JP2002303872A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JP2002303872A JP2002303872A JP2001110449A JP2001110449A JP2002303872A JP 2002303872 A JP2002303872 A JP 2002303872A JP 2001110449 A JP2001110449 A JP 2001110449A JP 2001110449 A JP2001110449 A JP 2001110449A JP 2002303872 A JP2002303872 A JP 2002303872A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】入射光を効率よく反射し、暗所および明所のい
ずれでも良好な視認性が得られる液晶表示装置およびそ
の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 液晶層２０を挟んで互いに対向配置され
たアレイ基板３０および対向基板４０を備え、アレイ基
板は、絶縁基板１上にマトリックス状に形成された複数
の第１配線および複数の第２配線と、第１配線と第２配
線との交差部にそれぞれ接続された複数のＴＦＴ７と、
ＴＦＴ上に形成された層間絶縁膜６と、それぞれ層間絶
縁膜上に形成されているとともにＴＦＴに接続された複
数の画素電極と、を備えている。各画素電極は、透明電
極１１および反射電極１０を有している。透明電極は、
透過領域５２ａおよび多数の島状にパターニングされた
凹凸領域５２ｂを有し、反射電極は、凹凸領域に重ねて
層間絶縁膜上に形成されている。
ずれでも良好な視認性が得られる液晶表示装置およびそ
の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 液晶層２０を挟んで互いに対向配置され
たアレイ基板３０および対向基板４０を備え、アレイ基
板は、絶縁基板１上にマトリックス状に形成された複数
の第１配線および複数の第２配線と、第１配線と第２配
線との交差部にそれぞれ接続された複数のＴＦＴ７と、
ＴＦＴ上に形成された層間絶縁膜６と、それぞれ層間絶
縁膜上に形成されているとともにＴＦＴに接続された複
数の画素電極と、を備えている。各画素電極は、透明電
極１１および反射電極１０を有している。透明電極は、
透過領域５２ａおよび多数の島状にパターニングされた
凹凸領域５２ｂを有し、反射電極は、凹凸領域に重ねて
層間絶縁膜上に形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に、バックライトからの光および外光を利用して
画像表示を行う半透過型の液晶表示装置、およびその製
造方法に関する。
し、特に、バックライトからの光および外光を利用して
画像表示を行う半透過型の液晶表示装置、およびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の半透過型の液晶表示装置は、複
数の配線および画素電極等がマトリックスス状に形成さ
れたアレイ基板と、このアレイ基板と対向配置された対
向基板と、を備え、これらアレイ基板と対向基板との間
には液晶層が封入されている。各画素電極は、透明電極
および反射電極によって形成されている。そして、画像
表示時、反射電極により外光等を反射するとともに、透
明電極の領域では下方に設置されたバックライトからの
光を透過させることにより表示を行う。従って、半透過
型の液晶表示装置では、バックライトの光と外光とを利
用して明るい表示が得られる。
数の配線および画素電極等がマトリックスス状に形成さ
れたアレイ基板と、このアレイ基板と対向配置された対
向基板と、を備え、これらアレイ基板と対向基板との間
には液晶層が封入されている。各画素電極は、透明電極
および反射電極によって形成されている。そして、画像
表示時、反射電極により外光等を反射するとともに、透
明電極の領域では下方に設置されたバックライトからの
光を透過させることにより表示を行う。従って、半透過
型の液晶表示装置では、バックライトの光と外光とを利
用して明るい表示が得られる。
【０００３】しかしながら、外光の反射光で表示を行な
う場合、単一の液晶層を有した液晶表示装置の反射部と
透過部との位相差を実際の光路に即して考えると、反射
部を通る光の光路は透過部を通る光の光路の２倍となっ
てしまい、実用的な表示モードが存在しない問題があ
る。
う場合、単一の液晶層を有した液晶表示装置の反射部と
透過部との位相差を実際の光路に即して考えると、反射
部を通る光の光路は透過部を通る光の光路の２倍となっ
てしまい、実用的な表示モードが存在しない問題があ
る。
【０００４】そこで、例えば、特開平１１−２８１９９
２号公報には、アレイ基板に設けられている絶縁層の膜
厚を調整することによって、液晶層の層厚を制御し、反
射部および透過部の光学特性を整合させた液晶表示装置
が開示されている。すなわち、この液晶表示装置によれ
ば、反射電極および透明電極は絶縁層上に直接形成さ
れ、互いに接続されている。また、絶縁層の表面の一部
にはなだらかな凹凸部が形成され、その上に反射電極が
形成されている。これにより、反射電極の表面も凹凸部
を形成している。
２号公報には、アレイ基板に設けられている絶縁層の膜
厚を調整することによって、液晶層の層厚を制御し、反
射部および透過部の光学特性を整合させた液晶表示装置
が開示されている。すなわち、この液晶表示装置によれ
ば、反射電極および透明電極は絶縁層上に直接形成さ
れ、互いに接続されている。また、絶縁層の表面の一部
にはなだらかな凹凸部が形成され、その上に反射電極が
形成されている。これにより、反射電極の表面も凹凸部
を形成している。
【０００５】このような構成によれば、絶縁層の膜厚を
変化させることにより、反射画素部と透過画素部とで液
晶層の層厚を制御でき、両領域間の光学特性を整合させ
ることが可能となる。また、反射電極の表面で入射光を
効率よく反射させることができる。
変化させることにより、反射画素部と透過画素部とで液
晶層の層厚を制御でき、両領域間の光学特性を整合させ
ることが可能となる。また、反射電極の表面で入射光を
効率よく反射させることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに絶縁層の表面になだらかな凸凹部を形成し、その上
に反射電極を形成する構成では、充分な凹凸を形成する
ことが難しく反射光の散乱を制御しにくい。特に、絶縁
層の膜厚が薄い場合、凸凹部の形成が困難となる。
うに絶縁層の表面になだらかな凸凹部を形成し、その上
に反射電極を形成する構成では、充分な凹凸を形成する
ことが難しく反射光の散乱を制御しにくい。特に、絶縁
層の膜厚が薄い場合、凸凹部の形成が困難となる。
【０００７】この発明は以上の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、入射光を効率よく反射し、暗所および
明所のいずれでも良好な視認性が得られる液晶表示装置
およびその製造方法を提供することにある。
で、その目的は、入射光を効率よく反射し、暗所および
明所のいずれでも良好な視認性が得られる液晶表示装置
およびその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る液晶表示装置は、液晶層を挟んで互
いに対向配置されたアレイ基板および対向基板を備え、
上記アレイ基板は、絶縁基板上にマトリックス状に形成
された複数の第１配線および複数の第２配線と、第１配
線と第２配線との交差部にそれぞれ接続された複数のス
イッチング素子と、上記スイッチング素子上に形成され
た絶縁膜と、それぞれ上記絶縁膜上に形成されていると
ともに上記スイッチング素子に接続された複数の画素電
極と、を備えている。そして、各画素電極は、透過領域
および多数の島状にパターニングされた凹凸領域を有し
上記絶縁膜上に形成された透明電極と、上記凹凸領域に
重ねて上記絶縁膜上に形成された反射電極と、を備えて
いることを特徴としている。
め、この発明に係る液晶表示装置は、液晶層を挟んで互
いに対向配置されたアレイ基板および対向基板を備え、
上記アレイ基板は、絶縁基板上にマトリックス状に形成
された複数の第１配線および複数の第２配線と、第１配
線と第２配線との交差部にそれぞれ接続された複数のス
イッチング素子と、上記スイッチング素子上に形成され
た絶縁膜と、それぞれ上記絶縁膜上に形成されていると
ともに上記スイッチング素子に接続された複数の画素電
極と、を備えている。そして、各画素電極は、透過領域
および多数の島状にパターニングされた凹凸領域を有し
上記絶縁膜上に形成された透明電極と、上記凹凸領域に
重ねて上記絶縁膜上に形成された反射電極と、を備えて
いることを特徴としている。
【０００９】また、この発明に係る液晶表示装置の製造
方法は、アレイ基板の絶縁基板上に絶縁膜に重ねて透明
電極材料を成膜し、上記透明電極材料をパターニングし
て、それぞれ透過領域および多数の島状にパターニング
された凹凸領域を有する複数の透明電極を形成し、上記
各透明電極の凹凸領域に重ねて上記絶縁膜上に反射電極
材料を成膜して反射電極を形成し、それぞれ透明電極お
よび反射電極を有した複数の画素電極を形成することを
特徴としている。
方法は、アレイ基板の絶縁基板上に絶縁膜に重ねて透明
電極材料を成膜し、上記透明電極材料をパターニングし
て、それぞれ透過領域および多数の島状にパターニング
された凹凸領域を有する複数の透明電極を形成し、上記
各透明電極の凹凸領域に重ねて上記絶縁膜上に反射電極
材料を成膜して反射電極を形成し、それぞれ透明電極お
よび反射電極を有した複数の画素電極を形成することを
特徴としている。
【００１０】上記のように構成された液晶表示装置およ
びその製造方法によれば、多数の島状を有した凹凸領域
を透明電極にパターニングした後、この凹凸領域に重ね
て反射電極を設けることにより、反射電極の表面に島状
に対応した凹凸部が形成される。このような透明電極の
凹凸部を利用することにより、反射電極の凹凸部を充分
な高さおよびピッチに形成することが可能となる。従っ
て、反射電極により反射光を適度な方向へ散乱させるこ
とができ、同時に、反射光の散乱を制御し最適化するこ
とができる。更に、上記構成にすれば、絶縁膜の膜厚が
薄く形成されている場合でも、反射電極表面の凸凹部を
容易に、かつ、充分な高さに形成することができる。こ
れにより、外光を利用して反射型表示装置として動作さ
せる場合、およびバックライト等の光源を利用して透過
型表示装置として動作させる場合のいずれにおいても、
充分な輝度およびコントラスト比を確保でき、暗所でも
明所でも良好な視認性が得られる液晶表示装置およびそ
の製造方法を提供することができる。
びその製造方法によれば、多数の島状を有した凹凸領域
を透明電極にパターニングした後、この凹凸領域に重ね
て反射電極を設けることにより、反射電極の表面に島状
に対応した凹凸部が形成される。このような透明電極の
凹凸部を利用することにより、反射電極の凹凸部を充分
な高さおよびピッチに形成することが可能となる。従っ
て、反射電極により反射光を適度な方向へ散乱させるこ
とができ、同時に、反射光の散乱を制御し最適化するこ
とができる。更に、上記構成にすれば、絶縁膜の膜厚が
薄く形成されている場合でも、反射電極表面の凸凹部を
容易に、かつ、充分な高さに形成することができる。こ
れにより、外光を利用して反射型表示装置として動作さ
せる場合、およびバックライト等の光源を利用して透過
型表示装置として動作させる場合のいずれにおいても、
充分な輝度およびコントラスト比を確保でき、暗所でも
明所でも良好な視認性が得られる液晶表示装置およびそ
の製造方法を提供することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながらこの発
明の実施の形態に係る液晶表示装置について詳細に説明
する。図１および図２に示すように、液晶表示装置は、
液晶層２０を挟んで互いに対向配置されたアレイ基板３
０および対向基板４０を備えている。アレイ基板３０は
ガラス等からなる透明な絶縁基板１を備え、この絶縁基
板１上には、複数のゲート配線２と複数のソース配線８
とがほぼ直交するようにマトリックスス状に設けられて
いる。ソース配線８は絶縁膜３を介してゲート配線２上
に配設されている。ゲート配線２とソース配線８との交
差部近傍には、スイッチング素子として薄膜トランジス
タ（以下、ＴＦＴと称する）７が設けられている。
明の実施の形態に係る液晶表示装置について詳細に説明
する。図１および図２に示すように、液晶表示装置は、
液晶層２０を挟んで互いに対向配置されたアレイ基板３
０および対向基板４０を備えている。アレイ基板３０は
ガラス等からなる透明な絶縁基板１を備え、この絶縁基
板１上には、複数のゲート配線２と複数のソース配線８
とがほぼ直交するようにマトリックスス状に設けられて
いる。ソース配線８は絶縁膜３を介してゲート配線２上
に配設されている。ゲート配線２とソース配線８との交
差部近傍には、スイッチング素子として薄膜トランジス
タ（以下、ＴＦＴと称する）７が設けられている。
【００１２】２本のゲート配線２と２本のソース配線８
とで囲まれる領域には、それぞれ画素電極５０が設けら
れ、各画素電極はＴＦＴ７を介してゲート配線２とソー
ス配線８との交差部に接続されている。各画素電極５０
はほぼ矩形状に形成され、１画素を構成している。
とで囲まれる領域には、それぞれ画素電極５０が設けら
れ、各画素電極はＴＦＴ７を介してゲート配線２とソー
ス配線８との交差部に接続されている。各画素電極５０
はほぼ矩形状に形成され、１画素を構成している。
【００１３】ＴＦＴ７は、絶縁基板１上にゲート配線２
と一体に形成されたゲート電極１６と、このゲート電極
上に絶縁膜３を介して設けられアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）からなる半導体膜４と、を備えている。半
導体層４上には、低抵抗半導体膜５ａを介して、ソース
配線８と一体のソース電極１８が積層されているととも
に、同じく低抵抗半導体膜５ｂを介してドレイン電極９
が積層されている。また、ＴＦＴ７を構成している部分
は、ＴＦＴ７を保護するための層間絶縁膜６によって覆
われている。
と一体に形成されたゲート電極１６と、このゲート電極
上に絶縁膜３を介して設けられアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）からなる半導体膜４と、を備えている。半
導体層４上には、低抵抗半導体膜５ａを介して、ソース
配線８と一体のソース電極１８が積層されているととも
に、同じく低抵抗半導体膜５ｂを介してドレイン電極９
が積層されている。また、ＴＦＴ７を構成している部分
は、ＴＦＴ７を保護するための層間絶縁膜６によって覆
われている。
【００１４】各画素電極５０は、ＩＴＯ（インジウム・
ティン・オキサイド）からなる透明電極１１と、光反射
効率の高いＭｏ、Ａｌ、Ｍｏからなる反射電極１０とを
備え、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール１２を
介してＴＦＴ７のドレイン電極９に接続されている。
ティン・オキサイド）からなる透明電極１１と、光反射
効率の高いＭｏ、Ａｌ、Ｍｏからなる反射電極１０とを
備え、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール１２を
介してＴＦＴ７のドレイン電極９に接続されている。
【００１５】透明電極１１は、画素全域に渡って層間絶
縁膜６上に形成され、画素の中央部に位置した矩形状の
透過領域５２ａと、透過領域を囲むように位置した凹凸
領域５２ｂと、を有している。凹凸領域５２ｂは、多数
の島状凸部５４を有するようにパターニングされてい
る。反射電極１０は、透明電極１１の凹凸領域５２ｂに
重ねて層間絶縁膜６上に形成され、透過領域５２ａを囲
んで位置している。そして、反射電極１０は、透明電極
１０の凹凸領域５２ｂに対応した多数の島状凸部を有
し、凹凸に形成されている。
縁膜６上に形成され、画素の中央部に位置した矩形状の
透過領域５２ａと、透過領域を囲むように位置した凹凸
領域５２ｂと、を有している。凹凸領域５２ｂは、多数
の島状凸部５４を有するようにパターニングされてい
る。反射電極１０は、透明電極１１の凹凸領域５２ｂに
重ねて層間絶縁膜６上に形成され、透過領域５２ａを囲
んで位置している。そして、反射電極１０は、透明電極
１０の凹凸領域５２ｂに対応した多数の島状凸部を有
し、凹凸に形成されている。
【００１６】各画素電極５０は、アレイ基板３０の上方
から観察すると、光透過効率の高い透過領域５２ａと光
反射効率の反射電極１１との２つの領域からなってい
る。そして、透明電極１１は、反射電極１０を介してＴ
ＦＴ７のドレイン電極９に接続されている。
から観察すると、光透過効率の高い透過領域５２ａと光
反射効率の反射電極１１との２つの領域からなってい
る。そして、透明電極１１は、反射電極１０を介してＴ
ＦＴ７のドレイン電極９に接続されている。
【００１７】一方、図２に示すように、対向基板４０
は、ガラス等からなる透明な絶縁基板４１を有し、この
絶縁基板上にカラーフィルタ４２、ＩＴＯからなる対向
電極４４等が形成されている。そして、対向基板４０お
よびアレイ基板３０は、図示しないシール材により周縁
部同士が接合され、これら対向基板とアレイ基板との間
に液晶層２０が封入されている。
は、ガラス等からなる透明な絶縁基板４１を有し、この
絶縁基板上にカラーフィルタ４２、ＩＴＯからなる対向
電極４４等が形成されている。そして、対向基板４０お
よびアレイ基板３０は、図示しないシール材により周縁
部同士が接合され、これら対向基板とアレイ基板との間
に液晶層２０が封入されている。
【００１８】次に、液晶表示装置の構成、特に、画素電
極の構成をその製造方法と合わせてより詳細に説明す
る。まず、複数の成膜工程およびパターニング工程を繰
り返し、絶縁基板１上にゲート配線２、ソース配線８、
絶縁層３、ＴＦＴ７、および層間絶縁層６等を形成す
る。続いて、層間絶縁膜６上に、透過電極材料としてＩ
ＴＯを成膜した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、
各画素に対応する透明電極１１をパターニング形成す
る。
極の構成をその製造方法と合わせてより詳細に説明す
る。まず、複数の成膜工程およびパターニング工程を繰
り返し、絶縁基板１上にゲート配線２、ソース配線８、
絶縁層３、ＴＦＴ７、および層間絶縁層６等を形成す
る。続いて、層間絶縁膜６上に、透過電極材料としてＩ
ＴＯを成膜した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、
各画素に対応する透明電極１１をパターニング形成す
る。
【００１９】この際、各透明電極１１は、画素のほぼ中
央に位置した矩形状の透過領域５２ａと、透過領域を囲
むように位置しているとともに多数の島状凸部５４を有
した凹凸領域５２ｂと、にパターニングされる。ここで
は、図３に示すように、層間絶縁膜６上にＩＴＯを厚さ
ｔ＝３００ｎｍに成膜し、大きさの異なる円形の島状凸
部５４がピッチＰ＝１０μｍ程度にランダムに、つま
り、不規則に配置されるようにパターニングして凹凸領
域５２ｂを形成した。また、パターニング後、各島状凸
部５４の周面にテーパーをつけ、凸凹の高さｈが１μｍ
程度となるように、層間絶縁膜６の表面の一部も島状凸
部５４に合わせてエッチングした。なお、この場合、透
明電極１１と層間絶縁膜６の表面部とを同時にパターニ
ングして凹凸領域５２ｂを形成するようにしても良い。
央に位置した矩形状の透過領域５２ａと、透過領域を囲
むように位置しているとともに多数の島状凸部５４を有
した凹凸領域５２ｂと、にパターニングされる。ここで
は、図３に示すように、層間絶縁膜６上にＩＴＯを厚さ
ｔ＝３００ｎｍに成膜し、大きさの異なる円形の島状凸
部５４がピッチＰ＝１０μｍ程度にランダムに、つま
り、不規則に配置されるようにパターニングして凹凸領
域５２ｂを形成した。また、パターニング後、各島状凸
部５４の周面にテーパーをつけ、凸凹の高さｈが１μｍ
程度となるように、層間絶縁膜６の表面の一部も島状凸
部５４に合わせてエッチングした。なお、この場合、透
明電極１１と層間絶縁膜６の表面部とを同時にパターニ
ングして凹凸領域５２ｂを形成するようにしても良い。
【００２０】このように、凹凸領域５２ｂは、径の異な
る島状凸部５４がランダムに配置され、反射光による干
渉を防止するように形成されている。一般に、反射光の
散乱に適する凸凹のピッチＰは、光の波長λ＝５００ｎ
ｍに対して十分に大きい１０μｍ程度が望ましく、凸凹
の高さｈは１μｍ程度必要であり、また、凸凹の傾斜角
度θは７°程度が望ましい。
る島状凸部５４がランダムに配置され、反射光による干
渉を防止するように形成されている。一般に、反射光の
散乱に適する凸凹のピッチＰは、光の波長λ＝５００ｎ
ｍに対して十分に大きい１０μｍ程度が望ましく、凸凹
の高さｈは１μｍ程度必要であり、また、凸凹の傾斜角
度θは７°程度が望ましい。
【００２１】そして、上記のように透明電極１１のパタ
ーニングが終了した後、反射電極材料としてＭｏ・Ａｌ
・Ｍｏを透明電極１１に重ねて層間絶縁膜６上に所定厚
さだけ成膜する。そして、このＭｏ、Ａｌ、Ｍｏ膜をパ
ターニングすることにより、各透明電極１１の凹凸領域
５２ｂに重なって位置した、すなわち、透明領域５２ａ
を包囲して位置した反射電極１０を形成する。これによ
り、図２および図４に示すように、透明電極１１の島状
凸部５４に対応した凹凸部、つまり、ピッチが１０μ
ｍ、高さが１μ、また、傾斜角度が７°程度の凹凸部を
有した反射電極１０が形成される。
ーニングが終了した後、反射電極材料としてＭｏ・Ａｌ
・Ｍｏを透明電極１１に重ねて層間絶縁膜６上に所定厚
さだけ成膜する。そして、このＭｏ、Ａｌ、Ｍｏ膜をパ
ターニングすることにより、各透明電極１１の凹凸領域
５２ｂに重なって位置した、すなわち、透明領域５２ａ
を包囲して位置した反射電極１０を形成する。これによ
り、図２および図４に示すように、透明電極１１の島状
凸部５４に対応した凹凸部、つまり、ピッチが１０μ
ｍ、高さが１μ、また、傾斜角度が７°程度の凹凸部を
有した反射電極１０が形成される。
【００２２】以上のようにして形成されたアレイ基板３
０は、別途用意した対向基板４０と貼り合わされる。そ
して、これらアレイ基板３０と対向基板４０との間に液
晶層２０を封入することにより、液晶表示装置が形成さ
れる。
０は、別途用意した対向基板４０と貼り合わされる。そ
して、これらアレイ基板３０と対向基板４０との間に液
晶層２０を封入することにより、液晶表示装置が形成さ
れる。
【００２３】以上のように構成された液晶表示装置によ
れば、各透明電極１１をパターニングして多数の島状凸
部５４を有した凹凸領域５２ｂを形成した後、この凹凸
領域に重ねて反射電極１０を形成することにより、反射
電極１０の表面に島状凸部５４に対応した凹凸部を形成
することができる。その際、透明電極１０の島状凸部５
４を利用することにより、反射電極１０の凹凸部を充分
な高さおよびピッチに形成することが可能となる。従っ
て、反射電極１０により反射光を適度な方向へ散乱させ
ることができ、反射光の散乱を最適化することができ
る。更に、上記構成にすれば、層間絶縁膜６の膜厚が薄
く形成されている場合でも、反射電極１０表面の凸凹部
を容易に、かつ、充分な高さに形成することができる。
れば、各透明電極１１をパターニングして多数の島状凸
部５４を有した凹凸領域５２ｂを形成した後、この凹凸
領域に重ねて反射電極１０を形成することにより、反射
電極１０の表面に島状凸部５４に対応した凹凸部を形成
することができる。その際、透明電極１０の島状凸部５
４を利用することにより、反射電極１０の凹凸部を充分
な高さおよびピッチに形成することが可能となる。従っ
て、反射電極１０により反射光を適度な方向へ散乱させ
ることができ、反射光の散乱を最適化することができ
る。更に、上記構成にすれば、層間絶縁膜６の膜厚が薄
く形成されている場合でも、反射電極１０表面の凸凹部
を容易に、かつ、充分な高さに形成することができる。
【００２４】これにより、外光を利用して反射型表示装
置として動作させる場合、およびバックライト等の光源
を利用して透過型表示装置として動作させる場合のいず
れにおいても、充分な輝度およびコントラスト比を確保
でき、暗所でも明所でも良好な視認性が得られる液晶表
示装置を提供することができる。
置として動作させる場合、およびバックライト等の光源
を利用して透過型表示装置として動作させる場合のいず
れにおいても、充分な輝度およびコントラスト比を確保
でき、暗所でも明所でも良好な視認性が得られる液晶表
示装置を提供することができる。
【００２５】次に、この発明の第２の実施の形態に係る
液晶表示装置のアレイ基板について説明する。上述した
第１の実施の形態では、透明電極１１の凹凸領域５２ｂ
を形成する際、透明電極と共に層間絶縁膜６の表面の一
部をパターニングする構成としたが、第２の実施の形態
によれば、凹凸領域５２ｂは透明電極のみをパターニン
グして形成されている。
液晶表示装置のアレイ基板について説明する。上述した
第１の実施の形態では、透明電極１１の凹凸領域５２ｂ
を形成する際、透明電極と共に層間絶縁膜６の表面の一
部をパターニングする構成としたが、第２の実施の形態
によれば、凹凸領域５２ｂは透明電極のみをパターニン
グして形成されている。
【００２６】図５および図６に示すように、各画素電極
５０の透明電極１１は、層間絶縁膜６上に透過電極材料
としてＩＴＯを成膜した後、フォトリソグラフィ技術を
用いてこの膜をパターニングして形成される。この際、
透明電極１１は、画素のほぼ中央に位置した矩形状の透
過領域５２ａと、透過領域を囲むように位置していると
ともに多数の島状凸部５４を有した凹凸領域５２ｂと、
を有するようにパターニングされる。
５０の透明電極１１は、層間絶縁膜６上に透過電極材料
としてＩＴＯを成膜した後、フォトリソグラフィ技術を
用いてこの膜をパターニングして形成される。この際、
透明電極１１は、画素のほぼ中央に位置した矩形状の透
過領域５２ａと、透過領域を囲むように位置していると
ともに多数の島状凸部５４を有した凹凸領域５２ｂと、
を有するようにパターニングされる。
【００２７】詳しく述べると、層間絶縁膜６上に透過電
極材料を３００ｎｍ厚に成膜し、島状凸部の傾斜角度θ
が７°となるように、かつ、径の異なる島状凸部がピッ
チ３μｍ程度でランダムに位置するようにパターニング
する。その後、反射電極材料１０を成膜しパターニング
することにより、透明電極１１の凹凸部５２ｂに重なっ
て位置した反射電極１１を形成する。他の構成は、前述
した第１の実施の形態と同一であり、同一の部分には同
一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
極材料を３００ｎｍ厚に成膜し、島状凸部の傾斜角度θ
が７°となるように、かつ、径の異なる島状凸部がピッ
チ３μｍ程度でランダムに位置するようにパターニング
する。その後、反射電極材料１０を成膜しパターニング
することにより、透明電極１１の凹凸部５２ｂに重なっ
て位置した反射電極１１を形成する。他の構成は、前述
した第１の実施の形態と同一であり、同一の部分には同
一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００２８】このような構成においても、反射電極１０
の表面に島状凸部５４に対応した凹凸部を形成すること
ができ、反射電極１０の凹凸部を充分な高さおよびピッ
チに形成することが可能となる。従って、反射電極１０
の散乱を制御し最適化することができる。また、上記構
成においても、層間絶縁膜６の膜厚に関係なく反射電極
１０表面の凸凹部を容易に、かつ、充分な高さに形成す
ることができる。
の表面に島状凸部５４に対応した凹凸部を形成すること
ができ、反射電極１０の凹凸部を充分な高さおよびピッ
チに形成することが可能となる。従って、反射電極１０
の散乱を制御し最適化することができる。また、上記構
成においても、層間絶縁膜６の膜厚に関係なく反射電極
１０表面の凸凹部を容易に、かつ、充分な高さに形成す
ることができる。
【００２９】これにより、外光を利用して反射型表示装
置として動作させる場合、およびバックライト等の光源
を利用して透過型表示装置として動作させる場合のいず
れにおいても、充分な輝度およびコントラスト比を確保
でき、暗所でも明所でも良好な視認性が得られる液晶表
示装置を提供することができる。
置として動作させる場合、およびバックライト等の光源
を利用して透過型表示装置として動作させる場合のいず
れにおいても、充分な輝度およびコントラスト比を確保
でき、暗所でも明所でも良好な視認性が得られる液晶表
示装置を提供することができる。
【００３０】なお、この発明は上述した実施の形態に限
定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能で
ある。例えば、透明電極の凹凸部を形成する島状凸部は
円形に限らず、他の形状としても良い。また、島状凸部
の径、ピッチ、高さ等は必要に応じて変更可能である。
定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能で
ある。例えば、透明電極の凹凸部を形成する島状凸部は
円形に限らず、他の形状としても良い。また、島状凸部
の径、ピッチ、高さ等は必要に応じて変更可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、外光を利用して反射型表示装置として動作させる場
合およびバックライトを利用して透過型表示装置として
動作させる場合のいずれにおいても十分な輝度およびコ
ントラスト比を確保でき暗所でも明所でも良好な視認性
が得られる液晶表示装置およびその製造方法を提供する
ことができる。
ば、外光を利用して反射型表示装置として動作させる場
合およびバックライトを利用して透過型表示装置として
動作させる場合のいずれにおいても十分な輝度およびコ
ントラスト比を確保でき暗所でも明所でも良好な視認性
が得られる液晶表示装置およびその製造方法を提供する
ことができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装
置のアレイ基板の一部を拡大して示す平面図。
置のアレイ基板の一部を拡大して示す平面図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿った断面を含む上記液晶表
示装置の断面図。
示装置の断面図。
【図３】上記アレイ基板の透明電極の凹凸部を示す平面
図および断面図。
図および断面図。
【図４】上記透明電極の凹凸部およびこれに重ねて形成
された反射電極を拡大して示す断面図。
された反射電極を拡大して示す断面図。
【図５】この発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装
置のアレイ基板を示す断面図。
置のアレイ基板を示す断面図。
【図６】上記第２の実施の形態に係るアレイ基板におい
て、透明電極の凹凸部およびこれに重ねて形成された反
射電極を拡大して示す断面図。
て、透明電極の凹凸部およびこれに重ねて形成された反
射電極を拡大して示す断面図。
１…絶縁基板 ２…ゲート配線 ３…絶縁膜 ４…半導体膜 ６…層間絶縁膜 ７…ＴＦＴ ８…ソース配線 １０…反射電極 １１…透過電極 １２…コンタクトホール ２０…液晶層 ３０…アレイ基板 ４０…対向基板 ５２ａ…透明領域 ５２ｂ…凹凸領域 ５４…島状凸部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA14Y FA41Z FB06 FC01 GA02 GA13 LA17 2H092 GA13 JA26 JA46 JB07 JB22 JB31 JB56 KB11 MA13 MA18 NA01 PA08 PA13
Claims (6)
- 【請求項１】液晶層を挟んで互いに対向配置されたアレ
イ基板および対向基板を備え、 上記アレイ基板は、絶縁基板上にマトリックス状に形成
された複数の第１配線および複数の第２配線と、第１配
線と第２配線との交差部にそれぞれ接続された複数のス
イッチング素子と、上記スイッチング素子上に形成され
た絶縁膜と、それぞれ上記絶縁膜上に形成されていると
ともに上記スイッチング素子に接続された複数の画素電
極と、を備え、 各画素電極は、透過領域および多数の島状にパターニン
グされた凹凸領域を有し上記絶縁膜上に形成された透明
電極と、上記凹凸領域に重ねて上記絶縁膜上に形成され
凹凸を有した反射電極と、を備えていることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項２】液晶層を挟んで互いに対向配置されたアレ
イ基板および対向基板を備え、 上記アレイ基板は、絶縁基板上にマトリックス状に形成
された複数の第１配線および複数の第２配線と、第１配
線と第２配線との交差部にそれぞれ接続された複数のス
イッチング素子と、上記スイッチング素子上に形成され
た絶縁膜と、それぞれ上記絶縁膜上に形成されていると
ともに上記スイッチング素子に接続された複数の画素電
極と、を備え、 各画素電極は、透過領域および多数の島状にパターニン
グされた凹凸領域を有し上記絶縁膜上に形成された透明
電極と、上記凹凸領域に重ねて上記絶縁膜上に形成され
凹凸を有した反射電極と、を備え、上記反射電極が形成
されている上記絶縁膜の表面部は、上記透明電極の凹凸
領域と共に多数の島状にパターニングされていることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】上記凹凸領域の島状のパターンはそれぞれ
円形に形成され、径の異なる島状のパターンが不規則に
配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項４】液晶層を挟んで互いに対向配置されたアレ
イ基板および対向基板を備え、 上記アレイ基板は、絶縁基板上にマトリックス状に形成
された複数の第１配線および複数の第２配線と、第１配
線と第２配線との交差部にそれぞれ接続された複数のス
イッチング素子と、上記スイッチング素子上に形成され
た絶縁膜と、それぞれ上記絶縁膜上に形成されていると
ともに上記スイッチング素子に接続された複数の画素電
極と、を備えた液晶表示装置の製造方法において、 上記絶縁基板上に絶縁膜に重ねて透明電極材料を成膜
し、 上記透明電極材料をパターニングして、それぞれ透過領
域および多数の島状にパターニングされた凹凸領域を有
する複数の透明電極を形成し、 上記各透明電極の凹凸領域に重ねて上記絶縁膜上に反射
電極材料を成膜して反射電極を形成し、それぞれ透明電
極および反射電極を有した複数の画素電極を形成するこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】液晶層を挟んで互いに対向配置されたアレ
イ基板および対向基板を備え、 上記アレイ基板は、絶縁基板上にマトリックス状に形成
された複数の第１配線および複数の第２配線と、第１配
線と第２配線との交差部にそれぞれ接続された複数のス
イッチング素子と、上記スイッチング素子上に形成され
た絶縁膜と、それぞれ上記絶縁膜上に形成されていると
ともに上記スイッチング素子に接続された複数の画素電
極と、を備えた液晶表示装置の製造方法において、 上記絶縁基板上に絶縁膜に重ねて透明電極材料を成膜
し、 上記透明電極材料をパターニングして、それぞれ透過領
域および多数の島状にパターニングされた凹凸領域を有
する複数の透明電極を形成し、 上記透明電極の凹凸領域をパターニングした後、上記絶
縁膜の表面部を多数の島状に合わせてエッチングし、 上記各透明電極の凹凸領域に重ねて上記絶縁膜上に反射
電極材料を成膜して反射電極を形成し、それぞれ透明電
極および反射電極を有した複数の画素電極を形成するこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】上記凹凸領域を形成する際、径の異なる複
数の円形の島状のパターンが不規則に配置されるように
上記透明電極をパターニングすることを特徴とする請求
項４又は５に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001110449A JP2002303872A (ja) | 2001-04-09 | 2001-04-09 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001110449A JP2002303872A (ja) | 2001-04-09 | 2001-04-09 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002303872A true JP2002303872A (ja) | 2002-10-18 |
Family
ID=18962215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001110449A Pending JP2002303872A (ja) | 2001-04-09 | 2001-04-09 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002303872A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7161645B2 (en) | 2003-01-17 | 2007-01-09 | Seiko Epson Corporation | Multi-gap type transflective liquid crystal display including a resin layer with tapers of different angles |
| CN100451738C (zh) * | 2003-01-24 | 2009-01-14 | 精工爱普生株式会社 | 液晶显示装置和电子设备 |
| KR100906956B1 (ko) * | 2002-12-04 | 2009-07-08 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법 |
-
2001
- 2001-04-09 JP JP2001110449A patent/JP2002303872A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100906956B1 (ko) * | 2002-12-04 | 2009-07-08 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법 |
| US7161645B2 (en) | 2003-01-17 | 2007-01-09 | Seiko Epson Corporation | Multi-gap type transflective liquid crystal display including a resin layer with tapers of different angles |
| CN100451738C (zh) * | 2003-01-24 | 2009-01-14 | 精工爱普生株式会社 | 液晶显示装置和电子设备 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070514 |