JP2002324683A - 有機ｅｌ素子およびこれを用いた有機ｅｌディスプレイ - Google Patents
有機ｅｌ素子およびこれを用いた有機ｅｌディスプレイInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子自体がメモリ性を有するように制御可能
な有機ＥＬ素子、およびこれを用いた有機ＥＬディスプ
レイを提供すること。 【解決手段】 陽極層および陰極層と、これら陽極層と
陰極層の間に設けられた少なくとも１つの有機ＥＬ層と
を備える有機ＥＬ素子において、閾値以上の電圧の印加
により高抵抗状態から低抵抗状態へと変化し、且つ、当
該変化の後に印加電圧が前記閾値未満に低下する場合に
低抵抗状態を維持可能であって、有機ＥＬ層と直列に接
続されているスイッチング要素を設けた。
な有機ＥＬ素子、およびこれを用いた有機ＥＬディスプ
レイを提供すること。 【解決手段】 陽極層および陰極層と、これら陽極層と
陰極層の間に設けられた少なくとも１つの有機ＥＬ層と
を備える有機ＥＬ素子において、閾値以上の電圧の印加
により高抵抗状態から低抵抗状態へと変化し、且つ、当
該変化の後に印加電圧が前記閾値未満に低下する場合に
低抵抗状態を維持可能であって、有機ＥＬ層と直列に接
続されているスイッチング要素を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
セント（以下、「ＥＬ」と略記する）素子に関する。よ
り詳細には、有機ＥＬ素子、及び、表示素子として有機
ＥＬ素子を用いた有機ＥＬディスプレイに関する。
セント（以下、「ＥＬ」と略記する）素子に関する。よ
り詳細には、有機ＥＬ素子、及び、表示素子として有機
ＥＬ素子を用いた有機ＥＬディスプレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、表示素子として、有機ＥＬ素子が
注目を集めている。有機ＥＬ素子は、自己発光型の表示
素子として知られているＥＬ素子の一種である。ＥＬ素
子は、蛍光性化合物からなる層を備え、この層に電場が
加えられることにより、当該蛍光性化合物の発光中心が
励起されて発光する素子であり、発光層に使用される蛍
光性化合物が有機物か無機物かによって、有機ＥＬ素子
と無機ＥＬ素子とに分けられる。
注目を集めている。有機ＥＬ素子は、自己発光型の表示
素子として知られているＥＬ素子の一種である。ＥＬ素
子は、蛍光性化合物からなる層を備え、この層に電場が
加えられることにより、当該蛍光性化合物の発光中心が
励起されて発光する素子であり、発光層に使用される蛍
光性化合物が有機物か無機物かによって、有機ＥＬ素子
と無機ＥＬ素子とに分けられる。
【０００３】有機ＥＬ素子と無機ＥＬ素子とでは、発光
中心の励起状態、すなわち発光プロセスが異なるとこ
ろ、この相違に起因して、有機ＥＬ素子は、一般に、直
流で動作することが知られており、無機ＥＬと比較して
遥かに低電圧で駆動可能であることも知られている。加
えて、有機ＥＬ素子は、多色化の自由度が高いため、フ
ルカラーディスプレイの表示素子として実用的である。
中心の励起状態、すなわち発光プロセスが異なるとこ
ろ、この相違に起因して、有機ＥＬ素子は、一般に、直
流で動作することが知られており、無機ＥＬと比較して
遥かに低電圧で駆動可能であることも知られている。加
えて、有機ＥＬ素子は、多色化の自由度が高いため、フ
ルカラーディスプレイの表示素子として実用的である。
【０００４】ディスプレイの表示素子に用いられる場
合、有機ＥＬ素子は、自己発光型であるため、非自己発
光型の液晶素子などと比較して、広視野角および高コン
トラストを達成することができ、視認性に優れている。
そして、バックライトが不要なため、ディスプレイの薄
型化や軽量化が可能となり、ひいては消費電力の面でも
有利である。また、有機ＥＬ素子は、応答時間が短いの
で、動画を表示した場合の画質も優れている。更に、素
子全体が固体によって構成されているので、振動に強
く、動作可能温度範囲も広いといった特徴も有する。以
上のような有利な特徴を有する有機ＥＬ素子は、テレビ
や計帯電話などの各種のフルカラー表示装置の表示素子
として極めて好適である。
合、有機ＥＬ素子は、自己発光型であるため、非自己発
光型の液晶素子などと比較して、広視野角および高コン
トラストを達成することができ、視認性に優れている。
そして、バックライトが不要なため、ディスプレイの薄
型化や軽量化が可能となり、ひいては消費電力の面でも
有利である。また、有機ＥＬ素子は、応答時間が短いの
で、動画を表示した場合の画質も優れている。更に、素
子全体が固体によって構成されているので、振動に強
く、動作可能温度範囲も広いといった特徴も有する。以
上のような有利な特徴を有する有機ＥＬ素子は、テレビ
や計帯電話などの各種のフルカラー表示装置の表示素子
として極めて好適である。
【０００５】従来の有機ＥＬ素子は、電極間に挟まれた
有機ＥＬ層の積層構造に基づいて、一般に、単層型、２
層型、および３層型に類別されている。図６は、そのう
ちの２層型の有機ＥＬ素子について、基板上に積層形成
された場合の断面構成図を表す。
有機ＥＬ層の積層構造に基づいて、一般に、単層型、２
層型、および３層型に類別されている。図６は、そのう
ちの２層型の有機ＥＬ素子について、基板上に積層形成
された場合の断面構成図を表す。
【０００６】図６に示すように、２層型の有機ＥＬ素子
１００は、基板Ｓ上に形成された陽極１０１と、この陽
極１０１上に順次積層された、ホール輸送層１０２と、
発光層１０３と、陰極１０４とからなる。２層型の有機
ＥＬ素子では、独立した電子輸送層が設けられず、発光
層１０３としては、ある程度の電子輸送性を示すものが
用いられる。陽極１０１から陰極１０４への方向、即ち
順方向に電圧が印加されると、陽極１０１からホール輸
送層１０２へホール１０５が注入され、注入されたホー
ル１０５は発光層１０３に向かってホール輸送層１０２
内を移動する。これと同時に、陰極１０４から発光層１
０３へ電子１０６が注入され、注入された電子１０６は
ホール輸送層１０２に向かって発光層１０３内を移動す
る。そして、ホール１０５と電子１０６が発光層１０３
内で再結合することによって、発光層１０３から光Ｌが
放射される。基板Ｓおよび陽極１０１が、可視領域にお
ける光透過率の高い材料により構成されている場合、発
光層１０３から放射された光Ｌは、陽極１０１および基
板Ｓを介して、有機ＥＬ素子１００の外部に取り出され
る。
１００は、基板Ｓ上に形成された陽極１０１と、この陽
極１０１上に順次積層された、ホール輸送層１０２と、
発光層１０３と、陰極１０４とからなる。２層型の有機
ＥＬ素子では、独立した電子輸送層が設けられず、発光
層１０３としては、ある程度の電子輸送性を示すものが
用いられる。陽極１０１から陰極１０４への方向、即ち
順方向に電圧が印加されると、陽極１０１からホール輸
送層１０２へホール１０５が注入され、注入されたホー
ル１０５は発光層１０３に向かってホール輸送層１０２
内を移動する。これと同時に、陰極１０４から発光層１
０３へ電子１０６が注入され、注入された電子１０６は
ホール輸送層１０２に向かって発光層１０３内を移動す
る。そして、ホール１０５と電子１０６が発光層１０３
内で再結合することによって、発光層１０３から光Ｌが
放射される。基板Ｓおよび陽極１０１が、可視領域にお
ける光透過率の高い材料により構成されている場合、発
光層１０３から放射された光Ｌは、陽極１０１および基
板Ｓを介して、有機ＥＬ素子１００の外部に取り出され
る。
【０００７】このように、有機ＥＬ素子１００は、順方
向に電圧が印加されて直流電流が流れた場合に駆動され
る電流制御型発光素子である。且つ、従来の有機ＥＬ素
子１００は、電圧が印加されないときには発光しない。
すなわち、従来の有機ＥＬ素子１００自身は、発光現象
においてメモリ性を有さない。他の積層構造を有する従
来の有機ＥＬ素子も同様である。そのため、従来の有機
ＥＬ素子をマトリックス状に配列することによって画素
アレイが構成されている有機ＥＬディスプレイにおい
て、画素アレイをアクティブ・マトリックス駆動するた
めには、各画素に対してメモリ効果を付与すべく、各画
素ごとに、ＴＦＴ（thin film transistor）などの、比
較的複雑な構造を有するスイッチング素子およびキャパ
シタ素子を設けなければならなかった。
向に電圧が印加されて直流電流が流れた場合に駆動され
る電流制御型発光素子である。且つ、従来の有機ＥＬ素
子１００は、電圧が印加されないときには発光しない。
すなわち、従来の有機ＥＬ素子１００自身は、発光現象
においてメモリ性を有さない。他の積層構造を有する従
来の有機ＥＬ素子も同様である。そのため、従来の有機
ＥＬ素子をマトリックス状に配列することによって画素
アレイが構成されている有機ＥＬディスプレイにおい
て、画素アレイをアクティブ・マトリックス駆動するた
めには、各画素に対してメモリ効果を付与すべく、各画
素ごとに、ＴＦＴ（thin film transistor）などの、比
較的複雑な構造を有するスイッチング素子およびキャパ
シタ素子を設けなければならなかった。
【０００８】図７は、図６に示した有機ＥＬ素子１００
を用いて構成された従来の有機ＥＬディスプレイ用画素
アレイ２００の一部の回路図である。各単位画素は、有
機ＥＬ素子１００と、これに流れる電流を制御するため
の電流制御用ＴＦＴ２０１と、電荷保持用のキャパシタ
２０２と、スイッチングＴＦＴ２０３とからなる。各単
位画素は、画素アレイの各行ごとに設けられた走査線２
０４と、各列ごとに設けられた信号線２０５とに接続さ
れている。また、有機ＥＬ素子を駆動するための電源に
接続された電源供給線２０６と、共通陰極２０７とが、
各画素に接続されている。
を用いて構成された従来の有機ＥＬディスプレイ用画素
アレイ２００の一部の回路図である。各単位画素は、有
機ＥＬ素子１００と、これに流れる電流を制御するため
の電流制御用ＴＦＴ２０１と、電荷保持用のキャパシタ
２０２と、スイッチングＴＦＴ２０３とからなる。各単
位画素は、画素アレイの各行ごとに設けられた走査線２
０４と、各列ごとに設けられた信号線２０５とに接続さ
れている。また、有機ＥＬ素子を駆動するための電源に
接続された電源供給線２０６と、共通陰極２０７とが、
各画素に接続されている。
【０００９】点線枠内に示した単位画素Ｐに着目し、ア
クティブ・マトリクス駆動方式により、有機ＥＬ素子１
００を用いた画素アレイ２００を駆動する方法を説明す
る。
クティブ・マトリクス駆動方式により、有機ＥＬ素子１
００を用いた画素アレイ２００を駆動する方法を説明す
る。
【００１０】まず、走査線２０４ａが図外の走査線ドラ
イバにより選択され、所定の期間、走査線２０４ａに接
続する全てのスイッチングＴＦＴ２０３がオン状態とさ
れる。そして、信号線２０５ｂが図外の信号線ドライバ
により選択され、走査線２０４ａおよび信号線２０５ｂ
に接続する単位画素Ｐのキャパシタ２０２には、信号線
２０５ｂおよびスイッチングＴＦＴ２０３を介して単位
画素Ｐに応じた所定量の電荷が供給される。その結果、
キャパシタ２０２の電極間には、供給電荷に応じた所定
の電位差が生じる。キャパシタ２０２の電極間電圧は、
電流制御用ＴＦＴ２０１のゲート−ソース間に印加され
るので、ＴＦＴ２０１のゲート電圧−ドレイン電流特性
に応じた電流が、電源供給線２０６から供給される。こ
の電流は、有機ＥＬ素子１００およびＴＦＴ２０１を通
過して共通陰極２０７へ流れる。その結果、有機ＥＬ素
子１００が、通過電流の大きさに応じて発光する。
イバにより選択され、所定の期間、走査線２０４ａに接
続する全てのスイッチングＴＦＴ２０３がオン状態とさ
れる。そして、信号線２０５ｂが図外の信号線ドライバ
により選択され、走査線２０４ａおよび信号線２０５ｂ
に接続する単位画素Ｐのキャパシタ２０２には、信号線
２０５ｂおよびスイッチングＴＦＴ２０３を介して単位
画素Ｐに応じた所定量の電荷が供給される。その結果、
キャパシタ２０２の電極間には、供給電荷に応じた所定
の電位差が生じる。キャパシタ２０２の電極間電圧は、
電流制御用ＴＦＴ２０１のゲート−ソース間に印加され
るので、ＴＦＴ２０１のゲート電圧−ドレイン電流特性
に応じた電流が、電源供給線２０６から供給される。こ
の電流は、有機ＥＬ素子１００およびＴＦＴ２０１を通
過して共通陰極２０７へ流れる。その結果、有機ＥＬ素
子１００が、通過電流の大きさに応じて発光する。
【００１１】走査線２０４ａが選択されてから所定期間
経過後、図外の走査線ドライバにより走査線２０４ａの
選択状態が解除される。走査線２０４ａの選択状態が解
除されると、スイッチングＴＦＴ２０３がオフ状態とな
るが、キャパシタ２０２の電極間の電位差は維持され
る。したがって、この電極間電位差がリセットされるま
では、単位画素Ｐの有機ＥＬ素子１００には電流が供給
され、素子１００の発光が維持される。
経過後、図外の走査線ドライバにより走査線２０４ａの
選択状態が解除される。走査線２０４ａの選択状態が解
除されると、スイッチングＴＦＴ２０３がオフ状態とな
るが、キャパシタ２０２の電極間の電位差は維持され
る。したがって、この電極間電位差がリセットされるま
では、単位画素Ｐの有機ＥＬ素子１００には電流が供給
され、素子１００の発光が維持される。
【００１２】走査線ドライバは、走査線２０４ａの選択
状態を解除した後、次の走査線２０４ｂを選択し、走査
線２０４ｂに接続される画素行において、上述と同様の
過程が繰り返される。画素アレイを構成する全ての画素
行にわたって、このような線順次走査を行うことによっ
て一つの画像を形成し、このような線順次走査を繰り返
すことによって順次画像が更新されていく。
状態を解除した後、次の走査線２０４ｂを選択し、走査
線２０４ｂに接続される画素行において、上述と同様の
過程が繰り返される。画素アレイを構成する全ての画素
行にわたって、このような線順次走査を行うことによっ
て一つの画像を形成し、このような線順次走査を繰り返
すことによって順次画像が更新されていく。
【００１３】例えば、特開平４−７０６９４号公報、特
開平７−１１１３４１号公報、および特開平８−２４１
０４８号公報には、図７に示すような、従来の有機ＥＬ
素子を用いた画素アレイをアクティブマトリックス駆動
するための回路構成が開示されている。いずれにおいて
も、有機ＥＬ素子の発光状態にメモリ性を付与するため
に、各画素ごとにスイッチングＴＦＴおよびキャパシタ
が設けられている。
開平７−１１１３４１号公報、および特開平８−２４１
０４８号公報には、図７に示すような、従来の有機ＥＬ
素子を用いた画素アレイをアクティブマトリックス駆動
するための回路構成が開示されている。いずれにおいて
も、有機ＥＬ素子の発光状態にメモリ性を付与するため
に、各画素ごとにスイッチングＴＦＴおよびキャパシタ
が設けられている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
有機ＥＬ素子は、素子自体にメモリ性がない。そのた
め、従来の有機ＥＬ素子の発光現象にメモリ性を付与す
るには、１つの有機ＥＬ素子に対して、ＴＦＴなどの、
比較的複雑な構造を有するスイッチング素子およびキャ
パシタ素子が必須でる。従って、アクティブ・マトリク
ス駆動方式の有機ＥＬディスプレイの製造においては、
各有機ＥＬ素子ごとに、極微なスイッチング素子および
キャパシタ素子を、有機ＥＬ素子とは別に基板上に形成
しなければならず、製造工程の煩雑化および長時間化な
らびに製造コストの上昇の原因となっている。特に、大
画面ディスプレイの製造においては、画素数が極端に増
大するため、この傾向が顕著である。
有機ＥＬ素子は、素子自体にメモリ性がない。そのた
め、従来の有機ＥＬ素子の発光現象にメモリ性を付与す
るには、１つの有機ＥＬ素子に対して、ＴＦＴなどの、
比較的複雑な構造を有するスイッチング素子およびキャ
パシタ素子が必須でる。従って、アクティブ・マトリク
ス駆動方式の有機ＥＬディスプレイの製造においては、
各有機ＥＬ素子ごとに、極微なスイッチング素子および
キャパシタ素子を、有機ＥＬ素子とは別に基板上に形成
しなければならず、製造工程の煩雑化および長時間化な
らびに製造コストの上昇の原因となっている。特に、大
画面ディスプレイの製造においては、画素数が極端に増
大するため、この傾向が顕著である。
【００１５】また、従来の有機ＥＬディスプレイにおい
ては、上述のとおり、単位画素あたり、有機ＥＬ素子以
外に多数の素子が存在する。そのため、スイッチ素子の
オン／オフ制御やキャパシタへの電荷供給時間など、各
素子間の適切なタイミング制御が複雑である。このよう
な制御系の複雑化も、製造工程の煩雑化および製造コス
トの上昇の原因となっている。
ては、上述のとおり、単位画素あたり、有機ＥＬ素子以
外に多数の素子が存在する。そのため、スイッチ素子の
オン／オフ制御やキャパシタへの電荷供給時間など、各
素子間の適切なタイミング制御が複雑である。このよう
な制御系の複雑化も、製造工程の煩雑化および製造コス
トの上昇の原因となっている。
【００１６】そこで本発明は、このような従来の問題点
を解決または軽減することを課題とし、素子自体がメモ
リ性を有するように制御可能な有機ＥＬ素子、およびこ
れを用いた有機ＥＬディスプレイを提供することを目的
とする。
を解決または軽減することを課題とし、素子自体がメモ
リ性を有するように制御可能な有機ＥＬ素子、およびこ
れを用いた有機ＥＬディスプレイを提供することを目的
とする。
【００１７】
【発明の開示】本発明の第１の側面よると、有機ＥＬ素
子が提供される。この有機ＥＬ素子は、陽極層および陰
極層と、これら陽極層と陰極層の間に設けられた少なく
とも１つの有機ＥＬ層と、閾値以上の電圧の印加により
高抵抗状態から低抵抗状態へと変化し、且つ、当該変化
の後に印加電圧が前記閾値未満に低下する場合に低抵抗
状態を維持可能であって、有機ＥＬ層と直列に接続され
ているスイッチング要素とを備えることを特徴とする。
子が提供される。この有機ＥＬ素子は、陽極層および陰
極層と、これら陽極層と陰極層の間に設けられた少なく
とも１つの有機ＥＬ層と、閾値以上の電圧の印加により
高抵抗状態から低抵抗状態へと変化し、且つ、当該変化
の後に印加電圧が前記閾値未満に低下する場合に低抵抗
状態を維持可能であって、有機ＥＬ層と直列に接続され
ているスイッチング要素とを備えることを特徴とする。
【００１８】好ましい実施の形態においては、スイッチ
ング要素は、スイッチング層として、有機ＥＬ素子と陽
極または陰極との間に設けられている。他の好ましい実
施の形態においては、スイッチング要素は、スイッチン
グ層として、有機ＥＬ層の内部に設けられている。ただ
し、スイッチング要素が有機ＥＬ層に対して直列に接続
されていれば、スイッチング要素が電極間に挿設されて
いない場合においても、本発明に係る有機ＥＬ素子を構
成することができる。
ング要素は、スイッチング層として、有機ＥＬ素子と陽
極または陰極との間に設けられている。他の好ましい実
施の形態においては、スイッチング要素は、スイッチン
グ層として、有機ＥＬ層の内部に設けられている。ただ
し、スイッチング要素が有機ＥＬ層に対して直列に接続
されていれば、スイッチング要素が電極間に挿設されて
いない場合においても、本発明に係る有機ＥＬ素子を構
成することができる。
【００１９】このような構成の有機ＥＬ素子は、以下に
説明するように、実質的にメモリ性を有するように制御
することが可能である。まず、スイッチング要素ないし
スイッチング層が高抵抗状態をとる有機ＥＬ素子の電極
間に、所定の閾値より小さな第１の電圧を印加すると、
有機ＥＬ素子には、素子全体の高抵抗状態および第１の
電圧に応じた第１の電流が流れる。所定の閾値電圧と
は、スイッチング要素自体の閾値電圧に、素子内の有機
ＥＬ素子などに印加される電圧を加えたものに相当す
る。ここで有機ＥＬ層とは、発光層、キャリア輸送層、
キャリア注入層などによって様々な態様で構成すること
ができるが、本発明に係る有機ＥＬ素子が備える有機Ｅ
Ｌ層は、有機ＥＬの機能を呈する構造であれば、いずれ
の積層構造をも採用することができる。
説明するように、実質的にメモリ性を有するように制御
することが可能である。まず、スイッチング要素ないし
スイッチング層が高抵抗状態をとる有機ＥＬ素子の電極
間に、所定の閾値より小さな第１の電圧を印加すると、
有機ＥＬ素子には、素子全体の高抵抗状態および第１の
電圧に応じた第１の電流が流れる。所定の閾値電圧と
は、スイッチング要素自体の閾値電圧に、素子内の有機
ＥＬ素子などに印加される電圧を加えたものに相当す
る。ここで有機ＥＬ層とは、発光層、キャリア輸送層、
キャリア注入層などによって様々な態様で構成すること
ができるが、本発明に係る有機ＥＬ素子が備える有機Ｅ
Ｌ層は、有機ＥＬの機能を呈する構造であれば、いずれ
の積層構造をも採用することができる。
【００２０】次に、有機ＥＬ素子全体に対する印加電圧
を、所定の閾値よりも大きな所定の値まで上昇させる
と、スイッチング要素は高抵抗状態から低抵抗状態へと
変化し、有機ＥＬ素子には、素子全体の低抵抗状態およ
び閾値以上の所定電圧に応じた電流が流れる。その後、
印加電圧を再び閾値未満の第１の電圧に降下させても、
スイッチング要素は低抵抗状態を維持しているので、有
機ＥＬ素子には、素子全体の低抵抗状態および第１の電
圧に応じた第２の電流が流れる。第１の電流に応じて有
機ＥＬ素子が第１の輝度で発光し、第２の電流に応じて
有機ＥＬ素子が第２の輝度で発光した場合、第２の輝度
は第１の輝度よりも高い。第２の輝度で発光していると
きの方が、同じ電圧の値に対して、スイッチング要素、
ひいては素子全体の抵抗値が小さいため、発光層には、
より大きな電流が流れるからである。
を、所定の閾値よりも大きな所定の値まで上昇させる
と、スイッチング要素は高抵抗状態から低抵抗状態へと
変化し、有機ＥＬ素子には、素子全体の低抵抗状態およ
び閾値以上の所定電圧に応じた電流が流れる。その後、
印加電圧を再び閾値未満の第１の電圧に降下させても、
スイッチング要素は低抵抗状態を維持しているので、有
機ＥＬ素子には、素子全体の低抵抗状態および第１の電
圧に応じた第２の電流が流れる。第１の電流に応じて有
機ＥＬ素子が第１の輝度で発光し、第２の電流に応じて
有機ＥＬ素子が第２の輝度で発光した場合、第２の輝度
は第１の輝度よりも高い。第２の輝度で発光していると
きの方が、同じ電圧の値に対して、スイッチング要素、
ひいては素子全体の抵抗値が小さいため、発光層には、
より大きな電流が流れるからである。
【００２１】このような現象は、電極層間の電位差が初
期状態から第２の状態を経て再び初期状態に復帰して
も、発光の輝度は初期状態から再び初期状態へと電位差
変化に平行的には復帰せず、電極間電位差が初期状態に
復帰しても、発光の輝度は、ある程度の高輝度を維持す
ることを意味する。すなわち、このうな制御により、有
機ＥＬ素子に実質的なメモリ性を付与することができる
ことを意味する。
期状態から第２の状態を経て再び初期状態に復帰して
も、発光の輝度は初期状態から再び初期状態へと電位差
変化に平行的には復帰せず、電極間電位差が初期状態に
復帰しても、発光の輝度は、ある程度の高輝度を維持す
ることを意味する。すなわち、このうな制御により、有
機ＥＬ素子に実質的なメモリ性を付与することができる
ことを意味する。
【００２２】スイッチング要素を構成するための導電性
材料として、高抵抗状態と低抵抗状態における抵抗値の
差が相当な程度に大きなものを採用すると、それに応じ
て第２の輝度が第１の輝度に比較して相当な程度に高く
なるので、第２の輝度で発光するときを発光状態とし、
第１の輝度で発光するときを実質的に非発光状態とする
ことができる。また、スイッチング要素が高抵抗状態に
あるときに発光層に印加される電圧を、発光層の発光中
心を励起するための閾値電圧未満に設定し、スイッチン
グ要素が低抵抗状態にあるときに発光層に印加される電
圧を、当該閾値電圧以上に設定することにより、有機Ｅ
Ｌ素子の発光状態と非発光状態を区別してもよい。
材料として、高抵抗状態と低抵抗状態における抵抗値の
差が相当な程度に大きなものを採用すると、それに応じ
て第２の輝度が第１の輝度に比較して相当な程度に高く
なるので、第２の輝度で発光するときを発光状態とし、
第１の輝度で発光するときを実質的に非発光状態とする
ことができる。また、スイッチング要素が高抵抗状態に
あるときに発光層に印加される電圧を、発光層の発光中
心を励起するための閾値電圧未満に設定し、スイッチン
グ要素が低抵抗状態にあるときに発光層に印加される電
圧を、当該閾値電圧以上に設定することにより、有機Ｅ
Ｌ素子の発光状態と非発光状態を区別してもよい。
【００２３】有機ＥＬ素子の初期状態への復帰、即ち、
スイッチング要素の低抵抗状態から高抵抗状態への復帰
については、有機ＥＬ素子に対して、逆方向へ所定の電
圧パルスを供給することによって達成してもよいし、所
定期間、有機ＥＬ素子の電極層間の電位差を０とするこ
とによって達成してもよい。
スイッチング要素の低抵抗状態から高抵抗状態への復帰
については、有機ＥＬ素子に対して、逆方向へ所定の電
圧パルスを供給することによって達成してもよいし、所
定期間、有機ＥＬ素子の電極層間の電位差を０とするこ
とによって達成してもよい。
【００２４】以上より、本発明の第１の側面に係る有機
ＥＬ素子は、素子自体がメモリ性を有するように制御可
能なため、有機ＥＬディスプレイの表示素子として用い
られるときなど、有機ＥＬ素子にメモリ性を付与しなけ
ればならない場合において、有機ＥＬ素子とは別に、Ｔ
ＦＴ素子やキャパシタ素子を付設する必要がないことが
理解できよう。
ＥＬ素子は、素子自体がメモリ性を有するように制御可
能なため、有機ＥＬディスプレイの表示素子として用い
られるときなど、有機ＥＬ素子にメモリ性を付与しなけ
ればならない場合において、有機ＥＬ素子とは別に、Ｔ
ＦＴ素子やキャパシタ素子を付設する必要がないことが
理解できよう。
【００２５】本発明におけるスイッチング要素は、閾値
以上の電圧の印加により高抵抗状態から低抵抗状態へと
変化し、且つ、当該変化の後に印加電圧が閾値未満に低
下する場合に低抵抗状態を維持可能な特性を示す有機電
荷移動錯体を含む。この有機電荷移動錯体としては、好
ましくは、そのような特性を示すことが知られている、
７，７，８，８−テトラシアノキノンジメタン（以下、
「ＴＣＮＱ」と略記する）またはＴＣＮＱ誘導体の銅錯
体または銀錯体である。或いは、スイッチング要素は、
金属電荷移動錯体でなくとも、ポリピロール又はピロー
ル誘導体の重合体にＴＣＮＱをドープないし拡散させた
ものにより構成してもよい。これらのものも、上述のよ
うな抵抗特性を示し得るからである
以上の電圧の印加により高抵抗状態から低抵抗状態へと
変化し、且つ、当該変化の後に印加電圧が閾値未満に低
下する場合に低抵抗状態を維持可能な特性を示す有機電
荷移動錯体を含む。この有機電荷移動錯体としては、好
ましくは、そのような特性を示すことが知られている、
７，７，８，８−テトラシアノキノンジメタン（以下、
「ＴＣＮＱ」と略記する）またはＴＣＮＱ誘導体の銅錯
体または銀錯体である。或いは、スイッチング要素は、
金属電荷移動錯体でなくとも、ポリピロール又はピロー
ル誘導体の重合体にＴＣＮＱをドープないし拡散させた
ものにより構成してもよい。これらのものも、上述のよ
うな抵抗特性を示し得るからである
【００２６】本発明における発光層を構成する発光物質
としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミ
ニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯
体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユー
ロピウム錯体、およびジトルイルビニルビフェニル、フ
ェニルピリジンイリジウム化合物などの蛍光またはりん
光性発光物質を用いることができる。また、ポリ（ｐ−
フェニレンビニレン）、ポリアルキルチオフェン、ポル
フルオレン、及びこれらの誘導体などのような高分子発
光物質を用いてもよい。
としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミ
ニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯
体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユー
ロピウム錯体、およびジトルイルビニルビフェニル、フ
ェニルピリジンイリジウム化合物などの蛍光またはりん
光性発光物質を用いることができる。また、ポリ（ｐ−
フェニレンビニレン）、ポリアルキルチオフェン、ポル
フルオレン、及びこれらの誘導体などのような高分子発
光物質を用いてもよい。
【００２７】本発明では、キャリア輸送層として、ホー
ル輸送層および電子輸送層を共に設けてもよいし、いず
れか一方のみを設けてもよい。ホール輸送層としては、
例えば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−アミノフェニル）
シクロヘキサン、トリフェニルアミンおよびその誘導
体、カルバゾールおよびその誘導体、トリフェニルメタ
ンおよびその誘導体を用いることができる。一方、電子
輸送層としては、例えば、アントラキノジメタン、ジフ
ェニルキノン、ペリレンテトラカルボン酸、トリアゾー
ル、オキサゾール、オキサジアゾール、ベンズオキサゾ
ール、およびこれらの誘導体を用いることができる。
ル輸送層および電子輸送層を共に設けてもよいし、いず
れか一方のみを設けてもよい。ホール輸送層としては、
例えば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−アミノフェニル）
シクロヘキサン、トリフェニルアミンおよびその誘導
体、カルバゾールおよびその誘導体、トリフェニルメタ
ンおよびその誘導体を用いることができる。一方、電子
輸送層としては、例えば、アントラキノジメタン、ジフ
ェニルキノン、ペリレンテトラカルボン酸、トリアゾー
ル、オキサゾール、オキサジアゾール、ベンズオキサゾ
ール、およびこれらの誘導体を用いることができる。
【００２８】本発明の第２の側面によると、有機ＥＬ素
子アレイが提供される。この有機ＥＬ素子アレイは、上
述のいずれかの構成の有機ＥＬ素子が、基板上に複数の
行および複数の列をなすようにマトリクス状に配列され
ており、マトリックス状に配列された複数の有機ＥＬ素
子の各行に対応して設けられた複数の第１の電極線と、
各列に対応して設けられた複数の第２の電極線とを備
え、同一の行に属する有機ＥＬ素子の陽極層は、当該行
に対応して設けられた第１の電極線によって共通化され
ており、同一の列に属する単位画素の陰極層は、当該列
に対応して設けられた第２の電極線によって共通化され
ていることを特徴とする。
子アレイが提供される。この有機ＥＬ素子アレイは、上
述のいずれかの構成の有機ＥＬ素子が、基板上に複数の
行および複数の列をなすようにマトリクス状に配列され
ており、マトリックス状に配列された複数の有機ＥＬ素
子の各行に対応して設けられた複数の第１の電極線と、
各列に対応して設けられた複数の第２の電極線とを備
え、同一の行に属する有機ＥＬ素子の陽極層は、当該行
に対応して設けられた第１の電極線によって共通化され
ており、同一の列に属する単位画素の陰極層は、当該列
に対応して設けられた第２の電極線によって共通化され
ていることを特徴とする。
【００２９】本発明において、発光層における発光を本
発明の構成に含まれる基板の側から取り出すためには、
基板としては、所定の波長領域における光が透過可能な
透明な基板を使用する。具体的には、例えば、バリウム
ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、石英ガラ
ス、パイレックス（登録商標）ガラスなどのガラス基板
を使用することができが、光透過性を示すものであれ
ば、プラスチック基板や薄いステンレス基板を使用して
もよい。また、リジッド基板のみならずフレキシブル基
板として構成してもよい。
発明の構成に含まれる基板の側から取り出すためには、
基板としては、所定の波長領域における光が透過可能な
透明な基板を使用する。具体的には、例えば、バリウム
ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、石英ガラ
ス、パイレックス（登録商標）ガラスなどのガラス基板
を使用することができが、光透過性を示すものであれ
ば、プラスチック基板や薄いステンレス基板を使用して
もよい。また、リジッド基板のみならずフレキシブル基
板として構成してもよい。
【００３０】本発明の陽極層および陰極層、ないし第１
および第２の電極線を構成する材料としては、例えば、
金、よう化銅、酸化錫、ＩＴＯ（インジウム−すず合金
の酸化物）、アルミニウム、マグネシウム、銀、リチウ
ムなどを用いることができる。発光層の発光を取り出し
たい側の電極は、可視領域で透過率の高い物質であるの
がよく、好ましくは、陽極層および／または陰極層、な
いし第１の電極線および／または第２の電極線は、ＩＴ
Ｏにより構成され、当該ＩＴＯ電極層ないし電極線を介
して発光を取り出す。
および第２の電極線を構成する材料としては、例えば、
金、よう化銅、酸化錫、ＩＴＯ（インジウム−すず合金
の酸化物）、アルミニウム、マグネシウム、銀、リチウ
ムなどを用いることができる。発光層の発光を取り出し
たい側の電極は、可視領域で透過率の高い物質であるの
がよく、好ましくは、陽極層および／または陰極層、な
いし第１の電極線および／または第２の電極線は、ＩＴ
Ｏにより構成され、当該ＩＴＯ電極層ないし電極線を介
して発光を取り出す。
【００３１】本発明の第３の側面によると、有機ＥＬデ
ィスプレイが提供される。この有機ＥＬディスプレイ
は、上述のいずれかの形態の有機ＥＬ素子アレイと、当
該有機ＥＬ素子アレイの複数の第１の電極線に対して選
択的に電位を付与するための第１のドライバと、複数の
第２の電極線に対して選択的に電位を付与するための第
２のドライバと、を備えることを特徴とする。
ィスプレイが提供される。この有機ＥＬディスプレイ
は、上述のいずれかの形態の有機ＥＬ素子アレイと、当
該有機ＥＬ素子アレイの複数の第１の電極線に対して選
択的に電位を付与するための第１のドライバと、複数の
第２の電極線に対して選択的に電位を付与するための第
２のドライバと、を備えることを特徴とする。
【００３２】本発明の第２および第３の側面によると、
アクティブ・マトリクス駆動方式によって駆動可能な有
機ＥＬ素子アレイおよび有機ＥＬディスプレイを容易に
製造することができる。従来、有機ＥＬディスプレイに
組み込まれる有機ＥＬ素子アレイをアクティブ・マトリ
クス駆動可能に構成するためには、各有機ＥＬ素子ごと
に、極微なスイッチング素子およびキャパシタ素子を、
有機ＥＬ素子とは別に基板上に形成しなければならず、
製造工程の煩雑化および長時間化ならびに製造コストの
上昇の原因となっていた。これに対し、本発明による
と、有機ＥＬ素子ごとに、そのような他の素子を設ける
必要がない。スイッチング層を、発光層などと同様に、
パネル全体に薄膜形成することによって、アレイを構成
する各有機ＥＬ素子ごとに実質的にメモリ性を付与する
ことが可能だからである。特に、大画面ディスプレイ、
即ち画素数の極端に多い有機ＥＬアレイひいては有機Ｅ
Ｌディスプレイを製造する場合においては、従来の有機
ＥＬ素子の構成に対するそような有利性は顕著となる。
従来の有機ＥＬ素子アレイでは、パネル面積が広くなる
に従って、形成すべきスイッチング素子およびキャパシ
タ素子の数が増加していたが、本発明の有機ＥＬ素子ア
レイによると、形成すべきスイッチング層の数は、パネ
ル面積に依存しないからである。
アクティブ・マトリクス駆動方式によって駆動可能な有
機ＥＬ素子アレイおよび有機ＥＬディスプレイを容易に
製造することができる。従来、有機ＥＬディスプレイに
組み込まれる有機ＥＬ素子アレイをアクティブ・マトリ
クス駆動可能に構成するためには、各有機ＥＬ素子ごと
に、極微なスイッチング素子およびキャパシタ素子を、
有機ＥＬ素子とは別に基板上に形成しなければならず、
製造工程の煩雑化および長時間化ならびに製造コストの
上昇の原因となっていた。これに対し、本発明による
と、有機ＥＬ素子ごとに、そのような他の素子を設ける
必要がない。スイッチング層を、発光層などと同様に、
パネル全体に薄膜形成することによって、アレイを構成
する各有機ＥＬ素子ごとに実質的にメモリ性を付与する
ことが可能だからである。特に、大画面ディスプレイ、
即ち画素数の極端に多い有機ＥＬアレイひいては有機Ｅ
Ｌディスプレイを製造する場合においては、従来の有機
ＥＬ素子の構成に対するそような有利性は顕著となる。
従来の有機ＥＬ素子アレイでは、パネル面積が広くなる
に従って、形成すべきスイッチング素子およびキャパシ
タ素子の数が増加していたが、本発明の有機ＥＬ素子ア
レイによると、形成すべきスイッチング層の数は、パネ
ル面積に依存しないからである。
【００３３】また、本発明によると、有機ＥＬ素子の電
極間の電位差を直接的に制御することによって、有機Ｅ
Ｌ素子アレイ全体をアクティブ・マトリクス駆動するこ
とができるので、駆動についての制御精度を向上するこ
とができる。その結果、有機ＥＬディスプレイにおい
て、良好なディスプレイ画像を提供することが可能とな
る。
極間の電位差を直接的に制御することによって、有機Ｅ
Ｌ素子アレイ全体をアクティブ・マトリクス駆動するこ
とができるので、駆動についての制御精度を向上するこ
とができる。その結果、有機ＥＬディスプレイにおい
て、良好なディスプレイ画像を提供することが可能とな
る。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００３５】図１は、本発明の第１の実施形態に係る有
機ＥＬ素子アレイの一部平面図である。図２は、図１の
線II−IIに沿った断面図である。本実施形態における有
機ＥＬ素子アレイ１０は、ガラス基板Ｓと、当該基板上
において所定間隔ごとに相互に平行に設けられた陽極と
しての複数のＩＴＯ１１と、その上に成膜されたスイッ
チング層１２と、更にその上から成膜された有機ＥＬ層
１３と、有機ＥＬ層上において所定間隔ごとに相互に設
けられた陰極としての複数のアルミニウム電極１４とか
らなる。本実施形態においては、スイッチング層１２は
ＴＣＮＱの銅錯体より構成されている。また、図２に示
されているように、本実施形態においては、有機ＥＬ層
１３は、ホール輸送層１３ａと、発光層１３ｂと、電子
輸送層１３ｃとからなる。
機ＥＬ素子アレイの一部平面図である。図２は、図１の
線II−IIに沿った断面図である。本実施形態における有
機ＥＬ素子アレイ１０は、ガラス基板Ｓと、当該基板上
において所定間隔ごとに相互に平行に設けられた陽極と
しての複数のＩＴＯ１１と、その上に成膜されたスイッ
チング層１２と、更にその上から成膜された有機ＥＬ層
１３と、有機ＥＬ層上において所定間隔ごとに相互に設
けられた陰極としての複数のアルミニウム電極１４とか
らなる。本実施形態においては、スイッチング層１２は
ＴＣＮＱの銅錯体より構成されている。また、図２に示
されているように、本実施形態においては、有機ＥＬ層
１３は、ホール輸送層１３ａと、発光層１３ｂと、電子
輸送層１３ｃとからなる。
【００３６】図１によく表されているように、ＩＴＯ電
極１１とアルミニウム電極１４とは、平面視において格
子を形成するように配設されており、両電極は、スイッ
チング層１２および有機ＥＬ層１３を介して導通してい
る。したがって、両電極によって形成される格子の各交
差箇所には、一対の電極１１，１４と、スイッチング層
１２と、有機ＥＬ層１３とからなる有機ＥＬ素子１０ａ
が構成されることとなる。図１には、合計４つの有機Ｅ
Ｌ素子１０ａが表されている。
極１１とアルミニウム電極１４とは、平面視において格
子を形成するように配設されており、両電極は、スイッ
チング層１２および有機ＥＬ層１３を介して導通してい
る。したがって、両電極によって形成される格子の各交
差箇所には、一対の電極１１，１４と、スイッチング層
１２と、有機ＥＬ層１３とからなる有機ＥＬ素子１０ａ
が構成されることとなる。図１には、合計４つの有機Ｅ
Ｌ素子１０ａが表されている。
【００３７】本実施形態に係る有機ＥＬ素子アレイ１０
の製造においては、まず、ガラス基板Ｓ上において、蒸
着またはスパッタリングにより、厚さ３００〜２０００
ÅのＩＴＯ薄膜を成膜する。これをパターニングして、
基板Ｓ上において、１０〜１００μｍの間隔で相互に平
行な複数のＩＴＯ電極１１を形成する。次に、このＩＴ
Ｏ電極１１の上方から、スイッチング層１２を形成する
ために、厚さ０．１〜１０μｍのＴＣＮＱ銅錯体の層を
積層面の全面にわたって成膜する。
の製造においては、まず、ガラス基板Ｓ上において、蒸
着またはスパッタリングにより、厚さ３００〜２０００
ÅのＩＴＯ薄膜を成膜する。これをパターニングして、
基板Ｓ上において、１０〜１００μｍの間隔で相互に平
行な複数のＩＴＯ電極１１を形成する。次に、このＩＴ
Ｏ電極１１の上方から、スイッチング層１２を形成する
ために、厚さ０．１〜１０μｍのＴＣＮＱ銅錯体の層を
積層面の全面にわたって成膜する。
【００３８】スイッチング層１２を成膜する方法として
は、電子線蒸着や抵抗加熱蒸着などの真空蒸着法やスッ
パッタリングなどにより、ＩＴＯ電極１１が形成された
基板の上に、ＴＣＮＱ銅錯体を直接的に堆積形成する方
法がある。ただし、これの代替として、蒸着法やスッパ
ッタリングなどにより銅膜を形成した後に、同じく蒸着
法やスッパッタリングなどによりＴＣＮＱを積層させ、
これらを１００〜３００℃で５分間加熱することによっ
て、当該２層界面付近において、ＴＣＮＱ銅錯体を合成
してもよい。また、厚さ０．１〜１０μｍの銅膜を形成
した後、ＴＣＮＱで飽和させたアセトニトリル溶液に基
板全体を浸漬させることによって、銅膜表面付近におい
てＴＣＮＱを銅錯体として析出させる方法を採用しても
よい。
は、電子線蒸着や抵抗加熱蒸着などの真空蒸着法やスッ
パッタリングなどにより、ＩＴＯ電極１１が形成された
基板の上に、ＴＣＮＱ銅錯体を直接的に堆積形成する方
法がある。ただし、これの代替として、蒸着法やスッパ
ッタリングなどにより銅膜を形成した後に、同じく蒸着
法やスッパッタリングなどによりＴＣＮＱを積層させ、
これらを１００〜３００℃で５分間加熱することによっ
て、当該２層界面付近において、ＴＣＮＱ銅錯体を合成
してもよい。また、厚さ０．１〜１０μｍの銅膜を形成
した後、ＴＣＮＱで飽和させたアセトニトリル溶液に基
板全体を浸漬させることによって、銅膜表面付近におい
てＴＣＮＱを銅錯体として析出させる方法を採用しても
よい。
【００３９】次に、スイッチング層１２の上位におい
て、真空蒸着法により、厚さ１００〜１０００Åの正孔
輸送層１３ａ、厚さ１００〜１０００Åの発光層１３
ｂ、および厚さ１００〜１０００Åの電子輸送層１３ｃ
を、順次、堆積させ、有機ＥＬ層１３を形成する。真空
蒸着法に代替する方法として、気相成長法やスピンコー
ト法やキャスト法を採用してもよい。ただし、本発明に
おいては、このような積層構造に代えて、有機ＥＬ層１
３の内部にスイッチング層１２を積層形成してもよい。
て、真空蒸着法により、厚さ１００〜１０００Åの正孔
輸送層１３ａ、厚さ１００〜１０００Åの発光層１３
ｂ、および厚さ１００〜１０００Åの電子輸送層１３ｃ
を、順次、堆積させ、有機ＥＬ層１３を形成する。真空
蒸着法に代替する方法として、気相成長法やスピンコー
ト法やキャスト法を採用してもよい。ただし、本発明に
おいては、このような積層構造に代えて、有機ＥＬ層１
３の内部にスイッチング層１２を積層形成してもよい。
【００４０】次に、有機ＥＬ層１３の上位において、真
空蒸着法により、厚さ５００〜１０００Åのアルミニウ
ム層を堆積させる。アルミニウム層の真空蒸着は、有機
ＥＬ層１３上において１０〜１００μｍの間隔で相互に
平行な複数のアルミニウム電極１４が形成されるよう
に、所定の開口形状を有するメタルマスクを介して行
う。
空蒸着法により、厚さ５００〜１０００Åのアルミニウ
ム層を堆積させる。アルミニウム層の真空蒸着は、有機
ＥＬ層１３上において１０〜１００μｍの間隔で相互に
平行な複数のアルミニウム電極１４が形成されるよう
に、所定の開口形状を有するメタルマスクを介して行
う。
【００４１】このようにして形成された有機ＥＬ素子ア
レイに含まれる有機ＥＬ素子１０ａ、即ち、陽極として
のＩＴＯ電極１１および陰極としてのアルミニウム電極
１４と、これら両電極間に設けられたホール輸送層１３
ａ、発光層１３ｂ、電子輸送層１３ｃと、ＩＴＯ電極１
１とホール輸送層１３ａとの間に設けられたＴＣＮＱ銅
錯体によるスイッチング層１２と、を含む有機ＥＬ素子
１０ａにおいては、発光および実質的に非発光の２つの
状態について、オン／オフ制御することができる。ＴＣ
ＮＱ銅錯体により構成されたスイッチング層１２が、電
圧の印加の仕方によって高抵抗状態と低抵抗状態の２つ
の安定的な状態の間をスイッチングし、且つ、これら２
つの状態の抵抗値は１０〜１０００倍のオーダーで異な
るため、有機ＥＬ素子１０ａ全体が、導通および実質的
な非導通の２つの状態をとり得るためである。
レイに含まれる有機ＥＬ素子１０ａ、即ち、陽極として
のＩＴＯ電極１１および陰極としてのアルミニウム電極
１４と、これら両電極間に設けられたホール輸送層１３
ａ、発光層１３ｂ、電子輸送層１３ｃと、ＩＴＯ電極１
１とホール輸送層１３ａとの間に設けられたＴＣＮＱ銅
錯体によるスイッチング層１２と、を含む有機ＥＬ素子
１０ａにおいては、発光および実質的に非発光の２つの
状態について、オン／オフ制御することができる。ＴＣ
ＮＱ銅錯体により構成されたスイッチング層１２が、電
圧の印加の仕方によって高抵抗状態と低抵抗状態の２つ
の安定的な状態の間をスイッチングし、且つ、これら２
つの状態の抵抗値は１０〜１０００倍のオーダーで異な
るため、有機ＥＬ素子１０ａ全体が、導通および実質的
な非導通の２つの状態をとり得るためである。
【００４２】ＴＣＮＱ銅錯体により、例えば厚さ０．１
〜１０μｍのスイッチング層１２を形成した場合、本実
施例に係る有機ＥＬ素子１０ａは、高抵抗状態および低
抵抗状態において、各々、１〜１０ＭΩ、１００〜１０
００Ω程度の抵抗値を示し、且つ、５〜６Ｖ程度の閾値
電圧を示す。ここで閾値電圧とは、スイッチング層自体
が高抵抗状態から低抵抗状態へスイッチするときの閾値
電圧に、素子１０ａ内の他の層に印加されるべき電圧を
加えたものに相当する。
〜１０μｍのスイッチング層１２を形成した場合、本実
施例に係る有機ＥＬ素子１０ａは、高抵抗状態および低
抵抗状態において、各々、１〜１０ＭΩ、１００〜１０
００Ω程度の抵抗値を示し、且つ、５〜６Ｖ程度の閾値
電圧を示す。ここで閾値電圧とは、スイッチング層自体
が高抵抗状態から低抵抗状態へスイッチするときの閾値
電圧に、素子１０ａ内の他の層に印加されるべき電圧を
加えたものに相当する。
【００４３】本実施形態においては、上記のように、２
つの状態間の抵抗値の差が大きいので、スイッチング層
１２が高抵抗状態にあるときに当該閾値未満の電圧を素
子１０ａに印加しても、素子１０ａ内を流れる電流置が
極端に小さい。その結果、素子１０ａ内の発光層１３ｂ
は、励起されず、発光しない。閾値以上の電圧を印加す
ると、スイッチング層１２が高抵抗状態から低抵抗状態
へと変化し、素子１０ａ内を１〜１００ｍＡ／ｃｍ2程
度の電流が流れ、発光層１３ｂの発光中心が励起されて
発光現象が起こる。発光は、可視領域における光透過性
が高いＩＴＯ電極１１およびガラス基板Ｓを介して素子
外部に取り出される。
つの状態間の抵抗値の差が大きいので、スイッチング層
１２が高抵抗状態にあるときに当該閾値未満の電圧を素
子１０ａに印加しても、素子１０ａ内を流れる電流置が
極端に小さい。その結果、素子１０ａ内の発光層１３ｂ
は、励起されず、発光しない。閾値以上の電圧を印加す
ると、スイッチング層１２が高抵抗状態から低抵抗状態
へと変化し、素子１０ａ内を１〜１００ｍＡ／ｃｍ2程
度の電流が流れ、発光層１３ｂの発光中心が励起されて
発光現象が起こる。発光は、可視領域における光透過性
が高いＩＴＯ電極１１およびガラス基板Ｓを介して素子
外部に取り出される。
【００４４】また、低抵抗状態に変化したスイッチング
層１２は、印加電圧を閾値未満へ単に降下させただけで
は、直ちには高抵抗状態に復帰せず、印加電圧が閾値未
満であっても、低抵抗状態を維持する。したがって、有
機ＥＬ素子１０ａは発光し続ける。高抵抗状態への復帰
は、逆方向への電圧パルスを付与するか、素子電極間の
電位差を０Ｖとすることによって達成する。
層１２は、印加電圧を閾値未満へ単に降下させただけで
は、直ちには高抵抗状態に復帰せず、印加電圧が閾値未
満であっても、低抵抗状態を維持する。したがって、有
機ＥＬ素子１０ａは発光し続ける。高抵抗状態への復帰
は、逆方向への電圧パルスを付与するか、素子電極間の
電位差を０Ｖとすることによって達成する。
【００４５】図３は、本発明の第１の実施形態に係る有
機ＥＬ素子アレイ１０の一部回路図である。各ＩＴＯ電
極線１１は、スイッチング層１２および有機ＥＬ層１３
を介して、各アルミニウム電極線１４に電気的に接続さ
れている。すなわち、各有機ＥＬ素子１０ａの陽極層
は、ＩＴＯ電極線１１によって共通化され、各有機ＥＬ
素子１０ａの陰極層は、アルミニウム電極線１４によっ
て共通化されている。スイッチング層１２は上述のよう
にスイッチング機能を有し、有機ＥＬ層１３には発光層
１３ｂが含まれる。電極線ドライバ３１は、複数のＩＴ
Ｏ電極線１１に対して選択的に電位を付与し、電極線ド
ライバ３２は、複数のアルミニウム電極線１４に対して
選択的に電位を付与する。したがって、電極線ドライバ
３１，３２の選択的な制御により、各有機ＥＬ素子１０
ａに印加される電圧が制御され、有機ＥＬ素子の発光・
非発光が制御される。簡略化の観点から、ドライバと電
極線との間の接続態様は省略する。本実施形態の有機Ｅ
Ｌ素子１３は、上述のように、有機ＥＬ層１３ｂの構成
いかんによっては５〜６Ｖの範囲の閾値電圧を示すが、
以下においては、説明の便宜上、５Ｖの閾値電圧を示す
ものとする。
機ＥＬ素子アレイ１０の一部回路図である。各ＩＴＯ電
極線１１は、スイッチング層１２および有機ＥＬ層１３
を介して、各アルミニウム電極線１４に電気的に接続さ
れている。すなわち、各有機ＥＬ素子１０ａの陽極層
は、ＩＴＯ電極線１１によって共通化され、各有機ＥＬ
素子１０ａの陰極層は、アルミニウム電極線１４によっ
て共通化されている。スイッチング層１２は上述のよう
にスイッチング機能を有し、有機ＥＬ層１３には発光層
１３ｂが含まれる。電極線ドライバ３１は、複数のＩＴ
Ｏ電極線１１に対して選択的に電位を付与し、電極線ド
ライバ３２は、複数のアルミニウム電極線１４に対して
選択的に電位を付与する。したがって、電極線ドライバ
３１，３２の選択的な制御により、各有機ＥＬ素子１０
ａに印加される電圧が制御され、有機ＥＬ素子の発光・
非発光が制御される。簡略化の観点から、ドライバと電
極線との間の接続態様は省略する。本実施形態の有機Ｅ
Ｌ素子１３は、上述のように、有機ＥＬ層１３ｂの構成
いかんによっては５〜６Ｖの範囲の閾値電圧を示すが、
以下においては、説明の便宜上、５Ｖの閾値電圧を示す
ものとする。
【００４６】図４は、有機ＥＬ素子アレイ１０の駆動方
法を説明するためのタイミングチャートである。グラフ
４１は、一本のＩＴＯ電極線１１についての、電極線ド
ライバ３１により制御された電位の経時変化を示したも
のである。グラフ４２は、一本のアルミニウム電極線１
４についての、電極線ドライバ３２により制御された電
位の経時変化を示したものである。グラフ４３は、これ
ら着目したＩＴＯ電極線１１およびアルミニウム電極線
１４の交差個所に構成される有機ＥＬ素子１０ａの発光
状態の経時変化を、その輝度により示したものである。
法を説明するためのタイミングチャートである。グラフ
４１は、一本のＩＴＯ電極線１１についての、電極線ド
ライバ３１により制御された電位の経時変化を示したも
のである。グラフ４２は、一本のアルミニウム電極線１
４についての、電極線ドライバ３２により制御された電
位の経時変化を示したものである。グラフ４３は、これ
ら着目したＩＴＯ電極線１１およびアルミニウム電極線
１４の交差個所に構成される有機ＥＬ素子１０ａの発光
状態の経時変化を、その輝度により示したものである。
【００４７】初期状態（ｔ＝０）においては、有機ＥＬ
素子１０ａのスイッチング層１２は高抵抗状態にある。
そして、陽極としてのＩＴＯ電極線１１には例えば３Ｖ
の電位が付与されており、陰極としてのアルミニウム電
極線１４の電位は例えば０Ｖとされている。このとき、
有機ＥＬ素子１０ａの電極間の印加電圧すなわち電位差
は、３Ｖであり、有機ＥＬ素子１０ａの閾値電圧５Ｖよ
りも小さい。そのため、スイッチング層１２は高抵抗状
態を維持し、有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層１３を流れる電
流は極めて小さい。したがって、発光層１３ｂは発光し
ない。
素子１０ａのスイッチング層１２は高抵抗状態にある。
そして、陽極としてのＩＴＯ電極線１１には例えば３Ｖ
の電位が付与されており、陰極としてのアルミニウム電
極線１４の電位は例えば０Ｖとされている。このとき、
有機ＥＬ素子１０ａの電極間の印加電圧すなわち電位差
は、３Ｖであり、有機ＥＬ素子１０ａの閾値電圧５Ｖよ
りも小さい。そのため、スイッチング層１２は高抵抗状
態を維持し、有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層１３を流れる電
流は極めて小さい。したがって、発光層１３ｂは発光し
ない。
【００４８】ｔ＝Ｔ1のとき、電極線ドライバ３１の制
御を受けて、陽極電位４１は例えば５Ｖに上昇され、ｔ
＝Ｔ2までこの電位に維持される。これに呼応して、電
極線ドライバ３２の制御を受けて、陰極電位４２は例え
ば−２Ｖに降下され、ｔ＝Ｔ 2までこの電位に維持され
る。このとき有機ＥＬ素子１０ａの電極間電位差は、７
Ｖであり、閾値電圧５Ｖよりも大きい。そのため、スイ
ッチング層１２は、高抵抗状態から低抵抗状態へと変化
し、有機ＥＬ層１３を流れる電流は相対的に極めて大き
くなる。その結果、発光層１３ｂの発光中心が励起され
て発光が生ずる。
御を受けて、陽極電位４１は例えば５Ｖに上昇され、ｔ
＝Ｔ2までこの電位に維持される。これに呼応して、電
極線ドライバ３２の制御を受けて、陰極電位４２は例え
ば−２Ｖに降下され、ｔ＝Ｔ 2までこの電位に維持され
る。このとき有機ＥＬ素子１０ａの電極間電位差は、７
Ｖであり、閾値電圧５Ｖよりも大きい。そのため、スイ
ッチング層１２は、高抵抗状態から低抵抗状態へと変化
し、有機ＥＬ層１３を流れる電流は相対的に極めて大き
くなる。その結果、発光層１３ｂの発光中心が励起され
て発光が生ずる。
【００４９】続いて、ｔ＝Ｔ2のとき、陽極電位４１は
再び３Ｖにまで降下され、これに呼応して、陰極電位４
２は０Ｖに戻される。このとき有機ＥＬ素子１０ａの電
極間電位差は、３Ｖであり、閾値電圧５Ｖよりも小さ
い。しかし、スイッチング層１２は、低抵抗状態を維持
するため、有機ＥＬ層１３を流れる電流は、電位差３Ｖ
に対応する相対的に大きな値を維持する。その結果、発
光層１３ｂの発光中心の励起は繰り返され、所定の輝度
で発光が持続する。すなわち、この時点では、両電極線
の電位は共に初期状態に復帰したが、有機ＥＬ素子は未
だ初期状態に復帰していない。
再び３Ｖにまで降下され、これに呼応して、陰極電位４
２は０Ｖに戻される。このとき有機ＥＬ素子１０ａの電
極間電位差は、３Ｖであり、閾値電圧５Ｖよりも小さ
い。しかし、スイッチング層１２は、低抵抗状態を維持
するため、有機ＥＬ層１３を流れる電流は、電位差３Ｖ
に対応する相対的に大きな値を維持する。その結果、発
光層１３ｂの発光中心の励起は繰り返され、所定の輝度
で発光が持続する。すなわち、この時点では、両電極線
の電位は共に初期状態に復帰したが、有機ＥＬ素子は未
だ初期状態に復帰していない。
【００５０】次に、ｔ＝Ｔ3のとき、陰極電位４２は０
Ｖに維持されつつ、陽極電位４１は例えば−３Ｖに降下
される。このとき有機ＥＬ素子１０ａの電極間電位差
は、３Ｖであり、有機ＥＬ素子１０ａの逆方向へ電圧が
印加されている。この電気的な衝撃により、スイッチン
グ層１２は、低抵抗状態から高抵抗状態へと変化し、有
機ＥＬ層１３を流れる電流は相対的に極めて小さくな
る。その結果、発光層１３ｂの発光中心の励起は停止さ
れ、有機ＥＬ素子１０ａは非発光状態となる。
Ｖに維持されつつ、陽極電位４１は例えば−３Ｖに降下
される。このとき有機ＥＬ素子１０ａの電極間電位差
は、３Ｖであり、有機ＥＬ素子１０ａの逆方向へ電圧が
印加されている。この電気的な衝撃により、スイッチン
グ層１２は、低抵抗状態から高抵抗状態へと変化し、有
機ＥＬ層１３を流れる電流は相対的に極めて小さくな
る。その結果、発光層１３ｂの発光中心の励起は停止さ
れ、有機ＥＬ素子１０ａは非発光状態となる。
【００５１】上述のｔ＝Ｔ2において、電極線ドライバ
３１は、次のＩＴＯ電極線１１に対して所定の電位を付
与し、所定期間経過ごとに、電位を付与するＩＴＯ電極
線１１を順次ずらしていく。このような線順次方式によ
り、他の全てのＩＴＯ電極線１１ごとに選択的に電位を
付与し、ドライバ３２の制御により、当該選択ＩＴＯ電
極線に接続する同一行内の各有機ＥＬ素子１０ａを選択
的に発光させる。その後、ｔ＝Ｔ3において、図４に示
すように、上述の説明で着目したＩＴＯ電極線１１に対
して復帰電位を付与する。図４においては、ｔ＝Ｔ4以
降の電極間電位差は、初期状態と同じ３Ｖであり、有機
ＥＬ素子１０ａは非発光状態をとるが、図４により説明
している有機ＥＬ素子１０ａを更に発光させたい場合に
は、対応するＩＴＯ電極線１１およびアルミニウム電極
線１４に対してｔ＝Ｔ4直後から上述のｔ＝Ｔ1以降の制
御を繰り返すものとする。このようにして、本発明は、
回路構成はパッシブ・マトリクス駆動方式に類似の形態
をとるが、実質的には、アクティブ・マトリクス駆動可
能となるのである。
３１は、次のＩＴＯ電極線１１に対して所定の電位を付
与し、所定期間経過ごとに、電位を付与するＩＴＯ電極
線１１を順次ずらしていく。このような線順次方式によ
り、他の全てのＩＴＯ電極線１１ごとに選択的に電位を
付与し、ドライバ３２の制御により、当該選択ＩＴＯ電
極線に接続する同一行内の各有機ＥＬ素子１０ａを選択
的に発光させる。その後、ｔ＝Ｔ3において、図４に示
すように、上述の説明で着目したＩＴＯ電極線１１に対
して復帰電位を付与する。図４においては、ｔ＝Ｔ4以
降の電極間電位差は、初期状態と同じ３Ｖであり、有機
ＥＬ素子１０ａは非発光状態をとるが、図４により説明
している有機ＥＬ素子１０ａを更に発光させたい場合に
は、対応するＩＴＯ電極線１１およびアルミニウム電極
線１４に対してｔ＝Ｔ4直後から上述のｔ＝Ｔ1以降の制
御を繰り返すものとする。このようにして、本発明は、
回路構成はパッシブ・マトリクス駆動方式に類似の形態
をとるが、実質的には、アクティブ・マトリクス駆動可
能となるのである。
【００５２】図５は、本発明の第２の実施形態に係る有
機ＥＬ素子アレ５０の断面構成図であり、第１の実施形
態における図２に対応する図である。本実施形態におい
ては、有機ＥＬ素子アレイ５０は、ガラス基板Ｓと、当
該基板上において所定間隔ごとに相互に平行に設けられ
た陽極としての複数のＩＴＯ５１と、その上に成膜され
た有機ＥＬ層５３と、更にその上位に積層されたスイッ
チング層５２と、スイッチング層上において所定間隔ご
とに相互に設けられた陰極としての複数のアルミニウム
電極５４とからなる。本実施形態においては、有機ＥＬ
層５３は、陽極側から、ホール輸送層５３ａと、発光層
５３ｂと、電子輸送層５３ｃとからなる。
機ＥＬ素子アレ５０の断面構成図であり、第１の実施形
態における図２に対応する図である。本実施形態におい
ては、有機ＥＬ素子アレイ５０は、ガラス基板Ｓと、当
該基板上において所定間隔ごとに相互に平行に設けられ
た陽極としての複数のＩＴＯ５１と、その上に成膜され
た有機ＥＬ層５３と、更にその上位に積層されたスイッ
チング層５２と、スイッチング層上において所定間隔ご
とに相互に設けられた陰極としての複数のアルミニウム
電極５４とからなる。本実施形態においては、有機ＥＬ
層５３は、陽極側から、ホール輸送層５３ａと、発光層
５３ｂと、電子輸送層５３ｃとからなる。
【００５３】本実施形態の有機ＥＬ素子５０ａでは、ホ
ール輸送層５３ａは、陽極としてのＩＴＯ層５１と直接
的に接合しており、スイッチング層５２は、電子輸送層
５３ｃと陰極としてのアルミニウム電極層５４との間に
設けられている。その他の構成については、第１の実施
形態と同様である。
ール輸送層５３ａは、陽極としてのＩＴＯ層５１と直接
的に接合しており、スイッチング層５２は、電子輸送層
５３ｃと陰極としてのアルミニウム電極層５４との間に
設けられている。その他の構成については、第１の実施
形態と同様である。
【００５４】本実施形態の有機ＥＬ素子５０ａは、第１
の実施形態である有機ＥＬ素子１０ａと同様に、素子内
において、スイッチング層と有機ＥＬ層とが直列の関係
で設けられている。したがって、有機ＥＬ素子５０ａ
は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ素子１０ａと同様の
機能を呈し、図４を参照して第１の実施形態に関して説
明したのと同様の方式で制御することができる。
の実施形態である有機ＥＬ素子１０ａと同様に、素子内
において、スイッチング層と有機ＥＬ層とが直列の関係
で設けられている。したがって、有機ＥＬ素子５０ａ
は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ素子１０ａと同様の
機能を呈し、図４を参照して第１の実施形態に関して説
明したのと同様の方式で制御することができる。
【００５５】以上に説明した有機ＥＬ素子アレイを用い
て、有機ＥＬディスプレイを構成することができる。有
機ＥＬディスプレイには、モノクロ表示用とカラー表示
用とがあるが、本発明に係る有機ＥＬディスプレイは、
いずれのタイプとして構成してもかまわない。カラーフ
ィルターや色変換層を利用してカラー表示を行う場合に
は、陽極とガラス基板との間にカラーフィルター層また
は色変換層が設けられる。また、カラー化を図るために
は、有機ＥＬ素子として、３原色またはこれに準ずる色
彩の各々に対応する色彩で発光する発光層を備えた３種
類の素子を用意し、素子アレイにおいて、これら３色の
有機ＥＬ素子を相互に近接する個所に配置してもよい。
て、有機ＥＬディスプレイを構成することができる。有
機ＥＬディスプレイには、モノクロ表示用とカラー表示
用とがあるが、本発明に係る有機ＥＬディスプレイは、
いずれのタイプとして構成してもかまわない。カラーフ
ィルターや色変換層を利用してカラー表示を行う場合に
は、陽極とガラス基板との間にカラーフィルター層また
は色変換層が設けられる。また、カラー化を図るために
は、有機ＥＬ素子として、３原色またはこれに準ずる色
彩の各々に対応する色彩で発光する発光層を備えた３種
類の素子を用意し、素子アレイにおいて、これら３色の
有機ＥＬ素子を相互に近接する個所に配置してもよい。
【００５６】以上の実施形態においては、陽極をガラス
基板上に設け、当該陽極およびガラス基板を介して発光
を外部に取り出す構成のみを示したが、本発明はこれに
限らず、ガラス基板を可視領域において透過性を示す陰
極側に設けて、当該陰極およびガラス基板を介して発光
を外部に取り出す構成にしてもよい。また、以上の実施
形態においては、有機ＥＬ層を、ホール輸送層、発光層
および電子輸送層よりなる３層構造としたが、本発明は
これに限らない。例えば、有機ＥＬ層を発光層のみから
構成してもよいし、キャリア輸送層を更に設けて構成し
てもよい。
基板上に設け、当該陽極およびガラス基板を介して発光
を外部に取り出す構成のみを示したが、本発明はこれに
限らず、ガラス基板を可視領域において透過性を示す陰
極側に設けて、当該陰極およびガラス基板を介して発光
を外部に取り出す構成にしてもよい。また、以上の実施
形態においては、有機ＥＬ層を、ホール輸送層、発光層
および電子輸送層よりなる３層構造としたが、本発明は
これに限らない。例えば、有機ＥＬ層を発光層のみから
構成してもよいし、キャリア輸送層を更に設けて構成し
てもよい。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ素子ア
レイの一部平面図である。
レイの一部平面図である。
【図２】図１の線II−IIに沿った断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ素子ア
レイの一部回路図である。
レイの一部回路図である。
【図４】本発明に係る有機ＥＬ素子アレイの駆動方法を
説明するためのタイミングチャートである。
説明するためのタイミングチャートである。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ素子ア
レイの断面構成図である。
レイの断面構成図である。
【図６】従来の有機ＥＬ素子の断面構成図である。
【図７】図６に示した有機ＥＬ素子を用いて構成された
従来の有機ＥＬディスプレイ用画素アレイの一部回路図
である。
従来の有機ＥＬディスプレイ用画素アレイの一部回路図
である。
Ｓ ガラス基板 １０，５０ 有機ＥＬ素子アレイ １０ａ，５０ａ，１００ 有機ＥＬ素子 １２，５２ スイッチング層 １３，５３ 有機ＥＬ層 １３ａ，５３ａ ホール輸送層 １３ｂ，５３ｂ 発光層 １３ｃ，５３ｃ 電子輸送層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/08 Ｈ０５Ｂ 33/08 33/10 33/10 33/14 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB16 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EA02 EB00 5C094 AA43 AA45 AA56 BA04 BA09 BA27 CA19 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 FA01 FA02 FB01 FB14 GA10 GB10
Claims (8)
- 【請求項１】 陽極層および陰極層と、 これら陽極層と陰極層の間に設けられた少なくとも１つ
の有機ＥＬ層と、 閾値以上の電圧の印加により高抵抗状態から低抵抗状態
へと変化し、且つ、当該変化の後に印加電圧が前記閾値
未満に低下する場合に低抵抗状態を維持可能であって、
上記有機ＥＬ層と直列に接続されているスイッチング要
素と、を備えることを特徴とする、有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 上記スイッチング要素は、スイッチング
層として、上記有機ＥＬ層と、上記陽極または上記陰極
と、の間に設けられている、請求項１に記載の有機ＥＬ
素子。 - 【請求項３】 上記スイッチング要素は、スイッチング
層として、上記有機ＥＬ層の内部に設けられている、請
求項１に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 上記スイッチング要素は、閾値以上の電
圧の印加により高抵抗状態から低抵抗状態へと変化し、
且つ、当該変化の後に印加電圧が前記閾値未満に低下す
る場合に低抵抗状態を維持可能な特性を示す有機電荷移
動錯体を含む、請求項１から３のいずれか１つに記載の
有機ＥＬ素子。 - 【請求項５】 上記有機電荷移動錯体は、ＴＣＮＱまた
はＴＣＮＱ誘導体の金属錯体である、請求項４に記載の
有機ＥＬ素子。 - 【請求項６】 請求項１から５のいずれか１つに記載の
複数の有機ＥＬ素子が、基板上に複数の行および複数の
列をなすようにマトリクス状に配列されており、 マトリックス状に配列された上記複数の有機ＥＬ素子の
各行に対応して設けられた複数の第１の電極線と、各列
に対応して設けられた複数の第２の電極線と、を備え、 同一の行に属する有機ＥＬ素子の陽極層は、当該行に対
応して設けられた第１の電極線によって共通化されてお
り、同一の列に属する有機ＥＬ素子の陰極層は、当該列
に対応して設けられた第２の電極線によって共通化され
ていることを特徴とする、有機ＥＬ素子アレイ。 - 【請求項７】 上記第１の電極線、及び／又は、上記第
２の電極線は、ＩＴＯにより構成されている、請求項６
に記載の有機ＥＬ素子アレイ。 - 【請求項８】 請求項６または７に記載の有機ＥＬ素子
アレイと、当該有機ＥＬ素子アレイの上記複数の第１の
電極線に対して選択的に電位を付与するための第１のド
ライバと、上記複数の第２の電極線に対して選択的に電
位を付与するための第２のドライバと、を備えることを
特徴とする、有機ＥＬディスプレイ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001128304A JP2002324683A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 有機ｅｌ素子およびこれを用いた有機ｅｌディスプレイ |
| US10/131,494 US20020190664A1 (en) | 2001-04-25 | 2002-04-24 | Organic EL element, organic EL element array and organic EL display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001128304A JP2002324683A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 有機ｅｌ素子およびこれを用いた有機ｅｌディスプレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002324683A true JP2002324683A (ja) | 2002-11-08 |
Family
ID=18977023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001128304A Pending JP2002324683A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 有機ｅｌ素子およびこれを用いた有機ｅｌディスプレイ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020190664A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002324683A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004073079A1 (ja) * | 2003-02-14 | 2004-08-26 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | スイッチング素子 |
| US7786470B2 (en) | 2003-02-17 | 2010-08-31 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Switching element |
| WO2014046373A1 (ko) * | 2012-09-19 | 2014-03-27 | 고려대학교 산학협력단 | 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 구비하는 유기 발광소자 및 그 제조 방법 |
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| JP2004095388A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Pioneer Electronic Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US7253812B2 (en) * | 2003-02-12 | 2007-08-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | El display driver and El display |
| FR2869143A1 (fr) * | 2004-04-16 | 2005-10-21 | Thomson Licensing Sa | Panneau electroluminescent bistable a trois reseaux d'electrodes |
| US20100033517A1 (en) * | 2004-11-18 | 2010-02-11 | Kuan-Jui Ho | Bi-stable display and driving method thereof |
| TWI258725B (en) * | 2004-11-18 | 2006-07-21 | Ind Tech Res Inst | Methods for driving bistable organic light-emitting device display |
| CN109725471A (zh) | 2019-01-21 | 2019-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示单元、显示基板及其驱动方法和显示装置 |
| WO2023047022A1 (en) * | 2021-09-23 | 2023-03-30 | Lumineq Oy | Thin-film electroluminescent display and method for a thin-film electroluminescent display |
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|---|---|---|---|---|
| JPS56165296A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-18 | Fujitsu Ltd | El display unit |
| JPH07175420A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-07-14 | Toshiba Corp | 光入力型有機ｅｌ素子 |
| JPH11297469A (ja) * | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光素子の駆動方法 |
| JP2000348868A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-12-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｅｌ素子およびその発光表示パターンの記録／消去／表示方法 |
-
2001
- 2001-04-25 JP JP2001128304A patent/JP2002324683A/ja active Pending
-
2002
- 2002-04-24 US US10/131,494 patent/US20020190664A1/en not_active Abandoned
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| US7227178B2 (en) | 2003-02-14 | 2007-06-05 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Switching element |
| US7786470B2 (en) | 2003-02-17 | 2010-08-31 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Switching element |
| WO2014046373A1 (ko) * | 2012-09-19 | 2014-03-27 | 고려대학교 산학협력단 | 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 구비하는 유기 발광소자 및 그 제조 방법 |
| KR101402037B1 (ko) | 2012-09-19 | 2014-06-02 | 고려대학교 산학협력단 | 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 구비하는 유기 발광소자 및 그 제조 방법 |
| US9570699B2 (en) | 2012-09-19 | 2017-02-14 | Korea University Research And Business Foundation | Organic light emitting device having transparent electrode where conducting filaments formed and method of manufacturing the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020190664A1 (en) | 2002-12-19 |
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