JP4579268B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、平流し方式で被処理基板に処理を施す基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed by a flat flow method.
最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣＤ基板の大型化に有利に対応できる洗浄方法あるいは現像方法として、搬送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を搬送しながら洗浄処理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し方式が注目されている。 Recently, in a resist coating and developing processing system in LCD (liquid crystal display) manufacturing, as a cleaning method or a developing method that can advantageously cope with an increase in size of an LCD substrate, a transport roller or a transport belt is laid on a transport path in a horizontal direction. A so-called flat-flow method, in which a cleaning process or a development process is performed while an LCD substrate is being transported, has attracted attention.
一般に、平流し方式の洗浄装置や現像装置では、たとえば特許文献１に示されるように、処理工程の最終段で基板の表面に残存または付着している液を取り除いて基板を乾燥させるためのツールとして、エアナイフが用いられている。エアナイフは、搬送路の左右幅方向で基板の端から端までカバーする無数のガス吐出口またはスリット状のガス吐出口を有し、所定の位置で直下または直上を通過する基板に対してナイフ状の鋭利な気体流（通常は空気流または窒素ガス流）を吹き付けるものである。このナイフ状の鋭利な気体流の吹き付けにより、基板がエアナイフの傍を通過する際に、基板表面の液が基板後端側へ掃き寄せられるようにして基板の外へ払い落とされる（つまり液切りされる）。
しかしながら、従来のこの種の基板処理装置では、エアナイフの傍を通過する基板表面からミストが発生して、周囲に飛散または舞い上がったミストの一部がエアナイフの下流側に廻り込んで乾燥処理直後の基板表面に付着することがあり、歩留りを下げる原因になっていた。 However, in this type of conventional substrate processing apparatus, mist is generated from the surface of the substrate passing by the air knife, and a part of the mist scattered or soared to the surroundings moves to the downstream side of the air knife and immediately after the drying process. In some cases, it may adhere to the surface of the substrate, causing a decrease in yield.
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させるようにした基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems of the prior art, and effectively prevents re-adhesion of the mist generated from the substrate surface to the substrate during the drying process in which gas is blown to the substrate to be processed in the flat flow method. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that improves processing quality.
上記の目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、前記搬送路上で前記基板がわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部を有する隔壁と、前記隔壁を挟んで前記搬送路の上流側および下流側にそれぞれ設けられた第１および第２の室と、前記第２の室内に前記第１の室内よりも相対的に高い圧力の空間を形成する差圧形成手段とを具備し、前記第２の室側で前記隔壁が前記開口部に向かって断面テーパ状に絞られており、前記基板が前記隔壁の開口部を通り抜けする際に、前記基板と前記開口部との間に形成される隙間を通って前記第２の室から前記第１の室へ流れる気体の風圧によって前記基板の表面に付いている液を前記第１の室で払い落とす。
In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus of the present invention can transfer a substrate to be processed in a horizontal direction in a substantially horizontal posture, and the substrate can pass through the transfer path with a slight gap. A partition having an opening, first and second chambers provided on the upstream side and the downstream side of the conveyance path with the partition interposed therebetween, and the second chamber relative to the first chamber. And a differential pressure forming means for forming a high pressure space, wherein the partition wall is narrowed in a tapered shape toward the opening portion on the second chamber side, and the substrate is an opening portion of the partition wall The liquid attached to the surface of the substrate by the wind pressure of the gas flowing from the second chamber to the first chamber through a gap formed between the substrate and the opening. Wipe off in the first chamber.
上記の基板処理装置においては、第２の室側で隔壁が開口部に向かって断面テーパ状に絞られる構成により、第１の室から第２の室に向かって開口部を吹き抜ける空気流の指向性を高め、基板表面の液を効果的に払い落とすことができる。In the substrate processing apparatus, the partition wall is narrowed toward the opening on the second chamber side in a tapered shape so that the air flow is directed through the opening from the first chamber toward the second chamber. The liquid on the surface of the substrate can be effectively wiped off.
本発明の好適な一態様においては、開口部付近にて搬送路上を移動する基板がぶれないように基板の両側縁部に上から接触する押えローラが設けられる。押えローラの働きで基板がぶれずに水平姿勢を保って開口部を通り抜けられるので、開口部を可及的に狭くすることができる。また、好適な一態様においては、第２の室に給気口が設けられ、気体供給系より給気口を介して第２の室内に所定の流量で空気が供給される。かかる気体給気系を備えることで、開口部を通る空気流の圧力ひいては基板液切り能力が安定に保たれるとともに、第１の室から第２の室へのミストの侵入を一層確実に防止できる。 In a preferred aspect of the present invention, a press roller that comes into contact with both side edges of the substrate from above is provided so that the substrate moving on the conveyance path does not shake in the vicinity of the opening. The press roller can keep the horizontal posture without moving and can pass through the opening, so that the opening can be made as narrow as possible. In a preferred embodiment, an air supply port is provided in the second chamber, and air is supplied from the gas supply system to the second chamber through the air supply port at a predetermined flow rate . By providing such a gas supply system, the pressure of the air flow through the opening , and thus the substrate liquid draining ability, can be kept stable, and the mist can be more reliably prevented from entering the second chamber from the first chamber. it can.
本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させ、ひいては歩留りを向上させることができる。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, due to the above-described configuration and operation, it is possible to effectively prevent mist from being reattached to the substrate generated from the substrate surface during the drying process in which gas is blown to the substrate to be processed in the flat flow method. Thus, the processing quality can be improved, and the yield can be improved.
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図１に、本発明の基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as one configuration example to which the substrate processing apparatus of the present invention can be applied. The coating and developing
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
In the coating and developing
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
The cassette station (C / S) 14 is a cassette loading / unloading port of the
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
In the process station (P / S) 16, the processing units are arranged in the order of the process flow or process on a pair of parallel and opposite lines A and B extending in the system longitudinal direction (X direction). More specifically, the upstream process line A from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side includes a
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
An
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。後述するように、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
In the upstream process line A, the
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡しを行うためのものである。
The first
図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
As shown in FIG. 2, the
上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
The
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。
As shown in FIG. 1, the
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。
The second
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。 Although not shown, for example, in the multi-stage unit section (TB) 88 on the process line A side, a pass unit (PASS) for substrate transfer is placed at the bottom, and a heating unit (PREBAKE) for pre-baking is placed thereon. For example, three stages may be stacked. In the multi-stage unit section (TB) 92 on the process line B side, a pass unit (PASS) for substrate transfer is placed at the bottom, and a cooling unit (COL) is stacked thereon, for example, one stage above it. In addition, prebaking heating units (PREBAKE) may be stacked in two stages, for example.
第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
The
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。
In the downstream process line B, the
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
A third
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
The third
図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。 Although not shown, for example, in the upstream multi-stage unit section (TB) 98, a pass unit (PASS) is placed at the lowermost stage, and a post-baking heating unit (POBAKE) is stacked, for example, in three stages. It's okay. In the downstream multi-stage unit (TB) 102, a post-baking unit (POBAKE) is placed at the lowermost stage, and a substrate-passing / cooling unit (PASS / COL) for transferring and cooling the substrate is placed thereon. The heating unit (POBAKE) for post-baking may be stacked in two layers.
第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
The
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
The interface station (I / F) 18 includes a
図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。
FIG. 3 shows a processing procedure in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 14, the
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
In the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41, the substrate G is subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation (step S2). This UV cleaning mainly removes organic substances on the substrate surface. After completion of the ultraviolet cleaning, the substrate G is moved to the scrubber cleaning unit (SCR) 42 of the
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。 In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, as described above, the substrate G is brushed or blown onto the upper surface (surface to be processed) of the substrate G while being transported in a horizontal position in the horizontal direction by roller transport or belt transport. By performing cleaning, particulate dirt is removed from the substrate surface (step S3). After the cleaning, the substrate G is rinsed while being conveyed in a flat flow, and finally the substrate G is dried using an air knife or the like.
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
The substrate G that has been cleaned in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is carried into the pass unit (PASS) 50 in the upstream multistage unit section (TB) 44 of the first
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。
In the first
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
As described above, in the first
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
The substrate G that has undergone a series of thermal or thermal processing as described above in the first
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ8）。 The substrate G is coated with a resist solution on the upper surface (surface to be processed) by a resist coating unit (CT) 82, for example, by spin coating, and immediately after that, it is subjected to a drying process by a reduced pressure drying unit (VD) 84 on the downstream side. Then, the unnecessary (unnecessary) resist on the peripheral edge of the substrate is removed by the edge remover unit (ER) 86 adjacent to the downstream side (step S8).
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
The substrate G that has undergone the resist coating process as described above is a pass unit (PASS) belonging to the upstream multi-stage unit section (TB) 88 of the second
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。
Within the second
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
In the interface station (I / F) 18, the substrate G is transferred from the extension / cooling stage (EXT / COL) 108 to the peripheral exposure device (EE) of the
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
In the
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
In the process station (P / S) 16, the
現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。
In the
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
The substrate G that has undergone the development process in the
第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
In the third thermal processing section (TB) 98, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) to one of the heating units (POBAKE), where it is subjected to post-baking (step S15). Next, the substrate G is transferred to a path cooling unit (PASS / COL) in the downstream multi-stage unit section (TB) 102, where it is cooled to a predetermined substrate temperature (step S16). The
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
On the cassette station (C / S) 14 side, the
この塗布現像処理システム１０においては、たとえば洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２に本発明を適用することができる。以下、図４〜図１０を参照して本発明をスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２に適用した一実施形態を説明する。
In the coating and developing
図４に、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の一構成例を示す。このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２は、プロセスラインＡに沿って水平方向（Ｘ方向）に搬送ローラ１１２を敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を有し、この搬送路１１４に沿って隔壁１１６を介して６つのブロックまたはモジュールＭ1〜Ｍ6を一列に連続配置してなる。
FIG. 4 shows a configuration example of the scrubber cleaning unit (SCR) 42. The scrubber cleaning unit (SCR) 42 has a roller conveyance
これら６つのモジュールＭ1〜Ｍ6のうち、最上流端に位置する１番目のモジュールＭ1は基板搬入部を構成し、２番目のモジュールＭ2はスクラビング洗浄処理部を構成し、３番目のモジュールＭ3はブロー洗浄処理部を構成し、４番目のモジュールＭ4はリンス処理部を構成し、５番目のモジュールＭ5は乾燥処理部を構成し、６番目つまり最後尾のモジュールＭ6は基板搬出部を構成している。 Of these six modules M1 to M6, the first module M1 located at the most upstream end constitutes a substrate carry-in part, the second module M2 constitutes a scrubbing cleaning processing part, and the third module M3 blows. The cleaning module is configured, the fourth module M4 is a rinsing module, the fifth module M5 is a drying module, and the sixth or last module M6 is a substrate unloading module. .
基板搬入部Ｍ1には、上流側隣の基板搬送機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを水平姿勢で受け取って搬送路１１４上に移載するための昇降可能な複数本のリフトピン１１８が設けられている。基板搬出部Ｍ6にも、基板Ｇを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送機構（図示せず）へ手渡すための昇降可能な複数本のリフトピン１２０が設けられている。もっとも、リフトピン１１８，１２０を設けずに搬送ローラ１１２を延設することにより基板Ｇの受け渡しを行う構成も可能である。
The substrate carry-in portion M1 is provided with a plurality of lift pins 118 that can be moved up and down to receive a substrate G delivered from an upstream substrate transport mechanism (not shown) in a horizontal position and transfer it onto the
スクラビング洗浄処理部Ｍ2には、搬送路１１４に沿って上流側から順に薬液ノズル１２２、プレウエット用の洗浄スプレー管１２４、スクラビング洗浄用の上下一対のロールブラシ１２６，１２８、洗い流し用の上下一対の洗浄スプレー管１３０，１３１等が配置されている。また、下流側の端部または壁際には、隣室（Ｍ3）と空間を空気的に区画するためのエアカーテン形成部またはエア吹出し部１３２が設けられている。
In the scrubbing cleaning processing unit M2, a chemical nozzle 122, a prewetting cleaning spray pipe 124, a pair of upper and lower roll brushes 126 and 128 for scrubbing cleaning, and a pair of upper and lower cleaning scrubbing units are sequentially provided along the
ブロー洗浄処理部Ｍ3には、たとえば２流体ジェットノズルからなる洗浄ノズル１３４，１３５が搬送路１１４を挟んで上下に（図示の例では一対）配置されるとともに、下流側の隣室（Ｍ4）と空間を空気的に区画するためのエアカーテン形成部１３６も設けられている。
In the blow cleaning processing unit M3, cleaning
リンス処理部Ｍ4には、搬送路１１４を挟んで上下一対のリンスノズル１３７，１３８が配置されるとともに、下流側の隣室（Ｍ5）と空間を空気的に区画するためのエアカーテン形成部１３９も設けられている。
A pair of upper and lower rinse
乾燥処理部Ｍ5には、本実施形態における液切り用のエアナイフ機構として複数（図示の例では一対）のエアナイフ１４０，１４２が、搬送路１１４を挟んで上下に配置されている。
In the drying processing section M5, a plurality (a pair in the illustrated example) of
処理部Ｍ2〜Ｍ5においては、搬送路１１４の下に落ちた液を受け集めるためのパン１４４，１４６，１４８，１５０がそれぞれ設けられている。各パン１４４〜１５０の底に設けられた排液口には回収系統または排液系統の配管が接続されている。
In the processing units M2 to M5, pans 144, 146, 148, and 150 for collecting and collecting the liquid that has fallen under the
ここで、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２における全体の動作および作用を説明する。基板搬入部Ｍ1は、隣の基板搬送機構（図示せず）から基板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１１４に移載または搬入する。搬送路１１４を構成する搬送ローラ１１２は、回転駆動シャフトや歯車等の伝動機構（図示せず）を介して電気モータ（図示せず）の駆動力により前進方向に回転している。したがって、搬送路１１２に載った基板Ｇは直ちに隣のスクラビング洗浄処理部Ｍ2へ向けて搬送される。通常、ＬＣＤ用の基板Ｇは長方形に形成されており、その長辺方向または長手方向が搬送方向と平行になる向きで搬送路１１４上を搬送される。
Here, the whole operation | movement and effect | action in this scrubber washing | cleaning unit (SCR) 42 are demonstrated. The substrate carry-in section M1 receives the substrates G from the adjacent substrate transport mechanism (not shown) in units of one unit, and transfers or carries them to the
スクラビング洗浄処理部Ｍ2では、搬送路１１４上を搬送される基板Ｇの上面（被処理面）に対して、最初に薬液ノズル１２２がたとえば酸またはアルカリ系の薬液を基板Ｇの上面に吹き付け、直後に洗浄スプレー管１２４がプレウエット用の洗浄液たとえば純水を吹き付ける。なお、図示しないが、搬送路１１４の下方にも同様の薬液ノズルおよび洗浄スプレー管を配置して、基板Ｇの下面にも薬液やプレウエット液を吹き付けてもよい。
In the scrubbing cleaning processing unit M2, the chemical nozzle 122 first sprays, for example, an acid or alkaline chemical on the upper surface of the substrate G against the upper surface (surface to be processed) of the substrate G conveyed on the
次いで、基板Ｇは上下のロールブラシ１２６，１２８の間を通り抜け、その際に各ロールブラシ１２６，１２８が基板Ｇの上下面に付いている異物（塵埃、破片、汚染物等）を擦り取る。直後に、上下の洗浄スプレー管１３０，１３１が基板Ｇの上下面に洗浄液たとえば純水を吹き付け、基板表面に浮遊している異物を洗い流す。
Next, the substrate G passes between the upper and lower roll brushes 126 and 128, and at that time, each
スクラビング洗浄処理部Ｍ2を抜けると、基板Ｇは次にブロー洗浄処理部Ｍ3に入る。その際、エアカーテン形成部１３２より空気流が基板Ｇの上面に吹き付けられることで、ある程度であるが、基板上面の液が基板後端から処理部Ｍ2側のパン１４４に落とされる。
After exiting the scrubbing cleaning unit M2, the substrate G next enters the blow cleaning unit M3. At that time, an air flow is blown from the air
ブロー洗浄処理部Ｍ3では、上下の洗浄ノズル１３４，１３５が、加圧された洗浄液（たとえば純水）と加圧された気体（たとえば窒素）とをノズル内で混合して粒状の液滴を生成し、生成した液滴を基板Ｇの上下面に向けて噴射する。こうしてガスが溶け込んだ洗浄液が基板Ｇの表面に衝突することで、基板表面に付着または残存している異物が除去される。
In the blow cleaning processing unit M3, the upper and
ブロー洗浄処理部Ｍ3の次に基板Ｇはリンス処理部Ｍ4を通過する。ブロー洗浄処理部Ｍ3を抜ける際にも、エアカーテン形成部１３６より空気流が基板Ｇの上面に吹き付けられることで、ある程度であるが、基板上面の液が基板後端から処理部Ｍ3側のパン１４６に落とされる。 Subsequent to the blow cleaning processing unit M3, the substrate G passes through the rinsing processing unit M4. When exiting the blow cleaning processing unit M3, the air flow is blown from the air curtain forming unit 136 onto the upper surface of the substrate G, so that the liquid on the upper surface of the substrate is transferred from the rear end of the substrate to the processing unit M3 side. Dropped to 146.
リンス処理部Ｍ4では、搬送路１１４上を水平姿勢で搬送される基板Ｇの上下両面に対して、上下のリンスノズル１３７，１３８がリンス液たとえば純水を吹き付けることにより、ブロー洗浄処理部Ｍ3から持ち込まれた基板Ｇ上の液（異物が浮遊している液）がリンス液と一緒に流れて基板の外へ掃き出され、基板表面には清浄なリンス液が残る（つまり置換される）。
In the rinse treatment unit M4, the upper and lower rinse
リンス処理部Ｍ4の次に基板Ｇは乾燥処理部Ｍ5に送られる。リンス処理部Ｍ4を抜ける際にも、エアカーテン形成部１３９より空気流が基板Ｇの上面に吹き付けられ、ある程度であるが、基板上面の液が基板後端から処理部Ｍ4側のパン１４８に落とされる。
Subsequent to the rinsing unit M4, the substrate G is sent to the drying unit M5. Also when leaving the rinse treatment section M4, an air flow is blown from the air
乾燥処理部Ｍ5では、搬送路１１４上を水平姿勢で搬送される基板Ｇの両面に対して、上下のエアナイフ１４０，１４２が気体（たとえば空気または窒素ガス等の中性ガス）を吹き付けることにより、基板表面に付いていたリンス液を取り除く（液切りする）。後に詳しく説明するように、この液切りに際しては、エアナイフ１４０，１４２付近の基板表面より発生するミストが周囲へ拡散したり基板表面に再付着することなく回収除去されるようになっている。
In the drying processing unit M5, the upper and
なお、乾燥処理後に基板Ｇ上に水あかが部分的または局所的に残るのを防止するために、エアナイフ１４０，１４２の少し上流側でプレウエット用のノズル（図示せず）よりたとえば純水を基板Ｇの上面または全面に万遍に吹き付けるのが好ましい。
In order to prevent water from remaining partially or locally on the substrate G after the drying process, for example, pure water is used as a substrate from a prewetting nozzle (not shown) slightly upstream of the
乾燥処理部Ｍ5で液切りされた基板Ｇはそのまま搬送路１１４に乗って基板搬出部Ｍ6に送られる。基板搬出部Ｍ6は、基板搬入部Ｍ1と同様の構成を有しており、基板の受け渡し手順が搬入と搬出とで反対になるだけで基板搬入部Ｍ1と同様に動作する。つまり、基板受け渡し用のリフトピン１２０を搬送路１１４よりも低い位置に待機させて基板Ｇが上流側（乾燥部Ｍ5）から流れてくるのを待ち、基板Ｇがリフトピン１２０の直上の所定位置に着いたならリフトピン１２０を上方へ突き上げて基板Ｇを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送機構（図示せず）へ渡す。
The substrate G drained by the drying processing unit M5 is directly transferred to the
次に、図５〜図８につき、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の乾燥処理部Ｍ5に設けられるエアナイフ機構の実施例を説明する。 Next, an embodiment of an air knife mechanism provided in the drying processing section M5 of the scrubber cleaning unit (SCR) 42 will be described with reference to FIGS.
図５に、乾燥処理部Ｍ5に設けられるエアナイフ機構の一実施例を一部断面斜視図で示す。このエアナイフ１４０は、ナイフ状の鋭利な気体たとえばエアを噴出する気体噴出部１５２と、この気体噴出部１５２の長手方向に延びる一側面に連設されたミスト回収部１５４とを有する。
FIG. 5 is a partially sectional perspective view showing an embodiment of an air knife mechanism provided in the drying processing section M5. The
気体噴出部１５２は、搬送路１１４の左右幅方向において基板Ｇ（図５には図示せず）の端から端までカバーするスリット型の気体噴出口１５６を有する長尺状ノズル体として構成されており、このノズル体の内部は整流用の多孔板１５８によって上部のバッファ室１６０と下部の断面テーパ状の噴射室１６２とに区画されている。なお、このノズル体の左右端面は閉塞している。バッファ室１６０の天井部には１箇所または複数箇所にて給気管１６４が接続されている。図示しない気体供給源からの陽圧のエアが給気管１６４を介してバッファ室１６０に供給され、バッファ室１６０にいったん蓄積されたエアが多孔板１５８および噴射室１６２を通って気体噴出口１５６より所定の圧力および流量でナイフ状に噴出または吐出されるようになっている。
The
ミスト回収部１５４は、気体噴出部１５２の一側壁を兼ねる一方（内側）の側壁部１６６と、この側壁部１６６に接続する天井部１６７から気体噴出部１５２の気体噴出口１５６よりも少し上の高さ位置まで彎曲しながら庇状に延在する他方（外側）の側壁部１６８とで構成されるミスト回収室１７０を有しており、このミスト回収室１７０の下端に形成される開口をミスト吸い込み口１７２としている。なお、ミスト回収室１７０の左右両端は閉塞している。ミスト回収室１７０の天井部１６７には１箇所または複数箇所にて排気管１７４が接続されている。図示しない負圧源からの負圧吸引力が排気管１７４を介してミスト回収室１７０に伝えられることにより、ミスト吸い込み口１７２付近に浮遊しているミストが周囲のエアと一緒にミスト回収室１７０の内奥に吸い込まれ、排気管１７４を通って負圧源側へ送られるようになっている。
The
ミスト回収部１５４は、気体噴出部１５２からの気体の風圧で基板表面（図示せず）より発生するミストをほぼ漏れなく回収できるように、気体噴出部１５２より噴出される気体の大部分を外に逃がさず吸い込むのが好ましい。この条件を満たすように、ミスト回収部１５４側でミスト吸い込み口１７２の形状・サイズや負圧吸引力または排気流量等を適宜設定したり、気体噴出部１５２側で気体噴出口１５６の形状・サイズや気体噴出量等を適宜設定してよい。
The
図６に、エアナイフ１４０の気体噴出部１５２に液切り用のエアを供給し、エアナイフ１４０のミスト回収部１５４よりミストを回収するシステムの一実施例を示す。
FIG. 6 shows an embodiment of a system that supplies liquid cutting air to the
このエア供給およびミスト回収システムは、給気および排気兼用型の電動式ブロアファン１８０を有する空気循環系統として構成されている。より詳細には、ファン１８０の出側を給気管１６４を介して気体噴出部１５２に接続し、ファン１８０の入側を排気管１７４を介してミスト回収部１５４に接続している。給気管１６４の途中には、ファン１８０より給気されるエアの中に含まれる塵埃等の粒子を捕集するためのエアフィルタたとえばＵＬＰＡフィルタ１８２や、エアの給気流量を調整するための流量調整器１８４等が設けられる。また、排気管１７４の途中には、ミスト回収部１５４より回収されるエアの中に含まれるミストを捕集するためのミストトラップ１８６や、エアの排気流量を調整するための流量調整器１８８等が設けられる。
This air supply and mist recovery system is configured as an air circulation system having an
このエア供給およびミスト回収システムにおいて、ブロアファン１８０の出側より送出されたエアは給気管１６４を通って気体噴出部１５２に供給される。途中のＵＬＰＡフィルタ１８２では不所望な粒子を取り除かれて清浄な空気となり、流量調整器１８４では所望の流量に調整される。上記のように、気体噴出部１５２に供給されたエアは、内部で蓄積・整流されたうえでスリット状の気体噴出口１５６よりナイフ状の鋭利な空気流として吐出される。この気体噴出口１５６より吹き出されたエアは図示しない基板Ｇの表面に当たって反射し、ミスト吸い込み口１７２からミスト回収室１７０に吸い込まれる。その際、エアの風圧で基板表面からミストが発生したときは、そのミストもエアと一緒に巻き込まれるようにしてミスト回収室１７０に吸い込まれ、排気管１７４へ送られる。排気管１７４を通って回収されたミストおよびエアのうちミストだけがミストトラップ１８６に捕集され、エアはブロアファン１８０の入側へ送られる。ミストトラップ１８６は、たとえば公知のラビリンス方式またはサイクロン方式によってミストをトラップ部材に捕集するものであってよい。流量調整器１８８は、排気管１７４を流れるエアの流量を調整し、ひいてはミスト吸い込み口１７２ないしミスト回収室１７０の吸い込み力を調整することができる。
In this air supply and mist collection system, the air sent from the outlet side of the
搬送路１１４の下に配置される他方のエアナイフ１４２も、上記エアナイフ１４０と実質的に同じ構成および機能を有するものであってよい。また、両エアナイフ１４０，１４２を上記のようなエア供給およびミスト回収システムの中で並列接続する構成としてもよい。
The
次に、図７につき、乾燥処理部Ｍ5内のエアナイフ機構の作用を説明する。両エアナイフ１４０，１４２を通過する基板Ｇは、前段のリンス処理部Ｍ4で上下リンスノズル１３７，１３８よりリンス液を浴びてきており、概して、基板上面にはリンス液が１つないし数個の液膜Ｒaの形態で付いており、基板下面にはリンス液が無数の液滴Ｒbの形態で付いている。
Next, the operation of the air knife mechanism in the drying processing unit M5 will be described with reference to FIG. The substrate G passing through both the
搬送路１１４上で基板Ｇが上下エアナイフ１４０，１４２の傍を通過する際に、各エアナイフ１４０，１４２の気体噴出部１５２は搬送方向に逆らう向きでナイフ状の鋭利な空気流を噴出してそれぞれ斜め上方および斜め下方から基板Ｇの上面および下面に吹き付ける。
When the substrate G passes by the upper and
そうすると、基板Ｇの上面では、リンス液の液膜Ｒaが表面張力に抗して基板後方へ吹き寄せられると同時に、エアの風圧を直接受ける上部ミスト吸い込み口１７２付近の基板表面からミストｍが発生し、発生したミストｍは周囲に拡散することなく速やかに上部ミスト回収室１７０の内奥へ吸い込まれ、排気管１７４を通って排出される。また、基板Ｇの下面でも、リンス液の液滴Ｒbが基板後方へ寄せ集められると同時に、エアの風圧を直接受ける下部ミスト吸い込み口１７２付近の基板表面からミストｍが発生し、発生したミストｍは周囲に拡散することなく速やかに下部ミスト回収室１７０の内奥へ吸い込まれ、排気管１７４を通って排出される。
Then, on the upper surface of the substrate G, the liquid film Ra of the rinsing liquid is blown toward the rear of the substrate against the surface tension, and at the same time, mist m is generated from the substrate surface near the upper
一例として、各エアナイフ１４０，１４２において、気体噴出部１５２のエア噴出流量は約１ｍ3／分に設定され、ミスト回収部１５４のエア排気流量はエア噴出流量を上回る流量たとえば１.２ｍ3／分に設定されてよい。また、基板Ｇのとの離間距離は、気体噴出口１５６が約３〜４ｍｍ、ミスト回収室１７０の外側壁部１６８が約５〜６ｍｍに設定されてよい。
As an example, in each of the
このように、各エアナイフ１４０，１４２において、その傍を通過する搬送路１１４上の基板Ｇに対して気体噴出部１５２が搬送方向に逆らう向きでナイフ状の鋭利な空気流を吹き付けるのと並行して、気体噴出部１５２の上流側に隣接して配置されているミスト回収部１５４が基板表面から発生するミストを周囲に拡散する前に吸い込んで回収することにより、搬送方向下流側へのミストの回り込みを防止し、ひいては乾燥処理直後の基板表面へのミストの再付着を確実に防止することができる。
Thus, in each of the
図８に、上部エアナイフ１４０の一変形例を示す。上部エアナイフ１４０では、ミスト回収室１７０に吸い込まれたミストｍの一部が内壁１６６，１６８に付着して液滴となり、重力によって基板Ｇ上に垂れ落ちる可能性がある。この変形例では、ミスト回収室１７０の下端内側に樋部１９０を設け、この樋部１９０の中に液滴を落として集液することで、垂れ落ちを防止するようにしている。この樋部１９０に集液された液は適宜回収されてよく、たとえばミスト回収室１７０の左右端部の片側および／両側から負圧またはバキューム吸引力で排液する構成としてよい。
FIG. 8 shows a modification of the
図９に、本発明の一実施形態における乾燥処理室Ｍ5および基板乾燥機構の別の構成例を示す。この乾燥処理室Ｍ5は隔壁１９４により搬送方向に沿って２つの室Ｍ5a，Ｍ5bに分割されており、隔壁１９４には搬送路１１４上の基板Ｇがわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部１９２が設けられている。下流側の室Ｍ5b内には気体供給系（図示せず）より給気口１９６を介して気体たとえば空気が適当な流量で供給される一方で、上流側の室Ｍ5a内の空気は主として排気口１９８およびドレイン口２００から適当な流量で排気系統（図示せず）へ排気される。これにより、両室Ｍ5b，Ｍ5aの間では相対的に高圧および低圧の空間がそれぞれ形成され、下流側の高圧室Ｍ5bから隔壁１９４の基板通り抜け開口部１９２を通って上流側の低圧室Ｍ5aへ空気が流れ込む。この空気流の風速および流量は、両室Ｍ5b，Ｍ5a間の圧力差を変えることによって適宜調節できる。なお、パン１５０は上流側の室Ｍ5aだけに設けられてよい。
FIG. 9 shows another configuration example of the drying processing chamber M5 and the substrate drying mechanism in one embodiment of the present invention. The drying chamber M5 is divided into two chambers M5a and M5b along the transport direction by a
図１０に、この実施形態における基板乾燥処理の作用を示す。搬送路１１４上で基板Ｇが隔壁１９４の開口部１９２を通り抜ける時、基板Ｇと開口部１９２との間にはわずかな隙間Ｋが形成され、この隙間Ｋを通って下流側の室Ｍ5bから上流側の室Ｍ5aに向って、つまり搬送方向に逆らう向きで空気流Ａが吹き抜けることにより、基板Ｇの表面に付着している液Ｒa，Ｒbは空気流Ａの風圧によって基板後方へ払い落とされると同時に、一部がミストｍとなって上流側の室Ｍ5a内で飛散ないし拡散する。これにより、基板Ｇは表面から液を取り除かれた状態つまり乾燥状態で下流側の室Ｍ5bに抜け出ることとなり、室Ｍ5b内ではミストｍの再付着するおそれもない。上流側の室Ｍ5aでは排気口１９８やドレイン口２００を介してミストが室外へ排出される。
FIG. 10 shows the operation of the substrate drying process in this embodiment. When the substrate G passes through the
上記基板Ｇと開口部１９２との間に形成される隙間Ｋ（Ｄa,Ｄb）は、狭いほど空気流Ａの風圧を大きくすることができ、好ましくは４ｍｍ以下に設定してよい。また、下流側の室Ｍ5bにおいて隔壁１９４を仮想線（一点鎖線）１９４'で示すように開口部１９２に向って断面テーパ状に絞る構成とすることにより、開口部１９２を吹き抜ける空気流Ａの指向性を高めることができる。
The narrower the gap K (Da, Db) formed between the substrate G and the
また、隔壁１９４の開口部１９２付近で基板Ｇは搬送方向と逆向きの空気流Ａを受けるので、基板Ｇがぶれないように水平姿勢を保つのが好ましい。この実施形態では、図９に示すように、開口部１９２の前後または両側にて搬送路１１４上に、基板Ｇの上面の左右両側縁部に接触する押えローラ２０２を設けている。
Further, since the substrate G receives the air flow A in the direction opposite to the transport direction in the vicinity of the
上記した構成例では搬送路１１４に沿って上下一対のエアノズル１４０，１４２を配置したが、３個以上または二対以上配置する構成や、片側だけに１個または複数個配置する構成も可能である。
In the configuration example described above, the pair of upper and
上記構成例の気体供給およびミスト回収システム（図６）は、ブロアファン１８０を有する空気循環系統によって構成された。しかし、気体供給システムとミスト回収システムとを独立させる構成も可能である。その場合、気体供給シスムに気体タンクや給気ポンプを使用してもよく、ミスト回収システムにバキューム装置たとえばエジェクト装置を使用してもよい。
The gas supply and mist recovery system (FIG. 6) in the above configuration example was configured by an air circulation system having a
上記構成例のエアナイフ機構は、気体噴出部１５２の片側にミスト回収部１５４を連設する構成であった。しかし、気体噴出部１５２の両側にミスト回収部１５４を連接する構成も可能である。また、気体噴出部１５２とミスト回収部１５４とを一体型に代えて分離独立型の構成とすることも可能である。また、気体噴出部１５２の気体噴出口１５６をスリット型に代えて多孔型にすることも可能であり、ミスト回収部１５４においてもミスト回収室１７０等の各部の構成を種々変形することができる。
The air knife mechanism of the above configuration example has a configuration in which the
上記した実施形態では、搬送ローラ１１２を水平方向に敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を構成した。このようなコロ搬送型の搬送路では、各対向する一対の搬送ローラ１１２，１１２の中間位置にも基板搬送用のローラを取り付けてもよい。また、一定の間隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設してなるベルト搬送型の搬送路も可能であり、さらには適当な治具によって基板を水平方向に搬送する方式も可能である。。
In the above-described embodiment, the roller conveyance
搬送路の途中で、たとえば乾燥処理部Ｍ5内で基板Ｇを傾斜状態で停止または搬送することも可能である。その場合、エアナイフも基板の傾斜に合せて傾斜状態に切り換える構成とすることができる。 In the middle of the transport path, for example, the substrate G can be stopped or transported in an inclined state in the drying processing unit M5. In that case, the air knife can be switched to the tilted state in accordance with the tilt of the substrate.
上記した実施形態はスクラバ洗浄ユニットまたは洗浄処理装置に係るものであったが、本発明は洗浄処理装置以外の基板処理装置にも適用可能であり、たとえば上記のような塗布現像処理システムにおいては現像ユニット（ＤＥＶ）９４にも適用可能である。すなわち、現像ユニット（ＤＥＶ）９４における搬送路上のリンス処理部の下流側で上記実施形態と同様の乾燥処理を行うことができる。また、本発明はリンス液以外にも任意の液の液切りに適用可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、液切りまたは乾燥を必要とする任意の被処理基板が含まれる。 The above-described embodiment relates to the scrubber cleaning unit or the cleaning processing apparatus. However, the present invention can also be applied to a substrate processing apparatus other than the cleaning processing apparatus. For example, in the coating and developing processing system as described above, development is performed. It can also be applied to the unit (DEV) 94. That is, a drying process similar to that in the above embodiment can be performed on the downstream side of the rinse processing unit on the conveyance path in the developing unit (DEV) 94. Further, the present invention can be applied to draining any liquid other than the rinse liquid. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and includes any substrate that requires liquid draining or drying.
図１１に、図６に示すミスト回収システムの他の構成例を示す。図１１において、図６における構成要素と同一のものについては同一の符号を付して、その説明を省略する。 FIG. 11 shows another configuration example of the mist collection system shown in FIG. 11, the same components as those in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
この構成例では、エアの湿度を減少させるために、ミストトラップ１８６と流量調整器１８８との間に除湿器１８１をさらに設けている。ミスト回収部１５４から排気された気体はミストトラップ１８６でミストを補集した後であっても、依然として水蒸気が含まれている。除湿器１８１により、水蒸気混じりの気体の湿度を適切に調整すれば、例えば、より乾燥した気体を再び気体噴出部１５２から噴出させることができる。これにより例えば新しい気体を使用する必要がなく気体の消費量を削減することができる。また、より乾燥した気体を噴出させることで基板の周囲の雰囲気も乾燥し、ミストの発生を抑制することができる。
In this configuration example, a
図１２に、気体噴出部の一変形例を示す。図１２（ａ）は、気体噴出部（気体噴出ノズル）１５２を模式的に示す。図示のように、気体噴出ノズル１５２の先端に吐出口１５７が設けられている。図１２（ｂ）は、吐出口１５７の形状を示す。吐出口１５７は、たとえば３つのエリアから構成され、それぞれのエリアには気体が噴出する孔１５７ａ、１５７ｂおよび１５７ｃが設けられている。両端のエリアの孔１５７ａおよび１５７ｃは、中央のエリアの孔１５７ｂよりも大きくなっている。気体噴出部１５２より気体を噴出するとき、図１２（ｃ）のように両端エリアにおける孔１５７ａ，１５７ｃの気体噴出量が中央エリアにおける孔１５７ｂの気体噴出量よりも大きい。これにより、液残りの多い基板の端部に強めに気体を吹き付けることができる。
FIG. 12 shows a modification of the gas ejection part. FIG. 12A schematically shows a gas ejection part (gas ejection nozzle) 152. As shown in the figure, a
一般的に、基板Ｇの端部の領域には処理液を除去しきれず「液残り」が発生しやすいが、上記の構成によれば、確実にその「液残り」を防止できる。 In general, the processing liquid cannot be completely removed in the region of the end portion of the substrate G, and “liquid residue” tends to occur. However, according to the above configuration, the “liquid residue” can be reliably prevented.
なお、この気体噴出ノズル１５２において、吐出口または孔１５７ａ、１５７ｂ、１５７ｃは、ノズル１５２の長手方向の端部から中央部にかけて段階的に小さくなるように形成してもよい。
In the
図１３に、気体噴出部１５２より噴出される気体の噴出量の変化を示す。上述のように、一般的に矩形の基板Ｇの端部には処理液が残りやすくなる。そこで、この実施形態では、図１３（ａ）、（ｃ）に示すように矢印方向に流れてくる基板Ｇの下流側端部および上流側端部の領域に吹き付ける気体の量を、図１３（ｂ）に示すように基板Ｇの中央部の領域に吹き付ける量より多くする。基板Ｇの中央部の領域は液残りが少ないため、図１３（ｂ）に示すように比較的弱く吹き付けても除去することができる。
FIG. 13 shows a change in the amount of gas ejected from the
このように、搬送路上で基板Ｇが搬送されることで、気体を噴きつける場所が順に端部、中央部、端部と移行するのに対し、気体噴出の強さは強く、弱く、強く、という具合に、液残りの量に応じて気体噴出の強さを調整することが好ましい。これにより、基板各部の液残りを除去するために必要最小限の強さで気体噴出を行うことができ、省エネルギー化を図ることができる。この気体の噴出量は流量調整器１８４により調整する。
Thus, the substrate G is transported on the transport path, so that the place where the gas is sprayed sequentially shifts to the end, the center, and the end, whereas the strength of the gas ejection is strong, weak, strong, Thus, it is preferable to adjust the strength of gas ejection according to the amount of remaining liquid. As a result, gas can be ejected with the minimum strength necessary to remove the liquid residue on each part of the substrate, and energy saving can be achieved. The gas ejection amount is adjusted by a
また、給気側の流量調整器１８４の調節に伴って、排気側の流量調整器１８８を調整することにより、ミストの発生量に応じて排気量を調節してもよい。上記のように基板Ｇの端部に向けて気体を強く噴出した場合、端部に残っている液が多いぶんミストも多めに発生する。一方で、基板Ｇの中央部に向けて気体を噴出した場合には、中央部に残っている液が少ないためミスト発生量も少ない。このとき、例えば気体を強く噴出する場合には排気量が多くなるように、弱く噴出する場合には排気量が少なくなるように調整する。つまり、給気側の流量調整器１８４により噴出量が強く調整されている場合には、排気側の流量調整器１８８により排気量を強く調整する。また、給気側の流量調整器１８４により噴出量が弱く調整されている場合には、排気側の流量調整器１８８により排気量を弱く調整する。この動作は自動で制御させるようにしてもよい。
Further, the exhaust amount may be adjusted according to the amount of mist generated by adjusting the exhaust side
このように、給気（噴出）側の流量調整器１８４と排気側の流量調整器１８８とを連動して作動させ、適切な強さで効率よくミストを除去することができる。これにより、ブロアファン１８０で消費されるエネルギーを可及的に小さくすることができ、省エネを達成することができる。
In this way, the
この場合、エアナイフ１４０が設けられている乾燥部Ｍ５内の圧力が、大気圧よりも高くなるように制御することが好ましい。これにより、外部からパーティクルが侵入するのを防止することができる。
In this case, it is preferable to control so that the pressure in the drying part M5 provided with the
図１４に、上記した（図１２および図１３において説明した）基板Ｇの表面上でエアが強く噴射される領域（破線で示す）を示す。 FIG. 14 shows a region (indicated by a broken line) where air is strongly jetted on the surface of the substrate G (described in FIGS. 12 and 13).
図１５は、図８に示したエアナイフ１４０の他の例を示す。この例では、樋部１９０に集められた処理液をポンプ１８９によって吸引する構成としてもよい。これにより、樋部１９０に集められた液が満杯になって溢れ落ちることを防止でき、処理品質を向上させることができる。
FIG. 15 shows another example of the
図１６に、上部エアナイフ１４０の他の変形例を示す。この例では、ミスト回収部１５４における側壁部１６８の下部１６８ａにより基板Ｇ上の処理液を掻いている。このように、長く下方へ延びた側壁部１６８によって処理液の一部が塞き止められて除去されるため、気体噴出部１５２およびミスト回収部１５２における気体噴出およびミスト回収の負担が軽減され、気体噴出部１５２からの気体の量を少なくすることができる。これにより、省エネルギー化を達成することができる。
FIG. 16 shows another modification of the
１０ 塗布現像処理システム
１６（Ｐ／Ｓ） プロセスステーション
２４ 洗浄プロセス部
４２ スクラバ洗浄ユニット
９４（ＤＥＶ） 現像ユニット
１１２ 搬送ローラ
１１４ 搬送路
Ｍ5 乾燥処理部
１４０ 上部エアナイフ
１４２ 下部エアナイフ
１５２ 気体噴出部
１５４ ミスト回収部
１５６ 気体噴出口
１５７ａ〜１５７ｃ 吐出口（孔）
１６４ 給気管
１７０ ミスト回収室
１７２ ミスト吸い込み口
１７４ 排気管
１８０ ブロアファン
１８１ 除湿器
１８９ ポンプ
１９０ 樋部
Ｍ5a 上流側（低圧）室
Ｍ5b 下流側（高圧）室
１９２ 基板通り抜け開口部
１９４ 隔壁
１９６ 給気口
１９８ 排気口
DESCRIPTION OF
164
Claims (3)
前記搬送路上で前記基板がわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部を有する隔壁と、
前記隔壁を挟んで前記搬送路の上流側および下流側にそれぞれ設けられた第１および第２の室と、
前記第２の室内に前記第１の室内よりも相対的に高い圧力の空間を形成する差圧形成手段と
を具備し、
前記第２の室側で前記隔壁が前記開口部に向かって断面テーパ状に絞られており、
前記基板が前記隔壁の開口部を通り抜けする際に、前記基板と前記開口部との間に形成される隙間を通って前記第２の室から前記第１の室へ流れる気体の風圧によって前記基板の表面に付いている液を前記第１の室で払い落とす、
基板処理装置。 A transport path for transporting the substrate to be processed in a horizontal direction in a substantially horizontal posture;
A partition wall having an opening through which the substrate can pass through a slight gap on the transport path;
First and second chambers provided on the upstream side and the downstream side of the conveyance path, respectively, across the partition;
Differential pressure forming means for forming a space of relatively higher pressure in the second chamber than in the first chamber,
The partition is narrowed in a tapered section toward the opening on the second chamber side;
When the substrate passes through the opening of the partition wall, the substrate is caused by the wind pressure of the gas flowing from the second chamber to the first chamber through a gap formed between the substrate and the opening. The liquid on the surface of the liquid is removed in the first chamber,
Substrate processing equipment.
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