JP2002283083A - レーザ加工装置 - Google Patents

レーザ加工装置

Info

Publication number
JP2002283083A
JP2002283083A JP2001090306A JP2001090306A JP2002283083A JP 2002283083 A JP2002283083 A JP 2002283083A JP 2001090306 A JP2001090306 A JP 2001090306A JP 2001090306 A JP2001090306 A JP 2001090306A JP 2002283083 A JP2002283083 A JP 2002283083A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
workpiece
processing
light
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001090306A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriyuki Sekizawa
紀之 堰澤
Kazuaki Sajiki
一明 桟敷
Yoshiyuki Niwatsukino
義行 庭月野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP2001090306A priority Critical patent/JP2002283083A/ja
Publication of JP2002283083A publication Critical patent/JP2002283083A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 異なる孔径の孔を効率良く加工することので
きるレーザ加工装置を提供すること。 【解決手段】 コントローラ60は、ビームスポットの
径がdであるレーザ光の集光点が半径rの円を描くよう
に、マイクロレンズアレイ30から出射されるレーザ光
の被加工物20に対する相対的な集光点の位置を所定の
角度△ωずつ移動させるべく、XYステージ50を移動
制御する。これにより、被加工物20には、レーザ光の
ビームスポット径dよりも大きい孔径の孔が加工され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を照射し
て被加工物の孔あけ等の加工を行うレーザ加工装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来から、レーザ光を照射して被加工物
を孔あけ等の精密加工するレーザ加工装置が知られてお
り、これには、たとえば特開平4−356392号公報
(以下、公報という)に記載されたものや、「SPIE Vo
l.2789,145-157,"Processing ofNi-based aero engine
components with repetitively Q-switched Nd:YAG-las
ers"」(以下、文献という)に記載されたものが知られ
ている。
【0003】上記公報に記載されたものでは、図18に
示すように、平面波からなるレーザ光1をフレネル帯板
2又はマイクロレンズを設けたマスク3に照射し、この
マスク3によってレーザ光1を集光し、プリント基板等
の被加工物4に孔あけ加工している。
【0004】また、上記文献に記載されたものでは、レ
ーザビアホール加工において、レーザ装置から発振され
たレーザ光をプリズムあるいはウェッジ板を介して単一
のレンズを透過させて集光させると共に、プリズムある
いはウェッジ板を入射するレーザ光の光軸を中心に回転
(円運動)させて、集光スポットが円を描くように移動
するようにしている。これにより、被加工物に対して、
ビームスポットの径よりも大きい孔径の孔を孔あけ加工
することができるとしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記公報に
記載されているようにレーザ光1の波面が平面波のとき
はレーザ光1の集光性が良くなり、微細な加工が可能で
あるということは周知であるが、上記公報には、平面波
からなるレーザ光1をマスク3に照射する旨が記載され
ているものの、レーザ光1の波面を平面波にする具体的
な手段が記載されていない。
【0006】また、上記公報では、波長を248nmと
例示しており、エキシマレーザや水銀ランプを光源とし
て仮定しているが、エキシマレーザや水銀ランプは平面
波とするのが困難で、光のコヒーレント性が低く、集光
性が低い。特に、エキシマレーザの共振器として一般的
である安定型共振器から出射されたレーザ光1は、ビー
ムの発散角が大きいために平行度が低いため、小さなス
ポットに集光させることが難しく、微細な加工が困難で
ある。
【0007】周知のように、同じ光源を用いた場合に
は、レンズ径と焦点距離とが決まるとビームスポット径
が一意に決定される。上述した公報のものは、レンズ径
と焦点距離とを一定(固定)とした状態で孔あけ加工す
るようにしているので、ビームスポット径が一意に決ま
り、このビームスポット径に基づいて、被加工物4に対
して同一の孔径の複数の孔が孔あけ加工される。このこ
とは、上記公報のものでは、複数種類の直径の孔を加工
する場合には、それらの直径に対応した複数種類のレン
ズが必要となることを意味する。
【0008】例えば、φ50μmの孔が形成された製品
(被加工物)とφ100μmの孔が形成された製品の製
品(被加工物)の2種類を製作する場合は、それらに対
応する2種類のレンズが必要となる。
【0009】さらに、被加工物に対するレーザ加工を行
うには、加工点のエネルギー密度が所定の値(加工閾
値)より大きい値でなければならない。そのため、レン
ズ径と比較して加工寸法が大きい場合(ビアホール径が
大きい場合)には、例えば焦点距離を変化させて、加工
寸法と同等のビームスポット径が得られるようにしたと
しても、集光性が低いので所定のエネルギー密度が得ら
れず、よって被加工物に対する所望のレーザ加工を実施
することは困難である。
【0010】また、上記文献のものでは、被加工物に対
するレーザ光のビームスポットの位置を変更させながら
加工処理することで、被加工物に対して、そのビームス
ポットの径よりも大きい孔径の孔を加工することができ
るものの、次のような問題点が発生する。
【0011】すなわち、上記文献には、不安定共振器に
よって共振されたレーザ光を集光させるようにしている
旨、あるいはレーザ光の波面が平面波である旨は記載さ
れておらず、また示唆もされていない。このため、上記
文献のものでは、集光されるレーザ光は、ビームの発散
角が大きいために平行度が低いため、小さなスポットに
集光させることが難しく、微細な加工が困難である。
【0012】そこで、本発明は、上記実状に鑑みてなさ
れたものであり、異なる孔径の孔を効率良く加工するこ
とのできるレーザ加工装置を提供することを解決課題と
する。
【0013】
【課題を解決するための手段、作用および効果】上記解
決課題を達成するため、第1の発明は、レーザ装置から
出射されたレーザ光を被加工物に照射して加工を行うレ
ーザ加工装置において、前記レーザ装置と前記被加工物
との間に設けられ、前記レーザ装置からのレーザ光を集
光させて被加工物に照射する複数の集光手段を備え、前
記複数の集光手段から出射されたレーザ光の集光点の前
記被加工物に対する相対的な位置を変更させながら、前
記被加工物に対する加工処理を実施することを特徴とす
る。
【0014】第2の発明は、第1の発明において、前記
複数の集光手段を移動する移動手段を更に備え、前記移
動手段によって前記複数の集光手段を移動することによ
り前記被加工物に対する相対的なレーザ光の集光点の位
置を変更させながら、前記被加工物に対する加工処理を
実施することを特徴とする。
【0015】第3の発明は、第1の発明において、前記
被加工物を移動する移動手段を更に備え、前記移動手段
によって前記被加工物を移動することにより前記被加工
物に対する相対的なレーザ光の集光点の位置を変更させ
ながら、前記被加工物に対する加工処理を実施すること
を特徴とする。
【0016】第4の発明は、第1の発明において、前記
複数の集光手段に対するレーザ光の入射角を変更する変
更手段を更に備え、前記変更手段によってレーザ光の入
射角を変更することにより前記被加工物に対する相対的
なレーザ光の集光点の位置を変更させながら、前記被加
工物に対する加工処理を実施することを特徴とする。
【0017】第1乃至第4の発明では、移動手段(例え
ばXYステージ)による被加工物又は複数の集光手段
(例えばマイクロレンズアレイ)の移動、又は変更手段
(例えばミラー又はプリズム)による複数の集光手段に
対するレーザ光の入射角の変更により、被加工物に対す
る相対的な複数の集光手段から出射されたレーザ光の集
光点の位置を変更しながら、孔あけ加工する。
【0018】このため、第1乃至第4の発明によれば、
同一の複数の集光手段たとえばレンズ(マイクロレン
ズ)を用いて、被加工物に対して異なる直径(孔径)の
孔を孔あけ加工することができる。すなわち、集光手段
から出射されたレーザ光の集光点の径(ビームスポット
の径)に対して加工寸法(孔径)が大きい場合でも孔あ
け加工を実施することができる。
【0019】また、上記解決課題を達成するため、第5
の発明は、第1乃至第4の発明のうちの何れかの発明に
おいて、前記被加工物における照射領域のうちの一部の
予め設定された加工領域に対して、レーザ光が照射され
ないように遮光する遮光手段を更に備え、異なる複数の
前記加工領域毎に、前記遮光手段によって加工領域へ照
射されるべくレーザ光を遮光し、前記複数の加工領域毎
に異なる加工条件で前記被加工物に対する加工処理を実
施することを特徴とする。
【0020】第5の発明では、被加工物における異なる
複数の加工領域毎に、遮光手段によって加工領域へ照射
されるべくレーザ光が遮光され、異なる加工条件に従っ
て加工処理(たとえば異なる孔径の孔の加工)される。
【0021】このように第5の発明によれば、1つの被
加工物に対して、複数種類の直径の孔を加工することが
できると共に、複数の被加工物それぞれに、異なった直
径の孔を加工することができる。
【0022】さらに、上記解決課題を達成するため、第
6の発明は、第1乃至第5の発明のうちの何れかの発明
において、前記レーザ装置は、不安定共振器を備え、こ
の不安定共振器によって共振されたレーザ光を出射する
ことを特徴とする。
【0023】第6の発明では、不安定共振器から出射さ
れたレーザ光は平行度が高く、これを複数の集光手段に
入射させ、さらに被加工物に対する相対的な当該複数の
集光手段から出射されたレーザ光の集光点の位置を変更
させながら、当該被加工物に対する加工処理を実施す
る。
【0024】このように第6の発明によれば、所望する
位置に精度良く集光させることができ(レーザ光の集光
性を向上させることができ)、しかも被加工物に集光さ
れるレーザ光のビームスポットの径より大きい孔径の孔
を加工することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面を参照して説明する。
【0026】本発明に係るレーザ加工装置では、レーザ
装置と被加工物との間に設けられた複数の集光手段(例
えばレンズ)により集光されたレーザ光を、例えばプリ
ント基板等の被加工物に照射することにより、当該被加
工物の孔あけ等の加工を実施するに際し、詳細は後述す
るが、被加工物に対する相対的な複数の集光手段(例え
ばレンズ)の位置すなわち各集光手段から出射されるレ
ーザ光の集光点の位置を変更させながら、被加工物に対
して孔あけ加工等の加工を行うことを想定している。
【0027】ここで、被加工物に対して3つの集光手段
に対応する3つの孔を孔あけ加工する場合の原理につい
て、図1を参照して説明する。
【0028】図1(a)に示すようにビームスポットの
径がdであるレーザ光を半径rの円を描くように、被加
工物に対する相対的な各集光手段から出射されるレーザ
光の集光点の位置を、図1(b)に示すように所定の角
度△ωずつ移動させることにより、図1(c)に示すよ
うにビームスポット径dよりも大きい孔径の3つの孔を
孔あけ加工することが可能となる。
【0029】この場合、例えば、ビームスポット径d=
20μmのレーザ光の集光点を、半径r=10μmの円
を描くように上記レーザ装置からパルス発振されるレー
ザ光(パルス光)の1パルス毎に角度△ω=1度ずつ位
置を移動させることにより、被加工物に対して、360
パルスで1つの円が描かれて直径D=40μmの孔を得
ることができる。
【0030】本実施形態では、被加工物に対する相対的
な複数の集光手段から出射されたレーザ光の集光点の位
置を変更させる手段として、次の(1)の手段を含むも
のとしている。
【0031】(1)被加工物に対する相対的な複数の集
光手段の位置を変更する手段。具体的には、次の(1−
a)、(1−b)の方法が含まれる。
【0032】(1−a)XYステージに被加工物を搭載
してXYステージの移動に伴って被加工物を移動させ
る。
【0033】(1−b)中空のXYステージに複数の集
光手段を搭載してXYステージの移動に伴って複数の集
光手段を移動させる。
【0034】つぎに、上述したような加工処理を行うレ
ーザ加工装置について説明する。
【0035】図2は、本実施形態に係るレーザ加工装置
の構成図を示している。
【0036】図2において、レーザ加工装置10は、レ
ーザ光L1を発振するエキシマレーザ装置11と、プリ
ント基板等の被加工物20に加工される孔21と同パタ
ーンに配置された複数のマイクロレンズ31を有するマ
イクロレンズアレイ30と、エキシマレーザ装置11か
らのレーザ光L1を被加工物20つまりマイクロレンズ
アレイ30へ反射させるミラー40と、被加工物20が
載置されXY方向に移動するXYステージ50と、被加
工物20に加工すべき加工パターンに従ってXYステー
ジ50を移動制御するコントローラ60とを備えてい
る。
【0037】図3はエキシマレーザ装置11の構成図を
示している。
【0038】エキシマレーザ装置11は、例えばフッ素
(F2)、クリプトン(Kr)、及びネオン(Ne)を
含むレーザガスを封入するレーザチャンバ12と、レー
ザチャンバ12の両端部に設けられたウィンドウ13、
14とを備えている。
【0039】フロントウィンドウ13の前方外側の図3
中下方一端側には凸面鏡15が設けられ、リアウィンド
ウ14の後方外側には凹面鏡16が設けられて、凸面鏡
15及び凹面鏡16によって、不安定共振器15、16
を構成している。また、レーザチャンバ12の内部には
所定位置に放電電極17a、17bが配置され、図示し
ない高圧電源により高電圧を印加可能となっている。
【0040】図3において、レーザチャンバ12の内部
で発生したレーザ光は凸面鏡15で反射し、凹面鏡16
に反射して、凸面鏡15の周囲から出射する。そして、
レーザチャンバ12内を往復する間に、上下を電極間で
左右を電極幅でそれぞれ制限された、断面形状が略方形
の出射レーザ光L2として取り出される。
【0041】このとき、出射レーザ光L2は、凹面鏡1
6によって反射されて平行光として出射するため、通常
の安定型共振器を備えたエキシマレーザ装置から出射す
るレーザ光よりも平行度が高くなる。
【0042】図4は、エキシマレーザ装置11から出射
された出射レーザ光L2の正面視形状を示している。
【0043】図4に示すように、下部の凸面鏡15に相
当する部分からは光が出射されず、円形の影15Aが生
じている。そこで図2に示すように、レーザチャンバ1
2の前方に方形の開口部18Aを有するアパーチャ18
を配し、このアパーチャ18によって凸面鏡15によっ
て生成される影15Aを避けるように方形のレーザ光L
1を切り出して加工に使用する。あるいは、アパーチャ
18の開口部を円形として、レーザ光L1の断面形状を
円形としても良い。
【0044】このように、不安定共振器15、16から
出射した平行度の高いレーザ光L1は、図2に示すよう
にミラー40で図中下向きに反射され、マイクロレンズ
アレイ30に入射する。
【0045】ここでは、同一加工径の孔21を複数個、
孔あけ加工する場合について説明する。図2に示すよう
に、マイクロレンズアレイ30には、焦点距離が同一の
微小なマイクロレンズ31が、プリント基板等の被加工
物20に加工される孔21に1対1で対応して並んでい
る。
【0046】このとき、各マイクロレンズ31の焦点距
離を焦点距離fとすると、マイクロレンズ31の主点か
らプリント基板の表面までの距離が焦点距離fと等しく
なるように被加工物20を配置する。
【0047】これにより、マイクロレンズアレイ30に
照射された平行なレーザ光L1は、マイクロレンズ31
によって被加工物20表面で焦点を結び、スポット径が
最も小さくなるビームウェストがプリント基板表面に合
致する。
【0048】マイクロレンズ31によって集光されたレ
ーザ光L1の強度分布は、同心円状の明縞と暗縞とから
構成されている。このとき、第1暗縞の直径をビームウ
ェスト径Wと称する。
【0049】ビームウェストWは、マイクロレンズ31
の焦点距離をf、レンズ径をφ、入射する光の波長をλ
とすると、次式(1)で表される。
【0050】 W=2.44λ・f/φ ・・・(1) すなわち、この数式(1)を満たすビームウェスト径W
に集光されたレーザ光L1が、プリント基板表面に照射
される。
【0051】そして、実際にこのような条件で加工を行
った場合、ビームウェスト径Wとほぼ等しい加工径Dを
有する孔21が貫通加工される。即ち、マイクロレンズ
31の焦点距離fとレンズ径φとを決定することによ
り、目的とする所望の加工径Dの孔21を得ることが可
能となっている。
【0052】以上までの処理で、ビームスポット径d=
ビームウェスト径W≒加工径Dの複数の孔21が加工さ
れることになる。
【0053】次に、ビームスポット径d=ビームウェス
ト径Wよりも孔径が大きい加工径Dの複数の孔21を孔
あけ加工する場合の処理について説明する。
【0054】コントローラ60は、XYステージ50に
対して、現在の位置(基準位置)を中心にして半径rの
円を描くべく、エキシマレーザ装置11からパルス発振
されるレーザ光(パルス光)の1パルス毎に、角度△ω
=1度ずつ位置が移動(XY方向に移動)するように制
御する。
【0055】この場合、XYステージ50では、コント
ローラ60の制御(加工パターンに従った加工を実施す
べく制御)に従って、たとえば半径r=10μmの円を
描くように(図1(a)参照)、パルス発振されるレー
ザ光(パルス光)の1パルス毎に角度△ω=1度ずつ位
置を移動することにより(図1(b)参照)、360パ
ルスで1つの円を描く。従って、例えばビームスポット
径d=20μmのレーザ光が被加工物20に照射される
場合には、360パルスで1つの円が描かれて直径D=
40μmの複数の孔21(図1(c)参照)を得ること
ができる。
【0056】上述した実施形態では、XYステージ50
によって被加工物20を移動させることで、被加工物2
0に対する相対的なマイクロレンズアレイ30から出射
されたレーザ光の集光点の位置を変更するようにしてい
るが、本発明はこれに限定されることなく、次のように
しても良い。
【0057】この場合のレーザ加工装置10は、図5に
示すように、図2に示した装置の構成において、XYス
テージ50を削除し、マイクロレンズアレイ30が載置
される中空のXYステージ70を追加した構成になって
いる。同図5において、図2に示したエキシマレーザ装
置11、ミラー40及びコントローラ60は省略してい
る。
【0058】XYステージ70は、マイクロレンズアレ
イ30に設けられた複数のマイクロレンズ31から被加
工物20へ出射されるレーザ光を遮光しないように、中
空構造になっている。
【0059】XYステージ70も、上記XYステージ5
0の処理動作と同様に、コントローラ60の制御(加工
パターンに従った加工を実施すべく制御)に従って、半
径r(例えば10μm)の円を描くように(図1(a)
参照)、パルス発振されるレーザ光(パルス光)の1パ
ルス毎に角度△ω(例えば1度)ずつ位置を移動(XY
方向に移動)する。
【0060】これにより、例えばビームスポット径d=
20μmのレーザ光が被加工物20に照射される場合に
は、360パルスで1つの円が描かれて直径D=40μ
mの複数の孔21(図1(c)参照)を得ることができ
る。
【0061】なお、図2に示したレーザ加工装置あるい
は図5に示したレーザ加工装置では、例えばビームスポ
ット径d=20μmのレーザ光が被加工物20に照射さ
れる場合には、360パルスで1つの円が描かれて直径
D=40μmの複数の孔21(図1(c)参照)を得る
ようにしているが、本発明はこのような加工パターンに
限定されることなく、次のような加工パターンで孔あけ
加工することができる。
【0062】すなわち、XYステージ50によって被加
工物20を、あるいはXYステージ70によってマイク
ロレンズアレイ30を半径rが5μmの円を描くよう
に、パルス発振されるレーザ光(パルス光)の1パルス
毎に角度△ω(例えば1度)ずつ位置を移動(XY方向
に移動)することにより、例えばビームスポット径d=
20μmのレーザ光が被加工物20に照射される場合に
は、360パルスで1つの円が描かれて直径D=30μ
mの複数の孔21を得ることができる。
【0063】また、被加工物20に対して「加工される
孔の径D>ビームスポット径dの2倍」の関係が成立す
る孔を孔あけ加工する場合には、図6(a)、(b)に
示すように、加工される孔の円の内周縁とビームの外周
縁とが接するような半径rの円を描くようにXYステー
ジを移動させると共に、所望する孔に対して加工されな
い部分にもレーザ光を照射するようにする。例えば、被
加工物20に対して図6(a)に示すように半径rの円
を描くように孔あけ加工した場合であっても、所望する
孔に対して中心部に加工されない部分が存在するとき
は、当該中心部にレーザ光が照射されるようにXYステ
ージを移動させる。
【0064】また、被加工物20に対して図6(b)に
示すように半径rの円を描くように孔あけ加工し、かつ
中心部に対しても孔あけ加工した場合であっても、所望
する孔に対して中心部に加工されない部分が存在すると
きは、半径rよりも短い半径r1をもって円を描くよう
に加工するようにする。この場合、半径rの円を描くよ
うに加工した後、半径r1の円を描くように加工をし、
更に中心部に対する加工を実施するようにしても良い。
【0065】さらに、図7(a)に示すように、被加工
物20のX方向の長さX1について孔あけ加工すべく、
パルス毎に、レーザ光L1のビームスポットを例えばス
ポット位置1からスポット位置2へ移動させるために、
XYステージ50あるいはXYステージ70を移動す
る。また、被加工物20のY方向の長さY1について孔
あけ加工すべく、パルス毎に、レーザ光L1のビームス
ポットを例えばスポット位置2からスポット位置3へ移
動させるために、XYステージ50あるいはXYステー
ジ60を移動する。同様にして、図7(b)に示すよう
に長さX1及び長さY1の四角形の孔が孔あけ加工され
るように、レーザ光L1のビームスポットをスポット位
置3、4、5、6へと順に移動させるようにする。
【0066】また、上記実施形態では、エキシマレーザ
装置11からは、クリプトンフッ素(KrF)レーザが
レーザ発振されるようになっているが、アルゴンフッ素
(ArF)レーザなどエキシマレーザであればレーザの
種類は問わない。また、レーザ装置はエキシマレーザ装
置に限定されることなく、装置の種類は問わない。
【0067】また、上述した実施形態では、コントロー
ラ60は、エキシマレーザ装置11からパルス発振され
る所定の発振周波数のパルスに同期して、XYステージ
を制御するようにしているが、本発明はこれに限定され
ることなく、前記所定の発振周波数のパルスに非同期的
にXYステージを制御するようにしても良い。
【0068】さらに、上述した実施形態では、1パルス
毎にビームスポットを移動するようにしているが、本発
明はこれに限定されることなく、複数のパルス毎(例え
ば10パルス毎)に移動するようにしても良い。
【0069】以上説明したように本実施形態によれば、
次のような作用効果を奏する。
【0070】(1)被加工物20に対する相対的なマイ
クロレンズアレイ30から出射されたレーザ光L1の集
光点の位置を変更しながら、孔加工するようにしている
ので、同一のレンズ(マイクロレンズ31)を用いて、
異なる直径(孔径)の孔を加工することができる。この
ことから、ビームスポットの径に対して加工寸法(孔
径)が大きい場合であっても、所望の孔の孔あけ加工を
実施することができる。
【0071】(2)また、本実施形態によれば、不安定
共振器15、16を有するエキシマレーザ装置11から
発振した出射レーザ光L2の一部を切り出したレーザ光
L1を、マイクロレンズアレイ30に照射して孔あけ加
工を行っている。このため不安定共振器15、16を有
するエキシマレーザ装置11から出射したレーザ光L1
は、拡がり角が小さく、ピンホール等を通過させずとも
平行度が強い。
【0072】このように平行度の高いレーザ光L1をマ
イクロレンズ28等の集光器に照射しているので、マイ
クロレンズ30を通過するレーザ光L1の集光性が向上
する。これにより、レーザ光L1を回折限界近くまで小
さく集光することが可能となり、直径のより小さな孔2
1を孔あけ加工することが可能となって、加工の微細性
が向上する。
【0073】[第2の実施形態]この第2の実施形態で
は、被加工物に対する相対的な複数の集光手段から出射
されたレーザ光の集光点の位置を変更させる手段とし
て、次の(1)の手段を含むものとしている。
【0074】(1)複数の集光手段に入射するレーザビ
ームの入射角を変更する手段。具体的には、次の(1−
a)、(1−b)の方法が含まれる。
【0075】(1−a)レーザ光を1つ又は複数のミラ
ーを介して複数の集光手段に入射させ、当該1つ又は複
数のミラーを回転させる。
【0076】(1−b)レーザ光をウェッジ板あるいは
プリズムなどの光学部品を介して複数の集光手段に入射
させ、当該光学部品を回転させる。
【0077】図8は、第2の実施形態に係るレーザ加工
装置100の構成図を示しており、図8(a)はレーザ
加工装置100の平面図を示し、図8(b)は図8
(a)のA方向から見た図(側面図)を示している。な
お、図8(b)においてはコントローラ60は省略して
いる。
【0078】このレーザ加工装置100は、図2に示し
た第1の実施形態の構成において、ミラー40及びXY
ステージ50を削除し、ミラー41、42を追加した構
成になっている。なお同図8(a)、(b)において、
図2に示した構成要素と同様の機能を果たす部分には同
一の符号を付する。
【0079】ミラー41は、図9に示すように、図9中
のY軸を中心に時計方向あるいは反時計方向に所定の最
大の角度まで回転可能に設定されており、ミラー42
は、図9中のX軸を中心に時計方向あるいは反時計方向
に所定の最大の角度まで回転可能に設定されている。
【0080】コントローラ60は、被加工物20に対し
て予め設定された加工パターンに従った加工穴が孔あけ
加工されるように、ミラー41、42に対する回転移動
制御を実施する。
【0081】ここで、レーザ光のレンズ(マイクロレン
ズ31)への入射角が異なった場合のレーザ光の集光点
の位置について、図10を参照して説明する。
【0082】なお、図10(a)、(b)においては、
両凸レンズ31を示しているが、平凸レンズであっても
良い。
【0083】周知のように、図10(a)に示すように
レーザ光LAのようにマイクロレンズ31への入射角が
0度(レーザ光LAの光軸がレンズに対して垂直)の場
合には、レーザ光LAの集光点はマイクロレンズ31の
中央部の真下の位置に形成され、これに対し、図10
(a)に示すようにレーザ光のLBのようにマイクロレ
ンズ31への入射角がθ(≠0)の場合は、レーザ光L
Bの集光点はマイクロレンズ31の中央部の真下の位置
よりも距離rだけズレた位置に形成される。
【0084】ここで、図10(b)に示すように、マイ
クロレンズ31の主点からプリント基板等の被加工物の
表面までの距離が距離hとした場合に、入射角θと移動
距離rとの関係は、次式(2)で表される。
【0085】 θ=r/h (単位:rad) ・・・(2) たとえば、h=20mm、r=20μmとした場合に
は、これらの値を上記式(2)に代入して演算すること
により、θ=1mmradとなる。
【0086】そこで、コントローラ60がミラー41、
42を適宜回転制御することにより、マイクロレンズ3
1(あるいはマイクロレンズアレイ30)から出射され
たレーザ光のビームスポットを、図11に示すように、
移動距離r=半径rの円を描くように移動させることが
可能となる。この場合、原点からの半径rの点はビーム
スポットの中心点に対応する。
【0087】従って、たとえば、マイクロレンズ31の
焦点距離f=h=20mm、マイクロレンズ31へのレ
ーザ光の入射角θ=1mmrad、ビームスポット径d
=20μmの場合には、被加工物20に、孔径D=60
μmの孔を孔加工することができる。この場合、マイク
ロレンズ31へのレーザ光の入射角θが1mmradで
あるので、加工される加工孔の中心部はレーザ光が照射
されていないため、当該中心部も孔あけ加工するとき
は、マイクロレンズ31へのレーザ光の入射角θが0と
なるように、コントローラ60によってミラー41、4
2を適宜回転制御する。
【0088】このようにして、被加工物20に対する相
対的なマイクロレンズアレイ30から出射されたレーザ
光L1の集光点の位置を変更しながら、孔あけ加工する
ことにより、同一のレンズ(マイクロレンズ31)を用
いて、被加工物20に対して異なる直径(孔径)の孔を
加工することができる。
【0089】なお、図8に示したレーザ加工装置100
においてはミラー41、42を設けて、これらのミラー
を適宜回転することで、被加工物20に対する相対的な
レーザ光の集光点の位置を変更するようにしているが、
これに限定されることなく、1つのミラーのみを設ける
ようにしても良い。この場合は、2つのミラーを適宜回
転する場合と比較して、レーザ光の集光点の位置の移動
範囲は限定される(一方向への移動となる)。
【0090】次に、第2の実施形態の応用例について説
明する。
【0091】図12は、第2の実施形態に係るレーザ加
工装置100の応用例の構成図を示している。この応用
例の装置100は、図2に示した第1の実施形態の構成
において、XYステージ50を削除し、プリズム(ある
いはウェッジ板)80を追加した構成になっている。な
お同図12において、図2に示した構成要素と同様の機
能を果たす部分には同一の符号を付する。
【0092】プリズム80は、図13に示すように、入
射面81に入射するレーザ光の入射角が0度(あるいは
0rad)の場合に、出射面82から出射されるレーザ
光の出射角(つまりマイクロレンズ31へのレーザ光の
入射角)がθ(≠0)(度あるいはrad)となるよう
に形成されている。
【0093】コントローラ60は、プリズム80を、そ
の入射面81に入射するレーザ光の光軸を中心に回転さ
せる。
【0094】なお、プリズム80は図13中符号83で
示される方向に回転されないように設定されているの
で、マイクロレンズ31の中央部の真下の位置には、ビ
ームスポットの中心点は存在しないことになる。従っ
て、プリズム80は、ビームスポットの径dの1/2の
長さが移動距離r=半径rとなるように、出射面82か
ら出射されるレーザ光の出射角θとなるように形成され
ている必要がある。
【0095】例えば、マイクロレンズ31の焦点距離f
=h=20mm、およびビームスポット径d=20μm
の場合には、移動距離r=半径r=10μmとなる。こ
のrの値(10μm)と上記hの値(20mm)を上記
式(2)に代入して演算すると、入射角θは0.5mm
radとなる。従って、プリズム80は、その出射面8
2から出射されるレーザ光の出射角θが0.5mmra
dとなるように形成されていた場合には、コントローラ
60によってプリズム80が360度回転されること
で、被加工物20に対して、図1(a)、(b)に示し
たように孔径Dの孔を孔あけ加工することができる。
【0096】また、第2の実施形態においては、プリズ
ム80を使用するようにしたが、本発明はこれに限定さ
れることなく、例えばウエッジ板、回折格子などレーザ
光の方向を変える光学部品であれば良い。
【0097】以上説明したように第2の実施形態によれ
ば、上述した第1の実施形態の作用効果(1)、(2)
と同様の作用効果を奏する。
【0098】[第3の実施形態]図14は第3の実施形
態に係るレーザ加工装置200の構成図を示している。
【0099】このレーザ加工装置200は、図2に示し
た第1の実施形態の構成において、遮光板90を追加し
た構成になっている。
【0100】遮光板90は、図15に示すように、被加
工物20の照射領域に応じた領域大きさで形成され、予
め設定された加工領域に、マイクロレンズアレイ30か
ら出射されたレーザ光が照射されないように遮光性を有
して構成されている。例えば、図15に示すように、被
加工物20において加工領域20Aに対するレーザ光を
遮光する場合は、この加工領域20Aに対応する遮光板
90における遮光性を有する遮光領域90Aが形成され
る。また遮光板90の遮光領域90A以外の領域は透過
性を有している。
【0101】この第3の実施形態では、遮光板90と同
様の機能を有し、被加工物20における異なった加工領
域へのレーザ光を遮光すべく遮光領域が形成されている
異なる複数の遮光板90−1、90−2、・・・、90
−n(nは整数)が用意され、適宜交換可能に設定され
ている。
【0102】例えば、複数の遮光板90−1〜90−n
は、ターレットなどの回転可能な回転部材91に載置さ
れ、被加工物20における遮光ずべき加工領域に応じ
て、回転軸91Aを中心に回転部材91が回転すること
で適宜選択されるように設定される。なお、回転部材9
1は、回転軸91Aが被加工物20に対する孔あけ加工
に支障がないように配置され、コントローラ60の制御
により回転するように設定されている。
【0103】コントローラ60は、XYステージ50の
移動制御を実施するとともに、被加工物20における遮
光すべき加工領域に応じて、その加工領域へのレーザ光
を遮光する遮光領域が形成されている遮光板を用いるべ
く、回転部材91を回転制御する。
【0104】次に、遮光板を用いた孔あけ加工について
説明する。
【0105】ここでは、回転部材91を回転させて、遮
光板90−1及び遮光板90−2を適宜選択するものと
する。
【0106】遮光板90−1は斜線部分が遮光領域90
−1A(図17(a)参照)に設定されており、遮光板
90−2は斜線部分が遮光領域90−2A(図17
(a)参照)に設定されている。なお、遮光領域90−
1Aと遮光板90−2における遮光領域90−2A以外
の領域(図17(a)中白の部分)とは同一の領域にな
るように設定されているものとする。
【0107】また、被加工物20においては、図17
(b)に示すように、照射領域のうち、加工領域20−
1と加工領域20ー2(斜線部分)とには、各々異なる
孔径の孔を加工するものとする。ここでは、加工領域2
0−1に対してはビームスポット(集光点)を移動させ
ながら孔あけ加工し、また加工領域20ー2に対しては
ビームスポットを移動させないで孔あけ加工するものと
する。
【0108】さて、コントローラ60は、被加工物20
が基準位置に存在するようにXYステージ50を移動制
御すると共に、遮光板90−1における遮光領域90−
1Aの領域が、図17(b)に示す被加工物20の加工
領域20−2と一致(遮光板90−1がマイクロレンズ
アレイ30の上方部に位置)するように、回転部材91
を回転制御する。
【0109】次に、コントローラ60は、上述した第1
の実施形態の処理と同様に、XYステージ50に対し
て、現在の位置(基準位置)を中心にして半径rの円を
描くべく、エキシマレーザ装置11からパルス発振され
るレーザ光(パルス光)の1パルス毎に、角度△ω=1
度ずつ位置が移動(XY方向に移動)するように制御す
る。
【0110】これにより被加工物20においては、図1
7(b)に示すように、照射領域のうち、加工領域20
−1のみに所定の孔径の孔が孔あけ加工され、一方、加
工領域20−2についてはレーザ光が照射されないの
で、孔あけ加工は実施されていない。
【0111】そして、加工領域20−1に対する孔あけ
加工が終了したと判断したコントローラ60は、被加工
物20が基準位置に存在するようにXYステージ50を
移動制御すると共に、遮光板90−1に代替して、遮光
板90−2の遮光領域90−2Aが被加工物20の加工
領域20−1と一致するように回転部材91を回転制御
する。
【0112】これにより被加工物20においては、図1
7(b)に示すように、照射領域のうち、加工領域20
−2のみにビームスポットの径と同等の孔径の孔が孔あ
け加工され、一方、加工領域20−1についてはレーザ
光が照射されないので、孔あけ加工は実施されない。
【0113】以上の処理により、被加工物20において
は、照射領域のうち、加工領域20−1には所定の孔径
の孔が孔あけ加工され、一方、加工領域20ー2(斜線
部分)には、ビームスポットの径と同等の孔径の孔が孔
あけ加工される。
【0114】勿論、加工領域20−2においても、XY
ステージ50が、コントローラ60の制御にしたがっ
て、現在の位置(基準位置)を中心にして上記半径rと
は異なる半径Rの円を描くべく、エキシマレーザ装置1
1からパルス発振されるレーザ光(パルス光)の1パル
ス毎に、角度△ω=1度ずつ位置を移動(XY方向に移
動)することにより、ビームスポットの径よりも大きい
孔径の孔を孔あけ加工することができる。
【0115】なお、上記第3の実施形態では、被加工物
20を移動つまりXYステージ50を移動することによ
り、被加工物20に対するレーザ光の集光点の位置を移
動させるようにしているが、本発明はこれに限定される
ことなく、次のようにしても良い。
【0116】すなわち、図5に示した第1の実施形態に
係る他のレーザ加工装置のように、マイクロレンズアレ
イ30つまりXYステージ70を移動することにより、
被加工物20に対するレーザ光の集光点の位置を移動さ
せるようにしても良い。
【0117】また、図8に示した第2の実施形態に係る
レーザ加工装置のように、2つのミラーを適宜回転移動
させて、被加工物20に対するレーザ光の集光点の位置
を移動させるようにしても良い。
【0118】さらに、図12に示した第2の実施形態に
係る他のレーザ加工装置のように、プリズム80(ある
いはウェッジ板)を回転移動させることで、被加工物2
0に対するレーザ光の集光点の位置を移動させるように
しても良い。
【0119】以上説明したように第3の実施形態によれ
ば、上述した第1の実施形態の作用効果(1)、(2)
と同様の作用効果を得ることができることに加えて、1
つの被加工物に対して複数種類の直径の孔を加工するこ
とができると共に、複数の被加工物それぞれに、異なっ
た直径の孔を加工することができる、という作用効果を
奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)、(b)、(c)は本発明の原理を
説明するための図である。
【図2】図2は第1の実施形態に係るレーザ加工装置の
構成を示す構成図である。
【図3】図3は第1の実施形態に係るレーザ加工装置で
用いたエキシマレーザ装置の構成を示す構成図である。
【図4】図4は第1の実施形態に係るレーザ光の正面視
形状を示す図である。
【図5】図5は第1の実施形態に係る他のレーザ加工装
置の要部構成を示す構成図である。
【図6】図6(a)、(b)は第1の実施形態に係る孔
あけ加工の過程を説明するための図である。
【図7】図7(a)、(b)は第1の実施形態に係る孔
あけ加工の過程を説明するための図である。
【図8】図8(a)、(b)は第2の実施形態に係るレ
ーザ加工装置の構成を示す構成図である。
【図9】図9は第2の実施形態に係るミラーを用いた場
合の被加工物に対する相対的なレーザ光の集光点の位置
の変更を説明するための図である。
【図10】図10(a)、(b)は第2の実施形態に係
る被加工物に対する相対的なレーザ光の集光点の位置の
変更を説明するための図である。
【図11】図11は第2の実施形態に係る所定の孔の孔
あけ加工する過程を説明するための図である。
【図12】図12は第2の実施形態に係る他のレーザ加
工装置の構成を示す構成図である。
【図13】図13は第2の実施形態に係るプリズムを用
いた場合の被加工物に対する相対的なレーザ光の集光点
の位置の変更を説明するための図である。
【図14】図14は第3の実施形態に係るレーザ加工装
置の構成を示す構成図である。
【図15】図15は第3の実施形態に係る遮光板を用い
て孔あけ加工する過程を説明するための図である。
【図16】図16は第3の実施形態に係る遮光板を用い
て孔あけ加工する過程を説明するための図である。
【図17】図17は第3の実施形態に係る遮光板を用い
て孔あけ加工する過程を説明するための図である。
【図18】図18は従来技術の孔あけ加工を説明するた
めの図である。
【符号の説明】
11 エキシマレーザ装置 12 レーザチャンバ 13、14 ウィンドウ 15 凸面鏡 16 凹面鏡 20 被加工物 30 マイクロレンズアレイ 31 マイクロレンズ 40、41、42 ミラー 50、70 XYステージ 60 コントローラ 80 プリズム 90、90−1、90−2、90−n 遮光板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 庭月野 義行 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究所内 Fターム(参考) 4E068 AF00 CA09 CA11 CB05 CD01 CD10 CD14 CE04 CK01

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レーザ装置から出射されたレーザ光を被加
    工物に照射して加工を行うレーザ加工装置において、 前記レーザ装置と前記被加工物との間に設けられ、前記
    レーザ装置からのレーザ光を集光させて被加工物に照射
    する複数の集光手段を備え、前記複数の集光手段から出
    射されたレーザ光の集光点の前記被加工物に対する相対
    的な位置を変更させながら、前記被加工物に対する加工
    処理を実施することを特徴とするレーザ加工装置。
  2. 【請求項2】前記複数の集光手段を移動する移動手段を
    更に備え、 前記移動手段によって前記複数の集光手段を移動するこ
    とにより前記被加工物に対する相対的なレーザ光の集光
    点の位置を変更させながら、前記被加工物に対する加工
    処理を実施することを特徴とする請求項1記載のレーザ
    加工装置。
  3. 【請求項3】前記被加工物を移動する移動手段を更に備
    え、 前記移動手段によって前記被加工物を移動することによ
    り前記被加工物に対する相対的なレーザ光の集光点の位
    置を変更させながら、前記被加工物に対する加工処理を
    実施することを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装
    置。
  4. 【請求項4】前記複数の集光手段に対するレーザ光の入
    射角を変更する変更手段を更に備え、 前記変更手段によってレーザ光の入射角を変更すること
    により前記被加工物に対する相対的なレーザ光の集光点
    の位置を変更させながら、前記被加工物に対する加工処
    理を実施することを特徴とする請求項1記載のレーザ加
    工装置。
  5. 【請求項5】前記被加工物における照射領域のうちの一
    部の予め設定された加工領域に対して、レーザ光が照射
    されないように遮光する遮光手段を更に備え、 異なる複数の前記加工領域毎に、前記遮光手段によって
    加工領域へ照射されるべくレーザ光を遮光し、前記複数
    の加工領域毎に異なる加工条件で前記被加工物に対する
    加工処理を実施することを特徴とする請求項1乃至4の
    うちの何れかの請求項記載のレーザ加工装置。
  6. 【請求項6】前記レーザ装置は、不安定共振器を備え、
    この不安定共振器によって共振されたレーザ光を出射す
    ることを特徴とする請求項1乃至5のうちの何れかの請
    求項記載のレーザ加工装置。
JP2001090306A 2001-03-27 2001-03-27 レーザ加工装置 Withdrawn JP2002283083A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001090306A JP2002283083A (ja) 2001-03-27 2001-03-27 レーザ加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001090306A JP2002283083A (ja) 2001-03-27 2001-03-27 レーザ加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002283083A true JP2002283083A (ja) 2002-10-02

Family

ID=18945107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001090306A Withdrawn JP2002283083A (ja) 2001-03-27 2001-03-27 レーザ加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002283083A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006272355A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Laser Solutions Co Ltd レーザー加工装置およびレーザー光の位置合わせ方法。
WO2006129473A1 (ja) * 2005-06-01 2006-12-07 Phoeton Corp. レーザー加工装置及びレーザー加工方法
US7829818B2 (en) * 2005-08-23 2010-11-09 Sii Printek Inc. Ink jet head nozzle plate manufacturing method, ink jet head nozzle plate manufacturing apparatus, ink jet head nozzle plate, ink jet head, and ink jet recording apparatus
WO2011046052A1 (ja) * 2009-10-13 2011-04-21 三菱マテリアル株式会社 電極板の通気孔形成方法
WO2011136056A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 株式会社ブイ・テクノロジー レーザ加工装置
TWI552823B (zh) * 2012-01-23 2016-10-11 三星鑽石工業股份有限公司 脆性材料基板之雷射加工方法及雷射加工裝置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006272355A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Laser Solutions Co Ltd レーザー加工装置およびレーザー光の位置合わせ方法。
JP4683973B2 (ja) * 2005-03-28 2011-05-18 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置およびレーザー光の位置合わせ方法。
DE112006001394B4 (de) * 2005-06-01 2010-04-08 Phoeton Corp., Atsugi Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbearbeitungsverfahren
US20090032510A1 (en) * 2005-06-01 2009-02-05 Phoeton Corp. Laser Processing Apparatus and Laser Processing Method
WO2006129473A1 (ja) * 2005-06-01 2006-12-07 Phoeton Corp. レーザー加工装置及びレーザー加工方法
US8389894B2 (en) * 2005-06-01 2013-03-05 Phoeton Corp. Laser processing apparatus and laser processing method
US7829818B2 (en) * 2005-08-23 2010-11-09 Sii Printek Inc. Ink jet head nozzle plate manufacturing method, ink jet head nozzle plate manufacturing apparatus, ink jet head nozzle plate, ink jet head, and ink jet recording apparatus
WO2011046052A1 (ja) * 2009-10-13 2011-04-21 三菱マテリアル株式会社 電極板の通気孔形成方法
JP2011103456A (ja) * 2009-10-13 2011-05-26 Mitsubishi Materials Corp 電極板の通気孔形成方法
US8709328B2 (en) 2009-10-13 2014-04-29 Mitsubishi Materials Corporation Method for forming ventilation holes in an electrode plate
TWI492808B (zh) * 2009-10-13 2015-07-21 Mitsubishi Materials Corp 電極板之通氣孔形成方法
WO2011136056A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 株式会社ブイ・テクノロジー レーザ加工装置
US9283640B2 (en) 2010-04-28 2016-03-15 V Technology Co., Ltd. Laser processing apparatus
TWI552823B (zh) * 2012-01-23 2016-10-11 三星鑽石工業股份有限公司 脆性材料基板之雷射加工方法及雷射加工裝置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20010009251A1 (en) Laser machining apparatus
US7880117B2 (en) Method and apparatus of drilling high density submicron cavities using parallel laser beams
JP4158481B2 (ja) レーザー加工方法およびその装置、並びにその装置を用いた穴あけ加工方法
KR20010095011A (ko) 마이크로 캐비티 홀의 배열을 만들기 위해 레이저 펄스를사용하는 장치 및 방법
WO1992002331A1 (en) Yag laser working machine for precision working of thin film
CN108816963A (zh) 一种紫外光和紫外激光双光源清洗设备
JP2003112280A (ja) 光照射装置と光加工装置およびその加工方法並びに電子部品
JP2008036641A (ja) レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JPH10258383A (ja) 線状レーザビーム光学系
JP2002283083A (ja) レーザ加工装置
JP2003053577A (ja) トップフラットビームの生成方法、装置、及び、これを用いたレーザ加工方法、装置
JP3401425B2 (ja) レーザー加工方法およびレーザー加工装置
KR20010040140A (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
US6549608B1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method
US5982806A (en) Laser beam converter for converting a laser beam with a single high-order transverse mode into a laser beam with a desired intensity distribution and laser resonator for producing a laser beam with a single high-order transverse mode
JPH10282450A (ja) バイナリーオプティクス及びそれを用いたレーザ加工装置
CN114924406A (zh) 微型反射镜阵列加工方法及***
JP7221300B2 (ja) レーザ加工装置及び被加工物の加工方法
JP2003001470A (ja) レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JPH08112682A (ja) 光加工方法
JPH01192492A (ja) レーザー加工方法
JP4764989B2 (ja) レーザ加工方法
JPS5819395B2 (ja) レ−ザ加工方法およびその装置
WO2023084681A1 (ja) レーザ加工システム、レーザ加工方法、及び電子デバイスの製造方法
WO2023281708A1 (ja) レーザ加工装置、レーザ加工方法、及び電子デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080603