JP3791597B2 - 透明導電膜用エッチング剤組成物 - Google Patents
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Description
【発明の属する分野】
本発明は、液晶ディスプレ−等に画素電極として使用される、ITO(以下、酸化インジウム錫)等の透明導電膜のウエットエッチングに使用されるエッチング剤組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
ITO膜をはじめとする透明導電膜は、帯電防止膜、熱反射膜、光電変換素子や各種フラットパネルディスプレイの透明電極などの電子デバイス分野に広く用いられてきた。特に、最近では、ノートPCや小型TV、携帯用情報端末などの普及とともに、液晶ディスプレー(LCD)での需要が増加している。ITO膜等の透明導電膜は、フラットパネルディスプレイの分野においては、画素の表示電極として使用され、フォトリソグラフィーのエッチングにより作成される。
しかしながら、液晶ディスプレイ(LCD)、特にTFT−LCDの分野においては、従来多結晶ITOが使用されてきたが、基板サイズが大型化するほど、多結晶ITOは均一化が難しくなってきている。また、上記の表示電極の形成方法としては、透明導電膜上に、フォトレジストを塗布し、露光、現像後、フォトレジストをマスクとしてエッチング剤を用いて、エッチング後、残存するフォトレジストを剥離して形成される。
【0003】
従来、上記多結晶ITO膜等の透明導電膜のエッチング剤として、塩化第二鉄/塩酸水溶液、ヨウ素酸水溶液、リン酸水溶液、塩酸/硝酸水溶液(王水)等が用いられてきた。上記透明導電膜のウエットエッチング剤は、パタニ−ングの際にAl等への腐食が起こり、また粒界から選択的エッチングが進行するため、加工精度良くパタニ−ングすることも困難である。
以上の理由により、基板サイズの大型化、TFTパネルの大型化、高精細化、配線のAl化などに伴って、画素表示電極として加工精度良く、エッチングが可能なエッチング剤の要求が高まっている。これらの問題を解決するために、最近、弱酸、特にシュウ酸水溶液で非晶質ITO等の透明導電膜をウエットエッチングする方法が提唱されている。
しかしながら、シュウ酸水溶液を使用し、透明導電膜をウエットエッチングした際に、エッチング残渣が発生する問題があり、このエッチング残渣を発生しないエッチング剤が望まれており、種々の添加物を添加することでエッチング残渣を発生させない方法が提唱されているが、添加物を添加することにより、エッチング剤使用時に泡が発生する問題があり、実使用にあたって問題となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来技術における上記の如き、非晶質ITO等の透明導電膜を、シュウ酸水溶液を用いてウェットエッチングする際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、温和な条件下でウエットエッチングが行え、泡の発生も抑制したエッチング剤を提供することにある。
【0005】
【問題を解決するための手段】
本発明者等は、上記の問題を解決すべく鋭意検討を行った結果、シュウ酸と、界面活性剤であるポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩および/またはポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩と、
ポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンブロックポリマー、ポリオキシアルキレン脂肪酸エステルおよびポリオキシアルキレン変性シリコンオイルからなる群から選ばれる少なくとも1種を含有する水溶液が、非晶質ITO等の透明導電膜をウエットエッチングする際、温和な条件下でウエットエッチングが出来、泡の発生を抑え、且つ残渣物が全く発生しない事を見い出し、かかる知見に基づいて完成に至ったものである。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明に使用されるシュウ酸の濃度は、0.01〜10重量%である。0.01重量%以下ではエッチング速度が遅く、また10重量%以上では、エッチング速度が向上せず、得策ではない。
【0007】
また、本発明に使用されるポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩は、一般式(1)で表される。
【0008】
【化1】
RO(CH2CH2O)nSO3M (1)
(但し、Rはアルキル基、nは1〜1000の整数、Mはアンモニア、有機アミン、第四級アンモニウム、アルカリ金属を示す。)
【0009】
具体的には、商品名として、エマール20C(花王製)、ハイテノール325D、ハイテノール12 (第一工業製薬製)、アルスコープAP−30、アルスコープLE−240(東邦化学製)、サンノール605N(ライオン製)等が好適に使用される。
【0010】
さらに、本発明に使用されるポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩は、一般式(2)で表される。
【0011】
【化2】
(但し、Rはアルキル基、nは1〜1000の整数)
具体的には、市販のハイテノールNE−05、ハイテノールN―07(第一工業製薬製)、エマールNC−35(花王製)等が好適に使用される。上記ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩およびポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩はそれぞれ単独でも、二種以上組み合せて使用しても良く、好ましい濃度は、0.0001〜5重量%である。0.0001重量%以下であると、エッチング時の、残渣物が、発生し、5重量%以上では、ITO等の透明導電膜のエッチング速度が低下し、好ましくない。
【0012】
また、本発明に使用されるポリオキシアルキレンモノアルキルエーテルは、一般式(3)で表される。
【0013】
【化3】
RO(C3H8O)nH (3)
(但し、Rはアルキル基、nは、1〜1000の整数。)
【0014】
具体的には、市販の、プロナールST−1、プロナール66−P(以上、東邦化学工業製)ノイゲンET−106A、ノイゲンET−116B、ノイゲンDH0300、ノイゲンDL−0206(以上、第一工業製薬製)、等が好適に使用される。
【0015】
本発明に使用されるポリオキシアルキレンブロックポリマーは、一般式(4)で表される。
【0016】
【化4】
HO(CH2CH2O)l(CHCH3CH2O)m(CH2CH2O)nH (4)
(但し、l、mおよびnは、それぞれ1〜1000の整数。)
【0017】
具体的には、市販のドバノックスDH−1509(ライオン製)、エマルゲンPP−150、エマルゲンPP−250、エマルゲンPP−290(以上、花王製)、エパン410、エパン710、エパン720(以上、第一工業製薬製)等が好適に使用される。
【0018】
本発明に使用されるポリオキシアルキレン脂肪酸エステルは、一般式(5)で表される。
【0019】
【化5】
RCOO(R1O)nOCR (5)
(但し、Rはアルキル基、R1はアルキレン基、nは、1〜1000の整数。)
【0020】
具体的には、市販のCF−900(日立化成工業製)、ノイゲンES−99、ノイゲンES−149、ノイゲンES−169(以上、第一工業製薬製)、カデナックスGS−90、カデナックスSO−83、リオノンDT−600、エソファット0/15、エソファット60/15、エソファット242/25(ライオン製)、エマノーン1112、エマノーン3130、エマノーン3170、エマノーン3299、エマノーン4110(以上、花王製)、ノニオンL−2、ノニオンS−2、ノニオンO−2、ノニオンT−4(以上、日本油脂製)、ソルボンS−20、アンステックスN−61、エマルソ302、アンチカール100(以上、東邦化学工業製)等が好適に使用される。
【0021】
さらに、本発明で使用されるポリオキシアルキレン変性シリコンオイルは消泡剤として使用されている。
具体的には、市販の、KS604、KS496A、KS502、KS506、KS604(信越化学工業製)、YSA6406、YSA780(以上、GE東芝シリコーン製)等が好適に使用される。
【0022】
上記ポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンブロックポリマー、ポリオキシアルキレン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレン変性シリコンオイルは単独でも、二種以上組み合せて使用しても良く、好ましい濃度は、全溶液中0.0001〜20重量%である。
【0023】
上記ポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンブロックポリマー、ポリオキシアルキレン脂肪酸エステルおよびポリオキシアルキレン変性シリコンオイルは、添加濃度が0.0001重量%以下であると、消泡効果が十分ではなく、20重量%以上では、十分に、分散、溶解せず、好ましくない。
【0024】
加えて、必要に応じて、界面活性剤であるポリオキシアルキレンアルキルエーテルおよび/またはポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルを更に添加し、残渣物の除去能を向上させることができる。
【0025】
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルは、下記式(6)で表されるものである。
【0026】
【化6】
RO(CH2CH2O)nH (6)
(但し、Rはアルキル基、nは1〜1000の整数)
【0027】
具体的には、市販の、ノイゲンET−60E、ノイゲンET−120E、ノイゲンET−180E、ノイゲンET−69、ノイゲンET−83、ノイゲンET−129、ノイゲンET−170(以上、第一工業製薬製)、エマルゲン104P、エマルゲン130K、エマルゲン210、エマルゲン306P、エマルゲン404、エマルゲン430、エマルゲン707(以上、花王製)、ノニオンE−206、ノニオンE−215、ノニオンP−210、ノニオンS−215、ノニオンK−220、ノニオンT−208.5、パーソフトNK−100(以上、日本油脂製)、ノニオライトAL−5、ノニオライトACL−5、ノニオライトAK−20、ノニオライトAO−20、ノニオライトAS−4H、ノニオライトAP−113、ノニオライトAS−212(以上、共栄社油脂化学工業製)、ノナール106、ノナール210、ノナール430、ノナールC−18、ノナールL−9A(以上、東邦化学工業製)、ニューコール1004、ニューコール1100、ニューコール1203、ニューコール1105、ニューコール1200、ニューコール1310、ニューコール1515、ニューコール1545、ニューコール1620、ニューコール1820(以上、日本乳化剤製)、レオコールSC−30K、レオコールSC−120K、レオコールTD−150K(以上、ライオン製)等が挙げられる。
【0028】
また、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルは、一般式(7)で表されるものである。
【0029】
【化7】
(但し、Rはアルキル基、nは1〜1000の整数)
【0030】
具体的には、市販の、ノイゲンEA167、ノイゲンEA170、ノイゲンEP120A、DKSエレノン(以上、第一工業製薬製)、エマルゲン810、エマルゲン840S、エマルゲン903、エマルゲン909、エマルゲン913、エマルゲン985(以上、花王製)、ノニオンNS−206、ノニオンNS−210、ノニオンNS−270ノニオンHS−206、ノニオンHS−240(以上、日本油脂製)、ノナールCP−60(東邦化学工業製)、サーフィノールPC、サーフィノール104、サーフィノールTG(以上、日信化学工業製)、ニューコール561H、ニューコール568、ニューコール865(以上、日本乳化剤製)、リポノックスNC−10、リポノックスNC−38、リポノックスNC−600、リポノックスBC−140(以上、ライオン製)等が挙げられる。
【0031】
上記ポリオキシアルキレンアルキルエーテルおよびポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルは単独でも、二種以上組み合せて使用しても良く、好ましい濃度は、全溶液中0.0001〜5重量%である。
【0032】
上記ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルの濃度が0.0001重量%以下であると、残渣物の除去能の向上が望めず、5重量%以上では、透明導電膜のエッチング速度が低下し、好ましくない。
【0033】
本発明の、使用濃度は、常温から90℃までであり、使用時間は、1〜30分程度である。
また、本発明は、非晶質ITO、IZO(インジウムー亜鉛酸化物)等の種々の透明導電膜のウェットエッチングに、好適に使用される。
【0034】
【実施例】
【0035】
実施例1
図1に示した基板は、ガラス基板1上に、絶縁膜であるSiN2を成膜し、さらに非晶質ITO3を成膜し、非晶質ITO3上にレジスト4を塗布し、現像を行った後の状態である。図1に示した基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノール12、第一工業製薬製)と、0.05重量%のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル(商品名:ノイゲンDH0300、第一工業製薬製)を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジスト4を剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0036】
実施例2
図1に示した基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノールNE−05、第一工業製薬製)と、0.05重量%のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル(商品名:ノイゲンDH0300、第一工業製薬製)、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0037】
実施例3
図1に示した基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノールNE−05、第一工業製薬製)と、0.5重量%のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル(商品名:ノイゲンDH0300、第一工業製薬製)、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0038】
実施例4
図1に示した基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノールNE−05、第一工業製薬製)と、0.05重量%のポリオキシアルキレンブロックポリマー(商品名:エパン410、第一工業製薬製)、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0039】
実施例5
図1に示した基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノールNE−05、第一工業製薬製)と、0.05重量%のポリオキシアルキレン脂肪酸エステル(商品名:CF−900、日立化成工業製)、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0040】
実施例6
図1に示した基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノールNE−05、第一工業製薬製)と、0.10重量%のポリオキシアルキレン変性シリコンオイル(商品名:KS−604、信越化学工業製)、を含有する水溶液である洗浄液を使用し、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0041】
比較例1
図1に示した基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノール12、第一工業製薬製)を含有する水溶液である洗浄液を使用し、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機で少量の泡の発生が認められた。
【0042】
比較例2
図1に示した基板を、3.4重量%のシュウ酸を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされたが、図3に示す様に、多数の残渣物が観察された。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0043】
実施例7
図1に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図1に示した基板より残りやすい基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノール12、第一工業製薬製)と、0.05重量%のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル(商品名:ノイゲンDH0300、第一工業製薬製)と、0.01重量%のポリオキシアルキレンアルキルエーテル(商品名:ノイゲンET−60E、第一工業製薬製)を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0044】
実施例8
図1に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図1の基板より残りやすい基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノール12、第一工業製薬製)と、0.05重量%のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル(商品名:ノイゲンDH0300、第一工業製薬製)と、0.01重量%のポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル(商品名:ノイゲンEP−120A、第一工業製薬製)を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0045】
実施例9
図1に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図1の基板より残りやすい基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノールNE−05、第一工業製薬製)と、0.05重量%のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル(商品名:ノイゲンDH0300、第一工業製薬製)と、0.01重量%のポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル(商品名:ノイゲンEP−120A、第一工業製薬製)を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0046】
実施例10
図1に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図1の基板より残りやすい基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノールNE−05、第一工業製薬製)と、0.5重量%のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル(商品名:ノイゲンDH0300、第一工業製薬製)と、0.01重量%のポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル(商品名:ノイゲンEP−120A、第一工業製薬製)を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0047】
比較例3
図1に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図1の基板より残りやすい基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノール12、第一工業製薬製)と、0.05重量%のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル(商品名:ノイゲンDH0300、第一工業製薬製)、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされたが、図2に示す様に、少量の残渣物が観察された。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0048】
比較例4
図1に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図1の基板より残りやすい基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノールNE−05、第一工業製薬製)と、0.05重量%のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル(商品名:ノイゲンDH0300、第一工業製薬製)、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされたが、図2に示す様に、少量の残渣物が観察された。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0049】
比較例5
図1に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図1の基板より残りやすい基板を、3.4重量%のシュウ酸と、0.01重量%の、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩(商品名:ハイテノールNE−05、第一工業製薬製)と、0.5重量%のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル(商品名:ノイゲンDH0300、第一工業製薬製)、を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされたが、図2に示す様に、少量の残渣物が観察された。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0050】
比較例6
図1に示した基板と同様の構造の基板であるが、成膜条件の違いのためエッチング後の残渣が図1の基板より残りやすい基板を、3.4重量%のシュウ酸を含有する水溶液である洗浄液を使用して、小型試験機で40℃、2分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗し、乾燥した。SEM(電子顕微鏡)で表面を観察した結果、非晶質ITOは良好にエッチングされたが、図3に示す様に、多数の残渣物が観察された。また、小型試験機でほとんど泡の発生は認められなかった。
【0051】
【発明の効果】
非晶質ITO等の透明導電膜を、エッチング残渣を全く発生せず、温和な条件下でウエットエッチングすることが出来、且つウエットエッチング剤の泡の発生も抑制する事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】ガラス基板上に、絶縁膜であるSiNを成膜し、さらに非晶質ITOを成膜し、非晶質ITO上にレジストを塗布し、現像を行った後の状態である。
【図2】図1で示した基板と同様の構造の基板を、ウエットエッチング後の状態である。
【図3】図1で示した基板と同様の構造の基板を、ウエットエッチング後の状態である。
【符号の説明】
1ガラス基板、2SiN、3非晶質ITO、4レジスト、5残渣物
Claims (1)
- シュウ酸と、下記(1)式で表されるポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸塩および/または下記(2)式で表されるポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩と、下記(3)式で表されるポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル、下記(4)式で表されるポリオキシアルキレンブロックポリマー、下記(5)式で表されるポリオキシアルキレン脂肪酸エステルおよびポリオキシアルキレン変性シリコンオイルからなる群から選ばれる少なくとも1種を含有する水溶液であることを特徴とする非晶質ITO用エッチング剤組成物。
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