JP2002299221A - Ｘ線露光装置 - Google Patents

Ｘ線露光装置

Info

Publication number
JP2002299221A
JP2002299221A JP2001103635A JP2001103635A JP2002299221A JP 2002299221 A JP2002299221 A JP 2002299221A JP 2001103635 A JP2001103635 A JP 2001103635A JP 2001103635 A JP2001103635 A JP 2001103635A JP 2002299221 A JP2002299221 A JP 2002299221A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
exposure
exposure apparatus
source
shutter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001103635A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Kitaoka
厚志 北岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2001103635A priority Critical patent/JP2002299221A/ja
Priority to US10/108,413 priority patent/US6754302B2/en
Priority to EP02252381A priority patent/EP1248153A3/en
Publication of JP2002299221A publication Critical patent/JP2002299221A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7035—Proximity or contact printers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｘ線の全放射エネルギーの利用効率を従来以
上に高くするＸ線露光装置を提供する。 【解決手段】 ポイントソースＸ線源装置１０１と、ポ
イントソースＸ線源装置１０１により発生したＸ線の角
度および強度のうちの少なくとも一つを変化させる第１
コリメータ１１０〜第３コリメータ１３０と、第１マス
ク１１３〜第３マスク１３３または第１ウエハ１１４〜
第３ウエハ１３４のうちの少なくとも一つを移動させる
手段と、第１コリメータ１１０から出射されるＸ線を使
用して第１マスク１１３のパターンを第１ウエハ１１４
に転写する第１露光装置１１９と、第２コリメータ１２
０から出射されるＸ線を使用して第２マスク１２３のパ
ターンを前記第２ウエハ１２４に転写する第２露光装置
１２９と、第３コリメータ１３０から出射されるＸ線を
使用して第３マスク１３３のパターンを前記第３ウエハ
１３４に転写する第３露光装置１３９とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線を露光光に用
いてマスク等の原版のパターンをウエハ等の基板ヘ転写
することによりマイクロデバイス等のデバイスを製造す
るＸ線露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩ等のマイクロデバイ
スを製造するために、種々の型式の半導体露光装置が使
用されている。この半導体露光装置は、装置に固有の露
光光源を備え、露光光源から発出された光によって、マ
スクやレチクル等の原版に描かれた回路パターンをフォ
トレジストを塗布されたウエハへ焼付けるように構成さ
れている。
【０００３】マイクロデバイスの集積度を向上させるた
めに、露光光源の短波長化が要請されている。この短波
長露光光源の候補の一つとして、Ｘ線光源が提案、開発
されている。
【０００４】Ｘ線光源としてよく知られているものに、
シンクロトロンリングを使用したものと、ターゲット物
質にレーザ光パルスを照射してプラズマを発生させ、こ
のプラズマを利用してＸ線を発生させるもの（以下、ポ
イントソースＸ線源と呼ぶ）が存在する。
【０００５】シンクロトロンリングは、発生Ｘ線強度が
大きい。また、シンクロトロンリングのデメリットとし
ては、装置が大型であり、１台の光源に対して１０〜２
０ポート程度を取り出して、各ポートに露光装置を接続
しないとコスト、設置スペースの効率が悪くなる。それ
に対して、ポイントソースＸ線源は、発生Ｘ線強度が比
較的小さいが、小型であり、１台の光源に対して露光装
置１台を接続して使用するのが一般的である。
【０００６】ポイントソースＸ線源はまた、そのＸ線発
生のメカニズムが数種類考案されている。いずれのポイ
ントソースＸ線源も、Ｘ線源からある立体角をもつ放射
状のＸ線が放射される。マイクロデバイスの露光に使用
するためには、マスクとウエハに照射される光線は平行
であることが望ましい。そのため、ポイントソースＸ線
源から照射されたＸ線は、コリメータと呼ばれるＸ線光
学素子を用いて発散角を小さくしてから露光装置に導入
されることが考えられている。
【０００７】図１１は、従来例に係るポイントソースＸ
線源を備えたＸ線露光装置の構成例を示す要部概略図で
ある。図１１において、Ｘ線露光装置は、ポイントソー
スＸ線源装置９０１からある立体角をもって放射される
Ｘ線をコリメータ９０２に導入する。コリメータ９０２
は、導入されるＸ線の立体角に合わせて設計されてい
る。コリメータ９０２の出力するＸ線は、露光装置９０
３に導入される。コリメータ９０２の出力する全てＸ線
の角度は、露光装置９０３内のマスクの面方向に対して
概略垂直になるように設計されている。コリメータ９０
２の構成としては、多数の毛細管を入力側と出力側のＸ
線角度に合わせて整形し、束ねたもの等が知られてい
る。ポイントソースＸ線源装置９０１の出射部、コリメ
ータ９０２、およびＸ線窓の部分は、気体を封止可能な
チャンバとして構成されている。チャンバ内部の雰囲気
は、Ｘ線の減衰を抑えるために、高純度のヘリウムガス
を密封し、大気圧もしくは減圧に保たれている。図１１
においては、一括してＸ線導入部チャンバ９０５として
いる部分であるが、他にも幾つか構成例が存在する。
【０００８】露光装置９０３は、Ｘ線窓９０６にてＸ線
導入部チャンバ９０５からＸ線を導入する。Ｘ線窓９０
６は、Ｘ線導入部チャンバ９０５と露光装置９０３内の
圧力が異なる場合に圧力隔壁を兼ねたＸ線導入部として
使用する。Ｘ線窓９０６の構成としては、ベリリウムを
数〜数１０ミクロン圧に形成した薄膜等が知られてい
る。露光装置９０３は、気体を封止可能なチャンバとし
て構成されている。露光装置チャンバ内部の雰囲気は、
Ｘ線の減衰を抑えるために、高純度のヘリウムガスを密
封し、大気圧もしくは減圧に保っている。Ｘ線導入部チ
ャンバ９０５と露光装置チャンバのガス純度、圧力が同
一であれば、Ｘ線窓９０６は省略することも可能であ
る。
【０００９】次に、露光装置９０３について説明する。
マスク９０４は、不図示のマスク搬送により装置外部か
ら搬入、搬出を行う。露光のためには、不図示のマスク
チャックにより保持される。
【００１０】ウエハ９０７は、不図示のウエハ搬送によ
り装置外部から搬入、搬出を行う。露光のためには、ウ
エハステージ９０８上に搭載されたウエハチャック９０
９により保持される。ウエハステージ９０８は、マスク
９０４に対してウエハ９０７上の露光領域を位置決めす
るために精密な位置決め機構を有する。
【００１１】露光装置９０３に導入されたＸ線は、露光
領域外でＸ線センサ９１０によって強度が計測される。
露光装置９０３は、計測されたＸ線強度をもとに、最適
な露光量となるようにＸ線源装置に対して制御を行う。
例えば、パルス上のＸ線を発生するＸ線源装置の場合
は、発生パルス数や各パルスの強度を指令することによ
り露光量の制御を行う。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
に係るポイントソースＸ線源は、ポイントソースＸ線源
１台にコリメータ１台を組み合わせた場合、光源から放
射されるエネルギーのうち利用されない部分が大きいと
いう問題がある。
【００１３】図１１において、露光に利用されるのは領
域Ｂのみであり、それ以外の領域Ａ、領域Ｃは捨てられ
る部分である。図１１では概念を分かりやすく示すため
に、ポイントソースＸ線源装置のＸ線放射点からすべて
Ｘ線が出射するように図示してある。しかし、実際に
は、不要なＸ線を放射することは好ましくないので、ポ
イントソースＸ線源装置もしくはその外部でＸ線を遮断
することになる。いずれにしても、光源の全放射エネル
ギーの利用効率が、各装置の配置の問題により低くなっ
ていると言える。
【００１４】上記問題を解決するためには、ポイントソ
ースＸ線源装置から放射されるＸ線に対して、コリメー
タの開口面積を大きくとればよい。しかし、単純に１台
のコリメータを大きくしようとしても、コリメータの出
射角度に対して、コリメータ周辺になるに従って角度の
違いが大きくなるので、設計が極めて困難になる。
【００１５】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、Ｘ線の全放射エネルギーの利用効率を従来以上
に高くするＸ線露光装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、実際的に設計
可能な数のコリメータを複数用い、各コリメータに露光
装置を１台ずつ接続するというアプローチを創作したも
のである。すなわち、上記目的を達成するため、本発明
のＸ線露光装置は、Ｘ線を発生するＸ線源と、前記Ｘ線
源により発生したＸ線の角度および強度のうちの少なく
とも一つを変化させる第１コリメータから第ｎコリメー
タまでのｎ（ｎは２以上の整数）個のコリメータと、前
記各コリメータから出射されるＸ線を使用する第１露光
手段から第ｎ露光手段までのｎ個の露光手段とを有し、
前記各露光手段は第１原版から第ｎ原版までのｎ個の原
版のパターンを第１被露光基板から第ｎ被露光基板まで
のｎ個の被露光基板にそれぞれ転写するものであること
を特徴とする。ここで、ｎは２以上の整数であるが、装
置上設計可能な最大数をその上限値とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態とし
て、前記Ｘ線露光装置において、前記各コリメータのＸ
線入射面が前記Ｘ線源のＸ線源放射点に対して放射状に
配置され、前記Ｘ線源はレーザ光を用いてＸ線を発生す
るポイントソースＸ線源である。本構成により、１つの
ポイントソースＸ線源からのＸ線の全放射エネルギーの
利用効率を従来以上に高くしてマイクロデバイス等の製
造を行なう複数（ｎ台）の露光装置を備えたＸ線露光装
置を提供できる。
【００１８】前記Ｘ線露光装置において、前記Ｘ線源と
前記各原版の間にそれぞれ位置し、前記各原版に照射さ
れるＸ線を遮断する１つまたは２つ以上の遮断物を備え
る第１シャッタから第ｎシャッタまでのｎ個のシャッタ
と、前記各シャッタを駆動する第１シャッタ駆動部から
第ｎシャッタ駆動部までのｎ個のシャッタ駆動部と、前
記各シャッタを制御するシャッタ制御部とをさらに有す
る。また、前記シャッタ制御部は、前記Ｘ線源の状態お
よび前記第１露光手段（第１露光装置）から前記第ｎ露
光手段（第ｎ露光装置）における各露光手段の状態のう
ちの少なくとも一つの状態により前記第１シャッタから
第ｎシャッタのｎ個のシャッタを制御する。
【００１９】前記Ｘ線露光装置において、前記Ｘ線源の
Ｘ線放射のタイミングはＸ線放射トリガ信号によって制
御され、前記Ｘ線露光装置は前記Ｘ線源の状態および前
記第１露光手段から前記第ｎ露光手段における各露光手
段の状態のうちの少なくとも一つの状態により前記Ｘ線
放射トリガ信号を生成するＸ線放射トリガ信号生成部を
備える。また、前記Ｘ線源のＸ線強度はＸ線強度制御信
号によって制御され、前記Ｘ線露光装置は前記Ｘ線源の
状態および前記第１露光手段から前記第ｎ露光手段にお
ける各露光手段の状態のうちの少なくとも一つの状態に
より前記Ｘ線強度制御信号を生成するＸ線強度制御信号
生成部を備える。また、前記Ｘ線露光装置は、前記前記
ポイントソースＸ線源を備えるポイントソースＸ線源部
の内部状態を該前記ポイントソースＸ線源部から状態信
号として受信し、前記シャッタ制御部と、前記各露光手
段の各Ｘ線強度を計測する複数のセンサからの各計測値
により前記各露光手段の露光状態を制御する複数の制御
部とを総合制御する総合制御部をさらに備え、該総合制
御部は、前記Ｘ線放射トリガ信号生成部に対してトリガ
発生の指令を通知し、前記Ｘ線強度制御信号生成部に対
して露光スタート時点等でのＸ線強度の値および／また
は前記各露光装置におけるＸ線強度の強弱等の指令を通
知するものである。また、前記総合制御部は前記各露光
手段の露光タイミングを所定の目的に合わせて制御する
手段を有し、前記総合制御部に対して設定された設定値
の範囲内で前記露光タイミングをチューニングすること
が可能である。また、前記Ｘ線露光装置は、前記各原版
および前記各被露光基板のうちの少なくとも一方をそれ
ぞれ移動させる第１移動手段から第ｎ移動手段までのｎ
個の移動手段をさらに有する。さらに、前記Ｘ線源は、
パルス状のＸ線を発生するものであり、例えばレーザ光
を集光して固体金属のターゲットにパルス状レーザ光を
照射し、ターゲットである金属表面をプラズマ化してＸ
線を発生させる。
【００２０】なお、上記したＸ線露光装置のいずれの場
合においても、Ｘ線源の種類はパルス状のＸ線を発生す
るものに限らず、パルス状のＸ線以外のものも本実施形
態のＸ線露光装置に適用可能である。また、前記第１コ
リメータから第ｎコリメータまでのｎ個のコリメータそ
れぞれによるＸ線の強度の変化については、前記Ｘ線源
から放射されるＸ線の強度分布が不均一な場合に各コリ
メータの設計によりＸ線強度分布を均一化してもよい。
【００２１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。なお、以下に記す実施例においては、
マスクパターンをステップアンドリピートによりウエハ
に転写するＸ線ステッパについて説明するが、本発明は
下記の各実施例に限定されるものではない。
【００２２】［第１の実施例］本発明の第１の実施例に
係るＸ線露光装置について、図１および図２を用いて説
明する。図１は、本実施例に係るＸ線露光装置を上面か
ら見た要部概略図であり、図２は、本実施例に係るＸ線
露光装置を側面から見た要部概略図である。
【００２３】ポイントソースＸ線源装置１０１では、不
図示の固体金属のターゲットを使用し、不図示のレーザ
光を集光して前記固体金属のターゲットにパルス状に与
える。レーザ光を照射された金属表面はプラズマ化し、
Ｘ線が発生する。レーザ光の強度は、不図示のレーザ発
振部の強度調整機構により制御可能である。ポイントソ
ースＸ線源装置１０１は、この強度調整機構等でレーザ
光の強度を変えることにより、発生するＸ線の強度も制
御することができる。
【００２４】このＸ線露光装置では、ポイントソースＸ
線源装置１０１から放射されたＸ線を第１コリメータ１
１０、第２コリメータ１２０、第３コリメータ１３０に
導入する。第１コリメータ１１０〜第３コリメータ１３
０の中心は図中の座標系で、同一のＺ座標となるように
配置されている。第２コリメータ１２０は領域Ａの一部
のＸ線を、第３コリメータ１３０は領域Ｃの一部のＸ線
を、それぞれ入力として使用する。この場合、第１コリ
メータ１１０〜第３コリメータ１３０は、ポイントソー
スＸ線源装置１０１のＸ線放射点に対して放射状に配置
しているので、ほぼ同一の設計とすることができる。な
お、ポイントソースＸ線源装置１０１のレーザおよびタ
ーゲット等は、Ｘ線導入部チャンバ１０２および各露光
装置１１９，１２９，１３９と干渉しないように配置す
ることが肝要となる。
【００２５】本実施例におけるＸ線露光装置において
は、第１コリメータ１１０に対して第１露光装置１１
９、第２コリメータ１２０に対して第２露光装置１２
９、第３コリメータ１３０に対して第３露光装置１３９
が接続される。第１露光装置１１９において、第１マス
ク１１３および第１ウエハ１１４の角度は、第１コリメ
ータ１１０の出射角におおむね合わせて設置される。こ
れは、第２露光装置１２９および第３露光装置１３９に
ついても同様である。各露光装置１１９，１２９，１３
９において、露光光軸と各マスク１１３，１２３，１３
３および各ウエハ１１４，１２４，１３４との間の精密
な角度および位置合わせは、各露光装置１１９，１２
９，１３９本体または各コリメータ１１０，１２０，１
３０を動かすことにより行う。
【００２６】第１露光装置１１９では、不図示のマスク
導入部により、該マスク導入部と第１露光装置１１９外
部との間で第１マスク１１３のやりとりが行われる。第
１露光装置１１９に導入された第１マスク１１３は、不
図示のマスク搬送系により不図示のマスクステージに受
け渡される。第２露光装置１２９、第３露光装置１３９
についても同様である。また、第１露光装置１１９で
は、不図示のウエハ導入部により、該ウエハ導入部と第
１露光装置１１９外部との間で第１ウエハ１１４のやり
とりが行われる。第１露光装置１１９に導入された第１
ウエハ１１４は、不図示のウエハ搬送系により第１ウエ
ハステージ１１６に受け渡す。これらは、第２露光装置
１２９、第３露光装置１３９についても同様である。
【００２７】第１ウエハステージ１１６〜第３ウエハス
テージ１３６は、それぞれのガイドに沿って、ヘリウム
ガスを使用した気体ベアリングにより案内される。各ウ
エハステージ１１６，１２６，１３６の位置情報は、不
図示のレーザ干渉計により計測され、それを元に不図示
のリニアモータにより駆動が行われる。
【００２８】不図示の位置検出装置および不図示のマス
クステージにより、第１マスク１１３は、第１露光装置
１１９の基準に対して位置合わせされる。その後、第１
マスク１１３と第１ウエハ１１４の相対位置は、不図示
の位置検出装置、不図示のマスクステージおよび第１ウ
エハステージ１１６により位置合わせされる。第２マス
ク１２３、第３マスク１３３に対しても同様に位置合わ
せが行われる。
【００２９】次に、本実施例におけるＸ線露光装置の露
光量制御方法について、図３および図４を用いて説明す
る。図３は、本実施例に係るＸ線露光装置の制御ブロッ
ク図であり、図４は、本実施例に係るＸ線露光装置の制
御タイミング図である。
【００３０】ポイントソースＸ線源３０１におけるレー
ザの発光タイミング、すなわちＸ線の放射タイミング
は、Ｘ線放射トリガ信号によって決定される。また、ポ
イントソースＸ線源３０１は、Ｘ線強度制御信号により
発光するレーザ強度が決定される。Ｘ線放射トリガ信号
とＸ線強度制御信号は、図４に示すような信号とするこ
とが好ましい。
【００３１】ポイントソースＸ線源３０１は、Ｘ線を放
射可能かどうか、および内部の装置状態等を、ポイント
ソースＸ線源状態信号として露光装置総合制御部３０４
に常時通知する。
【００３２】第１露光装置の露光量目標値は、露光装置
総合制御部３０４に対して設定する。この設定値は、第
１露光量制御部３０６に伝達される。第２露光装置、第
３露光装置についても同様である。露光装置総合制御部
３０４は、露光量の設定値をもとに、Ｘ線強度と放射パ
ルス数の目標値を算出する。
【００３３】露光装置総合制御部３０４は露光スタート
時点でのＸ線強度をＸ線強度制御信号生成部３０３に通
知し、Ｘ線強度制御信号生成部３０３はＸ線強度制御信
号を所定の値に設定する。ここで、Ｘ線強度制御信号
は、例えば図４に示すような信号およびタイミングで適
宜所定の値に設定され、ポイントソースＸ線源３０１へ
Ｘ線強度信号生成部３０３から出力される。
【００３４】第１露光装置は、露光するショットの露光
準備が完了したら、第１露光装置制御部３０６から露光
装置総合制御部３０４に通知を行う。または、第１露光
装置が当面露光予定がない場合は、第１露光装置制御部
３０６から露光装置総合制御部３０４にアイドルである
旨を通知を行う。第２露光装置、第３露光装置について
も同様である。第１露光装置〜第３露光装置の全てが露
光準備完了またはアイドル状態になったら、露光装置総
合制御部３０４は、シャッタ制御部に対して露光準備完
了である露光装置に対応するシャッタ（第１シャッタ３
１５、第２シャッタ３１６または第３シャッタ３１７）
の開口指令を出す。すなわち、アイドル状態の露光装置
に対応するシャッタは、遮断状態のままにしておく。こ
こで、第１〜第３露光装置露光状態（露光／非露光）お
よび第１〜第３シャッタ状態（開口／遮断）のタイミン
グの一例として、本実施例においては図４に示すタイミ
ングとする。アイドル状態の露光装置は、露光量制御に
は関係がないので、以下アイドル状態の露光装置はない
ものとして説明を行う。
【００３５】シャッタ制御部３０５は、第１シャッタ駆
動部３１２、第２シャッタ駆動部３１３、および第３シ
ャッタ駆動部３１４のそれぞれに対して、第１シャッタ
３１５、第２シャッタ３１６または第３シャッタ３１７
の開口制御を行い、各シャッタ駆動部３１２，３１３，
３１４により各シャッタ３１５，３１６，３１７が駆動
される。第１シャッタ駆動部３１２〜第３シャッタ駆動
部３１４は、各シャッタ３１５，３１６，３１７の開口
完了を確認したらシャッタ制御部３０５に対して通知を
行う。該通知を受けた場合、シャッタ制御部３０５は、
露光装置総合制御部３０４に対して通知を行う。
【００３６】露光装置総合制御部３０４は、以上述べた
ポイントソースＸ線源状態通知（信号）、シャッタ開口
完了通知、および第１露光装置〜第３露光装置の露光準
備完了通知を受信し、それらの通知からも露光可能状態
であると判断した場合に、露光動作を開始させる。その
際、露光装置総合制御部３０４は、Ｘ線放射トリガ信号
生成部３０２に対してトリガ発生指令を出す。Ｘ線放射
トリガ信号生成部３０２は、ポイントソースＸ線源３０
１に対してＸ線放射トリガ信号を出力する。ここで、Ｘ
線放射トリガ信号は、例えば図４に示すようなパルス状
の信号およびタイミングで出力する。
【００３７】第１露光装置制御部３０６は、第１Ｘ線セ
ンサ３０９でＸ線強度を計測し、１ショットの露光開始
からの積算値を求める。露光装置総合制御部３０６は、
第１露光装置制御部３０６からＸ線放射パルスごとにＸ
線強度積算値を読み取る。さらに、露光装置総合制御部
３０４は、第１露光装置のＸ線強度積算値が露光量目標
値に近づいて、その差違がある閾値よりも下回ったらＸ
線強度を下げるようにＸ線強度制御信号生成部３０３に
通知を行う。これにより、第１露光装置の１ショットの
露光量目標値と実際の露光量の誤差が小さくなるように
している。これらは、第２露光装置制御部３０７と第２
Ｘ線センサ３１０、および第３露光装置制御部３０８と
第３Ｘ線センサ３１１についても同様である。
【００３８】この方法において、第１露光装置〜第３露
光装置の露光量目標値が近い場合には、露光量の誤差が
大きくなってしまう可能性がある。これを防ぐために、
露光装置総合制御部３０４は、各露光装置の露光量目標
値に合わせて差違判断の閾値を変化させる等の調整手段
を有する。
【００３９】第１露光装置制御部３０６について、露光
装置総合制御部３０４は、第１露光装置の露光量の誤差
が次パルスのＸ線強度目標値から判断して最小であるか
を毎パルスごとに算出する。露光装置総合制御部３０４
では、露光誤差が最小であるという結果が出た場合、シ
ャッタ制御部３０５に第１シャッタ３１５を遮断する指
令を出して、１ショットの露光を終了させる。これら
は、第２露光装置制御部３０７〜第３露光装置制御部３
０８についても同様である。
【００４０】なお、本実施例では、露光装置の台数を３
台としたが、本発明は３台に限定されるものではなく、
２台以上で配置可能な台数であれば露光装置の台数は限
定されない。
【００４１】［第２の実施例］本発明の第２の実施例に
ついて以下に説明する。図５は、本実施例に係るＸ線露
光装置を示す要部概略図である。図５において、図２と
同一の符号は図２と同様の構成要素を示す。
【００４２】図５に示すように、第１〜第３露光装置と
第１〜第３コリメータに加えて、第４露光装置１４９と
第４コリメータ１４０、および第５露光装置１５９と第
５コリメータ１５０を他の方向にも配置することができ
る。これによって、Ｘ線源の利用効率はより高くするこ
とが可能となる。
【００４３】［第３の実施例］本発明の第３の実施例に
ついて以下に説明する。本実施例において、ウエハ搬送
系の全部分または一部分は、第１の実施例における第１
露光装置〜第３露光装置で共用化し、第２の実施例にお
ける第１露光装置〜第５露光装置で共用化する。
【００４４】本実施例において、マスク搬送系の全部分
または一部分は、第１の実施例における第１露光装置〜
第３露光装置で共用化し、第２の実施例における第１露
光装置〜第５露光装置で共用化する。
【００４５】［第４の実施例］本発明の第４の実施例に
ついて以下に説明する。上記各実施例においては、ｎ台
の露光装置の各ショットは同時に露光を開始している。
これ以外の露光タイミングを用いたＸ線露光装置につい
て、本実施例にて説明する。
【００４６】図３において、露光装置総合制御部３０４
は、ｎ台の露光装置の露光タイミングを目的に合わせて
いかようにも制御することができる。その目的として
は、Ｘ線源の利用効率の向上、露光処理時間の短縮、露
光装置間の振動による精度悪化の低減等があげられる。
【００４７】これらを実現するために、本実施例に係る
Ｘ線露光装置は、露光装置総合制御部３０４に対して、
露光処理時間の冗長許容閾値ＴthとＸ線源パルスの冗長
許容値Ｐthを設定しておく。その両者を超えない範囲内
で、本実施例に係るＸ線露光装置は、上記目的に合わせ
て露光タイミングをチューニングすることが可能であ
る。
【００４８】本実施例において、各ショットの露光量制
御は、第１の実施例に記載したものと同様に、露光パル
ス数とＸ線源のＸ線強度の両方を制御することにより行
う。また、露光処理時間の条件とＸ線源の利用効率の条
件は、利用時の狙いによって決まるものなので、それぞ
れの優先順位により決定すればよい。
【００４９】［半導体生産システムの実施例］次に、上
記説明したＸ線露光装置を利用した半導体等のデバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システ
ムの例を説明する。これは、半導体製造工場に設置され
た製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、若しく
はソフトウェア提供等の保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワーク等を利用して行うものであ
る。
【００５０】図６は、全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、６０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所６０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム６０
８、複数の操作端末コンピュータ６１０、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）６０９を備える。ホスト管理システム６
０８は、ＬＡＮ６０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット６０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
【００５１】一方、６０２〜６０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカ（半導体デバイスメーカ）
の製造工場である。製造工場６０２〜６０４は、互いに
異なるメーカに属する工場であってもよいし、同一のメ
ーカに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用
の工場等）であってもよい。各工場６０２〜６０４内に
は、夫々、複数の製造装置６０６と、それらを結んでイ
ントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク
（ＬＡＮ）６１１と、各製造装置６０６の稼動状況を監
視する監視装置としてホスト管理システム６０７とが設
けられている。各工場６０２〜６０４に設けられたホス
ト管理システム６０７は、各工場内のＬＡＮ６１１を工
場の外部ネットワークであるインターネット６０５に接
続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場
のＬＡＮ６１１からインターネット６０５を介してベン
ダ６０１側のホスト管理システム６０８にアクセスが可
能となり、ホスト管理システム６０８のセキュリティ機
能によって限られたユーザだけがアクセスが許可となっ
ている。具体的には、インターネット６０５を介して、
各製造装置６０６の稼動状況を示すステータス情報（例
えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側か
らベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報
（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、
対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェ
ア、ヘルプ情報等の保守情報をベンダ側から受け取るこ
とができる。各工場６０２〜６０４とベンダ６０１との
間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ６１１でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮ等）を利用
することもできる。また、ホスト管理システムはベンダ
が提供するものに限らずユーザがデータベースを構築し
て外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から
該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよ
い。
【００５２】さて、図７は、本実施形態の全体システム
を図６とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、７０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置７０２、レジスト処理装置７０３、
成膜処理装置７０４が導入されている。なお、図７で
は、製造工場７０１は１つだけ描いているが、実際は複
数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の
各装置はＬＡＮ７０６で接続されてイントラネット等を
構成し、ホスト管理システム７０５で製造ラインの稼動
管理がされている。一方、露光装置メーカ７１０、レジ
スト処理装置メーカ７２０、成膜装置メーカ７３０等、
ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
７１１，７２１，７３１を備え、これらは上述したよう
に保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイ
を備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホス
ト管理システム７０５と、各装置のベンダの管理システ
ム７１１，７２１，７３１とは、外部ネットワーク７０
０であるインターネット若しくは専用線ネットワークに
よって接続されている。このシステムにおいて、製造ラ
インの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きる
と、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが
起きた機器のベンダからインターネット７００を介した
遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
【００５３】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェア並びに装置動作用のソフトウェアを実行す
るコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリ
やハードディスク、若しくはネットワークファイルサー
バ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェア
は、専用または汎用のウェブブラウザを含み、例えば図
８に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディ
スプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオ
ペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種８０
１、シリアルナンバー８０２、トラブルの件名８０３、
発生日８０４、緊急度８０５、症状８０６、対処法８０
７、経過８０８等の情報を画面上の入力項目に入力す
る。入力された情報はインターネットを介して保守デー
タベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守
データベースから返信されディスプレイ上に提示され
る。また、ウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースは、さらに図示のごとくハイパーリンク機能８１
０，８１１，８１２を実現し、オペレータは各項目のさ
らに詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソ
フトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バー
ジョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータ
の参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したり
することができる。ここで、保守データベースが提供す
る保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含
まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現
するための最新のソフトウェアも提供する。
【００５４】次に、上記説明した生産システムを利用し
た半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図９は、
半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示
す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステッ
プ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デ
バイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工
程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの
工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守が
なされる。また、前工程工場と後工程工場との間でも、
インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産
管理や装置保守のための情報等がデータ通信される。
【００５５】図１０は、上記ウエハプロセスの詳細なフ
ローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を
酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イ
オン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ
１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。
ステップ１６（露光）では上記説明したＸ線露光装置に
よってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）で
はエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウ
エハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用
する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって
保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共
に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従
来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることが
できる。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｘ線源が放射するＸ線エネルギーを高い効率で利用する
ことが可能なＸ線露光装置を提供することができる。ま
た、本発明によるＸ線露光装置において配置される複数
のコリメータや複数の露光手段に対してＸ線源（光源）
の個数を従来より削減することができるので、コスト、
設置スペースを削減することが可能となる。さらに、従
来のＸ線露光装置と比較して、Ｘ線源にかかるメンテナ
ンス工数を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係るＸ線露光装置を上面
から見た要部概略図である。
【図２】 本発明の一実施例に係るＸ線露光装置を側面
から見た要部概略図である。
【図３】 本発明の一実施例に係るＸ線露光装置の制御
ブロック図である。
【図４】 本発明の一実施例に係るＸ線露光装置の制御
タイミング図である。
【図５】 本発明の一実施例に係るＸ線露光装置を示す
要部概略図である。
【図６】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図で
ある。
【図７】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図で
ある。
【図８】 本発明の一実施例に係る露光装置を含む半導
体デバイスの生産システムにおけるユーザインタフェー
スの具体例を示す図である。
【図９】 本発明の一実施例に係る露光装置によるデバ
イスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図１０】 本発明の一実施例に係る露光装置によるウ
エハプロセスを説明する図である。
【図１１】 従来例に係るポイントソースＸ線源を備え
たＸ線露光装置の構成例を示す要部概略図である。
【符号の説明】
１０１，９０１：ポイントソースＸ線源装置、１０２：
Ｘ線導入部チャンバ、１１０：第１コリメータ、１１
１：第１Ｘ線窓、１１２：第１シャッタ、１１３：第１
マスク、１１４：第１ウエハ、１１５：第１ウエハチャ
ック、１１６：第１ウエハステージ、１１７：第１Ｘ線
センサ、１１９：第１露光装置、１２０：第２コリメー
タ、１２１：第２Ｘ線窓、１２２：第２シャッタ、１２
３：第２マスク、１２４：第２ウエハ、１２５：第２ウ
エハチャック、１２６：第２ウエハステージ、１２７：
第２Ｘ線センサ、１２９：第２露光装置、１３０：第３
コリメータ、１３１：第３Ｘ線窓、１３２：第３シャッ
タ、１３３：第３マスク、１３４：第３ウエハ、１３
５：第３ウエハチャック、１３６：第３ウエハステー
ジ、１３７：第３Ｘ線センサ、１３９：第３露光装置、
１４０：第４コリメータ、１４９：第４露光装置、１５
０：第５コリメータ、１５９：第５露光装置、３０１：
ポイントソースＸ線源、３０２：Ｘ線放射トリガ信号生
成部、３０３：Ｘ線強度制御信号生成部、３０４：露光
装置総合制御部、３０５：シャッタ制御部、３０６：第
１露光装置制御部、３０７：第２露光装置制御部、３０
８：第３露光装置制御部、３０９：第１Ｘ線センサ、３
１０：第２Ｘ線センサ、３１１：第３Ｘ線センサ、３１
２：第１シャッタ駆動部、３１３：第２シャッタ駆動
部、３１４：第３シャッタ駆動部、３１５：第１シャッ
タ、３１６：第２シャッタ、３１７：第３シャッタ、９
０２：コリメータ、９０３：露光装置、９０４：マス
ク、９０５：Ｘ線導入部チャンバ、９０６：Ｘ線窓、９
０７：ウエハ、９０８：ウエハステージ、９０９：ウエ
ハチャック、９１０：Ｘ線センサ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ２１Ｋ 5/02 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ａ

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ｘ線を発生するＸ線源と、前記Ｘ線源に
    より発生したＸ線の角度および強度のうちの少なくとも
    一つを変化させる第１コリメータから第ｎコリメータま
    でのｎ（ｎは２以上の整数）個のコリメータと、前記各
    コリメータから出射されるＸ線を使用する第１露光手段
    から第ｎ露光手段までのｎ個の露光手段とを有し、前記
    各露光手段は第１原版から第ｎ原版までのｎ個の原版の
    パターンを第１被露光基板から第ｎ被露光基板までのｎ
    個の被露光基板にそれぞれ転写するものであることを特
    徴とするＸ線露光装置。
  2. 【請求項２】 前記各コリメータのＸ線入射面が前記Ｘ
    線源のＸ線源放射点に対して放射状に配置され、前記Ｘ
    線源はレーザ光を用いてＸ線を発生するポイントソース
    Ｘ線源であることを特徴とする請求項１に記載のＸ線露
    光装置。
  3. 【請求項３】 前記Ｘ線源と前記各原版の間にそれぞれ
    位置し、前記各原版に照射されるＸ線を遮断する１つま
    たは２つ以上の遮断物を備える第１シャッタから第ｎシ
    ャッタまでのｎ個のシャッタと、前記各シャッタを駆動
    する第１シャッタ駆動部から第ｎシャッタ駆動部までの
    ｎ個のシャッタ駆動部と、前記各シャッタを制御するシ
    ャッタ制御部とをさらに有することを特徴とする請求項
    １または２に記載のＸ線露光装置。
  4. 【請求項４】 前記シャッタ制御部は、前記Ｘ線源の状
    態および前記第１露光手段から前記第ｎ露光手段におけ
    る各露光手段の状態のうちの少なくとも一つの状態によ
    り前記第１シャッタから第ｎシャッタのｎ個のシャッタ
    を制御することを特徴とする請求項３に記載のＸ線露光
    装置。
  5. 【請求項５】 前記Ｘ線源のＸ線放射のタイミングはＸ
    線放射トリガ信号によって制御され、前記Ｘ線露光装置
    は前記Ｘ線源の状態および前記第１露光手段から前記第
    ｎ露光手段における各露光手段の状態のうちの少なくと
    も一つの状態により前記Ｘ線放射トリガ信号を生成する
    Ｘ線放射トリガ信号生成部を備えたことを特徴とする請
    求項１〜４のいずれか１項に記載のＸ線露光装置。
  6. 【請求項６】 前記Ｘ線源のＸ線強度はＸ線強度制御信
    号によって制御され、前記Ｘ線露光装置は前記Ｘ線源の
    状態および前記第１露光手段から前記第ｎ露光手段にお
    ける各露光手段の状態のうちの少なくとも一つの状態に
    より前記Ｘ線強度制御信号を生成するＸ線強度制御信号
    生成部を備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれ
    か１項に記載のＸ線露光装置。
  7. 【請求項７】 前記ポイントソースＸ線源を備えるポイ
    ントソースＸ線源部の内部状態を該ポイントソースＸ線
    源部から状態信号として受信し、前記シャッタ制御部
    と、前記各露光手段の各Ｘ線強度を計測する複数のセン
    サからの各計測値により前記各露光手段の露光状態を制
    御する複数の制御部とを総合制御する総合制御部をさら
    に備え、該総合制御部は、前記Ｘ線放射トリガ信号生成
    部に対してトリガ発生の指令を通知し、前記Ｘ線強度制
    御信号生成部に対してＸ線強度の値および／またはＸ線
    強度の指令を通知するものであることを特徴とする請求
    項６に記載のＸ線露光装置。
  8. 【請求項８】 前記総合制御部は、前記各露光手段の露
    光タイミングを所定の目的に合わせて制御する手段を有
    し、前記総合制御部に対して設定された設定値の範囲内
    で前記露光タイミングをチューニングすることが可能で
    あることを特徴とする請求項７に記載のＸ線露光装置。
  9. 【請求項９】 前記各原版および前記各被露光基板のう
    ちの少なくとも一方をそれぞれ移動させる第１移動手段
    から第ｎ移動手段までのｎ個の移動手段をさらに有する
    ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の
    Ｘ線露光装置。
  10. 【請求項１０】 前記Ｘ線源は、パルス状のＸ線を発生
    することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記
    載のＸ線露光装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれか１項に記載
    のＸ線露光装置において、ディスプレイと、ネットワー
    クインタフェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実
    行するコンピュータとをさらに有し、Ｘ線露光装置の保
    守情報をコンピュータネットワークを介してデータ通信
    することを可能にしたＸ線露光装置。
  12. 【請求項１２】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
    前記Ｘ線露光装置が設置された工場の外部ネットワーク
    に接続され前記Ｘ線露光装置のベンダ若しくはユーザが
    提供する保守データベースにアクセスするためのユーザ
    インタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外
    部ネットワークを介して該データベースから情報を得る
    ことを可能にする請求項１１に記載のＸ線露光装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれか１項に記載
    のＸ線露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半
    導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて
    複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程
    とを有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
    トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
    ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
    間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
    データ通信する工程とをさらに有する請求項１３に記載
    の半導体デバイス製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記露光装置のベンダ若しくはユーザ
    が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
    てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
    情報を得る、若しくは前記半導体製造工場とは別の半導
    体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
    タ通信して生産管理を行う請求項１４に記載の半導体デ
    バイス製造方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１〜１２のいずれか１項に記載
    のＸ線露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、
    該製造装置群を接続するローカルエリアネットワーク
    と、該ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネ
    ットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、
    前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ
    通信することを可能にしたことを特徴とする半導体製造
    工場。
  17. 【請求項１７】 半導体製造工場に設置された請求項１
    〜１２のいずれか１項に記載のＸ線露光装置の保守方法
    であって、前記Ｘ線露光装置のベンダ若しくはユーザ
    が、半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保
    守データベースを提供する工程と、前記半導体製造工場
    内から前記外部ネットワークを介して前記保守データベ
    ースへのアクセスを許可する工程と、前記保守データベ
    ースに蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介
    して半導体製造工場側に送信する工程とを有することを
    特徴とするＸ線露光装置の保守方法。
JP2001103635A 2001-04-02 2001-04-02 Ｘ線露光装置 Pending JP2002299221A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001103635A JP2002299221A (ja) 2001-04-02 2001-04-02 Ｘ線露光装置
US10/108,413 US6754302B2 (en) 2001-04-02 2002-03-29 X-ray exposure apparatus
EP02252381A EP1248153A3 (en) 2001-04-02 2002-04-02 X-Ray exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001103635A JP2002299221A (ja) 2001-04-02 2001-04-02 Ｘ線露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002299221A true JP2002299221A (ja) 2002-10-11

Family

ID=18956662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001103635A Pending JP2002299221A (ja) 2001-04-02 2001-04-02 Ｘ線露光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6754302B2 (ja)
EP (1) EP1248153A3 (ja)
JP (1) JP2002299221A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013200565A (ja) * 2005-04-11 2013-10-03 Sarnoff Corp ストロボ式画像キャプチャを提供するための方法および装置
JP2016539382A (ja) * 2013-09-25 2016-12-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． ビームデリバリ装置及び方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
UA59495C2 (uk) * 2000-08-07 2003-09-15 Мурадін Абубєкіровіч Кумахов Рентгенівський вимірювально-випробувальний комплекс
JP3782736B2 (ja) * 2002-01-29 2006-06-07 キヤノン株式会社 露光装置及びその制御方法
JP2004031024A (ja) * 2002-06-24 2004-01-29 Canon Inc 光発生装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
US7187066B2 (en) * 2004-09-22 2007-03-06 Intel Corporation Radiant energy heating for die attach
US7253575B2 (en) * 2004-11-08 2007-08-07 Sutter Instrument Company Industrial optical shutter
US20060133575A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Advanced X-Ray Technology, Inc. X-ray needle apparatus and method for radiation treatment
US7248672B2 (en) * 2005-04-21 2007-07-24 Bruker Axs, Inc. Multiple-position x-ray tube for diffractometer
DE102005019572A1 (de) * 2005-04-27 2006-11-09 Siemens Ag Verfahren zur Auswertung und Darstellung von Röntgenprojektionsbildern und Röntgendurchsichtgerät
WO2017076961A1 (en) * 2015-11-06 2017-05-11 Asml Netherlands B.V. Radioisotope production

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4184078A (en) * 1978-08-15 1980-01-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Pulsed X-ray lithography
US4242588A (en) * 1979-08-13 1980-12-30 American Science And Engineering, Inc. X-ray lithography system having collimating optics
US4408338A (en) * 1981-12-31 1983-10-04 International Business Machines Corporation Pulsed electromagnetic radiation source having a barrier for discharged debris
JPS60154527A (ja) 1984-01-24 1985-08-14 Canon Inc 露光装置
US4653903A (en) 1984-01-24 1987-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JPH065660B2 (ja) 1985-01-11 1994-01-19 キヤノン株式会社 露光装置
JPS6197918A (ja) * 1984-10-19 1986-05-16 Hitachi Ltd Ｘ線露光装置
US5102776A (en) * 1989-11-09 1992-04-07 Cornell Research Foundation, Inc. Method and apparatus for microlithography using x-pinch x-ray source
JPH0562885A (ja) * 1991-09-03 1993-03-12 Canon Inc Ｓｏｒ露光システム
US5394451A (en) * 1991-10-08 1995-02-28 Canon Kabushiki Kaisha Optical arrangement for exposure apparatus
US5485498A (en) * 1994-07-01 1996-01-16 Motorola, Inc. X-ray interface and condenser
JP2000260684A (ja) 1999-03-08 2000-09-22 Nikon Corp 露光装置、及び照明装置
JP2001332472A (ja) * 2000-05-19 2001-11-30 Canon Inc Ｘ線露光装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013200565A (ja) * 2005-04-11 2013-10-03 Sarnoff Corp ストロボ式画像キャプチャを提供するための方法および装置
JP2016539382A (ja) * 2013-09-25 2016-12-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． ビームデリバリ装置及び方法
US10580545B2 (en) 2013-09-25 2020-03-03 Asml Netherlands B.V. Beam delivery apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
US6754302B2 (en) 2004-06-22
US20020141533A1 (en) 2002-10-03
EP1248153A3 (en) 2005-04-20
EP1248153A2 (en) 2002-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7110504B2 (en) Radiation generating apparatus, radiation generating method, exposure apparatus, and exposure method
US6647086B2 (en) X-ray exposure apparatus
JP2002291219A (ja) 電磁アクチュエータ、リニアモータ、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
US7483764B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2002299221A (ja) Ｘ線露光装置
EP1278231A2 (en) Substrate processing apparatus, substrate precessing method, and exposure apparatus
JP4154144B2 (ja) 露光装置、発光制御方法、およびデバイス製造方法
US6754303B2 (en) Exposure apparatus and exposing method
JP2001284210A (ja) 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
CN109154783B (zh) 光刻设备中的光学元件的位置测量
JP2005236310A (ja) リソグラフィ処理セルの制御方法、デバイス製造方法、リソグラフィ装置、トラックユニット、リソグラフィ処理セル、およびコンピュータプログラム
US6453001B2 (en) X-ray exposure apparatus
US6736928B2 (en) Exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method
US20020071106A1 (en) Exposure apparatus and method
JP2001297961A (ja) 露光装置
JP2002373839A (ja) 照明装置、露光装置及び露光方法
JP4981218B2 (ja) 露光装置および露光方法
JP2007201504A (ja) ステージ装置および露光装置
JP2001297966A (ja) 露光方法、露光システム、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および露光装置の保守方法
JPH07167995A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2003142366A (ja) 投影露光装置および該装置に用いるガス状態監視方法
JP2003324047A (ja) デバイス製造装置
JP2004296780A (ja) Ｘ線露光装置
JP2003007577A (ja) 露光装置
JP2002008968A (ja) 露光装置