JP2003045657A - 有機ｅｌ素子用蒸着マスクと有機ｅｌ素子用蒸着マスクの製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子用蒸着マスクと有機ｅｌ素子用蒸着マスクの製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 87
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 257
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 45
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 37
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 claims description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- 238000005282 brightening Methods 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一な高さ寸法を有する発光層を高精度に再
現性良く形成することができ、さらに安価に製造可能な
有機ＥＬ素子用蒸着マスクとその製造方法を得るにあ
る。 【解決手段】 マスク本体５が下段層３と上段層２との
２層構造である。マスク本体５に多数の蒸着通孔８を設
ける。各通孔８は、上段層２側の小孔部１０と、下段層
３側の大孔部１１とからなる外広がり状のテーパー形状
とし、広い角度で気化源４からの気化物を受け入れられ
るようにする。これにて、マスク本体５の板厚を大きく
した場合に不可避の通孔８の開口上端縁による影をなく
して、均一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７を精
度良く形成することができる。
現性良く形成することができ、さらに安価に製造可能な
有機ＥＬ素子用蒸着マスクとその製造方法を得るにあ
る。 【解決手段】 マスク本体５が下段層３と上段層２との
２層構造である。マスク本体５に多数の蒸着通孔８を設
ける。各通孔８は、上段層２側の小孔部１０と、下段層
３側の大孔部１１とからなる外広がり状のテーパー形状
とし、広い角度で気化源４からの気化物を受け入れられ
るようにする。これにて、マスク本体５の板厚を大きく
した場合に不可避の通孔８の開口上端縁による影をなく
して、均一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７を精
度良く形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、蒸着マスク法で有
機ＥＬ素子の発光層を形成する際に用いられる有機ＥＬ
素子用蒸着マスク、およびこの有機ＥＬ素子用蒸着マス
クの製造方法に関する。
機ＥＬ素子の発光層を形成する際に用いられる有機ＥＬ
素子用蒸着マスク、およびこの有機ＥＬ素子用蒸着マス
クの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＲＴや液晶に替わる表示装置として、
光透過性の基板上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３
色の発光層がマトリクス状に配置された有機ＥＬ（エレ
クトロルミネッセンス）素子がある。かかる有機ＥＬ素
子の発光層の形成方法としては、蒸着マスク法に代表さ
れるドライプロセスによることが、精度、生産性などの
観点からして有利であることも広く知られるところであ
る。蒸着マスク法では、素子の基板前方に各色の発色層
パターンに対応する通孔を有する蒸着マスクを配置し、
マスクの開口部分すなわち通孔部分のみに、気化源によ
り気化された有機材料を蒸着させて、基板上に各色毎に
発色層を形成する。従来の蒸着マスクは、ステンレス、
鉄、ニッケル合金等を素材とする。
光透過性の基板上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３
色の発光層がマトリクス状に配置された有機ＥＬ（エレ
クトロルミネッセンス）素子がある。かかる有機ＥＬ素
子の発光層の形成方法としては、蒸着マスク法に代表さ
れるドライプロセスによることが、精度、生産性などの
観点からして有利であることも広く知られるところであ
る。蒸着マスク法では、素子の基板前方に各色の発色層
パターンに対応する通孔を有する蒸着マスクを配置し、
マスクの開口部分すなわち通孔部分のみに、気化源によ
り気化された有機材料を蒸着させて、基板上に各色毎に
発色層を形成する。従来の蒸着マスクは、ステンレス、
鉄、ニッケル合金等を素材とする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】蒸着マスク法の問題
は、マスクの開口上端縁による影ができて、図１３に示
すような均一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７を
基板１上に形成することが困難なことにある。つまり、
図１４に示すように、マスク４５の通孔８には直進方向
だけでなく斜め方向からも有機材料が飛来するが、この
とき斜め方向から通孔８内に入射する有機材料がマスク
の開口上端縁８ａに遮られると、通孔８の縁部分の基板
１上には少量の有機材料しか蒸着されず、完成された発
光層７は、中央部分が膨らみ、縁部分が漸減した断面視
で略水滴状の形状となりやすい。このような歪な形状の
発光層７は、輝度にムラがあり、素子の高精度化を図る
うえでの大きな障害となる。
は、マスクの開口上端縁による影ができて、図１３に示
すような均一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７を
基板１上に形成することが困難なことにある。つまり、
図１４に示すように、マスク４５の通孔８には直進方向
だけでなく斜め方向からも有機材料が飛来するが、この
とき斜め方向から通孔８内に入射する有機材料がマスク
の開口上端縁８ａに遮られると、通孔８の縁部分の基板
１上には少量の有機材料しか蒸着されず、完成された発
光層７は、中央部分が膨らみ、縁部分が漸減した断面視
で略水滴状の形状となりやすい。このような歪な形状の
発光層７は、輝度にムラがあり、素子の高精度化を図る
うえでの大きな障害となる。
【０００４】上述の問題を解決する手段として、蒸着マ
スクの板厚を薄くすることが考えられる。これによれ
ば、広い角度から飛来する有機材料を通孔内に受け入れ
ることができるため、先の図１４に示すようなマスク４
５の開口縁８ａによる影ができにくく、得られた発光層
は均一な高さ寸法を有する断面矩形状となる。しかし、
板厚を薄くすると、蒸着マスク自身の強度が不十分とな
り、自重によって撓みやすく、蒸着装置内での位置合わ
せ精度にバラツキが生じて、発光層の位置精度や再現性
に不具合が生じる。
スクの板厚を薄くすることが考えられる。これによれ
ば、広い角度から飛来する有機材料を通孔内に受け入れ
ることができるため、先の図１４に示すようなマスク４
５の開口縁８ａによる影ができにくく、得られた発光層
は均一な高さ寸法を有する断面矩形状となる。しかし、
板厚を薄くすると、蒸着マスク自身の強度が不十分とな
り、自重によって撓みやすく、蒸着装置内での位置合わ
せ精度にバラツキが生じて、発光層の位置精度や再現性
に不具合が生じる。
【０００５】また、現行における蒸着マスクの通孔の形
成方法としては、ウエットエッチングによる方法やレー
ザ−による方法などがあるが、ウエットエッチングによ
る方法では、精度良く通孔を形成することができない。
特に、蒸着マスクの板厚が厚くなると、両面エッチング
が必要となるが、この場合には、図１５に示すようにマ
スク４５の通孔８の内壁面にサイドエッチ４６・４６が
できやすく、これらサイドエッチ４６・４６が有機材料
を遮るため、発光層７が歪な形状となることは避けられ
ない。
成方法としては、ウエットエッチングによる方法やレー
ザ−による方法などがあるが、ウエットエッチングによ
る方法では、精度良く通孔を形成することができない。
特に、蒸着マスクの板厚が厚くなると、両面エッチング
が必要となるが、この場合には、図１５に示すようにマ
スク４５の通孔８の内壁面にサイドエッチ４６・４６が
できやすく、これらサイドエッチ４６・４６が有機材料
を遮るため、発光層７が歪な形状となることは避けられ
ない。
【０００６】レーザーによる場合には、形成する通孔の
数が多いと製造コストが高くつく。また、形成時に熱の
影響を受けて通孔周りに熱反応による反り、すなわちう
ねりが生じやすく、位置精度が低下するなどの問題もあ
る。
数が多いと製造コストが高くつく。また、形成時に熱の
影響を受けて通孔周りに熱反応による反り、すなわちう
ねりが生じやすく、位置精度が低下するなどの問題もあ
る。
【０００７】本発明の目的は、均一な高さ寸法を有する
発光層を高精度に再現性良く形成することができ、さら
に安価に製造可能な有機ＥＬ素子用蒸着マスクとその製
造方法を得るにある。
発光層を高精度に再現性良く形成することができ、さら
に安価に製造可能な有機ＥＬ素子用蒸着マスクとその製
造方法を得るにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１に示すご
とく電着金属からなるマスク本体５に、発光層形成用の
蒸着通孔８が上下貫通状に多数独立して設けられた有機
ＥＬ素子用の蒸着マスクを対象とする。マスク本体５
は、発光層７の蒸着対象である基板１側に位置する上段
層２と、該上段層２の下面側、すなわち気化源４からの
気化物の飛来方向に形成された下段層３とからなる。各
通孔８は、上段層２に内周面がストレート状に設けられ
た小孔部１０と、この小孔部１０に連通して該小孔部１
０よりも大きな開口寸法で下段層３側に設けられた大孔
部１１とからなる。そして、大孔部１１の左右を区画す
る互いに対向する下段層３の内周面が、気化物の飛来方
向に行くほど対向間隔の広がった外広がりのテーパー形
状をなしていることを特徴とする。下段層３の厚みは５
〜２０μｍの範囲にあることが、上段層２の厚みは１０
〜４０μｍの範囲にあることが望ましい。
とく電着金属からなるマスク本体５に、発光層形成用の
蒸着通孔８が上下貫通状に多数独立して設けられた有機
ＥＬ素子用の蒸着マスクを対象とする。マスク本体５
は、発光層７の蒸着対象である基板１側に位置する上段
層２と、該上段層２の下面側、すなわち気化源４からの
気化物の飛来方向に形成された下段層３とからなる。各
通孔８は、上段層２に内周面がストレート状に設けられ
た小孔部１０と、この小孔部１０に連通して該小孔部１
０よりも大きな開口寸法で下段層３側に設けられた大孔
部１１とからなる。そして、大孔部１１の左右を区画す
る互いに対向する下段層３の内周面が、気化物の飛来方
向に行くほど対向間隔の広がった外広がりのテーパー形
状をなしていることを特徴とする。下段層３の厚みは５
〜２０μｍの範囲にあることが、上段層２の厚みは１０
〜４０μｍの範囲にあることが望ましい。
【０００９】また、本発明は図７に示すごとく、電着金
属からなるマスク本体５に、発光層形成用の蒸着通孔８
が上下貫通状に多数独立して設けられた有機ＥＬ素子用
の蒸着マスクを対象とする。各通孔８は、発光層７（図
１参照）の蒸着対象である基板１（図１参照）側に位置
し、内周面がストレート状に設けられた小孔部１０と、
この小孔部１０に連通して、該小孔部１０よりも大きな
開口寸法で気化物の飛来方向に形成された大孔部１１と
からなる。そして、大孔部１１の左右を区画する互いに
対向する下段層３の内周面が、気化物の飛来方向に行く
ほど対向間隔の広がった外広がりのテーパー形状をなし
ていることを特徴とする。
属からなるマスク本体５に、発光層形成用の蒸着通孔８
が上下貫通状に多数独立して設けられた有機ＥＬ素子用
の蒸着マスクを対象とする。各通孔８は、発光層７（図
１参照）の蒸着対象である基板１（図１参照）側に位置
し、内周面がストレート状に設けられた小孔部１０と、
この小孔部１０に連通して、該小孔部１０よりも大きな
開口寸法で気化物の飛来方向に形成された大孔部１１と
からなる。そして、大孔部１１の左右を区画する互いに
対向する下段層３の内周面が、気化物の飛来方向に行く
ほど対向間隔の広がった外広がりのテーパー形状をなし
ていることを特徴とする。
【００１０】かかる蒸着マスクの全体は、電鋳法により
作成されたメタルマスクとすることができる。図１１お
よび図１２に示すごとく、蒸着マスクの表面全体を覆う
ようにメッキ処理を施すことができる。
作成されたメタルマスクとすることができる。図１１お
よび図１２に示すごとく、蒸着マスクの表面全体を覆う
ようにメッキ処理を施すことができる。
【００１１】図１および図２に示すような構造の有機Ｅ
Ｌ素子用蒸着マスクを製造するについて、本発明の製造
方法は、図３（Ｃ）に示すごとく母型２０の表面に、レ
ジスト体２３ａを有する一次パターンレジスト２３を設
ける第１のパターンニング工程と、図３（Ｄ）に示すご
とく母型２０上に電着金属を電鋳して、一次電着層２４
を形成する第１の電鋳工程と、図４（Ａ）に示すごとく
一次電着層２４上に、レジスト体２３ａの上端面に連続
して、該レジスト体２３ａよりも大きな幅寸法を有する
二次パターンレジスト２８を設ける第２のパターンニン
グ工程と、図４（Ｂ）に示すごとく一次電着層２４上に
電着金属を電鋳して、該一次電着層２４と一体不可分的
に二次電着層２９を形成する第２の電鋳工程と、図４
（Ｃ）に示すごとく母型２０から一次および二次電着層
２４・２９を剥離する剥離工程と、前記剥離工程に前後
して、一次および二次パターンレジスト２３・２８を除
去する工程とからなる。これによれば、レジスト体２３
ａの除去に伴い一次電着層２４側には、内周面がストレ
ート状の小孔部１０が形成され、レジスト体２８ａの除
去に伴い二次電着層２９側には、小孔部１０に連通して
かつ該小孔部１０よりも大きな開口寸法を有する大孔部
１１が形成される。そして、大孔部１１の左右を区画す
る互いに対向する二次電着層２９の内周面が、上方向に
行くほど対向間隔の広がった外広がりのテーパー形状を
なるようにしてある。パターンレジスト２３・２８は、
フォトレレジスト等を使用したリソグラフィー法その他
の任意の方法で形成でき、パターンレジスト２３・２８
の形成手段は問わない。
Ｌ素子用蒸着マスクを製造するについて、本発明の製造
方法は、図３（Ｃ）に示すごとく母型２０の表面に、レ
ジスト体２３ａを有する一次パターンレジスト２３を設
ける第１のパターンニング工程と、図３（Ｄ）に示すご
とく母型２０上に電着金属を電鋳して、一次電着層２４
を形成する第１の電鋳工程と、図４（Ａ）に示すごとく
一次電着層２４上に、レジスト体２３ａの上端面に連続
して、該レジスト体２３ａよりも大きな幅寸法を有する
二次パターンレジスト２８を設ける第２のパターンニン
グ工程と、図４（Ｂ）に示すごとく一次電着層２４上に
電着金属を電鋳して、該一次電着層２４と一体不可分的
に二次電着層２９を形成する第２の電鋳工程と、図４
（Ｃ）に示すごとく母型２０から一次および二次電着層
２４・２９を剥離する剥離工程と、前記剥離工程に前後
して、一次および二次パターンレジスト２３・２８を除
去する工程とからなる。これによれば、レジスト体２３
ａの除去に伴い一次電着層２４側には、内周面がストレ
ート状の小孔部１０が形成され、レジスト体２８ａの除
去に伴い二次電着層２９側には、小孔部１０に連通して
かつ該小孔部１０よりも大きな開口寸法を有する大孔部
１１が形成される。そして、大孔部１１の左右を区画す
る互いに対向する二次電着層２９の内周面が、上方向に
行くほど対向間隔の広がった外広がりのテーパー形状を
なるようにしてある。パターンレジスト２３・２８は、
フォトレレジスト等を使用したリソグラフィー法その他
の任意の方法で形成でき、パターンレジスト２３・２８
の形成手段は問わない。
【００１２】具体的には、前記第２のパターンニング工
程（図４（Ａ））においては、液状レジストを用いて、
前記レジスト体２３ａよりも薄肉のレジスト体２８ａを
有する二次パターンレジスト２８を形成する。また、前
記第２の電鋳工程（図４（Ｂ））においては、レジスト
体２８ａの高さを超えて電着金属を電鋳させて、該電着
金属がレジスト体２８ａの縁部に被さるようにオーバー
ハングさせる。これにより、図１及び図２に示すごと
く、レジスト体２８ａにオーバーハングしていた二次電
着層２９の部分すなわち大孔部１１の左右を区画する互
いに対向する二次電着層２９のオーバーハング部２９ａ
・２９ａは、上方向に行くほど対向間隔の広がったテー
パー状となる。レジスト体２８ａの除去に伴い、二次電
着層２９と一次電着層２４との接合部には、微細な凹入
部３５が形成される。
程（図４（Ａ））においては、液状レジストを用いて、
前記レジスト体２３ａよりも薄肉のレジスト体２８ａを
有する二次パターンレジスト２８を形成する。また、前
記第２の電鋳工程（図４（Ｂ））においては、レジスト
体２８ａの高さを超えて電着金属を電鋳させて、該電着
金属がレジスト体２８ａの縁部に被さるようにオーバー
ハングさせる。これにより、図１及び図２に示すごと
く、レジスト体２８ａにオーバーハングしていた二次電
着層２９の部分すなわち大孔部１１の左右を区画する互
いに対向する二次電着層２９のオーバーハング部２９ａ
・２９ａは、上方向に行くほど対向間隔の広がったテー
パー状となる。レジスト体２８ａの除去に伴い、二次電
着層２９と一次電着層２４との接合部には、微細な凹入
部３５が形成される。
【００１３】前記第２のパターンニング工程は、図６
（Ａ）に示すごとく一次電着層２４上にフォトレジスト
層２５を形成する工程と、図６（Ｂ）に示すごとくフォ
トレジスト層２５上に、大孔部１１に対応する透光孔を
持つパターンフィルム２６を密着させてから、透光孔に
係るフォトレジスト層２５の部分に対して紫外線による
露光を行う工程と、図６（Ｃ）に示すごとく未露光部分
にかかるフォトレジスト層２５を除去して、レジスト体
２８ａを有する二次パターンレジスト２８を形成する工
程とからなるものとする。露光・現像によりレジスト体
２８ａは母型側に行くほど左右幅寸法の小さくなる下窄
まりのテーパー形状となるようにしてある。図６（Ｄ）
に示す第２の電鋳工程において、レジスト体２８ａを除
く一次電着層２４上に電着金属を電鋳することにより、
レジスト体２８ａを挟んで対峙する二次電着層２９の左
右周縁部が、上方向に行くほど対向間隔の広がった外広
がりのテーパー形状となるので、図６（Ｅ）および図５
に示すような形態のマスクを得ることができる。
（Ａ）に示すごとく一次電着層２４上にフォトレジスト
層２５を形成する工程と、図６（Ｂ）に示すごとくフォ
トレジスト層２５上に、大孔部１１に対応する透光孔を
持つパターンフィルム２６を密着させてから、透光孔に
係るフォトレジスト層２５の部分に対して紫外線による
露光を行う工程と、図６（Ｃ）に示すごとく未露光部分
にかかるフォトレジスト層２５を除去して、レジスト体
２８ａを有する二次パターンレジスト２８を形成する工
程とからなるものとする。露光・現像によりレジスト体
２８ａは母型側に行くほど左右幅寸法の小さくなる下窄
まりのテーパー形状となるようにしてある。図６（Ｄ）
に示す第２の電鋳工程において、レジスト体２８ａを除
く一次電着層２４上に電着金属を電鋳することにより、
レジスト体２８ａを挟んで対峙する二次電着層２９の左
右周縁部が、上方向に行くほど対向間隔の広がった外広
がりのテーパー形状となるので、図６（Ｅ）および図５
に示すような形態のマスクを得ることができる。
【００１４】図７に示すような構造の有機ＥＬ素子用蒸
着マスクを製造するについて、本発明の製造方法は、図
８（Ａ）〜（Ｃ）に示すごとく母型２０の表面に、液状
レジストを用いて、薄肉のレジスト体２３ａを有する一
次パターンレジスト２３を設ける第１のパターンニング
工程と、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示すごとくレジスト体２
３ａを覆うように、該レジスト体２３ａよりも小さな幅
寸法を有するレジスト体２８ａを備える二次パターンレ
ジスト２８を設ける第２のパターンニング工程と、図９
（Ｄ）に示すごとく前記レジスト体２３ａ・２８ａを除
く母型２０上に、これらレジスト体２３・２８ａの厚み
寸法以上に電着金属を電鋳して、電着層３５を形成する
電鋳工程と、図９（Ｅ）に示すごとく母型２０から電着
層を剥離する剥離工程と、前記剥離工程に前後して、一
次および二次パターンレジスト２３・２８を除去する工
程とからなる。図９（Ｃ）に示すごとくレジスト体２８
ａの厚み方向の外周縁はストレート状であり、該レジス
ト２８ａの除去に伴い電着層３５には内周面がストレー
ト状の小孔部１０が形成される。レジスト２８ａを挟ん
で対峙する、該レジスト体２８ａを超える電着金属の部
分が、小孔部１０に連通してかつ該小孔部１０よりも大
きな開口寸法を有する大孔部１１となる。そして、図７
に示すごとく大孔部１１の左右を区画する互いに対向す
る電着層３５の内周面が、上方向に行くほど対向間隔の
広がった外広がりのテーパー形状になっていることを特
徴とする。
着マスクを製造するについて、本発明の製造方法は、図
８（Ａ）〜（Ｃ）に示すごとく母型２０の表面に、液状
レジストを用いて、薄肉のレジスト体２３ａを有する一
次パターンレジスト２３を設ける第１のパターンニング
工程と、図９（Ａ）〜（Ｃ）に示すごとくレジスト体２
３ａを覆うように、該レジスト体２３ａよりも小さな幅
寸法を有するレジスト体２８ａを備える二次パターンレ
ジスト２８を設ける第２のパターンニング工程と、図９
（Ｄ）に示すごとく前記レジスト体２３ａ・２８ａを除
く母型２０上に、これらレジスト体２３・２８ａの厚み
寸法以上に電着金属を電鋳して、電着層３５を形成する
電鋳工程と、図９（Ｅ）に示すごとく母型２０から電着
層を剥離する剥離工程と、前記剥離工程に前後して、一
次および二次パターンレジスト２３・２８を除去する工
程とからなる。図９（Ｃ）に示すごとくレジスト体２８
ａの厚み方向の外周縁はストレート状であり、該レジス
ト２８ａの除去に伴い電着層３５には内周面がストレー
ト状の小孔部１０が形成される。レジスト２８ａを挟ん
で対峙する、該レジスト体２８ａを超える電着金属の部
分が、小孔部１０に連通してかつ該小孔部１０よりも大
きな開口寸法を有する大孔部１１となる。そして、図７
に示すごとく大孔部１１の左右を区画する互いに対向す
る電着層３５の内周面が、上方向に行くほど対向間隔の
広がった外広がりのテーパー形状になっていることを特
徴とする。
【００１５】図９（Ｄ）の電鋳工程において使用される
電着金属は、ニッケル電鋳金属であることが望ましい。
また、光沢剤を含んでなるものであってもよい。
電着金属は、ニッケル電鋳金属であることが望ましい。
また、光沢剤を含んでなるものであってもよい。
【００１６】
【発明の作用効果】マスク本体５の板厚を厚くすると、
通孔８の開口上端縁による影ができて、発光層７は、図
１４に示したごとく歪な形状となる。逆にマスク本体５
の板厚を薄くすると、強度が低下してマスク本体５自身
の自重で撓みやすくなり、発光層７を高精度に再現性高
く形成することが困難となる。この点本発明に係る有機
ＥＬ素子用蒸着マスクによれば、図１および図５に示す
ごとくマスク本体５を下段層３と上段層２の２層構造と
したので、マスク本体５の全体強度が増す。また、通孔
８を下段層３側の小孔部１０と上段層２側の大孔部１１
とからなる外広がり状の断面段付き形状としたので、広
い角度で気化源４からの気化物を受け入れることが可能
となる。従って、マスク本体５の板厚を厚くした場合に
不可避の開口上端縁による影をなくして、均一な高さ寸
法を有する断面形状の発光層７を精度良く形成すること
が可能となる。
通孔８の開口上端縁による影ができて、発光層７は、図
１４に示したごとく歪な形状となる。逆にマスク本体５
の板厚を薄くすると、強度が低下してマスク本体５自身
の自重で撓みやすくなり、発光層７を高精度に再現性高
く形成することが困難となる。この点本発明に係る有機
ＥＬ素子用蒸着マスクによれば、図１および図５に示す
ごとくマスク本体５を下段層３と上段層２の２層構造と
したので、マスク本体５の全体強度が増す。また、通孔
８を下段層３側の小孔部１０と上段層２側の大孔部１１
とからなる外広がり状の断面段付き形状としたので、広
い角度で気化源４からの気化物を受け入れることが可能
となる。従って、マスク本体５の板厚を厚くした場合に
不可避の開口上端縁による影をなくして、均一な高さ寸
法を有する断面形状の発光層７を精度良く形成すること
が可能となる。
【００１７】下段層３は無光沢ニッケルの電着層と、上
端層３は光沢ニッケルの電着層とすることができる。下
段層３を無光沢ニッケルとしたのは、光沢ニッケルから
なる上端層３との密着性を図るためである。さらに光沢
ニッケルは硬度が高いので、マスク本体５の全体強度を
よく確保できる。
端層３は光沢ニッケルの電着層とすることができる。下
段層３を無光沢ニッケルとしたのは、光沢ニッケルから
なる上端層３との密着性を図るためである。さらに光沢
ニッケルは硬度が高いので、マスク本体５の全体強度を
よく確保できる。
【００１８】本発明においては、図１に示すように上段
層２の通孔８の開口上端縁２ａと下段層３の開口上端縁
３ａとを結んだ仮想線１２と、上段層２の開口上端縁２
ａから垂直方向に伸ばした仮想線１３とで規定される角
度θを１０〜６０°の範囲に設定する。角度θが１０°
未満であると、小孔部１０と大孔部１１との段差が小さ
く、通孔８が略ストレート状となるため、下段層３の開
口上端縁３ａによる影ができて発光層７が歪になる。角
度θが６０°を超えると、下段層３で補強されていない
上段層２の部分が大きくなって、マスク本体５の全体強
度が低下する。
層２の通孔８の開口上端縁２ａと下段層３の開口上端縁
３ａとを結んだ仮想線１２と、上段層２の開口上端縁２
ａから垂直方向に伸ばした仮想線１３とで規定される角
度θを１０〜６０°の範囲に設定する。角度θが１０°
未満であると、小孔部１０と大孔部１１との段差が小さ
く、通孔８が略ストレート状となるため、下段層３の開
口上端縁３ａによる影ができて発光層７が歪になる。角
度θが６０°を超えると、下段層３で補強されていない
上段層２の部分が大きくなって、マスク本体５の全体強
度が低下する。
【００１９】加えて、図１６に示すごとく、小孔部１０
だけでなく大孔部１１の内周面がストレート状である
と、先の気化物の受け入れ角度である角度θを大きくす
るためには、下段層３により裏打ちされていない上段層
２の部分、つまり図１６においてＷで示される距離が大
きくなり、マスク本体５の全体強度が低下することは避
けられない。これに対して、本実施例のごとく、大孔部
１１の左右を区画する互いに対向する下段層３の内周面
が、気化物の飛来方向、すなわち図１に示すごとく下方
向に行くほど対向間隔の広がった外広がりのテーパー形
状をなしていると、気化物の受け入れ角度θを大きく確
保しながら、下段層３により裏打ちされていない部分を
小さく抑えることができるため、マスク本体５の全体強
度が損なわれることがなく、この点でも発光層７の高精
度化、再現性の向上に寄与し得る。
だけでなく大孔部１１の内周面がストレート状である
と、先の気化物の受け入れ角度である角度θを大きくす
るためには、下段層３により裏打ちされていない上段層
２の部分、つまり図１６においてＷで示される距離が大
きくなり、マスク本体５の全体強度が低下することは避
けられない。これに対して、本実施例のごとく、大孔部
１１の左右を区画する互いに対向する下段層３の内周面
が、気化物の飛来方向、すなわち図１に示すごとく下方
向に行くほど対向間隔の広がった外広がりのテーパー形
状をなしていると、気化物の受け入れ角度θを大きく確
保しながら、下段層３により裏打ちされていない部分を
小さく抑えることができるため、マスク本体５の全体強
度が損なわれることがなく、この点でも発光層７の高精
度化、再現性の向上に寄与し得る。
【００２０】大孔部１１の周縁部の断面形状は、図１に
示すごとく弧状にカーブするものであっても、図５に示
すごとく斜め方向へ直線状に伸びるものであってもよ
く、要は、大孔部１１の左右を区画する互いに対向する
下段層３の内周面が、気化物の飛来方向に行くほど対向
間隔の広がった外広がりのテーパー形状をなしていれば
よい。
示すごとく弧状にカーブするものであっても、図５に示
すごとく斜め方向へ直線状に伸びるものであってもよ
く、要は、大孔部１１の左右を区画する互いに対向する
下段層３の内周面が、気化物の飛来方向に行くほど対向
間隔の広がった外広がりのテーパー形状をなしていれば
よい。
【００２１】本発明に係る有機ＥＬ素子用蒸着マスク
は、図２、図５に示したような上下の二つの層２・３か
らなるもののほか、図７や図１０に示すような１層構造
としてもよい。これら図７、図１０にかかる形態は、１
層構造である点を除いて先の図２や図５の形態と全く同
様であり、従ってこれらと同様の作用効果を得ることが
できる。加えて、１層構造とすることによるマスク本体
５の全体強度の向上も期待できる。なお、これらの場合
においても、大孔部１１の周縁部の断面形状が、弧状に
カーブするものか（図７）、斜め方向へ直線状に伸びる
ものであるか（図１０）を問わない。
は、図２、図５に示したような上下の二つの層２・３か
らなるもののほか、図７や図１０に示すような１層構造
としてもよい。これら図７、図１０にかかる形態は、１
層構造である点を除いて先の図２や図５の形態と全く同
様であり、従ってこれらと同様の作用効果を得ることが
できる。加えて、１層構造とすることによるマスク本体
５の全体強度の向上も期待できる。なお、これらの場合
においても、大孔部１１の周縁部の断面形状が、弧状に
カーブするものか（図７）、斜め方向へ直線状に伸びる
ものであるか（図１０）を問わない。
【００２２】図１１および図１２に示すごとく、メッキ
処理により、蒸着マスクの表面全体を覆うように金属薄
膜４０を形成してあると、上段層２と下段層３とを強固
に密着させることができるため、マスク本体５はより撓
みにくい形態となり、従って、発光層７の位置精度や再
現性に優れた蒸着マスクが得られる利点がある。
処理により、蒸着マスクの表面全体を覆うように金属薄
膜４０を形成してあると、上段層２と下段層３とを強固
に密着させることができるため、マスク本体５はより撓
みにくい形態となり、従って、発光層７の位置精度や再
現性に優れた蒸着マスクが得られる利点がある。
【００２３】また、蒸着マスク５の開口エッジ５ａに角
があると、蒸着作業後の基板１に対する蒸着マスク５の
離版時に、基板１上に蒸着された発光層７の周縁が当該
開口エッジ５ａでこそぎ取られて、欠けが生じる不具合
が生じやすいが、この点、開口エッジ部５ａを金属薄膜
４０で覆うとともに、その部分の角をなくして滑らかな
Ｒ状としてあると、かかる発光層７の欠けを効果的に防
いで、均一な形状を有する発光層７を高精度に再現性良
く形成できる利点がある。
があると、蒸着作業後の基板１に対する蒸着マスク５の
離版時に、基板１上に蒸着された発光層７の周縁が当該
開口エッジ５ａでこそぎ取られて、欠けが生じる不具合
が生じやすいが、この点、開口エッジ部５ａを金属薄膜
４０で覆うとともに、その部分の角をなくして滑らかな
Ｒ状としてあると、かかる発光層７の欠けを効果的に防
いで、均一な形状を有する発光層７を高精度に再現性良
く形成できる利点がある。
【００２４】本発明に係る有機ＥＬ素子用蒸着マスクの
製造方法によれば、電鋳方法により一次電着層２４すな
わち上段層２と、二次電着層２９すなわち下段層３とを
形成したので、通孔８をエッチング加工する形式に比べ
て、高精度にしかも生産性を確保してつくれる利点を有
する。レーザー加工する形式に比べて、製造コストが安
価であることや、熱反応によるうねりが一切生じず、高
精度につくれる点でも有利である。
製造方法によれば、電鋳方法により一次電着層２４すな
わち上段層２と、二次電着層２９すなわち下段層３とを
形成したので、通孔８をエッチング加工する形式に比べ
て、高精度にしかも生産性を確保してつくれる利点を有
する。レーザー加工する形式に比べて、製造コストが安
価であることや、熱反応によるうねりが一切生じず、高
精度につくれる点でも有利である。
【００２５】
【発明の実施の形態】（第１実施例） 本発明の第１実
施例に係る有機ＥＬ素子用蒸着マスクは、図１に示すご
とく基板１側に設けられた上段層２と、この上段層２の
下面側、すなわち気化源４からの気化物の飛来方向に形
成された下段層３とからなる２層構造をなしている。こ
れら上段層２と下段層３とからなるマスク本体５には、
発光層７形成用の蒸着通孔８が上下貫通状に多数独立し
て設けられている。ここで示されるマスクは、赤色発光
層７Ｒ形成用のマスクである。上・下段層３・３は、ニ
ッケルやニッケルコバルト等のニッケル合金、その他電
鋳金属を素材として、電鋳方法により形成されている。
上・下段層３・３の厚みは、好ましくは上段層２が５〜
２０μｍ、下段層３が１０〜４０μｍの範囲とする。
施例に係る有機ＥＬ素子用蒸着マスクは、図１に示すご
とく基板１側に設けられた上段層２と、この上段層２の
下面側、すなわち気化源４からの気化物の飛来方向に形
成された下段層３とからなる２層構造をなしている。こ
れら上段層２と下段層３とからなるマスク本体５には、
発光層７形成用の蒸着通孔８が上下貫通状に多数独立し
て設けられている。ここで示されるマスクは、赤色発光
層７Ｒ形成用のマスクである。上・下段層３・３は、ニ
ッケルやニッケルコバルト等のニッケル合金、その他電
鋳金属を素材として、電鋳方法により形成されている。
上・下段層３・３の厚みは、好ましくは上段層２が５〜
２０μｍ、下段層３が１０〜４０μｍの範囲とする。
【００２６】各通孔８は、例えば四角形ないし六角形
で、上段層２に内周面がストレート状に設けられた小孔
部１０と、この小孔部１０に連通して該小孔部１０より
も大きな開口寸法で下段層３側に設けられた大孔部１１
とからなる。これにより各通孔８は気化源４からの気化
物の飛来方向に外広がり状に形成された断面段付き形状
となる。大孔部１１の左右を区画する互いに対向する下
段層３の内周面は、気化源４からの気化物の飛来方向、
すなわち下方向に行くほど対向間隔の広がった外広がり
のテーパー状をなしている。
で、上段層２に内周面がストレート状に設けられた小孔
部１０と、この小孔部１０に連通して該小孔部１０より
も大きな開口寸法で下段層３側に設けられた大孔部１１
とからなる。これにより各通孔８は気化源４からの気化
物の飛来方向に外広がり状に形成された断面段付き形状
となる。大孔部１１の左右を区画する互いに対向する下
段層３の内周面は、気化源４からの気化物の飛来方向、
すなわち下方向に行くほど対向間隔の広がった外広がり
のテーパー状をなしている。
【００２７】下段層３の開口下端縁３ａと上段層２の開
口上端縁２ａとを結んだ仮想線１２と、上段層２の開口
上端縁２ａから垂直方向に伸ばした仮想線１３とで規定
される角度θが、気化源４からの気化物の通孔８への入
射角度となる。本発明では、かかる入射角度θを１０〜
６０°の範囲とする。入射角度θが１０°以下である
と、通孔８の開口上端縁３ａの影ができて、発光層７は
図１４に示したごとく歪な形状となりやすい。入射角度
が６０°を超えると上段層２に対する下段層３の裏付け
面積が小さくなるため、マスクそれ自身の強度が低下
し、蒸着装置内でのマスクの位置合わせ精度にバラツキ
が生じて、再現性高く発光層７を形成することが困難と
なる。
口上端縁２ａとを結んだ仮想線１２と、上段層２の開口
上端縁２ａから垂直方向に伸ばした仮想線１３とで規定
される角度θが、気化源４からの気化物の通孔８への入
射角度となる。本発明では、かかる入射角度θを１０〜
６０°の範囲とする。入射角度θが１０°以下である
と、通孔８の開口上端縁３ａの影ができて、発光層７は
図１４に示したごとく歪な形状となりやすい。入射角度
が６０°を超えると上段層２に対する下段層３の裏付け
面積が小さくなるため、マスクそれ自身の強度が低下
し、蒸着装置内でのマスクの位置合わせ精度にバラツキ
が生じて、再現性高く発光層７を形成することが困難と
なる。
【００２８】赤色発光層７ＲのＥＬ材料としてはＤＣＭ
が、青色発光層７ＢのＥＬ材料としてはジスチリルビフ
ェニル誘導体が、緑色発光層７ＧのＥＬ材料としてはア
ルミキノリール錯体等の有機ＥＬ発光材料が用いられ
る。なお、基板１と発光層７との間には、透明電極やバ
ッファ層などが形成されているが、ここでは図示を省略
する。
が、青色発光層７ＢのＥＬ材料としてはジスチリルビフ
ェニル誘導体が、緑色発光層７ＧのＥＬ材料としてはア
ルミキノリール錯体等の有機ＥＬ発光材料が用いられ
る。なお、基板１と発光層７との間には、透明電極やバ
ッファ層などが形成されているが、ここでは図示を省略
する。
【００２９】図３および図４は本実施例に係る有機ＥＬ
素子用蒸着マスクの製造方法を示す。まず、図３（Ａ）
に示すごとく、導電性を有する真ちゅう鋼製の母型２０
の表面に、フォトレジスト層２１を形成する。このフォ
トレジスト層２１は、ネガタイプの感光性ドライフィル
ムレジストを一枚ないし数枚ラミネートして熱圧着によ
り形成した。
素子用蒸着マスクの製造方法を示す。まず、図３（Ａ）
に示すごとく、導電性を有する真ちゅう鋼製の母型２０
の表面に、フォトレジスト層２１を形成する。このフォ
トレジスト層２１は、ネガタイプの感光性ドライフィル
ムレジストを一枚ないし数枚ラミネートして熱圧着によ
り形成した。
【００３０】次いで、図３（Ｂ）に示すごとくフォトレ
ジスト層２１の上に、前記小孔部１０に対応する透光孔
２２ａを持つパターンフィルム２２（ガラスマスク）を
密着させたのち、紫外線ランプで紫外線光を照射して露
光を行い、現像・乾燥の各処理を行って、未露光部分を
溶解除去することにより、図３（Ｃ）に示すごとく、前
記小孔部１０に対応するストレート状のレジスト体２３
ａを有する一次パターンレジスト２３を母型２０上に形
成した。
ジスト層２１の上に、前記小孔部１０に対応する透光孔
２２ａを持つパターンフィルム２２（ガラスマスク）を
密着させたのち、紫外線ランプで紫外線光を照射して露
光を行い、現像・乾燥の各処理を行って、未露光部分を
溶解除去することにより、図３（Ｃ）に示すごとく、前
記小孔部１０に対応するストレート状のレジスト体２３
ａを有する一次パターンレジスト２３を母型２０上に形
成した。
【００３１】続いて、図３（Ｄ）に示すごとく先のレジ
スト体２３ａの高さの範囲内で、母型２０のレジスト体
２３ａで覆われていない表面に無光沢ニッケルを好まし
くは５〜２０μｍ厚の範囲で、本実施例では１５μｍ厚
で一次電鋳して、一次電着層２４すなわち上段層２とな
る層を形成した。
スト体２３ａの高さの範囲内で、母型２０のレジスト体
２３ａで覆われていない表面に無光沢ニッケルを好まし
くは５〜２０μｍ厚の範囲で、本実施例では１５μｍ厚
で一次電鋳して、一次電着層２４すなわち上段層２とな
る層を形成した。
【００３２】次に、図４（Ａ）に示すごとく、感光性の
液状レジスト等を用いて、レジスト体２８ａを有する二
次パターンレジスト２８を一次電着層２４上に薄く形成
した。ここでは、１〜５μｍ厚の範囲となるように、レ
ジスト体２８ａを薄肉に形成した。レジスト体２８ａ
は、これに対応するレジスト体２３ａよりも大きな幅寸
法を有するように形成してあり、対応する両レジスト体
２３ａ・２８ａは、同心状のごとく、これらの中心が合
致するようにしてある。
液状レジスト等を用いて、レジスト体２８ａを有する二
次パターンレジスト２８を一次電着層２４上に薄く形成
した。ここでは、１〜５μｍ厚の範囲となるように、レ
ジスト体２８ａを薄肉に形成した。レジスト体２８ａ
は、これに対応するレジスト体２３ａよりも大きな幅寸
法を有するように形成してあり、対応する両レジスト体
２３ａ・２８ａは、同心状のごとく、これらの中心が合
致するようにしてある。
【００３３】次に、図４（Ｂ）に示すごとく一次電着層
２４の二次パターンレジスト２８で覆われていない表面
に光沢ニッケルの電着金属を電鋳して、二次電着層２
９、すなわち下段層３を形成した。ここでは、レジスト
体２８ａの高さを超えて電着金属を電鋳させて、下段層
３がレジスト体２８ａの縁部に被さるようにオーバーハ
ングさせた。具体的には、１０〜４０μｍ厚の範囲で、
本実施例では２０μｍ厚で電鋳して、下段層３を形成し
た。上段層２の上面が不均一となっている場合には、こ
れを研磨処理して、その表面を滑らかにした。
２４の二次パターンレジスト２８で覆われていない表面
に光沢ニッケルの電着金属を電鋳して、二次電着層２
９、すなわち下段層３を形成した。ここでは、レジスト
体２８ａの高さを超えて電着金属を電鋳させて、下段層
３がレジスト体２８ａの縁部に被さるようにオーバーハ
ングさせた。具体的には、１０〜４０μｍ厚の範囲で、
本実施例では２０μｍ厚で電鋳して、下段層３を形成し
た。上段層２の上面が不均一となっている場合には、こ
れを研磨処理して、その表面を滑らかにした。
【００３４】最後に、一次および二次パターンレジスト
２３・２８を溶解除去して、母型２０から一次および二
次電着層２４・２９を剥離することにより、図２および
図４（Ｃ）に示すごとく断面段付き状の通孔８を多数有
する有機ＥＬ素子用蒸着マスクを得た。二次パターンレ
ジスト２８を溶解除去することにより、二次電着層２９
と一次電着層２４との接合部分には、微細な凹入部３０
が形成される。
２３・２８を溶解除去して、母型２０から一次および二
次電着層２４・２９を剥離することにより、図２および
図４（Ｃ）に示すごとく断面段付き状の通孔８を多数有
する有機ＥＬ素子用蒸着マスクを得た。二次パターンレ
ジスト２８を溶解除去することにより、二次電着層２９
と一次電着層２４との接合部分には、微細な凹入部３０
が形成される。
【００３５】以上のように本実施例に係る有機ＥＬ素子
用蒸着マスクでは、マスク本体５を上段層２と下段層３
との２層構造としたので、マスク本体５の全体強度が増
す。また、通孔８を上段層２側の小孔部１０と下段層３
側の大孔部１１とからなる外広がり状の断面段付き形状
としたので、広い角度で気化源４からの気化物を受け入
れることができる。従って、マスク本体５の板厚を厚く
した場合に不可避の開口上端縁による影をなくして、均
一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７を精度良く形
成することができる。
用蒸着マスクでは、マスク本体５を上段層２と下段層３
との２層構造としたので、マスク本体５の全体強度が増
す。また、通孔８を上段層２側の小孔部１０と下段層３
側の大孔部１１とからなる外広がり状の断面段付き形状
としたので、広い角度で気化源４からの気化物を受け入
れることができる。従って、マスク本体５の板厚を厚く
した場合に不可避の開口上端縁による影をなくして、均
一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７を精度良く形
成することができる。
【００３６】電鋳方法により一次電着層２４すなわち上
段層２と、二次電着層２９すなわち下段層３とを形成し
たので、通孔８をエッチング加工する形式に比べて、高
精度にしかも生産性を確保してつくれる利点を有する。
レーザー加工する形式に比べて、製造コストが安価であ
ることや、熱反応によるうねりが一切生じず、高精度に
つくれる点でも有利である。
段層２と、二次電着層２９すなわち下段層３とを形成し
たので、通孔８をエッチング加工する形式に比べて、高
精度にしかも生産性を確保してつくれる利点を有する。
レーザー加工する形式に比べて、製造コストが安価であ
ることや、熱反応によるうねりが一切生じず、高精度に
つくれる点でも有利である。
【００３７】図１６に示すごとく、下段層３側の大孔部
１１の内周面がストレート状であると、先の気化物の受
け入れ角度である角度θを大きくするためには、下段層
３により裏打ちされていない上段層２の部分、つまり図
１６においてＷで示される距離が大きくなり、マスク本
体５の全体強度が低下することは避けられない。これに
対して、本実施例のごとく、大孔部１１の左右を区画す
る互いに対向する下段層３の内周面が、気化物の飛来方
向、すなわち図１に示すごとく下方向に行くほど対向間
隔の広がった外広がりのテーパー形状をなしていると、
気化物の受け入れ角度θを大きく確保しながら、下段層
３により裏打ちされていない部分を小さく抑えることが
できるため、マスク本体５の全体強度が損なわれること
がなく、従って、均一な形状を有する発光層７を、高精
度に再現性良く形成できる利点がある。
１１の内周面がストレート状であると、先の気化物の受
け入れ角度である角度θを大きくするためには、下段層
３により裏打ちされていない上段層２の部分、つまり図
１６においてＷで示される距離が大きくなり、マスク本
体５の全体強度が低下することは避けられない。これに
対して、本実施例のごとく、大孔部１１の左右を区画す
る互いに対向する下段層３の内周面が、気化物の飛来方
向、すなわち図１に示すごとく下方向に行くほど対向間
隔の広がった外広がりのテーパー形状をなしていると、
気化物の受け入れ角度θを大きく確保しながら、下段層
３により裏打ちされていない部分を小さく抑えることが
できるため、マスク本体５の全体強度が損なわれること
がなく、従って、均一な形状を有する発光層７を、高精
度に再現性良く形成できる利点がある。
【００３８】上記実施形態においては、レジスト体２３
ａの高さに至るまで無光沢ニッケルを一次電着し（図３
（Ｄ））していたが、電鋳工程における電着金属の高さ
位置は、レジスト体２３ａの高さ以下であっても、また
それ以上であってもよい。レジスト体２３ａを超えて電
着金属が電着されて何らかの不都合がある場合には、研
磨処理により、その表面を削って滑らかにすればよい。
ａの高さに至るまで無光沢ニッケルを一次電着し（図３
（Ｄ））していたが、電鋳工程における電着金属の高さ
位置は、レジスト体２３ａの高さ以下であっても、また
それ以上であってもよい。レジスト体２３ａを超えて電
着金属が電着されて何らかの不都合がある場合には、研
磨処理により、その表面を削って滑らかにすればよい。
【００３９】（第２実施例） 本発明の第２実施例に係
る有機ＥＬ素子用蒸着マスクの製造方法を図３および図
６を使って説明する。まず、図３（Ａ）に示すごとく、
導電性を有する真ちゅう鋼製の母型２０の表面に、フォ
トレジスト層２１を形成した。次に、図３（Ｂ）に示す
ごとく、フォトレジスト層２１の上に、前記小孔部１０
に対応する透光孔２２ａを持つパターンフィルム２２
（ガラスマスク）を密着させたのち、紫外線ランプで紫
外線光を照射して露光を行い、現像・乾燥の各処理を行
って、未露光部分を溶解除去することにより、図３
（Ｃ）に示すごとく、前記小孔部１０に対応するストレ
ート状のレジスト体２３ａを有する一次パターンレジス
ト２３を母型２０上に形成した。続いて、図３（Ｄ）に
示すごとく先のレジスト体２３ａの高さの範囲内で、母
型２０のレジスト体２３ａで覆われていない表面に無光
沢ニッケルを好ましくは５〜２０μｍ厚の範囲で、本実
施例では１５μｍ厚で一次電鋳して、一次電着層２４す
なわち上段層２となる層を形成した。以上の工程は第１
実施例と全く同様である。
る有機ＥＬ素子用蒸着マスクの製造方法を図３および図
６を使って説明する。まず、図３（Ａ）に示すごとく、
導電性を有する真ちゅう鋼製の母型２０の表面に、フォ
トレジスト層２１を形成した。次に、図３（Ｂ）に示す
ごとく、フォトレジスト層２１の上に、前記小孔部１０
に対応する透光孔２２ａを持つパターンフィルム２２
（ガラスマスク）を密着させたのち、紫外線ランプで紫
外線光を照射して露光を行い、現像・乾燥の各処理を行
って、未露光部分を溶解除去することにより、図３
（Ｃ）に示すごとく、前記小孔部１０に対応するストレ
ート状のレジスト体２３ａを有する一次パターンレジス
ト２３を母型２０上に形成した。続いて、図３（Ｄ）に
示すごとく先のレジスト体２３ａの高さの範囲内で、母
型２０のレジスト体２３ａで覆われていない表面に無光
沢ニッケルを好ましくは５〜２０μｍ厚の範囲で、本実
施例では１５μｍ厚で一次電鋳して、一次電着層２４す
なわち上段層２となる層を形成した。以上の工程は第１
実施例と全く同様である。
【００４０】次に、図６（Ａ）に示すごとく、この一次
電着層２４上に、先の図３（Ａ）と同じ要領でフォトレ
ジスト層２５を形成し（図６（Ａ））、次いで図６
（Ｂ）に示すごとくフォトレジスト層２５の上に、位置
的に前記レジスト体２３ａに対応するが面積的には該レ
ジスト体２３ａよりも大きい透光孔２６ａを有するパタ
ーンフィルム２６を密着させたのち、紫外線ランプで紫
外線光を照射して露光を行い、現像・乾燥の各処理を行
って、未露光部分を溶解除去することにより、図６
（Ｃ）に示すごとく前記大孔部１１に対応するレジスト
体２８ａを有する二次パターンレジスト２８を一次電着
層２４上に形成した。
電着層２４上に、先の図３（Ａ）と同じ要領でフォトレ
ジスト層２５を形成し（図６（Ａ））、次いで図６
（Ｂ）に示すごとくフォトレジスト層２５の上に、位置
的に前記レジスト体２３ａに対応するが面積的には該レ
ジスト体２３ａよりも大きい透光孔２６ａを有するパタ
ーンフィルム２６を密着させたのち、紫外線ランプで紫
外線光を照射して露光を行い、現像・乾燥の各処理を行
って、未露光部分を溶解除去することにより、図６
（Ｃ）に示すごとく前記大孔部１１に対応するレジスト
体２８ａを有する二次パターンレジスト２８を一次電着
層２４上に形成した。
【００４１】ここではフォトレジスト層２５を構成する
レジストとして、紫外線透過率の低いものを採用してお
り、これにより露光後に得られたレジスト体２８ａは、
図６（Ｃ）に示すごとく母型２０側すなわち下側に行く
ほど左右幅寸法の小さくなる下窄まりのテーパー形状と
なる。繰り返すが、ここではフォトレジスト層２５を構
成するレジストとして、紫外線の透過量が母型２０側に
行くに従って減衰するほど紫外線透過率が低いものを積
極的に採用している点に着目すべきである。
レジストとして、紫外線透過率の低いものを採用してお
り、これにより露光後に得られたレジスト体２８ａは、
図６（Ｃ）に示すごとく母型２０側すなわち下側に行く
ほど左右幅寸法の小さくなる下窄まりのテーパー形状と
なる。繰り返すが、ここではフォトレジスト層２５を構
成するレジストとして、紫外線の透過量が母型２０側に
行くに従って減衰するほど紫外線透過率が低いものを積
極的に採用している点に着目すべきである。
【００４２】両レジスト体２３ａ・２８ａは連続状につ
ながっている。レジスト体２８ａは、これに対応するレ
ジスト体２３ａよりも予め大きな幅寸法を有するように
形成してあり、対応する両レジスト体２３ａ・２８ａ
は、同心状のごとく、これらの中心が合致するようにし
てある。
ながっている。レジスト体２８ａは、これに対応するレ
ジスト体２３ａよりも予め大きな幅寸法を有するように
形成してあり、対応する両レジスト体２３ａ・２８ａ
は、同心状のごとく、これらの中心が合致するようにし
てある。
【００４３】次に、図６（Ｄ）に示すごとく一次電着層
２４の二次パターンレジスト２８で覆われていない表面
に光沢ニッケルの電着金属を好ましくは１０〜４０μｍ
厚の範囲で、本実施例では２０μｍ厚で電鋳して、二次
電着層２９、すなわち下段層３を形成した。かくして、
一次電着層２４上に二次電着層２９が一体不可分的に形
成されたマスク本体５を得た。かかる図６（Ｄ）に示す
電鋳工程においては、先の下窄まりのテーパー形状のレ
ジスト体２８ａを除く一次電着層２４上に電着金属を電
鋳しており、これにて、該レジスト体２８ａを挟んで対
峙する二次電着層２９の左右周縁部は、上方向に行くほ
ど対向間隔の広がった外広がりのテーパー形状に形成さ
れる。
２４の二次パターンレジスト２８で覆われていない表面
に光沢ニッケルの電着金属を好ましくは１０〜４０μｍ
厚の範囲で、本実施例では２０μｍ厚で電鋳して、二次
電着層２９、すなわち下段層３を形成した。かくして、
一次電着層２４上に二次電着層２９が一体不可分的に形
成されたマスク本体５を得た。かかる図６（Ｄ）に示す
電鋳工程においては、先の下窄まりのテーパー形状のレ
ジスト体２８ａを除く一次電着層２４上に電着金属を電
鋳しており、これにて、該レジスト体２８ａを挟んで対
峙する二次電着層２９の左右周縁部は、上方向に行くほ
ど対向間隔の広がった外広がりのテーパー形状に形成さ
れる。
【００４４】最後に、一次および二次パターンレジスト
２３・２８を溶解除去して、図６（Ｅ）に示すごとく母
型２０から一次および二次電着層２４・２９を剥離する
ことにより、断面段付き状の通孔８を多数有する有機Ｅ
Ｌ素子用蒸着マスクを得た。
２３・２８を溶解除去して、図６（Ｅ）に示すごとく母
型２０から一次および二次電着層２４・２９を剥離する
ことにより、断面段付き状の通孔８を多数有する有機Ｅ
Ｌ素子用蒸着マスクを得た。
【００４５】以上のように本実施例に係る有機ＥＬ素子
用蒸着マスクでは、マスク本体５を上段層２と下段層３
の２層構造としたので、マスク本体５の全体強度が増
す。また、通孔８を上段層２側の小孔部１０と下段層３
側の大孔部１１とからなる外広がり状の断面段付き形状
としたので、広い角度で気化源４からの気化物を受け入
れることができる。従って、マスク本体５の板厚を厚く
した場合に不可避の開口上端縁による影をなくして、均
一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７を精度良く形
成することができる。
用蒸着マスクでは、マスク本体５を上段層２と下段層３
の２層構造としたので、マスク本体５の全体強度が増
す。また、通孔８を上段層２側の小孔部１０と下段層３
側の大孔部１１とからなる外広がり状の断面段付き形状
としたので、広い角度で気化源４からの気化物を受け入
れることができる。従って、マスク本体５の板厚を厚く
した場合に不可避の開口上端縁による影をなくして、均
一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７を精度良く形
成することができる。
【００４６】電鋳方法により一次電着層２４すなわち下
段層３と、二次電着層２９すなわち上段層２とを形成し
たので、通孔８をエッチング加工する形式に比べて、高
精度にしかも生産性を確保してつくれる利点を有する。
レーザー加工する形式に比べて、製造コストが安価であ
ることや、熱反応によるうねりが一切生じず、高精度に
つくれる点でも有利である。
段層３と、二次電着層２９すなわち上段層２とを形成し
たので、通孔８をエッチング加工する形式に比べて、高
精度にしかも生産性を確保してつくれる利点を有する。
レーザー加工する形式に比べて、製造コストが安価であ
ることや、熱反応によるうねりが一切生じず、高精度に
つくれる点でも有利である。
【００４７】加えて、図１６に示すごとく、上段層２側
の小孔部１０だけでなく下段層３側の大孔部１１も、内
周面をストレート状にした場合には、先の気化物の受け
入れ角度である角度θを大きくするためには、下段層３
により裏打ちされていない上段層２の部分、つまり図１
６においてＷで示される距離が大きくなることは避けら
れず、その結果マスク本体５の全体強度は低下する。つ
まり、下段層３による裏打ち面積が小さくなり、マスク
本体５の全体強度は低下する。これに対して、本実施例
のごとく、大孔部１１の左右を区画する互いに対向する
下段層３の内周面が、気化物の飛来方向、すなわち図５
に示すごとく上方向に行くほど対向間隔の広がった外広
がりのテーパー形状をなしていると、気化物の受け入れ
角度θを大きく確保しながら、下段層３により裏打ちさ
れていない部分、すなわち距離Ｗを小さく抑えることが
できるため、マスク本体５の全体強度が損なわれるおそ
れが少なく、従って、均一な形状を有する発光層７を、
高精度に再現性良く形成できる利点がある。
の小孔部１０だけでなく下段層３側の大孔部１１も、内
周面をストレート状にした場合には、先の気化物の受け
入れ角度である角度θを大きくするためには、下段層３
により裏打ちされていない上段層２の部分、つまり図１
６においてＷで示される距離が大きくなることは避けら
れず、その結果マスク本体５の全体強度は低下する。つ
まり、下段層３による裏打ち面積が小さくなり、マスク
本体５の全体強度は低下する。これに対して、本実施例
のごとく、大孔部１１の左右を区画する互いに対向する
下段層３の内周面が、気化物の飛来方向、すなわち図５
に示すごとく上方向に行くほど対向間隔の広がった外広
がりのテーパー形状をなしていると、気化物の受け入れ
角度θを大きく確保しながら、下段層３により裏打ちさ
れていない部分、すなわち距離Ｗを小さく抑えることが
できるため、マスク本体５の全体強度が損なわれるおそ
れが少なく、従って、均一な形状を有する発光層７を、
高精度に再現性良く形成できる利点がある。
【００４８】（第３実施例） 本発明の第３実施例に係
る有機ＥＬ素子用蒸着マスクの製造方法を図８および図
９を使って説明する。まず、図８（Ａ）に示すごとく、
導電性を有する例えばステンレス鋼製の母型２０の表面
に、感光性の液状レジスト等を用いて、フォトレジスト
層２１を薄く形成する。ここではフォトレジスト層２１
の厚みは、３〜５μｍとする。
る有機ＥＬ素子用蒸着マスクの製造方法を図８および図
９を使って説明する。まず、図８（Ａ）に示すごとく、
導電性を有する例えばステンレス鋼製の母型２０の表面
に、感光性の液状レジスト等を用いて、フォトレジスト
層２１を薄く形成する。ここではフォトレジスト層２１
の厚みは、３〜５μｍとする。
【００４９】図８（Ｂ）に示すごとくフォトレジスト層
２１の上に、前記小孔部１０に対応する透光孔２２ａを
持つパターンフィルム２２（ガラスマスク）を密着させ
たのち、紫外線ランプで紫外線光を照射して露光を行
い、現像・乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除
去することにより、図８（Ｃ）に示すごとく、前記小孔
部１０に対応するストレート状のレジスト体２３ａを有
する一次パターンレジスト２３を母型２０上に形成し
た。
２１の上に、前記小孔部１０に対応する透光孔２２ａを
持つパターンフィルム２２（ガラスマスク）を密着させ
たのち、紫外線ランプで紫外線光を照射して露光を行
い、現像・乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除
去することにより、図８（Ｃ）に示すごとく、前記小孔
部１０に対応するストレート状のレジスト体２３ａを有
する一次パターンレジスト２３を母型２０上に形成し
た。
【００５０】続いて、図９（Ａ）に示すごとくレジスト
体２３ａの全体を覆うように、８〜１５μｍ、ここでは
１０μｍの厚み寸法を有するフォトレジスト層２５を形
成し、次いで、図９（Ｂ）に示すごとくフォトレジスト
層２５の上に、位置的に前記レジスト体２３ａに対応す
るが、面積的には該レジスト体２３ａよりも小さい透光
孔２６ａを有するパターンフィルム２６を密着させたの
ち、紫外線ランプで紫外線光を照射して露光を行い、現
像・乾燥の各処理を行って、未露光部分を除去した。以
上より図９（Ｃ）に示すごとく、レジスト体２３ａより
も厚肉で、且つ該レジスト体２３ａよりも小さな幅寸法
を有する、ストレート状のレジスト体２８ａを備える二
次パターンレジスト２８を、レジスト体２３ａ上に形成
した。
体２３ａの全体を覆うように、８〜１５μｍ、ここでは
１０μｍの厚み寸法を有するフォトレジスト層２５を形
成し、次いで、図９（Ｂ）に示すごとくフォトレジスト
層２５の上に、位置的に前記レジスト体２３ａに対応す
るが、面積的には該レジスト体２３ａよりも小さい透光
孔２６ａを有するパターンフィルム２６を密着させたの
ち、紫外線ランプで紫外線光を照射して露光を行い、現
像・乾燥の各処理を行って、未露光部分を除去した。以
上より図９（Ｃ）に示すごとく、レジスト体２３ａより
も厚肉で、且つ該レジスト体２３ａよりも小さな幅寸法
を有する、ストレート状のレジスト体２８ａを備える二
次パターンレジスト２８を、レジスト体２３ａ上に形成
した。
【００５１】両レジスト体２３ａ・２８ａは連続状につ
ながっている。レジスト体２８ａは、これに対応するレ
ジスト体２３ａよりも小さな幅寸法を有するように形成
してあり、対応する両レジスト体２３ａ・２８ａは、同
心状のごとく、これらの中心が一致するようにしてあ
る。
ながっている。レジスト体２８ａは、これに対応するレ
ジスト体２３ａよりも小さな幅寸法を有するように形成
してあり、対応する両レジスト体２３ａ・２８ａは、同
心状のごとく、これらの中心が一致するようにしてあ
る。
【００５２】次に、図９（Ｄ）に示すごとく母型２０上
のレジスト体２３ａ・２８ａで覆われていない表面に光
沢ニッケルの電着金属を電鋳させた。ここではレジスト
体２８ａの高さを超えて電鋳させた。具体的には、３０
〜６０μｍ厚の範囲で、本実施例では４０μｍ厚で電鋳
して電着層３５を形成した。図９（Ｄ）に示すごとく各
電着層３５は、上方向に行くに従って漸次幅が狭くなる
先窄まりのテーパー状を呈しており、その周縁部は弧状
にカーブしている。電着層３５の上面が不均一となって
いる場合には、これを研磨処理して、その表面を滑らか
にした。
のレジスト体２３ａ・２８ａで覆われていない表面に光
沢ニッケルの電着金属を電鋳させた。ここではレジスト
体２８ａの高さを超えて電鋳させた。具体的には、３０
〜６０μｍ厚の範囲で、本実施例では４０μｍ厚で電鋳
して電着層３５を形成した。図９（Ｄ）に示すごとく各
電着層３５は、上方向に行くに従って漸次幅が狭くなる
先窄まりのテーパー状を呈しており、その周縁部は弧状
にカーブしている。電着層３５の上面が不均一となって
いる場合には、これを研磨処理して、その表面を滑らか
にした。
【００５３】最後に、一次および二次パターンレジスト
２３・２８を溶解除去して、母型２０から電着層３５を
剥離することにより、図９（Ｅ）および図７に示すごと
く、通孔８を多数有する有機ＥＬ素子用蒸着マスクを得
た。レジスト体２３ａの除去に伴い、電着層３５には内
周面がストレート状の小孔部１０が形成される。
２３・２８を溶解除去して、母型２０から電着層３５を
剥離することにより、図９（Ｅ）および図７に示すごと
く、通孔８を多数有する有機ＥＬ素子用蒸着マスクを得
た。レジスト体２３ａの除去に伴い、電着層３５には内
周面がストレート状の小孔部１０が形成される。
【００５４】以上のようにして得られた有機ＥＬ素子用
蒸着マスクは、電着層３５のみの１層構造をなしてい
る。電着層３５の下方側、すなわち基板１（図１参照）
にはストレート状の小孔部１０が、上方側には、小孔部
１０よりも大きな開口寸法を有する大孔部１１が形成さ
れ、マスク本体５には、発光層（図１参照）形成用の蒸
着通孔８が上下貫通状に多数独立して設けられる。レジ
スト体２８ａを超える電着層３５の部分は、上方向に行
くほど対向間隔の広がったテーパー状をなしており、か
くして大孔部１１は外広がり状となる。もっとも、レジ
スト体２８ａを超える電着層３５の部分の対向間隔は、
小孔部１０の左右幅寸法よりも大きなものとなっている
ことは言うまでもない。一次パターンレジスト２３を溶
解除去することにより、電着層３５の下面には、微細な
凹みが形成される。
蒸着マスクは、電着層３５のみの１層構造をなしてい
る。電着層３５の下方側、すなわち基板１（図１参照）
にはストレート状の小孔部１０が、上方側には、小孔部
１０よりも大きな開口寸法を有する大孔部１１が形成さ
れ、マスク本体５には、発光層（図１参照）形成用の蒸
着通孔８が上下貫通状に多数独立して設けられる。レジ
スト体２８ａを超える電着層３５の部分は、上方向に行
くほど対向間隔の広がったテーパー状をなしており、か
くして大孔部１１は外広がり状となる。もっとも、レジ
スト体２８ａを超える電着層３５の部分の対向間隔は、
小孔部１０の左右幅寸法よりも大きなものとなっている
ことは言うまでもない。一次パターンレジスト２３を溶
解除去することにより、電着層３５の下面には、微細な
凹みが形成される。
【００５５】以上のように、本実施例によれば電鋳工程
が１工程で済むため、先の実施例１、２に挙げた２層構
造の蒸着マスクに比べて、製造コストが安価に済む。通
孔８を小孔部１０と大孔部１１とからなる外広がりの断
面テーパー形状としたので、広い角度で気化源からの気
化物を受け入れることができる。従って、マスク本体５
の板厚を厚くした場合に不可避の開口上端縁による影を
なくして、均一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７
を精度良く形成することができる。
が１工程で済むため、先の実施例１、２に挙げた２層構
造の蒸着マスクに比べて、製造コストが安価に済む。通
孔８を小孔部１０と大孔部１１とからなる外広がりの断
面テーパー形状としたので、広い角度で気化源からの気
化物を受け入れることができる。従って、マスク本体５
の板厚を厚くした場合に不可避の開口上端縁による影を
なくして、均一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７
を精度良く形成することができる。
【００５６】加えて、マスク本体５の板厚を厚くしたの
で、マスク本体５の全体強度が増し、高精度に再現性高
く発光層７を形成することができる。また、大孔部１１
を上方向に行くほど対向間隔の広がった外広がりのテー
パー状としてあると、図１６に示すごとく、両孔部１０
・１１をストレート状にした場合に不可避の内周面の位
置ズレが生じず、この点でもマスク本体５の全体強度の
向上に寄与し得る。
で、マスク本体５の全体強度が増し、高精度に再現性高
く発光層７を形成することができる。また、大孔部１１
を上方向に行くほど対向間隔の広がった外広がりのテー
パー状としてあると、図１６に示すごとく、両孔部１０
・１１をストレート状にした場合に不可避の内周面の位
置ズレが生じず、この点でもマスク本体５の全体強度の
向上に寄与し得る。
【００５７】図１０に、本実施例の別実施形態に係る有
機ＥＬ素子用蒸着マスクを示す。そこでの通孔８は、ス
トレート状の小孔部１０と、外広がりのテーパー状の大
孔部１１とからなり、該大孔部１１の左右縁を区画する
電着層３５の周縁部が、斜め上方向のストレート状を呈
している点が、先の図７に示した形態と相違する。かか
る形態によっても、先の図７に示した形態と同様の作用
・効果を得ることができる。なお、前記電鋳工程におい
て使用される電着金属は、第２種光沢剤を含んでなるも
のであってもよく、この場合においても、先と同様の形
状の電着金属層３５が得られる。
機ＥＬ素子用蒸着マスクを示す。そこでの通孔８は、ス
トレート状の小孔部１０と、外広がりのテーパー状の大
孔部１１とからなり、該大孔部１１の左右縁を区画する
電着層３５の周縁部が、斜め上方向のストレート状を呈
している点が、先の図７に示した形態と相違する。かか
る形態によっても、先の図７に示した形態と同様の作用
・効果を得ることができる。なお、前記電鋳工程におい
て使用される電着金属は、第２種光沢剤を含んでなるも
のであってもよく、この場合においても、先と同様の形
状の電着金属層３５が得られる。
【００５８】（第４実施例） 図１１は、本発明の第４
実施例に係る有機ＥＬ素子用蒸着マスクを示しており、
そこでは第１実施例に係るマスク本体５の表面全体に、
メッキ処理により金属薄膜４０を形成している。また、
図１２では、第２実施例に係るマスク本体５の表面全体
に、メッキ処理により金属薄膜４０を形成している。こ
こでは光沢剤を多く含有する光沢ニッケルをメッキ金属
として、２〜５μｍ厚の金属薄膜４０を形成している。
特に、開口エッジ部５ａを覆う金属薄膜部分の角をなく
して、滑らかなＲ状としてある点に着目すべきである。
実施例に係る有機ＥＬ素子用蒸着マスクを示しており、
そこでは第１実施例に係るマスク本体５の表面全体に、
メッキ処理により金属薄膜４０を形成している。また、
図１２では、第２実施例に係るマスク本体５の表面全体
に、メッキ処理により金属薄膜４０を形成している。こ
こでは光沢剤を多く含有する光沢ニッケルをメッキ金属
として、２〜５μｍ厚の金属薄膜４０を形成している。
特に、開口エッジ部５ａを覆う金属薄膜部分の角をなく
して、滑らかなＲ状としてある点に着目すべきである。
【００５９】本実施例に係る有機ＥＬ素子用蒸着マスク
によれば、マスク本体５の表面全体に金属薄膜４０を形
成することにより、上段層２と下段層３とを強固に密着
させることができるため、マスク本体５はより撓みにく
い形態となり、従って、発光層７の位置精度や再現性に
優れた蒸着マスクが得られる。
によれば、マスク本体５の表面全体に金属薄膜４０を形
成することにより、上段層２と下段層３とを強固に密着
させることができるため、マスク本体５はより撓みにく
い形態となり、従って、発光層７の位置精度や再現性に
優れた蒸着マスクが得られる。
【００６０】また、蒸着マスク５の開口エッジ５ａに角
があると、蒸着作業後の基板１に対する蒸着マスク５の
離版時に、基板１上に蒸着された発光層７の周縁が当該
開口エッジ５ａでこそぎ取られて、欠けが生じる不具合
が生じやすいが、この点、本実施例に係る有機ＥＬ素子
用蒸着マスクによれば、開口エッジ部５ａを金属薄膜４
０で覆うとともに、その部分の角をなくして滑らかなＲ
状としてあるので、発光層７の欠けを効果的に防いで、
均一な形状を有する発光層７を高精度に再現性良く形成
できる。
があると、蒸着作業後の基板１に対する蒸着マスク５の
離版時に、基板１上に蒸着された発光層７の周縁が当該
開口エッジ５ａでこそぎ取られて、欠けが生じる不具合
が生じやすいが、この点、本実施例に係る有機ＥＬ素子
用蒸着マスクによれば、開口エッジ部５ａを金属薄膜４
０で覆うとともに、その部分の角をなくして滑らかなＲ
状としてあるので、発光層７の欠けを効果的に防いで、
均一な形状を有する発光層７を高精度に再現性良く形成
できる。
【図１】本発明の第１実施例に係る有機ＥＬ素子用蒸着
マスクの一部拡大縦断面図
マスクの一部拡大縦断面図
【図２】有機ＥＬ素子用蒸着マスクの縦拡大図
【図３】第１実施例に係る有機ＥＬ素子用蒸着マスクの
製造過程の工程説明図
製造過程の工程説明図
【図４】第１実施例に係る有機ＥＬ素子用蒸着マスクの
製造過程の工程説明図
製造過程の工程説明図
【図５】本発明の第２実施例に係る有機ＥＬ素子用蒸着
マスクの縦拡大図
マスクの縦拡大図
【図６】第２実施例に係る有機ＥＬ素子用蒸着マスクの
製造過程の工程説明図
製造過程の工程説明図
【図７】本発明の第３実施例に係る有機ＥＬ素子用蒸着
マスクの縦拡大図
マスクの縦拡大図
【図８】第３実施例に係る有機ＥＬ素子用蒸着マスクの
製造過程の工程説明図
製造過程の工程説明図
【図９】第３実施例に係る有機ＥＬ素子用蒸着マスクの
製造過程の工程説明図
製造過程の工程説明図
【図１０】第３実施例の別形態に係る有機ＥＬ素子用蒸
着マスクの縦拡大図
着マスクの縦拡大図
【図１１】本発明の第４実施例に係る有機ＥＬ素子用蒸
着マスクの縦拡大図
着マスクの縦拡大図
【図１２】第４実施例の別形態に係る有機ＥＬ素子用蒸
着マスクの縦拡大図
着マスクの縦拡大図
【図１３】理想的な発光層の形状を示す縦断面図
【図１４】従来例の有機ＥＬ素子用蒸着マスクの使用例
を示す縦断面図
を示す縦断面図
【図１５】従来例の有機ＥＬ素子用蒸着マスクを示す縦
断面図
断面図
【図１６】従来例の有機ＥＬ素子用蒸着マスクを示す縦
断面図
断面図
１ 基板
２ 上段層
３ 下段層
４ 気化源
５ マスク本体
７ 発光層
８ 蒸着通孔
１０ 小孔部
１１ 大孔部
２０ 母型
２３ 一次パターンレジスト
２３ａ レジスト体
２４ 一次電着層
２８ 二次パターンレジスト
２８ａ レジスト体
２９ 二次電着層
３５ 電着層
４０ 金属薄膜
Claims (10)
- 【請求項１】 電着金属からなるマスク本体５に、発光
層形成用の蒸着通孔８が上下貫通状に多数独立して設け
られた有機ＥＬ素子用の蒸着マスクであって、 前記マスク本体５は、発光層７の蒸着対象である基板１
側に位置する上段層２と、該上段層２の下面側、すなわ
ち気化源４からの気化物の飛来方向に形成された下段層
３とからなり、 各通孔８は、上段層２に内周面がストレート状に設けら
れた小孔部１０と、この小孔部１０に連通して該小孔部
１０よりも大きな開口寸法で下段層３側に設けられた大
孔部１１とからなり、 大孔部１１の左右を区画する互いに対向する下段層３の
内周面が、気化物の飛来方向に行くほど対向間隔の広が
った外広がりのテーパー形状をなしていることを特徴と
する有機ＥＬ素子用蒸着マスク。 - 【請求項２】 電着金属からなるマスク本体５に、発光
層形成用の蒸着通孔８が上下貫通状に多数独立して設け
られた有機ＥＬ素子用の蒸着マスクであって、 各通孔８は、発光層７の蒸着対象である基板１側に位置
し、内周面がストレート状に設けられた小孔部１０と、
この小孔部１０に連通して、該小孔部１０よりも大きな
開口寸法で気化物の飛来方向に形成された大孔部１１と
からなり、 大孔部１１の左右を区画する互いに対向する下段層３の
内周面が、気化物の飛来方向に行くほど対向間隔の広が
った外広がりのテーパー形状をなしていることを特徴と
する有機ＥＬ素子用蒸着マスク。 - 【請求項３】 蒸着マスクの全体が、電鋳法により作成
されたメタルマスクである請求項１又は２記載の有機Ｅ
Ｌ素子用蒸着マスク。 - 【請求項４】 メッキ処理により、蒸着マスクの表面全
体を覆うように金属薄膜４０を形成している請求項１又
は２又は３記載の有機ＥＬ素子用蒸着マスク。 - 【請求項５】 電着金属からなるマスク本体５に、発光
層形成用の蒸着通孔８が内外貫通状に多数独立して設け
られた有機ＥＬ素子用の蒸着マスクの製造方法であっ
て、 母型２０の表面に、レジスト体２３ａを有する一次パタ
ーンレジスト２３を設ける第１のパターンニング工程
と、 母型２０上に電着金属を電鋳して、一次電着層２４を形
成する第１の電鋳工程と、 一次電着層２４上に、レジスト体２３ａの上端面に連続
して、該レジスト体２３ａよりも大きな幅寸法を有する
二次パターンレジスト２８を設ける第２のパターンニン
グ工程と、 一次電着層２４上に電着金属を電鋳して、該一次電着層
２４と一体不可分的に二次電着層２９を形成する第２の
電鋳工程と、 母型２０から一次および二次電着層２４・２９を剥離す
る剥離工程と、 前記剥離工程に前後して、一次および二次パターンレジ
スト２３・２８を除去する工程とからなり、 レジスト体２３ａの除去に伴い一次電着層２４側には、
内周面がストレート状の小孔部１０が形成され、レジス
ト体２８ａの除去に伴い二次電着層２９側には、小孔部
１０に連通してかつ該小孔部１０よりも大きな開口寸法
を有する大孔部１１が形成されるようにしてあり、 大孔部１１の左右を区画する互いに対向する二次電着層
２９の内周面が、上方向に行くほど対向間隔の広がった
外広がりのテーパー形状をなるようにしてあることを特
徴とする有機ＥＬ素子用蒸着マスクの製造方法。 - 【請求項６】 前記第２のパターンニング工程において
は、前記レジスト体２３ａよりも薄肉のレジスト体２８
ａを有する二次パターンレジスト２８を形成し、 前記第２の電鋳工程においては、レジスト体２８ａの高
さを超えて電着金属を電鋳させて、該電着金属がレジス
ト体２８ａの縁部に被さるようにオーバーハングさせて
おり、 レジスト体２８ａにオーバーハングしていた二次電着層
２９の部分が、上方向に行くほど対向間隔の広がったテ
ーパー状をなしている請求項５記載の有機ＥＬ素子用蒸
着マスクの製造方法。 - 【請求項７】 前記第２のパターンニング工程は、一次
電着層２４上にフォトレジスト層２５を形成する工程
と、 フォトレジスト層２５上に、大孔部１１に対応する透光
孔を持つパターンフィルム２６を密着させてから、透光
孔に係るフォトレジスト層２５の部分に対して紫外線に
よる露光を行う工程と、 未露光部分にかかるフォトレジスト層２５を除去して、
レジスト体２８ａを有する二次パターンレジスト２８を
形成する工程とからなり、 レジスト体２８ａは母型側に行くほど左右幅寸法の小さ
くなる下窄まりのテーパー形状となるようにしてあり、 前記第２の電鋳工程において、レジスト体２８ａを除く
一次電着層２４上に電着金属を電鋳することにより、該
レジスト体２８ａを挟んで対峙する二次電着層２９の左
右周縁部が、上方向に行くほど対向間隔の広がった外広
がりのテーパー形状となるようにしてある請求項５記載
の有機ＥＬ素子用蒸着マスクの製造方法。 - 【請求項８】 電着金属からなるマスク本体５に、発光
層形成用の蒸着通孔８が内外貫通状に多数独立して設け
られた有機ＥＬ素子用の蒸着マスクの製造方法であっ
て、 母型２０の表面に、薄肉のレジスト体２３ａを有する一
次パターンレジスト２３を設ける第１のパターンニング
工程と、 レジスト体２３ａを覆うように、該レジスト体２３ａよ
りも小さな幅寸法を有するレジスト体２８ａを備える二
次パターンレジスト２８を設ける第２のパターンニング
工程と、 前記レジスト体２３ａ・２８ａを除く母型２０上に、こ
れらレジスト体２３・２８ａの厚み寸法以上に電着金属
を電鋳して、電着層３５を形成する電鋳工程と、 母型２０から電着層を剥離する剥離工程と、 前記剥離工程に前後して、一次および二次パターンレジ
スト２３・２８を除去する工程とからなり、 レジスト体２８ａの厚み方向の外周縁はストレート状で
あり、該レジスト体２８ａの除去に伴い電着層３５には
内周面がストレート状の小孔部１０が形成され、 レジスト体２８ａを挟んで対峙する、該レジスト体２８
ａを超える電着層３５の部分が、小孔部１０に連通して
かつ該小孔部１０よりも大きな開口寸法を有する大孔部
１１となり、 大孔部１１の左右を区画する互いに対向する電着層３５
の内周面が、上方向に行くほど対向間隔の広がった外広
がりのテーパー形状になっていることを特徴とする有機
ＥＬ素子用蒸着マスクの製造方法。 - 【請求項９】 前記電鋳工程において使用される電着金
属が、ニッケル電鋳金属である請求項８記載の有機ＥＬ
素子用蒸着マスクの製造方法。 - 【請求項１０】 前記電鋳工程において使用される電着
金属が、光沢剤を含んでなるものである請求項８記載の
有機ＥＬ素子用蒸着マスクの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002149634A JP4046269B2 (ja) | 2001-05-24 | 2002-05-23 | 有機ｅｌ素子用蒸着マスクと有機ｅｌ素子用蒸着マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001155997 | 2001-05-24 | ||
| JP2001-155997 | 2001-05-24 | ||
| JP2002149634A JP4046269B2 (ja) | 2001-05-24 | 2002-05-23 | 有機ｅｌ素子用蒸着マスクと有機ｅｌ素子用蒸着マスクの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003045657A true JP2003045657A (ja) | 2003-02-14 |
| JP2003045657A5 JP2003045657A5 (ja) | 2005-10-06 |
| JP4046269B2 JP4046269B2 (ja) | 2008-02-13 |
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| JP2022174324A (ja) * | 2019-09-27 | 2022-11-22 | マクセル株式会社 | 蒸着マスク |
| JP7149369B2 (ja) | 2019-09-27 | 2022-10-06 | マクセル株式会社 | 蒸着マスク |
| JP7203887B2 (ja) | 2019-09-27 | 2023-01-13 | マクセル株式会社 | マスクおよびその製造方法 |
| JP2021113362A (ja) * | 2019-09-27 | 2021-08-05 | マクセルホールディングス株式会社 | 蒸着マスク |
| JP7421617B2 (ja) | 2019-09-27 | 2024-01-24 | マクセル株式会社 | 蒸着マスク |
| JP2020002470A (ja) * | 2019-09-27 | 2020-01-09 | マクセルホールディングス株式会社 | 蒸着マスク及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4046269B2 (ja) | 2008-02-13 |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130 Year of fee payment: 3 |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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