KR20070076191A - Equipment for cleaning semiconductor device - Google Patents

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KR20070076191A
KR20070076191A KR1020060005278A KR20060005278A KR20070076191A KR 20070076191 A KR20070076191 A KR 20070076191A KR 1020060005278 A KR1020060005278 A KR 1020060005278A KR 20060005278 A KR20060005278 A KR 20060005278A KR 20070076191 A KR20070076191 A KR 20070076191A
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Abstract

Equipment for cleaning a semiconductor is provided to uniformly mix a chemical solution with a diluent solution by including a flowrate control valve for continuously supplying a diluent solution to a cleaning bath such that the diluent solution is necessary for diluting a chemical solution put into the cleaning bath. A cleaning process is performed on a semiconductor substrate in a cleaning bath. A chemical solution is supplied to the cleaning bath by a chemicals supply part. A diluent solution for diluting the chemical solution supplied from the chemicals supply part is supplied to the cleaning bath by a diluent supply part. A diluent supply line(140) in which the diluent solution flows is installed between the diluent supply part and the cleaning bath. At least one flowrate control valve(150) is installed in the diluent supply line to control the flowrate of the diluent solution flowing continuously to the cleaning bath through the diluent supply line. The flowrate control valve has a smaller inner diameter than that of the diluent supply line.

Description

반도체 세정설비{Equipment for cleaning semiconductor device}Equipment for cleaning semiconductor device

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 세정설비를 개략적으로 나타낸 다이아 그램.1 is a diagram schematically showing a semiconductor cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 유량 조절밸브를 나타낸 도면.2 is a view showing the flow control valve of FIG.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 반도체 기판 110 : 반응챔버100 semiconductor substrate 110 reaction chamber

120 : 가스 소스 130 : 반응가스 공급라인120: gas source 130: reaction gas supply line

140 : 퍼지가스 공급라인 150 : 더미 라인140: purge gas supply line 150: dummy line

160 : 제 1 밸브 170 : 제 2 밸브160: first valve 170: second valve

180 : 바이패스 라인180: bypass line

본 발명은 반도체장치 세정설비에 관한 것으로, 상세하게는, 소정량의 케미컬 용액을 희석시키는 희석액의 유량을 정확하게 제어할 수 있는 반도체장치 세정 설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device cleaning facility, and more particularly, to a semiconductor device cleaning device capable of precisely controlling the flow rate of a diluent for diluting a predetermined amount of a chemical solution.

최근, 반도체 제조 업계에서는 반도체 칩의 동작 속도를 증대시키고 단위 면적당 정보 저장 능력을 증가시키기 위하여 반도체 집적 회로 공정에 적용되는 최소 선폭이 꾸준히 줄어드는 추세에 있다. 또한, 반도체 기판 상에 집적화 되는 트랜지스터와 같은 반도체 소자의 크기가 서브 하프 마이크론 이하로 축소되고 있다.Recently, in the semiconductor manufacturing industry, the minimum line width applied to the semiconductor integrated circuit process has been steadily decreasing to increase the operation speed of the semiconductor chip and increase the information storage capability per unit area. In addition, the size of a semiconductor device such as a transistor integrated on a semiconductor substrate is reduced to less than a sub half micron.

이와 같은 반도체 소자는 증착 공정, 포토공정, 식각공정, 확산공정을 통하여 제조될 수 있으며, 이러한 공정들이 수차례에서 수십차례 반복되어야 적어도 하나의 반도체 장치가 탄생될 수 있다. 또한, 반도체장치 제조과정에 있어서 반도체 기판 표면상에 잔존하는 파티클 등의 불순물이 다음 공정에서의 공정 불량의 요인으로 작용하게 됨에 따라 각 공정 과정의 사이에는 이들 불순물을 제거하기 위한 세정공정을 실시하게 된다.Such a semiconductor device may be manufactured through a deposition process, a photo process, an etching process, and a diffusion process, and at least one semiconductor device may be formed when these processes are repeated several times several times. In addition, in the semiconductor device manufacturing process, impurities such as particles remaining on the surface of the semiconductor substrate act as a cause of process defects in the next process, so that a cleaning process is performed to remove these impurities during each process. do.

이러한 세정공정에 있어서, 주로 세정액을 이용하는 것이 있으며, 이렇게 사용되는 세정액은 적어도 하나 이상의 케미컬 용액이 반도체 기판의 종류 및 공정상태 등의 세정 조건을 제시함에 대응하여 그 농도와 양 및 온도 상태 등의 조건을 매우 정확하게 형성 유지할 것이 요구되고 있다. 이 요구에 따라 세정설비에는 세정액의 농도 등의 상태를 광센서 등을 포함한 각종 센싱수단을 이용하여 약품성 또는 탈이온수의 양 및 온도 등의 조건을 제어할 수 있도록 구성된다. 예컨대, 상기 세정액은 상기 반도체 기판 상에 유발되는 상기 불순물을 제거하기 위해 하나의 종류의 케미컬 용액으로 이루어지거나, 복수개의 서로 다른 종류의 혼합된 케미컬 용액으로 이루어질 수 있다. 먼저, 하나의 종류로 이루어진 상기 케미컬 용액은 상기 불순물만을 선택적으로 제거시키는 용해도를 제어토록 하기 위해 탈이온수 또는 알코올과 같은 희석액이 혼합될 수 있다. 또한, 복수개의 서로 다른 종류의 혼합된 케미컬 용액은 주로 상기 불순물을 제거하기 위한 제 1 케미컬 용액과, 상기 제 1 케미컬 용액에 혼합되어 상기 케미컬 용액의 농도를 조절토록 하는 제 1 케미컬 용액으로 이루어질 수 있으며, 서로 다른 종류의 제 1 케미컬 용액과 제 2 케미컬이 혼합되어 상기 불순물을 제거시키는 혼합용액으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 복수개의 서로 다른 종류의 혼합된 케미컬 용액 중 하나는 케미컬 용액으로 지칭되고, 다른 하나의 상기 케미컬 용액은 희석액으로 지칭된다.In such a cleaning process, a cleaning liquid is mainly used, and the cleaning liquid used in this way corresponds to conditions such as concentration, amount, and temperature state of the at least one chemical solution in response to the cleaning conditions such as the type and process state of the semiconductor substrate. It is required to keep the formation very accurately. According to this request, the cleaning equipment is configured to control the conditions such as the chemical properties or the amount and temperature of deionized water using various sensing means including an optical sensor in the state of the concentration of the cleaning liquid. For example, the cleaning solution may be composed of one type of chemical solution or a plurality of different types of mixed chemical solutions to remove the impurities caused on the semiconductor substrate. First, the chemical solution of one kind may be mixed with diluents such as deionized water or alcohol to control solubility for selectively removing only the impurities. In addition, a plurality of different types of mixed chemical solutions may be mainly composed of a first chemical solution for removing the impurities and a first chemical solution mixed with the first chemical solution to adjust the concentration of the chemical solution. The first chemical solution and the second chemical may be mixed with each other to remove the impurities. Here, one of the plurality of different types of mixed chemical solutions is referred to as a chemical solution, and the other said chemical solution is referred to as a diluent.

예컨대, 반도체 세정설비는 상기 세정액을 수용하여 반도체 기판의 세정 공정이 수행되는 세정조와, 상기 세정조에 상기 케미컬 용액을 공급하는 케미컬 공급부와, 상기 케미컬 공급부에서 공급되는 상기 케미컬 용액을 희석시키는 희석액을 희석시키는 희석액을 상기 세정조에 공급하는 희석액 공급부와, 상기 희석액 공급부와 상기 세정조사이에서 상기 희석액이 유동되는 희석액 공급라인과, 상기 희석액 공급라인을 통해 상기 세정조에 유동되는 희석액을 단속하도록 개폐동작되는 유체 단속밸브를 포함하여 구성된다. For example, the semiconductor cleaning apparatus may contain a cleaning tank for accommodating the cleaning liquid and performing a cleaning process of the semiconductor substrate, a chemical supply unit for supplying the chemical solution to the cleaning tank, and a diluent for diluting the chemical solution supplied from the chemical supply unit. A dilution liquid supply unit for supplying a diluting liquid to the washing tank, a dilution liquid supply line through which the dilution liquid flows in the dilution liquid supply unit and the washing irradiation, and a fluid intermittent operation that is opened and closed to control the dilution liquid flowing through the diluent liquid supply line through the dilution liquid supply line. It is configured to include a valve.

여기서, 상기 유체 단속밸브는 상기 세정조에 공급되는 상기 케미컬 용액을 희석시키는 상기 희석액을 소정 시간마다 주기적으로 공급한다. 예컨대, 상기 세정조에서 요구되는 상기 희석액이 공급되어야 하면 상기 유체 단속밸브는 상기 희석액 공급부에서 공급되는 상기 희석액을 약 10초에 걸쳐 공급하면 상기 10초 동안 휴지시간(interval time)을 갖으면서 일정량의 희석액이 상기 세정조에 공급되도록 개폐 동작된다. Here, the fluid control valve periodically supplies the diluent for diluting the chemical solution supplied to the cleaning tank every predetermined time. For example, if the diluent required in the cleaning tank is to be supplied, the fluid control valve is supplied with the diluent supplied from the diluent supply for about 10 seconds, and has a certain amount of interval time for 10 seconds. The dilution liquid is opened and closed to supply the washing tank.

따라서, 종래 기술에 따른 반도체 세정설비는 케미컬 공급부에서 공급되는 케미컬 용액을 희석시키기 위해 요구되는 일정양의 희석액을 단속시켜 상기 세정조에 공급시키는 유체 단속밸브를 구비하여 일정양의 희석액을 세정조에 공급시킬 수 있다. Therefore, the semiconductor cleaning apparatus according to the prior art is provided with a fluid control valve for intermittently supplying a predetermined amount of diluent required to dilute the chemical solution supplied from the chemical supply unit to the cleaning tank to supply a predetermined amount of diluent to the cleaning tank. Can be.

하지만, 종래 기술에 따른 반도체 세정설비는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the semiconductor cleaning equipment according to the prior art has the following problems.

종래의 반도체 제정설비는 일정시간동안 공급시간과 일정시간동안 휴지시간을 갖으면서 세정조에 희석액이 공급되도록 개폐동작되는 유체 단속밸브에 의해 상기 세정조에 희석액이 공급됨으로 상기 희석액의 공급주기가 길어질 경우, 케미컬 용액과 희석액이 균일하게 혼합되지 않아 균일한 세정이 이루어지지 않고 세정공정 불량을 야기시킬 수 있기 때문에 생산수율이 떨어지는 단점이 있었다.In the conventional semiconductor manufacturing equipment, when the diluent is supplied to the cleaning tank by a fluid intermittent valve which is opened and closed so that the diluent is supplied to the cleaning tank while having a supply time for a predetermined time and a rest time for a predetermined time, the supply cycle of the diluting liquid becomes long. Since the chemical solution and the diluent are not uniformly mixed, there is a disadvantage in that the production yield is lowered because the uniform cleaning is not performed and the cleaning process is poor.

상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 케미컬 용액과 희석액이 균일하게 혼합되도록 하고 세정공정의 불량을 방지하여 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the problems according to the prior art described above is to provide a semiconductor manufacturing facility capable of uniformly mixing a chemical solution and a diluent and preventing a defect of a cleaning process to increase or maximize the production yield. have.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태(aspect)에 따른 반도체 세정설비는, 반도체 기판의 세정 공정이 수행되는 세정조; 상기 세정조에 케미컬 용액을 공급하는 케미컬 공급부; 상기 케미컬 공급부에서 공급되는 상기 케미컬 용액을 희석시키는 희석액을 희석시키는 희석액을 상기 세정조에 공급하는 희석액 공급부; 상 기 희석액 공급부와 상기 세정조사이에서 상기 희석액이 유동되는 희석액 공급라인; 및 상기 희석액 공급라인을 통해 상기 세정조에 연속적으로 유동되는 희석액의 유량을 제어하기 위해 상기 희석액 공급라인에 형성된 적어도 하나이상의 유량 조절 밸브를 포함함을 특징으로 한다.A semiconductor cleaning apparatus according to an aspect of the present invention for achieving the above object, the cleaning tank is performed the cleaning process of the semiconductor substrate; A chemical supply unit supplying a chemical solution to the cleaning tank; A diluent supply unit for supplying a diluent for diluting the diluent for diluting the chemical solution supplied from the chemical supply unit to the cleaning tank; A diluent supply line through which the diluent flows between the diluent supply unit and the washing probe; And at least one flow control valve formed in the diluent supply line to control the flow rate of the diluent continuously flowing to the cleaning tank through the diluent supply line.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 세정설비를 설명하면 다음과 같다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.Hereinafter, a semiconductor cleaning apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 세정설비를 개략적으로 나타낸 다이아 그램이다.1 is a diagram schematically showing a semiconductor cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 세정설비는, 반도체 기판(100) 상에 유발되는 불순물을 제거하는 소정양의 케미컬 용액을 수용하며 반도체 기판(100)의 세정 공정이 수행되는 세정조(110)와, 상기 세정조(110)에 케미컬 용액을 공급하는 케미컬 공급부(120)와, 상기 케미컬 공급부(120)에서 공급되는 상기 케미컬 용액을 희석시키는 희석액을 희석시키는 희석액을 상기 세정조(110)에 공급하는 희석액 공급부(130)와, 상기 희석액 공급부(130)와 상기 세정조(110)사이에서 상기 희석액이 유동되는 희석액 공급라인(140)과, 상기 희석액 공급라인(140)을 통해 상기 세정조(110)에 연속적으로 유동되는 희석액의 유량을 제어하기 위해 상기 희석액 공급라인(140)에 형성된 적어도 하나이상의 유량 조절밸브(150)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the semiconductor cleaning apparatus of the present invention accommodates a predetermined amount of chemical solution for removing impurities caused on the semiconductor substrate 100, and a cleaning tank in which the cleaning process of the semiconductor substrate 100 is performed. 110, the diluent for diluting the chemical supply unit 120 for supplying the chemical solution to the cleaning tank 110, and the diluent for diluting the chemical solution supplied from the chemical supply unit 120 to the cleaning tank 110 ) Through the diluent supply unit 130, a diluent supply line 140 through which the diluent flows between the diluent supply unit 130 and the cleaning tank 110, and the diluent supply line 140. It is configured to include at least one or more flow rate control valve 150 formed in the diluent supply line 140 to control the flow rate of the diluent continuously flowing to the tank 110.

도시되지는 않았지만, 상기 세정조(110) 내에 수용되는 상기 케미컬 용액과 상기 희석액의 수위를 감지하도록 상기 세정조(110) 내에 형성된 레벨 센서와, 상기 레벨 센서에서 감지된 감지신호를 이용하여 상기 케미컬 공급부(120)와 상기 희석액 공급부(130)에서 공급되는 상기 케미컬 용액과 희석액의 공급유량을 제어하는 제어신호를 출력하는 제어부를 더 포함하여 구성된다.Although not shown, a level sensor formed in the cleaning tank 110 to detect the level of the chemical solution and the dilution solution contained in the cleaning tank 110 and the chemical sensor using a detection signal detected by the level sensor. And a control unit for outputting a control signal for controlling the supply flow rates of the chemical solution and the diluent supplied from the supply unit 120 and the diluent supply unit 130.

여기서, 상기 세정조(110)는 상기 불순물이 유발된 적어도 하나 이상의 상기 반도체 기판(100)이 상기 케미컬 용액 및 희석액에 잠길 수 있는 크기를 갖도록 형성되어 있다. 또한, 상기 세정조(110)는 상기 케미컬 용액 및 희석액이 균일하게 혼합되어 상기 반도체 기판(100)의 표면으로 유동될 수 있도록 상기 케미컬 용액 또는 희석액을 혼합시키는 제 1 보조 세정조(112)와, 상기 케미컬 용액과 상기 희석액의 레벨을 감지하는 상기 레벨 감지센서가 장착되는 제 2 보조 세정조(114)를 더 포함하여 이루어진다. Here, the cleaning tank 110 is formed to have a size at which at least one or more of the semiconductor substrates 100 having the impurities are immersed in the chemical solution and the diluent. In addition, the cleaning tank 110 and the first auxiliary cleaning tank 112 for mixing the chemical solution or diluent so that the chemical solution and the diluent is uniformly mixed to flow to the surface of the semiconductor substrate 100, It further comprises a second auxiliary cleaning tank 114 is equipped with the level sensor for sensing the level of the chemical solution and the diluent.

도시되지는 않았지만, 상기 제 2 보조 세정조(114)에는 상기 케미컬 용액의 농도를 감지하여 상기 제어부에 농도 감지신호를 출력하는 농도 센서가 더 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 세정조(110)는 복수개의 반도체 기판(100)이 탑재되는 카세트 또는 캐리어가 투입되어 복수개의 반도체 기판(100) 세정공정이 수행되도록 형 성될 수도 있다. Although not shown, the second auxiliary cleaning tank 114 may further include a concentration sensor for detecting the concentration of the chemical solution and outputting a concentration detection signal to the controller. For example, the cleaning tank 110 may be formed such that a cassette or a carrier on which the plurality of semiconductor substrates 100 are mounted is inserted to perform the cleaning process of the plurality of semiconductor substrates 100.

상기 케미컬 공급부(120)는 상업적으로 통용되는 유량의 케미컬 용액이 탑재된 저장용기에서 상기 케미컬 용액을 일정양 이상을 수용하여 상기 제어부에서 출력되는 제어신호에 의해 요구되는 상기 케미컬 용액을 상기 세정조(110)에 공급한다. 예컨대, 상기 케미컬 공급부(120)는 상기 케미컬 용액을 저장하는 제 1 탱크(122)와, 상기 제 1 탱크(122)와 상기 세정조(110)사이에 형성되어 상기 케미컬 용액이 유동되는 케미컬 공급라인(124)과, 상기 케미컬 공급라인(124)에 형성되고 상기 제어부의 제어신호에 응답하여 상기 제 1 탱크(122)에서 저장되는 일정양의 상기 케미컬 용액이 상기 세정조(110)에 공급되도록 개폐 동작되는 제 1 밸브(126)를 포함하여 이루어진다. The chemical supply unit 120 accommodates a predetermined amount or more of the chemical solution in a storage container equipped with a chemical solution of a commercially available flow rate to clean the chemical solution required by the control signal output from the controller ( 110). For example, the chemical supply unit 120 is formed between the first tank 122 storing the chemical solution and the first tank 122 and the cleaning tank 110 to flow the chemical solution. 124 and the chemical supply line 124 are opened and closed to supply a predetermined amount of the chemical solution stored in the first tank 122 in response to a control signal of the controller. It comprises a first valve 126 that is operated.

또한, 상기 제 1 탱크(122)에 저장된 상기 케미컬 용액을 소정의 농도로 희석시키기 위해 상기 희석액 공급부(130)에서 연결되는 상기 희석액 공급라인(140)과 상기 제 1 탱크(122) 사이에서 상기 제 1 탱크(122)로 유동되는 상기 희석액을 단속하는 제 2 밸브(128)를 포함하여 이루어진다. 도시되지는 않았지만, 상기 케미컬 용액의 저장용기에서 상기 제 1 탱크(122)에 상기 케미컬 용액을 공급시키는 공급장치와, 상기 공급장치에서 공급되는 상기 케미컬 용액에 함유된 기포를 감지하여 제거하는 기포 제거장치와, 상기 제 1 탱크(122)에 과다 공급된 케미컬 용액을 제거하는 과공급 케미컬 드레인과, 상기 제 1 탱크(122)에 저장된 상기 케미컬 용액을 소정의 압력으로 상기 세정조(110)에 펌핑시켜 공급하는 제 1 펌프를 더 포함하여 이루어질 수도 있다. In addition, between the diluent supply line 140 and the first tank 122 connected from the diluent supply unit 130 to dilute the chemical solution stored in the first tank 122 to a predetermined concentration. And a second valve 128 that intercepts the diluent flowing into the first tank 122. Although not shown, a supply device for supplying the chemical solution to the first tank 122 in the storage container of the chemical solution, and bubbles removed to detect and remove bubbles contained in the chemical solution supplied from the supply device. An apparatus, an oversupply chemical drain for removing a chemical solution oversupplied to the first tank 122, and the chemical solution stored in the first tank 122 are pumped to the cleaning tank 110 at a predetermined pressure. It may be made by further comprising a first pump for supplying.

상기 희석액 공급부(130)는 상기 케미컬 공급부(120)에서 공급되는 케미컬을 희석시키는 소정양의 희석액을 생성하여 상기 세정조(110)로 공급한다. 예컨대, 상기 희석액 공급부(130)는 상기 케미컬 용액을 희석시키는 상기 희석액을 생성하는 희석액 소스(132)와, 상기 희석액 소스(132)에서 생성된 희석액을 저장하는 제 2 탱크(134)와 상기 제 2 탱크(134)에 저장된 상기 희석액을 소정의 압력으로 펌핑하는 제 2 펌프(136)를 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 희석액으로 탈이온수가 사용될 경우, 상기 희석액 소스(132)는 일반적으로 통용되는 물을 정수 또는 정류하는 정수기 또는 증류기 등으로 이루어질 수 있다. The diluent supply unit 130 generates a predetermined amount of diluent for diluting the chemical supplied from the chemical supply unit 120 and supplies it to the cleaning tank 110. For example, the diluent supply unit 130 may include a diluent source 132 for generating the diluent for diluting the chemical solution, a second tank 134 for storing the diluent generated in the diluent source 132, and the second solution. And a second pump 136 for pumping the diluent stored in the tank 134 to a predetermined pressure. In this case, when deionized water is used as the diluent, the diluent source 132 may generally include a water purifier or a distillation unit for purifying or rectifying commonly used water.

상기 희석액 공급라인(140)은 상기 희석액 공급부(130)에서 생성된 상기 희석액을 상기 세정조(110)에 유동시키는 적어도 하나 이상의 라인으로 이루어진다. 예컨대, 상기 라인은 내식성이 우수한 금속 또는 플라스틱 재질로 형성되어 있다. 또한, 상기 희석액 공급라인(140)을 통해 상기 세정조(110)로 유동되는 상기 희석액을 단속하는 제 3 밸브(142)와, 상기 제 3 밸브(132)의 후단에서 상기 희석액 공급라인으로 유동되는 상기 희석액의 유량을 감지하여 상기 제어부에 유량감지신호를 출력하는 유량계(144)가 상기 희석액 공급라인(140)에 형성되어 있다. 예컨대, 상기 유량계(144)는 상기 희석액 공급라인(140)을 통해 유동되는 상기 희석액의 흐름을 이용하여 날개차를 돌려 유량을 센싱하는 날개차 유량계와, 상기 희슥액 공급라인에 벤투리관·오리피스·노즐 등의 조리개를 넣어, 그 전후 압력차를 차압계로 측정하는 차압식(差壓式) 유량계, 또는·면적식 유량계를 포함하여 이루어진다.The diluent supply line 140 includes at least one line for flowing the diluent generated in the diluent supply unit 130 to the cleaning tank 110. For example, the line is formed of a metal or plastic material excellent in corrosion resistance. In addition, a third valve 142 for intermitting the diluent flowing through the diluent supply line 140 to the cleaning tank 110 and a rear end of the third valve 132 flows into the diluent supply line. A flow meter 144 that detects the flow rate of the dilution liquid and outputs a flow detection signal to the control unit is formed in the dilution liquid supply line 140. For example, the flow meter 144 is a vane flow meter that senses the flow rate by turning the vane using the flow of the diluent flowing through the diluent supply line 140, and the venturi tube orifice in the lean solution supply line And a differential pressure flow meter or an area flow meter in which a diaphragm such as a nozzle is inserted and the front and rear pressure difference is measured by a differential pressure gauge.

상기 유량 조절밸브(150)는 상기 희석액 공급라인(140)의 말단에 형성되어 상기 희석액 공급라인(140)을 통해 상기 세정조(110)에 공급되는 상기 희석액의 유량을 조절토록 형성되어 있다. The flow rate control valve 150 is formed at the end of the diluent supply line 140 is formed to adjust the flow rate of the diluent supplied to the cleaning tank 110 through the diluent supply line 140.

도 2는 도 1의 유량 조절밸브(150)를 나타낸 도면으로서, 유량 조절밸브(150)는 희석액 공급라인(140)의 외주면을 감싸고 상기 희석액 공급라인(140)의 내경에 비해 작은 내경을 갖도록 조절되면서 상기 희석액 공급라인(140)을 통해 상기 세정조(110)로 토출되는 상기 희석액의 유량을 가변시키도록 형성되어 있다. 2 is a view showing the flow control valve 150 of Figure 1, the flow control valve 150 is adjusted so as to surround the outer circumferential surface of the diluent supply line 140 and have a smaller inner diameter than the inner diameter of the diluent supply line 140. While being formed to vary the flow rate of the diluent is discharged to the cleaning tank 110 through the diluent supply line 140.

여기서, 상기 유량 조절밸브(150)는 상기 희석액 공급라인(140)의 내경보다 작은 내경을 갖도록 제어되는 링거형(ringer type)으로 형성될 수 있다. 링거형의 상기 유량 조절밸브(150)는 상기 희석액 공급라인(140)의 내경에 비해 작은 내경을 갖도록 조여질 수 있도록 유연한(flexible)한 플라스틱 또는 고무재질의 튜브(156)와, 상기 튜브(156)를 둘러싸면서 상기 튜브(156)와 동일 또는 유사한 방향으로 다수개의 홈이 형성된 바인더(158)와, 상기 바인더(158)의 일측에서 회전되면서 상기 바인더(158)의 길이를 조절하도록 형성된 회전자(159)를 포함하여 이루어진다. 도시되지는 않았지만, 상기 바인더(158)에 근접하도록 형성되어 상기 바인더(158)가 상기 튜브(156)의 외주면을 자유로이 조절하지 못하거나, 더 이상 조이지 못하는 것을 감지하는 압력 센서가 형성될 수 있다. 따라서, 상기 압력 센서가 상기 바인더(158)의 조임을 감지하지 못할 경우, 상기 세정조 내에서의 세정공정이 더 이상 수행되지 못하도록 상기 제어부는 인터락 제어신호를 출력할 수 있다. 또한, 상기 회전자(159)는 작업자 또는 전자장치에 의해 시계방향 또는 반시계방향으로 회전되면서 상기 바인더(158)에 의해 조여지는 상기 튜브(156)를 통해 유동되는 상기 희 석액의 유량을 나타낼 수 있는 척도를 표시하는 조정 다이얼형으로 형성되어 있다. Here, the flow rate control valve 150 may be formed in a ringer type controlled to have an inner diameter smaller than the inner diameter of the diluent supply line 140. The ringer-type flow control valve 150 is a flexible plastic or rubber tube 156 and the tube 156 that can be tightened to have an inner diameter smaller than that of the diluent supply line 140. ) And a rotor formed to adjust the length of the binder 158 while rotating at one side of the binder 158 and a binder 158 having a plurality of grooves formed in the same or similar direction as the tube 156. 159). Although not shown, a pressure sensor may be formed to be close to the binder 158 to sense that the binder 158 does not freely adjust or no longer tighten the outer circumferential surface of the tube 156. Therefore, when the pressure sensor does not detect the tightness of the binder 158, the control unit may output an interlock control signal so that the cleaning process in the cleaning tank is no longer performed. In addition, the rotor 159 may indicate a flow rate of the diluent flowing through the tube 156 tightened by the binder 158 while being rotated clockwise or counterclockwise by an operator or an electronic device. It is formed in the adjustment dial type which displays the measured scale.

또한, 상기 유량 조절밸브(150)는 상기 희석액 공급라인(140)을 통해 상기 희석액 공급부(130)에서 공급되는 상기 희석액의 공급 압력을 완충시켜 정밀하게 공급되도록 하기 위해 복수개로 이루어질 수 있다. 예컨대, 상기 유량 조절밸브(150)는 상기 희석액 공급라인(140)을 통해 유동되는 상기 희석액의 공급압력을 감압 또는 완충(buffering)시키는 감압 밸브(152)와, 상기 감압 밸브(152)를 통해 상기 공급압력이 감압 또는 완충된 상기 희석액의 정밀한 유량을 제어하는 정밀 밸브(154)를 포함하여 이루어진다. In addition, the flow rate control valve 150 may be formed in plurality in order to buffer the supply pressure of the diluent supplied from the diluent supply unit 130 through the diluent supply line 140 to be supplied precisely. For example, the flow rate control valve 150 is a pressure reducing valve 152 for depressurizing or buffering the supply pressure of the diluent flowing through the diluent supply line 140 and the pressure reducing valve 152 through the pressure reducing valve 152. The feed pressure comprises a precision valve 154 that controls the precise flow rate of the diluent, which is depressurized or buffered.

여기서, 상기 감압 밸브(152)가 상기 희석액 공급라인(140)을 통해 공급되는 상기 희석액의 공급압력을 감소시켜 약 50% 이하까지의 공급유량으로 상기 희석액을 유동시켜면, 상기 정밀 밸브(154)는 다시 상기 희석액의 공급압력을 감소시켜 약 30% 이하까지 상기 희석액의 공급 유량을 제어할 수 있다. 이때, 상기 유량 조절밸브(150)는 상기 희석액 공급부(130)에서 공급되는 희석액을 종래의 공급시간과 휴지시간 없이 연속적으로 상기 세정조(110)에 토출되도록 할 수 있다. Here, when the pressure reducing valve 152 reduces the supply pressure of the diluent supplied through the diluent supply line 140 to flow the diluent at a supply flow rate of about 50% or less, the precision valve 154 May again reduce the supply pressure of the diluent to control the supply flow rate of the diluent to about 30% or less. In this case, the flow rate control valve 150 may allow the diluent supplied from the diluent supply unit 130 to be continuously discharged to the cleaning tank 110 without a conventional supply time and a rest time.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 세정설비는 세정조(110)에 투입되는 케미컬 용액을 희석시키기 위해 요구되는 희석액을 연속적으로 세정조(110)에 공급하는 유량 조절밸브(150)를 구비하여 케미컬 용액과 희석액이 균일하게 혼합되도록 하고 세정공정의 불량을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.Therefore, the semiconductor cleaning apparatus according to the present invention includes a chemical solution and a flow rate control valve 150 for continuously supplying the diluent required to dilute the chemical solution introduced into the cleaning tank 110 to the cleaning tank 110. Diluents can be uniformly mixed and the cleaning process can be prevented, thereby increasing or maximizing the production yield.

본 발명에서 개시된 발명 개념과 실시예가 본 발명의 동일 목적을 수행하기 위하여 다른 구조로 수정하거나 설계하기 위한 기초로서 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 사용되어질 수 있을 것이다. 그리고, 당해 기술 분야의 숙련된 사람에 의한 그와 같은 수정 또는 변경된 등가 구조는 특허 청구 범위에서 기술한 발명의 사상이나 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변화, 치환 및 변경이 가능하다. The inventive concepts and embodiments disclosed in the present invention may be used by those skilled in the art as a basis for modifying or designing other structures for carrying out the same purposes of the present invention. Such modifications or equivalent equivalent structures made by those skilled in the art may be variously changed, substituted, and changed without departing from the spirit or scope of the invention described in the claims.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 세정조에 투입되는 케미컬 용액을 희석시키기 위해 요구되는 희석액을 연속적으로 세정조에 공급하는 유량 조절밸브를 구비하여 케미컬 용액과 희석액이 균일하게 혼합되도록 하고 세정공정의 불량을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, there is provided a flow control valve for continuously supplying the diluent required to dilute the chemical solution introduced into the washing tank to the washing tank so that the chemical solution and the diluting liquid are uniformly mixed. Since defects can be prevented, there is an effect of increasing or maximizing production yield.

Claims (7)

반도체 기판의 세정 공정이 수행되는 세정조;A cleaning tank in which a cleaning process of the semiconductor substrate is performed; 상기 세정조에 케미컬 용액을 공급하는 케미컬 공급부;A chemical supply unit supplying a chemical solution to the cleaning tank; 상기 케미컬 공급부에서 공급되는 상기 케미컬 용액을 희석시키는 희석액을 희석시키는 희석액을 상기 세정조에 공급하는 희석액 공급부;A diluent supply unit for supplying a diluent for diluting the diluent for diluting the chemical solution supplied from the chemical supply unit to the cleaning tank; 상기 희석액 공급부와 상기 세정조사이에서 상기 희석액이 유동되는 희석액 공급라인; 및A diluent supply line through which the diluent flows between the diluent supply unit and the washing probe; And 상기 희석액 공급라인을 통해 상기 세정조에 연속적으로 유동되는 희석액의 유량을 제어하기 위해 상기 희석액 공급라인에 형성된 적어도 하나이상의 유량 조절 밸브를 포함함을 특징으로 하는 반도체 세정설비.And at least one flow control valve formed in the diluent supply line to control the flow rate of the diluent continuously flowing to the cleaning tank through the diluent supply line. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유량 조절밸브는 상기 희석액 공급라인의 내경보다 작은 내경을 갖도록 제어되는 링거형으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 세정설비.The flow rate control valve is a semiconductor cleaning equipment, characterized in that the ringer type is controlled to have an inner diameter smaller than the inner diameter of the diluent supply line. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 유량 조절밸브는 상기 희석액 공급라인의 내경에 비해 작은 내경을 갖 도록 조여질 수 있도록 형성된 튜브와, 상기 튜브를 둘러싸면서 상기 튜브와 동일 또는 유사한 방향으로 다수개의 홈이 형성된 바인더와, 상기 바인더의 일측에서 회전되면서 상기 바인더의 길이를 조절하도록 형성된 회전자를 포함함을 특징으로 하는 반도체 세정설비.The flow control valve is a tube formed to be tightened to have a smaller inner diameter than the inner diameter of the diluent supply line, a binder formed in the same or similar direction as the tube surrounding the tube, the binder of the binder And a rotor formed to adjust the length of the binder while rotating on one side. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 회전자는 상기 튜브를 통해 유동되는 상기 희석액의 유량을 나타낼 수 있는 척도를 표시하는 조정 다이얼형으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 세정설비.The rotor is a semiconductor cleaning equipment, characterized in that the adjustment dial type to display a measure that can represent the flow rate of the diluent flowing through the tube. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 유량 조절밸브는 상기 바인더에 근접하도록 형성되어 상기 바인더가 상기 튜브의 외주면을 자유로이 조절하지 못하거나, 더 이상 조이지 못하는 것을 감지하는 압력 센서를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 세정설비.The flow regulating valve further comprises a pressure sensor which is formed to approach the binder and detects that the binder cannot freely adjust or no longer tighten the outer circumferential surface of the tube. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 압력 센서가 상기 바인더의 조임을 감지하지 못할 경우, 상기 세정조 내에서의 세정공정이 더 이상 수행되지 못하도록 인터락 제어신호를 출력하는 제어부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.And a control unit for outputting an interlock control signal so that the cleaning process in the cleaning tank is no longer performed when the pressure sensor does not sense the tightness of the binder. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유량 조절밸브는 상기 희석액 공급라인을 통해 유동되는 상기 희석액의 공급압력을 감압 또는 완충시키는 감압 밸브와, 상기 감압 밸브를 통해 상기 공급압력이 감압 또는 완충된 상기 희석액의 정밀한 유량을 제어하는 정밀 밸브를 포함함을 특징으로 하는 반도체 세정설비. The flow rate control valve is a pressure reducing valve for reducing or buffering the supply pressure of the diluent flowing through the diluent supply line, and a precision valve for controlling a precise flow rate of the diluent in which the supply pressure is reduced or buffered through the pressure reducing valve. Semiconductor cleaning equipment comprising a.
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KR100858429B1 (en) * 2007-09-18 2008-09-17 세메스 주식회사 Tube structure and semiconductor manufacturing apparatus with it

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