JP2003008093A - 圧電/電歪デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
圧電/電歪デバイスおよびその製造方法Info
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Abstract
一端部側にて互いに連結する連結部11cを有する基体
11と、基体11の可動部11a,11bの側面に配設
した圧電/電歪素子12a,12bを具備する圧電/電
歪デバイスを、部品点数の少きて簡単な構造に構成す
る。 【解決手段】基体11は、1枚の帯状の平板を屈曲して
コ字状またはU字状に一体的に形成されていて、各可動
部11a,11bは連結部11cの各端部から所定長さ
他端側へ延びて、各可動部11a,11bの他端部が被
制御部品または被検査部品の取付部位となっている。
Description
ス、同圧電/電歪デバイスを構成する基体および同圧電
/電歪デバイスの製造方法に関する。
ーロッパ特許(EP1017116A2)明細書に開示
されているように、相対向して互いに並列する一対の可
動部およびこれら両可動部を一端部側にて互いに連結す
る連結部を有する基体と、同基体の前記両可動部の少な
くとも一方の外側面に配設してなる圧電/電歪素子を具
備してなる形式の圧電/電歪デバイスがある。
電歪素子の変位動作に起因する可動部の作動機能、また
は、被検出側から入力される可動部の変位を圧電/電歪
素子により検出する検出機能を有するもので、これらの
機能を有効に利用して、下記のごとき広い用途に使用さ
れている。
は、各種トランスデューサ、各種アクチュエータ、周波
数領域機能品(フィルタ)、トランス、通信用、動力用
の振動子や共振子、発振子、ディスクリミネータ等の能
動素子、超音波センサ、加速度センサ、角速度センサ、
衝撃センサ、質量センサ等の各種センサ素子、光学機
器、精密機器等の各種精密部品等の変位や位置決め調
整、角度調整の機構に用いられる各種アクチュエータ等
に使用される。
は、一般には、基体と少なくとも1つの圧電/電歪素子
とからなり、これらは接着剤を介して互いに接着されて
いる。また、基体は、一対の可動部を構成する構成部材
とこれら両構成部材を連結する構成部材からなり、これ
らの構成部材は接着剤を介して互いに接着されている。
の圧電/電歪デバイスは、その構成部材の部材の点数が
多くて、コストが高いとともに組立作業が面倒であり、
かつ、各構成部材同士を接着剤を介して接着しているこ
とから、各構成部材同士の接着にバラツキが生じて、デ
バイス特性に影響を及ぼすおそれがある。
造するには、デバイス原盤を適宜に切断して多数取りす
る手段が採られることから、切断して形成された圧電/
電歪デバイスは、切断時に発生する塵埃や切削液、さら
には、切断時にデバイス原盤を保持するために使われる
接着剤やワックス等の有機成分により汚染されていて、
圧電/電歪デバイスの洗浄が容易ではない。
数枚のセラミックグレーンシート積層体の焼成体で構成
する場合、セラミックスが割れ易いため、ジルコニア等
の硬い材質のセラミックスを採用する必要があり、硬い
材料のセラミックスを採用した場合でも、欠損やクラッ
クが発生しないように適切な切断条件を選定する必要が
ある。また、基体が硬い材料のセラミックスであること
から加工し難く、加工処理数を増やすためには、異なる
機能の多くの加工装置を使用する等の配慮をする必要が
ある。
能であるが、金属材料は切削加工中に摩擦熱で端面が酸
化したり、加工端面にバリが残留するため、これらを除
去する別工程を追加しなければならない。また、圧電/
電歪素子の検査は、デバイス原盤を切断した後でなけれ
ばすることができない。
バイスの洗浄には、汚れが容易に除去し得るように、超
音波洗浄を採用することが好ましいが、超音波洗浄にお
いて洗浄効果を挙げるべく強い超音波を使用すると、デ
バイスにダメージを与えることがあり、圧電/電歪素子
が基体から剥離したり破損することもある。このため、
超音波洗浄を採用する場合には、デバイスにダメージを
与えない弱い超音波を選定する必要があるが、このよう
な洗浄条件を採用する場合には、切断時に付着する汚れ
を除去するには長時間を要することになる。
ば、ハードディスクドライブの磁気ヘッドのアクチュエ
ータとして圧電/電歪デバイスを使用する場合にドライ
ブの中で発塵すると、その塵が浮上スライダーとメディ
アのクラッシュの原因となり、データを破壊するおそれ
がある。また、圧電/電歪デバイス自身に対しても、そ
の塵が圧電/電歪素子の電極に付着してショートを引起
こすおそれがある。このため、ハードディスクドライブ
に対しては勿論のこと、デバイス自身にも高い清浄化度
が要求される。
/電歪デバイスを構成する基体を、1枚の平板を原板と
する一体構造とすることにより、上記した各問題を解消
することにある。
イスに関するもので、相対向して互いに並列する一対の
可動部およびこれら両可動部を一端部側にて互いに連結
する連結部を有する基体と、同基体の前記両可動部の少
なくとも一方の外側面に配設した圧電/電歪素子を具備
してなる形式の圧電/電歪デバイスを適用対象とするも
のである。
スは、上記した形式の圧電/電歪デバイスを構成する前
記基体が1枚の帯状の平板で一体的に構成されていて、
前記各可動部は前記連結部の各端部から所定長さ他端側
へ延びていることを特徴とするものである。
基体を金属製の平板にて構成することができ、また、当
該圧電/電歪デバイスは、制御または検査の対象とする
部品を、前記基体を構成する前記両可動部の他端部の内
面側にて挟持した使用形態を採ることができる。
は、前記圧電/電歪素子は前記可動部より短くて、同可
動部の他端部側に位置している構成を採ることができる
とともに、同可動部の一端部側に位置している構成を採
ることができる。
は、前記基体を、前記両可動部の他端側に開口する略コ
字状を呈する構成とすることができる。この場合には、
前記基体に、前記連結部の内面側または外面側に平板部
を設ける構成とすることができる。また、本発明に係る
圧電/電歪デバイスにおいては、前記基体を、前記両可
動部の他端側に開口する略U字状を呈する構成や、各可
動部と連結部の各端部間の連結部位が円弧状の凹所に形
成する構成を採ることができる。さらにまた、本発明に
係る圧電/電歪デバイスにおいては、前記基体の各可動
部における長手方向の中間部を薄肉状に形成する構成を
採ることができる。
デバイスを構成する基体を製造する方法であり、前記基
体の形成材料として可撓性で屈曲加工の可能な平板を採
用し、同平板を前記基体が平面状に展開された形状の平
板に切断して細幅状の原板とし、同原板の所定の部位を
屈曲して前記両可動部と前記連結部が一体の前記基体を
形成することを特徴とするものである。
デバイスを製造する方法であり、前記基体の形成材料と
して、可撓性で屈曲加工の可能な平板を採用し、同平板
を前記基体が平面状に展開された形状の平板に切断して
細幅状の原板とし、同原板の所定の部位を屈曲すること
により、前記両可動部と前記連結部が一体の前記基体を
形成して、同基体を構成する両可動部の少なくとも一方
の外側面に圧電/電歪素子を貼着して圧電/電歪デバイ
スを形成することを特徴とするものである。さらにま
た、本発明に係る圧電/電歪デバイスを製造する他の製
造方法は、前記基体の形成材料として、可撓性で屈曲加
工の可能な平板であってその所定の部位に圧電/電歪素
子が接着されている平板を採用し、同平板を前記圧電/
電歪素子と一体に前記基体が平面状に展開された形状に
切断して細幅状の原板とし、同原板の所定の部位を屈曲
することにより、前記両可動部と前記連結部が一体の前
記基体、および、前記両可動部の少なくとも一方の外側
面に圧電/電歪素子が貼着されている圧電/電歪デバイ
スを形成することを特徴とするものである。
においては、圧電/電歪デバイスを構成する基体が1枚
の帯状の平板で構成された一体構造のもので、基体は原
則的には1個の構成部材で構成されていることから、構
成部材は基体と圧電/電歪素子の2種類となり、圧電/
電歪デバイスの構成部材を大幅に低減できるとともに、
構成部材の組立工数を低減できて、コストを大幅に軽減
することができる。
おいては、構成部材の部材の点数が極めて少なくて、各
構成部材同士の接着部位も極めて少ないことから、各構
成部材同士の接着のバラツキが皆無またはほとんどなく
て、設定された精度の高いデバイス特性を有するもので
ある。
本発明に係る上記した各製造方法により容易かつ安価に
製造することができるが、特に、本発明に係る圧電/電
歪デバイスを構成する基体については、その形成材料と
して可撓性で屈曲加工の可能な平板を採用して、同平板
を前記基体が平面状に展開された形状に切断して細幅状
の原板とし、同原板の所定の部位を屈曲して両可動部と
前記連結部が一体の基体を形成する製造方法を採ること
により、容易かつ安価に製造することができるものであ
る。
する一対の可動部およびこれら両可動部を一端部側にて
互いに連結する連結部を有する基体と、同基体における
両可動部の少なくとも一方の外側面に配設した圧電/電
歪素子を具備してなる圧電/電歪デバイスであって、基
体を、1枚の帯状の平板で一体的に、コ字状またはU字
状に屈曲して形成されているものである。図1は、本発
明に係る圧電/電歪デバイスの多数の実施形態(第1の
実施形態〜第8の実施形態)を模式的に示しているもの
である。
各実施形態は、基体がコ字状を呈する圧電/電歪デバイ
スであり、同図の(g)に示す第7の実施形態は、基体
がU字状を呈する圧電/電歪デバイスであり、かつ、同
図の(h)に示す第8の実施形態は、基体がコ字状を呈
していて、各可動部と連結部の各端部間の連結部位が円
弧状の凹所に形成されている圧電/電歪デバイスであ
る。
イス10a、および、第2の実施形態である第2圧電/
電歪デバイス10bは、本発明に係る圧電/電歪デバイ
スの基本的な構成を有するもので、第1圧電/電歪デバ
イス10aは図2および図3に示す方法により形成さ
れ、かつ、第2圧電/電歪デバイス10bは図4に示す
方法により形成されている。
(c)に示すように、基体11と一対の圧電/電歪素子
12a,12bからなり、基体11は、細幅で長尺の原
板をコ字状に屈曲して形成されているもので、左右一対
の可動部11a,11bと、両可動部11a,11bを
一端部側にて互いに連結する連結部11cにて構成され
ている。当該基体11においては、各可動部11a,1
1bの外側面に、各圧電/電歪素子12a,12bがエ
ポキシ樹脂等からなる接着剤を介して接着されている。
/電歪層と電極膜からなる多層体であって、各可動部1
1a,11bとは同一形状で、所定長さ短く形成されて
いて、各可動部11a,11bにおける一端部側にて連
結部11cに近接して接着されて、各可動部11a,1
1bの他端部側へ所定長さ延びている。
は、基体11の連結部11cには、図示しないアクチュ
エータが配設され、かつ、両可動部11a,11b間に
は、たとえば図示しない被制御部品であるハードディス
ク用の磁気ヘッド(スライダ)が配設されて使用され
る。
を構成する基体11を構成するための原板としては、図
3(b)に示す原板11Aが採用されており、同原板1
1Aは、図2(a),(b)および図3(a)に示す方
法により形成されている。図3(b)に示す原板11A
は、同図に示す2点鎖線に沿って屈曲加工を施すことに
より、図3(c)に示す第1圧電/電歪デバイス10a
に形成される。
2(a),(b)に示す平板11A1であるが、各圧電
/電歪素子12a,12bとなる、2枚の長尺の圧電/
電歪素子原板12A,12Bが接着されているものであ
る。両圧電/電歪素子原板12A,12Bが接着されて
いる平板11A1は、図3(a)に示す1点鎖線、およ
びこれに平行な線に沿って多数の部位にて切断され、こ
れにより、同図(b)に示す原板11Aが多数形成され
る。原板11Aは、同図(b)に示す2点鎖線に沿って
屈曲加工を施されて、同図(c)に示す第1圧電/電歪
デバイス10aが形成される。
が100GPa以上の金属製の平板であることが好まし
い。これに該当する鉄系材料としては、SUS301、
SUS304、AISI653、SUH660等のオー
ステナイト系ステンレス鋼、SUS430、SUS43
4等のフェライト系ステンレス鋼、SUS410、SU
S630等のマルテンサイト系ステンレス鋼、SUS6
312、AISI632等のセミオーステナイト系ステ
ンレス鋼、エルマージングステンレス鋼、各種ばね鋼等
の鋼材を挙げることができる。また、非鉄系材料として
は、チタン−ニッケル合金等の超弾性チタン合金、黄
銅、白銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン、
ベリリウム銅、リン青銅、ニッケル、ニッケル鉄合金、
チタン等を挙げることができる。
基体の少なくとも可動部に対応する部位が、冷間圧延加
工されている金属板を採用することが好ましい。
は、従来のこの種形式の圧電/電歪デバイスと同様に機
能するものであるが、基体11が原板11Aを構成部材
とする一体構造のものであることから、下記のごとき作
用効果を奏するものである。
は、原板11Aのみからなる一体構造の基体11を構成
部材とするもので、構成部材は基体11と圧電/電歪素
子(12a,12b)の2種類となり、圧電/電歪デバ
イス10aの構成部材を大幅に低減できるとともに、構
成部材の組立工数を大幅に低減できて、コストを大幅に
軽減することができる。
いては、構成部材の点数が極めて少なくて、各構成部材
同士の接着部位も極めて少ないことから、各構成部材同
士の接着のバラツキが皆無またはほとんどなくて、設定
された精度の高いデバイス特性を有するものとなる。
いては、基体11の構成部材である原板11Aの形成材
料(平板11A1)には、圧電/電歪素子原板12A,
12Bを予め接着しておき、平板11A1を圧電/電歪
素子原板12A,12Bと一体に切断することにより原
板11Aを形成する構成を採用しているため、圧電/電
歪デバイスの組立時に、圧電/電歪素子12a,12b
を、極めて細くて小さい部位である各可動部11a,1
1bに接着する作業を解消することができ、組立が容易
であるとともに、圧電/電歪素子12a,12bの各可
動部11a,11bに対する接着精度を一層向上させる
ことができる。
2圧電/電歪デバイス10bは、本発明に係る圧電/電
歪デバイスの他の基本的な構成を有するもので、図4に
示す方法で形成される。
(c)に示すように、基体13と一対の圧電/電歪素子
12a,12bからなるもので、この点では、第1圧電
/電歪デバイス10aと同様であるが、第1圧電/電歪
デバイス10aとは、各圧電/電歪素子12a,12b
の配設位置のみが相違している。第2圧電/電歪デバイ
ス10bにおいては、各圧電/電歪素子12a,12b
は、各可動部13a,13bにおける他端部側に接着さ
れて、各可動部11a,11bの一端部側、すなわち、
基体13の連結部13c側へ所定長さ延びている。
を構成する基体13を構成するための原板としては、図
4(b)に示す原板13Aが採用されており、同原板1
3Aは、同図(a)に示す平板13A1を1点鎖線に沿
って切断することにより形成されている。平板13A1
には、その前後の端縁部に圧電/電歪素子原板12A,
12Bが接着されていて、平板13A1は、2箇所の1
点鎖線のみならず、これらの1点鎖線に平行な図示しな
い多数の切断線に沿っても切断されて、多数の原板13
Aが切り出されるものである。
に沿って屈曲加工されて、同図(c)に示す第2圧電/
電歪デバイス10bに形成される。第2圧電/電歪デバ
イス10bは、両圧電/電歪素子12a,12bが両可
動部13a,13bの他端部側に位置している点で、第
1圧電/電歪デバイス10aとは構成を異にするが、そ
の他の点では同一構成である。従って、第2圧電/電歪
デバイス10bは、第1圧電/電歪デバイス10aと類
似する機能を有するとともに、同様の作用効果を奏する
ものである。
および第4の実施形態である第3,第4圧電/電歪デバ
イス10c,10dは、第1圧電/電歪デバイス10a
を基本構成とするものであり、また、同図(e),
(f)に示す第5の実施形態および第6の実施形態であ
る第5,第6圧電/電歪デバイス10e,10fは、第
2圧電/電歪デバイス10bを基本構成とするものであ
る。
10cは、図5(c)に示すように、基体14と一対の
圧電/電歪素子12a,12bからなるもので、この点
では、第1圧電/電歪デバイス10aと同様であるが、
基体14を構成する連結部14cに平板部14dが設け
られている点で、第1圧電/電歪デバイス10aとは相
違する。平板部14dは、両可動部14a,14b間内
にて連結部14cの内面側に位置している。平板部14
dは、連結部14cを補強すべく機能するとともに、連
結部14cをアクチュエータ等の支持部として使用する
場合の、アクチュエータ等に対する接着面積を拡大すべ
く機能する。
の基体14を構成するための原板としては、図5(b)
に示す原板14Aが採用されており、同原板14Aは、
同図(a)に示す平板14A1を1点鎖線に沿って切断
することにより形成されている。平板14A1には、そ
の表面の前後の中間部の2箇所に圧電/電歪素子原板1
2A,12Bが接着されているとともに、その裏面の前
後の中央部に平板部14dを形成する平板状部材14D
が接着されている。平板14A1は、同図(a)に示す
1点鎖線およびこれらに並列する図示しない切断線に沿
って切断されて、多数の原板14Aが切り出される。
に沿って屈曲加工されていて、同図(c)に示す第3圧
電/電歪デバイス10cに形成されている。第3圧電/
電歪デバイス10cは、平板部14dを備えている点
で、第1圧電/電歪デバイス10aとは構成を異にする
が、その他の点では同一構成である。従って、第3圧電
/電歪デバイス10cは、第1圧電/電歪デバイス10
aと同様の機能を有するとともに、同様の作用効果を奏
するものであるが、平板部14dに起因して、連結部1
4cに対して補強する機能、および、接着面積を拡大す
る機能を有するものである。
10dは、図6(c)に示すように、基体15と一対の
圧電/電歪素子12a,12bからなるもので、この点
においては、第1圧電/電歪デバイス10aと同様であ
るが、基体15を構成する連結部15cに平板部15d
が設けられている点で、第1圧電/電歪デバイス10a
とは相違する。平板部15dは、両可動部15a,15
b間とは反対側である連結部15cの外面側に位置して
いる。平板部15dは、連結部15cをアクチュエータ
等の支持部として使用する場合の、アクチュエータ等に
対する接着面積を拡大すべく機能する。
の基体15を構成するための原板としては、図6(b)
に示す原板15Aが採用されており、同原板15Aは、
同図(a)に示す平板15A1を1点鎖線に沿って切断
することにより形成されている。平板15A1には、そ
の表面の前後の中間部の2箇所に圧電/電歪素子原板1
2A,12Bが接着されているとともに、その表面の前
後の中央部に平板部15dを形成する平板状部材15D
が接着されている。平板15A1は、同図(a)に示す
1点鎖線およびこれらに並列する図示しない切断線に沿
って切断されて、多数の原板15Aが切り出される。
に沿って屈曲加工されていて、同図(c)に示す第4圧
電/電歪デバイス10dに形成されている。第4圧電/
電歪デバイス10dは、平板部15dを備えている点
で、第1圧電/電歪デバイス10aとは構成を異にする
が、その他の点では同一構成である。従って、第4圧電
/電歪デバイス10dは、第1圧電/電歪デバイス10
aと同様の機能を有するとともに、同様の作用効果を奏
するものであるが、平板部15dに起因して、連結部1
5cに対して接着面積を拡大する機能を発揮する。
10eは、同図(b)に示す第2圧電/電歪デバイス1
0bを基本構成とするもので、図7(c)に示すよう
に、基体16と一対の圧電/電歪素子12a,12bか
らなり、この点においては、第2圧電/電歪デバイス1
0bと同様であるが、基体16を構成する連結部16c
に平板部16dが設けられている点で、第2圧電/電歪
デバイス10bとは相違する。平板部16dは、両可動
部16a,16b間とは反対側の連結部16cの外面側
に位置している。平板部16dは、連結部16cをアク
チュエータ等の支持部として使用する場合の、アクチュ
エータ等に対する接着面積を拡大すべく機能する。
の基体16を構成するための原板としては、図7(b)
に示す原板16Aが採用されており、同原板16Aは、
同図(a)に示す平板16A1を1点鎖線に沿って切断
することにより形成されている。平板16A1には、そ
の表面の前後の端部の2箇所に圧電/電歪素子原板12
A,12Bが接着されているとともに、その表面の前後
の中央部に平板部16dを形成する平板状部材16Dが
接着されている。平板16A1は、同図(a)に示す1
点鎖線およびこれらに並列する図示しない切断線に沿っ
て切断されて、多数の原板16Aが切り出されるもので
ある。
に沿って屈曲加工されていて、同図(c)に示す第5圧
電/電歪デバイス10eに形成されている。第5圧電/
電歪デバイス10eは、平板部16dが形成されている
点で、第2圧電/電歪デバイス10bとは構成を異にす
るが、その他の点では同一構成である。従って、第5圧
電/電歪デバイス10eは、第2圧電/電歪デバイス1
0bと同様の機能を有するとともに、同様の作用効果を
奏するものであるが、平板部16dに起因して、連結部
16cに対して接着面積を拡大する機能を発揮する。
10fは、同図(b)に示す第2圧電/電歪デバイス1
0bを基本構成とするもので、図8(c)に示すよう
に、基体17と一対の圧電/電歪素子12a,12bか
らなり、基体17を構成する連結部17cに平板部17
dが設けられている点においては、第5圧電/電歪デバ
イス10eと同一構成である。但し、第6圧電/電歪デ
バイス10fは、両可動部17a,17bの長手方向の
中間部が所定の長さにわたって薄肉部17a1,17b1
に形成されており、この点において、第5圧電/電歪デ
バイス10eとは相違する。両可動部17a,17bの
薄肉部17a1,17b1は、両可動部17a,17bの
変位量を高めるべく機能する。
の基体17を構成するための原板としては、図8(b)
に示す原板17Aが採用されており、同原板17Aは、
同図(a)に示す平板17A1を1点鎖線に沿って切断
することにより形成されている。平板17A1には、そ
の表面の前後の端部の2箇所に圧電/電歪素子原板12
A,12Bが接着されているとともに、その表面の前後
の中央部に平板部17dを形成する平板状部材17Dが
接着されている。
方向における中間部の2箇所の部位が所定の長さにわた
って薄肉部17a1,17b1に形成されている。平板1
7A1は、同図(a)に示す1点鎖線およびこれらに並
列する図示しない切断線に沿って切断されて、多数の原
板17Aが切り出されるものである。
に沿って屈曲加工されていて、同図(c)に示す第6圧
電/電歪デバイス10fに形成されている。第6圧電/
電歪デバイス10fは、各可動部17a,17bが薄肉
部17a1,17b2を有している点においては、第5圧
電/電歪デバイス10eとは構成を異にするが、その他
の点においては同一構成である。従って、第6圧電/電
歪デバイス10fは、第5圧電/電歪デバイス10eと
同様の機能を有するとともに、同様の作用効果を奏する
ものであるが、薄肉部17a1,17b1に起因して、各
可動部17a,17bの変位量を増大する機能を発揮す
る。
各可動部17a,17bの薄肉部17a1,17b1につ
いては、エッチング、レーザ加工、放電加工、イオンミ
リング、サンドブラスト、ドリル加工等の手段を採用し
て形成することができるとともに、打ち抜き加工した板
を余分に準備して、これを基板の対応する部位に張り合
わせることにより形成することができる。
施形態である第7圧電/電歪デバイス10gおよび第8
圧電/電歪デバイス10hは、第1,第2の実施形態で
ある第1圧電/電歪デバイス10aおよび第2圧電/電
歪デバイス10bとは形式を異にするものである。
イス10gは、図9(c)に示すように、基体18と一
対の圧電/電歪素子12a,12bからなり、基体18
を構成する連結部18cは円弧状を呈している点におい
て、第2圧電/電歪デバイス10bとは相違する。円弧
状の連結部18cは、両可動部18a,18bの変位量
の増大と円滑な変位動作を図るべく機能する。
の基体18を構成するための原板としては、図9(b)
に示す原板18Aが採用されており、同原板18Aは、
同図(a)に示す平板18A1を1点鎖線に沿って切断
することにより形成されている。平板18A1には、そ
の表面の前後の端部の2箇所に圧電/電歪素子原板12
A,12Bが接着されているもので、平板18A1は、
同図(a)に示す1点鎖線およびこれらに並列する図示
しない切断線に沿って切断されて、多数の原板18Aが
切り出される。
に沿って屈曲加工されていて、同図(c)に示す第7圧
電/電歪デバイス10gに形成されている。第7圧電/
電歪デバイス10gは、両可動部18a,18bを連結
する連結部18cが円弧状を呈している点において、第
2圧電/電歪デバイス10bとは構成を異にするが、そ
の他の点においては同一の構成である。従って、第7圧
電/電歪デバイス10gは、第2圧電/電歪デバイス1
0bと同様の機能を有するとともに、同様の作用効果を
奏するものであるが、円弧状の連結部18cに起因し
て、両可動部18a,18bの変位量の増大と円滑な変
位動作を図るべく機能する。
10hは、図10(c)に示すように、基体19と一対
の圧電/電歪素子12a,12bからなり、基体19を
構成する各可動部19a,19bと連結部19cとを連
結する連結部位19c1、19c2が円弧状の凹所に形成
されている点において、第2圧電/電歪デバイス10b
とは相違する。円弧状凹所の連結部位19c1、19c2
は、両可動部19a,19bの変位量の増大と円滑な変
位動作を図るべく機能する。
の基体19を構成するための原板としては、図10
(b)に示す原板19Aが採用されており、同原板19
Aは、同図(a)に示す平板19A1を1点鎖線に沿っ
て切断することにより形成されている。平板19A1
は、その前後の中間部の2箇所の部位が波形状に形成さ
れている。これらの波形状部位19c3、19c4は、連
結部位19c1、19c2に対応するもので、原板19A
が屈曲加工された際に、連結部位19c1、19c2を形
成する。平板19A1には、その表面の前後の端部の2
箇所に圧電/電歪素子原板12A,12Bが接着されて
いる。平板19A1は、同図(a)に示す1点鎖線およ
びこれらに並列する図示しない切断線に沿って切断され
て、多数の原板19Aが切り出されるものである。
線に沿って屈曲加工されていて、同図(c)に示す第8
圧電/電歪デバイス10hに形成される。第8圧電/電
歪デバイス10hは、両可動部19a,19bを連結部
19cに連結する連結部位19c1、19c2が円弧状の
凹所に形成されている点において、第2圧電/電歪デバ
イス10bとは構成を異にするが、その他の点において
は同一構成である。従って、第8圧電/電歪デバイス1
0hは、第2圧電/電歪デバイス10bと同様の機能を
有するとともに、同様の作用効果を奏するものである
が、連結部位19c1、19c2に起因して、両可動部1
9a,19bの変位量の増大と円滑な変位動作を図るべ
く機能する。
法において、圧電/電歪素子原板を張り付けた平板11
A1〜19A1を切断する手段としては、ダイシング加
工、ワイヤーソー加工等の機械加工や、YAGレーザ、
エキシマレーザ等のレーザ加工や、電子ビーム加工等の
手段を採用することができる。
イス10a〜10hを構成する圧電/電歪素子12a,
12bは、圧電/電歪層とこれに電界を印加するための
一対の電極を備えるもので、ユニモルフ型、バイモルフ
型等の圧電/電歪素子である。これらの圧電/電歪素子
のうちでも、ユニモルフ型の圧電/電歪素子は、派生す
る変位の安定性に優れ、かつ、軽量化にとって有利であ
ることから、圧電/電歪デバイスの構成部品として適し
ている。
イス10a〜10hを構成する圧電/電歪素子12a,
12bとして、好適に採用される数例の圧電/電歪素子
21〜24を示している。
は、圧電/電歪層が1層である単層構造のもので、圧電
/電歪層21a、一対の第1,第2電極21b,21
c、および、一対の端子21d,21eにて構成されて
いる。同図(b)に示す圧電/電歪素子22は、圧電/
電歪層が2層である2層構造のもので、圧電/電歪層2
2a(22a1,22a2)、両圧電/電歪層22a1,
22a2間に介在する第1電極22b、両圧電/電歪層
22a1,22a2の外側面を包囲する第2電極22c、
および、一対の端子22d,22eにて構成されてい
る。
24は、圧電/電歪層が4層である4層構造のものであ
る。同図(a)に示す圧電/電歪素子23は、圧電/電
歪層23a(23a1〜23a4)、これらの両圧電/電
歪層間に介在し包囲する第1,第2電極23b,23
c、および、一対の端子23d,23eにて構成されて
いる。
4は、圧電/電歪素子23とは端子の配設部位を異にす
るもので、圧電/電歪層24a(24a1〜24a2)、
これらの両圧電/電歪層間に介在し包囲する第1,第2
電極24b,24c、および、一対の端子24d,24
eにて構成されている。
各圧電/電歪デバイスの圧電/電歪素子12a,12b
として、圧電/電歪デバイスの用途に応じて適宜採用さ
れるものである。
電/電歪層21a〜24aには圧電セラミックスが用い
られるが、電歪セラミックス、強誘電セラミックス、反
強誘電セラミックス等を用いることも可能である。但
し、圧電/電歪デバイスをハードディスクドライブの磁
気ヘッドの位置決め手段等に使用する場合には、磁気ヘ
ッドの取付部における変位量と駆動電圧または出力電圧
とのリニアリティが重要であることから、歪み履歴の小
さい材料を用いることが好ましい。抗電界が10kV/
mm以下の材料を用いることが好ましい。
めの材料としては、具体的には、ジルコン酸鉛、チタン
酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛、亜鉛ニオブ酸鉛、マン
ガンニオブ酸鉛、アンチモンスズ酸鉛、マンガンタング
ステン酸鉛、コバルトニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、
チタン酸ナトリウムビスマス、ニオブ酸カリウムナトリ
ウム、タンタル酸ストロンチウムビスマス等の単独、ま
たは、これらの適宜の混合物等を挙げることができる。
特に、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、マグネシウムニオブ
酸鉛を主成分とする材料、または、チタン酸ナトリウム
ビスマスを主成分とする材料が好適である。
めの材料には、適宜の材料を添加して、圧電/電歪層の
特性を調整することができる。添加材としては、ランタ
ン、カルシウム、ストロンチウム、モリブデン、タング
ステン、バリウム、ニオブ、亜鉛、ニッケル、マンガ
ン、セシウム、カドミウム、クロム、コバルト、アンチ
モン、鉄、イットリウム、タンタル、リチウム、ビスマ
ス、スズ等の酸化物、または、最終的に酸化物となる材
料の単独、もしくは、これらの適宜の混合物等を挙げる
ことができる。
ン酸鉛、マグネシウムニオブ酸鉛等に、ランタンやスト
ロンチウムを含有させることにより、抗電界や圧電特性
を調整し得る利点がある。なお、シリカ等のガラス化し
易い材料の添加は避けるべきである。何故ならば、シリ
カ等のガラス化し易い材料は、圧電/電歪層の熱処理時
に圧電/電歪層と反応し易く、その組成を変化させて圧
電特性を劣化させるからである。
極21b,21c〜24b,24cは、室温で固体であ
って、導電性に優れた金属材料で形成されることが好ま
しい。金属材料としては、アルミニウム、チタン、クロ
ム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ニオブ、モリ
ブデン、ルテニウム、パラジウム、ロジウム、銀、ス
ズ、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、金、
鉛等の金属の単体、または、これら金属の合金等を挙げ
ることができる。また、これらの金属材料に圧電/電歪
層と同じ材料または異なる材料のセラミックスを分散さ
せてなるサーメット材料を用いることもできる。
歪層21a〜24aと各電極21b,21c〜24b,
24cを互いに積層した状態で、一体的に焼成すること
により形成することが好ましい。この場合には、電極と
しては、白金、パラジウム、またはこれらの合金等の高
融点金属材料からなるもの、高融点金属材料と圧電/電
歪層の形成材料や他のセラミックス材料との混合物であ
るサーメット材料からなる電極を採用することが好まし
い。電極の厚みは、圧電/電歪素子の変位に影響を及ぼ
す要因になることから、極力薄い薄膜状であることが好
ましい。このため、圧電/電歪層と一体に焼成されて形
成される電極が極力薄い薄膜状となるためには、電極を
形成する材料は金属ペースト、例えば金レジネートペー
スト、白金レジネートペースト、銀レジネートペースト
等の形態で使用することが好ましい。
実施形態の圧電/電歪デバイスの圧電/電歪素子12
a,12bとして使用する場合には、40μm〜180
μmの範囲が好ましい。厚みが40μm未満である場合
には、取扱い中に破損し易く、また、厚みが180μm
を越える場合には、デバイスの小型化が困難となる。ま
た、圧電/電歪素子は、圧電/電歪素子23,24のご
とく多層構造とすることによりその出力を増加させて、
デバイスの変位の拡大を図ることができる。また、圧電
/電歪素子を多層構造とすることにより、デバイスの剛
性が向上することから、デバイスの共振周波数が高くな
って、デバイスの変位動作を高速化できる利点がある。
歪層と電極を印刷またはテープ成形により積層して焼成
してなる大面積の原板を、ダイサー、スライサー、ワイ
ヤーソウ等により所定寸法に多数個切出す手段で作成さ
れる。圧電/電歪素子21〜24は、公知のセラミック
ス基体に比較して薄くて硬度が低いため、原板の切削速
度を速く設定できて高速で大量に加工処理できる。
状構造であって取扱いが容易であり、また、汚れの付着
量が少なくて汚れを除去し易い。但し、圧電/電歪素子
21〜24は、セラミックス材料を主体とすることか
ら、超音波洗浄では、適切な洗浄条件を設定する必要が
ある。原板から切出された圧電/電歪素子においては、
US洗浄で精密洗浄した後、大気中、100℃〜100
0℃で熱処理することにより、セラミックス材料の微細
な気孔に入り込んでいる水分と有機物を完全に除去する
ようにすることが好ましい。
を総合すれば、圧電/電歪素子の製造には、スクリーン
印刷法、ディッピング法、塗布法、電気泳動法等の厚膜
形成法や、イオンビーム法、スパッタリング法、真空蒸
着法、イオンプレーティング法、化学気相成長法(CV
D)、めっき法等の薄膜形成法を採用することができ
る。これらの製造方法を採用して圧電/電歪素子を形成
するには、圧電/電歪素子を、基体または基体の原板で
ある平板上に直接形成することができ、また、適宜の支
持基板上に形成し、これを剥がして基体または平板上に
貼り付けるようにしてもよい。
a〜10hを構成する圧電/電歪素子12a,12bと
して、各圧電/電歪素子21〜24を採用する場合、各
圧電/電歪素子21〜24の基体に対する接着手段とし
ては、エポキシ樹脂、UV樹脂、ホットメルト接着剤等
の樹脂系接着剤や、ガラス、セメント、半田、ロウ材等
の無機系の接着剤を使用することが好ましく、また、樹
脂系接着剤に金属粉末やセラミックス粉末を混合したも
のを使用することもできる。接着剤の硬度はショアDで
80以上が好ましい。
する他の態様としては、圧電/電歪デバイス10a〜1
0hの製造方法で示したように、基体の元板である平板
に圧電/電歪素子原板12A,12Bと同様の圧電/電
歪素子原板を接着しておき、この平板を適宜の幅に切断
して、基体の原板と一体に切り出す態様を採ることもで
きる。これにより、図11または図12に示す形状の圧
電/電歪素子21〜24が基体の原板上に一体に形成さ
れる。
される表面の部位には、予め、ブラスト、エッチング、
めっき等の粗面加工を施しておくことが好ましい。接着
部位の表面粗さをRa=0.1μm〜5μm程度にする
ことにより、接着面積を増大して接着強度を向上させる
ことができる。この場合、圧電/電歪素子側の接着部位
の表面も粗い方が好ましい。電極を基体とは導通させた
くない場合には、最下層の圧電/電歪層の表面に電極を
配置しないようにする。
には、濡れ性をよくするために、圧電/電歪素子の表面
に金属材料の電極層を配置することが好ましい。接着剤
の厚みは、1μm〜50μmの範囲であることが好まし
い。接着剤の厚みは、薄い方がデバイスの変位および共
振特性のばらつきを減らす点、および省スペース化の点
で好ましいが、接着強度、変位、共振等の特性を確保す
るためには、採用する接着剤毎に最適の厚みを設定する
ようにする。
に係る圧電/電歪デバイス10a〜10hに採用する場
合の選択は、圧電/電歪デバイス10a〜10hの用途
に基づいて行う。圧電/電歪層の層数が少ない圧電/電
歪素子では消費電力は小さいが駆動力も小さく、逆に、
圧電/電歪層の層数が多い圧電/電歪素子では消費電力
は大きいが駆動力も大きい。これらのことを考慮して、
圧電/電歪デバイスの用途に適した圧電/電歪素子を選
択する。一般には、圧電/電歪素子は、圧電/電歪層が
複数層のものが好ましく、圧電/電歪層が3層〜10層
の範囲の圧電/電歪素子が好適に採用できる。圧電/電
歪素子における電極の位置ずれは、50μm以下である
ことが好ましい。
係る第2の実施形態である第2圧電/電歪デバイス10
bの範疇に属する圧電/電歪デバイスを作成して、当該
圧電/電歪デバイスを本発明に係る圧電/電歪デバイス
の代表例として挙げ、当該圧電/電歪デバイスの基づい
て、本発明に係る圧電/電歪デバイスの構成、動作、作
用効果等を詳細に説明する。図13には、当該圧電/電
歪デバイスを平面的に示している。
基体31と、一対の圧電/電歪素子32からなるもの
で、各圧電/電歪素子32として、図12(b)に示す
圧電/電歪素子24を採用している。従って、圧電/電
歪素子32の各構成部材の以下での説明では、圧電/電
歪素子24の各構成部材の24番台の各符号を、32番
台の各符号に変更して使用する。
体31は、相対向して互いに並列する一対の可動部31
a,31bと、両可動部31a,31bをそれらの一端
部にて互いに連結している連結部31cとからなるコ字
状を呈するもので、両可動部31a,31bと連結部3
1cとは、帯状の平板で一体的に形成されているもので
ある。基体31は、両可動部31a,31bの他端部側
に開口していて、両可動部31a,31bの他端部側の
内側面が、磁気ヘッド等の部品Hを取付けるための取付
部位31a1,31b1に形成されている。
a,31bにおける他端部の外側面に貼着されて、各可
動部31a,31bの他端から一端部側へ所定長さ延び
ている。また、部品Hは、各可動部31a,31bにお
ける取付部位31a1,31b1に、各端部を接着剤31
a2,31b2を介して固着されている。
体31の各部位、および、圧電/電歪素子32の各部位
の寸法は、両可動部31a,31bの部品ドHに対する
支持強度、両可動部31a,31bが部品Hに付与する
変位量等を考慮して最適の寸法関係に設定される。
例えば、基体31は板厚40μmのSUS304で形成
されている。また、圧電/電歪素子32は、図12
(b)に示す圧電/電歪素子24を使用しているもの
で、PZTを使用した4層構造体であって、圧電/電歪
層32aの各層の厚みが15μm、各電極32b,32
cは3μmの白金、各端子32d,32eは金ペースト
からなる薄膜である。各圧電/電歪素子32は、1液の
熱硬化エポキシ樹脂接着剤で各可動部31a,31bの
外側面に接着される。
においては、圧電/電歪素子32を駆動電圧20±20
Vの1kHzの正弦波で駆動させた場合の、各可動部3
1a,31bにおける各取付部31a1,31b1の変位
を測定したところ、±1.5μmであった。また、正弦
波電圧±0.5Vとして周波数を掃引して変位の最大値
を示す共振周波数を測定したところ、45kHzであっ
た。
動作を、上記した圧電/電歪デバイス30に基づいて説
明するに、図13には当該圧電/電歪デバイス30の非
作動の状態を示し、また、図14には当該圧電/電歪デ
バイス30の作動状態を示している。
圧電/電歪素子32に電圧が印加されていない非作動時
には図13に示す状態にあり、圧電/電歪デバイス30
の長軸mと、各取付部位31a1,31b1間の中心軸n
とはほぼ一致している。この状態で、例えば、図15
(a)の波形図に示すように、一方の圧電/電歪素子3
2における一対の電極32b,32cに所定のバイアス
電位Vbを有するサイン波Wbをかけ、同図(b)に示
すように、他方の圧電/電歪素子32における一対の電
極32b,32cに、前記サイン波Wbとはほぼ180
度位相の異なるサイン波Waをかける。
おける一対の電極32b,32cに対して、例えば、最
大値の電圧が印加された段階では、一方の圧電/電歪素
子32における圧電/電歪層32aは、その主面方向に
収縮変位する。このため、当該圧電/電歪デバイス30
においては、例えば図14に示すように、基体31の一
方の可動部31aに対して図示右方向(矢印A方向)に
撓ませる応力が発生することから、可動部31aは同方
向に撓む。
ける一対の電極32b,32cは、電圧が印加されない
状態にあるため、基体31の他方の可動部31bは一方
の可動部31aの撓みに追従して、可動部31aと同方
向へ撓む。この結果、両可動部31a,31bは、圧電
/電歪デバイス30の長軸mに対して、図示右方向へ変
位する。この変位の変位量は、各圧電/電歪素子32に
対する印加電圧の最大値に応じて変化する。電圧の最大
値が大きくなるほど、変位量は大きくなる。
/電歪層32aの構成材料として、高い抗電界を有する
圧電/電歪材料を採用した場合には、図15の(a),
(b)の2点鎖線の波形に示すように、最小値のレベル
がわずかに負のレベルとなるように、前記バイアス電位
を調整するようにしてもよい。この場合、負のレベルの
バイアス電位が印加されている圧電/電歪素子、例え
ば、他方の圧電/電歪素子32の駆動によって、例え
ば、基体31の他方の可動部31bに一方の可動部31
aの撓み方向と同方向の応力が発生し、取付部位31a
1,31b1の変位量をより大きくすることが可能とな
る。
けるの2点鎖線で示す波形を使用することにより、負の
レベルのバイアス電位が印加されている圧電/電歪素子
32は、変位動作の主体となっている圧電/電歪素子3
2をサポートするという機能を持たせることができる。
においては、圧電/電歪素子32の微小な変位が、基体
31の両可動部31a,31bの撓みを利用して大きな
変位動作に増幅されて両可動部31a,31bに伝達さ
れることになるため、取付部位31a1,31b1は、圧
電/電歪デバイス30の長軸mに対して大きく変位させ
ることが可能となる。
その機能を一層確実に発揮させるためには、基体31の
各部位、および圧電/電歪素子32の各部位の寸法関係
を、下記のごとく配慮することが好ましい。
の各部位の寸法を示しており、各寸法中、L1は圧電/
電歪デバイス30の全長でかつ基体31の全長であり、
L2は圧電/電歪デバイス30の全幅である。また、L3
は基体31の全幅、L4は基体31の両可動部31a,
31b間の間隔、L5は可動部31a,31bにおける
圧電/電歪素子32の非接着部位の長さであり、L6は
圧電/電歪素子32の長さ、L7は圧電/電歪素子32
の幅である。
実質的駆動部分と部品取付部の固定部が重なる長さ、L
9は接着剤に厚み、L10は可動部の厚み、L11は連結部
の厚み、L12は可動部の可動部位の長さ、L13は取付部
の接合面の長さ、L14は圧電/電歪素子32の実質的駆
動部の長さであり、M1は部品Hの長さ、M2は部品Hの
幅である。
基体31の両可動部31a,31b間の間隔L4と部品
Hの横方向の長さM1の関係はL4≧M1であり、L4−M
1=0001〜0.01mmである。L4<M1の場合に
は、部品Hを両可動部31a,31b間に挿入する際に
両可動部31a,31b間を拡げる必要があり、この際
にデバイスを破損させるおそれがある。接着剤の厚みL
9は0.005〜0.1mmであり、より好ましくは
0.01〜0.05mmである。接着剤の厚みL9が
0.1mmより厚い場合には、接着剤が流れ出やすくて
所定の寸法の厚みに入れることが難しくなる。
隔L4と部品Hの横方向の長さM1の差が小さい場合に
は、部品Hを間隔L4に挿入したり、部品Hと各取付部
位31a1,31b1間への接着剤の注入が難しくて、接
着剤の厚みL9の制御が難しい。接着剤の厚みL9を0.
01mmより薄く設定する場合には、部品Hに対する接
着強度にばらつきが発生し易い。このため、接着剤の厚
みL9は、一層好ましくは0.01〜0.03mmであ
る。
L10は0.001〜0.2mmであり、より好ましくは
0.01〜0.1mmであり、一層好ましくは0.03
〜0.08mmである。連結部31cの全幅(長さ)L
2、可動部31a,31bの可動部位の長さL12、取付
部位31a1,31b1の接着剤の厚みL9、可動部31
a,31bの厚みL10等は、できるかぎり小さい方が好
ましく、これにより、デバイスの全長L1および全幅L2
が小さくなって、デバイスが小型化される。
可動部位の長さL12は0.2〜3mm、好ましくは0.
3〜2mmである。両可動部31a,31bの取付部位
31a2,31b2の長さL13は、0.05〜2mmであ
る。両可動部31a,31bの間隔L4は0.1〜2m
mであり、好ましくは0.2〜1.6mmである。この
寸法にあっては、(両可動部31a,31bの長さL
3)/(両可動部31a,31bの間隔L4)は0.5〜
10、好ましくは0.5〜5である。(両可動部31
a,31bの間隔L4)/(可動部31a,31bの厚
みL10)は0.5〜20、好ましくは1〜15、さらに
好ましくは1〜10である。
付部の固定部が重なる長さL8は、可動部31a,31
bの厚みL10の1/2より大きいこと、すなわちL8>
(L10/2)であることが好ましい。かかる設定によれ
ば、圧電/電歪層32aの駆動力が、変位に対して効率
良く作用する。
部位31a,31bの接合面の長さL13は、図13に示
す状態では、部品Hのの幅M2と略同一に設定してい
る。しかしながら、部品Hの長さM1がその幅M2より長
い場合には、取付部位31a2,31b2の長さL13を長
くしない方法として、取付部位31a2,31b2をデバ
イス10fに見られるように、接着規定長さの取付部位
に形成することで、部品Hの長さM1と独立的に取付部
位31a,31bの接合面の長さL13を規定する。或い
は、部品Hを接着した状態で、部品Hの先端部を取付部
位31a2,31b2から突出させるようにすることもの
できる。
は、可動部31a,31bにおける可動部位の長さL12
の20〜95%とすることが好ましく、より好ましくは
40〜80%である。
磁気ヘッドを制御するアクチュエータとして使用するこ
とができるとともに、加速度センサーとしても使用する
ことができる。
を制御するアクチュエータとして使用する場合には、図
13に示す部品Hは磁気ヘッドであって、当該圧電/電
歪デバイス30は、その基体31の連結部31cにてサ
スペンションに固定される。サスペンションは、当該圧
電/電歪デバイス30を支持するための支持台であっ
て、当該圧電/電歪デバイス30は、サスペンションに
固定された状態では、その連結部31c以外の部位がサ
スペンションから浮いた状態にある。
度センサーとして使用する場合には、図13に示す部品
Hは錘であって、錘Hは基体31の両可動部31a,3
1bにおける取付部位31a1,31b1に接着される。
図16は、当該圧電/電歪デバイス30を加速度センサ
ーSとして使用した態様を示し、図17は当該加速度セ
ンサーSとして組立てる前の状態が示している。
エポキシ樹脂等の接着剤で、両可動部31a,31bの
取付部位31a1,31b1に接着されていて、当該圧電
/電歪デバイス30はその連結部31cにて配線基板s
1の取付部位s2にエポキシ樹脂等の接着剤を介して固定
されている。当該圧電/電歪デバイス30は、この取付
状態では、その連結部31c以外の部位が配線基板s1
から浮いた状態にある。なお、配線基板s1には、電気
接続のための配線や各種の回路が形成されているが、こ
れらについては図示を省略している。
電/電歪デバイス30の配線基板s1に対する接着をス
ポット溶接等で行うことができ、接着にスポット溶接の
手段を採れば、接着面積が小さくて強固に取付けること
ができる。また、錘Hについては、その質量を適宜に設
定することにより加速度感度を調整することができる。
の実施形態を模式的に示す斜視図(a)〜(h)である
の基体を構成する原板を形成するための平板の作成方法
を示す斜視図(a)、および同平板の斜視図(b)であ
る。
を作成する方法を示す斜視図(a)、同原板の斜視図
(b)、および同原板にて形成された基体からなる圧電
/電歪デバイスの斜視図(c)である。
を作成する方法を示す斜視図(a)、同原板の斜視図
(b)、および同原板にて形成された基体からなる圧電
/電歪デバイスの斜視図(c)である。
を作成する方法を示す斜視図(a)、同原板の斜視図
(b)、および同原板にて形成された基体からなる圧電
/電歪デバイスの斜視図(c)である。
を作成する方法を示す斜視図(a)、同原板の斜視図
(b)、および同原板にて形成された基体からなる圧電
/電歪デバイスの斜視図(c)である。
を作成する方法を示す斜視図(a)、同原板の斜視図
(b)、および同原板にて形成された基体からなる圧電
/電歪デバイスの斜視図(c)である。
を作成する方法を示す斜視図(a)、同原板の斜視図
(b)、および同原板にて形成された基体からなる圧電
/電歪デバイスの斜視図(c)である。
を作成する方法を示す斜視図(a)、同原板の斜視図
(b)、および同原板にて形成された基体からなる圧電
/電歪デバイスの斜視図(c)である。
板を作成する方法を示す斜視図(a)、同原板の斜視図
(b)、および同原板にて形成された基体からなる圧電
/電歪デバイスの斜視図(c)である。
圧電/電歪素子に採用される2例の各圧電/電歪素子の
斜視図(a),(b)である。
圧電/電歪素子に採用される他の2例の各圧電/電歪素
子の斜視図(a),(b)である。
電/電歪素子を採用して形成した本発明の実施例に係る
圧電/電歪デバイスの平面図である。
ある。
印加される電圧の波形図である(a),(b)である。
使用した態様を示す概略的斜視図である。
視図である。
1A…原板、11A1…平板、11a,11b…可動
部、11c…連結部、12a,12b…圧電/電歪素
子、12A,12B…圧電/電歪素子原板、13…基
体、13A…原板、13A1…平板、13a,13b…
可動部、13c…連結部、14…基体、14A…原板、
14A1…平板、14a,14b…可動部、14c…連
結部、14D…平板状部材、14d…平板部、15…基
体、15A…原板、15A1…平板、15a,15b…
可動部、15c…連結部、15D…平板状部材、15d
…平板部、16…基体、16A…原板、16A1…平
板、16a,16b…可動部、16c…連結部、16D
…平板状部材、16d…平板部、17…基体、17A…
原板、17A1…平板、17a,17b…可動部、17
a1,17b1…薄肉部位、17c…連結部、17D…平
板状部材、17d…平板部、18…基体、18A…原
板、18A1…平板、18a,18b…可動部、18c
…連結部、19…基体、19A…原板、19A1…平
板、19a,19b…可動部、19c…連結部、19c
1,19c2…連結部位、19c3,19c4…波形状部
位、21,22,23,24…圧電/電歪素子、21a
…圧電/電歪層、22a1,22a2…圧電/電歪層、2
3a1〜23a4…圧電/電歪層、24a1〜24a4…圧
電/電歪層、21b,21c、22b,22c、23
b,23c、24b,24c…電極、21d,21e、
22d,22e、23d,23e、24d,24e…端
子、30…圧電/電歪デバイス、31a,31b…可動
部、31a1,31b1…取付部位、31c…連結部、
32…圧電/電歪素子、32a…圧電/電歪層、32
b,32c…電極、32d,32e…端子。H…部品、
S…加速度センサー、s1…配線基板、s2…取付部位。
Claims (13)
- 【請求項1】相対向して互いに並列する一対の可動部お
よびこれら両可動部を一端部側にて互いに連結する連結
部を有する基体と、同基体における前記両可動部の少な
くとも一方の外側面に配設した圧電/電歪素子とを具備
してなる圧電/電歪デバイスであり、前記基体は1枚の
帯状の平板で一体的に構成されていて、前記各可動部は
前記連結部の各端部から所定長さ他端側へ延びているこ
とを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 【請求項2】請求項1に記載の圧電/電歪デバイスにお
いて、前記圧電/電歪素子は前記可動部より短くて、同
可動部の他端部側に位置していることを特徴とする圧電
/電歪デバイス。 - 【請求項3】請求項1に記載の圧電/電歪デバイスにお
いて、前記圧電/電歪素子は前記可動部より短くて、同
可動部の一端部側に位置していることを特徴とする圧電
/電歪デバイス。 - 【請求項4】請求項1に記載の圧電/電歪デバイスにお
いて、前記基体は前記両可動部の他端側に開口する略コ
字状を呈していることを特徴とする圧電/電歪デバイ
ス。 - 【請求項5】請求項4に記載の圧電/電歪デバイスにお
いて、前記基体は前記連結部の内面側または外面側に平
板部を備えていることを特徴とする圧電/電歪デバイ
ス。 - 【請求項6】請求項1に記載の圧電/電歪デバイスにお
いて、前記基体は前記両可動部の他端側に開口する略U
字状を呈していることを特徴とする圧電/電歪デバイ
ス。 - 【請求項7】請求項1に記載の圧電/電歪デバイスにお
いて、前記基体を構成する各可動部と連結部の各端部間
の連結部位が円弧状の凹所に形成されていることを特徴
とする圧電/電歪デバイス。 - 【請求項8】請求項1、2,3,4,5,6または7に
記載の圧電/電歪デバイスにおいて、前記基体の各可動
部における長手方向の中間部が薄肉状に形成されている
ことを特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 【請求項9】請求項1、2,3,4,5,6,または8
に記載の圧電/電歪デバイスにおいて、前記基体は金属
製の平板にて構成されていることを特徴とする圧電/電
歪デバイス。 - 【請求項10】請求項1、2,3,4,5,6,7,8
または9に記載の圧電/電歪デバイスは、制御または検
査の対象とする部品を、前記基体を構成する前記両可動
部の他端部の内面側にて挟持した使用形態を採ることを
特徴とする圧電/電歪デバイス。 - 【請求項11】請求項1、2,3,4,5,6,7,
8,9または10に記載の圧電/電歪デバイスを構成す
る基体を製造する方法であり、前記基体の形成材料とし
て可撓性で屈曲加工の可能な平板を採用し、同平板を前
記基体が平面状に展開された形状の平板に切断して細幅
状の原板とし、同原板の所定の部位を屈曲して前記両可
動部と前記連結部が一体の前記基体を形成することを特
徴とする圧電/電歪デバイスを構成する基体の製造方
法。 - 【請求項12】請求項1、2,3,4,5,6,7,
8,9または10に記載の圧電/電歪デバイスを製造す
る方法であり、前記基体の形成材料として、可撓性で屈
曲加工の可能な平板を採用し、同平板を前記基体が平面
状に展開された形状の平板に切断して細幅状の原板と
し、同原板の所定の部位を屈曲することにより、前記両
可動部と前記連結部が一体の前記基体を形成して、同基
体を構成する両可動部の少なくとも一方の外側面に圧電
/電歪素子を貼着して圧電/電歪デバイスを形成するこ
とを特徴とする圧電/電歪デバイスの製造方法。 - 【請求項13】請求項1、2,3,4,5,6,7,
8,9または10に記載の圧電/電歪デバイスを製造す
る方法であり、前記基体の形成材料として、可撓性で屈
曲加工の可能な平板であって所定の部位に圧電/電歪素
子が接着されている平板を採用し、同平板を前記圧電/
電歪素子と一体に前記基体が平面状に展開された形状に
切断して細幅状の原板とし、同原板の所定の部位を屈曲
することにより、前記両可動部と前記連結部が一体の前
記基体、および、前記両可動部の少なくとも一方の外側
面に圧電/電歪素子が貼着されている圧電/電歪デバイ
スを形成することを特徴とする圧電/電歪デバイスの製
造方法。
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