JP2002363776A - エッチング剤組成物 - Google Patents
エッチング剤組成物Info
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- JP2002363776A JP2002363776A JP2001176263A JP2001176263A JP2002363776A JP 2002363776 A JP2002363776 A JP 2002363776A JP 2001176263 A JP2001176263 A JP 2001176263A JP 2001176263 A JP2001176263 A JP 2001176263A JP 2002363776 A JP2002363776 A JP 2002363776A
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- etching agent
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- oxalic acid
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Abstract
(57)【要約】
【課題】透明導電薄膜をシュウ酸溶液を用いたエッチン
グの際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、温和
な条件下で、エッチングが行えるエッチング剤を提供す
ることにある。 【解決手段】シュウ酸と、ポリオキシアルキレンアルキ
ルエーテルリン酸エステルを含有する水溶液からなる透
明導電薄膜用エッチング剤組成物。
グの際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、温和
な条件下で、エッチングが行えるエッチング剤を提供す
ることにある。 【解決手段】シュウ酸と、ポリオキシアルキレンアルキ
ルエーテルリン酸エステルを含有する水溶液からなる透
明導電薄膜用エッチング剤組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレ−
等に画素電極として使用される、ＩＴＯ（酸化インジウ
ム錫）等の透明導電膜のウエットエッチングに使用され
るエッチング剤組成物に関する。
等に画素電極として使用される、ＩＴＯ（酸化インジウ
ム錫）等の透明導電膜のウエットエッチングに使用され
るエッチング剤組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ膜をはじめとする透明導電膜は、
帯電防止膜、熱反射膜、光電変換素子や各種フラットパ
ネルディスプレイの透明電極などの電子デバイス分野に
広く用いられてきた。特に、最近では、ノートＰＣや小
型ＴＶ、携帯用情報端末などの普及とともに、液晶ディ
スプレー（ＬＣＤ）での需要が増加している。ＩＴＯ膜
等の透明導電膜は、フラットパネルディスプレイの分野
においては、画素の表示電極として使用され、フォトリ
ソグラフィーのエッチングにより作成される。しかしな
がら、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、特にＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの分野においては、従来多結晶ＩＴＯが使用されてき
たが、基板サイズが大型化するほど、多結晶ＩＴＯは均
一化が難しくなってきている。また、上記の表示電極の
形成方法としては、透明導電膜上に、フォトレジストを
塗布し、露光、現像後、フォトレジストをマスクとして
エッチング剤を用いて、エッチング後、残存するフォト
レジストを剥離して形成される。従来、上記多結晶ＩＴ
Ｏ膜等の透明導電膜のエッチング剤として、塩化第二鉄
／塩酸水溶液、ヨウ素酸水溶液、リン酸水溶液、塩酸／
硝酸水溶液（王水）等が用いられてきた。上記ＩＴＯ等
のウエットエッチング剤は、パタニ−ングの際にＡｌ等
への腐食が起こり、また粒界から選択的エッチングが進
行するため、加工精度良くパターニ−ングすることも困
難である。以上の理由により、基板サイズの大型化、Ｔ
ＦＴパネルの大型化、高精細化、配線のＡｌ化などに伴
って、画素表示電極として加工精度良く、エッチングが
可能なエッチング剤の要求が高まっている。これらの問
題を解決するために、最近非晶質ＩＴＯを使用し、弱
酸、特にシュウ酸水溶液で非晶質ＩＴＯをウエットエッ
チングする方法が提唱されている。しかしながら、シュ
ウ酸水溶液を使用し、非晶質ＩＴＯをウエットエッチン
グした際に、エッチング残渣が発生する問題があり、こ
のエッチング残渣を発生しないエッチング剤が望まれて
いる。
帯電防止膜、熱反射膜、光電変換素子や各種フラットパ
ネルディスプレイの透明電極などの電子デバイス分野に
広く用いられてきた。特に、最近では、ノートＰＣや小
型ＴＶ、携帯用情報端末などの普及とともに、液晶ディ
スプレー（ＬＣＤ）での需要が増加している。ＩＴＯ膜
等の透明導電膜は、フラットパネルディスプレイの分野
においては、画素の表示電極として使用され、フォトリ
ソグラフィーのエッチングにより作成される。しかしな
がら、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、特にＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの分野においては、従来多結晶ＩＴＯが使用されてき
たが、基板サイズが大型化するほど、多結晶ＩＴＯは均
一化が難しくなってきている。また、上記の表示電極の
形成方法としては、透明導電膜上に、フォトレジストを
塗布し、露光、現像後、フォトレジストをマスクとして
エッチング剤を用いて、エッチング後、残存するフォト
レジストを剥離して形成される。従来、上記多結晶ＩＴ
Ｏ膜等の透明導電膜のエッチング剤として、塩化第二鉄
／塩酸水溶液、ヨウ素酸水溶液、リン酸水溶液、塩酸／
硝酸水溶液（王水）等が用いられてきた。上記ＩＴＯ等
のウエットエッチング剤は、パタニ−ングの際にＡｌ等
への腐食が起こり、また粒界から選択的エッチングが進
行するため、加工精度良くパターニ−ングすることも困
難である。以上の理由により、基板サイズの大型化、Ｔ
ＦＴパネルの大型化、高精細化、配線のＡｌ化などに伴
って、画素表示電極として加工精度良く、エッチングが
可能なエッチング剤の要求が高まっている。これらの問
題を解決するために、最近非晶質ＩＴＯを使用し、弱
酸、特にシュウ酸水溶液で非晶質ＩＴＯをウエットエッ
チングする方法が提唱されている。しかしながら、シュ
ウ酸水溶液を使用し、非晶質ＩＴＯをウエットエッチン
グした際に、エッチング残渣が発生する問題があり、こ
のエッチング残渣を発生しないエッチング剤が望まれて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術における上記の如き、非晶質ＩＴＯをシュウ酸水溶
液を用いたエッチングの際に、エッチング残渣を全く発
生せず、且つ、温和な条件下で、エッチングが行えるエ
ッチング剤を提供することにある。
技術における上記の如き、非晶質ＩＴＯをシュウ酸水溶
液を用いたエッチングの際に、エッチング残渣を全く発
生せず、且つ、温和な条件下で、エッチングが行えるエ
ッチング剤を提供することにある。
【０００４】
【問題を解決するための手段】本発明者等は、上記の問
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、シュウ酸と、界
面活性剤であるポリオキシアルキレンアルキルエーテル
リン酸エステルを含有する水溶液が、非晶質ＩＴＯのエ
ッチングの際、温和な条件下でエッチングが出来、且つ
残渣物が全く発生しない事を見い出し、かかる知見に基
づいて完成に至ったものである。
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、シュウ酸と、界
面活性剤であるポリオキシアルキレンアルキルエーテル
リン酸エステルを含有する水溶液が、非晶質ＩＴＯのエ
ッチングの際、温和な条件下でエッチングが出来、且つ
残渣物が全く発生しない事を見い出し、かかる知見に基
づいて完成に至ったものである。
【０００５】すなわち、本発明は、シュウ酸と、ポリオ
キシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステルを含有
する水溶液からなることを特徴とする透明導電膜用のエ
ッチング剤組成物に関するものである。
キシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステルを含有
する水溶液からなることを特徴とする透明導電膜用のエ
ッチング剤組成物に関するものである。
【０００６】本発明に使用されるシュウ酸の濃度は、
０．０１〜１０重量％であり、０．０１重量％以下では
エッチング速度が遅く、また１０重量％以上では、エッ
チング速度は向上せず、得策ではない。
０．０１〜１０重量％であり、０．０１重量％以下では
エッチング速度が遅く、また１０重量％以上では、エッ
チング速度は向上せず、得策ではない。
【０００７】また本発明に使用されるポリオキシアルキ
レンアルキルエーテルリン酸エステルとして、例えば下
記一般式（１）および（２）で表される化合物が挙げら
れる。
レンアルキルエーテルリン酸エステルとして、例えば下
記一般式（１）および（２）で表される化合物が挙げら
れる。
【０００８】
【化１】 （式中、Ｒ1は炭素数１〜３０のアルキル基または炭素
数７〜３０のアルキルアリール基、ａは１〜２００の整
数である。）
数７〜３０のアルキルアリール基、ａは１〜２００の整
数である。）
【０００９】
【化２】 （式中、Ｒ2およびＲ3は炭素数１〜３０のアルキル基ま
たは炭素数７〜３０のアルキルアリール基、ｂおよびｃ
は１〜２００の整数である。）
たは炭素数７〜３０のアルキルアリール基、ｂおよびｃ
は１〜２００の整数である。）
【００１０】上記一般式（１）および（２）において、
アルキル基として炭素数２〜１２のものが好ましく、ま
たアリール基としては炭素数１４〜１８のものが好まし
い。
アルキル基として炭素数２〜１２のものが好ましく、ま
たアリール基としては炭素数１４〜１８のものが好まし
い。
【００１１】具体的には、商品名として、アデカコール
(旭電化工業製)、プライサーフ（第一工業製薬製）、フ
ォスファノール（東邦化学製）、ニューコール、アント
ックス（日本乳化剤製）等が好適に使用される。
(旭電化工業製)、プライサーフ（第一工業製薬製）、フ
ォスファノール（東邦化学製）、ニューコール、アント
ックス（日本乳化剤製）等が好適に使用される。
【００１２】ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリ
ン酸エステルは単独でも、二種以上組み合せて使用して
も良く、好ましい濃度は、０．０００１〜５重量％であ
る。
ン酸エステルは単独でも、二種以上組み合せて使用して
も良く、好ましい濃度は、０．０００１〜５重量％であ
る。
【００１３】上記ポリオキシアルキレンアルキルエーテ
ルリン酸エステルの濃度が０．０００１重量％以下であ
ると、エッチング時の残渣物が発生し、５重量％以上で
は、ＩＴＯのエッチング速度が低下し、好ましくない。
ルリン酸エステルの濃度が０．０００１重量％以下であ
ると、エッチング時の残渣物が発生し、５重量％以上で
は、ＩＴＯのエッチング速度が低下し、好ましくない。
【００１４】本発明の、使用濃度は、常温から９０℃ま
でであり、使用時間は、１〜３０分程度である。また本
発明は、非晶質ＩＴＯの他に、ＩＺＯ（インジウムー亜
鉛酸化物）等の、ウェットエッチングにも好適に使用さ
れる。
でであり、使用時間は、１〜３０分程度である。また本
発明は、非晶質ＩＴＯの他に、ＩＺＯ（インジウムー亜
鉛酸化物）等の、ウェットエッチングにも好適に使用さ
れる。
【００１５】
【実施例１】図１は、ガラス基板（１）上に、絶縁膜で
あるＳｉＮ（２）を成膜し、さらに非晶質ＩＴＯ（３）
を成膜し、非晶質ＩＴＯ上にレジストを塗布し、現像を
行った後の基板の断面図である。図１に示した基板を使
用し、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品
名：アントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有
する水溶液であるエッチング剤を使用し、４０℃、２分
間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離
液でレジスト（４）を剥離した後、水洗し、乾燥した。
ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質Ｉ
ＴＯ（３）は良好にエッチングされ、残渣物は全く観察
されなかった。
あるＳｉＮ（２）を成膜し、さらに非晶質ＩＴＯ（３）
を成膜し、非晶質ＩＴＯ上にレジストを塗布し、現像を
行った後の基板の断面図である。図１に示した基板を使
用し、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％の、
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品
名：アントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有
する水溶液であるエッチング剤を使用し、４０℃、２分
間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離
液でレジスト（４）を剥離した後、水洗し、乾燥した。
ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質Ｉ
ＴＯ（３）は良好にエッチングされ、残渣物は全く観察
されなかった。
【００１６】
【比較例１】実施例１で用いた基板を、３．４重量％の
シュウ酸を含有する水溶液であるエッチング剤で４０
℃、２分間エッチングを水洗後、乾燥した。さらに塩基
性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗した。
ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ（３）はエッチングさ
れていたが、図２に示す如く多数の残渣物（５）が観察
された。
シュウ酸を含有する水溶液であるエッチング剤で４０
℃、２分間エッチングを水洗後、乾燥した。さらに塩基
性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗した。
ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ（３）はエッチングさ
れていたが、図２に示す如く多数の残渣物（５）が観察
された。
【００１７】
【比較例２】実施例１で用いた基板を、０．５重量％の
含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で
使用した基板をポリオキシアルキレンアルキルエーテル
リン酸塩（商品名：アントックスＥＨＤ４００、日本乳
化剤製）を含有する水溶液であるエッチング液で４０
℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レ
ジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。
ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは、ほとんどエッチン
グされていなかった。
含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で
使用した基板をポリオキシアルキレンアルキルエーテル
リン酸塩（商品名：アントックスＥＨＤ４００、日本乳
化剤製）を含有する水溶液であるエッチング液で４０
℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レ
ジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。
ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは、ほとんどエッチン
グされていなかった。
【００１８】
【実施例２】シュウ酸３．４重量％、０．１重量％のポ
リオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品
名：アントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有
する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用
した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、
さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗
し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好
にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
リオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品
名：アントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有
する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用
した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、
さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗
し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好
にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
【００１９】
【実施例３】シュウ酸３．４重量％と、０．１重量％の
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品
名：アントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有
する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用
した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、
さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗
し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好
にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品
名：アントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有
する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用
した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、
さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗
し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好
にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
【００２０】
【実施例４】シュウ酸１．０重量％、０．１重量％のポ
リオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品
名：アントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有
する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用
した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、
さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗
し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好
にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
リオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品
名：アントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有
する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用
した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、
さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗
し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好
にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
【００２１】
【実施例５】シュウ酸５．５重量％、０．１重量％のポ
リオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品
名：アントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有
する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用
した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、
さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗
し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好
にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
リオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品
名：アントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有
する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用
した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、
さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗
し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好
にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
【００２２】
【比較例３】酢酸５．５重量％、０．１重量％のポリオ
キシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：ア
ントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有する水
溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基
板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに
塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾
燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯはほとんどエ
ッチングされていなかった。
キシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：ア
ントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有する水
溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基
板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに
塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾
燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯはほとんどエ
ッチングされていなかった。
【００２３】
【発明の効果】本発明のエッチング剤組成物を使用する
と、非晶質ＩＴＯのエッチングの際、温和な条件下でエ
ッチングが出来、且つ残渣物が全く発生しない。
と、非晶質ＩＴＯのエッチングの際、温和な条件下でエ
ッチングが出来、且つ残渣物が全く発生しない。
【図１】ガラス基板上に、絶縁膜であるＳｉＮを成膜
し、さらに非晶質ＩＴＯを成膜し、非晶質ＩＴＯ上にレ
ジストを塗布し、現像を行った後の基板の断面図であ
る。
し、さらに非晶質ＩＴＯを成膜し、非晶質ＩＴＯ上にレ
ジストを塗布し、現像を行った後の基板の断面図であ
る。
【図２】図１の基板を比較例１記載のエッチング剤でエ
ッチング後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを
剥離した後の状態図である。
ッチング後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを
剥離した後の状態図である。
１ ガラス基板 ２ ＳｉＮ ３ 非晶質ＩＴＯ ４ レジスト ５ 残渣物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 久起 新潟県新潟市太夫浜字新割182番地 三菱 瓦斯化学株式会社新潟研究所内 (72)発明者 青山 哲男 新潟県新潟市太夫浜字新割182番地 三菱 瓦斯化学株式会社新潟研究所内 Ｆターム(参考） 4K057 WA03 WB20 WE14 WG01 WG02 WG03 WN02 4M104 BB36 BB37 DD64 HH20 5F043 AA26 BB18 GG04
Claims (2)
- 【請求項１】シュウ酸と、ポリオキシアルキレンアルキ
ルエーテルリン酸エステルを含有する水溶液からなる透
明導電膜用のエッチング剤組成物。 - 【請求項２】透明導電膜が酸化インジウム錫である請求
項１記載のエッチング剤組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001176263A JP2002363776A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | エッチング剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001176263A JP2002363776A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | エッチング剤組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002363776A true JP2002363776A (ja) | 2002-12-18 |
Family
ID=19017279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001176263A Pending JP2002363776A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | エッチング剤組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002363776A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081658A1 (fr) * | 2002-03-25 | 2003-10-02 | Nagase Chemtex Corporation | Composition de produit d'attaque |
| JP2009503825A (ja) * | 2005-07-25 | 2009-01-29 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物の透明な導電層をエッチングするためのエッチング媒体 |
-
2001
- 2001-06-11 JP JP2001176263A patent/JP2002363776A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081658A1 (fr) * | 2002-03-25 | 2003-10-02 | Nagase Chemtex Corporation | Composition de produit d'attaque |
| JP2009503825A (ja) * | 2005-07-25 | 2009-01-29 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物の透明な導電層をエッチングするためのエッチング媒体 |
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