JP2002299263A - Manufacturing method for semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波帯の無線通
信分野やオプトエレクトロニクス等の電子デバイス分野
に用いられるダイヤモンド薄膜を含む半導体装置の作製
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device including a diamond thin film used in a radio communication field in a high frequency band or an electronic device field such as optoelectronics.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ダイヤモンドは、地球上に存在する全て
の物質の中で硬度やヤング率が最も大きいという機械的
特徴を有するため、既に様々な機械部品や工具に用いら
れている。2. Description of the Related Art Diamond has the mechanical characteristic of having the highest hardness and Young's modulus among all substances existing on the earth, and therefore has already been used for various mechanical parts and tools.
【０００３】また、ダイヤモンドは、機械的以外にも、
電気的、光学的、そして熱的に非常に優れた性質を持っ
ており、電子デバイス分野でも大変注目されている材料
であり、例えばダイヤモンドの中を伝播する音速の速さ
を利用したＧＨｚ（ギガヘルツ）帯の無線通信用の弾性
表面波フィルタ等にも実用され始めている。[0003] In addition to the mechanical, diamond,
It has excellent electrical, optical, and thermal properties, and is a material that has attracted much attention in the field of electronic devices. For example, GHz (gigahertz) utilizing the speed of sound traveling through diamond. ) Bands have begun to be used in surface acoustic wave filters for wireless communication.
【０００４】電気的な特徴としてダイヤモンドは、５．
４５ｅＶという大きな禁制帯幅をもち通常は絶縁体であ
るが、不純物を添加することでワイドバンドギャップの
半導体とすることもできる。また、電子やホールの移動
度が１６００〜２２００ｃｍ 2／Ｖｓと非常に大きい。
このため、ハイパワー高耐圧ＩＣや通信用高速ＦＥＴ等
の次世代デバイス用半導体としても脚光を浴びている。As an electrical feature, diamond is:
It has a large bandgap of 45 eV and is usually an insulator.
However, by adding impurities, the wide band gap
It can also be a semiconductor. Also, the movement of electrons and holes
The degree is 1600-2200cm Two/ Vs, which is very large.
For this reason, high-power high-voltage ICs, high-speed communication FETs, etc.
It is also in the spotlight as a semiconductor for next-generation devices.
【０００５】近年、シリコン基板上へのダイヤモンド薄
膜の作製技術に関する研究開発は活発化し、これまでに
熱フィラメントＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ
法、高周波プラズマＣＶＤ法、直流放電プラズマＣＶＤ
法、アーク放電プラズマジェット法、レーザーデポジシ
ョン法等の気相成長技術が開発されてきた。[0005] In recent years, research and development on the technique of forming a diamond thin film on a silicon substrate has been active, and so far hot filament CVD, microwave plasma CVD,
Method, high frequency plasma CVD method, DC discharge plasma CVD
Gas phase growth techniques such as the plasma discharge method, the arc discharge plasma jet method, and the laser deposition method have been developed.
【０００６】ダイヤモンド薄膜を作製する際に、このよ
うに高熱やプラズマ、レーザー光等の高エネルギー励起
源を必要とするのは、原料気体である炭化水素ガスやア
ルコール系ガス及び雰囲気気体である水素ガスを効率良
く分解し、気相中で炭化水素ラジカルや原子状水素が過
飽和な非平衡状態をつくりだす必要があるからである。[0006] When a diamond thin film is produced, a source of high energy such as high heat, plasma, laser light or the like is required because a hydrocarbon gas or an alcohol-based gas as a raw material gas and a hydrogen gas as an atmospheric gas are required. This is because it is necessary to efficiently decompose the gas and create a supersaturated non-equilibrium state in which the hydrocarbon radicals and atomic hydrogen are in the gas phase.
【０００７】とりわけ、基板上にダイヤモンド薄膜を結
晶成長させる初期の行程（核生成の行程）は自由エネル
ギーが不安定で、ただ単に平坦鏡面的な基板上に原料分
子や原子状水素の活性種を供給するだけでは核生成は起
こりにくく、ダイヤモンド薄膜の成長は極めて困難であ
る。In particular, in the initial step (nucleation step) of crystal growth of a diamond thin film on a substrate, free energy is unstable, and active molecules such as raw material molecules and atomic hydrogen are simply deposited on a flat mirror-like substrate. Nucleation is unlikely to occur simply by supplying the material, and it is extremely difficult to grow a diamond thin film.
【０００８】そこで通常は、ダイヤモンド薄膜を作製す
る前に適当な核生成前処理を行って、基板上にダイヤモ
ンドの核生成が容易に起こるようにする。代表的な核生
成前処理の方法としては、基板表面に予め微細なきずを
設けておくスクラッチ法がよく知られている。Therefore, usually, an appropriate nucleation pretreatment is performed before producing a diamond thin film so that diamond nucleation easily occurs on a substrate. As a typical nucleation pretreatment method, a scratch method in which fine flaws are provided in advance on a substrate surface is well known.
【０００９】しかし、スクラッチ法は、核生成密度（ダ
イヤモンド薄膜の結晶成長の初期における核生成の単位
面積あたりの密度）が１０6〜１０7ｃｍ-2と小さく、表
面が平滑なダイヤモンド薄膜を得ることが難しいという
欠点がある。一般に核生成密度が低いと、ダイヤモンド
粒同士が結合するまでの結晶成長に長時間を要し、より
薄く連続した膜が形成されにくい上に、三次元的に結晶
成長した粒が互いに合体した形状を有するため、結晶成
長したダイヤモンド薄膜表面に凹凸が顕著に現れる。ま
た、スクラッチ法は、大面積の基板上に均一な密度で均
一な大きさの核を生成させにくいという問題もある。However, in the scratch method, a nucleation density (density per unit area of nucleation in the initial stage of crystal growth of a diamond thin film) is as small as 10 6 to 10 7 cm −2 and a diamond thin film having a smooth surface is obtained. There is a disadvantage that it is difficult. In general, when the nucleation density is low, it takes a long time for crystal growth until the diamond grains bond to each other, it is difficult to form a thinner and continuous film, and the three-dimensionally crystal-grown grains are combined with each other. , Concavities and convexities are conspicuously appearing on the surface of the crystal-grown diamond thin film. Further, the scratch method has a problem that it is difficult to generate nuclei having a uniform size and a uniform size on a large-area substrate.
【００１０】最近、これらの課題を克服できる新しい核
生成前処理の方法として、物理的または化学的に基板表
面に高密度の微小歪みを導入する手法が提案され、例え
ばシリコン基板にＳｉ+イオンを注入する方法（Jie Yan
g et al.; Applied PhysicsLetters 66(1995) pp3284-3
286）、あるいはシリコン基板表面を電気化学処理によ
り多孔質化する方法等がある。[0010] Recently, as a new nucleation pretreatment method capable of overcoming these problems, a method of physically or chemically introducing high-density micro strain to the substrate surface has been proposed. For example, Si + ions are introduced into a silicon substrate. How to inject (Jie Yan
g et al .; Applied Physics Letters 66 (1995) pp3284-3
286) or a method of making the surface of a silicon substrate porous by electrochemical treatment.
【００１１】後者のシリコン基板表面を多孔質化する核
生成前処理の方法として、シリコン等の半導体基板を陽
極化成することによってその表面を多孔質層に改質する
方法がある。ここで、多孔質層とは、基板表面から内部
にかけて、ナノメートル〜マイクロメートルオーダーの
大きさを有する空孔が無数に分散されたその基板の一部
のことである。このとき、陽極化成電流密度や温度を適
当に選ぶことによって、多孔質層表面に１０〜１０００
ｎｍ程度の凹凸（格子歪み）を制御良く形成することが
できる。As a method of the nucleation pretreatment for making the surface of the silicon substrate porous, there is a method of modifying the surface of the silicon substrate to a porous layer by anodizing a semiconductor substrate such as silicon. Here, the porous layer is a part of the substrate in which pores having a size on the order of nanometers to micrometer are dispersed innumerably from the surface to the inside of the substrate. At this time, by appropriately selecting anodizing current density and temperature, 10 to 1000
Irregularities (lattice distortion) of about nm can be formed with good control.
【００１２】この核生成前処理工程を用いたダイヤモン
ド薄膜の作製方法が、例えば特開平６−１３５７９８号
公報に開示され、その公報には、フッ化水素酸を含む電
解液中でシリコン基板を陽極化成して表面を多孔質化し
た多孔質シリコン層を形成し、多孔質シリコン層の格子
歪みを核としてダイヤモンド薄膜を作製する方法が記載
されている。この方法によれば、１０8〜１０10ｃｍ-2
という非常に高い核生成密度が実現できるため、表面が
平滑なダイヤモンド薄膜を得ることができる。A method for producing a diamond thin film using this nucleation pretreatment step is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-135798, which discloses that a silicon substrate is anodic in an electrolytic solution containing hydrofluoric acid. A method is described in which a porous silicon layer whose surface is made porous by chemical formation is formed, and a diamond thin film is produced using lattice distortion of the porous silicon layer as a nucleus. According to this method, 10 8 to 10 10 cm −2
Since a very high nucleation density can be realized, a diamond thin film having a smooth surface can be obtained.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】一般に多孔質層の構造
は、温度、接している気相の状態、圧力等に対して非常
に敏感であることが知られている。多孔質層が多孔質シ
リコン層の場合、真空中や水素ガス雰囲気中で温度を上
げていくと微視的には約３００℃から変化が現れ、さら
に温度を上げるとシリコン原子の流動化が顕著になりナ
ノメートルサイズの微細な空孔が凝集してマイクロメー
トルサイズの空孔に再構成される。約１０００℃以上に
なると、流動化現象によって空孔が維持できなくなり、
多孔質構造そのものが消失してしまう場合もある。In general, it is known that the structure of a porous layer is very sensitive to the temperature, the state of the gas phase in contact, the pressure, and the like. When the porous layer is a porous silicon layer, the temperature microscopically changes from about 300 ° C. when the temperature is increased in a vacuum or a hydrogen gas atmosphere, and when the temperature is further increased, the fluidization of silicon atoms becomes remarkable. The nanometer-sized fine holes are aggregated and reconstituted into micrometer-sized holes. When the temperature exceeds about 1000 ° C., the pores cannot be maintained due to the fluidization phenomenon,
In some cases, the porous structure itself disappears.
【００１４】一方、ダイヤモンド薄膜の作製は、気相成
長の方法にも依存するが、減圧の水素ガス雰囲気下で、
概して７００〜１２００℃の温度で行われる。通常、ダ
イヤモンドの気相成長表面は通常水素原子で終端されて
おり、この終端水素が気相中の原子状水素に引き抜かれ
て脱離すると同時に、炭化水素ラジカルの炭素原子がそ
の格子点を置換してダイヤモンドの結晶構造の骨格とな
るｓｐ3結合を形成していく過程によって、ダイヤモン
ド薄膜の結晶成長が起こっている。ここで、ダイヤモン
ド表面の終端水素の脱離は、９００〜１０５０℃程度で
最も活発に起こると考えられ（S.Matsumoto et al.;Che
mical Letters (1973) p.1247）、ダイヤモンド薄膜を
気相成長により作製する際においても、高い成膜速度と
良質な結晶品質を実現する上で、９００〜１０５０℃の
温度領域での作製が適している。On the other hand, the production of a diamond thin film also depends on the method of vapor phase growth.
Generally, it is performed at a temperature of 700 to 1200 ° C. Normally, the vapor phase growth surface of diamond is usually terminated with hydrogen atoms, and this terminal hydrogen is extracted by atomic hydrogen in the gas phase and desorbed, and at the same time, carbon atoms of hydrocarbon radicals replace their lattice points. In the process of forming the sp 3 bond that forms the skeleton of the diamond crystal structure, the crystal growth of the diamond thin film occurs. Here, desorption of terminal hydrogen from the diamond surface is considered to occur most actively at about 900 to 1050 ° C. (S. Matsumoto et al .; Che).
mical Letters (1973) p.1247), even in the case of producing diamond thin films by vapor phase growth, in order to achieve high film formation rate and good crystal quality, production in the temperature range of 900 to 1050 ° C is suitable. ing.
【００１５】従って、多孔質シリコン層を形成する核生
成前処理の方法を利用する場合において、良質な結晶品
質のダイヤモンド薄膜を作製するために９００℃〜１０
５０℃の高温で気相成長すると、前述のように下地の多
孔質シリコン層が熱的に破壊され核生成密度が低下する
という問題があり、逆に、多孔質シリコン層が熱的な影
響を受けないように３００℃程度の低温で気相成長する
と、多孔質シリコン層の上のダイヤモンド薄膜の成長温
度が制限されてしまうという問題があった。Therefore, in the case of utilizing the nucleation pretreatment method for forming a porous silicon layer, a temperature of 900 ° C. to 10 ° C. is required to produce a diamond thin film of good crystal quality.
When vapor phase growth is performed at a high temperature of 50 ° C., there is a problem that the underlying porous silicon layer is thermally destroyed and the nucleation density is reduced as described above. If the vapor phase growth is performed at a low temperature of about 300 ° C. so as not to be affected, there is a problem that the growth temperature of the diamond thin film on the porous silicon layer is limited.
【００１６】本発明は、上記問題点を解決するために、
大面積に均質で高密度の核生成が実現でき、表面が平滑
なダイヤモンド薄膜が得られやすいという多孔質層を形
成する核生成前処理の長所を活かしながら、ダイヤモン
ド薄膜の成長温度に対する制約を少なくして、電子デバ
イスにも適合した高品質なダイヤモンド薄膜を含む半導
体装置を高いスループット（短時間当たりの処理能力）
で作製する方法を提供する。The present invention has been made in order to solve the above problems.
Less restrictions on the growth temperature of the diamond thin film, while taking advantage of the pre-nucleation process of forming a porous layer, which enables uniform and high-density nucleation over a large area and easily obtains a diamond thin film with a smooth surface. And high-throughput (processing capacity per short time) semiconductor devices containing high-quality diamond thin films suitable for electronic devices.
And a method for producing the same.
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の半導
体装置の作製方法は、シリコン基板を陽極化成し、前記
シリコン基板の表面に多孔質シリコン層を形成する工程
と、前記多孔質シリコン層の上にダイヤモンド状炭素を
主成分とする中間層を気相成長により形成する工程と、
前記中間層の上にダイヤモンド薄膜を気相成長により形
成する工程とを備えたものである。According to a first method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a step of anodizing a silicon substrate to form a porous silicon layer on the surface of the silicon substrate; Forming a diamond-like carbon-based intermediate layer on the layer by vapor phase growth,
Forming a diamond thin film on the intermediate layer by vapor phase growth.
【００１８】多孔質シリコン層とダイヤモンド薄膜の間
に中間層を形成することにより、高温低圧のダイヤモン
ド薄膜の気相成長環境下においても下地となる多孔質シ
リコン層の構造が変化しにくくなる。従って、高密度な
核生成状態を維持したままでダイヤモンド薄膜を形成で
きるので、表面が平滑で品質が良好なダイヤモンド薄膜
を含む半導体装置を高速作製することが可能となる。The formation of the intermediate layer between the porous silicon layer and the diamond thin film makes it difficult for the structure of the underlying porous silicon layer to change even in a high temperature and low pressure diamond thin film vapor phase growth environment. Therefore, since a diamond thin film can be formed while maintaining a high density nucleation state, a semiconductor device including a diamond thin film having a smooth surface and good quality can be manufactured at high speed.
【００１９】また、第１の半導体装置の作製方法におい
て、中間層が、ダイヤモンド状炭素を主成分とすること
が好ましい。In the first method for manufacturing a semiconductor device, the intermediate layer preferably contains diamond-like carbon as a main component.
【００２０】中間層に含まれるダイヤモンド状炭素と中
間層の上に形成されるダイヤモンド薄膜とはともに炭素
の同素体で、気相成長膜の表面はどちらも炭素または水
素のみで終端されているため、結晶格子の整合性が良く
界面での相互拡散の問題が起こらないので、さらに表面
が平滑で品質が良好なダイヤモンド薄膜を含む半導体装
置を高速作製することが可能となる。Both the diamond-like carbon contained in the intermediate layer and the diamond thin film formed on the intermediate layer are allotropes of carbon, and the surfaces of the vapor-phase growth films are both terminated with only carbon or hydrogen. Since the compatibility of the crystal lattice is good and the problem of interdiffusion at the interface does not occur, a semiconductor device including a diamond thin film having a smooth surface and good quality can be manufactured at high speed.
【００２１】また、第１の半導体装置の作製方法におい
て、前記中間層の厚さが１０〜２０００ｎｍであること
が好ましい。In the first method for fabricating a semiconductor device, it is preferable that the thickness of the intermediate layer is 10 to 2000 nm.
【００２２】また、第１の半導体装置の作製方法におい
て、前記中間層の厚さが２００〜８００ｎｍであること
が好ましい。In the first method for fabricating a semiconductor device, the thickness of the intermediate layer is preferably 200 to 800 nm.
【００２３】本発明に係る第２の半導体装置の作製方法
は、シリコン基板を陽極化成し、前記シリコン基板の表
面に多孔質シリコン層を形成する工程と、前記多孔質シ
リコン層の上に８００℃以下の気相成長温度で低温成長
ダイヤモンド薄膜を形成する工程と、前記低温成長ダイ
ヤモンド薄膜の上に８００℃以上の気相成長温度で高温
成長ダイヤモンド薄膜を形成する工程とを備えたもので
ある。A second method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises the steps of: anodizing a silicon substrate to form a porous silicon layer on the surface of the silicon substrate; A step of forming a low-temperature-grown diamond thin film at the following vapor-phase growth temperature; and a step of forming a high-temperature-grown diamond thin film at a vapor-phase growth temperature of 800 ° C. or higher on the low-temperature-grown diamond thin film.
【００２４】多孔質シリコン層は、約８００℃より低い
温度では大幅な構造変化は起こさないため、８００℃以
下の低温成長ダイヤモンド薄膜の形成段階では、高い核
生成密度を維持したまま結晶成長が進む。従って、高密
度な核生成状態を維持したまま高温でダイヤモンド薄膜
を形成できるので、表面が平滑で品質が良好なダイヤモ
ンド薄膜を含む半導体装置を高速作製することが可能と
なる。Since the porous silicon layer does not undergo a significant structural change at a temperature lower than about 800 ° C., crystal growth proceeds while maintaining a high nucleation density at the stage of forming a low-temperature-grown diamond thin film at 800 ° C. or lower. . Therefore, a diamond thin film can be formed at a high temperature while maintaining a high density nucleation state, so that a semiconductor device including a diamond thin film having a smooth surface and good quality can be manufactured at high speed.
【００２５】また、第２の半導体装置の作製方法におい
て、前記第１のダイヤモンド薄膜の厚さが、０より大き
く５００ｎｍ以下であることが好ましい。In the second method for fabricating a semiconductor device, it is preferable that the thickness of the first diamond thin film is larger than 0 and equal to or smaller than 500 nm.
【００２６】[0026]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係るダ
イヤモンド薄膜の作製方法について、図１〜図４を用い
て説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for producing a diamond thin film according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【００２７】（第１の実施形態）以下、本発明の第１の
実施形態に係る半導体装置の作製方法について、図１を
参照しながら説明する。尚、図１（ａ）〜（ｃ）は、第
１の実施形態に係る半導体装置の作製方法を示す断面図
である。(First Embodiment) A method for fabricating a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. 1A to 1C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment.
【００２８】まず、単結晶のシリコンウェハー１を陽極
化成して、図１（ａ）に示すように、シリコンウェハー
１の表面に、ダイヤモンド薄膜形成のための核となる多
孔質シリコン層２を形成する。尚、多孔質の孔は図示し
ていない。First, a single crystal silicon wafer 1 is anodized to form a porous silicon layer 2 serving as a nucleus for forming a diamond thin film on the surface of the silicon wafer 1 as shown in FIG. I do. The porous holes are not shown.
【００２９】陽極化成は、シリコンウェハー１の表面を
網目状の白金電極と対向させたまま、フッ化水素酸（Ｈ
Ｆ）とエタノール（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）の１：１混合液に浸
し、シリコンウェハー１を陽極に、白金電極を陰極にし
て電流を流して行われる。ここで、シリコンウェハー１
がｎ型伝導性である場合は化成速度が遅いため、Ｘｅ
（キセノン）ランプ光等を照射して化成を促進する必要
がある。尚、シリコンウェハー１がｐ型伝導性であれば
光照射の必要はない。In the anodization, hydrofluoric acid (H) is used while keeping the surface of the silicon wafer 1 facing the mesh-like platinum electrode.
F) and ethanol (C 2 H 5 OH) are immersed in a 1: 1 mixed solution, and current is applied by using the silicon wafer 1 as an anode and the platinum electrode as a cathode. Here, silicon wafer 1
Is n-type conductive, the formation rate is low, so that Xe
It is necessary to promote chemical formation by irradiating (xenon) lamp light or the like. In addition, if the silicon wafer 1 is p-type conductive, there is no need for light irradiation.
【００３０】陽極化成により得られる多孔質シリコン層
２の空孔サイズ（径）、層厚または化成速度は、主に単
結晶シリコンウェハー１の抵抗率、化成電流密度、化成
温度、化成時間を調節することによって再現性良く制御
できる。尚、ｎ型伝導性のシリコンウェハーの場合は光
照射強度も影響する。本実施形態では、空孔サイズが約
１００ｎｍ、化成速度が５００ｎｍ／分以下、層厚が１
０００ｎｍ以下になるように、ｐ型伝導性のシリコンウ
ェハー１を用いて、その抵抗率を１Ω・ｃｍ、化成電流
密度を１０ｍＡ／ｃｍ2、化成温度を２５℃、化成時間
を１８０秒に設定している。The pore size (diameter), layer thickness, or formation rate of the porous silicon layer 2 obtained by anodization mainly controls the resistivity, formation current density, formation temperature, and formation time of the single crystal silicon wafer 1. By doing so, control can be performed with good reproducibility. In the case of an n-type conductive silicon wafer, the light irradiation intensity also has an effect. In this embodiment, the pore size is about 100 nm, the formation rate is 500 nm / min or less, and the layer thickness is 1
The resistivity is set to 1 Ω · cm, the formation current density is set to 10 mA / cm 2 , the formation temperature is set to 25 ° C., and the formation time is set to 180 seconds so as to be 000 nm or less. ing.
【００３１】また、陽極化成は、複雑な装置を必要とし
ない簡便なウェット処理であり、たとえ基板面積が大き
くても均一サイズ、均一密度の核生成を実現することが
できる。Anodization is a simple wet process that does not require a complicated apparatus, and can realize nucleation of uniform size and uniform density even if the substrate area is large.
【００３２】次に、図１（ｂ）に示すように、誘導結合
プラズマＣＶＤ法により、多孔質シリコン層２を核とし
てダイヤモンド状炭素を主成分とする中間層３を析出し
て結晶成長させる。ここで、ダイヤモンド状炭素とは、
完全なダイヤモンドとは異なりｓｐ3結合以外の分子結
合（ｓｐ2、ｓｐ1等）を含んだ炭素の総称である。Next, as shown in FIG. 1B, an intermediate layer 3 containing diamond-like carbon as a main component is deposited using the porous silicon layer 2 as a nucleus and grown by inductively coupled plasma CVD. Here, diamond-like carbon is
Unlike a perfect diamond, it is a generic term for carbon containing molecular bonds (sp 2 , sp 1, etc.) other than sp 3 bonds.
【００３３】このとき、中間層３は、下地の多孔質シリ
コン層２の微細な凹凸の影響を受けて、堆積初期は島状
に析出し、やがて連続膜へと成長している。後続するダ
イヤモンド薄膜の合成時に高密度の核生成を実現するた
めには、中間層３の厚さｄは、１０〜２０００ｎｍとな
るように成長時間を制御するのが望ましい。At this time, the intermediate layer 3 is deposited in an island shape at the initial stage of deposition under the influence of the fine irregularities of the underlying porous silicon layer 2 and grows into a continuous film. In order to realize high-density nucleation during the subsequent synthesis of the diamond thin film, it is desirable to control the growth time so that the thickness d of the intermediate layer 3 is 10 to 2000 nm.
【００３４】尚、本実施形態で用いた誘導結合プラズマ
ＣＶＤ法とは、石英製の反応管の外に配置された誘導コ
イルと呼ばれるコイルに高周波（１３．５６ＭＨｚ）を
印加して反応管内にプラズマを誘起し、反応管内に流入
した原料ガスを分解し、励起して基板上に薄膜を堆積す
る気相成長法である。The inductively coupled plasma CVD method used in the present embodiment refers to a method in which a high frequency (13.56 MHz) is applied to a coil called an induction coil disposed outside a quartz reaction tube to generate plasma in the reaction tube. Is a gas phase growth method in which a source gas flowing into a reaction tube is decomposed and excited to deposit a thin film on a substrate.
【００３５】本実施形態における中間層３の作製条件
は、高周波入力を５００Ｗ、反応圧力を約１３．３Ｐａ
（０．１Ｔｏｒｒ）、シリコンウェハー１の基板温度を
約３００℃として中間層３の形成を行った。尚、原料ガ
スにはメタン（ＣＨ4）を使用し、水素（Ｈ2）を雰囲気
ガスとしてメタンを７％に希釈している。The conditions for producing the intermediate layer 3 in this embodiment are as follows: a high frequency input of 500 W and a reaction pressure of about 13.3 Pa.
(0.1 Torr), the intermediate layer 3 was formed at a substrate temperature of the silicon wafer 1 of about 300 ° C. Note that methane (CH 4 ) is used as a source gas, and methane is diluted to 7% using hydrogen (H 2 ) as an atmospheric gas.
【００３６】また、ダイヤモンド状炭素の中間層３の結
晶成長は、プラズマＣＶＤ法に代表される化学的気相成
長法の他に、イオンビーム蒸着法、イオンビームスパッ
タ法、レーザーデポジション法等の物理的成長法でも実
現可能である。The crystal growth of the diamond-like carbon intermediate layer 3 may be performed by chemical vapor deposition such as plasma CVD, ion beam evaporation, ion beam sputtering, laser deposition, or the like. It can also be realized by a physical growth method.
【００３７】最後に、図１（ｃ）に示すように、誘導結
合プラズマＣＶＤ法により中間層３の上にダイヤモンド
薄膜４を成長させる。誘導結合プラズマＣＶＤ法でダイ
ヤモンド薄膜を成長する場合、中間層３の作製条件より
高温高圧でより低い原料ガス濃度が必要となる。本実施
形態の成膜条件は、メタン濃度を２％（水素希釈）、高
周波入力を５００Ｗ、反応圧力を約６６７Ｐａ（５Ｔｏ
ｒｒ）として行った。尚、シリコンウェハー１の基板温
度は約９００℃であった。Finally, as shown in FIG. 1C, a diamond thin film 4 is grown on the intermediate layer 3 by inductively coupled plasma CVD. When a diamond thin film is grown by the inductively coupled plasma CVD method, a lower raw material gas concentration is required at a higher temperature and a higher pressure than the conditions for forming the intermediate layer 3. The film forming conditions of this embodiment are as follows: methane concentration: 2% (diluted with hydrogen); high-frequency input: 500 W; reaction pressure: about 667 Pa (5 To
rr). The substrate temperature of the silicon wafer 1 was about 900 ° C.
【００３８】また、このとき得られるダイヤモンド薄膜
４は多結晶体であり、その成長速度は約２００ｎｍ／時
である。The diamond thin film 4 obtained at this time is a polycrystal, and its growth rate is about 200 nm / hour.
【００３９】尚、成膜方法として誘導結合プラズマＣＶ
Ｄ法を用いたが、平行平板型プラズマＣＶＤ法や熱フィ
ラメント法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法等の成膜方法
を用いてもよい。As a film forming method, inductively coupled plasma CV
Although the D method is used, a film forming method such as a parallel plate type plasma CVD method, a hot filament method, and a microwave plasma CVD method may be used.
【００４０】次に、図２を用いてダイヤモンド状炭素の
中間層３の膜厚を変化させた場合のダイヤモンド薄膜４
の表面の平均粗さについて説明する。尚、図２は、中間
層３の膜厚とダイヤモンド薄膜４の表面の平均粗さとの
関係を示す図である。Next, referring to FIG. 2, the diamond thin film 4 in the case where the thickness of the diamond-like carbon intermediate layer 3 is changed.
The average roughness of the surface will be described. FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the thickness of the intermediate layer 3 and the average roughness of the surface of the diamond thin film 4.
【００４１】尚、中間層３の成長速度を約６００ｎｍ／
時で一定とし、ダイヤモンド薄膜４の厚さをすべて約３
０００ｎｍとなるように成膜した。また、平均表面粗さ
は、走査プローブ顕微鏡で測定している。The growth rate of the intermediate layer 3 is set to about 600 nm /
And the thickness of the diamond thin film 4 is about 3
The film was formed to have a thickness of 000 nm. The average surface roughness is measured with a scanning probe microscope.
【００４２】図２に示すように、中間層３の厚さが約１
０〜２０００ｎｍの場合の平均粗さは、中間層３がない
場合（厚さが０ｎｍ）の場合の平均粗さに比べて小さく
なっていることから、ダイヤモンド薄膜４の表面は中間
層３を入れることによって平滑化されていることがわか
る。また、中間層３の厚さが、２００〜８００ｎｍ程度
で特にその効果があることがわかる。これは、中間層３
が、多孔質シリコン層２の表面に形成されたダイヤモン
ド結晶成長核の消失を抑制するよう働いていることを示
している。逆に、中間層の厚さが８００ｎｍより大きく
なるとダイヤモンド薄膜の平滑性が低下するのは、中間
層３自体の表面平坦化が進んでしまい、かえって核生成
密度が低下してしまうと考えられるからである。As shown in FIG. 2, the thickness of the intermediate layer 3 is about 1
Since the average roughness in the case of 0 to 2000 nm is smaller than the average roughness in the case where the intermediate layer 3 is not provided (the thickness is 0 nm), the surface of the diamond thin film 4 includes the intermediate layer 3. It can be seen that the image is smoothed. In addition, it can be seen that the effect is particularly effective when the thickness of the intermediate layer 3 is about 200 to 800 nm. This is the middle layer 3
Indicate that the diamond crystal growth nuclei formed on the surface of the porous silicon layer 2 are suppressed from disappearing. Conversely, if the thickness of the intermediate layer is larger than 800 nm, the smoothness of the diamond thin film decreases because the surface flattening of the intermediate layer 3 itself progresses and the nucleation density is rather reduced. It is.
【００４３】最適な中間層３の厚さは、下地となる多孔
質シリコン層の厚さや空孔度に依存して選ばれるべきで
あるが、その厚さが１０ｎｍ未満の極薄層ではもはや多
孔質構造を保護するバリアとしての有効性が失われてし
まう。一方、中間層３の厚さが２０００ｎｍより厚くな
ると、多孔質シリコン層の表面に形成された微小な凹凸
が中間層によって平坦化されてしまうため、その上に析
出するダイヤモンド薄膜の成長核としての機能を果たさ
なくなる。The optimum thickness of the intermediate layer 3 should be selected depending on the thickness and the porosity of the underlying porous silicon layer. However, an extremely thin layer having a thickness of less than 10 nm is no longer porous. The effectiveness as a barrier protecting the quality structure is lost. On the other hand, when the thickness of the intermediate layer 3 is more than 2000 nm, minute irregularities formed on the surface of the porous silicon layer are flattened by the intermediate layer, and as a growth nucleus of a diamond thin film deposited thereon. Stop functioning.
【００４４】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係る半導体装置の作製方法について、図３を
参照しながら説明する。尚、図３（ａ）〜（ｃ）は、第
２の実施形態に係る半導体装置の作製方法を示す断面図
である。(Second Embodiment) Hereinafter, a method for fabricating a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment.
【００４５】まず、第１の実施形態と同様に、単結晶シ
リコンウェハー１を陽極化成して、図３（ａ）に示すよ
うに、表面に多孔質シリコン層２を形成する。陽極化成
については、第１の実施形態と同様なのでその説明は省
略する。First, similarly to the first embodiment, the single-crystal silicon wafer 1 is anodized to form a porous silicon layer 2 on the surface as shown in FIG. The anodization is the same as in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
【００４６】次に、図３（ｂ）に示すように、誘導結合
プラズマＣＶＤ法により、基板温度を８００℃以下の低
温にして、多孔質シリコン層２を核として低温成長ダイ
ヤモンド薄膜５を析出して結晶成長させる。第２の実施
形態において、基板温度を８００℃以下としたのは、８
００℃以上では多孔質シリコン層２が熱的に破壊され、
核生成密度が低下してしまうからである。Next, as shown in FIG. 3 (b), the substrate temperature is lowered to 800 ° C. or less by the inductively coupled plasma CVD method, and a low-temperature-grown diamond thin film 5 is deposited using the porous silicon layer 2 as a nucleus. To grow crystals. In the second embodiment, the reason why the substrate temperature is set to 800 ° C. or lower is that
Above 00 ° C., the porous silicon layer 2 is thermally broken,
This is because the nucleation density decreases.
【００４７】本実施形態における低温成長ダイヤモンド
薄膜５の作製条件は、メタン濃度を２％（水素希釈）、
高周波入力を５００Ｗ、反応圧力を約６６７Ｐａ（５Ｔ
ｏｒｒ）、基板温度を約７００℃とした。この場合、低
温成長ダイヤモンド薄膜５の膜厚については特に制限は
なく、低温成長ダイヤモンド薄膜の膜厚が２０００ｎｍ
より厚くなって表面が平坦化されても、その上に形成す
る高温成長ダイヤモンド薄膜は格子整合しながら連続的
に成長していくため、見かけ上高い核生成密度を維持し
たのと同じ効果を示す。尚、低温成長ダイヤモンド薄膜
の成長速度は約４０ｎｍ／時と低速であるため、低温成
長ダイヤモンド薄膜の膜厚が５００ｎｍ以下の膜厚にす
ることが好ましい。The conditions for producing the low-temperature-grown diamond thin film 5 in this embodiment are as follows: the methane concentration is 2% (diluted with hydrogen);
500 W high frequency input, reaction pressure about 667 Pa (5 T
orr), the substrate temperature was about 700 ° C. In this case, the thickness of the low-temperature-grown diamond thin film 5 is not particularly limited, and the thickness of the low-temperature-grown diamond thin film is 2000 nm.
Even if the surface becomes thicker and the surface is flattened, the high-temperature-grown diamond thin film formed on it grows continuously with lattice matching, thus exhibiting the same effect as maintaining an apparently high nucleation density. . Since the growth rate of the low-temperature-grown diamond thin film is as low as about 40 nm / hour, it is preferable that the low-temperature-grown diamond thin film has a thickness of 500 nm or less.
【００４８】最後に、図３（ｃ）に示すように、誘導結
合プラズマＣＶＤ法により、低温成長ダイヤモンド薄膜
５の上に、基板温度が８００℃以上の高温で、高温成長
ダイヤモンド薄膜６を堆積させる。高温成長ダイヤモン
ド薄膜６は、成長温度を除いて低温成長ダイヤモンド薄
膜５と同様の方法や条件で成膜することができる。従っ
て、気相成長装置を共用化し連続成膜することによっ
て、装置コストの低減やスループットの向上が図られ
る。ただし、低温成長ダイヤモンド薄膜５と高温成長ダ
イヤモンド薄膜６の気相成長方法や成長装置、条件は異
なるものであっても良い。本実施形態では、両者を同一
の誘導結合プラズマＣＶＤ装置で連続成長させる方法を
選んだ。Finally, as shown in FIG. 3C, a high-temperature-grown diamond thin film 6 is deposited on the low-temperature-grown diamond thin film 5 at a substrate temperature of 800 ° C. or higher by inductively coupled plasma CVD. . The high-temperature-grown diamond thin film 6 can be formed by the same method and conditions as the low-temperature-grown diamond thin film 5 except for the growth temperature. Therefore, by sharing the vapor phase growth apparatus and performing continuous film formation, reduction in apparatus cost and improvement in throughput can be achieved. However, the low-temperature-grown diamond thin film 5 and the high-temperature-grown diamond thin film 6 may have different vapor phase growth methods, different growth apparatuses, and different conditions. In the present embodiment, a method of continuously growing both of them using the same inductively coupled plasma CVD apparatus was selected.
【００４９】高温成長ダイヤモンド薄膜６の作製に際し
ては、メタン濃度を２％（水素希釈）、高周波入力を５
００Ｗ、反応圧力を約６６７Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）とし、
基板温度を約９００℃まで昇温して結晶成長を継続し
た。When producing the high-temperature-grown diamond thin film 6, the methane concentration was 2% (diluted with hydrogen) and the high-frequency input was 5%.
00W, the reaction pressure is about 667 Pa (5 Torr),
The substrate temperature was raised to about 900 ° C. to continue the crystal growth.
【００５０】次に、図４を用いて低温成長ダイヤモンド
薄膜５の膜厚を変化させた場合の高温成長ダイヤモンド
薄膜６の表面の平均粗さについて説明する。尚、図４
は、低温成長ダイヤモンド薄膜５の膜厚と高温成長ダイ
ヤモンド薄膜６の表面の平均粗さとの関係を示す図であ
る。Next, the average roughness of the surface of the high-temperature grown diamond thin film 6 when the thickness of the low-temperature grown diamond thin film 5 is changed will be described with reference to FIG. FIG.
FIG. 5 is a diagram showing a relationship between the thickness of the low-temperature-grown diamond thin film 5 and the average roughness of the surface of the high-temperature-grown diamond thin film 6.
【００５１】尚、低温成長ダイヤモンド薄膜の成長速度
は、約４０ｎｍ／時で一定とし、高温成長ダイヤモンド
薄膜６の厚さをすべて約３０００ｎｍとなるように成膜
した。また、平均表面粗さは、走査プローブ顕微鏡で測
定している。The growth rate of the low-temperature-grown diamond thin film was kept constant at about 40 nm / hour, and the thickness of the high-temperature-grown diamond thin film 6 was all about 3000 nm. The average surface roughness is measured with a scanning probe microscope.
【００５２】図４に示すように、低温成長ダイヤモンド
薄膜５の膜厚がない場合（厚さが０ｎｍ）に比べて、低
温成長ダイヤモンド薄膜５が存在する場合には、最上面
の高温成長ダイヤモンド薄膜６の表面が平滑化されてい
ることがわかる。つまり、低温成長ダイヤモンド薄膜５
と高温成長ダイヤモンド薄膜６との低温・高温の２段階
でダイヤモンド薄膜を作製することによって、最上面の
ダイヤモンド薄膜表面が平滑化されていることがわか
る。これは、低温成長ダイヤモンド薄膜５が低温で形成
されるため、多孔質シリコン層２の表面に形成されたダ
イヤモンド結晶成長核の消失が抑制されていることを示
している。As shown in FIG. 4, when the low-temperature-grown diamond thin film 5 exists, as compared with the case where the low-temperature-grown diamond thin film 5 has no film thickness (the thickness is 0 nm), the uppermost high-temperature-grown diamond thin film 5 is formed. It can be seen that the surface of No. 6 was smoothed. That is, the low-temperature-grown diamond thin film 5
It can be seen that the uppermost diamond thin film surface is smoothed by preparing the diamond thin film in two stages of low temperature and high temperature of the diamond thin film 6 and the high temperature grown diamond thin film 6. This indicates that since the low-temperature-grown diamond thin film 5 is formed at a low temperature, the disappearance of the diamond crystal nuclei formed on the surface of the porous silicon layer 2 is suppressed.
【００５３】[0053]
【発明の効果】本発明に係る第１の半導体装置の作製方
法のように多孔質シリコン層とダイヤモンド薄膜の間に
中間層を形成することにより、高温低圧のダイヤモンド
薄膜の気相成長環境下においても下地となる多孔質シリ
コン層の構造が変化しにくくなる。従って、高密度な核
生成状態を維持したままでダイヤモンド薄膜を形成でき
るので、表面が平滑で品質が良好なダイヤモンド薄膜を
含む半導体装置を高スループットで作製することができ
る。By forming an intermediate layer between a porous silicon layer and a diamond thin film as in the first method for fabricating a semiconductor device according to the present invention, the method can be performed under a high temperature and low pressure gas phase growth environment for a diamond thin film. Also, the structure of the underlying porous silicon layer hardly changes. Therefore, a diamond thin film can be formed while maintaining a high-density nucleation state, so that a semiconductor device including a diamond thin film having a smooth surface and good quality can be manufactured at high throughput.
【００５４】さらに、第１の半導体装置の作製方法にお
いて、中間層をダイヤモンド状炭素を主成分とすること
により、ダイヤモンド状炭素と中間層の上に形成される
ダイヤモンド薄膜とは、結晶格子の整合性が良く界面で
の相互拡散の問題が起こらないので、さらに、表面が平
滑で品質が良好なダイヤモンド薄膜を含む半導体装置を
高いスループットで作製することができる。Further, in the first method for fabricating a semiconductor device, the diamond-like carbon and the diamond thin film formed on the interlayer are made to match the crystal lattice by forming the diamond-like carbon as the main component of the interlayer. Since there is no problem of interdiffusion at the interface due to good performance, a semiconductor device including a diamond thin film having a smooth surface and good quality can be manufactured at a high throughput.
【００５５】本発明に係る第２の半導体装置の作製方法
のように、多孔質シリコン層の上に８００℃以下の気相
成長温度で低温成長ダイヤモンド薄膜を形成することに
より、多孔質シリコン層の高い核生成密度を維持したま
ま、低温成長ダイヤモンド薄膜の上に高温でダイヤモン
ド薄膜を結晶成長させることができるので、表面が平滑
で品質が良好なダイヤモンド薄膜を含む半導体装置を高
いスループットで作製することができる。As in the second method for fabricating a semiconductor device according to the present invention, a low-temperature-grown diamond thin film is formed on a porous silicon layer at a vapor phase growth temperature of 800 ° C. or less, thereby forming a porous silicon layer. High-temperature growth of a diamond thin film on a low-temperature-grown diamond thin film while maintaining a high nucleation density. Can be.
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の作製方法を
示す断面図FIG. 1 is a sectional view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment;
【図２】中間層３の膜厚に対するダイヤモンド薄膜４の
表面平均粗さを示す図FIG. 2 is a diagram showing the average surface roughness of a diamond thin film 4 with respect to the thickness of an intermediate layer 3;
【図３】第２の実施形態に係る半導体装置の作製方法を
示す断面図FIG. 3 is a sectional view showing the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment;
【図４】低温成長ダイヤモンド薄膜５の膜厚に対する高
温成長ダイヤモンド薄膜６の表面平均粗さを示す図FIG. 4 is a diagram showing the surface average roughness of a high-temperature-grown diamond thin film 6 with respect to the thickness of a low-temperature-grown diamond thin film 5;
１ シリコンウェハー（シリコン基板） ２ 多孔質シリコン層 ３ 中間層 ４ ダイヤモンド薄膜 ５ 低温成長ダイヤモンド薄膜（第１のダイヤモンド薄
膜） ６ 高温成長ダイヤモンド薄膜（第２のダイヤモンド薄
膜）Reference Signs List 1 silicon wafer (silicon substrate) 2 porous silicon layer 3 intermediate layer 4 diamond thin film 5 low-temperature grown diamond thin film (first diamond thin film) 6 high-temperature grown diamond thin film (second diamond thin film)
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA03 DB01 EA02 ED06 EE04 EF03 TC06 TC17 4K030 BA28 BB13 CA04 DA02 FA04 JA01 JA10 LA15 5F045 AA08 AA19 AB07 AB40 AC01 AC07 AC08 AD07 AD11 AE23 AE25 DA53 HA01 Continued on front page F term (reference) 4G077 AA02 BA03 DB01 EA02 ED06 EE04 EF03 TC06 TC17 4K030 BA28 BB13 CA04 DA02 FA04 JA01 JA10 LA15 5F045 AA08 AA19 AB07 AB40 AC01 AC07 AC08 AD07 AD11 AE23 AE25 DA53 HA01
Claims (6)
ン基板の表面に多孔質シリコン層を形成する工程と、前
記多孔質シリコン層の上に中間層を気相成長により形成
する工程と、前記中間層の上にダイヤモンド薄膜を気相
成長により形成する工程とを備えたことを特徴とする半
導体装置の作製方法。A step of anodizing a silicon substrate to form a porous silicon layer on a surface of the silicon substrate; a step of forming an intermediate layer on the porous silicon layer by vapor phase growth; Forming a diamond thin film on the layer by vapor phase growth.
成分とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置の作製方法。2. The method according to claim 1, wherein the intermediate layer contains diamond-like carbon as a main component.
であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
半導体装置の作製方法。3. The intermediate layer has a thickness of 10 to 2000 nm.
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein:
であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
半導体装置の作製方法。4. The intermediate layer has a thickness of 200 to 800 nm.
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein:
ン基板の表面に多孔質シリコン層を形成する工程と、前
記多孔質シリコン層の上に８００℃以下の気相成長温度
で第１のダイヤモンド薄膜を形成する工程と、前記第１
のダイヤモンド薄膜の上に８００℃以上の気相成長温度
で第２のダイヤモンド薄膜を形成する工程とを備えたこ
とを特徴とする半導体装置の作製方法。5. A step of anodizing a silicon substrate to form a porous silicon layer on the surface of the silicon substrate, and forming a first diamond thin film on the porous silicon layer at a vapor phase growth temperature of 800 ° C. or less. Forming the first, and the first
Forming a second diamond thin film on the diamond thin film at a vapor phase growth temperature of 800 ° C. or higher.
０より大きく５００ｎｍ以下であることを特徴とする請
求項５に記載の半導体装置の作製方法。6. The thickness of the first diamond thin film is:
6. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the thickness is larger than 0 and equal to or smaller than 500 nm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001104119A JP2002299263A (en) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | Manufacturing method for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004307253A (en) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | New Japan Radio Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor substrate |
| US7148079B1 (en) * | 2002-11-01 | 2006-12-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Diamond like carbon silicon on insulator substrates and methods of fabrication thereof |
| JP2011140425A (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Method for producing thin sheet glass strip and organic electroluminescent element |
| WO2012066021A1 (en) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Soitec | Electronic device for radiofrequency or power applications and process for manufacturing such a device |
| JP2017201055A (en) * | 2016-02-22 | 2017-11-09 | ウルトラテック インク | Quartz-caused contaminant reducing pe-ald method |
-
2001
- 2001-04-03 JP JP2001104119A patent/JP2002299263A/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7148079B1 (en) * | 2002-11-01 | 2006-12-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Diamond like carbon silicon on insulator substrates and methods of fabrication thereof |
| JP2004307253A (en) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | New Japan Radio Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor substrate |
| JP2011140425A (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Method for producing thin sheet glass strip and organic electroluminescent element |
| WO2012066021A1 (en) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Soitec | Electronic device for radiofrequency or power applications and process for manufacturing such a device |
| CN103168342A (en) * | 2010-11-19 | 2013-06-19 | 索泰克公司 | Electronic device for radiofrequency or power applications and process for manufacturing such a device |
| US9198294B2 (en) | 2010-11-19 | 2015-11-24 | Soitec | Electronic device for radiofrequency or power applications and process for manufacturing such a device |
| JP2017201055A (en) * | 2016-02-22 | 2017-11-09 | ウルトラテック インク | Quartz-caused contaminant reducing pe-ald method |
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