JP2002538490A - 電気信号及び光信号のための印刷回路基板、並びにその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、電気信号及び／又は電流をリレーするための少なくとも一つの電気伝導レベル（ＥＬ）、及び光信号をリレーするための少なくとも一つの光伝導レベル（ＯＬ）を有する印刷回路基板（３０）に関する。前記伝導レベル（ＥＬ，ＯＬ）は、印刷回路基板（３０）内部のパイルアップで、互いに重なって置かれて、相互接続する。本発明の目的は、特に、融通が効き単純な構成と簡略化された製造方法とを提供することである。このために、光伝導レベル（ＯＬ）は、伝導体構成素子として少なくとも一つのガラス薄層（１１）からなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 （技術分野） 本発明は、回路基板の技術分野に関する。 それは、電気信号及び／又は電流をリレーするための少なくとも一つの電気伝
導レベル（elektrischen Leitungsebene；電気伝導層）と、光信号をリレーする
ための少なくとも一つの光伝導レベル（optischen Leitungsebene；光伝導層）
を有し、前記伝導層が印刷回路基板内のパイルアップ（Stapel）で、相互に接続
し、次々と重ねられて配置されているような回路基板に関する。

【０００２】 例えば、このような回路基板は、米国特許第5,408,568号Aの公報において開示
されている。

【０００３】 本発明は、このような回路基板の製造方法にも関する。

【０００４】 （背景技術） 長い目で見て、益々速くなるクロック周波数（Taktraten）、及び益々速くな
る信号伝送に対する需要は、銅線を利用することによっては、適切な品質を満た
すことができない。 光伝送経路（光ファイバ）の使用を通じて、背面取付装置（Montageruckwande
n）（「バックプレーン」）内で、及びシステム基板上でも、極めて高い伝送速
度で信号を伝達することは可能である。 電磁障害に対しての高い干渉排除性（Storsicherheit）は、非常に幸運な副作
用であり、電気バックプレーンでは特に重要である。 このようなバックプレーンは、例えば、マルチプロセッサを搭載した高性能コ
ンピュータの個々のプロセッサ・カード間のデータ交換には、信頼できる。

【０００５】 光学的データ伝送経路を多層回路基板に組み込む（integrieren）ために、多
様な提案がなされてきた。 例えば、米国特許第5,230,030号Aは、マルチチップモジュールの形で電子回路
に連結するための光インターフェースを記載している。 個々の集積回路（ＩＣ）は、パイルアップの形での絶縁層と交互に配置される
電気を伝導する層からなる多層回路基板に装備される。 溝が、低屈折率を有する光学的に透明な材質からなる絶縁層に形成され、そし
て、より高い屈折率を有する別の透明なプラスチックを充填される。 次に充填物が、一端を集積回路に接続され、もう一端をパイルアップの端部に
導かれる光伝導体（optische Leiter）を形成し、そこで、それらは適切なプラ
グによって外部に接続され得る。 回路基板に光導電体を組み込む方法は、回路基板が連続して層を積み上げて構
造化され（strukturiert；構築され）なければならないため、複雑になるだけで
なく、溝に光学的に活性な材質を充填する際に、一様で均質な（gleichmassige
und homogene）導電体構造を得るのは非常に困難なので、このようにして製造さ
れた光伝導体の品質は、遺憾な点が多い。

【０００６】 上述で引用される米国特許第5,408,568A号において開示される別の提案は、多
層回路基板に中間層として全面光学層（ganzflachige optische Schicht）を組
み込む。 光学層は、光ファイバの一端での鈍い接続（stumpf aufgesetzte）によって、
外側に連結される。 回路基板の上側に置かれたチップは、チップの下で孔を経由して接続され、光
学層に伸びる。 その光学層は、一様の光データバスとして作用し、この層を通って、全てのチ
ップが互いにデータ交換するか、又は外界とデータ交換する。 その公開文献には、この光学層の厚さ或いは材質についての記述はない。 その公開文献の図１は、プリント回路基板の間に配置された、プリント回路基板
と同じ厚さの光学層を図示している。 従って、この種類の設計は、選択されたチップの間に多数の光学レベルと所定
の光接続とを有する回路基板には適さない。

【０００７】 （発明の開示） 従って、本発明の目的は、高品質の光接続、非常に融通性があり容易に変更さ
れる設計、及び多層回路基板にとって知られている製造方法への簡単な組み込み
、により特徴づけられる電気信号及び光信号のための回路基板を作成することで
ある。

【０００８】 この目的は、伝導構成素子(leitendes Element wenigstens)としての光伝導レ
ベル（optische Leiterplatte）が少なくとも一層のガラス薄層からなることに
よって、前提部分において定義される種類の回路基板で達成される。 ガラス薄層は、薄い厚さ（約１mm以下の厚さ）を有するシート状ガラス層に関
連するものとして理解されるが、同時に、ＬＣＤディスプレイや太陽電池に使用
されるもののような、或いはＣＣＤ回路用カバーのような高光学品質（表面の平
坦さ）のシート状ガラス層を指するものとしても理解される。 この種のガラス薄層の使用により、高い伝送品質の一つ以上の省空間光伝導レ
ベルを備えることが可能となり、また、回路基板内に局所的な光接続を実装する
ように要求された通りに、容易に構造化され得る。

【０００９】 本発明に係る第一の好ましい実施例は、光伝導レベルが、最少で一層のガラス
薄層に加えて、最少で一層のガラス薄層に表面上で接続される少なくとも一枚の

【外１】 ch）により形成されることを特徴とする。 ガラス薄層の搬送板との組み合わせにより、結果として得られる光学サンドイ
ッチを実際の回路基板の製作とは別に予め製作することが可能であり、回路の一
般的な要求に（例えば構造化により）融通よく適応することが可能である。 予め製作された光学サンドイッチは、プロセス管理においていかなる重大な変
更をも必要とせずに、多層回路基板の従来の製造工程に追加の伝導レベル又は層
として導入され得る。

【００１０】 ここで光学サンドイッチが、少なくとも二枚の搬送板とそれらの間に配置され
る最少で一層のガラス薄層からなることもできる。 そしてガラス薄層は、更なる処理のために完全に保護される。 しかしながら、光学サンドイッチが、最少で一枚の搬送板に全面に亘って接続
される少なくとも二層のガラス薄層からなることも等しく可能であり、その二層
のガラス薄層は各々、一枚の搬送板の片面に配置され全面に亘って共に接合され
るか、又は最少で二層のガラス薄層が最少で一枚の搬送板の両面に配置される。 このようにして、別々に設計され得る２つの異なる光伝導レベルは、光学サン
ドイッチ毎に回路基板に組み込まれ得る。 製造をより複雑にするが、もちろん、光学サンドイッチ毎の搬送板及びガラス
薄層の数は、本発明の範囲内で増やすことができる。

【００１１】 本発明に係る第二の好ましい実施例は、搬送板が電気回路基板の製造のための
基本物質として使用される電気絶縁材、好ましくはアラミド強化樹脂（aramidve
rstarkten Harz）でできていることを特徴とする。 これは、光学サンドイッチが特に十分に多層回路基板のための従来の製造工程
に導入され得ることを保証する。

【００１２】 ガラス薄層は、好ましくは１．１mm以下の厚さを有し、ホウケイ酸ガラス製で
ある。 例えば、ＬＣＤ表示装置又は太陽電池用で、ドイツの企業デサゲ（ＤＥＳＡＧ
）から、ＡＦ４５及びＤ２６３という商標名で得られ、３０μm〜１．１mmの厚
さにおいて得られるこの種の薄いガラスは、特にその高い光学品質により光伝導
層として適切である。

【００１３】 本質的に、ガラス層は構造化されていないままであってもよく、その後、単層
で密着した（zusammenhangenden）連続的な光学層を形成する。 しかしながら、本発明における回路基板の別の実施例は、少なくとも個々のガ
ラス薄層が、層内に、隙間によって分離された個々の光伝導体を形成するように
構造化されることを特徴とする。 このようにして、様々な独立した光伝導体は、一つのレベルで製造され得、い
かなる相互妨害をも生じることのない異なる透過関数（Uebertragungsaufgaben
）を仮定することができる。

【００１４】 個々の光伝導体の光学特性は、個々の光導電体の曝された表面を反射層で覆う
ことにより、又は光導電体間にある隙間を特にガラス薄層のガラスの屈折率より
も低い屈折率を有する充填物で充填することにより、最適化される。

【００１５】 本発明に係る回路基板の別の実施例は、連結開口部が、回路基板の上側及び／
又は下側に配置された光学的に活性な素子の光学的結合のために備えられるので
、光伝導レベル内に隠されたガラス薄層又は光導電体は外側からアクセス可能で
あることを特徴とする。

【００１６】 回路基板を製造するための本発明に係る方法は、第一の工程で、少なくとも一
層のガラス薄層が光学サンドイッチを形成するために全面に亘って少なくとも一
枚の搬送板に接合し、第二の工程で、光学サンドイッチはパイルアップの配置に
おいて一つ以上の電気伝導レベルを有する光伝導レベルとして回路基板に接続し
、ガラス薄層及び搬送板が好ましくは共に圧着及び／又は接着剤により接合され
る。

【００１７】 更なる実施例は、引用された請求項から導き出される。

【００１８】 （発明を実施するための最良な形態） 本発明は、ここで図と関連して実施例に基づいて以下により詳しく説明される
。

【００１９】 本発明に係る回路基板の製造において、後で回路基板の光学伝導レベルを形成
するために、まず個々のいわゆる「光学サンドイッチ」が製造される。 光学サンドイッチは、例として図１Ａ〜１Ｄに示されるいくつかの工程で製造
されるが、上側及び下側に平坦な面を有し、電気回路基板の製造に使用されるよ
うな電気絶縁材でできている電気搬送板１０（図１）から始まる。 これは、完成した光学サンドイッチが、確実に、その材料特性の見地から既存
の回路基板工程に十分に組み込まれ得るようにする。 このために使用される材料は、好ましくはアラミド強化樹脂である。 例えば、この種の搬送板はドイツの企業イソラ（Ｉｓｏｌａ）からＤｕｒａｍ
ｉｄ−Ｐ−Ｃｕ １１５ＭＬという商標名で得られる。 しかしながら、ガラスと同様の等方性及び膨張係数を有する他のいかなる絶縁
材が、利用されてもよい。 搬送板１０の厚さは、搬送板１０が光学サンドイッチに充分な機械的安定度を
与えつつ、他方で、次の回路基板への組み込みにおいて不必要な高さをとらない
ように選ばれる。

【００２０】 次に、搬送板１０は、図１Ｂのように全面に亘って圧着又は接着剤によりガラ
ス薄層１１に接合される。 ガラス薄層１１は、好ましくはホウケイ酸ガラスでできており、１．１mm以下
（３０μm〜１．１mm）の厚さを有する。 この種類の薄いガラスは、例えばドイツの企業ＤＥＳＡＧからＡＲ４５及びＤ
２６３という商標名で得られる。 薄いガラスＡＦ４５は、高い含有量のＢａＯ及びＡｌ_２Ｏ_３成分で修飾された
ホウケイ酸ガラスであって、低い熱膨張係数及び高い光透過値を特徴とする。 小さい許容誤差及び火炎による研摩面（feuerpolierten Oberflachen）により
、この種類のガラスは、ＬＣＤディスプレイやＣＣＤ素子（CCD Elementen）の
カバー、太陽電池等のような特に大きい面積の光学的応用に適している。 薄いガラスＤ２６３は、対応する光学特性を有するホウケイ酸ガラスである。 これらの薄いガラスは両方とも３０μm〜１．１mmの範囲の厚さで利用できる
。

【００２１】 光伝導レベルが以降の回路基板における共通のデータバスとしてのみ備えられ
る場合、光学サンドイッチは図１Ｂに係る構造化されていないガラス薄層を有す
る回路基板に、直接組み込まれ得る（図７を参照）。 しかしながら、個々の光伝導接続が板の異なるポイント間で必要な場合、図１
Ｃによると、個々の光伝導体１３間に隙間１２を形成するために、特定の範囲の
ガラス薄層を完全に除去することにより光学サンドイッチを生成した後、そのガ
ラス薄層が構造化される。 個々の光伝導体１３は、（図１Ｃに示すように）異なる断面積を有してもよい
。 それらはお互いに平行してもよく、同じ又は異なる長さを有してもよいが、曲
がっていたり、それらの光伝導体としての機能と整合するような形であってもよ
い。 隙間１２は、様々な技術によって作成され得る。 研削するか又はフライス削りすることによる機械的な製造方法が考えられるが
、レーザーによる又は化学的方法による除去も考えられる。

【００２２】 ガラス薄層１１が構造化された後、得られた隙間１３は光学サンドイッチ１５
を完成させるために充填物１４を充填される（図１Ｂ及び図５）。 この充填作業は、ガラス薄層１１の上面に機械的に安定な平面が形成されると
いう利点を有する。 他方では、充填物１４がガラス薄層１１のガラスの屈折率より低い屈折率を有
する場合、この充填物は光伝導体１３での全反射を確実にするので、良好な光伝
導特性を確実にする。 しかしながら、図６にて図示したように、構造化されたガラス薄層１１又は光
伝導体１３の自由面が、光学サンドイッチ１５．４において蒸着によって、又は
ガルバニック析出（galvanische Abscheidung）若しくは化学析出によって、好
ましくは金属反射層２９で被覆される場合でも、同じ良好な光伝導特性が得られ
る。 更にこの場合、残っている隙間は、その後、機械的な理由で充填物を充填され
てもよい。

【００２３】 二つの層１０及び１１からなる図１Ｂの光学サンドイッチ１５の代わりに、二
つより多い層からなる光学サンドイッチが用いられてもよい。 図２の光学サンドイッチ１５．１の場合、ガラス薄層１１は、その両側で搬送
板１０及び１６に接合される。 これは、更にその機械的安定性を増加させる。 同時に、光学サンドイッチ１５．１は、その上面及び下面に接続面として搬送
板１０及び１６の回路基板材料を有するので、特に回路基板製造工程に十分に組
み込まれ得る。

【００２４】 図３の光学サンドイッチ１５．２の場合、第二の構造化されたガラス薄層１７
は、第一の構造化されたガラス薄層１１の上に配置され、第二の光伝導レベルを
形成するので、広いスペースをとることのない回路基板の範囲内で更なる光接続
を提供する。 第二のガラス薄層１７の場合も、好ましくは隙間が充填物１８によって充填さ
れる。

【００２５】 最後に、図４の光学サンドイッチ１５．３の場合、構造化されたガラス薄層１
１，１７は、搬送板１０の両側に充填物１４，１８で充填された隙間を備えられ
るので、ガラス薄層１１と１７との間には明確な分離が与えられる。 ガラス薄層及び搬送板の他の組み合わせも、本発明の範囲内で考えられること
は自明である。

【００２６】 完成した光学サンドイッチ１５及び１５．１〜１５．４は、パイルアップにお
いて、両側を金属化され、光信号及び電気信号に対して完成した回路基板を形成
するために接続される従来の電気回路基板に結合される。 これらのサンドイッチの機械的安定性は、製造工程への問題のない組み込みを
可能にする。 図７の断面図にて図示されるように、一例として示されたそのような回路基板
３０は、三つの光伝導レベルと二つの電気伝導レベルを有する。 回路基板３０の（三つの）光伝導レベルＯＬは、図２に係る三つの光学サンド
イッチ１５．１によって形成される。 夫々従来の誘電層１９，２０からなり両側を金属層２１，２２及び２３，２４
（例えば銅ラミネーション）で被覆された二つの電気伝導レベルＥＬが、光伝導
レベルＯＬの間に交互に配置される。 全ての層は、共に圧着されるか又は接着剤で接着される。 光伝導レベルＯＬのガラス薄層及び電気伝導レベルＥＬの金属層の両方が回路
基板３０の必要性に従って構造化され、そこで電気伝導レベルＥＬの形成は周知
の方法で（例えば、金属層２１〜２４をエッチングすることによって）成し遂げ
られるが、金属層２１〜２４の構造化は、簡略のために図７において図示されて
いない。 もちろん、多層回路基板の技術分野において公知であり、従来から利用されて
いるような通し接点（Durchkontaktierungen）も、導電レベルＥＬの間に備えら
れてもよい。

【００２７】 光学的に有効な素子又はチップ２５，２７が光伝導レベルＯＬを経由して互い
に又は光入力或いは出力、プラグ接続等に接続されることになっている場合、連
結開口部２６，２８が回路基板３０の上側及び／又は下側に配置される構成素子
２５，２７の光接続のために回路基板３０内に導入され、これらの連結開口部は
、外側から光伝導レベルＯＬに隠されて置かれているガラス薄層１１及び光接続
１３への経路を備える。 従って、回路基板に配置される単に電子的なチップは、通し接点によって、電
気伝導レベルＥＬに接続され得る（図７には図示せず。）。

【図面の簡単な説明】

【図１】 Ａ〜Ｄは、本発明の好ましい実施例に係る構造化されたガラス薄層を有する「
光学サンドイッチ」の多様な製造段階を示す部分断面斜視図である。

【図２】 図１Ｄに代わって二枚の搬送板の間にガラス薄層を有する別の実施例を示す図
である。

【図３】 図１Ｄに代わって搬送板の片側に順次重ねられて配置される二層のガラス薄層
を有する別の実施例を示す図である。

【図４】 図１Ｄに代わって搬送板の両側に二層のガラス薄層を有する別の実施例を示す
図である。

【図５】 光学的に適合した充填物によって充填されるガラス薄層の隙間を有する図１Ｄ
に係る光学サンドイッチの拡大断面図である。

【図６】 図５に代わって反射層によって形成される構造化されたガラス薄層上の被覆を
有する別の実施例を示す図である。

【図７】 間に配置される二つの電気伝導レベルによって互いに分離される図２に係る三
つの光伝導レベルを有する本発明に係る回路基板（サンドイッチ）の実施例を示
す図である。

【符号の説明】

１０，１６ 搬送板 １１，１７ ガラス薄層 １２ 隙間 １３ 光伝導体 １４，１８ 充填物 １５；１５．１〜１５．３ 光学サンドイッチ １９，２０ 誘電層 ２１〜２４ 金属層（例えばＣｕ） ２５，２７ 光学的に有効な構成要素（光チップ） ２６，２８ 連結開口部 ２９ 反射層 ３０ 回路基板 ＥＬ 電気伝導レベル ＯＬ 光伝導レベル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光信号をリレーするための少なくとも一つの光伝導レベル（
   ＯＬ）とともに電気信号及び／又は電流をリレーするための少なくとも一つの電
   気伝導レベル（ＥＬ）を有する回路基板であって、 前記伝導レベル（ＥＬ，ＯＬ）が回路基板内のパイルアップで、相互に接続し
   、次々と重ねられて配置されており、伝導素子としての光伝導レベル（ＯＬ）が
   少なくとも一層のガラス薄層（１１，１７）からなることを特徴とする回路基板
   （３０）。
2. 【請求項２】 前記光伝導レベル（ＯＬ）が、前記最少で一層のガラス薄層
   （１１，１７）に加えて、前記最少で一層のガラス薄層（１１，１７）に全面に
   亘って接合される少なくとも一枚の搬送板（１０，１６）からなる光学サンドイ
   ッチ（１５，１５．１〜１５．３）により形成されることを特徴とする請求項１
   記載の回路基板。
3. 【請求項３】 前記光学サンドイッチ（１５．１）が、間に配置される最少
   で一層のガラス薄層（１１）を有する少なくとも二枚の搬送板（１０，１６）か
   らなることを特徴とする請求項２記載の回路基板。
4. 【請求項４】 前記光学サンドイッチ（１５．２，１５．３）が、前記最少
   で一枚の搬送板（１０）に全面に亘って接合される少なくとも二層のガラス薄層
   （１１，１７）からなることを特徴とする請求項２記載の回路基板。
5. 【請求項５】 前記最少で二層のガラス薄層（１１，１７）が、前記全面に
   亘って共に接合し、且つ前記最少で一枚の搬送板（１０）の片側に配置されるこ
   とを特徴とする請求項４記載の回路基板。
6. 【請求項６】 前記最少で二層のガラス薄層（１１，１７）が、前記最少で
   一枚の搬送板（１０）の両側に配置されることを特徴とする請求項４記載の回路
   基板。
7. 【請求項７】 前記搬送板（１０，１６）が各々、電気回路基板の製造のた
   めの基本物質として使用される電気絶縁材、好ましくはアラミド強化樹脂ででき
   ていることを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の回路基板。
8. 【請求項８】 前記ガラス薄層（１１，１７）が、１．１mm以下の厚さを有
   し、且つホウケイ酸ガラスでできていることを特徴とする請求項１〜７のいずれ
   かに記載の回路基板。
9. 【請求項９】 前記ガラス薄層（１１，１７）及び前記搬送板（１０，１６
   ）が、共に圧着されるか或いは接着剤で接着されることを特徴とする請求項１〜
   ８のいずれかに記載の回路基板。
10. 【請求項１０】 少なくとも個々の前記ガラス薄層（１１，１７）が、連続
    的な層として設計されることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の回路
    基板。
11. 【請求項１１】 少なくとも個々の前記ガラス薄層（１１，１７）が、前記
    層内に、隙間（１２）によって分離された個々の光伝導体（１３）を形成するよ
    うに構造化されることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の回路基板。
12. 【請求項１２】 前記個々の光伝導体（１３）の曝された表面が、反射層（
    ２９）で被覆されることを特徴とする請求項１１記載の回路基板。
13. 【請求項１３】 前記光伝導体（１３）の間の前記隙間（１２）が、充填物
    （１４，１８）を充填されることを特徴とする請求項１１或いは１２記載の回路
    基板。
14. 【請求項１４】 連結開口部（２６，２８）が、前記回路基板（３０）の上
    側及び／又は下側に配置された光学的に活性な素子（２５，２７）の光学的結合
    のために備えられるので、光伝導レベル（ＯＬ）内に位置する隠された前記ガラ
    ス薄層（１１，１７）又は前記光導電体（１３）がこれらの連結開口部を経由し
    て外側からアクセス可能であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記
    載の回路基板。
15. 【請求項１５】 第一工程で、少なくとも一層のガラス薄層（１１，１７）
    が光学サンドイッチ（１５，１５．１〜１５．３）を形成するために全面に亘っ
    て少なくとも一枚の搬送板（１０，１６）に接合し、第二工程で、前記光学サン
    ドイッチ（１５，１５．１〜１５．３）がパイルアップの配置において一つ以上
    の電気伝導レベル（ＥＬ）を有する光伝導レベル（ＯＬ）として回路基板（３０
    ）に接続されることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の回路基板の
    製造方法。
16. 【請求項１６】 前記ガラス薄層（１１，１７）及び前記搬送板（１０，１
    ６）が好ましくは共に圧着及び／又は接着剤により接合されることを特徴とする
    請求項１５記載の方法。
17. 【請求項１７】 前記搬送板（１０，１６）に接合される前記ガラス薄層（
    １１，１７）が、第一工程と第二工程との間で構造化されることを特徴とする請
    求項１５或いは１６記載の方法。
18. 【請求項１８】 前記ガラス薄層が、隙間（１２）によって互いに分離され
    た個々の光伝導体（１３）を形成する前記ガラス薄層（１１，１７）を構造化す
    るために、ある所定の範囲を除去されることを特徴とする請求項１７記載の方法
    。
19. 【請求項１９】 前記ガラス薄層（１１，１７）の前記除去が、レーザー又
    は機械的若しくは化学的方法によって成し遂げられることを特徴とする請求項１
    ８記載の方法。
20. 【請求項２０】 前記ガラス薄層（１１）の自由表面範囲が、蒸着、ガルバ
    ニック析出又は化学析出によって好ましくは金属でできている反射層（２９）で
    被覆されることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれかに記載の方法。
21. 【請求項２１】 構造化された前記ガラス薄層（１１，１７）の前記隙間（
    １２）が、前記ガラス薄層（１１，１７）のガラスの屈折率よりも低い屈折率を
    有する充填物（１４，１８）で充填されることを特徴とする請求項１７〜２０の
    いずれかに記載の方法。