JP2002540638A - 相分離の少ないｉｉｉ族窒化物４元材料系を用いた半導体構造体および加工方法 - Google Patents

相分離の少ないｉｉｉ族窒化物４元材料系を用いた半導体構造体および加工方法

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Abstract

(57)【要約】 レーザーダイオード、トランジスタおよび光検出器を含む半導体構造体に用いるＩＩＩ族窒化物４元材料系および方法であって、相分離を低減または排除し、かつ発光効率を高めたものを開示する。例示的実施態様において、該半導体構造体は、第１の導電型の実質的に相分離のない第１のＩｎＧａＡｌＮ層、実質的に相分離のないＩｎＧａＡｌＮ活性層、および反対の導電型の実質的に相分離のない第２のＩｎＧａＡｌＮ層を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の属する技術分野） 本発明は、半導体構造体および製造方法、特には青色レーザーダイオードに使
用可能なIII族窒化物材料系および方法に関する。
【０００２】 （従来の技術） 青色レーザー光源の開発は、ディスクメモリー、ＤＶＤ等の次世代高密度光デ
バイスの先駆けとなっている。図１は従来技術の半導体レーザー装置の断面図を
示す（Ｓ． Ｎａｋａｍｕｒａ、ＭＲＳ ＢＵＬＬＥＴＩＮ、第２３巻、第５号
、第３７〜４３頁、１９９８年）。サファイア基板５の上に窒化ガリウム（Ｇａ
Ｎ）バッファ層１０を形成し、次いでｎ型ＧａＮ層１５を形成し、４μｍ幅のス
トライプ状窓を１２μｍ周期でＧａＮ＜１−１００＞方向に形成するようにパタ
ーン化した０．１μｍ厚二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層２０を形成する。その後、
ｎ型ＧａＮ層３０、ｎ型窒化インジウムガリウム（Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ）層
３５、ｎ型窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ）／ＧａＮ
ＭＤ−ＳＬＳ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｄｏｐｅｄ Ｓｔｒａｉｎｅｄ−Ｌａ
ｙｅｒ Ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓ；変調ドープ歪超格子）クラッド層４０、
およびｎ型ＧａＮクラッド層４５を形成する。次に、Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８ Ｎ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ ＭＱＷ（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｗｅｌｌ；多量子井戸）活性層５０を形成した後、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８ Ｎクラッド層５５、ｐ型ＧａＮクラッド層６０、ｐ型Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６ Ｎ／ＧａＮ ＭＤ−ＳＬＳクラッド層６５、およびｐ型ＧａＮクラッド層７０を
形成する。リッジストライプ構造体をｐ型Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮ
ＭＤ−ＳＬＳクラッド層５５内に形成して、リッジ導波路中を拡散する光学場
を横方向に閉じ込める。電極をｐ型ＧａＮクラッド層７０上およびｎ型ＧａＮク
ラッド層３０上に形成して電流注入を可能にする。
【０００３】 図１に示した構造体において、ｎ型ＧａＮクラッド層４５およびｐ型ＧａＮク
ラッド層６０は光導波路層である。ｎ型Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮ
ＭＤ−ＳＬＳクラッド層４０およびｐ型Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮ
ＭＤ−ＳＬＳクラッド層６５は、ＩｎＧａＮ ＭＱＷ層５０の活性領域から放出
されたキャリアおよび光を閉じ込めるためのクラッド層として働く。ｎ型Ｉｎ０ ．１ Ｇａ０．９Ｎ層３５を、ＡｌＧａＮ厚膜成長のバッファ層として設け、クラ
ックが入るのを防ぐ。
【０００４】 図１に示す構造体を用いることにより、電極を通してキャリアをＩｎＧａＮ
ＭＱＷ活性層５０内に注入し、４００ｎｍの波長域で発光させる。リッジストラ
イプ領域下の有効屈折率はリッジストライプ領域外の有効屈折率よりも大きいの
で、ｐ型Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮ ＭＤ−ＳＬＳクラッド層６５内
に形成されたリッジ導波路構造体により光学場は活性層内で横方向に閉じ込めら
れる。一方、活性層の屈折率はｎ型ＧａＮクラッド層４５、ｐ型ＧａＮクラッド
層６０、ｎ型Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮ ＭＤ−ＳＬＳクラッド層４
０、およびｐ型Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮ ＭＤ−ＳＬＳクラッド層
６０の屈折率よりも大きいので、ｎ型ＧａＮクラッド層４５、ｎ型Ａｌ０．１４ Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮ ＭＤ−ＳＬＳクラッド層４０、ｐ型ＧａＮクラッド層
６０、およびｐ型Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮ ＭＤ−ＳＬＳクラッド
層５５により光学場は活性層内で横方向に閉じ込められる。これにより、基本横
モード操作が得られる。
【０００５】 しかし、図１に示した構造体については、欠陥密度を１０８ｃｍ−２より小さ
いオーダに低減させることは困難である。なぜなら、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮお
よびＧａＮの格子定数は互いに十分に異なるので、ｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ
層３５、Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ ＭＱＷ活
性層５０、ｎ型Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮ ＭＤ−ＳＬＳクラッド層
４０、ｐ型Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮ ＭＤ−ＳＬＳクラッド層６５
、およびｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎクラッド層５５の総厚さが臨界厚さを超え
たときはいつでも、歪エネルギーを解放する手段として構造体内に欠陥が発生す
るからである。欠陥は相分離により生じ、かつ発振光の吸収中心として作用して
、発光効率の低下と閾値電流の増加を引き起こす。その結果、駆動電流が大きく
なり、その代わりに信頼性を損なう。
【０００６】 さらに、ＩｎＧａＮの３元合金系を図１に示した構造体の活性層として用いる
。この場合、バンドギャップエネルギーはＩｎＮに対する１．９ｅＶからＧａＮ
に対する３．５ｅＶに変わる。したがって、３．５ｅＶより高いエネルギーレベ
ルを有する紫外光をＩｎＧａＮ活性層を用いることにより得ることはできない。
紫外光は、例えば高密度光ディスクメモリーシステムの光ピックアップ装置およ
び他の装置の光源として魅力的であるので、このことは問題である。
【０００７】 従来の３元材料系における相分離により生じる欠陥をより良く理解するために
は、ＩｎＮ、ＧａＮおよびＡｌＮの格子定数のミスマッチを理解しなければなら
ない。ＩｎＮとＧａＮとの間、ＩｎＮとＡｌＮとの間およびＧａＮとＡｌＮとの
間の格子ミスマッチは、それぞれ１１．３％、１３．９％および２．３％である
。したがって、等価結合長がＩｎＮ、ＧａＮおよびＡｌＮの間で互いに異なると
いう事実により、たとえ等価格子定数が基板と同じであっても、内部歪エネルギ
ーがＩｎＧａＡｌＮ層内に蓄積される。内部歪エネルギーを減らすために、Ｉｎ
原子、Ｇａ原子およびＡｌ原子が層内に不均質に分布する場合には、ＩｎＧａＡ
ｌＮ格子ミスマッチ材料系内で相が分離する組成範囲がある。相分離の結果、Ｉ
ｎＧａＡｌＮ層内のＩｎ原子、Ｇａ原子およびＡｌ原子は、各構成層内に原子モ
ル比に従った均一な状態で分布していない。換言すれば、これは相分離を含む層
のバンドギャップエネルギー分布は不均質になるということを意味する。相分離
部のバンドギャップ領域は不釣合いに光吸収中心として働くか、または導波され
た光の光散乱を招く。前記の通り、従来技術によるこれらの問題の典型的解決策
は駆動電流を上げることであり、したがって半導体素子の寿命が短くなっている
。
【０００８】 （発明が解決しようとする課題） そのため、相分離による格子欠陥を最小限にし、かつ例えば青色またはＵＶ光
を高効率で発するレーザーダイオードとして用いることのできる半導体構造体お
よびトランジスタ等の他の半導体構造体に対する必要性が長い間感じられてきた
。
【０００９】 （課題を解決するための手段） 本発明は、層と構造体との間の相分離を実質的に減らすことにより欠陥密度を
実質的に低減する半導体構造体を提供することによって、従来技術の制限を実質
的に克服するものである。これにより発光効率を実質的に向上させることができ
る。
【００１０】 相分離を減らすため、各層におけるＩｎ含量、Ａｌ含量、Ｇａ含量の分布が均
質なＩｎＧａＡｌＮ層を有する半導体素子を得ることが可能であることが分かっ
た。発光素子において、これにより光吸収損失および導波路散乱損失を減らし、
高効率発光素子を得ることができる。
【００１１】 半導体構造体中の全ての構成層のＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙが、ｘ
＋１．２ｙがほぼ一定値であるという条件を満たす場合、ＩｎＧａＡｌＮ等の４
元材料系が、十分な均質性を再現的に与えて、相分離を実質的に減らすことが分
かっている。
【００１２】 本発明の装置は、典型的には、順次積層された、第１の導電性のＩｎＧａＡｌ
Ｎ材料からなる第１層、ＩｎＧａＡｌＮ活性層、および反対の導電性のＩｎＧａ
ＡｌＮ材料からなる層を含む。式ｘ＋１．２ｙがほぼ一定、例えば１のオーダま
たはほぼ１となるようにモル比を維持することにより、構成層の格子定数を互い
にほぼ等しく保ち、欠陥の発生を低減させる。
【００１３】 他の実施態様において、４元材料系を用いて相分離を排除し、かつ相境界全体
に均質性を促進して、半導体構造体を本質的に前記の通り作る。したがって、前
記の通り、第１クラッド層は第１の導電型でＩｎＧａＡｌＮの組成物であり、活
性層は第２の組成物のＩｎＧａＡｌＮであり、第２クラッド層は第１層の組成を
有するＩｎＧａＡｌＮの反対の導電型である。しかし、さらに第２クラッド層は
リッジ構造を有する。前記の通り、リッジ構造下の活性層内で光学場を横方向に
閉じ込められるという利点が加わることにより、光吸収損失および導波路散乱損
失が低減し、より効率が高まる。この構造体は基本横モード作動も可能にする。
【００１４】 第３の実施態様はレーザーダイオードの実現に特に好適であるが、半導体構造
体は、順次積層された、第１の導電型のＩｎ１−ｘ１−ｙ１Ｇａｘ１Ａｌｙ１Ｎ
材料からなる第１クラッド層、Ｉｎ１−Ｘ２−ｙ２Ｇａｘ２Ａｌｙ２Ｎ材料の活
性層、および反対の導電型のＩｎ１−ｘ３−ｙ３Ｇａｘ３Ａｌｙ３Ｎ材料からな
る第２クラッド層を含む。このような材料系において、ｘ１、ｘ２およびｘ３は
ＧａＮモル比を示し、ｙ１、ｙ２およびｙ３はＡｌＮモル比を示し、かつｘ１、
ｙ１、ｘ２、ｙ２、ｘ３およびｙ３は、０＜ｘ１＋ｙ１＜１、０＜ｘ２＋ｙ２＜
１、０＜ｘ３＋ｙ３＜１、１＜＝ｘ１／０．８０＋ｙ１／０．８９、１＜＝ｘ２
／０．８０＋ｙ２／０．８９、１＜＝ｘ３／０．８０＋ｙ３／０．８９、ＥｇＩ ｎＮ （１−ｘ１−ｙ１）＋ＥｇＧａＮｘ１＋ＥｇＡｌＮｙ１＞ＥｇＩｎＮ（１−
ｘ２−ｙ２）＋ＥｇＧａＮｘ２＋ＥｇＡｌＮｙ２、およびＥｇＩｎＮ（１−ｘ３
−ｙ３）＋ＥｇＧａＮｘ３＋ＥｇＡｌＮｙ３＞ＥｇＩｎＮ（１−ｘ２−ｙ２）＋
ＥｇＧａＮｘ２＋ＥｇＡｌＮｙ２（式中、ＥｇＩｎＮ、ＥｇＧａＮおよびＥｇＡ ｌＮ はそれぞれＩｎＮ、ＧａＮ、ＡｌＮのバンドギャップエネルギー）なる関係
を有する。
【００１５】 前記した材料系による再現性のある半導体構造体を提供するための、ＩｎＧａ
ＡｌＮ層の例示的実施態様は、０＜ｘ＋ｙ＜１かつ１＜＝ｘ／０．８０＋ｙ／０
．８９なる関係を満たすＧａ含量ｘおよびＡｌ含量ｙを有する。前記の通り、こ
の材料系により、光吸収損失および導波路散乱損失を低減し、高効率発光素子を
得ることができる。さらに、ｘ１、ｙ１、ｘ２、ｙ２、ｘ３およびｙ３が、０＜
ｘ１＋ｙ１＜１、０＜ｘ２＋ｙ２＜１、０＜ｘ３＋ｙ３＜１、１＜＝ｘ１／０．
８０＋ｙ１／０．８９、１＜＝ｘ２／０．８０＋ｙ２／０．８９、１＜＝ｘ３／
０．８０＋ｙ３／０．８９、ＥｇＩｎＮ（１−ｘ１−ｙ１）＋ＥｇＧａＮｘ１＋
ＥｇＡｌＮｙ１＞ＥｇＩｎＮ（１−ｘ２−ｙ２）＋ＥｇＧａＮｘ２＋ＥｇＡｌＮ ｙ２、およびＥｇＩｎＮ（１−ｘ３−ｙ３）＋ＥｇＧａＮｘ３＋ＥｇＡｌＮｙ３
＞ＥｇＩｎＮ（１−ｘ２−ｙ２）＋ＥｇＧａＮｘ２＋ＥｇＡｌＮｙ２なる関係を
有する場合、活性層のＩｎＧａＡｌＮのバンドギャップエネルギーが第１クラッ
ド層および第２クラッド層のバンドギャップエネルギーよりも小さくなる。この
条件下で、注入されたキャリアは活性層に閉じ込められる。少なくともいくつか
の実施態様において、全ての構成層のＧａＮモル比ｘｗおよびＡｌＮモル比ｙｗ
が、０＜ｘｗ＋ｙｗ＜１かつ１＜＝ｘ／０．８０＋ｙ／０．８９なる関係を満た
す、ＩｎＧａＡｌＮ単一または多重量子井戸活性層を第３の発光素子が有するこ
とが好ましい。
【００１６】 前記の構造体の利点の一つは、レーザーダイオードの閾値電流密度を減らすこ
とにある。これは単一または多重量子井戸構造体を用いることにより達成可能で
あり、これによって活性層状態の密度が低減する。これにより反転分布に必要な
キャリア密度が小さくなり、閾値電流密度の低減したまたは低いレーザーダイオ
ードとなる。
【００１７】 第３の発光素子において、ｘｓ＋１．２ｙｓがほぼ一定値――１のオーダまた
は１に近い――であるという条件を満たすことが望ましい。式中、ｘｓおよびｙ
ｓはそれぞれ各構成層におけるＧａＮモル比およびＡｌＮモル比である。前記の
通り、これにより各構成層の格子定数が互いにほぼ等しくなり、相分離による欠
陥を実質的に最小限にする。
【００１８】 本発明の第４の実施態様において、順次積層された、第１の導電型のＩｎ１− ｘ１−ｙ１ Ｇａｘ１Ａｌｙ１Ｎ材料からなる第１クラッド層、Ｉｎ１−Ｘ２−ｙ ２ Ｇａｘ２Ａｌｙ２Ｎ活性層、および反対の導電型のＩｎ１−ｘ３−ｙ３Ｇａｘ ３ Ａｌｙ３Ｎ材料からなる第２クラッド層を含む。さらに第２クラッド層はリッ
ジ構造を有する。前記した材料系に対して、ｘ１、ｘ２およびｘ３はＧａＮモル
比を示し、ｙ１、ｙ２およびｙ３はＡｌＮモル比を示し、かつｘ１、ｙ１、ｘ２
、ｙ２、ｘ３およびｙ３は、０＜ｘ１＋ｙ１＜１、０＜ｘ２＋ｙ２＜１、０＜ｘ
３＋ｙ３＜１、１＜＝ｘ１／０．８０＋ｙ１／０．８９、１＜＝ｘ２／０．８０
＋ｙ２／０．８９、１＜＝ｘ３／０．８０＋ｙ３／０．８９、ＥｇＩｎＮ（１−
ｘ１−ｙ１）＋ＥｇＧａＮｘ１＋ＥｇＡｌＮｙ１＞ＥｇＩｎＮ（１−ｘ２−ｙ２
）＋ＥｇＧａＮｘ２＋ＥｇＡｌＮｙ２、およびＥｇＩｎＮ（１−ｘ３−ｙ３）＋
ＥｇＧａＮｘ３＋ＥｇＡｌＮｙ３＞ＥｇＩｎＮ（１−ｘ２−ｙ２）＋ＥｇＧａＮ ｘ２＋ＥｇＡｌＮｙ２なる関係を有する。式中、ＥｇＩｎＮ、ＥｇＧａＮおよび
ＥｇＡｌＮはそれぞれＩｎＮ、ＧａＮ、ＡｌＮのバンドギャップエネルギーであ
る。
【００１９】 先の実施態様と同様に、各々のＩｎＧａＡｌＮ層は、均質なＩｎ含量、Ａｌ含
量およびＧａ含量の分布を有し、各ＩｎＧａＡｌＮ層のＧａ含量ｘ、Ａｌ含量ｙ
が、０＜ｘ＋ｙ＜１かつ１＜＝ｘ／０．８０＋ｙ／０．８９なる関係を満たす場
合に、再現的に得ることができる。さらに、ｘ１、ｙ１、ｘ２、ｙ２、ｘ３およ
びｙ３が、０＜ｘ１＋ｙ１＜１、０＜ｘ２＋ｙ２＜１、０＜ｘ３＋ｙ３＜１、１
＜＝ｘ１／０．８０＋ｙ１／０．８９、１＜＝ｘ２／０．８０＋ｙ２／０．８９
、１＜＝ｘ３／０．８０＋ｙ３／０．８９、ＥｇＩｎＮ（１−ｘ１−ｙ１）＋Ｅ
ｇＧａＮｘ１＋ＥｇＡｌＮｙ１＞ＥｇＩｎＮ（１−ｘ２−ｙ２）＋ＥｇＧａＮｘ
２＋ＥｇＡｌＮｙ２、およびＥｇＩｎＮ（１−ｘ３−ｙ３）＋ＥｇＧａＮｘ３＋
ＥｇＡｌＮｙ３＞ＥｇＩｎＮ（１−ｘ２−ｙ２）＋ＥｇＧａＮｘ２＋ＥｇＡｌＮ ｙ２なる関係を有する場合、活性層のＩｎＧａＡｌＮのバンドギャップエネルギ
ーが第１クラッド層および第２クラッド層のバンドギャップエネルギーよりも小
さくなる。先の実施態様と同様に、注入されたキャリアは活性層に閉じ込められ
、光学場はリッジ構造下の活性層内で横方向に閉じ込められ、基本横モード駆動
を生じる。
【００２０】 また先の実施態様と同様に、第４の実施態様は典型的には、全ての構成層のＧ
ａＮモル比ｘｗおよびＡｌＮモル比ｙｗが、０＜ｘｗ＋ｙｗ＜１かつ１＜＝ｘ／
０．８０＋ｙ／０．８９なる関係を満たすＩｎＧａＡｌＮ単一または多重量子井
戸活性層を含む。また、ｘｓ＋１．２ｙｓが１のオーダまたは１付近でほぼ一定
値に等しいという条件を典型的には満たす。式中、ｘｓおよびｙｓはそれぞれ各
構成層におけるＧａＮモル比およびＡｌＮモル比である。同様のパラメーターを
サファイア、二酸化ケイ素等の他の基板に適用する。
【００２１】 典型的には５００℃〜１０００℃の範囲である従来の処理温度および時間によ
り、前記の結果を達成できる。「低圧有機金属気相堆積法を用いた光学的品質お
よび電気的品質の高いＧａＮ層の成長（Growth of high optical and electrica
l quality GaN layers using low-pressure metalorganic chemical vapor depo
sition）」、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ５８（５）、１９９１年２
月４日、第５２６頁以下を参照のこと。
【００２２】 本発明は、添付図を参照した次の発明の詳細な説明により一層よく理解される
であろう。
【００２３】 （発明の実施の形態） まず図２を参照して、本発明の第１の実施態様による半導体構造体の断面図を
示す。本発明には多くの装置への応用があるが、説明のため、図の多くに示す半
導体構造体はレーザーダイオードとする。第１の実施態様のダイオード。特に図
１を参照して、ｎ型ＧａＮ基板１００を設け、その上にｎ型ＧａＮ第１クラッド
層１０５（典型的には厚さ０．５μｍ）を形成する。その後、約１．５μｍの厚
さにできる、典型的にはｎ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．７５Ａｌ０．２Ｎ材料からな
る第２クラッド層１１０をその上に形成し、次いで多重量子井戸活性層１１５を
形成する。該活性層の例示的配置としては、厚さ約３５ÅのＩｎ０．０１Ｇａ０ ．９６ Ａｌ０．０３Ｎ材料の３層の量子井戸層と、厚さ約３５ÅのＩｎ０．０２ Ｇａ０．８５Ａｌ０．１３Ｎ材料の４層のバリア層とを３組に組み合わせて含む
。次にｐ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．７５Ａｌ０．２Ｎからなる第３クラッド層１２
０（典型的には厚さ約１．５ｍｍ）を形成し、次いでｐ型ＧａＮ第５クラッド層
１２５（厚さ約０．５μｍ）を形成する。１本のストライプ状窓領域１３５（幅
３．０μｍ）を有するＳｉＯ２層１３０をｐ型ＧａＮ第４クラッド層１２５の上
に形成する。第１電極１４０をｎ型ＧａＮ基板１００の上に形成し、第２電極１
４５をＳｉＯ２層１３０および窓領域１３５の上に形成する。
【００２４】 活性層１１５から３５０ｎｍ域の波長を有する紫外光を放出するために、井戸
層のＩｎＮモル比、ＧａＮモル比およびＡｌＮモル比をそれぞれ０．０１、０．
９６および０．０３とする。相分離による欠陥を防ぐために、各層におけるＧａ
Ｎモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙを、ｘ＋１．２ｙがほぼ一定値になるという条
件に合うようにして、種々の構成層の格子定数を互いに一致させる。ほとんどの
実施態様は１±０．０５の範囲に入るであろうが、例示的実施態様において、該
一定値は１付近、例えば１±０．１とする。
【００２５】 材料を適当に選択することにより、ｎ型第２クラッド層１１０およびｐ型第３
クラッド層１２０のバンドギャップエネルギーは、３組の多重量子井戸活性層１
１５のバンドギャップエネルギーよりも大きい。これにより、ｎ型第２ラッド層
１１０およびｐ型第３クラッド層１２０から注入したキャリアを活性層１１５内
に閉じ込め、そこでキャリアが再結合して紫外光の放出を招く。さらに、ｎ型第
２クラッド層１１０およびｐ型第３クラッド層１２０の屈折率は、多重量子井戸
活性層１１５の屈折率よりも小さく、これにより光学場を横方向に閉じ込める。
【００２６】 電極１４５からの注入電流は窓領域１３５を通して流れるように閉じ込められ
るので、活性層１１５の窓領域１３５下の領域が強く活性化される。これにより
窓領域６ａ下の活性層の局所モード利得がＳｉＯ２層下の活性層の局所モード利
得よりも高くなる。その結果、レーザー発振を招く利得案内導波路機構を第１の
実施態様の構造体内に形成することができる。
【００２７】 図３は、第１の実施態様に従い作成したレーザーダイオードの発光対駆動電流
をプロットしたものである。負荷周期１％のパルス電流を用いてレーザーダイオ
ードを駆動する。閾値電流密度は５．５ｋＡ／ｃｍ２であることが分かる。
【００２８】 図４Ａ〜４Ｄは、順番に、第１の実施態様による例示的なレーザーダイオード
を作成するのに必要な加工工程の概略を示す。図４Ａ〜４Ｄから得られる構造体
は図２に示すものと類似しているので、要素にはできる限り類似の参照番号を用
いるものとする。まず図４Ａを参照して、ｎ型ＧａＮ基板１００を設け、その上
にｎ型ＧａＮ第１クラッド層１０５を成長させる。第１クラッド層１０５は典型
的には厚さが約０．５μｍである。その後、ｎ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．７５Ａｌ ０．２ Ｎ第２クラッド層１１０を典型的には厚さ約１．５μｍで形成する。
【００２９】 次に、厚さ約３５ÅのＩｎ０．０２Ｇａ０．８５Ａｌ０．１３Ｎ材料からなる
バリア層を４層と、それぞれ厚さ約３５ÅのＩｎ０．０１Ｇａ０．９６Ａｌ０． ０３ Ｎ材料を３層とを含む３つの量子井戸を作ることにより、多重量子井戸活性
層１１５を形成する。次いで、厚さ約１．５μｍのｐ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．７ ５ Ａｌ０．２Ｎ材料からなる第３クラッド層１２０を形成し、その後、厚さ約０
．５μｍのｐ型ＧａＮからなる第４クラッド層１２５を形成する。典型的には有
機金属気相堆積（ＭＯＣＶＤ）法または分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法のいずれ
かにより各層を形成する。
【００３０】 次に、図４Ｂに示す通り、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層１３０をｐ型ＧａＮ第
４クラッド層１２５上に、例えば化学気相堆積（ＣＶＤ）法により形成する。写
真平板とエッチング、またはその他の好適な方法を用いて、窓領域１３５を図４
Ｃに示すように形成する。窓領域１３５は、少なくとも幾つかの実施態様におい
てはストライプ状にできる。最後に、図４Ｄに示す通り、第１電極１４０および
第２電極１４５をそれぞれｎ型ＧａＮ基板１００上およびＳｉＯ２層１３０上に
蒸発処理またはその他の好適な処理により形成する。
【００３１】 次に図５を参照して、本発明に係る半導体構造体の第２の実施態様がより良く
理解されるであろう。第１の実施態様と同様に、第２の実施態様の例示的用途は
レーザーダイオードの作製である。第２の実施態様の構造体により、実屈折率ガ
イドを有する構造体中に導波路機構を形成することができる。これにより、基本
横モードで駆動することのできる閾値電流の低いレーザーダイオードが得られる
。
【００３２】 引き続き図５を参照して、参照を容易にするため、類似の要素は類似の参照番
号を用いて表すこととする。ｎ型ＧａＮ基板１００上に、厚さ約０．５μｍのｎ
型ＧａＮからなる第１クラッド層１０５を形成する。続いて、厚さ約１．５μｍ
のＩｎ０．０５Ｇａ０．７５Ａｌ０．２Ｎ材料からなるｎ型第２クラッド層１１
０を形成する。その後、厚さ約３５ÅのＩｎ０．０１Ｇａ０．９６Ａｌ０．０３ Ｎ材料からなる３層の井戸層とやはり厚さ約３５ÅのＩｎ０．０２Ｇａ０．８５ Ａｌ０．１３Ｎ材料からなる４層のバリア層とを含む多重量子井戸活性層１１５
を形成する。次に、厚さ約１．５μｍのＩｎ０．０５Ｇａ０．７５Ａｌ０．２Ｎ
材料製の第３ｐ型クラッド層を形成する。その後、厚さ約０．５μｍのｐ型Ｇａ
Ｎ第４クラッド層１２５を第３クラッド層１２０のリッジ構造５００を覆って形
成する。次いで、第３および第４クラッド層を部分的に取り除いてリッジ構造５
００を作る。次に、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層１３０を、第３クラッド層１２
０の露出部を残すと同時に第４クラッド層１２５を覆って形成する。幅約２．０
μｍのストライプ状であってよい、窓領域１３５を第４クラッド層１２５および
第３クラッド層１２０の上のＳｉＯ２層を通して形成する。第１の実施態様と同
様に、ｎ型ＧａＮ基板１００上に第１電極１４０を形成し、ＳｉＯ２層１３０お
よび窓領域１３５上に第２電極１４５を形成する。
【００３３】 第１の実施態様と同様に、活性層１４から３５０ｎｍ領域の波長を有する紫外
光を放出するために、井戸層におけるＩｎＮ、ＧａＮおよびＡｌＮのモル比をそ
れぞれ０．０１、０．９６および０．０３とする。同様に、各構成層の格子定数
を一致させて相分離による欠陥を防ぐために、全ての層のＧａＮモル比ｘおよび
ＡｌＮモル比ｙがｘ＋１．２がほぼ一定値であるという条件を満たす。第１の実
施態様と同様に、各層の等価格子定数がＧａＮの格子定数とほぼ等しくなるよう
にｘ＋１．２ｙをほぼ１に等しくする。同様に、クラッド層のバンドギャップエ
ネルギーを活性層のバンドギャップエネルギーよりも高く保って、紫外光を放出
させる。同様に材料の屈折率を第１の実施態様に関して述べたようにし、光学場
を横方向に制限させる。
【００３４】 第１の実施態様の駆動と同様に、ＳｉＯ２層により注入電流が閉じ込められる
ので、窓領域１３５下の活性層１１５の領域は強く活性化される。その結果もま
た同様に、窓領域１３５下の活性層における局所モード利得はＳｉＯ２層１３０
下の活性層における局所モード利得より高い。リッジストライプ領域外に比べて
、リッジストライプ領域内における横方向の有効屈折率が比較的高いことと相ま
って、これにより有効屈折率ステップ（Ｄｎ）が得られる。この結果、実屈折率
ガイドの導波路機構を内蔵して有する構造体となる。したがって、第２の実施態
様の設計により、基本横モードで駆動可能な閾値電流の低いレーザーダイオード
が得られる。
【００３５】 図６に第２の実施態様に係るレーザーダイオードの放出光対駆動電流特性をグ
ラフ形式で示す。レーザーダイオードをｃｗ電流で駆動する。閾値電流は３２．
５ｍＡであることが分かる。
【００３６】 次に図７Ａ−７Ｅを参照して、主要な加工工程の概略を第２の実施態様に関す
る半導体レーザーダイオードの例示的素子に対して示す。
【００３７】 まず、図７Ａおよび７Ｂを参照して、ｎ型ＧａＮ基板１００上への第１クラッ
ド層１０５および第２クラッド層１１０の形成と３組の多重量子井戸活性層１１
５の形成は、第１の実施態様と同様である。その後、第３クラッド層１２０およ
び第４クラッド層１２５を形成し、次いで部分的に――典型的にはエッチングに
より――取り除いて、リッジ構造５００を作る。前記と同様に、例示的実施態様
において、種々の層をＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法のいずれかにより連続的に形
成する。
【００３８】 次に、図７Ｃ−７Ｅに示す通り、二酸化ケイ素層１３０を典型的にはＣＶＤ法
により第５クラッド層１２５および第３クラッド層１２０を覆って形成し、その
後、第１の実施態様と同様にして窓領域１３５を形成する。次いで、電極１４０
および１４５を蒸発させるか、または基板に接着する。
【００３９】 次に図８を参照して、本発明の第３の実施態様がよりよく理解されるであろう
。第３の実施態様は若干異なるモル比を与えて青色発光を可能にするが、それ以
外は第１の実施態様と同様である。したがって、ｎ型ＧａＮ基板１００とｎ型Ｇ
ａＮ第１クラッド層１０５とを引き続き用いる。しかし、３組の量子井戸活性層
８１５は、典型的には３層のＩｎ０．１５Ｇａ０．８４Ａｌ０．０１Ｎ材料から
なるバリア層と４層のＩｎ０．１６Ｇａ０．８０Ａｌ０．０４Ｎ材料からなるバ
リア層とを含むが、第２クラッド層８１０は典型的厚さ約１．５μｍのｎ型Ｉｎ ０．１５ Ｇａ０．７０Ａｌ０．１５Ｎ材料である。第４クラッド層１２５は、第
１の実施態様と同じく、ｐ型ＧａＮ材料であるが、第３クラッド層８２０は典型
的にはｐ型Ｉｎ０．１５Ｇａ０．７０Ａｌ０．１５Ｎ材料である。各層の厚さは
実質的に第１の実施態様と同じである。ＳｉＯ２層１３０、窓領域１３５、第１
電極１４０および第２電極１４５により構造体が完成される。
【００４０】 活性層２４から４００ｎｍ領域の波長の青色光を発光するために、井戸層８１
５内のＩｎＮ、ＧａＮおよびＡｌＮのモル比をそれぞれ０．１５、０．８４およ
び０．１５とする。構成層の格子定数を一致させて、相分離に起因する欠陥の発
生を防止するため、各層のＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙを、ｘ＋１．２
が約０．８５±０．１でほぼ一定値に等しいという条件を満たすようにする。前
記の通り、ほとんどの実施態様は０．８５±０．０５の範囲である。
【００４１】 第１の実施態様が紫外光を発光するのに対して第３の実施態様は青色光を発光
するが、クラッド層のバンドギャップエネルギーを引き続き３組の多重量子井戸
活性層８１５のバンドギャップエネルギーよりも高く設定する。前記の通り、こ
れにより活性層８１５内でのキャリアの閉じ込めおよび再結合が可能となる。ま
た、第１の実施態様と同様に、第２および第３クラッド層の屈折率は、設計上活
性層の屈折率よりも小さく、光学場を横方向に閉じ込めている。同様に、窓領域
１３５下の強力な電流注入により、ＳｉＯ２層１３０下の活性層の部位に比べて
、比較的高い局所モード利得が活性層内に得られ、再びレーザー発振を招く誘導
導波路機構となる。
【００４２】 図９は、第３の実施態様によるレーザーダイオードの放出光対駆動電流特性を
プロットしたものである。負荷周期１％のパルス電流を用いてレーザーダイオー
ドを駆動する。閾値電流密度は５．０ｋＡ／ｃｍ２であることが分かる。
【００４３】 図１０Ａ〜１０Ｄは、第３の実施態様の一例における半導体レーザーダイオー
ドの一連の加工工程を示す。加工工程が図４Ａ〜４Ｄに関して説明した工程と同
様であることは理解されるであろうから、さらに説明は行わない。
【００４４】 次に図１１を参照して、本発明の第４の実施態様がよりよく理解されるであろ
う。第３の実施態様と同様に、第４の実施態様は、青色光を放出するように設計
されており、よって第３の実施態様と同じモル比を有する。しかし、第２の実施
態様と同様に、第４の実施態様はリッジ構造を設けて導波路として機能するよう
に作られている。モル比が図８のものと似ているので、類似の要素には図８で用
いた参照番号を用いて説明することとする。
【００４５】 引き続き図１１を参照して、第４の実施態様の構造体がＧａＮ基板１００を有
し、その上に第１クラッド層１０５と、さらにその上に第２クラッド層８１０と
が形成されているのが分かる。３組の多重量子井戸活性層８１５をその上に形成
し、次いで第３クラッド層８２０を形成する。第４クラッド層１２５、二酸化ケ
イ素層１３０、窓１３５ならびに電極１４０および１４５の全てを前記のように
形成する。材料のＩｎＮ、ＧａＮおよびＡｌＮのモル比は、図８に対して示した
まま、すなわちそれぞれ０．１５、０．８４および０．０１のままである。同様
に、層のＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙを、先の実施態様と同様に、ｘ＋
１．２が約０．８５±０．１で一定値に等しいか、またはほぼ等しいという条件
を満足するように設定する。電流注入に対するバンドギャップエネルギー、屈折
率およびモード利得は、全て実質的に第３の実施態様に関して説明したのと同じ
であり、さらに説明はしない。
【００４６】 図１２に、第４の実施態様により製作したレーザーダイオードの駆動電流対放
出光をプロットする。レーザーダイオードをｃｗ電流で駆動する。閾値電流は２
８．５ｍＡであることが分かる。
【００４７】 図１３に第４の実施態様に係る半導体レーザーダイオードの加工工程の概略を
示す。工程は本質的に図７Ａ〜７Ｅに関して説明した工程と同じであり、さらに
説明はしない。
【００４８】 次に図１４を参照して、ＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙ、ならびに構成
ＩｎＧａＡｌＮ層に対するこれらの間の関係がよりよく理解されよう。特に、相
対モル比が、０＜ｘ＋ｙ＜１、１＜＝ｘ／０．８０＋ｙ／０．８９なる関係をほ
ぼ満たす必要がある。
【００４９】 図１４に、種々の成長温度に対してプロットした相分離領域の境界を示す。図
１４の線は、種々の温度に対する組成的に不安定な（相分離）領域と安定な領域
との境界を示す。ＩｎＮ−ＡｌＮ線および境界線により囲まれた領域は相分離含
有領域を示す。３元合金ＩｎＡｌＮおよびＩｎＧａＮは、ＩｎＮとＡｌＮとの間
、およびＩｎＮとＧａＮとの間の格子ミスマッチが大きいので、相分離領域が大
きいことが分かっている。一方、３元合金ＧａＡｌＮでは、ＡｌＮとＧａＮとの
間の格子ミスマッチが小さいので、１０００℃付近の温度での結晶成長に対する
相分離領域がない。
【００５０】 したがって、通常の結晶成長温度が約５００℃から約１０００℃の概略領域に
あるＩｎＧａＡｌＮ材料系を得ることができることが分かっている。同様に、Ｉ
ｎＧａＡｌＮのＩｎ分、Ｇａ分およびＡｌ分の相分離は、約５００℃と約１００
０℃との間の処理温度において顕著に発生しないことが分かっている。最後に、
この２つを組み合わせることで、約１０００℃未満の結晶成長温度において相分
離を防ぐようなＩｎＧａＡｌＮ中のＧａ分およびＡｌ分の含量選択領域は、ｘ／
０．８０＋ｙ／０．８９＝１なる関係で概ね定義される２つの領域を分離する線
を有する図１５の斜線部であることが分かる。
【００５１】 したがって、レーザーダイオードの全ての構成層のＧａモル比ｘおよびＡｌＮ
モル比ｙが０＜ｘ＋ｙ＜１、１＜＝ｘ／０．８０＋ｙ／０．８９なる関係を概ね
満たすようにされている場合、上記して開示した４つの構造体の実施態様のそれ
ぞれに対して、約５００℃と約１０００℃との間の結晶成長温度で操作すること
により、ＩｎＧａＡｌＮ材料系内での相分離現象を防ぐことができる。その結果
、原子モル比に従い、各構成層内のＩｎ原子、Ｇａ原子およびＡｌ原子分布が実
質的に均一となる。
【００５２】 図１６は、約１０００℃未満の成長温度において相分離現象を防ぐための、Ｉ
ｎＧａＡｌＮ系中のＧａ含量ｘおよびＡｌ含量ｙの含量選択線を示す。図１６の
線はｘ＋１．２ｙ＝１の例示的線を示す。したがって、ＧａＮ基板上に形成した
レーザーダイオードの構成ＩｎＧａＡｌＮ層のＧａ含量およびＡｌ含量が、ｘ＋
１．２ｙがほぼ１に等しく、かつ０＜ｘ＋ｙ＜１、１＜＝ｘ／０．８０＋ｙ／０
．８９なる関係を有することを確保することにより、欠陥密度が低く、かつ相分
離が全くまたはほとんどないレーザーダイオードをＧａＮ基板上に得ることがで
きる。
【００５３】 さらに、前記の材料系を用いて他の半導体構造体を作ることができる。ＩＩＩ
族窒化物材料、特にはＧａＮおよびＡｌＮを高出力かつ高温の条件下で運転する
ことのできる電子素子、例えばマイクロ波パワートランジスタに使用することが
見込まれている。これは、部分的には、これらの材料のバンドギャップが広く（
ＧａＮの場合３．５ｅＶ、ＡｌＮの場合６．２ｅＶ）、破損電界が高く、かつ飽
和速度が高いことによる。比較のため、ＡｌＡｓ、ＧａＡｓおよびＳｉのバンド
ギャップは、それぞれ２．１６ｅＶ、１．４２ｅＶおよび１．１２ｅＶである。
このため、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ材料をこのような電界効果トランジスタ（ＦＥＴ
）に使用することが顕著に研究されるようになった。しかし、前記の通りＡｌＧ
ａＮとＧａＮとの格子定数の違いにより顕著な欠損の発生を招き、得られた構造
体中の電子の移動およびこのような材料系のＦＥＴ用途への有用性を制限してい
る。
【００５４】 本発明は、本発明のＩｎＧａＡｌＮ／ＧａＮ材料がＧａＮと等しい格子定数を
有するという点において、これらの制限を実質的に克服する。前述の通り、Ｉｎ １−ｘ−ｙ ＧａｘＡｌｙＮの４元材料系は、ＧａＮモル比（ｘ）およびＡｌＮモ
ル比（ｙ）が、０＜ｘ＋ｙ＜１、１＜＝ｘ／０．８＋ｙ／０．８９およびｘ＋１
．２ｙ＝１±０．１なる関係を満たす場合、３．１ｅＶより大きいバンドギャッ
プを有するのみならず、ＧａＮに実質的に等しい格子定数をも有する。これによ
り、種々の層において実質的に均一な原子含量分布を有するＦＥＴ等の半導体構
造体の加工が可能になる。したがって、ＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙが
前記の関係を満たす、本発明によるＩｎＧａＡｌＮ／ＧａＮ材料系を用いること
により、欠陥密度の低い、高出力かつ高温トランジスタが実現する。
【００５５】 図１７Ａを参照して、本発明によるＩｎＧａＡｌＮ／ＧａＮ材料を用いたヘテ
ロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）の例示的実施態様が示されている。Ｇ
ａＮ基板５２０上に、０．５μｍのｉ−ＧａＮ層５２５を形成し、次いで薄い、
約１０ｎｍのＧａＮ導電チャネル層５３０および１０ｎｍのＩｎＧａＡｌＮ層５
３５を形成する。供給および排出電極５４０Ａ−Ｂ、およびゲート電極５４５を
従来の方法により形成する。構造体内において、ＩｎＧａＡｌＮ層のＧａＮモル
比ｘおよびＡｌＮモル比ｙをそれぞれ０．６４および０．３に設定する。この場
合、ｘおよびｙの値は、０＜ｘ＋ｙ＜１、１＜＝ｘ／０．８＋ｙ／０．８９、お
よびｘ＋１．２ｙ＝１±０．１なる関係を満たす。これにより、ＩｎＧａＡｌＮ
層が実質的に相分離せず、かつＧａＮに等しい格子定数を有することとなる。同
様に、これにより高電子速度を達成可能にする。なぜなら、ＩｎＧａＡｌＮとＧ
ａＮ層とのヘテロ接合面内で形成された２次元電子ガスは、ＩｎＧａＡｌＮ層の
原子含量の変動により拡散しないからである。さらに、ＩｎＧａＡｌＮのバンド
ギャップは４ｅＶより大きいので、図１７Ａに示す構造体を用いることにより、
信頼性のある高温運転が可能になる。
【００５６】 同様に、図１７Ｂは本発明によるヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ
）の実施態様を示す。ＧａＮ基板５５０上に、厚さ４００ｎｍのｎ型ＩｎＧａＡ
ｌＮコレクタ層５５５を形成し、次いで、厚さ５０ｎｍのｐ型ＧａＮベース層５
６０および厚さ３００ｎｍのエミッタ層５６５を形成する。ベース電極５７０、
コレクタ電極５７５およびエミッタ電極５８０を従来通り形成する。図１７Ａと
同様に、図１７Ｂの例示的実施態様に対して、ＩｎＧａＡｌＮ層のＧａＮおよび
ＡｌＮモル比ｘおよびｙをそれぞれ０．６４および０．３に設定する。ｘおよび
ｙは上記したと同じ関係を満たす必要がある。図１７Ａと同様に、顕著な相分離
がなく、かつＧａＮと等しい格子定数を有するＩｎＧａＡｌＮ層が実現され、非
常に高品質のＩｎＧａＡｌＮ／ＧａＮのヘテロ接合が得られる。さらに、ＩｎＧ
ａＡｌＮエミッタ層のバンドギャップ（４．２ｅＶ）はＧａＮベース層のバンド
ギャップ（３．５ｅＶ）より大きく、ｐ型ベース層にできた孔はベース層に十分
閉じ込められる。これは、ＧａＮとＩｎＧａＡｌＮとの間の価電子帯の不連続度
がＧａＮホモ接合バイポーラトランジスタ内で発生するものよりも大きいことに
よる。これは、ベース電流に比べてコレクタ電流の電流増幅が大きくなるという
利点を有する。さらに、前記の通り、ＩｎＧａＡｌＮおよびＧａＮ層のバンドギ
ャップが大きいので該トランジスタを高温用途に信頼して使用することができる
。
【００５７】 次に図１８を参照して、フォトトランジスタとしての本発明の実施が示されて
いる。これに関して、ＧａＮとＡｌＮの両者はバンドギャップが広いので（Ｇａ
Ｎの場合３．５ｅＶであり、２００ｎｍの光波長に相当し、ＡｌＮの場合６．２
ｅＶであり、３５０ｎｍの光波長に相当する）、ＧａＮおよびＡｌＧａＮは、紫
外光（ＵＶ）領域における光検出器に魅力的な材質である。直接バンドギャップ
のため、およびＡｌＮ合金組成領域全体においてＡｌＧａＮが利用可能であるた
め、ＡｌＧａＮ／ＧａＮに基づくＵＶ光検出器は、高いカットオフ波長で調整可
能であると同様に、量子効率が高いという利点を有する。しかし、ＡｌＧａＮの
格子定数は、ＧａＮと十分に異なるので、欠陥が形成されがちであり、漏れ電流
の増加を招く。
【００５８】 ＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙが、０＜ｘ＋ｙ＜１、１＜＝ｘ／０．８
＋ｙ／０．８９なる関係を満たすＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ４元材料は、バ
ンドギャップが３．１ｅＶより大きくなるだけでなく、原子含量分布の等しい層
に加工することも可能であり、ＩｎＧａＡｌＮ材料をＵＶ光検出器用途にも使用
することができる。さらに、ＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙが、ｘ＋１．
２ｙ＝１なる関係を満たすＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ４元材料は、ＧａＮに
等しい格子定数を有する。したがって、ＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙが
前記の関係を満たすＩｎＧａＡｌＮ／ＧａＮ材料を用いることにより、欠陥密度
の低いＵＶ光検出器を実現できる。他の波長、例えば青色光の検出が望まれる場
合には、若干の変更が必要である。
【００５９】 図１８に示す通り、本発明の半導体素子をＩｎＧａＡｌＮ／ＧａＮ材料を用い
たヘテロ接合フォトトランジスタ（ＨＰＴ）として実施することができる。Ｇａ
Ｎ基板７００上に、ＩｎＧａＡｌＮコレクタ層７０５を厚さ約５００ｎｍのｎ型
で形成し、次いで厚さ２００ｎｍのｐ型ＧａＮベース層７１０を形成する。その
後、厚さ約５００ｎｍのエミッタ層７１５を形成する。エミッタ層上にリング状
電極７２０を形成し、光がベース層に当たるようにする。
【００６０】 例示的構造体において、ＩｎＧａＡｌＮ層のＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル
比ｙをそれぞれ０．６４および０．３に設定する。この場合、ｘおよびｙの値は
、０＜ｘ＋ｙ＜１、１＜＝ｘ／０．８＋ｙ／０．８９およびｘ＋１．２ｙ＝１な
る関係を満たし、ＩｎＧａＡｌＮ層がＧａＮに等しい格子定数を有しながら、実
質的に相分離を防いで形成することが可能であり、したがって、ＩｎＧａＡｌＮ
／ＧａＮの高品質なヘテロ接合を形成することができる。ＩｎＧａＡｌＮエミッ
タ層のバンドギャップ（４．２ｅＶであり、２９０ｎｍの光波長に相当する）は
、ＧａＮベース層のバンドギャップ（３．５ｅＶであり、３５０ｎｍの光波長に
相当する）より大きい。光はエミッタ側に当たる。図示した実施態様に対して、
２９０ｎｍと３５０ｎｍとの間の領域の波長の光を当てるとエミッタ層を透過し
て、この領域の光はＧａＮベース層に吸収され、電子と孔との対を発生する。ｐ
型ベース層に光吸収されて発生した孔は十分にベース層内に閉じ込められる。な
ぜなら、ＧａＮとＩｎＧａＡｌＮとの間の価電子帯の不連続は、従来のＧａＮホ
モ接合フォトトランジスタのものよりも大きいからである。このため、より大き
な発光電流が誘導され、ホモ接合フォトトランジスタの場合に比べて、ベース領
域において優れた電子中性化を提供する。したがって、量子効率および感度の高
いＵＶ光検出器、ならびに結果の入力光からコレクタ電流への高い変換効率が得
られる。他の周波数を検出すべき場合には、ＧａＮベース層を、例えば青色光に
対しては、ＩｎＧａＮで置換するとよい。
【００６１】 図１８のフォトトランジスタ実施態様に加えて、本発明をフォトダイオードに
することも可能である。図１９を参照して、ｎ型基板９００を設け、その上にｎ
型ＧａＮ第１クラッド層９０５を形成する。図１８に関して前記した関係に合致
するＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ４元材料または等価物からなるｎ型層９１０
を該クラッド層の上に形成する。その後、活性層９１５を形成し、その上にｐ型
Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ４元材料からなる層９２０を形成する。ついで、
ｐ型第２クラッド層９２５を層９２０の上に形成し、窓９３０をその中に形成し
て層９２０の一部を露出する。窓９３０は層９２０に光が当たることができるよ
うなポート（ｐｏｒｔ）を備えており、孔の生成を招く。電極９３５を典型的に
は窓９３０を囲むリング状電極にして、一対の電極９３５および９４０を従来の
方法で加工することができる。第２クラッド層９２５のバンドギャップは層９２
０のバンドギャップより好ましくは大きく、同様に活性層９１５のバンドギャッ
プより好ましくは大きいことが理解されよう。このような取り組みにより光の波
長の最も広い領域に対する感度が得られる。より狭い領域が望ましい場合、層９
２０よりもバンドギャップの低い材料を層９２５に用いればよい。さらに、層９
１０、９１５および９２０により、少なくともある場合には、適当な光感受性ｐ
ｎ接合が得られるので、全ての実施態様に層９２５を含む必要もない。
【００６２】 本発明の好ましい実施態様および種々の別法を十分に説明してきたが、ここに
おいて示唆を得た当業者は、本発明を逸脱していない多数の別法および等価物が
存在することを認識するであろう。したがって、本発明は前記の説明に限定され
るものではなく、特許請求の範囲によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の３元材料系を用いた従来技術のレーザーダイオード構造体を示
す図である。
【図２】 本発明の第１の実施態様による半導体構造体の断面図である。
【図３】 図１の構造体によるレーザーダイオードの光−電流特性のグラフ図で
ある。
【図４】 本発明の第１の実施態様による半導体構造体の例示的な一連の加工工
程を示す。
【図５】 第２の実施態様による半導体構造体の断面図である。
【図６】 図４の構造体によるレーザーダイオードの光−電流特性のグラフ図で
ある。
【図７】 本発明の第１の実施態様による半導体構造体の例示的な一連の加工工
程を示す。
【図８】 第３の実施態様の半導体レーザーダイオードの断面図である。
【図９】 第３の実施態様のレーザーダイオードの光−電流特性を示す。
【図１０】 第３の実施態様の一実施例における半導体レーザーダイオードの一
連の加工工程を示す。
【図１１】 第４の実施態様の半導体レーザーダイオードの断面図である。
【図１２】 第４の実施態様のレーザーダイオードの光−電流特性を示す。
【図１３】 第４の実施態様の一実施例における半導体レーザーダイオードの一
連の加工工程を示す。
【図１４】 種々の成長温度における相分離領域と相分離のない領域との境界を
形成するプロット図である。
【図１５】 約１０００℃未満の成長温度で相分離を防ぐためのＩｎＧａＡｌＮ
中のＧａ含量およびＡｌ含量の含量選択領域を示す。
【図１６】 約１０００℃未満の成長温度で相分離を防ぎ、同時にＧａＮと実質
的に等しいＩｎＧａＡｌＮ格子定数を作る、ＧａＡｌＮ中のＧａ含量およびＡｌ
含量の含量選択線を示す。
【図１７】 ＡおよびＢは、本発明の材料系により作ったバイポーラＦＥＴトラ
ンジスタを示す。
【図１８】 本発明をフォトトランジスタとした実施を示す。
【図１９】 本発明をフォトダイオードとした実施を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームス エス ハリス ジュニア アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94305 スタンフォード エスプラナダ ウェイ 763 Ｆターム(参考） 5F073 AA13 AA74 BA06 CA17 CB02 DA05 EA17 EA23

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体構造体であって、該半導体構造体が、 第１の導電型を有するＩｎＧａＡｌＮ材料からなる第１クラッド層、 ＩｎＧａＡｌＮ活性層、および 第１の導電型と反対の導電型を有するＩｎＧａＡｌＮ材料からなる第２クラッ
    ド層を含み、相分離を最小限にするように各層の構成要素のモル比を選択した、
    半導体構造体。
  2. 【請求項２】 半導体構造体体であって、該半導体構造体が、 第１の導電型を有するＩｎＧａＡｌＮ材料からなる第１クラッド層、 ＩｎＧａＡｌＮ活性層、および 第１の導電型と反対の導電型を有するＩｎＧａＡｌＮ材料からなる第２クラッ
    ド層を含み、相分離を最小限にするように各層の結晶成長温度および構成要素の
    モル比を選択した、半導体構造体。
  3. 【請求項３】 全ての構成層のＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙが、ｘ＋１
    ．２ｙが一定値にほぼ等しいという条件を満たす、請求項１記載の発光素子。
  4. 【請求項４】 全ての構成層のＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙが、ｘ＋１
    ．２ｙが１にほぼ等しいという条件を満たす、請求項１記載の発光素子。
  5. 【請求項５】 発光素子であって、該発光素子が、 第１の導電型の相分離のないＩｎＧａＡｌＮ第１クラッド層、相分離のないＩ
    ｎＧａＡｌＮ活性層、および第２の導電型の相分離のないＩｎＧａＡｌＮ第２ク
    ラッド層を含み、該ＩｎＧａＡｌＮ第２クラッド層がリッジ構造を有し、全ての
    層が順次積層されている、発光素子。
  6. 【請求項６】 全ての構成層のＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙが、ｘ＋１
    ．２ｙが一定値にほぼ等しいという条件を満たす、請求項４記載の発光素子。
  7. 【請求項７】 全ての構成層のＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙが、ｘ＋１
    ．２ｙが１にほぼ等しいという条件を満たす、請求項４記載の発光素子。
  8. 【請求項８】 発光素子であって、該発光素子が、 ある導電型のＧａＮ第１クラッド層、該導電型のＩｎ１−ｘ１−ｙ１Ｇａｘ１ Ａｌｙ１Ｎ第２クラッド層、Ｉｎ１−ｘ２−ｙ２Ｇａｘ２Ａｌｙ２Ｎ活性層、反
    対の導電型のＩｎ１−ｘ１−ｙ１Ｇａｘ１Ａｌｙ１Ｎ第３クラッド層、反対の導
    電型のＧａＮ第４クラッド層を含み、全ての層が順次積層されている発光素子で
    あって、ｘ１、ｘ２がガリウムのモル比を示し、ｙ１およびｙ２がアルミニウム
    のモル比を示し、かつｘ１、ｙ１、ｘ２およびｙ２が、０＜ｘ１＋ｙ１＜１、０
    ＜ｘ２＋ｙ２＜１、１＜＝ｘ１／０．８０＋ｙ１／０．８９、１＜＝ｘ２／０．
    ８０＋ｙ２／０．８９、およびＥｇＩｎＮ（１−ｘ１−ｙ１）＋ＥｇＧａＮｘ１
    ＋ＥｇＡｌＮｙ１＞ＥｇＩｎＮ（１−ｘ２−ｙ２）＋ＥｇＧａＮｘ２＋ＥｇＡｌ Ｎ ｙ２（式中ＥｇＩｎＮ、ＥｇＧａＮおよびＥｇＡｌＮはそれぞれＩｎＮ、Ｇａ
    ＮおよびＡｌＮのバンドギャップエネルギー）なる関係を有する、発光素子。
  9. 【請求項９】 前記活性層が、前記活性層の全ての構成層のＧａＮモル比ｘｗお
    よびＡｌＮモル比ｙｗが、０＜ｘｗ＋ｙｗ＜１かつ１＜＝ｘ／０．８０＋ｙ／０
    ．８９なる関係を満たすＩｎＧａＡｌＮ単一または多重量子井戸活性層である、
    請求項７記載の発光素子。
  10. 【請求項１０】 ｘｓ＋１．２ｙｓが一定値にほぼ等しいという条件を満たし、
    ｘｓおよびｙｓがそれぞれ各構成ＩｎＧａＡｌＮ層におけるＧａＮモル比および
    ＡｌＮモル比である、請求項７記載の発光素子。
  11. 【請求項１１】 ｘｓ＋１．２ｙｓが１にほぼ等しいという条件を満たし、ｘｓ
    およびｙｓがそれぞれ各構成ＩｎＧａＡｌＮ層におけるＧａＮモル比およびＡｌ
    Ｎモル比である、請求項７記載の発光素子。
  12. 【請求項１２】 発光素子であって、該発光素子が、 ある導電型のＩｎ１−ｘ１−ｙ１Ｇａｘ１Ａｌｙ１Ｎ第１クラッド層の該導電
    型、Ｉｎ１−ｘ２−ｙ２Ｇａｘ２Ａｌｙ２Ｎ活性層、反対の導電型のＩｎ１−ｘ ３−ｙ３ Ｇａｘ３Ａｌｙ３Ｎ第２クラッド層を含み、該Ｉｎ１−ｘ３−ｙ３Ｇａ ｘ３ Ａｌｙ３Ｎ第２クラッド層がリッジストリクトを有し、全ての層が順次積層
    されている発光素子であって、ｘ１、ｘ２およびｘ３がガリウムのモル比を示し
    、ｙ１、ｙ２およびｙ３がアルミニウムのモル比を示し、かつｘ１、ｙ１、ｘ２
    、ｙ２、ｘ３およびｙ３が、０＜ｘ１＋ｙ１＜１、０＜ｘ２＋ｙ２＜１、０＜ｘ
    ３＋ｙ３＜１、１＜＝ｘ１／０．８０＋ｙ１／０．８９、１＜＝ｘ２／０．８０
    ＋ｙ２／０．８９、１＜＝ｘ３／０．８０＋ｙ３／０．８９、ＥｇＩｎＮ（１−
    ｘ１−ｙ１）＋ＥｇＧａＮｘ１＋ＥｇＡｌＮｙ１＞ＥｇＩｎＮ（１−ｘ２−ｙ２
    ）＋ＥｇＧａＮｘ２＋ＥｇＡｌＮｙ２、およびＥｇＩｎＮ（１−ｘ３−ｙ３）＋
    ＥｇＧａＮｘ３＋ＥｇＡｌＮｙ３＞ＥｇＩｎＮ（１−ｘ２−ｙ２）＋ＥｇＧａＮ ｘ２＋ＥｇＡｌＮｙ２（式中ＥｇＩｎＮ、ＥｇＧａＮおよびＥｇＡｌＮはそれぞ
    れＩｎＮ、ＧａＮおよびＡｌＮのバンドギャップエネルギー）なる関係を有する
    、発光素子。
  13. 【請求項１３】 前記活性層が、前記活性層の全ての構成層のＧａＮモル比ｘｗ
    およびＡｌＮモル比ｙｗが、０＜ｘｗ＋ｙｗ＜１かつ１＜＝ｘ／０．８０＋ｙ／
    ０．８９なる関係を満たすＩｎＧａＡｌＮ単一または多重量子井戸活性層である
    、請求項１１記載の発光素子。
  14. 【請求項１４】 ｘｓ＋１．２ｙｓが一定値にほぼ等しいという条件を満たし、
    ｘｓおよびｙｓがそれぞれ各構成ＩｎＧａＡｌＮ層におけるＧａＮモル比および
    ＡｌＮモル比である、請求項１１記載の発光素子。
  15. 【請求項１５】 ｘｓ＋１．２ｙｓが１にほぼ等しいという条件を満たし、ｘｓ
    およびｙｓがそれぞれ各構成ＩｎＧａＡｌＮ層におけるＧａＮモル比およびＡｌ
    Ｎモル比である、請求項１１記載の発光素子。
  16. 【請求項１６】 光検出素子であって、該光検出素子が、 ある導電型の相分離のないＩｎＧａＡｌＮコレクタ層、反対の導電型の相分離
    のないＩｎＧａＡｌＮベース層、前記ある導電型の導電型の相分離のないＩｎＧ
    ａＡｌＮエミッタ層を含み、全ての層が順次積層されている光検出素子であって
    、該ＩｎＧａＡｌＮベース層のバンドギャップが他のＩｎＧａＡｌＮ層よりも小
    さい、光検出素子。
  17. 【請求項１７】 前記構成ＩｎＧａＡｌＮ層のＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル
    比ｙが、０＜ｘ＋ｙ＜１、１＜＝ｘ１／０．８０＋ｙ１／０．８９なる関係を満
    たす、請求項１６記載の光検出素子。
  18. 【請求項１８】 全ての構成層のＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙが、ｘ＋
    １．２ｙが一定値にほぼ等しいという条件を満たす、請求項１６記載の光検出素
    子。
  19. 【請求項１９】 全ての構成層のＧａＮモル比ｘおよびＡｌＮモル比ｙが、ｘ＋
    １．２ｙが１にほぼ等しいという条件を満たす、請求項１６記載の光検出素子。
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