JP2003042876A - 圧力検出装置用パッケージ - Google Patents

圧力検出装置用パッケージ

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JP2003042876A
JP2003042876A JP2001228422A JP2001228422A JP2003042876A JP 2003042876 A JP2003042876 A JP 2003042876A JP 2001228422 A JP2001228422 A JP 2001228422A JP 2001228422 A JP2001228422 A JP 2001228422A JP 2003042876 A JP2003042876 A JP 2003042876A
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insulating
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insulating plate
layer
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Koji Kinomura
浩司 木野村
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部の圧力を長期間にわたり正確に検出する
ことが可能な圧力検出装置を提供すること。 【解決手段】 一方の主面に半導体素子3が搭載される
搭載部1bを、他方の主面に静電容量形成用の第一電極
7およびこの第一電極7を取り囲む第一接合用メタライ
ズ層8を有する絶縁基体1と、一方の主面に第一電極7
に対向する静電容量形成用の第二電極9およびこの第二
電極9に電気的に接続され、かつ第一接合用メタライズ
層8にろう付けされた第二接合用メタライズ層10を有
し、絶縁基体1の他方の主面との間に密閉空間を形成す
るように可撓な状態で絶縁基体1に接合された絶縁板2
とから成る圧力検出装置用パッケージであって、絶縁板
2はその一方の主面の外周部に枠状の突起部2aが形成
されているとともに突起部2aの外周寄りに第二接合用
メタライズ層10が被着形成されており、かつ突起部2a
の内周部に絶縁基体1に当接する絶縁層12を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、圧力を検出するた
めの圧力検出装置に使用される圧力検出装置用パッケー
ジに関するものである。 【0002】 【従来の技術】従来、圧力を検出するための圧力検出装
置として静電容量型の圧力検出装置が知られている。こ
の静電容量型の圧力検出装置は、例えば図2に断面図で
示すように、セラミックス材料や樹脂材料から成る配線
基板21上に、静電容量型の感圧素子22と、パッケージ28
に収容された演算用の半導体素子29とを備えている。感
圧素子22は、例えばセラミックス材料等の電気絶縁材料
から成り、上面中央部に静電容量形成用の一方の電極23
が被着された凹部を有する絶縁基体24と、この絶縁基体
24の上面に絶縁基体24との間に密閉空間を形成するよう
にして可撓な状態で接合されており、下面に静電容量形
成用の他方の電極25が被着された絶縁板26と、各静電容
量形成用の電極23・25をそれぞれ外部に電気的に接続す
るための外部リード端子27とから構成されており、外部
の圧力に応じて絶縁板26が撓むことにより各静電容量形
成用の電極23・25間に形成される静電容量が変化する。
そして、この静電容量の変化を演算用の半導体素子29に
より演算処理することにより外部の圧力を検出すること
ができる。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の圧力検出装置によると、感圧素子22と半導体素子29
とを配線基板21上に個別に実装していることから、圧力
検出装置が大型化してしまうとともに圧力検出用の電極
23・25と半導体素子29との間の配線が長いものとなり、
この長い配線間に不要な静電容量が形成されるため感度
が低いという問題点を有していた。 【0004】そこで、本願出願人は、先に特願2000-178
618において、一方の主面に半導体素子が搭載される搭
載部を有する絶縁基体と、この絶縁基体の表面および内
部に配設されており、半導体素子の各電極が電気的に接
続される複数の配線導体と、絶縁基体の他方の主面の中
央部に被着されており、配線導体の一つに電気的に接続
された静電容量形成用の第一電極と、絶縁基体の他方の
主面に、この主面の中央部との間に密閉空間を形成する
ように可撓な状態で接合された絶縁板と、この絶縁板の
内側主面に第一電極に対向して被着されており、配線導
体の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第
二電極とを具備する圧力検出装置用パッケージを提案し
た。この圧力検出装置用パッケージによると、一方の主
面に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基体の
他方の主面に静電容量形成用の第一電極を設けるととも
に、この第一電極に対向する静電容量形成用の第二電極
を内側面に有する絶縁板を、絶縁基体の他方の主面との
間に密閉空間を形成するようにして可撓な状態で接合さ
せたことから、半導体素子を収容するパッケージに感圧
素子が一体に形成され、その結果、圧力検出装置を小型
とすることができるとともに圧力検出用の電極と半導体
素子とを接続する配線を短いものとして、これらの配線
間に発生する不要な静電容量を小さなものとすることが
できる。なお、この特願2000-178618で提案した圧力検
出装置用パッケージにおいては、例えば絶縁基体の他方
の主面の外周部にセラミックスや金属から成る枠体を第
一電極を取り囲むようにして設けておき、この枠体上に
第二電極の外周部を銀−銅ろう等のろう材を介してろう
付けすることにより絶縁板が絶縁基体に接合されてい
た。 【0005】しかしながら、この特願2000-178618で提
案した圧力検出装置用パッケージによると、絶縁基体と
絶縁板とを接合する銀−銅ろうから成るろう材は大きな
応力により塑性変形を起こしやすいことから、絶縁板に
外部の圧力が長期間にわたり大きく印加された場合、絶
縁板が撓むことにより発生する応力が絶縁基体と絶縁板
とを接合するろう材の内周縁部に大きく作用してろう材
に塑性変形が発生してしまい、その結果、圧力の印加が
解除されても絶縁板が元の位置に完全には戻らず、外部
の圧力を正確に検出することができなくなってしまうと
いう問題点を有していた。 【0006】本発明は、かかる上述の問題点に鑑み完成
されたものであり、その目的は外部の圧力を長期間にわ
たり正確に検出することが可能な圧力検出装置を提供す
ることにある。 【0007】 【課題を解決するための手段】本発明の圧力検出装置用
パッケージは、内部および表面に複数の配線導体を有す
るとともに一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部
を、他方の主面に配線導体の一つに電気的に接続された
静電容量形成用の第一電極およびこの第一電極を取り囲
み配線導体の他の一つに電気的に接続された枠状の第一
接合用メタライズ層を有する絶縁基体と、一方の主面に
第一電極に対向する静電容量形成用の第二電極およびこ
の第二電極に電気的に接続され、かつ第一接合用メタラ
イズ層にろう付けされた枠状の第二接合用メタライズ層
を有し、絶縁基体の他方の主面との間に密閉空間を形成
するように可撓な状態で絶縁基体に接合された絶縁板と
から成る圧力検出装置用パッケージであって、絶縁板は
その一方の主面の外周部に枠状の突起部が形成されてい
るとともにこの突起部の外周寄りに第二接合用メタライ
ズ層が被着形成されており、かつ突起部の内周部に絶縁
基体の他方の主面に当接する枠状の絶縁層が被着されて
いることを特徴とするものである。 【0008】本発明の圧力検出装置用パッケージによれ
ば、絶縁板の一方の主面の外周部に枠状の突起部が形成
されているとともに、この突起部の外周寄りに第一接合
用メタライズ層にろう付けされた第二接合用メタライズ
層が被着されており、かつ突起部の内周部に絶縁基体の
他方の主面に当接する枠状の絶縁層が被着されているこ
とから、絶縁板に外部の圧力が長期間にわたり大きく印
加されたとしても、絶縁板が撓むことにより発生する応
力は、突起部の内周根元付近および絶縁層に大きく集中
し、絶縁基体と絶縁板とを接合するろう材に大きく作用
することはない。 【0009】 【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
詳細に説明する。図1は、本発明の圧力検出装置用パッ
ケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、図中、
1は絶縁基体、2は絶縁板、3は半導体素子である。 【0010】絶縁基体1は、酸化アルミニウム質焼結体
や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・ガラ
ス−セラミックス等のセラミックス材料から成る積層体
であり、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合
であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシ
ウム・酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な
有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して泥
漿状となすとともにこれを従来周知のドクタブレード法
を採用してシート状に成形することにより複数枚のセラ
ミックグリーンシートを得、しかる後、これらのセラミ
ックグリーンシートに適当な打ち抜き加工・積層加工・
切断加工を施すことにより絶縁基体1用の生セラミック
成形体を得るとともにこの生セラミック成形体を約1600
℃の温度で焼成することにより製作される。 【0011】絶縁基体1は、その下面中央部に半導体素
子3を収容するための凹部1aが形成されており、それ
により半導体素子3を収容する容器として機能する。そ
して、この凹部1aの底面中央部が半導体素子3が搭載
される搭載部1bとなっており、この搭載部1bに半導
体素子3を搭載するとともに凹部1a内に例えばエポキ
シ樹脂等の樹脂製封止材4を充填することにより半導体
素子3が封止される。なお、この例では半導体素子3は
樹脂製封止材4を凹部1a内に充填することにより封止
されるが、半導体素子3は絶縁基体1の下面に金属やセ
ラミックスから成る蓋体を凹部1aを塞ぐように接合さ
せることにより封止されてもよい。 【0012】また、搭載部1bには半導体素子3の各電
極に接続される複数のメタライズ配線導体5が導出して
おり、このメタライズ配線導体5と半導体素子3の各電
極を半田バンプ6等の導電性材料から成る電気的接続部
材を介して接合することにより半導体素子3の各電極と
各メタライズ配線導体5とが電気的に接続されるととも
に半導体素子3が搭載部1bに固定される。なお、この
例では、半導体素子3の電極とメタライズ配線導体5と
は半田バンプ6を介して接続されるが、半導体素子3の
電極とメタライズ配線導体5とはボンディングワイヤ等
の他の種類の電気的接続手段により接続されてもよい。 【0013】メタライズ配線導体5は、半導体素子3の
各電極を外部電気回路および後述する第一電極7・第二
電極9に電気的に接続するための導電路として機能し、
その一部は絶縁基体1の外周下面に導出し、別の一部は
第一電極7・第二電極9に電気的に接続されている。そ
して、半導体素子3の各電極をこれらのメタライズ配線
導体5に半田バンプ6等の電気的接続手段を介して電気
的に接続するとともに半導体素子3を樹脂製封止材4で
封止した後、メタライズ配線導体5の絶縁基体1外周下
面に導出した部位を外部電気回路基板の配線導体に半田
等の導電性接合材を介して接合することにより、内部に
収容する半導体素子3が外部電気回路に電気的に接続さ
れることとなる。 【0014】このようなメタライズ配線導体5は、タン
グステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズ
から成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バイ
ンダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加混合して得たメタ
ライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用し
て絶縁基体1用のセラミックグリーンシートに所定のパ
ターンに印刷塗布し、これを絶縁基体1用の生セラミッ
ク成形体とともに焼成することによって絶縁基体1の内
部および表面に所定のパターンに形成される。なお、メ
タライズ配線導体5の表面には、メタライズ配線導体5
が酸化腐食するのを防止するとともにメタライズ配線導
体5と半田等との接合を良好なものとするために、通常
であれば、厚みが1〜10μm程度のニッケルめっき層と
厚みが0.1〜3μm程度の金めっき層とが順次被着され
ている。 【0015】また、絶縁基体1の上面中央部には静電容
量形成用の第一電極7が被着されている。この第一電極
7は、後述する第二電極9とともに感圧素子用の静電容
量を形成するためのものであり、例えば略円形のパター
ンに形成されている。そして、この第一電極7にはメタ
ライズ配線導体5の一つ5aが接続されており、それに
よりこのメタライズ配線導体5aに半導体素子3の電極
を半田バンプ6等の電気的接続手段を介して接続すると
半導体素子3の電極と第一電極7とが電気的に接続され
るようになっている。 【0016】このような第一電極7は、厚みが10〜50μ
m程度のタングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉
末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適
当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合し
て得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷
法を採用して絶縁基体1用のセラミックグリーンシート
に印刷塗布し、これを絶縁基体1用の生セラミック成形
体とともに焼成することによって絶縁基体1の上面中央
部に所定のパターンに形成される。なお、第一電極7の
表面には、第一電極7が酸化腐食するのを防止するため
に、通常であれば、厚みが1〜10μm程度のニッケルめ
っき層が被着されている。 【0017】また、絶縁基体1の上面外周部には第一電
極7を取り囲む略円形や略八角形の枠状の第一接合用メ
タライズ層8が被着されている。第一接合用メタライズ
層8は、絶縁基体1に絶縁板2を接合するための下地金
属として機能し、この第一接合用メタライズ層8には下
面に第二電極9およびこの第二電極9に電気的に接続さ
れた第二接合用メタライズ層10を有する絶縁板2が第二
接合用メタライズ層10と第一接合用メタライズ層8とを
銀−銅ろう等のろう材11を介してろう付けすることによ
り絶縁基体1との間に密閉空間を形成するようにして接
合されている。 【0018】この第一接合用メタライズ層8にはメタラ
イズ配線導体5の一つ5bが接続されており、それによ
りこのメタライズ配線導体5bに半導体素子3の電極を
半田バンプ6等の電気的接続手段を介して電気的に接続
すると、半導体素子3の電極と第二電極9とが電気的に
接続されるようになっている。 【0019】このような第一接合用メタライズ層8は、
タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタラ
イズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機
バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメ
タライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用
して絶縁基体1用のセラミックグリーンシートに印刷塗
布し、これを絶縁基体1用の生セラミック成形体ととも
に焼成することによって絶縁基体1の上面外周部に枠状
の所定のパターンに形成される。 【0020】なお、第一接合用メタライズ層8の表面に
は、第一接合用メタライズ層8が酸化腐食するのを防止
するとともに第一接合用メタライズ層8とろう材11との
接合を強固なものとするために、通常であれば、厚みが
1〜10μm程度のニッケルめっき層が被着されている。 【0021】また、絶縁基体1の上面に接合された絶縁
板2は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム
質焼結体・ムライト質焼結体・ガラス−セラミックス等
のセラミックス材料から成る略四角または略八角あるい
は円形等の略平板であり、その内側主面の外周部に枠状
の突起部2aを有している。そして、外部の圧力に応じ
て絶縁基体1側に撓むいわゆる圧力検出用のダイアフラ
ムとして機能する。 【0022】なお、絶縁板2は、その中央部の厚みが0.
01mm未満では、その機械的強度が小さいものとなって
しまうため、これに大きな外部圧力が印加された場合に
破壊されてしまう危険性が大きなものとなり、他方、中
央部の厚みが5mmを超えると、小さな圧力では撓みに
くくなり、圧力検出用のダイアフラムとしては不適とな
ってしまう。したがって、絶縁板2の中央部の厚みは0.
01〜5mmの範囲が好ましい。また、突起部2aの高さ
が0.01mm未満では、絶縁基体1と絶縁板2との間に形
成される隙間が狭いものとなりすぎて、絶縁板2に圧力
が印加された際に第一電極7と第二電極9とが接触して
しまう危険性が大きなものとなり、他方、突起部2aの
高さが5mmを超えると、第一電極7と第二電極9との
間に形成される静電容量が小さなものとなって感圧素子
の感度が低くなってしまう。したがって、突起部2aの
高さは0.01〜5mmの範囲が好ましい。 【0023】このような絶縁板2は、例えば酸化アルミ
ニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウ
ム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の
セラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑
剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを
従来周知のドクタブレード法を採用してシート状に成形
することによりセラミックグリーンシートを得、しかる
後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工や積層加工・切断加工を施すことにより絶縁板2用の
生セラミック成形体を得るとともにこの生セラミック成
形体を約1600℃の温度で焼成することにより製作され
る。 【0024】また、絶縁板2の下面にはその中央部に第
一電極7と対向する静電容量形成用の第二電極9が被着
されている。この第二電極9は、前述の第一電極7とと
もに感圧素子用の静電容量を形成するためのものであ
り、例えば略円形のパターンに形成されている。 【0025】このような第二電極9は、厚みが10〜50μ
m程度のタングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉
末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適
当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合し
て得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷
法を採用して絶縁板2用のセラミックグリーンシートに
印刷塗布し、これを絶縁板2用の生セラミック成形体と
ともに焼成することによって絶縁板2の下面中央部に所
定のパターンに形成される。なお、第二電極9の表面に
は、第二電極9が酸化腐食するのを防止するために、通
常であれば、厚みが1〜10μm程度のニッケルめっき層
が被着されている。 【0026】さらに、絶縁板2の突起部2a下面には第
二電極9に電気的に接続された略円形や略八角形の枠状
の第二接合用メタライズ層10が突起部2aの内周縁から
例えば0.05mm程度以上離間した外周寄りに被着されて
いる。この第二接合用メタライズ層10は、絶縁板2を絶
縁基体1に接合するための接合用下地金属層として機能
し、第二接合用メタライズ層10と第一接合用メタライズ
層8とを銀−銅ろう等のろう材11を介してろう付けする
ことにより絶縁基体1と絶縁板2とが接合されるととも
に第一接合用メタライズ層8と第二接合用メタライズ層
10とが電気的に接続される。 【0027】このとき、第一電極7と第二電極9とは、
絶縁基体1と絶縁板2との間に形成された密閉空間を挟
んで対向しており、これらの間には、第一電極7や第二
電極9の面積および第一電極7と第二電極9との間隔に
応じて所定の静電容量が形成される。そして、絶縁板2
の上面に外部の圧力が印加されると、その圧力に応じて
絶縁板2が絶縁基体1側に撓んで第一電極7と第二電極
9との間隔が変わり、それにより第一電極7と第二電極
9との間の静電容量が変化するので、外部の圧力の変化
を静電容量の変化として感知する感圧素子として機能す
る。そして、この静電容量の変化を凹部1a内に収容し
た半導体素子3にメタライズ配線導体5a・5bを介し
て伝達し、これを半導体素子3で演算処理することによ
って外部の圧力の大きさを知ることができる。 【0028】このような第二接合用メタライズ層10は、
厚みが10〜50μm程度のタングステンやモリブデン・銅
・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等
の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散
剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知の
スクリーン印刷法を採用して絶縁板2用のセラミックグ
リーンシートに印刷塗布し、これを絶縁板2用の生セラ
ミック成形体とともに焼成することによって絶縁板2の
突起部2a下面に所定のパターンに形成される。 【0029】なお、第二接合用メタライズ層10の表面に
は、第二接合用メタライズ層10が酸化腐食するのを防止
するとともに第二接合用メタライズ層10とろう材11との
接合を良好とするために、通常であれば、厚みが1〜10
μm程度のニッケルめっき層が被着されている。 【0030】また、絶縁基体1に絶縁板2を接合するに
は、第一接合用メタライズ層8および第二接合用メタラ
イズ層10の表面に予め1〜10μm程度の厚みのニッケル
めっき層をそれぞれ被着させておくとともに、第一接合
用メタライズ層8と第二接合用メタライズ層10との間に
厚みが10〜200μm程度の銀−銅ろうから成るろう材箔
を挟んで絶縁基体1と絶縁板2とを重ね合わせ、これら
を還元雰囲気中、約850℃の温度に加熱してろう材箔を
溶融させて第一接合用メタライズ層8と第二接合用メタ
ライズ層10とをろう付けする方法が採用される。 【0031】さらに、突起部2aの内周部には、絶縁基
体1の上面に当接する略円形枠状の絶縁層12が被着され
ている。この絶縁層12は、例えば絶縁板2と実質的に同
一のセラミックス材料から成り、第二接合用メタライズ
層10を第一接合用メタライズ層8にろう材11を介してろ
う付けする際に、第一接合用メタライズ層8と第二接合
用メタライズ層10との間隔を所定の間隔に保つスペーサ
ー部材として機能するとともに絶縁板2に外部の圧力が
印加された際に、絶縁板2が撓むことによって発生する
応力がろう材11に印加されるのを防止するためのストッ
パー部材として機能する。 【0032】このように、突起部2aの内周部に絶縁基
体1の上面に当接する枠状の絶縁層12が被着されている
ことから、第一接合用メタライズ層8に第二接合用メタ
ライズ層10をろう材11を介してろう付けする際に絶縁基
体1と絶縁板2との間隔が絶縁層12によって正確に規定
され、それにより第一電極7と第二電極9との間隔に大
きなばらつきが発生することを有効に防止することがで
きる。また同時に、絶縁板2に外部の圧力が印加された
際に、絶縁板2が撓むことによって発生する応力を絶縁
層12で受け止めることにより、絶縁板2が外部の圧力に
より大きく撓んだとしても、その撓みにより発生する応
力は、突起部2aの内周の根元付近および絶縁層12に大
きく集中し、ろう材11に作用することは殆どない。した
がって、本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、
絶縁板2に外部の圧力が長期間にわたり大きく印加され
たとしてもろう材11に塑性変形が発生することはなく、
外部の圧力を長期間にわたり正確に検出することが可能
な圧力検出装置を提供することができる。 【0033】なお、絶縁層12は、その厚みが0.01mm未
満では、第一接合用メタライズ層8と第二接合用メタラ
イズ層10との間に十分な厚みのろう材11を確保して両者
を強固に接合することが困難となる傾向にあり、他方、
0.2mmを超えると、第一接合用メタライズ層8と第二
接合用メタライズ層10とをろう材11を介してろう付けす
る際にろう材11中に隙間が発生しやすくなり、絶縁基体
1と絶縁板2とを気密性高く良好に接合することが困難
となる傾向にある。したがって、絶縁層12の厚みは、0.
01〜0.2mmの範囲が好ましい。 【0034】また、絶縁層12は、その幅が0.05mm未満
では、絶縁板2に外部の圧力が印加された際に、絶縁板
2が撓むことにより発生する応力により絶縁層12が破壊
されてしまう危険性が大きなものとなり、他方、1mm
を超えると、そのような幅の広い絶縁層12を設けるため
にパッケージが大型化し、小型の圧力検出装置を提供で
きなくなってしまう。したがって絶縁層12の幅は、0.05
〜1mmの範囲であることが好ましい。 【0035】このような絶縁層12は、絶縁板2用のセラ
ミックグリーンシートに含有される原料粉末と実質的に
同一の原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤を添加混合
して得た絶縁ペーストを絶縁板2用のセラミックグリー
ンシートに従来周知のスクリーン印刷法を採用して所定
のパターンに印刷塗布し、これを絶縁板2用の生セラミ
ック成形体とともに焼成することによって突起部2aの
内周部に枠状のパターンに被着形成される。 【0036】このように、本発明の圧力検出装置用パッ
ケージによれば、一方の主面に半導体素子3が搭載され
る絶縁基体1の他方の主面に、静電容量形成用の第一電
極7を設けるとともにこの第一電極7に対向する静電容
量形成用の第二電極9を内側面に有する絶縁板2を絶縁
基体1との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で
接合させたことから、半導体素子3を収容する容器と感
圧素子とが一体となり、その結果、圧力検出装置を小型
化することができる。また、静電容量形成用の第一電極
7および第二電極9を、絶縁基体1に設けたメタライズ
配線導体5a・5bを介して半導体素子3に接続するこ
とから、第一電極7および第二電極9を短い距離で半導
体素子3に接続することができ、その結果、これらのメ
タライズ配線導体5a・5b間に発生する不要な静電容
量を小さなものとして感度の高い圧力検出装置を提供す
ることができる。 【0037】かくして、上述の圧力検出装置用パッケー
ジによれば、搭載部1bに半導体素子3を搭載するとと
もに半導体素子3の各電極とメタライズ配線導体5とを
電気的に接続し、しかる後、半導体素子3を封止するこ
とによって小型でかつ感度が高い圧力検出装置となる。 【0038】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更は可能であることはいうまでも
ない。 【0039】 【発明の効果】以上、説明したように、本発明の圧力検
出装置用パッケージによれば、一方の主面に半導体素子
が搭載される搭載部を有する絶縁基体の他方の主面の中
央部に静電容量形成用の第一電極を設けるとともに、こ
の第一電極に対向する静電容量形成用の第二電極を有す
る絶縁板を、絶縁基体との間に密閉空間を形成するよう
にして可撓な状態で接合させたことから、半導体素子を
収容するパッケージに感圧素子が一体に形成され、その
結果、圧力検出装置を小型とすることができるとともに
圧力検出用の電極と半導体素子とを接続する配線を短い
ものとして、これらの配線間に発生する不要な静電容量
を小さなものとすることができる。さらに絶縁板の一方
の主面の外周部に枠状の突起部が形成されているととも
にこの突起部の外周寄りに絶縁基体の第一接合用メタラ
イズ層にろう付けされた第二接合用メタライズ層が被着
されており、かつこの突起部の内周部に絶縁基体の他方
の主面に当接する絶縁層が被着されていることから、絶
縁板に外部の圧力が長期間にわたり大きく印加されたと
しても、絶縁板が撓むことにより発生する応力は、突起
部の内周根元付近および絶縁層に大きく集中し、絶縁基
体と絶縁板とを接合するろう材に大きく作用することは
ない。したがって、絶縁板に外部の圧力が長期間にわた
り大きく印加されたとしてもろう材に塑性変形が発生す
ることはなく、外部の圧力を長期間にわたり正確に検出
することが可能な圧力検出装置を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形
態の一例を示す断面図である。 【図2】従来の圧力検出装置を示す断面図である。 【符号の説明】 1・・・・・絶縁基体 2・・・・・絶縁板 2a・・・・突起部 3・・・・・半導体素子 7・・・・・第一電極 8・・・・・第一接合用メタライズ層 9・・・・・第二電極 10・・・・・第二接合用メタライズ層 11・・・・・ろう材 12・・・・・絶縁層

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 内部および表面に複数の配線導体を有す
    るとともに一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部
    を、他方の主面に前記配線導体の一つに電気的に接続さ
    れた静電容量形成用の第一電極および該第一電極を取り
    囲み前記配線導体の他の一つに電気的に接続された枠状
    の第一接合用メタライズ層を有する絶縁基体と、一方の
    主面に前記第一電極に対向する静電容量形成用の第二電
    極および該第二電極に電気的に接続され、かつ前記第一
    接合用メタライズ層にろう付けされた枠状の第二接合用
    メタライズ層を有し、前記絶縁基体の前記他方の主面と
    の間に密閉空間を形成するように可撓な状態で前記絶縁
    基体に接合された絶縁板とから成る圧力検出装置用パッ
    ケージであって、前記絶縁板は、その一方の主面の外周
    部に枠状の突起部を有するとともに該突起部の外周寄り
    に前記第二接合用メタライズが被着されており、かつ該
    突起部の内周部に前記絶縁基体の他方の主面に当接する
    枠状の絶縁層が被着されていることを特徴とする圧力検
    出装置用パッケージ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006184031A (ja) * 2004-12-24 2006-07-13 Kyocera Corp 圧力検出装置用パッケージおよび圧力検出装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006184031A (ja) * 2004-12-24 2006-07-13 Kyocera Corp 圧力検出装置用パッケージおよび圧力検出装置
JP4601417B2 (ja) * 2004-12-24 2010-12-22 京セラ株式会社 圧力検出装置用パッケージおよび圧力検出装置

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