JP2003023223A - 回路用金属基板及び半導体装置 - Google Patents

回路用金属基板及び半導体装置

Info

Publication number
JP2003023223A
JP2003023223A JP2001207201A JP2001207201A JP2003023223A JP 2003023223 A JP2003023223 A JP 2003023223A JP 2001207201 A JP2001207201 A JP 2001207201A JP 2001207201 A JP2001207201 A JP 2001207201A JP 2003023223 A JP2003023223 A JP 2003023223A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
metal plate
rubber
resin
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001207201A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Suzuki
和弘 鈴木
Akira Bando
阪東  明
Rikuo Kamoshita
陸男 鴨志田
Tsutomu Hirai
強 平井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2001207201A priority Critical patent/JP2003023223A/ja
Publication of JP2003023223A publication Critical patent/JP2003023223A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】耐熱性確保に有利な樹脂絶縁系回路用金属基板
を提供すること及び該回路用金属基板を用いた半導体装
置を提供することにある。 【解決手段】第一の金属板に絶縁層を介して電気回路パ
ターン状に形成された金属板(以下、第二の金属板と記
す)が積層されて構成される回路用金属基板において、
前記第二の金属板に接する樹脂層が該金属板の側面の少
なくても一部を覆っており、前記第一の金属板に接する
樹脂層は、シリコーンゴム成分あるいは/及びフッ素ゴ
ム成分を含有し、且つ前記第二の金属板に接する樹脂層
に接する樹脂層は、ブタジエン系ゴム,ニトリルゴム,
アクリルゴム,アクリロニトリルゴム,スチレン−ブタ
ジエン系ゴム,エチレン−プロピレン系ゴム,ウレタン
系ゴムから選ばれる1種類あるいは2種類以上のゴム成
分を含有するように形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子等電子・
電気部品を搭載して用いられる回路用金属基板及び前記
回路用金属基板を用いた、パワー系半導体モジュール装
置を含めた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】インバータ,コンバータ,サーボ等の電
子機器では、通常搭載されているダイオード,トランジ
スタ,IGBT,MOSFET等パワー系半導体素子の
高発熱性を考慮し、金属板上に高熱伝導性の絶縁層を設
けた金属基板を回路用基板として用いている。発熱量が
比較的小さい中,小容量品では樹脂絶縁層を用いたもの
が一般的である。
【0003】本発明が対象とする樹脂絶縁層を用いた回
路用金属基板に関して、本発明者らは、特開2000−
151049にて電気回路パターンの厚さが大きな回路
用金属基板及びその製造方法及び該回路用金属基板を用
いた半導体装置に関する技術を開示している。この技術
では、金属板に、無機系充填材を高充填した高熱伝導性
樹脂シートを載置、あるいは無機系充填材を高充填した
高熱伝導性樹脂を塗布してから、これらを加熱加圧成型
することにより樹脂絶縁層を形成している。この後、該
樹脂絶縁層上に金属回路パターンを液状接着剤で接着す
ることにより回路用金属基板が得られる。
【0004】前記樹脂絶縁層を形成するに当たっては、
高熱伝導性樹脂シートを用いる方法が、加工合理性及び
樹脂絶縁層の信頼性確保に有利である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】高熱伝導性樹脂シート
を用いる場合、樹脂シートのハンドリング性を改善する
ため、樹脂にブタジエン系ゴム,ニトリルゴム,アクリ
ルゴム,アクリロニトリルゴム,スチレン−ブタジエン
系ゴム,エチレン−プロピレン系ゴム,ウレタン系ゴム
等から選ばれる1種類あるいは2種類以上のゴム成分を
含有させることが有効である。これらゴム成分が含有さ
れないと、シートの可撓性が不足し、シートのハンドリ
ング時にシートが割れる等の不具合が発生し易くなる。
【0006】一方、上記ゴム成分を含有することによ
り、硬化樹脂の耐熱性はある程度低下せざるを得ない。
特に、絶縁抵抗の高温側での低下は、本樹脂絶縁系回路
用金属基板の適用範囲を限定させる要因に成り得る。自
動車用等の電子機器では動作雰囲気が高温度側に移行す
る傾向にあり、これら分野で樹脂絶縁系回路用金属基板
を適用するためには上記特性を改善する必要がある。
【0007】本発明の目的は、耐熱性確保に有利な樹脂
絶縁系回路用金属基板及び該回路用金属基板を用いた半
導体装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の特徴は以下の点にある。
【0009】本発明の回路用金属基板の特徴は、第一の
金属板に絶縁層を介して電気回路パターン状に形成され
た導電性金属板(以下、第二の金属板と記す)が積層さ
れて構成される回路用金属基板において、前記第二の金
属板に接する樹脂層が該金属板の側面の少なくても一部
を覆っており、且つ前記第一の金属板と前記第二の金属
板の間の前記絶縁層が、樹脂組成の異なる3層以上の樹
脂層から構成されていることにある。さらに、前記第一
の金属板に接する樹脂層は、シリコーンゴム成分あるい
は/及びフッ素ゴム成分を含有し、且つ前記第二の金属
板に接する樹脂層に接する樹脂層は、ブタジエン系ゴ
ム,ニトリルゴム,アクリルゴム,アクリロニトリルゴ
ム,スチレン−ブタジエン系ゴム,エチレン−プロピレ
ン系ゴム,ウレタン系ゴムから選ばれる1種類あるいは
2種類以上のゴム成分を含有することにある。さらに、
第一の金属板上の前記樹脂層上に、前記第二の金属板と
共に、有機プリント回路基板が搭載されていることにあ
る。
【0010】そして、本発明の半導体装置の特徴は、前
記本発明の回路用金属基板の電気回路パターン,有機プ
リント回路基板上に、ダイオード,トランジスタ,IG
BT,MOSFET等のパワー系半導体素子が搭載され
ていることにある。
【0011】また、本発明の半導体装置としては、パワ
ー半導体モジュール等の複数の半導体素子を搭載する半
導体装置も含まれる。さらに、前記パワー半導体モジュ
ール装置には、パワー半導体素子のみならず、これら素
子を制御する制御回路並びに各種保護回路、さらにはI
C等の情報処理部品・回路を搭載するパワー半導体モジ
ュール装置も含まれる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面により本発明をさらに
詳細に説明する。
【0013】図1は本発明による回路用金属基板の組み
立て工程を模式的に示したものである。第一の金属板1
は、材質,厚さを含め通常回路用金属基板に用いられて
いるものをそのまま使用できる。厚さ1.5〜3mm のア
ルミニウム,銅製の金属板を用いるのが一般的である。
必要に応じて、金属表面に表面粗化処理を施したり、各
種メッキ処理を施してもよい。
【0014】次に、この第一の金属板表面に樹脂層を配
置する(a)。この手法としては、シート状の樹脂(樹
脂プリプレグも含める)を載置する方法,液状樹脂を塗
布する方法等種々の方法があるが、何れの方法を用いて
もよい。本発明による回路用金属基板では、第一の金属
板の直上にはシリコーンゴム成分あるいは/及びフッ素
ゴム成分を含有する未硬化あるいは半硬化状態の樹脂層
を配置し、最上層にはブタジエン系ゴム,ニトリルゴ
ム,アクリルゴム,アクリロニトリルゴム,スチレン−
ブタジエン系ゴム,エチレン−プロピレン系ゴム,ウレ
タン系ゴムから選ばれる1種類あるいは2種類以上のゴ
ム成分を含有する未硬化あるいは半硬化状態の樹脂層を
配置する。これら樹脂層の膜厚構成については特に制限
は無く、同じであっても目的に応じて変えても良い。
【0015】前記した樹脂シートのハンドリング性向上
並びに樹脂耐熱性向上を両立させるため、第一の金属板
直上の樹脂層には、耐熱性に優れたシリコーンゴム成分
あるいは/及びフッ素ゴム成分を含有する樹脂系(以
下、樹脂系Aで示す)を用いている。しかし、これらの
ゴム成分を含有する樹脂系は耐熱性に優れる反面、硬化
後の被接着性に難点を有することがある。本発明では次
の工程で、第二の金属板を液状接着剤で硬化樹脂層に接
着する必要があるため、第二の金属板が接着される硬化
樹脂層には、一般的に接着性に優れるブタジエン系ゴ
ム,ニトリルゴム,アクリルゴム,アクリロニトリルゴ
ム,スチレン−ブタジエン系ゴム,エチレン−プロピレ
ン系ゴム,ウレタン系ゴムから選ばれる1種類あるいは
2種類以上のゴム成分を含有する樹脂系(以下、樹脂系
Bで示す)を用いている。樹脂系Bは耐熱性の面で不利
な系ではあるが、第二の金属板を強固に接着固定するた
めには必須な樹脂系であり、回路用金属板としての耐熱
性は、樹脂系Aと併用する結果として確保することが可
能である。樹脂系Aと樹脂系Bとは、両者未硬化あるい
は半硬化状態で加熱加圧成型する場合には問題無く接着
する。
【0016】ここで形成する樹脂層には絶縁特性と共に
高熱伝導性の機能を担わせているため、アルミナ,シリ
カ,窒化アルミニウム,窒化ホウ素等の無機充填材が添
加されていることが必要である。用いる樹脂系として
は、接着性の面で、エポキシ樹脂,フェノール樹脂等の
熱硬化性樹脂系が有利であるが、ポリイミド,ポリアミ
ドイミド,ポリアミドエーテル系等を含めた樹脂系を併
用することも可能である。
【0017】ここで形成した樹脂層は、その後の加熱加
圧工程で硬化させる(b)。
【0018】それから、電気回路パターン状に形成され
た第二の金属板5を接合するための樹脂層4を形成する
(c)。本工程で用いる樹脂系としては、例えばエポキ
シ樹脂系等の液状樹脂系が望ましい。工程(b)で形成
した樹脂層の上に、液状樹脂系をスクリーン印刷法等で
塗布する。この場合、樹脂層全面に液状樹脂系を塗布し
ても、あるいは第二の金属板のパターン状に塗布しても
よい。
【0019】溶剤を添加した樹脂系を用いた場合には、
この後、樹脂系の硬化反応が完全には進まない温度で溶
剤を飛散させて除去する。
【0020】それから、第二の金属板を工程(c)で形
成した樹脂層の上に載置し、加熱加圧成型する(d)。
該樹脂層は初期の段階では十分に軟らかいため、(d)
に示すように加熱加圧成型時にはみ出してフィレット形
状6を形成して硬化することになる。このフィレット形
状は、液状樹脂塗布厚さ,第二の金属板の厚さ,加熱温
度,加圧圧力等を調節することにより制御できる。液状
樹脂塗布厚さについては注意が必要で、厚すぎるとはみ
出し樹脂が第二の金属板の露出面を汚染し、部品搭載時
の支障となる。
【0021】本発明の内容を実施例でさらに詳細に説明
する。
【0022】〔実施例1〕本実施例の内容を図1を用い
て説明する。
【0023】まず、厚さ2mmのアルミニウム基板1上
に、シリコーンゴム成分で変性したエポキシ樹脂組成物
(アルミナ充填量86wt%)より成る膜厚80μmの
半硬化状態樹脂シート2(以下、樹脂層Aで示す)を載
置した。ついで、樹脂層Aの上に、アクリロニトリルゴ
ムで変性したエポキシ樹脂組成物(アルミナ充填量88
wt%)より成る膜厚80μmの半硬化状態樹脂シート
3(以下、樹脂層Bで示す)を載置した(a)。その上
に、離型紙,クッションボード等のプレス構成材を配置
してから、30torr以下の減圧下、温度170℃,面圧
30kg/cm2 の条件で40分間加熱加圧処理を行うこと
により、硬化樹脂層を形成した(b)。次に、この硬化
樹脂層の上に、液状エポキシ樹脂をスクリーン印刷法で
塗布し、膜厚〜20μmの樹脂塗膜4を形成した。この
樹脂塗膜上に厚さ1.2mm のニッケルメッキ付き銅製回
路パターン5を載置してから(c)、温度170℃,圧
力5kg/cm2 の条件で加熱加圧処理を15分間行い、上
記銅製回路パターンを接着した(d)。
【0024】回路パターン接着完了後、回路パターンの
側面には加熱加圧時に流れ出た樹脂によりフィレット形
状6が形成された。
【0025】本実施例で作製した基板について、回路パ
ターンとアルミニウム基板に直流500Vの電圧を印加
して1分後の絶縁抵抗値の測定を行った所、室温では1.
1TΩ、110℃では1.3GΩ であり、高温域での絶
縁抵抗低下が比較的小さいことが分かった。さらに、条
件:−40℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/3
0分の温度サイクル試験を行った。所定回数ごとに超音
波探傷装置で回路パターン接着界面の接着状態を調べ
た。その結果、1000回後においても、上記接着界面
にボイド,剥離等の劣化の兆候は見られず、優れた接着
性を有することが分かった。
【0026】〔実施例2〕本実施例の内容を図2を用い
て説明する。
【0027】実施例1と同様にして、アルミニウム基板
1上に硬化樹脂層を形成した後、樹脂塗膜4を形成し
た。それから、この樹脂塗膜上に、厚さ1.2mm のニッ
ケルメッキ付き銅製回路パターン5及び厚さ1.2mm の
ガラスエポキシ製両面プリント基板7を載置した
(c)。この後、温度170℃,圧力5kg/cm2 の条件
で加熱加圧処理を15分間行い、上記銅製回路パターン
及びガラスエポキシ製両面プリント基板を接着した
(d)。接着完了後、銅製回路パターン及びプリント基
板の側面には加熱加圧時に流れ出た樹脂によりフィレッ
ト形状6が形成された。
【0028】本実施例で作製した基板について、条件:
−40℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/30分
の温度サイクル試験を行った。所定回数ごとに超音波探
傷装置で銅製回路パターン及びプリント基板接着界面の
接着状態を調べた。その結果、1000回後において
も、上記接着界面にボイド,剥離等の劣化の兆候は見ら
れず、回路パターンに加えてプリント基板も搭載した、
搭載品接着性に優れた回路用金属基板を作製することが
できた。
【0029】〔実施例3〕本実施例の内容を図3を用い
て説明する。
【0030】実施例2と同様な工程で、回路パターン5
及びプリント基板7を接着した回路用金属基板を作製し
た(a)。次に、この回路用金属基板上の回路パターン
5及びプリント基板7に、パワーMOSトランジスター
素子8,電子・電気部品9を半田を用いて搭載してか
ら、電極板10をインサートした樹脂製ケース12を前
記回路用金属基板上にシリコーン系接着剤で接着した
(b)。その後、アルミニウムボンディングワイヤ13
で電気的接続を行った(c)。そして、ケース内部にシ
リコーンゲル14を注入し、130℃/0.5 時間の加
熱で硬化させた(d)。最後に、蓋状ケース15をシリコ
ーン系接着剤で接着してパワー半導体モジュール装置を
作製した(e)。
【0031】尚、本実施例では、パワー半導体モジュー
ル装置底面のほぼ全域に回路用金属基板を用いている
が、本発明はこの構成に限定されるものではなく、目的
に応じて、例えばパワー半導体素子が搭載される領域等
特に放熱が必要とされる領域に限って回路用金属基板を
用いてもよい。
【0032】本実施例で作製した半導体装置について、
110℃温度雰囲気下で連続動作試験を行ったが、30
分経過後も正常に動作し、高温域での特性に優れた、樹
脂絶縁系回路基板を用いたパワー半導体モジュール装置
であることが分った。
【0033】樹脂絶縁系の回路用金属基板は、一般的に
耐衝撃振動性に有利と考えられる上、本発明による回路
用金属基板では高温域での絶縁特性低下も小さいため、
本発明による回路用金属基板を用いた半導体モジュール
装置は、例えば、耐衝撃振動性及び耐熱性が要求される
(電気自動車及びハイブリッド自動車を含めた)陸上車
両への適用が好適であると考えられる。
【0034】〔比較例1〕実施例1の樹脂層Aの替わり
に樹脂層Bを用いた以外は、実施例1と同様にして、回
路用金属基板を組み立てた。即ち、本実施例の場合に
は、樹脂層Bが積層されていることになる。回路パター
ン接着完了後、回路パターンの側面には加熱加圧時に流
れ出た樹脂によりフィレット形状が形成された。
【0035】本実施例で作製した基板について、回路パ
ターンとアルミニウム基板に直流500Vの電圧を印加
して1分後の絶縁抵抗値の測定を行った所、室温では1.
2TΩ、110℃では25MΩであり、高温域での絶縁
抵抗低下が大きいことが分かった。さらに、条件:−4
0℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/30分の温
度サイクル試験を行った。所定回数ごとに超音波探傷装
置で回路パターン接着界面の接着状態を調べた。その結
果、1000回後においても、上記接着界面にボイド,
剥離等の劣化の兆候は見られず、優れた接着性を有する
ことが分かった。
【0036】〔比較例2〕実施例1の樹脂層Bの替わり
に樹脂層Aを用いた以外は、実施例1と同様にして、回
路用金属基板を組み立てた。即ち、本実施例の場合に
は、樹脂層Aが積層されていることになる。本実施例の
場合には、硬化樹脂層上に樹脂塗膜を形成する際、塗布
した樹脂が部分的にはじかれた状態となった。回路パタ
ーン接着完了後、回路パターンの側面には加熱加圧時に
流れ出た樹脂によりフィレット形状が形成された。
【0037】本実施例で作製した基板について、回路パ
ターンとアルミニウム基板に直流500Vの電圧を印加
して1分後の絶縁抵抗値の測定を行った所、室温では1.
2TΩ、110℃では2.2GΩ であり、高温域での絶
縁抵抗低下が比較的小さいことが分かった。さらに、条
件:−40℃/30分⇔25℃/30分⇔125℃/3
0分の温度サイクル試験を行った。所定回数ごとに超音
波探傷装置で回路パターン接着界面の接着状態を調べ
た。その結果、温度サイクル500回の時点で、上記接
着界面に剥離が発生しており、本比較例の構成では回路
パターンの接着性に問題あることが分かった。
【0038】〔比較例3〕用いた回路用金属基板の硬化
樹脂層が樹脂層Bの積層構成になっていること以外は、
実施例3と同様な工程で、パワー半導体モジュール装置
を作製した(e)。
【0039】本実施例で作製した半導体装置について、
110℃温度雰囲気下で連続動作試験を行った所、約1
5分経過後から動作異常が発生した。
【0040】
【発明の効果】上述の如く、本発明による回路用金属基
板においては、複数の樹脂層に耐熱性と電気回路パター
ンとの接着性確保を分担させるように構成しているた
め、回路用金属基板としての耐熱性並びに電気回路パタ
ーンの接着信頼性を同時に満たすことが可能である。ま
た、本発明による半導体装置は、前記特徴を有する回路
用金属基板を用いているため、高温域における動作信頼
性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による回路用金属基板の組み立て工程模
式図である。
【図2】本発明による回路用金属基板の組み立て工程模
式図である。
【図3】本発明によるパワー半導体モジュール装置の組
み立て工程模式図である。
【符号の説明】
1…アルミニウム基板、2…樹脂層A、3…樹脂層B、
4…樹脂塗膜、5…回路パターン、6…樹脂フィレッ
ト、7…有機プリント基板、8…パワーMOSトランジ
スター素子、9…電子・電気部品、10…電極板、11
…外部取出し端子・ピン、12…樹脂製ケース、13…
アルミニウムボンディングワイヤ、14…シリコーンゲ
ル、15…蓋状ケース。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 1/02 H01L 23/36 C (72)発明者 鴨志田 陸男 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 平井 強 茨城県日立市幸町三丁目1番1号 株式会 社日立製作所火力・水力事業部内 Fターム(参考) 5E315 AA03 AA13 BB01 BB03 BB14 BB15 CC01 CC16 CC23 CC24 DD13 DD17 GG03 GG05 5E338 AA01 AA03 AA16 AA18 BB63 BB75 CC01 CD11 EE01 EE11 5F036 AA01 BB08 BC22 BD22

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属板と、前記金属板上に形成された絶縁
    層と、前記絶縁層上に形成された回路パターンとを有す
    る回路用金属基板において、前記絶縁層が、樹脂組成の
    異なる2層以上の樹脂層から構成されていることを特徴
    とする回路用金属基板。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の回路用金属基板におい
    て、前記回路パターンの側面の少なくとも一部が樹脂層
    で覆われていることを特徴とする回路用金属基板。
  3. 【請求項3】請求項1に記載の回路用金属基板におい
    て、前記絶縁層が、シリコーンゴム成分またはフッ素ゴ
    ム成分を含有した樹脂層を有することを特徴とする回路
    用金属基板。
  4. 【請求項4】第一の金属板に絶縁層を介して電気回路パ
    ターン状に形成された第二の金属板とが積層されて構成
    される回路用金属基板において、前記第二の金属板に接
    する樹脂層が該金属板の側面の少なくとも一部を覆って
    おり、前記第一の金属板と前記第二の金属板との間の絶
    縁層が、樹脂組成の異なる3層以上の樹脂層から構成さ
    れていることを特徴とする回路用金属基板。
  5. 【請求項5】請求項1に記載の回路用金属基板におい
    て、前記第一の金属板に接する樹脂層は、シリコーンゴ
    ム成分またはフッ素ゴム成分を含有し、前記第二の金属
    板に接する樹脂層に接する樹脂層は、ブタジエン系ゴ
    ム,ニトリルゴム,アクリルゴム,アクリロニトリルゴ
    ム,スチレン−ブタジエン系ゴム,エチレン−プロピレ
    ン系ゴム,ウレタン系ゴムから選ばれる1種類あるいは
    2種類以上のゴム成分を含有することを特徴とする回路
    用金属基板。
  6. 【請求項6】請求項4または5に記載の回路用金属基板
    において、前記第一の金属板上の前記樹脂層上に、前記
    第二の金属板と共に、有機プリント回路基板が搭載され
    ていることを特徴とする回路用金属基板。
  7. 【請求項7】請求項1〜6のいずれかに記載の回路用金
    属基板上に半導体素子等の電子・電気部品を搭載したこ
    とを特徴とする半導体装置。
JP2001207201A 2001-07-09 2001-07-09 回路用金属基板及び半導体装置 Pending JP2003023223A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001207201A JP2003023223A (ja) 2001-07-09 2001-07-09 回路用金属基板及び半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001207201A JP2003023223A (ja) 2001-07-09 2001-07-09 回路用金属基板及び半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003023223A true JP2003023223A (ja) 2003-01-24

Family

ID=19043217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001207201A Pending JP2003023223A (ja) 2001-07-09 2001-07-09 回路用金属基板及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003023223A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009540590A (ja) * 2006-06-13 2009-11-19 バレオ・エチユード・エレクトロニク 電気コンポーネントのためのホルダならびにそのホルダおよびコンポーネントを含む電気装置
JP2010226010A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Alps Electric Co Ltd 電子回路ユニット及びその製造方法
JP2015019003A (ja) * 2013-07-12 2015-01-29 三菱電機株式会社 パワーモジュール及びその製造方法
JP2016143775A (ja) * 2015-02-02 2016-08-08 日本発條株式会社 金属ベース回路基板及びその製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009540590A (ja) * 2006-06-13 2009-11-19 バレオ・エチユード・エレクトロニク 電気コンポーネントのためのホルダならびにそのホルダおよびコンポーネントを含む電気装置
US8742259B2 (en) 2006-06-13 2014-06-03 Valeo Etudes Electroniques Holder for electrical component and electrical device including the holder and component
JP2010226010A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Alps Electric Co Ltd 電子回路ユニット及びその製造方法
JP2015019003A (ja) * 2013-07-12 2015-01-29 三菱電機株式会社 パワーモジュール及びその製造方法
JP2016143775A (ja) * 2015-02-02 2016-08-08 日本発條株式会社 金属ベース回路基板及びその製造方法
WO2016125650A1 (ja) * 2015-02-02 2016-08-11 日本発條株式会社 金属ベース回路基板及びその製造方法
US11490513B2 (en) 2015-02-02 2022-11-01 Nhk Spring Co., Ltd. Metal base circuit board and method of manufacturing the metal base circuit board

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW463334B (en) Semiconductor module and a method for mounting the same
TWI239556B (en) Reinforcement combining apparatus and method of combining reinforcement
WO2007130643A2 (en) Die-on-leadframe (dol) with high voltage isolation
JP2930133B2 (ja) 印刷配線板複合構造体
JP4098403B2 (ja) 接着剤、接着方法及び実装基板の組み立て体
JPH09505444A (ja) 接着シートを用いたマルチチップ電子パッケージモジュール
JPH06291236A (ja) 半導体装置
JP3830860B2 (ja) パワーモジュールとその製造方法
JP2010272556A (ja) モールドパッケージおよびその製造方法
JP2001326879A (ja) ディスプレイドライバモジュールおよびその製造方法
JP2003023223A (ja) 回路用金属基板及び半導体装置
JP2007035546A (ja) 圧着装置及び圧着方法
JP2985640B2 (ja) 電極接続体及びその製造方法
WO2007015367A1 (ja) 接続構造体の製造方法
JPH11121682A (ja) テープキャリアパッケージ半導体装置及びそれを用いた液晶パネル表示装置
JP3743716B2 (ja) フレキシブル配線基板及び半導体素子の実装方法
JP2004040127A (ja) 熱伝導スペーサ及びヒートシンク
KR970067732A (ko) 접착 조성물의 수축으로 인한 파손이 적은 반도체 칩과 기판 사이의 전기적 접속을 갖는 반도체 소자 및 그 실장 방법
JP5556007B2 (ja) 電子装置
JP2001223465A (ja) プリント配線基板の接続方法及び接続構造
JP2000151049A (ja) 回路用金属基板とその製造方法および半導体装置
JP7463909B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0316311Y2 (ja)
JP2002335056A (ja) 金属ベース基板及びその製造方法
JP3868557B2 (ja) Ic搭載用多層プリント配線板の製造方法