JP2002367954A - Etching equipment with ion concentration measuring device - Google Patents
Etching equipment with ion concentration measuring deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用ア
クティブマトリクス基板や半導体基板などを製造する工
程、特に湿式のエッチング工程において使用するイオン
濃度測定器付きエッチング装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process for manufacturing an active matrix substrate or a semiconductor substrate for a liquid crystal display device, and more particularly to an etching apparatus with an ion concentration measuring device used in a wet etching process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶表示装置に使用するアクティブマト
リクス基板を製造する過程では、湿式のエッチング装置
を用いるが、大量生産時において、この湿式エッチング
装置にて行うエッチング処理は、エッチング再現性とエ
ッチング精度の制御に関して、液晶表示装置の表示性能
として非常に重要なウエイトを占めている。なかでも、
イオン濃度によってエッチング特性が敏感に変化するよ
うな溶液をエッチング液として使用する場合では、当然
のことながらイオン濃度管理が非常に重要となる。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing an active matrix substrate used for a liquid crystal display device, a wet etching device is used. However, during mass production, the etching process performed by the wet etching device has an etching reproducibility and an etching accuracy. Control is a very important weight as the display performance of the liquid crystal display device. Above all,
In the case where a solution whose etching characteristics are sensitively changed depending on the ion concentration is used as an etching solution, it is naturally important to control the ion concentration.
【０００３】図３は、従来の湿式エッチング装置５０の
主要部分を模式的に示した側断面図である。この湿式エ
ッチング装置５０は、エッチング液槽５１に対して取出
管５２、供給管５３、及びドレン管５４が接続されて成
るもので、取出管５２にはバルブや流量計等を有する流
量調整機構５５が設けられ、ドレン管５４にはドレンコ
ック５６が設けられている。エッチング液槽５１には、
供給管５３を介して例えばＮＨ4 Ｆ液を含むアルカリ性
溶液などのエッチング液Ｌが供給される。またこのエッ
チング液槽５１内のエッチング液Ｌは、取出管５２を介
してスプレー口（図示略）へと取り出され、アクティブ
マトリクス基板を製造するうえでのスプレーエッチング
に供される。ＮＨ4 Ｆ液を含むアルカリ性溶液では、こ
れをそのまま使用するとエッチング液Ｌが酸性側に変化
してそのエッチングレートが増加することがある。それ
はＮＨ4 イオンがアンモニアガスとして蒸発することに
より、エッチング液Ｌ中の水酸化物イオン濃度が減少し
てＰＨが酸性側に変化し、その分、Ｆイオン濃度が相対
的に増加し、結果、プラスイオンを供給しようとして金
属がより早くイオン化するためと考えられる。FIG. 3 is a side sectional view schematically showing a main part of a conventional wet etching apparatus 50. As shown in FIG. The wet etching apparatus 50 is configured by connecting an extraction pipe 52, a supply pipe 53, and a drain pipe 54 to an etching liquid tank 51. The extraction pipe 52 has a flow rate adjusting mechanism 55 having a valve, a flow meter, and the like. , And a drain cock 56 is provided in the drain pipe 54. In the etching solution tank 51,
An etching liquid L such as an alkaline solution containing an NH 4 F liquid is supplied through a supply pipe 53. The etching liquid L in the etching liquid tank 51 is taken out to a spray port (not shown) through an extraction pipe 52, and is used for spray etching for manufacturing an active matrix substrate. When an alkaline solution containing an NH 4 F solution is used as it is, the etching solution L may change to an acidic side and the etching rate may increase. This is because the NH 4 ions evaporate as ammonia gas, so that the hydroxide ion concentration in the etching solution L decreases and the PH changes to the acidic side, and accordingly, the F ion concentration relatively increases. This is probably because the metal ionizes faster in an attempt to supply positive ions.
【０００４】そこでこれを防止するには、エッチング液
Ｌのエッチングレートを所定範囲内に保持させることが
必要となり、そのためにエッチング液ＬのＰＨ、あるい
はＦイオン濃度を適宜測定して、必要に応じてアンモニ
ア水や純水を追加しなければならなくなる。To prevent this, it is necessary to keep the etching rate of the etching solution L within a predetermined range. For this purpose, the PH or F ion concentration of the etching solution L is appropriately measured, and Ammonia water and pure water must be added.
【０００５】従来、エッチング液槽５１内でのエッチン
グ液Ｌのイオン濃度測定は、いちいち、ドレン管５４を
介してエッチング液Ｌの一部を抜き取り、これを別所設
置のイオン濃度測定器（例えばＰＨ測定器やＦイオン濃
度測定器等）で測定するというのが一般的であった。Conventionally, when measuring the ion concentration of the etching solution L in the etching solution tank 51, a part of the etching solution L is withdrawn through a drain pipe 54, and this is extracted with an ion concentration measuring instrument (for example, PH It was common to measure with a measuring instrument or an F ion concentration measuring instrument.
【０００６】このイオン濃度測定器は、図示は省略する
が、イオン濃度差のある２種類の溶液を、測定対象のイ
オンだけが透過可能なイオン選択性隔壁（特殊ガラス
製）で区画させ、このときに生じる電位差をもとにイオ
ン濃度を測定する原理になっている。Although not shown, this ion concentration measuring device separates two types of solutions having a difference in ion concentration with an ion-selective partition (made of special glass) through which only ions to be measured can pass. The principle is to measure the ion concentration based on the potential difference that sometimes occurs.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記したイオン濃度測
定器付きエッチング装置５０では、エッチング液槽５１
内において時々刻々と変化するエッチング液ＬのＰＨや
Ｆイオン濃度を随時、的確に制御することは困難であ
り、従ってそのエッチングレートを所定範囲に保持でき
ないということがあった。In the etching apparatus 50 with an ion concentration measuring device described above, the etching solution tank 51 is used.
It is difficult to control the pH or F ion concentration of the etching solution L, which changes moment by moment, accurately and at any time, so that the etching rate cannot be maintained within a predetermined range.
【０００８】そこで、上記イオン濃度測定器をエッチン
グ液槽５１へ直接挿入して、エッチング液Ｌに含まれる
水素イオンやＦイオン濃度を連続的に測定・制御するこ
とが考えられるが、時間の経過と共にイオン濃度の測定
感度が低下して正確にイオン濃度が計測できないという
ことがあった。それは、イオン濃度測定器のイオン選択
性隔壁に含まれるガラス質がアルカリ溶液に溶け出して
しまうこと、及び制御対象となるエッチング液Ｌがアル
カリ性であること等が原因となってイオン濃度測定器自
体が所定時間経過後にエッチングされてしまうためであ
る。Therefore, it is conceivable to insert the ion concentration measuring device directly into the etching liquid tank 51 to continuously measure and control the concentration of hydrogen ions and F ions contained in the etching liquid L. At the same time, the measurement sensitivity of the ion concentration is lowered, so that the ion concentration cannot be measured accurately. This is because the vitreous material contained in the ion-selective partition of the ion concentration measuring instrument is dissolved in the alkaline solution, and the etching liquid L to be controlled is alkaline, and the ion concentration measuring instrument itself is not used. Is etched after a predetermined time has elapsed.
【０００９】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あって、エッチング液槽内において時々刻々と変化する
エッチング液のイオン濃度を随時、的確に測定すること
ができるものとし、もってエッチング液のエッチングレ
ートを所定範囲内に保持することが正確且つ確実にでき
るようにしたイオン濃度測定器付きエッチング装置を提
供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to accurately and whenever necessary measure the ion concentration of an etching solution that changes every moment in an etching solution tank. It is an object of the present invention to provide an etching apparatus with an ion concentration measuring device capable of accurately and reliably maintaining an etching rate within a predetermined range.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、この目的を達
成するために、次の構成を採用した。即ち、請求項１記
載のイオン濃度測定器付きエッチング装置は、エッチン
グ液を溜めるエッチング液槽と、このエッチング液槽に
常時連通状態で接続された第１サブ液槽と、前記エッチ
ング液槽にバルブを介して接続された第２サブ液槽と、
各サブ液槽に夫々設けられたイオン濃度測定器と、を有
し、処理開始時点において第１サブ液槽にはエッチング
液槽内と同一のエッチング液が溜められ、第２サブ液槽
には純水などの清浄液が溜められており、この第２サブ
液槽内の清浄液は処理開始後の必要時期にエッチング液
槽内と同一のエッチング液に置換可能になっていること
を特徴としている。The present invention has the following features to attain the object. That is, an etching apparatus with an ion concentration measuring device according to claim 1 includes an etching liquid tank for storing an etching liquid, a first sub liquid tank connected to the etching liquid tank in a constantly communicating state, and a valve connected to the etching liquid tank. A second sub-liquid tank connected through
An ion concentration measuring device provided in each of the sub-liquid tanks. At the start of processing, the same etching liquid as that in the etching liquid tank is stored in the first sub-liquid tank, and the second sub-liquid tank A cleaning liquid such as pure water is stored, and the cleaning liquid in the second sub-liquid tank can be replaced with the same etching liquid in the etching liquid tank at a necessary time after the start of processing. I have.
【００１１】この構成であると、エッチング液中の制御
対象とする液成分のイオン濃度を第１サブ液槽に設けら
れたイオン濃度測定器によって随時測定することができ
る。With this configuration, the ion concentration of the liquid component to be controlled in the etching liquid can be measured at any time by the ion concentration measuring device provided in the first sub liquid tank.
【００１２】しかも、第１サブ液槽のイオン濃度測定器
によるイオン濃度測定と同時に、第２サブ液槽内の清浄
液をエッチング液槽内のエッチング液と置換したうえで
この第２サブ液槽に設けられたイオン濃度測定器でもイ
オン濃度測定を行い、これらの測定結果を比較すること
により、第１サブ液槽のイオン濃度測定器によるイオン
濃度測定が正しいか否かを判断することができる。In addition, the cleaning liquid in the second sub-liquid tank is replaced with the etching liquid in the etching liquid tank at the same time as the ion concentration measurement by the ion concentration measuring device in the first sub-liquid tank. The ion concentration measurement is also performed by the ion concentration measurement device provided in the apparatus, and by comparing these measurement results, it can be determined whether or not the ion concentration measurement by the ion concentration measurement device of the first sub-liquid tank is correct. .
【００１３】このようなことから、エッチング液槽内の
エッチング液のイオン濃度を正確に制御することができ
るものであり、その結果、被エッチング物質のエッチン
グレートを正確に制御でき、これを用いて製造した液晶
表示装置の表示性能を安定化させることができる。From the above, the ion concentration of the etching solution in the etching solution tank can be accurately controlled, and as a result, the etching rate of the substance to be etched can be accurately controlled. The display performance of the manufactured liquid crystal display device can be stabilized.
【００１４】また、請求項２記載のイオン濃度測定器付
きエッチング装置は、エッチング液槽に対して更に少な
くとも１つの他のサブ液槽（第３サブ液槽など）がバル
ブを介して接続されており、この第１、第２サブ液槽と
は他のサブ液槽には処理開始時点において純水などの清
浄液が溜められており、この清浄液を処理開始後の必要
時期にエッチング液槽内と同一のエッチング液に置換可
能になっていることを特徴としている。In the etching apparatus with an ion concentration measuring device according to the present invention, at least one other sub-liquid tank (such as a third sub-liquid tank) is connected to the etching liquid tank via a valve. A cleaning liquid such as pure water is stored in the first and second sub-liquid tanks at the beginning of the processing in another sub-liquid tank, and the cleaning liquid is supplied to the etching liquid tank at a necessary time after the processing is started. It is characterized in that it can be replaced with the same etching solution as the inside.
【００１５】この構成が加わると、第２サブ液槽に設け
られたイオン濃度測定器だけでなく、第３サブ液槽な
ど、更に別のサブ液槽に設けられたイオン濃度測定器を
も用いてエッチング液槽内のエッチング液のイオン濃度
を正確に測定することができる。When this configuration is added, not only the ion concentration measuring device provided in the second sub liquid tank but also the ion concentration measuring device provided in another sub liquid tank such as the third sub liquid tank is used. Thus, the ion concentration of the etching solution in the etching solution tank can be accurately measured.
【００１６】すなわち、第１サブ液槽のイオン濃度測定
器による測定結果と、第２サブ液槽内のイオン濃度測定
器による測定結果とが不一致となったときに、この第３
サブ液槽などのサブ液槽に設けられたイオン濃度測定器
による測定結果を参照することで、第１サブ液槽のイオ
ン濃度測定器に誤差がでていることの確認をすることが
できる。That is, when the measurement result obtained by the ion concentration measuring device in the first sub-liquid tank does not match the measurement result obtained by the ion concentration measuring device in the second sub-liquid tank, the third
By referring to the measurement result obtained by the ion concentration measurement device provided in the sub liquid tank such as the sub liquid tank, it is possible to confirm that an error occurs in the ion concentration measurement device of the first sub liquid tank.
【００１７】請求項３記載のイオン濃度測定器付きエッ
チング装置は、複数のサブ液槽に設けられたイオン濃度
測定器からタイムテーブルに基づいて自動的に測定結果
が取り出され、それらの比較から求めた正しい測定結果
に基づいてエッチング液槽内のエッチング液に対して所
定成分のイオン濃度調整をフィードバック制御される構
成であることを特徴としている。In the etching apparatus with the ion concentration measuring device according to the third aspect, the measurement results are automatically taken out from the ion concentration measuring devices provided in the plurality of sub-liquid tanks based on a time table, and the results are obtained by comparing them. The present invention is characterized in that the ion concentration of a predetermined component is feedback-controlled for the etching solution in the etching solution tank based on the correct measurement result.
【００１８】この構成であると、エッチング液槽内のエ
ッチング液について、正確なイオン濃度の測定と、その
測定結果に基づいた所定溶液や純水等の補充等が自動的
且つ定期的に行われるようになるので、エッチング液の
エッチングレートを所定範囲内に保持することが容易
に、しかも一層正確にできる。With this configuration, accurate measurement of the ion concentration of the etching solution in the etching solution tank and replenishment of a predetermined solution or pure water based on the measurement result are automatically and periodically performed. As a result, the etching rate of the etching solution can be easily and more accurately maintained within a predetermined range.
【００１９】請求項４記載のイオン濃度測定器付きエッ
チング装置は、エッチング液を溜めるエッチング液槽
と、このエッチング液槽に対しその槽内に溜められるエ
ッチング液の高水位部へ向けて常時連通状態で接続され
た上部サブ液槽と、前記エッチング液槽に対しその槽内
に溜められるエッチング液の低水位部へ向けて常時連通
状態で接続された下部サブ液槽と、各サブ液槽に夫々設
けられたイオン濃度測定器と、を有し、これら各イオン
濃度測定器による測定結果からエッチング液槽内のエッ
チング液におけるイオン濃度分布を測定可能になってい
ることを特徴としている。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an etching apparatus with an ion concentration measuring device, wherein an etching solution tank for storing an etching solution and a state in which the etching solution is constantly communicated with the etching solution tank toward a high water level portion of the etching solution. An upper sub-liquid tank connected to the sub-liquid tank, a lower sub-liquid tank connected to the etching liquid tank at a constant level toward a low water level of the etching liquid stored in the tank, and And an ion concentration measuring device provided, wherein the ion concentration distribution in the etching solution in the etching solution tank can be measured from the measurement results of the ion concentration measuring devices.
【００２０】この構成であると、上部サブ液槽のイオン
濃度測定器による測定結果と、下部サブ液槽のイオン濃
度測定器による測定結果とを総合的に判断することによ
り、エッチング液槽内での深さ方向でのイオン濃度分布
を知ることができるので、このイオン濃度分布が許容範
囲を逸脱しているか否かの判断が容易に行えるようにな
る。With this configuration, the measurement result of the upper sub-liquid tank by the ion concentration measuring device and the measurement result of the lower sub-liquid tank by the ion concentration measuring device are comprehensively determined, so that the etching liquid in the etching liquid tank can be determined. , It is possible to easily determine whether or not the ion concentration distribution deviates from the allowable range.
【００２１】従って、このイオン濃度分布が許容範囲を
逸脱していることが明らかになった場合に、時期を逸す
ることなく、エッチング液槽内を攪拌するといった対応
が図れることになる。Therefore, when it is found that the ion concentration distribution deviates from the allowable range, it is possible to take measures such as stirring the inside of the etching solution tank without delay.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明に係
るイオン濃度測定器付きエッチング装置１の第１の実施
の形態を模式的に示した側断面図である。この第１の実
施の形態のイオン濃度測定器付きエッチング装置１は、
エッチング液槽２と、このエッチング液槽２に第１接続
管３を介して接続された第１サブ液槽４と、エッチング
液槽２に第２接続管５を介して接続された第２サブ液槽
６と、エッチング液槽２に第３接続管７を介して接続さ
れた第３サブ液槽８とを有している。エッチング液槽２
には、取出管１０、供給管１１、及びドレン管１２が接
続され、取出管１０にはバルブや流量計等を有する流量
調整機構１３が設けられ、ドレン管１２にはドレンコッ
ク１４が設けられている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a side sectional view schematically showing a first embodiment of an etching apparatus 1 with an ion concentration measuring device according to the present invention. The etching apparatus 1 with an ion concentration measuring device according to the first embodiment includes:
An etching solution tank 2, a first sub-solution tank 4 connected to the etching solution tank 2 via a first connection pipe 3, and a second sub-solution tank connected to the etching solution tank 2 via a second connection pipe 5. It has a liquid tank 6 and a third sub liquid tank 8 connected to the etching liquid tank 2 via a third connection pipe 7. Etching liquid tank 2
Is connected to a discharge pipe 10, a supply pipe 11, and a drain pipe 12, the discharge pipe 10 is provided with a flow rate adjusting mechanism 13 having a valve, a flow meter, and the like, and the drain pipe 12 is provided with a drain cock 14. ing.
【００２３】従って、このエッチング液槽２に対し、供
給管１１を介してエッチング液Ｌが供給されることや、
このエッチング液槽２内のエッチング液Ｌが取出管１０
を介してスプレー口（図示略）へと取り出され、アクテ
ィブマトリクス基板を製造するうえでのスプレーエッチ
ングに供されること等は、従来のエッチング装置５０
（図３参照）と同様である。Accordingly, the etching liquid L is supplied to the etching liquid tank 2 through the supply pipe 11,
The etching solution L in the etching solution tank 2
Is taken out to a spray port (not shown) through a conventional etching apparatus 50 to be used for spray etching in manufacturing an active matrix substrate.
(See FIG. 3).
【００２４】エッチング液Ｌは、例えばフッ化アンモン
ＮＨ4 Ｆを含んだアルカリ溶液などとすればよい。そし
てこの場合、被エッチング物質としてはガラス基板上の
ＡＬ薄膜などとすればよい。The etchant L may be, for example, an alkaline solution containing ammonium fluoride NH 4 F. In this case, the substance to be etched may be an AL thin film on a glass substrate.
【００２５】上記第１接続管３は常時開放管とされ、従
ってエッチング液槽２と第１サブ液槽４との相互間は常
時連通状態になっている。そのため、この第１サブ液槽
４内には、エッチング液槽２に溜められるのと同一成分
のエッチング液Ｌが溜められることになる。The first connection pipe 3 is always open, so that the etching liquid tank 2 and the first sub liquid tank 4 are always in communication with each other. Therefore, in the first sub-liquid tank 4, an etching liquid L having the same component as that stored in the etching liquid tank 2 is stored.
【００２６】これに対し、第２接続管５には枝管バルブ
１５が設けられており、従ってエッチング液槽２と第２
サブ液槽６との相互間は、必要に応じて連通状態と遮断
状態とに切替可能になっている。そして、この第２サブ
液槽６には清浄液供給管１６とドレン管１７とが接続さ
れ、清浄液供給管１６には止水栓１８が設けられドレン
管１７にはドレンコック１９が設けられている。そのた
め、この第２サブ液槽６では、枝管バルブ１５及びドレ
ンコック１９を止栓したうえで止水栓１８を開栓して、
清浄液供給管１６からの清浄液を導入し溜めることがで
きるし、その後、止水栓１８を止栓したうえで必要に応
じてドレンコック１９を開栓すれば、この第２サブ液槽
６へ溜めた清浄液をドレン管１７から排水することがで
きる。On the other hand, the second connection pipe 5 is provided with a branch pipe valve 15, so that the etching solution tank 2 and the second
The space between the sub-liquid tank 6 and the sub-liquid tank 6 can be switched between a communication state and a cut-off state as needed. A cleaning liquid supply pipe 16 and a drain pipe 17 are connected to the second sub liquid tank 6, a water stopcock 18 is provided in the cleaning liquid supply pipe 16, and a drain cock 19 is provided in the drain pipe 17. ing. Therefore, in the second sub liquid tank 6, the water stopcock 18 is opened after the branch pipe valve 15 and the drain cock 19 are closed,
The cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe 16 can be introduced and stored. Then, if the water stopcock 18 is stopped and the drain cock 19 is opened as required, the second sub liquid tank 6 The clean liquid stored in the drain pipe 17 can be drained from the drain pipe 17.
【００２７】更に、この排水後にドレンコック１９を止
栓したうえで枝管バルブ１５を開くことによって、この
第２サブ液槽６へエッチング液槽２に溜められたエッチ
ング液を導入するということもできる。Further, after the drainage, the drain cock 19 is stopped and the branch pipe valve 15 is opened to introduce the etching liquid stored in the etching liquid tank 2 into the second sub liquid tank 6. it can.
【００２８】これと同様に、第３接続管７には枝管バル
ブ２０が設けられており、従ってエッチング液槽２と第
３サブ液槽８との相互間は、必要に応じて連通状態と遮
断状態とに切替可能になっている。そして、この第３サ
ブ液槽８には清浄液供給管２１とドレン管２２とが接続
され、清浄液供給管２１には止水栓２３が設けられドレ
ン管２２にはドレンコック２４が設けられている。その
ため、この第３サブ液槽８でも、枝管バルブ２０及びド
レンコック２４を止栓したうえで止水栓２３を開栓し
て、清浄液供給管２１からの清浄液を導入し溜めること
ができるし、その後、止水栓２３を止栓したうえで必要
に応じてドレンコック２４を開栓すれば、この第３サブ
液槽８へ溜めた清浄液をドレン管２２から排水すること
ができる。Similarly, the third connection pipe 7 is provided with a branch pipe valve 20, so that the etching liquid tank 2 and the third sub liquid tank 8 can be connected to each other as necessary. It can be switched to the cutoff state. A cleaning liquid supply pipe 21 and a drain pipe 22 are connected to the third sub liquid tank 8, a water stopcock 23 is provided in the cleaning liquid supply pipe 21, and a drain cock 24 is provided in the drain pipe 22. ing. Therefore, also in the third sub-liquid tank 8, it is possible to stop the branch pipe valve 20 and the drain cock 24, open the water stopcock 23, and introduce and store the cleaning liquid from the cleaning liquid supply pipe 21. After that, if the stop cock 23 is stopped and the drain cock 24 is opened as necessary, the clean liquid stored in the third sub liquid tank 8 can be drained from the drain pipe 22. .
【００２９】更に、この排水後にドレンコック２４を止
栓したうえで枝管バルブ２０を開くことによって、この
第３サブ液槽８へエッチング液槽２に溜められたエッチ
ング液を導入するということもできる。Further, after the drainage, the drain cock 24 is stopped and the branch pipe valve 20 is opened to introduce the etching liquid stored in the etching liquid tank 2 into the third sub liquid tank 8. it can.
【００３０】なお、これら第２サブ液槽６及び第３サブ
液槽８に対して清浄液供給管１６，２１により供給する
（当初、溜めておく）清浄液Ｗとしては、例えば純水と
すればよい。The cleaning liquid W supplied to the second sub-liquid tank 6 and the third sub-liquid tank 8 through the cleaning liquid supply pipes 16 and 21 (stored initially) is, for example, pure water. I just need.
【００３１】第１サブ液槽４、第２サブ液槽６、第３サ
ブ液槽８には、それぞれイオン濃度測定器２６が設けら
れている。これらイオン濃度測定器２６は、底部側にイ
オン選択性隔壁３１を有した比検液容器３０と、この比
検液容器３０内へ挿入された比検電極２９と、比検液容
器３０の容器外（各サブ液槽４，６，８内）に挿入され
たゲージ電極２８と、これら比検電極２９とゲージ電極
２８とを接続する配線中に設けられた電圧計２７とを有
している。Each of the first sub-liquid tank 4, the second sub-liquid tank 6, and the third sub-liquid tank 8 is provided with an ion concentration measuring device 26. These ion concentration measuring devices 26 include a specific test solution container 30 having an ion-selective partition wall 31 on the bottom side, a specific test electrode 29 inserted into the specific test solution container 30, and a container of the specific test solution container 30. It has a gauge electrode 28 inserted outside (in each of the sub liquid tanks 4, 6, 8), and a voltmeter 27 provided in a wiring connecting the comparative test electrode 29 and the gauge electrode 28. .
【００３２】比検液容器３０において、イオン選択性隔
壁３１は測定対象とする所定のイオンだけを透過可能と
する特殊なガラス質膜であって、この比検液容器３０に
は、イオン選択性隔壁３１が透過可能とするイオンを一
定濃度に固定した比検液Ｔが溜められる。この比検液Ｔ
は、例えば測定対象のイオンを水素イオンに設定する場
合、ＰＨ７．０の純水とすればよい。なお、この場合、
イオン選択性隔壁３１はＮａ2 Ｏを２２％、ＣａＯを６
％、ＳｉＯ2 を７２％によって形成するのが好適とな
る。またこの場合、比検電極２９には導通性の高い白金
等によって形成されたものを用いるのが好適となる。In the specific test solution container 30, the ion-selective partition wall 31 is a special glassy membrane that allows only predetermined ions to be measured to pass therethrough. A specific test solution T in which ions that can pass through the partition wall 31 are fixed at a constant concentration is stored. This specific test solution T
For example, when the ion to be measured is set to hydrogen ion, pure water having a pH of 7.0 may be used. In this case,
The ion-selective partition wall 31 contains 22% of Na 2 O and 6% of CaO.
% And SiO 2 at 72%. Further, in this case, it is preferable to use an electrode formed of highly conductive platinum or the like as the comparison electrode 29.
【００３３】このことから明らかなように、このイオン
濃度測定器２６を有する第１サブ液槽４、第２サブ液槽
６、第３サブ液槽８では、各槽内に溜められる液体のＰ
Ｈ値を、それぞれのイオン濃度測定器２６の電圧計２７
で表示される電圧値から求めることができる。As is apparent from this, in the first sub-liquid tank 4, the second sub-liquid tank 6, and the third sub-liquid tank 8 having the ion concentration measuring device 26, the P of the liquid stored in each tank is measured.
The H value is measured by a voltmeter 27 of each ion concentration measuring instrument 26.
Can be obtained from the voltage value indicated by.
【００３４】このような構成を具備したエッチング装置
１では、エッチング液槽２に溜められるエッチング液Ｌ
に対し、制御の対象とするイオン（水素イオン等）のイ
オン濃度、すなわちＰＨの濃度を、第１サブ液槽４に設
けられたイオン濃度測定器２６によって随時測定するこ
とができる。そしてこの場合、必要に応じて、又は定期
的に、枝管バルブ１５、止水栓１８及びドレンコック１
９を適宜操作して、第２サブ液槽６に当初から溜められ
ている清浄液Ｗを排水すると共にこの時点のエッチング
液槽２内のエッチング液Ｌを当該第２サブ液槽６に導入
して、このエッチング液Ｌ中の所定イオンのイオン濃度
をイオン濃度測定器２６によって測定する。In the etching apparatus 1 having such a configuration, the etching liquid L stored in the etching liquid tank 2 is used.
On the other hand, the ion concentration of ions to be controlled (such as hydrogen ions), that is, the PH concentration can be measured at any time by the ion concentration measuring device 26 provided in the first sub liquid tank 4. In this case, if necessary or periodically, the branch pipe valve 15, the water stopcock 18 and the drain cock 1
9 is appropriately operated to drain the cleaning liquid W stored in the second sub-liquid tank 6 from the beginning and to introduce the etching liquid L in the etching liquid tank 2 at this time into the second sub-liquid tank 6. Then, the ion concentration of predetermined ions in the etching solution L is measured by the ion concentration measuring device 26.
【００３５】なお、第２サブ液槽６では、イオン濃度の
測定を１回するごとに枝管バルブ１５、止水栓１８及び
ドレンコック１９を適宜操作して、槽内へ導入したエッ
チング液Ｌを排水し、再び清浄液Ｗを溜めておくように
する。In the second sub-liquid tank 6, the branch pipe valve 15, the water stopcock 18 and the drain cock 19 are appropriately operated each time the ion concentration is measured, so that the etching liquid L introduced into the tank is removed. , And the cleaning liquid W is stored again.
【００３６】このようにして第１サブ液層４で測定され
たイオン濃度と、第２サブ液槽６で測定されたイオン濃
度とを比較すれば、第１サブ液槽４で測定されたイオン
濃度が正しいか否かを判断することができる。すなわ
ち、この比較結果が一致していれば、第１サブ液層４で
測定されたイオン濃度は正確であることが判断できる。
そこでこれらの測定値に基づいて、供給管１１からエッ
チング液槽２に対してエッチング液Ｌ、アンモニア水、
あるいは純水等を追加補充して、エッチング液ＬのＰＨ
濃度を調整し、被エッチング物質のエッチングレートを
制御すればよいものである。By comparing the ion concentration measured in the first sub-liquid layer 4 with the ion concentration measured in the second sub-liquid tank 6, the ion concentration measured in the first sub-liquid tank 4 is obtained. It can be determined whether the concentration is correct. That is, if the comparison results match, it can be determined that the ion concentration measured in the first sub liquid layer 4 is accurate.
Therefore, based on these measured values, the etching solution L, ammonia water,
Alternatively, the pH of the etchant L
What is necessary is just to adjust the concentration and control the etching rate of the substance to be etched.
【００３７】また、もしこの比較結果が不一致となって
いれば、枝管バルブ２０、止水栓２３及びドレンコック
２４を適宜操作して第３サブ液槽８でも同様にイオン濃
度測定を行うようにする。If the results of the comparison do not agree with each other, the branch valve 20, the water stopcock 23, and the drain cock 24 are appropriately operated to measure the ion concentration in the third sub-liquid tank 8 in the same manner. To
【００３８】そして、この第３サブ液槽８で測定された
イオン濃度が、第１サブ液層４で測定されたイオン濃度
と不一致であり、且つ第２サブ液槽６で測定されたイオ
ン濃度と一致しているときには、第１サブ液層４のイオ
ン濃度測定器２６がエッチング状態になったことを意味
していることになる。The ion concentration measured in the third sub-liquid tank 8 does not match the ion concentration measured in the first sub-liquid layer 4 and the ion concentration measured in the second sub-liquid tank 6 When this is the case, it means that the ion concentration measuring device 26 of the first sub liquid layer 4 is in the etching state.
【００３９】そこでこれ以降は、第１サブ液槽４の使用
を停止して、第２サブ液層６と第３サブ液槽８とを用い
てイオン濃度の測定を行うようにするか、又はエッチン
グ処理を中断させるかする。Therefore, thereafter, the use of the first sub-liquid tank 4 is stopped, and the ion concentration is measured using the second sub-liquid layer 6 and the third sub-liquid tank 8, or The etching process is interrupted.
【００４０】このようにすれば、第１サブ液槽４に設け
たイオン濃度測定器２６が、常にエッチング液（アルカ
リ性溶液）に曝されているとしても、当該イオン濃度測
定器２６のイオン選択性隔壁３１がエッチングされるこ
とのみを原因とした誤差の発生（即ち、イオン濃度測定
が不可となること）を防止することができる。In this way, even if the ion concentration measuring device 26 provided in the first sub-liquid tank 4 is constantly exposed to the etching solution (alkaline solution), the ion selectivity of the ion concentration measuring device 26 can be reduced. It is possible to prevent an error caused by only the etching of the partition wall 31 (that is, the ion concentration measurement becomes impossible).
【００４１】なお、第３サブ液槽８によるイオン濃度測
定は、第１サブ液槽４と第２サブ液槽６とを併用したイ
オン濃度測定（比較判定）を繰り返してゆくなかで、更
に適当な周期で単発的に実施するものとし、もって、第
１サブ液槽４及び第２サブ液槽６で測定されたイオン濃
度に対して同時に同程度の誤差が生じているような場合
をも発見する、といった判断にも使用することができ
る。The ion concentration measurement using the third sub-liquid tank 8 is more appropriate as the ion concentration measurement (comparative judgment) using the first sub-liquid tank 4 and the second sub-liquid tank 6 is repeated. It is to be carried out spontaneously in a short cycle, and it is also possible to find a case where the same level of error occurs simultaneously in the ion concentration measured in the first sub-liquid tank 4 and the second sub-liquid tank 6. It can also be used for such a judgment.
【００４２】ところで、第１の実施の形態において、イ
オン濃度測定器２６は、ＰＨ、即ち水素イオン濃度を測
定するものとして、これでエッチングレートを制御する
旨説明したが、ＰＨのかわりにＦイオン濃度の測定器を
使用したり、ＰＨ、Ｆイオン両方を検出するためのイオ
ン濃度測定器を使用したりしてもよい。In the first embodiment, the ion concentration measuring device 26 measures the PH, that is, the hydrogen ion concentration, and describes that the etching rate is controlled by using the same. A concentration measuring device may be used, or an ion concentration measuring device for detecting both PH and F ions may be used.
【００４３】上記第１サブ液槽４、第２サブ液槽６、及
び第３サブ液槽８の各イオン濃度測定器２６において、
それらの電圧計２７から測定結果（電圧値）がタイムテ
ーブルに基づいて自動的に取り出されるようにし、且
つ、その取り出された測定結果を比較して正しい測定結
果を求め、この正しい測定結果に基づいてエッチング液
槽２内のエッチング液Ｌに対して所定成分のイオン濃度
調整をフィードバック制御させるように構成しておくこ
とができる。In each of the ion concentration measuring devices 26 of the first sub-liquid tank 4, the second sub-liquid tank 6, and the third sub-liquid tank 8,
A measurement result (voltage value) is automatically taken out from these voltmeters 27 based on a time table, and the taken out measurement results are compared to obtain a correct measurement result. The adjustment of the ion concentration of the predetermined component with respect to the etching liquid L in the etching liquid tank 2 can be feedback-controlled.
【００４４】この場合、第２サブ液槽６の枝管バルブ１
５、止水栓１８、及びドレンコック１９や、第３サブ液
槽８の枝管バルブ２０、止水栓２３、及びドレンコック
２４の操作も自動的に行われるように構成させることは
言うまでもない。In this case, the branch pipe valve 1 of the second sub liquid tank 6
5. Needless to say, the operation of the water stopcock 18 and the drain cock 19 and the operation of the branch pipe valve 20, the water stopcock 23 and the drain cock 24 of the third sub-liquid tank 8 are also performed automatically. .
【００４５】このように構成することで、エッチング液
槽１内のエッチング液Ｌについて、正確なイオン濃度の
測定と、その測定結果に基づいた所定溶液や純水等の補
充等が自動的且つ定期的に行われるようになるので、エ
ッチング液Ｌのエッチングレートを所定範囲内に保持す
ることが容易に、しかも一層正確にできることになる。With this configuration, accurate measurement of the ion concentration of the etching solution L in the etching solution tank 1 and replenishment of a predetermined solution or pure water based on the measurement result are automatically and periodically performed. Therefore, the etching rate of the etching solution L can be easily and more accurately maintained within a predetermined range.
【００４６】図２は、本発明に係るイオン濃度測定器付
きエッチング装置１の第２の実施の形態を模式的に示し
た側断面図である。この第２の実施の形態のイオン濃度
測定器付きエッチング装置１では、エッチング液槽２
と、このエッチング液槽２に上部接続管４０を介して接
続された上部サブ液槽４１と、エッチング液槽２に下部
接続管４２を介して接続された下部サブ液槽４３とを有
している。FIG. 2 is a side sectional view schematically showing a second embodiment of the etching apparatus 1 with an ion concentration measuring device according to the present invention. In the etching apparatus 1 with the ion concentration measuring device according to the second embodiment, the etching solution tank 2
And an upper sub-liquid tank 41 connected to the etching liquid tank 2 via an upper connection pipe 40, and a lower sub-liquid tank 43 connected to the etching liquid tank 2 via a lower connection pipe 42. I have.
【００４７】上部接続管４０は、エッチング液槽２に対
し槽内に溜められるエッチング液Ｌの高水位部へ向けて
接続されており、また常時開放管とされている。従っ
て、エッチング液槽２内にエッチング液Ｌが溜められた
状態では、その高水位部のエッチング液Ｌが上部サブ液
槽４１に対しても常時溜められることになる。The upper connecting pipe 40 is connected to the etching liquid tank 2 toward the high water level of the etching liquid L stored in the tank, and is always open. Therefore, when the etching liquid L is stored in the etching liquid tank 2, the etching liquid L in the high water level portion is always stored in the upper sub liquid tank 41.
【００４８】これに対し、下部接続管４２は、エッチン
グ液槽２に対し槽内に溜められるエッチング液Ｌの低水
位部へ向けて接続されており、また常時開放管とされて
いる。従って、エッチング液槽２内にエッチング液Ｌが
溜められた状態では、その低水位部のエッチング液Ｌが
下部サブ液槽４３に対しても常時溜められることにな
る。On the other hand, the lower connection pipe 42 is connected to the etching liquid tank 2 toward the low water level of the etching liquid L stored in the tank, and is always open. Therefore, in a state where the etching liquid L is stored in the etching liquid tank 2, the etching liquid L in the low water level portion is always stored in the lower sub liquid tank 43.
【００４９】これら上部サブ液槽４１や下部サブ液槽４
３には、イオン濃度測定器２６が設けられている。The upper sub liquid tank 41 and the lower sub liquid tank 4
3 is provided with an ion concentration measuring device 26.
【００５０】その他、エッチング液槽２に取出管１０、
供給管１１、ドレン管１２が接続されている点や、上部
サブ液槽４１や下部サブ液槽４３に設けられたイオン濃
度測定器２６の細部構造等は、第１の実施の形態の場合
と略同様である。In addition, the extraction pipe 10 is
The point where the supply pipe 11 and the drain pipe 12 are connected, the detailed structure of the ion concentration measuring device 26 provided in the upper sub liquid tank 41 and the lower sub liquid tank 43, and the like are the same as those in the first embodiment. It is almost the same.
【００５１】このような構成であると、上部サブ液槽４
１のイオン濃度測定器２６による測定結果と、下部サブ
液槽４３のイオン濃度測定器２６による測定結果とを総
合的に判断することにより、エッチング液槽２内での深
さ方向でのイオン濃度分布を知ることができる。With such a configuration, the upper sub liquid tank 4
By comprehensively judging the measurement result of the ion concentration measurement device 26 of the first sub-liquid tank 43 and the measurement result of the ion concentration measurement device 26 of the lower sub-liquid tank 43, the ion concentration in the etching liquid tank 2 in the depth direction is determined. You can know the distribution.
【００５２】従って、このイオン濃度分布が許容範囲を
逸脱しているか否かの判断が容易に行えるものであり、
もし、このイオン濃度分布が許容範囲を逸脱しているこ
とが明らかになった場合には、エッチング液槽２内を攪
拌すればよいことになる。Therefore, it can be easily determined whether or not this ion concentration distribution is out of the allowable range.
If it is found that the ion concentration distribution deviates from the allowable range, the inside of the etching solution tank 2 may be stirred.
【００５３】本発明は、上記各実施形態に限定されるも
のではなく、細部構造や処理手順、使用溶液などに関し
ては、実施の形態に応じて適宜変更可能である。The present invention is not limited to the above embodiments, and the detailed structure, processing procedure, solution used, and the like can be appropriately changed according to the embodiment.
【００５４】[0054]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１記載のイオン濃度測定器付きエッチング装置は、エッ
チング液槽と、これに常時連通状態で接続された第１サ
ブ液槽と、エッチング液槽にバルブを介して接続された
第２サブ液槽とを有し、各サブ液槽にイオン濃度測定器
が設けられているので、エッチング液中のイオン濃度を
第１サブ液槽で随時測定しつつ、必要に応じて第２サブ
液槽内の清浄液をエッチング液に置換してイオン濃度測
定を行い、これらの測定結果の比較から、第１サブ液槽
で得たイオン濃度が正しいか否かを判断できる。As is apparent from the above description, the etching apparatus with the ion concentration measuring device according to the first aspect of the present invention includes an etching solution tank, a first sub-solution tank connected to the etching solution tank at all times, and an etching apparatus. It has a second sub-liquid tank connected to the liquid tank via a valve, and an ion concentration measuring device is provided in each sub-liquid tank, so that the ion concentration in the etching liquid can be adjusted by the first sub-liquid tank at any time. While measuring, the cleaning liquid in the second sub-liquid tank was replaced with an etching liquid as needed to measure the ion concentration. From the comparison of these measurement results, the ion concentration obtained in the first sub-liquid tank was correct. Can be determined.
【００５５】従って、エッチング液槽内のエッチング液
のイオン濃度を正確に制御することができ、結果、被エ
ッチング物質のエッチングレートを正確に制御でき、こ
れを用いて製造した液晶表示装置の表示性能を安定化さ
せることができる。Therefore, the ion concentration of the etching solution in the etching solution tank can be accurately controlled, and as a result, the etching rate of the substance to be etched can be accurately controlled, and the display performance of a liquid crystal display device manufactured using the same can be controlled. Can be stabilized.
【００５６】請求項２記載のイオン濃度測定器付きエッ
チング装置は、エッチング液槽に対して更に第３サブ液
槽等がバルブを介して接続されているので、第１サブ液
槽で得たイオン濃度と、第２サブ液槽で得たイオン濃度
とが不一致となったときに、この第３サブ液槽等から得
られるイオン濃度から第１サブ液槽のイオン濃度測定器
に誤差がでていることの確認をすることができる。In the etching apparatus with the ion concentration measuring device according to the second aspect, since the third sub-liquid tank is connected to the etching liquid tank via a valve, the ion obtained in the first sub-liquid tank is used. When the concentration does not match the ion concentration obtained in the second sub-liquid tank, an error appears in the ion concentration measurement device of the first sub-liquid tank from the ion concentration obtained from the third sub-liquid tank and the like. You can confirm that there is.
【００５７】請求項３記載のイオン濃度測定器付きエッ
チング装置は、複数のサブ液槽に設けられたイオン濃度
測定器からタイムテーブルに基づいて自動的に得た測定
結果から、エッチング液槽内のエッチング液に対して所
定成分のイオン濃度調整がフィードバック制御されるの
で、エッチング液のエッチングレートを所定範囲内に保
持することが容易に、しかも一層正確にできる利点があ
る。According to the third aspect of the present invention, an etching apparatus with an ion concentration measuring device is provided in the etching solution tank based on a measurement result automatically obtained from an ion concentration measuring device provided in a plurality of sub-liquid tanks based on a time table. Since the ion concentration of the predetermined component is feedback-controlled with respect to the etching solution, there is an advantage that the etching rate of the etching solution can be easily and more accurately maintained within a predetermined range.
【００５８】請求項４記載のイオン濃度測定器付きエッ
チング装置は、エッチング液槽と、その高水位部に常時
連通する上部サブ液槽と、その低水位部に常時連通する
下部サブ液槽とを有して、各サブ液槽にイオン濃度測定
器が設けられているので、これら各イオン濃度測定器に
よる測定結果からエッチング液槽内の深さ方向でのイオ
ン濃度分布を知ることができ、結果、必要時にエッチン
グ液槽内を攪拌して、イオン濃度分布を均一にできる利
点がある。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an etching apparatus with an ion concentration measuring device, comprising: an etching solution tank, an upper sub-liquid tank constantly communicating with a high water level portion thereof, and a lower sub-liquid tank constantly communicating with a low water level portion thereof. Since each sub-liquid tank is provided with an ion concentration measuring instrument, the ion concentration distribution in the depth direction in the etching liquid tank can be known from the measurement results by these ion concentration measuring instruments. In addition, there is an advantage that the ion concentration distribution can be made uniform by stirring the inside of the etching solution tank when necessary.
【図１】本発明に係るイオン濃度測定器付きエッチング
装置の第１の実施の形態を模式的に示す側断面図FIG. 1 is a side sectional view schematically showing a first embodiment of an etching apparatus with an ion concentration measuring device according to the present invention.
【図２】本発明に係るイオン濃度測定器付きエッチング
装置の第２の実施の形態を模式的に示す側断面図FIG. 2 is a side sectional view schematically showing a second embodiment of the etching apparatus with an ion concentration measuring device according to the present invention.
【図３】従来のエッチング装置を模式的に示す側断面図FIG. 3 is a side sectional view schematically showing a conventional etching apparatus.
１ イオン濃度測定器付きエッチング装置 ２ エッチング液槽 ４ 第１サブ液槽 ６ 第２サブ液槽 ８ 第３サブ液槽 ２６ イオン濃度測定器 ４１ 上部サブ液槽 ４３ 下部サブ液槽 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Etching apparatus with an ion concentration measuring device 2 Etching liquid tank 4 1st sub-liquid tank 6 2nd sub-liquid tank 8 3rd sub-liquid tank 26 Ion concentration measuring device 41 Upper sub-liquid tank 43 Lower sub-liquid tank
Claims (4)
と、 該エッチング液槽に常時連通状態で接続された第１サブ
液槽と、 前記エッチング液槽にバルブを介して接続された第２サ
ブ液槽と、 各サブ液槽に夫々設けられたイオン濃度測定器と、を有
し、 処理開始時点において第１サブ液槽にはエッチング液槽
内と同一のエッチング液が溜められ、第２サブ液槽には
清浄液が溜められており、該第２サブ液槽内の清浄液は
処理開始後の必要時期にエッチング液槽内と同一のエッ
チング液に置換可能になっていることを特徴とするイオ
ン濃度測定器付きエッチング装置。1. An etching solution tank for storing an etching solution, a first sub-solution tank connected to the etching solution tank in a constantly communicating state, and a second sub-solution tank connected to the etching solution tank via a valve. And an ion concentration measuring device provided in each of the sub-liquid tanks. At the start of processing, the first sub-liquid tank stores the same etching liquid as in the etching liquid tank, and the second sub-liquid tank Wherein the cleaning liquid in the second sub-liquid tank can be replaced with the same etching liquid as in the etching liquid tank at a necessary time after the start of the processing. Etching equipment with concentration measuring device.
とも１つの他のサブ液槽がバルブを介して接続されてお
り、この第１、第２サブ液槽とは他のサブ液槽には処理
開始時点において清浄液が溜められており、この清浄液
を処理開始後の必要時期にエッチング液槽内と同一のエ
ッチング液に置換可能になっていることを特徴とする請
求項１記載のイオン濃度測定器付きエッチング装置。2. An at least one other sub-liquid tank is further connected to the etching liquid tank via a valve, and the first and second sub-liquid tanks are processed in another sub-liquid tank. 2. The ion concentration according to claim 1, wherein a cleaning liquid is stored at a start time, and the cleaning liquid can be replaced with the same etching liquid in the etching liquid tank at a necessary time after the processing is started. Etching equipment with measuring instrument.
測定器からタイムテーブルに基づいて自動的に測定結果
が取り出され、それらの比較から求めた正しい測定結果
に基づいてエッチング液槽内のエッチング液に対して所
定成分のイオン濃度調整をフィードバック制御される構
成であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
イオン濃度測定器付きエッチング装置。3. A measurement result is automatically taken out from an ion concentration measuring device provided in a plurality of sub-liquid tanks based on a time table, and based on a correct measurement result obtained from a comparison between them, a measurement result in the etching liquid tank is obtained. 3. The etching apparatus with an ion concentration measuring device according to claim 1, wherein the ion concentration of a predetermined component is feedback-controlled with respect to the etching solution.
と、 該エッチング液槽に対しその槽内に溜められるエッチン
グ液の高水位部へ向けて常時連通状態で接続された上部
サブ液槽と、 前記エッチング液槽に対しその槽内に溜められるエッチ
ング液の低水位部へ向けて常時連通状態で接続された下
部サブ液槽と、 各サブ液槽に夫々設けられたイオン濃度測定器と、を有
し、 これら各イオン濃度測定器による測定結果からエッチン
グ液槽内のエッチング液におけるイオン濃度分布を測定
可能になっていることを特徴とするイオン濃度測定器付
きエッチング装置。4. An etching liquid tank for storing an etching liquid, an upper sub liquid tank connected to the etching liquid tank at a constant level toward a high water level of the etching liquid stored in the tank, and A lower sub-liquid tank that is always connected to the liquid tank toward the low water level of the etching solution stored in the liquid tank, and an ion concentration measuring device provided in each sub-liquid tank. An etching apparatus with an ion concentration measuring device, characterized in that an ion concentration distribution in an etching solution in an etching solution tank can be measured based on a measurement result by each of these ion concentration measuring devices.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001170507A JP2002367954A (en) | 2001-06-06 | 2001-06-06 | Etching equipment with ion concentration measuring device |
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Publications (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8110120B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-02-07 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of manufacturing a liquid crystal display apparatus |
-
2001
- 2001-06-06 JP JP2001170507A patent/JP2002367954A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8110120B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-02-07 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of manufacturing a liquid crystal display apparatus |
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