JP2002039897A - 圧力検出装置用パッケージ - Google Patents
圧力検出装置用パッケージInfo
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- JP2002039897A JP2002039897A JP2000225792A JP2000225792A JP2002039897A JP 2002039897 A JP2002039897 A JP 2002039897A JP 2000225792 A JP2000225792 A JP 2000225792A JP 2000225792 A JP2000225792 A JP 2000225792A JP 2002039897 A JP2002039897 A JP 2002039897A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で高感度であり、外部の圧力をばらつき
なく正確に検出可能な圧力検出装置を提供すること。 【解決手段】 一方の主面に半導体素子3が搭載される
絶縁基体1の他方の主面に静電容量形成用の第一電極7
およびこれを囲繞する枠体1cを設け、この枠体1c上
に、中央部が第一電極7に対向するとともに外周部が枠
体1c上にろう付けされた静電容量形成用の第二電極9
を有する絶縁板2を取着して成る圧力検出装置用パッケ
ージであって、第二電極9のろう付けされた外周部と第
一電極7に対向する中央部との間にろう材流出防止用の
絶縁層10が被着されている。
なく正確に検出可能な圧力検出装置を提供すること。 【解決手段】 一方の主面に半導体素子3が搭載される
絶縁基体1の他方の主面に静電容量形成用の第一電極7
およびこれを囲繞する枠体1cを設け、この枠体1c上
に、中央部が第一電極7に対向するとともに外周部が枠
体1c上にろう付けされた静電容量形成用の第二電極9
を有する絶縁板2を取着して成る圧力検出装置用パッケ
ージであって、第二電極9のろう付けされた外周部と第
一電極7に対向する中央部との間にろう材流出防止用の
絶縁層10が被着されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力を検出するた
めの圧力検出装置に使用される圧力検出装置用パッケー
ジに関するものである。
めの圧力検出装置に使用される圧力検出装置用パッケー
ジに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、圧力を検出するための圧力検出装
置として静電容量型の圧力検出装置が知られている。こ
の静電容量型の圧力検出装置は、例えば図3に断面図で
示すように、セラミックス材料や樹脂材料から成る配線
基板21上に、静電容量型の感圧素子22と、パッケージ28
に収容された演算用の半導体素子29とを備えている。感
圧素子22は、例えばセラミックス材料等の電気絶縁材料
から成り、上面中央部に静電容量形成用の一方の電極23
が被着された凹部を有する絶縁基体24と、この絶縁基体
24の上面に絶縁基体24との間に密閉空間を形成するよう
にして可撓な状態で接合され、下面に静電容量形成用の
他方の電極25が被着された絶縁板26と、各静電容量形成
用の電極23・25をそれぞれ外部に電気的に接続するため
の外部リード端子27とから構成されており、外部の圧力
に応じて絶縁板26が撓むことにより各静電容量形成用の
電極23・25間に形成される静電容量が変化する。そし
て、この静電容量の変化を演算用の半導体素子29により
演算処理することにより外部の圧力を検出することがで
きる。
置として静電容量型の圧力検出装置が知られている。こ
の静電容量型の圧力検出装置は、例えば図3に断面図で
示すように、セラミックス材料や樹脂材料から成る配線
基板21上に、静電容量型の感圧素子22と、パッケージ28
に収容された演算用の半導体素子29とを備えている。感
圧素子22は、例えばセラミックス材料等の電気絶縁材料
から成り、上面中央部に静電容量形成用の一方の電極23
が被着された凹部を有する絶縁基体24と、この絶縁基体
24の上面に絶縁基体24との間に密閉空間を形成するよう
にして可撓な状態で接合され、下面に静電容量形成用の
他方の電極25が被着された絶縁板26と、各静電容量形成
用の電極23・25をそれぞれ外部に電気的に接続するため
の外部リード端子27とから構成されており、外部の圧力
に応じて絶縁板26が撓むことにより各静電容量形成用の
電極23・25間に形成される静電容量が変化する。そし
て、この静電容量の変化を演算用の半導体素子29により
演算処理することにより外部の圧力を検出することがで
きる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の圧力検出装置によると、感圧素子22と半導体素子29
とを配線基板21上に個別に実装していることから、圧力
検出装置が大型化してしまうとともに圧力検出用の電極
23・25と半導体素子29との間の配線が長いものとなり、
この長い配線間に不要な静電容量が形成されるため感度
が低いという問題点を有していた。
来の圧力検出装置によると、感圧素子22と半導体素子29
とを配線基板21上に個別に実装していることから、圧力
検出装置が大型化してしまうとともに圧力検出用の電極
23・25と半導体素子29との間の配線が長いものとなり、
この長い配線間に不要な静電容量が形成されるため感度
が低いという問題点を有していた。
【0004】そこで、本願出願人は、先に特願2000-178
618において、一方の主面に半導体素子が搭載される搭
載部を有する絶縁基体と、この絶縁基体の表面および内
部に配設され、半導体素子の各電極が電気的に接続され
る複数の配線導体と、絶縁基体の他方の主面の中央部に
被着され、配線導体の一つに電気的に接続された静電容
量形成用の第一電極と、絶縁基体の他方の主面に、この
主面の中央部との間に密閉空間を形成するように可撓な
状態で接合された絶縁板と、この絶縁板の内側主面に第
一電極と対向して被着され、配線導体の他の一つに電気
的に接続された静電容量形成用の第二電極とを具備する
圧力検出装置用パッケージを提案した。この圧力検出装
置用パッケージによると、一方の主面に半導体素子が搭
載される搭載部を有する絶縁基体の他方の主面に静電容
量形成用の第一電極を設けるとともに、この第一電極と
対向する静電容量形成用の第二電極を内側面に有する絶
縁板を、絶縁基体の他方の主面との間に密閉空間を形成
するようにして可撓な状態で接合させたことから、半導
体素子を収容するパッケージに感圧素子が一体に形成さ
れ、その結果、圧力検出装置を小型とすることができる
とともに圧力検出用の電極と半導体素子とを接続する配
線を短いものとして、これらの配線間に発生する不要な
静電容量を小さなものとすることができる。なお、この
特願2000-178618で提案した圧力検出装置用パッケージ
においては、絶縁基体の他方の主面の外周部にセラミッ
クスや金属から成る枠体を第一電極を取り囲むようにし
て設けておき、この枠体上に第二電極の外周部を銀−銅
ろう等のろう材を介してろう付けすることにより絶縁板
が絶縁基体に接合されていた。
618において、一方の主面に半導体素子が搭載される搭
載部を有する絶縁基体と、この絶縁基体の表面および内
部に配設され、半導体素子の各電極が電気的に接続され
る複数の配線導体と、絶縁基体の他方の主面の中央部に
被着され、配線導体の一つに電気的に接続された静電容
量形成用の第一電極と、絶縁基体の他方の主面に、この
主面の中央部との間に密閉空間を形成するように可撓な
状態で接合された絶縁板と、この絶縁板の内側主面に第
一電極と対向して被着され、配線導体の他の一つに電気
的に接続された静電容量形成用の第二電極とを具備する
圧力検出装置用パッケージを提案した。この圧力検出装
置用パッケージによると、一方の主面に半導体素子が搭
載される搭載部を有する絶縁基体の他方の主面に静電容
量形成用の第一電極を設けるとともに、この第一電極と
対向する静電容量形成用の第二電極を内側面に有する絶
縁板を、絶縁基体の他方の主面との間に密閉空間を形成
するようにして可撓な状態で接合させたことから、半導
体素子を収容するパッケージに感圧素子が一体に形成さ
れ、その結果、圧力検出装置を小型とすることができる
とともに圧力検出用の電極と半導体素子とを接続する配
線を短いものとして、これらの配線間に発生する不要な
静電容量を小さなものとすることができる。なお、この
特願2000-178618で提案した圧力検出装置用パッケージ
においては、絶縁基体の他方の主面の外周部にセラミッ
クスや金属から成る枠体を第一電極を取り囲むようにし
て設けておき、この枠体上に第二電極の外周部を銀−銅
ろう等のろう材を介してろう付けすることにより絶縁板
が絶縁基体に接合されていた。
【0005】しかしながら、この特願2000-178618で提
案した圧力検出装置用パッケージによると、セラミック
スや金属から成る枠体上に絶縁板の第二電極の外周部を
銀−銅ろう等のろう材を介してろう付けする際に、ろう
材の一部が第二電極の中央部に多量に流れ出してしまい
やすく、このように多量に流れ出したろう材により第一
電極と第二電極との間に形成される静電容量が大きくば
らついてしまい、そのため外部の圧力を正確に検出する
ことが困難であるという問題点を有していた。
案した圧力検出装置用パッケージによると、セラミック
スや金属から成る枠体上に絶縁板の第二電極の外周部を
銀−銅ろう等のろう材を介してろう付けする際に、ろう
材の一部が第二電極の中央部に多量に流れ出してしまい
やすく、このように多量に流れ出したろう材により第一
電極と第二電極との間に形成される静電容量が大きくば
らついてしまい、そのため外部の圧力を正確に検出する
ことが困難であるという問題点を有していた。
【0006】本発明は、かかる上述の問題点に鑑み完成
されたものであり、その目的は、小型でかつ感度が高
く、しかも外部の圧力をばらつきなく正確に検出するこ
とが可能な圧力検出装置を提供することにある。
されたものであり、その目的は、小型でかつ感度が高
く、しかも外部の圧力をばらつきなく正確に検出するこ
とが可能な圧力検出装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の圧力検出装置用
パッケージは、一方の主面に半導体素子が搭載される搭
載部を有するとともに他方の主面の中央部に静電容量形
成用の第一電極が被着された絶縁基体と、絶縁基体の他
方の主面外周部に第一電極を囲繞するようにして接合さ
れた枠体と、一方の主面に中央部が第一電極に対向する
とともに外周部が枠体上にろう付けされた静電容量形成
用の第二電極を有し、絶縁基体との間に密閉空間を形成
するように可撓な状態で取着された絶縁板とから成る圧
力検出装置用パッケージであって、第二電極は、そのろ
う付けされた外周部と第一電極に対向する中央部との間
にろう材流出防止用の絶縁層が被着されていることを特
徴とするものである。
パッケージは、一方の主面に半導体素子が搭載される搭
載部を有するとともに他方の主面の中央部に静電容量形
成用の第一電極が被着された絶縁基体と、絶縁基体の他
方の主面外周部に第一電極を囲繞するようにして接合さ
れた枠体と、一方の主面に中央部が第一電極に対向する
とともに外周部が枠体上にろう付けされた静電容量形成
用の第二電極を有し、絶縁基体との間に密閉空間を形成
するように可撓な状態で取着された絶縁板とから成る圧
力検出装置用パッケージであって、第二電極は、そのろ
う付けされた外周部と第一電極に対向する中央部との間
にろう材流出防止用の絶縁層が被着されていることを特
徴とするものである。
【0008】本発明の圧力検出装置用パッケージによれ
ば、一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部を有す
る絶縁基体の他方の主面の中央部に静電容量形成用の第
一電極を設けるとともに、この第一電極に対向する静電
容量形成用の第二電極を有する絶縁板を、絶縁基体との
間に密閉空間を形成するようにして可撓な状態で接合さ
せたことから、半導体素子を収容するパッケージに感圧
素子が一体に形成され、その結果、圧力検出装置を小型
とすることができるとともに圧力検出用の電極と半導体
素子とを接続する配線を短いものとして、これらの配線
間に発生する不要な静電容量を小さなものとすることが
できる。さらに、第二電極のろう付けされた外周部と第
一電極に対向する中央部との間にろう材流出防止用の絶
縁層を被着させたことから、第二電極の外周部と枠体と
のろう付け時にろう材の一部が第二電極の中央部に流出
することがろう材流出防止用の絶縁層によって良好に防
止され、その結果、第一電極と第二電極との間に形成さ
れる静電容量にろう材流出によるばらつきが発生するこ
とがない。
ば、一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部を有す
る絶縁基体の他方の主面の中央部に静電容量形成用の第
一電極を設けるとともに、この第一電極に対向する静電
容量形成用の第二電極を有する絶縁板を、絶縁基体との
間に密閉空間を形成するようにして可撓な状態で接合さ
せたことから、半導体素子を収容するパッケージに感圧
素子が一体に形成され、その結果、圧力検出装置を小型
とすることができるとともに圧力検出用の電極と半導体
素子とを接続する配線を短いものとして、これらの配線
間に発生する不要な静電容量を小さなものとすることが
できる。さらに、第二電極のろう付けされた外周部と第
一電極に対向する中央部との間にろう材流出防止用の絶
縁層を被着させたことから、第二電極の外周部と枠体と
のろう付け時にろう材の一部が第二電極の中央部に流出
することがろう材流出防止用の絶縁層によって良好に防
止され、その結果、第一電極と第二電極との間に形成さ
れる静電容量にろう材流出によるばらつきが発生するこ
とがない。
【0009】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
詳細に説明する。図1は、本発明の圧力検出装置用パッ
ケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、図中、
1は絶縁基体、2は絶縁板、3は半導体素子である。
詳細に説明する。図1は、本発明の圧力検出装置用パッ
ケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、図中、
1は絶縁基体、2は絶縁板、3は半導体素子である。
【0010】絶縁基体1は、酸化アルミニウム質焼結体
や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化
珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラス−セラミック
ス等のセラミックス材料から成る積層体であり、例えば
酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化
アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カル
シウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ・
溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとと
もにこれを従来周知のドクタブレード法を採用してシー
ト状に成形することにより複数枚のセラミックグリーン
シートを得、しかる後、これらのセラミックグリーンシ
ートに適当な打ち抜き加工・積層加工・切断加工を施す
ことにより絶縁基体1用の生セラミック成形体を得ると
ともにこの生セラミック成形体を約1600℃の温度で焼成
することにより製作される。
や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化
珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラス−セラミック
ス等のセラミックス材料から成る積層体であり、例えば
酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化
アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カル
シウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ・
溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとと
もにこれを従来周知のドクタブレード法を採用してシー
ト状に成形することにより複数枚のセラミックグリーン
シートを得、しかる後、これらのセラミックグリーンシ
ートに適当な打ち抜き加工・積層加工・切断加工を施す
ことにより絶縁基体1用の生セラミック成形体を得ると
ともにこの生セラミック成形体を約1600℃の温度で焼成
することにより製作される。
【0011】絶縁基体1は、その下面中央部に半導体素
子3を収容するための凹部1aが形成されており、これ
により半導体素子3を収容する容器として機能する。そ
して、この凹部1aの底面中央部が半導体素子3が搭載
される搭載部1bとなっており、この搭載部1bに半導
体素子3を搭載するとともに凹部1a内に例えばエポキ
シ樹脂等の樹脂製封止材4を充填することにより半導体
素子3が封止される。なお、この例では半導体素子3は
樹脂製封止材4を凹部1a内に充填することにより封止
されるが、半導体素子3は絶縁基体1の下面に金属やセ
ラミックスから成る蓋体を凹部1aを塞ぐように接合さ
せることにより封止されてもよい。
子3を収容するための凹部1aが形成されており、これ
により半導体素子3を収容する容器として機能する。そ
して、この凹部1aの底面中央部が半導体素子3が搭載
される搭載部1bとなっており、この搭載部1bに半導
体素子3を搭載するとともに凹部1a内に例えばエポキ
シ樹脂等の樹脂製封止材4を充填することにより半導体
素子3が封止される。なお、この例では半導体素子3は
樹脂製封止材4を凹部1a内に充填することにより封止
されるが、半導体素子3は絶縁基体1の下面に金属やセ
ラミックスから成る蓋体を凹部1aを塞ぐように接合さ
せることにより封止されてもよい。
【0012】また、搭載部1bには半導体素子3の各電
極と接続される複数のメタライズ配線導体5が導出して
おり、このメタライズ配線導体5と半導体素子3の各電
極とを半田バンプ6等の導電性材料から成る導電性接合
部材を介して接合することにより半導体素子3の各電極
と各メタライズ配線導体5とが電気的に接続されるとと
もに半導体素子3が搭載部1bに固定される。なお、こ
の例では、半導体素子3の電極とメタライズ配線導体5
とは半田バンプ6を介して接続されるが、半導体素子3
の電極とメタライズ配線導体5とはボンディングワイヤ
等の他の種類の電気的接続手段により接続されてもよ
い。
極と接続される複数のメタライズ配線導体5が導出して
おり、このメタライズ配線導体5と半導体素子3の各電
極とを半田バンプ6等の導電性材料から成る導電性接合
部材を介して接合することにより半導体素子3の各電極
と各メタライズ配線導体5とが電気的に接続されるとと
もに半導体素子3が搭載部1bに固定される。なお、こ
の例では、半導体素子3の電極とメタライズ配線導体5
とは半田バンプ6を介して接続されるが、半導体素子3
の電極とメタライズ配線導体5とはボンディングワイヤ
等の他の種類の電気的接続手段により接続されてもよ
い。
【0013】メタライズ配線導体5は、半導体素子3の
各電極を外部電気回路および後述する第一電極7・第二
電極9に電気的に接続するための導電路として機能し、
その一部は絶縁基体1の外周下面に導出し、別の一部は
第一電極7・第二電極9に電気的に接続されている。そ
して、半導体素子3の各電極をこれらのメタライズ配線
導体5に導電性接合材6を介して電気的に接続するとと
もに半導体素子3を樹脂製封止材4で封止した後、メタ
ライズ配線導体5の絶縁基体1外周下面に導出した部位
を外部電気回路基板の配線導体に半田等の導電性接合材
を介して接合することにより、内部に収容する半導体素
子3が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
各電極を外部電気回路および後述する第一電極7・第二
電極9に電気的に接続するための導電路として機能し、
その一部は絶縁基体1の外周下面に導出し、別の一部は
第一電極7・第二電極9に電気的に接続されている。そ
して、半導体素子3の各電極をこれらのメタライズ配線
導体5に導電性接合材6を介して電気的に接続するとと
もに半導体素子3を樹脂製封止材4で封止した後、メタ
ライズ配線導体5の絶縁基体1外周下面に導出した部位
を外部電気回路基板の配線導体に半田等の導電性接合材
を介して接合することにより、内部に収容する半導体素
子3が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【0014】このようなメタライズ配線導体5は、タン
グステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズ
から成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バイ
ンダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加混合して得たメタ
ライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用し
て絶縁基体1用のセラミックグリーンシートに所定のパ
ターンに印刷塗布し、これを絶縁基体1用の生セラミッ
ク成形体とともに焼成することによって絶縁基体1の内
部および表面に所定のパターンに形成される。なお、メ
タライズ配線導体5の露出表面には、メタライズ配線導
体5が酸化腐食するのを防止するとともにメタライズ配
線導体5と半田等の導電性接合材との接合を良好なもの
とするために、通常であれば、厚みが1〜10μm程度の
ニッケルめっき層と厚みが0.1〜3μm程度の金めっき
層とが順次被着されている。
グステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズ
から成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バイ
ンダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加混合して得たメタ
ライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用し
て絶縁基体1用のセラミックグリーンシートに所定のパ
ターンに印刷塗布し、これを絶縁基体1用の生セラミッ
ク成形体とともに焼成することによって絶縁基体1の内
部および表面に所定のパターンに形成される。なお、メ
タライズ配線導体5の露出表面には、メタライズ配線導
体5が酸化腐食するのを防止するとともにメタライズ配
線導体5と半田等の導電性接合材との接合を良好なもの
とするために、通常であれば、厚みが1〜10μm程度の
ニッケルめっき層と厚みが0.1〜3μm程度の金めっき
層とが順次被着されている。
【0015】また、絶縁基体1の上面外周部には絶縁基
体1と同一材料から成る高さが0.01〜5mm程度の枠体
1cが設けられており、それにより上面中央部に底面が
略平坦な凹部1dが形成されている。この凹部1dは、
後述するように、絶縁板2との間に密閉空間を形成する
ためのものであり、この凹部1dの底面には静電容量形
成用の第一電極7が被着されている。
体1と同一材料から成る高さが0.01〜5mm程度の枠体
1cが設けられており、それにより上面中央部に底面が
略平坦な凹部1dが形成されている。この凹部1dは、
後述するように、絶縁板2との間に密閉空間を形成する
ためのものであり、この凹部1dの底面には静電容量形
成用の第一電極7が被着されている。
【0016】この第一電極7は、後述する第二電極9と
ともに感圧素子用の静電容量を形成するためのものであ
り、例えば略円形のパターンに形成されている。そし
て、この第一電極7にはメタライズ配線導体5の一つ5
aが接続されており、それによりこのメタライズ配線導
体5aに半導体素子3の電極を半田バンプ6等の導電性
接合材を介して接続すると半導体素子3の電極と第一電
極7とが電気的に接続されるようになっている。
ともに感圧素子用の静電容量を形成するためのものであ
り、例えば略円形のパターンに形成されている。そし
て、この第一電極7にはメタライズ配線導体5の一つ5
aが接続されており、それによりこのメタライズ配線導
体5aに半導体素子3の電極を半田バンプ6等の導電性
接合材を介して接続すると半導体素子3の電極と第一電
極7とが電気的に接続されるようになっている。
【0017】このような第一電極7は、タングステンや
モリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、
タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤
・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペース
トを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁基体1
用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶
縁基体1用の生セラミック成形体とともに焼成すること
によって絶縁基体1の凹部1d底面に所定のパターンに
形成される。なお、第一電極7の露出表面には、第一電
極7が酸化腐食するのを防止するために、通常であれ
ば、厚みが1〜10μm程度のニッケルめっき層が被着さ
れている。
モリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、
タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤
・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペース
トを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁基体1
用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶
縁基体1用の生セラミック成形体とともに焼成すること
によって絶縁基体1の凹部1d底面に所定のパターンに
形成される。なお、第一電極7の露出表面には、第一電
極7が酸化腐食するのを防止するために、通常であれ
ば、厚みが1〜10μm程度のニッケルめっき層が被着さ
れている。
【0018】また、絶縁基体1の枠体1cの上面にはそ
の全周にわたり枠状の接合用メタライズ層8が被着され
ており、この接合用メタライズ層8には、下面に第二電
極9を有する絶縁板2がこの第二電極9と接合用メタラ
イズ層8とを銀−銅ろう材等のろう材を介してろう付け
することにより取着されている。
の全周にわたり枠状の接合用メタライズ層8が被着され
ており、この接合用メタライズ層8には、下面に第二電
極9を有する絶縁板2がこの第二電極9と接合用メタラ
イズ層8とを銀−銅ろう材等のろう材を介してろう付け
することにより取着されている。
【0019】この接合用メタライズ層8にはメタライズ
配線導体5の一つ5bが接続されており、それによりこ
のメタライズ配線導体5bに半導体素子3の電極を半田
バンプ6等の導電性接合材を介して電気的に接続すると
接合用メタライズ層8に接続された第二電極9と半導体
素子3の電極とが電気的に接続されるようになってい
る。
配線導体5の一つ5bが接続されており、それによりこ
のメタライズ配線導体5bに半導体素子3の電極を半田
バンプ6等の導電性接合材を介して電気的に接続すると
接合用メタライズ層8に接続された第二電極9と半導体
素子3の電極とが電気的に接続されるようになってい
る。
【0020】接合用メタライズ層8は、タングステンや
モリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、
タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤
・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペース
トを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁基体1
用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶
縁基体1用の生セラミック成形体とともに焼成すること
によって絶縁基体1の枠体1c上面に枠状の所定のパタ
ーンに形成される。なお、接合用メタライズ層8の露出
表面には、接合用メタライズ層8が酸化腐食するのを防
止するとともに接合用メタライズ層8とろう材との接合
を強固なものとするために、通常であれば、厚みが1〜
10μm程度のニッケルめっき層が被着されている。
モリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、
タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤
・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペース
トを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁基体1
用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶
縁基体1用の生セラミック成形体とともに焼成すること
によって絶縁基体1の枠体1c上面に枠状の所定のパタ
ーンに形成される。なお、接合用メタライズ層8の露出
表面には、接合用メタライズ層8が酸化腐食するのを防
止するとともに接合用メタライズ層8とろう材との接合
を強固なものとするために、通常であれば、厚みが1〜
10μm程度のニッケルめっき層が被着されている。
【0021】また、絶縁基体1の上面に取着された絶縁
板2は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム
質焼結体・ムライト質焼結体・窒化珪素質焼結体・炭化
珪素質焼結体・ガラス−セラミックス等のセラミックス
材料から成る厚みが0.01〜5mmの略平板であり、外部
の圧力に応じて絶縁基体1側に撓むいわゆる圧力検出用
のダイアフラムとして機能する。
板2は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム
質焼結体・ムライト質焼結体・窒化珪素質焼結体・炭化
珪素質焼結体・ガラス−セラミックス等のセラミックス
材料から成る厚みが0.01〜5mmの略平板であり、外部
の圧力に応じて絶縁基体1側に撓むいわゆる圧力検出用
のダイアフラムとして機能する。
【0022】なお、絶縁板2は、その厚みが0.01mm未
満では、その機械的強度が小さいものとなってしまうた
め、これに大きな外部圧力が印加された場合に破壊され
てしまう危険性が大きなものとなり、他方、5mmを超
えると、小さな圧力では撓みにくくなり、圧力検出用の
ダイアフラムとしては不適となってしまう。したがっ
て、絶縁板2の厚みは0.01〜5mmの範囲が好ましい。
満では、その機械的強度が小さいものとなってしまうた
め、これに大きな外部圧力が印加された場合に破壊され
てしまう危険性が大きなものとなり、他方、5mmを超
えると、小さな圧力では撓みにくくなり、圧力検出用の
ダイアフラムとしては不適となってしまう。したがっ
て、絶縁板2の厚みは0.01〜5mmの範囲が好ましい。
【0023】このような絶縁板2は、例えば酸化アルミ
ニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウ
ム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の
セラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑
剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを
従来周知のドクタブレード法を採用してシート状に成形
することによりセラミックグリーンシートを得、しかる
後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工や切断加工を施すことにより絶縁板2用の生セラミッ
ク成形体を得るとともにこの生セラミック成形体を約16
00℃の温度で焼成することにより製作される。
ニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウ
ム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の
セラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑
剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを
従来周知のドクタブレード法を採用してシート状に成形
することによりセラミックグリーンシートを得、しかる
後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工や切断加工を施すことにより絶縁板2用の生セラミッ
ク成形体を得るとともにこの生セラミック成形体を約16
00℃の温度で焼成することにより製作される。
【0024】また、絶縁板2の下面の略全面には静電容
量形成用の第二電極9が被着されている。この第二電極
9は、前述の第一電極7とともに感圧素子用の静電容量
を形成するための電極として機能するとともに絶縁板2
を絶縁基体1に接合するための接合用下地金属層として
機能する。
量形成用の第二電極9が被着されている。この第二電極
9は、前述の第一電極7とともに感圧素子用の静電容量
を形成するための電極として機能するとともに絶縁板2
を絶縁基体1に接合するための接合用下地金属層として
機能する。
【0025】このような第二電極9は、タングステンや
モリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、
タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤
・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペース
トを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁板2用
のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶縁
板2用の生セラミック成形体とともに焼成することによ
って絶縁板2の下面の略全面に所定のパターンに形成さ
れる。なお、第二電極9の露出表面には、第二電極9が
酸化腐食するのを防止するとともに第二電極9とろう材
との接合を良好とするために、通常であれば、厚みが1
〜10μm程度のニッケルめっき層が被着されている。
モリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、
タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤
・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペース
トを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁板2用
のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを絶縁
板2用の生セラミック成形体とともに焼成することによ
って絶縁板2の下面の略全面に所定のパターンに形成さ
れる。なお、第二電極9の露出表面には、第二電極9が
酸化腐食するのを防止するとともに第二電極9とろう材
との接合を良好とするために、通常であれば、厚みが1
〜10μm程度のニッケルめっき層が被着されている。
【0026】この第二電極9と接合用メタライズ層8と
は銀−銅ろう材等のろう材を介して接合されており、そ
れにより、絶縁基体1上面と絶縁板2下面との間に密閉
空間が形成されるとともに接合用メタライズ層8と第二
電極9とが電気的に接続される。
は銀−銅ろう材等のろう材を介して接合されており、そ
れにより、絶縁基体1上面と絶縁板2下面との間に密閉
空間が形成されるとともに接合用メタライズ層8と第二
電極9とが電気的に接続される。
【0027】このとき、第一電極7と第二電極9とは、
絶縁基体1と絶縁板2との間に形成された空間を挟んで
対向しており、これらの間には、第一電極7や第二電極
9の面積および第一電極7と第二電極9との間隔に応じ
て所定の静電容量が形成される。そして、絶縁板2の上
面に外部の圧力が印加されると、その圧力に応じて絶縁
板2が絶縁基体1側に撓んで第一電極7と第二電極9と
の間隔が変わり、それにより第一電極7と第二電極9と
の間の静電容量が変化するので、外部の圧力の変化を静
電容量の変化として感知する感圧素子として機能する。
そして、この静電容量の変化を凹部1a内に収容した半
導体素子3にメタライズ配線導体5a・5bを介して伝
達し、これを半導体素子3で演算処理することによって
外部の圧力の大きさを知ることができる。
絶縁基体1と絶縁板2との間に形成された空間を挟んで
対向しており、これらの間には、第一電極7や第二電極
9の面積および第一電極7と第二電極9との間隔に応じ
て所定の静電容量が形成される。そして、絶縁板2の上
面に外部の圧力が印加されると、その圧力に応じて絶縁
板2が絶縁基体1側に撓んで第一電極7と第二電極9と
の間隔が変わり、それにより第一電極7と第二電極9と
の間の静電容量が変化するので、外部の圧力の変化を静
電容量の変化として感知する感圧素子として機能する。
そして、この静電容量の変化を凹部1a内に収容した半
導体素子3にメタライズ配線導体5a・5bを介して伝
達し、これを半導体素子3で演算処理することによって
外部の圧力の大きさを知ることができる。
【0028】このように、本発明の圧力検出装置用パッ
ケージによれば、一方の主面に半導体素子3が搭載され
る絶縁基体1の他方の主面に、静電容量形成用の第一電
極7を設けるとともにこの第一電極7と対向する静電容
量形成用の第二電極9を内側面に有する絶縁板2を絶縁
基体1との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で
接合させたことから、半導体素子3を収容する容器と感
圧素子とが一体となり、その結果、圧力検出装置を小型
化することができる。また、静電容量形成用の第一電極
7および第二電極9を、絶縁基体1に設けたメタライズ
配線導体5a・5bを介して半導体素子3に接続するこ
とから、第一電極7および第二電極9を短い距離で半導
体素子3に接続することができ、その結果、これらのメ
タライズ配線導体5a・5b間に発生する不要な静電容
量を小さなものとして感度の高い圧力検出装置を提供す
ることができる。
ケージによれば、一方の主面に半導体素子3が搭載され
る絶縁基体1の他方の主面に、静電容量形成用の第一電
極7を設けるとともにこの第一電極7と対向する静電容
量形成用の第二電極9を内側面に有する絶縁板2を絶縁
基体1との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で
接合させたことから、半導体素子3を収容する容器と感
圧素子とが一体となり、その結果、圧力検出装置を小型
化することができる。また、静電容量形成用の第一電極
7および第二電極9を、絶縁基体1に設けたメタライズ
配線導体5a・5bを介して半導体素子3に接続するこ
とから、第一電極7および第二電極9を短い距離で半導
体素子3に接続することができ、その結果、これらのメ
タライズ配線導体5a・5b間に発生する不要な静電容
量を小さなものとして感度の高い圧力検出装置を提供す
ることができる。
【0029】なお、第一電極7と第二電極9との間隔が
1気圧中において0.01mm未満の場合、絶縁板2に大き
な圧力が印加された際に、第一電極7と第二電極9とが
接触して圧力を検出することができなくなってしまう危
険性があり、他方、5mmを超えると、第一電極7と第
二電極9との間に形成される静電容量が小さなものとな
り、圧力を検出する感度が低いものとなる傾向にある。
したがって、第一電極7と第二電極9との間隔は、1気
圧中において0.01〜5mmの範囲が好ましい。
1気圧中において0.01mm未満の場合、絶縁板2に大き
な圧力が印加された際に、第一電極7と第二電極9とが
接触して圧力を検出することができなくなってしまう危
険性があり、他方、5mmを超えると、第一電極7と第
二電極9との間に形成される静電容量が小さなものとな
り、圧力を検出する感度が低いものとなる傾向にある。
したがって、第一電極7と第二電極9との間隔は、1気
圧中において0.01〜5mmの範囲が好ましい。
【0030】さらに、第二電極9の表面には、枠体1c
の接合用メタライズ層8にろう付けされた外周部と第一
電極7に対向する中央部との間にろう材流出防止用の枠
状の絶縁層10が被着されている。このろう材流出防止用
の絶縁層10は、第二電極9の外周部を枠体1c上にろう
付けする際に、ろう材の一部が第二電極9の中央部に流
出するのを防止するためのダム部材として機能し、絶縁
板2と実質的に同一のセラミックス材料から成る。そし
て、この絶縁層10はろう材との濡れ性が極めて悪いこと
から、枠体1c上面に第二電極9の外周部をろう付けす
る際、この絶縁層10が障壁となって第二電極9中央部へ
のろう材の流出が有効に防止される。したがって、本発
明の圧力検出装置用パッケージにおいては、第二電極9
の中央部にろう材の流出がなく、第一電極7と第二電極
9との間の静電容量がろう材の流出に起因して大きくば
らつくことはない。
の接合用メタライズ層8にろう付けされた外周部と第一
電極7に対向する中央部との間にろう材流出防止用の枠
状の絶縁層10が被着されている。このろう材流出防止用
の絶縁層10は、第二電極9の外周部を枠体1c上にろう
付けする際に、ろう材の一部が第二電極9の中央部に流
出するのを防止するためのダム部材として機能し、絶縁
板2と実質的に同一のセラミックス材料から成る。そし
て、この絶縁層10はろう材との濡れ性が極めて悪いこと
から、枠体1c上面に第二電極9の外周部をろう付けす
る際、この絶縁層10が障壁となって第二電極9中央部へ
のろう材の流出が有効に防止される。したがって、本発
明の圧力検出装置用パッケージにおいては、第二電極9
の中央部にろう材の流出がなく、第一電極7と第二電極
9との間の静電容量がろう材の流出に起因して大きくば
らつくことはない。
【0031】なお、ろう材流出防止用の絶縁層10は、そ
の厚みが5μm未満では、枠体1c上面に第二電極9の
外周部をろう付けする際、ろう材が第二電極9の中央部
に流出することを防止することができなくなる恐れがあ
り、他方、500μmを超えると、絶縁板2の良好な撓み
を阻害する恐れがある。したがって、絶縁層10の厚み
は、5〜500μmの範囲が好ましい。また、絶縁層10
は、その幅が0.1mm未満では、枠体1c上面に第二電
極9の外周部をろう付けする際、ろう材が第二電極の中
央部に流出することを防止することができなくなる恐れ
がある。したがって絶縁層10の幅は、0.1mm以上であ
ることが好ましい。
の厚みが5μm未満では、枠体1c上面に第二電極9の
外周部をろう付けする際、ろう材が第二電極9の中央部
に流出することを防止することができなくなる恐れがあ
り、他方、500μmを超えると、絶縁板2の良好な撓み
を阻害する恐れがある。したがって、絶縁層10の厚み
は、5〜500μmの範囲が好ましい。また、絶縁層10
は、その幅が0.1mm未満では、枠体1c上面に第二電
極9の外周部をろう付けする際、ろう材が第二電極の中
央部に流出することを防止することができなくなる恐れ
がある。したがって絶縁層10の幅は、0.1mm以上であ
ることが好ましい。
【0032】このようなろう材流出防止用の絶縁層10
は、絶縁板2用のセラミックグリーンシートに含有され
る原料粉末と実質的に同一の原料粉末に適当な有機バイ
ンダ・溶剤を添加混合して得た絶縁ペーストを絶縁板2
用のセラミックグリーンシートに印刷塗布した第二電極
9用の金属ペースト上に従来周知のスクリーン印刷法を
採用して所定のパターンに印刷塗布し、これを絶縁板2
用の生セラミック成形体および第二電極9用の金属ペー
ストとともに焼成することによって第二電極9のろう付
けされた外周部と第一電極7に対向する中央部との間に
枠状のパターンに被着形成される。
は、絶縁板2用のセラミックグリーンシートに含有され
る原料粉末と実質的に同一の原料粉末に適当な有機バイ
ンダ・溶剤を添加混合して得た絶縁ペーストを絶縁板2
用のセラミックグリーンシートに印刷塗布した第二電極
9用の金属ペースト上に従来周知のスクリーン印刷法を
採用して所定のパターンに印刷塗布し、これを絶縁板2
用の生セラミック成形体および第二電極9用の金属ペー
ストとともに焼成することによって第二電極9のろう付
けされた外周部と第一電極7に対向する中央部との間に
枠状のパターンに被着形成される。
【0033】また、絶縁基体1の枠体1c上に絶縁板2
を接合するには、枠体1c上の接合用メタライズ層8お
よび第二電極9の表面に予め1〜10μmの厚みのニッケ
ルめっき層をそれぞれ被着させておくとともに、接合用
メタライズ層8と第二電極9との間に厚みが10〜200μ
m程度の銀−銅ろうから成るろう材箔を挟んで絶縁基体
1と絶縁板2とを重ね合わせ、これらを還元雰囲気中、
約850℃の温度に加熱してろう材箔を溶融させて接合用
メタライズ層8と第二電極9の外周部とをろう付けする
方法が採用される。このとき、第二電極9の表面にはろ
う付けされる外周部と中央部との間にろう材流出防止用
の絶縁層10が被着されていることから、ろう材が第二電
極9の中央部に流出することが絶縁層10によって良好に
防止される。
を接合するには、枠体1c上の接合用メタライズ層8お
よび第二電極9の表面に予め1〜10μmの厚みのニッケ
ルめっき層をそれぞれ被着させておくとともに、接合用
メタライズ層8と第二電極9との間に厚みが10〜200μ
m程度の銀−銅ろうから成るろう材箔を挟んで絶縁基体
1と絶縁板2とを重ね合わせ、これらを還元雰囲気中、
約850℃の温度に加熱してろう材箔を溶融させて接合用
メタライズ層8と第二電極9の外周部とをろう付けする
方法が採用される。このとき、第二電極9の表面にはろ
う付けされる外周部と中央部との間にろう材流出防止用
の絶縁層10が被着されていることから、ろう材が第二電
極9の中央部に流出することが絶縁層10によって良好に
防止される。
【0034】かくして、上述の圧力検出装置用パッケー
ジによれば、搭載部1bに半導体素子3を搭載するとと
もに半導体素子3の各電極とメタライズ配線導体5とを
電気的に接続し、しかる後、半導体素子3を封止するこ
とによって小型でかつ感度が高く、しかも外部の圧力を
ばらつきなく正確に検出することが可能な圧力検出装置
となる。
ジによれば、搭載部1bに半導体素子3を搭載するとと
もに半導体素子3の各電極とメタライズ配線導体5とを
電気的に接続し、しかる後、半導体素子3を封止するこ
とによって小型でかつ感度が高く、しかも外部の圧力を
ばらつきなく正確に検出することが可能な圧力検出装置
となる。
【0035】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述の実
施の形態の一例では、絶縁基体1の上面外周部に絶縁基
体1と同じセラミックスから成る枠体1cを設け、この
枠体1c上に絶縁板2を接合することにより絶縁基体1
上面と絶縁板2との間に密閉空間を設けるようにした
が、本発明は図2に断面図で示すように、絶縁基体1の
上面外周部に例えば鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−
ニッケル合金等の金属から成る金属枠体11を銀−銅ろう
等のろう材を介して接合させておき、この金属枠体11上
に第二電極9の外周部を銀−銅ろう等のろう材を介して
接合させることにより絶縁基体1と絶縁板2との間に密
閉空間を設けるようにしてもよい。
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述の実
施の形態の一例では、絶縁基体1の上面外周部に絶縁基
体1と同じセラミックスから成る枠体1cを設け、この
枠体1c上に絶縁板2を接合することにより絶縁基体1
上面と絶縁板2との間に密閉空間を設けるようにした
が、本発明は図2に断面図で示すように、絶縁基体1の
上面外周部に例えば鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−
ニッケル合金等の金属から成る金属枠体11を銀−銅ろう
等のろう材を介して接合させておき、この金属枠体11上
に第二電極9の外周部を銀−銅ろう等のろう材を介して
接合させることにより絶縁基体1と絶縁板2との間に密
閉空間を設けるようにしてもよい。
【0036】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の圧力検
出装置用パッケージによれば、一方の主面に半導体素子
が搭載される絶縁基体の他方の主面に静電容量形成用の
第一電極を設けるとともに、この第一電極に対向する静
電容量形成用の第二電極を有する絶縁板を絶縁基体との
間に密閉空間を形成するように可撓な状態で接合させた
ことから、半導体素子を収容する容器と感圧素子とが一
体となり、その結果、圧力検出装置を小型とすることが
できるとともに圧力検出用の電極と半導体素子とを接続
する配線を短いものとして、これらの配線間に発生する
不要な静電容量を小さなものとして感度の高い圧力検出
装置を提供することができる。さらに、第二電極のろう
付けされた外周部と第一電極に対向する中央部との間に
ろう材流出防止用の絶縁層を被着させたことから、第二
電極の外周部と枠体とのろう付け時にろう材の一部が第
二電極の中央部に流出することがろう材流出防止用の絶
縁層によって良好に防止され、その結果、第一電極と第
二電極との間に形成される静電容量にろう材流出による
ばらつきが発生することがなく、外部の圧力をばらつき
なく正確に検出することが可能な圧力検出装置を提供す
ることができる。
出装置用パッケージによれば、一方の主面に半導体素子
が搭載される絶縁基体の他方の主面に静電容量形成用の
第一電極を設けるとともに、この第一電極に対向する静
電容量形成用の第二電極を有する絶縁板を絶縁基体との
間に密閉空間を形成するように可撓な状態で接合させた
ことから、半導体素子を収容する容器と感圧素子とが一
体となり、その結果、圧力検出装置を小型とすることが
できるとともに圧力検出用の電極と半導体素子とを接続
する配線を短いものとして、これらの配線間に発生する
不要な静電容量を小さなものとして感度の高い圧力検出
装置を提供することができる。さらに、第二電極のろう
付けされた外周部と第一電極に対向する中央部との間に
ろう材流出防止用の絶縁層を被着させたことから、第二
電極の外周部と枠体とのろう付け時にろう材の一部が第
二電極の中央部に流出することがろう材流出防止用の絶
縁層によって良好に防止され、その結果、第一電極と第
二電極との間に形成される静電容量にろう材流出による
ばらつきが発生することがなく、外部の圧力をばらつき
なく正確に検出することが可能な圧力検出装置を提供す
ることができる。
【図1】本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形
態の一例を示す断面図である。
態の一例を示す断面図である。
【図2】本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形
態の他の例を示す断面図である。
態の他の例を示す断面図である。
【図3】従来の圧力検出装置を示す断面図である。
1・・・・・絶縁基体 2・・・・・絶縁板 3・・・・・半導体素子 7・・・・・第一電極 9・・・・・第二電極 10・・・・・ろう材流出防止用の絶縁層
Claims (1)
- 【請求項1】 一方の主面に半導体素子が搭載される搭
載部を有するとともに他方の主面の中央部に静電容量形
成用の第一電極が被着された絶縁基体と、該絶縁基体の
前記他方の主面外周部に前記第一電極を囲繞するように
して接合された枠体と、一方の主面に中央部が前記第一
電極に対向するとともに外周部が前記枠体上にろう付け
された静電容量形成用の第二電極を有し、前記絶縁基体
との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で取着さ
れた絶縁板とから成る圧力検出装置用パッケージであっ
て、前記第二電極は、前記ろう付けされた外周部と前記
第一電極に対向する中央部との間にろう材流出防止用の
絶縁層が被着されていることを特徴とする圧力検出装置
用パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000225792A JP2002039897A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 圧力検出装置用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000225792A JP2002039897A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 圧力検出装置用パッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002039897A true JP2002039897A (ja) | 2002-02-06 |
Family
ID=18719508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000225792A Pending JP2002039897A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 圧力検出装置用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002039897A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002131164A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Kyocera Corp | 圧力検出装置用パッケージ |
-
2000
- 2000-07-26 JP JP2000225792A patent/JP2002039897A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002131164A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Kyocera Corp | 圧力検出装置用パッケージ |
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