JP2003057697A

JP2003057697A - 周期状分極反転構造の形成方法

Info

Publication number: JP2003057697A
Application number: JP2001247298A
Authority: JP
Inventors: Takatomo Nehagi; 隆智根萩; Shoichiro Yamaguchi; 省一郎山口
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2001-08-16
Filing date: 2001-08-16
Publication date: 2003-02-26

Abstract

(57)【要約】【課題】分極反転領域の形状を乱すことなく、狭小化さ
れ、さらには均一形状の分極反転領域を有する周期状分
極反転構造を簡易かつ安定的に得ることのできる、新規
な形成方法を提供する。【解決手段】強誘電体単結晶基板１の主面１Ａ上に、周
期状に配列された複数の電極片２−１〜２−６を有する
第１の電極２と、この第１の電極２に対向して位置する
ように第２の電極３Ａを配置し、裏面１Ｂ上に第１の電
極２と対向するように第１の電極３Ｂを配置する。次い
で、強誘電体単結晶基板１の、電極片２−１〜２−６間
において、溝部７−１〜７−５を形成する。その後、第
１の電極２と第２の電極３Ａ及び３Ｂとの間に、所定の
電圧を印加することによって、周期状分極反転構造４を
形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、周期状分極反転構
造の形成方法に関し、詳しくは、ニオブ酸リチウムやタ
ンタル酸リチウムなどの強誘電体単結晶基板を用いるＳ
ＨＧ(Second Harmonic Generation)デバイス製造時にお
いて好適に用いることのできる、周期状分極反転構造の
形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】印刷、光情報処理、及び光応用計測制御
分野などにおいては、小型の短波長光源の実現が強く望
まれており、この短波長光源を実現足らしめるものとし
てＳＨＧデバイスが注目を浴びている。このＳＨＧデバ
イスは、半導体レーザから出射された光を通過させるこ
とによって、非線型光学効果を利用して２次高調波を生
成する。この２次高調波は前記半導体レーザから出射さ
れた光に対して周波数が２倍であり、したがって波長は
１／２となっている。すなわち、前記ＳＨＧデバイスを
利用することによって、前記半導体レーザからの出射光
に対して１／２の波長を有する短波長の光を得ることが
できる。

【０００３】前記ＳＨＧデバイスは、ニオブ酸リチウム
（以下、「ＬＮ」と略す場合がある）やタンタル酸リチ
ウム（以下、「ＬＴ」と略す場合がある）などの強誘電
体単結晶基板を具え、この基板内において光の進行方向
と略垂直に、分極状態が周期状に反転してなる分極構造
を有している。このような周期状分極反転構造は、一般
に以下のようにして形成する。

【０００４】図１は、周期状分極反転構造の形成方法を
説明するための図である。なお、特徴を明確にすべく、
各部分の大きさや形状などについては、実際のものと異
なるようにして描いている。

【０００５】最初に、ＬＮやＬＴなどの、例えばオフカ
ット基板からなる強誘電体単結晶基板１の主面１Ａ上
に、電極片２−１〜２−６を有する櫛形状の第１の電極
２と、この第１の電極２と対向するようにして、主面１
Ａ及び裏面１Ｂに一様な平板状の第２の電極３Ａ及び３
Ｂとを配置する。そして、第１の電極２と第２の電極３
Ａ及び３Ｂとの間に所定の電圧Ｖ１及びＶ２を印加する
と、強誘電体単結晶基板１の分極方向Ｂと逆の分極方向
Ａを有する分極反転域が、第１の電極２の各電極片から
基板の結晶方位に向けて徐々に伸長し、分極方向が反転
した、分極方向Ａを有する分極反転領域４Ａと、元の分
極方向Ｂを有する分極領域４Ｂとからなる周期状分極反
転構造４が形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図２は、図１に示す分
極反転時に用いる櫛形状の第１の電極周辺部を切り取
り、拡大して示す図である。図１及び図２に示すよう
に、櫛形状の第１の電極２は、強誘電体単結晶基板１の
主面１Ａ上に載置するように形成する。このとき、電圧
印加によって、第１の電極２から基板の結晶方位に伸長
する分極反転領域４Ａの断面形状は、電極の縁端効果の
ために、図２に示すように、横方向に広がった形状を示
す。すなわち、分極反転領域４Ａの幅は、櫛形状の第１
の電極２の電極片の幅に比較して拡大してしまう。

【０００７】この結果、分極方向が反転した分極方向Ａ
を有する分極反転領域４Ａと、元の分極方向Ｂを有する
分極領域４Ｂが均一に配列された周期状分極反転構造を
形成することは困難であった。また、分極反転領域４Ａ
を狭小化し、これら狭小化された分極領域を有する周期
状分極反転構造を形成することも困難となっていた。

【０００８】分極反転領域４Ａを狭小化するに際して
は、櫛形状の第１の電極２における各電極片の電極幅を
小さくすることによってある程度実現することはでき
る。しかしながら、この場合においては、前記各電極片
から強誘電体単結晶基板１に対して安定的な電圧印加を
行なうことができず、分極反転領域の形状が乱れてしま
う場合などがあった。

【０００９】本発明は、分極反転領域の形状を乱すこと
なく、狭小化され、さらには均一形状の分極反転領域を
有する周期状分極反転構造を簡易かつ安定的に得ること
のできる、新規な形成方法を提供することを目的とす
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明は、強誘電体単結晶基板の一表面上において、周
期状に配列された複数の電極片を有する第１の電極と、
この第１の電極と離隔し、対向して位置するように、前
記強誘電体単結晶基板の任意の表面上に第２の電極とを
配置し、前記第１の電極と前記第２の電極との間に所定
の電圧を印加することにより、前記強誘電体単結晶基板
内に周期状の分極反転構造を形成する方法であって、前
記強誘電体単結晶基板の、前記第１の電極の前記複数の
電極片間に位置する部分の強誘電性を低減するようにし
たことを特徴とする、周期状分極反転構造の形成方法に
関する。

【００１１】本発明者らは、図１及び図２に示すような
櫛形状の第１の電極２を用いて分極反転形成を行なった
場合に、得られた分極反転領域４Ａの断面が横方向に広
がり、拡大した領域幅を有するに至る原因を探るべく鋭
意検討を行なった。その結果、第１の電極２を構成する
電極片２−１〜２−６には高電圧が負荷されるため、強
誘電体単結晶基板１の、隣接する電極片間において部分
的な短絡が生じ、第１の電極２から第２の電極３へ向け
て印加されるべき電圧が、第１の電極２内で横方向に広
がってしまうことが原因であることを突き止めた。

【００１２】したがって、本発明者らは、上述した第１
の電極２における隣接した電極片間における電界の広が
りを防止すべくさらなる検討を実施した。その結果、強
誘電体単結晶基板１の、第１の電極２における複数の電
極片２−１〜２−６間に位置する部分の強誘電性を低減
させ、この部分の誘電率を減少させることにより、電極
片間における電界の広がりを抑制できることを見出し、
本発明を想到するに至ったものである。

【００１３】したがって、本発明によれば、櫛形状の第
１の電極２に対して所定の高電圧を印加した際において
も、この電界の電極片間における広がりを抑制し、狭小
化された分極反転領域４Ａを均一に形成することができ
る。この結果、狭小化され、均一な分極反転領域を有す
る周期状分極反転構造を安定して形成することができ
る。

【００１４】なお、本発明の好ましい態様においては、
前記強誘電体単結晶基板の、前記第１の電極の前記複数
の電極片間において、溝部を形成する。これによって、
前記強誘電体単結晶基板の、前記複数の電極片間に位置
する部分には、空気の層が存在するようになるので、高
電圧がかかる部分の強誘電性はより効果的に減少され、
その誘電率をより低減することができる。

【００１５】また、本発明の他の好ましい態様において
は、前記第１の電極を覆うようにして、絶縁性保護膜を
形成する。これによって、前記第１の電極の前記複数の
電極片間に、微少なゴミなどの付着による汚染を防止す
ることができ、前記電極片間における絶縁性を効果的に
保持できるようになる。すなわち、ゴミなどの汚染によ
って、ゴミへの電荷集中による分極反転の起点の発生を
防止することができ、形成すべき分極反転領域が横方向
に拡大するのを効果的に抑制することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、具体例を挙げな
がら発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。

【００１７】図３は、本発明の形成方法において、分極
反転時に用いる櫛形状の第１の電極周辺部を切り取り、
拡大して示す図である。図３においては、本発明の好ま
しい態様に従って、強誘電体単結晶基板１の、櫛形状の
第１の電極２の電極片２−１〜２−６の隣接するもの同
士の間に、溝部７−１〜７−５を形成している。なお、
図３に示す第１の電極２は、図１及び図２に示すものと
同じである。

【００１８】この場合、強誘電体単結晶基板１におい
て、電極片２−１〜２−６の互いに隣接する部分の間の
溝部７−１〜７−５に相当する部分は、基板を構成する
強誘電体単結晶に代わって空気層が存在することにな
る。すなわち、強誘電体単結晶基板１の一部が空気層に
よって置換された構成を有する。

【００１９】したがって、強誘電体単結晶基板１の、電
極片２−１〜２−６が互いに隣接する間の部分の強誘電
性が低減され、この部分の誘電率が減少する。この結
果、各電極片に負荷された高電圧に起因する、電極片間
における電界の広がりを効果的に抑制することができ
る。そして、分極反転時において、この電界の広がりに
起因して分極反転領域が横方向に拡大するのを抑制する
ことができ、図３に示すような狭小化されるとともに、
均一な形状に分極反転領域８Ａを簡易かつ安定的に得る
ことができる。すなわち、狭小化されるとともに、均一
な形状の分極反転領域を有する周期状分極反転構造を簡
易かつ安定的に形成することができる。

【００２０】本発明の目的を達成することができれば、
溝部７−１〜７−５の深さｄについては特に限定されな
い。しかしながら、深さｄは１ｎｍ〜１００ｎｍである
ことが好ましく、さらには１０ｎｍ〜２０ｎｍであるこ
とが好ましい。これによって、電極片に負荷された電界
の広がりを効果的に抑制することができるとともに、深
く形成し過ぎることによる強誘電体単結晶基板１の強度
劣化を抑制することができる。

【００２１】溝部７−１〜７−５は、例えば形成すべき
溝部が位置する部分に開口部を設けたマスクを用い、こ
のマスクを介してＲＩＥやウエットエッチングなどを行
なうことにより形成する。ＲＩＥを用いる場合は、フッ
素系のガスを用いることが好ましく、これによって高い
エッチング速度を得ることができ、短時間で溝部を形成
することができる。

【００２２】また、図３に示す櫛形状の第１の電極２を
覆うようにして図示しない絶縁性保護膜を形成すること
もできる。この場合においては、第１の電極２の電極片
２−１〜２−６のそれぞれの間に、ゴミの付着などの汚
染が生じるのを防止することができる。前記電極片間に
ゴミなどが付着すると、前記電極片に高電圧が印加され
た際に、この印加電圧が前記ゴミを媒介として強誘電体
単結晶基板１内に印加されるようになる。この結果、強
誘電体単結晶基板１に対して安定的に高電圧を印加する
ことができず、分極反転構造の形状が乱れる場合があ
る。

【００２３】しかしながら、上述した絶縁性保護膜を形
成し、上記ゴミの付着などを防止することにより、上述
した不安定な電圧印加による分極反転構造の形状の乱れ
などを効果的抑制することができる。

【００２４】前記絶縁性保護膜は、１×１０^１２Ω・ｃ
ｍ以上、さらには１×１０^１６Ω・ｃｍ以上の体積抵抗
率を有することが好ましい。これによって、第１の電極
２自体の絶縁性、すなわち前記絶縁性保護膜が第１の電
極２の各電極片間に付着した場合においても、これら電
極片間の絶縁を十分に保持することができる。また、外
部からの絶縁性をも確保することができる。

【００２５】前記絶縁性保護膜が、上述したような高体
積抵抗率を有する場合は、電極片２−１〜２−６間を埋
設するように形成することが好ましい。これによって、
これら電極片間にゴミなどが侵入するのを効果的防止す
ることができ、前記絶縁性保護膜の高絶縁性と相伴っ
て、電極片２−１〜２−６同士の絶縁性を十分効果的に
保持することができる。したがって、電極片から強誘電
体単結晶基板に対して高電圧が漏洩することによって、
形成された分極反転領域の形状が乱れたりすることがな
くなる。

【００２６】前記絶縁性保護膜を、電極片２−１〜２−
６間を埋設するように形成する場合には、溝部７−１〜
７−５を埋設するように形成することが好ましい。溝部
７−１〜７−５内には空気層が存在するが、これら溝部
内に高誘電率のゴミなどが不着すると、このゴミを介し
て隣接する電極片間が短絡する場合が生じる。この結
果、形成された分極反転領域の形状が乱れたりする場合
がある。

【００２７】また、強誘電体単結晶基板１に対して溝部
を形成し、かかる部分の強誘電性を低減して、誘電率を
低下させた本来の効果が失われ、形成された分極反転領
域が横方向に拡大し、前記分極反転領域の幅が増大して
しまう。したがって、前記絶縁性保護膜を、溝部７−１
〜７−５を埋設するように形成することにより、上記の
ような問題を除去することができ、狭小化された均一形
状の分極反転領域、さらには周期状分極反転構造を安定
的に形成することができる。

【００２８】前記絶縁性保護膜の厚さは、１０ｎｍ〜１
０μｍであることが好ましく、さらには１００ｎｍ〜１
μｍであることが好ましい。これによって、前記絶縁性
保護膜自体に十分な機械的強度を付与することができる
とともに、第１の電極２を外部より十分に絶縁させるこ
とができ、保護膜本来の機能を十分に達成することがで
きる。

【００２９】上述したような絶縁性保護膜は、例えば、
エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹
脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂など
の樹脂材から作製することができる。この場合は、前述
した樹脂材を加熱融解あるいは溶剤に溶解させ、得られ
た溶液をスピンコート法、印刷法、ディップコート法、
スプレー法などによって、第１の電極２が形成された強
誘電体単結晶基板１の主面１Ａ上に、第１の電極２を覆
うようにして塗布する。そして、前記溶媒などを除去す
る、あるいは加熱又は紫外線などを照射することによっ
て所定の反応を生ぜしめ、目的とする絶縁性保護膜を得
る。

【００３０】また、ＳｉＯ_２やＴａ_２Ｏ_５、及びＡｌ_２
Ｏ_３などの無機材料から作製することもできる。この場
合は、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング
法、イオンビームスパッタリング法、イオンアシスト蒸
着法などの公知の製膜方法を用いて形成することができ
る。酸化珪素保護膜などを作製する場合においては、随
時酸素ガスなどを補給しながら行なう。

【００３１】本発明の周期状分極反転構造の形成方法に
おいては、図１に示すような櫛形状の第１の電極２及び
平板状の第２の電極３を形成した後、図３に示すよう
に、第１の電極２の、電極片２−１〜２−６間に溝部７
−１〜７−５を形成する。その後、図１において説明し
たように、第１の電極２及び第２の電極３間に所定の電
圧を印加することにより、狭小化されるとともに、均一
な形状の分極反転領域８Ａさらには周期状分極反転構造
を形成することができる。

【００３２】また、図３に示すように、隣接する電極片
２−１〜２−６間に溝部７−１〜７−５を形成して強誘
電体単結晶基板１の強誘電性を低減し、印加電圧の漏洩
を抑制することにより、電極片２−１〜２−６にはより
大きな電圧を負荷することができる。したがって、分極
反転領域８Ａが十分深くにまで形成することができ、十
分大きな深さの周期状分極反転構造を形成することがで
きる。実際には、２．５μｍ以上の深さの周期状分極反
転構造を得ることができる。

【００３３】なお、図３に示す櫛形状の第１の電極は、
公知の電極材料から構成することができる。

【００３４】図１に示すような強誘電体単結晶基板１内
に周期状分極反転構造４を作製した後は、櫛形形状の第
１の電極２並びに平板状の第２の電極３Ａ及び３Ｂは、
それぞれ取り除かれる。

【００３５】図４は、周期状分極反転構造が形成された
強誘電体単結晶基板に、光導波路を形成した状態を示す
図である。なお、簡略化のため、図４においては、強誘
電体単結晶基板の、周期状分極反転構造が形成された部
分のみを示している。

【００３６】図１及び図３に示すようにして周期状分極
反転構造が形成された強誘電体単結晶基板を得た後、こ
れを実際のＳＨＧデバイスなどとして用いるためには、
図４に示すように、プロトン交換法などによって周期状
分極反転構造４内に光導波路５を形成して、所定の光導
波路素子１０を作製する。その後、光導波路素子１０を
実装し、光ファイバなどを接続することによって、目的
とするＳＨＧデバイスなどを得る。

【００３７】図５〜図７は、周期状分極反転構造が形成
された強誘電体単結晶基板を用いて、リッジ構造型の光
導波路素子を形成するための工程を説明するための図で
ある。

【００３８】最初に、図５に示すように、周期状分極反
転構造４の形成された強誘電体単結晶基板１を、主面１
Ａが下側になるようにして、支持基板１１と接着層１２
を介して貼り合わせる。次いで、強誘電体単結晶基板１
に裏面１Ｂから研削加工及び研摩加工を施すことによ
り、図６に示すように、周期状分極反転構造４が露出す
るまで薄板化する。その後、ダイシング加工あるいは所
定のマスクを介してレーザ加工処理を行ない、強誘電体
単結晶基板１の両側部分を所定の厚さを残して除去し、
図７に示すようなリッジ型の光導波路１５を有する、リ
ッジ構造型の光導波路素子２０を得る。

【００３９】その後、光導波路素子２０を実装し、光フ
ァイバなどを接続することによって、目的とするＳＨＧ
デバイスなどを得る。

【００４０】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明する。（実施例）最初に、厚さ０．５ｍｍのＭｇＯドープＬＮ
単結晶の５度オフＹカット基板を強誘電体単結晶基板１
として用い、この基板の主面１Ａ上に、Ｔａからなる幅
ｄ０．４μｍ、ピッチＰが２．８μｍの電極片を有する
櫛形形状の第１の電極２と、同じくＴａからなる平板状
の第２の電極３Ａとが互いに対向するようにして形成し
た。その後、基板１の裏面１Ｂ上において第１の電極２
と対向するようにして第２の電極３Ｂを形成した。

【００４１】次いで、第１の電極２の電極片間に、深さ
ｄが２０ｎｍの溝部を形成した後、第１の電極２及び第
２の電極３間に４ｋＶなる電圧を負荷し、周期状分極反
転構造４を形成した。

【００４２】なお、第１の電極２及び主面１Ａ上に形成
した第２の電極３Ａ間に電圧を印加せずに、電極２及び
電極３Ｂ間に上記電圧を印加することによってもほぼ同
程度の周期状分極反転構造４が得られた。したがって、
この場合においては、１対の電極２及び３Ｂ間のみに電
圧を印加すればよいため、システム構成を簡略化するこ
とができ、安価な設備で分極反転構造を得ることができ
る。

【００４３】強誘電体単結晶基板１を切断し、周期状分
極反転構造４を構成する分極反転領域の幅を計測したと
ころ、１．８μｍであることが判明した。

【００４４】（比較例）実施例と同様に、厚さ０．５ｍ
ｍのＭｇＯドープＬＮ単結晶の５度オフＹカット基板を
強誘電体単結晶基板１として用い、この基板１の主面１
Ａ上に実施例と同形状及び同じ大きさの第１の電極２及
び第２の電極３Ａ、裏面１Ｂ上に第２の電極３Ｂを形成
した。その後、第１の電極２の電極片間に溝部を形成す
ることなく、第１の電極２及び第２の電極３間に４ｋＶ
なる電圧を印加し、周期状分極反転構造を形成した。

【００４５】強誘電体単結晶基板１を切断し、周期状分
極反転構造４を構成する分極反転領域の幅を計測したと
ころ、２．２μｍであることが判明した。

【００４６】以上、実施例及び比較例から明らかなよう
に、実施例において得た周期状分極反転構造は、狭小化
された分極反転領域から形成されていることが分かる。

【００４７】以上、具体例を挙げながら発明の実施の形
態に基づいて本発明を詳細に説明したが、本発明は上記
内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱し
ない範囲において、あらゆる変更や変形が可能である。

【００４８】例えば、上記においては、強誘電体単結晶
基板１の強誘電性を低減させるための具体的な方法とし
て溝部を形成する場合について説明したが、所定のイオ
ンなどを拡散させることによっても低減することができ
る。また、強誘電体単結晶基板１を、例えば、上記にお
いては、強誘電体単結晶基板１を、例えばＭｇＯドープ
のＬＮ単結晶の５度オフカット板から構成する場合につ
いて示しているが、本発明は、例えばＬＮ単結晶の任意
のオフカット基板、並びにＸカット基板、Ｙカット基
板、Ｚカット基板から構成する場合についても用いるこ
とができる。

【００４９】また、図１においては、主面１Ａ及び裏面
１Ｂ上において、櫛形状の第１の電極１２と対向するよ
うに第２の電極３Ａ及び３Ｂを形成しているが、ＬＮ単
結晶のＸカット基板又はＹカット基板を用いる場合は、
裏面１Ｂ上に第２の電極３Ｂを形成することなく、主面
１Ａ上において第２の電極３Ａのみを形成することによ
って、目的とする周期状分極反転構造を作製することが
できる。

【００５０】さらに、ＬＮ単結晶のＺカット基板又は上
述したオフカット基板を用いる場合は、主面１Ａ上に第
２の電極３Ａを形成することなく、裏面１Ｂ上に第２の
電極３Ｂのみを形成することによって、目的とする周期
状分極反転構造を作製することができる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
分極反転領域の形状を乱すことなく、狭小化され、さら
には均一形状の分極反転領域を有する周期状分極反転構
造を簡易かつ安定的に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】周期状分極反転構造の形成方法を説明するため
の図である。

【図２】図１に示す分極反転時に用いる櫛形状の第１の
電極周辺部を切り取り、拡大して示す図である。

【図３】本発明の形成方法において、分極反転時に用い
る櫛形状の第１の電極周辺部を切り取り、拡大して示す
図である。

【図４】周期状分極反転構造が形成された強誘電体単結
晶基板に、光導波路を形成した状態を示す図である。

【図５】周期状分極反転構造が形成された強誘電体基板
を用いて、リッジ構造型の光導波路素子を形成する方法
を説明するための一工程図である。

【図６】図５に示す工程の次の工程を示す図である。

【図７】図６に示す工程の次の工程を示す図である。

【符号の説明】

１強誘電体単結晶基板、２第１の電極、２−１〜２
−６電極片、３Ａ、３Ｂ第２の電極、４周期状分
極反転構造、５，１５光導波路、７−１〜７−５溝
部、１０，２０光導波路素子、１１支持基板、１２
接着層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】強誘電体単結晶基板の一表面上において、
周期状に配列された複数の電極片を有する第１の電極
と、この第１の電極と離隔し、対向して位置するよう
に、前記強誘電体単結晶基板の任意の表面上に第２の電
極とを配置し、前記第１の電極と前記第２の電極との間
に所定の電圧を印加することにより、前記強誘電体単結
晶基板内に周期状の分極反転構造を形成する方法であっ
て、前記強誘電体単結晶基板の、前記第１の電極の前記複数
の電極片間に位置する部分の強誘電性を低減するように
したことを特徴とする、周期状分極反転構造の形成方
法。
【請求項２】前記強誘電体単結晶基板の、前記第１の電
極の前記複数の電極片間において、溝部を形成したこと
を特徴とする、請求項１に記載の周期状分極反転構造の
形成方法。
【請求項３】前記溝部の深さが、１ｎｍ〜１００ｎｍで
あることを特徴とする、請求項２に記載の周期状分極反
転構造の形成方法。
【請求項４】前記溝部の深さが、１０ｎｍ〜２０ｎｍで
あることを特徴とする、請求項３に記載の周期状分極反
転構造の形成方法。
【請求項５】前記第１の電極を覆うようにして、絶縁性
保護膜を形成することを特徴とする、請求項１〜４のい
ずれか一に記載の周期状分極反転構造の形成方法。
【請求項６】前記絶縁性保護膜は、体積抵抗率が１×１
０^１２Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする、請求項５
に記載の周期状分極反転構造の形成方法。
【請求項７】前記絶縁性保護膜は、前記第１の電極の前
記複数の電極片間を埋めるようにして形成することを特
徴とする、請求項６に記載の周期状分極反転構造の形成
方法。
【請求項８】前記絶縁性保護膜は、前記溝部を埋設する
ようにして形成することを特徴とする、請求項７に記載
の周期状分極反転構造の形成方法。
【請求項９】前記絶縁性保護膜の厚さが、１０ｎｍ〜１
０μｍであることを特徴とする、請求項５〜８のいずれ
か一に記載の周期状分極反転構造の形成方法。
【請求項１０】前記絶縁性保護膜の厚さが、１００ｎｍ
〜１μｍであることを特徴とする、請求項９に記載の周
期状分極反転構造の形成方法。
【請求項１１】前記第１の電極と前記第２の電極とは、
前記強誘電単結晶基板の同一表面上に配置することを特
徴とする、請求項１〜１０のいずれか一に記載の周期状
分極反転構造の形成方法。
【請求項１２】前記第１の電極と前記第２の電極とは、
それぞれ前記強誘電体単結晶基板の相対向する異なる表
面上に配置することを特徴とする、請求項１〜１０のい
ずれか一に記載の周期状分極反転構造の形成方法。
【請求項１３】前記第２の電極は、前記第１の電極と同
一平面上、及びこの平面と相対向する異なる表面上に配
置することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一
に記載の周期状分極反転構造の形成方法。
【請求項１４】前記周期状分極反転構造の、前記第１の
電極が形成された前記強誘電体単結晶基板表面からの深
さが、１μｍ以上であることを特徴とする、請求項１１
に記載の周期状分極反転構造の形成方法。