JP2002265484A

JP2002265484A - 三核錯体及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002265484A
Application number: JP2001071588A
Authority: JP
Inventors: Tamotsu Takahashi; 高橋　　保
Original assignee: Japan Science and Technology Corp
Current assignee: Japan Science and Technology Agency
Priority date: 2001-03-14
Filing date: 2001-03-14
Publication date: 2002-09-18

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】三核錯体を簡便に提供すること。【解決手段】一般式I又はI'の複核オレフィン錯体に（Ｒ¹〜Ｒ⁴、Ａは炭化水素等を示し、Ｍ¹及びＭ²は周期
律表の第３族〜第５族またはランタニド系列の金属、Ｌ
¹〜Ｌ⁴はアニオン性配位子を示す。）、一般式IIのボラ
ン誘導体とＢ（Ｒ⁵）₃ （ＩＩ）（Ｒ⁵は水素、炭化水素基、アルコキシ基などを示
す。）水とを反応させる三核錯体の製造方法、及び三核
錯体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、三核錯体及びその
製造方法に関し、より詳しくは、カチオン性メタロセン
三核錯体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】メタロ
センのカチオン性錯体は、触媒として、特にオレフィン
類の重合触媒として使用することができ、その価値は高
い。

【０００３】特に三核錯体は、重合反応の反応点が近く
に３箇所あることになり、触媒としての活性が高いこと
が期待される。本発明は、三核錯体を簡便に提供するこ
とを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明では、下記式
（Ｉ）又は下記式（Ｉ’）で表現される複核オレフィン
錯体に

【化３】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ、互いに独
立し、同一または異なって、水素原子又はＣ₁〜Ｃ₁₀炭
化水素基であり、Ａは、置換基を有していてもよいＣ₁
〜Ｃ₄₀炭化水素基；ハロゲン原子；置換基を有してもよ
いケイ素；置換基を有していてもよいゲルマニウム原
子；置換基を有していてもよい酸素原子；置換基を有し
ていてもよいリン原子；置換基を有していてもよいスズ
原子；置換基を有していてもよい窒素原子、又は、置換
基を有していてもよい硫黄原子であり、Ｍ¹及びＭ²は、
互いに独立し、同一又は異なって、周期表の第３族〜第
５族またはランタニド系列の金属を示し；Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ
³及びＬ⁴は、互いに独立し、同一または異なって、アニ
オン性配位子を示す。ただし、Ｌ¹及びＬ²、又は、Ｌ³
及びＬ⁴は、架橋されていてもよい。）、下記式（Ｉ
Ｉ）で示されるボラン誘導体とＢ（Ｒ⁵）₃ （ＩＩ）（式中、Ｒ⁵は、水素原子；置換基を有していてもよい
Ｃ₁〜Ｃ₂₀炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ₁〜
Ｃ₂₀アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ₆〜Ｃ
₂₀アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ
基；置換基を有していてもよいシリル基、又は水酸基で
ある。）、水とを反応させることによって生成される三
核錯体が提供される。

【０００５】本発明では、三核錯体の製造方法であっ
て、下記式（Ｉ）又は下記式（Ｉ’）で表現される複核
オレフィン錯体に

【化４】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ、互いに独
立し、同一または異なって、水素原子又はＣ₁〜Ｃ₁₀炭
化水素基であり、Ａは、置換基を有していてもよいＣ₁
〜Ｃ₄₀炭化水素基；ハロゲン原子；置換基を有してもよ
いケイ素；置換基を有していてもよいゲルマニウム原
子；置換基を有していてもよい酸素原子；置換基を有し
ていてもよいリン原子；置換基を有していてもよいスズ
原子；置換基を有していてもよい窒素原子、又は、置換
基を有していてもよい硫黄原子であり、Ｍ¹及びＭ²は、
互いに独立し、同一又は異なって、周期表の第３族〜第
５族またはランタニド系列の金属を示し；Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ
³及びＬ⁴は、互いに独立し、同一または異なって、アニ
オン性配位子を示す。ただし、Ｌ¹及びＬ²、又は、Ｌ³
及びＬ⁴は、架橋されていてもよい。）、下記式（Ｉ
Ｉ）で示されるボラン誘導体とＢ（Ｒ⁵）₃ （ＩＩ）（式中、Ｒ⁵は、水素原子；置換基を有していてもよい
Ｃ₁〜Ｃ₂₀炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ₁〜
Ｃ₂₀アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ₆〜Ｃ
₂₀アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ
基；置換基を有していてもよいシリル基、又は水酸基で
ある。）、水とを反応させることを特徴とする三核錯体
の製造方法が提供される。

【０００６】本発明において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は
水素原子であることが好ましい。

【０００７】また、本発明において、Ｍ¹及びＭ²が、互
いに独立し、同一又は異なって、周期表第４族もしくは
第５族またはランタニド系列の金属であり、前記アニオ
ン性配位子が、非局在化環状η⁵−配位系配位子である
ことが好ましい。また、前記非局在化環状η⁵−配位系
配位子が、置換されていてもよいシクロペンタジエニル
基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基で
あることが更に好ましい。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施態様を更に
詳しく説明する。

【０００９】本発明では、下記式（Ｉ）又は下記式
（Ｉ’）で表現される複核オレフィン錯体に

【化５】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ａ、Ｍ¹、Ｍ²、Ｌ¹、
Ｌ²、Ｌ³及びＬ⁴は、上記の意味を有する。）、下記式
（ＩＩ）で示されるボラン誘導体と、Ｂ（Ｒ⁵）₃ （ＩＩ）（式中、Ｒ⁵は、上記の意味を有する。）水とを反応させることによって生成される三核錯体が提
供される。

【００１０】本明細書では、炭化水素基は、飽和若しく
は不飽和の非環式であってもよいし、飽和若しくは不飽
和の環式であってもよい。炭化水素基が非環式の場合に
は、線状でもよいし、枝分かれでもよい。炭化水素基に
は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリル
基、アルキルジエニル基、ポリエニル基、アリール基、
アルキルアリール基、アリールアルキル基、シクロアル
キル基、シクロアルケニル基、（シクロアルキル）アル
キル基などが含まれる。

【００１１】Ｃ₁〜Ｃ₁₀炭化水素基としては、Ｃ₁〜Ｃ₁₀
アルキル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₀アルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₀アルキ
ニル基、Ｃ₃〜Ｃ₁₀アリル基、Ｃ₄〜Ｃ₁₀アルキルジエニ
ル基、Ｃ₄〜Ｃ₁₀ポリエニル基、Ｃ₆〜Ｃ₁₀アリール基、
Ｃ₆〜Ｃ₁₀アルキルアリール基、Ｃ₆〜Ｃ₁₀アリールアル
キル基、Ｃ₄〜Ｃ₁₀シクロアルキル基、Ｃ₄〜Ｃ₁₀シクロ
アルケニル基、（Ｃ₃〜Ｃ₆シクロアルキル）Ｃ₁〜Ｃ₄ア
ルキル基を挙げることができる。

【００１２】Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₀アルケニ
ル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₀アルキニル基、Ｃ₃〜Ｃ₁₀アリル基、Ｃ
₄〜Ｃ₁₀アルキルジエニル基、及び、Ｃ₄〜Ｃ₁₀ポリエニ
ル基は、それぞれ、Ｃ₁〜Ｃ₅アルキル基、Ｃ₂〜Ｃ₅アル
ケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₅アルキニル基、Ｃ₃〜Ｃ₅アリル基、
Ｃ₄〜Ｃ₅アルキルジエニル基、及び、Ｃ₄〜Ｃ₅ポリエニ
ル基であることが好ましい。

【００１３】本発明の実施において有用なアルキル基の
例には、制限するわけではないが、メチル、エチル、プ
ロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル等がある。

【００１４】本発明の実施において有用なアリール基の
例には、制限するわけではないが、フェニル、２−トリ
ル、３−トリル、４−トリル、ナフチル等がある。

【００１５】本発明において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は
水素原子であることが好ましい。

【００１６】Ａは、置換基を有していてもよいＣ₁〜Ｃ
₄₀炭化水素基；ハロゲン原子；置換基を有してもよいケ
イ素；置換基を有していてもよいゲルマニウム原子；置
換基を有していてもよい酸素原子；置換基を有していて
もよいリン原子；置換基を有していてもよいスズ原子；
置換基を有していてもよい窒素原子、又は、置換基を有
していてもよい硫黄原子である。

【００１７】Ｃ₁-Ｃ₄₀炭化水素基には、Ｃ₁-Ｃ₄₀アルキ
ル基、Ｃ₂-Ｃ₄₀アルケニル基、Ｃ₂-Ｃ₄₀アルキニル基、
Ｃ₃-Ｃ₄₀アリル基、Ｃ₄-Ｃ₄₀アルキルジエニル基、Ｃ₄-
Ｃ₄₀ポリエニル基、Ｃ₆-Ｃ₄₀アリール基、Ｃ₆-Ｃ₄₀アル
キルアリール基、Ｃ₆-Ｃ₄₀アリールアルキル基、Ｃ₄-Ｃ
₄₀シクロアルキル基、Ｃ₄-Ｃ₄₀シクロアルケニル基、
（Ｃ₃-Ｃ₂₀シクロアルキル）Ｃ₁-Ｃ₂₀アルキル基などが
含まれる。

【００１８】Ｃ₁-Ｃ₄₀アルキル基、Ｃ₂-Ｃ₄₀アルケニル
基、Ｃ₂-Ｃ₄₀アルキニル基、Ｃ₃-Ｃ ₄₀アリル基、Ｃ₄-Ｃ
₄₀アルキルジエニル基、及び、Ｃ₄-Ｃ₄₀ポリエニル基
は、それぞれ、Ｃ₁-Ｃ₂₀アルキル基、Ｃ₂-Ｃ₂₀アルケニ
ル基、Ｃ₂-Ｃ₂₀アルキニル基、Ｃ₃-Ｃ₂₀アリル基、Ｃ₄-
Ｃ₂₀アルキルジエニル基、及び、Ｃ₄-Ｃ₂₀ポリエニル基
であることが好ましく、それぞれ、Ｃ₁-Ｃ₁₀アルキル
基、Ｃ₂-Ｃ₁₀アルケニル基、Ｃ₂-Ｃ₁₀アルキニル基、Ｃ
₃-Ｃ₁₀アリル基、Ｃ₄-Ｃ₁₀アルキルジエニル基、及び、
Ｃ₄-Ｃ₁₀ポリエニル基であることが更に好ましい。

【００１９】Ｃ₆-Ｃ₄₀アリール基、Ｃ₆-Ｃ₄₀アルキルア
リール基、Ｃ₆-Ｃ₄₀アリールアルキル基、Ｃ₄-Ｃ₄₀シク
ロアルキル基、Ｃ₄-Ｃ₄₀シクロアルケニル基、及び、
（Ｃ₃-Ｃ₂₀シクロアルキル）Ｃ₁-Ｃ₂₀アルキル基は、そ
れぞれ、Ｃ₆-Ｃ₂₀アリール基、Ｃ₆-Ｃ₂₀アルキルアリー
ル基、Ｃ₆-Ｃ₂₀アリールアルキル基、Ｃ₄-Ｃ₂₀シクロア
ルキル基、Ｃ₄-Ｃ₂₀シクロアルケニル基、及び、（Ｃ₃-
Ｃ₁₀シクロアルキル）Ｃ ₁-Ｃ₁₀アルキル基が好ましく、
それぞれ、Ｃ₆-Ｃ₁₀アリール基、Ｃ₆-Ｃ₁₂アルキルアリ
ール基、Ｃ₆-Ｃ₁₂アリールアルキル基、Ｃ₄-Ｃ₁₀シクロ
アルキル基、及び、Ｃ₄-Ｃ₁₀シクロアルケニル基が更に
好ましい。

【００２０】ケイ素、ゲルマニウム原子、酸素原子、リ
ン原子、スズ原子、窒素原子、硫黄原子には、置換基が
導入されていてもよく、この置換基としては、例えば、
ハロゲン原子、アミノ基、水酸基、シリル基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基などが挙げられる。

【００２１】本発明の実施において有用なアルコキシ基
の例には、制限するわけではないが、メトキシ、エトキ
シ、２−メトキシエトキシ、ｔ−ブトキシ等がある。

【００２２】本発明の実施において有用なアリールオキ
シ基の例には、制限するわけではないが、フェノキシ、
ナフトキシ、フェニルフェノキシ、４−メチルフェノキ
シ、２−トリルオキシ、３−トリルオキシ、４−トリル
オキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ、４−フェ
ノキシフェニルオキシ、４−フルオロフェニルオキシ、
３−カルボメトキシフェニルオキシ、４−カルボメトキ
シフェニルオキシ等がある。

【００２３】本発明の実施において有用なアミノ基の例
には、制限するわけではないが、アミノ、ジメチルアミ
ノ、メチルアミノ、メチルフェニルアミノ、フェニルア
ミノ等がある。

【００２４】本発明の実施において有用なシリル基の例
には、制限するわけではないが、トリメチルシリル、ジ
メチルフェニルシリル、メチルジフェニルシリル、トリ
フェニルシリル、ジメチルエチルシリル、メチルメトキ
シフェニルシリル、メチルエチルフェノキシシリル等が
挙げられる。

【００２５】Ｍ¹及びＭ²は、互いに独立し、同一又は異
なって、周期表の第３族〜第５族またはランタニド系列
の金属を示す。Ｍ¹及びＭ²としては、周期表第４族もし
くは第５族又はランタニド系列の金属が好ましく、周期
表第４族の金属、即ち、チタン、ジルコニウム及びハフ
ニウムが更に好ましい。

【００２６】Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³及びＬ⁴は、互いに独立し、
同一または異なって、アニオン性配位子を示す。ただ
し、Ｌ¹及びＬ²、又は、Ｌ³及びＬ⁴は、架橋されていて
もよい。

【００２７】前記アニオン性配位子は、非局在化環状η
⁵−配位系配位子、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコキシ基、Ｃ₆〜Ｃ₂₀
アリールオキシ基又はジアルキルアミド基であることが
好ましい。

【００２８】Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³及びＬ⁴は、非局在化環状η
⁵−配位系配位子であることが好ましい。非局在化環状
η⁵−配位系配位子の例は、無置換のシクロペンタジエ
ニル基、及び置換シクロペンタジエニル基である。この
置換シクロペンタジエニル基は例えば、メチルシクロペ
ンタジエニル、エチルシクロペンタジエニル、イソプロ
ピルシクロペンタジエニル、ｎ−ブチルシクロペンタジ
エニル、ｔ−ブチルシクロペンタジエニル、ジメチルシ
クロペンタジエニル、ジエチルシクロペンタジエニル、
ジイソプロピルシクロペンタジエニル、ジ−ｔ−ブチル
シクロペンタジエニル、テトラメチルシクロペンタジエ
ニル、インデニル基、２−メチルインデニル基、２−メ
チル−４−フェニルインデニル基、テトラヒドロインデ
ニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾ
フルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基及びオク
タヒドロフルオレニル基である。

【００２９】非局在化環状η⁵−配位系配位子は、非局
在化環状π系の１個以上の原子がヘテロ原子に置換され
ていてもよい。水素の他に、周期表第１４族の元素及び
／又は周期表第１５、１６及び１７族の元素のような１
個以上のヘテロ原子を含むことができる。

【００３０】非局在化環状η⁵−配位系配位子、例え
ば、シクロペンタジエニル基は、中心金属と、環状であ
ってもよい、一つの又は複数の架橋配位子により架橋さ
れていてもよい。架橋配位子としては、例えば、Ｃ
Ｈ₂、ＣＨ₂ＣＨ₂、ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₂、ＣＨ（Ｃ
₄Ｈ₉）Ｃ（ＣＨ₃）₂、Ｃ（ＣＨ₃）₂、（ＣＨ₃）₂Ｓｉ、
（ＣＨ₃） ₂Ｇｅ、（ＣＨ₃）₂Ｓｎ、（Ｃ₆Ｈ₅）₂Ｓｉ、
（Ｃ₆Ｈ₅）（ＣＨ₃）Ｓｉ、（Ｃ₆Ｈ ₅）₂Ｇｅ、（Ｃ
₆Ｈ₅）₂Ｓｎ、（ＣＨ₂）₄Ｓｉ、ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂、
ｏ−Ｃ₆Ｈ₄又は２、２'−（Ｃ₆Ｈ₄）₂が挙げられる。

【００３１】２以上の非局在化環状η⁵−配位系配位
子、例えば、シクロペンタジエニル基は、互いに、環状
であってもよい、一つの又は複数の架橋基により架橋さ
れていてもよい。架橋基としては、例えば、ＣＨ₂、Ｃ
Ｈ₂ＣＨ₂、ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₂、ＣＨ（Ｃ₄Ｈ₉）Ｃ（Ｃ
Ｈ₃）₂、Ｃ（ＣＨ₃）₂、（ＣＨ₃）₂Ｓｉ、（ＣＨ₃）₂Ｇ
ｅ、（ＣＨ₃）₂Ｓｎ、（Ｃ₆Ｈ₅）₂Ｓｉ、（Ｃ₆Ｈ₅）
（ＣＨ₃）Ｓｉ、（Ｃ₆Ｈ₅） ₂Ｇｅ、（Ｃ₆Ｈ₅）₂Ｓｎ、
（ＣＨ₂）₄Ｓｉ、ＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₂、ｏ−Ｃ₆Ｈ₄又
は２、２'−（Ｃ₆Ｈ₄）₂が挙げられる。

【００３２】上記式（Ｉ）又は上記式（Ｉ'）で表現さ
れる複核オレフィン錯体は、二つ以上のメタロセン部分
(moiety)を有する有機金属化合物を配位子とするもの
も含む。このような化合物は多核メタロセンとして知ら
れている。前記多核メタロセンは、いかなる置換様式及
びいかなる架橋形態を有していてもよい。前記多核メタ
ロセンの独立したメタロセン部分は、各々が同一種で
も、異種でもよい。前記多核メタロセンの例は、例えば
ＥＰ−Ａ−６３２０６３、特開平４−８０２１４号、特
開平４−８５３１０、ＥＰ−Ａ−６５４４７６に記載さ
れている。

【００３３】本発明にかかる三核錯体は、上記の複核オ
レフィン錯体と、下記式（ＩＩ）で示されるボラン誘導
体と水とを反応させて生成される。

【００３４】Ｂ（Ｒ⁵）₃ （ＩＩ）（式中、Ｒ⁵は、上記の意味を有する。）Ｒ⁵は、水素原子；置換基を有していてもよいＣ₁〜Ｃ₂₀
炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ₁〜Ｃ₂₀アル
コキシ基；置換基を有していてもよいＣ₆〜Ｃ₂₀アリー
ルオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換
基を有していてもよいシリル基、又は水酸基である。

【００３５】Ｒ⁵は、置換基を有していてもよいアリー
ル基、置換基を有していてもよいアルキル基であること
が好ましく、ペンタフルオロフェニル基、フルオロフェ
ニル基、フェニル基等であることが更に好ましい。

【００３６】典型的には、ボラン誘導体の溶媒に、水及
び上記式（Ｉ）又は（Ｉ’）で表現される複核オレフィ
ン錯体を加え、攪拌する。添加の順序に制限はなく、複
核オレフィン錯体の溶媒中に、ボラン誘導体及び水を加
えてもよい。

【００３７】例えば、複核オレフィン錯体としてＭ¹及
びＭ²が同一の基Ｍであり、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³及びＬ⁴が同
一の基Ｌである場合、下記のような三核錯体が生成され
ると考えられる。

【００３８】

【化６】上記式（Ｉ）又は（Ｉ’）で表現される複核錯体は、そ
のままでは水と反応しなかった。しかしながら、複核錯
体に上記式（ＩＩ）のボラン誘導体を添加することによ
って、ボラン誘導体が、複核錯体中の金属Ｍに結合して
いる配位子Ａを引き抜いてボレートとなる。一方、複核
錯体には金属Ｍに水が攻撃できるサイトが生じるため、
水のOH^-が金属に結合し、そのまま反応が進んで三核錯
体が生成されると考えられる。生成された三核錯体の酸
素原子には、水素原子が付加されていてもよい。なお、
この反応機構は仮説に過ぎず、本発明はこの反応機構に
限定されるものではない。

【００３９】上記式（ＩＩ）で示されるボラン誘導体の
量は、複核オレフィン錯体（Ｉ）又は（Ｉ’）の合計量
１モルに対して、０．１モル〜２０モルであることが好
ましく、０．２モル〜５モルであることが更に好まし
く、０．３モル〜１．０モルであることが更になお好ま
しい。

【００４０】水の量は、複核オレフィン錯体（Ｉ）又は
（Ｉ’）の合計量１モルに対して、０．１モル〜２０モ
ルであることが好ましく、０．５モル〜５モルであるこ
とが更に好ましく、０．５モル〜３モルであることが更
になお好ましい。

【００４１】反応は、好ましくは−１００℃〜３００℃
の温度範囲で行われ、特に好ましくは−８０℃〜２００
℃の温度範囲、更に好ましくは０℃〜２００℃の温度範
囲で行われる。圧力は、例えば、０．１バール〜２５０
０バールの範囲内で、好ましくは０．５バール〜１０バ
ールの範囲内である。

【００４２】溶媒としては、上記式（Ｉ）または
（Ｉ’）で表現される複核オレフィン錯体を溶解するこ
とができる溶媒が好ましい。溶媒は、脂肪族又は芳香族
の有機溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテト
ラヒドロフラン又はジエチルエーテル；塩化メチレンの
ようなハロゲン化炭化水素；ｏ−ジクロロベンゼンのよ
うなハロゲン化芳香族炭化水素；Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホ
キシド;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が用い
られる。

【００４３】本発明で使用される上記式（Ｉ）又は
（Ｉ’）で表現される複核オレフィン錯体は、例えば、
下記式（ＩＶ）で示される有機金属化合物と、下記式
（Ｖ）で示される有機金属化合物とを反応させて反応混
合物を得て、この反応混合物に、下記式（ＩＩＩ）で示
される求核試薬を添加することによって合成することが
できる。

【００４４】

【化７】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ａ、Ｍ¹、Ｍ²、Ｌ¹、
Ｌ²、Ｌ³及びＬ⁴は、上記の意味を有する。Ｘ¹及びＸ²
は、互いに独立し、同一又は異なって、第１の脱離基を
示す。ただし、Ｘ¹及びＸ²は、炭化水素基である場合を
除く。Ｙ¹及びＹ²は、互いに独立し、同一又は異なっ
て、置換基を有してもよいＣ₁〜Ｃ₃₀炭化水素基を示
す。Ｚは、第２の脱離基を示す。）Ｘ¹及びＸ²は、互いに独立し、同一又は異なって、脱離
基を示す。ただし、炭化水素基である場合を除く。脱離
基としては、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロ
ゲン原子、ｐ−トルエンスルホニル基、トシラート基
（―Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）₂−Ｃ₆Ｈ₄−ＣＨ₃）、トリフルオロ
メタンスルホン酸エステル（トリフラート）、Ｃ₁〜Ｃ
₂₀アルコキシ基（好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₁₀アルコキシ基
であり、更に好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₆アルコキシ基）、Ｃ
₆〜Ｃ₂₀アリールオキシ基、トリ低級アルキルシリルオ
キシ基等が挙げられる。脱離基としては、ハロゲン原
子、トシラート基、Ｃ₁〜Ｃ₂₀アルコキシ基、及びトリ
低級アルキルシリルオキシ基が好ましく、Ｃｌ、Ｂｒが
更に好ましい。

【００４５】Ｙ¹及びＹ²は、互いに独立し、同一又は異
なって、置換基を有してもよいＣ₁〜Ｃ₃₀炭化水素基を
示す。Ｃ₁〜Ｃ₁₀炭化水素基であることが好ましく、更
に好ましくは、Ｃ₁〜Ｃ₅炭化水素基であり、エチル基で
あることが更になお好ましい。

【００４６】Ｚは、脱離基を示す。例えば、Ｌｉ、Ｎ
ａ、Ｋのようなアルカリ金属、ＭｇＸ（式中、Ｘはハロ
ゲン原子を示す）等のハロゲン化金属等をあげることが
できる。上記式（ＩＩＩ）で示される求核試薬として
は、例えば、リチウム試薬、グリニャール試薬等を挙げ
ることができる。

【００４７】上記式（ＩＩＩ）で示される求核試薬の量
は、有機金属化合物（Ｖ）１モルに対して、０．１モル
〜２０モルであることが好ましく、０．５モル〜１０モ
ルであることが更に好ましく、０．９モル〜２．５モル
であることが更になお好ましい。

【００４８】上記式（ＩＶ）で示される有機金属化合物
の量は、上記式（Ｖ）で示される有機金属化合物の１モ
ルに対して、０．１モル〜１０モルであることが好まし
く、０．５モル〜３モルであることが更に好ましく、
０．９モル〜１．５モルであることが更になお好まし
い。

【００４９】上記式（Ｉ）又は（Ｉ’）で表現される複
核オレフィン錯体の合成反応は、好ましくは−１００℃
〜３００℃の温度範囲で行われ、特に好ましくは−８０
℃〜１００℃の温度範囲、更に好ましくは−５０℃〜５
０℃の温度範囲で行われる。圧力は、例えば、０．１バ
ール乃至２５００バールの範囲内で、好ましくは０．５
バール〜１０バールの範囲内である。

【００５０】複核オレフィン錯体の合成反応の溶媒とし
ては、上記式（ＩＶ）で示される有機金属化合物及び上
記式（Ｖ）で示される有機金属化合物を溶解することが
できる溶媒が好ましい。溶媒は、脂肪族又は芳香族の有
機溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒ
ドロフラン又はジエチルエーテル；塩化メチレンのよう
なハロゲン化炭化水素；ｏ−ジクロロベンゼンのような
ハロゲン化芳香族炭化水素；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホキシ
ド;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が用いられ
る。

【００５１】本発明において、式（ＩＶ）で示される有
機金属化合物としては、例えば、下記のメタロセンを用
いることができる。

【００５２】ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロジ
ルコニウム；ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジク
ロロジルコニウム；ビス（ブチルシクロペンタジエニ
ル）ジクロロジルコニウム；ビス（インデニル）ジクロ
ロジルコニウム；ビス（フルオレニル）ジクロロジルコ
ニウム；（インデニル）（フルオレニル）ジクロロジル
コニウム；ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロチタ
ン；（ジメチルシランジイル）ビス（インデニル）ジク
ロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（テ
トラヒドロインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメ
チルシランジイル）（インデニル）ジクロロジルコニウ
ム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチルインデ
ニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイ
ル）ビス（２−エチルインデニル）ジクロロジルコニウ
ム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，
５−ベンゾインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメ
チルシランジイル）ビス（２−エチル−４，５−ベンゾ
インデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシラン
ジイル）ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）
ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス
（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジクロロジル
コニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル
−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジクロロジルコ
ニウム。

【００５３】本発明において、式（Ｖ）で示される有機
金属化合物としては、例えば、上述したなどのジクロロ
体等を、ナトリウム等のアルカリ金属、マグネシウム等
のアルカリ土類金属のような強塩基で還元するか、又
は、ジアルキル体に変換してから用いることができる。

【００５４】ビス（シクロペンタジエニル）ジエチルジ
ルコニウム；ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジエ
チルジルコニウム；ビス（ブチルシクロペンタジエニ
ル）ジエチルジルコニウム；ビス（インデニル）ジエチ
ルジルコニウム；ビス（フルオレニル）ジエチルジルコ
ニウム；（インデニル）（フルオレニル）ジエチルジル
コニウム；（３−メチル−５−ナフチルインデニル）
（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニル）ジエチ
ルジルコニウム；（３−メチル−５−ナフチルインデニ
ル）（３，４，７−トリメトキシフルオレニル）ジエチ
ルジルコニウム；（ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル）（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウ
ム；（シクロペンタジエニル）（１−オクテン−８−イ
ルシクロペンタジエニル）ジエチルジルコニウム；（イ
ンデニル）（１−ブテン−４−イルシクロペンタジエニ
ル）ジエチルジルコニウム；［１，３−ビス（トリメチ
ルシリル）シクロペンタジエニル］（３，４−ベンゾフ
ルオレニル）ジエチルジルコニウム；。

【００５５】ビス（シクロペンタジエニル）ジエチルチ
タン；ジメチルシランジイルビス（インデニル）ジエチ
ルジルコニウム；ジメチルシランジイルビス（テトラヒ
ドロインデニル）ジエチルジルコニウム；ジメチルシラ
ンジイル（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジエ
チルジルコニウム；ジメチルシランジイルビス（２−メ
チルインデニル）ジエチルジルコニウム；ジメチルシラ
ンジイルビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコ
ニウム；ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，
５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；ジメチ
ルシランジイルビス（２−エチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジエチルジルコニウム；ジメチルシランジイル
ビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペ
ント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジエチルジ
ルコニウム；ジメチルシランジイル（２−メチル−４，
５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４−フェニルイ
ンデニル）ジエチルジルコニウム；ジメチルシランジイ
ル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メ
チル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウ
ム；ジメチルシランジイル（２−メチル−４，５−ベン
ゾインデニル）（２−エチル−４−フェニルインデニ
ル）ジエチルジルコニウム；ジメチルシランジイル（２
−エチルインデニル）（２−エチル−４−フェニルナフ
チル）ジエチルジルコニウム；ジメチルシランジイル
（２−メチルインデニル）（４−フェニルインデニル）
ジエチルジルコニウム；ジメチルシランジイルビス（２
−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニ
ウム；ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４−フ
ェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；ジメチルシ
ランジイルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピル
インデニル）ジエチルジルコニウム；ジメチルシランジ
イルビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデ
ニル）ジエチルジルコニウム；ジメチルシランジイルビ
ス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジ
ルコニウム；ジメチルシランジイルビス（２−エチル−
４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；。

【００５６】メチルフェニルシランジイルビス（インデ
ニル）ジエチルジルコニウム；メチルフェニルシランジ
イル（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジエチル
ジルコニウム；メチルフェニルシランジイルビス（テト
ラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；メチルフ
ェニルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジエ
チルジルコニウム；メチルフェニルシランジイルビス
（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウム；メチ
ルフェニルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベ
ンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；メチルフェニ
ルシランジイルビス（２−エチル−４，５−ベンゾイン
デニル）ジエチルジルコニウム；メチルフェニルシラン
ジイルビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シ
クロペント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジエ
チルジルコニウム；メチルフェニルシランジイル（２−
メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４
−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；メチル
フェニルシランジイル（２−エチルインデニル）（２−
メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウ
ム；メチルフェニルシランジイル（２−メチル−４，５
−ベンゾインデニル）（２−エチル−４−フェニルイン
デニル）ジエチルジルコニウム；メチルフェニルシラン
ジイル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２
−エチル−インデニル）ジエチルジルコニウム；メチル
フェニルシランジイル（２−メチルインデニル）（４フ
ェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；。

【００５７】メチルフェニルシランジイルビス（２−メ
チル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビスジエチルジルコニウ
ム；メチルフェニルシランジイルビス（２−メチル−
４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニ
ウム；メチルフェニルシランジイルビス（２−エチル−
４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニ
ウム；メチルフェニルシランジイルビス（４−ナフチル
インデニル）ジエチルジルコニウム；メチルフェニルシ
ランジイルビス（２−エチル−４−ナフチルインデニ
ル）ジエチルジルコニウム；ジフェニルシランジイルビ
ス（インデニル）ジエチルジルコニウム；ジフェニルシ
ランジイルビス（２−メチルインデニル）ジエチルジル
コニウム；ジフェニルシランジイルビス（２−エチルイ
ンデニル）ジエチルジルコニウム；ジフェニルシランジ
イル（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジエチル
ジルコニウム；ジフェニルシランジイルビス（２−メチ
ル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウ
ム；ジフェニルシランジイルビス（２−エチル−４，５
−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；ジフェニ
ルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニ
ル）（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジ
ルコニウム；ジフェニルシランジイル（２−エチル−
４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４フェニル
インデニル）ジエチルジルコニウム；ジフェニルシラン
ジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２
−エチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウ
ム；ジフェニルシランジイル（２−エチル−４，５−ベ
ンゾインデニル）（２−エチル−４ナフチルインデニ
ル）ジエチルジルコニウム；ジフェニルシランジイル
（２−メチルインデニル）（４フェニルインデニル）ジ
エチルジルコニウム；ジフェニルシランジイルビス（２
−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウ
ム；ジフェニルシランジイルビス（２−エチル−４フェ
ニルインデニル）ジエチルジルコニウム；ジフェニルシ
ランジイルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピル
インデニル）ジエチルジルコニウム；。

【００５８】ジフェニルシランジイルビス（２−エチル
−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコ
ニウム；ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−４
−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；ジフェ
ニルシランジイルビス（２−エチル−４−ナフチルイン
デニル）ジエチルジルコニウム；１−シラシクロペンタ
ン−１、１−ビス（インデニル）ジエチルジルコニウ
ム；１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（２−メチ
ルインデニル）ジエチルジルコニウム；１−シラシクロ
ペンタン−１、１−ビス（２−エチルインデニル）ジエ
チルジルコニウム；１−シラシクロペンタン−１、１−
ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチ
ルジルコニウム；１−シラシクロペンタン−１、１−ビ
ス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチル
ジルコニウム；１−シラシクロペンタン−１−（２−メ
チル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−メチル
−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；１
−シラシクロペンタン−１−（２−エチル−４，５−ベ
ンゾインデニル）−１−（２−メチル−４−フェニルイ
ンデニル）ジエチルジルコニウム；１−シラシクロペン
タン−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）
−１−（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチ
ルジルコニウム；１−シラシクロペンタン−１−（２−
エチル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−エチ
ル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−メチルインデニ
ル）−１−（４−フェニルインデニル）ジエチルジルコ
ニウム；１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−
メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウ
ム；１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−エチ
ル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−メチル−
４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニ
ウム；１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−エ
チル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジ
ルコニウム；１−シラシクロペンタン−１，１−ビス
（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジル
コニウム；１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２
−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニ
ウム；ビス（シクロペンタジエニル）ジエチルチタン；
エチレン−１，２−ビス（インデニル）ジエチルジルコ
ニウム；エチレン−１，２−ビス（テトラヒドロインデ
ニル）ジエチルジルコニウム；エチレン−１−（シクロ
ペンタジエニル）−２−（１−インデニル）ジエチルジ
ルコニウム；エチレン−１−（シクロペンタジエニル）
−２−（２−インデニル）ジエチルジルコニウム；エチ
レン−１−（シクロペンタジエニル）−２−（２−メチ
ル−１−インデニル）ジエチルジルコニウム；エチレン
−１，２−ビス（２−メチルインデニル）ジエチルジル
コニウム；エチレン−１，２−ビス（２−エチルインデ
ニル）ジエチルジルコニウム；エチレン−１，２−ビス
（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジ
ルコニウム；エチレン−１，２−ビス（２−エチル−
４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；。

【００５９】エチレン−１，２−ビス（４，５−ジヒド
ロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント〔ｅ〕アセナフチ
レン−７−イリデン）ジエチルジルコニウム；エチレン
−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２
−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジ
ルコニウム；エチレン−１−（２−エチル−４，５−ベ
ンゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルイ
ンデニル）ジエチルジルコニウム；エチレン−１−（２
−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エ
チル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウ
ム；エチレン−１−（２−エチル−４，５−ベンゾイン
デニル）−２−（２−エチル−４−ナフチルインデニ
ル）ジエチルジルコニウム；エチレン−１−（２−メチ
ルインデニル）−２−（４−フェニルインデニル）ジエ
チルジルコニウム；エチレン−１，２−ビス（２−メチ
ル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４−フェニルイ
ンデニル）ジエチルジルコニウム；エチレン−１，２−
ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニ
ル）ジエチルジルコニウム；エチレン−１，２−ビス
（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジ
エチルジルコニウム；エチレン−１，２−ビス（２−メ
チル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウ
ム；エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４−ナフチ
ルインデニル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−
２，２−ビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；プ
ロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（１−イン
デニル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−２−シク
ロペンタジエニル−２−（４−フェニル−１−インデニ
ル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−２−シクロペ
ンタジエニル−２−（９−フルオレニル）ジエチルジル
コニウム；プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２
−（２，７−ジメトキシ−９−フルオレニル）ジエチル
ジルコニウム；プロピレン−２−シクロペンタジエニル
−２−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９−フルオレ
ニル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−２−シクロ
ペンタジエニル−２−（２，７−ジブロモ−９−フルオ
レニル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−２−シク
ロペンタジエニル−２−（２，７−ジフェニル−９−フ
ルオレニル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−２−
シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジメチル−９−
フルオレニル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−２
−（３−メチルシクロペンタジエニル）−２−（２，７
−ジエチル９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタ
ジエニル）−２−（２，７−ジブチル−９−フルオレニ
ル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−２−（３−ト
リメチルシリルシクロペンタジエニル）−２−（３，６
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９−フルオレニル）ジエチル
ジルコニウム；プロピレン−２−シクロペンタジエニル
−２−［２，７−ビス（３−ブテン−１−イル）−９−
フルオレニル］ジエチルジルコニウム；プロピレン−２
−シクロペンタジエニル−２−（３−ｔｅｒｔ−ブチル
−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；プロピレ
ン−２，２−ビス（テトラヒドロインデニル）ジエチル
ジルコニウム；プロピレン−２，２−ビス（２−メチル
インデニル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−２，
２−ビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウ
ム；プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４，５−
ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；プロピレン
−２，２−ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニ
ル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−２，２−ビス
（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント
〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジエチルジルコ
ニウム；プロピレン−２−（２−メチル−４，５−ベン
ゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルイン
デニル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−２−（２
−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−メ
チル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウ
ム；プロピレン−２−（２−メチル−４，５−ベンゾイ
ンデニル）−２−（２−エチル−４−フェニルインデニ
ル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−２−（２−エ
チル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エチル
−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；プ
ロピレン−２−（２−メチルインデニル）−２−（４−
フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；プロピレ
ン−２，２−ビス（２−メチル−４−フェニルインデニ
ル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−２，２−ビス
（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジル
コニウム；プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−
４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニ
ウム；プロピレン−２，２−ビス（２−エチル−４，６
−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４−ナフチル
インデニル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−２，
２−ビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエ
チルジルコニウム；。

【００６０】１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メ
チル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウ
ム］ヘキサン；１，６−ビス［メチルシリルビス（２−
メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニ
ウム］ヘキサン；１，６−ビス［メチルシリルビス（２
−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニ
ウム］ヘキサン；１，６−ビス［メチルシリルビス（２
−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニ
ウム］ヘキサン；１，６−ビス［メチルシリルビス（２
−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチ
ルジルコニウム］ヘキサン；１，６−ビス［メチルシリ
ル（２−メチル−４フェニルインデニル）（４，５−ベ
ンゾインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；１
−［メチルシリルビス（テトラヒドロインデニル）ジエ
チルジルコニウム］−６−［エチルスタニル（シクロペ
ンタジエニル）（フルオレニル）ジエチルジルコニウ
ム］ヘキサン；１，６−ジシラ−１，１，６，６−テト
ラメチル−１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチ
ル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘ
キサン；１，４−ジシラ１，４−ビス［メチルシリルビ
ス（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジル
コニウム］シクロヘキサン；［１，４−ビス（１−イン
デニル）−１，１，４，４−テトラメチル−１，４−ジ
シラブタン］ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル
ジエチルジルコニウム）；［１，４−ビス（９−フルオ
レニル）−１，１，４，４−テトラメチル−１，４−ジ
シラブタン］ビス（シクロペンタジエニルジエチルジル
コニウム）；［１，４−ビス（１−インデニル）−１，
１，４，４−テトラメチル−１，４−ジシラブタン］ビ
ス（シクロペンタジエニルジエチルジルコニウム）；
［１−（１−インデニル）−６−（２−フェニル−１−
インデニル）−１，１，６，６−テトラエチル−１，６
−ジシラ−４−オキサヘキサン］ビス（ｔｅｒｔ−ブチ
ルシクロペンタジエニルジエチルジルコニウム）；
［１，１０−ビス（２，３−ジメチル−１−インデニ
ル）−１，１，１０，１０−テトラメチル−１，１０−
ジゲルマデカン］ビス（２−メチル−４−フェニルイン
デニルジエチルジルコニウム）；（１−メチル−３−ｔ
ｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（１−フェニル
−４−メトキシ−７−クロロフルオレニル）ジエチルジ
ルコニウム；（４，７−ジクロロインデニル）（３，６
−ジメシチルフルオレニル）ジエチルジルコニウム；ビ
ス（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９−シクロへキシ
ルフルオレニル）ジエチルジルコニウム；（２，７−ジ
メシチルフルオレニル）［２，７−ビス（１−ナフチ
ル）フルオレニル］ジエチルジルコニウム；ジメチルシ
リルビス（フルオレニル）ジエチルジルコニウム；ジブ
チルスタニルビス（２−メチルフルオレニル）ジエチル
ジルコニウム；１，１，２，２−テトラエチルジシラン
ジイル（２−メチルインデニル）（４−フェニルフルオ
レニル）ジエチルジルコニウム；プロピレン−１−（２
−インデニル）−２−（９−フルオレニル）ジエチルジ
ルコニウム；１，１−ジメチル−１−シラエチレンビス
（フルオレニル）ジエチルジルコニウム；［４−（シク
ロペンタジエニル）４，７，７−トリメチル（テトラヒ
ドロインデニル）ジエチルジルコニウム；［４−（シク
ロペンタジエニル）４，７−ジメチル−７−フェニル
（５，６−ジメチルテトラヒドロインデニル）ジエチル
ジルコニウム；［４−（シクロペンタジエニル）−４，
７−ジメチル−７−（１−ナフチル）（７−フェニルテ
トラヒドロインデニル）］ジエチルジルコニウム；［４
−（シクロペンタジエニル）−４，７−ジメチル−７−
ブチル（６，６−ジエチルテトラヒドロインデニル）］
ジエチルジルコニウム；［４−（３−ｔｅｒｔ−ブチル
シクロペンタジエニル）−４，７，７−トリメチル（テ
トラヒドロインデニル）］ジエチルジルコニウム；［４
−（１−インデニル）−４，７，７−トリメチル（テト
ラヒドロインデニル）］ジエチルジルコニウム；ビス
（シクロペンタジエニル）ジエチルハフニウム；ビス
（インデニル）ジエチルバナジウム；ビス（フルオレニ
ル）ジエチルスカンジウム；（インデニル）（フルオレ
ニル）ジエチルニオブ；（２−メチル−７−ナフチルイ
ンデニル）（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニ
ル）ジエチルチタン；臭化（ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル）（テトラヒドロインデニル）ブチルハフニウ
ム；（シクロペンタジエニル）（１−オクテン−８−イ
ルシクロペンタジエニル）ジエチルハフニウム。

【００６１】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
ただし、本発明は、下記の実施例に制限されるものでは
ない。

【００６２】反応は窒素雰囲気下で行なった。溶媒とし
て用いたトルエンはナトリウムとベンゾフェノンより蒸
留した。ジルコノセンジクロリドは日亜化学工業より、
(C₆F ₅)₃Bはアルドリッチ（Aldrich Chemical Company,
Inc）よりそれぞれ購入した。ジルコニウム複核錯体(Cp
₂ZrMe)₂ (CH₂CH₂)は既知の方法で合成した。

【００６３】¹H-NMRおよび¹³C-NMRスペクトルは、Bruke
r ARX-400またはJEOL JNM-AL300 NMR spectrometerを用
いて測定し、THF-d8を溶媒として用いた。ガスクロマト
グラフ分析は、シリカガラスキャピラリカラムSHIMADZU
CBP1-M25-O25 及び SHIMADZU C-R6A-Chromatopac inte
grator を備えたSHIMADZU GC-14A ガスクロマトグラフ
で測定した。

【００６４】実施例１

【化８】 (C₆F₅)₃B (154 mg, 0.3 mmol)のトルエン溶液(10 mL)に
蒸留水(10.8 μL, 0.6mmol)および複核錯体(Cp₂ZrMe)₂
(CH₂CH₂) (150 mg, 0.3 mmol)を室温で加え、そのまま
室温で1時間撹拌することで白い沈殿が生成した。ろ過
により溶媒を除き、得られた沈殿物をトルエンで洗った
後減圧乾燥させた。白色固体のジルコニウム三核錯体(1
67 mg, 0.115 mmol) が単離収率77%で得られた。Ｘ線結
晶構造解析により構造を決定した。

【００６５】¹H-NMR (THF-d8)δ2.48 (s, 6H), 3.23
(s, 3H), 6.50 (s, 30H), 7.25-7.38(m, 10H); ¹³C-NMR
(THF-d8)δ21.98, 42.60, 114.55, 126.52, 129.40, 1
30.16, 138.02 (JC-F = 261 Hz), 138.93, 140.01 (JC-
F = 244 Hz), 149.55 (JC-F =251 Hz)。

【００６６】

【発明の効果】本発明により、様々な三核錯体を選択的
に得ることができる。

フロントページの続きＦターム(参考） 4H050 AB40 BE60 BE90 4J028 AA01A AB01A AC01A AC10A AC28A BA00A BA01B BB00A BB00B BC13B EB01 4J128 AA01 AB01 AC01 AC10 AC28 AD00 BA00A BA01B BB00A BB00B BC13B EB01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記式（Ｉ）又は下記式（Ｉ’）で表現さ
れる複核オレフィン錯体に、【化１】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ、互いに独
立し、同一または異なって、水素原子又はＣ₁〜Ｃ₁₀炭
化水素基であり、Ａは、置換基を有していてもよいＣ₁〜Ｃ₄₀炭化水素
基；ハロゲン原子；置換基を有してもよいケイ素；置換
基を有していてもよいゲルマニウム原子；置換基を有し
ていてもよい酸素原子；置換基を有していてもよいリン
原子；置換基を有していてもよいスズ原子；置換基を有
していてもよい窒素原子、又は、置換基を有していても
よい硫黄原子であり、Ｍ¹及びＭ²は、互いに独立し、同一又は異なって、周期
表の第３族〜第５族またはランタニド系列の金属を示
し；Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³及びＬ⁴は、互いに独立し、同一また
は異なって、アニオン性配位子を示す。ただし、Ｌ¹及
びＬ²、又は、Ｌ³及びＬ⁴は、架橋されていてもよ
い。）下記式（ＩＩ）で示されるボラン誘導体と、Ｂ（Ｒ⁵）₃ （ＩＩ）（式中、Ｒ⁵は、水素原子；置換基を有していてもよい
Ｃ₁〜Ｃ₂₀炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ₁〜
Ｃ₂₀アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ₆〜Ｃ
₂₀アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ
基；置換基を有していてもよいシリル基、又は水酸基で
ある。）水とを反応させることによって生成される三核錯体。
【請求項２】Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴が、水素原子であ
る、請求項１に記載の三核錯体。
【請求項３】Ｍ¹及びＭ²が、互いに独立し、同一又は異
なって、周期表第４族もしくは第５族またはランタニド
系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η⁵−配位系配
位子である、請求項１又は２に記載の三核錯体。
【請求項４】前記非局在化環状η⁵−配位系配位子が、
置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデ
ニル基、フルオレニル基又はアズレニル基である請求項
３に記載の三核錯体。
【請求項５】三核錯体の製造方法であって、下記式
（Ｉ）又は下記式（Ｉ’）で表現される複核オレフィン
錯体に、【化２】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ、互いに独
立し、同一または異なって、水素原子又はＣ₁〜Ｃ₁₀炭
化水素基であり、Ａは、置換基を有していてもよいＣ₁〜Ｃ₄₀炭化水素
基；ハロゲン原子；置換基を有してもよいケイ素；置換
基を有していてもよいゲルマニウム原子；置換基を有し
ていてもよい酸素原子；置換基を有していてもよいリン
原子；置換基を有していてもよいスズ原子；置換基を有
していてもよい窒素原子、又は、置換基を有していても
よい硫黄原子であり、Ｍ¹及びＭ²は、互いに独立し、同一又は異なって、周期
表の第３族〜第５族またはランタニド系列の金属を示
し；Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³及びＬ⁴は、互いに独立し、同一また
は異なって、アニオン性配位子を示す。ただし、Ｌ¹及
びＬ²、又は、Ｌ³及びＬ⁴は、架橋されていてもよ
い。）下記式（ＩＩ）で示されるボラン誘導体と、Ｂ（Ｒ⁵）₃ （ＩＩ）（式中、Ｒ⁵は、水素原子；置換基を有していてもよい
Ｃ₁〜Ｃ₂₀炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ₁〜
Ｃ₂₀アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ₆〜Ｃ
₂₀アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ
基；置換基を有していてもよいシリル基、又は水酸基で
ある。）水とを反応させることを特徴とする三核錯体の製造方
法。
【請求項６】Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴が、水素原子であ
る、請求項５に記載の三核錯体の製造方法。
【請求項７】Ｍ¹及びＭ²が、互いに独立し、同一又は異
なって、周期表第４族もしくは第５族またはランタニド
系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η⁵−配位系配
位子である、請求項５又は６に記載の三核錯体の製造方
法。
【請求項８】前記非局在化環状η⁵−配位系配位子が、
置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデ
ニル基、フルオレニル基又はアズレニル基である請求項
７に記載の三核錯体の製造方法。