JP2003031478A

JP2003031478A - Development apparatus

Info

Publication number: JP2003031478A
Application number: JP2001216430A
Authority: JP
Inventors: Kiyohisa Tateyama; 清久立山; Taketora Shinoki; 武虎篠木; Kimio Motoda; 公男元田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-07-17
Filing date: 2001-07-17
Publication date: 2003-01-31
Anticipated expiration: 2021-07-17
Also published as: JP4052820B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform dip development to a substrate on a conveyance path laid in a horizontal direction. SOLUTION: A dip development treating section 130(1) has a frame 126 for forming an outer-periphery wall to the surface of a substrate G on a conveyance path 108 detachably, one or a plurality developer supply nozzles 128 for supplying developer Q onto the substrate G in or inside the frame 126, and a frame placement mechanism 152 for placing the frame 126 onto the substrate G on the conveyance path 108. The frame 126 has a shape, size, and plate thickness that can be placed on the circumferential section of the substrate G.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板を水平
に搬送しながら現像処理工程を行う現像処理装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a development processing apparatus for carrying out a development processing step while horizontally transporting a substrate to be processed.

【０００２】[0002]

【従来の技術】最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）
製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣ
Ｄ基板の大型化に有利に対応できる現像方式として、搬
送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷設してなる搬送路
上でＬＣＤ基板を搬送しながら現像処理を行うようにし
た、いわゆる平流し方式が注目されている。このような
平流し方式は、基板を回転運動させるスピンナ方式と較
べて、基板の取扱いや搬送系および駆動系の構成が簡単
であり、ミストの発生ないし基板への再付着が少ない等
の利点がある。2. Description of the Related Art Recently, LCD (Liquid Crystal Display)
In the resist coating development processing system in manufacturing, LC
As a development method that can advantageously cope with the increase in the size of the D substrate, the so-called flat flow method, in which the development process is performed while the LCD substrate is being conveyed on the conveyance path formed by horizontally arranging the conveyance roller and the conveyance belt, is noted. Has been done. Compared to the spinner method of rotating the substrate, such a flat-flow method has a simpler handling of the substrate and the configuration of the transfer system and the drive system, and has an advantage that mist is not generated or redeposition on the substrate is small. is there.

【０００３】従来の平流し式現像処理装置は、所定位置
にて搬送路の上方に現像液供給ノズルを配置し、真下を
通過する基板の上面つまり被処理面に該ノズルより現像
液を滴下またはスプレーで供給して、搬送路上でパドル
現像またはスプレー現像を行うように構成されていた。In the conventional flat-flow developing processing apparatus, a developing solution supply nozzle is arranged at a predetermined position above the conveying path, and the developing solution is dripped from the nozzle onto the upper surface of the substrate passing immediately below, that is, the surface to be processed. It was configured to be supplied by spraying and perform paddle development or spray development on the transport path.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、平流し
方式においては、従来の現像処理装置のいずれもパドル
現像かスプレー現像を行うものであり、現像液中に被処
理基板を浸漬させるディップ現像を行う装置は知られて
いない。As described above, in the flat flow system, any of the conventional development processing apparatuses performs paddle development or spray development, and the dip for dipping the substrate to be processed in the developing solution. No developing device is known.

【０００５】本発明は、水平方向に敷設した搬送路上で
被処理基板にディップ現像を施す現像処理装置を提供す
ることを目的とする。An object of the present invention is to provide a developing processing apparatus for performing dip development on a substrate to be processed on a transfer path laid horizontally.

【０００６】本発明の別の目的は、平流し方式のディッ
プ現像を省スペースで効率よく行える現像処理装置を提
供することにある。Another object of the present invention is to provide a development processing apparatus which can efficiently perform flat-flow type dip development in a small space.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の現像処理装置は、被処理基板をほ
ぼ水平に載せて搬送するための搬送体を水平方向に敷設
してなる搬送路と、前記搬送路上で前記基板を搬送する
ために前記搬送体を駆動する搬送駆動手段と、前記搬送
路上で前記基板の被処理面に対して外周壁を形成するた
めの枠と、前記基板の被処理面が浸かるように前記枠の
内側に現像液を供給するための現像液供給手段とを有す
る構成とした。In order to achieve the above object, the first development processing apparatus of the present invention lays a carrier for horizontally placing and carrying a substrate to be processed in a horizontal direction. A transport path formed by: a transport drive means for driving the transport body to transport the substrate on the transport path; and a frame for forming an outer peripheral wall on the surface to be processed of the substrate on the transport path. A developing solution supply means for supplying a developing solution to the inside of the frame so that the surface to be processed of the substrate is immersed.

【０００８】上記の構成においては、搬送路上の基板の
被処理面に対して枠が外周壁を形成することで、現像液
供給手段により供給される現像液が枠内に留まって液面
のほぼ一様な液溜りを形成することができる。これによ
って、基板の被処理面を枠内で現像液にどっぷりと浸か
らせ、ディップ現像を施すことができる。In the above structure, the frame forms the outer peripheral wall with respect to the surface to be processed of the substrate on the transport path, so that the developer supplied by the developer supply means stays in the frame and almost the entire liquid surface. A uniform liquid pool can be formed. As a result, the surface to be processed of the substrate can be fully immersed in the developing solution within the frame to perform dip development.

【０００９】上記第１の現像処理装置において、基板の
周囲に上記外周壁を効率的に形成するために、好ましく
は、枠が基板の周縁部に載置可能な形状、サイズおよび
厚みを有してよい。この場合、枠を基板の周縁部に着脱
自在に載置するための枠載置手段を備えるのが好まし
い。この枠載置手段により、ディップ現像を行うときは
基板の周縁部に枠を載置し、ディップ現像の終了後に枠
を基板から取り払うことができる。In the first development processing apparatus, in order to efficiently form the outer peripheral wall around the substrate, the frame preferably has a shape, size and thickness that can be placed on the peripheral portion of the substrate. You may In this case, it is preferable to include a frame mounting means for detachably mounting the frame on the peripheral portion of the substrate. With this frame placing means, when performing dip development, the frame can be placed on the peripheral edge of the substrate, and after completion of the dip development, the frame can be removed from the substrate.

【００１０】また、好ましくは、現像液供給手段が枠の
内側で現像液を吐出するための１つまたは複数のノズル
を含んでよい。該ノズルが枠の内側で現像液を吐出する
ことにより枠内の基板被処理面全域に速やかに現像液を
拡散供給することができる。Further, preferably, the developing solution supply means may include one or a plurality of nozzles for discharging the developing solution inside the frame. The nozzle discharges the developing solution inside the frame, so that the developing solution can be rapidly diffused and supplied to the entire surface of the substrate to be processed in the frame.

【００１１】上記第１の現像処理装置においては、一態
様として、枠内で基板の被処理面を現像液に浸けた状態
で、基板を搬送路上で所定の第１の位置からそれよりも
搬送方向に所定距離だけ下流側の第２の位置まで搬送す
ることができる。この場合、枠を第２の位置で基板から
上方へ持ち上げ、次いで第１の位置へ戻す枠回収手段を
有するのが好ましい。この態様においては、ディップ現
像に際して基板を搬送路上に一時停止させておく時間を
可及的に短くすることができる。In the first development processing apparatus, as one mode, the substrate is transported from the predetermined first position on the transport path further from the predetermined position while the surface of the substrate to be processed is immersed in the developing solution. It can be conveyed by a predetermined distance in the direction to a second position on the downstream side. In this case, it is preferable to have a frame collecting means for lifting the frame upward from the substrate at the second position and then returning it to the first position. In this mode, the time during which the substrate is temporarily stopped on the transport path during dip development can be shortened as much as possible.

【００１２】また、上記第１の現像処理装置において、
ディップ現像中に枠内の現像液に超音波振動子による振
動を与えることで、現像品質、特に基板被処理面におけ
る面内均一性を向上させることができる。Further, in the first developing processing apparatus,
By applying vibration by the ultrasonic vibrator to the developing solution in the frame during the dip development, development quality, especially in-plane uniformity on the surface to be processed of the substrate can be improved.

【００１３】本発明の第２の現像処理装置は、被処理基
板をほぼ水平に載せて搬送するための搬送体を水平方向
に敷設してなる搬送路と、前記搬送路上で前記基板を搬
送するために前記搬送体を駆動する搬送駆動手段と、所
定の搬送区間において前記搬送路の下に設けられた現像
液を貯留可能な現像液槽と、前記搬送区間に属する前記
搬送体を前記搬送駆動手段と着脱可能に連結するための
クラッチ機構と、前記搬送区間に属する前記搬送体上の
前記基板を前記現像液槽中の現像液に浸けるために、前
記搬送体および／または前記現像液槽を昇降移動させる
昇降手段とを有する構成とした。The second development processing apparatus of the present invention conveys the substrate on the conveyance path, and a conveyance path in which a conveyance body for laying and conveying the substrate to be processed is laid in the horizontal direction. In order to drive the transport body, a developer tank provided under the transport path in a predetermined transport section for storing a developer, and a transport drive for the transport body belonging to the transport section. A clutch mechanism for removably connecting to the means, and the carrier and / or the developer tank for immersing the substrate on the carrier belonging to the carrier section in the developer in the developer tank. It is configured to have an elevating means for moving up and down.

【００１４】上記の構成においては、該搬送区間に属す
る搬送体をクラッチ機構により搬送駆動手段から外すこ
とで、搬送路から分離独立させることができる。そし
て、それらの分離独立した搬送体およびその上に載って
いる基板とその真下に配置されている現像液槽との間で
相対的な昇降移動を行わせることにより、それらの搬送
体と基板を現像液槽中の現像液にどっぷり浸けることが
可能であり、それによってディップ現像を実施すること
ができる。In the above structure, the transport member belonging to the transport section can be separated from the transport path by removing it from the transport drive means by the clutch mechanism. Then, by carrying out relative up-and-down movement between the separated and independent carrier and the substrate placed on the carrier and the developer tank arranged directly below the carrier, the carrier and the substrate are moved. It can be fully immersed in the developer in the developer tank, whereby dip development can be carried out.

【００１５】上記第２の現像処理装置においても、ディ
ップ現像中に現像液層内の現像液に超音波振動子による
振動を与えることで、基板被処理面における現像品質の
面内均一性を向上させることができる。Also in the above-mentioned second developing processing apparatus, the developing solution in the developing solution layer is vibrated by the ultrasonic vibrator during the dip development to improve the in-plane uniformity of the developing quality on the surface to be processed of the substrate. Can be made.

【００１６】[0016]

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な実施形態を説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【００１７】図１に、本発明の現像処理装置を適用でき
る一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この
塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置
され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製
造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗
浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベー
ク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシス
テムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われ
る。FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as one constitutional example to which the developing treatment apparatus of the present invention can be applied. The coating and developing treatment system 10 is installed in a clean room, and uses, for example, an LCD substrate as a substrate to be treated, and performs various treatments such as cleaning, resist coating, prebaking, developing and postbaking in the photolithography process in the LCD manufacturing process. It is a thing. The exposure process is performed by an external exposure device 12 installed adjacent to this system.

【００１８】この塗布現像処理システム１０は、中心部
に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置
し、その長手方向（Ｘ方向）の両端部にカセットステー
ション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション
（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。In this coating and developing system 10, a horizontally long process station (P / S) 16 is arranged at the center, and a cassette station (C / S) 14 and an interface station are provided at both ends in the longitudinal direction (X direction). (I / F) 18 are arranged.

【００１９】カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、
システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを
多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセット
Ｃを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能
なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセ
ットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２と
を備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手
段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの
４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション
（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようにな
っている。The cassette station (C / S) 14 is
A cassette stage 20 which is a cassette loading / unloading port of the system 10 and on which a plurality of cassettes C capable of accommodating a plurality of substrates G can be placed side by side in a horizontal direction, for example, in the Y direction, on the stage 20. And a transport mechanism 22 for loading / unloading the substrate G into / from the cassette C. The transfer mechanism 22 has a means for holding the substrate G, for example, a transfer arm 22a, and can operate on four axes of X, Y, Z, and θ, and the adjacent process station (P / S) 16 side and the substrate G. It can be handed over.

【００２０】プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、
システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向き
の一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまた
は工程の順に配置している。より詳細には、カセットス
テーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステー
ション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスライン
Ａには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６
と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを
横一列に配置している。一方、インタフェースステーシ
ョン（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／
Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２
の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロ
セス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置
している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０
が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとと
もに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、
両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。The process station (P / S) 16 is
The processing units are arranged in the order of process flow or steps on a pair of parallel and opposite lines A and B extending in the system longitudinal direction (X direction). More specifically, in the upstream process line A from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side, a cleaning process section 24 and a first thermal processing section 26 are provided.
The coating process section 28 and the second thermal processing section 30 are arranged in a horizontal row. On the other hand, from the interface station (I / F) 18 side to the cassette station (C /
S) In the process line B on the downstream side toward the 14 side, the second
The thermal processing section 30, the development processing section 32, the decolorization processing section 34, and the third thermal processing section 36 are arranged in a horizontal row. In this line form, the second thermal processing unit 30
Is located at the end of the upstream process line A and at the beginning of the downstream process line B,
It straddles both lines A and B.

【００２１】両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送
空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に
載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によって
ライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっ
ている。An auxiliary transfer space 38 is provided between the two process lines A and B, and a shuttle 40 capable of horizontally mounting the substrates G one by one is arranged in a line direction (X direction) by a drive mechanism (not shown). You can move in both directions.

【００２２】上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄
プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４
２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）
４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接す
る場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を
配置している。図示省略するが、スクラバ洗浄ユニット
（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送
またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送
しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すようになっている。In the upstream process line A, the cleaning process unit 24 includes a scrubber cleaning unit (SCR) 4
This includes 2 scrubber cleaning units (SCR)
An excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 is arranged in a position adjacent to the cassette station (C / S) 10 in 42. Although not shown, the cleaning section in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 brushes the upper surface (processed surface) of the substrate G while horizontally transporting the LCD substrate G by the roller transport or the belt transport in the line A direction. And blow cleaning.

【００２３】洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第
１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心
部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数の
ユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に
示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４に
は、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、
脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およ
びアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積
み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０
は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの
受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段
ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユ
ニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，
６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下か
ら順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡し
を行うためのものである。The first thermal processing section 26 adjacent to the downstream side of the cleaning processing section 24 is provided with a vertical transfer mechanism 46 at the center along the process line A, and a plurality of units are provided on both the front and rear sides thereof in multiple stages. Are arranged in layers. For example, as shown in FIG. 2, the upstream multi-stage unit (TB) 44 has a substrate transfer pass unit (PASS) 50,
Heating units (DHP) 52 and 54 for dehydration baking and an adhesion unit (AD) 56 are stacked in order from the bottom. Here, the pass unit (PASS) 50
Is used to transfer the substrate G to and from the scrubber cleaning unit (SCR) 42 side. Further, the downstream multi-stage unit (TB) 48 includes a substrate transfer pass unit (PASS) 60, a cooling unit (CL) 62,
64 and adhesion unit (AD) 66 are stacked in order from the bottom. Here, pass unit (PAS
S) 60 is for transferring the substrate G to and from the coating process unit 28 side.

【００２４】図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直
方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能
な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に
回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送
体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または
伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有して
いる。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６
が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送
体７２を旋回駆動するための駆動部７８が垂直搬送体７
０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するため
の駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。
各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構
成されてよい。As shown in FIG. 2, the transport mechanism 46 includes a vertically movable carrier 70 which can be vertically moved along a guide rail 68 extending in the vertical direction, and a rotation or rotation on the vertically movable carrier 70 in the θ direction. It has a rotatable carrier 72 and a carrier arm or tweezers 74 that can move forward and backward or extend and retract while supporting the substrate G on the carrier 72. A drive unit 76 for raising and lowering the elevation carrier 70
Is provided on the base end side of the vertical guide rail 68, and a drive unit 78 for driving the turning carrier 72 to rotate is provided on the vertical carrier 7.
A drive unit 80, which is attached to 0 and drives the transport arm 74 forward and backward, is attached to the rotary transport body 72.
Each drive unit 76, 78, 80 may be composed of, for example, an electric motor or the like.

【００２５】上記のように構成された搬送機構４６は、
高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部
（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可
能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板
Ｇを受け渡しできるようになっている。The transport mechanism 46 constructed as described above is
It is possible to move up and down or rotate at high speed to access an arbitrary unit in the multi-stage unit sections (TB) 44 and 48 on both sides, and to transfer the substrate G to and from the shuttle 40 on the auxiliary transfer space 38 side. .

【００２６】第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する
塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗
布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８
４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロ
セスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略す
るが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニッ
ト（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇ
を工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設
けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８
４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われ
るようになっている。The coating process unit 28 adjacent to the downstream side of the first thermal processing unit 26 has a resist coating unit (CT) 82 and a reduced pressure drying unit (VD) 8 as shown in FIG.
4 and the edge remover unit (ER) 86 are arranged in a line along the process line A. Although not shown, in the coating process unit 28, the substrate G is provided in these three units (CT) 82, (VD) 84, and (ER) 86.
A transport device is provided for loading and unloading the sheets one by one in the order of steps, and each unit (CT) 82, (VD) 8
4. In the (ER) 86, each process is performed on a substrate-by-substrate basis.

【００２７】塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第
２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同
様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に
縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後
尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロ
セスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（Ｔ
Ｂ）９２を設けている。The second thermal processing section 30 adjacent to the downstream side of the coating processing section 28 has the same structure as the first thermal processing section 26, and is located between both process lines A and B. Is provided with a vertical transfer mechanism 90, one multi-stage unit (TB) 88 is provided on the process line A side (last), and the other multi-stage unit (T) is provided on the process line B side (head).
B) 92 is provided.

【００２８】図示省略するが、たとえば、プロセスライ
ンＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基
板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、そ
の上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）
がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラ
インＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に
基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、
その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねら
れ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。Although not shown, for example, in the multi-stage unit section (TB) 88 on the process line A side, a substrate transfer pass unit (PASS) is placed at the bottom, and a pre-baking heating unit (PASS) is placed thereon. PREBAKE)
May be stacked in three layers, for example. In the multi-stage unit (TB) 92 on the process line B side, a substrate transfer pass unit (PASS) is placed at the bottom.
For example, a cooling unit (COL) is stacked on top of it, and a heating unit for pre-baking (PREBA) is placed on it.
KE) may for example be stacked in two layers.

【００２９】第２の熱的処理部３０における搬送機構９
０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれ
のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２
８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け
渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル
４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）
１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっ
ている。The transport mechanism 9 in the second thermal processing section 30.
0 indicates the coating process unit 2 via the respective pass units (PASS) of the multi-stage unit units (TB) 88, 92.
8 and the development process unit 32 and the substrate G can be delivered one by one, and also the shuttle 40 in the auxiliary transfer space 38 and an interface station (I / F) described later.
The substrate 18 can be handed over in a unit of 18.

【００３０】下流部のプロセスラインＢにおいて、現像
プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一
連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユ
ニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。この現像ユニット
（ＤＥＶ）９４の構成と作用は後で詳しく説明する。In the process line B on the downstream side, the developing process section 32 includes a so-called flat-flow developing unit (DEV) 94 which carries out a series of developing processing steps while transporting the substrate G in a horizontal posture. The structure and operation of the developing unit (DEV) 94 will be described later in detail.

【００３１】現像プロセス部３２の下流側には脱色プロ
セス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置され
る。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線
（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ
線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。A third thermal processing section 36 is arranged downstream of the developing process section 32 with a decolorizing process section 34 interposed therebetween. The decolorization processing unit 34 irradiates the surface to be processed of the substrate G with i-line (wavelength 365 nm) to perform the decolorization process.
A line UV irradiation unit (i-UV) 96 is provided.

【００３２】第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的
処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有し
ており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１０
０とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９
８，１０２を設けている。The third thermal processing section 36 has the same structure as the first thermal processing section 26 and the second thermal processing section 30, and is of a vertical type along the process line B. Transport mechanism 10
0 and a pair of multi-stage unit parts (TB) 9 on the front and back sides
8, 102 are provided.

【００３３】図示省略するが、たとえば、上流側の多段
ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット
（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の
加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ね
られてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１
０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却
用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が
１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニ
ット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。Although not shown, for example, a pass unit (PASS) is placed at the bottom of the multistage unit (TB) 98 on the upstream side, and a heating unit (POBAKE) for post-baking is provided on the pass unit (PASS). It may be stacked. In addition, the downstream multi-stage unit (TB) 1
02 has a post-baking unit (PO
BAKE) may be placed on top of which one pass / cooling unit (PASS / COL) for substrate transfer and cooling may be stacked, and two heating units (POBAKE) for post-baking may be stacked thereon.

【００３４】第３の熱的処理部３６における搬送機構１
００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパス
ユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット
（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユ
ニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション
（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだ
けでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板
Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。The transport mechanism 1 in the third thermal processing section 36
00 is an i-ray UV irradiation unit (i-UV) 96 and a cassette station (C / C) via a pass unit (PASS) and a pass cooling unit (PASS / COL) of both multi-stage unit sections (TB) 98 and 102, respectively. S) 14 and the substrate G can be delivered not only in the unit of one sheet, but also the substrate G can be delivered in the unit of one sheet with the shuttle 40 in the auxiliary transport space 38.

【００３５】インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１
８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行う
ための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッフア・ス
テージ（ＢＵＦ）１０５、エクステンション・クーリン
グステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６および周辺装置１
０７を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１
０５には定置型のバッファカセット（図示せず）が置か
れる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ
・ＣＯＬ）１０６は、冷却機能を備えた基板受け渡し用
のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１
６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置
１０７は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺
露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよ
い。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえ
ば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や
各ユニット（ＢＵＦ）１０５、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０
６、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１０７と基板Ｇの受け渡し
を行えるようになっている。Interface station (I / F) 1
8 has a transfer device 104 for exchanging the substrate G with the adjacent exposure device 12, around which a buffer stage (BUF) 105, an extension cooling stage (EXT / COL) 106 and a peripheral device 1 are provided.
07 is arranged. Buffer stage (BUF) 1
In 05, a stationary buffer cassette (not shown) is placed. Extension cooling stage (EXT
COL) 106 is a substrate transfer stage having a cooling function, and includes a process station (P / S) 1
It is used when exchanging the substrate G with the 6 side. The peripheral device 107 may have a structure in which, for example, a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are vertically stacked. The transfer device 104 has a means capable of holding the substrate G, for example, a transfer arm 104a, and is provided with an adjacent exposure device 12 and each unit (BUF) 105, (EXT.COL) 10.
6, (TITLER / EE) 107 and the substrate G can be transferred.

【００３６】図３に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ
／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上
の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部
２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬
入する（ステップＳ1）。FIG. 3 shows a processing procedure in this coating and developing processing system. First, the cassette station (C
/ S) 14, the transport mechanism 22 takes out one substrate G from the predetermined cassette C on the stage 20,
It is carried into the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 of the cleaning process section 24 of the process station (P / S) 16 (step S1).

【００３７】エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４
１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される
（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表
面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板
Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構
２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニッ
ト（ＳＣＲ）４２へ移される。Excimer UV irradiation unit (e-UV) 4
In 1 the substrate G is subjected to dry cleaning by UV irradiation (step S2). This ultraviolet cleaning mainly removes organic substances on the substrate surface. After the UV cleaning is completed, the substrate G is transferred to the scrubber cleaning unit (SCR) 42 of the cleaning process unit 24 by the transfer mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14.

【００３８】スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２で
は、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送
により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送
しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の
汚れを除去する（ステップＳ3）。なお、洗浄後も基板
Ｇを平流しで搬送しながらエアーナイフ等によって液切
りして、基板Ｇを乾燥させる。In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, the substrate G is brushed on the upper surface (processed surface) of the substrate G while being horizontally conveyed by the roller conveyance or the belt conveyance in the horizontal direction in the process line A direction as described above. By performing cleaning or blow cleaning, particulate dirt is removed from the substrate surface (step S3). After the cleaning, the substrate G is drained by an air knife or the like while being transported in a uniform flow to dry the substrate G.

【００３９】スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で
洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上
流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）５０に搬入される。The substrate G which has been cleaned in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is passed through the pass unit (P) in the upstream multi-stage unit (TB) 44 of the first thermal processing section 26.
ASS) 50.

【００４０】第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは
搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニット
を回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット
（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５
４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップ
Ｓ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６
２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷
却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒ
ージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化
処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了
後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１
つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。
最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に
属するパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に移される。In the first thermal processing section 26, the substrate G is rotated by a transfer mechanism 46 in a predetermined unit in a predetermined sequence. For example, the substrate G may be first processed from the pass unit (PASS) 50 to the heating unit (DHP) 52, 5
It is moved to one of 4 and undergoes dehydration treatment there (step S4). Next, the substrate G is cooled by the cooling unit (COL) 6
It is moved to one of the Nos. 2 and 64 and cooled there to a constant substrate temperature (Step S5). Thereafter, the substrate G is transferred to the adhesion unit (AD) 56, where it is subjected to a hydrophobic treatment (step S6). After the completion of the hydrophobic treatment, the substrate G is cooled by one of the cooling units (COL) 62, 64.
Then, it is cooled to a constant substrate temperature (step S7).
Finally, the substrate G is transferred to the pass unit (PASS) 50 belonging to the downstream multi-stage unit section (TB) 48.

【００４１】このように、第１の熱的処理部２６内で
は、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニ
ット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）
４８との間で任意に行き来できるようになっている。な
お、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の
基板搬送動作を行えるようになっている。As described above, in the first thermal processing section 26, the substrate G has the multi-stage unit section (TB) 44 on the upstream side and the multi-stage unit section (TB) on the downstream side via the transfer mechanism 46.
You can go back and forth between the 48 and the other. The second and third thermal processing units 30 and 36 can perform the same substrate transfer operation.

【００４２】第１の熱的処理部２６で上記のような一連
の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段
ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）
６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布
ユニット（ＣＴ）８２へ移される。The substrate G which has been subjected to the series of thermal or thermal processing as described above in the first thermal processing section 26 is a pass unit (PASS) in the downstream side multi-stage unit section (TB) 48.
From 60, it is moved to the resist coating unit (CT) 82 of the coating process unit 28 on the downstream side.

【００４３】基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８
２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理
面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾
燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、
次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８
６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれ
る（ステップＳ8）。The substrate G is a resist coating unit (CT) 8
In 2, the resist solution is applied to the upper surface (the surface to be processed) of the substrate by, for example, the spin coating method, and immediately after that, the vacuum drying unit (VD) 84 adjacent on the downstream side is subjected to the drying processing under reduced pressure,
Next to the downstream edge remover unit (ER) 8
In step 6, excess (unnecessary) resist on the peripheral portion of the substrate is removed (step S8).

【００４４】上記のようなレジスト塗布処理を受けた基
板Ｇは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４から隣の第２の
熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に
属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。The substrate G that has undergone the resist coating process as described above passes from the reduced pressure drying unit (VD) 84 to the pass unit (TB) 88 belonging to the upstream multi-stage unit (TB) 88 of the adjacent second thermal processing unit 30. PASS).

【００４５】第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬
送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを
回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット
（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１
つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受け
る（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット
（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで
冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流
側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡ
ＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェース
ステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・ク
ーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６へ受け渡さ
れる。In the second thermal processing section 30, the substrate G is rotated by the transfer mechanism 90 in a predetermined unit in a predetermined sequence. For example, the substrate G is the first from the pass unit (PASS) to the heating unit (PREBAKE).
And is subjected to baking after resist application (step S9). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL) and cooled there to a constant substrate temperature (step S10). Thereafter, the substrate G is transferred to the path unit (PA) on the downstream multi-stage unit (TB) 92 side.
It is transferred to the extension / cooling stage (EXT / COL) 106 on the side of the interface station (I / F) 18 via the SS) or not.

【００４６】インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１
８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリング
ステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６から周辺装置１０７
の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周
辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光
を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップ
Ｓ11）。Interface station (I / F) 1
8, the substrate G is moved from the extension / cooling stage (EXT / COL) 106 to the peripheral device 107.
Is carried into the peripheral exposure apparatus (EE), where it is exposed to remove the resist adhering to the peripheral portion of the substrate G during development, and then sent to the adjacent exposure apparatus 12 (step S11).

【００４７】露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所
定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光
を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースス
テーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ1
1）、先ず周辺装置１０７のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥ
Ｒ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情
報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエ
クステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯ
Ｌ）１０６に戻される。インタフェースステーション
（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１
２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行わ
れる。In the exposure device 12, a predetermined circuit pattern is exposed on the resist on the substrate G. Then, the substrate G that has undergone the pattern exposure is returned from the exposure device 12 to the interface station (I / F) 18 (step S1).
1) First, the peripheral device 107 Titler (TITLRE
R), where predetermined information is written on a predetermined portion on the substrate (step S12). After that, the substrate G is mounted on the extension / cooling stage (EXT / CO).
L) 106. Substrate G Transport and Exposure Apparatus 1 at Interface Station (I / F) 18
The transfer device 104 exchanges the substrate G with the substrate 2.

【００４８】プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６で
は、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエク
ステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）
１０６より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスライン
Ｂ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット
（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。In the process station (P / S) 16, the transfer mechanism 90 in the second thermal processing section 30 has the extension / cooling stage (EXT / COL).
The exposed substrate G is received from 106 and is transferred to the development process section 32 via the pass unit (PASS) in the multi-stage unit section (TB) 92 on the process line B side.

【００４９】現像プロセス部３２では、該多段ユニット
部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け
取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入す
る。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板Ｇはプロ
セスラインＢの下流に向って平流し方式で水平姿勢で搬
送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像
処理工程が行われる（ステップＳ13）。In the developing process section 32, the substrate G received from the pass unit (PASS) in the multi-stage unit section (TB) 92 is carried into the developing unit (DEV) 94. In the developing unit (DEV) 94, the substrate G is transported in the horizontal posture in the flat flow direction toward the downstream of the process line B, and a series of developing processing steps of developing, rinsing and drying are performed during the transportation (step S13). .

【００５０】現像プロセス部３２で現像処理を受けた基
板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこ
でｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。
脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上
流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）に受け渡される。The substrate G, which has been subjected to the development processing in the development processing section 32, is carried into the decolorization processing section 34 adjacent on the downstream side, where it is subjected to the decolorization processing by i-ray irradiation (step S14).
The substrate G that has been subjected to the decolorization treatment is passed through the pass unit (P) in the upstream multi-stage unit (TB) 98 of the third thermal treatment unit 36.
ASS).

【００５１】第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、
基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱
ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポス
トベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇ
は、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクー
リング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこ
で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３
の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１０
０によって行われる。In the third thermal processing section (TB) 98,
The substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) to one of the heating units (POBAKE), where it is post-baked (step S15). Next, the substrate G
Is transferred to the pass cooling unit (PASS COL) in the downstream multi-stage unit (TB) 102, where it is cooled to a predetermined substrate temperature (step S16). Third
The transfer of the substrate G in the thermal processing section 36 is performed by the transfer mechanism 10.
Performed by 0.

【００５２】カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側で
は、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクー
リング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処
理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板
Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ
1）。On the cassette station (C / S) 14 side, the transfer mechanism 22 transfers the substrate G from the pass cooling unit (PASS / COL) of the third thermal processing section 36 to which all the steps of coating / developing processing have been completed. The received substrate G is received and accommodated in any one of the cassettes C (step S
1).

【００５３】この塗布現像処理システム１０において
は、たとえば現像プロセス部３２の現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）９４に本発明を適用することができる。以下、図４
〜図２５を参照して本発明を現像ユニット（ＤＥＶ）９
４に適用した実施形態を説明する。In the coating and developing treatment system 10, for example, the developing unit (DE) of the developing process section 32 is used.
The present invention can be applied to V) 94. Below, FIG.
25 to 25, the present invention is applied to the developing unit (DEV) 9
An embodiment applied to No. 4 will be described.

【００５４】図４に、本発明の一実施形態による現像ユ
ニット（ＤＥＶ）９４内の全体構成を模式的に示す。こ
の現像ユニット（ＤＥＶ）９４は、プロセスラインＢに
沿って水平方向（Ｘ方向）に延在する連続的な搬送路１
０８を形成する複数たとえば６つのモジュールＭ1〜Ｍ6
を一列に連続配置してなる。FIG. 4 schematically shows the entire structure of the developing unit (DEV) 94 according to one embodiment of the present invention. The developing unit (DEV) 94 has a continuous transport path 1 extending in the horizontal direction (X direction) along the process line B.
08 forming a plurality of modules M1 to M6
Are continuously arranged in a line.

【００５５】これら６つのモジュールＭ1〜Ｍ6のうち、
最上流端に位置する１番目のモジュールＭ1は基板搬入
部１１０を構成し、２番目のモジュールＭ2は平流し間
隔調整部１１２を構成し、３番目のモジュールＭ2は現
像部１１４を構成し、４番目のモジュールＭ4はリンス
部１１６を構成し，５番目のモジュールＭ5は乾燥部１
１８を構成し、最後尾のモジュールＭ6は基板搬出部１
２０を構成している。Of these six modules M1 to M6,
The first module M1 located at the most upstream end constitutes the substrate loading section 110, the second module M2 constitutes the flat-flow interval adjusting section 112, the third module M2 constitutes the developing section 114, and The fifth module M4 constitutes the rinse section 116, and the fifth module M5 is the drying section 1
18, the module M6 at the end is the substrate unloading unit 1
Make up 20.

【００５６】基板搬入部１１０には、隣の基板搬送機構
（図示せず）から手渡される基板Ｇを水平姿勢で受け取
って搬送路１０８上に移載するための昇降可能な複数本
のリフトピン１２２が設けられている。基板搬出部１１
８にも、基板Ｇを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送機
構（図示せず）へ手渡すための昇降可能な複数本のリフ
トピン１２４が設けられている。The substrate carry-in section 110 is provided with a plurality of lift pins 122 that can move up and down to receive the substrate G handed from an adjacent substrate transfer mechanism (not shown) in a horizontal posture and transfer it onto the transfer path 108. It is provided. Substrate unloading section 11
8 is also provided with a plurality of lift pins 124 that can be raised and lowered to lift the substrate G in a horizontal posture and hand it to an adjacent substrate transfer mechanism (not shown).

【００５７】現像部１１４には、搬送路１０８上の基板
Ｇに対してディップ現像を施すための枠１２６および現
像液供給ノズル１２８を含む後述するディップ現像処理
部１３０が設けられている。リンス部１１６には、搬送
路１０８側にノズル吐出口を向け、搬送路１０８上の基
板にリンス液たとえば純水を供給するためのリンス液供
給ノズルＲＮが１個または複数個設けられている。乾燥
部１１８には、搬送路１０８に沿って基板Ｇに付着して
いる液（主にリンス液）を液切りするためのエアーナイ
フＥＮが搬送路１０８を挟んで一対または複数対設けら
れている。The developing section 114 is provided with a below-described dip developing processing section 130 including a frame 126 for performing dip development on the substrate G on the transport path 108 and a developing solution supply nozzle 128. The rinse section 116 is provided with one or a plurality of rinse liquid supply nozzles RN for directing a nozzle discharge port to the transport path 108 side and supplying a rinse liquid such as pure water to the substrate on the transport path 108. The drying unit 118 is provided with one or more pairs of air knives EN for draining the liquid (mainly the rinse liquid) adhering to the substrate G along the transport path 108 with the transport path 108 interposed therebetween. .

【００５８】現像部１１４およびリンス部１１６におい
ては、搬送路１０８の下に落ちた液を受け集めるための
パン１３２，１３４がそれぞれ設けられている。各パン
１３２，１３４の底には排液口が設けられ、そこに異な
る排液系統の排液管１３３，１３５が接続されている。The developing section 114 and the rinsing section 116 are provided with pans 132 and 134 for collecting the liquid that has fallen below the transport path 108, respectively. A drainage port is provided at the bottom of each pan 132, 134, and drainage pipes 133, 135 of different drainage systems are connected thereto.

【００５９】図５〜図８に、搬送路１０８および基板搬
入部１１０の構成を示す。5 to 8 show the structures of the transport path 108 and the substrate loading section 110.

【００６０】搬送路１０８は、回転可能なシャフト１３
６に所定の間隔を置いて固着された一対の搬送ローラ１
３８Ａ，１３８ＢをプロセスラインＢに沿って水平に敷
設してなるコロ搬送型の搬送路として構成されている。The transport path 108 includes the rotatable shaft 13
6, a pair of conveying rollers 1 fixed at a predetermined interval
38A and 138B are horizontally laid along the process line B to constitute a roller-conveyance type conveyance path.

【００６１】より詳細には、各モジュールＭの左右両側
壁の上部または軸脚部材１４０に軸受１４２Ａ，１４２
ＢがプロセスラインＢの方向に一定間隔で取り付けら
れ、搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂを左右両側壁の内側
に位置させるようにして各一対の軸受１４２Ａ，１４２
Ｂにシャフト１３６が回転可能に架け渡される。そし
て、各シャフト１３６の片側の軸受１４２Ａよりも外側
に延長する一端部にねじ歯車１４４が固着され、各シャ
フト１３６側の各ねじ歯車１４４にプロセスラインＢの
方向に延在する回転駆動シャフト１４６側の各ねじ歯車
１４８が直角方向から噛合する。回転駆動シャフト１４
６は電気モータ１５０の回転軸に結合されている。電気
モータ１５０が回転駆動シャフト１４６を所定方向に回
転駆動すると、その回転駆動力が回転シャフト１４６側
の各ねじ歯車１４８から搬送用シャフト１３６側のねじ
歯車１４４に伝動され、各シャフト１３６の搬送ローラ
１３８Ａ，１３８Ｂが所定方向（基板Ｇを搬送路１０８
の前方に送る方向）に回転するようになっている。More specifically, the bearings 142A, 142 are provided on the upper portions of the left and right side walls of each module M or the shaft leg member 140.
B is attached at a constant interval in the direction of the process line B, and the pair of bearings 142A, 142 are arranged so that the transport rollers 138A, 138B are located inside the left and right side walls.
The shaft 136 is rotatably mounted on B. A screw gear 144 is fixed to one end portion of each shaft 136 extending outward from the bearing 142A on one side, and a rotary drive shaft 146 side extending in the process line B direction is attached to each screw gear 144 on the shaft 136 side. The respective screw gears 148 of the above mesh with each other from the right angle direction. Rotary drive shaft 14
6 is coupled to the rotating shaft of the electric motor 150. When the electric motor 150 rotationally drives the rotary drive shaft 146 in a predetermined direction, the rotational driving force is transmitted from each screw gear 148 on the rotary shaft 146 side to the screw gear 144 on the transport shaft 136 side, and the transport rollers on each shaft 136. 138A and 138B move in a predetermined direction (the substrate G is transferred to the transport path 108).
It is designed to rotate in the direction of sending to the front).

【００６２】なお、この実施形態では、基本的には搬送
路１０８上で基板Ｇを略一定間隔で水平方向に搬送する
平流し方式を採りつつも、現像部１１４においてディッ
プ現像のために基板Ｇを局所的かつ一時的に静止または
停留させるため、上記のコロ搬送駆動系（１５０，１４
６，１４８，１４４）を現像部１１４とその前後の３つ
の区間に分割して、各区間におけるコロ搬送動作（速
度、停止等）を独立制御する構成が好ましい。In this embodiment, basically, a flat flow method is adopted in which the substrate G is horizontally transported at a substantially constant interval on the transport path 108, but the substrate G is used for dip development in the developing section 114. In order to locally or temporarily stop or stop the roller, the above-mentioned roller transport drive system (150, 14
6, 148, 144) is divided into the developing section 114 and three sections before and after the developing section 114, and the roller transport operation (speed, stop, etc.) in each section is preferably controlled independently.

【００６３】基板搬入部１１０において、基板受け渡し
用のリフトピン１２２は、搬送路１０８の下に水平に配
置された昇降板１５２に所定間隔で離散的に立設または
植設されている。この昇降板１５２の下には、たとえば
エアシリンダ（図示せず）を含む昇降駆動部１５４が設
置されている。In the substrate carry-in section 110, the lift pins 122 for delivering the substrate are discretely erected or planted at predetermined intervals on an elevating plate 152 horizontally arranged below the transfer path 108. Below the lift plate 152, a lift drive unit 154 including, for example, an air cylinder (not shown) is installed.

【００６４】図７に示すように、昇降駆動部１５４が昇
降板１５２を所定の高さに持ち上げると、リフトピン１
２２がシャフト１３６間の隙間を通って搬送路１０８の
上に突出し、その高さ位置で隣の基板搬送機構（図示せ
ず）から基板Ｇを水平姿勢で受け取ることができる。As shown in FIG. 7, when the lift drive unit 154 lifts the lift plate 152 to a predetermined height, the lift pins 1
22 protrudes above the transfer path 108 through the gap between the shafts 136, and at the height position thereof, the substrate G can be received in a horizontal posture from an adjacent substrate transfer mechanism (not shown).

【００６５】リフトピン１２２の上に基板Ｇが受け渡さ
れると、図８に示すように、昇降駆動部１５４が昇降板
１５２を原位置に降ろすことにより、その下降の途中で
基板Ｇの両端部（搬送路１０８の幅方向の両端部）が搬
送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂに載るようにして、基板Ｇ
は搬送路１０８上に水平姿勢で移載される。なお、各搬
送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂの外径は内側（シャフト中
心側）で一段細くなっており、この小径部１３９に基板
Ｇの一端部が載るようになっている。When the substrate G is transferred onto the lift pins 122, the lifting drive unit 154 lowers the lifting plate 152 to the original position as shown in FIG. The width of the transport path 108 (both ends in the width direction) is set on the transport rollers 138A and 138B, so that the substrate G
Are transferred in a horizontal posture on the transport path 108. The outer diameter of each of the transport rollers 138A and 138B is narrowed toward the inside (center side of the shaft), and one end of the substrate G is placed on the small diameter portion 139.

【００６６】図９〜図１２に現像部１１４におけるディ
ップ現像処理部１３０(1)の構成を示す。このディップ
現像処理部１３０(1)は、搬送路１０８上で基板Ｇの被
処理面に対して着脱式に外周壁を形成するための枠１２
６と、この枠１２６の中または内側で基板Ｇ上に現像液
Ｑを供給するための１本または複数本の現像液供給ノズ
ル１２８と、枠１２６を搬送路１０８上の基板Ｇに載置
するための枠載置機構１５２とを有する。9 to 12 show the construction of the dip development processing section 130 (1) in the development section 114. The dip development processing section 130 (1) is a frame 12 for detachably forming an outer peripheral wall on the surface to be processed of the substrate G on the transport path 108.
6, one or a plurality of developing solution supply nozzles 128 for supplying the developing solution Q onto the substrate G inside or inside the frame 126, and the frame 126 is placed on the substrate G on the transport path 108. And a frame mounting mechanism 152 for.

【００６７】枠１２６は、上面および下面が開口するた
とえば樹脂製の箱型板部材からなり、基板Ｇの周縁部ま
たは周辺部除外領域（非商品領域）上に載置可能な形
状、サイズおよび板厚を有している。枠１２６には、た
とえば左右幅方向の両側面にフランジ部１２６ａが形成
され、各フランジ部１２６ａに１本または複数本の垂直
支持ロッド１５４の下端部が固着されている。各垂直支
持ロッド１５４の上端部は枠載置機構１５２内のアクチ
エータたとえばエアシリンダのピストンロッド（図示せ
ず）に結合されている。該エアシリンダのピストンロッ
ドが前進（または後退）すると、垂直支持ロッド１５４
を介して枠１２６が下降（または上昇）するようになっ
ている。枠載置機構１５２は、枠１２６を垂直支持ロッ
ド１５４を介して水平に支持しつつ、搬送路１０８上の
基板Ｇから上方に離間する第１の高さ位置（図９、図１
０）と搬送路１０８上の基板Ｇに載置される第２の高さ
位置（図１１、図１２）との間で昇降移動させるように
なっている。第２の高さ位置では枠１２６を基板Ｇに密
着させて載置するのが好ましく、枠載置機構１５２が枠
１２６を基板Ｇに弾力的に押圧するためのバネ部材を備
えていてもよい。The frame 126 is made of, for example, a resin-made box-shaped plate member whose upper and lower surfaces are open, and has a shape, size, and plate that can be placed on the peripheral portion of the substrate G or the peripheral exclusion region (non-product region). Have a thickness. Flange portions 126a are formed on both side surfaces in the left-right width direction of the frame 126, and the lower end portions of one or a plurality of vertical support rods 154 are fixed to each flange portion 126a. The upper end of each vertical support rod 154 is connected to an actuator in the frame mounting mechanism 152, for example, a piston rod (not shown) of an air cylinder. When the piston rod of the air cylinder advances (or retracts), the vertical support rod 154
The frame 126 descends (or rises) via the. The frame placement mechanism 152 supports the frame 126 horizontally via the vertical support rods 154, and at a first height position (FIGS. 9 and 1) that is upwardly separated from the substrate G on the transport path 108.
0) and the second height position (FIGS. 11 and 12) placed on the substrate G on the transfer path 108. At the second height position, the frame 126 is preferably placed in close contact with the substrate G, and the frame placement mechanism 152 may include a spring member for elastically pressing the frame 126 against the substrate G. .

【００６８】なお、現像部１１４では、枠１２６を搬送
路１０８上の基板Ｇに正しく載置するために、搬送路１
０８上を上流側から搬送されてきた基板Ｇを所定位置つ
まり枠１２６の真下の位置で停止ないし静止させる必要
がある。後述するように、搬送路１０８上で基板Ｇが現
像部１１４内の所定位置に差し掛かると、所定の位置セ
ンサ（図２３）が基板Ｇを検出し、該センサより出力さ
れる信号に応動して搬送駆動系の制御部が少なくとも当
該区間内の全ての搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂの回転
を止めて、基板Ｇを該所定位置で停止させるようになっ
ている。In the developing section 114, in order to properly place the frame 126 on the substrate G on the transport path 108, the transport path 1
It is necessary to stop or stop the substrate G conveyed from the upstream side on the 08 at a predetermined position, that is, a position directly below the frame 126. As will be described later, when the substrate G reaches a predetermined position in the developing unit 114 on the transport path 108, a predetermined position sensor (FIG. 23) detects the substrate G and responds to a signal output from the sensor. The control unit of the transport drive system stops the rotation of at least all the transport rollers 138A and 138B in the section to stop the substrate G at the predetermined position.

【００６９】現像液供給ノズル１２８は、現像液供給管
１５６を介してたとえば現像液容器およびポンプ等から
なる現像液供給源（図示せず）に接続されており、下向
きの吐出口１２８より搬送路１０８側に向けて現像液を
扇状に噴射するようになっている。現像液供給管１５６
の途中に開閉弁（図示せず）が設けられ、現像ユニット
（ＤＥＶ）９４内の各部を統括制御するためのコントロ
ーラ（図示せず）により該開閉弁の開閉制御が行われて
よい。The developing solution supply nozzle 128 is connected via a developing solution supply pipe 156 to a developing solution supply source (not shown) composed of, for example, a developing solution container and a pump, and a conveying path from the downward discharge port 128. The developing solution is sprayed in a fan shape toward the 108 side. Developer supply pipe 156
An opening / closing valve (not shown) may be provided in the middle of the process, and the opening / closing control of the opening / closing valve may be performed by a controller (not shown) for centrally controlling each unit in the developing unit (DEV) 94.

【００７０】次に、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４に
おける作用を説明する。基板搬入部１１０は、図７およ
び図８について上述したように、隣の基板搬送機構（図
示せず）から基板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１０
８に移載する。搬送路１０８を構成する搬送用シャフト
１３６の搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂは上記したよう
に回転駆動シャフト１４６、ねじ歯車１４８，１４４等
の伝動機構を介して電気モータ１５０の回転駆動力で回
転しているため、搬送路１０８に載った基板Ｇは直ちに
隣の平流し間隔調整部１１２へ向けて搬送される。Next, the operation of the developing unit (DEV) 94 will be described. As described above with reference to FIGS. 7 and 8, the substrate loading unit 110 receives the substrates G in units of one sheet from the adjacent substrate transport mechanism (not shown) and transports the transport path 10.
Reprinted in 8. The transport rollers 138A, 138B of the transport shaft 136 constituting the transport path 108 are rotated by the rotational drive force of the electric motor 150 via the transmission drive mechanism such as the rotary drive shaft 146 and the screw gears 148, 144 as described above. Therefore, the substrate G placed on the transport path 108 is immediately transported to the adjacent flat-flow interval adjusting unit 112.

【００７１】平流し間隔調整部１１２において、基板Ｇ
は、特に処理を受けることなく、所定の時間をかけて、
つまり現像部１１２でディップ現像を受けている１つ前
の基板Ｇの直ぐ後にジャスト・イン・タイムで追い付く
ように（図１３）、搬送路１０８上を現像部１１２へ向
けて搬送される。In the flat flow interval adjusting unit 112, the substrate G
Takes a certain amount of time without undergoing any special treatment,
That is, it is conveyed toward the developing unit 112 on the conveying path 108 so as to catch up just in time immediately after the immediately preceding substrate G undergoing the dip development in the developing unit 112 (FIG. 13).

【００７２】当該基板Ｇが現像部１１２に到着すると、
上記したように位置センサ２００（図２３）が該基板Ｇ
を検出し、そのタイミングで当該区間内の全ての搬送ロ
ーラ１３８Ａ，１３８Ｂが回転を止めることにより、基
板Ｇは搬送路１０８上の所定位置で静止する（図９、図
１０）。When the substrate G reaches the developing section 112,
As described above, the position sensor 200 (FIG. 23) is connected to the substrate G.
Is detected, and at that timing, all the transport rollers 138A and 138B in the section stop rotating, so that the substrate G stands still at a predetermined position on the transport path 108 (FIGS. 9 and 10).

【００７３】直後に、枠載置機構１５２が作動して、枠
１２６を第２の高さ位置（載置位置）まで降ろす。そう
すると、直下の搬送路１０８上の所定位置に基板Ｇが停
止しているため、枠１２６が基板Ｇの周縁部に位置決め
して載置される。こうして、基板Ｇの周縁部に載置され
た枠１２６により、基板Ｇの被処理面の回りに外周壁が
形成される。Immediately after that, the frame mounting mechanism 152 operates to lower the frame 126 to the second height position (mounting position). Then, since the substrate G is stopped at a predetermined position on the transport path 108 immediately below, the frame 126 is positioned and placed on the peripheral edge of the substrate G. In this way, the outer peripheral wall is formed around the surface to be processed of the substrate G by the frame 126 placed on the peripheral portion of the substrate G.

【００７４】次いで、現像液供給部が作動して、現像液
供給ノズル１２８が枠１２６の中で現像液Ｑを噴射する
（図１１、図１２）。こうして現像液供給ノズル１２８
より噴射された現像液Ｑは、基板Ｇの被処理面上で四方
に拡散し、枠１２６の中で水深のほぼ均一な液溜りを形
成する。現像液供給部は、枠１２６内の現像液Ｑの水深
が所定値に達する頃合に現像液Ｑの供給を止めてよい。
あるいは、枠１２６の底から現像液Ｑが外へ漏れるよう
であれば、現像液Ｑの供給を継続してもよい。基板Ｇの
外へ漏れた現像液Ｑは搬送路１０８の下に落下して、現
像液パン１３２に受け集められる。Then, the developing solution supply section is activated and the developing solution supply nozzle 128 sprays the developing solution Q in the frame 126 (FIGS. 11 and 12). Thus, the developer supply nozzle 128
The sprayed developer Q spreads in all directions on the surface to be processed of the substrate G, and forms a liquid pool having a substantially uniform water depth in the frame 126. The developer supply unit may stop the supply of the developer Q when the water depth of the developer Q in the frame 126 reaches a predetermined value.
Alternatively, if the developer Q leaks out from the bottom of the frame 126, the supply of the developer Q may be continued. The developer Q that has leaked to the outside of the substrate G falls below the transport path 108 and is collected in the developer pan 132.

【００７５】このように搬送路１０８上で基板Ｇの被処
理面が枠１２６の中で現像液Ｑにどっぷり浸かること
で、ディップ現像が実施される。そして、所定時間が経
過すると、枠載置機構１５２が枠１２６を基板Ｇから取
り払うべく第１の位置または退避位置（図９、図１０）
へ上昇させる。枠１２６が基板Ｇから取り払われると、
枠１２６内の現像液Ｑは外周壁が無くなるために基板Ｇ
の外（四方）へ流れ落ち、現像液パン１３２に受け集め
られる。As described above, the surface to be processed of the substrate G is fully immersed in the developing solution Q in the frame 126 on the transport path 108, whereby the dip development is carried out. Then, after a lapse of a predetermined time, the frame mounting mechanism 152 removes the frame 126 from the substrate G in the first position or the retracted position (FIGS. 9 and 10).
Raise to. When the frame 126 is removed from the substrate G,
Since the developing solution Q in the frame 126 has no outer peripheral wall,
To the outside (four directions) of the developing solution and is collected in the developing solution pan 132.

【００７６】上記のようにして枠１２６が基板Ｇから取
り払われた後に、現像部１１４回りのコロ搬送区間に属
する搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂが回転動作を再開す
ることにより、基板Ｇは搬送路１０８に乗ってリンス部
１１６に搬入される。なお、図１３に示すように、現像
部１１４で当該基板Ｇに対するディップ現像が終了した
頃には、後続の基板Ｇが平流し間隔調整部１１２の終端
部付近に到着しており、１つ前の基板Ｇはリンス部１１
６でリンス処理を終えているか、あるいは乾燥部１１８
へ搬入されている。After the frame 126 is removed from the substrate G as described above, the transport rollers 138A and 138B belonging to the roller transport section around the developing unit 114 restart the rotation operation, so that the substrate G is transported to the transport path 108. It is carried on to the rinse unit 116. As shown in FIG. 13, when the developing unit 114 completes the dip development for the substrate G, the succeeding substrate G arrives near the end of the flat-flow interval adjusting unit 112, and the previous one Substrate G is rinse part 11
6 has finished the rinsing process, or the drying unit 118
Have been brought in.

【００７７】リンス部１１６では、搬送路１０８に乗っ
て下流側へ移動する基板Ｇに向けてリンス液供給ノズル
ＲＮがリンス液たとえば純水を吹き付ける。こうして、
基板Ｇ上で現像液Ｑがリンス液に置換されることで、現
像が停止する。基板Ｇの外に落ちたリンス液は、搬送路
１０８の下に設置されているリンス液パン１３４に受け
集められる。なお、基板Ｇの裏面を洗浄するためのリン
ス液供給ノズル（図示せず）を搬送路１０８の下に設け
てもよい。In the rinse section 116, the rinse liquid supply nozzle RN sprays the rinse liquid, for example, pure water, onto the substrate G which moves on the transport path 108 and moves to the downstream side. Thus
The development is stopped by replacing the developing solution Q with the rinsing solution on the substrate G. The rinse liquid that has fallen outside the substrate G is collected in the rinse liquid pan 134 that is installed below the transport path 108. A rinse liquid supply nozzle (not shown) for cleaning the back surface of the substrate G may be provided below the transport path 108.

【００７８】リンス部１１６で上記のようなリンス工程
を終えた基板Ｇは、搬送路１０８に乗って乾燥部１１８
に搬入される。乾燥部１１８では、図４に示すように搬
送路１０８上を搬送される基板Ｇに対して所定位置に設
置した上下のエアーナイフＥＮより基板上面（被処理
面）および裏面にナイフ状の鋭利な気体流たとえばエア
ーを当てることにより、基板Ｇに付着している液（主に
リンス液）を基板後方へ払い落す（液切りする）。The substrate G, which has been subjected to the above-described rinsing process in the rinsing unit 116, rides on the transport path 108 and is dried in the drying unit 118.
Be delivered to. In the drying unit 118, as shown in FIG. 4, the upper and lower air knives EN installed at a predetermined position with respect to the substrate G transported on the transport path 108 have knife-shaped sharp edges on the upper surface (processed surface) and the back surface of the substrate. By applying a gas flow such as air, the liquid (mainly the rinse liquid) adhering to the substrate G is blown off (removed) to the rear of the substrate.

【００７９】乾燥部１１８で液切りされた基板Ｇはその
まま搬送路１０８に乗って基板搬出部１２０に送られ
る。基板搬出部１２０は、基板搬入部１１０と同様の構
成を有しており、基板搬送方向が搬入と搬出とで反対に
なるだけで基板搬入部１１０と同様に動作する。つま
り、基板受け渡し用のリフトピン１２４を搬送路１０８
よりも低い位置に待機させて基板Ｇが上流側（乾燥部１
１８）から流れてくるのを待ち、基板Ｇがリフトピン１
２４の直上の所定位置に着いたならリフトピン１２４を
上方へ突き上げて基板Ｇを水平姿勢で持ち上げ、隣の基
板搬送機構（図示せず）へ渡す。The substrate G drained by the drying unit 118 is sent to the substrate unloading unit 120 along the transport path 108 as it is. The substrate carry-out unit 120 has the same configuration as the substrate carry-in unit 110, and operates in the same manner as the substrate carry-in unit 110 except that the substrate carrying directions are opposite between carrying-in and carrying-out. That is, the lift pins 124 for transferring the substrate are connected to the transport path 108.
The substrate G on the upstream side (drying unit 1
18) Waiting for the flow from the substrate G to lift pin 1
When it reaches a predetermined position immediately above 24, the lift pins 124 are pushed up to lift the substrate G in a horizontal posture, and the substrate G is transferred to an adjacent substrate transfer mechanism (not shown).

【００８０】この実施形態では、現像部１１２において
上記のようなディップ現像を終了した後に、基板Ｇ上に
残っている現像液を現像部１１２内で液切りするのが好
ましい。この種の液切り手段として、たとえば現像部１
１４とリンス部１１６との境界付近に図１４に示すよう
なエアーナイフ機構を設けることができる。図１４にお
いて、エアーナイフＦＮは、搬送路１０８の幅方向で基
板Ｗの端から端まで延在する無数のエアー吐出口または
スリット状のエアー吐出口を有しており、所定の位置で
傍（直下）を通過する基板Ｇに対してナイフ状の鋭利な
気体流（通常は空気流または窒素ガス流）を当てる。こ
れにより、基板ＧがエアーナイフＦＮを通過する間に基
板上の現像液Ｑが基板後端側へ掃き寄せられるようにし
て基板の外へ払い落とされる。In this embodiment, it is preferable to drain the developing solution remaining on the substrate G in the developing section 112 after completing the dip development as described above in the developing section 112. As this type of liquid draining means, for example, the developing unit 1
An air knife mechanism as shown in FIG. 14 may be provided in the vicinity of the boundary between 14 and the rinse portion 116. In FIG. 14, the air knife FN has a myriad of air ejection openings or slit-shaped air ejection openings that extend from one end of the substrate W to the other in the width direction of the transfer path 108, and is located near a predetermined position ( A sharp knife-like gas flow (usually an air flow or a nitrogen gas flow) is applied to the substrate G passing immediately below. As a result, while the substrate G passes through the air knife FN, the developing solution Q on the substrate is swept up to the rear end side of the substrate and is wiped out of the substrate.

【００８１】このように、基板Ｇ上の残存現像液を現像
部１１２内で液切りすることで、リンス部１１６へ現像
液が持ち込まれる割合が低くなり、処理液の分別回収率
を高めることができる。また、リンス部１１６では、液
切りされた直後の基板Ｇにリンス液を供給するので、リ
ンス液への置換（現像停止）を速やかに行える。As described above, by draining the residual developing solution on the substrate G in the developing section 112, the ratio of the developing solution carried into the rinse section 116 is lowered, and the fractional recovery rate of the processing solution can be increased. it can. Further, since the rinse liquid is supplied to the substrate G immediately after being drained in the rinse unit 116, the replacement with the rinse liquid (development stop) can be performed quickly.

【００８２】上記した実施形態のディップ現像処理部１
３０(1)では、搬送路１０８上の基板Ｇに対して比較的
上方の位置に設置された現像液供給ノズル１２６より下
向き扇状に現像液を噴射させて枠１２６の内側の基板被
処理面上にディップ現像用の現像液の液溜りを形成し
た。Dip development processing section 1 of the above-described embodiment
In 30 (1), the developing solution is sprayed downward in a fan shape from the developing solution supply nozzle 126 installed at a relatively upper position with respect to the substrate G on the transfer path 108, and the surface to be processed inside the frame 126 is processed. A pool of developing solution for dip development was formed on.

【００８３】枠１２６内に同様の現像液溜りを形成する
ための一変形例として、図１５に示すように、枠１２６
の内壁面に沿って延在する現像液噴射／吸引管１６０を
設ける構成も可能である。この現像液噴射／吸引管１６
０の内側面には一定間隔で多数のノズル口１６０ａが横
向きに形成されている。この現像液噴射／吸引管１６０
ａは枠１２６の外で、図１６に示すように、たとえば３
方口弁からなる切替弁１６２を介して現像液供給源側の
現像液供給管１６４またはバキューム式現像液回収部側
のエジェクト管１６６に選択的に連通するようになって
いる。As a modification for forming a similar developer reservoir in the frame 126, as shown in FIG.
It is also possible to provide a developer injection / suction tube 160 extending along the inner wall surface of the. This developer injection / suction tube 16
A large number of nozzle openings 160a are laterally formed at regular intervals on the inner side surface of 0. This developer injection / suction tube 160
a is outside the frame 126 and is, for example, 3 as shown in FIG.
It is adapted to selectively communicate with the developing solution supply pipe 164 on the developing solution supply source side or the eject tube 166 on the vacuum type developing solution recovery section side through a switching valve 162 formed of a directional valve.

【００８４】ディップ現像を行うために枠１２６内に現
像液を供給する時は、切替弁１６２が現像液供給管１６
４側に切り替えられ、現像液供給源からの現像液が現像
液噴射／吸引管１６０の各ノズル口１２８ａより噴射さ
れる。ディップ現像を終了する時は、切替弁１６２がエ
ジェクト管１６６側に切り替えられ、枠１２６内の現像
液が現像液噴射／吸引管１６０の各ノズル口１２８ａよ
り吸引され、エジェクト管１６６を通って現像液回収部
へ回収される。このように、ディップ現像の終了後に枠
１２６内で現像液の回収と液切りを同時に行うことがで
きる。When the developing solution is supplied into the frame 126 for the dip development, the switching valve 162 causes the developing solution supply pipe 16 to move.
It is switched to the 4 side, and the developing solution from the developing solution supply source is ejected from each nozzle port 128a of the developing solution ejecting / suction tube 160. When ending the dip development, the switching valve 162 is switched to the eject pipe 166 side, the developing solution in the frame 126 is sucked from each nozzle port 128a of the developing solution jetting / suction tube 160, and the developing solution passes through the eject tube 166. It is recovered in the liquid recovery section. In this way, after completion of the dip development, the developer can be collected and drained in the frame 126 at the same time.

【００８５】なお、現像液噴射／吸引管１６０は、枠１
２６に一体的に取付されてもよく、枠１２６と分離可能
な別体でもよい。また、現像液供給用のノズルと現像液
吸引（回収）用のノズルとを使い分ける方式も可能であ
る。また、枠１２６の内壁に超音波振動子（図示せず）
を取り付け、ディップ現像時に該超音波振動子により枠
１２６内の現像液溜りに振動を与えることにより、現像
液の淀みを防止して、現像処理の均一性を向上させるこ
とができる。また、枠１２６内の現像液溜りを周囲の気
流から遮蔽するために枠１２６に上蓋（図示せず）を取
付する構成も可能である。The developing solution jetting / suction tube 160 has a frame 1
It may be integrally attached to the frame 26, or may be a separate body that can be separated from the frame 126. Further, it is possible to use a method of selectively using a nozzle for supplying a developing solution and a nozzle for sucking (recovering) the developing solution. Further, an ultrasonic transducer (not shown) is provided on the inner wall of the frame 126.
Is attached to the container, and the ultrasonic vibrator vibrates the developer pool in the frame 126 during dip development, whereby the stagnation of the developer can be prevented and the uniformity of the development process can be improved. Further, it is possible to adopt a configuration in which an upper lid (not shown) is attached to the frame 126 in order to shield the developer pool in the frame 126 from the surrounding air flow.

【００８６】図１７〜図１９に、別の実施形態における
ディップ現像処理部１３０(2)の要部の構成を示す。17 to 19 show the construction of the main part of the dip development processing section 130 (2) in another embodiment.

【００８７】この実施形態のディップ現像処理部１３０
(2)では、現像部１１４内に設定された搬送路１０８上
のディップ現像区間Ｋにおいて、各搬送用シャフト１３
６が伝動歯車１４４側の原動シャフト１３６ａと搬送ロ
ーラ（１３８Ａ，１３８Ｂ）側の従動シャフト１３６ｂ
とに分断され、両シャフト１３６ａ，１３６ｂが噛み合
わせ式のクラッチ１７０を介して着脱自在に連結される
構成が採られている。The dip development processing section 130 of this embodiment
In (2), in the dip developing section K on the conveying path 108 set in the developing unit 114, each conveying shaft 13
6 is a driving shaft 136a on the side of the transmission gear 144 and a driven shaft 136b on the side of the conveying rollers (138A, 138B).
The shafts 136a and 136b are separated from each other, and the shafts 136a and 136b are detachably connected to each other via a meshing clutch 170.

【００８８】従動シャフト１３６ｂは、両搬送ローラ１
３８Ａ，１３８Ｂの軸方向外側に設けられた一対の軸受
１７２Ａ，１７２Ｂに回転可能に支持される。各軸受１
７２Ａ，１７２Ｂは、搬送路１０８と平行に真上に横設
された水平支持部材１７４に垂直支持棒１７６を介して
支持されている。より詳細には、各軸受１７２Ａ，１７
２Ｂに垂直支持棒１７６の下端部が固着され、垂直支持
棒１７６の上端部が水平支持部材１７４の側面にピンま
たはボルト１７８で固定される。各水平支持部材１７４
には、その上方に逆さに取付されているシリンダ１８０
のピストン軸１８０ａが結合されている。The driven shaft 136b is used for the both transport rollers 1.
38A and 138B are rotatably supported by a pair of bearings 172A and 172B provided on the outer side in the axial direction. Each bearing 1
72A and 172B are supported via a vertical support rod 176 by a horizontal support member 174 provided right above in parallel with the transport path 108. More specifically, each bearing 172A, 17
The lower end portion of the vertical support rod 176 is fixed to 2B, and the upper end portion of the vertical support rod 176 is fixed to the side surface of the horizontal support member 174 with a pin or bolt 178. Each horizontal support member 174
The cylinder 180 mounted upside down
Is connected to the piston shaft 180a.

【００８９】かかる構成において、クラッチ１７０をク
ラッチ駆動部（図示せず）によりオンにして原動シャフ
ト１３６ａと従動シャフト１３６ｂとを連結していると
きは、電気モータ１５０（図５，図６）の回転駆動力が
回転駆動シャフト１４６、ねじ歯車１４８、１４４、原
動シャフト１３６ａ、クラッチ１７０および従動シャフ
ト１３６ｂを介して両搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂに
伝えられる。したがって、搬送路１０８上で、基板Ｇ
は、上流側からディップ現像区間Ｋにスムースに入るこ
とができ、ディップ現像区間Ｋから下流側へスムースに
出ていくことができるようになっている。In such a configuration, when the clutch 170 is turned on by the clutch driving unit (not shown) to connect the driving shaft 136a and the driven shaft 136b, the electric motor 150 (FIGS. 5 and 6) rotates. The driving force is transmitted to both the transport rollers 138A and 138B via the rotary drive shaft 146, the screw gears 148 and 144, the driving shaft 136a, the clutch 170 and the driven shaft 136b. Therefore, on the transport path 108, the substrate G
Can smoothly enter the dip developing section K from the upstream side, and can smoothly exit from the dip developing section K to the downstream side.

【００９０】しかし、クラッチ１７０をオフにして原動
シャフト１３６ａから従動シャフト１３６ｂを切り離す
と、電気モータ１５０からの回転駆動力がクラッチ１７
０で絶ち切られ、従動シャフト１３６ｂには伝わらなく
なる。この状態の下で、シリンダ１８０を駆動してピス
トン軸１８０ａを所定距離だけ前進または往動させる
と、ピストン軸１８０ａと一体に水平支持部材１７４が
下降し、水平支持部材１７４に垂直支持棒２０８を介し
てぶら下がっている各搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂも
搬送路１０８の標準高さレベルから下降または落下する
ようになっている。However, when the clutch 170 is turned off to disconnect the driven shaft 136b from the driving shaft 136a, the rotational driving force from the electric motor 150 is applied to the clutch 17.
It will be cut off at 0 and will not be transmitted to the driven shaft 136b. Under this condition, when the cylinder 180 is driven to move the piston shaft 180a forward or backward by a predetermined distance, the horizontal support member 174 descends integrally with the piston shaft 180a, and the vertical support rod 208 is attached to the horizontal support member 174. Each of the transport rollers 138A and 138B hanging through the transport rollers 138A and 138B is also lowered or dropped from the standard height level of the transport path 108.

【００９１】この実施形態において、現像部１１４内の
搬送路１０８の下には現像液槽１８２が設けられてお
り、上記のようにシリンダ１８０の往動によりディップ
現像区間Ｋの搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂを下降また
は落下させると、図１９に示すように、それらの搬送ロ
ーラ１３８Ａ，１３８Ｂが現像液槽１８２の中にどっぷ
りと浸かるようになっている。したがって、ディップ現
像区間Ｋの搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂ上に基板Ｇを
停止または静止させているときは、該基板Ｇも一緒に現
像液槽１８２に浸かるようになっている。In this embodiment, the developer tank 182 is provided below the conveying path 108 in the developing section 114, and the conveying rollers 138A and 138B in the dip developing section K are moved by the forward movement of the cylinder 180 as described above. 19 is lowered or dropped, the conveying rollers 138A and 138B are soaked in the developer tank 182 as shown in FIG. Therefore, when the substrate G is stopped or stopped on the transport rollers 138A and 138B in the dip developing section K, the substrate G is also immersed in the developer tank 182 together.

【００９２】ディップ現像の終了後は、シリンダ１８０
を復動させることにより、ピストン軸１８０ａと一体に
水平支持部材１７４が上昇し、水平支持部材１７４にぶ
らさがっている各搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂが搬送
路１０８の高さ位置に戻るようになっている（図１７、
図１８）。そして、ディップ現像区間Ｋ内の搬送路１０
８または搬送ローラ１３８列が水平状態に戻った後に、
クラッチ１７０をオンにして従動シャフト１３６ｂを原
動シャフト１３６ａに連結させればよい。なお、原動シ
ャフト１３６ａはネジ歯車１４４の軸方向外側に設置さ
れた軸受部１１８１に支持されてよい（図１８）。After completion of the dip development, the cylinder 180
By moving back, the horizontal support member 174 rises integrally with the piston shaft 180a, and the respective transport rollers 138A and 138B hanging on the horizontal support member 174 return to the height position of the transport path 108. (Fig. 17,
(Fig. 18). Then, the transport path 10 in the dip developing section K
8 or the transport roller 138 row returns to the horizontal state,
The clutch 170 may be turned on to connect the driven shaft 136b to the driving shaft 136a. The drive shaft 136a may be supported by a bearing portion 1181 installed on the axially outer side of the screw gear 144 (FIG. 18).

【００９３】現像液槽１８２の底には廃液口１８２ａが
設けられており、この廃液口１８２ａより使用済みの現
像液Ｑを開閉弁１８４および排液管１８６を介して随時
排出できるようになっている。一方で、現像液供給源
（図示せず）からの現像液供給管１８８より新規の現像
液Ｑを現像液槽１８２内に随時補給できるようになって
いる。また、現像液槽１８２の底部に１個または複数個
の超音波振動子１８９を設けており、ディップ現像中に
該超音波振動子１８９により現像液を振動させることに
より、基板Ｇの被処理面における現像処理の面内均一性
を高めるようにしている。A drain port 182a is provided at the bottom of the developer tank 182, and the used developer Q can be discharged from the drain port 182a at any time via the open / close valve 184 and the drain pipe 186. There is. On the other hand, a new developing solution Q can be replenished into the developing solution tank 182 at any time through a developing solution supply pipe 188 from a developing solution supply source (not shown). Further, one or a plurality of ultrasonic vibrators 189 are provided at the bottom of the developing solution tank 182, and the ultrasonic vibrator 189 vibrates the developing solution during dip development, so that the surface to be processed of the substrate G is processed. The in-plane uniformity of the developing process is improved.

【００９４】図２０および図２１に、別の実施形態にお
けるディップ現像処理部１３０(3)の要部の構成を示
す。この実施形態では、２番目のモジュールＭ2と３番
目のモジュールＭ3とで現像部１１４を構成し、平流し
間隔調整部１１２（図４）を省いている。このディップ
現像処理部１３０(3)では、図２１に示すように、たと
えば枠１２６の左右側面に形成されたフランジ１２６ａ
に着脱自在に係合可能な一対または複数対のアーム１９
２を有する枠ハンドリング機構１９０が現像部１１４
（Ｍ2，Ｍ3）の搬送路１０８の上方に設けられる。20 and 21 show the structure of the main part of the dip development processing section 130 (3) in another embodiment. In this embodiment, the second module M2 and the third module M3 constitute the developing section 114, and the flat flow interval adjusting section 112 (FIG. 4) is omitted. In this dip development processing section 130 (3), as shown in FIG. 21, for example, flanges 126a formed on the left and right side surfaces of the frame 126.
A pair or a plurality of pairs of arms 19 which can be detachably engaged with the arm 19
The frame handling mechanism 190 including the developing unit 114
It is provided above the conveyance path 108 of (M2, M3).

【００９５】枠ハンドリング機構１９０は、現像部１１
４の前段（Ｍ2）に基板Ｇが搬入されて搬送路１０８上
の所定位置で停止すると、その直上からアーム１９２に
より枠１２６を降ろして上記実施形態のディップ現像処
理部１３０(3)と同様に基板Ｇの周縁部に枠１２６を載
置して外周壁を形成する。その直後に、やはり上記ディ
ップ現像処理部１３０(3)と同様に、現像液供給ノズル
１２８より枠１２６内に現像液を供給して現像液の液溜
りを形成する。ここで、枠ハンドリング機構１９０が枠
１２６からアーム１９２をいったん離すと同時に、現像
部１１４回りのコロ搬送駆動系が作動して基板Ｇを搬送
路１０８上の下流側へ移動させる。これにより、搬送路
１０８で基板Ｇを下流側へ移動させながら、基板Ｇの被
処理面を枠１２６内の現像液溜りに浸漬させて、ディッ
プ現像を実施することができる。The frame handling mechanism 190 includes the developing unit 11
When the substrate G is carried into the front stage (M2) of No. 4 and stopped at a predetermined position on the transfer path 108, the frame 126 is lowered by the arm 192 from just above and the same as the dip development processing section 130 (3) of the above-described embodiment. A frame 126 is placed on the peripheral portion of the substrate G to form an outer peripheral wall. Immediately thereafter, similarly to the dip development processing section 130 (3), the developing solution is supplied from the developing solution supply nozzle 128 into the frame 126 to form a pool of the developing solution. At this time, the frame handling mechanism 190 once separates the arm 192 from the frame 126, and at the same time, the roller transport drive system around the developing unit 114 operates to move the substrate G to the downstream side on the transport path 108. As a result, the surface to be processed of the substrate G can be immersed in the developer pool in the frame 126 while the substrate G is moved to the downstream side in the transport path 108, and the dip development can be performed.

【００９６】そして、基板Ｇが現像部１１４の後段（Ｍ
3）の所定位置に達すると、その位置で枠ハンドリング
機構１９０がアーム１９２先端の鉤状係止部１９２ａを
枠１２６のフランジ部１２６ａに掛けて持ち上げること
より、枠１２６を基板Ｇから取り払う。枠１２６が基板
Ｇから取り払われると、枠１２６内の現像液Ｑは外周壁
が無くなるために基板Ｇの外（四方）へ流れ落ち、現像
液パン１３２に受け集められる。なお、現像液パン１３
２は、現像部１１４のほぼ全域（Ｍ2，Ｍ3）に延在する
サイズを有してよい。Then, the substrate G is transferred to the rear stage (M
When the predetermined position of 3) is reached, the frame handling mechanism 190 removes the frame 126 from the substrate G by hooking the hook-shaped locking portion 192a at the tip of the arm 192 to the flange portion 126a of the frame 126 and lifting it at that position. When the frame 126 is removed from the substrate G, the developing solution Q in the frame 126 flows down to the outside (four directions) of the substrate G because the outer peripheral wall disappears, and is collected in the developing solution pan 132. The developer pan 13
2 may have a size that extends over substantially the entire area (M2, M3) of the developing unit 114.

【００９７】図２０のモジュールレイアウトでは、枠ハ
ンドリング機構１９０が現像部１１４の前段（Ｍ2）と
後段（Ｍ3）とで別個のアーム１９２を備える。つま
り、後段（Ｍ3）側でディップ現像の終了時に下流側の
アーム１９２を用いて枠１２６を基板Ｇから取り払うと
同時に、前段（Ｍ2）側で１つ後の基板Ｇに対してディ
ップを開始するために上流側のアーム１９２を用いて別
の枠１２６を該後続の基板Ｇにセット（載置）すること
になる。したがって、枠ハンドリング機構１９０内に、
後段（Ｍ3）または下流側のアーム１９２で回収した枠
１２６を前段（Ｍ2）または上流側のアーム１９２へ回
送する機構（図示せず）が設けられる。この方式では、
ディップ現像のために搬送路１０８上で基板Ｇを停止さ
せておく時間を可及的に短くし、平流し方式のスループ
ットを向上させることができる。In the module layout of FIG. 20, the frame handling mechanism 190 includes separate arms 192 for the front stage (M2) and the rear stage (M3) of the developing section 114. That is, the frame 126 is removed from the substrate G by using the arm 192 on the downstream side at the end of the dip development on the rear side (M3) side, and at the same time, the dipping is started on the next substrate G on the front side (M2) side. Therefore, another frame 126 is set (placed) on the subsequent substrate G by using the arm 192 on the upstream side. Therefore, in the frame handling mechanism 190,
A mechanism (not shown) is provided for feeding the frame 126 collected by the rear stage (M3) or the downstream arm 192 to the front stage (M2) or the upstream arm 192. With this method,
The time during which the substrate G is stopped on the transport path 108 for dip development can be shortened as much as possible, and the throughput of the flat-flow method can be improved.

【００９８】あるいは、別のモジュールレイアウトとし
て、現像部１１４の前段（Ｍ2）と後段（Ｍ3）との間に
平流し間隔調整用のモジュールまたは区間を挿入して、
前段（Ｍ2）における枠１２６のセッティング（載置）
動作と後段（Ｍ3）における枠１２６の回収動作とを時
間的にずらして行うようにすることもできる。枠ハンド
リング機構１９０においては、１組のアーム１９２を搬
送路１０８と平行に移動可能に構成して、前段（Ｍ2）
と後段（Ｍ3）との間で行き来できるようにし、前段
（Ｍ2）における枠セッティング動作と後段（Ｍ3）にお
ける枠回収動作とを時間差を置いて該１組のアーム１９
２に兼用させることも可能である。その場合、アーム１
９２が後段（Ｍ3）で枠１２６を回収保持したならその
まま前段（Ｍ2）へ移送して、その枠１２６を１つ後の
基板Ｇに対してセッティングしてよい。Alternatively, as another module layout, a module or section for adjusting the flat flow interval is inserted between the front stage (M2) and the rear stage (M3) of the developing section 114,
Setting (placement) of the frame 126 in the first stage (M2)
The operation and the collecting operation of the frame 126 in the subsequent stage (M3) can be performed with a temporal shift. In the frame handling mechanism 190, one set of arms 192 is configured to be movable parallel to the transport path 108, and the front stage (M2)
And the rear stage (M3) can be moved back and forth, and the frame setting operation in the front stage (M2) and the frame collecting operation in the rear stage (M3) are separated by a time lag.
It is also possible to combine the two. In that case, arm 1
When 92 collects and holds the frame 126 in the latter stage (M3), the frame 126 may be transferred to the former stage (M2) as it is, and the frame 126 may be set on the substrate G after one.

【００９９】図２２に、別の実施形態におけるディップ
現像処理部１３０(4)の要部の構成を示す。この実施形
態では、２番目のモジュールＭ2で現像部１１４を構成
し、ここに上記実施形態のディップ現像処理部１３０
(1)における枠載置機構１５２を配置して、上記と同様
の仕方でディップ現像を実施する。ただし、ディップ現
像を短い時間でつまり途中で切り上げて、基板Ｇを次の
モジュールＭ3へ移し、ここで搬送路１０８上を移動す
る基板Ｇに対して現像液供給ノズルＤＮにより現像液を
滴下またはスプレーで供給してパドル現像またはスプレ
ー現像を行うようにしている。このように、ディップ現
像を途中で終了しパドル現像またはスプレー現像に繋げ
て１回の現像処理工程を完了させることも可能である。FIG. 22 shows the structure of the main part of the dip development processing section 130 (4) in another embodiment. In this embodiment, the second module M2 constitutes the developing unit 114, and the dip developing processing unit 130 of the above-described embodiment is provided here.
The frame mounting mechanism 152 in (1) is arranged, and the dip development is performed in the same manner as described above. However, the dip development is cut up in a short time, that is, halfway up, the substrate G is transferred to the next module M3, and the developing solution supply nozzle DN drops or sprays the developing solution onto the substrate G moving on the transport path 108. The paddle development or the spray development is carried out by supplying. In this way, it is possible to complete the one development processing step by finishing the dip development halfway and linking it to the paddle development or spray development.

【０１００】上記のように、この現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）９４において、特にディップ現像処理部１３０にお
いては、搬送路１０８上を上流側から搬送されて来た基
板Ｇを所定位置で停止させるために位置センサを用い
る。そのような基板到着検出用の位置センサとしては、
たとえば図２３に示すようなリミットスイッチ２００を
用いることができる。このリミットスイッチ２００で
は、基板Ｇが搬送路１０８上の所定位置に差し掛かると
（図２３の(A)）、そこに設けられたローラレバー２０
２の先端部に基板前端部が当接してローラレバー２０２
を引っ張りコイルバネ２０４に抗して軸２０６を中心と
して所定方向（時計回り）に回動させながら基板Ｇの下
に潜り込ませる（図２３の(B)）。そうすると、光セン
サ２０８がローラレバー２０２の他端部を検知し、所定
の基板到着検出信号を出力するようになっている。光セ
ンサ２０８は、たとえば図２３の（Ｃ）に示すように、
発光素子２０８ａと受光素子２０８ｂとを隙間２１０を
隔てて対向配置したものでよく、ローラレバー２０２が
隙間２１０の中に入ってきて発光素子２０８ａからの光
線ＬＢを遮光するときに受光素子２０８ｂより得られる
出力信号を基板到着検出信号としてよい。As described above, this developing unit (DE
V) 94, particularly in the dip development processing section 130, a position sensor is used to stop the substrate G transported from the upstream side on the transport path 108 at a predetermined position. As such a position sensor for board arrival detection,
For example, a limit switch 200 as shown in FIG. 23 can be used. In this limit switch 200, when the substrate G approaches a predetermined position on the transport path 108 ((A) in FIG. 23), the roller lever 20 provided there is provided.
The front end of the substrate comes into contact with the front end of the roller lever 202.
Is pulled under the substrate G while being rotated in a predetermined direction (clockwise) around the shaft 206 against the tension coil spring 204 ((B) of FIG. 23). Then, the optical sensor 208 detects the other end of the roller lever 202 and outputs a predetermined board arrival detection signal. The optical sensor 208 is, for example, as shown in (C) of FIG.
The light emitting element 208a and the light receiving element 208b may be arranged so as to face each other with a gap 210 interposed therebetween, and are obtained from the light receiving element 208b when the roller lever 202 enters the gap 210 and blocks the light beam LB from the light emitting element 208a. The output signal obtained may be the board arrival detection signal.

【０１０１】図２４および図２５に、この現像ユニット
（ＤＥＶ）９４において搬送路１０８の下に設けられる
処理液パンＰＡ（１３２，１３４）に適用可能な排液切
替機構の構成例を示す。24 and 25 show an example of the construction of a drainage switching mechanism applicable to the processing liquid pan PA (132, 134) provided below the transport path 108 in the developing unit (DEV) 94.

【０１０２】図２４の構成例は、パンＰＡの底面に回転
軸２１０を挟んで左右両側に２つの排液口２１２，２１
４を設け、回転軸２１０に固着した１個の蓋体２１６を
回転駆動軸２１０と一体に回動可能に構成し、排液口２
１２を開状態とするときは蓋体２１６を排液口２１４の
上に被せ、排液口２１４を開状態とするときは蓋体２１
６を排液口２１２の上に被せるようにしている。蓋体２
１６の周縁部または排液口２１４，２１２の回りに適当
なシール部材たとえばＯリング（図示せず）を取り付け
てもよい。回転駆動軸２１０を介して蓋体２１６を回転
駆動する手段は、たとえば遥動型エアアクチエータで構
成することができる。なお、排液口２１２，２１４には
異なる排液処理部（図示せず）へ通じる排液管２１８，
２２０が接続されている。In the configuration example of FIG. 24, two drain ports 212, 21 are provided on the left and right sides of the pan PA with the rotary shaft 210 sandwiched therebetween.
4 is provided, and one lid 216 fixed to the rotary shaft 210 is configured to be rotatable integrally with the rotary drive shaft 210.
The lid 216 is placed over the drainage port 214 when the drainage opening 12 is opened, and the lid 21 is placed when the drainage opening 214 is opened.
6 is put on the drain port 212. Lid 2
A suitable sealing member, such as an O-ring (not shown), may be attached around the periphery of 16 or around the drains 214, 212. The means for rotationally driving the lid body 216 via the rotary drive shaft 210 can be constituted by, for example, a swinging air actuator. The drain ports 212 and 214 have drain pipes 218 leading to different drain processing units (not shown).
220 is connected.

【０１０３】図２５の構成例は、図２４の構成を一部変
形したものであり、回転駆動軸２１０に２つの蓋体２１
６Ａ，２１６Ｂを一体に取付し、蓋体２１６Ａが排液口
２１２を塞ぐときは蓋体２１６Ｂが排液口２１２から離
間して退避し、蓋体２１６Ｂが排液口２１２を塞ぐとき
は蓋体２１６Ｂが排液口２１２から離間して退避するよ
うにしている。それ以外の構成は上記と同じである。The configuration example of FIG. 25 is obtained by partially modifying the configuration of FIG. 24, and the rotary drive shaft 210 has two lids 21.
6A and 216B are integrally attached, the lid 216B is retracted away from the drain 212 when the lid 216A closes the drain 212, and the lid 216B is retracted when the lid 216B closes the drain 212. 216B is separated from the drainage port 212 and retracted. Other configurations are the same as above.

【０１０４】この現像ユニット（ＤＥＶ）９４では、処
理液パンＰＡ（１３２，１３４）に異なる処理液を回収
させることがある。たとえば、現像液パン１３２は、現
像処理中は現像液の回収に用いられるが、現像処理の終
了後または合間に上記のようなディップ現像処理部１３
０の枠１２６を洗浄する場合には洗浄液の回収ないし廃
液に用いられる。この実施形態の排液切替機構によれ
ば、パンＰＡ内で受け集められる使用済の処理液を、排
液管の途中に設けられる切替弁を介してではなく、パン
底面の排液口２１２，２１４の段階つまり排液系統の入
口の段階で振り分けできるため、処理液の分別回収率を
上げることができる。In this developing unit (DEV) 94, different processing solutions may be collected in the processing solution pan PA (132, 134). For example, the developing solution pan 132 is used for collecting the developing solution during the developing process, but after the developing process is completed or in between, the dip developing processing section 13 as described above is used.
When the frame 126 of 0 is washed, it is used for collecting the cleaning liquid or for the waste liquid. According to the drainage switching mechanism of this embodiment, the used processing liquid received and collected in the pan PA is not drained through the switching valve provided in the middle of the drainage pipe, but the drainage port 212, Since it can be distributed at the stage of 214, that is, at the stage of the inlet of the drainage system, the fractional recovery rate of the treatment liquid can be increased.

【０１０５】上記した実施形態では、回転可能なシャフ
ト１３６に所定の間隔を置いて固着された一対の搬送ロ
ーラ１３８Ａ，１３８Ｂを水平方向に敷設してなるコロ
搬送型の搬送路１０８を構成した。このようなコロ搬送
型の搬送路では、両搬送ローラ１３８Ａ，１３８Ｂの中
間位置にも基板搬送用のローラを取り付けてもよい。ま
た、搬送路１０８の駆動系を搬送方向において複数に分
割し、各分割搬送路上の搬送動作（速度、停止等）を独
立制御することも可能である。また、一定の間隔を空け
て一対のベルトを水平方向に敷設してなるベルト搬送型
の搬送路も可能である。In the above-described embodiment, the roller transfer type transfer path 108 is constructed by horizontally laying a pair of transfer rollers 138A and 138B fixed to the rotatable shaft 136 at a predetermined interval. In such a roller transport type transport path, a substrate transport roller may be attached at an intermediate position between both transport rollers 138A and 138B. It is also possible to divide the drive system of the transport path 108 into a plurality in the transport direction and independently control the transport operation (speed, stop, etc.) on each of the split transport paths. Further, a belt-conveying type conveying path in which a pair of belts are laid horizontally in a certain interval is also possible.

【０１０６】また、リンス部１１６においては、基板を
水平状態や傾斜状態で処理してもよい。本発明における
被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、現像処理
の適用可能な任意の被処理基板が含まれる。In the rinse section 116, the substrate may be processed in a horizontal state or an inclined state. The substrate to be processed in the present invention is not limited to the LCD substrate, and includes any substrate to be processed to which development processing can be applied.

【０１０７】[0107]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板処理
装置によれば、水平方向に敷設した搬送路上の被処理基
板にディップ式の現像を施すことが可能であり、さらに
はそのような平流し方式のディップ現像を省スペースで
効率よく行うこともできる。As described above, according to the substrate processing apparatus of the present invention, it is possible to perform the dip-type development on the substrate to be processed on the transfer path laid in the horizontal direction. It is also possible to efficiently perform the flat flow dip development in a space-saving manner.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の現像処理装置の適用可能な塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a coating and developing treatment system to which a developing treatment apparatus of the present invention can be applied.

【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部
の構成を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing a configuration of a thermal processing unit in the coating and developing processing system.

【図３】上記塗布現像処理システムにおける処理手順を
示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing a processing procedure in the coating and developing processing system.

【図４】一実施形態における現像ユニットの全体構成
（ディップ現像開始時）を示す正面図である。FIG. 4 is a front view showing the overall configuration of a developing unit (at the start of dip development) in one embodiment.

【図５】上記現像ユニットにおける基板搬入部およびプ
リウエット部回りの構成を示す一部断面正面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional front view showing a configuration around a substrate loading section and a pre-wet section in the developing unit.

【図６】上記現像ユニットにおける基板搬入部およびプ
リウエット部回りの構成を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a configuration around a substrate carry-in section and a pre-wet section in the developing unit.

【図７】上記現像ユニットにおける基板搬入部の構成お
よび作用（基板受け渡し）を示す一部断面側面図であ
る。FIG. 7 is a partial cross-sectional side view showing the configuration and operation (substrate transfer) of the substrate loading unit in the developing unit.

【図８】上記基板搬入部の構成および作用（基板の移
載）を示す一部断面側面図である。FIG. 8 is a partial cross-sectional side view showing the configuration and action (transfer of substrate) of the substrate loading unit.

【図９】上記現像ユニットにおけるディップ現像処理部
の構成（枠退避状態）を示す一部断面正面図である。FIG. 9 is a partial cross-sectional front view showing the configuration (frame retracted state) of the dip development processing section in the developing unit.

【図１０】上記現像ユニットにおけるディップ現像処理
部の構成（枠退避状態）を示す一部断面側面図である。FIG. 10 is a partial cross-sectional side view showing the configuration (frame retracted state) of the dip development processing section in the developing unit.

【図１１】上記現像ユニットにおけるディップ現像処理
部の構成（枠載置状態）を示す一部断面正面図である。FIG. 11 is a partial cross-sectional front view showing a configuration (frame mounting state) of a dip development processing section in the developing unit.

【図１２】上記現像ユニットにおけるディップ現像処理
部の構成（枠載置状態）を示す一部断面側面図である。FIG. 12 is a partial cross-sectional side view showing a configuration (frame mounting state) of a dip development processing section in the developing unit.

【図１３】上記現像ユニットの全体構成（ディップ現像
終了時）を示す正面図である。FIG. 13 is a front view showing the overall configuration of the developing unit (at the end of dip development).

【図１４】実施形態におけるエアーナイフ機構の作用を
示す略側面図である。FIG. 14 is a schematic side view showing the operation of the air knife mechanism in the embodiment.

【図１５】一実施形態におけるディップ現像処理部の要
部の構成を示す斜視図である。FIG. 15 is a perspective view illustrating a configuration of a main part of a dip development processing unit according to an embodiment.

【図１６】一実施形態におけるディップ現像処理部の要
部の構成を示す部分断面正面図である。FIG. 16 is a partial cross-sectional front view showing the configuration of the main part of the dip development processing unit in the embodiment.

【図１７】一実施形態におけるディップ現像処理部の構
成（ディップ現像開始前または終了後）を示す部分断面
正面図である。FIG. 17 is a partial cross-sectional front view showing the configuration of the dip development processing unit in one embodiment (before or after the start of dip development).

【図１８】一実施形態におけるディップ現像処理部の構
成（ディップ現像開始前または終了後）を示す部分断面
側面図である。FIG. 18 is a partial cross-sectional side view showing the configuration (before or after the start of dip development) of the dip development processing unit in the embodiment.

【図１９】一実施形態におけるディップ現像処理部の構
成（ディップ現像時）を示す部分断面正面図である。FIG. 19 is a partial cross-sectional front view showing the configuration (dip development) of the dip development processing section in the embodiment.

【図２０】実施形態における現像ユニットの全体構成を
示す正面図である。FIG. 20 is a front view showing the overall configuration of the developing unit in the embodiment.

【図２１】一実施形態におけるディップ現像処理部の構
成を示す部分断面側面図である。FIG. 21 is a partial cross-sectional side view showing the configuration of the dip development processing unit in the embodiment.

【図２２】一実施形態における現像ユニットの全体構成
を示す正面図である。FIG. 22 is a front view showing the overall configuration of the developing unit in the embodiment.

【図２３】実施形態の現像ユニットに使用可能な基板到
着検出用の位置センサの構成例を示す図である。FIG. 23 is a diagram showing a configuration example of a substrate arrival detection position sensor that can be used in the developing unit of the embodiment.

【図２４】一実施形態における処理液パン用の排液切替
機構の構成を示す一部断面正面図である。FIG. 24 is a partial cross-sectional front view showing the configuration of the drainage switching mechanism for the treatment liquid pan in one embodiment.

【図２５】一実施形態における処理液パン用の排液切替
機構の構成を示す一部断面正面図である。FIG. 25 is a partial cross-sectional front view showing the configuration of the drainage switching mechanism for the treatment liquid pan in one embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０塗布現像処理システム１６（Ｐ／Ｓ）プロセスステーション３２現像プロセス部９４現像ユニット１０８搬送路１１４現像部１１６リンス部１１８乾燥部１２６枠１２８現像液供給ノズル１２８現像液落し部１３０(1)〜１３０(4) ディップ現像処理部１３２現像液パン１３４リンス液パン１３６搬送用シャフト１３８（１３８Ａ，１３８Ｂ）搬送ローラ１５６垂直支持ロッド１６０現像液噴射／吸引管１７０クラッチ１７２（１７２Ａ，１７２Ｂ）軸受１７４水平支持部材１８０シリンダ１９０枠ハンドリング機構１９２アーム２１２回転駆動軸２１２，２１４排液口２１６，２１６Ａ，２１６Ｂ蓋体 10 Coating and developing system 16 (P / S) process station 32 Development process section 94 development unit 108 transport path 114 Development Department 116 Rinse 118 Drying section 126 frames 128 developer supply nozzle 128 developer drop 130 (1) to 130 (4) Dip development processing section 132 developer pan 134 Rinse pan 136 Transport shaft 138 (138A, 138B) Transport rollers 156 Vertical support rod 160 Developer injection / suction tube 170 clutch 172 (172A, 172B) bearing 174 Horizontal support member 180 cylinders 190 Frame handling mechanism 192 Arm 212 rotary drive shaft 212, 214 Drainage port 216, 216A, 216B lid

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者元田公男東京都港区赤坂五丁目３番６号ＴＢＳ放送センター東京エレクトロン株式会社内Ｆターム(参考） 2H096 AA28 GA22 GA24 5F046 LA09 LA11 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Kimio Motoda TBS release, 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo Sending Center Tokyo Electron Limited F-term (reference) 2H096 AA28 GA22 GA24 5F046 LA09 LA11

Claims

【特許請求の範囲】[Claims]

【請求項１】被処理基板をほぼ水平に載せて搬送するた
めの搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路と、前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記搬送体を
駆動する搬送駆動手段と、前記搬送路上で前記基板の被処理面に対して外周壁を形
成するための枠と、前記基板の被処理面が浸かるように前記枠の内側に現像
液を供給するための現像液供給手段とを有する現像処理
装置。1. A transport path in which a transport body for horizontally placing and transporting a substrate to be processed is laid in a horizontal direction, and a transport for driving the transport body to transport the substrate on the transport path. Drive means, a frame for forming an outer peripheral wall on the surface to be processed of the substrate on the transport path, and a development for supplying a developing solution to the inside of the frame so that the surface to be processed of the substrate is immersed. A development processing apparatus having a liquid supply means.

【請求項２】前記枠が前記基板の周縁部に載置可能な形
状、サイズおよび厚みを有する請求項１に記載の現像処
理装置。2. The development processing apparatus according to claim 1, wherein the frame has a shape, size, and thickness that can be mounted on the peripheral portion of the substrate.

【請求項３】前記枠を前記基板の周縁部に着脱自在に載
置するための枠載置手段を有する請求項２に記載の現像
処理装置。3. The development processing apparatus according to claim 2, further comprising a frame mounting means for mounting the frame on the peripheral portion of the substrate in a detachable manner.

【請求項４】前記現像液供給手段が、前記枠の内側で前
記現像液を吐出するための１つまたは複数のノズルを含
む請求項１〜３のいずれかに記載の現像処理装置。4. The development processing apparatus according to claim 1, wherein the developing solution supply unit includes one or a plurality of nozzles for ejecting the developing solution inside the frame.

【請求項５】前記枠内で前記基板の被処理面を前記現像
液に浸けた状態で、前記基板を前記搬送路上で所定の第
１の位置からそれよりも搬送方向に所定距離だけ下流側
の第２の位置まで搬送する請求項１〜４のいずれかに記
載の現像処理装置。5. The substrate in the frame is immersed in the developing solution in the surface to be processed, and the substrate is downstream from the predetermined first position on the transfer path by a predetermined distance in the transfer direction. The developing processing apparatus according to claim 1, wherein the developing processing apparatus conveys the developing processing apparatus to the second position.

【請求項６】前記枠を前記第２の位置で前記基板から上
方へ持ち上げ、次いで前記第１の位置へ戻す枠回収手段
を有する請求項５に記載の現像処理装置。6. The developing processing apparatus according to claim 5, further comprising a frame collecting unit that lifts the frame upward from the substrate at the second position and then returns the frame to the first position.

【請求項７】前記枠内の現像液に振動を与えるための超
音波振動子を有する請求項１〜６のいずれかに記載の現
像処理装置。7. The development processing apparatus according to claim 1, further comprising an ultrasonic vibrator for applying vibration to the developing solution in the frame.

【請求項８】被処理基板をほぼ水平に載せて搬送するた
めの搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路と、前記搬送路上で前記基板を搬送するために前記搬送体を
駆動する搬送駆動手段と、所定の搬送区間において前記搬送路の下に設けられた現
像液を貯留可能な現像液槽と、前記搬送区間に属する前記搬送体を前記搬送駆動手段と
着脱可能に連結するためのクラッチ機構と、前記搬送区間に属する前記搬送体上の前記基板を前記現
像液槽中の現像液に浸けるために、前記搬送体および／
または前記現像液槽を昇降移動させる昇降手段とを有す
る現像処理装置。8. A transfer path in which a transfer body for horizontally mounting and transferring a substrate to be processed is laid in a horizontal direction, and a transfer for driving the transfer body to transfer the substrate on the transfer path. A drive unit, a developer tank provided under the transport path in a predetermined transport section capable of storing a developer, and a transport member for detachably connecting the transport member belonging to the transport section to the transport drive unit. A clutch mechanism, and the carrier and / or the carrier for immersing the substrate on the carrier belonging to the carrier section in the developer in the developer tank.
Alternatively, a development processing apparatus having an elevating means for elevating the developing solution tank.

【請求項９】前記枠内の現像液に振動を与えるための超
音波振動子を有する請求項８に記載の現像処理装置。9. The development processing apparatus according to claim 8, further comprising an ultrasonic vibrator for applying vibration to the developing solution in the frame.