JP2002313825A

JP2002313825A - ベアチップ実装方法及びベアチップ処理装置

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Publication number: JP2002313825A
Application number: JP2001113878A
Authority: JP
Inventors: Akimasa Okaji; 昭昌岡地; Nobuhiro Hanai; 信洋花井; Toshihiro Murayama; 敏宏村山; Noriyuki Honda; 位行本多
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-04-12
Filing date: 2001-04-12
Publication date: 2002-10-25

Abstract

(57)【要約】【課題】ベアチップの半導体基板面とコーティングされ
た樹脂との間の密着性を向上させ得るベアチップ実装方
法を提供する。【解決手段】本発明のベアチップ実装方法においては、
基板４０に表面実装されたベアチップ４２の半導体基板
面４３に非接触洗浄処理を施し、非接触洗浄処理に連続
して少なくともベアチップ４２の半導体基板面４３に樹
脂コーティング処理４６を施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ベアチップ実装方
法及びベアチップ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】部品実装密度の増加に伴い、ベアチップ
の使用が進められている。ここで、ベアチップとは、ウ
エハを個々の素子単位に分割した半導体チップを指し、
パッケージに封止されていないものである。通常、ベア
チップは、ワイヤボンディング方式やフェースダウンボ
ンディング方式にて基板に実装される。更に、基板のベ
アチップが実装された部分は樹脂で被覆される。そし
て、この基板は、例えばマザーボードに取り付けられ、
あるいは又、ＬＳＩ内蔵基板として用いられる。

【０００３】フェースダウンボンディング方式にてベア
チップを基板に実装した状態においては、ベアチップの
半導体基板面（ウエハの裏面に相当する）が露出してい
る。それ故、プラズマ洗浄処理や紫外線照射洗浄処理と
いった非接触洗浄処理法に基づきベアチップの半導体基
板面を洗浄する。その後、スクリーン印刷法やディスペ
ンサ法に基づき、露出したベアチップの半導体基板面を
含むベアチップ全体に対して樹脂コーティング処理を行
う。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の技術
においては、ベアチップの半導体基板面を洗浄処理した
後、樹脂コーティング処理を行うまで、ベアチップの半
導体基板面は、長時間、外気に晒されている。その結
果、ベアチップの半導体基板面の状態が劣化し、本来の
洗浄効果が低下してしまう。このような洗浄効果の低下
は、ベアチップの半導体基板面とコーティングされた樹
脂との間の密着性の低下をもたらす。特に、ＬＳＩ内蔵
基板にあっては、ベアチップの半導体基板面とコーティ
ングされた樹脂との間の密着性の向上は、信頼性の観点
から重要である。

【０００５】また、ベアチップの半導体基板面上にコー
ティングされた樹脂の厚さは、通常、０．１〜０．３ｍ
ｍ程度と厚い。このように樹脂の厚さが厚いと、ＬＳＩ
内蔵基板全体の厚さが厚くなってしまうといった問題が
ある。然るに、従来の技術においては、ベアチップの半
導体基板面とコーティングされた樹脂との間の密着性の
観点から、樹脂の厚さを薄くすることは困難である。

【０００６】従って、本発明の目的は、ベアチップの半
導体基板面とコーティングされた樹脂との間の密着性を
向上させ得るベアチップ実装方法、及び、ベアチップ処
理装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のベアチップ実装方法は、基板に表面実装さ
れたベアチップの半導体基板面に非接触洗浄処理を施
し、非接触洗浄処理に連続して少なくともベアチップの
半導体基板面に樹脂コーティング処理を施すことを特徴
とする。

【０００８】本発明のベアチップ実装方法においては、
非接触洗浄処理に連続して少なくともベアチップの半導
体基板面に樹脂コーティング処理を施すので、半導体基
板面が清浄な状態での樹脂コーティング処理が可能とな
り、半導体基板面と樹脂との間の密着性の向上を図るこ
とができる。

【０００９】尚、樹脂は、ベアチップの半導体基板面上
から基板上にかけてコーティングされていてもよい。

【００１０】本発明のベアチップ実装方法における非接
触洗浄処理として、減圧あるいは大気圧雰囲気における
プラズマ洗浄処理、若しくは、紫外線照射洗浄処理を挙
げることができる。プラズマ洗浄処理にあっては、例え
ば平行平板プラズマ装置を使用し、アルゴン（Ａｒ）ガ
スを放電用ガスとして用い、スパッタ作用によってベア
チップの半導体基板面上の汚染物の除去、半導体基板面
の活性化、親水性の付与を行うことができる。また、紫
外線照射洗浄処理にあっては、例えば、低圧水銀灯から
の１８５ｎｍや２５４ｎｍの波長の紫外線によって酸素
を励起させ、生成するオゾンや発生期状態の酸素によっ
て有機性の汚染物を分解、酸化除去し、また、半導体基
板面の活性化、親水性の付与を行うことができる。

【００１１】本発明のベアチップ実装方法にあっては、
樹脂コーティング処理をスクリーン印刷法若しくはディ
スペンサ法に基づき行うことが好ましい。尚、これらの
方法は周知の方法とすることができる。

【００１２】更には、本発明のベアチップ実装方法にあ
っては、非接触洗浄処理後の半導体基板面を外気に晒す
こと無く、少なくともベアチップの半導体基板面に樹脂
コーティング処理を施すことが好ましく、そのために
は、非接触洗浄処理及び樹脂コーティング処理を同一処
理室内で行うことが望ましい。尚、処理室の雰囲気は、
採用する非接触洗浄方法に依存する。即ち、非接触洗浄
処理を減圧雰囲気で行う場合には、樹脂コーティング処
理も減圧雰囲気で行えばよいし、非接触洗浄処理を大気
圧雰囲気で行う場合には、樹脂コーティング処理も大気
圧雰囲気で行えばよい。また、非接触洗浄処理を不活性
ガス雰囲気で行う場合には、樹脂コーティング処理も不
活性ガス雰囲気で行えばよい。

【００１３】上記の目的を達成するための本発明のベア
チップ処理装置は、（Ａ）減圧雰囲気とし得る処理室
と、（Ｂ）該処理室内に配設され、ベアチップが実装さ
れた基板を載置するステージと、（Ｃ）該処理室内に配
設され、ベアチップの半導体基板面を洗浄するためのプ
ラズマ洗浄装置と、（Ｄ）該処理室内に配設され、少な
くともベアチップの半導体基板面に樹脂コーティング処
理を施すためのディスペンサ装置、を備えていることを
特徴とする。

【００１４】本発明のベアチップ処理装置においては、
プラズマ洗浄に連続して少なくともベアチップの半導体
基板面に樹脂コーティング処理を施すので、半導体基板
面が清浄な状態での樹脂コーティングが可能となり、半
導体基板面と樹脂との間の密着性の向上を図ることがで
きる。

【００１５】プラズマ洗浄装置として、例えば平行平板
電極を備え、アルゴン（Ａｒ）ガスを放電用ガスとして
用い、スパッタ作用によってベアチップの半導体基板面
上の汚染物を除去する装置を例示することができる。
尚、この場合には、一方の電極がステージに相当する。
ディスペンサ装置は、周知のディスペンサ装置とするこ
とができる。

【００１６】尚、本発明のベアチップ実装方法を実施す
るためのベアチップ処理装置は、本発明のベアチップ処
理装置に限定されない。

【００１７】本発明における基板として、片面あるいは
両面に配線が形成されたリジッド基板、メタルコア基
板、メタルベース基板、セラミックス基板を例示するこ
とができる。これらの各種の基板の製造方法は従来の方
法とすればよい。リジッド基板を構成する基材の構成
は、本質的には任意であり、例えば、ガラス布／エポキ
シ樹脂、ガラス不織布／エポキシ樹脂、ガラス布／ガラ
ス不織布／エポキシ樹脂、合成繊維／エポキシ樹脂、ガ
ラス布／ポリイミド樹脂、ガラス布／変性ポリイミド樹
脂、ガラス布／エポキシ変性ポリイミド樹脂、ガラス布
／ビスマレイミド／トリアジン／エポキシ樹脂、ガラス
布／フッ素系樹脂、ガラス布／ＰＰＯ（ポリフェニレン
オキサイド）樹脂、ガラス布／ＰＰＥ（ポリフェニレン
エーテル）樹脂の組合せを例示することができる。配線
は、配線に要求される仕様に基づき、例えば、７０μｍ
厚、３５μｍ厚、１８μｍ厚、１２μｍ厚、９μｍ厚の
銅箔にエッチング加工を行って形成してもよいし、この
ような厚さの銅箔にパネルメッキを施した後、エッチン
グ加工を施すサブトラクト法にて形成してもよく、更に
は、このような厚さの銅箔にパターンメッキを施した
後、エッチング加工を施すセミアディティブ法や、基材
上に直接パターンメッキを行うフルアディティブ法にて
形成してもよい。

【００１８】ベアチップの実装方式として、はんだ接合
を用いるフリップチップ方式、はんだを用いずにベアチ
ップ電極に設けられた金属バンプと基板回路とを導電性
樹脂や異方性導電樹脂を用いて電気的に接続する方法、
絶縁性の熱硬化型樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂を用
い、これらの樹脂の収縮応力によりベアチップを圧着す
るマイクロバンプボンディング方式を挙げることができ
る。また、接着剤を用いずに、超音波を用いて金属バン
プと基板回路を金属結合させて電気的に接続させる方式
も可能である。

【００１９】ベアチップが実装された基板それ自体がプ
リント配線板として機能する形態もあるし、ベアチップ
が実装された基板がＣＳＰ（Chip Scale Package ある
いはChip Size Package）として機能し、この基板をマ
ザーボード（プリント配線板）に取り付ける形態もある
し、ＣＳＰをマルチチップモジュール（ＭＣＭ）化し、
かかるモジュールをマザーボード（プリント配線板）に
取り付ける形態もある。あるいは又、ベアチップが実装
された基板上に、絶縁層及び配線層を積層することによ
り、ＬＳＩ内蔵基板として用いることもできる。

【００２０】本発明における樹脂として、エポキシ系樹
脂やシリコーン系樹脂、フェノール系樹脂といった各種
熱硬化性樹脂、液晶ポリマー系樹脂、フッ素系樹脂、熱
可塑性ポリイミド樹脂、ポリエーテルサルフォン（ＰＥ
Ｓ）樹脂といった各種熱可塑性樹脂、エポキシ系樹脂、
感光性ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）
樹脂といった各種紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂を挙げるこ
とができる。樹脂には、フィラー等の各種添加物が添加
されていてもよい。

【００２１】樹脂の線膨張率αは、半導体基板の線膨張
率よりも大きく、基板の線膨張率よりも小さいことが望
ましく、具体的には、例えば、熱硬化性樹脂を用いる場
合、硬化後のガラス転移点以下の温度における線膨張率
が５〜６０×１０^-6／゜Ｃ程度であることが望ましい。
このような線膨張率を有する樹脂を用いることによっ
て、半導体基板と基板とが直接接触する場合と比較し
て、熱ストレスによって発生する応力の緩和を図ること
ができ、ベアチップが実装された基板の信頼性の向上を
図ることができる。

【００２２】また、実装完了後における樹脂の厚さ（即
ち、熱硬化性樹脂や紫外線硬化型樹脂を用いる場合、硬
化後の樹脂の厚さ、また、熱可塑性樹脂を用いる場合、
乾燥後の樹脂の厚さ）は、５×１０^-6ｍ以上であって５
×１０^-5ｍ以下とすることが好ましい。樹脂と半導体基
板面との密着性が向上するが故に、従来よりも１／２以
下の樹脂厚とすることが可能となる。そして、樹脂厚を
このように薄くできるが故に、ＬＳＩ内蔵基板全体の厚
さが厚くなってしまうといった問題の発生を回避するこ
とができる。

【００２３】半導体基板として、シリコン半導体基板や
化合物半導体基板を挙げることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、発明の実
施の形態（以下、実施の形態と略称する）に基づき本発
明を説明する。

【００２５】（実施の形態１）本発明のベアチップ実装
方法の実施に適したベアチップ処理装置の概念図を図１
に示す。基板４０は、片面に配線、電極部４１が形成さ
れたガラスエポキシ基板から構成されている。ベアチッ
プ４２は、例えば、バンプ４４を用いたフリップチップ
方式にて基板４０に設けられた電極部４１に取り付けら
れて、基板４０に実装されている。ベアチップ４２と基
板４０との間には、接着用樹脂４５を介在させてもよ
い。

【００２６】ベアチップ処理装置は、処理室１０と、ベ
アチップ４２が実装された基板４０を載置するステージ
１１Ａ，１１Ｂと、ベアチップ４２の半導体基板面４３
を洗浄するためのプラズマ洗浄装置２０と、少なくとも
ベアチップ４２の半導体基板面４３に樹脂コーティング
処理を施すためのディスペンサ装置３０から構成されて
いる。ステージ１１Ａ，１１Ｂ、プラズマ洗浄装置２０
及びディスペンサ装置３０は、処理室１０内に配設され
ている。更には、プラズマ洗浄装置２０及びステージ１
１Ａと、ディスペンサ装置３０及びステージ１１Ｂと
は、処理室１０内で異なる領域、即ち、処理部１０Ａ及
び処理部１０Ｂに配設されている。プラズマ洗浄装置２
０は平行平板電極方式であり、一方の平行平板電極２１
は、処理部１０Ａの上部に配設されている。また、ステ
ージ１１Ａは、他方の平行平板電極を兼ねており、高周
波電源２２に接続されている。プラズマ洗浄装置２０
は、減圧下で動作する方式であってもよいし、大気圧雰
囲気にて動作する方式であってもよいが、実施の形態１
においては後者の方式を採用した。処理部１０Ａには、
処理部１０Ａにアルゴンガスを導入するための配管２３
が設けられている。

【００２７】実施の形態１のベアチップ実装方法におい
ては、先ず、基板４０に表面実装されたベアチップ４２
の半導体基板面４３に非接触洗浄処理、具体的には、プ
ラズマ洗浄処理を施す。具体的には、扉を介して搬送手
段（これらは図示せず）によって基板４０を処理室１０
に搬入し、ステージ１１Ａに載置する。そして、表１に
例示する条件にてプラズマ洗浄処理を行う。

【００２８】［表１］アルゴンガス流量：５ミリリットル／分処理部１０Ａの圧力：大気圧高周波電源出力：５００Ｗ洗浄時間：１０〜１２０秒

【００２９】その後、ステージ１１Ａに載置された基板
４０を、図示しない搬送手段によってディスペンサ装置
３０の直下に位置するステージ１１Ｂ搬送する。そし
て、少なくともベアチップ４２の半導体基板面４２にデ
ィスペンサ装置３０を用いて樹脂コーティング処理を施
す。これによって、ベアチップ４２の半導体基板面４２
から基板４０の表面にかけて樹脂層４６を形成すること
ができる。こうして、非接触洗浄処理後の半導体基板面
を外気に晒すこと無く、少なくともベアチップ４２の半
導体基板面４３に樹脂コーティング処理を連続的に施す
ことができる。樹脂として、熱硬化性樹脂であるエポキ
シ系樹脂を用いた。尚、この樹脂の硬化後のガラス転移
点以下の温度における線膨張率は、約３０〜５０×１０
^-6／゜Ｃである。また、硬化後の樹脂層４６の厚さが２
０〜２５μｍとなるようにディスペンサ装置３０を設定
した。

【００３０】その後、ステージ１１Ｂに載置された基板
４０を搬送手段によって扉（これらは図示せず）を介し
て処理室１０から搬出し、硬化炉（図示せず）を用いて
樹脂層４６を硬化させる。

【００３１】尚、紫外線硬化型樹脂を用いる場合には、
基板４０を処理室１０から搬出した後、紫外線硬化装置
を用いて樹脂層４６を硬化させればよい。また、熱可塑
性樹脂を用いる場合には、基板４０を処理室１０から搬
出した後、乾燥装置を用いて樹脂層４６を乾燥させれば
よい。

【００３２】実施の形態１において、非接触洗浄処理と
して、プラズマ洗浄処理装置２０を用いたプラズマ洗浄
処理の代わりに、図２に概念図を示すように、紫外線照
射装置２４を用いた紫外線照射洗浄処理を行ってもよ
い。尚、図２中、参照番号２５は紫外線ランプ（例え
ば、低圧水銀灯）である。この紫外線ランプ２５から射
出された１８５ｎｍや２５４ｎｍの波長の紫外線によっ
てベアチップ４２の半導体基板面４３を照射すること
で、紫外線照射洗浄処理を行うことができる。

【００３３】あるいは又、実施の形態１において、樹脂
コーティング処理を、ディスペンサ装置３０を用いたデ
ィスペンサ法による代わりに、図３あるいは図４に概念
図を示すように、スクリーン印刷装置３１を用いたスク
リーン印刷法にて行ってもよい。尚、図３及び図４中、
参照番号３２はスクリーン、参照番号３３はスキージ、
参照番号４６Ａは印刷すべき樹脂である。

【００３４】（実施の形態２）実施の形態２は、本発明
のベアチップ処理装置及びベアチップ実装方法に関す
る。本発明のベアチップ処理装置の概念図を図５に示
す。このベアチップ処理装置は、処理室１０と、ベアチ
ップ４２が実装された基板４０を載置するステージ１１
と、ベアチップ４２の半導体基板面４３を洗浄するため
のプラズマ洗浄装置２０と、少なくともベアチップ４２
の半導体基板面４３に樹脂コーティング処理を施すため
のディスペンサ装置３０から構成されている。ステージ
１１、プラズマ洗浄装置２０及びディスペンサ装置３０
は、処理室１０内に配設されている。更には、実施の形
態１にて説明したベアチップ処理装置と異なり、プラズ
マ洗浄装置２０、ディスペンサ装置３０及びステージ１
１は、同じ領域に配設されている。即ち、プラズマ洗浄
装置２０とディスペンサ装置３０とは組み合わせて配置
されている。プラズマ洗浄装置２０は平行平板電極方式
であり、一方の平行平板電極２１は、処理室１０の上部
に配設されている。また、ステージ１１は、他方の平行
平板電極を兼ねており、高周波電源２２に接続されてい
る。実施の形態２にあっては、プラズマ洗浄装置２０
は、減圧下で動作する方式である。処理室１０には、処
理室１０にアルゴンガスを導入するための配管２３が設
けられている。

【００３５】実施の形態２のベアチップ実装方法におい
ては、先ず、基板４０に表面実装されたベアチップ４２
の半導体基板面４３に非接触洗浄処理、具体的には、プ
ラズマ洗浄処理を施す。具体的には、扉を介して搬送手
段（これらは図示せず）によって基板４０を処理室１０
に搬入し、ステージ１１Ａに載置する。そして、表２に
例示する条件にてプラズマ洗浄処理を行う。

【００３６】［表２］アルゴンガス流量：５ミリリットル／分処理室の圧力：１０Ｐａ高周波電源出力：５００Ｗ洗浄時間：１０〜１２０秒

【００３７】その後、ディスペンサ装置３０を作動させ
て、少なくともベアチップ４２の半導体基板面４２に樹
脂コーティング処理を施す。尚、処理室１０内は減圧状
態にあるので、ディスペンサ装置３０に設けられた開閉
機構（図示せず）を開くことによって、外部と処理室１
０内の圧力差に基づきディスペンサ装置３０から樹脂が
排出される。これによって、ベアチップ４２の半導体基
板面４２から基板４０の表面にかけて樹脂層４６を形成
することができる。こうして、非接触洗浄処理後の半導
体基板面を外気に晒すこと無く、少なくともベアチップ
４２の半導体基板面４３に樹脂コーティング処理を連続
的に施すことができる。尚、実施の形態２においては、
実施の形態１と同じ樹脂を使用した。また、硬化後の樹
脂層４６の厚さも、実施の形態１と同じとなるようにデ
ィスペンサ装置３０を設定した。

【００３８】その後、ステージ１１に載置された基板４
０を搬送手段によって扉（これらは図示せず）を介して
処理室１０から搬出し、硬化炉（図示せず）を用いて樹
脂層４６を硬化させる。尚、紫外線硬化型樹脂を用いる
場合には、基板４０を処理室１０から搬出した後、紫外
線硬化装置を用いて樹脂層４６を硬化させればよい。ま
た、熱可塑性樹脂を用いる場合には、基板４０を処理室
１０から搬出した後、乾燥装置を用いて樹脂層４６を乾
燥させればよい。

【００３９】以上、本発明を、発明の実施の形態に基づ
き説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。実施の形態にて説明したベアチップ処理装置の構
成、構造、ベアチップ実装方法の方法、条件は例示であ
り、適宜変更することができる。

【００４０】本発明のベアチップ実装方法によって得ら
れたベアチップ実装基板に基づき、ＬＳＩ内蔵基板を作
製することができる。具体的には、例えば、ベアチップ
実装基板の上及び下にプリプレグを積層し、これらのプ
リプレグの上及び下に銅張り積層板を積層し、かかる積
層体を加圧下、加熱することによって、プリプレグを硬
化させ、その後、穴開け加工、ビヤホールメッキを行
い、更に、エッチングによる配線形成を行うことで、Ｌ
ＳＩ内蔵基板を作製することができる。尚、ＬＳＩ内蔵
基板の製造方法は、このような製造方法に限定するもの
ではない。プリプレグの代わりに、ベアチップ実装基板
の上に絶縁層を印刷、硬化させて、その上に配線層を形
成する、所謂ビルドアップ多層基板製造方法を応用する
ことも可能である。また、層間接続をするためのビヤホ
ールの形成方法として、メッキ法による接続の他に、導
電性ペースト、はんだ、スタッドバンプを用いることも
可能である。

【００４１】

【発明の効果】本発明にあっては、ベアチップの半導体
基板面を洗浄処理した後、樹脂コーティング処理を行う
までの時間が短時間であるが故に、ベアチップの半導体
基板面の状態が劣化することを抑制でき、ベアチップの
半導体基板面とコーティングされた樹脂との間の密着性
の低下が生じることがないし、ベアチップの半導体基板
面とコーティングされた樹脂との間に異物等が混入する
といったこともない。従って、高い信頼性を得ることが
でき、特に、ＬＳＩ内蔵基板への適用に適している。ま
た、ベアチップの半導体基板面をコーティングする樹脂
の厚さを従来よりも薄くできるが故に、ＬＳＩ内蔵基板
の厚さに関する問題発生を回避できるし、ＬＳＩ内蔵基
板の設計自由度を高めることができる。また、適切な線
膨張率を有する樹脂を選択することによって、熱ストレ
スによって発生する応力を低下させることが可能とな
り、ベアチップが実装された基板の信頼性の向上を図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】１つの処理室内にプラズマ洗浄装置とディスペ
ンサ装置が配設された、本発明のベアチップ実装方法の
実施に適した装置の概念図である。

【図２】１つの処理室内に紫外線照射装置とディスペン
サ装置が配設された、本発明のベアチップ実装方法の実
施に適した装置の概念図である。

【図３】１つの処理室内にプラズマ洗浄装置とスクリー
ン印刷装置が配設された、本発明のベアチップ実装方法
の実施に適した装置の概念図である。

【図４】１つの処理室内に紫外線照射装置とスクリーン
印刷装置が配設された、本発明のベアチップ実装方法の
実施に適した装置の概念図である。

【図５】発明の実施の形態２における本発明のベアチッ
プ処理装置の概念図である。

【符号の説明】

１０・・・処理室、１０Ａ，１０Ｂ・・・処理部、１１
Ａ，１１Ｂ・・・ステージ、２０・・・プラズマ洗浄装
置、２１・・・平行平板電極、２２・・・高周波電源、
２３・・・配管、２４・・・紫外線照射装置、２５・・
・紫外線ランプ、３０・・・ディスペンサ装置、３１・
・・スクリーン印刷装置、３２・・・スクリーン、３３
・・・スキージ、４０・・・基板、４１・・・電極部、
４２・・・ベアチップ、４３・・・半導体基板面、４４
・・・バンプ、４５・・・接着用樹脂、４６・・・樹脂
層、４６Ａ・・・印刷すべき樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者村山敏宏東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者本多位行東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 5F061 AA01 CA05 CB12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に表面実装されたベアチップの半導体
基板面に非接触洗浄処理を施し、非接触洗浄処理に連続
して少なくともベアチップの半導体基板面に樹脂コーテ
ィング処理を施すことを特徴とするベアチップ実装方
法。
【請求項２】非接触洗浄処理は、プラズマ洗浄処理若し
くは紫外線照射洗浄処理であることを特徴とする請求項
１に記載のベアチップ実装方法。
【請求項３】樹脂コーティング処理を、スクリーン印刷
法若しくはディスペンサ法に基づき行うことを特徴とす
る請求項１に記載のベアチップ実装方法。
【請求項４】非接触洗浄処理後の半導体基板面を外気に
晒すこと無く、少なくともベアチップの半導体基板面に
樹脂コーティング処理を施すことを特徴とする請求項１
に記載のベアチップ実装方法。
【請求項５】非接触洗浄処理及び樹脂コーティング処理
を同一処理室内で行うことを特徴とする請求項４に記載
のベアチップ実装方法。
【請求項６】（Ａ）減圧雰囲気とし得る処理室と、（Ｂ）該処理室内に配設され、ベアチップが実装された
基板を載置するステージと、（Ｃ）該処理室内に配設され、ベアチップの半導体基板
面を洗浄するためのプラズマ洗浄装置と、（Ｄ）該処理室内に配設され、少なくともベアチップの
半導体基板面に樹脂コーティング処理を施すためのディ
スペンサ装置、を備えていることを特徴とするベアチッ
プ処理装置。