでは、トラックピッチを０．４μｍ以上とする
ことで、上述した光ピックアップでデータを読み出すこ
とができる。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、内周側の第２の記録領
域に第２のトラックピッチでピットパターンにより著作
権保護データ等の付加データを記録するようにすること
で、不正に付加データが改ざんされることを防止するこ
とができる。また、本発明は、第２のトラックピッチ
を、トラッキング誤差信号を得ることができなくても、
データの読出に必要な変調度を得ることができる程度ま
で狭めるようにしている。このため、仮に溶剤等で信号
記録層や反射層が剥がされ、グルーブが形成されている
基板に、メッキを施すことによって、基板を成型するた
めのスタンパが製造され、このスタンパによって基板が
成型されたときであっても、第２の記録領域のピットパ
ターンは、更に小さくなる。したがって、本発明では、
第２の記録領域に記録されたデータの再生を条件とし
て、第１の記録領域へのデータの記録再生を行うことが
できるようにすることで、不正に製造された光ディスク
を排除することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用された光ディスクの平面図であ
る。

【図２】上記光ディスクの要部斜視図である。

【図３】上記光ディスクの断面図である。

【図４】上記ディスクマスタをエッチングしている状態
を説明する要部断面図である。

【図５】上記エッチングを行ったディスクマスタの要部
断面図である。

【図６】上記ディスクマスタを元にして製造されたスタ
ンパ（マザーマスタ）の要部断面図である。

【図７】上記スタンパを用いて所定パターンが転写され
た基板の要部断面図である。

【図８】上記光ディスクに用いる光ピックアップの構成
を説明する図である。

【図９】上記光ピックアップの受光素子の構成を説明す
る図である。

【図１０】トラックピッチとプッシュプル信号との関係
を説明する特性図である。

【符号の説明】

１光ディスク、２センタ孔、４内周側信号記録領
域、５外周側信号記録領域、１１基板、１２ピッ
トパターン、１３ランド、１４グルーブ、１５反
射層、１６信号記録層、１７光透過層、２０ディ
スクマスタ、３０スタンパ、４０光ピックアップ、４
１非球面２群対物レンズ機構、４２第１のレンズ、４
３第２のレンズ、４４第１の電磁アクチュエータ、
４５第２の電磁アクチュエータ、４６半導体レーザ、
４７コリメータレンズ、４８回折格子、４９１／
２波長板、５０ビームスプリッタ、５１１／４波長
板、５２レンズ、５３発光出力検出用受光素子、５
４凸レンズ、５５ホログラム素子、５６フーコープ
リズム、５７サーボ誤差信号兼ＲＦ信号検出用受光素
子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 20/12 Ｇ１１Ｂ 20/12 Ｆターム(参考） 5D029 JB09 PA01 WB15 WC01 WD22 WD30 5D044 AB02 BC03 CC06 DE50 DE54 FG18 GK12 HL08 5D090 AA01 BB02 CC14 DD05 FF24 GG05 GG24 GG36 HH01 5D121 BB21 CB08 GG04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の少なくとも一方の面に信号記録面
が形成され、この信号記録面上に、光透過層が設けら
れ、この光透過層側から光ビームを照射しデータの記録
再生が行われる光ディスクであって、上記信号記録面には、第１のトラックピッチで主データ
が記録される第１の記録領域が設けられ、この第１の記
録領域の内周側に、上記第２のトラックピッチでピット
パターンにより付加データが記録された第２の記録領域
が設けられる光ディスク。
【請求項２】上記第２の記録領域には、著作権保護デ
ータが記録されている請求項１記載の光ディスク。
【請求項３】上記第２のトラックピッチは、略０．３
５μｍ以下である請求項１記載の光ディスク。
【請求項４】上記第１の記録領域において、主データ
がピットパターンにより記録されているとき、上記第１
のトラックピッチは、略０．４μｍ以上である請求項１
記載の光ディスク。
【請求項５】基板に対してフォトレジストを塗布し、
このフォトレジストを露光現像することで一方の面の第
１の領域に、第１のトラックピッチで第１の凹凸パター
ンを形成すると共に、上記第１の領域の内周側の第２の
領域に、第２のトラックピッチで第２の凹凸パターンを
形成するステップと、上記第１の領域に第１の凹凸パターンが設けられ、上記
第２の領域に第２の凹凸パターンが形成された基板を元
にして転写パターンが形成されたディスクマスタを形成
するステップと、上記ディスクマスタの一方の面側をエッチングし、上記
転写パターンを構成する凸部の幅を狭くするステップ
と、上記凸部の幅が狭くされたディスクマスタの転写パター
ンを更に転写してスタンパを形成するステップと、上記スタンパに設けられた凹凸パターンを転写して光デ
ィスクの基板に所定パターンを形成するステップとを有
する光ディスクの製造方法。
【請求項６】上記第２の領域に記録するデータは、著
作権保護データである請求項５記載の光ディスクの製造
方法。
【請求項７】上記第２のトラックピッチは、略０．３
５μｍ以下である請求項５記載の光ディスクの製造方
法。
【請求項８】上記第１のトラックピッチは、ピットパ
ターンでデータを記録するとき、略０．４μｍ以上であ
る請求項５記載の光ディスクの製造方法。