JP2002329342A - 光ピックアップおよび記録再生装置 - Google Patents
光ピックアップおよび記録再生装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光ディスクにレーザ光を照射するレーザダイオ
ードに対する光ディスクからの戻り光の影響を防ぐため
の高周波重畳回路によって発生する高周波ノイズあるい
は不要輻射を効果的にシールドすること。 【解決手段】上記高周波重畳回路40が形成された回路
基板65を多層基板とし、この多層基板のシールドケー
スの最も内側に位置する第4層74に上記高周波重畳回
路40を形成するとともに、第3層73を電源回路と
し、第2層72を全面グランド層とする。そして最外層
の第1層71のグランドパターン77と各層のグランド
パターンをスルーホール78によって接続するととも
に、最外層のグランドパターン77をホルダーケース3
2の突片67に半田付けする。
ードに対する光ディスクからの戻り光の影響を防ぐため
の高周波重畳回路によって発生する高周波ノイズあるい
は不要輻射を効果的にシールドすること。 【解決手段】上記高周波重畳回路40が形成された回路
基板65を多層基板とし、この多層基板のシールドケー
スの最も内側に位置する第4層74に上記高周波重畳回
路40を形成するとともに、第3層73を電源回路と
し、第2層72を全面グランド層とする。そして最外層
の第1層71のグランドパターン77と各層のグランド
パターンをスルーホール78によって接続するととも
に、最外層のグランドパターン77をホルダーケース3
2の突片67に半田付けする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光ピックアップおよ
び記録再生装置に係り、とくに情報記録媒体にレーザ光
を照射するレーザ光源に対する情報記録媒体からの戻り
光の影響を防ぐための高周波重畳回路を備える光ピック
アップおよびこのような光ピックアップを用いた記録再
生装置に関する。
び記録再生装置に係り、とくに情報記録媒体にレーザ光
を照射するレーザ光源に対する情報記録媒体からの戻り
光の影響を防ぐための高周波重畳回路を備える光ピック
アップおよびこのような光ピックアップを用いた記録再
生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光ディスクの一例として、光磁気ディス
クについて説明する。光磁気ディスクにおいては光ピッ
クアップを用いて情報の記録あるいは再生を行なう。す
なわちレーザダイオードから間欠的に光ビームを射出
し、所定の変調磁界を印加した光磁気ディスクにこの光
ビームを照射することによって、熱磁気記録の原理によ
って情報を記録する。
クについて説明する。光磁気ディスクにおいては光ピッ
クアップを用いて情報の記録あるいは再生を行なう。す
なわちレーザダイオードから間欠的に光ビームを射出
し、所定の変調磁界を印加した光磁気ディスクにこの光
ビームを照射することによって、熱磁気記録の原理によ
って情報を記録する。
【0003】またこの種のピックアップは、情報を再生
する際に、光磁気ディスクに照射した光ビームの反射光
を受光することによって、カー効果を利用して光磁気デ
ィスクに記録された信号を再生するようにしている。
する際に、光磁気ディスクに照射した光ビームの反射光
を受光することによって、カー効果を利用して光磁気デ
ィスクに記録された信号を再生するようにしている。
【0004】この種の光ピックアップは、光ビームを照
射したり受光するための光学系を一体化しており、光ピ
ックアップを光磁気ディスクの半径方向に移動可能に取
付けるようにし、光磁気ディスクの所望のトラックに情
報を記録および/または再生したり、あるいはまたトラ
ックから情報を再生するようにしている。
射したり受光するための光学系を一体化しており、光ピ
ックアップを光磁気ディスクの半径方向に移動可能に取
付けるようにし、光磁気ディスクの所望のトラックに情
報を記録および/または再生したり、あるいはまたトラ
ックから情報を再生するようにしている。
【0005】光磁気ディクスに対する情報の再生を行な
う際に、レーザダイオードの端面に対して光磁気ディス
ク側から戻り光があると変調されてしまう。このために
光ピックアップは、レーザダイオードの端面への戻り光
の影響をキャンセルするために、高周波発振器を備える
高周波重畳回路を備える。なお高周波重畳回路はシール
ドケースに収容される。
う際に、レーザダイオードの端面に対して光磁気ディス
ク側から戻り光があると変調されてしまう。このために
光ピックアップは、レーザダイオードの端面への戻り光
の影響をキャンセルするために、高周波発振器を備える
高周波重畳回路を備える。なお高周波重畳回路はシール
ドケースに収容される。
【0006】高周波重畳回路は例えばレーザ光源の電源
端子や、高周波重畳スイッチ用の端子や、高周波重畳回
路電源の端子や、グランド用の端子を備えていて、これ
らの端子に半田付け接続されたピンが、シールドケース
を通って外部に出ている。
端子や、高周波重畳スイッチ用の端子や、高周波重畳回
路電源の端子や、グランド用の端子を備えていて、これ
らの端子に半田付け接続されたピンが、シールドケース
を通って外部に出ている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の高周
波重畳回路では、高周波ノイズが発生する。この高周波
ノイズをできるだけ除去するために、上記シールドケー
スを貫通するいわゆる貫通コンデンサを設け、レーザ光
源の電源用の端子のピンや、高周波重畳スイッチ用の端
子のピンや、高周波重畳回路電源用の端子のピンをそれ
ぞれ貫通コンデンサを通すようにしていた。
波重畳回路では、高周波ノイズが発生する。この高周波
ノイズをできるだけ除去するために、上記シールドケー
スを貫通するいわゆる貫通コンデンサを設け、レーザ光
源の電源用の端子のピンや、高周波重畳スイッチ用の端
子のピンや、高周波重畳回路電源用の端子のピンをそれ
ぞれ貫通コンデンサを通すようにしていた。
【0008】このような高周波ノイズを除去するための
貫通コンデンサは比較的高価であり、このために光ピッ
クアップのコスト高の要因になっていた。また貫通コン
デンサはシールドケースに半田付けする必要があり、そ
の組立てに工数と時間とを要し、これがさらにコストア
ップの原因になっていた。また貫通コンデンサはその形
状の故に、多くのスペースを必要とし、光ピックアップ
の小型化が困難になるという問題があった。
貫通コンデンサは比較的高価であり、このために光ピッ
クアップのコスト高の要因になっていた。また貫通コン
デンサはシールドケースに半田付けする必要があり、そ
の組立てに工数と時間とを要し、これがさらにコストア
ップの原因になっていた。また貫通コンデンサはその形
状の故に、多くのスペースを必要とし、光ピックアップ
の小型化が困難になるという問題があった。
【0009】また上記のような貫通コンデンサととも
に、ホルダーケースとカバーケースとから成るシールド
ケースによって上記高周波重畳回路を形成した回路基板
を収納してシールドしていた。このようなシールドケー
スによる高周波重畳回路のシールドは、ホルダーケース
に対するカバーケースの嵌合精度が悪いと、高周波重畳
回路によるノイズの輻射レベルが安定しない問題が発生
する。
に、ホルダーケースとカバーケースとから成るシールド
ケースによって上記高周波重畳回路を形成した回路基板
を収納してシールドしていた。このようなシールドケー
スによる高周波重畳回路のシールドは、ホルダーケース
に対するカバーケースの嵌合精度が悪いと、高周波重畳
回路によるノイズの輻射レベルが安定しない問題が発生
する。
【0010】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであって、貫通コンデンサを必要とせず、さらに
はホルダーケースとカバーケースとから成るシールドケ
ースの嵌合精度によって輻射レベルが不安定になるとい
う問題を解消するようにした光ピックアップおよび光デ
ィスク装置を提供することを目的とする。
たものであって、貫通コンデンサを必要とせず、さらに
はホルダーケースとカバーケースとから成るシールドケ
ースの嵌合精度によって輻射レベルが不安定になるとい
う問題を解消するようにした光ピックアップおよび光デ
ィスク装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】光ピックアップに関する
主要な発明は、情報記録媒体にレーザ光を照射するレー
ザ光源に対する前記情報記録媒体からの戻り光の影響を
防ぐための高周波重畳回路を備える光ピックアップにお
いて、前記高周波重畳回路を形成した回路基板と、前記
高周波重畳回路をシールドするように前記回路基板を収
納したシールド体と、を具備し、前記回路基板が多層基
板から構成され、該多層基板の最外層がグランドパター
ンを有し、しかも該グランドパターンが前記シールド体
に接続され、前記グランドパターンを有する最外層に対
して前記シールド体の内側に位置する第1の中間層がグ
ランド層から成り、該グランド層に対して前記シールド
体の内側に位置する第2の中間層に前記高周波重畳回路
が形成されることを特徴とする光ピックアップに関する
ものである。
主要な発明は、情報記録媒体にレーザ光を照射するレー
ザ光源に対する前記情報記録媒体からの戻り光の影響を
防ぐための高周波重畳回路を備える光ピックアップにお
いて、前記高周波重畳回路を形成した回路基板と、前記
高周波重畳回路をシールドするように前記回路基板を収
納したシールド体と、を具備し、前記回路基板が多層基
板から構成され、該多層基板の最外層がグランドパター
ンを有し、しかも該グランドパターンが前記シールド体
に接続され、前記グランドパターンを有する最外層に対
して前記シールド体の内側に位置する第1の中間層がグ
ランド層から成り、該グランド層に対して前記シールド
体の内側に位置する第2の中間層に前記高周波重畳回路
が形成されることを特徴とする光ピックアップに関する
ものである。
【0012】ここで情報記録媒体が光ディスクであっ
て、前記レーザ光源を有する光ピックアップが前記光デ
ィスクに対して半径方向に移動可能であってよい。また
前記シールド体が前記光ピックアップのベースに取付け
られていてよい。また前記レーザ光源がレーザダイオー
ドから構成され、前記シールド体の外表面にマウントさ
れるとともに、前記シールド体内の回路基板上の高周波
重畳回路と接続されていてよい。また前記レーザ光源が
レーザダイオードから構成され、前記光ピックアップの
ベースと前記シールド体との間に挟着保持されていてよ
い。
て、前記レーザ光源を有する光ピックアップが前記光デ
ィスクに対して半径方向に移動可能であってよい。また
前記シールド体が前記光ピックアップのベースに取付け
られていてよい。また前記レーザ光源がレーザダイオー
ドから構成され、前記シールド体の外表面にマウントさ
れるとともに、前記シールド体内の回路基板上の高周波
重畳回路と接続されていてよい。また前記レーザ光源が
レーザダイオードから構成され、前記光ピックアップの
ベースと前記シールド体との間に挟着保持されていてよ
い。
【0013】また前記回路基板が多層基板から構成さ
れ、第1の中間層がグランド層から構成されるととも
に、前記多層基板の最外層のグランドパターンと前記グ
ランド層とがスルーホールによって接続され、しかも前
記最外層のグランドパターンが前記シールド体に直接半
田付けされてよい。また前記グランド層に対してシール
ド体の内側に位置する第2の中間層に前記高周波重畳回
路が形成されてよい。また前記シールド体の開口縁部に
突片が形成され、該突片に前記最外層のグランドパター
ンが半田付けされてよい。また前記回路基板が多層基板
であって、その最外層の第1層が少なくともグランドパ
ターンを有し、第2層が全面グランドパターンを有する
グランド層から構成され、第3層に電源回路が形成さ
れ、第4層に前記高周波重畳回路が形成されてよい。
れ、第1の中間層がグランド層から構成されるととも
に、前記多層基板の最外層のグランドパターンと前記グ
ランド層とがスルーホールによって接続され、しかも前
記最外層のグランドパターンが前記シールド体に直接半
田付けされてよい。また前記グランド層に対してシール
ド体の内側に位置する第2の中間層に前記高周波重畳回
路が形成されてよい。また前記シールド体の開口縁部に
突片が形成され、該突片に前記最外層のグランドパター
ンが半田付けされてよい。また前記回路基板が多層基板
であって、その最外層の第1層が少なくともグランドパ
ターンを有し、第2層が全面グランドパターンを有する
グランド層から構成され、第3層に電源回路が形成さ
れ、第4層に前記高周波重畳回路が形成されてよい。
【0014】記録再生装置に関する主要な発明は、情報
記録媒体にレーザ光を照射して記録および/または再生
を行なう記録再生装置において、レーザ光を発生するレ
ーザ光源と、前記情報記録媒体からの戻り光が前記レー
ザ光源に対して与える影響を防ぐように前記レーザ光源
に印加される電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回
路と、前記高周波重畳回路をシールドするシールド体
と、を具備し、前記高周波重畳回路が多層基板の中間層
に形成され、該中間層より外側の層のグランド層がシー
ルド体に接続されることを特徴とする記録再生装置に関
するものである。
記録媒体にレーザ光を照射して記録および/または再生
を行なう記録再生装置において、レーザ光を発生するレ
ーザ光源と、前記情報記録媒体からの戻り光が前記レー
ザ光源に対して与える影響を防ぐように前記レーザ光源
に印加される電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回
路と、前記高周波重畳回路をシールドするシールド体
と、を具備し、前記高周波重畳回路が多層基板の中間層
に形成され、該中間層より外側の層のグランド層がシー
ルド体に接続されることを特徴とする記録再生装置に関
するものである。
【0015】ここで前記高周波重畳回路が形成された多
層基板が前記シールド体に収納されるとともに、該シー
ルド体が前記情報記録媒体に対接されて移動する光ピッ
クアップのベースに取付けられてよい。
層基板が前記シールド体に収納されるとともに、該シー
ルド体が前記情報記録媒体に対接されて移動する光ピッ
クアップのベースに取付けられてよい。
【0016】本願に含まれる発明の好ましい態様は、光
ディスクにレーザ光を照射するためのレーザ光源に対す
る光ディスクからの戻り光の影響を防ぐための高周波重
畳回路を多層基板中の中間層に形成するとともに、この
多層基板の上記中間層よりも外側の中間層にグランド層
を形成し、このグランド層と最外層を構成する第1層の
グランドパターンとをスルーホールで接続する。そして
多層基板を収納するシールド体の側壁部分に最外層のグ
ランドパターンを半田付けして接続することによってシ
ールドを形成するものである。ここで高周波重畳回路の
発振回路や電源回路等の不要輻射の原因となるものは総
て上記のシールド構造の内部に配置する。
ディスクにレーザ光を照射するためのレーザ光源に対す
る光ディスクからの戻り光の影響を防ぐための高周波重
畳回路を多層基板中の中間層に形成するとともに、この
多層基板の上記中間層よりも外側の中間層にグランド層
を形成し、このグランド層と最外層を構成する第1層の
グランドパターンとをスルーホールで接続する。そして
多層基板を収納するシールド体の側壁部分に最外層のグ
ランドパターンを半田付けして接続することによってシ
ールドを形成するものである。ここで高周波重畳回路の
発振回路や電源回路等の不要輻射の原因となるものは総
て上記のシールド構造の内部に配置する。
【0017】とくに高周波重畳回路を形成した多層基板
の最外層のグランドパターンとシールドケースとを半田
付けすることによって、光ピックアップの全体を安定し
た大容量のグランドとすることが可能になり、フレキシ
ブルプリント基板上に形成されたラインに伝搬する輻射
を抑制できるようになる。
の最外層のグランドパターンとシールドケースとを半田
付けすることによって、光ピックアップの全体を安定し
た大容量のグランドとすることが可能になり、フレキシ
ブルプリント基板上に形成されたラインに伝搬する輻射
を抑制できるようになる。
【0018】また上記のような態様によれば、ホルダー
ケースとカバーケースとから成るシールドケースの嵌合
精度に影響されることなく該シールドケースの内部の高
周波重畳回路に対して安定して不要輻射をシールドする
ことが可能なシールド構造が提供される。また光ピック
アップの全体を大容量のグランドとすることによって、
フレキラインを伝搬する輻射を大幅に抑えることが可能
になる。
ケースとカバーケースとから成るシールドケースの嵌合
精度に影響されることなく該シールドケースの内部の高
周波重畳回路に対して安定して不要輻射をシールドする
ことが可能なシールド構造が提供される。また光ピック
アップの全体を大容量のグランドとすることによって、
フレキラインを伝搬する輻射を大幅に抑えることが可能
になる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下本願に含まれる発明を図示の
実施の形態によって説明する。図1は本実施の形態に係
る光磁気ディスク、例えばミニディスク(MD、商品
名)に適用した一例を示すものであって、情報を記録し
た光デイスク2の記録面に対してレーザ光を照射するた
めのレーザ光源であるレーザダイオード3が設けられて
いる。一方光ディスク2の対接位置には反射ミラー4と
対物レンズ5が配される。また反射ミラー4とレーザダ
イオード3との間にビームスプリッタ6が配されるとと
もに、このビームスプリッタ6の側部にディテクタ7が
取付けられる。
実施の形態によって説明する。図1は本実施の形態に係
る光磁気ディスク、例えばミニディスク(MD、商品
名)に適用した一例を示すものであって、情報を記録し
た光デイスク2の記録面に対してレーザ光を照射するた
めのレーザ光源であるレーザダイオード3が設けられて
いる。一方光ディスク2の対接位置には反射ミラー4と
対物レンズ5が配される。また反射ミラー4とレーザダ
イオード3との間にビームスプリッタ6が配されるとと
もに、このビームスプリッタ6の側部にディテクタ7が
取付けられる。
【0020】このような構成において、レーザダイオー
ド3から照射されたレーザ光は反射ミラー4によって直
角に反射されて上方に向きを変える。そして対物レンズ
5によって光ディスク2の記録面に焦点が合わされた状
態で光ディスク2に照射される。光ディスク2からの戻
り光は反射ミラー4によって入射時とは逆の方向に反射
されるとともに、ビームスプリッタ6によって側方に反
射され、ディテクタ7によって信号光として取出され、
この信号光を電気信号に変換して情報の読出しを行な
う。なお記録を行なう場合にはレーザダイオード3によ
って照射されるレーザ光を変調して信号を重畳し、この
ような信号を光ディスク2の所定の位置に照射し、熱磁
気記録を行なう。
ド3から照射されたレーザ光は反射ミラー4によって直
角に反射されて上方に向きを変える。そして対物レンズ
5によって光ディスク2の記録面に焦点が合わされた状
態で光ディスク2に照射される。光ディスク2からの戻
り光は反射ミラー4によって入射時とは逆の方向に反射
されるとともに、ビームスプリッタ6によって側方に反
射され、ディテクタ7によって信号光として取出され、
この信号光を電気信号に変換して情報の読出しを行な
う。なお記録を行なう場合にはレーザダイオード3によ
って照射されるレーザ光を変調して信号を重畳し、この
ような信号を光ディスク2の所定の位置に照射し、熱磁
気記録を行なう。
【0021】図2はこのような光ディスク2に対するレ
ーザ光の照射および戻り光のピックアップを行なう光ピ
ックアップを示している。この光ピックアップは2軸ア
クチュエータ10と、スライドベース12と、2軸カバ
ー14と、シールドケース16と、フレキシブルプリン
ト基板18と、光学ベース26とを有している。2軸ア
クチュエータ10は対物レンズ5をフォーカス方向FC
S(Z軸方向)とトラッキング方向TRK(X軸方向)
に沿ってそれぞれ移動できるような駆動部を備えてい
る。
ーザ光の照射および戻り光のピックアップを行なう光ピ
ックアップを示している。この光ピックアップは2軸ア
クチュエータ10と、スライドベース12と、2軸カバ
ー14と、シールドケース16と、フレキシブルプリン
ト基板18と、光学ベース26とを有している。2軸ア
クチュエータ10は対物レンズ5をフォーカス方向FC
S(Z軸方向)とトラッキング方向TRK(X軸方向)
に沿ってそれぞれ移動できるような駆動部を備えてい
る。
【0022】スライドベース12は光学ベース26と一
体であって、メインシャフト22に対して軸受け24を
介して支持されており、シーク方向であるX軸方向に沿
ってベース12を移動できるようになっている。またサ
ブシャフト受け23は、図示しないサブシャフトに対し
て移動可能に支持されている。
体であって、メインシャフト22に対して軸受け24を
介して支持されており、シーク方向であるX軸方向に沿
ってベース12を移動できるようになっている。またサ
ブシャフト受け23は、図示しないサブシャフトに対し
て移動可能に支持されている。
【0023】2軸カバー14は、光学ベース26と一体
であって、メインシャフト22に対して軸受け24を介
して支持されており、シーク方向、すなわちX軸方向に
沿ってベース12を移動できるようになっている。また
サブシャフト受け23は、図示しないサブシャフトに対
して移動可能に支持されている。
であって、メインシャフト22に対して軸受け24を介
して支持されており、シーク方向、すなわちX軸方向に
沿ってベース12を移動できるようになっている。また
サブシャフト受け23は、図示しないサブシャフトに対
して移動可能に支持されている。
【0024】2軸カバー14は、2軸アクチュエータ1
0を被覆して保護している。フレキシブルプリント基板
18は、上述した2軸アクチュエータ10の駆動部や好
ましくはレーザダイオード3等に対して給電するための
給電ラインである。またスライドベース12の一端であ
ってサブシャフト受け23の近傍にはシールドケース1
6が設けられている。このシールドケース16に後述す
る高周波重畳回路が収納される。
0を被覆して保護している。フレキシブルプリント基板
18は、上述した2軸アクチュエータ10の駆動部や好
ましくはレーザダイオード3等に対して給電するための
給電ラインである。またスライドベース12の一端であ
ってサブシャフト受け23の近傍にはシールドケース1
6が設けられている。このシールドケース16に後述す
る高周波重畳回路が収納される。
【0025】次にこの重畳回路について図3により説明
する。レーザダイオード3はハイパワー型のレーザダイ
オードであって、光磁気ディスク用のレーザ光の発生源
である。図3の高周波重畳回路40は高周波重畳回路電
源およびスイッチ用端子(VCC端子)42とグランド
端子43とを有している。そして上記VCC端子42は
フィルタ47を介して発振回路50に接続され、さらに
この発振回路50がコンデンサ51を介して上記レーザ
ダイオード3とコイル52との接続点に接続されてい
る。またグランド端子43はフィルタ48を介してレー
ザダイオード3のカソードに接続されている。またLD
電源41はフィルタ46を介してコイル52に接続され
ている。そしてコイル52が上述の如くレーザダイオー
ド3のアノードに接続されている。
する。レーザダイオード3はハイパワー型のレーザダイ
オードであって、光磁気ディスク用のレーザ光の発生源
である。図3の高周波重畳回路40は高周波重畳回路電
源およびスイッチ用端子(VCC端子)42とグランド
端子43とを有している。そして上記VCC端子42は
フィルタ47を介して発振回路50に接続され、さらに
この発振回路50がコンデンサ51を介して上記レーザ
ダイオード3とコイル52との接続点に接続されてい
る。またグランド端子43はフィルタ48を介してレー
ザダイオード3のカソードに接続されている。またLD
電源41はフィルタ46を介してコイル52に接続され
ている。そしてコイル52が上述の如くレーザダイオー
ド3のアノードに接続されている。
【0026】次に高周波重畳回路の具体的な構成につい
て図4により説明する。高周波重畳回路電源およびスイ
ッチ用の端子42とグランド用の端子43とがコンデン
サC2の両端にそれぞれフィルタ47、48を介して接
続されている。また抵抗R1とR2とが直列に接続され
ており、抵抗R1とR2との接続点にはトランジスタQ
1のベースが接続されている。トランジスタQ1のベー
スに対してコンデンサC3とC4の一端がそれぞれ接続
されている。コンデンサC3とグランド用の端子43と
の間にはコイルL1が接続されている。
て図4により説明する。高周波重畳回路電源およびスイ
ッチ用の端子42とグランド用の端子43とがコンデン
サC2の両端にそれぞれフィルタ47、48を介して接
続されている。また抵抗R1とR2とが直列に接続され
ており、抵抗R1とR2との接続点にはトランジスタQ
1のベースが接続されている。トランジスタQ1のベー
スに対してコンデンサC3とC4の一端がそれぞれ接続
されている。コンデンサC3とグランド用の端子43と
の間にはコイルL1が接続されている。
【0027】またコンデンサC5は、コンデンサC4と
グランド用の端子43との間に接続されている。コイル
L3と抵抗R3とは、トランジスタQ1のエミッタとグ
ランド用の端子43との間に接続されている。そしてコ
ンデンサC1は、トランジスタQ1のコレクタとグラン
ド用の端子43との間に接続されている。コンデンサC
6はトランジスタQ1のエミッタとレーザダイオードL
Dとの間に接続されている。コンデンサC7はコンデン
サC6とグランド用の端子48との間に接続されてい
る。
グランド用の端子43との間に接続されている。コイル
L3と抵抗R3とは、トランジスタQ1のエミッタとグ
ランド用の端子43との間に接続されている。そしてコ
ンデンサC1は、トランジスタQ1のコレクタとグラン
ド用の端子43との間に接続されている。コンデンサC
6はトランジスタQ1のエミッタとレーザダイオードL
Dとの間に接続されている。コンデンサC7はコンデン
サC6とグランド用の端子48との間に接続されてい
る。
【0028】図3および図4に示すような高周波重畳回
路において、レーザダイオード3に対して順バイアスを
かけて、発振器50をONにする。高周波重畳回路電源
およびスイッチ用の端子(VCC端子)42は、高周波
重畳回路の電源と回路スイッチ端子とを兼用しており、
高周波重畳回路電源と回路スイッチ端子とを接続したも
のである。高周波重畳回路電源およびスイッチの電源の
ON,OFFによって、この回路のON,OFFを行な
うこともできる。すなわち発振器のトランジスタQ1の
ベースに対して抵抗分割R1対R2で入力されており、
高周波重畳回路電源に電圧をかけると同時に回路スイッ
チ端子に電圧をかけることができ、トランジスタQ1が
動作状態となって発振を開始する。
路において、レーザダイオード3に対して順バイアスを
かけて、発振器50をONにする。高周波重畳回路電源
およびスイッチ用の端子(VCC端子)42は、高周波
重畳回路の電源と回路スイッチ端子とを兼用しており、
高周波重畳回路電源と回路スイッチ端子とを接続したも
のである。高周波重畳回路電源およびスイッチの電源の
ON,OFFによって、この回路のON,OFFを行な
うこともできる。すなわち発振器のトランジスタQ1の
ベースに対して抵抗分割R1対R2で入力されており、
高周波重畳回路電源に電圧をかけると同時に回路スイッ
チ端子に電圧をかけることができ、トランジスタQ1が
動作状態となって発振を開始する。
【0029】このような高周波重畳回路の発振によって
レーザダイオード3には図9に示すような電流が印加さ
れる。すなわち直流分に高周波重畳回路40で発生した
高周波信号が重畳された電流が印加される。そしてこの
ような発振器50を含む高周波重畳回路40は、例えば
光磁気ディスクの再生時において、レーザダイオード3
に対して戻り光があると変調されてしまうために、レー
ザダイオード3の端面への戻り光の影響をキャンセルす
るのに用いられる。
レーザダイオード3には図9に示すような電流が印加さ
れる。すなわち直流分に高周波重畳回路40で発生した
高周波信号が重畳された電流が印加される。そしてこの
ような発振器50を含む高周波重畳回路40は、例えば
光磁気ディスクの再生時において、レーザダイオード3
に対して戻り光があると変調されてしまうために、レー
ザダイオード3の端面への戻り光の影響をキャンセルす
るのに用いられる。
【0030】このように本実施の形態において、高周波
重畳回路40は3端子、すなわちレーザダイオード用の
電源端子41と、高周波重畳回路電源およびスイッチ用
の端子42と、グランド用の端子43の、合計3端子と
して構成することができる。従来用いられている高周波
重畳回路基板においては、4端子、すなわちレーザダイ
オード用の電源端子と、高周波重畳回路電源用の端子
と、高周波重畳回路スイッチ用の端子と、そしてグラン
ド用端子の4端子を有している。このような従来の高周
波重畳回路基板に比べて、本実施の形態の図3および図
4に示す高周波重畳回路基板65の大きさを縮小するこ
とができ、これによって光ピックアップの小型化を図る
ことが可能になる。
重畳回路40は3端子、すなわちレーザダイオード用の
電源端子41と、高周波重畳回路電源およびスイッチ用
の端子42と、グランド用の端子43の、合計3端子と
して構成することができる。従来用いられている高周波
重畳回路基板においては、4端子、すなわちレーザダイ
オード用の電源端子と、高周波重畳回路電源用の端子
と、高周波重畳回路スイッチ用の端子と、そしてグラン
ド用端子の4端子を有している。このような従来の高周
波重畳回路基板に比べて、本実施の形態の図3および図
4に示す高周波重畳回路基板65の大きさを縮小するこ
とができ、これによって光ピックアップの小型化を図る
ことが可能になる。
【0031】次に上記シールドケース16内における高
周波重畳回路40による高周波ノイズの防止対策につい
て説明する。図3に示すフィルタ46、47、48の具
体的な回路構成は図4に示される。すなわちフィルタ4
6はコイル55、56と、これらの間に接続されたコン
デンサ57とから構成される。またフィルタ47はコイ
ル59、60とコンデンサ61とから構成される。また
フィルタ48はコイル62から構成される。
周波重畳回路40による高周波ノイズの防止対策につい
て説明する。図3に示すフィルタ46、47、48の具
体的な回路構成は図4に示される。すなわちフィルタ4
6はコイル55、56と、これらの間に接続されたコン
デンサ57とから構成される。またフィルタ47はコイ
ル59、60とコンデンサ61とから構成される。また
フィルタ48はコイル62から構成される。
【0032】このようにスライドベース26に付設され
ているシールドケース16内に高周波重畳回路40を設
けることによって、光ディスクにレーザ光を照射するた
めのレーザダイオード3に対する光ディスク2からの戻
り光の影響を防ぐことが可能になる。ところがこのよう
な高周波重畳回路40を設けると、この高周波重畳回路
40のとくに発振回路50によって不要輻射が行なわれ
る問題がある。このような不要輻射を防止するために、
高周波重畳回路40を形成した回路基板65を多層基板
とし、これによって高周波ノイズをシールドしている。
ているシールドケース16内に高周波重畳回路40を設
けることによって、光ディスクにレーザ光を照射するた
めのレーザダイオード3に対する光ディスク2からの戻
り光の影響を防ぐことが可能になる。ところがこのよう
な高周波重畳回路40を設けると、この高周波重畳回路
40のとくに発振回路50によって不要輻射が行なわれ
る問題がある。このような不要輻射を防止するために、
高周波重畳回路40を形成した回路基板65を多層基板
とし、これによって高周波ノイズをシールドしている。
【0033】図5および図6に示すように、シールドケ
ース16はホルダーケース32とカバーケース30とか
ら構成され、その中に回路基板65が収納される。回路
基板65上には上記高周波重畳回路40が形成される。
またとくに図6に示すように、ホルダーケース32の外
側面上に上記レーザダイオード3がマウントされるとと
もに、このレーザダイオード3のリード66がホルダー
ケース32を貫通し、このケース32内の回路基板65
上に接続されている。またホルダーケース32とカバー
ケース30とがそれらの係合部68、69によって互い
に係合されている。
ース16はホルダーケース32とカバーケース30とか
ら構成され、その中に回路基板65が収納される。回路
基板65上には上記高周波重畳回路40が形成される。
またとくに図6に示すように、ホルダーケース32の外
側面上に上記レーザダイオード3がマウントされるとと
もに、このレーザダイオード3のリード66がホルダー
ケース32を貫通し、このケース32内の回路基板65
上に接続されている。またホルダーケース32とカバー
ケース30とがそれらの係合部68、69によって互い
に係合されている。
【0034】回路基板65はとくに図7および図8に示
すように、4層の多層基板から構成されている。そして
最外層の第1層71の外周側にグランドパターン77が
形成されるとともに、第2層72は全面グランド層から
構成されている。また第3層73はその上に電源回路が
形成され、これによって電源層を構成している。次に第
4層74は上記高周波重畳回路40が形成された高周波
回路層になっている。
すように、4層の多層基板から構成されている。そして
最外層の第1層71の外周側にグランドパターン77が
形成されるとともに、第2層72は全面グランド層から
構成されている。また第3層73はその上に電源回路が
形成され、これによって電源層を構成している。次に第
4層74は上記高周波重畳回路40が形成された高周波
回路層になっている。
【0035】このような多層基板において、とくに最外
層を構成する第1層71のグランドパターン77の部分
がホルダーケース32の開口縁部に形成されている突片
67に半田付けされており、これによってホルダケース
32に直接接続されている。そして上記第1層71のグ
ランドパターン77と第2層72のグランド層とがスル
ーホール78によって接続されている。従ってこのこと
から、第2層72を構成するグランド層が第1層71の
グランドパターン77を介してシールドケース32に接
続されることになる。このような構造によって、とくに
その下側であってホルダーケース32の内側に位置する
第3層73上の電源回路および第4層74上の高周波重
畳回路40が何れも完全にシールドされるようになる。
なおスルーホール78は第1層71から第4層74まで
の総ての層のグランドパターンを互いに接続している。
層を構成する第1層71のグランドパターン77の部分
がホルダーケース32の開口縁部に形成されている突片
67に半田付けされており、これによってホルダケース
32に直接接続されている。そして上記第1層71のグ
ランドパターン77と第2層72のグランド層とがスル
ーホール78によって接続されている。従ってこのこと
から、第2層72を構成するグランド層が第1層71の
グランドパターン77を介してシールドケース32に接
続されることになる。このような構造によって、とくに
その下側であってホルダーケース32の内側に位置する
第3層73上の電源回路および第4層74上の高周波重
畳回路40が何れも完全にシールドされるようになる。
なおスルーホール78は第1層71から第4層74まで
の総ての層のグランドパターンを互いに接続している。
【0036】このように本実施の形態の光ピックアップ
においては、高周波重畳回路40が形成されている回路
基板65を多層基板とし、その第2層72を全面グラン
ド層とすることによって大容量でかつ安定なグランドを
形成している。また第3層73を電源層とし、大容量に
することで電源が発振回路50によって振られないよう
にしている。そして第4層74に発振回路50を含む高
周波重畳回路40の総てを実装することによってシール
ド効果を高めている。とくに最外層の第1層71のグラ
ンドパターン77をできるだけ大きく取り、しかも第1
層71の全周を囲むようにし、また第1層71、第2層
72、第4層74のグランドをできるだけ多くスルーホ
ール78で連結している。
においては、高周波重畳回路40が形成されている回路
基板65を多層基板とし、その第2層72を全面グラン
ド層とすることによって大容量でかつ安定なグランドを
形成している。また第3層73を電源層とし、大容量に
することで電源が発振回路50によって振られないよう
にしている。そして第4層74に発振回路50を含む高
周波重畳回路40の総てを実装することによってシール
ド効果を高めている。とくに最外層の第1層71のグラ
ンドパターン77をできるだけ大きく取り、しかも第1
層71の全周を囲むようにし、また第1層71、第2層
72、第4層74のグランドをできるだけ多くスルーホ
ール78で連結している。
【0037】しかもこのような多層基板65が図5およ
び図6に示すシールドケース16のホルダーケース32
に収納されている。ここでホルダーケース32に突片6
7を形成し、多層基板65の第1層71のグランドパタ
ーン77を上記突片67に半田付けしている。これによ
って第2層を構成する全面グランド層72と最外層71
のグランド層77とホルダーケース32とによって第3
層73上の発振回路50を含む高周波重畳回路40の全
体をシールドする。また第4層74に形成されている発
振回路50のグランドをスルーホール78を介してホル
ダーケース32に半田付けすると、シールドケース16
が光学ベース26に固着されているために、光ピックア
ップ全体を大容量のグランドとすることができ、グラン
ドの容量不足により発生するフレキラインを伝搬する不
要輻射を大幅に減らすことが可能になる。
び図6に示すシールドケース16のホルダーケース32
に収納されている。ここでホルダーケース32に突片6
7を形成し、多層基板65の第1層71のグランドパタ
ーン77を上記突片67に半田付けしている。これによ
って第2層を構成する全面グランド層72と最外層71
のグランド層77とホルダーケース32とによって第3
層73上の発振回路50を含む高周波重畳回路40の全
体をシールドする。また第4層74に形成されている発
振回路50のグランドをスルーホール78を介してホル
ダーケース32に半田付けすると、シールドケース16
が光学ベース26に固着されているために、光ピックア
ップ全体を大容量のグランドとすることができ、グラン
ドの容量不足により発生するフレキラインを伝搬する不
要輻射を大幅に減らすことが可能になる。
【0038】以上本願に含まれる発明を図示の実施の形
態によって説明したが、本願の発明は上記実施の形態に
よって限定されることなく、本願に含まれる発明の技術
的思想の範囲内で各種の変更が可能である。例えば上記
実施の形態はMD(ミニディスク)を用いた光ピックア
ップおよび光ディスク式記録再生装置に関するものであ
るが、CDR、CDRW、DVD、DVDR、DVDR
W、MO等の各種の記録および/再生可能なディスク状
記録媒体を用いた光ピックアップおよび光ディスク式記
録再生装置に広く適用可能である。
態によって説明したが、本願の発明は上記実施の形態に
よって限定されることなく、本願に含まれる発明の技術
的思想の範囲内で各種の変更が可能である。例えば上記
実施の形態はMD(ミニディスク)を用いた光ピックア
ップおよび光ディスク式記録再生装置に関するものであ
るが、CDR、CDRW、DVD、DVDR、DVDR
W、MO等の各種の記録および/再生可能なディスク状
記録媒体を用いた光ピックアップおよび光ディスク式記
録再生装置に広く適用可能である。
【0039】
【発明の効果】光ピックアップに関する主要な発明は、
情報記録媒体にレーザ光を照射するレーザ光源に対する
情報記録媒体からの戻り光の影響を防ぐための高周波重
畳回路を備える光ピックアップにおいて、高周波重畳回
路を形成した回路基板と、高周波重畳回路をシールドす
るように回路基板を収納したシールド体と、を具備し、
回路基板が多層基板から構成され、該多層基板の最外層
がグランドパターンを有し、しかも該グランドパターン
がシールド体に接続され、グランドパターンを有する最
外層に対してシールド体の内側に位置する第1の中間層
がグランド層から成り、該グランド層に対してシールド
体の内側に位置する第2の中間層に高周波重畳回路が形
成されるものである。
情報記録媒体にレーザ光を照射するレーザ光源に対する
情報記録媒体からの戻り光の影響を防ぐための高周波重
畳回路を備える光ピックアップにおいて、高周波重畳回
路を形成した回路基板と、高周波重畳回路をシールドす
るように回路基板を収納したシールド体と、を具備し、
回路基板が多層基板から構成され、該多層基板の最外層
がグランドパターンを有し、しかも該グランドパターン
がシールド体に接続され、グランドパターンを有する最
外層に対してシールド体の内側に位置する第1の中間層
がグランド層から成り、該グランド層に対してシールド
体の内側に位置する第2の中間層に高周波重畳回路が形
成されるものである。
【0040】従ってこのような光ピックアップによれ
ば、シールド体に収納される回路基板上の高周波重畳回
路から発生する高周波ノイズあるいは不要輻射が、上記
回路基板を構成する多層基板のグランド層とシールド体
とによってシールドされるようになり、このために不要
輻射が防止される。従って貫通コンデンサが不要になる
ばかりでなく、シールドケースを構成するホルダーケー
スとカバーケースとの間の嵌合精度に影響されることな
く安定なシールドが可能になる。
ば、シールド体に収納される回路基板上の高周波重畳回
路から発生する高周波ノイズあるいは不要輻射が、上記
回路基板を構成する多層基板のグランド層とシールド体
とによってシールドされるようになり、このために不要
輻射が防止される。従って貫通コンデンサが不要になる
ばかりでなく、シールドケースを構成するホルダーケー
スとカバーケースとの間の嵌合精度に影響されることな
く安定なシールドが可能になる。
【0041】記録再生装置に関する主要な発明は、情報
記録媒体にレーザ光を照射して記録および/または再生
を行なう記録再生装置において、レーザ光を発生するレ
ーザ光源と、情報記録媒体からの戻り光がレーザ光源に
対して与える影響を防ぐようにレーザ光源に印加される
電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路と、高周波
重畳回路をシールドするシールド体と、を具備し、高周
波重畳回路が多層基板の中間層に形成され、該中間層よ
り外側の層のグランド層がシールド体に接続されるよう
にしたものである。
記録媒体にレーザ光を照射して記録および/または再生
を行なう記録再生装置において、レーザ光を発生するレ
ーザ光源と、情報記録媒体からの戻り光がレーザ光源に
対して与える影響を防ぐようにレーザ光源に印加される
電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路と、高周波
重畳回路をシールドするシールド体と、を具備し、高周
波重畳回路が多層基板の中間層に形成され、該中間層よ
り外側の層のグランド層がシールド体に接続されるよう
にしたものである。
【0042】従ってこのような記録再生装置によれば、
高周波重畳回路が発生する高周波ノイズをこの高周波重
畳回路が形成されている回路基板のグランド層とシール
ドケースとによってシールドすることが可能になり、高
周波ノイズの発生が防止されるようにした記録再生装置
が提供される。
高周波重畳回路が発生する高周波ノイズをこの高周波重
畳回路が形成されている回路基板のグランド層とシール
ドケースとによってシールドすることが可能になり、高
周波ノイズの発生が防止されるようにした記録再生装置
が提供される。
【図1】光ディスク装置の要部を示す斜視図である。
【図2】光ピックアップの外観斜視図である。
【図3】高周波重畳回路のブロック図である。
【図4】高周波重畳回路の回路図である。
【図5】高周波重畳回路のシールド構造を示す分解斜視
図である。
図である。
【図6】同縦断面図である。
【図7】回路基板の縦断面図である。
【図8】回路基板の各層を示す平面図である。
【図9】レーザダイオードに印加される電圧を示すグラ
フである。
フである。
2‥‥光ディスク、3‥‥レーザダイオード、4‥‥反
射ミラー、5‥‥対物レンズ、6‥‥ビームスプリッ
タ、7‥‥ディテクタ、10‥‥2軸アクチュエータ、
12‥‥スライドベース、14‥‥2軸カバー、16‥
‥シールドケース、18‥‥フレキシブル基板、22‥
‥メインシャフト、23‥‥サブシャフト受け、24‥
‥軸受け、26‥‥光学ベース、30‥‥カバーケー
ス、32‥‥ホルダーケース、40‥‥高周波重畳回
路、41‥‥LD電源、42‥‥VCC端子、43‥‥
GRO端子、46〜48‥‥フィルタ、50‥‥発振回
路、51‥‥コンデンサ、52‥‥コイル、55、56
‥‥コイル、57‥‥コンデンサ、59、60‥‥コイ
ル、61‥‥コンデンサ、62‥‥コイル、65‥‥回
路基板、66‥‥リード、67‥‥突片、68、69‥
‥係合部、70‥‥フレキシブル基板、71‥‥第1
層、72‥‥第2層(全面グランド層)、73‥‥第3
層(電源層)、74‥‥第4層(高周波回路層)、77
‥‥グランドパターン、78‥‥スルーホール
射ミラー、5‥‥対物レンズ、6‥‥ビームスプリッ
タ、7‥‥ディテクタ、10‥‥2軸アクチュエータ、
12‥‥スライドベース、14‥‥2軸カバー、16‥
‥シールドケース、18‥‥フレキシブル基板、22‥
‥メインシャフト、23‥‥サブシャフト受け、24‥
‥軸受け、26‥‥光学ベース、30‥‥カバーケー
ス、32‥‥ホルダーケース、40‥‥高周波重畳回
路、41‥‥LD電源、42‥‥VCC端子、43‥‥
GRO端子、46〜48‥‥フィルタ、50‥‥発振回
路、51‥‥コンデンサ、52‥‥コイル、55、56
‥‥コイル、57‥‥コンデンサ、59、60‥‥コイ
ル、61‥‥コンデンサ、62‥‥コイル、65‥‥回
路基板、66‥‥リード、67‥‥突片、68、69‥
‥係合部、70‥‥フレキシブル基板、71‥‥第1
層、72‥‥第2層(全面グランド層)、73‥‥第3
層(電源層)、74‥‥第4層(高周波回路層)、77
‥‥グランドパターン、78‥‥スルーホール
Claims (11)
- 【請求項1】情報記録媒体にレーザ光を照射するレーザ
光源に対する前記情報記録媒体からの戻り光の影響を防
ぐための高周波重畳回路を備える光ピックアップにおい
て、 前記高周波重畳回路を形成した回路基板と、 前記高周波重畳回路をシールドするように前記回路基板
を収納したシールド体と、 を具備し、前記回路基板が多層基板から構成され、該多
層基板の最外層がグランドパターンを有し、しかも該グ
ランドパターンが前記シールド体に接続され、前記グラ
ンドパターンを有する最外層に対して前記シールド体の
内側に位置する第1の中間層がグランド層から成り、該
グランド層に対して前記シールド体の内側に位置する第
2の中間層に前記高周波重畳回路が形成されることを特
徴とする光ピックアップ。 - 【請求項2】情報記録媒体が光ディスクであって、前記
レーザ光源を有する光ピックアップが前記光ディスクに
対して半径方向に移動可能であることを特徴とする請求
項1に記載の光ピックアップ。 - 【請求項3】前記シールド体が前記光ピックアップのベ
ースに取付けられていることを特徴とする請求項2に記
載の光ピックアップ。 - 【請求項4】前記レーザ光源がレーザダイオードから構
成され、前記シールド体の外表面にマウントされるとと
もに、前記シールド体内の回路基板上の高周波重畳回路
と接続されていることを特徴とする請求項1に記載の光
ピックアップ。 - 【請求項5】前記レーザ光源がレーザダイオードから構
成され、前記光ピックアップのベースと前記シールド体
との間に挟着保持されていることを特徴とする請求項3
に記載の光ピックアップ。 - 【請求項6】前記回路基板が多層基板から構成され、第
1の中間層がグランド層から構成されるとともに、前記
多層基板の最外層のグランドパターンと前記グランド層
とがスルーホールによって接続され、しかも前記最外層
のグランドパターンが前記シールド体に直接半田付けさ
れることを特徴とする請求項1に記載の光ピックアッ
プ。 - 【請求項7】前記グランド層に対してシールド体の内側
に位置する第2の中間層に前記高周波重畳回路が形成さ
れることを特徴とする請求項6に記載の光ピックアッ
プ。 - 【請求項8】前記シールド体の開口縁部に突片が形成さ
れ、該突片に前記最外層のグランドパターンが半田付け
されることを特徴とする請求項6に記載の光ピックアッ
プ。 - 【請求項9】前記回路基板が多層基板であって、その最
外層の第1層が少なくともグランドパターンを有し、第
2層が全面グランドパターンを有するグランド層から構
成され、第3層に電源回路が形成され、第4層に前記高
周波重畳回路が形成されることを特徴とする請求項6に
記載の光ピックアップ。 - 【請求項10】情報記録媒体にレーザ光を照射して記録
および/または再生を行なう記録再生装置において、 レーザ光を発生するレーザ光源と、 前記情報記録媒体からの戻り光が前記レーザ光源に対し
て与える影響を防ぐように前記レーザ光源に印加される
電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路と、 前記高周波重畳回路をシールドするシールド体と、 を具備し、前記高周波重畳回路が多層基板の中間層に形
成され、該中間層より外側の層のグランド層がシールド
体に接続されることを特徴とする記録再生装置。 - 【請求項11】前記高周波重畳回路が形成された多層基
板が前記シールド体に収納されるとともに、該シールド
体が前記情報記録媒体に対接されて移動する光ピックア
ップのベースに取付けられることを特徴とする請求項1
0に記載の記録再生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001133353A JP2002329342A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 光ピックアップおよび記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001133353A JP2002329342A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 光ピックアップおよび記録再生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002329342A true JP2002329342A (ja) | 2002-11-15 |
Family
ID=18981224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002329342A (ja) |
-
2001
- 2001-04-27 JP JP2001133353A patent/JP2002329342A/ja active Pending
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