JP2002367871A - 半導体ウエハ、半導体ウエハの識別方法及び該方法を用いた半導体ウエハ識別装置 - Google Patents
半導体ウエハ、半導体ウエハの識別方法及び該方法を用いた半導体ウエハ識別装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハの表面処理を行ってもその識別
率を向上できる半導体ウエハ、半導体ウエハの識別方法
及び該方法を用いた半導体ウエハ識別装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ中心を中心として回転した
ときの予め定められた複数の回転角度に関係付けられて
円周に形成された識別マークを有する半導体ウエハを用
い、この半導体ウエハを回転させながらウエハの円周に
照明光を照射し、その反射光を受光してその反射光量の
増減により識別マークの有無を検知することにより半導
体ウエハの識別を行う。
率を向上できる半導体ウエハ、半導体ウエハの識別方法
及び該方法を用いた半導体ウエハ識別装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ中心を中心として回転した
ときの予め定められた複数の回転角度に関係付けられて
円周に形成された識別マークを有する半導体ウエハを用
い、この半導体ウエハを回転させながらウエハの円周に
照明光を照射し、その反射光を受光してその反射光量の
増減により識別マークの有無を検知することにより半導
体ウエハの識別を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ識別用の識
別子を有する半導体ウエハ、該半導体ウエハの識別子を
読み取るための半導体ウエハの識別方法、及び該識別方
法を用いた半導体ウエハ識別装置に関する。
別子を有する半導体ウエハ、該半導体ウエハの識別子を
読み取るための半導体ウエハの識別方法、及び該識別方
法を用いた半導体ウエハ識別装置に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、半導体ウエハには個々を識別するた
めの識別子（ＩＤ番号）がウエハ表面又は裏面に付され
ている。識別子は英数文字やバーコード等をレーザ光に
て半導体ウエハに刻印することにより付されている。こ
の識別子を識別子読取装置等にて読み取ることにより、
半導体ウエハ個々の識別が行われている。
めの識別子（ＩＤ番号）がウエハ表面又は裏面に付され
ている。識別子は英数文字やバーコード等をレーザ光に
て半導体ウエハに刻印することにより付されている。こ
の識別子を識別子読取装置等にて読み取ることにより、
半導体ウエハ個々の識別が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウエハの表面又は裏面に付される識別子は、その後の半
導体ウエハへの処理工程（例えばＣＭＰ処理等）によっ
て刻印の輪郭形状が不明瞭となってしまい、画像処理に
よる読み取りでは正確な識別が困難になっている。
ウエハの表面又は裏面に付される識別子は、その後の半
導体ウエハへの処理工程（例えばＣＭＰ処理等）によっ
て刻印の輪郭形状が不明瞭となってしまい、画像処理に
よる読み取りでは正確な識別が困難になっている。
【０００４】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、
半導体ウエハの表面処理を行ってもその識別率を向上で
きる半導体ウエハ、及び半導体ウエハ識別装置を提供す
ることを技術課題とする。
半導体ウエハの表面処理を行ってもその識別率を向上で
きる半導体ウエハ、及び半導体ウエハ識別装置を提供す
ることを技術課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は以下のような構成を備えることを特徴とす
る。
に、本発明は以下のような構成を備えることを特徴とす
る。
【０００６】（１） 半導体ウェハ円周に形成された識
別子であって，ウエハ中心を中心として回転したときの
予め定められた複数の回転角度に関係付けられて形成さ
れた識別マークからなるウェハ識別用の識別子と、前記
識別マークの回転角度の基準とするためにウェハ円周に
形成された基準マークと、を備えることを特徴とする半
導体ウエハ。
別子であって，ウエハ中心を中心として回転したときの
予め定められた複数の回転角度に関係付けられて形成さ
れた識別マークからなるウェハ識別用の識別子と、前記
識別マークの回転角度の基準とするためにウェハ円周に
形成された基準マークと、を備えることを特徴とする半
導体ウエハ。
【０００７】（２） （１）の半導体ウエハにおいて、
前記識別マーク及び基準マークが形成されるウェハ円周
とは、ウエハの側面部分であることを特徴とする。
前記識別マーク及び基準マークが形成されるウェハ円周
とは、ウエハの側面部分であることを特徴とする。
【０００８】（３） （１）の基準マークは、ウエハの
位置出し基準となるオリフラ又はノッチとしたことを特
徴とする。
位置出し基準となるオリフラ又はノッチとしたことを特
徴とする。
【０００９】（４） （１）の半導体ウエハにおいて、
前記識別子は前記基準マークに対する所定の回転角度に
おける前記識別マークの有無の組み合わせによって構成
されることを特徴とする。
前記識別子は前記基準マークに対する所定の回転角度に
おける前記識別マークの有無の組み合わせによって構成
されることを特徴とする。
【００１０】（５） （１）〜（４）の何れかの半導体
ウエハが有する識別子の認識を行う半導体ウエハ識別装
置であって、前記識別マークを検出するための検出光を
投光する光源とその検出光を受光する受光素子とを持つ
第１検出ユニットと、前記基準マークを検出するための
検出光を投光する光源とその検出光を受光する受光素子
とを持つ第２検出ユニットと、ウエハ中心を中心として
ウエハ又は前記第１及び第２検出ユニットを相対的に回
転する回転手段と、該回転手段の回転情報と前記第１及
び第２検出ユニットが持つそれぞれの受光素子からの出
力信号とに基づいてウェハの識別情報を認識する認識手
段と、を備えることを特徴とする。
ウエハが有する識別子の認識を行う半導体ウエハ識別装
置であって、前記識別マークを検出するための検出光を
投光する光源とその検出光を受光する受光素子とを持つ
第１検出ユニットと、前記基準マークを検出するための
検出光を投光する光源とその検出光を受光する受光素子
とを持つ第２検出ユニットと、ウエハ中心を中心として
ウエハ又は前記第１及び第２検出ユニットを相対的に回
転する回転手段と、該回転手段の回転情報と前記第１及
び第２検出ユニットが持つそれぞれの受光素子からの出
力信号とに基づいてウェハの識別情報を認識する認識手
段と、を備えることを特徴とする。
【００１１】（６） （５）の半導体ウエハ識別装置に
おいて、前記認識手段は前記識別マークの所定の回転角
度における形成の有無の組み合わせによって半導体ウエ
ハの識別情報を認識することを特徴とする。
おいて、前記認識手段は前記識別マークの所定の回転角
度における形成の有無の組み合わせによって半導体ウエ
ハの識別情報を認識することを特徴とする。
【００１２】（７） （５）の半導体ウエハ識別装置に
おいて、前記第１検出ユニットの光源又は受光素子の少
なくとも一方を前記第２検出ユニットの光源又は受光素
子と共用したことを特徴とする。
おいて、前記第１検出ユニットの光源又は受光素子の少
なくとも一方を前記第２検出ユニットの光源又は受光素
子と共用したことを特徴とする。
【００１３】（８） 半導体ウエハ中心を中心として回
転したときの予め定められた複数の回転角度に関係付け
られて形成された識別マークに照明光を照射し、その反
射光を受光してその反射光量の増減により識別マークの
有無を検知することにより半導体ウエハの識別を行うこ
とを特徴とする。
転したときの予め定められた複数の回転角度に関係付け
られて形成された識別マークに照明光を照射し、その反
射光を受光してその反射光量の増減により識別マークの
有無を検知することにより半導体ウエハの識別を行うこ
とを特徴とする。
【００１４】（９） （８）の半導体ウエハの識別方法
において、前記半導体ウエハの回転動作時に前記照明光
を照射して前記識別マークの有無を検知することを特徴
とする。
において、前記半導体ウエハの回転動作時に前記照明光
を照射して前記識別マークの有無を検知することを特徴
とする。
【００１５】（１０） （１）〜（４）の何れかの半導
体ウエハが有する識別子の認識を行う半導体ウエハ識別
ユニットであって、前記識別マークを検出するための検
出光を投光する光源とその検出光を受光する受光素子と
を持つ第１検出ユニットと、前記基準マークを検出する
ための検出光を投光する光源とその検出光を受光する受
光素子とを持つ第２検出ユニットと、半導体ウエハの回
転角度情報を取得する回転角度取得手段と、該回転角度
取得手段によって得られる回転角度情報と前記第１及び
第２検出ユニットが持つそれぞれの受光素子からの出力
信号とを外部へ出力する出力手段と、を備えることを特
徴とする。
体ウエハが有する識別子の認識を行う半導体ウエハ識別
ユニットであって、前記識別マークを検出するための検
出光を投光する光源とその検出光を受光する受光素子と
を持つ第１検出ユニットと、前記基準マークを検出する
ための検出光を投光する光源とその検出光を受光する受
光素子とを持つ第２検出ユニットと、半導体ウエハの回
転角度情報を取得する回転角度取得手段と、該回転角度
取得手段によって得られる回転角度情報と前記第１及び
第２検出ユニットが持つそれぞれの受光素子からの出力
信号とを外部へ出力する出力手段と、を備えることを特
徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。まず、本発明に係る半導体ウエハ
を説明する。図１（ａ）は本実施の形態の半導体ウエハ
１００を上方から見たときの図、図１（ｂ）は半導体ウ
エハ１００の側面を示した図である。
に基づいて説明する。まず、本発明に係る半導体ウエハ
を説明する。図１（ａ）は本実施の形態の半導体ウエハ
１００を上方から見たときの図、図１（ｂ）は半導体ウ
エハ１００の側面を示した図である。
【００１７】半導体ウエハ１００には、ウエハ個々の識
別情報となる識別子を構成する識別マーク１０２（図１
では１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｄ，１０２ｆ，１０２
ｇ）がその円周上の所定位置に複数個付されている。こ
の識別マーク１０２はレーザ光等によって半導体ウエハ
上に線状刻印されることによって形成されている。な
お、個々の識別マーク１０２を形成するウエハの円周
は、半導体ウエハの側面部分（表面又は裏面から延びる
傾斜部分を含む端面）の他、半導体ウエハ表面上のチッ
プ形成領域にかからない表面及び裏面の側面部分近傍を
含むものである。本実施形態の半導体ウエハ１００で
は、その表面上のチップ形成領域にかからない表面部分
から側面上部に渡って個々の識別マーク１０２が形成さ
れている。１０１は半導体ウエハを搬送又は表面処理等
を行う際の位置出し基準となるノッチである。ノッチ１
０１はウェハの円周上で表面から裏面に掛けて窪んだ形
状で形成されている。
別情報となる識別子を構成する識別マーク１０２（図１
では１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｄ，１０２ｆ，１０２
ｇ）がその円周上の所定位置に複数個付されている。こ
の識別マーク１０２はレーザ光等によって半導体ウエハ
上に線状刻印されることによって形成されている。な
お、個々の識別マーク１０２を形成するウエハの円周
は、半導体ウエハの側面部分（表面又は裏面から延びる
傾斜部分を含む端面）の他、半導体ウエハ表面上のチッ
プ形成領域にかからない表面及び裏面の側面部分近傍を
含むものである。本実施形態の半導体ウエハ１００で
は、その表面上のチップ形成領域にかからない表面部分
から側面上部に渡って個々の識別マーク１０２が形成さ
れている。１０１は半導体ウエハを搬送又は表面処理等
を行う際の位置出し基準となるノッチである。ノッチ１
０１はウェハの円周上で表面から裏面に掛けて窪んだ形
状で形成されている。
【００１８】また、識別マーク１０２は予め刻印予定箇
所１０３（１０３ａ〜１０３ｇ）に刻印するように決め
られている。この各刻印予定箇所１０３は、ウェハ中心
１０５を回転中心として回転したときに、ノッチ１０１
を基準とした所定の回転角度にあたる円周部分である。
本実施の形態では、ノッチ１０１に対して回転角度４５
°の位置に刻印予定箇所１０３ａを設け、以降４５°間
隔にて刻印予定箇１０３ｂ〜１０３ｇを設けている。
所１０３（１０３ａ〜１０３ｇ）に刻印するように決め
られている。この各刻印予定箇所１０３は、ウェハ中心
１０５を回転中心として回転したときに、ノッチ１０１
を基準とした所定の回転角度にあたる円周部分である。
本実施の形態では、ノッチ１０１に対して回転角度４５
°の位置に刻印予定箇所１０３ａを設け、以降４５°間
隔にて刻印予定箇１０３ｂ〜１０３ｇを設けている。
【００１９】この各刻印予定箇所１０３に識別マーク１
０２を適宜形成させることにより、半導体ウエハ１００
の識別子（ＩＤ番号）として構成される。更に詳しく述
べると、刻印予定箇所１０３ａ〜１０３ｇにおいて、識
別マーク１０２を形成する箇所と形成させない箇所とを
設け、ウェハ１００の回転角度と関係付けられた各識別
マーク１０２の組み合わせの違いにより半導体ウエハ１
００の個々の識別情報となるようにしている。図１に示
した半導体ウエハ１００においては、刻印予定箇所１０
３ａ〜１０３ｇのうち、刻印予定箇所１０３ｃ，１０３
ｅを除いた箇所に識別マーク１０２ａ，１０２ｂ，１０
２ｄ，１０２ｆ，１０２ｇを形成している。
０２を適宜形成させることにより、半導体ウエハ１００
の識別子（ＩＤ番号）として構成される。更に詳しく述
べると、刻印予定箇所１０３ａ〜１０３ｇにおいて、識
別マーク１０２を形成する箇所と形成させない箇所とを
設け、ウェハ１００の回転角度と関係付けられた各識別
マーク１０２の組み合わせの違いにより半導体ウエハ１
００の個々の識別情報となるようにしている。図１に示
した半導体ウエハ１００においては、刻印予定箇所１０
３ａ〜１０３ｇのうち、刻印予定箇所１０３ｃ，１０３
ｅを除いた箇所に識別マーク１０２ａ，１０２ｂ，１０
２ｄ，１０２ｆ，１０２ｇを形成している。
【００２０】次に、上記の半導体ウエハ１００が有する
識別子を読み取る半導体ウエハ識別装置について説明す
る。図２は本実施の形態で使用する半導体ウエハ識別装
置の外観を示した図である。
識別子を読み取る半導体ウエハ識別装置について説明す
る。図２は本実施の形態で使用する半導体ウエハ識別装
置の外観を示した図である。
【００２１】１は半導体ウエハ識別装置本体である。２
ａ、２ｂは多数枚の半導体ウエハ１００を収納するキャ
リヤ２０ａ、２０ｂを載置するキャリヤ載置台である。
このキャリヤ載置台２ａ、２ｂは本体内部の図示なきロ
ーダ機構により上下動し、キャリヤ２０ａ、２０ｂ内の
スロットに１枚ずつ収納されたウエハ１００がエアピン
セット３で取り出され、または収納される。
ａ、２ｂは多数枚の半導体ウエハ１００を収納するキャ
リヤ２０ａ、２０ｂを載置するキャリヤ載置台である。
このキャリヤ載置台２ａ、２ｂは本体内部の図示なきロ
ーダ機構により上下動し、キャリヤ２０ａ、２０ｂ内の
スロットに１枚ずつ収納されたウエハ１００がエアピン
セット３で取り出され、または収納される。
【００２２】エアピンセット３はその腕の両側に形成さ
れた略Ｕ字型の吸着部３ａでウエハ１００を吸着保持
し、駆動路４にしたがって図中のＡ方向、Ｂ方向に移動
可能である。吸着部３ａには小孔が設けられており、こ
の小孔はエアピンセット３内部を通って真空チューブ、
電磁弁等を経て図示無き吸引装置につながっている。こ
の吸引装置を作動することによりウエハ１００を吸着保
持する。
れた略Ｕ字型の吸着部３ａでウエハ１００を吸着保持
し、駆動路４にしたがって図中のＡ方向、Ｂ方向に移動
可能である。吸着部３ａには小孔が設けられており、こ
の小孔はエアピンセット３内部を通って真空チューブ、
電磁弁等を経て図示無き吸引装置につながっている。こ
の吸引装置を作動することによりウエハ１００を吸着保
持する。
【００２３】５はウエハ識別用ステージであり、ステー
ジ５下部に設置されるパルスモータ１０（図４参照）に
より回転をするようになっている。また、パルスモータ
等からなるステージ上下動機構３２（図４参照）によっ
てステージ５を上下動させることが可能である。このス
テージ５にも吸着部３ａと同様の機能を持つ小孔が設け
られており、これによってウエハ１００を吸着保持す
る。
ジ５下部に設置されるパルスモータ１０（図４参照）に
より回転をするようになっている。また、パルスモータ
等からなるステージ上下動機構３２（図４参照）によっ
てステージ５を上下動させることが可能である。このス
テージ５にも吸着部３ａと同様の機能を持つ小孔が設け
られており、これによってウエハ１００を吸着保持す
る。
【００２４】６はウエハ１００が持つノッチ１０１、及
びウエハ１００上に形成された識別マーク１０２を検出
する検出部である。図３は検出部６の詳細を示す図であ
る。検出部６は、ノッチ１０１を検出するための検出光
を投光するＬＥＤ７ａ及びその検出光を受光する受光素
子７ｂを備えるノッチ検出部７と、識別子１０２を検出
するための検出光を投光するＬＥＤ８ａ及びその検出光
を受光する受光素子８ｂを備える識別マーク検出部８か
ら構成される。
びウエハ１００上に形成された識別マーク１０２を検出
する検出部である。図３は検出部６の詳細を示す図であ
る。検出部６は、ノッチ１０１を検出するための検出光
を投光するＬＥＤ７ａ及びその検出光を受光する受光素
子７ｂを備えるノッチ検出部７と、識別子１０２を検出
するための検出光を投光するＬＥＤ８ａ及びその検出光
を受光する受光素子８ｂを備える識別マーク検出部８か
ら構成される。
【００２５】ＬＥＤ７ａはウエハ１００の表面上方から
ノッチ１０１に向けて検出光を投光する位置に配置され
ており、受光素子７ｂはウエハ１００の裏面下方で検出
光を受光する位置に配置されている。一方、ＬＥＤ８ａ
はウエハ１００がステージ５に載置された際にその側面
を含めた円周部分に検出光が投光される位置に配置され
ている。また、受光素子８ｂはウエハ１００の側面で反
射されるＬＥＤ８ａからの検出光を受光可能な位置に設
置されている。
ノッチ１０１に向けて検出光を投光する位置に配置され
ており、受光素子７ｂはウエハ１００の裏面下方で検出
光を受光する位置に配置されている。一方、ＬＥＤ８ａ
はウエハ１００がステージ５に載置された際にその側面
を含めた円周部分に検出光が投光される位置に配置され
ている。また、受光素子８ｂはウエハ１００の側面で反
射されるＬＥＤ８ａからの検出光を受光可能な位置に設
置されている。
【００２６】以上のような構成の装置において、その動
作を図４の制御系ブロック構成図、図７の識別方法の手
順を示すフローチャートを使用して説明する。
作を図４の制御系ブロック構成図、図７の識別方法の手
順を示すフローチャートを使用して説明する。
【００２７】制御回路３０はエアピンセット移動機構３
１を駆動させて、エアピンセット３をキャリヤ２０ａ内
の最下段（又は指定された段）のウエハ１００の下に差
し込み、ウエハ１００を吸着保持する。その後、エアピ
ンセット移動機構３１を駆動させてウエハ１００をステ
ージ５上まで搬送する。ステージ５上にウエハ１００が
位置すると、制御部３０はステージ上下動機構３２を作
動させ、ステージ５を上昇してウエハ１００を吸着して
受け取る。ウエハ１００を吸着すると制御部３０はパル
スモータ１０を作動させステージ５を回転させる。回転
が始まるとノッチ検出部７によりノッチ１０１の検出が
行われる。
１を駆動させて、エアピンセット３をキャリヤ２０ａ内
の最下段（又は指定された段）のウエハ１００の下に差
し込み、ウエハ１００を吸着保持する。その後、エアピ
ンセット移動機構３１を駆動させてウエハ１００をステ
ージ５上まで搬送する。ステージ５上にウエハ１００が
位置すると、制御部３０はステージ上下動機構３２を作
動させ、ステージ５を上昇してウエハ１００を吸着して
受け取る。ウエハ１００を吸着すると制御部３０はパル
スモータ１０を作動させステージ５を回転させる。回転
が始まるとノッチ検出部７によりノッチ１０１の検出が
行われる。
【００２８】ＬＥＤ７ａからの検出光により、ウエハ１
００の下方に取り付けた受光素子７ｂにはウエハエッジ
の影が投影される。ウエハ１００の回転に従ってノッチ
１０１が受光素子７ｂ上に位置すると、受光素子７ｂに
投影されるウエハエッジの影が変化する。制御部３０は
受光素子７ｂからの出力信号の変化からノッチ１０１が
受光素子７ｂの位置に来たことを検出し、このときのパ
ルスモータ１０の回転パルス数を回転基準としてリセッ
トする（又は、その位置情報をイニシャライズが行われ
たパルスモータ１０の回転パルス数としてメモリ３４に
記憶する）。
００の下方に取り付けた受光素子７ｂにはウエハエッジ
の影が投影される。ウエハ１００の回転に従ってノッチ
１０１が受光素子７ｂ上に位置すると、受光素子７ｂに
投影されるウエハエッジの影が変化する。制御部３０は
受光素子７ｂからの出力信号の変化からノッチ１０１が
受光素子７ｂの位置に来たことを検出し、このときのパ
ルスモータ１０の回転パルス数を回転基準としてリセッ
トする（又は、その位置情報をイニシャライズが行われ
たパルスモータ１０の回転パルス数としてメモリ３４に
記憶する）。
【００２９】なお、受光素子７ｂをラインセンサとする
ことにより、そのセンサ上に映る影の変化によってステ
ージ５に置かれたウエハ１００の偏心の有無を検出する
こともできる。偏心が検出された場合には、制御部３０
はステージ５，エアピンセット３を駆動させることによ
り、ステージ５上のウエハ１００の位置を置き換えてウ
エハ１００の中心とステージ５の中心を合せ、偏心をな
くす。その後再びノッチ１０１の位置を検出する。
ことにより、そのセンサ上に映る影の変化によってステ
ージ５に置かれたウエハ１００の偏心の有無を検出する
こともできる。偏心が検出された場合には、制御部３０
はステージ５，エアピンセット３を駆動させることによ
り、ステージ５上のウエハ１００の位置を置き換えてウ
エハ１００の中心とステージ５の中心を合せ、偏心をな
くす。その後再びノッチ１０１の位置を検出する。
【００３０】次に制御部３０は、ウエハ１００の識別情
報となる識別マーク１０２ａ〜１０２ｇの検出を行う。
メモリ３３には予めノッチ１０１の位置を基準とした刻
印予定箇所１０３ａ〜１０３ｇの位置情報（ノッチ１０
１から識別マーク１０２ａ〜１０２ｇまでの各回転角度
に対するパルスモータ１０のパルス数）が記憶されてい
る。
報となる識別マーク１０２ａ〜１０２ｇの検出を行う。
メモリ３３には予めノッチ１０１の位置を基準とした刻
印予定箇所１０３ａ〜１０３ｇの位置情報（ノッチ１０
１から識別マーク１０２ａ〜１０２ｇまでの各回転角度
に対するパルスモータ１０のパルス数）が記憶されてい
る。
【００３１】制御部３０は引き続きパルスモータ１０を
駆動させ、ステージ５を回転させるとともに受光素子８
ｂにて受光する光量の変化を逐次モニタする。刻印予定
箇所１０３ａ〜１０３ｇのうち、実際に識別マーク１０
２が形成されている箇所は、線状の刻印によってＬＥＤ
８ａからの照明光の反射角度が変化するため、図５に示
すように受光素子８ｂにて受光する光量に変化（増加／
減少）が生じることとなる。図５においてＹ軸は光量、
Ｘ軸はウエハ１００上の反射光検出箇所を示している。
駆動させ、ステージ５を回転させるとともに受光素子８
ｂにて受光する光量の変化を逐次モニタする。刻印予定
箇所１０３ａ〜１０３ｇのうち、実際に識別マーク１０
２が形成されている箇所は、線状の刻印によってＬＥＤ
８ａからの照明光の反射角度が変化するため、図５に示
すように受光素子８ｂにて受光する光量に変化（増加／
減少）が生じることとなる。図５においてＹ軸は光量、
Ｘ軸はウエハ１００上の反射光検出箇所を示している。
【００３２】制御部３０はノッチ１０１の位置から所定
量回転したときに得られる受光素子８ｂからの光量の変
化情報と、メモリ３３に記憶してある各刻印予定箇所１
０３ａ〜１０３ｇの位置情報とを比較する。各刻印予定
箇所１０３ａ〜１０３ｇの位置にて光量の変化が生じて
いる場合には、ここに識別マーク１０２が形成されてい
るものと認識し、その情報（各刻印予定箇所１０３ａ〜
１０３ｇ上に識別マークが形成されているか否かの情
報）をメモリ３４に記憶する。
量回転したときに得られる受光素子８ｂからの光量の変
化情報と、メモリ３３に記憶してある各刻印予定箇所１
０３ａ〜１０３ｇの位置情報とを比較する。各刻印予定
箇所１０３ａ〜１０３ｇの位置にて光量の変化が生じて
いる場合には、ここに識別マーク１０２が形成されてい
るものと認識し、その情報（各刻印予定箇所１０３ａ〜
１０３ｇ上に識別マークが形成されているか否かの情
報）をメモリ３４に記憶する。
【００３３】このように制御部３０は、ウエハ１００を
回転させながら受光素子８ｂに受光される光量の変化を
検出することによって、刻印予定箇所１０３ａ〜１０３
ｇにおける識別子１０２ａ〜１０２ｇの形成の有無を検
出し、メモリ３４に順次記憶していく。刻印予定箇所１
０３ａ〜１０３ｇにおける識別マーク１０２ａ〜１０２
ｇの検出が終了すると、制御部３０は識別部３５を使用
してメモリ３４に記憶された識別子１０２ａ〜１０２ｇ
の検出の有無情報よりその組み合わせを識別し、ウエハ
１００の個々の識別情報を認識することが可能となる。
なお、ウエハ１００を回転する代わりに、相対的に検出
部６をウエハ中心を中心にして回転する構成でも良い。
回転させながら受光素子８ｂに受光される光量の変化を
検出することによって、刻印予定箇所１０３ａ〜１０３
ｇにおける識別子１０２ａ〜１０２ｇの形成の有無を検
出し、メモリ３４に順次記憶していく。刻印予定箇所１
０３ａ〜１０３ｇにおける識別マーク１０２ａ〜１０２
ｇの検出が終了すると、制御部３０は識別部３５を使用
してメモリ３４に記憶された識別子１０２ａ〜１０２ｇ
の検出の有無情報よりその組み合わせを識別し、ウエハ
１００の個々の識別情報を認識することが可能となる。
なお、ウエハ１００を回転する代わりに、相対的に検出
部６をウエハ中心を中心にして回転する構成でも良い。
【００３４】以上のように本実施の形態では、画像処理
によって識別子の認識を行わないため、例えば、ウェハ
表面側に形成され識別マーク１０２の輪郭部分がその後
の処理工程等によって不明確となっていても、光量の変
化を検出することができれば各識別マーク１０２の認識
を行うことが可能である。
によって識別子の認識を行わないため、例えば、ウェハ
表面側に形成され識別マーク１０２の輪郭部分がその後
の処理工程等によって不明確となっていても、光量の変
化を検出することができれば各識別マーク１０２の認識
を行うことが可能である。
【００３５】本実施の形態では識別マーク１０２の回転
角度の基準マークとしてノッチ１０１を使用している
が、オリフラ（Orientational Flat）が形成されたウ
エハの場合には、そのオリフラを使用できる。また、こ
れらに限るものではなく、刻印予定箇所１０３の位置を
検出するための基準となるものであればよい。例えば識
別マーク１０２と異なる光量変化を生じさせるような刻
印をウエハ１００の円周上に新たに形成し、これを刻印
予定箇所１０３の位置を認識させるための基準としても
よい。識別マーク１０２と異なる光量変化を生じさせる
ような刻印とは、識別子１０２より十分幅の広い刻印を
行い、識別マーク１０２とは光量変化の幅を異なるよう
にする等、が考えられる。あるいは、識別マーク１０２
と同じ線状の刻印であっても、例えば、識別子とするマ
ーク１０２が少なくともウェハの半周の範囲には形成し
ないものとしておけば、ウェハが１８０°回転したとき
に最初に検知されたマークを基準とすることができる。
この場合には識別マーク検出部８のみによって基準マー
クをも検出できる。
角度の基準マークとしてノッチ１０１を使用している
が、オリフラ（Orientational Flat）が形成されたウ
エハの場合には、そのオリフラを使用できる。また、こ
れらに限るものではなく、刻印予定箇所１０３の位置を
検出するための基準となるものであればよい。例えば識
別マーク１０２と異なる光量変化を生じさせるような刻
印をウエハ１００の円周上に新たに形成し、これを刻印
予定箇所１０３の位置を認識させるための基準としても
よい。識別マーク１０２と異なる光量変化を生じさせる
ような刻印とは、識別子１０２より十分幅の広い刻印を
行い、識別マーク１０２とは光量変化の幅を異なるよう
にする等、が考えられる。あるいは、識別マーク１０２
と同じ線状の刻印であっても、例えば、識別子とするマ
ーク１０２が少なくともウェハの半周の範囲には形成し
ないものとしておけば、ウェハが１８０°回転したとき
に最初に検知されたマークを基準とすることができる。
この場合には識別マーク検出部８のみによって基準マー
クをも検出できる。
【００３６】さらに、本実施の形態おいて刻印予定箇所
１０３はノッチ１０１の位置に対して４５°毎に合計７
ヶ所設けているが、これに限るものではなく、扱う半導
体ウエハの数等に応じて刻印予定箇所１０３の数を増減
してもよい。また、刻印予定箇所１０３は必ずしも等間
隔にて置かれる必要はなく、ウエハ１００上の基準位置
（基準マーク）から予め決定された回転角度や距離に置
かれていればよい。予め決定された回転角度や距離に置
かれる刻印予定位置１０３は、基準位置からのパルスモ
ータのパルス数によって検知することが可能である。
１０３はノッチ１０１の位置に対して４５°毎に合計７
ヶ所設けているが、これに限るものではなく、扱う半導
体ウエハの数等に応じて刻印予定箇所１０３の数を増減
してもよい。また、刻印予定箇所１０３は必ずしも等間
隔にて置かれる必要はなく、ウエハ１００上の基準位置
（基準マーク）から予め決定された回転角度や距離に置
かれていればよい。予め決定された回転角度や距離に置
かれる刻印予定位置１０３は、基準位置からのパルスモ
ータのパルス数によって検知することが可能である。
【００３７】さらにまた、本実施の形態では半導体ウエ
ハの表面円周上から側面部に渡って識別マーク１０２を
形成するものとしているが、これにかぎるものではな
く、ウエハ１００の側面部（端面）のみ、裏面側の円周
部分等、半導体ウエハにおけるのチップ形成領域の妨げ
とならない場所であればよい。
ハの表面円周上から側面部に渡って識別マーク１０２を
形成するものとしているが、これにかぎるものではな
く、ウエハ１００の側面部（端面）のみ、裏面側の円周
部分等、半導体ウエハにおけるのチップ形成領域の妨げ
とならない場所であればよい。
【００３８】また、本実施の形態ではノッチ１０１の検
出に使用する検出部７と識別マーク１０２の検出に使用
する検出部８とを別々に設けているがこれに限るもので
はない。図６に示すように受光素子７ｂ，８ｂは別々と
し、ＬＥＤ９をノッチ１０１，識別マーク１０２に検出
光を投光する光源として共用することもできる。この場
合には従来のノッチ検出部に受光素子８ｂを追加するこ
とにより低コスト、簡単な構成で本発明を適用できるこ
ととなる。また、外部からの散乱光が受光素子に入り易
い場合、ＬＥＤや受光素子の直前にスリットを設置し、
識別マーク１０２の検出に不必要な光束を検出しないよ
うな光学系を形成することもできる。
出に使用する検出部７と識別マーク１０２の検出に使用
する検出部８とを別々に設けているがこれに限るもので
はない。図６に示すように受光素子７ｂ，８ｂは別々と
し、ＬＥＤ９をノッチ１０１，識別マーク１０２に検出
光を投光する光源として共用することもできる。この場
合には従来のノッチ検出部に受光素子８ｂを追加するこ
とにより低コスト、簡単な構成で本発明を適用できるこ
ととなる。また、外部からの散乱光が受光素子に入り易
い場合、ＬＥＤや受光素子の直前にスリットを設置し、
識別マーク１０２の検出に不必要な光束を検出しないよ
うな光学系を形成することもできる。
【００３９】また、本実施の形態ではウエハ１００の円
周上の所定位置に一つの刻印からなる識別マーク１０２
を設けているが、バーコードのように英数字を表すよう
な刻印を各刻印予定箇所に形成することもできる。例え
ば、図８に示すようにウエハ１００上の刻印予定位置１
０３ａ〜１０３ｇの各々に複数の刻印の組み合わせから
なる識別マーク１０２ａ′〜１０２ｇ′を設けておけば
よい。
周上の所定位置に一つの刻印からなる識別マーク１０２
を設けているが、バーコードのように英数字を表すよう
な刻印を各刻印予定箇所に形成することもできる。例え
ば、図８に示すようにウエハ１００上の刻印予定位置１
０３ａ〜１０３ｇの各々に複数の刻印の組み合わせから
なる識別マーク１０２ａ′〜１０２ｇ′を設けておけば
よい。
【００４０】ここでは識別マーク１０２′の詳細を識別
マーク１０２ａ′の刻印形成状態を例にとって説明す
る。識別マーク１０２ａ′は複数の刻印からなってお
り、ノッチ１０１から所定の回転角度に形成され、識別
マークの検出基準となる基準刻印１０４ａが初めに形成
されている。この基準刻印１０４ａから所定間隔（パル
スモータで数パルス毎）に、刻印１０６ａを形成するた
めの位置１０５ａが８ヶ所設けられている。
マーク１０２ａ′の刻印形成状態を例にとって説明す
る。識別マーク１０２ａ′は複数の刻印からなってお
り、ノッチ１０１から所定の回転角度に形成され、識別
マークの検出基準となる基準刻印１０４ａが初めに形成
されている。この基準刻印１０４ａから所定間隔（パル
スモータで数パルス毎）に、刻印１０６ａを形成するた
めの位置１０５ａが８ヶ所設けられている。
【００４１】識別マーク１０２ａ′では、この位置１０
５ａの１番目，２番目と６番目の所に刻印１０６ａが形
成されている。このように位置１０５ａ（８ヶ所）に３
つの刻印１０６ａを形成し、その形成位置を種々変える
ことにより、英数字を表せるようにしている。
５ａの１番目，２番目と６番目の所に刻印１０６ａが形
成されている。このように位置１０５ａ（８ヶ所）に３
つの刻印１０６ａを形成し、その形成位置を種々変える
ことにより、英数字を表せるようにしている。
【００４２】このような識別マーク１０２ａ′〜１０２
ｇ′を使用することにより、ウエハ１００に形成させる
識別情報のバリエーションをさらに増やせることとな
る。
ｇ′を使用することにより、ウエハ１００に形成させる
識別情報のバリエーションをさらに増やせることとな
る。
【００４３】また、本実施の形態で示すように簡単な構
成で半導体ウエハの識別を行うことができるため、識別
マークを検知するための構成部分のみをユニットとして
扱い、既存の半導体ウエハ製造装置、搬送装置や検査装
置等に簡単に組み込むことが可能である。
成で半導体ウエハの識別を行うことができるため、識別
マークを検知するための構成部分のみをユニットとして
扱い、既存の半導体ウエハ製造装置、搬送装置や検査装
置等に簡単に組み込むことが可能である。
【００４４】この場合にはノッチ等を検出するための光
学系（光源及び受光素子等）と、識別マークを検出する
ための光学系（光源及び受光素子等）からなる光量検出
手段と、既存の半導体ウエハ識別装置に設けられている
ステージを回転させるための回転手段（パルスモータや
エンコーダ付きのＤＣモータ等）からの回転角度情報を
取得するための回転角度検知手段（例えばＣＰＵ、カウ
ンタ回路、フォトカプラー等）と、得られた情報（回転
角度や光量変化等）を半導体ウエハ識別するためのパソ
コンに送信する出力手段（例えばＲＳ２３２Ｃ、ＬＡＮ
等）とが設けられた識別子検出ユニットを用意すればよ
い。
学系（光源及び受光素子等）と、識別マークを検出する
ための光学系（光源及び受光素子等）からなる光量検出
手段と、既存の半導体ウエハ識別装置に設けられている
ステージを回転させるための回転手段（パルスモータや
エンコーダ付きのＤＣモータ等）からの回転角度情報を
取得するための回転角度検知手段（例えばＣＰＵ、カウ
ンタ回路、フォトカプラー等）と、得られた情報（回転
角度や光量変化等）を半導体ウエハ識別するためのパソ
コンに送信する出力手段（例えばＲＳ２３２Ｃ、ＬＡＮ
等）とが設けられた識別子検出ユニットを用意すればよ
い。
【００４５】このような構成を備える識別子検出ユニッ
トを前述した既存の装置に取り付けることにより、本発
明を適用することが可能となる。
トを前述した既存の装置に取り付けることにより、本発
明を適用することが可能となる。
【００４６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、半導体
ウエハの表面又は裏面に種々の処理工程が行われても識
別情報の識別率を向上できる。また、簡単な装置構成に
て半導体ウエハの識別情報を識別できる。
ウエハの表面又は裏面に種々の処理工程が行われても識
別情報の識別率を向上できる。また、簡単な装置構成に
て半導体ウエハの識別情報を識別できる。
【図１】本実施の形態で使用する半導体ウエハの構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】本実施の形態で使用する半導体ウエハ識別装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図３】半導体ウエハ識別装置における検出部の詳細を
示す図である。
示す図である。
【図４】制御系を示すブロック図である。
【図５】回転動作中の半導体ウエハからの反射光量の増
減を示す図である。
減を示す図である。
【図６】検出部の変容例を示す図である。
【図７】半導体ウエハの識別を行うための動作の流れを
示した図である。
示した図である。
【図８】半導体ウエハ上に形成される識別マークの変容
例を示す図である。
例を示す図である。
１ 半導体ウエハ識別装置本体 ３ エアピンセット ３ａ 吸着部 ４ 駆動路 ５ ステージ ６ 検出部 １００ 半導体ウエハ １０１ ノッチ １０２ 識別マーク １０３ 刻印予定箇所
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体ウェハ円周に形成された識別子で
あって，ウエハ中心を中心として回転したときの予め定
められた複数の回転角度に関係付けられて形成された識
別マークからなるウェハ識別用の識別子と、前記識別マ
ークの回転角度の基準とするためにウェハ円周に形成さ
れた基準マークと、を備えることを特徴とする半導体ウ
エハ。 - 【請求項２】 請求項１の半導体ウエハにおいて、前記
識別マーク及び基準マークが形成されるウェハ円周と
は、ウエハの側面部分であることを特徴とする半導体ウ
エハ。 - 【請求項３】 請求項１の基準マークは、ウエハの位置
出し基準となるオリフラ又はノッチとしたことを特徴と
する半導体ウエハ。 - 【請求項４】 請求項１の半導体ウエハにおいて、前記
識別子は前記基準マークに対する所定の回転角度におけ
る前記識別マークの有無の組み合わせによって構成され
ることを特徴とする半導体ウエハ。 - 【請求項５】 請求項１〜４の何れかの半導体ウエハが
有する識別子の認識を行う半導体ウエハ識別装置であっ
て、前記識別マークを検出するための検出光を投光する
光源とその検出光を受光する受光素子とを持つ第１検出
ユニットと、前記基準マークを検出するための検出光を
投光する光源とその検出光を受光する受光素子とを持つ
第２検出ユニットと、ウエハ中心を中心としてウエハ又
は前記第１及び第２検出ユニットを相対的に回転する回
転手段と、該回転手段の回転情報と前記第１及び第２検
出ユニットが持つそれぞれの受光素子からの出力信号と
に基づいてウェハの識別情報を認識する認識手段と、を
備えることを特徴とする半導体ウエハ識別装置。 - 【請求項６】 請求項５の半導体ウエハ識別装置におい
て、前記認識手段は前記識別マークの所定の回転角度に
おける形成の有無の組み合わせによって半導体ウエハの
識別情報を認識することを特徴とする半導体ウエハ識別
装置。 - 【請求項７】 請求項５の半導体ウエハ識別装置におい
て、前記第１検出ユニットの光源又は受光素子の少なく
とも一方を前記第２検出ユニットの光源又は受光素子と
共用したことを特徴とする半導体ウエハ識別装置。 - 【請求項８】 半導体ウエハ中心を中心として回転した
ときの予め定められた複数の回転角度に関係付けられて
形成された識別マークに照明光を照射し、その反射光を
受光してその反射光量の増減により識別マークの有無を
検知することにより半導体ウエハの識別を行うことを特
徴とする半導体ウエハの識別方法。 - 【請求項９】 請求項８の半導体ウエハの識別方法にお
いて、前記半導体ウエハの回転動作時に前記照明光を照
射して前記識別マークの有無を検知することを特徴とす
る半導体ウエハの識別方法。 - 【請求項１０】 請求項１〜４の何れかの半導体ウエハ
が有する識別子の認識を行う半導体ウエハ識別ユニット
であって、前記識別マークを検出するための検出光を投
光する光源とその検出光を受光する受光素子とを持つ第
１検出ユニットと、前記基準マークを検出するための検
出光を投光する光源とその検出光を受光する受光素子と
を持つ第２検出ユニットと、半導体ウエハの回転角度情
報を取得する回転角度取得手段と、該回転角度取得手段
によって得られる回転角度情報と前記第１及び第２検出
ユニットが持つそれぞれの受光素子からの出力信号とを
外部へ出力する出力手段と、を備えることを特徴とする
半導体ウエハ識別ユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001169340A JP2002367871A (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 半導体ウエハ、半導体ウエハの識別方法及び該方法を用いた半導体ウエハ識別装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001169340A JP2002367871A (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 半導体ウエハ、半導体ウエハの識別方法及び該方法を用いた半導体ウエハ識別装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002367871A true JP2002367871A (ja) | 2002-12-20 |
| JP2002367871A5 JP2002367871A5 (ja) | 2006-04-13 |
Family
ID=19011429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001169340A Withdrawn JP2002367871A (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 半導体ウエハ、半導体ウエハの識別方法及び該方法を用いた半導体ウエハ識別装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002367871A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100577596B1 (ko) * | 2003-04-25 | 2006-05-10 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액체방울 토출 장치 및 액체방울 토출 방법 |
| JP2006527922A (ja) * | 2003-06-19 | 2006-12-07 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | エッジをベースにした識別機能を有する半導体ウエハ |
| JP2009194323A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体ウエハとその識別方法 |
| JP2021027058A (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-22 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| US20210351050A1 (en) * | 2020-05-05 | 2021-11-11 | Applied Materials, Inc. | Front surface and back surface orientation detection of transparent substrate |
-
2001
- 2001-06-05 JP JP2001169340A patent/JP2002367871A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100577596B1 (ko) * | 2003-04-25 | 2006-05-10 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액체방울 토출 장치 및 액체방울 토출 방법 |
| JP2006527922A (ja) * | 2003-06-19 | 2006-12-07 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | エッジをベースにした識別機能を有する半導体ウエハ |
| JP2009194323A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体ウエハとその識別方法 |
| JP2021027058A (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-22 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| JP7242144B2 (ja) | 2019-07-31 | 2023-03-20 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| US20210351050A1 (en) * | 2020-05-05 | 2021-11-11 | Applied Materials, Inc. | Front surface and back surface orientation detection of transparent substrate |
| WO2021226280A1 (en) * | 2020-05-05 | 2021-11-11 | Applied Materials, Inc. | Front surface and back surface orientation detection of transparent substrate |
| US11728191B2 (en) | 2020-05-05 | 2023-08-15 | Applied Materials, Inc. | Front surface and back surface orientation detection of transparent substrate |
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|
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|
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