JP2002328461A - マスク及びそれを用いた露光方法 - Google Patents
マスク及びそれを用いた露光方法Info
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- JP2002328461A JP2002328461A JP2001135365A JP2001135365A JP2002328461A JP 2002328461 A JP2002328461 A JP 2002328461A JP 2001135365 A JP2001135365 A JP 2001135365A JP 2001135365 A JP2001135365 A JP 2001135365A JP 2002328461 A JP2002328461 A JP 2002328461A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハに対するマスクの位置決めを容
易、正確に行なえるようにする。 【解決手段】 マスク１１のマスク内スクライブライン
１９に所定間隔で位置合せマーク１７を設け、異なるマ
スク内スクライブライン１９に設けた位置合せマーク１
７を結ぶ仮想線を、半導体ウエハに設けられたオリエン
テーションフラットと平行にする。
易、正確に行なえるようにする。 【解決手段】 マスク１１のマスク内スクライブライン
１９に所定間隔で位置合せマーク１７を設け、異なるマ
スク内スクライブライン１９に設けた位置合せマーク１
７を結ぶ仮想線を、半導体ウエハに設けられたオリエン
テーションフラットと平行にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に製造
に用いるマスクに係り、特にマスクに形成したチップ領
域が半導体ウエハのオリエンテーションフラットと直交
した方向に長いマスク及びそれを用いた露光方法に関す
るものである。
に用いるマスクに係り、特にマスクに形成したチップ領
域が半導体ウエハのオリエンテーションフラットと直交
した方向に長いマスク及びそれを用いた露光方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図５あるいは図６に示すように、
一般的に半導体ウエハ５１には結晶方位を示すオリエン
テーションフラット５３（以下、フラット５３という）
が設けられている。この半導体ウエハ５１に例えば長方
形状のチップ５５形成する場合、チップ５５をできるだ
け多く取れるように、チップ５５の長辺Ｌｈを図５の実
線で示すようにフラット５３に対して平行に配置する場
合（以下、横面付けと呼ぶ）と、図６の実線で示すよう
にフラット５３に対して直交して配置する場合（以下、
縦面付けと呼ぶ）とが検討される。この検討結果より、
より多くの個数が取れるように、チップ５５が横面付け
のチップ５５Ａ、あるいは、縦面付けチップ５５Ｂのい
ずれかが選択されて配置され、半導体ウエハ５１から作
製するチップ５５の歩留まりが向上することが行われて
いる。
一般的に半導体ウエハ５１には結晶方位を示すオリエン
テーションフラット５３（以下、フラット５３という）
が設けられている。この半導体ウエハ５１に例えば長方
形状のチップ５５形成する場合、チップ５５をできるだ
け多く取れるように、チップ５５の長辺Ｌｈを図５の実
線で示すようにフラット５３に対して平行に配置する場
合（以下、横面付けと呼ぶ）と、図６の実線で示すよう
にフラット５３に対して直交して配置する場合（以下、
縦面付けと呼ぶ）とが検討される。この検討結果より、
より多くの個数が取れるように、チップ５５が横面付け
のチップ５５Ａ、あるいは、縦面付けチップ５５Ｂのい
ずれかが選択されて配置され、半導体ウエハ５１から作
製するチップ５５の歩留まりが向上することが行われて
いる。
【０００３】また、多数のチップ５５を形成した半導体
ウエハ５１には、半導体ウエハ５１を切断して個々のチ
ップ５５に分割(スクライビング)するために、各チップ
５５間に幅Ｂａのいわゆるスクライブライン５７が設け
られている。このスクライブライン５７は、図６に示す
ように、チップ５５を作製するために使用されるマスク
６１に設けたパターン用被膜６３によるパターンを半導
体ウエハ５１に転写した際に形成される。すなわち、こ
のマスク６１を通して図示しない露光用光源からの紫外
線Ｒｉを半導体ウエハ５１上に塗布されたレジスト６９
に露光して現像する。このとき、パターン用被膜６３に
よって紫外線Ｒｉを遮断し、例えばチップ５５が形成さ
れる位置のレジスト６９ａを露光しないでおき、またパ
ターン用皮膜６３を形成していない位置を紫外線Ｒｉが
透過してスクライブライン５７に相当する位置のレジス
ト６９ｂ（斜線部）を露光するようにしておく。これに
より、レジスト６９を現像すると、マスク６１に形成し
た描画(パターン)がレジスト６９に転写して形成され
る。
ウエハ５１には、半導体ウエハ５１を切断して個々のチ
ップ５５に分割(スクライビング)するために、各チップ
５５間に幅Ｂａのいわゆるスクライブライン５７が設け
られている。このスクライブライン５７は、図６に示す
ように、チップ５５を作製するために使用されるマスク
６１に設けたパターン用被膜６３によるパターンを半導
体ウエハ５１に転写した際に形成される。すなわち、こ
のマスク６１を通して図示しない露光用光源からの紫外
線Ｒｉを半導体ウエハ５１上に塗布されたレジスト６９
に露光して現像する。このとき、パターン用被膜６３に
よって紫外線Ｒｉを遮断し、例えばチップ５５が形成さ
れる位置のレジスト６９ａを露光しないでおき、またパ
ターン用皮膜６３を形成していない位置を紫外線Ｒｉが
透過してスクライブライン５７に相当する位置のレジス
ト６９ｂ（斜線部）を露光するようにしておく。これに
より、レジスト６９を現像すると、マスク６１に形成し
た描画(パターン)がレジスト６９に転写して形成され
る。
【０００４】このようにして半導体ウエハ５１にパター
ンを転写するマスク６１の半導体ウエハ５１との相対位
置は、半導体ウエハ５１のフラット５３にチップ５５の
一辺を、図示しない顕微鏡を通して目視により合わせて
位置決めしている。
ンを転写するマスク６１の半導体ウエハ５１との相対位
置は、半導体ウエハ５１のフラット５３にチップ５５の
一辺を、図示しない顕微鏡を通して目視により合わせて
位置決めしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年で
はチップが大型になり、そのチップ形状は、一辺が長い
長方形、あるいは、各辺が長い矩形又は長方形などのチ
ップが作製されるようになった。従って、半導体ウエハ
５１に対するマスク６１の相対位置を決める場合、半導
体ウエハ５１に形成するチップ５５の数を最大とするマ
スク６１の位置は、チップ５５のフラット５３と平行な
辺５５ａが必ずしもフラット５３と一致したり、フラッ
ト５３の近傍にくるとは限らず、半導体ウエハ５１のフ
ラット５３が長い長方形のチップ５５の長手方向中央付
近にくるときがある。このため、例えば半導体ウエハ５
１にウエルを形成する場合のように、チップを形成する
ためのマスク６１を、何の処理もされていない半導体ウ
エハ５１に対して位置決めをするときに、顕微鏡の視野
にフラット５３とこれと平行なチップ５５の辺５５ａと
を同時に捉えることができなくなり、作業者の勘によっ
て相対位置決めをしなければならない。このため、マス
ク６１がフラット５３に対して傾いた状態で位置決めさ
れることがあり、このような場合、マスク６１をステッ
パによってステップ状に移動させて露光し、面付け(割
付)を行なったときに、最初の位置決めがずれていたた
めに目標とする面付けがでず、最初からやり直す必要を
生じ、生産性を大きく低下させる。
はチップが大型になり、そのチップ形状は、一辺が長い
長方形、あるいは、各辺が長い矩形又は長方形などのチ
ップが作製されるようになった。従って、半導体ウエハ
５１に対するマスク６１の相対位置を決める場合、半導
体ウエハ５１に形成するチップ５５の数を最大とするマ
スク６１の位置は、チップ５５のフラット５３と平行な
辺５５ａが必ずしもフラット５３と一致したり、フラッ
ト５３の近傍にくるとは限らず、半導体ウエハ５１のフ
ラット５３が長い長方形のチップ５５の長手方向中央付
近にくるときがある。このため、例えば半導体ウエハ５
１にウエルを形成する場合のように、チップを形成する
ためのマスク６１を、何の処理もされていない半導体ウ
エハ５１に対して位置決めをするときに、顕微鏡の視野
にフラット５３とこれと平行なチップ５５の辺５５ａと
を同時に捉えることができなくなり、作業者の勘によっ
て相対位置決めをしなければならない。このため、マス
ク６１がフラット５３に対して傾いた状態で位置決めさ
れることがあり、このような場合、マスク６１をステッ
パによってステップ状に移動させて露光し、面付け(割
付)を行なったときに、最初の位置決めがずれていたた
めに目標とする面付けがでず、最初からやり直す必要を
生じ、生産性を大きく低下させる。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点に着目してな
されたもので、マスクを用いてチップを作製する際に、
半導体ウエハのオリエンテーションフラットと交差する
チップのスクライブラインに所定間隔のマークを形成
し、このマークによる仮想線とオリエンテーションフラ
ットとを平行にすることにより、マスクを半導体ウエハ
に対して容易、正確に位置決めを行なえるようにするこ
とを目的とする。
されたもので、マスクを用いてチップを作製する際に、
半導体ウエハのオリエンテーションフラットと交差する
チップのスクライブラインに所定間隔のマークを形成
し、このマークによる仮想線とオリエンテーションフラ
ットとを平行にすることにより、マスクを半導体ウエハ
に対して容易、正確に位置決めを行なえるようにするこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るマスクの発明は、半導体ウエハにパタ
ーンを転写するマスクであって、前記半導体ウエハに設
けられたオリエンテーションフラットと交差するスクラ
イブラインに、所定間隔離間した位置合せマークを複数
設けた構成としている。
に、本発明に係るマスクの発明は、半導体ウエハにパタ
ーンを転写するマスクであって、前記半導体ウエハに設
けられたオリエンテーションフラットと交差するスクラ
イブラインに、所定間隔離間した位置合せマークを複数
設けた構成としている。
【０００８】上記の構成によれば、マスクにはオリエン
テーションフラットと交差するスクライブラインに所定
間隔離間させて位置合せマークが設けられているため、
サイズの大きなチップを形成するためのマスクの位置と
半導体ウエハのオリエンテーションフラットとを位置合
せするときに、オリエンテーションフラットをマスクの
チップの中央部に位置させなければならない場合であっ
ても、異なるスクライブラインに設けた位置合せマーク
を結ぶ仮想線をオリエンテーションフラットと平行にす
ることにより、半導体ウエハに対するマスクの位置合せ
を目視により容易に精度よく行うことができる。従っ
て、チップの形状に係らずマスクを半導体ウエハに対し
て最適に配置することができ、チップの取り数を多くす
ることができる。
テーションフラットと交差するスクライブラインに所定
間隔離間させて位置合せマークが設けられているため、
サイズの大きなチップを形成するためのマスクの位置と
半導体ウエハのオリエンテーションフラットとを位置合
せするときに、オリエンテーションフラットをマスクの
チップの中央部に位置させなければならない場合であっ
ても、異なるスクライブラインに設けた位置合せマーク
を結ぶ仮想線をオリエンテーションフラットと平行にす
ることにより、半導体ウエハに対するマスクの位置合せ
を目視により容易に精度よく行うことができる。従っ
て、チップの形状に係らずマスクを半導体ウエハに対し
て最適に配置することができ、チップの取り数を多くす
ることができる。
【０００９】また、第２の発明は、前記所定間隔は、顕
微鏡を介して前記オリエンテーションフラットを見たと
きに、同時に２以上を検出可能な距離である構成として
いる。上記構成により、オリエンテーションフラットを
位置合せマーク間に位置させる場合であっても、顕微鏡
を通してマスクと半導体ウエハとの位置合わせを目視に
より容易に位置合わせができる。
微鏡を介して前記オリエンテーションフラットを見たと
きに、同時に２以上を検出可能な距離である構成として
いる。上記構成により、オリエンテーションフラットを
位置合せマーク間に位置させる場合であっても、顕微鏡
を通してマスクと半導体ウエハとの位置合わせを目視に
より容易に位置合わせができる。
【００１０】そして、発明の第３は、前記半導体ウエハ
に形成されるチップ形成領域に対応した前記パターン
は、前記オリエンテーションフラットと直交する方向
が、前記オリエンテーションフラットと平行な方向より
長く形成してある構成となっている。すなわち、縦面付
け用のマスクであっても容易に合わせが可能となる。
に形成されるチップ形成領域に対応した前記パターン
は、前記オリエンテーションフラットと直交する方向
が、前記オリエンテーションフラットと平行な方向より
長く形成してある構成となっている。すなわち、縦面付
け用のマスクであっても容易に合わせが可能となる。
【００１１】本発明に係るマスクを用いた露光方法は、
請求項１ないし３のいずれかに記載のマスクを露光装置
に装着し、前記マスクの異なる前記スクライブラインに
設けた前記位置合わせマークを結ぶ仮想線を、半導体ウ
エハに設けられたオリエンテーションフラットと平行に
したのち、前記マスクを介して前記半導体ウエハを露光
し、マスクに形成したパターンを転写することを特徴と
する。
請求項１ないし３のいずれかに記載のマスクを露光装置
に装着し、前記マスクの異なる前記スクライブラインに
設けた前記位置合わせマークを結ぶ仮想線を、半導体ウ
エハに設けられたオリエンテーションフラットと平行に
したのち、前記マスクを介して前記半導体ウエハを露光
し、マスクに形成したパターンを転写することを特徴と
する。
【００１２】上記方法によれば、マスクの異なるスクラ
イブラインに設けた位置合せマークを結ぶ仮想線を、半
導体ウエハのオリエンテーションフラットと平行とする
ことにより、オリエンテーションフラットをマスクに形
成したチップ領域の中央部に位置させなければならない
場合であっても、マスクがオリエンテーションフラット
に対して傾くのを防止でき、マスクの位置決めを容易
に、精度よく行なうことができる。また、必要に応じて
マスクをオリエンテーションフラットに対して所定の角
度だけ容易に傾けて位置決めすることができる。
イブラインに設けた位置合せマークを結ぶ仮想線を、半
導体ウエハのオリエンテーションフラットと平行とする
ことにより、オリエンテーションフラットをマスクに形
成したチップ領域の中央部に位置させなければならない
場合であっても、マスクがオリエンテーションフラット
に対して傾くのを防止でき、マスクの位置決めを容易
に、精度よく行なうことができる。また、必要に応じて
マスクをオリエンテーションフラットに対して所定の角
度だけ容易に傾けて位置決めすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るマスク及び
それを用いて露光方法の具体的実施形態について図面を
参照して詳細に説明する。なお、従来技術と同一部品に
は同一符号を付して説明は省略する。図１はマスク１１
の平面図、図２はマスク１１の側面図を示す。
それを用いて露光方法の具体的実施形態について図面を
参照して詳細に説明する。なお、従来技術と同一部品に
は同一符号を付して説明は省略する。図１はマスク１１
の平面図、図２はマスク１１の側面図を示す。
【００１４】図１および図２において、マスク１１は、
透明な石英ガラス１３の上のチップ５５を構成するチッ
プ膜１５が形成されている。また、チップ膜１５の間に
は、半導体ウエハに幅Ｂａのスクライブライン５７が形
成される、幅Ｂｍのマスク内スクライブライン１９が設
けられている。各マスク内スクライブライン１９には、
図示の上下方向でチップ膜１５、即ち、チップ５５の長
辺Ｌｈに沿って一定のピッチ間隔Ｐｉで離間され、チッ
プ５５の長辺Ｌｈに接触しない位置に直径ｄ（ｄ＜Ｂ
ｍ）のマーク(位置合せマーク)１７が形成されている。
このマーク１７は、中心線１９ａ上に設けると良い。ピ
ッチ間隔Ｐｉは、後述するように、マスク１１を半導体
ウエハに対して位置決めする際に、顕微鏡の視野に２つ
以上のマーク１７が検出できる距離にしてある。
透明な石英ガラス１３の上のチップ５５を構成するチッ
プ膜１５が形成されている。また、チップ膜１５の間に
は、半導体ウエハに幅Ｂａのスクライブライン５７が形
成される、幅Ｂｍのマスク内スクライブライン１９が設
けられている。各マスク内スクライブライン１９には、
図示の上下方向でチップ膜１５、即ち、チップ５５の長
辺Ｌｈに沿って一定のピッチ間隔Ｐｉで離間され、チッ
プ５５の長辺Ｌｈに接触しない位置に直径ｄ（ｄ＜Ｂ
ｍ）のマーク(位置合せマーク)１７が形成されている。
このマーク１７は、中心線１９ａ上に設けると良い。ピ
ッチ間隔Ｐｉは、後述するように、マスク１１を半導体
ウエハに対して位置決めする際に、顕微鏡の視野に２つ
以上のマーク１７が検出できる距離にしてある。
【００１５】また、マーク１７の形状は、実施形態の場
合、丸で示しているが、三角形、四角形、あるいは、多
角形などいずれの形状でも良い。このマーク１７の位置
は、図３に示すように、マスク１１が露光装置(ステッ
パ)に装着されて半導体ウエハ５１に重ねられ、半導体
ウエハ５１のフラット５３と位置決めされるとき、図示
しない顕微鏡の一点鎖線で示す視野内Ｍｓに同時に２つ
以上が入るような位置にマーキングされている。
合、丸で示しているが、三角形、四角形、あるいは、多
角形などいずれの形状でも良い。このマーク１７の位置
は、図３に示すように、マスク１１が露光装置(ステッ
パ)に装着されて半導体ウエハ５１に重ねられ、半導体
ウエハ５１のフラット５３と位置決めされるとき、図示
しない顕微鏡の一点鎖線で示す視野内Ｍｓに同時に２つ
以上が入るような位置にマーキングされている。
【００１６】このマーク１７は、例えば、次のように作
製される。透明な石英ガラス１３の上には、先ず、クロ
ム膜をスパッタリングあるいは真空蒸着法で形成する。
次に、フォトレジストをスプレイ法などによってクロム
膜の上に被覆する。その後、フォトレジストにＥＢ装置
から電子線(ＥＢ)を照射し、電子線によって所定のパタ
ーンを描画して露光する。このとき、チップ膜１５の描
画と同時にマーク１７がマーキングされる。この後に、
フォトレジスト膜を現像し、フォトレジスト膜をマスク
として無ロム膜をエッチングし、さらに、フォトレジス
トの剥離を行なうことにより、クロム膜で形成されたチ
ップ膜１５とマーク１７とを有するマスク１１が作製さ
れる。
製される。透明な石英ガラス１３の上には、先ず、クロ
ム膜をスパッタリングあるいは真空蒸着法で形成する。
次に、フォトレジストをスプレイ法などによってクロム
膜の上に被覆する。その後、フォトレジストにＥＢ装置
から電子線(ＥＢ)を照射し、電子線によって所定のパタ
ーンを描画して露光する。このとき、チップ膜１５の描
画と同時にマーク１７がマーキングされる。この後に、
フォトレジスト膜を現像し、フォトレジスト膜をマスク
として無ロム膜をエッチングし、さらに、フォトレジス
トの剥離を行なうことにより、クロム膜で形成されたチ
ップ膜１５とマーク１７とを有するマスク１１が作製さ
れる。
【００１７】上記により作製されたマスク１１は、先
ず、露光装置に装着されてフォトレジストが塗布された
半導体ウエハ５１の上方に配設される。作業者は、顕微
鏡を覗いて視野Ｍｓ内に存在するマスク１１のマーク１
７のうち、フラット５３に近いマーク１７(例えば、マ
ーク１７ａ)と、このマーク１７ａに対応した他のマス
ク内スクライブライン１９に設けられたマーク１７とを
結ぶ仮想直線Ｓｎを設定し、仮想直線Ｓｎがフラット５
３と平行になるように顕微鏡を覗きながらマスク１１の
傾き、あるいは／および位置を目視によって調整する。
これにより、マスク１１をフラット５３に対して傾くこ
となく容易に位置決めすることができる。この位置決め
がなされたマスク１１は、ステップ・アンド・リピート
露光により半導体ウエハ５１の上を順次移動して全面を
露光している。
ず、露光装置に装着されてフォトレジストが塗布された
半導体ウエハ５１の上方に配設される。作業者は、顕微
鏡を覗いて視野Ｍｓ内に存在するマスク１１のマーク１
７のうち、フラット５３に近いマーク１７(例えば、マ
ーク１７ａ)と、このマーク１７ａに対応した他のマス
ク内スクライブライン１９に設けられたマーク１７とを
結ぶ仮想直線Ｓｎを設定し、仮想直線Ｓｎがフラット５
３と平行になるように顕微鏡を覗きながらマスク１１の
傾き、あるいは／および位置を目視によって調整する。
これにより、マスク１１をフラット５３に対して傾くこ
となく容易に位置決めすることができる。この位置決め
がなされたマスク１１は、ステップ・アンド・リピート
露光により半導体ウエハ５１の上を順次移動して全面を
露光している。
【００１８】上記のごとく、顕微鏡を用いて目視によ
り、マスク１１に設けられたマーク１７を用いて半導体
ウエハ５１のフラット５２に対してマスク１１の位置合
せを行なうため、容易で、かつ、精度良く位置合せがで
きる。この位置合せは、上記では、縦面付けに対してチ
ップ膜１５の間に設けた異なるマスク内スクライブライ
ン１９のマーク１７を結ぶ仮想直線Ｓｎを設定したが、
横面付けの場合、同一のマスク内スクライブライン幅１
９に設けたマーク１７による仮想直線を設定して位置合
せをしても良い。したがって、マーク１７が設けられた
ことにより、一辺が長い長方形、あるいは、各辺が長い
矩形又は長方形などのチップ５５が作製される場合に、
チップ５５は縦面付けおよび横面付けのいずれを用いて
も良くなるため、マスク１１の位置合せを容易、精度よ
く行なうことができ、生産性を向上することが可能で、
チップの取り数をより多いできるマスク１１の配置を選
択できる。マーク１７の間隔は、顕微鏡の視野Ｍｓに２
以上のマーク１７が入る距離となっているため、容易に
仮想線Ｓｎを設定でき、位置合わせをすることができ
る。
り、マスク１１に設けられたマーク１７を用いて半導体
ウエハ５１のフラット５２に対してマスク１１の位置合
せを行なうため、容易で、かつ、精度良く位置合せがで
きる。この位置合せは、上記では、縦面付けに対してチ
ップ膜１５の間に設けた異なるマスク内スクライブライ
ン１９のマーク１７を結ぶ仮想直線Ｓｎを設定したが、
横面付けの場合、同一のマスク内スクライブライン幅１
９に設けたマーク１７による仮想直線を設定して位置合
せをしても良い。したがって、マーク１７が設けられた
ことにより、一辺が長い長方形、あるいは、各辺が長い
矩形又は長方形などのチップ５５が作製される場合に、
チップ５５は縦面付けおよび横面付けのいずれを用いて
も良くなるため、マスク１１の位置合せを容易、精度よ
く行なうことができ、生産性を向上することが可能で、
チップの取り数をより多いできるマスク１１の配置を選
択できる。マーク１７の間隔は、顕微鏡の視野Ｍｓに２
以上のマーク１７が入る距離となっているため、容易に
仮想線Ｓｎを設定でき、位置合わせをすることができ
る。
【００１９】なお、上記実施形態では、マスク１１のチ
ップ膜１５、すなわちチップの長手方向が半導体ウエハ
５１のフラット５２に直交する場合について説明した
が、図４に示したように、異なるマスク内スクライブラ
イン１９の対応していないマーク１７を結ぶ仮想線Ｓｎ
‘を、フラット５３と一致または平行とすることによ
り、必要に応じてマスク１１をフラット５３に対して任
意の角度に傾斜させることができる。
ップ膜１５、すなわちチップの長手方向が半導体ウエハ
５１のフラット５２に直交する場合について説明した
が、図４に示したように、異なるマスク内スクライブラ
イン１９の対応していないマーク１７を結ぶ仮想線Ｓｎ
‘を、フラット５３と一致または平行とすることによ
り、必要に応じてマスク１１をフラット５３に対して任
意の角度に傾斜させることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マスクの、半導体ウエハのオリエンテーションフラット
と交差するスクライブラインに、所定間隔離間させて位
置合せマークを設けたことにより、マスクと半導体ウエ
ハのオリエンテーションフラットとを位置合せするとき
に、オリエンテーションフラットをチップの中央部に位
置させなければならない場合であっても、異なるスクラ
イブラインに設けた位置合せマークを結ぶ仮想線をオリ
エンテーションフラットと平行にすることによって、半
導体ウエハに対するマスクの位置合せを目視により容易
に精度よく行うことができる。
マスクの、半導体ウエハのオリエンテーションフラット
と交差するスクライブラインに、所定間隔離間させて位
置合せマークを設けたことにより、マスクと半導体ウエ
ハのオリエンテーションフラットとを位置合せするとき
に、オリエンテーションフラットをチップの中央部に位
置させなければならない場合であっても、異なるスクラ
イブラインに設けた位置合せマークを結ぶ仮想線をオリ
エンテーションフラットと平行にすることによって、半
導体ウエハに対するマスクの位置合せを目視により容易
に精度よく行うことができる。
【図１】本発明に係るマスクの平面図である。
【図２】本発明に係るマスクの側面図である。
【図３】本発明に係るマスクと半導体ウエハのオリエン
テーションフラットとの位置合わせを説明する図であ
る。
テーションフラットとの位置合わせを説明する図であ
る。
【図４】本発明に係るマスクを半導体ウエハのオリエン
テーションフラットに対して傾斜させて位置合せする方
法の説明図である。
テーションフラットに対して傾斜させて位置合せする方
法の説明図である。
【図５】半導体ウエハに対してチップを配列するための
説明図であり、横面付けを示す図である。
説明図であり、横面付けを示す図である。
【図６】半導体ウエハに対してチップを配列するための
説明図であり、縦面付けを示す図である。
説明図であり、縦面付けを示す図である。
【図７】従来のマスクと半導体ウエハとの関係を説明す
る図である。
る図である。
１１……マスク １３……石英ガラス １５……チップ膜 １７……マーク １９……マスク内スクライブライン ５１……半導体ウエハ ５３……オリエンテーションフラット ５５……チップ ５７……スクライブライン Ｂａ……スクライブライン幅 Ｂｍ……マスク用スクライブライン幅 Ｌｈ……長辺 Ｐｉ……ピッチ間隔 Ｍｓ……顕微鏡の視野内 Ｓｎ、Ｓｎ’……仮想線
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウエハにパターンを転写するマス
クであって、前記半導体ウエハに設けられたオリエンテ
ーションフラットと交差するスクライブラインに、所定
間隔離間した位置合せマークを複数設けたことを特徴と
するマスク。 - 【請求項２】 前記所定間隔は、顕微鏡を介して前記オ
リエンテーションフラットを見たときに、同時に２以上
を検出可能な距離であることを特徴とする請求項１に記
載のマスク。 - 【請求項３】 前記半導体ウエハに形成されるチップ形
成領域に対応した前記パターンは、前記オリエンテーシ
ョンフラットと直交する方向が、前記オリエンテーショ
ンフラットと平行な方向より長く形成してあることを特
徴とする請求項１または２に記載のマスク。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載のマ
スクを露光装置に装着し、前記マスクの異なる前記スク
ライブラインに設けた前記位置合わせマークを結ぶ仮想
線を、半導体ウエハに設けられたオリエンテーションフ
ラットと平行にしたのち、前記マスクを介して前記半導
体ウエハを露光し、前記マスクに形成したパターンを転
写することを特徴とするマスクを用いた露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001135365A JP2002328461A (ja) | 2001-05-02 | 2001-05-02 | マスク及びそれを用いた露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001135365A JP2002328461A (ja) | 2001-05-02 | 2001-05-02 | マスク及びそれを用いた露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002328461A true JP2002328461A (ja) | 2002-11-15 |
Family
ID=18982842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001135365A Withdrawn JP2002328461A (ja) | 2001-05-02 | 2001-05-02 | マスク及びそれを用いた露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002328461A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1333437C (zh) * | 2004-04-01 | 2007-08-22 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 具有双向对准图案的掩膜 |
-
2001
- 2001-05-02 JP JP2001135365A patent/JP2002328461A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1333437C (zh) * | 2004-04-01 | 2007-08-22 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 具有双向对准图案的掩膜 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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