CN105895625B - 用于邻近传感器的晶片级封装 - Google Patents

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Abstract

一种邻近传感器包括半导体裸片、发光组件、重布线层和封装层。半导体裸片的表面包括传感器区域和接触焊盘。透镜位于半导体裸片的传感器区域之上。发光组件包括具有发光区域的发光器件，位于发光区域之上的透镜，以及面对重布线层的接触焊盘。重布线层的侧边包括接触焊盘。电连接器使得半导体裸片的接触焊盘的每一个与重布线层的接触焊盘的相应一个进行电学通信。封装层位于重布线层上，并且至少部分地封装了半导体裸片、半导体裸片的传感器区域之上的透镜、以及发光组件。

Description

用于邻近传感器的晶片级封装
技术领域
本发明通常涉及半导体器件，并且更具体地涉及半导体邻近传感器器件。
背景技术
图1A是传统的邻近传感器100的顶视平面图。邻近传感器100包括具有形成在其中的第一孔洞104和第二孔洞106的帽部102。图1B是沿着图1A所示线1B-1B的邻近传感器100的剖视图。邻近传感器100包括布置在印刷电路板衬底112上的发光器件108和半导体裸片110。传感器区域114布置在半导体裸片110的上表面上。透镜116使用透明粘附材料118固定至传感器区域114之上的半导体裸片110。发光器件108透过第一孔洞104发光。由发光器件108发出、由邻近传感器100附近物体反射的光可以进入第二孔洞106，穿过透镜116，并且照射传感器区域114。邻近传感器100输出指示了入射在传感器区域114上的光强度的信号。
如图1B所示，帽部102包括第一帽部块件102a，第二帽部块件102b，以及第三帽部块件102c。帽部块件102a－102c非常小，通常具有在15微米与150微米之间的尺寸。第一帽部块件102a使用粘附材料120a固定至印刷电路板衬底112。第二帽部块件102b使用粘附材料120b固定至半导体裸片110。第三帽部块件102c使用粘附材料120c固定至印刷电路板衬底112。
在邻近传感器100的制造期间，粘附材料120a和粘附材料120c沉积在印刷电路板衬底112的上表面上，以及粘附材料120c沉积在半导体裸片110的上表面上。微小的帽部块件102a－102c分别小心地沉积在粘附材料120a－120c上。如果帽部块件102a－102c和/或粘附材料120a－120c并未精确地放置在它们有意设计的位置中，帽部块件102a－102c可以不恰当地粘附和/或可以无法分别在发光器件108和传感器区域114之上形成孔洞104和106。因此，邻近传感器100的制造可以导致高缺陷率，这可以增大制造成本。
因此，需要可以以较低缺陷率制造的邻近传感器装置。
发明内容
根据一个实施例，提供了一种制造邻近传感器的方法。根据该方法，半导体裸片放置在第一粘附层上。半导体裸片的第一侧包括传感器区域并且背离第一粘附层。第一透镜放置在半导体裸片的传感器区域之上。发光组件放置在第一粘附层之上。发光组件包括具有发光区域以及位于发光区域之上的第二透镜的发光器件。发光区域背离第一粘附层。封装层至少部分地形成在半导体裸片、第一透镜和发光组件上以形成具有第一侧的邻近传感器组件，其中第一侧背离第一粘附层。邻近传感器组件与第一粘附层分离。邻近传感器组件放置在第二粘附层上，使得邻近传感器组件的第一侧对第二粘附层。重布线层形成在邻近传感器组件的第二侧上。
根据另一实施例，提供了一种邻近传感器。邻近传感器包括半导体裸片，重布线层，多个第一电连接器，第一透镜，发光组件，以及封装层。半导体裸片的第一表面包括传感器区域以及多个第一接触焊盘。第一透镜位于半导体裸片的传感器区域之上。重布线层重叠了半导体裸片并且包括具有多个第二接触焊盘的第一侧。半导体裸片的多个第一接触焊盘中的每一个与重布线层的多个第二接触焊盘中的相应焊盘进行电学通信。发光组件包括发光器件，具有区域、位于发光区域之上的第二透镜、以及面对重布线层的多个第三接触焊盘。封装层位于重布线层上并且至少部分地封装了半导体裸片、第一透镜和发光组件。
附图说明
图1A是传统的邻近传感器的顶视平面图。
图1B是图1A中所示邻近传感器的剖视图。
图2A－图2E示出了根据一个实施例的在各个制造阶段处的半导体组件。
图3A－图3L示出了根据一个实施例的在各个制造阶段处的半导体组件。
图4A是根据一个实施例的邻近传感器的顶视图。
图4B是图4A中所示邻近传感器的剖视图。
图5是根据一个实施例的通信装置的结构图。
图6A是根据一个实施例的邻近传感器的顶视平面图。
图6B是图6A中所示邻近传感器的剖视图。
图7A是根据一个实施例的邻近传感器的顶视平面图。
图7B是图7A中所示邻近传感器的剖视图。
图8A是根据一个实施例的邻近传感器的顶视平面图。
图8B是图8A中所示邻近传感器的剖视图。
具体实施方式
图2A－图2E示出了根据一个实施例的在各个制造阶段处的半导体组件200。如图2A所示，半导体组件200包括印刷电路板衬底202。印刷电路板衬底202的上表面包括多个接触焊盘204。印刷电路板衬底202的下表面包括多个接触焊盘206。多个导电迹线208形成了在印刷电路板衬底202的上表面上的一个或多个接触焊盘204、与在印刷电路板衬底202的下表面上的一个或多个接触焊盘206之间的电连接。
如图2B所示，多个传统发光器件210放置在印刷电路板衬底202的上表面之上。在一个实施例中，每个发光器件210是传统的发光二极管(LED)。在一个实施例中，每个发光器件210是传统的垂直空腔表面发射激光器(VCSEL)。
每个发光器件210的上表面包括发光区域212和接触焊盘214。传统的导电粘附材料216形成了在每个发光器件210的下表面与印刷电路板衬底202的上表面上的一个接触焊盘204之间的电连接。导电粘附材料216将每个发光器件210固定至印刷电路板衬底202的上表面。
在一个实施例中，导电粘附材料216形成在印刷电路板衬底202的上表面上的接触焊盘204中的预定接触焊盘上，并且随后发光器件210的下表面放置为与导电粘附材料216接触。在一个实施例中，每个发光器件210的下表面的至少一部分采用导电粘附材料216涂覆，其随后放置为与印刷电路板衬底202的上表面上的接触焊盘204中的预定接触焊盘接触。例如，采用了传统的表面安装技术的拾取放置机构可以用于在印刷电路板衬底202的上表面上放置发光器件210。
如图2C所示，随后在发光器件210的上表面上接触焊盘214与印刷电路板衬底202的上表面上对应接触焊盘204之间形成电连接。在一个实施例中，传统的接线键合结构将多个接线218的每一个的一个端部连接至印刷电路板衬底202的上表面上的一个接触焊盘204，以及随后将接线218的另一端部连接至发光器件210的相应发光器件的上表面上的一个接触焊盘214。
如图2D所示，传统的透明材料220的层随后形成在印刷电路板衬底202的上表面、以及发光器件210和接线218中的每一个的上表面和侧表面上。初始地，透明材料220可以为液体或胶体形式，并且可以灌注或者注射在印刷电路板衬底202、发光器件210和接线218之上。透明材料220可以随后采用UV光、热量、和/或湿气而固化以使得透明材料220更快速得到固体形式。
透明材料220可以使得入射在透明材料220上的大部分(如果并非所有)的光穿透。例如，透明材料220可以使得入射在透明材料220上的可见光谱中的光(例如从大约400纳米至700纳米的光波长)或者红外光谱中的光(例如从大约700纳米至1250纳米的光波长)的至少85％从其穿过。附加地或者备选地，透明材料220可以用作防止预定的光波长从其穿过的滤光器。例如，透明材料220可以防止入射在透明材料220上的可见光谱中的光或者红外光谱中的光从其穿过。
参照图2D和图2E，随后锯切或者以其它方式分离半导体组件200以形成多个发光组件224。例如，锯的刀片在位置222处放置在半导体组件200的上表面上，并且随后向下移动直至刀片穿过透明材料220的层以及印刷电路板衬底202。
图3A－图3L示出了根据一个实施例的在各个制造阶段处的半导体组件300。如图3A所示，半导体组件300初始地包括其上形成了第一粘附层304的第一载板302。例如，第一载板302是硅载板，并且第一粘附层304由传统粘附材料形成。
如图3B所示，多个部件放置在第一粘附层304的上表面上，其中第一粘附层304的上表面背离第一载板302。更具体地，多个传统半导体裸片306放置在第一粘附层304的上表面上。例如，采用了传统的表面安装技术的拾取放置机构可以用于在第一粘附层304的上表面上放置半导体裸片306。每个半导体裸片306的上表面包括传感器区域308和多个接触焊盘310。多个电连接器312中的每一个与一个接触焊盘310进行电学通信，并且从接触焊盘310延伸至一个半导体裸片306的下表面。
附加地，多个传统透镜314放置在半导体裸片306的上表面之上。每个透镜314使用传统的透明粘附材料316固定至一个半导体裸片306。透明粘附材料316可以放置在每个透镜314的下表面上，其随后放置在一个半导体裸片306的上表面上，以使得透镜314覆盖了半导体裸片306的传感器区域308。附加地或者备选地，透明粘附材料316可以在传感器区域308的附近放置在半导体裸片306的上表面上，并且随后透镜314放置至透明粘附材料314上以将透镜314固定至传感器区域308之上的半导体裸片306。例如，采用了传统表面安装技术的拾取放置机构可以用于在半导体裸片306的上表面上放置透镜314。
每个透镜314和/或透明粘附材料316可以使得入射其上的大部分(如果并非所有)的光从其穿过。例如，透镜314和/或透明粘附材料316可以使得入射其上的可见光谱中或红外光谱中至少85％的光从其穿过。附加地或者备选地，透镜314和/或透明粘附材料316可以用作防止预定光波长从其穿过的滤光器。例如，透镜314和/或透明粘附材料316可以防止入射其上的可见光谱中的光或红外光谱中的光从其穿过。
此外，多个发光组件224放置在第一粘附层304之上。在如图3B所示实施例中，每个发光组件224放置至第一粘附层304上。例如，采用传统的表面安装技术的拾取放置机构可以用于在第一粘附层304的上表面上放置发光组件224。
如图3C所示，多个掩模318位于发光组件224的透镜226之上。此外，多个掩模320位于透镜314之上，透镜布置在半导体裸片306的传感器区域308之上。在一个实施例中，粘附材料(未示出)将掩模318固定至发光组件224的透镜226，并且也将掩模320固定至透镜314。
封装层322随后形成在第一粘附层304的上表面的暴露部分上，以及每个半导体裸片306、每个透镜314和每个发光组件224的上表面和侧表面的一部分上。封装层322由其中不穿透光的传统模制化合物形成。例如，封装层322可以由黑色材料形成。
初始地，封装层322可以为灌注或者注射在第一粘附层304、半导体裸片306、透镜314和发光组件224之上的液体或胶体形式。封装层322可以随后采用UV光、热量和/或湿气固化以使得封装层322更快取得固体形式。优选地，形成了封装层322的模制化合物从固体转变为液体或胶体形式的温度低于形成了发光组件224的透镜226的透明材料220从固体形式转变为液体或胶体形式的温度。因此，封装层322可以为液体或胶体形式，而形成了发光组件224的透镜226的透明材料220保持为固体形式。
随后从发光组件224的透镜226以及半导体裸片306的传感器区域308之上的透镜314移除掩模318和掩模320。当移除了掩模318和掩模320时，第一孔洞324形成在发光组件224的透镜226之上，而第二孔洞326形成在半导体裸片306的传感器区域308之上的透镜314之上。在一个实施例中，刀片用于从发光组件224的透镜226和半导体裸片306的传感器区域308之上的透镜314的上表面刮去或者以其它方式移除封装层322的一部分，以分别形成第一孔洞324和第二孔洞326。
在一个实施例中，掩模318和掩模320是从包括在薄膜辅助模制机构中空腔的上表面向下延伸的突起。半导体组件300随后放置在空腔中并且朝向空腔的上表面升起，直至掩模318和掩模320分别接触发光组件224的透镜226以及半导体裸片306的传感器区域308之上的透镜314的上表面。当机构将半导体组件300固定在该位置时，机构将形成了封装层322的模制化合物注入空腔中。在模制化合物已经至少部分地硬化之后，机构将半导体组件300远离空腔的上表面移动，直至掩模318和掩模320不再分别接触发光组件224的透镜226与半导体裸片306的传感区域308之上的透镜314。
第一载板302和第一粘附层304随后从半导体裸片306、发光组件224和封装层322的下表面分离。诸如水之类的溶剂例如可以用于使得第一粘附层304从半导体裸片306、发光组件224和封装层322的下表面分离。
如图3E所示，半导体组件300随后翻转并且安装至第二载板328。第二粘附层330形成在第二载板328的上表面上。例如，第二载板328是硅载板，并且第二粘附层330由传统粘附材料形成。封装层322放置至第二粘附层330上以将半导体组件300固定至第二载板328。
如图3F所示，第一介电层332形成在半导体组件300的上表面之上。更具体地，第一介电层332形成在半导体裸片306、发光组件224的印刷电路板衬底202以及封装层322的下表面之上。第一介电层332由传统介电材料形成。
如图3G所示，多个开口334形成在第一介电层332中。开口334形成在发光组件224的印刷电路板衬底202的下表面上的接触焊盘206之上，并且形成在延伸穿过半导体裸片306的电连接器312的每一个之上。使用传统半导体制造技术形成开口334。
如图3H所示，导电层336形成在第一介电层332和开口334之上。导电层336可以例如由铜、或者另一传统导电材料形成。
如图3I所示，移除导电层336的一部分，从而留下多个接触焊盘338。使用传统半导体制造技术移除导电层336的一部分。
如图3J所示，第二介电层340形成在第一介电层332和接触焊盘338的暴露部分之上。第二介电层340可以由与形成了第一介电层332相同或不同的传统介电材料形成。
如图3K所示，多个开口342形成在第二介电层340中。开口342形成在接触焊盘338的预定一个之上以至少部分地暴露那些接触焊盘328。开口342使用传统半导体制造技术形成。
如图3L所示，多个导电焊料凸块344形成在半导体组件300上。每个焊料凸块344形成在暴露的接触焊盘338的一个上。焊料凸块344使用传统半导体制造技术由传统焊接材料形成。
参照图3L、图4A和图4B，随后锯切或者以其它方式分离半导体组件300以形成多个邻近传感器400。例如，锯的刀片在位置346处放置在半导体组件300的表面上，并且随后向下移动，直至刀片穿透至少第二介电层340、第一介电层332和封装层322。附加地，第二载板328和第二粘附层330从封装层322分离。诸如水之类的溶剂例如可以用于使得第二粘附层330从封装层332分离。
图4A是邻近传感器400的顶视平面图。邻近传感器400包括由封装层322形成的帽部402。帽部402具有其中分别由第一孔洞324中的一个和第二孔洞326中的一个形成的第一孔洞404和第二孔洞406。
图4B是沿着图4A的线4B-4B的邻近传感器400的剖视图。邻近传感器400包括重布线层408。重布线层408包括由第一介电层332和第二介电层340形成的衬底410。衬底410的上表面包括接触焊盘338的一部分。接触焊盘338的两个部分与从半导体裸片306的下表面延伸至接触焊盘310的相应电连接器312进行电学通信。接触焊盘338的两个部分连接至发光组件224的印刷电路板衬底202的下表面上的相应接触焊盘206。接触焊盘338在电连接器312中的第一电连接器与焊料凸块344中的第一焊料凸块、在接触焊盘206中的第一接触焊盘与焊料凸块344中的第二焊料凸块、以及在电连接器312中的第二电连接器与接触焊盘206中的第二接触焊盘之间形成电连接。
因为帽部402由不透明材料形成，因此帽部402防止外部光到达半导体裸片306的传感器区域308。附加地，帽部42防止从发光器件210发出的、并未通过第一孔洞404离开邻近传感器400、并且通过第二孔洞406再次进入邻近传感器的光到达半导体裸片306的传感器区域308。
在邻近传感器400的操作期间，电能通过衬底308的下表面上的一个或多个焊料凸块344提供至邻近传感器400。电能可以经由连接至一个电连接器312的一个或多个焊料凸块344而提供至半导体裸片306，一个电连接器312连接至半导体裸片306的上表面上的一个接触焊盘310。共同参考电势(例如接地)可以通过衬底408的下表面上一个或多个焊料凸块344提供至邻近传感器400。共同参考电势可以经由连接至半导体裸片306的上表面上一个接触焊盘310的一个或多个焊料凸块344而提供至半导体裸片306。
附加地，电能和/或共同参考电势可以经由在发光组件224的印刷电路板衬底202的下表面上的相应接触焊盘206而提供至发光组件224。半导体裸片306包括控制了发光组件224的操作的驱动器。半导体裸片306经由连接至电连接器312之一的接触焊盘338中的一个接触焊盘而提供控制信号和/或电能至发光组件224，电连接器312连接至半导体裸片306的上表面上的接触焊盘310之一，并且也连接至发光组件224的印刷电路板衬底202的下表面上的接触焊盘206之一。
发光器件224通过透镜226和帽部402中第一孔洞404发射光。由邻近传感器400附近物体反射的光可以进入帽部402中的第二孔洞406，穿过透镜314和透明粘附材料316，并且照射半导体裸片306的传感器区域308。半导体裸片306输出指示了光强度的幅度或与其成正比的一个或多个信号，光从半导体裸片306的上表面上的一个或多个接触焊盘310照射发光区域308。
邻近传感器400可以从衬底408的下表面上一个或多个焊料凸块344提供数据或控制信号。那些焊料凸块344由一个或多个接触焊盘338以及一个或多个电连接器312而连接至半导体裸片306的上表面上的一个或多个接触焊盘310。
在一个实施例中，传统的、额外的透镜(未示出)使用传统透明粘附材料(未示出)贴附至透镜226的上表面。额外的透镜和/或透明粘附材料可以例如仅使得红外光谱中的光从其穿过。在该实施例的制造期间，掩模(未示出)放置在透镜314和额外透镜的上表面的至少一部分之上。形成了帽部402的封装层放置在印刷电路板衬底408的上表面的暴露部分上，以及每个半导体裸片606、透镜314和额外透镜的上表面和侧表面的至少一部分上。
图5是根据一个实施例的通信装置500的结构图。通信装置500包括邻近传感器502、控制器504和显示装置506。在一个实施例中，通信装置500是蜂窝电话，邻近传感器502是图4A和图4B中所示邻近传感器400，以及显示装置506是触摸屏装置。如果邻近传感器502并未靠近使用者的身体，例如，邻近传感器502向控制器504输出第一信号，指示了从邻近传感器502输出的少量的光(如果存在)已经从使用者身体反射并且返回至邻近传感器502。当控制器504从邻近传感器502接收第一信号时，控制器504向显示装置506提供第一控制信号，其使能显示装置506和/或引起显示装置506的背光以输出预定的最大量的光。
邻近传感器502可以位于通信装置500的扬声器(未示出)附近。如果邻近传感器502位于使用者的身体(例如使用者的耳部)附近，邻近传感器502向控制器504输出第二信号，指示了从邻近传感器502输出的光的至少预定量已经从使用者身体反射并且返回至邻近传感器502。当控制器504从邻近传感器502接收第二信号时，控制器504向显示装置506提供第二控制信号，其禁用显示装置506和/或引起显示装置506的背光以输出预定的最小量的光。因此，邻近传感器502可以用于减小通信装置500的功耗。
图6A是根据一个实施例的邻近传感器600的顶视平面图。图6B是沿着图6A中所示线6B-6B获取的邻近传感器600的剖视图。邻近传感器600类似于图4A和图4B中所示邻近传感器400，除了发光组件安装在半导体裸片上之外，如以下详述。
邻近传感器600包括模制的帽部602，具有形成在其中的第一孔洞604和第二孔洞606。邻近传感器600也包括重布线层608，重布线层608包括衬底610。衬底610的上表面包括接触焊盘612的一部分。印刷电路板衬底608的下表面包括多个焊料凸块614，每个焊料与接触焊盘612的相应一个进行电学通信。
传统的半导体裸片616布置在印刷电路板衬底608的上表面上。半导体裸片616的上表面包括传感器区域618和多个接触焊盘620。邻近传感器600也包括如上所述的发光组件224。传统的导电粘附材料622形成了在发光组件224的印刷电路板衬底202的下表面上的每个接触焊盘206、与半导体裸片616的上表面上的接触焊盘620的相应接触焊盘之间的电连接。
传统的透镜626布置在半导体裸片616的传感器区域618之上。传统的透明粘附材料628将透镜626固定至半导体裸片616。每个透镜626和/或透明粘附材料628可以使得入射其上的大部分(如果并非所有)的光从其穿过。例如，透镜626和/或透明粘附材料628可以使得入射在透镜626和/或透明粘附材料628上的可见光谱中光或红外光谱中的光的至少85％从其穿过。附加地或者备选地，透镜626和/或透明粘附材料628可以用作防止预定光波长从其穿过的滤光器。例如，透镜626和/或透明粘附材料628可以防止入射其上的可见光谱中的光或红外光谱中的光从其穿过。
在邻近传感器600的制造期间，掩模(未示出)放置在透镜626和透镜226的上表面的至少一部分之上。形成了帽部602的封装层放置在印刷电路板衬底608的上表面的暴露部分上，以及每个半导体裸片616、接线624、透镜626和发光组件224的上表面和侧表面的至少一部分上。
图7A是根据一个实施例的邻近传感器700的顶视平面图。图7B是沿着图7A所示线7B-7B的邻近传感器700的剖视图。邻近传感器700类似于图4A和图4B中所示邻近传感器400，除了如以下详细所述的那样，发光组件并不包括印刷电路板衬底并且发光器件包括在其下表面上的多个接触焊盘之外。
邻近传感器700包括帽部702，具有形成在其中的第一孔洞704和第二孔洞706。帽部702由光不会从其穿过的传统材料形成。例如，帽部702可以由黑色材料形成。
邻近传感器700包括重布线层708，其包括衬底710。衬底710的上表面包括接触焊盘712的一部分。印刷电路板衬底710的下表面包括多个焊料凸块，每个焊料凸块与接触焊盘712中的相应接触焊盘进行电学通信。
传统的半导体裸片716布置在衬底710的上表面上。半导体裸片716包括在半导体裸片716的上表面上的传感器区域718和多个接触焊盘720。多个电连接器722在半导体裸片716中由传统的导电材料形成。每个电连接器722与半导体裸片716的上表面上的接触焊盘720之一进行电学通信。附加地，每个电连接器722从接触焊盘720之一穿过半导体裸片716延伸至其下表面，并且电耦合至包括在衬底710中的接触焊盘712之一。
传统的透镜724布置在半导体裸片716的传感器区域718之上。传统的透明粘附材料726将透镜724固定至半导体裸片716。
邻近传感器700也包括发光组件728。发光组件728包括传统的发光器件730。发光器件730的下表面包括多个接触焊盘732。每个接触焊盘732与衬底710上的相应接触焊盘712进行电学通信。传统的透镜734布置在发光器件730的发光区域之上。传统的透明粘附材料736将透镜734固定至发光器件730。
透镜724、透明粘附材料726、透镜734和/或透明粘附材料736可以使得入射其上的大部分(如果不是所有)的光从其穿过。例如，透镜724、透明粘附材料726、透镜734和/或透明粘附材料736可以使得入射其上的可见光谱中的光或红外光谱中的光的至少85％从其穿过。附加地或者备选地，透镜724、透明粘附材料726、透镜734和/或透明粘附材料736可以用作防止预定光波长从其穿过的滤光器。例如，透镜724、透明粘附材料726、透镜734和/或透明粘附材料736可以防止入射其上的可见光谱中的光或红外光谱中的光从其穿过。
在邻近传感器700的制造期间，掩模(未示出)放置在透镜724和透镜734的上表面的至少一部分之上。形成了帽部702的封装层被放置在衬底710的上表面的暴露部分上，以及每个半导体裸片716、透镜724、和透镜734的上表面和侧表面的至少一部分上，以及在发光组件728的侧表面上。
图8A是根据一个实施例的邻近传感器800的顶视平面图。图8B是沿着图8A中线8B-8B的邻近传感器800的剖视图。邻近传感器800类似于图7A和图7B中所示邻近传感器700，除了发光组件安装在半导体裸片上之外，如以下详述。
邻近传感器800包括帽部802，具有形成在其中的第一孔洞804和第二孔洞806。帽部802由光不会从其穿过的传统材料形成。例如，帽部802可以由黑色材料形成。
邻近传感器800包括重布线层808，其包括衬底810。衬底810的上表面包括接触焊盘812的一部分。印刷电路板衬底810的下表面包括多个焊料凸块814，每个焊料凸块与接触焊盘812的相应接触焊盘进行电学通信。
传统的半导体裸片816布置在衬底810的上表面上。半导体裸片816包括在半导体裸片816的上表面上的传感器区域818和多个接触焊盘820。多个电连接器822形成在半导体裸片816中。每个电连接器822与半导体裸片816的上表面上一个接触焊盘820进行电学通信。附加地，每个电连接器822从一个接触焊盘820穿过半导体裸片816延伸至其下表面，并且电耦合至包括在衬底810中的一个接触焊盘812。
传统的透镜824布置在半导体裸片816的传感器区域818之上。传统的透明粘附材料826将透镜824固定至半导体裸片816。
邻近传感器800也包括发光组件828。发光组件828包括传统的发光器件830。发光器件830的下表面包括多个接触焊盘832。每个接触焊盘832与半导体裸片816的上表面上的接触焊盘820中的相应接触焊盘进行电学通信。传统的透镜834布置在发光器件830的发光区域之上。传统透明粘附材料836将透镜834固定至发光器件830。附加地，传统导电粘附材料838形成了在发光器件830的下表面上每个接触焊盘832、与半导体裸片816的上表面上的接触焊盘820中的相应接触焊盘之间的电连接。
透镜824、透明粘附材料826、透镜834和/或透明粘附材料836可以使得入射其上的大部分(如果并非全部)的光从其穿过。例如，透镜824、透明粘附材料826、透镜834和/或透明粘附材料836可以使得入射其上的可见光谱中光或红外光谱中光的至少85％从其穿过。附加地或者备选地，透镜824、透明粘附材料826、透镜834和/或透明粘附材料836可以用作防止预定光波长从其穿过的滤光器。例如，透镜824、透明粘附材料826、透镜834和/或透明粘附材料836可以防止入射其上的可见光谱中光或红外光谱中光从其穿过。
在邻近传感器800的制造期间，掩模(未示出)放置在透镜824和透镜834的上表面的至少一部分之上。形成了帽部802的封装层放置在衬底810的上表面上，在每个半导体裸片816、透镜824和透镜834的上表面和侧表面的至少一部分上，以及在发光组件828的侧表面上。
如上所述的各个实施例可以组合以提供另外的实施例。在此全文引用涉及该说明书的和/或申请数据表中列出的所有美国专利、美国专利申请公开、美国专利申请、外国专利、外国专利申请以及非专利公开以作参考。可如果需要的话以修改实施例的特征方面，以提供各个专利、申请和公开的概念以提供另外其他实施例。
在上述详述说明书教导下可以对实施例做出这些和其他改变。通常，在以下权利要求中，使用的术语不应构造为将权利要求限制为说明书和权利要求书中所述的具体实施例，而是应该构造为包括所有可能的实施例以及与这些权利要求等价的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims (21)

1.一种用于提供电子装置的方法，包括：
在第一粘附层上放置半导体裸片，所述半导体裸片包括在所述半导体裸片的第一侧上的传感器区域，所述半导体裸片的第一侧背离所述第一粘附层；
在所述半导体裸片的所述传感器区域之上放置第一透镜；
在所述第一粘附层之上放置发光组件，所述发光组件包括具有发光区域的发光器件以及位于所述发光区域之上的第二透镜，所述发光区域背离所述第一粘附层；
在所述半导体裸片、所述第一透镜和所述发光组件上至少部分地形成封装层以形成具有第一侧的邻近传感器组件，所述第一侧背离所述第一粘附层；
从所述第一粘附层分离所述邻近传感器组件；
在第二粘附层上放置所述邻近传感器组件，所述邻近传感器组件的所述第一侧面对所述第二粘附层；以及
在所述邻近传感器组件的第二侧上形成重布线层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述重布线层包括：
在所述半导体裸片和所述封装层上形成第一介电层；
在所述第一介电层中形成多个第一开口，所述多个第一开口中的每个开口叠置所述半导体裸片的多个第一接触焊盘中的相应接触焊盘；
在所述第一介电层和所述多个第一接触焊盘之上形成导电层；
由所述导电层形成多个第二接触焊盘；
在所述第一介电层和所述多个第二接触焊盘上形成第二介电层；
在所述第一介电层中形成多个第二开口，所述多个第二开口的每个开口叠置所述多个第二接触焊盘中的相应接触焊盘；以及
形成多个第三接触焊盘，所述多个第三接触焊盘中的每个接触焊盘形成在所述多个第二接触焊盘中的相应接触焊盘上。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个第三接触焊盘中的每个接触焊盘包括焊料凸块。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述重布线层包括：
在所述重布线层与所述半导体裸片之间形成多个电连接，所述多个电连接中的每个电连接使得所述多个第一接触焊盘中的一个接触焊盘与所述多个第二接触焊盘中的相应接触焊盘进行电学通信。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述半导体裸片和所述封装层上形成所述第一介电层包括在所述发光组件上形成所述第一介电层。
6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：
在所述第一介电层中形成多个第三开口，所述多个第三开口的中的每个开口叠置所述发光组件的所述多个第三接触焊盘中的相应接触焊盘；以及
在所述多个第三接触焊盘上形成所述导电层。
7.根据权利要求1所述的方法，包括：在所述第一粘附层上放置所述发光组件。
8.根据权利要求1所述的方法，包括：在所述半导体裸片上放置所述发光组件。
9.根据权利要求8所述的方法，包括：
在所述发光组件和所述半导体裸片之间形成多个电连接，所述多个电连接中的每个电连接使得在所述发光组件的下表面上的多个第一接触焊盘中的一个接触焊盘与在所述半导体裸片的上表面上的多个第二接触焊盘中的相应接触焊盘进行电学通信。
10.根据权利要求1所述的方法，包括：
在第一侧上具有多个第一接触焊盘的衬底之上放置所述发光器件；
在所述多个第一接触焊盘中的每个第一接触焊盘与所述发光器件的多个第二接触焊盘中的相应接触焊盘之间形成多个电连接；
在所述衬底、所述发光器件、以及所述多个电连接中的至少一个电连接之上形成透明层以形成所述第二透镜。
11.根据权利要求1所述的方法，包括：
从所述第二粘附层移除所述邻近传感器组件。
12.根据权利要求1所述的方法，包括：
在所述半导体裸片的上表面上的至少一个第一接触焊盘与所述发光组件的下表面上的至少一个第二接触焊盘之间形成至少一个电连接。
13.一种电子装置，包括：
半导体裸片，包括在所述半导体裸片的第一表面上的传感器区域、以及在所述半导体裸片的所述第一表面上的多个第一接触焊盘；
重布线层，包括在所述重布线层的第一侧上的多个第二接触焊盘，所述半导体裸片叠置所述重布线层；
多个第一电连接器，使得所述多个第一接触焊盘中的每个接触焊盘与所述多个第二接触焊盘中的相应接触焊盘进行电学通信；
第一透镜，位于所述半导体裸片的所述传感器区域之上；
发光组件，包括具有发光区域的发光器件，位于所述发光区域之上的第二透镜，以及面对所述重布线层的多个第三接触焊盘，所述发光组件与所述重布线层和所述半导体裸片电连通；以及
封装层，位于所述重布线层上并且至少部分地封装了所述半导体裸片、所述第一透镜和所述发光组件。
14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述多个第一电连接器中的每个电连接器从所述多个第一接触焊盘中的相应接触焊盘穿过所述半导体裸片和所述重布线层延伸至所述多个第二接触焊盘中的相应接触焊盘。
15.根据权利要求13所述的装置，其中，所述多个第一接触焊盘中的每个接触焊盘位于所述多个第二接触焊盘中的相应接触焊盘之上。
16.根据权利要求13所述的装置，其中，所述多个第二接触焊盘中的一个接触焊盘与所述多个第一接触焊盘中的一个接触焊盘以及所述多个第三接触焊盘中的一个接触焊盘进行电学通信。
17.根据权利要求13所述的装置，其中，所述发光组件包括：
衬底，包括：
所述多个第三接触焊盘，位于所述衬底的第一侧上，
多个第四接触焊盘，位于所述衬底的第二侧上，以及
多个导电迹线，每个导电迹线在所述衬底中延伸并且使得所述多个第三接触焊盘和所述多个第四接触焊盘中的两个或多个接触焊盘进行电学通信，
多个第五接触焊盘；以及
多个第二电连接器，使得所述多个第四接触焊盘中的每个接触焊盘与所述多个第五接触焊盘中的相应接触焊盘进行电学通信。
18.根据权利要求17所述的装置，其中，所述第二透镜位于所述多个第二电连接器中的至少一个上。
19.根据权利要求13所述的装置，其中，所述发光组件位于所述半导体裸片之上。
20.根据权利要求13所述的装置，进一步包括多个第四接触焊盘，所述多个第四接触焊盘中的每个接触焊盘与所述多个第二接触焊盘中的相应接触焊盘进行电学通信。
21.根据权利要求20所述的装置，其中，所述多个第四接触焊盘中的每个接触焊盘是焊料凸块。
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