JP2003008469A - 高周波モジュール - Google Patents
高周波モジュールInfo
- Publication number
- JP2003008469A JP2003008469A JP2001188331A JP2001188331A JP2003008469A JP 2003008469 A JP2003008469 A JP 2003008469A JP 2001188331 A JP2001188331 A JP 2001188331A JP 2001188331 A JP2001188331 A JP 2001188331A JP 2003008469 A JP2003008469 A JP 2003008469A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- high frequency
- transmission
- laminated substrate
- frequency module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Transceivers (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
に分ける分波回路から電力増幅器までを構成する回路要
素を一体化して小型化できるとともに、良好な特性を有
する高周波モジュールを提供する。 【解決手段】複数の誘電体層11〜18を積層してなる
積層基板に、複数の送受信系を各送受信系に分ける分波
回路DIP10と、各送受信系を送信系TXと受信系R
Xに切り替えるスイッチ回路SW10、20と、各送信
系TXの通過周波数での送信信号を増幅する高周波増幅
用半導体素子及び整合回路MAT10、20からなる電
力増幅器AMP10、20とを設けてなる。
Description
関し、特にデュアルバンド用移動無線端末に好適な送信
用電力増幅器、スイッチ回路、カップラ(方向性結合
器)、分波回路により構成される送信用の高周波モジュ
ールに関するものである。
の携帯電話機に対し、デュアルバンド方式を採用した携
帯電話機が提案されている。デュアルバンド方式の携帯
電話機は、1台の携帯電話機内に2つの送受信系を搭載
するもので、地域性や使用目的等に合った送受信系を選
択して送信することができるようにした利便性の高い機
器として期待されているものである。
複数の送受信系としてGSM方式/DCS方式の双方を
搭載したデュアルバンド方式の携帯電話機が採用されて
いる。
方式の携帯電話機のブロック図(高周波回路部)を示
す。高周波回路部は通過帯域の異なる2つの送受信系を
各送受信系GSM/DCSに分波し、且つ送受信系DC
S、GSMにおいてそれぞれ送信系TXと受信系RXと
の切替を行うローパスフィルタ、スイッチ回路、及び分
波回路からなるスイッチモジュールASM1を備えると
共に、送受信系DCSの送信系TX、受信系RXと、送
受信系GSMの送信系TX、受信系RXとを備える。
COP100、200、電力増幅器AMP100、20
0を備える。電力増幅器AMP100、200は、電力
増幅回路MMICと整合回路とからそれぞれ構成されて
いる。
0、またはAMP200で増幅された送信信号は、カッ
プラCOP100またはCOP200、さらにローパス
フィルタ、スイッチ回路、分波回路からなる高周波スイ
ッチモジュールASM1を経由してアンテナANTから
高周波信号として送信される。
F300、400および低ノイズ増幅器AMP300、
400を備える。受信時には、アンテナANTで受信さ
れた高周波信号は高周波スイッチモジュールASM1を
介して取り出され、帯域通過フィルタBPF300、ま
たはBPF400にて受信帯域近傍の不要信号が除去さ
れた後、RX側低ノイズ増幅器AMP300、またはA
MP400にて増幅される。
受信系の構成に必要な回路を搭載する必要があるが、そ
れぞれ個別の専用部品を用いて回路を構成すれば、機器
の大型化、高コスト化を招来することとなる。そこで、
共通可能な回路部分は、可及的に共通化するようにして
機器の小型化、低コスト化を有利に展開する事が要請さ
れている。またさらに、携帯電話の大部分の電力を消費
する送信用電力増幅器の電力付加効率を向上させること
が要求されている。
11−225088号公報には小型化を図るマルチバン
ド用高周波スイッチモジュールASM1が開示されてい
る。
ッチモジュールASM1を示すもので、通過帯域の異な
る2つの送受信系を各送受信系に分けるノッチ回路から
なる分波回路と、前記各送受信系を送信系と受信系に切
りかえるスイッチ回路SWと、各送信系に配置されたロ
ーパスフィルタLPFとから構成され、前記分波回路は
LC素子が並列接続されたノッチ回路を2つ用い、各ノ
ッチ回路の一端同士は接続されて2系統の送受信系に共
通の共通端子とされ、一方、各ノッチ回路の他端はスイ
ッチ回路SWに接続されている。
方式においては、高周波スイッチを構成する部品をプリ
ント配線基板上に実装するタイプに代えて、上記特開平
11−225088号公報に開示されるように、高周波
スイッチを部分的に一体化してモジュール化することは
行われているが、高周波スイッチモジュールおよび送信
用電力増幅器、カップラの各部品をプリント基板上に実
装しているため、かかる態様ではこれ以上の小型化は限
界である。
電力増幅器の各部品をプリント配線基板上にそれぞれ実
装した場合、そのままでは携帯電話機の高周波回路部と
しての特性を満足することは稀で、部品間に特性調整用
の回路がさらに必要となるという設計時の制約と、その
付設回路分だけ機器の大型化を招き、さらにその付設回
路分だけの電力損失が発生することによる電力増幅器の
電力付加効率の劣化を招くという問題があった。
なされたもので、通過帯域の異なる複数の送受信系を各
送受信系に分ける分波回路から電力増幅器までを構成す
る回路要素を一体化して小型化できるとともに、良好な
特性を有する高周波モジュールを提供することを目的と
する。
ルは、複数の誘電体層を積層してなる積層基板に、通過
帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波
回路と、該分波回路に接続され、前記各送受信系を送信
系と受信系に切り替えるスイッチ回路と、該スイッチ回
路に接続され、各送信系の通過帯域での送信信号を増幅
する高周波増幅用半導体素子及び整合回路からなる電力
増幅器とを設けてなることを特徴とする。
域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回
路から電力増幅器までを構成する回路要素を一体化して
小型化できるとともに、各部品を同時設計する事ができ
るため、モジュールとして最適な特性調整を行なうこと
ができる。従って、各部品間に特性調整用の回路を設け
る必要がなく、低ロス化が実現でき、且つ携帯無線端末
の設計工程を短縮できるためコスト削減を図ることがで
きる。
器と、スイッチ回路との間に、干渉防止接地用パターン
が設けられていることが望ましい。強力な電磁波を放出
する電力増幅器と、各送受信系を送信系と受信系に切り
替えるスイッチ回路との間に、干渉防止接地用パターン
を設けたので、電力増幅器とスイッチ回路の間の電磁結
合により信号が他の回路へ漏れることを防ぐことがで
き、良好な特性を有する高周波モジュールを提供するこ
とができる。
防止接地用パターンが設けられ、これらの干渉防止接地
用パターンがビアホール導体で接続されていることが望
ましい。これにより、電力増幅器の電磁波が積層基板内
部を介してスイッチ回路等へ漏出することを有効に防止
できる。
素子の周辺部の積層基板表面及び/又は内部に、整合回
路を構成する分布定数線路を形成してなることが望まし
い。このような構成を採用することにより、電力増幅器
の出力レベルの低下、電力付加効率の劣化を防ぐことが
できるとともに、高周波送信モジュールの小型化を図る
ことができる。
回路の間に、整合回路を構成する分布定数線路が形成さ
れていることが望ましい。これにより、高周波増幅用半
導体素子とスイッチ回路の間が最短経路で接続され、電
力増幅器の出力レベルの低下、電力付加効率の劣化を防
ぐことができるとともに、高周波送信モジュールの小型
化を図ることができる。
幅器、スイッチ回路、分波回路が順次設けられているこ
とが望ましい。高周波信号の流れる方向に電力増幅器、
スイッチ回路、分波回路を順次設けることにより、高周
波信号の流れる経路が最短となり、本モジュールの電気
的性能を最大限まで引き出すことができる。
布定数線路と、スイッチ回路を構成する分布定数線路と
が、積層基板の上方から見て重ならないことが望まし
い。これにより、電磁波を放出する電力増幅器から電磁
結合により信号がスイッチ回路へ漏れることを抑制する
ことができる。
層間に形成されたコンデンサ用導体パターンと分布定数
線路を有し、スイッチ回路が、積層基板表面に搭載され
た集中定数素子を有し、電力増幅器が、前記積層基板表
面のキャビティ内に設けられた高周波増幅用半導体素子
と、前記誘電体層間及び積層基板表面に形成された分布
定数線路と、前記積層基板表面に搭載された集中定数素
子とを有することが望ましい。
が15〜25であることが望ましい。これにより、各回
路を構成する分布定数線路長を短縮することができ、小
型化できる。
に、信号用端子パターン、接地用端子パターン及びバイ
アス用端子パターンが形成され、これらの端子パターン
が、前記積層基板の側面に形成された端面スルーホール
電極と接続され、前記積層基板下面中心部に、前記接地
用端子パターンと接続された接地用パターンが形成さ
れ、該接地用パターン表面に複数箇所が露出するように
オーバーコートガラスが被覆され、前記接地用パターン
にサーマルビアが接続されていることが望ましい。これ
により、高周波モジュールの熱による出力レベル、電力
付加効率などの特性劣化を防ぐことができる。
たローパスフィルタおよび/またはハイパスフィルタを
有していることが望ましい。さらに、整合回路は、多層
基板の最表面または内部に形成された分布定数線路およ
びコンデンサからなるローパスフィルタ機能を有してい
ることが望ましい。これにより、高周波増幅用半導体素
子から発生する不要信号を低減することができる。
ュールのブロック図である。高周波モジュールRFM1
0は、通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系D
CS、GSMに分ける分波回路DIP10と、各送受信
系DCS、GSMを送信系TXと受信系RXとにそれぞ
れ切りかえるスイッチ回路SW10、SW20と、スイ
ッチ回路SW10、SW20の各送信系TX側に設けら
れた、増幅器AMP10、AMP20の出力をモニタす
るカップラCOP10、COP20と、増幅器AMP1
0、AMP20を構成する整合回路MAT10、MAT
20、増幅回路MMIC10、MMIC20で構成され
ている。
入力信号を増幅させる機能を持ち、小型化、高効率化を
図るためにGaAs HBT(ガリウム砒素ヘテロジャ
ンクションバイポーラトランジスタ)構造を有した半導
体素子で形成されている。なお、本実施例ではGaAs
HBT 半導体素子を増幅回路MMIC10、MMI
C20に用いているが、P−HEMT構造のGaAs
半導体素子やシリコントランジスタで形成された半導体
素子を用いてもよい。
ぞれ増幅回路MMIC10、MMIC20の出力インピ
ーダンスである0.5〜2Ωを30〜50Ωまでのイン
ピーダンスに変換させる機能のほか、増幅回路MMIC
10、MMIC20の増幅性能を最大限まで引き出すた
めの機能、及びカップラCOP10、COP20と電力
増幅器AMP10、AMP20間のインピーダンスを調
整するためのものである。この電力増幅器AMP10、
AMP20は前述の増幅回路MMIC10、MMIC2
0と整合回路MAT10、MAT20とから構成されて
いる。
路図で、本発明の高周波モジュールはDCS方式(18
00MHz帯)の送受信系とGSM方式(900MHz
帯)の送受信系とから構成され、両者の信号は分波回路
DIP10で回路的に分離される。
してスイッチ回路SW10、SW20に接続されてい
る。すなわち、アンテナANTから受信されたDCS方
式の受信信号は分波回路DIP10を経てDCS側の送
受信系へ導かれ、GSM方式の受信信号は分波回路DI
P10を経てGSM側の送受信系に導かれる。
スイッチ回路SW10は受信系RXと送信系TXとを切
りかえるものである。送受信の切替は例えば時分割方式
が採用されている。スイッチ回路SW10の送信系TX
側には、増幅回路MMIC10と整合回路MAT10と
から構成される増幅器AMP10と、整合回路MAT1
0と接続されているカップラCOP10が設けられてい
る。
D4、STLD5、STLD6、STLD7、STLD
8、STLD9、インダクタLD3、コンデンサCD
6、CD7、CD8、CD9、CD10、CD11、C
D12、CD13、CD14、チップ抵抗RD3からな
り、分布定数線路STLD4、STLD5、インダクタ
LD3、コンデンサCD6、CD7によりローパスフィ
ルタを構成している。このローパスフィルタは、増幅回
路MMIC10の出力インピーダンス(0.5〜2Ω程
度)とカップラCOP10の入力インピーダンス(30
〜50Ω程度)とのインピーダンス整合を行うととも
に、前記増幅回路MMIC10から発生する不要信号を
低減するという機能を有する。
ンサCD10とによりショートスタブを構成し、増幅回
路MMIC10の出力インピーダンス(0.5〜2Ω程
度)とカップラCOP10の入力インピーダンス(30
〜50Ω程度)とのインピーダンス整合を行うととも
に、オープンスタブ回路を組むSTLD6とともに、高
調波成分の抑制、および増幅回路MMIC10の増幅性
能を最大限まで引き出す役割を担っている。
D9は、3段アンプを構成する増幅回路MMIC10の
中段アンプと最終段アンプ、および初段アンプと中段ア
ンプとの間のインピーダンス整合を行なう役割を担って
いる。
0の出力端子から増幅回路MMIC10へのフィードバ
ック回路を形成しており、増幅回路MMIC10の発振
防止の役割を持つ。コンデンサCD11、12、13、
14はバイパスコンデンサとして機能する。また、コン
デンサCD9は増幅回路MMIC10の入力側にDC成
分が流れ込むことを防ぐ役割を持つ。
AMP10、20の出力を制御するためのAPC回路、
およびGSM側とDCS側の出力を切りかえるための回
路も含まれている。なお、本機能は、増幅回路MMIC
20に含んでいてもかまわない。
D2およびコンデンサCD15からなるローパスフィル
タを構成している。このローパスフィルタにより、前記
電力増幅器AMP10から発生する不要信号を低減する
ことができる。なお、カップラCOP10は、ローパス
フィルタの機能を必ずしも持たせる必要はなく、コンデ
ンサCD15を設けずDCS帯域の周波数を通過させる
ための分布定数線路STLD2だけで構成しても良い。
路STLD2に近接させて、容量結合、及び磁気結合を
形成することにより、送信回路TX側の増幅回路MMI
C10からの出力の一部を取り出してモニタレベルとし
てDCS Monitor端子に帰還させている。結合
線路STLD20のスイッチ回路SW10側には、終端
抵抗RD2が接続されている。
は直流成分カット用コンデンサCD5を介して接続され
ている。
路SW10を構成するPINダイオードDD1のカソー
ドに接続されている。さらに、PINダイオードDD1
のカソードは、高周波領域での通過特性を劣化させず且
つPINダイオードDD1を駆動するための直流電流を
流すために、インダクタLD2を介して接地されてい
る。
は、分波回路DIP10のローパスフィルタLPF10
に接続されると共に、スイッチ回路SW10のLC回路
LCDおよび直流成分カット用のコンデンサCD4を介
してDCS側のRX端子に接続されている。このLC回
路LCDは、インダクタとコンデンサから構成されてお
り、インダクタが積層基板にチップ部品として搭載さ
れ、コンデンサは積層基板内に内蔵されている。LC回
路LCDは分布定数線路で構成しても良い。
続点はPINダイオードDD2のカソードに接続され、
PINダイオードDD2のアノードはコンデンサCD3
を介して接地され、PINダイオードDD2のアノード
とコンデンサCD3との接続点は、PINダイオードD
D2に流れる電流を制御するための制御抵抗RD1を介
してDCS側の制御端子Vcに接続されている。
プラCOP10と増幅器AMP10との間に配置するこ
とで、DCS側の制御端子VcからPINダイオードD
D1を介して流れ込む制御電流が、増幅器AMP10に
流れ込むことを防ぐ事ができ、さらに増幅器AMP10
を構成する増幅回路MMIC10のコレクタ電流が整合
回路MAT10、インダクタLD2を介してGNDに流
れ込む事を防ぐことができる。
により、増幅器AMP10と、分波回路DIP10、ス
イッチ回路SW10及びカップラCOP10とを分離す
ることができ、モジュールとしての電気的不具合をそれ
ぞれチェックすることが可能となる。なお、直流成分カ
ット用コンデンサCD5は、スイッチ回路SW10とカ
ップラCOP10との間に配置しても良く、この場合で
も同様の効果を得ることができる。さらに、カップラC
OP10と増幅器AMP10との間、及びスイッチ回路
SW10とカップラCOP10との間の両方に直流成分
カット用コンデンサCD5を配置することもできる。
LPF10とコンデンサCD1、CD2およびインダク
タLD1とから形成されている。ローパスフィルタLP
F10は、分布定数線路STLD1及び分布定数線路S
TLD1に平行に配置されたコンデンサCD16、その
他のコンデンサにより構成されている。ローパスフィル
タLPF10は、電力増幅器AMP10が発生する高調
波成分を低減させるとともに、分波回路DIP10のイ
ンピーダンスの微調整を行なうという機能を有する。ま
た、インダクタLD1は分波回路機能を持つとともに、
ESD対策回路としても機能するよう設計されている。
と、スイッチ回路SW20は受信系RXと送信系TXと
を切りかえるものである。送受信の切替は例えば時分割
方式が採用されている。スイッチ回路SW20の送信系
TX側には、増幅回路MMIC20と整合回路MAT2
0とから構成される増幅器AMP20と、整合回路MA
T20と接続されているカップラCOP20が設けられ
ている。
G4、STLG5、STLG6、STLG7と、コンデ
ンサCG6、CG7、CG8、CG9、CG10、CG
11、CG12と、チップ抵抗RG3からなり、分布定
数線路STLG4、コンデンサCG6、CG7によりロ
ーパスフィルタを構成している。
MIC20の出力インピーダンス(0.5〜2Ω程度)
とカップラCOP20の入力インピーダンス(30〜5
0Ω程度)とのインピーダンス整合を行うとともに、前
記増幅回路MMIC20から発生する不要信号を低減す
ることができる。
サCG10とによりショートスタブを構成し、増幅回路
MMIC20の出力インピーダンス(0.5〜2Ω程
度)とカップラCOP20の入力インピーダンス(30
〜50Ω程度)とのインピーダンス整合を行うととも
に、高調波成分の抑制、および増幅回路MMIC20の
増幅性能を最大限まで引き出す役割を担っている。
G7は、3段アンプを構成する増幅回路MMIC20の
中段アンプと最終段アンプ、および初段アンプと中段ア
ンプとの間のインピーダンス整合を行なう役割を担って
いる。
0の出力端子から増幅回路MMIC20へのフィードバ
ック回路を形成しており、増幅回路MMIC20の発振
防止の役割を持つ。コンデンサCG11、12はバイパ
スコンデンサとして機能する。また、コンデンサCG9
は増幅回路MMIC20の入力側にDC成分が流れ込む
ことを防ぐ役割を持つ。
路MMIC20の出力インピーダンス(0.5〜2Ω程
度)とカップラCOP20の入力インピーダンス(30
〜50Ω程度)とのインピーダンス整合を行うと共に、
高調波成分の抑制を行い、増幅回路MMIC20の増幅
性能を最大限まで引き出す役割を担っている。
G2およびコンデンサCG13からなるローパスフィル
タを構成している。このローパスフィルタにより、前記
電力増幅器AMP20から発生する不要信号を低減する
ことができる。なお、カップラCOP20は、ローパス
フィルタの機能を必ずしも持たせる必要はなく、コンデ
ンサCG13を設けずにGSM帯域の周波数を通過させ
るための分布定数線路STLG2だけで構成しても良
い。
20を分布定数線路STLG2に近接させて、容量結
合、及び磁気結合を形成することにより、送信系TX側
の増幅回路MMIC20からの出力の一部を取り出して
モニタレベルとしてGSM Monitor端子に帰還
させている。結合線路STLG20のスイッチ回路SW
20側には終端抵抗RG2により終端されている。
は直流成分カット用コンデンサCG5を介して接続され
ている。また、カップラCOP20は、PINダイオー
ドDG1のカソードに接続されている。さらに、PIN
ダイオードDG1のカソードは、インダクタLG2を介
して接地されている。
は、分波回路DIP10のローパスフィルタLPF20
に接続されると共に、LC回路LCGおよび直流成分カ
ット用のコンデンサCG4を介してGSM側のRX端子
に接続されている。LC回路LCGとコンデンサCG4
との接続点はPINダイオードDG2のカソードに接続
され、PINダイオードDG2のアノードはコンデンサ
CG3を介して接地され、PINダイオードDG2のア
ノードとコンデンサCG3との接続点は制御抵抗RG1
を介してGSM側の制御端子Vcに接続されている。
とから構成されており、インダクタがチップ部品として
積層基板に搭載され、コンデンサが積層基板内に内蔵さ
れている。LC回路LCGは分布定数線路で構成しても
よい。
プラCOP20と増幅器AMP20との間に配置するこ
とで、GSM側の制御端子VcからPINダイオードD
G1を介して流れ込む制御電流が、増幅器AMP20に
流れ込むことを防ぐ事ができ、さらに増幅器AMP20
を構成する増幅回路MMIC20のコレクタ電流が整合
回路MAT20、インダクタLG2を介してGNDに流
れ込む事を防ぐことができる。また、直流成分カット用
コンデンサCG5により、増幅器AMP20と、分波回
路DIP10、スイッチ回路SW20及びカップラCO
P20とを分離することができ、モジュールとしての電
気的不具合をそれぞれチェックすることが可能となる。
なお、直流成分カット用コンデンサCG5は、スイッチ
回路SW20とカップラCOP20との間に配置しても
かまわない。
タLPF20との間には、直流成分カット用コンデンサ
CG2が配置されている。
は、ローパスフィルタLPF20とコンデンサCG1お
よびインダクタLG1、LG3とから形成されている。
ローパスフィルタLPF20は、分布定数線路STLG
1及び分布定数線路STLG1に平行に配置されたコン
デンサCG14、その他のコンデンサにより構成されて
いる。このローパスフィルタLPF20は、電力増幅器
AMP20が発生する高調波成分を低減させるととも
に、分波回路DIP10のインピーダンスの微調整を行
なうという機能を有する。また、インダクタLG3はE
SD対策のための機能を持つように設計されている。
0では、誘電体層を複数積層してなる積層基板上に、分
波回路DIP10、スイッチ回路SW10、SW20、
カップラCOP10、COP20、整合回路MAT1
0、MAT20を構成する、コンデンサ、インダクタ、
ダイオード等のチップ部品(集中定数素子)を設け、分
波回路DIP10、スイッチ回路SW10、SW20、
カップラCOP10、COP20、整合回路MAT1
0、MAT20の少なくとも一部が積層基板内に設けら
れている。
0の一部を構成するローパスフィルタLPF10、20
が内蔵され、カップラCOP10、20を構成する分布
定数線路STLD2、STLG2及び結合線路STLD
20、STLG20、整合回路MAT10、20を構成
する分布定数線路STLD7、STLD8、STLD
9、STLG5、STLG6、STLG7が、誘電体層
間に導体パターンとして内蔵されており、さらに整合回
路MAT10、20を構成するSTLD4、STLD
5、STLD6、STLG4が導体パターンとして積層
基板の表面に形成されている。
SW10、20、カップラCOP10、20、整合回路
MAT10、20のそれぞれ一部を構成する例えばPI
Nダイオードなどのチップ部品が最上層の誘電体層上
(積層基板上面)に実装されている。
に形成されたコンデンサ用導体パターンと分布定数線
路、チップ部品を有し、スイッチ回路SW10、20
が、積層基板表面に搭載されたダイオード、抵抗、コン
デンサ、インダクタのチップ部品と、誘電体層間に形成
されたコンデンサ用導体パターンとを有し、カップラC
OP10、20が、誘電体層間に形成された分布定数線
路と、積層基板表面に搭載されたコンデンサ、抵抗のチ
ップ部品とを有し、電力増幅器AMP10、AMP20
が、積層基板表面のキャビティ内に設けられた高周波増
幅用半導体素子と、誘電体層間に形成された分布定数線
路と、積層基板表面に搭載されたコンデンサ、抵抗のチ
ップ部品、分布定数線路とを有している。
回路要素は誘電体層間に内蔵導体パターンとして形成さ
れており、符号の下に下線を引いた素子はチップ部品
(集中定数素子)として構成されている。
一部切欠斜視図である。図3に示すように、高周波モジ
ュールはセラミックなどからなる同一寸法形状の8層の
誘電体層11、12・・・18が積層されて積層基板が
構成されており、この積層基板の上面及び側面は金属か
らなるシールドカバー10で被覆され、さらに積層基板
の側面には所定位置に形成された複数の端面スルーホー
ル電極21が上面から底面に亘るように形成されてい
る。
位置に設けられた接地用の端面スルーホール電極21の
少なくとも1つ以上と半田などの導体で固定されてい
る。なお、図3では、誘電体層11〜18の上面の導体
パターンは作図上一部省略されている。
ックスで、セラミックグリーンシートの表面に導電ペー
ストを塗布して上述した各回路を構成する導体パターン
(図2で符号を囲んだ回路要素)をそれぞれ形成した
後、導体パターンが形成されたグリーンシートを積層
し、所要の圧力と温度の下で熱圧着し焼成して形成され
ている。また、各誘電体層11〜18には複数の層にわ
たって回路を構成乃至は接続するために必要なビアホー
ル導体が適宣形成されている。最上層の誘電体層11上
には、各種のパターンのほか、PINダイオードなどチ
ップ部品(集中定数素子)23が複数実装されている。
示すもので、(a)は誘電体層11の表面、(b)は誘
電体層12の表面、(c)は誘電体層13の表面、
(d)は誘電体層14の表面、(e)は誘電体層15の
表面、(f)は誘電体層16の表面、(g)は誘電体層
17の表面、(h)は誘電体層18の表面、(i)は誘
電体層18の裏面を示している。尚、図4においてもパ
ターン等が一部省略されている。また、図4(e)、
(f)のスイッチ回路SW10、20のLC回路LC
D、LCGとして分布定数線路を用いた例を記載した。
0を構成する分布定数線路およびチップ部品の配置と、
増幅回路MMIC10、MMIC20の配置を示してお
り、この例では低温焼成セラミックで形成された積層基
板の表面に形成された2つのキャビティ25内にそれぞ
れ増幅器AMP10、AMP20を構成する増幅回路M
MIC10、MMIC20が配置され、それぞれの増幅
回路MMIC10、MMIC20に接続される整合回路
MAT10、MAT20を構成する、STLD4〜6、
STLG4の分布定数線路と、コンデンサ等のチップ部
品23がキャビティ25の周辺の誘電体層11表面に搭
載され、整合回路MAT10、20を構成するSTLD
7〜9、STLG5〜7の分布定数線路がキャビティ2
5の周辺の積層基板内部に形成されている。
動、または制御するための入力端子、電源端子もまた、
キャビティ25の周辺に配置されている。このような配
置とする事により、無駄な配線の引きまわしを行なう必
要がなくなり、増幅器AMP10、AMP20を駆動、
または制御する電源電圧の低下またはインピーダンスの
ズレに起因する出力レベルの低下、電力付加効率の劣化
を防ぐことができる。さらに、無駄な配線の引きまわし
を行なう必要がなく、最適な配置が可能となるため、増
幅器AMP10、AMP20の小型化を図る事ができ、
しいては高周波送信モジュールの小型化を図る事ができ
る。
SMとDCS)を増幅する増幅器AMP10、AMP2
0を構成する整合回路MAT10、MAT20を、モジ
ュール小型化のため近接して配置した場合、GSMの送
信信号の高調波が整合回路MAT10とMAT20間の
電磁結合により、DCSの整合回路MAT10を介して
アンテナ端子から出力されてしまうという不具合が発生
する。そのため、この例では近接する整合回路MAT1
0とMAT20の間に接地用パターン27を積層基板の
表面、及び内部に配置している。
路MAT20の分布定数線路から発生した電場は整合回
路MAT10との間に形成された接地用パターン27と
の間に集中するため、整合回路MAT10を介してアン
テナ端子ANTに出力される高調波を極減させることが
できる。さらに、接地用パターン27は、整合回路MA
T10、MAT20を形成する接地用コンデンサのパッ
ドとしても使用することができ、小型化に寄与すること
ができる。接地用パターン27は、各誘電体層11〜1
8に形成されており、それらがビアホール導体により、
誘電体層18の下面に形成された接地用パターン37に
接続されている。
増幅器AMP10、AMP20を構成する整合回路MA
T10、MAT20、及びカップラCOP10、COP
20の配置が示されており、カップラCOP10、2
0、および整合回路MAT10、20が、積層基板の両
側に、それぞれDCS側のカップラCOP10、整合回
路MAT10と、GSM側のカップラCOP20、整合
回路MAT20を分離して配置されている。図5に積層
基板を上方から見た模式図を記載する。これによりDC
S側回路とGSM側回路との電磁気的結合を低減するこ
とができ、電磁結合により信号が他の回路へ漏れること
を防ぐことができる。
ミック積層基板の長手方向の片側一端部に、増幅器AM
P10、20が、他方側端部に、カップラCOP10、
20、スイッチ回路SW10、20、分波回路DIP1
0が設けられ、分離されており、カップラCOP10、
20間にスイッチ回路SW10、20、分波回路DIP
10が設けられている。即ち、基板の長手方向に増幅器
AMP10、20、スイッチ回路SW10、20、分波
回路DIP10が、信号が流れる方向に最短経路となる
ように順次形成されている。このような配置とすること
により、高周波信号の流れが最短となり、本モジュール
の電気的性能を最大限まで引き出すことが可能となる。
0、20、スイッチ回路SW10、20、分波回路DI
P10が順次形成され、整合回路MAT10、MAT2
0の分布定数線路と、カップラCOP10、20、スイ
ッチ回路SW10、20の分布定数線路とが、基板上方
から見て重ならないように形成されている。
増幅器AMP10、20と、スイッチ回路SW10、2
0、カップラCOP10、20との間に干渉防止接地用
パターン29が設けられている。この干渉防止接地用パ
ターン29は、基板上面、誘電体層12上面にそれぞれ
形成されており、これら干渉防止接地用パターン29は
ビアホール導体で接続され、さらに誘電体層18の裏面
の接地用パターン37に接続されている。この干渉防止
接地用パターン29により、電力増幅器AMP10、2
0と、該電力増幅器の出力をモニタするためのカップラ
COP10、20および通過帯域の異なる複数の送受信
系を各送受信系に分ける分波回路DIP10、前記各送
受信系を送信系と受信系に切り替えるスイッチ回路SW
10、20とが分離され、電力増幅器AMP10、20
と、カップラCOP10、20、分波回路DIP10、
スイッチ回路SW10、20との間の電磁結合により信
号が他の回路へ漏れることを抑制することができる。
ミック積層基板の断面図を示すもので、増幅器AMP1
0、AMP20を構成する整合回路MAT10、MAT
20がAの領域に、通過帯域の異なる複数の送受信系を
各送受信系に分ける分波回路DIP10、各送受信系D
CS、GSMを送信系TXと受信系RXとにそれぞれ切
りかえるスイッチ回路SW10、20、カップラCOP
10、20を構成する分布定数線路がBの領域に形成さ
れており、増幅器AMP10、AMP20を構成する整
合回路MAT10、MAT20の分布定数線路と、分波
回路DIP10、スイッチ回路SW10、20、カップ
ラCOP10、20を構成する分布定数線路が、積層基
板の積層方向からみて重ならないように形成されてい
る。
路MAT10、MAT20から電磁結合により信号が他
の回路へ漏れることを防ぐことができる。
の一部が2段階の凹を2個隣設して形成するように取り
除かれ(2段キャビティ)、表層から1段目の凹表面に
は信号用パターン及び接地用パターンが形成され、表層
から2段目の凹表面上に形成された接地用パターン45
上に増幅回路MMIC10、20が導電性ペースト47
を用いてそれぞれ実装されている。また、増幅回路MM
IC10、20の入出力電極が、誘電体層の表面から1
段目の凹表面に形成された信号用パターン及び接地用パ
ターンにワイヤにより接続されている。
の裏面には、図4(i)に示すように、基板の最下層下
面周辺部に外部との接続のための信号用端子パターン、
接地用パターン、およびバイアス供給用端子パターン等
の端子パターン35が形成され、さらに側面の所定位置
には所要数の端面スルーホール電極21が上面から底面
に亘るように形成され、低温焼成多層基板の最下層下面
周辺部に形成されている信号用端子パターン、接地用端
子パターン、およびバイアス供給用端子パターン等の端
子パターン35と接続されている。
部には、少なくとも1つ以上のLGA構造の接地用パタ
ーン37が形成されており、前記低温焼成多層基板の最
下層下面周辺部に形成された接地用端子パターンとも接
続されている。
央部に形成されたLGA構造の接地用パターン37は、
図6に示したように前述した放熱を促進させるためのサ
ーマルビア39と接続されている。これら低温焼成多層
基板の最下層下面に形成された接地用パターン37は、
例えば、携帯端末のプリント配線基板に接続される。
中央部に形成されたLGA構造の接地用パターン37と
サーマルビア39が接続されることにより、増幅回路M
MIC10またはMMIC20に発生した熱はサーマル
ビア39、低温焼成多層基板の最下層下面中央部に形成
されたLGA構造の接地用パターン37を介しプリント
配線基板へと放熱されるため、増幅器AMP10、20
の熱による出力レベル、電力付加効率などの特性劣化を
防ぐことができる。
中央部に形成されたLGA構造の接地用パターン37
は、最下層下面周辺部に形成された外部との接続のため
の信号用端子パターン、およびバイアス供給用端子パタ
ーンに接しない程度の1つの大きな接地用パターン37
で形成しても良い。このように接地用パターン37が大
きい場合、プリント配線基板との接続のための半田印刷
が不均一となり、プリント配線基板との接続に不良が発
生するため、最下層下面中央部に形成された接地用パタ
ーン37上に、少なくとも1つ以上の接地用パターン3
7が露出するようにオーバーコートガラス41を塗布し
て形成されている。図4(i)に斜線を引いた部分がオ
ーバーコートガラス41とされている。
た誘電体層からなる積層体の表面一部を取り除き形成さ
れた2段キャビティ25の底面に増幅回路MMIC10
又はMMIC20を搭載するための接地用パターン45
が形成されており、接地用パターン45の下面から積層
基板の裏面に形成されている接地用パターン37まで、
複数本のサーマルビア39が形成されている。このよう
な構造とすることにより、増幅回路MMIC10又はM
MIC20の動作時に発生する熱の放散をサーマルビア
39を介して促進させることができ、増幅器AMP1
0、20の熱による出力レベル、電力付加効率などの特
性劣化を防ぐことができる。なお、放熱を促進させるサ
ーマルビア39は、増幅回路MMIC10またはMMI
C20の中で最も熱を発生させるトランジスタフィンガ
ーの下面に、トランジスタフィンガーと同等以上の面積
を占有するように形成されている。
は、低熱抵抗導体である銀、又は銅を用いることによ
り、増幅器AMP10、20の熱による出力レベル、電
力付加効率などの特性劣化を防ぐことができる。
を構成する増幅回路MMIC10、MMIC20の駆動
電圧が低下すると、増幅器AMP10、AMP20の出
力レベル、および電力付加効率が劣化するため、増幅回
路MMIC10、MMIC20に電圧を供給する役割を
持つ整合回路MAT10、20を形成する分布定数線
路、コンデンサ用導体パターン、ビアホール導体の導体
材料として、低抵抗導体である銀、または銅を用いるこ
とが望ましい。これにより、増幅器AMP10、20の
駆動電圧の低下を最小限に抑制することが可能となる。
IC20をAgまたはAuSnなどの導電性ペースト4
7を用いてキャビティ25底面に固定するとともに、A
uなどの細線(ワイア)により増幅回路MMIC10、
および/又はMMIC20上の信号パターン、接地用パ
ターンと基板面に形成した信号用パターン、接地用パタ
ーンとを電気的に接続することにより、小面積化、薄型
化、低価格化を実現できる。
はエポキシ系などの樹脂51で充填されている。これに
より、キャビティ25内の増幅回路MMIC10、又は
MMIC20は完全に固定され、また外部からの異物混
入などを防止でき、増幅回路MMIC10、又はMMI
C20を保護することができる。
10、又はMMIC20をセラミック積層体表面に形成
されたキャビティ55内に金あるいはアルミニウムなど
のバンプ57を用いてフリップチップボンディング法を
用いて搭載しても良い。この場合には、フリップチップ
ボンディング法を用いて搭載することにより小面積化、
薄型化、低価格化を促進できる。
係は、λg=ν0/{(εr×μr)1/2f0}の式にて
示すことができる。高周波モジュールを構成する低温焼
成積層基板は、通常よく高周波モジュールに使用される
比誘電率が5〜7の誘電体材料に比べ、比誘電率が15
〜25、特に18〜20の高誘電率の誘電体材料を用い
て形成されている。このような誘電体材料としては、例
えば、MgTiO3−CaTiO3を主成分し、これにB
2O3、Li2CO3等の助剤を添加して構成されたものが
知られている。これにより、各回路を構成する分布定数
線路長を約57%に短縮することができ、小型化に有利
となる。
材料の磁器Qが1000以上(測定周波数2GHz)の
高Q材料を用いることにより、誘電体損失を低減でき、
しいては比誘電率15〜25の高誘電率材料を用いるこ
とによる波長短縮効果と相俟って、本高周波送信モジュ
ールを構成する各フィルタの低損失下を図ることができ
る。これにより本高周波送信モジュールの高出力化、高
効率化が可能となる。
0(測定周波数2GHz)の高Q材料を用いてスイッチ
回路を構成した場合と、比誘電率6.1、磁器Q500
(測定周波数2GHz)の誘電体材料を用いてスイッチ
回路を構成した場合を比較したもので、(a)はスイッ
チ回路を示す図、(b)はスイッチ回路のローパスフィ
ルタ特性を示す図である。また、(a)のSL1の長さ
は、比誘電率18.7の場合には6.68mm、比誘電
率6.1の場合には11.53mm、SL2の長さは、
比誘電率18.7の場合には9.1mm、比誘電率6.
1の場合には16mmであり、スイッチ回路のSL2の
ロスは、送信側で、比誘電率18.7の場合には0.0
34dB、比誘電率6.1の場合には0.074dB、
受信側で、比誘電率18.7の場合には0.078d
B、比誘電率6.1の場合には0.183dBであっ
た。
信側で、比誘電率18.7の場合には0.254dB、
比誘電率6.1の場合には0.484dB、受信側で、
比誘電率18.7の場合には0.112dB、比誘電率
6.1の場合には0.257dBであった。
てスイッチ回路を構成することにより、小型化、および
低損失化に寄与することがわかる。
STLD20、STLG2とSTLG20を平行に配置
して、ラインの縁でカップリングする場合を示したが、
例えば、積層体内において主分布定数線路STLD2、
STLG2を上層の誘電体層に、結合線路STLD2
0、STLG20を1層または所要数だけ下層の誘電体
層に配置し、あるいは逆に主分布定数線路STLD2、
STLG2を下層の誘電体層に、結合線路STLD2
0、STLG20を1層または所要数だけ上層の誘電体
層に配置してカップリングさせても同様である事はいう
までもない。
誘電体層からなる積層基板の例で説明したが、誘電体層
の層数はこれに限定されない。
の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路
DIP10と、各送受信系DCS、GSMを送信系TX
と受信系RXとにそれぞれ切りかえるスイッチ回路SW
10、20と、スイッチ回路SW10、20の各送信系
TX側に設けられた、カップラCOP10、20と、増
幅器AMP10、20の整合回路MAT10、20と、
増幅回路MMIC10、20とを同一積層基板にモジュ
ール化することにより、従来の各部品をプリント配線基
板上に実装して接続したものに比して約1/4以下にプ
リント配線基板における実装面積を削減でき、小型化を
実現できる。しかも、小型化しても、電力増幅器AMP
10、20と、カップラCOP10、20、スイッチ回
路SW10、20との間に、干渉防止接地用パターン2
9を設けたので、電力増幅器AMP10、20とカップ
ラCOP10、20等の間の電磁結合により信号が他の
回路へ漏れることを防ぐことができる。
ルをプリント配線基板に実装するため、プリント配線基
板上に各部品を接続するための配線を形成する必要がな
く、従って低ロス化、しいてはアンテナ端での電力付加
効率を飛躍的に改善することができる。
品を同時設計する事ができるため、モジュールとして最
適な特性調整を行なう事ができる。従って、各部品間に
特性調整用の回路を設ける必要がなく、低ロス化が実現
でき、且つ携帯無線端末の設計工程を短縮できるためコ
スト削減を図る事ができる。
クを用いるため、複数の誘電体層と、その複数の誘電体
層上の分布定数線路およびコンデンサを形成するコンデ
ンサ導体パターン等とを一体焼成できる。従って、製造
工程の短縮化が可能となり、コストダウンを図る事がで
きる。
通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける
分波回路DIP10が、多層基板に内蔵されたローパス
フィルタおよびハイパスフィルタとを用いて構成されて
いる。即ち、DCS側は、ハイパスフィルタHPF10
とコンデンサCD1およびインダクタLD1とから構成
されている。
ンに介設されたコンデンサCD2、このコンデンサCD
2の両端に2本の平行な分布定数線路STLD1−1、
STLD1−2及びこれらの他端の接続点と接地間に接
続された短寸法の分布定数線路STLD1−3を備える
と共にコンデンサCD2の両端と接地間に接続された2
本のコンデンサCD2−1、CD2−2とから構成され
ている。このハイパスフィルタHPF10も積層基板に
内蔵されている。ハイパスフィルタHPF10とダイオ
ードDD1との間には、直流成分カット用コンデンサが
配置されている。
20とコンデンサCG1およびインダクタLG1とから
形成されている。ローパスフィルタLPF20は、分布
定数線路STLG1及び分布定数線路STLG1に平行
に配置されたコンデンサCG14、その他のコンデンサ
により構成されている。
0と同様に通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信
系に分けることができるとともに、GSM側の通過減衰
量を大きくとることが可能であるため、GSM帯域に対
するアイソレーションをさらに大きく取ることができ
る。即ち、本高周波モジュールのアイソレーションをさ
らに改善することができる。
の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路
から電力増幅器までを構成する回路要素を一体化するこ
とで、従来の各部品をプリント配線基板上に実装して接
続したものに比して約1/4以下にプリント配線基板に
おける実装面積を削減でき、小型化を実現できるととも
に、アンテナ端子における電力付加効率を飛躍的に改善
できる良好な特性を有する高周波モジュールを提供する
ことができる。
品を同時設計する事ができるため、モジュールとして最
適な特性調整を行なう事ができる。従って、各部品間に
特性調整用の回路を設ける必要がなく、低ロス化が実現
でき、且つ携帯無線端末の設計工程を短縮できるためコ
スト削減を図る事ができる。
る。
ある。
平面図である。
るための模式図である。
ある。
(b)は誘電体層を高誘電率材料形成した場合と、低誘
電率で形成した場合のローパスフィルタ特性を示すグラ
フである。
路図である。
る。
る。
18)
Claims (10)
- 【請求項1】複数の誘電体層を積層してなる積層基板
に、通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分
ける分波回路と、該分波回路に接続され、前記各送受信
系を送信系と受信系に切り替えるスイッチ回路と、該ス
イッチ回路に接続され、各送信系の通過帯域での送信信
号を増幅する高周波増幅用半導体素子及び整合回路から
なる電力増幅器とを設けてなることを特徴とする高周波
モジュール。 - 【請求項2】電力増幅器と、スイッチ回路との間に、干
渉防止接地用パターンが設けられていることを特徴とす
る請求項1記載の高周波モジュール。 - 【請求項3】積層基板表面及び誘電体層間に干渉防止接
地用パターンが設けられ、これらの干渉防止接地用パタ
ーンがビアホール導体で接続されていることを特徴とす
る請求項2記載の高周波モジュール。 - 【請求項4】高周波増幅用半導体素子の周辺部の積層基
板表面及び/又は内部に、整合回路を構成する分布定数
線路を形成してなることを特徴とする請求項1乃至3の
うちいずれかに記載の高周波モジュール。 - 【請求項5】高周波増幅用半導体素子とスイッチ回路の
間に、整合回路を構成する分布定数線路が形成されてい
ることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれかに記
載の高周波モジュール。 - 【請求項6】積層基板に、電力増幅器、スイッチ回路、
分波回路が順次設けられていることを特徴とする請求項
1乃至5のうちいずれかに記載の高周波モジュール。 - 【請求項7】整合回路を構成する分布定数線路と、スイ
ッチ回路を構成する分布定数線路とが、積層基板の上方
から見て重ならないことを特徴とする請求項1乃至6の
うちいずれかに記載の高周波モジュール。 - 【請求項8】分波回路が、誘電体層間に形成されたコン
デンサ用導体パターンと分布定数線路を有し、スイッチ
回路が、積層基板表面に搭載された集中定数素子を有
し、電力増幅器が、前記積層基板表面のキャビティ内に
設けられた高周波増幅用半導体素子と、前記誘電体層間
及び積層基板表面に形成された分布定数線路と、前記積
層基板表面に搭載された集中定数素子とを有することを
特徴とする請求項1乃至7のうちいずれかに記載の高周
波モジュール。 - 【請求項9】誘電体層の比誘電率が15〜25であるこ
とを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれかに記載の
高周波モジュール。 - 【請求項10】積層基板下面周辺部に、信号用端子パタ
ーン、接地用端子パターン及びバイアス用端子パターン
が形成され、これらの端子パターンが、前記積層基板の
側面に形成された端面スルーホール電極と接続され、前
記積層基板下面中心部に、前記接地用端子パターンと接
続された接地用パターンが形成され、該接地用パターン
表面に複数箇所が露出するようにオーバーコートガラス
が被覆され、前記接地用パターンにサーマルビアが接続
されていることを特徴とする請求項1乃至9のうちいず
れかに記載の高周波モジュール。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001188331A JP4340026B2 (ja) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 高周波モジュール |
US10/172,752 US6683512B2 (en) | 2001-06-21 | 2002-06-14 | High frequency module having a laminate board with a plurality of dielectric layers |
DE10228058A DE10228058B4 (de) | 2001-06-21 | 2002-06-19 | Hochfrequenzmodul |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001188331A JP4340026B2 (ja) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 高周波モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003008469A true JP2003008469A (ja) | 2003-01-10 |
JP4340026B2 JP4340026B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=19027456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001188331A Expired - Fee Related JP4340026B2 (ja) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 高周波モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4340026B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277075A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP2006319512A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Murata Mfg Co Ltd | 多層配線基板装置 |
US7164306B2 (en) | 2003-10-16 | 2007-01-16 | Kyocera Corporation | Composite multiplexer circuit and chip component, high-frequency module and radio communication apparatus using the same |
JP2008182703A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Research In Motion Ltd | 電子デバイスにおける無線周波数伝送を制御するためのシステムおよび方法 |
JP2009159412A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Hitachi Metals Ltd | 高周波部品及び通信装置 |
JP2011014659A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Murata Mfg Co Ltd | 複合電子部品モジュール |
US8008971B2 (en) | 2007-01-25 | 2011-08-30 | Research In Motion Limited | System and method for controlling radio frequency transmissions from an electronic device |
US8715774B2 (en) | 2005-05-30 | 2014-05-06 | Seiko Epson Corporation | Liquid droplet ejection method |
WO2018207600A1 (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール |
WO2022034817A1 (ja) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
WO2022145320A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路 |
WO2023120073A1 (ja) * | 2021-12-24 | 2023-06-29 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路および通信装置 |
-
2001
- 2001-06-21 JP JP2001188331A patent/JP4340026B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7164306B2 (en) | 2003-10-16 | 2007-01-16 | Kyocera Corporation | Composite multiplexer circuit and chip component, high-frequency module and radio communication apparatus using the same |
JP2005277075A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP2006319512A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Murata Mfg Co Ltd | 多層配線基板装置 |
US8715774B2 (en) | 2005-05-30 | 2014-05-06 | Seiko Epson Corporation | Liquid droplet ejection method |
JP2008182703A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Research In Motion Ltd | 電子デバイスにおける無線周波数伝送を制御するためのシステムおよび方法 |
US8723598B2 (en) | 2007-01-25 | 2014-05-13 | Blackberry Limited | System and method for controlling radio frequency transmissions from an electronic device |
US8008971B2 (en) | 2007-01-25 | 2011-08-30 | Research In Motion Limited | System and method for controlling radio frequency transmissions from an electronic device |
US8269554B2 (en) | 2007-01-25 | 2012-09-18 | Research In Motion Limited | System and method for controlling radio frequency transmissions from an electronic device |
US8362834B2 (en) | 2007-01-25 | 2013-01-29 | Research In Motion Limited | System and method for controlling radio frequency transmissions from an electronic device |
US8547171B2 (en) | 2007-01-25 | 2013-10-01 | Research In Motion Limited | System and method for controlling radio frequency transmissions from an electronic device |
JP2009159412A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Hitachi Metals Ltd | 高周波部品及び通信装置 |
JP2011014659A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Murata Mfg Co Ltd | 複合電子部品モジュール |
WO2018207600A1 (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール |
WO2022034817A1 (ja) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
US11757476B2 (en) | 2020-08-13 | 2023-09-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio frequency module and communication device |
WO2022145320A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路 |
WO2023120073A1 (ja) * | 2021-12-24 | 2023-06-29 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路および通信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4340026B2 (ja) | 2009-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6683512B2 (en) | High frequency module having a laminate board with a plurality of dielectric layers | |
US7149496B2 (en) | High-frequency module and radio communication apparatus | |
JP5168146B2 (ja) | 高周波部品 | |
JP2004297456A (ja) | 高周波モジュール | |
JP2001519989A (ja) | 二重帯域セルラー電話用の2つの電力増幅器を有する増幅器モジュール | |
JP2003008470A (ja) | 高周波モジュール | |
JP3903456B2 (ja) | マルチバンド用高周波スイッチモジュール | |
JP2003008469A (ja) | 高周波モジュール | |
JP4304674B2 (ja) | 高周波モジュール及びこれを用いた通信機 | |
JP4120935B2 (ja) | 高周波モジュール及びこれを用いた通信機 | |
JP4688043B2 (ja) | 高周波モジュール及びこれを用いた通信機 | |
JP2004297455A (ja) | 高周波モジュール | |
JP2006295530A (ja) | アンテナスイッチモジュール及びこれを用いた通信装置 | |
JP2001352269A (ja) | 高周波スイッチモジュール | |
JP2005101893A (ja) | 電力増幅器モジュール | |
JP2002299922A (ja) | 高周波モジュール | |
JP2005117497A (ja) | 高周波モジュール及びそれを搭載した無線通信装置 | |
JP2005260878A (ja) | 高周波モジュール及び無線通信装置 | |
JP2002171193A (ja) | 高周波モジュール基板 | |
JP4596300B2 (ja) | 高周波スイッチモジュール | |
JP2002064400A (ja) | 高周波スイッチモジュール | |
JP2005260877A (ja) | 高周波モジュール及び無線通信装置 | |
JP2002300081A (ja) | 高周波モジュール | |
JP2007036452A (ja) | 高周波モジュール | |
JP2005244860A (ja) | 高周波スイッチモジュール及びこれを用いた通信装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080304 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090609 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090703 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4340026 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |