JP2003007948A - 金型、該金型を用いたリードフレームの製造方法及びリードフレーム - Google Patents
金型、該金型を用いたリードフレームの製造方法及びリードフレームInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 インナーリードの安定したワイヤボンディン
グを可能にし、ひいてはワイヤとの電気的な接続の信頼
性を向上させることができるリードフレーム加工用の金
型を提供することを目的とする。 【解決手段】 金属めっき層を備えたインナーリードと
該インナーリードに連結するアウターリードとを有する
リードフレームに曲げ加工を施す金型２１であって、前
記インナーリードとアウターリードとの間の所定の部分
を階段状に屈曲させる金属部材１４，１０を具備し、該
金属部材１４，１０の前記金属めっき層と接触する面の
所定の部分が粗面化されていることを特徴とする。
グを可能にし、ひいてはワイヤとの電気的な接続の信頼
性を向上させることができるリードフレーム加工用の金
型を提供することを目的とする。 【解決手段】 金属めっき層を備えたインナーリードと
該インナーリードに連結するアウターリードとを有する
リードフレームに曲げ加工を施す金型２１であって、前
記インナーリードとアウターリードとの間の所定の部分
を階段状に屈曲させる金属部材１４，１０を具備し、該
金属部材１４，１０の前記金属めっき層と接触する面の
所定の部分が粗面化されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を実装す
るパッケージに用いられるリードフレームを加工する技
術に係り、特に、リードフレームを加工する金型、この
金型を用いたリードフレームの製造方法及びリードフレ
ームに関する。
るパッケージに用いられるリードフレームを加工する技
術に係り、特に、リードフレームを加工する金型、この
金型を用いたリードフレームの製造方法及びリードフレ
ームに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、マルチメディア機器を実現するた
めのキーテクノロジーであるＬＳＩ技術はデータ伝送の
高速化、大容量化に向かって着実に開発が進んでいる。
これに伴って、ＬＳＩと電子機器とのインターフェイス
となる実装技術の高密度化が進められている。
めのキーテクノロジーであるＬＳＩ技術はデータ伝送の
高速化、大容量化に向かって着実に開発が進んでいる。
これに伴って、ＬＳＩと電子機器とのインターフェイス
となる実装技術の高密度化が進められている。
【０００３】高密度実装に対応するパッケージとして、
さまざまなものが開発されてきているが、リードフレー
ムを用いた高密度実装用のパッケージとしては、例え
ば、周辺端子リード付きパッケージであるＴＳＯＪ（Ｔ
ｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｊ−ｌｅａｄｅ
ｄ Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＣ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌ
ｉｎｅ Ｃ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）、周辺端
子リードのないパッケージであるＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆ
ｌａｔｐａｃｋ Ｎｏｎ―ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）などが知られている。
さまざまなものが開発されてきているが、リードフレー
ムを用いた高密度実装用のパッケージとしては、例え
ば、周辺端子リード付きパッケージであるＴＳＯＪ（Ｔ
ｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｊ−ｌｅａｄｅ
ｄ Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＣ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌ
ｉｎｅ Ｃ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）、周辺端
子リードのないパッケージであるＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆ
ｌａｔｐａｃｋ Ｎｏｎ―ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）などが知られている。
【０００４】例えば、ＱＦＮに用いられるリードフレー
ムの場合、一例として、図７に示すように、実装する半
導体素子（図示せず）とワイヤを介して電気的に接続さ
れるインナーリード１０４に銀（Ａｇ）めっき層１０６
などの金属めっき層が形成されており、インナーリード
１０４とこれにつながるアウターリード１０２との間の
部分を階段状に屈曲されている。このようなリードフレ
ームを製造する場合、同図に示すように、曲げ加工を行
なうために支持台としての金属部材１００や該金属部材
１００上に載置されたリードフレームを加圧するための
金属ポンチ１０８などを備えた金型を使用する。このよ
うな金型において、インナーリード１０４のＡｇめっき
層１０６に接触する金属部材１００には、その接触する
側の表面が、プロファイル研削盤や平面研削盤により研
磨されて研磨目が刻まれたものやあるいはその表面に鏡
面仕上げを行ったものが使用される。
ムの場合、一例として、図７に示すように、実装する半
導体素子（図示せず）とワイヤを介して電気的に接続さ
れるインナーリード１０４に銀（Ａｇ）めっき層１０６
などの金属めっき層が形成されており、インナーリード
１０４とこれにつながるアウターリード１０２との間の
部分を階段状に屈曲されている。このようなリードフレ
ームを製造する場合、同図に示すように、曲げ加工を行
なうために支持台としての金属部材１００や該金属部材
１００上に載置されたリードフレームを加圧するための
金属ポンチ１０８などを備えた金型を使用する。このよ
うな金型において、インナーリード１０４のＡｇめっき
層１０６に接触する金属部材１００には、その接触する
側の表面が、プロファイル研削盤や平面研削盤により研
磨されて研磨目が刻まれたものやあるいはその表面に鏡
面仕上げを行ったものが使用される。
【０００５】このような金型にリードフレームのインナ
ーリード１０４のＡｇめっき層１０６が金属部材１００
側になるようにして配置され、金属ポンチ１０８がリー
ドフレームを上から押圧することによりインナーリード
１０４とアウターリード１０２と間の所定の部分を屈曲
させる。すなわち、インナーリード１０４のＡｇめっき
層１０６が金属部材１００の研磨目が刻まれた面や鏡面
仕上げされた面に接触しながら上記所定部分の曲げ加工
を行っていた。
ーリード１０４のＡｇめっき層１０６が金属部材１００
側になるようにして配置され、金属ポンチ１０８がリー
ドフレームを上から押圧することによりインナーリード
１０４とアウターリード１０２と間の所定の部分を屈曲
させる。すなわち、インナーリード１０４のＡｇめっき
層１０６が金属部材１００の研磨目が刻まれた面や鏡面
仕上げされた面に接触しながら上記所定部分の曲げ加工
を行っていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、インナ
ーリード１０４のＡｇめっき層１０６に接触する側の金
属部材１００の表面に研磨目が刻まれた金型を用いて曲
げ加工を行う場合には、研磨目に相当するパターンがイ
ンナーリード１０４のＡｇめっき層１０６上に転写さ
れ、リードフレームの当該部分にそのパターンに応じた
好ましくない見苦しいスジ模様が入るという問題があ
る。
ーリード１０４のＡｇめっき層１０６に接触する側の金
属部材１００の表面に研磨目が刻まれた金型を用いて曲
げ加工を行う場合には、研磨目に相当するパターンがイ
ンナーリード１０４のＡｇめっき層１０６上に転写さ
れ、リードフレームの当該部分にそのパターンに応じた
好ましくない見苦しいスジ模様が入るという問題があ
る。
【０００７】また、インナーリード１０４のＡｇめっき
層１０６に接触する側の金属台１００の表面が鏡面仕上
げされた金型を用いて曲げ加工を行う場合には、インナ
ーリード１０４のＡｇめっき層１０６が、金属部材１０
０の鏡面仕上げされた表面に接触することでピカピカに
光り、光沢度が高くなってしまう。すなわち、Ａｇめっ
き層１０６はそれ自体、比較的暗い中程度の光沢度であ
るため、リードフレームがピカピカに光った部分と比較
的暗い光らない部分とが混在することになる。このた
め、リードフレームの当該部分の光沢度が不均一とな
り、見た目が悪いといった問題があるとともに、後の段
階で、半導体素子とインナーリード１０４とを画像認識
を用いた自動ワイヤボンディング装置によりワイヤで電
気的に接続する際、光沢度の違いに起因する画像認識に
おいてエラーが発生するおそれがある。
層１０６に接触する側の金属台１００の表面が鏡面仕上
げされた金型を用いて曲げ加工を行う場合には、インナ
ーリード１０４のＡｇめっき層１０６が、金属部材１０
０の鏡面仕上げされた表面に接触することでピカピカに
光り、光沢度が高くなってしまう。すなわち、Ａｇめっ
き層１０６はそれ自体、比較的暗い中程度の光沢度であ
るため、リードフレームがピカピカに光った部分と比較
的暗い光らない部分とが混在することになる。このた
め、リードフレームの当該部分の光沢度が不均一とな
り、見た目が悪いといった問題があるとともに、後の段
階で、半導体素子とインナーリード１０４とを画像認識
を用いた自動ワイヤボンディング装置によりワイヤで電
気的に接続する際、光沢度の違いに起因する画像認識に
おいてエラーが発生するおそれがある。
【０００８】また、従来の金属部材１００の表面は平坦
に加工されることで金属部材１００とインナーリード１
０４のＡｇめっき層１０６とが全接触状態となるので、
金属ポンチの押圧によっては、Ａｇめっき層１０６に打
痕が発生してリードフレームの合金基板が露出したり、
あるいは、油などの不純物が付着したりするといった不
都合が生じる場合がある。このような場合、ワイヤとイ
ンナーリード１０４とのＡｇめっき層１０６を介した電
気的な接続の信頼性が低下するおそれがある。
に加工されることで金属部材１００とインナーリード１
０４のＡｇめっき層１０６とが全接触状態となるので、
金属ポンチの押圧によっては、Ａｇめっき層１０６に打
痕が発生してリードフレームの合金基板が露出したり、
あるいは、油などの不純物が付着したりするといった不
都合が生じる場合がある。このような場合、ワイヤとイ
ンナーリード１０４とのＡｇめっき層１０６を介した電
気的な接続の信頼性が低下するおそれがある。
【０００９】本発明はかかる従来技術の課題を鑑みて創
作されたものであり、リードフレーム曲げ加工が施され
る部分の光沢度を均一なものとし、インナーリードの安
定したワイヤボンディングを可能にし、ひいてはワイヤ
との電気的な接続の信頼性を向上させることができるリ
ードフレーム加工用の金型、該金型を用いたリードフレ
ームの製造方法及びリードフレームを提供することを目
的とする。
作されたものであり、リードフレーム曲げ加工が施され
る部分の光沢度を均一なものとし、インナーリードの安
定したワイヤボンディングを可能にし、ひいてはワイヤ
との電気的な接続の信頼性を向上させることができるリ
ードフレーム加工用の金型、該金型を用いたリードフレ
ームの製造方法及びリードフレームを提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、本発明によれば、金属めっき層を備えたインナーリ
ードと該インナーリードに連結するアウターリードとを
有するリードフレームに曲げ加工を施す金型であって、
前記インナーリードとアウターリードとの間の所定の部
分を階段状に屈曲させる金属部材を具備し、該金属部材
の前記金属めっき層と接触する面の所定の部分が粗面化
されていることを特徴とする金型が提供される。
め、本発明によれば、金属めっき層を備えたインナーリ
ードと該インナーリードに連結するアウターリードとを
有するリードフレームに曲げ加工を施す金型であって、
前記インナーリードとアウターリードとの間の所定の部
分を階段状に屈曲させる金属部材を具備し、該金属部材
の前記金属めっき層と接触する面の所定の部分が粗面化
されていることを特徴とする金型が提供される。
【００１１】本発明に係る金型によれば、リードフレー
ムの所定の部分（金属めっき層が形成されている部分）
に曲げ加工を行う際に、インナーリードの金属めっき層
が接触する面が粗面化、すなわち梨地状の凹凸が形成さ
れているので、金属めっき層が金属部材の凹凸の凸部と
主に接触するようになり、これによって、インナーリー
ドの金属めっき層と金属部材との実質的な接触面積を小
さくすることができる。従って、金属めっき層が例えば
Ａｇめっき層からなる場合、光沢度が比較的低いＡｇめ
っき層の金属部材に接触した部分がピカピカに光った
り、金属部材の研磨目がＡｇめっき層に転写されたりす
ることがなくなる。
ムの所定の部分（金属めっき層が形成されている部分）
に曲げ加工を行う際に、インナーリードの金属めっき層
が接触する面が粗面化、すなわち梨地状の凹凸が形成さ
れているので、金属めっき層が金属部材の凹凸の凸部と
主に接触するようになり、これによって、インナーリー
ドの金属めっき層と金属部材との実質的な接触面積を小
さくすることができる。従って、金属めっき層が例えば
Ａｇめっき層からなる場合、光沢度が比較的低いＡｇめ
っき層の金属部材に接触した部分がピカピカに光った
り、金属部材の研磨目がＡｇめっき層に転写されたりす
ることがなくなる。
【００１２】このようにすることにより、リードフレー
ムの当該部分に研磨目のパターンに応じた好ましくない
スジ模様が入るといった不都合を解消することができる
とともに、リードフレームの当該部分において、光沢度
が不均一となる領域がなくなり、すべての領域にわたっ
て均一な光沢度をもたせることができる。従って、画像
認識を行う自動ワイヤボンディング装置により半導体素
子とインナーリードとをワイヤでボンディングする際、
従来技術に見られたような画像認識に係るエラーの発生
を防止することができるようになる。
ムの当該部分に研磨目のパターンに応じた好ましくない
スジ模様が入るといった不都合を解消することができる
とともに、リードフレームの当該部分において、光沢度
が不均一となる領域がなくなり、すべての領域にわたっ
て均一な光沢度をもたせることができる。従って、画像
認識を行う自動ワイヤボンディング装置により半導体素
子とインナーリードとをワイヤでボンディングする際、
従来技術に見られたような画像認識に係るエラーの発生
を防止することができるようになる。
【００１３】さらには、金属めっき層は金属部材の粗面
化された面のうち凹部とはほとんど接触しないので、金
属部材との接触に起因して金属めっき層に打痕が発生し
たり、油などの不純物が付着したりする可能性を大いに
減じることができるので、インナーリードとワイヤとの
電気的な接続の信頼性を向上させることができる。上記
の形態に係る金型において、前記金型の金属部材が、上
下に移動可能で、前記粗面化された面を第１の面として
備えたノックアウトと、前記ノックアウトが上下に移動
できるように該ノックアウトの周囲に配置され、前記第
１の面に平行な第２の面と、前記第２の面につながり、
前記ノックアウト側に下がって傾斜する傾斜面とを備え
た金属台とを具備し、前記金型が、前記リードフレーム
を挟んで前記ノックアウトとは反対側の上方に配置さ
れ、かつ上下に移動可能で、前記リードフレームを階段
状に屈曲させるときに前記第１の面及び前記傾斜面にそ
れぞれ対応する面を備えた金属ポンチをさらに有するよ
うにしてよい。
化された面のうち凹部とはほとんど接触しないので、金
属部材との接触に起因して金属めっき層に打痕が発生し
たり、油などの不純物が付着したりする可能性を大いに
減じることができるので、インナーリードとワイヤとの
電気的な接続の信頼性を向上させることができる。上記
の形態に係る金型において、前記金型の金属部材が、上
下に移動可能で、前記粗面化された面を第１の面として
備えたノックアウトと、前記ノックアウトが上下に移動
できるように該ノックアウトの周囲に配置され、前記第
１の面に平行な第２の面と、前記第２の面につながり、
前記ノックアウト側に下がって傾斜する傾斜面とを備え
た金属台とを具備し、前記金型が、前記リードフレーム
を挟んで前記ノックアウトとは反対側の上方に配置さ
れ、かつ上下に移動可能で、前記リードフレームを階段
状に屈曲させるときに前記第１の面及び前記傾斜面にそ
れぞれ対応する面を備えた金属ポンチをさらに有するよ
うにしてよい。
【００１４】この形態によれば、ノックアウト及び金属
台と金属ポンチとの間に、リードフレームがそのインナ
ーリードの金属めっき層がノックアウトの粗面化された
面側になるようにして配置される。そして、まず、金属
ポンチとノックアウトとでリードフレームを挟み、その
後、金属ポンチがリードフレームを加圧し、これに協働
してノックアウトがリードフレームを押えた状態で下側
に移動しながらリードフレームの所定の部分を屈曲させ
る。
台と金属ポンチとの間に、リードフレームがそのインナ
ーリードの金属めっき層がノックアウトの粗面化された
面側になるようにして配置される。そして、まず、金属
ポンチとノックアウトとでリードフレームを挟み、その
後、金属ポンチがリードフレームを加圧し、これに協働
してノックアウトがリードフレームを押えた状態で下側
に移動しながらリードフレームの所定の部分を屈曲させ
る。
【００１５】これに関連して、ノックアウトがリードフ
レームを押えないで金属ポンチのみが移動し、リードフ
レームのリード部を屈曲させる場合、つまり、従来〈図
７〉と同様の曲げ加工を行う場合、金属ポンチの２つの
面が交差する軸に基づいて形成される屈曲部が十分に曲
がらず、丸みをおびやすくなる。その結果、インナーリ
ードの主面とアウターリードの主面とが平行にならず、
インナーリードの先端部になるにつれてこの平行性が損
なわれる。場合によっては、インナーリード部がねじれ
てしまうおそれがある。従って、設計要求に応じたイン
ナーリードの半導体素子と電気的に接続するためのボン
ディング面積を確保するのが困難になる。
レームを押えないで金属ポンチのみが移動し、リードフ
レームのリード部を屈曲させる場合、つまり、従来〈図
７〉と同様の曲げ加工を行う場合、金属ポンチの２つの
面が交差する軸に基づいて形成される屈曲部が十分に曲
がらず、丸みをおびやすくなる。その結果、インナーリ
ードの主面とアウターリードの主面とが平行にならず、
インナーリードの先端部になるにつれてこの平行性が損
なわれる。場合によっては、インナーリード部がねじれ
てしまうおそれがある。従って、設計要求に応じたイン
ナーリードの半導体素子と電気的に接続するためのボン
ディング面積を確保するのが困難になる。
【００１６】しかし、この形態に係る金型においては、
金属ポンチとノックアウトとでリードフレームを挟み、
金属ポンチのリードフレームへの加圧に協働してノック
アウトが下側に移動しながらリード部を屈曲させるの
で、屈曲部が正確に階段状になり、ねじれも発生しなく
なる。これにより、設計要求に応じたボンディング面積
を確保することができるようになり、インナーリードと
ワイヤとの金属めっき層を介した電気的な接続の信頼性
を向上させることができる。
金属ポンチとノックアウトとでリードフレームを挟み、
金属ポンチのリードフレームへの加圧に協働してノック
アウトが下側に移動しながらリード部を屈曲させるの
で、屈曲部が正確に階段状になり、ねじれも発生しなく
なる。これにより、設計要求に応じたボンディング面積
を確保することができるようになり、インナーリードと
ワイヤとの金属めっき層を介した電気的な接続の信頼性
を向上させることができる。
【００１７】また、上記した形態に係る金型において、
前記粗面化された面が、放電加工又はサンドブラスト法
により凹凸が形成されたものであってもよい。さらに、
前記凹凸の上に、ダイヤモンドコーティング層が形成さ
れていてもよい。金属部材（ノックアウト）の第１の面
の粗面化を放電加工やサンドブラスト法により行なうこ
とで、凹凸の高さ（高低差）が例えば２μｍ以下程度の
ものを容易に形成することができる。このとき、条件に
よっては、形成された凹凸の凸部が尖って形成される場
合がある。たとえ、表面に凹凸を形成してインナーリー
ドの金属めっき層と金属部材の第１の面との接触面積を
少なくしたとしても、この尖った凸部が金属めっき層に
突き刺さることで金属めっき層に深い打痕が入り、イン
ナーリードとワイヤとの電気的な接続の信頼性が低下す
る場合が想定される。
前記粗面化された面が、放電加工又はサンドブラスト法
により凹凸が形成されたものであってもよい。さらに、
前記凹凸の上に、ダイヤモンドコーティング層が形成さ
れていてもよい。金属部材（ノックアウト）の第１の面
の粗面化を放電加工やサンドブラスト法により行なうこ
とで、凹凸の高さ（高低差）が例えば２μｍ以下程度の
ものを容易に形成することができる。このとき、条件に
よっては、形成された凹凸の凸部が尖って形成される場
合がある。たとえ、表面に凹凸を形成してインナーリー
ドの金属めっき層と金属部材の第１の面との接触面積を
少なくしたとしても、この尖った凸部が金属めっき層に
突き刺さることで金属めっき層に深い打痕が入り、イン
ナーリードとワイヤとの電気的な接続の信頼性が低下す
る場合が想定される。
【００１８】この形態に係る金型によれば、金属部材
（ノックアウト）の第１の面に凹凸が形成され、さらに
この凹凸上にダイヤモンドコーティング層が形成される
ことで粗面化されるので、凸部が尖った場合においても
丸みを帯びるようになり、金属めっき層に深い打痕が入
ることを防止することができる。また、表面が耐磨耗性
の高いダイヤモンド層で保護されているので、凹凸の磨
耗を少なくすることができ、金型を長持ちさせることが
できるようになる。
（ノックアウト）の第１の面に凹凸が形成され、さらに
この凹凸上にダイヤモンドコーティング層が形成される
ことで粗面化されるので、凸部が尖った場合においても
丸みを帯びるようになり、金属めっき層に深い打痕が入
ることを防止することができる。また、表面が耐磨耗性
の高いダイヤモンド層で保護されているので、凹凸の磨
耗を少なくすることができ、金型を長持ちさせることが
できるようになる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
を参照しながら説明する。図１（ａ）は本発明の実施の
形態の金型の構成を示す概略部分断面図、図１（ｂ）は
本発明の実施の形態の金型に係るノックアウトの表面状
態を示す概略部分断面図、図２（ａ）及び（ｂ）はリー
ドフレームが加工される様子を示す概略部分断面図、図
３（ａ）は本実施の形態の金型により加工されるリード
フレームの一例を示す概略部分平面図、図３（ｂ）は本
発明の実施の形態の金型を用いて加工されたリードフレ
ームに半導体素子が実装された半導体装置を示す概略断
面図である。
を参照しながら説明する。図１（ａ）は本発明の実施の
形態の金型の構成を示す概略部分断面図、図１（ｂ）は
本発明の実施の形態の金型に係るノックアウトの表面状
態を示す概略部分断面図、図２（ａ）及び（ｂ）はリー
ドフレームが加工される様子を示す概略部分断面図、図
３（ａ）は本実施の形態の金型により加工されるリード
フレームの一例を示す概略部分平面図、図３（ｂ）は本
発明の実施の形態の金型を用いて加工されたリードフレ
ームに半導体素子が実装された半導体装置を示す概略断
面図である。
【００２０】本発明の実施の形態の金型は、図１（ａ）
に示すような構成になっている。下部ダイセット１６の
上に中心部に空洞部１０ａが形成されたダイ１０が配置
され、このダイ１０の空洞部１０ａ内にはノックアウト
１４が配置されている。このノックアウト１４は移動手
段１５に接続されており、この移動手段１５に基づいて
上下に移動できるようになっている。本実施形態では、
ノックアウト１４とダイ１０により「金属部材」が構成
されており、ノックアウト１４の表面Ａが「第１の面」
の一例であって、ダイ１０の表面Ｂが「第２の面」
（「第１の面より高い面」）の一例であり、また、ダイ
１０の傾斜面Ｃが「傾斜面」の一例である。
に示すような構成になっている。下部ダイセット１６の
上に中心部に空洞部１０ａが形成されたダイ１０が配置
され、このダイ１０の空洞部１０ａ内にはノックアウト
１４が配置されている。このノックアウト１４は移動手
段１５に接続されており、この移動手段１５に基づいて
上下に移動できるようになっている。本実施形態では、
ノックアウト１４とダイ１０により「金属部材」が構成
されており、ノックアウト１４の表面Ａが「第１の面」
の一例であって、ダイ１０の表面Ｂが「第２の面」
（「第１の面より高い面」）の一例であり、また、ダイ
１０の傾斜面Ｃが「傾斜面」の一例である。
【００２１】本実施形態の金型の特徴の一つは、図１
（ｂ）に模式的に示すように、リードフレーム２０のイ
ンナーリードの金属めっき層が形成された部分と接触す
るノックアウト１４の表面Ａが粗面化されていること、
すなわち表面Ａに梨地状に凹凸が形成されていることで
ある。これについては、後で詳細に説明する。なお、本
実施形態では、ノックアウト１４とダイ１０が分離独立
した配置となっているが、かかる配置形態に限定されな
いことはもちろんであり、これらが一体化されている形
態としてもよい。この場合、ノックアウト１４は上下に
移動できない形態となる。
（ｂ）に模式的に示すように、リードフレーム２０のイ
ンナーリードの金属めっき層が形成された部分と接触す
るノックアウト１４の表面Ａが粗面化されていること、
すなわち表面Ａに梨地状に凹凸が形成されていることで
ある。これについては、後で詳細に説明する。なお、本
実施形態では、ノックアウト１４とダイ１０が分離独立
した配置となっているが、かかる配置形態に限定されな
いことはもちろんであり、これらが一体化されている形
態としてもよい。この場合、ノックアウト１４は上下に
移動できない形態となる。
【００２２】ノックアウト１４及びダイ１０の上方には
上部ダイセット１６ａに保持された状態で金属ポンチ１
２が配置されている。この金属ポンチ１２はノックアウ
ト１４の上方で、上下に移動できるようになっている。
金属ポンチ１２のノックアウト１４と対向する側の面に
は、ノックアウト１４の表面Ａとほぼ平行な面Ｄとダイ
１０の傾斜面Ｃとほぼ平行な面Ｅを備えており、金属ポ
ンチ１２とノックアウト１４とが接近する際、ノックア
ウト１４の表面Ａとダイ１０の傾斜面Ｃとは、それぞれ
金属ポンチの面Ｄと傾斜面Ｅと対向するようになってい
る。また。ダイ１０の上方にはそれぞれ押え金属部材１
８がスプリング部材１９を介して上部ダイセット１６ａ
に保持された状態で配置されている。
上部ダイセット１６ａに保持された状態で金属ポンチ１
２が配置されている。この金属ポンチ１２はノックアウ
ト１４の上方で、上下に移動できるようになっている。
金属ポンチ１２のノックアウト１４と対向する側の面に
は、ノックアウト１４の表面Ａとほぼ平行な面Ｄとダイ
１０の傾斜面Ｃとほぼ平行な面Ｅを備えており、金属ポ
ンチ１２とノックアウト１４とが接近する際、ノックア
ウト１４の表面Ａとダイ１０の傾斜面Ｃとは、それぞれ
金属ポンチの面Ｄと傾斜面Ｅと対向するようになってい
る。また。ダイ１０の上方にはそれぞれ押え金属部材１
８がスプリング部材１９を介して上部ダイセット１６ａ
に保持された状態で配置されている。
【００２３】本実施形態に係る金型のノックアウト１
４、ダイ１０及び金属ポンチ１２を構成する材料として
は、金属粉を焼結することにより製造された超鋼、例え
ばＷＣ（タングステンカーバイド）などが用いられる。
本実施の形態の金型２１はこのような構成になってお
り、図１に示す如く、ノックアウト１４及びダイ１０と
金属パンチ１２との間に、挟みこむようにしてリードフ
レーム２０を配置し、金属ポンチ１２がリードフレーム
２０を押圧することに基づいてリードフレーム２０の所
定の部分（インナーリードとアウターリードとの間の部
分）を屈曲させることができる。
４、ダイ１０及び金属ポンチ１２を構成する材料として
は、金属粉を焼結することにより製造された超鋼、例え
ばＷＣ（タングステンカーバイド）などが用いられる。
本実施の形態の金型２１はこのような構成になってお
り、図１に示す如く、ノックアウト１４及びダイ１０と
金属パンチ１２との間に、挟みこむようにしてリードフ
レーム２０を配置し、金属ポンチ１２がリードフレーム
２０を押圧することに基づいてリードフレーム２０の所
定の部分（インナーリードとアウターリードとの間の部
分）を屈曲させることができる。
【００２４】次に、本実施形態の金型によりリードフレ
ーム２０を曲げ加工する方法を図２及び図３を参照しな
がら説明する。まず、リードフレーム２０の説明を行
う。リードフレーム２０は例えばＱＦＮ型パッケージに
使用されるリードフレームであって、図３（ａ）に示す
ように、Ｆｅ−Ｎｉ合金板やＣｕ合金板などをエッチン
グ又はプレスにより加工することでパターニングするこ
とにより製造される。リードフレーム２０は同図に示す
ように、平行に延在する一対の外枠２２とこの一対の外
枠２２と連結し、かつ外枠２２に直交する一対の内枠２
３とによって形成された枠構造となっている。この外枠
２２にはガイド孔３２が形成されている。この枠の中央
部には半導体素子が配置される四辺形のダイバッド２６
が配置されているとともに、このダイパッド２６は枠の
隅の太幅部２２ａから延在する４つのサポートバー２８
によって支持されている。また、内枠２３及び外枠２２
からダイバッド２６に向かって複数のリード２７が延在
している。ダイバッド２６の寸法は例えば２ｍｍ□程度
であって、リード２７の長さは例えば２ｍｍ程度であ
る。
ーム２０を曲げ加工する方法を図２及び図３を参照しな
がら説明する。まず、リードフレーム２０の説明を行
う。リードフレーム２０は例えばＱＦＮ型パッケージに
使用されるリードフレームであって、図３（ａ）に示す
ように、Ｆｅ−Ｎｉ合金板やＣｕ合金板などをエッチン
グ又はプレスにより加工することでパターニングするこ
とにより製造される。リードフレーム２０は同図に示す
ように、平行に延在する一対の外枠２２とこの一対の外
枠２２と連結し、かつ外枠２２に直交する一対の内枠２
３とによって形成された枠構造となっている。この外枠
２２にはガイド孔３２が形成されている。この枠の中央
部には半導体素子が配置される四辺形のダイバッド２６
が配置されているとともに、このダイパッド２６は枠の
隅の太幅部２２ａから延在する４つのサポートバー２８
によって支持されている。また、内枠２３及び外枠２２
からダイバッド２６に向かって複数のリード２７が延在
している。ダイバッド２６の寸法は例えば２ｍｍ□程度
であって、リード２７の長さは例えば２ｍｍ程度であ
る。
【００２５】相互に平行に延在するリード２７部分にお
いて、各リード２７はダムバー３０によって連結されて
いる。リード２７は半導体素子と電気的に接続されるイ
ンナーリード２７ａと配線基板の配線と電気的に接続さ
れるアウターリード２７ｂとからなる。図３（ａ）のイ
ンナーリード２７ａの表面には半導体素子と金線などの
ワイヤと電気的に接続されるための内装めっき層、例え
ばＡｇめっき層（金属めっき層）が形成されている。ま
た、アウターリード２７ｂの裏面には配線基板の配線と
電気的に接続されるための外装めっき層、例えばはんだ
めっき層が形成されている。
いて、各リード２７はダムバー３０によって連結されて
いる。リード２７は半導体素子と電気的に接続されるイ
ンナーリード２７ａと配線基板の配線と電気的に接続さ
れるアウターリード２７ｂとからなる。図３（ａ）のイ
ンナーリード２７ａの表面には半導体素子と金線などの
ワイヤと電気的に接続されるための内装めっき層、例え
ばＡｇめっき層（金属めっき層）が形成されている。ま
た、アウターリード２７ｂの裏面には配線基板の配線と
電気的に接続されるための外装めっき層、例えばはんだ
めっき層が形成されている。
【００２６】図３（ａ）に示すような帯状のリードフレ
ーム２０を裏返して、すなわちインナーリード２７ａの
Ａｇめっき層が形成された面が図１（ａ）に示す金型の
ノックアウト１４側になるようにして金型内に配置され
る。その後、インナーリード２７ａとアウターリード２
７ｂを連結するダムバー３０を含む所定の領域がダイ１
０の傾斜面Ｃの上方に配置されるようにして位置合わせ
をする。
ーム２０を裏返して、すなわちインナーリード２７ａの
Ａｇめっき層が形成された面が図１（ａ）に示す金型の
ノックアウト１４側になるようにして金型内に配置され
る。その後、インナーリード２７ａとアウターリード２
７ｂを連結するダムバー３０を含む所定の領域がダイ１
０の傾斜面Ｃの上方に配置されるようにして位置合わせ
をする。
【００２７】次いで、押え金属部材１８によりリードフ
レーム２０を押えて固定させた後、図２（ａ）に示すよ
うに、金属ポンチ１２とノックアウト１４とをリードフ
レーム２０が配置された位置まで移動させてリードフレ
ーム２０を両面から挟む。その後、図２（ｂ）に示すよ
うに、金属ポンチ１２が所定の圧力でノックアウト１４
側にリードフレーム２０を加圧すると同時に、ノックア
ウト１４を、リードフレーム２０を挟んだ状態で金属ポ
ンチ１２の動きに協働して下に移動させる。これによ
り、インナーリード２７ａとアウターリード２７ｂとを
連結するダムバー３０部を含む所定の部分がダイ１０の
傾斜面Ｃと第２の面Ｂとが交差する軸に基づいて屈曲さ
れて屈曲部Ｇが形成され、かつ、金属ポンチ１２の面Ｄ
と面Ｅとが交差する軸に基づいて屈曲されて屈曲部Ｆが
形成される。
レーム２０を押えて固定させた後、図２（ａ）に示すよ
うに、金属ポンチ１２とノックアウト１４とをリードフ
レーム２０が配置された位置まで移動させてリードフレ
ーム２０を両面から挟む。その後、図２（ｂ）に示すよ
うに、金属ポンチ１２が所定の圧力でノックアウト１４
側にリードフレーム２０を加圧すると同時に、ノックア
ウト１４を、リードフレーム２０を挟んだ状態で金属ポ
ンチ１２の動きに協働して下に移動させる。これによ
り、インナーリード２７ａとアウターリード２７ｂとを
連結するダムバー３０部を含む所定の部分がダイ１０の
傾斜面Ｃと第２の面Ｂとが交差する軸に基づいて屈曲さ
れて屈曲部Ｇが形成され、かつ、金属ポンチ１２の面Ｄ
と面Ｅとが交差する軸に基づいて屈曲されて屈曲部Ｆが
形成される。
【００２８】このように、リードフレーム２０を金属ポ
ンチ１２とノックアウト１４で挟みながら屈曲させるこ
とで、屈曲部Ｆ，Ｇが金型２１の形状に従って忠実に屈
曲されるようになるので、インナーリード２７ａの先端
部も含めてアウターリード２７ｂと平行になり、インナ
ーリード２７ａをねじれなどの発生なしにシャープに屈
曲させることができる。これにより、半導体素子と電気
的に接続するためのインアナーリード２７ａのボンディ
ングに係る面積を設計要求通りに確保することができる
ようになる。
ンチ１２とノックアウト１４で挟みながら屈曲させるこ
とで、屈曲部Ｆ，Ｇが金型２１の形状に従って忠実に屈
曲されるようになるので、インナーリード２７ａの先端
部も含めてアウターリード２７ｂと平行になり、インナ
ーリード２７ａをねじれなどの発生なしにシャープに屈
曲させることができる。これにより、半導体素子と電気
的に接続するためのインアナーリード２７ａのボンディ
ングに係る面積を設計要求通りに確保することができる
ようになる。
【００２９】このようにして、リードフレーム２０のリ
ード２７の所定の部分が本実施の形態の金型によって屈
曲される。次に、本実施形態に係る金型の特徴の一つで
ある、粗面化されたノックアウト１４の表面Ａについて
詳しく説明する。図４（ａ）は研削盤により加工された
ノックアウトの表面状態をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により撮影
したもの、図４（ｂ）、図５（ａ）及び（ｂ）は本実施
の形態の金型に係るノックアウトの表面状態をＳＥＭに
より撮影したもの、図６（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそ
れぞれ、図４（ｂ）、図５（ａ）及び（ｂ）のノックア
ウトの表面部の断面形状を模式的に示す図である。
ード２７の所定の部分が本実施の形態の金型によって屈
曲される。次に、本実施形態に係る金型の特徴の一つで
ある、粗面化されたノックアウト１４の表面Ａについて
詳しく説明する。図４（ａ）は研削盤により加工された
ノックアウトの表面状態をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により撮影
したもの、図４（ｂ）、図５（ａ）及び（ｂ）は本実施
の形態の金型に係るノックアウトの表面状態をＳＥＭに
より撮影したもの、図６（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそ
れぞれ、図４（ｂ）、図５（ａ）及び（ｂ）のノックア
ウトの表面部の断面形状を模式的に示す図である。
【００３０】図４（ａ）に示すものは、従来の鏡面仕上
げされたノックアウトの表面状態をＳＥＭにより撮影し
たものである。本実施形態に係る金型のノックアウト１
４の表面は、図４（ｂ）に示すように、ＷＥＤ（ワイヤ
放電加工機）による処理を例えば２回行って表面を粗面
化、すなわち梨地状にしたものであって、図６（ａ）に
示す断面図のように、表面に微細な凹凸が形成されてい
る。
げされたノックアウトの表面状態をＳＥＭにより撮影し
たものである。本実施形態に係る金型のノックアウト１
４の表面は、図４（ｂ）に示すように、ＷＥＤ（ワイヤ
放電加工機）による処理を例えば２回行って表面を粗面
化、すなわち梨地状にしたものであって、図６（ａ）に
示す断面図のように、表面に微細な凹凸が形成されてい
る。
【００３１】前述したように、リードフレーム２０が金
型により屈曲されるとき、図２（ｂ）に示すように、ノ
ックアウト１４の表面Ａとインナーリード２７ａ上に形
成されたＡｇめっき層２９とが接触することになる。こ
のとき、ノックアウト１４の表面Ａが図４（ａ）に示す
ように鏡面仕上げされていると、この鏡面と接触したイ
ンナーリード２７ａのＡｇめっき層２９がピカピカに光
るなどして前述したような問題が発生するおそれがあ
る。
型により屈曲されるとき、図２（ｂ）に示すように、ノ
ックアウト１４の表面Ａとインナーリード２７ａ上に形
成されたＡｇめっき層２９とが接触することになる。こ
のとき、ノックアウト１４の表面Ａが図４（ａ）に示す
ように鏡面仕上げされていると、この鏡面と接触したイ
ンナーリード２７ａのＡｇめっき層２９がピカピカに光
るなどして前述したような問題が発生するおそれがあ
る。
【００３２】しかしながら、本実施形態に係る金型のノ
ックアウト１４の表面Ａには梨地状の凹凸が形成されて
いるので、リードフレーム２０が屈曲する際にノックア
ウト１４の表面Ａとインナーリード２７ａのＡｇめっき
層２９とが接触するとしても、接触するところは主にノ
ックアウト１４の表面Ａの凸部であるので、実質的な接
触面積を小さくすることができる。例えば、上記したＷ
ＥＤによる処理を行なった場合の接触面積は、インナー
リード２７ａのＡｇめっき層２９とノックアウト１４の
表面Ａがお互いに平坦でその接触面積を１００％とした
とき、その２０〜３０％程度の接触面積にすることがで
きる。
ックアウト１４の表面Ａには梨地状の凹凸が形成されて
いるので、リードフレーム２０が屈曲する際にノックア
ウト１４の表面Ａとインナーリード２７ａのＡｇめっき
層２９とが接触するとしても、接触するところは主にノ
ックアウト１４の表面Ａの凸部であるので、実質的な接
触面積を小さくすることができる。例えば、上記したＷ
ＥＤによる処理を行なった場合の接触面積は、インナー
リード２７ａのＡｇめっき層２９とノックアウト１４の
表面Ａがお互いに平坦でその接触面積を１００％とした
とき、その２０〜３０％程度の接触面積にすることがで
きる。
【００３３】ノックアウト１４の表面の凹凸の高さ（高
低差）はインナーリード２７ａ上に形成された金属めっ
き層の種類や厚みに合わせて適宜調整すればよいが、例
えば膜厚が５〜７μｍのＡｇめっき層２９を形成する場
合、ノックアウト１４の表面Ａの凸部がＡｇめっき層２
９に突き刺さることでリードフレームのＣｕ合金板が露
出しないように、１〜２μｍ程度以下とすることが好ま
しい。
低差）はインナーリード２７ａ上に形成された金属めっ
き層の種類や厚みに合わせて適宜調整すればよいが、例
えば膜厚が５〜７μｍのＡｇめっき層２９を形成する場
合、ノックアウト１４の表面Ａの凸部がＡｇめっき層２
９に突き刺さることでリードフレームのＣｕ合金板が露
出しないように、１〜２μｍ程度以下とすることが好ま
しい。
【００３４】このようにノックアウト１４の表面Ａを梨
地状の凹凸を形成することにより、インナーリード２７
ａ上に形成されたＡｇめっき層２９にノックアウト１４
の表面Ａの研磨目が転写されたり、部分的にピカピカに
光ったりすることがなくなり、Ａｇめっき層２９がめっ
きを施された直後と同等の光沢度、もしくはそれより低
い光沢度を保つことができるようになる。これにより、
屈曲されたリードフレーム２０のリード部の光沢度が不
均一になり、見た目も悪いといったことがなくなり、ま
た、画像認識を用いた自動ワイヤボンディングをおこな
う際、画像認識に係るエラーの発生を防止することがで
きるようになる。さらに、Ａｇめっき層２９のノックア
ウト１４と接触する面積を小さくすることができるの
で、Ａｇめっき層２９に深い打痕が発生したり、油など
の不純物が付着したりする可能性を大いに減じることが
でき、ワイヤとの電気的な接続の信頼性を向上させるこ
とができる。
地状の凹凸を形成することにより、インナーリード２７
ａ上に形成されたＡｇめっき層２９にノックアウト１４
の表面Ａの研磨目が転写されたり、部分的にピカピカに
光ったりすることがなくなり、Ａｇめっき層２９がめっ
きを施された直後と同等の光沢度、もしくはそれより低
い光沢度を保つことができるようになる。これにより、
屈曲されたリードフレーム２０のリード部の光沢度が不
均一になり、見た目も悪いといったことがなくなり、ま
た、画像認識を用いた自動ワイヤボンディングをおこな
う際、画像認識に係るエラーの発生を防止することがで
きるようになる。さらに、Ａｇめっき層２９のノックア
ウト１４と接触する面積を小さくすることができるの
で、Ａｇめっき層２９に深い打痕が発生したり、油など
の不純物が付着したりする可能性を大いに減じることが
でき、ワイヤとの電気的な接続の信頼性を向上させるこ
とができる。
【００３５】また、図５（ａ）に示すものは、ＷＥＤ
（ワイヤ放電加工機）による処理を４回行って表面を粗
面化したものであって、図６（ｂ）に示す断面図のよう
に、ＷＥＤの処理回数を増やすに従って、凹凸のピッチ
が狭くなり、より細かい凹凸が形成されるようになるの
で、上記した効果がさらに顕著になる。なお、上記した
ＷＥＤの処理回数は単なる一例であって、所定の凹凸の
高さ（高低差）やピッチが得られるように適宜調整すれ
ばよい、また、図５（ｂ）に示すものは、図５（ａ）に
示すノックアウト１４の表面の凹凸上にさらにＤＬＣ
（ダイヤモンドライクコーティング）を行ったものであ
る。ＷＥＤ（ワイヤ放電加工機）による処理を行っただ
けでは、凸部の先端が鋭くなりやすく、Ａｇめっき層２
９に深い打痕が形成される場合がある。このため、図６
（ｃ）に示すように、ノックアウト１４の表面部の凹凸
上にダイヤモンドコーティング層１４ａをコーティング
することで凹凸を滑らかにすることが好ましい。これに
より、Ａｇめっき層２９に深い打痕が形成されないばか
りではなく、凹凸の磨耗をも防止することができ、金型
を長持ちさせることができる。
（ワイヤ放電加工機）による処理を４回行って表面を粗
面化したものであって、図６（ｂ）に示す断面図のよう
に、ＷＥＤの処理回数を増やすに従って、凹凸のピッチ
が狭くなり、より細かい凹凸が形成されるようになるの
で、上記した効果がさらに顕著になる。なお、上記した
ＷＥＤの処理回数は単なる一例であって、所定の凹凸の
高さ（高低差）やピッチが得られるように適宜調整すれ
ばよい、また、図５（ｂ）に示すものは、図５（ａ）に
示すノックアウト１４の表面の凹凸上にさらにＤＬＣ
（ダイヤモンドライクコーティング）を行ったものであ
る。ＷＥＤ（ワイヤ放電加工機）による処理を行っただ
けでは、凸部の先端が鋭くなりやすく、Ａｇめっき層２
９に深い打痕が形成される場合がある。このため、図６
（ｃ）に示すように、ノックアウト１４の表面部の凹凸
上にダイヤモンドコーティング層１４ａをコーティング
することで凹凸を滑らかにすることが好ましい。これに
より、Ａｇめっき層２９に深い打痕が形成されないばか
りではなく、凹凸の磨耗をも防止することができ、金型
を長持ちさせることができる。
【００３６】なお、ＷＥＤの代わりに、サンドブラスト
法を用いてノックアウト１４の表面Ａに梨地状の凹凸を
形成してもよい。次に、リード部が屈曲されたリードフ
レームを用いた半導体素子の実装方法を説明する。ま
ず、前述した方法によりリード２７部が屈曲されたリー
ドフレーム２０を金型から取り出してひっくり返すこと
でインナーリード２７ａに形成されたＡｇめっき層２９
が表面に現われるようにする。その後、図３（ｂ）に示
すように、リードフレームのダイバッド２６上に半導体
素子３４を搭載（ダイボンディング）し、この半導体素
子３４のリード導出を行うべき電極パッドとこれらに対
応するインナーリード２７ａのＡｇめっき層２９とを画
像認識を用いた自動ワイヤボンディング装置によりワイ
ヤ３８を介して接続する。
法を用いてノックアウト１４の表面Ａに梨地状の凹凸を
形成してもよい。次に、リード部が屈曲されたリードフ
レームを用いた半導体素子の実装方法を説明する。ま
ず、前述した方法によりリード２７部が屈曲されたリー
ドフレーム２０を金型から取り出してひっくり返すこと
でインナーリード２７ａに形成されたＡｇめっき層２９
が表面に現われるようにする。その後、図３（ｂ）に示
すように、リードフレームのダイバッド２６上に半導体
素子３４を搭載（ダイボンディング）し、この半導体素
子３４のリード導出を行うべき電極パッドとこれらに対
応するインナーリード２７ａのＡｇめっき層２９とを画
像認識を用いた自動ワイヤボンディング装置によりワイ
ヤ３８を介して接続する。
【００３７】このとき、前述したように、リード２７部
のＡｇめっき層２９が全体にわたって比較的低い光沢度
を保ち、リードフレーム２０のリード２７には部分的に
ピカピカ光っている領域が存在しなくなるので、画像認
識に係るエラーが発生するおそれがないことは言うまで
もない。また、インナーリード２７ａのＡｇめっき層２
９はノックアウト１４の梨地状の表面と接触することで
微細なディンプル（くぼみ）が形成されていることにな
るので、ワイヤがこのディンプルに埋めこまれ、アンカ
ー効果によりワイヤとインナーリード２７ａとの接合強
度を向上させることができる。これにより、インナーリ
ード２７ａとワイヤとの電気的な接続の信頼性を向上さ
せることができる。
のＡｇめっき層２９が全体にわたって比較的低い光沢度
を保ち、リードフレーム２０のリード２７には部分的に
ピカピカ光っている領域が存在しなくなるので、画像認
識に係るエラーが発生するおそれがないことは言うまで
もない。また、インナーリード２７ａのＡｇめっき層２
９はノックアウト１４の梨地状の表面と接触することで
微細なディンプル（くぼみ）が形成されていることにな
るので、ワイヤがこのディンプルに埋めこまれ、アンカ
ー効果によりワイヤとインナーリード２７ａとの接合強
度を向上させることができる。これにより、インナーリ
ード２７ａとワイヤとの電気的な接続の信頼性を向上さ
せることができる。
【００３８】次いで、半導体素子３４とインナーリード
２７ａ及びアウターリード２７ｂと覆うようにしてモー
ルド樹脂３６を施す。次いで、不要なリードフレーム部
分を切断除去することにより、図３（ｂ）に示すような
ＱＦＮ型の半導体装置４０が製造される。以上、一実施
形態により、本発明の詳細を説明したが、本発明の範囲
は上記の実施形態に具体的に示した例に限られるもので
はなく、この発明を逸脱しない要旨の範囲における上記
の実施形態の変更は本発明の範囲に含まれる。
２７ａ及びアウターリード２７ｂと覆うようにしてモー
ルド樹脂３６を施す。次いで、不要なリードフレーム部
分を切断除去することにより、図３（ｂ）に示すような
ＱＦＮ型の半導体装置４０が製造される。以上、一実施
形態により、本発明の詳細を説明したが、本発明の範囲
は上記の実施形態に具体的に示した例に限られるもので
はなく、この発明を逸脱しない要旨の範囲における上記
の実施形態の変更は本発明の範囲に含まれる。
【００３９】例えば、本実施形態では、ＱＦＮ型の半導
体装置に用いられるリードフレームのリード部の所定の
部分を屈曲させる場合について例示したが、本実施形態
の金型を適用するリードフレームはＱＦＮ型の半導体装
置に限定されないことはもちろんである。また、金属ポ
ンチ１２の面にインナーリード２７ａのＡｇめっき層２
９が接触するような形態の場合、金属ポンチ１２の所定
の面を粗面化処理すればよい。つまり、金型を構成する
金属部材のうち、インナーリード上に形成された金属め
っき層が接触する金属部材の所定の面を粗面化すればよ
い。
体装置に用いられるリードフレームのリード部の所定の
部分を屈曲させる場合について例示したが、本実施形態
の金型を適用するリードフレームはＱＦＮ型の半導体装
置に限定されないことはもちろんである。また、金属ポ
ンチ１２の面にインナーリード２７ａのＡｇめっき層２
９が接触するような形態の場合、金属ポンチ１２の所定
の面を粗面化処理すればよい。つまり、金型を構成する
金属部材のうち、インナーリード上に形成された金属め
っき層が接触する金属部材の所定の面を粗面化すればよ
い。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の金型によ
れば、リードフレームのインナーリードの金属めっき層
が接触する金属部材の表面に梨地状に凹凸を形成するこ
とにより、リードフレームの当該部分に好ましくないス
ジ模様が入るといった不都合を解消することができると
ともに、リードフレームの当該部分において、光沢度が
不均一となる領域がなくなり、画像認識を行なう自動ワ
イヤボンディング装置により半導体素子とインナーリー
ドとをワイヤでボンディングする際、画像認識に係るエ
ラーの発生を防止することができるようになる。
れば、リードフレームのインナーリードの金属めっき層
が接触する金属部材の表面に梨地状に凹凸を形成するこ
とにより、リードフレームの当該部分に好ましくないス
ジ模様が入るといった不都合を解消することができると
ともに、リードフレームの当該部分において、光沢度が
不均一となる領域がなくなり、画像認識を行なう自動ワ
イヤボンディング装置により半導体素子とインナーリー
ドとをワイヤでボンディングする際、画像認識に係るエ
ラーの発生を防止することができるようになる。
【００４１】さらには、金型の金属部材とリードフレー
ムの当該部分との接触面積を小さくすることができるの
で、インナーリードとワイヤとの電気的な接続の信頼性
を向上させることができる。
ムの当該部分との接触面積を小さくすることができるの
で、インナーリードとワイヤとの電気的な接続の信頼性
を向上させることができる。
【図１】図１（ａ）は本発明の実施の形態の金型の構成
を示す概略断面図、図１（ｂ）は本発明の実施の形態の
金型に係るノックアウトの表面状態を示す概略部分断面
図である。
を示す概略断面図、図１（ｂ）は本発明の実施の形態の
金型に係るノックアウトの表面状態を示す概略部分断面
図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施の形態の
金型によりリードフレームが加工される様子を示す概略
部分断面図である。
金型によりリードフレームが加工される様子を示す概略
部分断面図である。
【図３】図３（ａ）は本実施の形態の金型により加工さ
れるリードフレームの一例を示す概略部分断面図、図３
（ｂ）は本発明の実施の形態の金型を用いて加工された
リードフレームに半導体素子が実装された半導体装置を
示す概略断面図である。
れるリードフレームの一例を示す概略部分断面図、図３
（ｂ）は本発明の実施の形態の金型を用いて加工された
リードフレームに半導体素子が実装された半導体装置を
示す概略断面図である。
【図４】図４（ａ）は研削盤により加工されたノックア
ウトの表面状態をＳＥＭにより撮影したもの、図４
（ｂ）は本発明の実施の形態の金型に係るノックアウト
の表面状態をＳＥＭにより撮影したものである。
ウトの表面状態をＳＥＭにより撮影したもの、図４
（ｂ）は本発明の実施の形態の金型に係るノックアウト
の表面状態をＳＥＭにより撮影したものである。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施の形態の
金型に係るノックアウトの表面状態をＳＥＭにより撮影
したものである。
金型に係るノックアウトの表面状態をＳＥＭにより撮影
したものである。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、図
４（ｂ）、図５（ａ）及び（ｂ）のノックアウトの表面
部の断面形状を模式的に示す図である。
４（ｂ）、図５（ａ）及び（ｂ）のノックアウトの表面
部の断面形状を模式的に示す図である。
【図７】従来技術の金型によりリードフレームが加工さ
れる様子を示す概略部分断面図である。
れる様子を示す概略部分断面図である。
１０：ダイ
１２：金属ポンチ
１４：ノックアウト
１４ａ：ダイヤモンドコーティング層
１５：移動手段
１６：下部ダイセット
１６ａ：上部ダイセット
１８：押え金属部材
１９：スプリング部材
２０：リードフレーム
２２：外枠
２２ａ：太幅部
２３：内枠
２６：ダイパッド
２７ａ：インナーリード
２７ｂ：アウターリード
２７：リード
２８：サポートバー
２９：Ａｇめっき層（金属めっき層）
３０：ダムバー
３２：ガイド孔
３４：半導体素子
３６：モールド樹脂
３８：ワイヤ
４０：半導体装置
Claims (7)
- 【請求項１】 金属めっき層を備えたインナーリードと
該インナーリードに連結するアウターリードとを有する
リードフレームに曲げ加工を施す金型であって、 前記インナーリードとアウターリードとの間の所定の部
分を階段状に屈曲させる金属部材を具備し、 該金属部材の前記金属めっき層と接触する面の所定の部
分が粗面化されていることを特徴とする金型。 - 【請求項２】 前記金型の金属部材が、 上下に移動可能で、前記粗面化された面を第１の面とし
て備えたノックアウトと、 前記ノックアウトが上下に移動できるように該ノックア
ウトの周囲に配置され、前記第１の面に平行な第２の面
と、前記第２の面につながり、前記ノックアウト側に下
がって傾斜する傾斜面とを備えた金属台とを具備し、 前記金型が、 前記リードフレームを挟んで前記ノックアウトとは反対
側の上方に配置され、かつ上下に移動可能で、前記リー
ドフレームを階段状に屈曲させるときに前記第１の面及
び前記傾斜面にそれぞれ対応する面を備えた金属ポンチ
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の金
型。 - 【請求項３】前記粗面化された部分の面が、放電加工又
はサンドブラスト法により凹凸が形成されたものである
ことを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載
の金型。 - 【請求項４】 前記凹凸の上にダイヤモンドコーティン
グ層がさらに形成されていることを特徴とする請求項３
に記載の金型。 - 【請求項５】 前記金属めっき層が、Ａｇ（銀）めっき
層からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか
一項に記載の金型。 - 【請求項６】 請求項２乃至５のいずれか一項に記載の
金型を用いたリードフレームの製造方法であって、 前記金属部材と前記金属ポンチとの間に前記リードフレ
ームを配置し、前記リードフレームを前記金属ポンチと
前記ノックアウトとで挟みながら、前記金属ポンチによ
り前記リードフレームを下方向に加圧して、前記リード
フレームの前記インナーリードと前記アウターリードと
の間の所定の部分を階段状に屈曲させることを特徴とす
るリードフレームの製造方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載のリードフレームの製造
方法で製造されたことを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001193506A JP3568918B2 (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 金型、該金型を用いたリードフレームの製造方法及びリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001193506A JP3568918B2 (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 金型、該金型を用いたリードフレームの製造方法及びリードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007948A true JP2003007948A (ja) | 2003-01-10 |
| JP3568918B2 JP3568918B2 (ja) | 2004-09-22 |
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ID=19031782
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001193506A Expired - Fee Related JP3568918B2 (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | 金型、該金型を用いたリードフレームの製造方法及びリードフレーム |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3568918B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258211A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| WO2023248890A1 (ja) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | エルナー株式会社 | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
-
2001
- 2001-06-26 JP JP2001193506A patent/JP3568918B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258211A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP4651563B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-03-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2023248890A1 (ja) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | エルナー株式会社 | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
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|---|---|
| JP3568918B2 (ja) | 2004-09-22 |
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