JP2002368304A

JP2002368304A - ホール素子

Info

Publication number: JP2002368304A
Application number: JP2001172923A
Authority: JP
Inventors: Masato Terada; 正人寺田; Hideki Araki; 秀輝荒木
Original assignee: Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Current assignee: Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority date: 2001-06-07
Filing date: 2001-06-07
Publication date: 2002-12-20

Abstract

(57)【要約】【課題】パッケージ厚を変えることなくホール出力電
圧の大きなホール素子を提供すること。【解決手段】ホール素子１は、実装基板６の表面に設
置されているとともに、磁界を検出できる樹脂パッケー
ジに収納されている。ホール素子１の内部構成は、実装
基板６側からリードフレーム５、ペレット３、感磁面
２、磁気集束チップ４と順番に配置され、この磁気集束
チップ４側から磁束を受けるような形態を有している。
リードフレーム５は、樹脂パッケージ７より外側の部分
が樹脂パッケージ７の底面に対して平行な部分からな
り、リードフレーム５が樹脂パッケージ７の底面の２辺
から外側に向けて直ぐに水平となるように構成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ホール素子に関
し、より詳細には、ホール効果を利用した半導体磁電変
換素子のような、磁界の磁束密度に比例した電圧信号を
取り出すように構成されたホール素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のホール素子は、最近の電子機器、
特に、ＶＴＲやパソコンのＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯ
Ｍに使用される精密制御の小型ＤＣブラシレスモータの
無接触センサとして広く使われている。また、小型モー
タ以外にも、無接触の位置センサや電流センサ等の分野
に今後の展開が期待されている。

【０００３】一般的に、電子部品のパッケージ形状は、
プリント配線基板への接続方法によって２つの方法に分
類できる。それはリード挿入型と表面実装型の２つであ
る。リード挿入型は、パッケージのリードを基板のスル
ーホールに挿入して半田付けするもので、ピン数が増加
するとパッケージサイズが容易に大きくなる欠点があ
る。一方、表面実装型は、リードを基板の表面に半田付
けして実装するもので、小型化・薄型化や多機能化の要
求から開発されたものである。表面実装型がリード挿入
型に代わってプリント配線基板上に適用されるようにな
り、配線基板上の部品実装密度が急速に向上してきた。
表面実装型は、小型化や薄型化のメリットばかりでな
く、組立の自動化や電気的特性面で有利なことも分かっ
てきており、広く普及している。

【０００４】図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は、最近の小
型トランジスタに用いられている各種のパッケージ形状
を示す図で、図２（ａ）は主流であるガルウイングタイ
プ、図２（ｂ），（ｃ）はさらなる薄型化、搭載可能な
チップサイズ拡大を狙ったフラットリードタイプおよび
リードレスタイプを示している。なお、図中符号１１は
リードフレーム，１３はフラットリードフレーム、１５
は挿入リード、１２，１４，１６はパッケージを示して
いる。

【０００５】ホール素子に用いられるパッケージ形状
は、一般的にダイオードやトランジスタなどのディスク
リート部品と同様に発展してきている。当初はプリント
配線基板に挿入孔を設け、この挿入孔にリードを挿入し
て基板の反対側で半田付け固定されるリード挿入型が主
体であったが、最近では表面実装型がやはり主流になっ
ている。

【０００６】図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は、これまで
にホール素子に用いられているパッケージ形状の一例を
示す図で、図３（ａ）に示すホール素子のパッケージ形
状は、ガルウイングタイプのリード形状を有する表面実
装型のパッケージで、図３（ｂ）はＤＩＰ型、図３
（ｃ）はＳＩＰ型と呼ばれるパッケージを示している。
なお、図中符号２１は実装基板、２２は感磁面、２３は
磁気集束チップ、２４は素子基板、２５はリードフレー
ム、２６はモールド樹脂を示している。

【０００７】図３（ａ）のホール素子の内部構成は、磁
気増幅型と呼ばれるもので、ＩｎＳｂ薄膜等からなる感
磁面２２をフェライト等の強磁性体材料からなる磁気増
幅用の磁気集束チップ２３と、同じく強磁性体材料から
なる基板でサンドイッチした構造からなる素子基板２４
をリードフレーム２５上に設け、これらをモールド樹脂
２６で封止された構造を有している。リード形状は、表
面実装型のガルウイングタイプで、半田接合部に働く熱
応力的にも有利な形状であり、現在の表面実装タイプの
代表的な形状となっている。

【０００８】ガルウイングタイプのリード形状の曲げ方
式として、一般的に曲げ金型が用いられる。主な曲げ金
型としては、曲げポンチが垂直方向に降りてリードをし
ごきながら曲げダイにならった形状にするしごき方式
と、曲げポンチがカム機構により斜めにリードに当たっ
て成形されしごき量を低減したカム方式と、ポンチの代
わりにローラーを使いリードをしごかないようにしたロ
ーラー方式とがある。最近では、リードへの負荷低減、
およびフォーミング形状の安定性の観点からローラー方
式が多く用いられている。

【０００９】こうしたリードフレームの曲げ加工を安定
に行うためには、曲げ加工するリード部分にある程度以
上の長さがあった方が容易である。ガルウイングタイプ
の場合、パッケージ側で下方向に曲げられ、リード先端
部が反対の上方向に曲げられるため、曲げ加工するリー
ド部分が短いと、狭い範囲で曲げるためにクラック等が
発生し、曲げ形状が安定しないなどの不具合が起こり易
くなる。こうした理由から、実際に用いられているガル
ウイングタイプのパッケージでは、リードフレーム上下
に肉厚差が設けられているのが一般的であり、通常、リ
ードフレームが曲げられる方向の肉厚が厚くなっている
形状が用いられる。

【００１０】パッケージ内部に組み込まれるチップある
いはペレットは、パッケージ肉厚が厚い側に搭載される
ため、その結果として、図３（ａ）に示すように、ガル
ウイングタイプのホール素子では、磁界を感知する感磁
面は下向き、すなわち実装基板側を向いて配置されるの
が一般的である。

【００１１】また、リードフレームの曲げ加工を行う
際、曲げ方式や条件にも依るが、曲げ加工時にリードへ
の応力が発生し、多かれ少なかれモールド樹脂ボディと
リードとの境界部で口開きと呼ばれる空隙等の欠陥を発
生させる可能性がある。リードフレームの曲げ加工で発
生する空隙の大きさは、パッケージ厚み等の樹脂厚みに
よっても異なる。すなわち、図３（ａ）のホール素子断
面形状において、リードフレームのアイランド上にチッ
プを搭載する側をアイランド下側、反対側のチップを搭
載しない側をアイランド上側とした時、リードを曲げる
方向の反対側であるアイランド上側に大きな応力が掛か
ることになる。

【００１２】本発明者らの検討によれば、曲げ加工で発
生する応力による口開きは、アイランド上側の樹脂厚み
の影響が大きく、薄肉化した場合は口開き発生の程度が
大きくなる傾向がみられた。したがって、フォーミング
曲げ加工による欠陥を発生させないためには、下限とす
べき厚さが存在し、ミニモールド型、スーパーミニモー
ルド型サイズで約１５０μｍ程度であった。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、ガル
ウイングタイプのリード形状を有するホール素子では、
感磁面を有するペレットが、実装後下向きの状態で配置
される。通常、磁石面は実装された後のホール素子の表
面側、すなわちリードフレームに対してペレットが搭載
されていない側に配置されるため、磁界を検知する感磁
面との間に物理的ギャップが発生してしまう状況となっ
ていた。ホール素子の出力は、磁石から感磁面までの距
離に大きく影響されるため、こうしたギャップがホール
素子の出力（感度）を阻害する大きな要因となってい
た。

【００１４】また、フォーミング曲げ加工における欠陥
発生を抑制するためにパッケージ強度が重要であり、パ
ッケージ強度を確保するためにパッケージ樹脂厚の厚肉
化の効果が大きいことは前述の通りである。従来のガル
ウイング形状のホール素子では、曲げ加工による不具合
抑制のために、曲げ方向と反対側のアイランドからパッ
ケージ表面までの樹脂厚みを薄くすることが出来ず、そ
の結果、パッケージ内に入れられる許容チップ高さが制
限されることとなっていた。

【００１５】すなわち、図３（ａ）に示すような、磁気
増幅型のホール素子の場合、磁気増幅用の磁気集束チッ
プ２３の高さが制限され、ホール素子の出力は、磁気集
束チップ２３の高さが高い程大きな出力が得られるた
め、ホール素子からの出力（感度）を制限することに繋
がっていた。例えば、パッケージ厚１．１ｍｍのミニモ
ールドタイプでは、磁気集束チップ２３の高さが０．２
７ｍｍであり、パッケージ厚０．８ｍｍのスーパーミニ
モールドでは、磁気集束チップ２３の高さが０．１８ｍ
ｍで、ほぼ上限のチップ高さであり、樹脂パッケージ２
６の厚さに対する磁気集束チップ２３の厚さの比率は、
それぞれ２４．５％、２２．５％であった。

【００１６】本発明は、パッケージ厚が０．８ｍｍ以下
の薄型素子に対して特に有効である。パッケージ厚みが
ある程度以上厚いと、従来のガルウイング型でも、ある
高さ以上の磁気集束チップを載せることができ、磁気増
幅効果は実用的にホール素子が使われている磁束密度の
範囲では、ある高さ以上の磁気集束チップの場合、磁束
の飽和現象により増幅効果が小さくなるため、本発明の
効果は小さくなる。

【００１７】さらに、本発明は、パッケージ厚さに対す
る磁気収束チップの高さの比率を３０％以上としたい場
合にさらに大きな効果が発揮される。すなわち、従来制
限されていた磁気集束チップの高さを、パッケージ厚み
を維持したまま高くするための方法を提供するものであ
る。

【００１８】すなわち、磁気増幅型ホール素子をフラッ
トリード型パッケージに搭載し、特にパッケージ厚０．
８ｍｍ以下の薄型素子において、さらに磁気増幅用の磁
気集束チップ高さをパッケージ厚みに対して３０％以上
としたとき、本発明の効果は最大限に発揮されるもので
ある。

【００１９】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、従来のガルウイン
グ型のホール素子に比べてパッケージ厚を変えることな
く、ホール出力電圧の大きな、すなわち高感度なホール
素子を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、実装基
板（６）の表面に設置され、磁界を検出できる樹脂パッ
ケージされたホール素子（１）であって、該ホール素子
（１）は、感磁面（２）を有するペレット（３）と、該
ペレット（３）が固定されるペレット設置面（５ａ）を
有するリードフレーム（５）とを備え、前記リードフレ
ーム（５）の形状は、前記樹脂パッケージ（７）より外
側の部分が該樹脂パッケージ（７）の底面に対して平行
な部分からなり、該リードフレーム（５）が前記樹脂パ
ッケージ（７）の底面の２辺から外側に向けて直ぐに水
平となっていることを特徴とする。

【００２１】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記ペレット（３）の感磁面
（２）に磁気集束チップ（４）を備えたことを特徴とす
る。

【００２２】また、請求項３に記載の発明は、請求項２
に記載の発明において、前記ホール素子の内部構成が、
前記基板（６）側から前記リードフレーム（５）、前記
ペレット（３）、前記感磁面（２）、前記磁気集束チッ
プ（４）と順番に配置され、該磁気集束チップ（４）側
から磁束を受けるような形態を有することを特徴とす
る。

【００２３】従来のガルウイング形状のホール素子で
は、プリント配線基板に実装された後の素子形態は、磁
界を感知する感磁面を擁するペレットがリードフレーム
を介して磁石面と同一の向きに配置されるため、検出距
離を小さくすることに限界があった。これに対して、本
発明の磁気増幅構造を有するホール素子をフラットリー
ド型パッケージに組み込むことにより、感磁面を磁石面
と対向させる配置が可能となり、検出距離を大幅に縮め
られるようになったため、出力の大きな、すなわち高感
度なホール素子が得られるようになった。

【００２４】また、リードフレームの曲げ加工を伴う従
来のガルウイング形状では、曲げ加工時に発生する応力
に耐えるパッケージ強度を保つため、曲げ方向と反対側
のアイランドからパッケージ表面までの樹脂厚みを薄く
することが出来なかった。これに対して、本発明の磁気
増幅構造を有するホール素子をリードの曲げ加工の無い
フラットリード型パッケージに組み込むことにより、パ
ッケージ強度に対する要求が緩和され、磁気集束チップ
を載せない側のアイランドからパッケージ表面までの樹
脂厚みを薄くすることが可能となり、その分、パッケー
ジ全体厚を変えない場合には、磁気集束チップの高さを
高くすることができるようになり、出力の大きな、すな
わち高感度なホール素子が得られるようになった。ま
た、磁気集束チップの高さを変えない場合にはパッケー
ジ全体厚を薄くできるようになった。

【００２５】さらに、本発明の副作用として、フォーミ
ング加工プロセスを省略できる、またリードフレームの
曲がり、ねじれや反りなどの外観不良検査を省略でき
る、さらに、リードフレームの単位面積当たりの素子取
れ数をアップできる等のコストダウン効果も期待でき
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例について説明する。

【００２７】[実施例１]図１は、本発明のホール素子の
一実施例を示す断面図で、図中符号１はホール素子、２
は感磁面、３はペレット、４は磁気集束チップ、５はリ
ードフレーム、５ａはペレット設置面、６は実装基板、
７は樹脂パッケージを示している。

【００２８】ホール素子１は、実装基板６の表面に設置
されているとともに、磁界を検出できる樹脂パッケージ
に収納されている。ホール素子１は、感磁面２および磁
気集束チップ４を有するペレット３と、このペレット３
が固定されるペレット設置面５ａを有するリードフレー
ム５とを備えている。

【００２９】リードフレーム５は、樹脂パッケージ７よ
り外側の部分が樹脂パッケージ７の底面に対して平行な
部分からなり、リードフレーム５が樹脂パッケージ７の
底面の２辺から外側に向けて直ぐに水平となるように構
成されている。

【００３０】また、ホール素子１の内部構成は、実装基
板６側からリードフレーム５、ペレット３、感磁面２、
磁気集束チップ４と順番に配置され、この磁気集束チッ
プ４側から磁束を受けるような形態を有している。

【００３１】次に、本発明のホール素子の作製方法につ
いて以下に説明する。まず、厚さ０．２５ｍｍのフェラ
イト基板上に、真空蒸着法で形成された厚さ０．８μｍ
のＩｎＳｂ薄膜を、絶縁性接着剤を介して貼り合わせ
る。そして、ＩｎＳｂ薄膜上に受感部や電極をエッチン
グおよびメッキで作製し、さらに形成された受感部上に
絶縁性接着剤を介して、フェライトからなる高さ０．１
８ｍｍの磁気集束チップを載せた磁気増幅型のペレット
を作製した。

【００３２】次に、作製したペレットを、実施例１につ
いては、フラットリード型のリードフレーム上に、図３
（ａ）に示す比較例１については、ガルウイング型のリ
ードフレーム上に各々ダイボンディングし、さらにワイ
ヤーボンディングしてペレットの電極とリードフレーム
とを金線で接続した。次いで、実施例１については、フ
ラットリード型のモールド金型でエポキシ系モールド樹
脂を用いて成形し、比較例１については、ガルウイング
用のモールド金型を用いて封止した。なお、両モールド
金型ともパッケージ総厚が０．８ｍｍになるよう金型を
設定した。

【００３３】この後、実施例１はフォーミング不要のフ
ラットリード型であるため、バリ取りやリードメッキ、
トリミング工程を経てサンプルとした。一方、比較例１
については、ガルウイング型のパッケージであり、バリ
取りやリードメッキ、トリミングおよびフォーミング工
程を経てサンプルとした。前述したプロセスに従って、
実施例１と比較例１ともにそれぞれ１０万個ずつホール
素子を試作した。

【００３４】こうして作製したホール素子をプリント配
線の基板上に表面実装してホール出力電圧（感度）を測
定した。この時、プリント配線の基板面からホール素子
の表面までの距離は、実施例１と比較例１ともに同一に
なるように設定し、その高さは、約０．８５ｍｍであっ
た。実装後のパッケージ内部の感磁面と外部に設置した
磁石面の位置関係は、実施例１では感磁面と磁石面が対
向する配置、比較例１では感磁面を擁するペレットがリ
ードフレームを介して磁石面と同一の向きに配置される
形態となる。

【００３５】ホール出力電圧の測定結果を以下の表１に
示す。測定条件は、定電圧駆動とし、印加磁界Ｂを５０
ｍＴ、入力電圧Ｖｉｎを１Ｖとした。この時、実装基板
面から磁石面までの距離は約２０ｍｍであり、実施例１
と比較例１ともに同じ測定計で測った。

【００３６】

【表１】ホール出力電圧

【００３７】フラットリード型のパッケージを用いるこ
とにより、磁気集束チップの高さ等同じ構成からなるペ
レットを組み込んだ場合でも、磁石面と感磁面の距離を
近付けることができ、その効果として、約３２％のホー
ル電圧の向上、すなわち感度アップがみられた。

【００３８】[実施例２]実施例１と同様、以下のような
プロセスでホール素子を試作した。まず、厚さ０．２５
ｍｍのフェライト基板上に、真空蒸着法で形成された厚
さ０．８μｍのＩｎＳｂ薄膜を、絶縁性接着剤を介して
貼り合わせる。そして、ＩｎＳｂ薄膜上に受感部や電極
をエッチングおよびメッキで作製し、さらに形成された
受感部上に絶縁性接着剤を介してフェライトからなる磁
気集束チップを載せた磁気増幅型のペレットを作製し
た。

【００３９】次に、作製したペレットを厚さ０．１ｍｍ
のリードフレーム上にダイボンディングし、さらにワイ
ヤーボンディングしてペレットの電極とリードフレーム
とを金線で接続し、次いで、エポキシ系モールド樹脂で
パッケージした。この後、バリ取りやリードメッキ、ト
リミング工程を経て、フラットリード形状を有する１０
万個のホール素子を試作した。

【００４０】パッケージ厚は０．８ｍｍとし、比較例１
は従来のガルウイング型パッケージであり、磁気集束チ
ップの高さは０．１８ｍｍとし、パッケージ厚さに対す
る磁気集束チップの厚さの比率は２２．５％であった。
この時、磁気集束チップの上面からパッケージ表面まで
のスキン層厚は０．１１ｍｍであり、また、ペレットと
反対側のアイランドからパッケージ表面までの厚みは、
フォーミング時の応力に耐えられるよう０．１６ｍｍと
した。

【００４１】一方、本発明のフラットリード型パッケー
ジに搭載した実施例２では、磁気集束チップ上面からパ
ッケージ表面までのスキン層厚を比較例１と同様に０．
１１ｍｍとした場合、磁気集束チップ高さを０．２７ｍ
ｍとすることができ、パッケージ厚さに対する磁気集束
チップの厚さの比率は３３．８％とすることができる。
またこの時、ペレットと反対側のアイランドからパッケ
ージ表面までの厚みは、フォーミング工程が不要なため
応力に対するパッケージ強度の要求が緩和され、０．０
７ｍｍとした。

【００４２】表２に実施例２と比較例１で作製したホー
ル素子のホール出力電圧（感度）比較を示す。測定条件
は、定電圧駆動とし、印可磁界Ｂを５０ｍＴ、入力電圧
Ｖｉｎを１Ｖとした。

【００４３】

【表２】ホール出力電圧

【００４４】フラットリード型のパッケージを用いるこ
とにより、パッケージ厚みを変えないまま磁気集束チッ
プの高さを０．１８ｍｍから０．２７ｍｍと高くするこ
とができ、また、感磁面と磁石面を近付けられる効果と
相まって約４３％のホール出力電圧の向上、すなわち感
度アップがみられた。

【００４５】また、実施例２および比較例１のホール素
子をＪＩＳＣ７０２１に準拠した信頼性試験、すなわ
ち湿度放置、高温通電、高温放置、温度サイクル試験で
信頼性を評価したところ、実施例２と比較例１ともに問
題はみられなかった。

【００４６】[実施例３]図４は、本発明のホール素子の
他の実施例を示す断面図で、図中符号３１は磁気集束チ
ップを持たないタイプのホール素子、３２は感磁面、３
３はぺレット、３４はリードフレーム、３５はモールド
樹脂、３６は実装基板を示している。

【００４７】次に、本発明のホール素子の作製方法につ
いて以下に説明する。

【００４８】まず、実施例３では、セラミック基板上に
真空蒸着法で形成された厚さ０．８μｍのＩｎＳｂ薄膜
を、絶縁性接着剤を介して貼り合わせる。そしてＩｎＳ
ｂ薄膜上の受感部や電極をエッチングおよびメッキで作
製し、さらに形成された受感部上をシリコーン樹脂で覆
いぺレットを作製した。

【００４９】次に、作製したぺレットを、実施例３につ
いては、フラットリード型のリードフレーム上に、比較
例２については、ガルウイング型のリードフレーム上に
各々ダイボンディングし、さらにワイヤーボンディング
してぺレットの電極とリードフレームとを金線で接続
し、その後リードフレームの型に合ったモールド金型を
用いてモールド樹脂で封止した。

【００５０】次いで、実施例３は、パリ取り、リードメ
ッキ、トリミング処理を行い、また比較例２について
は、フォーミング処埋も加えて、それぞれ１０万個ずつ
のホール素子を試作した。

【００５１】こうして作製したホール素子をプリント配
線の基板上に表面実装してホール出力電圧を測定した。
実装後のパッケージ内部の感磁面と外部に設置した磁石
面の位置関係は、実施例３では開示面と磁石面が対向す
る配置、比較例２では感磁面を擁するぺレットがリード
フレームを介して磁石面と同一の向きに配置される形態
となる。

【００５２】ホール出力電圧の測定結果を以下の表３に
示す。測定条件は、定電圧駆動とし、印加磁界Ｂを５０
ｍＴ、入力電圧Ｖｉｎを１Ｖとした。

【００５３】

【表３】ホール出力電圧

【００５４】フラットリード型パッケージを用いること
により、磁石面と感磁面の距離を近づけることができ、
その効果として、約２４％の感度アップがみられた。

【００５５】[実施例４]実施例４でほ半導体材料として
ＧａＡｓを用いたホール素子を作製した。先ず、ＧａＡ
ｓ基板にＳｉイオンをイオン注入し、アルシンアニ―ル
を施した後、エッチングで受感部、次いで蒸着で電極を
形成しぺレットを作製した。

【００５６】作製したぺレットは、実施例４については
フラットリード型形状に、比較例３についてはガルウイ
ング型形状に、前述の実施例３および比較例２と同様な
処理を行って、１０万個ずつサンプルを試作した。

【００５７】こうして作製したホール素子をプリント配
線の基板上に表面実装してホール出力電圧を測定した。
実装後のパッケージ内部の感磁面と外部に設置した磁石
面の位置関係は、実施例３では開示面と磁石面が対向す
る配置、比較例２では感磁面を擁するぺレットがリード
フレームを介して磁石面と同一の向きに配置される形態
となる。

【００５８】ホール出力電圧の測定結果を以下の表４に
示す。測定条件は、定電圧駆動とし、印加磁界Ｂを５０
ｍＴ、入力電圧Ｖｉｎを６Ｖとした。

【００５９】

【表４】ホール出力電圧

【００６０】フラットリード型パッケージを用いること
により、約２２％の感度アップがみられた。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ホ
ール素子は、感磁面を有するペレットと、ペレットが固
定されるペレット設置面を有するリードフレームとを備
え、リードフレームの形状は、樹脂パッケージより外側
の部分が樹脂パッケージの底面に対して平行な部分から
なり、リードフレームが樹脂パッケージの底面の２辺か
ら外側に向けて直ぐに水平となっているので、従来のガ
ルウイング型のホール素子に比べてパッケージ厚を変え
ることなく、ホール出力電圧の大きな、すなわち高感度
なホール素子を提供することができる。また、実装後、
ペレットが上向きに配置されるため、感磁面と磁石間の
距離が近づくこととなり、実装上の観点からも有利であ
る。

【００６２】また、従来のガルウイング型では、リード
曲げ加工に伴うリード曲がり異常、ねじれや反りなどの
品質管理項目があったが、フラットリード型では曲げ加
工が無くなるため、検査収率が改善されるのは勿論、作
業プロセスの効率化、コストダウンの点からも効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のホール素子の一実施例を示す断面図で
ある。

【図２】一般的な小型トランジスタのパッケージの形態
を示す図で、（ａ）は主流であるガルウイングタイプ、
（ｂ），（ｃ）はさらなる薄型化、搭載可能なチップサ
イズ拡大を狙ったフラットリードタイプおよびリードレ
スタイプを示している。

【図３】ホール素子に用いられているパッケージの形態
を示す図で、（ａ）に示すホール素子のパッケージ形状
は、ガルウイングタイプのリード形状を有する表面実装
型のパッケージで、（ｂ）はＤＩＰ型、（ｃ）はＳＩＰ
型と呼ばれるパッケージを示している。

【図４】本発明のホール素子の他の実施例を示す断面図
である。

【符号の説明】

１ホール素子２感磁面３ペレット４磁気集束チップ５リードフレーム５ａペレット設置面６実装基板７樹脂パケージ１１リードフレーム１２，１４，１６パッケージ１３フラットリードフレーム１５挿入リード２１実装基板２２感磁面２３磁気集束チップ２４素子基板（ペレット）２５リードフレーム２６モールド樹脂３１ホール素子３２感磁面３３ぺレット３４リードフレーム３５モールド樹脂３６実装基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】実装基板の表面に設置され、磁界を検出
できる樹脂パッケージに収納されたホール素子であっ
て、該ホール素子は、感磁面を有するペレットと、該ペ
レットが固定されるペレット設置面を有するリードフレ
ームとを備え、前記リードフレームの形状は、前記樹脂
パッケージより外側の部分が該樹脂パッケージの底面に
対して平行な部分からなり、前記リードフレームが前記
樹脂パッケージの底面の２辺から外側に向けて直ぐに水
平となっていることを特徴とするホール素子。
【請求項２】前記ペレットの感磁面に磁気集束チップ
を備えたことを特徴とする請求項１に記載のホール素
子。
【請求項３】前記ホール素子の内部構成が、前記基板
側から前記リードフレーム、前記ペレット、前記感磁
面、前記磁気集束チップと順番に配置され、該磁気集束
チップ側から磁束を受けるような形態を有することを特
徴とする請求項２に記載のホール素子。