JP2002268584A - アクティブマトリックス型表示用プラスチック基板 - Google Patents
アクティブマトリックス型表示用プラスチック基板Info
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- JP2002268584A JP2002268584A JP2001071072A JP2001071072A JP2002268584A JP 2002268584 A JP2002268584 A JP 2002268584A JP 2001071072 A JP2001071072 A JP 2001071072A JP 2001071072 A JP2001071072 A JP 2001071072A JP 2002268584 A JP2002268584 A JP 2002268584A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高いガス・水蒸気バリア性を有し、高品位・
高寿命のプラスチック表示用基板を提供する。 【解決手段】 プラスチツク基材上に少なくても１層以
上の酸素・水蒸気バリア層を有し、且つ最外層に耐プラ
ズマ層を１層以上設けたことを特徴とするアクティブマ
トリックス用表示用プラスチック基板。
高寿命のプラスチック表示用基板を提供する。 【解決手段】 プラスチツク基材上に少なくても１層以
上の酸素・水蒸気バリア層を有し、且つ最外層に耐プラ
ズマ層を１層以上設けたことを特徴とするアクティブマ
トリックス用表示用プラスチック基板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
ックス型表示用プラスチック基板に関する。
ックス型表示用プラスチック基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶，プラズマディスプレイ，エレクト
ロルミネッセンス（ＥＬ），蛍光表示管，発光ダイオ−
ド等のディスプレイ基材としてはガラス板が多く用いら
れているが、割れ易い、曲げられない、比重が大きく軽
量化に不向き等の問題から、近年、ガラス板の代わりに
プラスチック素材を用いる試みが数多く行われるように
なってきた。しかし、プラスチックではいかなる樹脂に
おいてもガスを吸収・透過する性質を持ち、ガラス板に
比べ、水蒸気の吸収による基板寸法変化、酸素ガスの透
過による液晶の劣化が問題であった。そこで、酸化ケイ
素、酸化アルミニウムを初めとする透明な金属酸化被膜
をガス・水蒸気バリアとしてプラスチックに積層する事
が行われているが、バリア性能は酸素で０．１ｃｍ3／
ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ （ＪＩＳ Ｋ７１２６のＢ法（等
圧法））、水蒸気で０．１ｇ／ｍ2・ｄａｙを（ＪＩＳ
Ｋ７１２９のＢ法（赤外センサー法））安定して維持
させることが困難であった。
ロルミネッセンス（ＥＬ），蛍光表示管，発光ダイオ−
ド等のディスプレイ基材としてはガラス板が多く用いら
れているが、割れ易い、曲げられない、比重が大きく軽
量化に不向き等の問題から、近年、ガラス板の代わりに
プラスチック素材を用いる試みが数多く行われるように
なってきた。しかし、プラスチックではいかなる樹脂に
おいてもガスを吸収・透過する性質を持ち、ガラス板に
比べ、水蒸気の吸収による基板寸法変化、酸素ガスの透
過による液晶の劣化が問題であった。そこで、酸化ケイ
素、酸化アルミニウムを初めとする透明な金属酸化被膜
をガス・水蒸気バリアとしてプラスチックに積層する事
が行われているが、バリア性能は酸素で０．１ｃｍ3／
ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ （ＪＩＳ Ｋ７１２６のＢ法（等
圧法））、水蒸気で０．１ｇ／ｍ2・ｄａｙを（ＪＩＳ
Ｋ７１２９のＢ法（赤外センサー法））安定して維持
させることが困難であった。
【０００３】近年の表示素子の高品位化により、ＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置
等のより高精細な回路パターンが要求されるようになる
と、基板に含まれるわずかな水分量による寸法変化が、
画質に影響するようになり、水蒸気透過率としては、さ
らに高いバリア性能が要求されるようになってきてい
る。また、酸素透過率に関しても、液晶の酸化による劣
化から規定されているが、この値にしてもより高寿命な
液晶基板が求められるようになっており、この値も同様
に０．１ｃｍ3／ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ以下が要求されて
いる。この動きに併せてアクティブマトリックス型にお
いてもプラスチック化の検討を行ったところ、従来のパ
ッシィブ型とは根本的にプロセスが異なるため、従来の
ＳｉＯ2によるガスバリア層では、アクティブマトリッ
クス型作製工程中でバリア値が維持出来ないことが判明
した。具体的にはアクティブマトリックス型のＴＦＴ，
ＴＦＤ（薄膜ダイオード）ではＣＶＤ膜形成のため最低
でも１８０℃以上の耐熱性が必要であり、ホトリソグラ
フプロセスでもレジスト剥離工程では煮沸環境下にさら
される。この温度−吸水サイクルが最低でも２回以上繰
り返される為、この環境下にさらされた場合、内在して
いる残留応力により、クラックや剥離が生じるものと考
えられる。また、アクティブマトリックス型の作製プロ
セスには酸素およびフッ素プラズマに暴露されるドライ
エッチング工程があり、ＳｉＯ2酸化物系は酸素プラズ
マには耐性があるが、フッ素プラズマには浸食され表面
が乱反射により白化されることによる透過率の低下、コ
ントラストの低下が生じる。また、最外層が有機層であ
る構造では酸素、フッ素プラズマ双方に浸食されるた
め、同じく最外層として有機物は使用できない。さら
に、液晶に代表されるアクティブ型表示デバイスではレ
ジスト剥離に用いられる、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキ
シド）、配向材に含まれるＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリド
ン）の耐薬品性は不可欠である。
（薄膜トランジスタ）液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置
等のより高精細な回路パターンが要求されるようになる
と、基板に含まれるわずかな水分量による寸法変化が、
画質に影響するようになり、水蒸気透過率としては、さ
らに高いバリア性能が要求されるようになってきてい
る。また、酸素透過率に関しても、液晶の酸化による劣
化から規定されているが、この値にしてもより高寿命な
液晶基板が求められるようになっており、この値も同様
に０．１ｃｍ3／ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ以下が要求されて
いる。この動きに併せてアクティブマトリックス型にお
いてもプラスチック化の検討を行ったところ、従来のパ
ッシィブ型とは根本的にプロセスが異なるため、従来の
ＳｉＯ2によるガスバリア層では、アクティブマトリッ
クス型作製工程中でバリア値が維持出来ないことが判明
した。具体的にはアクティブマトリックス型のＴＦＴ，
ＴＦＤ（薄膜ダイオード）ではＣＶＤ膜形成のため最低
でも１８０℃以上の耐熱性が必要であり、ホトリソグラ
フプロセスでもレジスト剥離工程では煮沸環境下にさら
される。この温度−吸水サイクルが最低でも２回以上繰
り返される為、この環境下にさらされた場合、内在して
いる残留応力により、クラックや剥離が生じるものと考
えられる。また、アクティブマトリックス型の作製プロ
セスには酸素およびフッ素プラズマに暴露されるドライ
エッチング工程があり、ＳｉＯ2酸化物系は酸素プラズ
マには耐性があるが、フッ素プラズマには浸食され表面
が乱反射により白化されることによる透過率の低下、コ
ントラストの低下が生じる。また、最外層が有機層であ
る構造では酸素、フッ素プラズマ双方に浸食されるた
め、同じく最外層として有機物は使用できない。さら
に、液晶に代表されるアクティブ型表示デバイスではレ
ジスト剥離に用いられる、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキ
シド）、配向材に含まれるＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリド
ン）の耐薬品性は不可欠である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高いガス・
水蒸気バリア性を有し、高品位・高寿命のプラスチック
表示用基板を提供するものである。
水蒸気バリア性を有し、高品位・高寿命のプラスチック
表示用基板を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来のプ
ラスチック基板におけるこれらの欠点を補うため、最外
層には酸素・フッ素プラズマ耐性がある対プラズマ層を
有し、最外層とプラスティック基材の間に酸素・水蒸気
バリア層を設ける事でアクティブマトリックス用表示用
プラスチック基板が使用できる事を見出したものであ
る。
ラスチック基板におけるこれらの欠点を補うため、最外
層には酸素・フッ素プラズマ耐性がある対プラズマ層を
有し、最外層とプラスティック基材の間に酸素・水蒸気
バリア層を設ける事でアクティブマトリックス用表示用
プラスチック基板が使用できる事を見出したものであ
る。
【０００６】すなわち本発明は、 （１）プラスチツク基材上に少なくても１層以上の酸素
・水蒸気バリア層を有し、且つ最外層に耐プラズマ層を
１層以上設けたことを特徴とするアクティブマトリック
ス型表示用プラスチック基板。 （２）プラスチック基材が、Ｔｇあるいは熱分解温度が
１８０℃以上であり線膨張係数係数が１００ｐｐｍ未満
である（１）のアクティブマトリックス型表示用プラス
チック基板 （３）基板のバリア値として酸素透過度が０．１ｃｍ3
／ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ未満、水蒸気透過度が０．１ｇ
／ｍ2・ｄａｙ未満である（１）、（２）記載のアクテ
ィブマトリックス型表示用プラスチック基板。 （４）対プラズマ層が、フッ化物の生成エネルギーが１
６００ｋＪ／ｍｏｌ以上の元素を主成分とする酸化物お
よび／または窒化物からなる（１）〜（３）のアクティ
ブマトリックス型表示用プラスチック基板。 （５）前記元素がＴａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉの内の
１種類以上である（４）のアクティブマトリックス型表
示用プラスチック基板。 （６）基板の全光線透過率が８８％以上である（１）〜
（５）のアクティブマトリックス型表示用プラスチック
基板。 である。
・水蒸気バリア層を有し、且つ最外層に耐プラズマ層を
１層以上設けたことを特徴とするアクティブマトリック
ス型表示用プラスチック基板。 （２）プラスチック基材が、Ｔｇあるいは熱分解温度が
１８０℃以上であり線膨張係数係数が１００ｐｐｍ未満
である（１）のアクティブマトリックス型表示用プラス
チック基板 （３）基板のバリア値として酸素透過度が０．１ｃｍ3
／ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ未満、水蒸気透過度が０．１ｇ
／ｍ2・ｄａｙ未満である（１）、（２）記載のアクテ
ィブマトリックス型表示用プラスチック基板。 （４）対プラズマ層が、フッ化物の生成エネルギーが１
６００ｋＪ／ｍｏｌ以上の元素を主成分とする酸化物お
よび／または窒化物からなる（１）〜（３）のアクティ
ブマトリックス型表示用プラスチック基板。 （５）前記元素がＴａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉの内の
１種類以上である（４）のアクティブマトリックス型表
示用プラスチック基板。 （６）基板の全光線透過率が８８％以上である（１）〜
（５）のアクティブマトリックス型表示用プラスチック
基板。 である。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は、最外層に酸素・フッ素
プラズマに耐える耐プラズマ層を、さらにその内層に
は、少なくとも１層以上の酸素・水蒸気バリア層を備え
たアクティブマトリックス型表示用プラスチック基板で
ある。上述のように、酸素プラズマに対しては、従来よ
り用いられている酸素・水蒸気バリアの構成でも耐性を
持たせることができるが、対フッ素プラズマに対して
は、特別の層構成が必要である。本発明者らは、フッ化
物の生成エネルギーが高い元素に着目し、検討を行った
結果、フッ化物の生成エネルギーが１６００ｋＪ／ｍｏ
ｌ以上であれば、対フッ素プラズマ耐性があることを見
いだし、本発明に至った。フッ化物の生成エネルギーが
１６００ｋＪ／ｍｏｌ以上である元素としては、Ｔａ、
Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ等があげられるが、
これらの内、酸化物も透明もしくは白色等の薄い色であ
るＴａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉがより好ましい。
プラズマに耐える耐プラズマ層を、さらにその内層に
は、少なくとも１層以上の酸素・水蒸気バリア層を備え
たアクティブマトリックス型表示用プラスチック基板で
ある。上述のように、酸素プラズマに対しては、従来よ
り用いられている酸素・水蒸気バリアの構成でも耐性を
持たせることができるが、対フッ素プラズマに対して
は、特別の層構成が必要である。本発明者らは、フッ化
物の生成エネルギーが高い元素に着目し、検討を行った
結果、フッ化物の生成エネルギーが１６００ｋＪ／ｍｏ
ｌ以上であれば、対フッ素プラズマ耐性があることを見
いだし、本発明に至った。フッ化物の生成エネルギーが
１６００ｋＪ／ｍｏｌ以上である元素としては、Ｔａ、
Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ等があげられるが、
これらの内、酸化物も透明もしくは白色等の薄い色であ
るＴａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉがより好ましい。
【０００８】最外層を形成する構成要素の成分割合は、
透明性と酸素・フッ素プラズマ耐性を兼ね備える条件を
満たすように、窒素、酸素、前記元素の原子比率を調節
すると良い。最外層の厚みは６００Å 以上が耐久性、
信頼性から好ましい。しかしながら１５００Å を越え
ると全光線透過率８８％を確保するのが難しい。
透明性と酸素・フッ素プラズマ耐性を兼ね備える条件を
満たすように、窒素、酸素、前記元素の原子比率を調節
すると良い。最外層の厚みは６００Å 以上が耐久性、
信頼性から好ましい。しかしながら１５００Å を越え
ると全光線透過率８８％を確保するのが難しい。
【０００９】本発明のプラスチック基材はＴｇあるいは
熱分解温度が１８０℃以上であり１５０℃から１８０℃
の線膨張係数係数が１００ｐｐｍ未満の樹脂を少なくと
も含むのが好ましい。これは液晶基板の製造工程に耐え
うる耐熱性が必要であると共に、線膨張係数が１００ｐ
ｐｍを越える様な基板ではバリア膜にストレスが内在
し、初期値は目的のバリア値を確保出来ても経時変化で
バリア特性が劣化するためである。好ましい樹脂の例と
しては、ポリアクリレート樹脂、カルドポリカーボネー
ト樹脂、ポリイミド樹脂、環状ポリオレフィン樹脂、エ
ポキシ樹脂等を挙げることができる。また、これらの樹
脂の他にシリカ、アルミナ、ジルコニア等の無機フィラ
ーを含有しても良い。
熱分解温度が１８０℃以上であり１５０℃から１８０℃
の線膨張係数係数が１００ｐｐｍ未満の樹脂を少なくと
も含むのが好ましい。これは液晶基板の製造工程に耐え
うる耐熱性が必要であると共に、線膨張係数が１００ｐ
ｐｍを越える様な基板ではバリア膜にストレスが内在
し、初期値は目的のバリア値を確保出来ても経時変化で
バリア特性が劣化するためである。好ましい樹脂の例と
しては、ポリアクリレート樹脂、カルドポリカーボネー
ト樹脂、ポリイミド樹脂、環状ポリオレフィン樹脂、エ
ポキシ樹脂等を挙げることができる。また、これらの樹
脂の他にシリカ、アルミナ、ジルコニア等の無機フィラ
ーを含有しても良い。
【００１０】本発明の酸素・水蒸気バリア層は特に限定
しないが、ＳｉＯ2系、ＳｉＯＮ系において酸素透過度
（ＪＩＳ Ｋ７１２６のＢ法（等圧法））が０．１ｃｍ
3／ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ未満、水蒸気透過度（ＪＩＳ
Ｋ７１２９のＢ法（赤外センサー法））が０．１ｇ／ｍ
2・ｄａｙ未満という条件を達成できることが見いだせ
ている。
しないが、ＳｉＯ2系、ＳｉＯＮ系において酸素透過度
（ＪＩＳ Ｋ７１２６のＢ法（等圧法））が０．１ｃｍ
3／ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ未満、水蒸気透過度（ＪＩＳ
Ｋ７１２９のＢ法（赤外センサー法））が０．１ｇ／ｍ
2・ｄａｙ未満という条件を達成できることが見いだせ
ている。
【００１１】本発明のプラスチック基材層と酸素・水蒸
気バリア層または、酸素・水蒸気バリア層と耐プラズマ
層との間には、各層の密着性を高め、各層を保護するた
めの有機層を設けることも可能である。該有機層はＴｇ
が１８０℃を越え、９０℃ＤＭＳＯ浴中、２００℃ＮＭ
Ｐ、フッ酸で変化しない耐薬品性を有するものが好まし
く、また、硬化収縮量が１0％未満であるものがさらに
好ましいが、特に限定はしない。例えば、熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂、光線硬化性樹脂（電子線硬化性樹
脂、紫外線硬化性樹脂など）で構成することができる。
有機層の成分の具体例としては、例えば、アクリル系樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチ
ラール、ポリカーボネート、ニトロセルロースやセルロ
ースアセテートなどのセルロース系ポリマー、ロジン変
性マレイン酸樹脂などの熱可塑性樹脂；ウレタン系樹
脂、尿素系樹脂、メラミン系樹脂、尿素−メラミン系樹
脂、エポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂；エポキシ（メ
タ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなど
の光硬化性樹脂などが挙げられ、これらは、一種または
二種以上を混合して用いることができる。好ましい有機
層の例としては熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂であり、そ
の中でもエポキシ系の熱硬化性樹脂（リン変性エポキシ
樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂環式高Tg樹脂、ポリエス
テル変性脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変
性エポキシ樹脂、イミドエポキシ樹脂）およびアクリレ
ート系の光硬化性樹脂（ウレタンアクリレート、エポキ
シアクリレート）が考えられる。
気バリア層または、酸素・水蒸気バリア層と耐プラズマ
層との間には、各層の密着性を高め、各層を保護するた
めの有機層を設けることも可能である。該有機層はＴｇ
が１８０℃を越え、９０℃ＤＭＳＯ浴中、２００℃ＮＭ
Ｐ、フッ酸で変化しない耐薬品性を有するものが好まし
く、また、硬化収縮量が１0％未満であるものがさらに
好ましいが、特に限定はしない。例えば、熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂、光線硬化性樹脂（電子線硬化性樹
脂、紫外線硬化性樹脂など）で構成することができる。
有機層の成分の具体例としては、例えば、アクリル系樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチ
ラール、ポリカーボネート、ニトロセルロースやセルロ
ースアセテートなどのセルロース系ポリマー、ロジン変
性マレイン酸樹脂などの熱可塑性樹脂；ウレタン系樹
脂、尿素系樹脂、メラミン系樹脂、尿素−メラミン系樹
脂、エポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂；エポキシ（メ
タ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなど
の光硬化性樹脂などが挙げられ、これらは、一種または
二種以上を混合して用いることができる。好ましい有機
層の例としては熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂であり、そ
の中でもエポキシ系の熱硬化性樹脂（リン変性エポキシ
樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂環式高Tg樹脂、ポリエス
テル変性脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変
性エポキシ樹脂、イミドエポキシ樹脂）およびアクリレ
ート系の光硬化性樹脂（ウレタンアクリレート、エポキ
シアクリレート）が考えられる。
【００１２】本発明では、酸素・水蒸気バリア層、有機
層、耐プラズマ層の各層を基材の両側に設けることも可
能である。
層、耐プラズマ層の各層を基材の両側に設けることも可
能である。
【００１３】
【実施例】（実施例および比較例）Ｔｇ２５０℃、４０
０μのシ゛シクロヘ゜ンタシ゛エニルシ゛アクリレートのシートを用い、両面に
浸漬法にてＴｇ２２３℃の脂環式エポキシ樹脂を厚さ
２．０μコートし、２００℃２時間焼成した。該コート
上にＲＦスパッタ法を用いＳｉＯ2ターゲットを用いＳ
ｉＯ2２００Åを両面に成膜した。この状態のシートを
比較例１とした。同様に該コート上にＲＦスパッタ法を
用いＳｉＯ2ターゲットを用いＳｉＯ2を８００Å両面に
成膜した。この状態のシートを比較例２とした。ＳｉＯ
2の成膜条件は初期真空度３×１０-6Tｏｒｒまで引き、
酸素分圧５×１０-4Tｏｒｒにし、Ａｒを導入して全圧
を２×１０-3Tｏｒｒにして行った。
０μのシ゛シクロヘ゜ンタシ゛エニルシ゛アクリレートのシートを用い、両面に
浸漬法にてＴｇ２２３℃の脂環式エポキシ樹脂を厚さ
２．０μコートし、２００℃２時間焼成した。該コート
上にＲＦスパッタ法を用いＳｉＯ2ターゲットを用いＳ
ｉＯ2２００Åを両面に成膜した。この状態のシートを
比較例１とした。同様に該コート上にＲＦスパッタ法を
用いＳｉＯ2ターゲットを用いＳｉＯ2を８００Å両面に
成膜した。この状態のシートを比較例２とした。ＳｉＯ
2の成膜条件は初期真空度３×１０-6Tｏｒｒまで引き、
酸素分圧５×１０-4Tｏｒｒにし、Ａｒを導入して全圧
を２×１０-3Tｏｒｒにして行った。
【００１４】更に比較例２のＳｉＯ2上に同様に該エポ
キシ樹脂を２μ両面コートし焼成した。この状態のシー
トを比較例３とした。更に比較例３上に五酸化タンタル
ターゲットを用い、同じ成膜条件のＲＦスパッタ方法に
より１０００Åの酸化物を生成した。この状態のシート
を実施例１とした。又、比較例３上に五酸化タンタルタ
ーゲットと窒化珪素ターゲットを用い、同じ成膜条件で
ＲＦスパッタ方法により２源同時成膜を行った。但し、
成膜された膜のタンタルと珪素の原子比が２０：１３に
なるようにターゲット上にマスクをかけた。この状態の
シートを実施例２とした。又、比較例３上に酸化チタン
ターゲットを用い、同じ成膜条件でＲＦスパッタ方法に
より成膜を行った。この状態のシートを実施例３とし
た。
キシ樹脂を２μ両面コートし焼成した。この状態のシー
トを比較例３とした。更に比較例３上に五酸化タンタル
ターゲットを用い、同じ成膜条件のＲＦスパッタ方法に
より１０００Åの酸化物を生成した。この状態のシート
を実施例１とした。又、比較例３上に五酸化タンタルタ
ーゲットと窒化珪素ターゲットを用い、同じ成膜条件で
ＲＦスパッタ方法により２源同時成膜を行った。但し、
成膜された膜のタンタルと珪素の原子比が２０：１３に
なるようにターゲット上にマスクをかけた。この状態の
シートを実施例２とした。又、比較例３上に酸化チタン
ターゲットを用い、同じ成膜条件でＲＦスパッタ方法に
より成膜を行った。この状態のシートを実施例３とし
た。
【００１５】これら６種類のシートを用い初期値並びに
以下の環境試験後の全光線透過率、酸素透過度（ＪＩＳ
Ｋ７１２６のＢ法（等圧法））、水蒸気透過度（ＪＩ
ＳＫ７１２９のＢ法（赤外センサー法））を測定した。
環境試験としては、Ｘ試験として、１８０℃２時間の乾
燥、８０℃の煮沸を２回繰り返した。また、フッ素プラ
ズマ条件としてシートＡの５５０ｎｍの透過率が３０％
下がる条件で各シートを同時にフッ素プラズマ処理槽に
投入した。この試験をＹ試験とした。ＸおよびＹ各試験
後の値を表１に記す。本発明による実施例ではいずれも
環境試験Ｘ，Ｙ試験後において酸素透過度０．１ｃｍ3
／ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ未満、水蒸気透過度０．１ｇ／
ｍ2・ｄａｙ未満、全光線透過率８８％以上という条件
を維持することができた。
以下の環境試験後の全光線透過率、酸素透過度（ＪＩＳ
Ｋ７１２６のＢ法（等圧法））、水蒸気透過度（ＪＩ
ＳＫ７１２９のＢ法（赤外センサー法））を測定した。
環境試験としては、Ｘ試験として、１８０℃２時間の乾
燥、８０℃の煮沸を２回繰り返した。また、フッ素プラ
ズマ条件としてシートＡの５５０ｎｍの透過率が３０％
下がる条件で各シートを同時にフッ素プラズマ処理槽に
投入した。この試験をＹ試験とした。ＸおよびＹ各試験
後の値を表１に記す。本発明による実施例ではいずれも
環境試験Ｘ，Ｙ試験後において酸素透過度０．１ｃｍ3
／ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ未満、水蒸気透過度０．１ｇ／
ｍ2・ｄａｙ未満、全光線透過率８８％以上という条件
を維持することができた。
【００１６】
【表１】 表１において、酸素透過度の単位はｃｍ3／ｍ2・２４ｈ
・ａｔｍ、水蒸気透過度の単位はｇ／ｍ2・ｄａｙであ
る。
・ａｔｍ、水蒸気透過度の単位はｇ／ｍ2・ｄａｙであ
る。
【００１７】
【発明の効果】以上の様に本発明によればプラズマ耐性
とガスバリアの両方の特性を満足させる事ができ、この
特性としては従来にない特性であり、本発明は、アクテ
ィブマトリックス型表示用プラスチック基板として、産
業上極めて有用である。
とガスバリアの両方の特性を満足させる事ができ、この
特性としては従来にない特性であり、本発明は、アクテ
ィブマトリックス型表示用プラスチック基板として、産
業上極めて有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 JB02 JB03 JD11 JD12 5C094 AA31 AA37 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 EB01
Claims (6)
- 【請求項１】 プラスチツク基材上に少なくても１層以
上の酸素・水蒸気バリア層を有し、且つ最外層に耐プラ
ズマ層を１層以上設けたことを特徴とするアクティブマ
トリックス型表示用プラスチック基板。 - 【請求項２】 プラスチック基材が、Ｔｇあるいは熱分
解温度が１８０℃以上であり線膨張係数係数が１００ｐ
ｐｍ未満である請求項１記載のアクティブマトリックス
型表示用プラスチック基板。 - 【請求項３】 基板のバリア値として酸素透過度が０．
１ｃｍ3／ｍ2・２４ｈ・ａｔｍ未満で且つ、水蒸気透過
度が０．１ｇ／ｍ2・ｄａｙ未満である請求項１または
２記載のアクティブマトリックス型表示用プラスチック
基板。 - 【請求項４】 対プラズマ層が、フッ化物の生成エネル
ギーが１６００ｋＪ／ｍｏｌ以上の元素を主成分とする
酸化物および／または窒化物からなる請求項１〜３何れ
か１項記載のアクティブマトリックス型表示用プラスチ
ック基板。 - 【請求項５】 前記元素がＴａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔ
ｉの内の１種類以上である請求項４記載のアクティブマ
トリックス型表示用プラスチック基板。 - 【請求項６】 基板の全光線透過率が８８％以上である
請求項１〜５何れか１項記載のアクティブマトリックス
型表示用プラスチック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001071072A JP4830204B2 (ja) | 2001-03-13 | 2001-03-13 | アクティブマトリックス型表示用プラスチック基板 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002268584A true JP2002268584A (ja) | 2002-09-20 |
| JP4830204B2 JP4830204B2 (ja) | 2011-12-07 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP4830204B2 (ja) |
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- 2001-03-13 JP JP2001071072A patent/JP4830204B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4830204B2 (ja) | 2011-12-07 |
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