JP2003017493A - 配線構造体の形成方法 - Google Patents
配線構造体の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅に対する拡散防止性能と、層間絶縁膜及び
銅との密着性とを兼ね備えた拡散バリア膜を形成する。 【解決手段】 半導体基板１１上に、絶縁膜１２、シリ
コン窒化酸化膜１３、シリコン酸化膜１４を形成し、配
線溝１５を形成する。配線溝１５にＴａＮ膜１６を形成
し、さらにＣｕ膜１７を形成する。次にシリコン酸化膜
１４とＴａＮ膜１６を熱反応させることによりＴａＳｉ
Ｎ膜１８を形成する。次にシリコン窒化酸化膜１３上の
Ｃｕ膜１７を研磨することによりＣｕ配線層１７ａを形
成する。熱処理によりＴａＳｉＮ膜が形成されることに
より、シリコン酸化膜とＴａＮ膜の密着力が向上し、膜
はがれを防止する。
銅との密着性とを兼ね備えた拡散バリア膜を形成する。 【解決手段】 半導体基板１１上に、絶縁膜１２、シリ
コン窒化酸化膜１３、シリコン酸化膜１４を形成し、配
線溝１５を形成する。配線溝１５にＴａＮ膜１６を形成
し、さらにＣｕ膜１７を形成する。次にシリコン酸化膜
１４とＴａＮ膜１６を熱反応させることによりＴａＳｉ
Ｎ膜１８を形成する。次にシリコン窒化酸化膜１３上の
Ｃｕ膜１７を研磨することによりＣｕ配線層１７ａを形
成する。熱処理によりＴａＳｉＮ膜が形成されることに
より、シリコン酸化膜とＴａＮ膜の密着力が向上し、膜
はがれを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線構造体の形成
方法に関するものであり、特に、配線材料の下に形成す
るバリア層に関するものである。
方法に関するものであり、特に、配線材料の下に形成す
るバリア層に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】銅配線を用いた半導体装置においては、
銅の層間絶縁膜への拡散を防止するため、拡散防止膜
（拡散バリア膜）を設けることが必要である。また拡散
バリア膜は、配線信頼性を保持するため、層間絶縁膜お
よび銅との密着性が高くなくてはならない。このため、
これまでに、銅の拡散を防止するバリアメタルについて
提案がなされている。
銅の層間絶縁膜への拡散を防止するため、拡散防止膜
（拡散バリア膜）を設けることが必要である。また拡散
バリア膜は、配線信頼性を保持するため、層間絶縁膜お
よび銅との密着性が高くなくてはならない。このため、
これまでに、銅の拡散を防止するバリアメタルについて
提案がなされている。
【０００３】バリアメタルを用いた配線構造体の形成は
以下の工程により行われていた。まず、下地銅配線上に
絶縁膜を形成し、この絶縁膜に配線溝と、下地配線層に
至る孔とを形成する。次に、配線溝と孔の表面層に薄い
拡散バリア膜を形成する。この際、配線溝と孔の表面層
が完全に拡散バリア膜で覆われているようにする。未覆
領域からの銅の拡散を防止するためである。その後、拡
散バリア膜で覆われた配線溝と孔とを埋め込みながら銅
膜を成長し、ＣＭＰ法によって絶縁膜表面に形成された
銅膜と拡散バリア膜とを選択的に除去する。
以下の工程により行われていた。まず、下地銅配線上に
絶縁膜を形成し、この絶縁膜に配線溝と、下地配線層に
至る孔とを形成する。次に、配線溝と孔の表面層に薄い
拡散バリア膜を形成する。この際、配線溝と孔の表面層
が完全に拡散バリア膜で覆われているようにする。未覆
領域からの銅の拡散を防止するためである。その後、拡
散バリア膜で覆われた配線溝と孔とを埋め込みながら銅
膜を成長し、ＣＭＰ法によって絶縁膜表面に形成された
銅膜と拡散バリア膜とを選択的に除去する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】銅の拡散バリア膜は、
銅に対する拡散防止性能と層間絶縁膜及び銅との密着性
を兼ね備える必要があるがこのような拡散バリア膜を形
成することが困難である。たとえば特開２０００−７２
０４号公報のように、アモルファスＴａＮのような微粒
子からなる金属膜を用いた場合には、比抵抗も約２００
−２５０μΩ−ｃｍと低く、結晶化した金属膜と異な
り、銅の拡散経路も存在しないため、銅拡散に対するバ
リア性は非常に高いものとなるが、金属膜の表面はアモ
ルファス状で結晶格子が均等に配列されていないため、
このアモルファス状膜上に銅を成膜すると、銅の結晶性
と銅に対する密着性が劣化する。
銅に対する拡散防止性能と層間絶縁膜及び銅との密着性
を兼ね備える必要があるがこのような拡散バリア膜を形
成することが困難である。たとえば特開２０００−７２
０４号公報のように、アモルファスＴａＮのような微粒
子からなる金属膜を用いた場合には、比抵抗も約２００
−２５０μΩ−ｃｍと低く、結晶化した金属膜と異な
り、銅の拡散経路も存在しないため、銅拡散に対するバ
リア性は非常に高いものとなるが、金属膜の表面はアモ
ルファス状で結晶格子が均等に配列されていないため、
このアモルファス状膜上に銅を成膜すると、銅の結晶性
と銅に対する密着性が劣化する。
【０００５】さらに、下地層間絶縁膜との密着性も劣っ
ているため、銅配線を形成するため、研磨する際に層間
絶縁膜とバリア層である金属膜の膜はがれが生じて配線
歩留りが低下する。
ているため、銅配線を形成するため、研磨する際に層間
絶縁膜とバリア層である金属膜の膜はがれが生じて配線
歩留りが低下する。
【０００６】以上に鑑み、本発明は銅配線を用いた半導
体装置において、銅の半導体装置中への拡散を防止する
拡散バリア性能と、銅及び配線層間膜の間の密着性能と
を兼ね備えた拡散バリア膜を有する配線構造体の形成方
法を提供することを目的とする。
体装置において、銅の半導体装置中への拡散を防止する
拡散バリア性能と、銅及び配線層間膜の間の密着性能と
を兼ね備えた拡散バリア膜を有する配線構造体の形成方
法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、シリコン含有絶縁膜に溝部を形成する工程
と、前記シリコン含有絶縁膜の表面および溝部内部に高
融点金属窒化物を形成する工程と、前記溝部が埋まるよ
うに導電膜を形成する工程と、前記溝部からはみ出した
前記導電膜を、除去して配線層を形成する工程とを備
え、さらに熱処理により前記シリコン含有絶縁膜と前記
高融点金属窒化物とを反応させ、前記シリコン含有絶縁
膜の表面にシリコン含有高融点金属窒化物を形成する工
程とを含む、配線構造体の形成方法とする。
本発明では、シリコン含有絶縁膜に溝部を形成する工程
と、前記シリコン含有絶縁膜の表面および溝部内部に高
融点金属窒化物を形成する工程と、前記溝部が埋まるよ
うに導電膜を形成する工程と、前記溝部からはみ出した
前記導電膜を、除去して配線層を形成する工程とを備
え、さらに熱処理により前記シリコン含有絶縁膜と前記
高融点金属窒化物とを反応させ、前記シリコン含有絶縁
膜の表面にシリコン含有高融点金属窒化物を形成する工
程とを含む、配線構造体の形成方法とする。
【０００８】また層間絶縁膜上に、シリコン窒化膜と、
シリコン含有絶縁膜とを堆積する工程と、これらの絶縁
膜に、その底面が層間絶縁膜に到達する溝部を形成する
工程と、前記シリコン含有絶縁膜の表面および溝部の内
部に、拡散バリア層として機能するＴａＮを、前記溝部
が埋まってしまわないよう形成する工程と、前記シリコ
ン含有絶縁膜上および前記溝部を埋めるように銅を主成
分とする導電膜を形成する工程と、前記導電膜および、
前記シリコン含有絶縁膜を除去し、前記溝部内に導電膜
を埋め込むことにより、配線層を形成する工程とを備
え、さらに熱処理により前記シリコン含有絶縁膜と前記
高融点金属窒化物とを反応させ、前記シリコン含有絶縁
膜の表面にシリコン含有高融点金属窒化物を形成する工
程とを含む、配線構造体の形成方法とする。
シリコン含有絶縁膜とを堆積する工程と、これらの絶縁
膜に、その底面が層間絶縁膜に到達する溝部を形成する
工程と、前記シリコン含有絶縁膜の表面および溝部の内
部に、拡散バリア層として機能するＴａＮを、前記溝部
が埋まってしまわないよう形成する工程と、前記シリコ
ン含有絶縁膜上および前記溝部を埋めるように銅を主成
分とする導電膜を形成する工程と、前記導電膜および、
前記シリコン含有絶縁膜を除去し、前記溝部内に導電膜
を埋め込むことにより、配線層を形成する工程とを備
え、さらに熱処理により前記シリコン含有絶縁膜と前記
高融点金属窒化物とを反応させ、前記シリコン含有絶縁
膜の表面にシリコン含有高融点金属窒化物を形成する工
程とを含む、配線構造体の形成方法とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に対して図面を参照しながら説明す
る。
の第１の実施形態に対して図面を参照しながら説明す
る。
【００１０】図１（ａ）から図１（ｄ）は本発明の第１
の実施形態による配線構造体の形成方法を説明する工程
断面図である。
の実施形態による配線構造体の形成方法を説明する工程
断面図である。
【００１１】図１（ａ）に示すように、シリコンからな
る半導体基板１１上に、シリコン酸化膜からなる絶縁膜
１２を、原料ガスにＴＥＯＳとＯ2を用いたプラズマＣ
ＶＤ法により形成する。絶縁膜１２上にプラズマＣＶＤ
法により原料ガスにＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｎ2を用い膜厚８
０ｎｍのシリコン窒化酸化膜１３を形成する。このシリ
コン窒化酸化膜１３はリソグラフィの際に下地からの反
射防止膜として作用する。例えば溝１５形成のためのレ
ジスト露光時に、溝１５よりも下に位置する配線からの
反射により、レジストが不必要に感光されるのを防止す
る。
る半導体基板１１上に、シリコン酸化膜からなる絶縁膜
１２を、原料ガスにＴＥＯＳとＯ2を用いたプラズマＣ
ＶＤ法により形成する。絶縁膜１２上にプラズマＣＶＤ
法により原料ガスにＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｎ2を用い膜厚８
０ｎｍのシリコン窒化酸化膜１３を形成する。このシリ
コン窒化酸化膜１３はリソグラフィの際に下地からの反
射防止膜として作用する。例えば溝１５形成のためのレ
ジスト露光時に、溝１５よりも下に位置する配線からの
反射により、レジストが不必要に感光されるのを防止す
る。
【００１２】次にシリコン窒化酸化膜１３を形成した真
空チャンバ内で半導体基板１１を大気雰囲気に曝すこと
なく、シリコン窒化酸化膜１３上にプラズマＣＶＤ法に
より、原料ガスとしてＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ
２５０ｓｃｃｍ、Ｎ2 １３００ｓｃｃｍを用い、基板
温度３６０℃、圧力３５０Ｐａ、１３．５６ＭＨｚの高
周波電力１３０Ｗの条件において、シリコン原子濃度が
５０ａｔ％程度の膜厚３０ｎｍのシリコン酸化膜１４を
形成する（図１（ａ））。
空チャンバ内で半導体基板１１を大気雰囲気に曝すこと
なく、シリコン窒化酸化膜１３上にプラズマＣＶＤ法に
より、原料ガスとしてＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ
２５０ｓｃｃｍ、Ｎ2 １３００ｓｃｃｍを用い、基板
温度３６０℃、圧力３５０Ｐａ、１３．５６ＭＨｚの高
周波電力１３０Ｗの条件において、シリコン原子濃度が
５０ａｔ％程度の膜厚３０ｎｍのシリコン酸化膜１４を
形成する（図１（ａ））。
【００１３】引き続き、リソグラフィとドライエッチン
グ法を用いて、底部が絶縁膜１２に達する深さ３００ｎ
ｍの配線溝１５を形成する。そしてシリコン酸化膜１４
及び配線溝１５上によりターゲットにＴａ、反応ガスに
Ａｒ、Ｎ2を用いたリアクティブスパッタ法により膜厚
５０ｎｍのＴａＮ膜１６を形成する（図１（ｂ））。Ｔ
ａＮ膜１６は配線溝１５の底部および側面に、溝１５を
埋め込んでしまわないように形成している。
グ法を用いて、底部が絶縁膜１２に達する深さ３００ｎ
ｍの配線溝１５を形成する。そしてシリコン酸化膜１４
及び配線溝１５上によりターゲットにＴａ、反応ガスに
Ａｒ、Ｎ2を用いたリアクティブスパッタ法により膜厚
５０ｎｍのＴａＮ膜１６を形成する（図１（ｂ））。Ｔ
ａＮ膜１６は配線溝１５の底部および側面に、溝１５を
埋め込んでしまわないように形成している。
【００１４】ＴａＮ膜１６上にスパッタ法及び電解めっ
き法によりＣｕ膜１７を形成する。詳細なＣｕ膜１７の
形成では、まず銅のシード層をスパッタにより形成した
後、この銅のシード層を用いた電解メッキにより銅を形
成する。
き法によりＣｕ膜１７を形成する。詳細なＣｕ膜１７の
形成では、まず銅のシード層をスパッタにより形成した
後、この銅のシード層を用いた電解メッキにより銅を形
成する。
【００１５】次に熱処理炉で２００℃１００分の熱処理
を加えてＣｕ膜１７をアニールしてＣｕ膜１７の結晶構
造を安定化させるとともに、シリコン酸化膜１４とＴａ
Ｎ膜１６を熱反応させることにより膜厚約５ｎｍのＴａ
ＳｉＮ膜１８を形成する（図１（ｃ））。ＴａＳｉＮ膜
１８は、シリコン酸化膜１４の表面部分および配線溝と
なっているその側面部にも形成されているが、少なくと
も表面部分に形成することでＣｕ膜１７との密着力を高
くすることができる。
を加えてＣｕ膜１７をアニールしてＣｕ膜１７の結晶構
造を安定化させるとともに、シリコン酸化膜１４とＴａ
Ｎ膜１６を熱反応させることにより膜厚約５ｎｍのＴａ
ＳｉＮ膜１８を形成する（図１（ｃ））。ＴａＳｉＮ膜
１８は、シリコン酸化膜１４の表面部分および配線溝と
なっているその側面部にも形成されているが、少なくと
も表面部分に形成することでＣｕ膜１７との密着力を高
くすることができる。
【００１６】次にシリコン窒化酸化膜１３上のＣｕ膜１
７、ＴａＳｉＮ膜１８、ＴａＮ膜１６及びシリコン酸化
膜１４とシリコン窒化酸化膜１３を、ＣＭＰ法を用いて
研磨、除去することにより、Ｃｕ配線層１７ａを形成す
る（図１（ｄ））。このＣｕ配線層１７ａが埋め込み配
線として機能する。この研磨により、配線溝以外の部分
では、シリコン窒化酸化膜１３が露出する。
７、ＴａＳｉＮ膜１８、ＴａＮ膜１６及びシリコン酸化
膜１４とシリコン窒化酸化膜１３を、ＣＭＰ法を用いて
研磨、除去することにより、Ｃｕ配線層１７ａを形成す
る（図１（ｄ））。このＣｕ配線層１７ａが埋め込み配
線として機能する。この研磨により、配線溝以外の部分
では、シリコン窒化酸化膜１３が露出する。
【００１７】埋め込み配線の材料となるＣｕ膜１７を形
成した後の熱処理により、シリコン酸化膜とＴａＮ膜と
が熱反応することにより、ＴａＳｉＮ膜が形成される。
これにより、シリコン酸化膜とＴａＮ膜の密着力が向上
し、ＣＭＰ法を用いて銅膜を研磨する際のシリコン酸化
膜とＴａＮ膜及びＣｕ膜の膜はがれが低減する。
成した後の熱処理により、シリコン酸化膜とＴａＮ膜と
が熱反応することにより、ＴａＳｉＮ膜が形成される。
これにより、シリコン酸化膜とＴａＮ膜の密着力が向上
し、ＣＭＰ法を用いて銅膜を研磨する際のシリコン酸化
膜とＴａＮ膜及びＣｕ膜の膜はがれが低減する。
【００１８】また、シリコン窒化酸化膜１３を形成後に
半導体基板１１を大気雰囲気に曝すことなく、シリコン
酸化膜１４を形成することでシリコン窒化酸化膜１３と
シリコン酸化膜１４の界面の膜はがれを抑制できる。
半導体基板１１を大気雰囲気に曝すことなく、シリコン
酸化膜１４を形成することでシリコン窒化酸化膜１３と
シリコン酸化膜１４の界面の膜はがれを抑制できる。
【００１９】図４に第１の実施形態と従来の技術により
形成したＣｕ配線の欠陥数を表面検査装置により測定し
た結果を示す。ＣＭＰ法を用いて研磨する際の層間絶縁
膜と、ＴａＮ膜及びＣｕ膜からなる金属膜の膜はがれが
低減したことにより、従来の技術より欠陥数が減少し
た。
形成したＣｕ配線の欠陥数を表面検査装置により測定し
た結果を示す。ＣＭＰ法を用いて研磨する際の層間絶縁
膜と、ＴａＮ膜及びＣｕ膜からなる金属膜の膜はがれが
低減したことにより、従来の技術より欠陥数が減少し
た。
【００２０】また、一般的なシリコン酸化膜のシリコン
原子濃度は３５ａｔ％程度であるが、熱反応でＴａＳｉ
Ｎ膜を形成するためには、シリコン酸化膜１４のシリコ
ン原子濃度が４０ａｔ％以上が望ましい。一方、シリコ
ン原子濃度が８０ａｔ％を超えると、ＣＭＰ法を用いて
シリコン窒化酸化膜１３及びＴａＮ膜１６と同時に研
磨、除去することが困難になるため望ましくない。
原子濃度は３５ａｔ％程度であるが、熱反応でＴａＳｉ
Ｎ膜を形成するためには、シリコン酸化膜１４のシリコ
ン原子濃度が４０ａｔ％以上が望ましい。一方、シリコ
ン原子濃度が８０ａｔ％を超えると、ＣＭＰ法を用いて
シリコン窒化酸化膜１３及びＴａＮ膜１６と同時に研
磨、除去することが困難になるため望ましくない。
【００２１】（第２の実施形態）次に本発明の第２の実
施形態について図面を参照しながら説明する。
施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２２】図２（ａ）から図２（ｄ）は本発明の第２
の実施形態による配線構造体の形成方法を説明する工程
断面図である。この実施形態では、第１の実施形態と比
較して、ＴａＮの下にＴａを形成している。
の実施形態による配線構造体の形成方法を説明する工程
断面図である。この実施形態では、第１の実施形態と比
較して、ＴａＮの下にＴａを形成している。
【００２３】図２（ａ） に示すように、シリコンから
なる半導体基板１１上には、シリコン酸化膜からなる絶
縁膜１２をプラズマＣＶＤ法により原料ガスにＴＥＯＳ
とＯ 2を用いて形成する。
なる半導体基板１１上には、シリコン酸化膜からなる絶
縁膜１２をプラズマＣＶＤ法により原料ガスにＴＥＯＳ
とＯ 2を用いて形成する。
【００２４】絶縁膜１２上にプラズマＣＶＤ法により原
料ガスにＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｎ2を用い膜厚８０ｎｍのシ
リコン窒化酸化膜１３を形成する。シリコン窒化酸化膜
１３は次のリソグラフィの際に下地からの反射防止膜と
して作用する。例えば溝１５形成のためのレジスト露光
時に、溝１５よりも下に位置する配線からの反射によ
り、レジストが不必要に感光されるのを防止する。
料ガスにＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｎ2を用い膜厚８０ｎｍのシ
リコン窒化酸化膜１３を形成する。シリコン窒化酸化膜
１３は次のリソグラフィの際に下地からの反射防止膜と
して作用する。例えば溝１５形成のためのレジスト露光
時に、溝１５よりも下に位置する配線からの反射によ
り、レジストが不必要に感光されるのを防止する。
【００２５】次にシリコン窒化酸化膜１３を形成した真
空チャンバ内で半導体基板１１を大気雰囲気に曝すこと
なく、シリコン窒化酸化膜１３上にプラズマＣＶＤ法に
より、原料ガスとしてＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ
２５０ｓｃｃｍ、Ｎ2 １３００ｓｃｃｍを用い、基板
温度３６０℃、圧力３５０Ｐａ、１３．５６ＭＨｚの高
周波電力１３０Ｗの条件において、シリコン原子濃度が
５０％程度の膜厚３０ｎｍのシリコン酸化膜１４を形成
する（図２（ａ））。
空チャンバ内で半導体基板１１を大気雰囲気に曝すこと
なく、シリコン窒化酸化膜１３上にプラズマＣＶＤ法に
より、原料ガスとしてＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ
２５０ｓｃｃｍ、Ｎ2 １３００ｓｃｃｍを用い、基板
温度３６０℃、圧力３５０Ｐａ、１３．５６ＭＨｚの高
周波電力１３０Ｗの条件において、シリコン原子濃度が
５０％程度の膜厚３０ｎｍのシリコン酸化膜１４を形成
する（図２（ａ））。
【００２６】リソグラフィとドライエッチングの手法を
用いて、底部が絶縁膜１２に達する深さ３００ｎｍの配
線溝１５を形成する。シリコン酸化膜１４及び配線溝１
５上によりターゲットにＴａ（タンタル）、反応ガスに
Ａｒを用いたスパッタ法により膜厚１０ｎｍのＴａ膜１
９を形成する。Ｔａ膜１９はシリコン酸化膜１４上と、
配線溝１５の内部の底面、側面に堆積する。Ｔａ膜１９
は配線溝１５の内部を埋め込まないように形成してい
る。
用いて、底部が絶縁膜１２に達する深さ３００ｎｍの配
線溝１５を形成する。シリコン酸化膜１４及び配線溝１
５上によりターゲットにＴａ（タンタル）、反応ガスに
Ａｒを用いたスパッタ法により膜厚１０ｎｍのＴａ膜１
９を形成する。Ｔａ膜１９はシリコン酸化膜１４上と、
配線溝１５の内部の底面、側面に堆積する。Ｔａ膜１９
は配線溝１５の内部を埋め込まないように形成してい
る。
【００２７】次にＴａＮ膜１９を形成した真空チャンバ
内で半導体基板１１を大気雰囲気に曝すことなく、反応
ガスにＡｒ、Ｎ2を用いたリアクティブスパッタ法によ
り膜厚５０ｎｍのＴａＮ膜１６を形成する（図２
（ｂ））。ＴａＮ膜１６はシリコン酸化膜１４上に形成
したＴａ膜１９上と、配線溝１５の内部の底面、側面に
堆積したＴａ膜１９上に形成する。このときＴａＮ膜１
６は配線溝の内部を埋め込まないように形成している。
内で半導体基板１１を大気雰囲気に曝すことなく、反応
ガスにＡｒ、Ｎ2を用いたリアクティブスパッタ法によ
り膜厚５０ｎｍのＴａＮ膜１６を形成する（図２
（ｂ））。ＴａＮ膜１６はシリコン酸化膜１４上に形成
したＴａ膜１９上と、配線溝１５の内部の底面、側面に
堆積したＴａ膜１９上に形成する。このときＴａＮ膜１
６は配線溝の内部を埋め込まないように形成している。
【００２８】引き続き、ＴａＮ膜１６上にスパッタ法及
び電解めっき法によりＣｕ膜１７を形成する。詳細なＣ
ｕ膜１７の形成では、まず銅のシード層をスパッタによ
り形成した後、この銅のシード層を用いた電解メッキに
より銅を形成する。
び電解めっき法によりＣｕ膜１７を形成する。詳細なＣ
ｕ膜１７の形成では、まず銅のシード層をスパッタによ
り形成した後、この銅のシード層を用いた電解メッキに
より銅を形成する。
【００２９】次に熱処理炉で２００℃１００分の熱処理
を加えてＣｕ膜１７をアニールしてＣｕ膜１７の結晶構
造を安定化させるとともに、シリコン酸化膜１４とＴａ
膜１９及びＴａＮ膜１６を熱反応させることにより膜厚
約１０ｎｍのＴａＳｉＮ膜１８を形成する（図２
（ｃ））。ＴａＳｉＮ膜１８は、シリコン酸化膜１４の
表面部分および配線溝となっているその側面部にも形成
されているが、少なくとも表面部分に形成することでＣ
ｕ膜１７との密着力を高くすることができる。
を加えてＣｕ膜１７をアニールしてＣｕ膜１７の結晶構
造を安定化させるとともに、シリコン酸化膜１４とＴａ
膜１９及びＴａＮ膜１６を熱反応させることにより膜厚
約１０ｎｍのＴａＳｉＮ膜１８を形成する（図２
（ｃ））。ＴａＳｉＮ膜１８は、シリコン酸化膜１４の
表面部分および配線溝となっているその側面部にも形成
されているが、少なくとも表面部分に形成することでＣ
ｕ膜１７との密着力を高くすることができる。
【００３０】次にシリコン窒化酸化膜１３上のＣｕ膜１
７、ＴａＳｉＮ膜１８、ＴａＮ膜１６、Ｔａ膜１９及び
シリコン酸化膜１４とシリコン窒化酸化膜１３を、ＣＭ
Ｐ法を用いて研磨、除去することにより、Ｃｕ配線層１
７ａを形成する（図２（ｄ））。このＣｕ配線層１７ａ
が埋め込み配線として機能する。この研磨により、配線
溝以外の部分では、シリコン窒化酸化膜１３が露出す
る。
７、ＴａＳｉＮ膜１８、ＴａＮ膜１６、Ｔａ膜１９及び
シリコン酸化膜１４とシリコン窒化酸化膜１３を、ＣＭ
Ｐ法を用いて研磨、除去することにより、Ｃｕ配線層１
７ａを形成する（図２（ｄ））。このＣｕ配線層１７ａ
が埋め込み配線として機能する。この研磨により、配線
溝以外の部分では、シリコン窒化酸化膜１３が露出す
る。
【００３１】シリコン酸化膜とＴａ膜及びＴａＮ膜の熱
反応により、ＴａＳｉＮ膜が形成されることにより、シ
リコン酸化膜とＴａＮ膜の密着力が向上し、ＣＭＰ法を
用いて研磨する際のシリコン酸化膜とＴａＮ膜及びＣｕ
膜の膜はがれが低減する。
反応により、ＴａＳｉＮ膜が形成されることにより、シ
リコン酸化膜とＴａＮ膜の密着力が向上し、ＣＭＰ法を
用いて研磨する際のシリコン酸化膜とＴａＮ膜及びＣｕ
膜の膜はがれが低減する。
【００３２】また、シリコン窒化酸化膜１３を形成後に
半導体基板１１を大気雰囲気に曝すことなく、シリコン
酸化膜１４を形成することでシリコン窒化酸化膜１３と
シリコン酸化膜１４の界面の膜はがれを抑制できる。ま
た、Ｔａ膜１９を形成後に半導体基板１１を大気雰囲気
に曝すことなく、ＴａＮ膜１６を形成することでＴａ膜
１９とＴａＮ膜１６の界面の膜はがれを抑制できる。
半導体基板１１を大気雰囲気に曝すことなく、シリコン
酸化膜１４を形成することでシリコン窒化酸化膜１３と
シリコン酸化膜１４の界面の膜はがれを抑制できる。ま
た、Ｔａ膜１９を形成後に半導体基板１１を大気雰囲気
に曝すことなく、ＴａＮ膜１６を形成することでＴａ膜
１９とＴａＮ膜１６の界面の膜はがれを抑制できる。
【００３３】図４に本発明の望ましい第２の実施形態と
第１の実施形態と従来の技術により形成したＣｕ配線の
欠陥数を表面検査装置により測定した結果を示す。ＣＭ
Ｐ法を用いて研磨する際の層間絶縁膜とＴａＮ膜及びＣ
ｕ膜からなる金属膜の膜はがれが低減したことにより、
第１の実施形態よりさらに欠陥数が減少した。
第１の実施形態と従来の技術により形成したＣｕ配線の
欠陥数を表面検査装置により測定した結果を示す。ＣＭ
Ｐ法を用いて研磨する際の層間絶縁膜とＴａＮ膜及びＣ
ｕ膜からなる金属膜の膜はがれが低減したことにより、
第１の実施形態よりさらに欠陥数が減少した。
【００３４】（第３の実施形態）次に本発明の第３の実
施形態について図面を参照しながら説明する。
施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３５】図３（ａ）から図３（ｅ）は第３の実施形
態による配線構造体の形成方法を説明する工程断面図で
ある。この実施形態では、第２の実施形態に比べて、Ｔ
ａＳｉＮの形成を、ＴａＮの形成後の熱処理により行っ
ている。
態による配線構造体の形成方法を説明する工程断面図で
ある。この実施形態では、第２の実施形態に比べて、Ｔ
ａＳｉＮの形成を、ＴａＮの形成後の熱処理により行っ
ている。
【００３６】図３（ａ）に示すように、シリコンからな
る半導体基板１１上には、シリコン酸化膜からなる絶縁
膜１２をプラズマＣＶＤ法により原料ガスにＴＥＯＳと
Ｏ2を用いて形成する。
る半導体基板１１上には、シリコン酸化膜からなる絶縁
膜１２をプラズマＣＶＤ法により原料ガスにＴＥＯＳと
Ｏ2を用いて形成する。
【００３７】この絶縁膜１２上にプラズマＣＶＤ法によ
り原料ガスにＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｎ2を用い膜厚８０ｎｍ
のシリコン窒化酸化膜１３を形成する。シリコン窒化酸
化膜１３は下に記すリソグラフィの際に下地からの反射
防止膜として作用する。このシリコン窒化酸化膜１３は
リソグラフィの際に下地からの反射防止膜として作用す
る。例えば溝１５形成のためのレジスト露光時に、溝１
５よりも下に位置する配線からの反射により、レジスト
が不必要に感光されるのを防止する。
り原料ガスにＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、Ｎ2を用い膜厚８０ｎｍ
のシリコン窒化酸化膜１３を形成する。シリコン窒化酸
化膜１３は下に記すリソグラフィの際に下地からの反射
防止膜として作用する。このシリコン窒化酸化膜１３は
リソグラフィの際に下地からの反射防止膜として作用す
る。例えば溝１５形成のためのレジスト露光時に、溝１
５よりも下に位置する配線からの反射により、レジスト
が不必要に感光されるのを防止する。
【００３８】次にシリコン窒化酸化膜１３を形成した真
空チャンバ内で半導体基板１１を大気雰囲気に曝すこと
なく、シリコン窒化酸化膜１３上にプラズマＣＶＤ法に
より、原料ガスとしてＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ
２５０ｓｃｃｍ、Ｎ2 １３００ｓｃｃｍを用い、基板
温度３６０℃、圧力３５０Ｐａ、１３．５６ＭＨｚの高
周波電力１３０Ｗの条件において、シリコン原子濃度が
５０％程度の膜厚３０ｎｍのシリコン酸化膜14を形成す
る（図３（ａ））。
空チャンバ内で半導体基板１１を大気雰囲気に曝すこと
なく、シリコン窒化酸化膜１３上にプラズマＣＶＤ法に
より、原料ガスとしてＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏ
２５０ｓｃｃｍ、Ｎ2 １３００ｓｃｃｍを用い、基板
温度３６０℃、圧力３５０Ｐａ、１３．５６ＭＨｚの高
周波電力１３０Ｗの条件において、シリコン原子濃度が
５０％程度の膜厚３０ｎｍのシリコン酸化膜14を形成す
る（図３（ａ））。
【００３９】引き続き、リソグラフィとドライエッチン
グの手法を用いて底部が絶縁膜１２に達する深さ３００
ｎｍの配線溝１５を形成する。
グの手法を用いて底部が絶縁膜１２に達する深さ３００
ｎｍの配線溝１５を形成する。
【００４０】シリコン酸化膜１４及び配線溝１５上によ
りターゲットにＴａ、反応ガスにＡｒを用いたスパッタ
法により膜厚１０ｎｍのＴａ膜１９を形成する。Ｔａ膜
１９はシリコン酸化膜１４上と、配線溝１５の内部の底
面、側面に堆積する。Ｔａ膜１９は配線溝１５の内部を
埋め込まないように形成している。
りターゲットにＴａ、反応ガスにＡｒを用いたスパッタ
法により膜厚１０ｎｍのＴａ膜１９を形成する。Ｔａ膜
１９はシリコン酸化膜１４上と、配線溝１５の内部の底
面、側面に堆積する。Ｔａ膜１９は配線溝１５の内部を
埋め込まないように形成している。
【００４１】次にＴａ膜１９を形成した真空チャンバ内
で半導体基板１１を大気雰囲気に曝すことなく、反応ガ
スにＡｒ、Ｎ2を用いたリアクティブスパッタ法により
膜厚５０ｎｍのＴａＮ膜１６を形成する（図３
（ｂ））。ＴａＮ膜１６はシリコン酸化膜１４上に形成
したＴａ膜１９上と、配線溝１５の内部の底面、側面に
堆積したＴａ膜１９上に形成する。このときＴａＮ膜１
６は配線溝の内部を埋め込まないように形成している。
で半導体基板１１を大気雰囲気に曝すことなく、反応ガ
スにＡｒ、Ｎ2を用いたリアクティブスパッタ法により
膜厚５０ｎｍのＴａＮ膜１６を形成する（図３
（ｂ））。ＴａＮ膜１６はシリコン酸化膜１４上に形成
したＴａ膜１９上と、配線溝１５の内部の底面、側面に
堆積したＴａ膜１９上に形成する。このときＴａＮ膜１
６は配線溝の内部を埋め込まないように形成している。
【００４２】次に熱処理炉で４００℃、１０分の熱処理
を加えて、シリコン酸化膜１４とＴａ膜１９及びＴａＮ
膜１６を熱反応させることにより、膜厚約１５ｎｍのＴ
ａＳｉＮ膜１８を形成する（図３（ｃ））。ＴａＳｉＮ
膜１８は、シリコン酸化膜１４の表面部分および配線溝
となっているその側面部にも形成されているが、少なく
とも表面部分に形成することでＣｕ膜１７との密着力を
高くすることができる。
を加えて、シリコン酸化膜１４とＴａ膜１９及びＴａＮ
膜１６を熱反応させることにより、膜厚約１５ｎｍのＴ
ａＳｉＮ膜１８を形成する（図３（ｃ））。ＴａＳｉＮ
膜１８は、シリコン酸化膜１４の表面部分および配線溝
となっているその側面部にも形成されているが、少なく
とも表面部分に形成することでＣｕ膜１７との密着力を
高くすることができる。
【００４３】ＴａＮ膜１６上にスパッタ法及び電解めっ
き法によりＣｕ膜１７を形成する。詳細なＣｕ膜１７の
形成では、まず銅のシード層をスパッタにより形成した
後、この銅のシード層を用いた電解メッキにより銅を形
成する。
き法によりＣｕ膜１７を形成する。詳細なＣｕ膜１７の
形成では、まず銅のシード層をスパッタにより形成した
後、この銅のシード層を用いた電解メッキにより銅を形
成する。
【００４４】次に熱処理炉で２００℃、１００分の熱処
理を加えてＣｕ膜１７をアニールしＣｕ膜１７の結晶構
造を安定化させる（図３（ｄ））。
理を加えてＣｕ膜１７をアニールしＣｕ膜１７の結晶構
造を安定化させる（図３（ｄ））。
【００４５】スパッタ法及び電解めっき法によりＣｕ膜
１７を形成する前の熱処理は、ＴａＳｉＮ膜１８を充分
形成するためであり、Ｃｕ膜１７形成後の熱処理はＣｕ
膜１７の結晶構造を安定化させるためである。別々の熱
処理により、それぞれに最適な熱処理条件での熱処理が
可能となる。
１７を形成する前の熱処理は、ＴａＳｉＮ膜１８を充分
形成するためであり、Ｃｕ膜１７形成後の熱処理はＣｕ
膜１７の結晶構造を安定化させるためである。別々の熱
処理により、それぞれに最適な熱処理条件での熱処理が
可能となる。
【００４６】次にシリコン窒化酸化膜１３上のＣｕ膜１
７、ＴａＳｉＮ膜１８、ＴａＮ膜１６、Ｔａ膜１９及び
シリコン酸化膜１４とシリコン窒化酸化膜１３をＣＭＰ
法を用いて研磨、除去することにより、Ｃｕ配線層１７
ａを形成する（図３（ｅ））。このＣｕ配線層１７ａが
埋め込み配線として機能する。この研磨により、配線溝
以外の部分では、シリコン窒化酸化膜１３が露出する。
７、ＴａＳｉＮ膜１８、ＴａＮ膜１６、Ｔａ膜１９及び
シリコン酸化膜１４とシリコン窒化酸化膜１３をＣＭＰ
法を用いて研磨、除去することにより、Ｃｕ配線層１７
ａを形成する（図３（ｅ））。このＣｕ配線層１７ａが
埋め込み配線として機能する。この研磨により、配線溝
以外の部分では、シリコン窒化酸化膜１３が露出する。
【００４７】４００℃、１０分の熱処理により、シリコ
ン酸化膜１４とＴａ膜1９及びＴａＮ膜１６の熱反応に
よってＴａＳｉＮ膜が形成されることにより、シリコン
酸化膜１４とＴａＮ膜１６の密着力が向上し、ＣＭＰ法
を用いて研磨する際のシリコン酸化膜１４とＴａＮ膜１
６及びＣｕ膜１７の膜はがれが低減する。
ン酸化膜１４とＴａ膜1９及びＴａＮ膜１６の熱反応に
よってＴａＳｉＮ膜が形成されることにより、シリコン
酸化膜１４とＴａＮ膜１６の密着力が向上し、ＣＭＰ法
を用いて研磨する際のシリコン酸化膜１４とＴａＮ膜１
６及びＣｕ膜１７の膜はがれが低減する。
【００４８】熱処理は３００℃１分以上の熱処理で密着
力の向上があり、一方、５００℃を超える熱処理を行う
と、ＴａＮ膜１６からＴａＳｉＮ膜１８への反応が顕著
に進行するため、ＴａＮ膜１６の銅配線の拡散バリア膜
としての性能が低下するために不適切である。
力の向上があり、一方、５００℃を超える熱処理を行う
と、ＴａＮ膜１６からＴａＳｉＮ膜１８への反応が顕著
に進行するため、ＴａＮ膜１６の銅配線の拡散バリア膜
としての性能が低下するために不適切である。
【００４９】また、シリコン窒化酸化膜１３を形成後に
半導体基板１１を大気雰囲気に曝すことなく、シリコン
酸化膜１４を形成することでシリコン窒化酸化膜１３と
シリコン酸化膜１４の界面の膜はがれを抑制できる。ま
た、Ｔａ膜１９を形成後に半導体基板１１を大気雰囲気
に曝すことなく、ＴａＮ膜１６を形成することでＴａ膜
１９とＴａＮ膜１６の界面の膜はがれを抑制できる。
半導体基板１１を大気雰囲気に曝すことなく、シリコン
酸化膜１４を形成することでシリコン窒化酸化膜１３と
シリコン酸化膜１４の界面の膜はがれを抑制できる。ま
た、Ｔａ膜１９を形成後に半導体基板１１を大気雰囲気
に曝すことなく、ＴａＮ膜１６を形成することでＴａ膜
１９とＴａＮ膜１６の界面の膜はがれを抑制できる。
【００５０】図４に第３の実施形態と第２の実施形態と
第１の実施形態と従来の技術により形成したＣｕ配線の
欠陥数を表面検査装置により測定した結果を示す。ＣＭ
Ｐ法を用いて研磨する際の層間絶縁膜とＴａＮ膜及びＣ
ｕ膜からなる金属膜の膜はがれが低減したことにより、
第２の実施形態よりさらに欠陥数が減少した。
第１の実施形態と従来の技術により形成したＣｕ配線の
欠陥数を表面検査装置により測定した結果を示す。ＣＭ
Ｐ法を用いて研磨する際の層間絶縁膜とＴａＮ膜及びＣ
ｕ膜からなる金属膜の膜はがれが低減したことにより、
第２の実施形態よりさらに欠陥数が減少した。
【００５１】なお、第１〜第３の実施形態では、拡散バ
リア層として、ＴａＮを用いたが、これ以外にも、窒化
タングステン（ＷＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）のような
高融点金属の窒化物を用いることができる。このとき、
第２、第３の実施形態では、ＴａＮにかえてＷＮを用い
るときには、ＴａにかえてＷを用いるのが好ましい。同
様に、ＴａＮにかえてＴｉＮを用いるときには、Ｔａに
かえてＴｉを用いるのが好ましい。要は高融点金属窒化
物と、高融点金属窒化物と同一の金属との組合せが好ま
しい。
リア層として、ＴａＮを用いたが、これ以外にも、窒化
タングステン（ＷＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）のような
高融点金属の窒化物を用いることができる。このとき、
第２、第３の実施形態では、ＴａＮにかえてＷＮを用い
るときには、ＴａにかえてＷを用いるのが好ましい。同
様に、ＴａＮにかえてＴｉＮを用いるときには、Ｔａに
かえてＴｉを用いるのが好ましい。要は高融点金属窒化
物と、高融点金属窒化物と同一の金属との組合せが好ま
しい。
【００５２】また第１〜第３の実施形態では、ＴａＮの
上に直接銅膜を形成しているが、ＴａＮと銅との間にβ
構造のＴａをはさむこともできる。Ｔａの結晶構造がβ
構造（β‐Ｔａ）である場合は、銅が凝集しにくく、Ｔ
ａ（タンタル）と銅との密着性をよりよくできるからで
ある。
上に直接銅膜を形成しているが、ＴａＮと銅との間にβ
構造のＴａをはさむこともできる。Ｔａの結晶構造がβ
構造（β‐Ｔａ）である場合は、銅が凝集しにくく、Ｔ
ａ（タンタル）と銅との密着性をよりよくできるからで
ある。
【００５３】
【発明の効果】以上のように本発明の方法により、シリ
コン含有絶縁膜とバリア層との密着力を向上させること
ができる。
コン含有絶縁膜とバリア層との密着力を向上させること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る銅配線層の製造
方法の工程を示す断面図
方法の工程を示す断面図
【図２】本発明の第２の実施形態に係る銅配線層の製造
方法の工程を示す断面図
方法の工程を示す断面図
【図３】本発明の第３の実施形態に係る銅配線層の製造
方法の工程を示す断面図
方法の工程を示す断面図
【図４】本発明の実施形態と従来の方法により形成した
Ｃｕ配線の欠陥数を示す特性図
Ｃｕ配線の欠陥数を示す特性図
１１ 半導体基板
１２ 絶縁膜
１３ シリコン窒化酸化膜
１４ シリコン酸化膜
１５ 配線溝
１６ ＴａＮ膜
１７ Ｃｕ膜
１７ａ Ｃｕ配線層
１８ ＴａＳｉＮ膜
１９ Ｔａ膜
Claims (12)
- 【請求項１】 シリコン含有絶縁膜に溝部を形成する工
程と、 前記シリコン含有絶縁膜の表面および溝部内部に高融点
金属窒化物を形成する工程と、 前記溝部が埋まるように導電膜を形成する工程と、 前記溝部からはみ出した前記導電膜を、除去して配線層
を形成する工程とを備え、 さらに熱処理により前記シリコン含有絶縁膜と前記高融
点金属窒化物とを反応させ、前記シリコン含有絶縁膜の
表面にシリコン含有高融点金属窒化物を形成する工程と
を含む、配線構造体の形成方法。 - 【請求項２】 前記熱処理によりシリコン含有高融点金
属窒化物を形成する工程は、 前記導電膜を形成した後であって、前記導電膜を除去し
て配線層を形成する前に行う、請求項１に記載の配線構
造体の形成方法。 - 【請求項３】 この熱処理は銅の結晶の安定化を兼用し
ている、請求項２に記載の配線構造体の形成方法。 - 【請求項４】 前記熱処理によりシリコン含有高融点金
属窒化物を形成する工程は、 前記導電膜を形成する前に行う、請求項１に記載の配線
構造体の形成方法。 - 【請求項５】 前記熱処理によりシリコン含有高融点金
属窒化物を形成する工程は、 前記導電膜を形成する前に行い、この熱処理の温度は、
導電膜形成後の熱処理温度よりも高い、請求項４に記載
の配線構造体の形成方法。 - 【請求項６】 前記高融点金属窒化物と前記シリコン含
有絶縁膜との間に、前記高融点金属窒化物の金属と同一
金属膜を備えた、請求項１に記載の配線構造体の形成方
法。 - 【請求項７】 前記高融点金属窒化物はＴａＮであり、
前記金属はＴａであり、前記Ｔａ膜とＴａＮ膜とは、大
気雰囲気に曝すことなく同一真空チャンバー内で連続し
て形成する、請求項６に記載の配線構造体の形成方法。 - 【請求項８】 層間絶縁膜上に、シリコン窒化膜と、シ
リコン含有絶縁膜とを堆積する工程と、 これらの絶縁膜に、その底面が層間絶縁膜に到達する溝
部を形成する工程と、 前記シリコン含有絶縁膜の表面および溝部の内部に、拡
散バリア層として機能するＴａＮを、前記溝部が埋まっ
てしまわないよう形成する工程と、 前記シリコン含有絶縁膜上および前記溝部を埋めるよう
に銅を主成分とする導電膜を形成する工程と、 前記導電膜および、前記シリコン含有絶縁膜を除去し、
前記溝部内に導電膜を埋め込むことにより、配線層を形
成する工程とを備え、 さらに熱処理により前記シリコン含有絶縁膜と前記高融
点金属窒化物とを反応させ、前記シリコン含有絶縁膜の
表面にシリコン含有高融点金属窒化物を形成する工程と
を含む、配線構造体の形成方法。 - 【請求項９】 前記シリコン窒化酸化膜、シリコン酸化
膜は前記半導体基板を大気雰囲気に曝すことなく同一真
空チャンバー内で連続して形成する、請求項８に記載の
配線構造体の形成方法。 - 【請求項１０】 前記シリコン含有絶縁膜の組成は、シ
リコンが４０ａｔ％以上８０ａｔ％以下である、請求項
１〜９のいずれかに記載の配線構造体の形成方法。 - 【請求項１１】 前記高融点金属窒化物と前記導電膜と
の間に、金属膜を備えた、請求項１〜１０のいずれかに
記載の配線構造体の形成方法。 - 【請求項１２】 前記金属膜はＴａであり、前記導電膜
は銅であり、この銅のシード層の下に結晶構造がβ構造
のＴａを形成する、請求項１１に記載の配線構造体の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001200579A JP2003017493A (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 配線構造体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001200579A JP2003017493A (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 配線構造体の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017493A true JP2003017493A (ja) | 2003-01-17 |
Family
ID=19037680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001200579A Pending JP2003017493A (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 配線構造体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003017493A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7737037B2 (en) | 2004-11-29 | 2010-06-15 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
2001
- 2001-07-02 JP JP2001200579A patent/JP2003017493A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7737037B2 (en) | 2004-11-29 | 2010-06-15 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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