JP2002280513A - ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 - Google Patents
ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置Info
- Publication number
- JP2002280513A JP2002280513A JP2001078424A JP2001078424A JP2002280513A JP 2002280513 A JP2002280513 A JP 2002280513A JP 2001078424 A JP2001078424 A JP 2001078424A JP 2001078424 A JP2001078424 A JP 2001078424A JP 2002280513 A JP2002280513 A JP 2002280513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- pins
- lead
- weight
- electronic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードピンの軸部に半田の付着がなく、リー
ドピンを外部電気回路基板の配線導体にソケットや半田
を介して良好に接続することが可能なピン付き配線基板
および電子装置を提供すること。 【解決手段】 配線導体２を有する有機材料系の絶縁基
板１の下面に配線導体２と電気的に接続されたピン付け
パッド２ｂを設けるとともに、このピン付けパッド２ｂ
に略円柱状の軸部３ａの上端に略円板状の径大部３ｂを
形成して成るリードピン３をその径大部３ｂとピン付け
パッド２ｂとを半田９で接合することにより立設して成
るピン付き配線基板であって、リードピン３とピン付け
パッド２ｂとを接合する半田９は、70〜85重量％の鉛と
５〜20重量％の錫と５〜15重量％のアンチモンとの合金
から成る。
ドピンを外部電気回路基板の配線導体にソケットや半田
を介して良好に接続することが可能なピン付き配線基板
および電子装置を提供すること。 【解決手段】 配線導体２を有する有機材料系の絶縁基
板１の下面に配線導体２と電気的に接続されたピン付け
パッド２ｂを設けるとともに、このピン付けパッド２ｂ
に略円柱状の軸部３ａの上端に略円板状の径大部３ｂを
形成して成るリードピン３をその径大部３ｂとピン付け
パッド２ｂとを半田９で接合することにより立設して成
るピン付き配線基板であって、リードピン３とピン付け
パッド２ｂとを接合する半田９は、70〜85重量％の鉛と
５〜20重量％の錫と５〜15重量％のアンチモンとの合金
から成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の電
子部品を搭載するために用いられるピン付き配線基板お
よびこのピン付き配線基板上に半導体素子等の電子部品
を搭載して成る電子装置に関するものである。
子部品を搭載するために用いられるピン付き配線基板お
よびこのピン付き配線基板上に半導体素子等の電子部品
を搭載して成る電子装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近時、半導体素子等の電子部品を搭載す
るために用いられるピン付き配線基板として、例えばガ
ラス−エポキシ板等から成る絶縁板やエポキシ樹脂等か
ら成る絶縁層を複数層積層して成る絶縁基板の上面から
下面にかけて銅箔から成る複数の配線導体を設けるとと
もにこれらの配線導体の絶縁基板下面に導出した部位に
複数のピン付けパッドを形成し、これらのピン付けパッ
ドに上端部に円板状の径大部を有する略円柱状の鉄系合
金や銅系合金から成るリードピンをその上端を突き当て
て例えば鉛−錫合金から成る半田を介して接合すること
により立設して成る有機材料系のピン付き配線基板が採
用されるようになってきている。このような有機材料系
のピン付き配線基板は、セラミック材料系のピン付き配
線基板と比較して軽量であり、かつ配線導体の電気抵抗
が小さいという有利な面を有している。そして、このよ
うな有機材料系のピン付き配線基板においては絶縁基板
の上面に電子部品を搭載するとともに電子部品の電極と
配線導体とを半田バンプやボンディングワイヤ等を介し
て電気的に接続した後、電子部品を金属やセラミックか
ら成る蓋体やポッティング樹脂等から成る封止部材によ
り封止することによって製品としての電子装置となり、
この電子装置においては、絶縁基板下面のリードピンを
外部電気回路基板の配線導体にソケットや半田等を介し
て接続することにより外部電気回路基板上に実装される
とともに搭載する電子部品が外部電気回路に電気的に接
続されることとなる。
るために用いられるピン付き配線基板として、例えばガ
ラス−エポキシ板等から成る絶縁板やエポキシ樹脂等か
ら成る絶縁層を複数層積層して成る絶縁基板の上面から
下面にかけて銅箔から成る複数の配線導体を設けるとと
もにこれらの配線導体の絶縁基板下面に導出した部位に
複数のピン付けパッドを形成し、これらのピン付けパッ
ドに上端部に円板状の径大部を有する略円柱状の鉄系合
金や銅系合金から成るリードピンをその上端を突き当て
て例えば鉛−錫合金から成る半田を介して接合すること
により立設して成る有機材料系のピン付き配線基板が採
用されるようになってきている。このような有機材料系
のピン付き配線基板は、セラミック材料系のピン付き配
線基板と比較して軽量であり、かつ配線導体の電気抵抗
が小さいという有利な面を有している。そして、このよ
うな有機材料系のピン付き配線基板においては絶縁基板
の上面に電子部品を搭載するとともに電子部品の電極と
配線導体とを半田バンプやボンディングワイヤ等を介し
て電気的に接続した後、電子部品を金属やセラミックか
ら成る蓋体やポッティング樹脂等から成る封止部材によ
り封止することによって製品としての電子装置となり、
この電子装置においては、絶縁基板下面のリードピンを
外部電気回路基板の配線導体にソケットや半田等を介し
て接続することにより外部電気回路基板上に実装される
とともに搭載する電子部品が外部電気回路に電気的に接
続されることとなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置によ
ると、鉛−錫合金から成る半田と鉄系合金や銅合金から
成るリードピンとの濡れ性が良好であり、そのためピン
付けパッドにリードピンを鉛−錫合金から成る半田を介
して接合する際に、鉛−錫合金から成る半田の一部がリ
ードピンの径大部を越えて軸部にまで濡れ広がり、その
結果、リードピンの軸部に不要な半田が多量に付着して
しまうことがあり、そのように半田が軸部に多量に付着
した場合、リードピンを外部電気回路基板の配線導体に
ソケットや半田を介して良好に接続することが困難とな
ってしまうという問題点を有していた。
来のピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置によ
ると、鉛−錫合金から成る半田と鉄系合金や銅合金から
成るリードピンとの濡れ性が良好であり、そのためピン
付けパッドにリードピンを鉛−錫合金から成る半田を介
して接合する際に、鉛−錫合金から成る半田の一部がリ
ードピンの径大部を越えて軸部にまで濡れ広がり、その
結果、リードピンの軸部に不要な半田が多量に付着して
しまうことがあり、そのように半田が軸部に多量に付着
した場合、リードピンを外部電気回路基板の配線導体に
ソケットや半田を介して良好に接続することが困難とな
ってしまうという問題点を有していた。
【０００４】本発明は、かかる従来の問題点に鑑み案出
されたものであり、その目的は、リードピンの軸部に半
田の付着がなく、それによりリードピンを外部電気回路
基板の配線導体にソケットや半田を介して良好に接続す
ることが可能なピン付き配線基板およびそれを用いた電
子装置を提供することにある。
されたものであり、その目的は、リードピンの軸部に半
田の付着がなく、それによりリードピンを外部電気回路
基板の配線導体にソケットや半田を介して良好に接続す
ることが可能なピン付き配線基板およびそれを用いた電
子装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のピン付き配線基
板は、配線導体を有する有機材料系の絶縁基板の下面に
配線導体と電気的に接続されたピン付けパッドを設ける
とともに、このピン付けパッドに略円柱状の軸部の上端
に略円板状の径大部を形成して成るリードピンをその径
大部とピン付けパッドとを半田で接合することにより立
設して成るピン付き配線基板であって、リードピンとピ
ン付けパッドとを接合する半田は、70〜85重量％の鉛と
５〜20重量％の錫と５〜15重量％のアンチモンとの合金
から成ることを特徴とするものである。
板は、配線導体を有する有機材料系の絶縁基板の下面に
配線導体と電気的に接続されたピン付けパッドを設ける
とともに、このピン付けパッドに略円柱状の軸部の上端
に略円板状の径大部を形成して成るリードピンをその径
大部とピン付けパッドとを半田で接合することにより立
設して成るピン付き配線基板であって、リードピンとピ
ン付けパッドとを接合する半田は、70〜85重量％の鉛と
５〜20重量％の錫と５〜15重量％のアンチモンとの合金
から成ることを特徴とするものである。
【０００６】また、本発明の電子装置は、配線導体を有
する有機材料系の絶縁基板の下面に配線導体と電気的に
接続されたピン付けパッドを設けるとともに、このピン
付けパッドに略円柱状の軸部の上端に略円板状の径大部
を設けて成るリードピンをその径大部とピン付けパッド
とを半田で接合することより立設して成るピン付き配線
基板に電子部品を搭載するとともにこの電子部品の電極
と配線導体とを電気的に接続して成る電子装置であっ
て、リードピンとピン付けパッドとを接合する半田は、
70〜85重量％の鉛と５〜20重量％の錫と５〜15重量％の
アンチモンとの合金から成ることを特徴とするものであ
る。
する有機材料系の絶縁基板の下面に配線導体と電気的に
接続されたピン付けパッドを設けるとともに、このピン
付けパッドに略円柱状の軸部の上端に略円板状の径大部
を設けて成るリードピンをその径大部とピン付けパッド
とを半田で接合することより立設して成るピン付き配線
基板に電子部品を搭載するとともにこの電子部品の電極
と配線導体とを電気的に接続して成る電子装置であっ
て、リードピンとピン付けパッドとを接合する半田は、
70〜85重量％の鉛と５〜20重量％の錫と５〜15重量％の
アンチモンとの合金から成ることを特徴とするものであ
る。
【０００７】本発明のピン付き配線基板およびこれを用
いた電子装置によれば、リードピンの径大部とピン付け
パッドとを接合する半田は、70〜85重量％の鉛と５〜20
重量％の錫と５〜15重量％のアンチモンとの合金から成
ることから、このような組成によりリードピンとの濡れ
性が適度に抑制され、その結果、ピン付けパッドにリー
ドピンを接合する際にリードピンの軸部に半田が濡れ広
がることが有効に防止される。
いた電子装置によれば、リードピンの径大部とピン付け
パッドとを接合する半田は、70〜85重量％の鉛と５〜20
重量％の錫と５〜15重量％のアンチモンとの合金から成
ることから、このような組成によりリードピンとの濡れ
性が適度に抑制され、その結果、ピン付けパッドにリー
ドピンを接合する際にリードピンの軸部に半田が濡れ広
がることが有効に防止される。
【０００８】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を添付の図面に基
づき詳細に説明する。図１は、本発明を半導体素子を搭
載するためのピン付き配線基板およびこれに半導体素子
を搭載した電子装置に適用した場合の実施の形態の一例
を示す断面図であり、１は絶縁基板、２は配線導体、３
はリードピンである。この絶縁基板１と配線導体２とリ
ードピン３とで本発明のピン付き配線基板が構成され、
これに電子部品としての半導体素子４を搭載することに
より本発明の電子装置が形成される。
づき詳細に説明する。図１は、本発明を半導体素子を搭
載するためのピン付き配線基板およびこれに半導体素子
を搭載した電子装置に適用した場合の実施の形態の一例
を示す断面図であり、１は絶縁基板、２は配線導体、３
はリードピンである。この絶縁基板１と配線導体２とリ
ードピン３とで本発明のピン付き配線基板が構成され、
これに電子部品としての半導体素子４を搭載することに
より本発明の電子装置が形成される。
【０００９】絶縁基板１は、例えばガラス繊維を縦横に
織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミド
トリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状
の芯体１ａの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドト
リアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂをそ
れぞれ複数層ずつ積層して成る有機材料系の多層板であ
り、その上面から下面にかけては銅箔や銅めっき膜等か
ら成る複数の配線導体２が形成されている。
織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミド
トリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状
の芯体１ａの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドト
リアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂをそ
れぞれ複数層ずつ積層して成る有機材料系の多層板であ
り、その上面から下面にかけては銅箔や銅めっき膜等か
ら成る複数の配線導体２が形成されている。
【００１０】絶縁基板１を構成する芯体１ａは、厚みが
0.3〜1.5ｍｍ程度であり、その上面から下面にかけて直
径が0.1〜1.0ｍｍ程度の複数の貫通孔５を有している。
そして、その上下面および各貫通孔５の内壁には配線導
体２の一部が被着されており、上下面の配線導体２が貫
通孔５を介して電気的に接続されている。
0.3〜1.5ｍｍ程度であり、その上面から下面にかけて直
径が0.1〜1.0ｍｍ程度の複数の貫通孔５を有している。
そして、その上下面および各貫通孔５の内壁には配線導
体２の一部が被着されており、上下面の配線導体２が貫
通孔５を介して電気的に接続されている。
【００１１】このような芯体１ａは、ガラス織物に未硬
化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを熱硬化させた
後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すこと
により製作される。なお、芯体１ａ上下面の配線導体２
は、芯体１ａ用のシートの上下全面に厚みが３〜50μｍ
程度の銅箔を貼着しておくとともにこの銅箔をシートの
硬化後にエッチング加工することにより所定のパターン
に形成される。また、貫通孔５内壁の配線導体２は、芯
体１ａに貫通孔５を設けた後に、この貫通孔５内壁に無
電解めっき法および電解めっき法により厚みが３〜50μ
ｍ程度の銅めっき膜を析出させることにより形成され
る。
化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを熱硬化させた
後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すこと
により製作される。なお、芯体１ａ上下面の配線導体２
は、芯体１ａ用のシートの上下全面に厚みが３〜50μｍ
程度の銅箔を貼着しておくとともにこの銅箔をシートの
硬化後にエッチング加工することにより所定のパターン
に形成される。また、貫通孔５内壁の配線導体２は、芯
体１ａに貫通孔５を設けた後に、この貫通孔５内壁に無
電解めっき法および電解めっき法により厚みが３〜50μ
ｍ程度の銅めっき膜を析出させることにより形成され
る。
【００１２】さらに、芯体１ａは、その貫通孔５の内部
にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱
硬化性樹脂から成る樹脂柱６が充填されている。樹脂柱
６は、貫通孔５を塞ぐことにより貫通孔５の直上および
直下に絶縁層１ｂを形成可能とするためのものであり、
未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔５内にスク
リーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、そ
の上下面を略平坦に研磨することにより形成される。そ
して、この樹脂柱６を含む芯体１ａの上下面に絶縁層１
ｂが積層されている。
にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱
硬化性樹脂から成る樹脂柱６が充填されている。樹脂柱
６は、貫通孔５を塞ぐことにより貫通孔５の直上および
直下に絶縁層１ｂを形成可能とするためのものであり、
未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔５内にスク
リーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、そ
の上下面を略平坦に研磨することにより形成される。そ
して、この樹脂柱６を含む芯体１ａの上下面に絶縁層１
ｂが積層されている。
【００１３】芯体１ａの上下面に積層された絶縁層１ｂ
は、それぞれの厚みが20〜60μｍ程度であり、各層の上
面から下面にかけて直径が30〜100μｍ程度の複数の貫
通孔７を有している。これらの絶縁層１ｂは、配線導体
２を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するための
ものである。そして、上層の配線導体２と下層の配線導
体２とを貫通孔７を介して電気的に接続することにより
高密度配線を立体的に形成可能としている。このような
絶縁層１ｂは、厚みが20〜60μｍ程度の未硬化の熱硬化
性樹脂のフィルムを芯体１ａ上下面に貼着し、これを熱
硬化させるとともにレーザー加工により貫通孔７を穿孔
し、さらにその上に同様にして次の絶縁層１ｂを順次積
み重ねることによって形成される。なお、各絶縁層１ｂ
表面および貫通孔７内に被着された配線導体２は、各絶
縁層１ｂを形成する毎に各絶縁層１ｂの表面および貫通
孔７内に５〜50μｍ程度の厚みの銅めっき膜を公知のセ
ミアディティブ法やサブトラクティブ法等のパターン形
成法により所定のパターンに被着させることによって形
成される。
は、それぞれの厚みが20〜60μｍ程度であり、各層の上
面から下面にかけて直径が30〜100μｍ程度の複数の貫
通孔７を有している。これらの絶縁層１ｂは、配線導体
２を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するための
ものである。そして、上層の配線導体２と下層の配線導
体２とを貫通孔７を介して電気的に接続することにより
高密度配線を立体的に形成可能としている。このような
絶縁層１ｂは、厚みが20〜60μｍ程度の未硬化の熱硬化
性樹脂のフィルムを芯体１ａ上下面に貼着し、これを熱
硬化させるとともにレーザー加工により貫通孔７を穿孔
し、さらにその上に同様にして次の絶縁層１ｂを順次積
み重ねることによって形成される。なお、各絶縁層１ｂ
表面および貫通孔７内に被着された配線導体２は、各絶
縁層１ｂを形成する毎に各絶縁層１ｂの表面および貫通
孔７内に５〜50μｍ程度の厚みの銅めっき膜を公知のセ
ミアディティブ法やサブトラクティブ法等のパターン形
成法により所定のパターンに被着させることによって形
成される。
【００１４】絶縁基板１の上面から下面にかけて形成さ
れた配線導体２は、半導体素子４の各電極を外部電気回
路基板に接続するための導電路として機能し、絶縁基板
１の上面に設けられた部位の一部が半導体素子４の各電
極に例えば鉛−錫共晶合金から成る半田バンプ８を介し
て接合される電子部品接続パッド２ａを、絶縁基板１の
下面に露出した部位の一部が外部接続端子としてのリー
ドピン３を接合するためのピン付けパッド２ｂを形成し
ており、ピン付けパッド２ｂにはリードピン３が半田９
を介して立設されている。このような電子部品接続パッ
ド２ａおよびピン付けパッド２ｂは、図２に要部拡大平
面図で示すように、配線導体２に接続された略円形のパ
ターンの外周部をソルダーレジストと呼ばれる最外層の
絶縁層１ｂにより15〜150μｍ程度の幅で被覆してその
外周縁を画定することによりその直径φが、電子部品接
続パッド２ａであれば略70〜200μｍ程度に、ピン付け
パッド２ｂであれば略0.5〜2.5ｍｍ程度になるように形
成されている。なお、このようなソルダーレジスト１ｂ
により電子部品接続パッド２ａ同士あるいはピン付けパ
ッド２ｂ同士の半田８や９による電気的な短絡が有効に
防止されるとともに電子部品接続パッド２ａおよびピン
付けパッド２ｂの絶縁基板１に対する接合強度が高いも
のとなっている。
れた配線導体２は、半導体素子４の各電極を外部電気回
路基板に接続するための導電路として機能し、絶縁基板
１の上面に設けられた部位の一部が半導体素子４の各電
極に例えば鉛−錫共晶合金から成る半田バンプ８を介し
て接合される電子部品接続パッド２ａを、絶縁基板１の
下面に露出した部位の一部が外部接続端子としてのリー
ドピン３を接合するためのピン付けパッド２ｂを形成し
ており、ピン付けパッド２ｂにはリードピン３が半田９
を介して立設されている。このような電子部品接続パッ
ド２ａおよびピン付けパッド２ｂは、図２に要部拡大平
面図で示すように、配線導体２に接続された略円形のパ
ターンの外周部をソルダーレジストと呼ばれる最外層の
絶縁層１ｂにより15〜150μｍ程度の幅で被覆してその
外周縁を画定することによりその直径φが、電子部品接
続パッド２ａであれば略70〜200μｍ程度に、ピン付け
パッド２ｂであれば略0.5〜2.5ｍｍ程度になるように形
成されている。なお、このようなソルダーレジスト１ｂ
により電子部品接続パッド２ａ同士あるいはピン付けパ
ッド２ｂ同士の半田８や９による電気的な短絡が有効に
防止されるとともに電子部品接続パッド２ａおよびピン
付けパッド２ｂの絶縁基板１に対する接合強度が高いも
のとなっている。
【００１５】また、ピン付けパッド２ｂに接合されたリ
ードピン３は搭載する半導体素子４を外部電気回路に接
続するための外部接続端子として機能する。
ードピン３は搭載する半導体素子４を外部電気回路に接
続するための外部接続端子として機能する。
【００１６】そして、この配線基板においては、電子部
品接続パッド２ａに半導体素子４の各電極を半田バンプ
８を介して接合して半導体素子４を搭載するとともにこ
の半導体素子４を図示しない蓋体やポッティング樹脂に
より封止することによって電子装置となり、この電子装
置におけるリードピン３をソケットや半田を介して外部
電気回路基板の配線導体に接続することにより本発明の
電子装置が外部電気回路基板に実装されることとなる。
品接続パッド２ａに半導体素子４の各電極を半田バンプ
８を介して接合して半導体素子４を搭載するとともにこ
の半導体素子４を図示しない蓋体やポッティング樹脂に
より封止することによって電子装置となり、この電子装
置におけるリードピン３をソケットや半田を介して外部
電気回路基板の配線導体に接続することにより本発明の
電子装置が外部電気回路基板に実装されることとなる。
【００１７】なお、リードピン３は、図３に要部拡大断
面図で示すように、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金
・鉄−ニッケル合金等の鉄系合金や銅−鉄−亜鉛−リン
合金等の銅系合金から成り、直径Ａが0.25〜0.5ｍｍ程
度で長さが１〜3.5ｍｍ程度の略円柱状の軸部３ａの上
端に直径Ｂが0.45〜1.25ｍｍで厚みＴが0.05〜0.3ｍｍ
程度のネールヘッドと呼ばれる略円板状の径大部３ｂを
形成して成る。そして、この径大部３ｂをピン付けパッ
ド２ｂに70〜85重量％の鉛と５〜20重量％の錫と５〜15
重量％のアンチモンとの合金から成る半田９で接合する
ことによりリードピン３がピン付けパッド２ｂに立設さ
れている。
面図で示すように、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金
・鉄−ニッケル合金等の鉄系合金や銅−鉄−亜鉛−リン
合金等の銅系合金から成り、直径Ａが0.25〜0.5ｍｍ程
度で長さが１〜3.5ｍｍ程度の略円柱状の軸部３ａの上
端に直径Ｂが0.45〜1.25ｍｍで厚みＴが0.05〜0.3ｍｍ
程度のネールヘッドと呼ばれる略円板状の径大部３ｂを
形成して成る。そして、この径大部３ｂをピン付けパッ
ド２ｂに70〜85重量％の鉛と５〜20重量％の錫と５〜15
重量％のアンチモンとの合金から成る半田９で接合する
ことによりリードピン３がピン付けパッド２ｂに立設さ
れている。
【００１８】本発明においては、このようにリードピン
３の径大部３ｂとピン付けパッド２ｂとを接合する半田
９が70〜85重量％の鉛と５〜20重量％の錫と５〜15重量
％のアンチモンとの合金から成ることが重要である。70
〜85重量％の鉛と５〜20重量％の錫と５〜15重量％のア
ンチモンとの合金から成る半田９は、鉄系合金や銅系合
金から成るリードピン３との濡れ性がそれほど良好では
ない。したがって、リードピン３とピン付けパッド２ｂ
とを半田９を介して接合する際に半田９がリードピン３
の軸部３ａに濡れ広がることが有効に防止され、その結
果、リードピン３の軸部３ａに半田９の付着がなく、リ
ードピン３を外部電気回路基板の配線導体にソケットや
半田を介して良好に接続することが可能となる。また、
70〜85重量％の鉛と５〜20重量％の錫と５〜15重量％の
アンチモンとの合金から成る半田９は、その融点が260
〜270℃程度と低いのでリードピン３とピン付けパッド
２ｂとを有機材料系の絶縁基板１に悪影響を与えること
なく接合することができる。
３の径大部３ｂとピン付けパッド２ｂとを接合する半田
９が70〜85重量％の鉛と５〜20重量％の錫と５〜15重量
％のアンチモンとの合金から成ることが重要である。70
〜85重量％の鉛と５〜20重量％の錫と５〜15重量％のア
ンチモンとの合金から成る半田９は、鉄系合金や銅系合
金から成るリードピン３との濡れ性がそれほど良好では
ない。したがって、リードピン３とピン付けパッド２ｂ
とを半田９を介して接合する際に半田９がリードピン３
の軸部３ａに濡れ広がることが有効に防止され、その結
果、リードピン３の軸部３ａに半田９の付着がなく、リ
ードピン３を外部電気回路基板の配線導体にソケットや
半田を介して良好に接続することが可能となる。また、
70〜85重量％の鉛と５〜20重量％の錫と５〜15重量％の
アンチモンとの合金から成る半田９は、その融点が260
〜270℃程度と低いのでリードピン３とピン付けパッド
２ｂとを有機材料系の絶縁基板１に悪影響を与えること
なく接合することができる。
【００１９】なお、半田９に含有される鉛は、その含有
量が70重量％未満であると、半田９の融点が低くなりす
ぎてしまい、例えば半導体素子４の各電極を半田８を介
して電子部品接続パッド２ａに電気的に接続する際等に
230℃程度の熱が印加されると半田９も同時に溶融して
リードピン３にずれが発生してしまう危険性が高くな
り、85重量％を超えると、有機材料系の配線基板に用い
る半田としては融点が高くなりすぎてしまい、リードピ
ン３をピン付けパッド２ｂに半田９を介して接合する際
に、半田９を溶融させるための熱で絶縁基板１に悪影響
を与えてしまう危険性が高くなる。したがって、半田９
に含有される鉛の含有率は、70〜85重量％の範囲に特定
される。
量が70重量％未満であると、半田９の融点が低くなりす
ぎてしまい、例えば半導体素子４の各電極を半田８を介
して電子部品接続パッド２ａに電気的に接続する際等に
230℃程度の熱が印加されると半田９も同時に溶融して
リードピン３にずれが発生してしまう危険性が高くな
り、85重量％を超えると、有機材料系の配線基板に用い
る半田としては融点が高くなりすぎてしまい、リードピ
ン３をピン付けパッド２ｂに半田９を介して接合する際
に、半田９を溶融させるための熱で絶縁基板１に悪影響
を与えてしまう危険性が高くなる。したがって、半田９
に含有される鉛の含有率は、70〜85重量％の範囲に特定
される。
【００２０】また、半田９に含有される錫は、その含有
量が５重量％未満であると、半田９の融点が高くなりす
ぎる傾向にあり、20重量％を超えると、半田９のリード
ピン３に対する濡れ性が良好となりすぎて、リードピン
３をピン付けパッド２ｂに半田９を介して接合する際に
半田９の一部がリードピン３の軸部３ｂまで流出してし
まう危険性が高くなる。したがって、半田９中に含有さ
れる錫の含有量は、５〜20重量％の範囲に特定される。
量が５重量％未満であると、半田９の融点が高くなりす
ぎる傾向にあり、20重量％を超えると、半田９のリード
ピン３に対する濡れ性が良好となりすぎて、リードピン
３をピン付けパッド２ｂに半田９を介して接合する際に
半田９の一部がリードピン３の軸部３ｂまで流出してし
まう危険性が高くなる。したがって、半田９中に含有さ
れる錫の含有量は、５〜20重量％の範囲に特定される。
【００２１】さらに、半田９に含有されるアンチモン
は、半田９の固相温度を高めるとともに半田９に適度な
濡れ性を付与し、その含有量が５重量％未満であれば、
半田９のリードピン３に対する濡れ性が良好なものとな
りすぎてしまう傾向にあり、15重量％を超えると、半田
９の融点が高くなりすぎるとともに機械的強度が低下し
てしまう傾向にある。したがって、半田９に含有される
アンチモンの含有量は、５〜15重量％の範囲に特定され
る。
は、半田９の固相温度を高めるとともに半田９に適度な
濡れ性を付与し、その含有量が５重量％未満であれば、
半田９のリードピン３に対する濡れ性が良好なものとな
りすぎてしまう傾向にあり、15重量％を超えると、半田
９の融点が高くなりすぎるとともに機械的強度が低下し
てしまう傾向にある。したがって、半田９に含有される
アンチモンの含有量は、５〜15重量％の範囲に特定され
る。
【００２２】なお、リードピン３をピン付けパッド２ｂ
に半田９を介して接合するには、ピン付けパッド２ｂに
半田９用の半田ペーストを例えばメタルマスクを用いた
スクリーン印刷法により所定量印刷塗布するとともにそ
の上にリードピン３の径大部３ｂ上端面を突き当てて当
接させ、これらを260〜270℃程度高い温度で１〜２分間
加熱して半田を溶融させた後、常温に冷却する方法が採
用される。
に半田９を介して接合するには、ピン付けパッド２ｂに
半田９用の半田ペーストを例えばメタルマスクを用いた
スクリーン印刷法により所定量印刷塗布するとともにそ
の上にリードピン３の径大部３ｂ上端面を突き当てて当
接させ、これらを260〜270℃程度高い温度で１〜２分間
加熱して半田を溶融させた後、常温に冷却する方法が採
用される。
【００２３】かくして、本発明のピン付き配線基板およ
びこれを用いた電子装置によれば、リードピン３の軸部
３ａに半田９の付着がなく、それによりリードピン３を
外部電気回路基板の配線導体にソケットや半田を介して
良好に接続可能なピン付き配線基板およびそれを用いた
電子装置を提供することができる。
びこれを用いた電子装置によれば、リードピン３の軸部
３ａに半田９の付着がなく、それによりリードピン３を
外部電気回路基板の配線導体にソケットや半田を介して
良好に接続可能なピン付き配線基板およびそれを用いた
電子装置を提供することができる。
【００２４】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更が可能であることはいうまでも
ない。
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更が可能であることはいうまでも
ない。
【００２５】
【発明の効果】本発明のピン付き配線基板およびこれを
用いた電子装置によれば、リードピンの径大部とピン付
けパッドとを接合する半田は、70〜85重量％の鉛と５〜
15重量％の錫と５〜15重量％のアンチモンとの合金から
成ることから、このような組成によりリードピンとの濡
れ性が適度に抑制され、その結果、リードピンを外部電
気回路基板の配線導体にソケットや半田を介して良好に
接続可能なピン付き配線基板およびそれを用いた電子装
置を提供することができる。
用いた電子装置によれば、リードピンの径大部とピン付
けパッドとを接合する半田は、70〜85重量％の鉛と５〜
15重量％の錫と５〜15重量％のアンチモンとの合金から
成ることから、このような組成によりリードピンとの濡
れ性が適度に抑制され、その結果、リードピンを外部電
気回路基板の配線導体にソケットや半田を介して良好に
接続可能なピン付き配線基板およびそれを用いた電子装
置を提供することができる。
【図１】本発明のピン付き配線基板および電子装置の実
施形態例の断面図である。
施形態例の断面図である。
【図２】本発明のピン付き配線基板および電子装置の実
施形態例の要部拡大平面図である。
施形態例の要部拡大平面図である。
【図３】本発明のピン付き配線基板および電子装置の実
施形態例の要部拡大断面図である。
施形態例の要部拡大断面図である。
１・・・・・絶縁基体 ２・・・・・配線導体 ２ｂ・・・・ピン付けパッド ３・・・・・リードピン ３ａ・・・・軸部 ３ｂ・・・・径大部 ４・・・・・電子部品としての半導体素子 ９・・・・・半田
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０５Ｋ 3/34 ５１２Ｃ 3/34 ５１２ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｐ
Claims (2)
- 【請求項１】 配線導体を有する有機材料系の絶縁基板
の下面に前記配線導体と電気的に接続されたピン付けパ
ッドを設けるとともに、該ピン付けパッドに略円柱状の
軸部の上端に略円板状の径大部を形成して成るリードピ
ンを前記径大部と前記ピン付けパッドとを半田で接合す
ることにより立設して成るピン付き配線基板であって、
前記半田は、７０〜８５重量％の鉛と５〜２０重量％の
錫と５〜１５重量％のアンチモンとの合金から成ること
を特徴とするピン付き配線基板。 - 【請求項２】 配線導体を有する有機材料系の絶縁基板
の下面に前記配線導体と電気的に接続されたピン付けパ
ッドを設けるとともに、該ピン付けパッドに略円柱状の
軸部の上端に略円板状の径大部を設けて成るリードピン
を前記径大部と前記ピン付けパッドとを半田で接合する
ことにより立設して成るピン付き配線基板に電子部品を
搭載するとともに該電子部品の電極と前記配線導体とを
電気的に接続して成る電子装置であって、前記半田は、
７０〜８５重量％の鉛と５〜２０重量％の錫と５〜１５
重量％のアンチモンとの合金から成ることを特徴とする
電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001078424A JP2002280513A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001078424A JP2002280513A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280513A true JP2002280513A (ja) | 2002-09-27 |
Family
ID=18935038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001078424A Pending JP2002280513A (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002280513A (ja) |
-
2001
- 2001-03-19 JP JP2001078424A patent/JP2002280513A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2005026573A (ja) | 部品内蔵モジュールの製造方法 | |
| JP2004327743A (ja) | 半田バンプ付き配線基板およびその製造方法 | |
| JP5311656B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP2003133474A (ja) | 電子装置の実装構造 | |
| JP2002280513A (ja) | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 | |
| JP2004055958A (ja) | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 | |
| JP2002289734A (ja) | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 | |
| JP2002353394A (ja) | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 | |
| JP2003338574A (ja) | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 | |
| JP2003168757A (ja) | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 | |
| WO2015004952A1 (ja) | 回路基板 | |
| JP2003338598A (ja) | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 | |
| JP2004119544A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP2003017611A (ja) | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 | |
| JP2004165328A (ja) | 半田バンプ付き配線基板およびその製造方法 | |
| JP2004040026A (ja) | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 | |
| JP3940655B2 (ja) | 半田バンプ付き配線基板および電子装置ならびに半田バンプ付き配線基板の製造方法 | |
| JP2007035870A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004119442A (ja) | 半田バンプ付き配線基板の製造方法 | |
| JP2002353368A (ja) | 電子装置の実装構造 | |
| JP2002289728A (ja) | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 | |
| JP2005209847A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2004327741A (ja) | 半田バンプ付き配線基板およびその製造方法 | |
| JP2003347469A (ja) | 電子装置 | |
| JP2003068797A (ja) | ピン付き配線基板およびこれを用いた電子装置 |