JP2002363141A - ４−アミノジフェニルアミンの製造方法 - Google Patents
４−アミノジフェニルアミンの製造方法Info
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- JP2002363141A JP2002363141A JP2001170500A JP2001170500A JP2002363141A JP 2002363141 A JP2002363141 A JP 2002363141A JP 2001170500 A JP2001170500 A JP 2001170500A JP 2001170500 A JP2001170500 A JP 2001170500A JP 2002363141 A JP2002363141 A JP 2002363141A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 蒸留操作において発泡が生じるのを防止した
４−アミノジフェニルアミンの製造方法を提供すること
である。 【解決手段】 粗４−アミノジフェニルアミンから低沸
点不純物を除去し、ついで高沸点不純物を除去して、精
製された４−アミノジフェニルアミンを製造する方法で
あって、低沸点不純物を除去した粗４−アミノジフェニ
ルアミン中の２−エチルヘキサノール濃度を０．４重量
％以下に調整する。
４−アミノジフェニルアミンの製造方法を提供すること
である。 【解決手段】 粗４−アミノジフェニルアミンから低沸
点不純物を除去し、ついで高沸点不純物を除去して、精
製された４−アミノジフェニルアミンを製造する方法で
あって、低沸点不純物を除去した粗４−アミノジフェニ
ルアミン中の２−エチルヘキサノール濃度を０．４重量
％以下に調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、精製された４−ア
ミノジフェニルアミンの製造方法に関する。
ミノジフェニルアミンの製造方法に関する。
【０００２】４−アミノジフェニルアミンは、ゴム製品
に使用される酸化防止剤、抗オゾン剤の製造や、染料の
中間体として有用な化合物である。４−アミノジフェニ
ルアミンの製造方法としては、特開昭６１−１７１４５
４号公報や米国特許第４３１３００２号明細書に記載の
ように、４−ニトロソジフェニルアミンのアルカリ金属
塩水溶液を通常の水添触媒の存在下に水添（水素添加）
する方法が知られている。
に使用される酸化防止剤、抗オゾン剤の製造や、染料の
中間体として有用な化合物である。４−アミノジフェニ
ルアミンの製造方法としては、特開昭６１−１７１４５
４号公報や米国特許第４３１３００２号明細書に記載の
ように、４−ニトロソジフェニルアミンのアルカリ金属
塩水溶液を通常の水添触媒の存在下に水添（水素添加）
する方法が知られている。
【０００３】一方、特開平６−３０６０２０号公報に
は、上記水添反応が基質濃度に依存せず、水素の吸収速
度に依存し、４−ニトロソジフェニルアミンのアルカリ
金属塩等の分解反応は基質濃度に依存するという知見に
基づいて、４−ニトロソジフェニルアミンのアルカリ金
属塩水溶液または４−ニトロソジフェニルアミン・テト
ラアルキルアンモニウム塩水溶液を連続的に供給して、
該塩が低濃度の状態で水添反応を行わせることにより、
分解反応を抑制する方法が記載されている。
は、上記水添反応が基質濃度に依存せず、水素の吸収速
度に依存し、４−ニトロソジフェニルアミンのアルカリ
金属塩等の分解反応は基質濃度に依存するという知見に
基づいて、４−ニトロソジフェニルアミンのアルカリ金
属塩水溶液または４−ニトロソジフェニルアミン・テト
ラアルキルアンモニウム塩水溶液を連続的に供給して、
該塩が低濃度の状態で水添反応を行わせることにより、
分解反応を抑制する方法が記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらの方法によって
得られた粗４−アミノジフェニルアミンは、溶媒のほ
か、副生物である低沸点不純物および高沸点不純物を含
んでいるため、これらを除去して精製しなければならな
い。このため、蒸留によって低沸点不純物および高沸点
不純物を順次除去する精製が行われている。しかしなが
ら、低沸点不純物を除去した粗４−アミノジフェニルア
ミンから高沸点不純物を除去するための蒸留操作におい
て、しばしば蒸留釜内に発泡が生じ、高沸点不純物の分
離能力が低下し、はなはだしい場合には操業不能の状態
に陥る事態さえ発生した。本発明は、上記のような蒸留
操作において発泡が生じるのを防止した４−アミノジフ
ェニルアミンの製造方法を提供することを目的とする。
得られた粗４−アミノジフェニルアミンは、溶媒のほ
か、副生物である低沸点不純物および高沸点不純物を含
んでいるため、これらを除去して精製しなければならな
い。このため、蒸留によって低沸点不純物および高沸点
不純物を順次除去する精製が行われている。しかしなが
ら、低沸点不純物を除去した粗４−アミノジフェニルア
ミンから高沸点不純物を除去するための蒸留操作におい
て、しばしば蒸留釜内に発泡が生じ、高沸点不純物の分
離能力が低下し、はなはだしい場合には操業不能の状態
に陥る事態さえ発生した。本発明は、上記のような蒸留
操作において発泡が生じるのを防止した４−アミノジフ
ェニルアミンの製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、高沸点不純物を除
去する蒸留操作において生じる発泡が、粗４−アミノジ
フェニルアミンに残留する低沸点不純物の１つである２
−エチルヘキサノールに起因しており、当該２−エチル
ヘキサノールの濃度が０．４重量％を超える場合に、蒸
留操作中に蒸留釜内で発泡が生じるという新たな知見を
見出すに至った。
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、高沸点不純物を除
去する蒸留操作において生じる発泡が、粗４−アミノジ
フェニルアミンに残留する低沸点不純物の１つである２
−エチルヘキサノールに起因しており、当該２−エチル
ヘキサノールの濃度が０．４重量％を超える場合に、蒸
留操作中に蒸留釜内で発泡が生じるという新たな知見を
見出すに至った。
【０００６】本発明にかかる４−アミノジフェニルアミ
ンの製造方法は、このような知見に基づいて完成された
ものであって、粗４−アミノジフェニルアミンから低沸
点不純物を除去し、ついで高沸点不純物を除去して、精
製された４−アミノジフェニルアミンを製造するにあた
り、前記低沸点不純物を除去した粗４−アミノジフェニ
ルアミン中の２−エチルヘキサノール濃度を０．４重量
％以下にすることを特徴とする。
ンの製造方法は、このような知見に基づいて完成された
ものであって、粗４−アミノジフェニルアミンから低沸
点不純物を除去し、ついで高沸点不純物を除去して、精
製された４−アミノジフェニルアミンを製造するにあた
り、前記低沸点不純物を除去した粗４−アミノジフェニ
ルアミン中の２−エチルヘキサノール濃度を０．４重量
％以下にすることを特徴とする。
【０００７】２−エチルヘキサノール濃度を０．４重量
％以下にするうえで、本発明における低沸点不純物の除
去は、理論段数２〜１０段、より好ましくは４〜６段、
還流比５０〜３００、より好ましくは１５０〜２５０の
条件で多段精留塔にて行われるのが好ましい。蒸留操作
は連続蒸留であっても回分蒸留であってもよい。本発明
における粗４−アミノジフェニルアミンの製造方法は特
に限定されず、粗生成物中に２−エチルヘキサノールを
含むものであれば、全て適用可能である。このうち、代
表的な製造方法としては、例えば、４−ニトロソジフェ
ニルアミン・アルカリ金属塩水溶液または４−ニトロソ
ジフェニルアミン・テトラアルキルアンモニウム塩水溶
液を水添触媒の存在下に水添して、４−アミノジフェニ
ルアミンを製造する方法が挙げられる。このとき、反応
収率を高めるために、反応器に４−ニトロソジフェニル
アミン・アルカリ金属塩水溶液または４−ニトロソジフ
ェニルアミン・テトラアルキルアンモニウム塩水溶液を
連続的に供給して水添するのがよい。
％以下にするうえで、本発明における低沸点不純物の除
去は、理論段数２〜１０段、より好ましくは４〜６段、
還流比５０〜３００、より好ましくは１５０〜２５０の
条件で多段精留塔にて行われるのが好ましい。蒸留操作
は連続蒸留であっても回分蒸留であってもよい。本発明
における粗４−アミノジフェニルアミンの製造方法は特
に限定されず、粗生成物中に２−エチルヘキサノールを
含むものであれば、全て適用可能である。このうち、代
表的な製造方法としては、例えば、４−ニトロソジフェ
ニルアミン・アルカリ金属塩水溶液または４−ニトロソ
ジフェニルアミン・テトラアルキルアンモニウム塩水溶
液を水添触媒の存在下に水添して、４−アミノジフェニ
ルアミンを製造する方法が挙げられる。このとき、反応
収率を高めるために、反応器に４−ニトロソジフェニル
アミン・アルカリ金属塩水溶液または４−ニトロソジフ
ェニルアミン・テトラアルキルアンモニウム塩水溶液を
連続的に供給して水添するのがよい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の方法を詳細に説明
する。４−アミノジフェニルアミンを製造するための出
発原料となる４−ニトロソジフェニルアミン・アルカリ
金属塩としては、例えばナトリウム塩、カリウム塩等が
挙げられる。また、４−ニトロソジフェニルアミン・テ
トラアルキルアンモニウム塩としては、例えばテトラメ
チルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等が
挙げられる。
する。４−アミノジフェニルアミンを製造するための出
発原料となる４−ニトロソジフェニルアミン・アルカリ
金属塩としては、例えばナトリウム塩、カリウム塩等が
挙げられる。また、４−ニトロソジフェニルアミン・テ
トラアルキルアンモニウム塩としては、例えばテトラメ
チルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等が
挙げられる。
【０００９】前記水添触媒としては、通常の水添反応に
用いられるパラジウム触媒、白金触媒等が例示される。
これらの触媒は、通常、活性炭等の触媒担体にパラジウ
ムまたは白金を約１〜５重量％担持させて使用される
（以下、これらをＰｄ／Ｃ、Ｐｔ／Ｃと略記する）。触
媒は、原料である４−ニトロソジフェニルアミン・アル
カリ金属塩等に対して約０．０１〜１０重量％、好まし
くは約０．１〜１重量％用いられる。触媒量がこれより
少ないと水添速度が著しく低下し、逆に触媒量がこれよ
り多くても、それに見合う効果は見られない。また、収
率向上のために触媒と共に活性炭を存在させるのが好ま
しい。
用いられるパラジウム触媒、白金触媒等が例示される。
これらの触媒は、通常、活性炭等の触媒担体にパラジウ
ムまたは白金を約１〜５重量％担持させて使用される
（以下、これらをＰｄ／Ｃ、Ｐｔ／Ｃと略記する）。触
媒は、原料である４−ニトロソジフェニルアミン・アル
カリ金属塩等に対して約０．０１〜１０重量％、好まし
くは約０．１〜１重量％用いられる。触媒量がこれより
少ないと水添速度が著しく低下し、逆に触媒量がこれよ
り多くても、それに見合う効果は見られない。また、収
率向上のために触媒と共に活性炭を存在させるのが好ま
しい。
【００１０】水添は通常、溶媒中で行われる。溶媒とし
ては、例えば水、または水と水に不溶な溶媒との混合溶
媒が使用可能である。特に、水に不溶な溶媒との混合溶
媒を使用した場合は、生成する４−アミノジフェニルア
ミンが水不溶溶媒に溶解するため、抽出溶媒が不要とな
る。水に不溶な溶媒としては、例えばベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、ブタノール、ヘキサ
ノール、オクタノール、２−エチルヘキサノール等の高
級アルコール等が挙げられる。
ては、例えば水、または水と水に不溶な溶媒との混合溶
媒が使用可能である。特に、水に不溶な溶媒との混合溶
媒を使用した場合は、生成する４−アミノジフェニルア
ミンが水不溶溶媒に溶解するため、抽出溶媒が不要とな
る。水に不溶な溶媒としては、例えばベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、ブタノール、ヘキサ
ノール、オクタノール、２−エチルヘキサノール等の高
級アルコール等が挙げられる。
【００１１】反応は、回分式および連続式のいずれであ
ってもよい。連続式の場合、反応器に原料を連続的に供
給して反応を行わせる。反応器は、単一の反応槽でもよ
く、あるいは直列に連結された複数の反応槽を用いても
よい。原料である４−ニトロソジフェニルアミン・アル
カリ金属塩等の水溶液および水添触媒は反応槽に供給さ
れて水添反応が行われる。
ってもよい。連続式の場合、反応器に原料を連続的に供
給して反応を行わせる。反応器は、単一の反応槽でもよ
く、あるいは直列に連結された複数の反応槽を用いても
よい。原料である４−ニトロソジフェニルアミン・アル
カリ金属塩等の水溶液および水添触媒は反応槽に供給さ
れて水添反応が行われる。
【００１２】上記原料の滞留時間（反応時間）は、使用
する水素圧、触媒量、反応温度等により異なるが、通
常、約０．５〜１０時間の範囲であり、２槽を使用する
場合の総滞留時間は約１〜２０時間である。
する水素圧、触媒量、反応温度等により異なるが、通
常、約０．５〜１０時間の範囲であり、２槽を使用する
場合の総滞留時間は約１〜２０時間である。
【００１３】反応温度は約０〜１００℃、好ましくは約
３０〜８０℃の範囲である。反応温度がこの温度範囲を
下回る場合は、反応速度が著しく低下するおそれがあ
る。一方、反応温度がこの温度範囲を超える場合は、原
料である４−ニトロソジフェニルアミン・アルカリ金属
塩等の分解反応が並行して起こり、収率の低下を招来す
るおそれがある。
３０〜８０℃の範囲である。反応温度がこの温度範囲を
下回る場合は、反応速度が著しく低下するおそれがあ
る。一方、反応温度がこの温度範囲を超える場合は、原
料である４−ニトロソジフェニルアミン・アルカリ金属
塩等の分解反応が並行して起こり、収率の低下を招来す
るおそれがある。
【００１４】触媒の添加方法は特に制限されず、原料で
ある４−ニトロソジフェニルアミン・アルカリ金属塩等
の水溶液に所定量を混合して反応槽に供給するか、ある
いは、原料とは別に、溶媒と混合して反応槽に供給して
もよい。
ある４−ニトロソジフェニルアミン・アルカリ金属塩等
の水溶液に所定量を混合して反応槽に供給するか、ある
いは、原料とは別に、溶媒と混合して反応槽に供給して
もよい。
【００１５】本発明における反応槽での水素圧は、約５
〜５０ｋｇ／ｃｍ2Ｇ、好ましくは約８〜３０ｋｇ／ｃ
ｍ2Ｇの範囲である。この水素圧未満であれば水添が起
こらず、この範囲を超えても、それに見合う収率の向上
は見られない。反応に際しては、通常、あらかじめ反応
槽に溶媒または反応終了後の反応溶液を仕込んでおく。
反応方法は４−ニトロソジフェニルアミン・アルカリ金
属塩等の水溶液を反応槽に連続的に供給して反応させる
方法を採用するのが好ましい。
〜５０ｋｇ／ｃｍ2Ｇ、好ましくは約８〜３０ｋｇ／ｃ
ｍ2Ｇの範囲である。この水素圧未満であれば水添が起
こらず、この範囲を超えても、それに見合う収率の向上
は見られない。反応に際しては、通常、あらかじめ反応
槽に溶媒または反応終了後の反応溶液を仕込んでおく。
反応方法は４−ニトロソジフェニルアミン・アルカリ金
属塩等の水溶液を反応槽に連続的に供給して反応させる
方法を採用するのが好ましい。
【００１６】反応終了後、生成した４−アミノジフェニ
ルアミンを含む反応液（粗４−アミノジフェニルアミ
ン）には、副生成物、溶媒等の低沸点不純物および高沸
点不純物が含有されているため、２段階で蒸留精製され
る。すなわち、第１段階では溶媒および低沸点不純物が
除去され、第２段階では高沸点不純物が除去される。
ルアミンを含む反応液（粗４−アミノジフェニルアミ
ン）には、副生成物、溶媒等の低沸点不純物および高沸
点不純物が含有されているため、２段階で蒸留精製され
る。すなわち、第１段階では溶媒および低沸点不純物が
除去され、第２段階では高沸点不純物が除去される。
【００１７】第１段階での蒸留工程は、特に低沸点不純
物中の２−エチルヘキサノール濃度が０．４重量％以下
になるような条件で行われる。具体的には、蒸留操作
は、連続多段蒸留塔を用いて、理論段数２〜１０段、よ
り好ましくは４〜６段、還流比５０〜３００、より好ま
しくは１５０〜２５０の条件で行われるのが好ましい。
原料の供給位置は塔頂であるのが好ましい。２−エチル
ヘキサノールは、製造工程において溶媒として用いられ
る。
物中の２−エチルヘキサノール濃度が０．４重量％以下
になるような条件で行われる。具体的には、蒸留操作
は、連続多段蒸留塔を用いて、理論段数２〜１０段、よ
り好ましくは４〜６段、還流比５０〜３００、より好ま
しくは１５０〜２５０の条件で行われるのが好ましい。
原料の供給位置は塔頂であるのが好ましい。２−エチル
ヘキサノールは、製造工程において溶媒として用いられ
る。
【００１８】使用する精留塔は棚段塔のほか、充填塔で
あってもよい。棚段には、通常使用される泡鐘トレイ、
多孔板トレイ、バルブトレイ等がいずれも採用可能であ
る。充填塔の充填物には、規則充填物、通常使用される
不規則充填物、ラシヒリング、レッシングリング、ポー
ルリング等がいずれも採用可能である。塔頂からは低沸
点留出液（溶剤および低沸点不純物）が取り出され、塔
底からは缶出液として４−アミノジフェニルアミンおよ
び高沸点不純物の混合物が取り出される。缶出液は、こ
れらの成分を分離するための第２の蒸留工程に送られ
る。
あってもよい。棚段には、通常使用される泡鐘トレイ、
多孔板トレイ、バルブトレイ等がいずれも採用可能であ
る。充填塔の充填物には、規則充填物、通常使用される
不規則充填物、ラシヒリング、レッシングリング、ポー
ルリング等がいずれも採用可能である。塔頂からは低沸
点留出液（溶剤および低沸点不純物）が取り出され、塔
底からは缶出液として４−アミノジフェニルアミンおよ
び高沸点不純物の混合物が取り出される。缶出液は、こ
れらの成分を分離するための第２の蒸留工程に送られ
る。
【００１９】第２段階の蒸留工程は、単蒸留であること
が好ましく操作は回分式、連続式、半回分式のいずれで
もよい。操作圧は５torr〜２５０torrで実施する。第２
段階の蒸留工程に供給される原料は、２−エチルヘキサ
ノール濃度が０．４重量％以下に低減されているので、
蒸留中の発泡が抑制されている。このため、発泡によっ
て分離能が低下することがなく、高効率で精製４−アミ
ノジフェニルアミンを得ることができる。
が好ましく操作は回分式、連続式、半回分式のいずれで
もよい。操作圧は５torr〜２５０torrで実施する。第２
段階の蒸留工程に供給される原料は、２−エチルヘキサ
ノール濃度が０．４重量％以下に低減されているので、
蒸留中の発泡が抑制されている。このため、発泡によっ
て分離能が低下することがなく、高効率で精製４−アミ
ノジフェニルアミンを得ることができる。
【００２０】
【実施例】以下、実施例および比較例を挙げて、本発明
の方法をより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例
に限定されるものではない。なお、以下の説明におい
て、２−エチルヘキサノール濃度はガスクロマトグラフ
ィー：島津ＧＣ-９Ａ、カラム：３％シリコンOV-101、
クロモソルブG-HP 80/100mesh 3mmφ×1.6m、保持時
間：16分、移動相：Ｎ2 ５０ｍｌ/min 温度：290℃
FID検出により測定したものである。
の方法をより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例
に限定されるものではない。なお、以下の説明におい
て、２−エチルヘキサノール濃度はガスクロマトグラフ
ィー：島津ＧＣ-９Ａ、カラム：３％シリコンOV-101、
クロモソルブG-HP 80/100mesh 3mmφ×1.6m、保持時
間：16分、移動相：Ｎ2 ５０ｍｌ/min 温度：290℃
FID検出により測定したものである。
【００２１】実施例 容量０．５リットルの第１および第２の反応槽を直列に
連結した反応器を使用した。４−ニトロソジフェニルア
ミンのナトリウム塩水溶液と水添触媒［Ｐｄ／Ｃ（Ｐｄ
担持量：５％）触媒（含水率５０％）０．３５ｇ（乾燥
重量０．１７ｇ）］との混合溶液５８８．５ｇおよびト
ルエン６７．０ｇを第１の反応槽に攪拌しながら連続的
に供給し、水素圧１０kg/cm2G、温度６５℃および滞留
時間０．８９時間で反応させた。ついで、第１の反応槽
１から第２の反応槽１へ反応液を連続的に供給し、水素
圧１０kg/cm2G、温度７５℃および滞留時間０．７９時
間で反応させて粗４−アミノジフェニルアミンを得た
（収率９５．２０％）。得られた粗４−アミノジフェニ
ルアミン中のトルエン溶媒を回収した後 この粗４−ア
ミノジフェニルアミンを下記精製条件で連続多段蒸留塔
を用いて第１段階の蒸留操作を行った。 全理論段数：５ フィード段：塔頂 還流比：２００ 操作圧：４０torr 塔頂温度：７３℃ 塔底温度：１８０℃ 底から取り出した缶出液中の２−エチルヘキサノール濃
度をガスクロマトグラフィーにて測定した。その結果、
粗４−アミノジフェニルアミン中の２−エチルヘキサノ
ール濃度は０．２３重量％であった。ついで、この缶出
液を用いて下記精製条件で連続多段蒸留塔を用いて第２
段階の蒸留操作を行い、高沸点不純物が除去された精製
４−アミノジフェニルアミンを得た。 蒸留方式：半回分式単蒸留 操作圧：初期250 torr、最終５torr 温度：初期２０５℃、最終２２１℃ その結果、第２段階の蒸留操作において、発泡は発生せ
ず、従って操業不可能な状態になることもなかった。こ
の第２段階の蒸留操作における高沸点不純物の除去率は
９０．６％であった。
連結した反応器を使用した。４−ニトロソジフェニルア
ミンのナトリウム塩水溶液と水添触媒［Ｐｄ／Ｃ（Ｐｄ
担持量：５％）触媒（含水率５０％）０．３５ｇ（乾燥
重量０．１７ｇ）］との混合溶液５８８．５ｇおよびト
ルエン６７．０ｇを第１の反応槽に攪拌しながら連続的
に供給し、水素圧１０kg/cm2G、温度６５℃および滞留
時間０．８９時間で反応させた。ついで、第１の反応槽
１から第２の反応槽１へ反応液を連続的に供給し、水素
圧１０kg/cm2G、温度７５℃および滞留時間０．７９時
間で反応させて粗４−アミノジフェニルアミンを得た
（収率９５．２０％）。得られた粗４−アミノジフェニ
ルアミン中のトルエン溶媒を回収した後 この粗４−ア
ミノジフェニルアミンを下記精製条件で連続多段蒸留塔
を用いて第１段階の蒸留操作を行った。 全理論段数：５ フィード段：塔頂 還流比：２００ 操作圧：４０torr 塔頂温度：７３℃ 塔底温度：１８０℃ 底から取り出した缶出液中の２−エチルヘキサノール濃
度をガスクロマトグラフィーにて測定した。その結果、
粗４−アミノジフェニルアミン中の２−エチルヘキサノ
ール濃度は０．２３重量％であった。ついで、この缶出
液を用いて下記精製条件で連続多段蒸留塔を用いて第２
段階の蒸留操作を行い、高沸点不純物が除去された精製
４−アミノジフェニルアミンを得た。 蒸留方式：半回分式単蒸留 操作圧：初期250 torr、最終５torr 温度：初期２０５℃、最終２２１℃ その結果、第２段階の蒸留操作において、発泡は発生せ
ず、従って操業不可能な状態になることもなかった。こ
の第２段階の蒸留操作における高沸点不純物の除去率は
９０．６％であった。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、低沸点不純物を除去し
た粗４−アミノジフェニルアミンから高沸点不純物を除
去するための蒸留操作において、発泡が生じないため、
高沸点不純物の分離能力が低下するのを防止でき、効率
よく蒸留操作を行うことができるという効果がある。
た粗４−アミノジフェニルアミンから高沸点不純物を除
去するための蒸留操作において、発泡が生じないため、
高沸点不純物の分離能力が低下するのを防止でき、効率
よく蒸留操作を行うことができるという効果がある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山根 義人 岡山県倉敷市児島田の口６丁目４番１号 住化ファインケム株式会社内 Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC52 AD11 BA25 BA26 BA61 BE20 4H039 CA71 CB40
Claims (4)
- 【請求項１】粗４−アミノジフェニルアミンから低沸点
不純物を除去し、ついで高沸点不純物を除去して、精製
された４−アミノジフェニルアミンを製造する方法であ
って、 前記低沸点不純物を除去した粗４−アミノジフェニルア
ミン中の２−エチルヘキサノール濃度が０．４重量％以
下であることを特徴とする４−アミノジフェニルアミン
の製造方法。 - 【請求項２】低沸点不純物の除去が、多段蒸留塔を用い
て理論段数２〜１０段、還流比 ５０〜３００の条件で
行われる請求項１記載の方法。 - 【請求項３】前記粗４−アミノジフェニルアミンが、４
−ニトロソジフェニルアミン・アルカリ金属塩水溶液ま
たは４−ニトロソジフェニルアミン・テトラアルキルア
ンモニウム塩水溶液を水添触媒の存在下で水添して生成
される請求項１記載の方法。 - 【請求項４】反応器に４−ニトロソジフェニルアミン・
アルカリ金属塩水溶液または４−ニトロソジフェニルア
ミン・テトラアルキルアンモニウム塩水溶液を連続的に
供給して水添する請求項３記載の方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001170500A JP2002363141A (ja) | 2001-06-06 | 2001-06-06 | ４−アミノジフェニルアミンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001170500A JP2002363141A (ja) | 2001-06-06 | 2001-06-06 | ４−アミノジフェニルアミンの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002363141A true JP2002363141A (ja) | 2002-12-18 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001170500A Pending JP2002363141A (ja) | 2001-06-06 | 2001-06-06 | ４−アミノジフェニルアミンの製造方法 |
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| JP (1) | JP2002363141A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008133196A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | ４−（アルキルアミノ）ジフェニルアミン類の製造方法 |
-
2001
- 2001-06-06 JP JP2001170500A patent/JP2002363141A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008133196A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | ４−（アルキルアミノ）ジフェニルアミン類の製造方法 |
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