JPH07141676A - 光学式情報記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 不要輻射の防止効果を落とすこと無く、高密
度化・高速化・高転送レート化に対応できる光学式情報
記録再生装置を提供すること。 【構成】 不要輻射防止回路を構成するコイル６を介し
て半導体レーザ１に駆動電流を供給する際、スイッチ９
により再生時と記録時とで、防止回路のカットオフ周波
数を異なる値に切り替える。再生時において、再生用駆
動電流は発振回路２の高周波（周波数ｆ0 ）と共に半導
体レーザ１に重畳され、レーザノイズの低減が図られ
る。その一方で、その際、発生する不要輻射の対策がな
されるように、カットオフ周波数ｆc の値をｆ0 より低
く設定する。また、記録時には、高密度化・高速化・高
転送レート化が要求されるので、この要求を満たすよう
にカットオフ周波数ｆc ′の値を、記録情報の帯域上限
ｆ1 より高く設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザのノイズ
を低減する高周波発振回路を有する光学式情報記録再生
装置の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光学式情報記録再生装置において
は、半導体レーザのノイズを低減するための高周波発振
回路が併用されている。このような高周波発振回路とし
ては、例えば、特公昭５９−９０８６号公報に記載され
てるように、半導体レーザに印加される直流電流に、高
周波電流を重畳してノイズを低減するものである。従っ
て、光学式情報記録再生装置においては、半導体レーザ
と高周波発振回路とを電気的に接続する必要がある。

【０００３】例えば、特開昭６３−４４７８２号公報に
は、高周波発振回路と電気的負帰還回路をワンパッケー
ジ化した半導体レーザ駆動装置が開示されている。この
装置には、高周波重畳に伴う不要輻射の防止回路が設け
られている。

【０００４】また、特開昭６２−１１９７４３号公報や
特開昭６３−９００３７号公報には、再生時は高周波発
振回路を用いて半導体レーザのノイズ低減を図り、記録
及び消去のように半導体レーザが高出力発振の時は、高
周波発振回路を停止させるものが記載されている。これ
により、高周波数発振の重畳に伴う定格出力オーバを防
ぎ、半導レーザの寿命に関する課題を解決している。

【０００５】前述の高周波発振回路を併用した光学式情
報記録再生装置においては、高周波発振回路を導電性の
パッケージで囲って接地し、シールドしていると共に、
同装置は、前記パッケージから電極を引き出す際には、
貫通コンデンサやコイル等を用いて不要輻射防止回路を
構成している。この不要輻射防止回路やシールドによ
り、電波障害の防止を行っているのが一般的である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】最近、光学式情報記録
再生装置に対しては、高密度化・高速化・高転送レート
化の要求が著しい。これに伴い、半導体レーザの出力を
変調させて信号を記録する光変調方式の装置において
は、半導体レーザ出力の変調速度、及びその立ち上がり
速度も高速化が必要となってきた。

【０００７】従来の装置において不要輻射防止回路は、
例えば特開昭６３−４４７８２号公報中に記載されてい
る、半導体レーザの駆動系に付加されたＬＣフィルタと
貫通コンデンサ等は、電波の外部漏れによる障害を防止
する上で不可欠である。

【０００８】しかるに、前記不要輻射防止回路は、高周
波成分をカットするものであるので以下のような不具合
がある。つまり、前記回路の働きが逆に、記録時におい
て、半導体レーザ出力の変調速度、及びその立ち上がり
速度の高速化にとって、障害となってしまうということ
である。

【０００９】また、特開昭６２−１１９７４３号公報や
特開昭６３−９００３７号公報に示された例では、記録
及び消去時に、高周波発振回路を停止させているので、
記録及び消去時の不要輻射の問題は無い。しかし、従来
の半導体レーザの記録用駆動系は、不要輻射防止回路を
介して、半導体レーザを駆動している。このため、再生
時には、高周波発振による輻射防止には有効に働く不要
輻射防止回路も、記録用駆動系が供給する変調された記
録用駆動信号にとっては障害となり、記録時における高
周波成分カットの不具合は解決されていない。

【００１０】一方、高周波発振回路の発振周波数ｆｏｓ
ｃと半導体レーザをドライブする周波数帯域ｆｗが接近
した場合には特開昭６３−９００３７号公報のものでは
高周波電流が重畳されるラインと半導体レーザをドライ
ブする駆動ラインとが接続されているので、例えばディ
スク回転数アップによる記録再生速度の向上による伝送
効率の向上と高周波発振回路から漏れる発振波を減衰さ
せる機能を向上させることとは両立しがたい周波数特性
が要求されることになる。

【００１１】また、記録を行う装置においては、記録さ
れた情報が正しく記録されているかを確認するベリファ
イ動作が不可欠となる場合があり、そのような場合には
ベリファイを含めて短時間で記録動作を終了できること
が望まれる。

【００１２】本発明は上述した点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、不要輻射の防止機能を低下すること無
く、高密度化・高速化・高転送レート化に対応できる光
学式情報記録再生装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、情報
の記録及び再生を共通のレーザ発生手段を用いて行う光
学式情報記録再生装置において、前記レーザ発生手段の
駆動を制御する制御手段と、前記レーザ発生手段に接続
され、再生時のレーザノイズを低減させる高周波発振手
段と、前記レーザ発生手段と高周波発振手段を収納する
シールド手段と、前記高周波発振手段の駆動に伴う不要
輻射を防止する手段とを備えていると共に、記録用駆動
信号及び再生用駆動信号を前記不要輻射を防止する手段
を介して前記半導体レーザに供給する際、前記不要輻射
を防止する手段の回路定数を記録時と再生時とで、異な
るようにする。 この構成では、前記不要輻射を防止す
る手段を介して前記半導体レーザに駆動信号を供給する
際、前記切り替え手段により再生時と記録時とで、前記
不要輻射を防止する手段の回路定数を異なるようにす
る。

【００１４】記録時には一般的に、高密度化・高速化・
高転送レート化が要求されるので、この要求を満たすよ
うに前記回路定数の値を設定してある。つまり、前記切
り替えにより、前記要求を満たす値に設定される。

【００１５】また、再生時において、再生用駆動信号は
高周波発振手段による高周波と共に半導体レーザに重畳
され、レーザノイズを低減が図られる一方で、その際、
発生する不要輻射の対策を図ることができる回路定数の
値に切り替わる。

【００１６】一方、記録と再生とをそれぞれ第１の半導
体レーザと第２の半導体レーザとを用いて行う光学式情
報記録再生装置において、前記第２の半導体レーザに高
周波電流を重畳するための高周波発振手段と、前記第１
及び第２の半導体レーザに記録又は消去、及び再生電流
をそれぞれ供給する駆動回路と、前記高周波発振手段と
前記第２の半導体レーザとを収納するシールド手段と、
前記シールド手段内で前記第２の半導体レーザの駆動線
上に設けられ、前記高周波電流を伝送しない特性を有す
るフィルタ手段とを設けている。

【００１７】この構成により情報の記録を行う第１の半
導体レーザを駆動する駆動ラインは、再生を行う第２の
半導体レーザを駆動する駆動ラインと別であり、高周波
発振手段の高周波信号の不要輻射を防止するフィルタの
特性を記録を行う場合に要求される周波数特性と殆ど無
関係に決定でき、記録を高速に行うこと等が可能にな
る。

【００１８】

【実施例】図を参照して本発明の実施例について、以下
に説明する。図１及び図２は本発明の第１実施例に係
り、図１は光学式情報記録再生装置の半導体レーザの駆
動系及び制御系に関するブロック図、図２は回路定数の
切り替えと周波数特性との説明図である。

【００１９】図１に示す半導体レーザ（ＬＤ）１は、図
示しない光学ヘッドの光源であって、再生モード、記録
モード及び消去モードでそれぞれ駆動される。つまり、
前記半導体レーザ１は、情報の再生、記録、消去を行う
ためのレーザ光を、図示しない光記録媒体に照射するも
のである。

【００２０】前記半導体レーザ（ＬＤ）１は、高周波重
畳用発振回路（以下、高周波発振回路と略記する）２や
不要輻射防止回路３等と共に、シールドケース４内に収
納されている。前記高周波重畳用発振回路２は再生時の
み駆動して、再生時のＬＤノイズを低減させる働きをす
るものである。

【００２１】前記半導体レーザ１は、不要輻射防止回路
３を構成する貫通コンデンサ５及びコイル６を介して、
再生／記録用半導体レーザ駆動回路（以下、Ｒ／Ｗ用Ｌ
Ｄドライバと略記する）７により駆動されるようになっ
ている。再生モードの際は、Ｒ／Ｗ用ＬＤドライバ７か
らは、再生用駆動電流が半導体レーザ１に供給される。
尚、再生モードにおいては、ベリファイも行うことがで
きる。また、記録モードのときは、記録用駆動電流が半
導体レーザ１に供給される。さらに、消去モードにおい
ては、消去用駆動電流が半導体レーザ１に供給される。

【００２２】前記コイル６の一端は、前記半導体レーザ
１のアノードに接続されている。そして、前記半導体レ
ーザ１のカソードは、前記シールドケース４を中継して
ＧＮＤに接続、つまり接地されている。

【００２３】また、前記コイル６の両端には、ＣＰＵ８
により開閉が制御されるスイッチ９が並列に接続されて
いる。そして、前記ＣＰＵ８は、貫通コンデンサ１０を
介して、開閉制御のためのコントロール信号を出力する
ようになっている。尚、前記ＣＰＵ８は、少なくとも図
１に示すレーザ駆動系の制御を行うものである。

【００２４】前記スイッチ９はＣＰＵ８のコントロール
信号により、再生時にはＯＦＦ、記録及び消去時にはＯ
Ｎし、半導体レーザ１の駆動ラインに付加した不要輻射
防止回路の回路定数を切り換える働きをするものであ
る。

【００２５】前記高周波重畳用発振回路２は、不要輻射
防止回路３を構成するコイル１１及び貫通コンデンサ１
２を介して、発振回路用電源例えば＋５Ｖに接続されて
いる。また、前記高周波重畳用発振回路２は、内部の図
示しないカップリングコンデンサを介して、前記半導体
レーザ１に高周波電流を重畳するようになっている。さ
らに、前記高周波重畳用発振回路２は、不要輻射防止回
路３を構成するコイル１３及び貫通コンデンサ１４を介
して、ＣＰＵ８に接続されている。そして、前記高周波
重畳用発振回路２は、その駆動のＯＮ／ＯＦＦが、前記
ＣＰＵ８により制御されるようになっている。

【００２６】前記貫通コンデンサ５，１０，１２，１４
は、前記シールドケース４に貫通して固定されている。
また、前記高周波電流は、ＬＣフィルタ（図示例ではコ
イル６，１１，１３）と、貫通コンデンサ５，１０，１
２，１４とにより、ケース４の外部に放射されないよう
になっている。この高周波重畳により、前記半導体レー
ザ１は、前記光学ヘッドの光学系の影響を受けず、安定
且つ低レベルの雑音レベルを持って発振するようにな
る。

【００２７】前記Ｒ／Ｗ用ＬＤドライバ７は、前記ＣＰ
Ｕ８に制御される前記Ｒ／Ｗ用制御回路１５に、制御さ
れるようになっている。前記Ｒ／Ｗ用制御回路１５に
は、前記ＣＰＵ８から、記録用の情報信号が与えられ、
変調が加えられるようになっている。

【００２８】前記スイッチ９は、前記ＣＰＵ８からのコ
ントロール信号によってＯＮ／ＯＦＦする。再生時には
前記スイッチ９はＯＦＦとなる一方、記録及び消去時に
は、スイッチ９はＯＮとなる。このＯＮ／ＯＦＦによ
り、前記不要輻射防止回路３を構成する貫通コンデンサ
５と、ＬＣフィルタ回路（図示例ではコイル６）との回
路定数、つまりカットオフ周波数が可変されることにな
る。

【００２９】再生時は、不要輻射防止効果が高くなるよ
うに、貫通コンデンサ５とコイル６とで構成される回路
により不要輻射の低減を図っている。

【００３０】ここで、ＬＣフィルタ回路のカットオフ周
波数ｆc は、 ｆｃ＝１／（２π（ＬＣ）^1/2 ） …（１） の関係がある。つまり、前記カットオフ周波数ｆc はＬ
Ｃの平方根に反比例している。尚、Ｌはコイルのインダ
クタンス、Ｃはコンデンサの容量である。

【００３１】不要輻射防止用の前記ＬＣフィルタ回路の
カットオフ周波数ｆc は、再生時には不要輻射防止効果
の高い値に設定してある。つまり、コイル６が介装され
た状態となるので、図２に示すように、高周波成分が減
衰することとなる。このカットオフ周波数ｆc は、少な
くとも前記高周波重畳用発振回２で発生する高周波の周
波数ｆ0 よりも、低く設定されている必要がある。そし
て、高周波成分ｆ0 が十分減衰されることで、外部に不
要な輻射がなされることが防止される。

【００３２】一方、記録及び消去時は、スイッチ９がＯ
Ｎとなり、コイル６の両端が短絡されて、前記ＬＣフィ
ルタ回路の回路定数であるカットオフ周波数が、高い値
に切り換わる。

【００３３】前記スイッチ９がＯＮすると、回路中のＬ
はパターン等による浮遊インダクタンスだけの小さな値
になる。すなわち、図２に示すように、カットオフ周波
数が高い周波数ｆc ′にシフトする。この周波数ｆc ′
が、前記Ｒ／Ｗ用ＬＤドライバ７から供給される記録用
駆動電流（記録用情報信号）における帯域幅の上限の周
波数ｆ1 よりも高くなることで、信号の伝送特性を高帯
域まで延ばすことができる。従って、本実施例では、高
い周波数での記録が可能となる。尚、前記周波数ｆc ′
は、図示例では、高周波重畳用発振回２で発生する高周
波の周波数ｆ0よりも高く設定してあるが、その値は、
変調された記録情報の周波数帯域を少なくともカバーし
ていれば良い。

【００３４】前記構成で、再生時には、Ｒ／Ｗ用ＬＤド
ライバ７で半導体レーザ１の出力を一定に制御する。高
周波重畳用発振回路２はＣＰＵ８により再生時のみ駆動
され、高周波電流を半導体レーザ１に印加して、再生時
のＬＤノイズを低減させる働きをする。これにより、安
定な再生ができるようになる。そして、前記スイッチ９
がＯＦＦで、前記不要輻射防止回路の働きにより、不要
輻射は低減される。

【００３５】一方、記録・消去時は、Ｒ／Ｗ用ＬＤドラ
イバ７により、半導体レーザ１の駆動を制御し、情報の
記録・消去を行っている。そして、前記スイッチ９がＯ
Ｎとなって、前記Ｒ／Ｗ用ＬＤドライバ７と前記半導体
レーザ１との間は、回路のカットオフ周波数が十分高い
値に設定される。従って、高い周波数の情報を扱うこと
ができる。

【００３６】尚、記録及び消去時は、前記ＣＰＵ８の制
御により、高周波重畳用発振回路２は駆動していないの
で、高周波発振による不要輻射は発生しない。

【００３７】本実施例では、半導体レーザの駆動系に付
加した不要輻射防止回路の定数を再生時と、記録及び消
去時とで切り替える。この切り替えにより、高周重畳用
波発振回路２によるノイズ低減を必要とする再生時に
は、不要輻射防止効果を大きくする一方、ノイズ低減の
不要な記録及び消去時にはデータ伝送特性が高帯域まで
延びた設定で半導体レーザ１を駆動できる。このよう
に、本実施例では、不要輻射の防止効果を低下させるこ
となく、高速化・高密度化・高転送レート化に対応した
高い周波数の信号を記録及び再生することができる。

【００３８】また、本実施例では、記録・消去時に高周
波数発振の重畳を停止し、レーザの定格出力オーバーを
防ぎ、半導レーザの寿命延命を図ることができる。

【００３９】図３は本発明の第２実施例に係る、光学式
情報記録再生装置の半導体レーザの駆動系及び制御系に
関するブロック図である。

【００４０】本第２実施例は、第１実施例のスイッチ９
に代えてスイチッング素子、例えばトランジスタ２１に
より、回路のカットオフ周波数が切り替えられる構成と
なっている。本実施例では、再生時と、記録及び消去時
の切替えをトランジスタ等の半導体スイッチング素子で
行うことにより、切替え速度を向上させている。従っ
て、装置全体の処理速度の高速化にとって有効である。

【００４１】また、本実施例では、前記高周波重畳用発
振回路２のＯＮ／ＯＦＦ制御は、スイッチ２２により、
高周波重畳用発振回路２の電力供給を停止するようにな
っている。すなわち、記録及び消去時には、ＣＰＵ８の
制御により、スイッチ２２が例えばシールドケース４の
ＧＮＤに接続され、電源供給が停止される。一方、再生
時には、スイッチ２２が前記電源＋５Ｖに接続され、高
周波発振がなされる。従って、図３に示すように、不要
輻射防止回路３′において、図１に示す前記貫通コンデ
ンサ１４，コイル１３の構成を不要としている。

【００４２】その他の構成及び作用効果は、第１実施例
と同様で、同じ符号を付して説明を省略する。

【００４３】尚、前記貫通コンデンサ１０に代えて、そ
の位置にフォトカプラを配置しても良い。このフォトカ
プラは、前記ＣＰＵ８とスイッチ９あるいはトランジス
タ２１との間を光で結ぶものであり、再生時、記録・消
去時共に、電気的には分離されている。従って、この分
離により、再生時に、この制御ラインから不要輻射が漏
れることが無い。

【００４４】図４及び図５は第３実施例に係り、図４は
光学式情報記録再生装置の半導体レザの駆動系及び制御
系のブロック図、図５はダイオードの特性図である。

【００４５】本実施例は、第１実施例のスイッチ９に代
えてダイオード２５を設けている。このダイオード２５
は、前記コイル６の両端に並列に接続されている。前記
ダイオード２５は、そのアノードが貫通コンデンサ５側
に、且つカソードが半導体レーザ１側に接続されるよう
になっている。前記ダイオード２５のスイッチング動作
は、外部（ＣＰＵ８）からは制御されず、その特性に従
ってＯＮ／ＯＦＦするようになっている。従って、前記
貫通コンデンサ１０は不要となっている。

【００４６】その他、第１実施例と同様の構成及び作用
については、同じ符号を付して説明を省略する。

【００４７】前記構成で、前述のように前記高周波重畳
用発振回路２はＣＰＵ８により再生時のみ駆動され、高
周波電流を半導体レーザ１に印加して、再生時のＬＤノ
イズを低減させる働きをする。これにより、安定な再生
ができるようになる。

【００４８】前記ダイオード２５は図５に示す特性、つ
まり電圧＋ＶA 例えば＋Ｏ．５Ｖ以上の電圧が印加され
なければＯＮしないようになっている。

【００４９】再生時には、定電流で半導体レーザ１を駆
動しているため、コイル６の両端に生じる電圧はほぼ零
（Ｖ）であり、従って前記ダイオード２５はＯＦＦ状態
にある。このため、小振幅の信号に対しては、コイル６
と貫通コンデンサ５で構成される不要輻射防止回路によ
り不要輻射は低減される。

【００５０】一方、記録時は、Ｒ／Ｗ用ＬＤドライバ７
は半導体レーザ１をパルス駆動する。この場合、前記コ
イル６のインダクタンスが大きくなり、コイル６の両端
に電圧が生じる。このとき、一定の電圧（＋ＶA ）以上
になると、ダイオード２５が図５に示す特性に従ってＯ
Ｎ状態となり、ＬＤ駆動電流はこのダイオード２５を流
れることになる。

【００５１】またこの時は、高周波発振回路２はＯＦＦ
となっているので、高周波発振回路２による不要輻射は
発生しない。

【００５２】本実施例では、再生時と記録時とで供給さ
れる各信号の違いによって回路が切り替わり、第１及び
第２実施例のようにコントロール信号を与えて切り替え
る必要がない。このため、コントロール信号を発生する
構成、及び貫通コンデンサ１０を不要とすることがで
き、回路構成の簡略化と共に低コストにできる。さら
に、シールドケース４にコントロール信号入力端子を設
ける必要がなくなるので、より不要輻射の漏洩防止に効
果的である。

【００５３】図６は本発明の第４実施例におけるレーザ
駆動装置３１の構成を示す。第１実施例等では記録と再
生とを共通の半導体レーザで兼用して行う構成であった
のに対し、この実施例は記録（及び消去）用レーザ光と
再生用レーザ光とを同じレーザダイオードで兼用しない
で、それぞれ専用のレーザダイオード、つまり記録用レ
ーザダイオード３２、再生用レーザダイオード３３で発
生するようにしている。

【００５４】このレーザ駆動装置３１は、記録ビームを
発生する記録用レーザダイオード３２と再生ビームを発
生する再生用レーザダイオード３３と、全体の制御を行
うＣＰＵ３４と、ノイズを低減するための高周波発振回
路３５を内蔵した高周波重畳モジュール３６と、記録用
レーザダイオード３２及び再生用レーザダイオード３３
をそれぞれ駆動する記録用レーザダイオードドライバ３
７及び再生用レーザダイオードドライバ３８とを有す
る。

【００５５】記録用レーザダイオード３２と再生用レー
ザダイオード３３とはＧＮＤに接続される例えば共通の
金属ケース３９内に収納されている。また、高周波重畳
モジュール３６もＧＮＤに接続される金属製の外装ケー
ス４０で覆われている。

【００５６】高周波発振回路３５の電源端３５ａは外装
ケース４０内のコイル４１及びケース４０に取り付けた
貫通コンデンサ４２を介して外装ケース４０外の電源ラ
イン４３と接続され、この電源ライン４３は図示しない
電源回路に接続され、高周波発振回路３５には所定の電
圧Ｖが供給されるようにしてある。この電源ライン４３
の途中に介装したコイル４１及び貫通コンデンサ４２に
より、高周波発振回路３５の高周波信号が電源ライン４
３を介して外部に漏れないようにしている。

【００５７】この高周波発振回路３５の高周波発振のＯ
Ｎ／ＯＦＦを行う制御端３５ｂはコイル４４及び貫通コ
ンデンサ４５とを介して外装ケース４０外の制御ライン
４６の一端に接続され、この制御ライン４６の他端はＣ
ＰＵ３４に接続され、ＣＰＵ３４はこの制御ライン４６
を介して高周波重畳のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う。

【００５８】またＣＰＵ３４はライン４７ａ及び４８ａ
を介して再生用レーザダイオードドライバ３８及び記録
用レーザダイオードドライバ３７と接続され、それぞれ
の動作の制御を行う。再生用レーザダイオードドライバ
３８及び記録用レーザダイオードドライバ３７はそれぞ
れ駆動ライン４７ｂ及び４８ｂを介してケース４０に取
り付けた貫通コンデンサ４９及び５０の一方の端子とそ
れぞれ接続されている。

【００５９】貫通コンデンサ４９の他方の端子はケース
４０内のコイル５１を介して高周波発振回路３５の高周
波発振出力端３５ｃに接続された駆動ライン５２と接続
されている。この駆動ライン５２は再生用レーザダイオ
ード３３のアノードに接続され、この再生用レーザダイ
オード３３のカソードはケース３９又はＧＮＤに接続さ
れている。従って、再生用レーザダイオード３３にはレ
ーザダイオードドライバ３８から再生用ドライブ電流３
８Ｉが供給されると共に、高周波発振回路３５の高周波
発振出力電流３５Ｉが重畳して供給される。

【００６０】また、高周波発振回路３５の高周波発振出
力端３５ｃに接続される駆動ライン４７ｂ上には途中に
貫通コンデンサ４９及びコイル５１が設けて、不要輻射
がライン４７からケース４０の外部に漏れるのを防止し
ている。

【００６１】また、上記貫通コンデンサ５０の他方の端
子はケース４０内の駆動ライン５３を介して記録用レー
ザダイオード３２のアノードに接続され、この記録用レ
ーザダイオード３２のカソードはケース３９又はＧＮＤ
に接続されている。レーザダイオードドライバ３７は記
録又は消去時に、記録又は消去ドライブ電流３７Ｉを駆
動ライン４８ｂ及び駆動ライン５３を介して記録用レー
ザダイオード３２に供給し、記録発光又は消去発光させ
る。

【００６２】上記貫通コンデンサ４２及びコイル４１、
貫通コンデンサ４５及びコイル４４、及び貫通コンデン
サ４９及びコイル５１によりそれぞれ形成されるフィル
タ特性は低周波成分を通すローパス特性を示す。

【００６３】例えば貫通コンデンサ４９及びコイル５１
により形成されるローパスフィルタはそのローパスフィ
ルタのカットオフ周波数をｆｃ、高周波発振回路３５の
発振周波数をｆｏｓｃとした場合、ｆｃ＞ｆｏｓｃの関
係を示し、図示すると図７に示すような周波数特性を示
す。このローパスフィルタのカットオフ周波数ｆｃは
（１）式で与えられる。

【００６４】また、他の貫通コンデンサ４２及びコイル
４１、貫通コンデンサ４５及びコイル４４によるローパ
スフィルタの周波数特性は、貫通コンデンサ４９及びコ
イル５１により形成されるローパスフィルタの周波数特
性とほぼ同じものを用いることができる。

【００６５】例えば電源ライン４３は殆ど直流成分を伝
送する機能を有しておれば良いので、貫通コンデンサ４
２及びコイル４１によるローパスフィルタのカットオフ
周波数をもっと低くしても良い。また、貫通コンデンサ
４５及びコイル４４によるローパスフィルタのカットオ
フ周波数も上記ｆｃより低くしても良い。

【００６６】上記高周波発振回路３５から出力された高
周波出力電流３５Ｉのうち、インピーダンスミスマッチ
ングのため再生用レーザダイオード３３から反射する成
分、及びコイル５１側へ漏れる成分は電流５４Ｉとして
高周波重畳モジュール３６の外部へ向かって流れた場合
には、不要輻射となる。

【００６７】この不要輻射は上記ローパスフィルタの特
性で外部に漏れるのが防止される。この実施例では再生
用レーザダイオード３３の駆動ライン（つまりライン４
７，５２）と記録用レーザダイオード３２の駆動ライン
（つまりライン４８ｂ，５３）が分離されているので、
再生用の駆動ラインのフィルタ定数は記録系の周波数特
性を考慮することなく設定することができる。

【００６８】一方、記録用レーザダイオードドライバ３
７から供給される記録又は消去駆動電流３７Ｉは貫通コ
ンデンサ５０のみを介して記録用レーザダイオード３２
へ供給される。この貫通コンデンサ５０は必ずしも必要
ではないが密封を容易にするために用いている。この駆
動ライン５３には高周波電流３５Ｉ，５４Ｉのいずれも
殆んど漏れ込まないので不要輻射対策としてのフィルタ
を挿入しなくても良い場合がある。

【００６９】このように第４実施例によれば、高周波発
振周波数ｆｏｓｃと独立に記録系の周波数特性を設定で
きるので、電波障害となる不要輻射を抑圧することと、
記録系の高帯域化つまり記録転送レートの高速化とを同
時に実現可能なレーザダイオード駆動装置を実現するこ
とができる。

【００７０】又、モノシリックレーザダイオードのよう
に複数のチップが一つのパッケージに内蔵されたレーザ
ダイオード等と組み合わせることにより高周波重畳モジ
ュールパッケージへ接近させて実装できるので、装置の
小型化及び伝送ラインの短縮化が可能となる。

【００７１】尚、上述したＬＣによるフィルタは上記内
容に限定されるものではなく、Ｔ型やπ型等の他の方式
でもよい。又、レーザダイオードは再生用と記録用の２
個に限定されるものではなく、少なくとも１つの情報信
号再生用レーザダイオードに高周波発振回路とフィルタ
が接続され、それとは独立して他の複数のレーザダイオ
ードラインがあればよい。

【００７２】又、高周波重畳モジュール３６の外装ケー
ス４０と２個以上のレーザダイオードがすべて電気的か
つ機械的に接続されている必要はなく、機械的には必ず
しもすべてのレーザダイオードが接続されていなくても
よい。

【００７３】図８は本発明の第４実施例の変形例におけ
る光学系の構成を示す。この変形例は図６において、記
録用レーザダイオード３２、再生用レーザダイオード３
３の代わりにモノリシックに形成した記録／消去用の２
つのレーザダイオードチップ６１ａ，６１ｂで形成され
る２ビームレーザダイオード６１を用いてレーザ駆動装
置を用いている。

【００７４】光磁気ディスク６２の一方の面に対向して
ピックアップ６３が配置され、光磁気ディスク６２の他
方の面に対向して磁気ヘッド６４が配置されている。２
ビームレーザダイオード６１は、再生用である低出力レ
ーザダイオードチップ６１ａと記録／消去用である高出
力レーザダイオードチップ６１ｂをモノリシックに実装
されたものであり、ＣＰＵ６５の命令に従ってレーザダ
イオードドライバ６６ａ，６６ｂ、ＨＦＭ（高周波重畳
モジュール）６７を通して光出力の制御が行われる。レ
ーザダイオードドライバ６６ｂとレーザダイオードチッ
プ６１ｂとの間にＨＦＭ６７が介装されているが、図６
の場合と同様に駆動ラインの一部がＨＦＭ６７内を通し
てある。

【００７５】レーザダイオード６１の出力光はコリメー
ター６８で平行光となり、偏光ビームスプリッタ６９で
反射光と透過光に分離される。反射光はレーザダイオー
ド６１の出射光モニタとして光検出器７０で受光され
る。透過光は対物レンズ７１でディスク６２上に集光さ
れ回折限界の微小スポットが形成される。

【００７６】消去時はＣＰＵ６５の命令により高出力レ
ーザダイオードチップ６１ｂを発光させるとともに磁気
ヘッド６４に消去方向の磁場が発生するように磁気ヘッ
ドドライバ７２を制御する。一方、記録時には逆方向の
磁場が発生するように制御される。

【００７７】ディスク６２で反射された光は、偏光ビー
ムスプリッタ６９で反射され、波長選択性を持つビーム
スプリッタとして機能するダイクロイックミラー７３に
より再生用の光と記録／消去用の光とに分離される。こ
の例ではダイクロイックミラー７３で反射された記録／
消去用の光からレンズ７４、ミラー７３の出射面に対し
て焦線方向が４５°傾いているシリンドリカルレンズ７
５、フォトダイオード７６によってフォーカスエラー、
トラックエラー両信号を検出している。

【００７８】ダイクロイックミラー７３を透過した光は
方位角２２．５度の１／２波長板７７を透過して偏光面
が４５度回転され、レンズ７８で集光されたのち、Ｓ偏
光反射率、Ｐ偏光透過率ともに１００％の偏光ビームス
プリッタ７９と光検出器８０ａ、８０ｂ及び図示しない
差動演算回路により光磁気信号の再生が行われる。この
実施例ではフォーカスエラー、トラックエラー両信号の
検出は、ダイクロイックミラー７３の反射光を検出して
行っているが、透過光で行うようにしても構わない。

【００７９】図９は図８の光学系を用いてディスク６２
上に形成した光スポットの位置関係を示す図である。デ
ィスク６２にはランド部８１とグルーブ部８２とが交互
に隣接して設けられてトラック８３を形成している。デ
ィスク６２は例えば矢印８４で示す方向に走査され、ラ
ンド部８１に照射された先行する位置の光スポット８５
で記録ドメイン８６を形成してデータの記録を行うと共
に、その後方の位置の光スポット８７で記録ドメイン８
６を再生する。

【００８０】ここで先行する光スポット８５はデータの
消去／記録を行い、光スポット８７はデータの再生を行
う。光変調記録を行う場合は、光スポット８５を光量変
調させながら光スポット８７でベリファイし、磁界変調
記録を行う場合は光スポット８５を高出力で直流発光さ
せながら磁気ヘッド６４を高速変調してオーバライト
し、光スポット８７でベリファイすることが行われる。
これら２ビームを独立に制御することにより記録とベリ
ファイを同時に行え、記録転送レートの高速化が実現で
きる。

【００８１】また、光スポットで記録される記録マーク
が安定した幅となるように、記録補償用にマルチ発光さ
せる場合のように、マルチ発光用のパルスを多数発生さ
せる場合にはより広帯域化が必要になるが、このような
場合にもこの実施例は適用できる。なお、図６のレーザ
駆動装置３１を図８の光学系に適用することもできる。

【００８２】図１０は本発明の第５実施例におけるレー
ザダイオード駆動装置９１を示す。記録用レーザダイオ
ード３２の駆動ライン５３上に抵抗９２を設けた以外は
図６と同じ構成である。

【００８３】この実施例では磁界変調記録を想定してお
り、記録データの変調は磁気ヘッドにより行う。再生用
レーザダイオード３３の駆動ライン４７ｂ上の貫通コン
デンサ４９とコイル５１の定数は第４実施例と同じ設定
であるので、その説明を省略する。

【００８４】記録用レーザダイオード３２への駆動電流
の周波数は、磁界変調記録の場合においては、ほぼ直流
でよいので、従って貫通コンデンサ５０の容量Ｃと抵抗
９２の抵抗値Ｒは カットオフ周波数 ｆｃ”＝１／２πＣＲ となるようなカットオフ周波数ｆｃ”を有するローパス
フィルタを構成すればよい。

【００８５】このようにすることにより、不要輻射を抑
えつつ記録用レーザダイオード駆動電流上の不要な高域
ノイズを除去でき、２ビームレーザダイオードによりダ
イレクトのオーバライトと同時ベリファイが可能となる
ので、高記録転送レートを実現できる。

【００８６】図１１は本発明の第６実施例におけるレー
ザダイオード駆動装置９５の主要部を示す。この実施例
は図６において、レーザダイオードドライバ３７の電流
駆動ライン４８ｂを貫通コンデンサ５０に接続すること
なく、記録用レーザダイオード３２に直接接続してい
る。つまり、レーザダイオードドライバ３７の電流駆動
ライン４８ｂは外装ケース４０内部を通すことなく、記
録用レーザダイオード３２に接続している。その他の構
成は図６に示すものと同じ構成である。

【００８７】

【発明の効果】前述したように本発明によれば、不要輻
射の防止効果を落とすこと無く、高密度化・高速化・高
転送レート化に対応できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１及び図２は第１実施例に係り、図１は光学
式情報記録再生装置の半導体レーザの駆動系及び制御系
に関するブロック図。

【図２】図２は回路定数の切り替えと周波数特性との説
明図。

【図３】図３は第２実施例に係る、光学式情報記録再生
装置の半導体レーザの駆動系及び制御系に関するブロッ
ク図。

【図４】図４及び図５は第３実施例に係り、図４は光学
式情報記録再生装置の半導体レザの駆動系及び制御系の
ブロック図。

【図５】図５はダイオードの特性図。

【図６】図６は本発明の第４実施例におけるレーザ駆動
装置の構成を示すブロック図。

【図７】図７は図６に用いられるローパスフィルタの周
波数特性を示す特性図。

【図８】図８は第４実施例の変形例における光学系の構
成図。

【図９】図９は図８のディスクに形成される光スポット
でベリファイが行われる説明図。

【図１０】図１０は本発明の第６実施例におけるレーザ
駆動装置の構成を示すブロック図。

【図１１】図１１は第５実施例の変形例におけるレーザ
駆動装置の一部を示すブロック図。

【符号の説明】

１…半導体レーザ ３…不要輻射防止回路 ４…シールドケース ６，１１，１３…コイル ５，１０，１２，１４…貫通コンデンサ ７…Ｒ／Ｗ用ＬＤドライバ ８…ＣＰＵ ９…スイッチ １５…Ｒ／Ｗ用制御回路

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年１２月６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図９

【補正方法】変更

【補正内容】

【図９】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮崎 靖浩 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 情報記録媒体上に照射されるレーザ光を
   利用して、少なくとも情報の記録及び再生を行う光学式
   情報記録再生装置において、 記録用レーザ光と再生用レーザ光を出射する半導体レー
   ザと、 前記半導体レーザの駆動を制御する制御手段と、 前記半導体レーザに接続され、レーザノイズを低減させ
   る高周波発振手段と、 前記半導体レーザと高周波発振手段を収納するシールド
   手段と、 前記高周波発振回路の駆動に伴う不要輻射を防止する手
   段と、 を有し、記録用駆動信号及び再生用駆動信号を前記不要
   輻射を防止する手段を介して前記半導体レーザに供給す
   る際、前記不要輻射を防止する手段の回路定数を記録時
   と再生時とで異なるようにすることを特徴とする光学式
   情報記録再生装置。
2. 【請求項２】 情報記録媒体上にレーザ光を照射して情
   報の記録又は消去を行うための第１の半導体レーザと、
   記録された情報を再生するためのレーザ光を発生する第
   ２の半導体レーザと、前記第２の半導体レーザに高周波
   電流を重畳するための高周波発振手段と前記第１及び第
   ２の半導体レーザに記録又は消去、及び再生電流をそれ
   ぞれ供給する駆動回路とを備えた光学式情報記録再生装
   置において、 前記高周波発振手段と前記第２の半導体レーザとを収納
   するシールド手段と、 前記シールド手段内で前記第２の半導体レーザの駆動線
   上に設けられ、前記高周波電流を伝送しない特性を有す
   るフィルタ手段と、を有することを特徴とする光学式情
   報記録再生装置。