JP2002363777A - 銅または銅合金のエッチング剤ならびにエッチング法 - Google Patents
銅または銅合金のエッチング剤ならびにエッチング法Info
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Abstract
チング剤及び前記表面を平滑にするエッチング法を提供
すること。 【解決手段】 液をアルカリ性に保って酸化剤の分解を
抑制するヒドロキシルアミン、銅を参加して液中への溶
解を促進するための酸化剤、液中にアンモニヤイオンを
供給して銅の溶解を促進するアンモニウム塩および垂直
方向の銅の溶解を抑制し水平方向の銅の溶解を促進する
アゾール化合物を含有する水溶液からなる銅または銅合
金のエッチング剤ならびにエッチング方法。
Description
(以下、単に銅という)の表面を平滑にエッチングしう
るエッチング剤ならびにエッチング法に関する。
として、例えば特公平58−21028号公報には、シ
ュウ酸塩、過酸化水素、アミン類およびベンゾトリアゾ
ールを含有する酸性水溶液が開示されている。また、米
国特許第5630950号明細書には、硫酸、過酸化水
素および過酸化水素安定剤を含有する酸性水溶液が開示
されている。
58−21028号公報のエッチング剤には、処理を5
0℃程度の高温で行なわなければならない、難溶性の銅
錯体が析出しやすいなどの問題がある。また米国特許第
5630950号のエッチング剤には、硫酸濃度や過酸
化水素濃度を狭い範囲で管理しなければならない、過酸
化水素濃度が高いために突沸しやすいなどの問題があ
る。
克服し、穏和な条件で銅表面を平滑にするためのエッチ
ング剤及び前記表面を平滑にするエッチング法を提供す
ることを目的とする。
を解決するべく鋭意検討を重ねた結果、銅表面をヒドロ
キシルアミン、酸化剤、アンモニウム塩およびアゾール
化合物を含有する水溶液と接触させると、銅表面を平滑
にできることを見出した。
る。 (1) ヒドロキシルアミン、酸化剤、アンモニウム塩
およびアゾール化合物を含有する水溶液からなる銅また
は銅合金のエッチング剤。 (2) 銅または銅合金の表面に、ヒドロキシルアミ
ン、酸化剤、アンモニウム塩およびアゾール化合物を含
有する水溶液を接触させ、前記表面を平滑にするエッチ
ング法。
載する。本発明に用いられるヒドロキシルアミンは、液
をアルカリ性に保って酸化剤の分解を抑制し、また液中
で銅を保持するための成分であり、その具体例として
は、例えばモノエタノールアミン、N−メチルエタノー
ルアミン、N−エチルエタノールアミン、N−ブチルエ
タノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、
N,N−ジエチルエタノールアミン、2−(2−ヒドロ
キシ)エトキシエタノールアミンなどのモノエタノール
アミン、ジエタノールアミン、N−メチルジエタノール
アミン、N−ブチルジエタノールアミンなどのジエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミ
ン、イソプロパノールアミン、ヒドロキシエチルピペラ
ジンなどのアルカノールアミンや、アンモニア水溶液が
あげられる。前記ヒドロキシルアミンのうちでは、モノ
エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミンなどの炭素原子数8以下のアルカノールアミン
やアンモニア水溶液などが、銅を保持する能力が高く、
また入手しやすく安価なので好ましい。前記ヒドロキシ
ルアミンは2種以上を併用してもよい。
度は1〜40%(重量%、以下同様)が好ましく、5〜
30%がさらに好ましい。前記濃度が1〜40%の場
合、エッチング液が溶解しうる銅の量が多く、また酸化
剤が分解にくく、更にコスト面から見ても良好である。
て液中への溶解を促進するための成分であり、その具体
例としては、例えば塩素酸、塩素酸塩(ナトリウム塩、
カリウム塩など)、亜塩素酸、亜塩素酸塩(ナトリウム
塩、カリウム塩など)、次亜塩素酸、次亜塩素酸塩(ナ
トリウム塩、カリウム塩など)があげられる。前記酸化
剤のうちでは、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩な
どの塩類が液中での安定性が高いという点から好まし
い。前記酸化剤は2種以上を併用してもよい。
%が好ましく、5〜10%がさらに好ましい。前記濃度
が1〜15%の場合、エッチング速度が速く、また、酸
化剤自体が分解しにくく、更にコスト面から見ても良好
である。
中にアンモニウムイオンを供給することにより銅の溶解
を促進する成分であり、その具体例としては、例えば、
塩化アンモニウム、シュウ化アンモニウム、硫酸アンモ
ニウム、過硫酸アンモニウム、スルファミン酸アンモニ
ウム、シュウ酸アンモニウム、リン酸1アンモニウム、
リン酸2アンモニウム、リン酸3アンモニウム、クエン
酸アンモニウム、クエン酸2アンモニウム、アジピン酸
アンモニウム、乳酸アンモニウムなどがあげられる。前
記アンモニウム塩のうちでは、塩化アンモニウム、シュ
ウ化アンモニウム、硫酸アンモニウム、リン酸1アンモ
ニウム、リン酸2アンモニウム、リン酸3アンモニウ
ム、クエン酸アンモニウムなどが、酸化剤との反応性が
低く、液の安全性が高くなるという点から好ましい。前
記アンモニウム塩は2種以上を併用してもよい。
1〜10%が好ましく、2〜6%がさらに好ましい。前
記濃度が1〜10%の場合、エッチング速度が速すぎ
ず、遅すぎず適切となり、そのためむらが生じにくく、
平滑な銅表面が得られやすくなる。
直方向の銅の溶解を抑制し、水平方向の銅の溶解を促進
する成分であり、その具体例としては、例えばイミダゾ
ール、2−フェニルイミダゾール、1−ビニルイミダゾ
ール、ベンゾイミダゾール、2−ブチルベンゾイミダゾ
ール、2−フェニルエチルベンゾイミダゾール、2−ア
ミノベンゾイミダゾール、2−メルカプトベンゾイミダ
ゾールなどのイミダゾール類、1,2,4−トリアゾー
ル、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、1,2,
3−ベンゾトリアゾール、1−ヒドロキシベンゾトリア
ゾール、カルボキシベンゾトリアゾールなどのトリアゾ
ール類、テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾ
ール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−アミノ−
1H−テトラゾールなどのテトラゾール類、ピラゾー
ル、ベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾー
ルなどがあげられる。前記アゾール化合物のうちでは、
イミダゾール、1−ビニルイミダゾール、1,2,4−
トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾー
ル、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール、テトラゾー
ル、5−メチル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1
H−テトラゾールなどの芳香族置換基を有しないアゾー
ル化合物が、液中に溶解させやすく、銅表面を平滑にす
る効果が優れているので好ましい。前記アゾール化合物
は2種以上を併用してもよい。
0.1〜2%が好ましく、0.4〜1.2%がさらに好
ましい。前記濃度が0.1〜2%の場合、平滑な銅表面
が得られやすくなる。
り、pHは通常10〜12の範囲である。本発明のエッ
チング剤には、さらに種々の添加剤を配合してもよく、
例えばより均一なエッチングを行なうために界面活性剤
を配合してもよい。
水に溶解させることにより容易に調整することができ
る。前記水としては、イオン交換水などのイオン性物質
や不純物を除去した水が好ましい。
銅表面には特に限定はなく、例えば銅箔、無電解銅めっ
き膜、電解銅めっき膜、銅スパッタリング膜などの表面
であってもよい。前記銅表面は、水酸化ナトリウム水溶
液などによるアルカリ洗浄、または硫酸や塩酸による酸
洗浄を行った清浄な表面であることが好ましい。
る方法としては、例えばスプレー法、シャワー法、浸漬
法などが用いられ、その後、水洗、乾燥させればよい。
エッチング剤と銅表面とを接触させる際の条件にとくに
限定はないが、通常エッチング剤の温度は20〜30℃
が好ましく、接触時間は30〜120秒間が好ましい。
好ましい範囲は、銅表面の表面状態や目的の平滑度によ
って異なるが、通常1〜4μmである。本発明のエッチ
ング剤により銅表面をエッチングすると、エッチングの
進行に伴って銅表面の平滑度が高まる。したがって、被
処理面の凹凸が大きい場合や平滑度の高い表面を得たい
場合には、エッチング量(エッチング深さ)を大きくと
ればよい。
グ剤でエッチングすることにより銅表面が平滑にエッチ
ングされる。本発明のエッチング剤は、例えばニッケル
めっき、金めっき、銀めっき、スズめっきなどの金属め
っきの前処理などに有用であり、金属めっきの平滑性を
高めることができる。また、プリント配線板の銅回路パ
ターンなどをフォトエッチング法で形成する際のフォト
レジスト貼付の前処理などにも有用である。
に、プリント配線板用銅張り積層板を5%の塩酸水溶液
に15秒間浸漬したのち、水洗、乾燥し、銅表面を清浄
にした。次に表1に示されるエッチング剤を25℃で3
0秒間スプレーして2μmエッチングし、水洗、乾燥さ
せた。なお、エッチング量は、溶解した銅の重量と表面
積と比重とから算出した値である。処理後の銅表面の平
滑性を光沢度により評価した。光沢度は、JIS Z
8741に従い、日本電色工業(株)製のハンディー光
沢度計PG−1Mを用いて20度鏡面光沢を測定した。
結果を表1に示す。
が、銅表面はほとんどエッチングされなかった。えられ
た表面の光沢度を表1に示す。
ングした。えられた表面の光沢度を表1に示す。
グ剤を用いることにより、銅表面を76.6以上の光沢
度を有する平滑な表面にエッチングすることができた。
滑にするためのエッチング剤及び前記表面を平滑にする
エッチング法を提供することができる。
Claims (2)
- 【請求項1】ヒドロキシルアミン、酸化剤、アンモニウ
ム塩およびアゾール化合物を含有する水溶液からなる銅
または銅合金のエッチング剤。 - 【請求項2】銅または銅合金の表面に、ヒドロキシルア
ミン、酸化剤、アンモニウム塩およびアゾール化合物を
含有する水溶液を接触させ、前記表面を平滑にするエッ
チング法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008001963A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Nikko Kinzoku Kk | 半導体ウェハーの前処理剤及び前処理方法 |
JP2008227508A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Dongjin Semichem Co Ltd | 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物 |
JP2013058629A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Kanto Chem Co Inc | 銅および銅合金のエッチング液 |
KR101337263B1 (ko) * | 2004-08-25 | 2013-12-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 |
KR101461180B1 (ko) | 2012-04-26 | 2014-11-18 | (주)삼성화학 | 비과산화수소형 구리 에칭제 |
KR20170111927A (ko) * | 2016-03-30 | 2017-10-12 | 동우 화인켐 주식회사 | 몰리브덴 함유 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
KR101811553B1 (ko) | 2010-12-14 | 2017-12-21 | 멕크 가부시키가이샤 | 에칭제 및 이를 이용한 에칭방법 |
CN115461495A (zh) * | 2020-04-27 | 2022-12-09 | 纳美仕有限公司 | 复合铜部件 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103695908A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-02 | 东莞市广华化工有限公司 | 一种新型的有机碱微蚀液 |
CN104694909B (zh) * | 2014-07-03 | 2017-01-25 | 广东丹邦科技有限公司 | 一种铜表面粗化剂 |
EP3633072A4 (en) * | 2017-06-01 | 2021-02-17 | Mitsubishi Materials Corporation | HIGHLY PURE ELECTROLYTIC COPPER |
CN111485263B (zh) * | 2019-01-25 | 2023-02-17 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种引线框架去氧化剂、其制备方法和应用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56102581A (en) * | 1980-01-17 | 1981-08-17 | Yamatoya Shokai:Kk | Etching solution of copper |
JP2000282265A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-10 | Mec Kk | 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いる表面処理法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5630950A (en) * | 1993-07-09 | 1997-05-20 | Enthone-Omi, Inc. | Copper brightening process and bath |
JPH0866373A (ja) * | 1995-10-03 | 1996-03-12 | Terumo Corp | 脈拍測定機能付き温度測定器具 |
JPH1129883A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-02-02 | Mec Kk | 銅および銅合金のマイクロエッチング剤 |
US5897375A (en) * | 1997-10-20 | 1999-04-27 | Motorola, Inc. | Chemical mechanical polishing (CMP) slurry for copper and method of use in integrated circuit manufacture |
-
2001
- 2001-06-05 JP JP2001169718A patent/JP4706081B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-03 CN CNB021222509A patent/CN1324164C/zh not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56102581A (en) * | 1980-01-17 | 1981-08-17 | Yamatoya Shokai:Kk | Etching solution of copper |
JP2000282265A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-10 | Mec Kk | 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いる表面処理法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101337263B1 (ko) * | 2004-08-25 | 2013-12-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 |
KR101348751B1 (ko) * | 2004-08-25 | 2014-02-18 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐 산화막의 식각액 조성물 |
JP2008001963A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Nikko Kinzoku Kk | 半導体ウェハーの前処理剤及び前処理方法 |
JP2008227508A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Dongjin Semichem Co Ltd | 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物 |
KR101811553B1 (ko) | 2010-12-14 | 2017-12-21 | 멕크 가부시키가이샤 | 에칭제 및 이를 이용한 에칭방법 |
KR101823817B1 (ko) | 2010-12-14 | 2018-01-30 | 멕크 가부시키가이샤 | 에칭제 및 이를 이용한 에칭방법 |
JP2013058629A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Kanto Chem Co Inc | 銅および銅合金のエッチング液 |
KR101461180B1 (ko) | 2012-04-26 | 2014-11-18 | (주)삼성화학 | 비과산화수소형 구리 에칭제 |
KR20170111927A (ko) * | 2016-03-30 | 2017-10-12 | 동우 화인켐 주식회사 | 몰리브덴 함유 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
KR102367814B1 (ko) * | 2016-03-30 | 2022-02-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 몰리브덴 함유 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
CN115461495A (zh) * | 2020-04-27 | 2022-12-09 | 纳美仕有限公司 | 复合铜部件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI242608B (en) | 2005-11-01 |
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