JP2001002755A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 エリア実装型半導体装置での成形後や半田処
理時の反りが小さく、耐半田クラック性、成形性に優れ
るエポキシ樹脂組成物 【解決手段】 （Ａ）式（１）及び／又は式（２）で示
される多官能フェノール樹脂（ａ）と、フェノール類
（ｂ）とを混合しグリシジルエーテル化したエポキシ樹
脂、（Ｂ）式（１）、又は式（２）で示される多官能フ
ェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬
化促進剤を必須成分とし、重量比ａ／ｂが１〜１９、エ
ポキシ樹脂（Ａ）の軟化点が７０〜１２０℃、エポキシ
基に対するフェノール性水酸基の当量比が０．５〜２．
０、無機充填材の含有量が樹脂の合計量１００重量部当
たり２５０〜１４００重量部、硬化促進剤の含有量が樹
脂の合計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部であ
る樹脂組成物。 （ＲはＣ１〜５炭化水素、ハロゲン、ｍ＝０〜４、ｎ＝
０〜３、ｋは平均値で、１〜１０） （Ｃ１〜５炭化水素、ハロゲン、ｍ＝０〜４）
理時の反りが小さく、耐半田クラック性、成形性に優れ
るエポキシ樹脂組成物 【解決手段】 （Ａ）式（１）及び／又は式（２）で示
される多官能フェノール樹脂（ａ）と、フェノール類
（ｂ）とを混合しグリシジルエーテル化したエポキシ樹
脂、（Ｂ）式（１）、又は式（２）で示される多官能フ
ェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬
化促進剤を必須成分とし、重量比ａ／ｂが１〜１９、エ
ポキシ樹脂（Ａ）の軟化点が７０〜１２０℃、エポキシ
基に対するフェノール性水酸基の当量比が０．５〜２．
０、無機充填材の含有量が樹脂の合計量１００重量部当
たり２５０〜１４００重量部、硬化促進剤の含有量が樹
脂の合計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部であ
る樹脂組成物。 （ＲはＣ１〜５炭化水素、ハロゲン、ｍ＝０〜４、ｎ＝
０〜３、ｋは平均値で、１〜１０） （Ｃ１〜５炭化水素、ハロゲン、ｍ＝０〜４）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エリア実装型半導
体装置での成形後や半田処理時の反りが小さく、耐半田
クラック性に優れ、且つ成形性に優れる半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関す
るものである。
体装置での成形後や半田処理時の反りが小さく、耐半田
クラック性に優れ、且つ成形性に優れる半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化、軽量化、高機
能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進
み、又、半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、
新規にエリア実装型半導体装置が開発され、従来構造の
半導体装置から移行し始めている。エリア実装型半導体
装置としては、ボールグリッドアレイ（以下、ＢＧＡと
いう）、あるいは更に小型化を追求したチップサイズパ
ッケージ（以下、ＣＳＰという）が代表的であるが、こ
れらは従来ＱＦＰ、ＳＯＰに代表される表面実装型半導
体装置では限界に近づいている多ピン化・高速化への要
求に対応するために開発されたものである。構造として
は、ビスマレイミド・トリアジン（以下、ＢＴという）
樹脂／銅箔回路基板に代表される硬質回路基板、あるい
はポリイミド樹脂フィルム／銅箔回路基板に代表される
フレキシブル回路基板の片面上に半導体素子を搭載し、
その素子搭載面、即ち基板の片面のみが樹脂組成物など
で成形・封止されている。又、基板の素子搭載面の反対
面には半田ボールを２次元的に並列して形成し、半導体
装置を実装する回路基板との接合を行う特徴を有してい
る。更に、素子を搭載する基板としては、上記有機回路
基板以外にもリードフレーム等の金属基板を用いる構造
も考案されている。
能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進
み、又、半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、
新規にエリア実装型半導体装置が開発され、従来構造の
半導体装置から移行し始めている。エリア実装型半導体
装置としては、ボールグリッドアレイ（以下、ＢＧＡと
いう）、あるいは更に小型化を追求したチップサイズパ
ッケージ（以下、ＣＳＰという）が代表的であるが、こ
れらは従来ＱＦＰ、ＳＯＰに代表される表面実装型半導
体装置では限界に近づいている多ピン化・高速化への要
求に対応するために開発されたものである。構造として
は、ビスマレイミド・トリアジン（以下、ＢＴという）
樹脂／銅箔回路基板に代表される硬質回路基板、あるい
はポリイミド樹脂フィルム／銅箔回路基板に代表される
フレキシブル回路基板の片面上に半導体素子を搭載し、
その素子搭載面、即ち基板の片面のみが樹脂組成物など
で成形・封止されている。又、基板の素子搭載面の反対
面には半田ボールを２次元的に並列して形成し、半導体
装置を実装する回路基板との接合を行う特徴を有してい
る。更に、素子を搭載する基板としては、上記有機回路
基板以外にもリードフレーム等の金属基板を用いる構造
も考案されている。
【０００３】これらエリア実装型半導体装置の構造は、
基板の素子搭載面のみを樹脂組成物で封止し、半田ボー
ル形成面側は封止しないという片面封止の形態をとって
いる。ごく希に、リードフレーム等の金属基板などで
は、半田ボール形成面でも数十μｍ程度の封止樹脂層が
存在することもあるが、素子搭載面では数百μｍから数
ｍｍ程度の封止樹脂層が形成されるため、実質的に片面
封止となっている。このため、有機基板や金属基板と樹
脂組成物の硬化物との間での熱膨張・熱収縮の不整合、
あるいは樹脂組成物の成形・硬化時の硬化収縮による影
響により、これらの半導体装置では成形直後から反りが
発生しやすい。又、これらの半導体装置を実装する回路
基板上に半田接合を行う場合、２００℃以上の加熱工程
を経るが、この際に半導体装置の反りが発生し、多数の
半田ボールが平坦とならず、半導体装置を実装する回路
基板から浮き上がってしまい、電気的接合信頼性が低下
する問題も起こる。基板上の実質的に片面のみを樹脂組
成物で封止した半導体装置において、反りを低減するに
は、基板の線膨張係数と樹脂組成物の硬化物の線膨張係
数を近づけること、及び樹脂組成物の硬化収縮を小さく
することの二つの方法が重要である。基板としては有機
基板では、ＢＴ樹脂やポリイミド樹脂のような高いガラ
ス転移温度（以下、Ｔｇという）の樹脂が広く用いられ
ており、これらは樹脂組成物の成形温度である１７０℃
近辺よりも高いＴｇを有する。従って、成形温度から室
温までの冷却過程では有機基板のα１の領域のみで収縮
する。従って、樹脂組成物もＴｇが高く、且つα１が回
路基板と同じであり、更に硬化収縮がゼロであれば反り
はほぼゼロであると考えられる。このため、トリフェノ
ールメタン型エポキシ樹脂とトリフェノールメタン型フ
ェノール樹脂との組合せによりＴｇを高くし、無機充填
材の配合量でα１を合わせる手法が既に提案されてい
る。
基板の素子搭載面のみを樹脂組成物で封止し、半田ボー
ル形成面側は封止しないという片面封止の形態をとって
いる。ごく希に、リードフレーム等の金属基板などで
は、半田ボール形成面でも数十μｍ程度の封止樹脂層が
存在することもあるが、素子搭載面では数百μｍから数
ｍｍ程度の封止樹脂層が形成されるため、実質的に片面
封止となっている。このため、有機基板や金属基板と樹
脂組成物の硬化物との間での熱膨張・熱収縮の不整合、
あるいは樹脂組成物の成形・硬化時の硬化収縮による影
響により、これらの半導体装置では成形直後から反りが
発生しやすい。又、これらの半導体装置を実装する回路
基板上に半田接合を行う場合、２００℃以上の加熱工程
を経るが、この際に半導体装置の反りが発生し、多数の
半田ボールが平坦とならず、半導体装置を実装する回路
基板から浮き上がってしまい、電気的接合信頼性が低下
する問題も起こる。基板上の実質的に片面のみを樹脂組
成物で封止した半導体装置において、反りを低減するに
は、基板の線膨張係数と樹脂組成物の硬化物の線膨張係
数を近づけること、及び樹脂組成物の硬化収縮を小さく
することの二つの方法が重要である。基板としては有機
基板では、ＢＴ樹脂やポリイミド樹脂のような高いガラ
ス転移温度（以下、Ｔｇという）の樹脂が広く用いられ
ており、これらは樹脂組成物の成形温度である１７０℃
近辺よりも高いＴｇを有する。従って、成形温度から室
温までの冷却過程では有機基板のα１の領域のみで収縮
する。従って、樹脂組成物もＴｇが高く、且つα１が回
路基板と同じであり、更に硬化収縮がゼロであれば反り
はほぼゼロであると考えられる。このため、トリフェノ
ールメタン型エポキシ樹脂とトリフェノールメタン型フ
ェノール樹脂との組合せによりＴｇを高くし、無機充填
材の配合量でα１を合わせる手法が既に提案されてい
る。
【０００４】又、赤外線リフロー、ベーパーフェイズソ
ルダリング、半田浸漬などの手段での半田処理による半
田接合を行う場合、樹脂組成物の硬化物並びに有機基板
からの吸湿により半導体装置内部に存在する水分が高温
で急激に気化することによる応力で半導体装置にクラッ
クが発生したり、基板の素子搭載面と樹脂組成物の硬化
物との界面で剥離が発生することもあり、硬化物の高強
度化、低応力化、低吸湿化とともに、基板との高密着性
も求められる。従来のＢＧＡやＣＳＰなどのエリア実装
型半導体装置には、反りの低減のためにトリフェノール
メタン型エポキシ樹脂とトリフェノールメタン型フェノ
ール樹脂を樹脂成分とする樹脂組成物が用いられてき
た。この樹脂組成物は、Ｔｇが高く、硬化性、熱時曲げ
強度に優れた特性を有しているが、硬化物の吸湿率が高
く、又、樹脂組成物の溶融粘度が比較的高く、無機充填
材の高充填化には限界があり、低吸湿化が不十分で、耐
半田クラック性には問題があった。一方、従来のＱＦＰ
やＳＯＰなどの表面実装型半導体装置では、半田実装時
のクラックや各素材界面での剥離防止のために、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂に代表されるような結晶性エポキシ
樹脂を使用しているが、トリフェノールメタン型エポキ
シ樹脂を用いた樹脂組成物の硬化物と比較して熱時曲げ
強度が低く、且つ硬化が遅いのが問題であった。そこ
で、反りが小さく、硬化性、熱時曲げ強度に優れ、且つ
低吸湿性、耐半田クラック性に優れる樹脂組成物を得る
ため、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂と結晶性エ
ポキシ樹脂の特徴を生かすべく、樹脂組成物の製造時に
両方のエポキシ樹脂を適正量併用したり、予め両方のエ
ポキシ樹脂を溶融混合したものを用いても、トリフェノ
ールメタン型エポキシ樹脂を用いた時の反りが小さく、
硬化性、熱時曲げ強度に優れるという特徴と、結晶性エ
ポキシ樹脂を用いた時の低吸湿、耐半田クラック性に優
れるという特徴を両立することはできておらず、不十分
であった。
ルダリング、半田浸漬などの手段での半田処理による半
田接合を行う場合、樹脂組成物の硬化物並びに有機基板
からの吸湿により半導体装置内部に存在する水分が高温
で急激に気化することによる応力で半導体装置にクラッ
クが発生したり、基板の素子搭載面と樹脂組成物の硬化
物との界面で剥離が発生することもあり、硬化物の高強
度化、低応力化、低吸湿化とともに、基板との高密着性
も求められる。従来のＢＧＡやＣＳＰなどのエリア実装
型半導体装置には、反りの低減のためにトリフェノール
メタン型エポキシ樹脂とトリフェノールメタン型フェノ
ール樹脂を樹脂成分とする樹脂組成物が用いられてき
た。この樹脂組成物は、Ｔｇが高く、硬化性、熱時曲げ
強度に優れた特性を有しているが、硬化物の吸湿率が高
く、又、樹脂組成物の溶融粘度が比較的高く、無機充填
材の高充填化には限界があり、低吸湿化が不十分で、耐
半田クラック性には問題があった。一方、従来のＱＦＰ
やＳＯＰなどの表面実装型半導体装置では、半田実装時
のクラックや各素材界面での剥離防止のために、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂に代表されるような結晶性エポキシ
樹脂を使用しているが、トリフェノールメタン型エポキ
シ樹脂を用いた樹脂組成物の硬化物と比較して熱時曲げ
強度が低く、且つ硬化が遅いのが問題であった。そこ
で、反りが小さく、硬化性、熱時曲げ強度に優れ、且つ
低吸湿性、耐半田クラック性に優れる樹脂組成物を得る
ため、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂と結晶性エ
ポキシ樹脂の特徴を生かすべく、樹脂組成物の製造時に
両方のエポキシ樹脂を適正量併用したり、予め両方のエ
ポキシ樹脂を溶融混合したものを用いても、トリフェノ
ールメタン型エポキシ樹脂を用いた時の反りが小さく、
硬化性、熱時曲げ強度に優れるという特徴と、結晶性エ
ポキシ樹脂を用いた時の低吸湿、耐半田クラック性に優
れるという特徴を両立することはできておらず、不十分
であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、エリア実装
型半導体装置での成形後や半田処理時の反りが小さく、
耐半田クラック性に優れ、且つ成形性に優れる半導体封
止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置を提供すると
ころにある。
型半導体装置での成形後や半田処理時の反りが小さく、
耐半田クラック性に優れ、且つ成形性に優れる半導体封
止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置を提供すると
ころにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、 ［１］（Ａ）一般式（１）及び／又は一般式（２）で示
される多官能フェノール樹脂（ａ）と、結晶性エポキシ
樹脂の前駆体であるフェノール類（ｂ）とを混合しグリ
シジルエーテル化したエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式
（１）、又は一般式（２）で示される多官能フェノール
樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤
を必須成分とし、（ａ）と（ｂ）との重量比（ａ／ｂ）
が１〜１９であり、エポキシ樹脂（Ａ）の軟化点が７０
〜１２０℃であり、全エポキシ樹脂のエポキシ基に対す
る全フェノール樹脂硬化剤のフェノール性水酸基の当量
比が０．５〜２．０であり、無機充填材の含有量が全エ
ポキシ樹脂と全フェノール樹脂硬化剤の合計量１００重
量部当たり２５０〜１４００重量部であり、硬化促進剤
の含有量が全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂硬化剤の
合計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部であるこ
とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
される多官能フェノール樹脂（ａ）と、結晶性エポキシ
樹脂の前駆体であるフェノール類（ｂ）とを混合しグリ
シジルエーテル化したエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式
（１）、又は一般式（２）で示される多官能フェノール
樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤
を必須成分とし、（ａ）と（ｂ）との重量比（ａ／ｂ）
が１〜１９であり、エポキシ樹脂（Ａ）の軟化点が７０
〜１２０℃であり、全エポキシ樹脂のエポキシ基に対す
る全フェノール樹脂硬化剤のフェノール性水酸基の当量
比が０．５〜２．０であり、無機充填材の含有量が全エ
ポキシ樹脂と全フェノール樹脂硬化剤の合計量１００重
量部当たり２５０〜１４００重量部であり、硬化促進剤
の含有量が全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂硬化剤の
合計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部であるこ
とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【化６】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４、ｎ
＝０〜３、ｋは平均値で、１〜１０の正数）
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４、ｎ
＝０〜３、ｋは平均値で、１〜１０の正数）
【０００７】
【化７】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４） ［２］一般式（１）及び／又は一般式（２）で示される
多官能フェノール樹脂（ａ）と、結晶性エポキシ樹脂の
前駆体であるフェノール類（ｂ）とを混合し、グリシジ
ルエーテル化したエポキシ樹脂（Ａ）において、融解熱
量が５〜３５ｍＪ／ｍｇである第［１］項記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物、 ［３］結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェノール類
（ｂ）が、一般式（３）、一般式（４）、又は一般式
（５）から選ばれる一種以上である第［１］、又は
［２］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４） ［２］一般式（１）及び／又は一般式（２）で示される
多官能フェノール樹脂（ａ）と、結晶性エポキシ樹脂の
前駆体であるフェノール類（ｂ）とを混合し、グリシジ
ルエーテル化したエポキシ樹脂（Ａ）において、融解熱
量が５〜３５ｍＪ／ｍｇである第［１］項記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物、 ［３］結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェノール類
（ｂ）が、一般式（３）、一般式（４）、又は一般式
（５）から選ばれる一種以上である第［１］、又は
［２］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【０００８】
【化８】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４）
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４）
【０００９】
【化９】
【００１０】
【化１０】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４、Ｒ
2は水素、炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲンの中から
選択される基又は原子であり、それらは互いに同一であ
っても異なっていてもよい。 ） ［４］結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェノール類
（ｂ）が、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチ
ルビフェニル、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）メタン、２，２−ビス（３’，５’−ジメ
チル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（２
−ターシャリブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）スルフィド、又は、３−ターシャリブチル−２，
４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチ
ルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキ
シ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ター
シャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，
５’−トリメチルスチルベン、の３種から選ばれる１種
以上と４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−
テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルス
チルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジター
シャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキ
シ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、
４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチ
ル−５，５’−ジメチルスチルベンの６種から選ばれる
１種以上との混合物である第［１］、［２］、又は
［３］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 ［５］基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体
素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが第
［１］、［２］、［３］、又は［４］項記載のエポキシ
樹脂組成物によって封止しされていることを特徴とする
半導体装置。を提供するものであり、エリア実装型半導
体装置での成形後や半田処理時の反りが小さく、耐半田
クラック性に優れ、且つ成形性に優れる。
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４、Ｒ
2は水素、炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲンの中から
選択される基又は原子であり、それらは互いに同一であ
っても異なっていてもよい。 ） ［４］結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェノール類
（ｂ）が、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチ
ルビフェニル、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）メタン、２，２−ビス（３’，５’−ジメ
チル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（２
−ターシャリブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）スルフィド、又は、３−ターシャリブチル−２，
４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチ
ルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキ
シ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ター
シャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，
５’−トリメチルスチルベン、の３種から選ばれる１種
以上と４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−
テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルス
チルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジター
シャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキ
シ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、
４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチ
ル−５，５’−ジメチルスチルベンの６種から選ばれる
１種以上との混合物である第［１］、［２］、又は
［３］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 ［５］基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体
素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが第
［１］、［２］、［３］、又は［４］項記載のエポキシ
樹脂組成物によって封止しされていることを特徴とする
半導体装置。を提供するものであり、エリア実装型半導
体装置での成形後や半田処理時の反りが小さく、耐半田
クラック性に優れ、且つ成形性に優れる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明に用いる一般式（１）、又
は一般式（２）で示される多官能フェノール樹脂（ａ）
と結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェノール類
（ｂ）との重量比（ａ／ｂ）を１〜１９とした混合物
（以下、混合多価フェノールという）をグリシジルエー
テル化したエポキシ樹脂は、結晶性エポキシ樹脂に由来
する低粘度化が図られており、これにより無機充填材の
高充填化、ひいては樹脂組成物の硬化物の低吸湿化が可
能となり、樹脂組成物の硬化物のＴｇが殆ど低下せず、
又、多官能エポキシ樹脂を用いた樹脂組成物の硬化物の
熱時曲げ強度と較べても遜色なく、且つ低弾性率で、硬
化性も同等の特性を有している。この方法で得られたエ
ポキシ樹脂は、多官能エポキシ樹脂と結晶性エポキシ樹
脂がより均一化されることにより、結晶性エポキシ樹脂
を使用する場合の問題点である硬化反応性も向上するも
のと考えられる。従って、本発明の樹脂組成物を用いた
半導体装置は、実装時の半田処理下でも高い信頼性を得
ることができる。
は一般式（２）で示される多官能フェノール樹脂（ａ）
と結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェノール類
（ｂ）との重量比（ａ／ｂ）を１〜１９とした混合物
（以下、混合多価フェノールという）をグリシジルエー
テル化したエポキシ樹脂は、結晶性エポキシ樹脂に由来
する低粘度化が図られており、これにより無機充填材の
高充填化、ひいては樹脂組成物の硬化物の低吸湿化が可
能となり、樹脂組成物の硬化物のＴｇが殆ど低下せず、
又、多官能エポキシ樹脂を用いた樹脂組成物の硬化物の
熱時曲げ強度と較べても遜色なく、且つ低弾性率で、硬
化性も同等の特性を有している。この方法で得られたエ
ポキシ樹脂は、多官能エポキシ樹脂と結晶性エポキシ樹
脂がより均一化されることにより、結晶性エポキシ樹脂
を使用する場合の問題点である硬化反応性も向上するも
のと考えられる。従って、本発明の樹脂組成物を用いた
半導体装置は、実装時の半田処理下でも高い信頼性を得
ることができる。
【００１２】一般式（１）、又は一般式（２）で示され
る多官能フェノール樹脂としては、例えば式（６）、式
（７）、式（８）、式（９）、式（１０）等が挙げられ
るが、入手のし易さ、性能、原料価格等の点から式
（６）、式（９）の多官能フェノール樹脂が好ましい。
る多官能フェノール樹脂としては、例えば式（６）、式
（７）、式（８）、式（９）、式（１０）等が挙げられ
るが、入手のし易さ、性能、原料価格等の点から式
（６）、式（９）の多官能フェノール樹脂が好ましい。
【化１１】
【００１３】
【化１２】
【００１４】
【化１３】
【００１５】
【化１４】
【００１６】
【化１５】 本発明に用いる結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェ
ノール類（ｂ）としては、例えば一般式（３）のビフェ
ニル型、一般式（４）のビスフェノール型、一般式
（５）のスチルベン型等が挙げられる。
ノール類（ｂ）としては、例えば一般式（３）のビフェ
ニル型、一般式（４）のビスフェノール型、一般式
（５）のスチルベン型等が挙げられる。
【００１７】一般式（３）のビフェニル型フェノール類
としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルビフェ
ニル、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャ
リブチル−６，６’−ジメチルビフェニル、４，４’−
ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，
５’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’，５，５’−テトラターシャリブチルビフェニ
ル等（置換位置の異なる異性体を含む）が挙げられる。
一般式（４）のビスフェノール型フェノール類として
は、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、１，１−ビス（３’，５’−ジメチ
ル−４’−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３’−メチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−ター
シャリブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、
ビス（２−ターシャリブチル−５−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）スルフィド等が挙げられる。
としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルビフェ
ニル、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャ
リブチル−６，６’−ジメチルビフェニル、４，４’−
ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，
５’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’，５，５’−テトラターシャリブチルビフェニ
ル等（置換位置の異なる異性体を含む）が挙げられる。
一般式（４）のビスフェノール型フェノール類として
は、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、１，１−ビス（３’，５’−ジメチ
ル−４’−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３’−メチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−ター
シャリブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、
ビス（２−ターシャリブチル−５−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）スルフィド等が挙げられる。
【００１８】一般式（５）のスチルベン型フェノール類
としては、例えば、３−ターシャリブチル−４，４’−
ジヒドロキシ−５，３’−ジメチルスチルベン、３−タ
ーシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，６−
ジメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−２，４’
−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベ
ン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−
３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャ
リブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−
トリメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチルス
チルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジター
シャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，
２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒドロキ
シ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチ
ルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’，
５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’−ジ
メチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラターシャリブチルスチルベン等
（置換位置の異なる異性体を含む）が挙げられる。
としては、例えば、３−ターシャリブチル−４，４’−
ジヒドロキシ−５，３’−ジメチルスチルベン、３−タ
ーシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，６−
ジメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−２，４’
−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベ
ン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−
３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャ
リブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−
トリメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチルス
チルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジター
シャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，
２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒドロキ
シ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチ
ルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’，
５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’−ジ
メチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラターシャリブチルスチルベン等
（置換位置の異なる異性体を含む）が挙げられる。
【００１９】これらの内では、入手のし易さ、性能、原
料価格等の点から、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルビフェニル、ビス（３，５−ジメチル−４−
ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，５−トリ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビ
ス（３’−メチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、ビス（２−ターシャリブチ
ル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド
（以上７種のフェノール類を、以下ａ群という）、３−
ターシャリブチル−２，４’−ジヒドロキシ−３’，
５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャリブチ
ル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメ
チルスチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジ
ヒドロキシ−３’，５，５’−トリメチルスチルベン
（以上３種のフェノール類を、以下ｂ群という）、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチ
ルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ
ターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、
２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチ
ル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジ
メチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、又は４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
５，５’−ジメチルスチルベン（以上６種のフェノール
類を、以下ｃ群という）から選択される１種以上が好ま
しい。
料価格等の点から、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルビフェニル、ビス（３，５−ジメチル−４−
ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，５−トリ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビ
ス（３’−メチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、ビス（２−ターシャリブチ
ル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド
（以上７種のフェノール類を、以下ａ群という）、３−
ターシャリブチル−２，４’−ジヒドロキシ−３’，
５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャリブチ
ル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメ
チルスチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジ
ヒドロキシ−３’，５，５’−トリメチルスチルベン
（以上３種のフェノール類を、以下ｂ群という）、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチ
ルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ
ターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、
２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチ
ル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジ
メチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、又は４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
５，５’−ジメチルスチルベン（以上６種のフェノール
類を、以下ｃ群という）から選択される１種以上が好ま
しい。
【００２０】ａ群の内、ビフェニル型フェノール類で
は、低粘度化効果が大きく、且つ反応性に富む４，４’
−ジヒドロキシビフェニルが含まれているものが特に好
ましい。その他のａ群では、ビス（３，５−ジメチル−
４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス
（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）
プロパン、ビス（２−ターシャリブチル−５−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）スルフィドが特に好ましい。
又、スチルベン型フェノール類では、ｂ群から選ばれる
１種以上と、ｃ群から選ばれる１種以上との混合物が、
軟化点が低くなるため好ましい。これらの混合比、混合
方法等は特に限定しない。
は、低粘度化効果が大きく、且つ反応性に富む４，４’
−ジヒドロキシビフェニルが含まれているものが特に好
ましい。その他のａ群では、ビス（３，５−ジメチル−
４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス
（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）
プロパン、ビス（２−ターシャリブチル−５−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）スルフィドが特に好ましい。
又、スチルベン型フェノール類では、ｂ群から選ばれる
１種以上と、ｃ群から選ばれる１種以上との混合物が、
軟化点が低くなるため好ましい。これらの混合比、混合
方法等は特に限定しない。
【００２１】本発明の多官能フェノール樹脂（ａ）と結
晶性エポキシ樹脂の前駆体のフェノール類（ｂ）の重量
比（ａ／ｂ）としては、１〜１９が好ましく、特に、
１．５〜９が好ましい。重量比が１未満だと、グリシジ
ルエーテル化したときに生成した多官能エポキシ樹脂に
由来する高いＴｇ、熱時曲げ強度を十分に発現できない
ので好ましくない。又、重量比が１９を越えると、グリ
シジルエーテル化したときに生成した結晶性エポキシ樹
脂に由来する低粘度化の効果が薄まり、無機充填材の高
充填化ができないので好ましくない。本発明のエポキシ
樹脂の合成方法については特に限定しないが、例えば、
混合多価フェノールを過剰のエピクロルヒドリンに溶解
した後、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカ
リ金属水酸化物の存在下で５０〜１５０℃、好ましくは
６０〜１２０℃で１〜１０時間反応させる方法が挙げら
れる。反応終了後、過剰のエピクロルヒドリンを留去
し、残留物をトルエン、メチルイソブチルケトン等の溶
剤に溶解し、濾過し、水洗して無機塩を除去し、次いで
溶剤を留去することにより得ることができる。生成した
エポキシ樹脂の塩素イオン、ナトリウムイオン、その他
フリーのイオンは極力少ないことが望ましい。本発明の
エポキシ樹脂の軟化点としては、７０〜１２０℃の範囲
にあることが好ましく、特に、８０〜１１０℃が好まし
い。７０℃未満だと、常温で液状又は半固形状であり、
グリシジルエーテル化処理後の作業性の問題や、これを
用いた樹脂組成物の常温保存性の低下、あるいはその硬
化物のＴｇ及び熱時曲げ強度の低下のおそれがあるので
好ましくない。１２０℃を越えると、グリシジルエーテ
ル化したときに生成した多官能エポキシ樹脂自体の粘度
が高くなり、同時に生成した結晶性エポキシ樹脂成分の
低粘度化の効果が薄くなるので好ましくない。エポキシ
樹脂の軟化点の測定方法は、ＪＩＳ Ｋ ７２３４の環
球法に準じた。
晶性エポキシ樹脂の前駆体のフェノール類（ｂ）の重量
比（ａ／ｂ）としては、１〜１９が好ましく、特に、
１．５〜９が好ましい。重量比が１未満だと、グリシジ
ルエーテル化したときに生成した多官能エポキシ樹脂に
由来する高いＴｇ、熱時曲げ強度を十分に発現できない
ので好ましくない。又、重量比が１９を越えると、グリ
シジルエーテル化したときに生成した結晶性エポキシ樹
脂に由来する低粘度化の効果が薄まり、無機充填材の高
充填化ができないので好ましくない。本発明のエポキシ
樹脂の合成方法については特に限定しないが、例えば、
混合多価フェノールを過剰のエピクロルヒドリンに溶解
した後、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカ
リ金属水酸化物の存在下で５０〜１５０℃、好ましくは
６０〜１２０℃で１〜１０時間反応させる方法が挙げら
れる。反応終了後、過剰のエピクロルヒドリンを留去
し、残留物をトルエン、メチルイソブチルケトン等の溶
剤に溶解し、濾過し、水洗して無機塩を除去し、次いで
溶剤を留去することにより得ることができる。生成した
エポキシ樹脂の塩素イオン、ナトリウムイオン、その他
フリーのイオンは極力少ないことが望ましい。本発明の
エポキシ樹脂の軟化点としては、７０〜１２０℃の範囲
にあることが好ましく、特に、８０〜１１０℃が好まし
い。７０℃未満だと、常温で液状又は半固形状であり、
グリシジルエーテル化処理後の作業性の問題や、これを
用いた樹脂組成物の常温保存性の低下、あるいはその硬
化物のＴｇ及び熱時曲げ強度の低下のおそれがあるので
好ましくない。１２０℃を越えると、グリシジルエーテ
ル化したときに生成した多官能エポキシ樹脂自体の粘度
が高くなり、同時に生成した結晶性エポキシ樹脂成分の
低粘度化の効果が薄くなるので好ましくない。エポキシ
樹脂の軟化点の測定方法は、ＪＩＳ Ｋ ７２３４の環
球法に準じた。
【００２２】本発明のエポキシ樹脂としては、特に融解
熱量が５〜３５ｍＪ／ｍｇであるものが好ましい。この
融解熱量は、使用するフェノール類（ｂ）のグリシジル
エーテル化により生成する結晶性エポキシ樹脂に由来し
ている。５ｍＪ／ｍｇ未満だと、エポキシ樹脂は低軟化
点で作業性が著しく低下するので好ましくない。３５ｍ
Ｊ／ｍｇを越えると、結晶性エポキシ樹脂のような挙動
を示し、多官能エポキシ樹脂に由来する高いＴｇや硬化
反応性を維持することができなくなるため好ましくな
い。エポキシ樹脂の融解熱量は、示差走査熱量計（セイ
コー電子工業（株）・製）を用いて、常温から昇温速度
５℃／分で昇温したときの吸熱ピークの熱量を示す。
又、本発明のエポキシ樹脂の特性を損なわない範囲で、
他のエポキシ樹脂を併用できる。併用できるエポキシ樹
脂としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹
脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹
脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良
い。本発明で用いる一般式（１）、又は一般式（２）で
示される多官能フェノール樹脂硬化剤としては、具体的
には前記した式（６）、式（７）、式（８）、式
（９）、式（１０）等が挙げられるが、入手のし易さ、
性能、原料価格等の点から式（６）、式（９）の多官能
フェノール樹脂硬化剤が好ましい。
熱量が５〜３５ｍＪ／ｍｇであるものが好ましい。この
融解熱量は、使用するフェノール類（ｂ）のグリシジル
エーテル化により生成する結晶性エポキシ樹脂に由来し
ている。５ｍＪ／ｍｇ未満だと、エポキシ樹脂は低軟化
点で作業性が著しく低下するので好ましくない。３５ｍ
Ｊ／ｍｇを越えると、結晶性エポキシ樹脂のような挙動
を示し、多官能エポキシ樹脂に由来する高いＴｇや硬化
反応性を維持することができなくなるため好ましくな
い。エポキシ樹脂の融解熱量は、示差走査熱量計（セイ
コー電子工業（株）・製）を用いて、常温から昇温速度
５℃／分で昇温したときの吸熱ピークの熱量を示す。
又、本発明のエポキシ樹脂の特性を損なわない範囲で、
他のエポキシ樹脂を併用できる。併用できるエポキシ樹
脂としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹
脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹
脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良
い。本発明で用いる一般式（１）、又は一般式（２）で
示される多官能フェノール樹脂硬化剤としては、具体的
には前記した式（６）、式（７）、式（８）、式
（９）、式（１０）等が挙げられるが、入手のし易さ、
性能、原料価格等の点から式（６）、式（９）の多官能
フェノール樹脂硬化剤が好ましい。
【００２３】又、本発明のフェノール樹脂の特性を損な
わない範囲で、他のフェノール樹脂硬化剤を併用でき
る。併用できるフェノール樹脂硬化剤としては、例え
ば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェ
ノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、テ
ルペン変性フェノール樹脂等が挙げられ、これらは単独
でも混合して用いても良い。更に、半導体装置の長期信
頼性の点から、不純物として含有される塩素イオン、ナ
トリウムイオン、その他フリーのイオンは極力少ないこ
とが望ましい。全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノ
ール樹脂のフェノール性水酸基との当量比は、０．５〜
２．０が好ましく、この範囲を外れると、樹脂組成物の
硬化性の低下、或いは硬化物のＴｇの低下等のおそれが
あるので好ましくない。
わない範囲で、他のフェノール樹脂硬化剤を併用でき
る。併用できるフェノール樹脂硬化剤としては、例え
ば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェ
ノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、テ
ルペン変性フェノール樹脂等が挙げられ、これらは単独
でも混合して用いても良い。更に、半導体装置の長期信
頼性の点から、不純物として含有される塩素イオン、ナ
トリウムイオン、その他フリーのイオンは極力少ないこ
とが望ましい。全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノ
ール樹脂のフェノール性水酸基との当量比は、０．５〜
２．０が好ましく、この範囲を外れると、樹脂組成物の
硬化性の低下、或いは硬化物のＴｇの低下等のおそれが
あるので好ましくない。
【００２４】本発明で用いる無機充填材の種類について
は特に制限はなく、一般に封止材料に用いられているも
のを使用することができる。例えば、溶融破砕シリカ粉
末、溶融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、２次凝集シ
リカ粉末、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニ
ウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、特に
溶融球状シリカが好ましい。球状シリカの形状として
は、流動性改善のために限りなく真球状であり、且つ粒
度分布がブロードであることが好ましい。この無機充填
材の配合量としては、全エポキシ樹脂と全フェノール樹
脂との合計量１００重量部当たり２５０〜１４００重量
部が好ましい。２５０重量部未満だと、低熱膨張化、低
吸湿性が得られず、耐半田クラック性が不十分となり、
１４００重量部を越えると、流動性が低下し、成形時に
充填不良等が生じたり、高粘度化による半導体装置内の
金線変形等の不都合が生じるおそれがあるので好ましく
ない。本発明で用いる無機充填材は、予め十分に混合し
ておくことが好ましい。又、必要に応じて無機充填材を
カップリング剤やエポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂
で予め処理して用いても良く、処理の方法としては、溶
剤を用いて混合した後に溶媒を除去する方法や直接無機
充填材に添加し、混合機を用いて処理する方法等があ
る。
は特に制限はなく、一般に封止材料に用いられているも
のを使用することができる。例えば、溶融破砕シリカ粉
末、溶融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、２次凝集シ
リカ粉末、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニ
ウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、特に
溶融球状シリカが好ましい。球状シリカの形状として
は、流動性改善のために限りなく真球状であり、且つ粒
度分布がブロードであることが好ましい。この無機充填
材の配合量としては、全エポキシ樹脂と全フェノール樹
脂との合計量１００重量部当たり２５０〜１４００重量
部が好ましい。２５０重量部未満だと、低熱膨張化、低
吸湿性が得られず、耐半田クラック性が不十分となり、
１４００重量部を越えると、流動性が低下し、成形時に
充填不良等が生じたり、高粘度化による半導体装置内の
金線変形等の不都合が生じるおそれがあるので好ましく
ない。本発明で用いる無機充填材は、予め十分に混合し
ておくことが好ましい。又、必要に応じて無機充填材を
カップリング剤やエポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂
で予め処理して用いても良く、処理の方法としては、溶
剤を用いて混合した後に溶媒を除去する方法や直接無機
充填材に添加し、混合機を用いて処理する方法等があ
る。
【００２５】本発明で用いる硬化促進剤としては、エポ
キシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応を促進するもの
であれば良く、例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）ウンデセン−７等のアミジン系化合物、トリフ
ェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テ
トラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メ
チルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。これらの硬化
促進剤は単独でも混合して用いても差し支えない。配合
量としては、全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂との合
計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部が好まし
い。配合量が０．４重量部未満だと、加熱成形時に十分
な硬化性が得られないおそれがあり、一方、２０重量部
を越えると、硬化が速すぎて成形時に流動性の低下によ
る充填不良等を生じるおそれがあるので好ましくない。
キシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応を促進するもの
であれば良く、例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）ウンデセン−７等のアミジン系化合物、トリフ
ェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テ
トラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メ
チルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。これらの硬化
促進剤は単独でも混合して用いても差し支えない。配合
量としては、全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂との合
計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部が好まし
い。配合量が０．４重量部未満だと、加熱成形時に十分
な硬化性が得られないおそれがあり、一方、２０重量部
を越えると、硬化が速すぎて成形時に流動性の低下によ
る充填不良等を生じるおそれがあるので好ましくない。
【００２６】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成
分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチ
モン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水和物等の
無機イオン交換体、γ-グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック、ベ
ンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム
等の低応力化成分、天然ワックス、合成ワックス、高級
脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型
剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合しても差し支
えない。本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分、
及びその他の添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、
ロール、ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷
却後粉砕して得られる。本発明の樹脂組成物を用いて、
半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造す
るには、トランスファーモールド、コンプレッションモ
ールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化
成形すればよい。
分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチ
モン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水和物等の
無機イオン交換体、γ-グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック、ベ
ンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム
等の低応力化成分、天然ワックス、合成ワックス、高級
脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型
剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合しても差し支
えない。本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分、
及びその他の添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、
ロール、ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷
却後粉砕して得られる。本発明の樹脂組成物を用いて、
半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造す
るには、トランスファーモールド、コンプレッションモ
ールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化
成形すればよい。
【００２７】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定
されるものではない。実施例及び比較例のエポキシ樹脂
Ａ〜Ｆの合成に使用した樹脂は、前記した式（９）と、
式（１１）（水酸基当量９１ｇ／ｅｑ）である。式（１
１）の構造を以下に示す。
説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定
されるものではない。実施例及び比較例のエポキシ樹脂
Ａ〜Ｆの合成に使用した樹脂は、前記した式（９）と、
式（１１）（水酸基当量９１ｇ／ｅｑ）である。式（１
１）の構造を以下に示す。
【化１６】
【００２８】又、結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフ
ェノール類として４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，
５，５’−テトラメチルビフェニル、４，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベ
ン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−
３’，５’，６−トリメチルスチルベンを用いた。実施
例及び比較例で使用したエポキシ樹脂Ａ〜Ｆについて、
その特性を表１に示す。エポキシ樹脂Ａ〜Ｆは、表１の
配合割合で、常法に従いグリシジルエーテル化して得
た。配合割合は重量部とする。軟化点、融解熱量は、前
述した方法で測定した。
ェノール類として４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，
５，５’−テトラメチルビフェニル、４，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベ
ン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−
３’，５’，６−トリメチルスチルベンを用いた。実施
例及び比較例で使用したエポキシ樹脂Ａ〜Ｆについて、
その特性を表１に示す。エポキシ樹脂Ａ〜Ｆは、表１の
配合割合で、常法に従いグリシジルエーテル化して得
た。配合割合は重量部とする。軟化点、融解熱量は、前
述した方法で測定した。
【００２９】
【表１】
【００３０】 実施例１ エポキシ樹脂Ａ ６０．６重量部 前記式（１１）のフェノール樹脂硬化剤（水酸基当量９１ｇ／ｅｑ） ３９．４重量部 溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ） ７７９．８重量部 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン ３．７重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ３．７重量部 カーボンブラック ２．８重量部 カルナバワックス ４．６重量部 臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７５ｇ／ｅｑ） ９．２重量部 三酸化アンチモン ９．２重量部 無機イオン交換体 ４．６重量部 を、常温においてミキサーで混合し、７０〜１２０℃で
２軸ロールにより混練し、冷却後粉砕して樹脂組成物を
得た。得られた樹脂組成物を以下の方法で評価した。評
価結果を表２に示す。
２軸ロールにより混練し、冷却後粉砕して樹脂組成物を
得た。得られた樹脂組成物を以下の方法で評価した。評
価結果を表２に示す。
【００３１】・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−Ｉ−６６
に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温
度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分
で測定した。単位はｃｍ。 ・硬化トルク：キュラストメータ（（株）オリエンテッ
ク・製、ＪＳＲキュラストメータＩＶＰＳ型）を用い、
金型温度１７５℃、加熱開始９０秒後のトルクを求め
た。キュラストメータにおけるトルクは硬化性のパラメ
ータであり、数値の大きい方が硬化性が良好である。単
位はｋｇｆ・ｃｍ。 ・吸湿率：トランスファー成形機を用いて、金型温度１
７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で直
径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの成形品を成形し、１７５℃、
８時間で後硬化し、得られた成形品を８５℃、相対湿度
６０％の環境下で１６８時間放置し、重量変化を測定し
て吸湿率を求めた。単位は重量％。 ・熱時強度：熱時曲げ強度をＪＩＳ Ｋ ６９１１に準
じて（２４０℃で）測定した。単位はいずれもＮ／ｍｍ
2。 ・パッケージ反り量：トランスファー成形機を用いて、
金型温度１８０℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時
間２分で２２５ｐＢＧＡ（基板は厚さ０．３６ｍｍ、ビ
スマレイミド・トリアジン／ガラスクロス基板、パッケ
ージサイズは２４×２４ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ、シリ
コンチップはサイズ９×９ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍ、チ
ップと回路基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の
金線でボンディングしている。）を成形した。更にポス
トキュアとして１７５℃で８時間処理した。室温に冷却
後パッケージのゲートから対角線方向に、表面粗さ計を
用いて高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値
を反り量とした。単位はμｍ。 ・耐半田クラック性：トランスファー成形機を用いて、
金型温度１８０℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時
間２分で２２５ｐＢＧＡ（基板は厚さ０．３６ｍｍ、ビ
スマレイミド・トリアジン／ガラスクロス基板、パッケ
ージサイズは２４×２４ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ、シリ
コンチップはサイズ９×９ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍ、チ
ップと回路基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の
金線でボンディングしている。）を成形した。ポストキ
ュアとして１７５℃で８時間処理したパッケージ８個
を、８５℃、相対湿度６０％で１６８時間処理した後、
ＩＲリフロー処理（２４０℃）を行った。処理後の内部
の剥離、及びクラックの有無を超音波傷機で観察し、不
良パッケージの個数を数えた。不良パッケージの個数が
ｎ個であるとき、ｎ／８と表示する。
に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温
度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分
で測定した。単位はｃｍ。 ・硬化トルク：キュラストメータ（（株）オリエンテッ
ク・製、ＪＳＲキュラストメータＩＶＰＳ型）を用い、
金型温度１７５℃、加熱開始９０秒後のトルクを求め
た。キュラストメータにおけるトルクは硬化性のパラメ
ータであり、数値の大きい方が硬化性が良好である。単
位はｋｇｆ・ｃｍ。 ・吸湿率：トランスファー成形機を用いて、金型温度１
７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で直
径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの成形品を成形し、１７５℃、
８時間で後硬化し、得られた成形品を８５℃、相対湿度
６０％の環境下で１６８時間放置し、重量変化を測定し
て吸湿率を求めた。単位は重量％。 ・熱時強度：熱時曲げ強度をＪＩＳ Ｋ ６９１１に準
じて（２４０℃で）測定した。単位はいずれもＮ／ｍｍ
2。 ・パッケージ反り量：トランスファー成形機を用いて、
金型温度１８０℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時
間２分で２２５ｐＢＧＡ（基板は厚さ０．３６ｍｍ、ビ
スマレイミド・トリアジン／ガラスクロス基板、パッケ
ージサイズは２４×２４ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ、シリ
コンチップはサイズ９×９ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍ、チ
ップと回路基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の
金線でボンディングしている。）を成形した。更にポス
トキュアとして１７５℃で８時間処理した。室温に冷却
後パッケージのゲートから対角線方向に、表面粗さ計を
用いて高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値
を反り量とした。単位はμｍ。 ・耐半田クラック性：トランスファー成形機を用いて、
金型温度１８０℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時
間２分で２２５ｐＢＧＡ（基板は厚さ０．３６ｍｍ、ビ
スマレイミド・トリアジン／ガラスクロス基板、パッケ
ージサイズは２４×２４ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ、シリ
コンチップはサイズ９×９ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍ、チ
ップと回路基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の
金線でボンディングしている。）を成形した。ポストキ
ュアとして１７５℃で８時間処理したパッケージ８個
を、８５℃、相対湿度６０％で１６８時間処理した後、
ＩＲリフロー処理（２４０℃）を行った。処理後の内部
の剥離、及びクラックの有無を超音波傷機で観察し、不
良パッケージの個数を数えた。不良パッケージの個数が
ｎ個であるとき、ｎ／８と表示する。
【００３２】実施例２〜５、比較例１〜６ 実施例１と同様にして、表２、表３の組成に従って配合
して得られた樹脂組成物について評価した。評価結果を
表２、表３に示す。実施例２、５、比較例３では式
（９）のフェノール樹脂硬化剤を用いた。比較例４、５
では式（１２）のエポキシ樹脂（エポキシ当量１５４ｇ
／ｅｑ）を用いた。比較例５、６では４，４’−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’
−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂
（融点１０５℃、エポキシ当量１９５ｇ／ｅｑ）を用い
た。
して得られた樹脂組成物について評価した。評価結果を
表２、表３に示す。実施例２、５、比較例３では式
（９）のフェノール樹脂硬化剤を用いた。比較例４、５
では式（１２）のエポキシ樹脂（エポキシ当量１５４ｇ
／ｅｑ）を用いた。比較例５、６では４，４’−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’
−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂
（融点１０５℃、エポキシ当量１９５ｇ／ｅｑ）を用い
た。
【００３３】
【化１７】
【００３４】
【表２】
【００３５】
【表３】
【００３６】
【発明の効果】本発明に従うと、成形性に優れるエポキ
シ樹脂組成物が得られ、これを用いた半導体装置は成形
後や半田処理時の反りが小さく、耐半田クラック性に優
れている。
シ樹脂組成物が得られ、これを用いた半導体装置は成形
後や半田処理時の反りが小さく、耐半田クラック性に優
れている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC04X CC05X CC06X CD03W CD04W CD05W CD06W CE00X DE136 DE146 DJ016 DJ036 DJ046 DL006 EU097 EU117 EW017 EY017 FA046 FD016 FD090 FD130 FD157 FD160 GQ05 4J036 AD08 AD10 AF06 AF08 AF10 AF22 AF27 BA09 DC41 DC46 FA03 FB08 GA06 GA29 JA07 4M109 AA01 BA03 BA05 CA21 EA03 EA04 EA06 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EB13 EB19 EC01 EC03 EC20
Claims (5)
- 【請求項１】 （Ａ）一般式（１）及び／又は一般式
（２）で示される多官能フェノール樹脂（ａ）と、結晶
性エポキシ樹脂の前駆体であるフェノール類（ｂ）とを
混合しグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂、（Ｂ）
一般式（１）、又は一般式（２）で示される多官能フェ
ノール樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化
促進剤を必須成分とし、（ａ）と（ｂ）との重量比（ａ
／ｂ）が１〜１９であり、エポキシ樹脂（Ａ）の軟化点
が７０〜１２０℃であり、全エポキシ樹脂のエポキシ基
に対する全フェノール樹脂硬化剤のフェノール性水酸基
の当量比が０．５〜２．０であり、無機充填材の含有量
が全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂硬化剤の合計量１
００重量部当たり２５０〜１４００重量部であり、硬化
促進剤の含有量が全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂硬
化剤の合計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部で
あることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 【化１】 （ただし、式中のＲは、炭素数１〜５の炭化水素、ハロ
ゲンの中から選択される基又は原子であり、それらは互
いに同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４、
ｎ＝０〜３、ｋは平均値で、１〜１０の正数） 【化２】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４） - 【請求項２】 一般式（１）及び／又は一般式（２）で
示される多官能フェノール樹脂（ａ）と、結晶性エポキ
シ樹脂の前駆体であるフェノール類（ｂ）とを混合し、
グリシジルエーテル化したエポキシ樹脂（Ａ）におい
て、融解熱量が５〜３５ｍＪ／ｍｇである請求項１記載
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェ
ノール類（ｂ）が、一般式（３）、一般式（４）、又は
一般式（５）から選ばれる一種以上である請求項１、又
は２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化３】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４） 【化４】 【化５】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４、Ｒ
2は水素、炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲンの中から
選択される基又は原子であり、それらは互いに同一であ
っても異なっていてもよい。 ） - 【請求項４】 結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェ
ノール類（ｂ）が、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルビフェニル、ビス（３，５−ジメチル−４−
ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３’，
５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、ビス（２−ターシャリブチル−５−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）スルフィド、又は、３−ターシャリ
ブチル−２，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−ト
リメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’
−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベ
ン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−
３’，５，５’−トリメチルスチルベン、の３種から選
ばれる１種以上と４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，
５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジ
メチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’
−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベ
ン、２，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリ
ブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジ
ヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチル
ベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャ
リブチル−５，５’−ジメチルスチルベンの６種から選
ばれる１種以上との混合物である請求項１、２、又は３
記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】 基板の片面に半導体素子が搭載され、こ
の半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみ
が請求項１、２、３、又は４記載のエポキシ樹脂組成物
によって封止されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17039499A JP4395923B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17039499A JP4395923B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001002755A true JP2001002755A (ja) | 2001-01-09 |
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ID=15904123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17039499A Expired - Fee Related JP4395923B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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| JP (1) | JP4395923B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001192532A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2001226451A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-08-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2003026769A (ja) * | 2001-05-09 | 2003-01-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2006117711A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| EP1701400A1 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-13 | Nichias Corporation | Conductive epoxy resin composition and separator for fuel cell |
| JP2016204606A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | Tdk株式会社 | 樹脂組成物、樹脂シート、樹脂硬化物および樹脂基板 |
| JP2016204604A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | Tdk株式会社 | 樹脂組成物、樹脂シート、樹脂硬化物および樹脂基板 |
| JP2016204602A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | Tdk株式会社 | 樹脂組成物、樹脂シート、樹脂硬化物および樹脂基板 |
| WO2018080057A1 (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-03 | 주식회사 케이씨씨 | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 |
-
1999
- 1999-06-17 JP JP17039499A patent/JP4395923B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2001226451A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-08-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP4517433B2 (ja) * | 2000-02-14 | 2010-08-04 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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| JP4645147B2 (ja) * | 2004-10-19 | 2011-03-09 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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| JP2016204604A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | Tdk株式会社 | 樹脂組成物、樹脂シート、樹脂硬化物および樹脂基板 |
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|---|---|
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