JP2003057265A - Contact probe and manufacturing method therefor - Google Patents
Contact probe and manufacturing method thereforInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チップ等
の電気的特性検査に用いられるコンタクトプローブおよ
びその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact probe used for inspecting electrical characteristics of semiconductor chips and the like and a method for manufacturing the contact probe.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体デバイスおよび配線の微細
化に伴い、半導体のパッド数が増大し、パッドピッチが
狭小化している。これに伴って、半導体の電気的特性検
査に用いられるコンタクトプローブの微細化およびピッ
チの狭小化が必要とされている。2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of semiconductor devices and wiring, the number of semiconductor pads has increased and the pad pitch has been narrowed. Along with this, it is necessary to miniaturize the contact probe used for the electrical characteristic inspection of the semiconductor and to narrow the pitch.
【０００３】そこで、微細なコンタクトプローブを大量
かつ安価に作製する手段として、電析により半球状の突
起を形成する製造方法が各社から提案されている。Therefore, as a means for producing a large amount of fine contact probes at low cost, various companies have proposed a production method of forming hemispherical projections by electrodeposition.
【０００４】しかし、実際には突起の高さが直径の１／
４以上の半球状の突起を形成するのは困難であり、「表
面技術 ＶＯＬ．５２，Ｎｏ．１，２００１ １３０〜
１３４頁」に記載されているように、高さが直径の１／
４程度以下の突起しか形成できていないのが現状であ
る。However, in reality, the height of the protrusion is 1 / the diameter.
It is difficult to form four or more hemispherical protrusions, and "Surface Technology VOL. 52, No. 1, 2001 130-
As described in "Page 134", the height is 1 / diameter.
The present situation is that only four or less protrusions can be formed.
【０００５】また、各社の特許出願にかかる公報を見て
も、半球状の突起と記載されてはいるが、具体的な突起
の高さと直径の関係は開示されていない。Also, even if the patent publications of the respective companies are referred to, they are described as hemispherical projections, but no specific relationship between the height and diameter of the projection is disclosed.
【０００６】例えば、特開平８−３０６７４９号公報で
は、直径３０μｍのスルーホールに電気メッキ（電析）
し、メッキ層はスルーホールを埋めるように形成された
後、ポリイミド層の表面に達すると等方的に拡がって半
球状になり、直径４５μｍのバンプ（突起）が形成され
る、と記載されている。For example, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-3066749, electroplating (electrodeposition) is applied to a through hole having a diameter of 30 μm.
However, it is described that after the plating layer is formed so as to fill the through hole, when it reaches the surface of the polyimide layer, it isotropically spreads and becomes a hemisphere, and bumps (protrusions) having a diameter of 45 μm are formed. There is.
【０００７】ここに、ポリイミド層の表面に達すると等
方的に拡がると記載されているように、一般的に電析に
よって金属を析出させて形成する突起の高さと直径の関
係は、
突起直径＝開口部直径＋２×突起高さ
となる。As described herein, when the surface of the polyimide layer spreads isotropically, the relationship between the height and the diameter of the protrusion formed by depositing metal by electrodeposition is generally defined as the protrusion diameter. = Diameter of opening + 2 x height of protrusion.
【０００８】これよると、上記公報での突起高さは（４
５−３０）／２＝７．５μｍ程度、すなわち、直径の１
／６程度と推測される。According to this, the protrusion height in the above publication is (4
5-30) / 2 = about 7.5 μm, that is, 1 of the diameter
It is estimated to be about / 6.
【０００９】また、特開平９−２４３６６１号公報で
は、開口部直径６０μｍに対し、突起の高さは２０μｍ
と記載されているため、突起の直径は６０＋２×２０＝
１００μｍ程度、すなわち、突起の高さは直径の１／５
程度と推測される。Further, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-243661, the diameter of the opening is 60 μm and the height of the protrusion is 20 μm.
Therefore, the diameter of the protrusion is 60 + 2 × 20 =
About 100 μm, that is, the height of the protrusion is 1/5 of the diameter
It is estimated to be the degree.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のコンタクトプローブの製造手段では、以下の
ような問題があった。However, such conventional contact probe manufacturing means have the following problems.
【００１１】即ち、電極開口部の直径を突起高さの２倍
以上としているため、電析条件を工夫しても、突起高さ
は、析出金属は開口部表面に達してから等方的に拡がっ
て成長するため、突起直径の１／４以下程度までしか形
成できないということである。これを式であらわすと、
開口部直径＞２×突起高さ
突起直径−２×突起高さ＞２×突起高さ
突起高さ＜突起直径／４
となる。That is, since the diameter of the electrode opening is at least twice the height of the protrusion, the height of the protrusion is isotropic after the deposited metal reaches the surface of the aperture even if the electrodeposition conditions are devised. Since it spreads and grows, it can be formed only up to about 1/4 or less of the diameter of the protrusion. When this is expressed by a formula, the following is obtained: opening diameter> 2 × projection height projection diameter−2 × projection height> 2 × projection height projection height <projection diameter / 4.
【００１２】このように、従来のコンタクトプローブお
よびその製造方法では、電極開口部の直径を突起高さの
２倍以上としているため、突起直径の１／４以下程度ま
での高さしか形成できなかったが、本発明では、電極開
口部の直径を突起高さの２倍以下として、電極開口部に
電析により金属を析出させることにより、容易に高さが
直径の１／４以上である半球状の突起を形成できること
に着目し、コンタクトプローブおよびその製造方法に関
して、高さが直径の１／４以上である半球状のコンタク
ト用突起を１個以上設けたコンタクトプローブと、該突
起を容易な方法により効率良く安価に形成できる製造方
法を提供することを目的としている。As described above, in the conventional contact probe and the manufacturing method thereof, since the diameter of the electrode opening is twice or more the height of the protrusion, the height can be formed only up to about 1/4 or less of the diameter of the protrusion. However, in the present invention, the diameter of the electrode opening is not more than twice the height of the protrusion, and the metal is deposited on the electrode opening by electrodeposition to easily form a hemisphere whose height is 1/4 or more of the diameter. Focusing on the fact that a protrusion can be formed, a contact probe and a method for manufacturing the same are provided with a contact probe having at least one hemispherical contact protrusion having a height of ¼ or more of the diameter, and the protrusion can be easily formed. An object of the present invention is to provide a manufacturing method which can be formed efficiently and inexpensively by the method.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載された発明では、高さが直径の１／
４以上あるほぼ半球状のコンタクト用突起を１個以上設
けたコンタクトプローブを特徴としている。In order to solve the above problems, in the invention described in claim 1, the height is 1 / the diameter.
It is characterized by a contact probe having at least four semi-spherical contact protrusions of four or more.
【００１４】このように構成された請求項１にかかる発
明によれば、高さが直径の１／４以上あるほぼ半球状の
コンタクト用突起を１個以上設けているので、高さが直
径の１／４以下である従来のコンタクト用突起と比較し
て、突起間のピッチを狭小化することができる。According to the invention according to claim 1 having such a configuration, since at least one substantially hemispherical contact projection having a height of 1/4 or more of the diameter is provided, the height is equal to the diameter. The pitch between the protrusions can be narrowed as compared with the conventional contact protrusion having a size of ¼ or less.
【００１５】請求項２に記載された発明では、前記コン
タクト用突起の表面粗さＲｍａｘが０．５μｍ以下であ
る請求項１に記載のコンタクトプローブを特徴としてい
る。The invention according to claim 2 is characterized in that the contact probe has a surface roughness Rmax of 0.5 μm or less.
【００１６】このように構成された請求項２にかかる発
明によれば、コンタクト用突起の表面粗さＲｍａｘを
０．５μｍ以下としているので、コンタクト用突起の表
面粗さが突起の高さばらつき以下となり、半導体のパッ
ド電極に安定して接触させることができる。According to the second aspect of the invention thus constructed, the surface roughness Rmax of the contact projection is 0.5 μm or less, so that the surface roughness of the contact projection is less than the height variation of the projection. Therefore, it is possible to make stable contact with the pad electrode of the semiconductor.
【００１７】請求項３に記載された発明では、前記コン
タクト用突起の表層が金、パラジウム、ロジウム、クロ
ム、タングステン、ルテニウムの単一金属、または、こ
れらを成分とする合金のいずれかである請求項１または
２に記載のコンタクトプローブを特徴としている。In a third aspect of the present invention, the surface layer of the contact projection is a single metal of gold, palladium, rhodium, chromium, tungsten or ruthenium, or an alloy containing any of these. The contact probe according to item 1 or 2 is featured.
【００１８】このように構成された請求項３にかかる発
明によれば、コンタクト用突起の表層を金、パラジウ
ム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムの単
一金属、または、これらを成分とする合金のいずれかと
しているので、半導体の電極材料に対応して、適切に接
触させることができる。According to the third aspect of the present invention thus constructed, the surface layer of the contact protrusion is made of a single metal of gold, palladium, rhodium, chromium, tungsten, or ruthenium, or an alloy containing these as components. Since any of them is used, it is possible to make appropriate contact depending on the electrode material of the semiconductor.
【００１９】請求項４に記載された発明では、配線基板
に、得ようとする突起高さの２倍以下の直径の電極開口
部を形成し、該電極開口部に電析により金属を析出させ
て、高さが直径の１／４以上あるほぼ半球状のコンタク
ト用突起を形成するコンタクトプローブの製造方法を特
徴としている。According to the invention described in claim 4, an electrode opening having a diameter not more than twice the height of the projection to be obtained is formed on the wiring board, and a metal is deposited on the electrode opening by electrodeposition. In addition, the method for manufacturing a contact probe is characterized by forming a substantially hemispherical contact protrusion having a height of 1/4 or more of the diameter.
【００２０】このように構成された請求項４にかかる発
明によれば、配線基板の電極開口部の直径を得ようとす
る突起高さの２倍以下として、電極開口部に電析により
金属を析出させているので、電析により、電極開口部に
金属が析出して充填された後、金属が等方的に析出する
ため、突起の高さと直径の関係は、ほぼ、突起直径＝開
口部直径＋２×突起高さ、となり、また、電極開口部の
直径は突起高さの２倍以下なので、突起直径≦２×突起
高さ＋２×突起高さ＝４×突起高さ、となり、容易に高
さが直径の１／４以上であるほぼ半球状のコンタクト用
突起を形成することができる。According to the fourth aspect of the present invention thus constructed, a metal is deposited on the electrode opening by electrodeposition so that the diameter of the electrode opening of the wiring board is not more than twice the height of the protrusion to obtain the diameter. Since the metal is deposited by electrodeposition, the metal is deposited isotropically after the metal is deposited and filled in the electrode opening, so the relationship between the height of the protrusion and the diameter is approximately Diameter + 2 x protrusion height, and since the diameter of the electrode opening is less than twice the protrusion height, protrusion diameter ≤ 2 x protrusion height + 2 x protrusion height = 4 x protrusion height It is possible to form a substantially hemispherical contact protrusion having a height of 1/4 or more of the diameter.
【００２１】請求項５に記載された発明では、前記金属
がニッケルまたは銅である請求項４に記載のコンタクト
プローブの製造方法を特徴としている。The invention described in claim 5 is characterized by the method for manufacturing a contact probe according to claim 4, wherein the metal is nickel or copper.
【００２２】このように構成された請求項５にかかる発
明によれば、電極開口部に電析により析出させる金属を
ニッケルまたは銅としているので、安価で良導体のコン
タクト用突起を容易に形成することができる。According to the present invention having the above-mentioned structure, since the metal to be deposited by electrodeposition in the electrode opening is nickel or copper, it is possible to easily form the contact projection having a good conductor at a low cost. You can
【００２３】請求項６に記載された発明では、前記金属
を無光沢電析で析出した後、さらに、光沢電析で金属を
析出させる請求項４または５に記載のコンタクトプロー
ブの製造方法を特徴としている。In the invention according to claim 6, the method for producing a contact probe according to claim 4 or 5, characterized in that after depositing the metal by matte electrodeposition, the metal is further deposited by gloss electrodeposition. I am trying.
【００２４】このように構成された請求項６にかかる発
明によれば、無光沢電析で金属を析出した後、さらに、
光沢電析で金属を析出させているので、光沢電析のレベ
リング（平滑化）作用を利用して、容易にコンタクト用
突起の表面粗さを低減することができる。According to the sixth aspect of the present invention thus constituted, after the metal is deposited by matte electrodeposition,
Since the metal is deposited by the gloss electrodeposition, the surface roughness of the contact projections can be easily reduced by utilizing the leveling (smoothing) function of the gloss electrodeposition.
【００２５】請求項７に記載された発明では、配線基板
の電極開口部にレジストを形成してレジストに開口部を
形成する工程と、レジスト開口部に電析により金属を析
出して直径がレジスト開口部の直径の２倍以上の突起を
形成する工程と、レジストを除去する工程と、電析によ
り突起およびレジスト除去部分に金属を析出する工程と
によって、高さが直径の１／４以上あるほぼ半球状のコ
ンタクト用突起を形成する請求項４ないし６のいずれか
１項に記載のコンタクトプローブの製造方法を特徴とし
ている。In the invention described in claim 7, the step of forming a resist in the electrode opening of the wiring board to form the opening in the resist and the step of forming a metal in the resist opening by electrodeposition to obtain a resist having a diameter of The height is 1/4 or more of the diameter due to the step of forming a protrusion having a diameter not less than twice the diameter of the opening, the step of removing the resist, and the step of depositing metal on the protrusion and the resist-removed portion by electrodeposition. The method for producing a contact probe according to any one of claims 4 to 6, wherein a substantially hemispherical contact protrusion is formed.
【００２６】このように構成された請求項７にかかる発
明によれば、配線基板の電極開口部にレジストを形成し
てレジストに開口部を形成する工程と、レジスト開口部
に電析により金属を析出して直径がレジスト開口部の直
径の２倍以上の突起を形成する工程と、レジストを除去
する工程と、電析により突起およびレジスト除去部分に
金属を析出する工程とによって、高さが直径の１／４以
上あるほぼ半球状のコンタクト用突起を形成しているの
で、配線基板の電極開口部の直径が突起高さの２倍以下
でなくとも、高さが直径の１／４以上であるコンタクト
用突起を形成することができる。また、同じサイズのコ
ンタクト用突起と比較して、電極開口部をより広くする
ことができるため、突起部分と導電層の接触面積が大き
くなり、より安定した導通状態を得ることができる。According to the seventh aspect of the present invention thus constituted, the step of forming a resist in the electrode opening of the wiring board to form the opening in the resist, and the step of depositing metal in the resist opening by electrodeposition The height of the protrusion is increased by the steps of depositing and forming a protrusion having a diameter that is at least twice the diameter of the resist opening, removing the resist, and depositing metal on the protrusion and the resist-removed portion by electrodeposition. Since a nearly hemispherical contact protrusion that is 1/4 or more of the height is formed, even if the diameter of the electrode opening of the wiring board is not less than twice the height of the protrusion, the height is 1/4 or more of the diameter. Certain contact protrusions can be formed. Moreover, since the electrode opening can be made wider than that of the contact protrusion having the same size, the contact area between the protrusion and the conductive layer is increased, and a more stable conduction state can be obtained.
【００２７】請求項８に記載された発明では、レジスト
開口部に金属を析出する工程で行う電析が無光沢電析で
あり、突起およびレジスト除去部分に金属を析出する工
程で行う電析が光沢電析である請求項７に記載のコンタ
クトプローブの製造方法を特徴としている。In the invention described in claim 8, the electrodeposition carried out in the step of depositing the metal in the resist opening is a matte electrodeposition, and the electrodeposition carried out in the step of depositing the metal on the protrusions and the resist removed portion is The method for producing a contact probe according to claim 7, which is a gloss electrodeposition.
【００２８】このように構成された請求項８にかかる発
明によれば、レジスト開口部に金属を析出する工程で行
う電析が無光沢電析であり、突起およびレジスト除去部
分に金属を析出する工程で行う電析が光沢電析であるこ
とにより、無光沢電析では等方的に金属が析出し、光沢
電析ではレベリング（平滑化）作用により、コンタクト
用突起の裾野部分やレジスト除去部分の金属の析出速度
が速くなるので、コンタクト用突起のアスペクト比を大
きく下げることなく、容易に高さが直径の１／４以上で
あるコンタクト用突起を形成することができる。According to the eighth aspect of the present invention thus constituted, the electrodeposition performed in the step of depositing the metal in the resist opening is a matte electrodeposition, and the metal is deposited on the protrusion and the resist removed portion. Since the electrodeposition performed in the process is glossy electrodeposition, the metal isotropically deposits in matte electrodeposition, and the leveling (smoothing) function in glossy electrodeposition causes the foot of the contact protrusion and the resist removed part. Since the metal precipitation rate is increased, the contact protrusion having a height of ¼ or more of the diameter can be easily formed without significantly reducing the aspect ratio of the contact protrusion.
【００２９】請求項９に記載された発明では、電析によ
り突起およびレジスト除去部分に金属を析出する工程に
おける、電析の電流密度が２Ａ／ｄｍ2以下である請求
項７または８に記載のコンタクトプローブの製造方法を
特徴としている。In the invention described in claim 9, the current density of electrodeposition is 2 A / dm 2 or less in the step of depositing the metal on the protrusions and the resist removed portion by electrodeposition. It features a method of manufacturing a contact probe.
【００３０】このように構成された請求項９にかかる発
明によれば、電析により突起およびレジスト除去部分に
金属を析出する工程における、電析の電流密度を２Ａ／
ｄｍ 2以下としているので、水素の発生を極力減らし、
電極開口部のレジスト除去部分に金属を均一に析出させ
ることができる。The present invention according to claim 9 having the above structure
According to Ming, the protrusions and the resist removal area are
In the step of depositing a metal, the current density of electrodeposition is 2 A /
dm 2Since it is as follows, reduce the generation of hydrogen as much as possible,
Metal is evenly deposited on the resist removal area of the electrode opening.
You can
【００３１】請求項１０に記載された発明では、金、パ
ラジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウ
ムの単一金属、または、これらを成分とする合金のいず
れかを電析により前記コンタクト用突起の表層に形成す
る請求項２ないし９のいずれか１項に記載のコンタクト
プローブの製造方法を特徴としている。In the tenth aspect of the invention, the surface layer of the contact protrusion is formed by electrodeposition of a single metal of gold, palladium, rhodium, chromium, tungsten, or ruthenium, or an alloy containing these. The method for manufacturing a contact probe according to any one of claims 2 to 9 is characterized by the following.
【００３２】このように構成された請求項１０にかかる
発明によれば、金、パラジウム、ロジウム、クロム、タ
ングステン、ルテニウムの単一金属、または、これらを
成分とする合金のいずれかをコンタクト用突起の表層に
形成しているので、容易な方法で、上記金属をコンタク
ト用突起表面のみに形成することができる。According to the tenth aspect of the invention thus constituted, the contact projection is made of a single metal of gold, palladium, rhodium, chromium, tungsten, or ruthenium, or an alloy containing these. Since it is formed on the surface layer of, the above metal can be formed only on the contact projection surface by an easy method.
【００３３】[0033]
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について、図示例と共に説明する。
（実施の形態１）図１は、この発明の実施の形態１を示
すものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Specific embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 shows Embodiment 1 of the present invention.
【００３４】図１中、符号１は配線基板、符号２は配線
基板１の導電層、３は配線基板１の絶縁層、４は絶縁層
３に形成された電極開口部、５はコンタクト用突起であ
る。In FIG. 1, reference numeral 1 is a wiring board, reference numeral 2 is a conductive layer of the wiring board 1, 3 is an insulating layer of the wiring board 1, 4 is an electrode opening formed in the insulating layer 3, and 5 is a contact protrusion. Is.
【００３５】この実施の形態１では、配線基板１に、得
ようとする突起高さの２倍以下の直径の電極開口部４を
形成し、この電極開口部４に電析により金属を析出させ
て、高さが直径の１／４以上あるほぼ半球状のコンタク
ト用突起５を１個以上形成する。In the first embodiment, an electrode opening 4 having a diameter not more than twice the height of the protrusion to be obtained is formed on the wiring board 1, and a metal is deposited on the electrode opening 4 by electrodeposition. Then, one or more substantially hemispherical contact projections 5 having a height of 1/4 or more of the diameter are formed.
【００３６】この際、電極開口部４に電析により析出さ
せる金属をニッケルまたは銅とする。At this time, nickel or copper is used as a metal to be deposited in the electrode opening 4 by electrodeposition.
【００３７】配線基板１としては、導電層２（配線部）
と絶縁層３（例えば、銅箔とポリイミド層）とを積層
し、絶縁層３に孔を形成して電極開口部４としたフレキ
シブル配線基板や、シリコン、ガラス、セラミックス、
ガラエポ等の基板に配線部を形成し、表面に電極開口部
４を設けたハード基板を使用することができる。As the wiring board 1, the conductive layer 2 (wiring portion)
And an insulating layer 3 (for example, a copper foil and a polyimide layer) are laminated to form a hole in the insulating layer 3 to form an electrode opening 4, a flexible wiring board, silicon, glass, ceramics,
It is possible to use a hard substrate having a wiring part formed on a substrate such as a glass epoxy and having the electrode opening 4 on the surface.
【００３８】そして、電極開口部４の直径を４μｍ、ス
ルファミン酸ニッケル浴（スルファミン酸ニッケル４５
０ｇ／ｌ、硼酸３０ｇ／ｌ、界面活性剤２ｇ／ｌ）で電
析を行ったところ、積算電気量０．２Ａ・ｍｉｎで高さ
１５μｍ、直径３１μｍのコンタクト用突起５が、ま
た、積算電気量２Ａ・ｍｉｎで高さ２８μｍ、直径５８
μｍのコンタクト用突起５が形成され、高さが直径の１
／４以上のコンタクト用突起５を形成することができ
た。Then, the diameter of the electrode opening 4 is 4 μm, and the nickel sulfamate bath (nickel sulfamate 45
Electrodeposition was carried out with 0 g / l, boric acid 30 g / l, and surfactant 2 g / l). As a result, a contact projection 5 having a height of 15 μm and a diameter of 31 μm was obtained at an integrated electricity of 0.2 A · min. 28 μm in height and 58 in diameter at an amount of 2 A · min
The contact protrusion 5 of μm is formed and the height is 1 of the diameter.
It was possible to form the contact projections 5 of / 4 or more.
【００３９】また、この結果から、電極開口部４の絶縁
層３表面に達すると等方的に成長すると考えた場合の以
下の式と数μｍ程度の差はあるものの、ほぼ合致してい
ることが確認された。Further, from this result, there is a difference of about several μm from the following formula in which it is assumed that the isotropic growth occurs when it reaches the surface of the insulating layer 3 of the electrode opening 4, but they are almost the same. Was confirmed.
【００４０】突起直径＝開口部直径＋２×突起高さ
以上をまとめると、高さが直径の１／４以上あるほぼ半
球状のコンタクト用突起５を１個以上設けているので、
高さが直径の１／４以下である従来のコンタクト用突起
５と比較して、突起６間のピッチを狭小化することがで
きる。[Protrusion diameter = Aperture diameter + 2 × Protrusion height] In summary, since one or more substantially hemispherical contact protrusions 5 having a height of ¼ or more of the diameter are provided,
The pitch between the protrusions 6 can be narrowed as compared with the conventional contact protrusion 5 whose height is ¼ or less of the diameter.
【００４１】また、配線基板１の電極開口部４の直径を
得ようとする突起６高さの２倍以下として、電極開口部
４に電析により金属を析出させているので、電析によ
り、電極開口部４に金属が析出して充填された後、金属
が等方的に析出するため、突起６の高さと直径の関係
は、ほぼ、突起直径＝開口部直径＋２×突起高さ、とな
り、また、電極開口部４の直径は突起６高さの２倍以下
なので、突起直径≦２×突起高さ＋２×突起高さ＝４×
突起高さ、となり、容易に高さが直径の１／４以上であ
るほぼ半球状のコンタクト用突起５を形成することがで
きる。Further, since the height of the protrusion 6 for obtaining the diameter of the electrode opening 4 of the wiring board 1 is set to be less than or equal to twice the height of the projection 6, the metal is deposited on the electrode opening 4 by electrodeposition. After the metal is deposited and filled in the electrode opening 4 and isotropically deposited, the relationship between the height and the diameter of the projection 6 is approximately: projection diameter = opening diameter + 2 × projection height. Moreover, since the diameter of the electrode opening 4 is less than twice the height of the protrusion 6, the protrusion diameter ≦ 2 × the protrusion height + 2 × the protrusion height = 4 ×
The height of the protrusion becomes, and it is possible to easily form the substantially hemispherical contact protrusion 5 having a height of 1/4 or more of the diameter.
【００４２】更に、電極開口部４に電析により析出させ
る金属をニッケルまたは銅としているので、安価で良導
体のコンタクト用突起５を容易に形成することができ
る。
（実施の形態２）図２は、この発明の実施の形態２を示
すものである。Furthermore, since the metal to be deposited by electrodeposition in the electrode opening 4 is nickel or copper, the contact protrusion 5 of a good conductor can be easily formed at a low cost. (Second Embodiment) FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention.
【００４３】図２中、符号６は無光沢電析による突起、
７は光沢電析による突起表層である。In FIG. 2, reference numeral 6 is a projection by matte electrodeposition,
Reference numeral 7 is a surface layer of protrusions formed by gloss electrodeposition.
【００４４】この実施の形態２では、コンタクト用突起
５の表面粗さＲｍａｘを０．５μｍ以下とする。In the second embodiment, the surface roughness Rmax of the contact protrusion 5 is set to 0.5 μm or less.
【００４５】そのために、金属を無光沢電析で析出した
後、さらに、光沢電析で金属を析出させるようにする。Therefore, after the metal is deposited by matte electrodeposition, the metal is further deposited by gloss electrodeposition.
【００４６】具体的には、先ず、配線基板１の電極開口
部４に実施の形態１と同様の条件で電析（無光沢電析）
を行い、突起６を形成した。この突起６の表面粗さＲｍ
ａｘは２μｍであった。Specifically, first, the electrode opening 4 of the wiring substrate 1 is electrodeposited under the same conditions as in Embodiment 1 (matte electrodeposition).
Then, the protrusion 6 was formed. Surface roughness Rm of this protrusion 6
The ax was 2 μm.
【００４７】次に、ワット浴に光沢剤を添加した電析浴
（硫酸ニッケル３５０ｇ／ｌ、塩化ニッケル５０ｇ／
ｌ、硼酸４５ｇ／ｌ、第１種光沢剤と第２種光沢剤を数
ｇ／ｌ）を用い光沢電析で５μｍ厚程度の光沢膜（突起
表層７）を突起６の表面に形成した。この突起表層７の
表面粗さＲｍａｘは０．１μｍであった。Next, an electrodeposition bath in which a brightening agent was added to the Watts bath (nickel sulfate 350 g / l, nickel chloride 50 g /
L, 45 g / l of boric acid, and several g / l of the first-type brightening agent and the second-type brightening agent were used to form a glossy film (projection surface layer 7) having a thickness of about 5 μm on the surface of the projection 6 by glossy electrodeposition. The surface roughness Rmax of the protrusion surface layer 7 was 0.1 μm.
【００４８】コンタクトプローブの突起高さのばらつき
は±３μｍ程度にする必要があるが、光沢電析により、
コンタクト用突起５の表面粗さを突起の高さばらつき以
下とすることができる。The variation in the height of the protrusions of the contact probe needs to be about ± 3 μm.
The surface roughness of the contact protrusion 5 can be set to be equal to or less than the height variation of the protrusion.
【００４９】なお、当初から光沢電析を行うと、レベリ
ング（平滑化）作用により、突起６頂点部より裾野部の
金属の析出速度が速いため、直径に対する高さが小さく
なり、十分なアスペクト比のコンタクト用突起５を形成
できないため、まず、無光沢電析で半球状の突起６を形
成した後、該突起６の表面が所望の表面粗さになるまで
光沢電析を行うのが良い。この場合、光沢電析によりコ
ンタクト用突起５のアスペクト比が下がるのを考慮に入
れ、その分、無光沢電析で形成する突起６のアスペクト
比を高くしておく。When the gloss electrodeposition is performed from the beginning, the leveling (smoothing) action causes the deposition rate of the metal at the skirt portion to be higher than at the apex portion of the protrusion 6, so that the height with respect to the diameter becomes small and the sufficient aspect ratio. Since the contact protrusion 5 cannot be formed, it is preferable to first form the hemispherical protrusion 6 by matte electrodeposition and then perform the gloss electrodeposition until the surface of the protrusion 6 has a desired surface roughness. In this case, taking into consideration that the aspect ratio of the contact projections 5 decreases due to the glossy electrodeposition, the aspect ratio of the projections 6 formed by the matte electrodeposition is increased accordingly.
【００５０】以上をまとめると、コンタクト用突起５の
表面粗さＲｍａｘを０．５μｍ以下としているので、コ
ンタクト用突起５の表面粗さが突起６の高さばらつき以
下となり、半導体のパッド電極に安定して接触させるこ
とができる。In summary, since the surface roughness Rmax of the contact protrusion 5 is 0.5 μm or less, the surface roughness of the contact protrusion 5 is equal to or less than the height variation of the protrusion 6 and stable for the semiconductor pad electrode. Can be contacted.
【００５１】また、無光沢電析で金属を析出した後、さ
らに、光沢電析で金属を析出させているので、光沢電析
のレベリング（平滑化）作用を利用して、容易にコンタ
クト用突起５の表面粗さを低減することができる。
（実施の形態３）図３（ａ）〜（ｄ）は、この発明の実
施の形態を示すものである。Further, since the metal is further deposited by the gloss electrodeposition after the metal is deposited by the matte electrodeposition, it is possible to easily utilize the leveling (smoothing) function of the gloss electrodeposition for the projection for contact. The surface roughness of No. 5 can be reduced. (Embodiment 3) FIGS. 3A to 3D show an embodiment of the present invention.
【００５２】図３中、符号８はレジスト、９はレジスト
開口部である。In FIG. 3, reference numeral 8 is a resist, and 9 is a resist opening.
【００５３】図３（ａ）に示すように、配線基板１の電
極開口部４（直径６０μｍ）にレジスト８を塗布し、レ
ジスト８にレジスト開口部９（直径４μｍ）を形成し
た。As shown in FIG. 3A, a resist 8 was applied to the electrode opening 4 (diameter 60 μm) of the wiring board 1 to form a resist opening 9 (diameter 4 μm) in the resist 8.
【００５４】次に、図３（ｂ）に示すように、レジスト
開口部９に実施の形態１の無光沢電析条件で電析を行
い、高さ２８μｍ、直径５８μｍの突起６を形成した。Next, as shown in FIG. 3B, electrodeposition was performed on the resist openings 9 under the matte electrodeposition conditions of Embodiment 1 to form protrusions 6 having a height of 28 μm and a diameter of 58 μm.
【００５５】そして、図３（ｃ）に示すように、レジス
ト８をレジスト剥離液で除去した。Then, as shown in FIG. 3C, the resist 8 was removed with a resist stripping solution.
【００５６】最後に、図３（ｄ）に示すように、電極開
口部４に実施の形態２の光沢電析条件で電析を行い、突
起６およびレジスト８除去部分に金属を析出させて、電
極開口部４に金属を充填すると共にコンタクト用突起５
を成長させた。ここで、光沢電析条件で電析を行ってい
るので、レベリング（平滑化）作用により、突起部分よ
りレジスト８除去部分である凹部の金属の析出速度が速
くなるため、無光沢電析より安易に電極開口部４に金属
を充填することができる。Finally, as shown in FIG. 3 (d), the electrode opening 4 was subjected to electrodeposition under the gloss electrodeposition conditions of Embodiment 2 to deposit metal on the protrusion 6 and the resist 8 removed portion, The electrode openings 4 are filled with metal and the contact projections 5 are formed.
Has grown up. Here, since the electrodeposition is performed under the glossy electrodeposition condition, the leveling (smoothing) action makes the metal deposition rate in the recesses, which are the resist 8 removed portions, faster than in the protrusions, so that it is easier than the matte electrodeposition. The electrode opening 4 can be filled with metal.
【００５７】ここで、電流密度を２Ａ／ｄｍ2以下とす
ることにより、水素の発生を極力抑制し、電極開口部４
および突起６部への水素付着による形状不良を防止する
ことができる。Here, by setting the current density to 2 A / dm 2 or less, generation of hydrogen is suppressed as much as possible, and the electrode opening 4
Further, it is possible to prevent a defective shape due to hydrogen adhesion to the protrusions 6.
【００５８】なお、図３ではレジスト８を電極開口部４
だけでなく、絶縁層３表面にも形成しているが、電極開
口部４だけに形成するようにしてもよい。その場合に
は、レジスト開口部９の直径を電極開口部４の直径の１
／２以下とし、レジスト開口部９に形成する突起６の直
径を電極開口部４の直径未満とすることにより、高さが
直径の１／４以上の突起６を形成することができる。Incidentally, in FIG. 3, the resist 8 is replaced with the electrode opening 4
Not only is it formed on the surface of the insulating layer 3, but it may be formed only on the electrode opening 4. In that case, the diameter of the resist opening 9 is set to 1 of the diameter of the electrode opening 4.
The height of the projection 6 formed in the resist opening 9 is smaller than the diameter of the electrode opening 4, and the height of the projection 6 is 1/4 or more of the diameter.
【００５９】以上をまとめると、配線基板１の電極開口
部４にレジスト８を形成してレジスト８に開口部を形成
する工程と、レジスト開口部９に電析により金属を析出
して直径がレジスト開口部９の直径の２倍以上の突起６
を形成する工程と、レジスト８を除去する工程と、電析
により突起６およびレジスト８除去部分に金属を析出す
る工程とによって、高さが直径の１／４以上あるほぼ半
球状のコンタクト用突起５を形成しているので、配線基
板１の電極開口部４の直径が突起６高さの２倍以下でな
くとも、高さが直径の１／４以上であるコンタクト用突
起５を形成することができる。また、同じサイズのコン
タクト用突起５と比較して、電極開口部４をより広くす
ることができるため、突起６部分と導電層２の接触面積
が大きくなり、より安定した導通状態を得ることができ
る。In summary, the step of forming the resist 8 in the electrode opening 4 of the wiring board 1 to form the opening in the resist 8 and the metal having the diameter of A protrusion 6 having a diameter twice or more the diameter of the opening 9
The substantially hemispherical contact protrusion having a height of ¼ or more of the diameter by the steps of forming the resist, removing the resist 8, and depositing metal on the protrusion 6 and the resist 8 removed portion by electrodeposition. 5 is formed, the contact protrusion 5 having a height not less than ¼ of the height of the protrusion 6 even if the diameter of the electrode opening 4 of the wiring board 1 is not less than twice the height of the protrusion 6 is formed. You can In addition, since the electrode opening 4 can be made wider than the contact protrusion 5 having the same size, the contact area between the protrusion 6 and the conductive layer 2 is increased, and a more stable conduction state can be obtained. it can.
【００６０】また、レジスト開口部９に金属を析出する
工程で行う電析が無光沢電析であり、突起６およびレジ
スト８除去部分に金属を析出する工程で行う電析が光沢
電析であることにより、無光沢電析では等方的に金属が
析出し、光沢電析ではレベリング（平滑化）作用によ
り、コンタクト用突起５の裾野部分やレジスト８除去部
分の金属の析出速度が速くなるので、コンタクト用突起
５のアスペクト比を大きく下げることなく、容易に高さ
が直径の１／４以上であるコンタクト用突起５を形成す
ることができる。The electrodeposition carried out in the step of depositing metal in the resist opening 9 is matte electrodeposition, and the electrodeposition carried out in the step of depositing metal in the portions where the projections 6 and the resist 8 are removed is gloss electrodeposition. As a result, the metal isotropically deposited in the matte electrodeposition, and the leveling (smoothing) action in the glossy electrodeposition accelerates the metal deposition rate in the skirt portion of the contact protrusion 5 and the resist 8 removed portion. It is possible to easily form the contact protrusion 5 having a height of ¼ or more of the diameter without significantly reducing the aspect ratio of the contact protrusion 5.
【００６１】更に、電析により突起６およびレジスト８
除去部分に金属を析出する工程における、電析の電流密
度を２Ａ／ｄｍ2以下としているので、水素の発生を極
力減らし、電極開口部４のレジスト８除去部分に金属を
均一に析出させることができる。
（実施の形態４）実施の形態４では、コンタクトプロー
ブの突起表層７を、半導体のパッド電極に対応して形成
するようにしている。Further, the projections 6 and the resist 8 are formed by electrodeposition.
In the step of depositing the metal on the removed portion, the current density of the electrodeposition is set to 2 A / dm 2 or less, so that the generation of hydrogen can be reduced as much as possible, and the metal can be uniformly deposited on the resist 8 removed portion of the electrode opening 4. it can. (Embodiment 4) In Embodiment 4, the protrusion surface layer 7 of the contact probe is formed so as to correspond to the semiconductor pad electrode.
【００６２】例えば、半導体のパッド電極材料が金やパ
ラジウムの場合には、突起表層７に、耐食性があり良好
な接触の得られる金やパラジウムを形成する。For example, when the semiconductor pad electrode material is gold or palladium, gold or palladium having corrosion resistance and good contact is formed on the projection surface layer 7.
【００６３】また、半導体のパッド電極材料がアルミの
場合には、突起６によりアルミの酸化膜を破って接触さ
せる必要があり、耐食性だけでなく、硬度が高く、しか
もアルミと反応しない金属であるロジウム、クロム、タ
ングステン、ルテニウムの単一金属、または、これらを
成分とする合金を形成する。（金の場合は、アルミと拡
散し、抵抗値が高い金属間化合物が形成され、適切でな
い。）
突起６表面に金属を形成する方法としては、電析で行う
ことにより該金属を突起６表面のみに形成できる。Further, when the semiconductor pad electrode material is aluminum, it is necessary to break the aluminum oxide film by the projections 6 to make contact with it, which is not only corrosion-resistant but also has high hardness and does not react with aluminum. A single metal of rhodium, chromium, tungsten, or ruthenium or an alloy containing these is formed. (In the case of gold, an intermetallic compound that diffuses with aluminum and has a high resistance value is formed, which is not suitable.) As a method for forming a metal on the surface of the protrusion 6, the metal is deposited by electroplating to form the surface of the protrusion 6. Can only be formed.
【００６４】他にスパッタや無電解メッキ等でも形成で
きるが、複数の突起６間の絶縁層３表面に金属が付着し
て突起６間が導通しないようにする必要があるため、煩
雑である。Alternatively, it can be formed by sputtering or electroless plating, but it is complicated because it is necessary to prevent metal from adhering to the surface of the insulating layer 3 between the plurality of protrusions 6 so as to prevent conduction between the protrusions 6.
【００６５】なお、突起表層７の金属層の厚さは０．５
〜５μｍ程度がよい。厚さが０．５μｍ以下ではピンホ
ールが発生しやすく、５μｍ以上ではクラックが発生し
やすくなるからである。The thickness of the metal layer of the projection surface layer 7 is 0.5.
It is preferably about 5 μm. This is because if the thickness is 0.5 μm or less, pinholes are likely to occur, and if it is 5 μm or more, cracks are likely to occur.
【００６６】以上をまとめると、コンタクト用突起５の
表層を金、パラジウム、ロジウム、クロム、タングステ
ン、ルテニウムの単一金属、または、これらを成分とす
る合金のいずれかとしているので、半導体の電極材料に
対応して、適切に接触させることができる。To summarize the above, the surface layer of the contact protrusion 5 is made of a single metal of gold, palladium, rhodium, chromium, tungsten, or ruthenium, or an alloy containing any of these, so that a semiconductor electrode material is used. Corresponding to, it is possible to make appropriate contact.
【００６７】また、金、パラジウム、ロジウム、クロ
ム、タングステン、ルテニウムの単一金属、または、こ
れらを成分とする合金のいずれかをコンタクト用突起５
の表層に形成しているので、容易な方法で、上記金属を
コンタクト用突起５表面のみに形成することができる。The contact projection 5 is made of a single metal such as gold, palladium, rhodium, chromium, tungsten, or ruthenium, or an alloy containing these.
Since it is formed on the surface layer of, the above metal can be formed only on the surface of the contact protrusion 5 by an easy method.
【００６８】[0068]
【発明の効果】以上説明してきたように、請求項１の発
明によれば、高さが直径の１／４以上あるほぼ半球状の
コンタクト用突起を１個以上設けているので、高さが直
径の１／４以下である従来のコンタクト用突起と比較し
て、突起間のピッチを狭小化することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, since at least one substantially hemispherical contact projection having a height of ¼ or more of the diameter is provided, the height can be reduced. The pitch between the protrusions can be narrowed as compared with the conventional contact protrusion having a diameter of ¼ or less.
【００６９】請求項２の発明によれば、コンタクト用突
起の表面粗さＲｍａｘを０．５μｍ以下としているの
で、コンタクト用突起の表面粗さが突起の高さばらつき
以下となり、半導体のパッド電極に安定して接触させる
ことができる。According to the second aspect of the present invention, since the surface roughness Rmax of the contact projections is 0.5 μm or less, the surface roughness of the contact projections is less than the height variation of the projections. It can be stably contacted.
【００７０】請求項３の発明によれば、コンタクト用突
起の表層を金、パラジウム、ロジウム、クロム、タング
ステン、ルテニウムの単一金属、または、これらを成分
とする合金のいずれかとしているので、半導体の電極材
料に対応して、適切に接触させることができる。According to the third aspect of the present invention, the surface layer of the contact projection is made of a single metal of gold, palladium, rhodium, chromium, tungsten, or ruthenium, or an alloy containing these components. It can be appropriately contacted depending on the electrode material.
【００７１】請求項４の発明によれば、配線基板の電極
開口部の直径を得ようとする突起高さの２倍以下とし
て、電極開口部に電析により金属を析出させているの
で、電析により、電極開口部に金属が析出して充填され
た後、金属が等方的に析出するため、突起の高さと直径
の関係は、ほぼ、突起直径＝開口部直径＋２×突起高
さ、となり、また、電極開口部の直径は突起高さの２倍
以下なので、突起直径≦２×突起高さ＋２×突起高さ＝
４×突起高さ、となり、容易に高さが直径の１／４以上
であるほぼ半球状のコンタクト用突起を形成することが
できる。According to the fourth aspect of the present invention, since the metal is deposited in the electrode opening by electrodeposition with the height of the projection to obtain the diameter of the electrode opening of the wiring board being not more than twice the height of the projection, After the metal is deposited and filled in the electrode opening by the deposition, the metal is isotropically deposited. Therefore, the relationship between the height of the protrusion and the diameter is almost as follows: protrusion diameter = opening diameter + 2 × projection height, In addition, since the diameter of the electrode opening is less than twice the height of the protrusion, the protrusion diameter ≦ 2 × the protrusion height + 2 × the protrusion height =
4 × protrusion height, which makes it possible to easily form a substantially hemispherical contact protrusion having a height of 1/4 or more of the diameter.
【００７２】請求項５の発明によれば、電極開口部に電
析により析出させる金属をニッケルまたは銅としている
ので、安価で良導体のコンタクト用突起を容易に形成す
ることができる。According to the invention of claim 5, since the metal to be deposited by electrodeposition in the electrode opening is nickel or copper, the contact projection of a good conductor can be easily formed at low cost.
【００７３】請求項６の発明によれば、無光沢電析で金
属を析出した後、さらに、光沢電析で金属を析出させて
いるので、光沢電析のレベリング（平滑化）作用を利用
して、容易にコンタクト用突起の表面粗さを低減するこ
とができる。According to the invention of claim 6, since the metal is deposited by the matte electrodeposition and then the metal is further deposited by the gloss electrodeposition, the leveling (smoothing) function of the gloss electrodeposition is utilized. Thus, the surface roughness of the contact protrusion can be easily reduced.
【００７４】請求項７の発明によれば、配線基板の電極
開口部にレジストを形成してレジストに開口部を形成す
る工程と、レジスト開口部に電析により金属を析出して
直径がレジスト開口部の直径の２倍以上の突起を形成す
る工程と、レジストを除去する工程と、電析により突起
およびレジスト除去部分に金属を析出する工程とによっ
て、高さが直径の１／４以上あるほぼ半球状のコンタク
ト用突起を形成しているので、配線基板の電極開口部の
直径が突起高さの２倍以下でなくとも、高さが直径の１
／４以上であるコンタクト用突起を形成することができ
る。また、同じサイズのコンタクト用突起と比較して、
電極開口部をより広くすることができるため、突起部分
と導電層の接触面積が大きくなり、より安定した導通状
態を得ることができる。According to the invention of claim 7, a step of forming a resist in the opening of the electrode of the wiring board to form the opening in the resist, and a step of forming a metal in the resist opening by electrodeposition to form a resist opening having a diameter The height is almost 1/4 or more of the diameter due to the step of forming protrusions having a diameter not less than twice the diameter, the step of removing the resist, and the step of depositing metal on the protrusions and the resist-removed portion by electrodeposition. Since the hemispherical contact protrusions are formed, the height of the electrode is 1 mm or less even if the diameter of the electrode opening of the wiring board is not less than twice the protrusion height.
It is possible to form contact protrusions of / 4 or more. Also, compared to the same size contact protrusion,
Since the electrode opening can be made wider, the contact area between the protrusion and the conductive layer is increased, and a more stable conduction state can be obtained.
【００７５】請求項８の発明によれば、レジスト開口部
に金属を析出する工程で行う電析が無光沢電析であり、
突起およびレジスト除去部分に金属を析出する工程で行
う電析が光沢電析であることにより、無光沢電析では等
方的に金属が析出し、光沢電析ではレベリング（平滑
化）作用により、コンタクト用突起の裾野部分やレジス
ト除去部分の金属の析出速度が速くなるので、コンタク
ト用突起のアスペクト比を大きく下げることなく、容易
に高さが直径の１／４以上であるコンタクト用突起を形
成することができる。According to the invention of claim 8, the electrodeposition performed in the step of depositing a metal in the resist opening is a matte electrodeposition,
Since the electrodeposition performed in the step of depositing the metal on the protrusions and the resist removed portion is glossy electrodeposition, the metal isotropically deposits in the matte electrodeposition, and the leveling (smoothing) action in the gloss electrodeposition causes Since the metal deposition rate at the skirt portion of the contact protrusion and the resist removed portion is increased, the contact protrusion whose height is 1/4 or more of the diameter can be easily formed without greatly reducing the aspect ratio of the contact protrusion. can do.
【００７６】請求項９の発明によれば、電析により突起
およびレジスト除去部分に金属を析出する工程におけ
る、電析の電流密度を２Ａ／ｄｍ2以下としているの
で、水素の発生を極力減らし、電極開口部のレジスト除
去部分に金属を均一に析出させることができる。According to the invention of claim 9, the current density of the electrodeposition is 2 A / dm 2 or less in the step of depositing the metal on the protrusions and the resist-removed portion by electrodeposition, so that the generation of hydrogen is reduced as much as possible. The metal can be uniformly deposited on the resist-removed portion of the electrode opening.
【００７７】請求項１０の発明によれば、金、パラジウ
ム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムの単
一金属、または、これらを成分とする合金のいずれかを
コンタクト用突起の表層に形成しているので、容易な方
法で、上記金属をコンタクト用突起表面のみに形成する
ことができる、という実用上有益な効果を発揮し得る。According to the tenth aspect of the present invention, a single metal of gold, palladium, rhodium, chromium, tungsten, ruthenium, or an alloy containing these is formed on the surface layer of the contact projection. Therefore, it is possible to exert a practically useful effect that the metal can be formed only on the contact projection surface by an easy method.
【図１】本発明の実施の形態１の側方断面図である。FIG. 1 is a side sectional view of a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態２の側方断面図である。FIG. 2 is a side sectional view of a second embodiment of the present invention.
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態３の側方
断面図である。3A to 3D are side sectional views of a third embodiment of the present invention.
１ 配線基板 ２ 導電層 ３ 絶縁層 ４ 電極開口部 ５ コンタクト用突起 ６ 無光沢電析による突起 ７ 光沢電析による突起表層 ８ レジスト ９ レジスト開口部 1 wiring board 2 Conductive layer 3 insulating layers 4 electrode openings Protrusion for 5 contacts 6 Matte projections 7 Surface layer of protrusions by glossy electrodeposition 8 resist 9 Resist opening
Claims (10)
コンタクト用突起を１個以上設けたことを特徴とするコ
ンタクトプローブ。1. A contact probe comprising one or more substantially hemispherical contact projections having a height of 1/4 or more of a diameter.
が０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記
載のコンタクトプローブ。2. Surface roughness Rmax of the contact projections
Is 0.5 μm or less, the contact probe according to claim 1.
ウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムの
単一金属、または、これらを成分とする合金のいずれか
であることを特徴とする請求項１または２に記載のコン
タクトプローブ。3. The surface layer of the contact protrusion is made of a single metal of gold, palladium, rhodium, chromium, tungsten, or ruthenium, or an alloy containing these as components. 2. The contact probe according to 2.
以下の直径の電極開口部を形成し、該電極開口部に電析
により金属を析出させて、高さが直径の１／４以上ある
ほぼ半球状のコンタクト用突起を形成することを特徴と
するコンタクトプローブの製造方法。4. An electrode opening having a diameter not more than twice the height of a projection to be obtained is formed on a wiring board, and a metal is deposited in the electrode opening by electrodeposition to have a height of 1 mm. A method for manufacturing a contact probe, which comprises forming substantially hemispherical contact protrusions of / 4 or more.
特徴とする請求項４に記載のコンタクトプローブの製造
方法。5. The method for manufacturing a contact probe according to claim 4, wherein the metal is nickel or copper.
に、光沢電析で金属を析出させることを特徴とする請求
項４または５に記載のコンタクトプローブの製造方法。6. The method for producing a contact probe according to claim 4, wherein the metal is deposited by matte electrodeposition, and then the metal is deposited by gloss electrodeposition.
てレジストに開口部を形成する工程と、 レジスト開口部に電析により金属を析出して直径がレジ
スト開口部の直径の２倍以上の突起を形成する工程と、 レジストを除去する工程と、 電析により突起およびレジスト除去部分に金属を析出す
る工程とによって、 高さが直径の１／４以上あるほぼ半球状のコンタクト用
突起を形成することを特徴とする請求項４ないし６のい
ずれか１項に記載のコンタクトプローブの製造方法。7. A step of forming a resist in an opening of an electrode of a wiring board to form an opening in the resist, and depositing a metal in the resist opening by electrodeposition so that the diameter is at least twice the diameter of the resist opening. Of the semi-spherical contact projection having a height of ¼ or more of the diameter by the steps of forming the projections, removing the resist, and depositing metal on the projections and the resist-removed portion by electrodeposition. The contact probe manufacturing method according to claim 4, wherein the contact probe is formed.
う電析が無光沢電析であり、 突起およびレジスト除去部分に金属を析出する工程で行
う電析が光沢電析であることを特徴とする請求項７に記
載のコンタクトプローブの製造方法。8. The electrodeposition performed in the step of depositing a metal in the resist opening is a matte electrodeposition, and the electrodeposition performed in the step of depositing a metal in the protrusion and the resist removed portion is a gloss electrodeposition. The method for manufacturing a contact probe according to claim 7.
金属を析出する工程における、電析の電流密度が２Ａ／
ｄｍ2以下であることを特徴とする請求項７または８に
記載のコンタクトプローブの製造方法。9. A current density of electrodeposition is 2 A / in the step of depositing a metal on the protrusion and the resist-removed portion by electrodeposition.
The method for producing a contact probe according to claim 7, wherein the contact probe has a diameter of dm 2 or less.
ングステン、ルテニウムの単一金属、または、これらを
成分とする合金のいずれかを電析により前記コンタクト
用突起の表層に形成することを特徴とする請求項２ない
し９のいずれか１項に記載のコンタクトプローブの製造
方法。10. A single metal of gold, palladium, rhodium, chromium, tungsten, ruthenium, or an alloy containing these is formed on the surface layer of the contact projection by electrodeposition. The method for manufacturing the contact probe according to claim 2.
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Cited By (3)
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| JP2007534947A (en) * | 2004-04-26 | 2007-11-29 | フォームファクター， インコーポレイテッド | How to create a robust mechanical structure on a substrate surface |
| JP2008286657A (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Advantest Corp | Probe card and electronic component testing device including the same |
-
2001
- 2001-08-09 JP JP2001241558A patent/JP2003057265A/en active Pending
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