JP2003008207A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】コア基板の表面にのみビルドアップ層を有し且
つ反りを生じないか、あるいは反りにくい配線基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】表面４および裏面５を有し且つ無機繊維を
含有するコア基板２において、その表面４および裏面５
にコア配線層８，９を形成する工程と、上記コア基板２
の表面４と裏面５との間を貫通し且つコア配線層８，９
と導通するスルーホール導体６を形成する工程と、上記
コア基板２の裏面５上に直接または上記コア配線層９を
介して無機繊維を含有する裏面側絶縁層１１を形成する
工程と、上記コア基板２の表面４上方にビルドアップ絶
縁層１０，１６，２２およびスルーホール導体６と導通
するビルドアップ配線層１４，２０を交互に形成する工
程と、を含む配線基板１の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コア基板の片面
(表面)にのみビルドアップ層に有する配線基板の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、低コスト化の要請に応じ、図８
(Ａ)に示すように、コア基板３１の表面(片面)３２上方
にのみ複数の絶縁層３５，３７，４４および複数の配線
層３４，３８，４２を積層したビルドアップ層ＢＵを形
成した配線基板３０が提案されている。上記コア基板３
１は、厚み約８００μｍの絶縁板であり、その表面３２
上方に厚み約２０〜３０μｍの絶縁層３５，３７，４４
と厚み約１５μｍの配線層３４，３８，４２とを交互に
積層している。また、図８(Ａ)に示すように、配線層３
４，３８，４２間を導通するため、ビア導体３６，４０
が絶縁層３５，３７に形成されている。更に、最上層の
配線層４２上の所定の位置には、絶縁層４４を貫通し且
つ第１主面４６よりも高く突出するハンダバンプ４８が
複数形成され、第１主面４８上に実装する図示しないＩ
Ｃチップの端子と個別に接続される。

【０００３】以上のような配線基板３０おいては、コア
基板３１の表面３２側に絶縁層３５，３７，４４と配線
層３４，３８，４２とからなるビルドアップ層ＢＵを形
成しているのに対し、コア基板３１の裏面３３側には何
も形成していない。このため、コア基板３１と絶縁層３
５，３７，４４との熱膨張率の差により、図８(Ａ)中の
一点鎖線で示すように、配線基板３０が当該配線基板３
０の厚み方向と垂直方向の長さ３３０ｍｍに対し、厚み
方向に約４〜５ｍｍ変形した反りを生じることがある。
かかる反りにより例えば配線層３４，３８，４２、ビア
導体３６，４０、およびハンダバンプ４８相互間の接続
が不十分になるため、これらの間において導通が取れな
くなる、という問題があった。

【０００４】以上の問題点を解決するため、図８(Ｂ)に
示すような配線基板５０も検討されている。即ち、配線
基板５０は、厚み約８００μｍの絶縁板であるコア基板
５１と、その表面５２上方に厚み約２０〜３０μｍの絶
縁層６０，６６，７０および厚み約１５μｍの配線層５
８，６４，７２を交互に積層したビルドアップ層ＢＵ
と、コア基板５１の裏面５３に形成した厚み約１５μｍ
の配線層５７および厚み約４０μｍの絶縁層(ソルダー
レジスト層)５９と、を備えている。コア基板５１に
は、その表面５２と裏面５３との間を貫通する複数のス
ルーホール５４が形成され、それらの内壁に沿ってスル
ーホール導体５５および充填樹脂５６が形成されてい
る。各スルーホール導体５５は、その上端と下端で配線
層５８，５７と接続している。

【０００５】図８(Ｂ)に示すように、上記配線層５８，
６４，７２間を導通するため、ビア導体６２，６８が絶
縁層６０，６６に形成される。また、最上層の配線層７
２上の所定の位置には、絶縁層(ソルダーレジスト層)７
０を貫通し且つ第１主面７４よりも高く突出するハンダ
バンプ７６が複数形成され、第１主面７４上に実装する
図示しないＩＣチップの端子と個別に接続される。一
方、図８(Ｂ)に示すように、コア基板５１の裏面５３に
形成した配線層５７から延び且つ絶縁層５９の開口部６
１から第２主面６３側に露出する配線６５は、図示しな
いマザーボードなどのプリント基板との接続端子として
用いられる。以上のような配線基板５０では、コア基板
５１を挟んでビルドアップ層ＢＵと厚めの絶縁層(ソル
ダーレジスト層)５９とが配置されている。このため、
コア基板５１と絶縁層６０，６６，７０との熱膨張率の
差による反りは、図７(Ｂ)中の一点鎖線で示すように、
ビルドアップ層ＢＵ側にある程度の変形に抑制される。

【０００６】

【発明が解決すべき課題】しかしながら、図８(Ｂ)に示
す反りによっても、配線層５８，６４，７２、ビア導体
６２，６８、ハンダバンプ７６、スルーホール導体５
５、および裏面５３の配線層５７の相互間の接続が不十
分になり得るため、これらの間において導通が取れなく
なる、という問題があった。本発明は、以上に説明した
従来の技術における問題点を解決し、コア基板の表面に
のみビルドアップ層を有し且つ反りを生じないか、ある
いは反りにくい配線基板の製造方法を提供する、ことを
課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、コア基板の表面側のビルドアップ層の熱膨
張(熱変形)とバランスする絶縁層を当該コア基板の裏面
側に形成する、ことに着想して成されたものである。即
ち、本発明の配線基板の製造方法(請求項１)は、表面お
よび裏面を有し且つ無機繊維を含有するコア基板におい
て、かかる表面および裏面にコア配線層を形成する工程
と、上記コア基板の表面と裏面との間を貫通し且つ上記
コア配線層と導通するスルーホール導体を形成する工程
と、上記コア基板の裏面上に直接または上記裏面側のコ
ア配線層を介して無機繊維を含有する裏面側絶縁層を形
成する工程と、上記コア基板の表面上方にビルドアップ
絶縁層および上記スルーホール導体と導通するビルドア
ップ配線層を交互にそれぞれ複数形成する工程と、を含
む、ことを特徴とする。

【０００８】これによれば、コア基板の裏面に形成する
裏面側絶縁層は、コア基板と共に無機繊維を含有してい
るので、その熱膨張率が抑制される。このため、コア基
板を挟んで、その表面上方に積層した複数のビルドアッ
プ絶縁層を含むビルドアップ層の熱収縮と裏面側絶縁層
との熱膨張のバランスが保ち易くなるので、厚み方向に
反りを生じないか、極く僅かな反りに抑制可能とした配
線基板を確実に製造することができる。従って、コア配
線層、ビルドアップ配線層、およびスルーホール導体の
相互間における導通が確実に取れる配線基板を提供する
ことができる。上記コア基板には、単一の絶縁板の形態
に限らず、複数の絶縁層とこれらの間に配置した配線層
とからなる多層基板の形態も含まれる。

【０００９】尚、裏面側絶縁層は、コア基板と同じかま
たは同様の樹脂に同じかまたは同様の無機繊維を含有し
た素材を用いることが望ましい。これにより、コア基板
と共にビルドアップ層のビルドアップ絶縁層による熱収
縮を一層確実に抑制し、配線基板全体の反りを防止する
ことができる。付言すれば、前記無機繊維は、ガラス繊
維または炭素繊維からなる、配線基板の製造方法を本発
明に含めることも可能である。これによる場合、裏面側
絶縁層とコア基板との熱膨張率を十分に抑制できるた
め、全体の反りを一層確実に防止できる配線基板を製造
することが可能となる。これらの無機繊維は、コア基板
や裏面側絶縁層において、４０〜６０ｗｔ％の割合で配
合されることにより、後述する低い熱膨張率を実現する
ことができる。尚また、上記ガラス繊維には、Ｅガラ
ス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこ
れらのうちの２種類以上を併用したものが含まれる。

【００１０】また、本発明には、前記コア基板の表面上
方に前記ビルドアップ絶縁層および前記スルーホール導
体と導通する前記ビルドアップ配線層を交互にそれぞれ
複数形成する工程は、少なくとも前記コア配線層および
上記スルーホール導体を形成した一対のコア基板を、そ
れぞれの裏面に予め形成した裏面側絶縁層または同時に
形成する裏面側絶縁層を対向させ且つかかる裏面側絶縁
層の間に離型シートを介在させて固定すると共に、上記
一対のコア基板それぞれの表面上方に上記複数のビルド
アップ絶縁層と複数のビルドアップ配線層とを交互にそ
れぞれ形成するものである、配線基板の製造方法(請求
項２)も含まれる。

【００１１】これによれば、少なくともコア配線層およ
びスルーホール導体を有する一対のコア基板を、両者の
裏面に予め形成または同時に形成する裏面側絶縁層の間
に離型シートを挟持した状態で、各コア基板の表面上方
に複数のビルドアップ絶縁層および複数のビルドアップ
配線層を交互にそれぞれ複数形成するため、かかるビル
ドアップ絶縁層とビルドアップ配線層とからなるビルド
アップ層を平坦にして形成できる。しかも、離型シート
を除去し且つビルドアップ層および裏面側絶縁層を有す
る個別のコア基板に分離しても、無機繊維を含む当該コ
ア基板と裏面側絶縁層とにより、厚み方向に変形する反
りを一層容易に防ぐことが可能となる。尚、前記裏面側
絶縁層は、一対のコア基板を離型シートを介在して固定
する際に、各コア基板の裏面に同時に形成しても良い。

【００１２】更に、本発明には、前記コア基板および裏
面側絶縁層における配線基板の厚み方向と直交する方向
の熱膨張率が、３０ｐｐｍ／℃以下である、配線基板の
製造方法(請求項３)も含まれる。これによれば、裏面側
絶縁層とコア基板との熱膨張率を確実に抑制できるた
め、全体の反りを一層確実に防止し得る配線基板を製造
することが可能となる。尚、上記熱膨張率が３０ｐｐｍ
／℃を越えると、裏面側絶縁層の熱膨張を十分に抑制で
きず、ビルドアップ絶縁層の熱収縮による反りを防ぎき
れなくなるため、かかる範囲を除外したものである。望
ましい熱膨張率は２５ｐｐｍ／℃以下、より望ましい熱
膨張率は１５ｐｐｍ／℃、またはこれ未満である(但
し、これらは何れも０を含まず)。

【００１３】付言すれば、前記コア基板の厚みが４００
〜１０００μｍ、前記ビルドアップ絶縁層の厚みが１５
〜５０μｍ、および前記裏面側絶縁層の厚みが２０〜１
５０μｍである、配線基板の製造方法を本発明に含める
ことも可能である。これによる場合、コア基板および裏
面側絶縁層の前記無機繊維の含有や熱膨張率と相まっ
て、これらの熱膨張を十分に抑制できると共に、ビルド
アップ絶縁層の熱収縮とのバランスも一層容易に取れる
ため、全体の反りをなくか、極く僅かに抑制できる配線
基板を製造することが可能となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下において本発明の実施に好適
な形態を図面と共に説明する。図１は、本発明方法の対
象となる配線基板１の主要部を示す断面図である。配線
基板１は、図１に示すように、表面４および裏面５を有
するコア基板２と、かかるコア基板２の表面４と裏面５
との間を貫通する複数のスルーホール導体６と、コア基
板２の表面４および裏面５に形成したコア配線層８，９
と、を備えている。また、図１に示すように、コア基板
２の表面４上方には、複数のビルドアップ絶縁層１０，
１６および絶縁層(ソルダーレジスト層)２２と複数のビ
ルドアップ配線層１４，２０とを、交互に積層したビル
ドアップ層ＢＵが形成され、且つコア基板２の裏面５上
(図面下側)には裏面側絶縁層１１が形成されている。

【００１５】上記コア基板２は、例えばエポキシ系樹脂
にガラス繊維または炭素繊維(本実施形態ではガラス繊
維)を含有させた厚みが４００〜１０００μｍ(本実施形
態では８００μｍ)で熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下(本
実施形態では２６ｐｐｍ／℃)の絶縁板であって、平面
視でほぼ正方形を呈する。かかるコア基板２の表面４と
裏面５との間には、直径約２００μｍのスルーホール３
が複数貫通し、各スルーホール３の内壁に沿って厚みが
数１０μｍで銅メッキ製のスルーホール導体６が形成さ
れている。各スルーホール導体６の内側には、シリカフ
ィラなどの無機フィラを含む充填樹脂７が形成されてい
る。また、図１に示すように、コア基板２の表面４と裏
面５には、厚み約１５μｍの銅メッキ製で且つ所定パタ
ーンを有するコア配線層８，９が形成され、これらは各
スルーホール導体６の上端または下端とそれぞれ個別に
接続されている。

【００１６】更に、図１に示すように、コア基板２の表
面４上方には、シリカフィラなどの無機フィラを含むエ
ポキシ樹脂からなり、厚み約３０μｍのビルドアップ絶
縁層１０，１６と、厚み約２０μｍの絶縁層(ソルダー
レジスト層)２２と、かかるビルドアップ絶縁層１０，
１６および絶縁層２２の間に形成した銅メッキからなる
厚み約１５μｍのビルドアップ配線層１４，２０が位置
する。上記コア配線層８、ビルドアップ配線層１４，２
０の間を導通するため、ビルドアップ絶縁層１０，１６
には、銅メッキ製のフィルドビア導体１２，１８が形成
される。尚、ビルドアップ絶縁層１０，１６およびビル
ドアップ配線層１４，２０は、ビルドアップ層ＢＵを形
成する。また、ビルドアップ絶縁層１０，１６，２２の
熱膨張率は、約４０〜７０ｐｐｍ／℃(本実施形態では
６５ｐｐｍ／℃)である。

【００１７】最上層の配線層２０上の所定の位置には、
ビルドアップ絶縁層２２を貫通し且つ第１主面２４より
も高く突出する複数のハンダバンプ２６が形成される。
かかるバンプ２６は、例えばＳｎ−Ａｇ系などの低融点
合金からなり、図１に示すように、第１主面２４上に実
装するＩＣチップ(半導体素子)２８の図示しない端子と
個別に接続される。尚、かかる端子と各バンプ２６と
は、図示しないアンダーフィル材により埋設され且つ保
護される。

【００１８】また、図１に示すように、コア基板２の裏
面５上(図面下側)で且つコア配線層９上には、例えばエ
ポキシ系樹脂にガラス繊維または炭素繊維(本実施形態
ではガラス繊維)を含有させた厚みが２０〜１５０μｍ
(本実施形態では４０μｍ)で且つ熱膨張率が３０ｐｐｍ
／℃以下(本実施形態では２６ｐｐｍ／℃)の裏面側絶縁
層１１が形成されている。かかる裏面側絶縁層１１の所
定の位置には、その表面である第２主面１３側に開口す
る複数の開口部１５が形成され、その底部にはコア配線
層９から延びて第２主面１３側に露出する配線１７が位
置する。かかる配線１７は、その表面にＮｉおよびＡｕ
メッキが被覆され、当該配線基板１を搭載する図示しな
いマザーボードなどのプリント基板との接続端子とな
る。尚、配線１７にハンダを介して銅系または鉄系合金
からなるピンを接続しても良い。

【００１９】以上のような配線基板１では、裏面側絶縁
層１１は、コア基板２と共に無機繊維を含有しているの
で、それらの熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下に抑制され
る。このため、コア基板２を挟んで、その表面４上方に
積層したビルドアップ絶縁層１０，１６を含むビルドア
ップ層ＢＵの熱収縮と裏面側絶縁層１１との熱膨張のバ
ランスが保ち易くなる。この結果、かかる配線基板１に
よれば、厚み方向に反りを生じないか、極く僅かな反り
に抑制可能となる。従って、配線基板１では、コア配線
層８，９、ビルドアップ配線層１４，２０、ビア導体１
２，１８、およびスルーホール導体６の相互間における
導通を、確実且つ安定して取ることが可能となる。尚、
裏面側絶縁層１１は、コア基板２と同じ樹脂に同じ無機
繊維を含有したものとしたり、前記無機繊維を含む接着
性の樹脂としても良い。また、前記ガラス繊維には、線
径７〜９μｍのガラス糸の多数本を格子状に編み込んだ
布状物や、比較的長さの短いガラス糸を不規則に積層し
て含有するガラス不織布を用いても良い。

【００２０】ここで、前記配線基板１を得る本発明の製
造方法を図２〜図４にて説明する。図２(Ａ)は、厚みが
約８００μｍのコア基板２の断面を示し、その表面４と
裏面５とには、厚みが約１５μｍの銅箔４ａ，５ａが全
面に貼り付けてある。かかるコア基板２における所定の
位置に対し、その厚み方向に沿ってドリルの挿入または
レーザ(炭酸ガスレーザなど)の照射を行う。その結果、
図２(Ｂ)に示すように、コア基板２において、その表面
４と裏面５との間を貫通する直径約２００μｍのスルー
ホール３が複数穿孔される。次に、各スルーホール３の
内壁に予めＰｄなどを含むメッキ触媒を付着した後、コ
ア基板２の全面に対して無電解銅メッキおよび電解銅メ
ッキを施す。

【００２１】その結果、図２(Ｃ)に示すように、各スル
ーホール３の内壁に沿ってスルーホール導体６が形成さ
れる。次に、各スルーホール導体６の内側に、シリカフ
ィラなどの無機フィラを含むエポキシ樹脂からなる充填
樹脂７を形成した後、かかる充填樹脂７を蓋メッキする
ため、コア基板２の表面４および裏面５の全面に図示し
ない銅メッキ層を形成する。この状態で、かかる銅メッ
キ層の上に所定のパターンを有する図示しないエッチン
グレジストを形成した後、かかるレジストの隙間から露
出する銅メッキ層および銅箔４ａ，５ａをエッチングし
て除去する公知のサブトラクティブ法を施す。

【００２２】その結果、図２(Ｃ)に示すように、コア基
板２の表面４および裏面５には、上記レジストのパター
ンに倣った所定パターンのコア配線層８，９が形成され
る。次いで、図２(Ｄ)に示すように、コア基板２の裏面
５上(図面下側)に、エポキシ系樹脂にガラス繊維を含有
させた厚みが４０μｍで且つ熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃
以下の裏面側絶縁層１１を形成する。絶縁層１１は、ガ
ラス繊維を含む溶けたエポキシ系樹脂を塗布して乾燥す
るか、ガラス繊維を含むエポキシ系樹脂のフィルムを貼
り付けることにより形成され、その表面は第２主面１３
となる。

【００２３】図３(Ａ)に示すように、スルーホール導体
６、コア配線層８，９、および裏面側絶縁層１１を有す
る一対のコア基板２，２を、それぞれの裏面側絶縁層１
１で対向させると共に、これらの間に離型シート２７を
挿入した状態で、図３(Ａ)中の矢印で示すように、一対
のコア基板２，２を互いに接近させる。尚、離型シート
２７は、例えば２枚のポリエチレンフイルムの間に熱可
塑性樹脂を介在させた樹脂モディファイドポリエチレン
３層構造フィルム(商品名：パコタンプラス)のようなシ
ートが用いられる。また、一対のコア基板２，２を離型
シート２７を挟んで積層し固定する際に、同時に裏面側
絶縁層１１，１１をそれぞれのコア基板２の裏面５に形
成しても良い。そして、図３(Ｂ)に示すように、一対の
コア基板２，２を、それぞれの裏面側絶縁層１１が離型
シート２７を挟んで隣接した状態で拘束(固定)する。

【００２４】次いで、図４(Ａ)に示すように、一対のコ
ア基板２におけるそれぞれのコア配線層８を含む表面４
に、シリカフィラなどの無機フィラを含むエポキシ樹脂
からなり厚みが約３０μｍのビルドアップ絶縁層１０を
形成する。次に、一対のコア基板２における各ビルドア
ップ絶縁層１０の所定の位置に対しフォトリソグラフィ
技術により、図示しない円錐形状のビアホールを形成す
ると共に、その底面にコア配線層１０を露出させる。か
かるビアホールを含むそれぞれのビルドアップ絶縁層１
０の上に、図示しない銅メッキ層を形成した後、所定の
パターンを有する図示しないエッチングレジストを形成
する。次いで、当該レジストの隙間から露出する上記銅
メッキ層をエッチングして除去する公知のサブトラクテ
ィブ法を施す。

【００２５】その結果、図４(Ｂ)に示すように、一対の
コア基板２におけるそれぞれのビルドアップ絶縁層１０
中にフィルドビア導体１２が、且つそれぞれのビルドア
ップ絶縁層１０の上に所定パターンのビルドアップ配線
層１４が形成される。これ以降は、ビルドアップ配線層
１４やビルドアップ絶縁層１０と共にビルドアップ層Ｂ
Ｕを形成する前記ビルドアップ絶縁層１６、絶縁層２
２、ビルドアップ配線層２０、およびフィルドビア導体
１８を、公知のビルトアップ技術(セミアディティブ
法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法、フィル
ム状樹脂材料のラミネートによる絶縁層の形成、フォト
リソグラフィ技術)により形成する。最後に前記ハンダ
バンプ(ＩＣ接続端子)２６を第１主面２４側に形成す
る。

【００２６】また、ビルドアップ層ＢＵを有する一対の
コア基板２，２から離型シート２７を除去して分離し、
露出した裏面側絶縁層１１にフォトリソグラフィ技術に
より開口部１５を形成した後、その底部に露出する前記
配線１７にＮｉおよびＡｕメッキを施すことにより、前
記図１に示した配線基板１を得ることができる。以上の
ような本発明による配線基板１の製造方法によれば、コ
ア基板２の裏面５に形成した裏面側絶縁層１１は、コア
基板２と共に無機繊維を含有しているので、その熱膨張
率が抑制される。この結果、コア基板２を挟んで、その
表面４上方に積層したビルドアップ絶縁層１０，１６を
含むビルドアップ層ＢＵの熱収縮と裏面側絶縁層１１と
の熱膨張のバランスが保ち易くなる。従って、厚み方向
に反りを生じないか、極く僅かな反りに抑制可能とした
配線基板１を確実に製造することができる。尚、以上の
ような図２(Ａ)〜図４(Ｂ)に示した製造工程は、複数の
コア基板２(製品単位)を平面方向に併有する多数個取り
の基板(パネル)にて行っても良い。

【００２７】図５は、配線基板１の応用形態の配線基板
１ａにおける主要部の断面を示す。配線基板１ａは、図
５に示すように、多層基板(構造)のコア基板２と、その
表面４と裏面５との間を貫通する複数のスルーホール導
体６と、コア基板２の表面４および裏面５に形成した前
記同様のコア配線層８，９と、を備えている。また、図
５に示すように、コア基板２の表面４上方には、前記同
様の複数のビルドアップ絶縁層１０，１６および絶縁層
２２と複数のビルドアップ配線層１４，２０とを、交互
に積層したビルドアップ層ＢＵが形成されている。前記
同様に、コア配線層８や、ビルドアップ配線層１４，２
０間を導通するフィルドビア導体１２，１８が形成さ
れ、且つ最上層の上記配線層２０の上にはハンダバンプ
２６が形成されている。

【００２８】更に、コア基板２の裏面５上(図面下側)に
は前記同様の裏面側絶縁層１１が形成され、その開口部
１５の底部には前記同様の配線１７が位置している。コ
ア基板２は、エポキシ系樹脂にガラス繊維などを含有さ
せた厚みが約４００μｍで熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以
下の絶縁層２ａと、同じ素材からなり厚みが約２００μ
ｍで熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下の絶縁層２ｂ，２ｃ
と、これらの間に位置し銅メッキからなる厚み約１５μ
ｍの配線層２５，２７とからなる。

【００２９】かかる多層基板のコア基板２の表面４と裏
面５との間に直径約２００μｍの複数のスルーホール３
が貫通し、各スルーホール３の内壁に沿って厚みが数１
０μｍで銅メッキ製のスルーホール導体６が形成され
る。各スルーホール導体６の内側には、シリカフィラな
どの無機フィラを含む充填樹脂７が形成され、且つ各ス
ルーホール導体６は、その中間で前記配線層２５，２７
と接続されている。以上のような配線基板１ａでは、裏
面側絶縁層１１によりビルドアップ層ＢＵ側への反りが
防げると共に、コア基板２中の配線層２５，２７も、ス
ルーホール導体６を介してコア配線層８，９やビルドア
ップ配線層１４，２０と確実に導通する。このため、多
くの配線層を高密度で有し且つかかる配線層の相互間で
安定した導通を得ることが可能となる。

【００３０】ここで、前記配線基板１ａの製造方法につ
いて、図６，７により説明する。図６(Ａ)は、エポキシ
系樹脂にガラス繊維を含有させた厚みが約４００μｍで
熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下の絶縁層２ａの断面を示
し、その表面２１と裏面２３には、厚みが約１５μｍの
銅箔２１ａ，２３ａが全面に貼り付けてある。上記銅箔
２１ａ，２３ａの上に、所定のパターンを有する図示し
ないエッチングレジストを形成した後、かかるレジスト
の隙間から露出する銅箔２１ａ，２３ａをエッチングし
て除去する公知のサブトラクティブ法を施す。その結
果、図６(Ｂ)に示すように、絶縁層２ａの表面２１と裏
面２３には、上記レジストのパターンに倣った配線層２
５，２７が形成される。

【００３１】次に、図６(Ｃ)に示すように、配線層２
５，２７を含む絶縁層２ａの表面２１および裏面２３の
上に、エポキシ系樹脂にガラス繊維などを含有させた厚
みが約２００μｍで熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下の絶
縁層２ｂ，２ｃを形成する。これにより、絶縁層２ａ，
２ｂ，２ｃ、これらの間に位置する配線層２５，２７、
および表面４および裏面５を有する多層基板(構造)のコ
ア基板２が形成される。次いで、図６(Ｄ)に示すよう
に、上記コア基板２の表面４と裏面５との間を貫通する
直径が約２００μｍで複数のスルーホール３を前記同様
にして穿孔する。この際、各スルーホール３は、配線層
２５，２７をも貫通する。更に、各スルーホール３の内
壁に予めＰｄなどを含むメッキ触媒を付着した後、コア
基板２の全面に対し無電解銅メッキおよび電解銅メッキ
を施す。

【００３２】その結果、図７(Ａ)に示すように、各スル
ーホール３の内壁に沿ってスルーホール導体６が形成さ
れる。この際、各スルーホール導体６は、その中間にお
いて配線層２５，２７と接続される。同時に、コア基板
２の表面４および裏面５には、銅メッキ層４ａ，５ａが
形成される。次に、図７(Ｂ)に示すように、各スルーホ
ール導体６の内側に、シリカフィラなどの無機フィラを
含むエポキシ樹脂からなる充填樹脂７を形成した後、か
かる充填樹脂７を蓋メッキするため、コア基板２の表面
４および裏面５の全面に銅メッキ層４ｂ，５ｂを形成す
る。この状態で、かかる銅メッキ層４ｂ，５ｂの上に所
定のパターンを有する図示しないエッチングレジストを
形成した後、かかるレジストの隙間から露出する銅メッ
キ層４ａ，５ａ，４ｂ，５ｂをエッチングして除去する
公知のサブトラクティブ法を施す。

【００３３】その結果、図７(Ｃ)に示すように、コア基
板２の表面４および裏面５には、上記レジストのパター
ンに倣った所定パターンのコア配線層８，９が形成され
る。次に、図７(Ｃ)に示すように、コア基板２の裏面５
上(図面下側)に、エポキシ系樹脂にガラス繊維を含有さ
せた厚みが４０μｍで且つ熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以
下の裏面側絶縁層１１を形成する。かかる絶縁層１１
は、ガラス繊維を含む溶けたエポキシ系樹脂を塗布して
乾燥するか、ガラス繊維を含むエポキシ系樹脂のフィル
ムを貼り付けることにより形成され、その表面は第２主
面１３となる。これ以降は、前記図３(Ａ)，(Ｂ)で示し
たと同様に、スルーホール導体６、コア配線層８，９、
および裏面側絶縁層１１を有する一対のコア基板２，２
を、それぞれの裏面側絶縁層１１で対向させ、これらの
間に前記離型シート２７を挟持した状態で、一対のコア
基板２，２を拘束する。尚、裏面側絶縁層１１は、一対
のコア基板２，２を拘束する際にそれぞれの裏面５に同
時に形成しても良い。

【００３４】次いで、前記図４(Ａ)，(Ｂ)に示した同様
に、一対のコア基板２におけるコア配線層８を含むそれ
ぞれの表面４に、前記ビルドアップ絶縁層１０を形成
し、且つフィルドビア導体１２やそれぞれのビルドアッ
プ絶縁層１０の上に所定パターンのビルドアップ配線層
１４を形成する。更に、前記ビルドアップ絶縁層１６、
ビルドアップ配線層２０、およびビア導体１８を、公知
のビルトアップ技術により形成して前記ビルドアップ層
ＢＵを形成する。そして、前記絶縁層２２およびハンダ
バンプ(ＩＣ接続端子)２６を第１主面２４側に形成す
る。また、離型シート２７を除去して、ビルドアップ層
ＢＵを有する一対のコア基板２，２を分離し、露出した
裏面側絶縁層１１にフォトリソグラフィ技術により開口
部１５を形成した後、その底部に露出する前記配線１７
にＮｉおよびＡｕメッキすることにより、前記図５に示
した配線基板１ａを得ることができる。

【００３５】以上のような配線基板１ａの製造方法によ
っても、多層基板のコア基板２の裏面５に形成した裏面
側絶縁層１１は、コア基板２と共に無機繊維を含有し、
その熱膨張率が抑制される。このため、コア基板２を挟
んで、その表面４上方に積層したビルドアップ絶縁層１
０，１６を含むビルドアップ層ＢＵの熱収縮と裏面側絶
縁層１１との熱膨張のバランスが保ち易くなる。この結
果、厚み方向に反りを生じないか、極く僅かな反りに抑
制可能とした配線基板１ａを確実に提供することができ
る。尚、以上の図６(Ａ)〜図７(Ｃ)や前記図３，４の製
造工程も、複数のコア基板２(製品単位)を平面方向に併
有する多数個取りの基板(パネル)で行っても良い。

【００３６】本発明は、以上において説明した各形態に
限定されるものではない。前記裏面側絶縁層１１を形成
する工程は、前記ビルドアップ絶縁層１０などおよびビ
ルドアップ配線層１４などを形成する工程の後で行うこ
とも可能である。また、前記ビルドアップ絶縁層１０な
どおよびビルドアップ配線層１４などを形成する工程
は、１枚のコア基板２の状態で行うことも可能である。

【００３７】更に、前記コア基板２の材質は、前記ガラ
ス繊維または炭素繊維を含むものであれば、エポキシ系
樹脂の他、ビスマレイミド・トリアジン(ＢＴ)樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いても良い。ある
いは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造の
フッ素系樹脂にガラス繊維などを含有させた複合材料な
どを用いることも可能である。前記スルーホール導体
６、コア配線層８、ビルドアップ配線層１４などの材質
は、前記Ｃｕの他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ系などにし
ても良く、あるいは金属のメッキ層を用いず、導電性樹
脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。

【００３８】更に、前記ビルドアップ絶縁層１０などの
材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、
同様の耐熱性、パターン成形性などを有するポリイミド
樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有
するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポ
キシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材
料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成には、
絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の
樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることも
できる。尚また、かかる絶縁層に混入するガラス繊維ま
たはガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガ
ラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類
以上を併用したものとしても良い。また、ビア導体は、
前記フィルドビア導体１２などでなく、内部が完全に導
体で埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体
とすることもできる。あるいは、各ビア導体の軸心をず
らしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途
中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良
い。

【００３９】

【発明の効果】以上に説明した本発明の配線基板の製造
方法(請求項１)によれば、コア基板の裏面に形成する裏
面側絶縁層は、コア基板と共に無機繊維を含有している
ため、その熱膨張率が抑制される。この結果、コア基板
を挟んで、その表面上方に積層した複数のビルドアップ
絶縁層を含むビルドアップ層の熱収縮と裏面側絶縁層と
の熱膨張のバランスが保ち易くなるため、厚み方向に反
りを生じないか、極く僅かな反りに抑制可能とした配線
基板を確実に製造することができる。

【００４０】また、請求項２の配線基板の製造方法によ
れば、裏面側絶縁層を有する一対のコア基板を、両者の
裏面側絶縁層の間に離型シートを挟持した状態で、各コ
ア基板の表面上方にビルドアップ絶縁層およびビルドア
ップ配線層を交互にそれぞれ複数形成する。この結果、
かかるビルドアップ絶縁層とビルドアップ配線層とから
なるビルドアップ層を平坦に形成できる。しかも、離型
シートを除去し且つビルドアップ層などを有する個別の
コア基板に分離しても、無機繊維を含む当該コア基板お
よび裏面側絶縁層により、厚み方向の反りを一層容易に
防止できる。更に、請求項３の配線基板の製造方法によ
れば、裏面側絶縁層とコア基板との熱膨張率を確実に抑
制できるため、全体の反りを一層確実に防止し得る配線
基板を製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法の対象となる配線基板におけ
る主要部を示す断面図。

【図２】(Ａ)〜(Ｄ)は図１の配線基板を得るため本発明
の主な製造工程を示す概略図。

【図３】(Ａ)，(Ｂ)は図２(Ｄ)に続く主な製造工程を示
す概略図。

【図４】(Ａ)，(Ｂ)は図３(Ｂ)に続く主な製造工程を示
す概略図。

【図５】図１の配線基板の応用形態における主要部を示
す断面図。

【図６】(Ａ)〜(Ｄ)は図５の配線基板を得るため本発明
の主な製造工程を示す概略図。

【図７】(Ａ)〜(Ｃ)は図６(Ｄ)に続く主な製造工程を示
す概略図。

【図８】(Ａ)，(Ｂ)は従来の配線基板における主要部を
示す断面図。

【符号の説明】

１，１ａ……………配線基板 ２……………………コア基板 ４……………………表面 ５……………………裏面 ６……………………スルーホール導体 ８，９………………コア配線層 １０，１６…………ビルドアップ絶縁層 １１…………………裏面側絶縁層 １４，２０…………ビルドアップ配線層 ２７…………………離型シート ＢＵ…………………ビルドアップ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 AA06 AA12 AA15 AA17 AA43 CC04 CC09 CC32 CC46 DD22 DD32 EE33 FF04 FF07 GG15

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表面および裏面を有し且つ無機繊維を含有
   するコア基板において、かかる表面および裏面にコア配
   線層を形成する工程と、 上記コア基板の表面と裏面との間を貫通し且つ上記コア
   配線層と導通するスルーホール導体を形成する工程と、 上記コア基板の裏面上に直接または上記裏面側のコア配
   線層を介して無機繊維を含有する裏面側絶縁層を形成す
   る工程と、 上記コア基板の表面上方にビルドアップ絶縁層および上
   記スルーホール導体と導通するビルドアップ配線層を交
   互にそれぞれ複数形成する工程と、を含む、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】前記コア基板の表面上方に前記ビルドアッ
   プ絶縁層および前記スルーホール導体と導通する前記ビ
   ルドアップ配線層を交互にそれぞれ複数形成する工程
   は、 少なくとも前記コア配線層および上記スルーホール導体
   を形成した一対のコア基板を、それぞれの裏面に予め形
   成した裏面側絶縁層または同時に形成する裏面側絶縁層
   を対向させ且つかかる裏面側絶縁層の間に離型シートを
   介在させて固定すると共に、 上記一対のコア基板それぞれの表面上方に上記複数のビ
   ルドアップ絶縁層と複数のビルドアップ配線層とを交互
   にそれぞれ形成するものである、 ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方
   法。
3. 【請求項３】前記コア基板および裏面側絶縁層における
   配線基板の厚み方向と直交する方向の熱膨張率が、３０
   ｐｐｍ／℃以下である、 ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の
   製造方法。