JP2002340528A - 分光エリプソメータを用いた薄膜計測方法 - Google Patents
分光エリプソメータを用いた薄膜計測方法Info
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Abstract
正確に決定する、分光エリプソメータを用いた薄膜計測
方法を提供する。 【解決手段】ΨE ,ΔE スペクトル測定データ化ステッ
プ10,20は、計測対象の基板表面の薄膜を、入射光
の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光
の変化である測定スペクトルΨE ( λi )とΔE ( λi )
を得る。ΨMk,ΔMkモデリングスペクトル算出ステッ
プ21,22は、前記基板の(N0 (n0,k0 ))、第
1層目の(d1,N1 (n1,k1 ))、第j層目の(dj
, Nj (nj,kj ))を分散式を用いて仮定し、さらに
公称入射角(φ0 )の近傍のφk を関数とする複数のモ
デルをたて、ここからモデリングスペクトルΨMk( λ
i ) とΔMk( λi ) を得る。比較評価ステップ23,2
4は、前記ΨE ,ΔE スペクトルと前記ΨMk, ΔMkモデ
リングスペクトルを比較し、評価基準に達した構造を測
定結果と決定する。
Description
タを用いた薄膜計測方法に関する。
射光の偏光変化量を測定し、その結果から膜厚(d)、
複素屈折率N(N=n−ik)を算出することができ
る。偏光変化量(ρ)はρ=tanψexp(iΔ)で
表され、波長(λ)、入射角度(φ)、膜厚、複素屈折
率等のパラメータに依存するので、その関係は次のよう
になる。 (d,n,k)=f(Ψ,Δ,λ,φ)
ソメータでは、(d,n,k)の3つの未知数に対し、
2つの独立変数しか測定できないので、d,n,kの内
のいずれか一つを既知として固定する必要がある。単一
波長でも入射角度を変えると測定変数は増加する。しか
しながら、入射角度(φ)の違いによる(Ψφ1 ,Δφ
1 )と(Ψφ2 ,Δφ2 )に強い相関関係があるため、
d,n,kを精度良く求めることは難しい。
用いて測定された基板上に形成された多層薄膜の偏光変
化量の情報(ΨE ,ΔE )スペクトルは、前記基板の
n,k情報、各層のn,k,dの情報の全てを含んでい
る。しかしながら、薄膜解析は次の理由により、不可能
である。
(β)×ビーム径の面積)で表すことができる。位相角
(β)は次の式で表される。 ビーム径が一定とすると偏光変化量は次のようになる。 偏光変化量∝膜厚(d)×複素屈折率N×φ ここにおいて、φは入射角である。したがって、入射角
の正しさによって、偏光変化量の値も変わる。入射角を
正しく求めることにより偏光変化量の値も正しく求める
ことが可能となる。
光変化量の情報(ΨE ,ΔE )スペクトルは、前記基板
のn,k情報、各層のn,k,dの情報の全てを含んで
いるが、これから、前記基板のn,k情報、各層のn,
k,dの情報の唯一の組み合わせを算出することはでき
ない。そこで、分散式を用いてパラメータのフィッティ
ングを行い、最適なモデルを決定する。分散式とは、物
質の誘電率の波長依存性を示す式であり、近赤外から紫
外線領域では、この誘電率ε(λ)は材料の構成原子の
結合様式から決定される。分散式として、調和振動子を
もとにした計算式、量子力学をもとにした計算式、経験
式等が知られており、通常2つ以上のパラメータを含ん
でいる。このパラメータを計算(フィッティング)する
ことにより、材料の誘電率ε(λ)を求めることができ
る。本発明の目的は、膜厚や複素屈折率等の組み合わせ
モデルを設定し、そのシュミレーションスペクトルを算
出して、そのシュミレーションスペクトルと測定スペク
トルとのフィッテイグを行うことにより薄膜構造を決定
する分光エリプソメータを用いた薄膜計測方法を提供す
ることにある。
に、本発明による請求項1記載の方法は、分光エリプソ
メータを用いた計測対象の基板表面の薄膜計測方法にお
いて、計測対象の基板表面の薄膜を、入射光の波長を変
えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化であ
る測定スペクトルΨE ( λi ) とΔE ( λi ) を得るΨ
E ,ΔE スペクトル測定ステップと、前記基板の(N0
(n0,k0 ))、第1層目の(d1,N1(n1,k
1 ))、第j層目の(dj,Nj (nj,kj ))を仮定し
てモデルを決定し、分散式を用いてモデリングスペクト
ルΨM ( λi ) とΔM ( λi ) を得るΨ M,ΔM モデリン
グスペクトル算出ステップと、前記ΨE ,ΔE スペクト
ルと前記ΨM,ΔM モデリングスペクトルを比較し、評価
基準に達した前記ΨM,ΔM の構造を測定結果と決定する
比較評価ステップと、前記モデルが前記評価基準に合致
しないときは、次の修正モデルを選定し、前記ΨM,ΔM
モデリングスペクトル算出ステップを行い、前記比較評
価ステップを行う修正ステップとを含んで構成されてい
る。
項1記載の分光エリプソメータを用いた薄膜計測方法に
おいて、前記モデルの評価基準は、前記ΨE ( λi ) 、
ΔE( λi ) と有限組の中のΨM ( λi ) 、ΔM ( λi )
間の平均二乗誤差を求め、最も小さい平均二乗誤差の
ものに決定することとしている。
項1記載の分光エリプソメータを用いた薄膜計測方法に
おいて、前記ΨM,ΔM モデルシュミレーションスペクト
ル算出ステップは、前記ΨE ,ΔE スペクトル測定ステ
ップの公称入射角をφ0 とするときに、前記公称入射角
をφ0 の近傍のφk を関数とするシュミレーションスペ
クトルΨMk (λi ) とΔMk (λi ) を算出し、前記比較
評価ステップは、前記ΨE ,ΔE スペクトルとΨMkとΔ
Mkモデリングスペクトルを比較し、評価基準に達した前
記ΨMkとΔMkの構造を測定結果と決定する比較評価ステ
ップとしたものである。
る方法の形態を説明する。図1は、本発明方法で使用す
るエリプソメータの構成を示すブロック図である。この
ブロック図に示されている分光エリプソメータにより、
後述する方法の分光測定データの獲得ステップ10が実
行される。
いわゆる白色光源である。このXeランプ1の発光は光
ファイバ2を介して偏光子3に導かれる。偏光子3によ
り変更された光は、測定対象であるサンプル4の表面に
特定の入射角(例えばφ=75°で入射させられる。サ
ンプル4からの反射は、光弾性変調器(PEM)5を介
して検光子6に導かれる。光弾性変調器(PEM)5に
より50kHzの周波数に位相変調されて、直線〜楕円
偏光までが作られる。そのため、数m秒の分解能でΨ,
Δを決定することができる。検光子6の出力は光ファイ
バ7を介して分光器8に接続される。分光器8の出力デ
ータがデータ取込部9に取り込まれ、分光測定データの
獲得ステップ10を終了する。なお、PEM5の位置は
偏光子3の後か検光子6の前どちらでも可能とする。
を用いた薄膜計測方法の流れ図である。 (ステップ20)このステップとは分光測定データを比
較データ化するステップである。前述した分光測定デー
タの獲得ステップ10で獲得した分光測定データをΨE
( λ) とΔE ( λ) の形で比較データ化する。図3は、
ステップ20の分光測定データを示すグラフの例であ
る。縦軸は測定スペクトルΨE ( λi ) Psi、とΔE
( λi ) Deltaを示している。
測定対象のモデル化ステップである。図4はステップ2
1で設定されるモデルのデータを説明するための図表で
ある。前記ステップ20で比較データ化された測定対象
の製造プロセス等を考慮してモデルを作る。基板と各層
の光学定数、組成および各層の膜厚(d)を設定する。
この実施例では基板はSi 、基板上に第1層Si O2 が
形成されているものとし、第1層の厚さd=1000Å
とし、基板と第1層の光学定数(n,kまたはε r,ε
i )を設定する。なお光学定数は既知の数値を用い、必
要に応じて過去の蓄積データを用いて数値を順次修正し
て用いる。
前記ステップ21で設定したシュミレーションモデルか
ら分散式を用いてモデリングスペクトルを作製して比較
データ化する。図5は、ステップ22のモデルのデータ
を示すグラフである。縦軸、横軸は図3で説明したとお
りである。ステップ21で採用したモデルを分散式を使
ってモデリングスペクトルを作製する。分散式は、物質
の波長依存性を示す式であり、各波長におけるn,kま
たはεr,εi を算出できるから、これらと前記第1層の
厚さdから、ΨM ( λ) とΔM ( λ) を算出してモデリ
ングスペクトルを作製する。
比較データとモデル比較データを比較するステップであ
る。図6は、ステップ23で比較される分光測定データ
と、モデルのデータを重ねて示したグラフである。ステ
ップ22で算出したモデリングスペクトルΨM ( λ) ,
ΔM ( λ) と、ステップ20で供給されたΨE ( λ) ,
ΔE ( λ) を比較する。
較の結果を評価するステップである。図7は、ステップ
24で行われるフィッティングを説明するための図表で
ある。最小二乗法を用いて(ΨE ( λ) ,ΔE ( λ) )
と(ΨM ( λ) , ΔM ( λ) )の違いが最小になるよう
にパラメータをフィッティングするその結果、測定デー
タとモデルが合うか合わないかの判断をする。ここで、
N個の測定データ対Exp(i=1,2...,N)と
前記モデルの対応するN個のモデルの計算データ対Mo
d(i=1,2...,N)とし、測定誤差は、正規分
布をするとし、標準偏差をσi とすると、平均二乗誤差
(χ2 )は、次のようにして与えられる。 ここで、Pはパラメータの数である。
範囲内にあるもの、または後述するステップ25を含め
たループ(ステップ22→ステップ23→ステップ24
→ステップ25→ステップ22)の有限繰り返し中のス
テップ24で得られる有限のχ2 の値の内最小のχ2 を
与えるモデルを測定データとモデルが合ったとして選択
する。
モデルの変更を説明するための図表である。このステッ
プは、ステップ24でモデルと分光測定データが合わな
いと判断されたときに、モデルを変更し、次のモデルを
設定するステップである。ステップと21で設定したS
i O2 の膜厚1000Åを2000Åに変更する。必要
に応じて、各層の光学定数、各層の組成等に適宜の変更
を行い次のモデルを決定する。
プ25で設定されたモデルから、理論的に次のΨM (
λ) ,ΔM ( λ) を求める。ステップ23→ステップ2
4→ステップ26→ステップ22の繰り返し実行が行わ
れる。
説明するために確定されたモデルのグラフと決定された
構造を示す図表である。前記ステップ24の評価ステッ
プで合うと判断されたモデルのデータを測定結果として
採択して、測定を終了するステップである。この実施例
では、前記繰り返しの実行の過程で設定されたモデルか
ら、Si O2 の膜厚1820.4Åとしたものが、最小
のχ2 を与えたものとして採択してある。
ラメータとして測定する場合について説明する。前述し
たように偏光変化量(ρ)は、ρ=tanψexp(i
Δ)で表され、波長(λ)、入射角度(φ)、膜厚、複
素屈折率等のパラメータに依存し、その関係は次のよう
になる。(d,n,k)=f(Ψ,Δ,λ,φ)
を設定しても、サンプルの表面の微妙な形状等により、
入射角φ0 を僅かに増減した方が良いことが予想され、
前述したΨE ,ΔE も、φ0 を修正した角度による測定
データであったとする方が妥当だと考える方が良い。
た薄膜計測方法において、前記ΨE,ΔE スペクトル測
定ステップの公称入射角をφ0 とし、前記ΨM,ΔM モデ
ルシュミレーションスペクトル算出ステップでは、前記
φ0 を関数とするシュミレーションスペクトルΨM0 (λ
i ) 、ΔM0 (λi ) とさらに前記公称入射角をφ0 の近
傍のφk を関数とするシュミレーションスペクトルΨMk
(λi ) とΔMk (λi) を得る。このモデルシュミレー
ションスペクトルをステップと21で算出してΨE ( λ
i ) 、ΔE ( λi ) と比較する。
を中心として、前記ステップ21で、一組のd,n,k
に対して、…74.8°…75.0°…75.2°…
と、わずかに入射角度をかえて複数組のモデルを立て,
他のd,n,kの組に対しても、…74.8°…75.
0°…75.2°…と、わずかに入射角度をかえて複数
組のモデルを立てる。このような組み合わせの内から最
小のχ2 を与えるものをステップ24を経て適合モデル
として選択する。
ば、以前は困難であった薄膜構造をモデルを使用し、さ
らに入射角をフィッティングすることにより精度よく正
確に測定することができる。
明の範囲内で種々の変形を施すことができる。理解を容
易にするために、データの取得、モデルの設定に関連し
て一貫してΨ,Δを用いて説明した。当業者には良く知
られている以下のデータ対を用いても同様な、測定およ
びフィッティングが可能であり、本発明の技術的範囲に
含まれるものである。 (n,k)、(εi ,εr )、( tan Ψ,cos Δ) 、
(Is,Ic ) また基板上にSiO2 層を1層形成する例を示したが、
異なる多層構造の測定や広い範囲の膜厚の測定にも同様
に利用できる。基板もsiの例を示したが、他の材料
(ガラスや石英、化合物半導体など)も同様に利用でき
る。
10で使用する分光エリプソメータの構成を示すブロッ
ク図である。
れ図である。
ある。
明するための図表である。
ある。
モデルのデータを重ねて示したグラフである。
の図表である。
図表である。
ルのグラフと決定された構造を示す図表である。
Claims (3)
- 【請求項1】 分光エリプソメータを用いた計測対象の
基板表面の薄膜計測方法において、 計測対象の基板表面の薄膜を、入射光の波長を変えて各
波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定
スペクトルΨE ( λi ) とΔE ( λi ) を得るΨE ,Δ
E スペクトル測定ステップと、 前記基板の(N0 (n0,k0 ))、第1層目の(d1,N
1 (n1,k1 ))、第j層目の(dj,Nj (nj,k
j ))を仮定してモデルを決定し、分散式を用いてモデ
リングスペクトルΨM ( λi ) とΔM ( λi ) を得るΨ
M,ΔM モデリングスペクトル算出ステップと、 前記ΨE ,ΔE スペクトルと前記ΨM,ΔM モデリングス
ペクトルを比較し、評価基準に達した前記ΨM,ΔM の構
造を測定結果と決定する比較評価ステップと、 前記モデルが前記評価基準に合致しないときは、次の修
正モデルを選定し、前記ΨM,ΔM モデリングスペクトル
算出ステップを行い、前記比較評価ステップを行う修正
ステップとを含む分光エリプソメータを用いた薄膜計測
方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の分光エリプソメータを用
いた薄膜計測方法において、前記モデルの評価基準は、
前記ΨE ( λi ) 、ΔE ( λi ) と有限組の中のΨM (
λi ) 、ΔM ( λi ) の間の平均二乗誤差を求め、最も
小さい平均二乗誤差のものに決定することである分光エ
リプソメータを用いた薄膜計測方法。 - 【請求項3】 請求項1記載の分光エリプソメータを用
いた薄膜計測方法において、 前記ΨM,ΔM モデルシュミレーションスペクトル算出ス
テップは、前記ΨE ,ΔE スペクトル測定ステップの公
称入射角をφ0 とするときに、前記公称入射角をφ0 の
近傍のφk を関数とするシュミレーションスペクトルΨ
Mk (λi ) とΔMk (λi ) を算出し、 前記比較評価ステップは、前記ΨE ,ΔE スペクトルと
ΨMkとΔMkモデリングスペクトルを比較し、評価基準に
達した前記ΨMkとΔMkの構造を測定結果と決定する比較
評価ステップとする分光エリプソメータを用いた薄膜計
測方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7167242B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-01-23 | Horiba, Ltd. | Sample analysis method |
US7280210B2 (en) | 2004-03-11 | 2007-10-09 | Horiba, Ltd. | Measuring method, analyzing method, measuring apparatus, analyzing apparatus, ellipsometer, and computer program |
JP2009103598A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 分光エリプソメータおよび偏光解析方法 |
JP2009175126A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-08-06 | Asml Netherlands Bv | 検査方法及び装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル、並びに、デバイス製造方法 |
US7688446B2 (en) | 2005-11-29 | 2010-03-30 | Horiba, Ltd. | Sample analyzing method, sample analyzing apparatus, manufacturing method of organic EL element, manufacturing equipment, and recording medium |
KR101008337B1 (ko) | 2008-11-27 | 2011-01-14 | 연세대학교 산학협력단 | 박막 특성의 모델링 방법 |
CN105136679A (zh) * | 2015-09-02 | 2015-12-09 | 北京航玻新材料技术有限公司 | 一种基于椭偏仪的光学材料表面质量评估方法及其应用 |
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Families Citing this family (2)
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7167242B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-01-23 | Horiba, Ltd. | Sample analysis method |
US7688446B2 (en) | 2005-11-29 | 2010-03-30 | Horiba, Ltd. | Sample analyzing method, sample analyzing apparatus, manufacturing method of organic EL element, manufacturing equipment, and recording medium |
US8013997B2 (en) | 2005-11-29 | 2011-09-06 | Horiba, Ltd. | Sample analyzing method, sample analyzing apparatus, manufacturing method of organic EL element, manufacturing equipment, and recording medium |
JP2009103598A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 分光エリプソメータおよび偏光解析方法 |
JP2009175126A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-08-06 | Asml Netherlands Bv | 検査方法及び装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル、並びに、デバイス製造方法 |
KR101008337B1 (ko) | 2008-11-27 | 2011-01-14 | 연세대학교 산학협력단 | 박막 특성의 모델링 방법 |
US10222321B2 (en) | 2015-03-29 | 2019-03-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Laminate substrate measurement method, laminate substrate and measurement apparatus |
CN105136679A (zh) * | 2015-09-02 | 2015-12-09 | 北京航玻新材料技术有限公司 | 一种基于椭偏仪的光学材料表面质量评估方法及其应用 |
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