JP2002261206A - 半導体の冷却構造体 - Google Patents

半導体の冷却構造体

Info

Publication number
JP2002261206A
JP2002261206A JP2001060315A JP2001060315A JP2002261206A JP 2002261206 A JP2002261206 A JP 2002261206A JP 2001060315 A JP2001060315 A JP 2001060315A JP 2001060315 A JP2001060315 A JP 2001060315A JP 2002261206 A JP2002261206 A JP 2002261206A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
semiconductors
semiconductor
thickness
cooling structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001060315A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3679721B2 (ja
Inventor
Yoshimitsu Maeda
慶満 前田
Shunsuke Yamada
俊介 山田
Junzo Shiomi
淳三 塩見
Hajime Funahashi
一 舟橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Polymer Industries Co Ltd
Original Assignee
Fuji Polymer Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Polymer Industries Co Ltd filed Critical Fuji Polymer Industries Co Ltd
Priority to JP2001060315A priority Critical patent/JP3679721B2/ja
Publication of JP2002261206A publication Critical patent/JP2002261206A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3679721B2 publication Critical patent/JP3679721B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体と放熱体と間の距離に違いがあっても熱
対策が必要な半導体の数より少ない数の放熱シートで半
導体を冷却できる構造体を提供する。 【解決手段】基板5上に実装された高さの異なる複数の
半導体6a,6b,6c、または放熱体の厚みの差がある実装体
の半導体から発生する熱を放熱シート1で放熱体7に放熱
する構造体であって、半導体6a,6b,6cと放熱体７の間に
は放熱させるための半導体の数より少ない数の放熱シー
ト１を介在させる。放熱シート１は上下両面表層部がゴ
ム状に硬化させた薄膜補強層であり、内層に未加硫のコ
ンパウンド層が存在し、前記内層は外側にはみ出す程度
に流動性がある。これにより、内部のコンパウンドは未
硬化なため圧力がかかっても徐々に緩和していくため多
少の半導体と放熱体と間の距離は吸収できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の冷却構造
体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンピュータ（ＣＰＵ），ビデオ
チップ，メモリーなどの半導体は使用中に発熱し、その
熱のため電子部品の性能が低下することがある。そのた
め発熱するような電子部品には放熱体が取り付けられ
る。これら発熱素子と放熱体の間には通常、インターフ
ェイスとして放熱シートが用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般にこれら半導体の
熱対策をするときに発熱する半導体に対してそれぞれ放
熱シートを介在させていた。むろん多数の半導体が隣接
している場合は一括して放熱シートを放熱体の間介在さ
せる例がある。
【０００４】しかし、基板上に実装される半導体は高さ
は一様でない。また、基板上にはいろいろな働きをする
半導体が散在して配置されている。そのため各半導体に
対して違う厚みの放熱シートを用意して放熱体に密着さ
せている。また、放熱体も設計上いつも平面とは限らな
いため、同様に各半導体に対して違う厚みの放熱シート
を用意して放熱体に密着させていた。さらに現状でも厚
みの厚い放熱シートを用いることによって若干の高低差
を吸収させて使用されている例もあるが、半導体間の距
離がある場合に限られている。そうなると熱対策する半
導体毎に放熱シートを貼り付けることが多くなり非常に
面倒である。さらに熱対策に用いられる放熱シートは最
近では柔らかいシリコーンゲルシートが用いられること
が多いためますます面倒になってきた。
【０００５】本発明は、前記従来の課題を解決するた
め、半導体と放熱体と間の距離に違いがあっても熱対策
が必要な半導体の数より少ない数の放熱シートを介在す
ることによって半導体の冷却ができる構造体を提案する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の半導体の冷却構造体は、基板上に実装され
た基板からの高さの異なる複数の半導体、または放熱体
の厚みの差がある実装体の半導体から発生する熱を放熱
シートで冷却する構造体であって、前記半導体と前記放
熱体の間には半導体の数より少ない数の放熱シートを介
在させるとともに、前記放熱シートは上下両面表層部が
ゴム状に硬化させた薄膜補強層であり、内層に未加硫の
コンパウンド層が存在し、前記内層は外側にはみ出して
いることを特徴とする。
【０００７】
【発明実施の形態】本発明においては、基板からの高さ
の異なる複数の半導体の基板からの高さの差が、０．２
ｍｍ以上であっても有効に放熱できる。同様に、半導体
の高さは同じであるが放熱体の厚みの差がある実装体の
厚みの差が、０．２ｍｍ以上であっても有効に放熱でき
る。
【０００８】前記本発明の半導体の冷却構造に使用する
放熱シートは、上下表面表層部がゴム状に硬化させた薄
膜補強層であり、その間に未加硫のコンパウンド層が存
在しその未加硫コンパウンド層の稠度が１８０以上であ
ることが好ましい。
【０００９】また、薄膜補強層および未加硫のコンパウ
ンド層が、いずれもポリオルガノシロキサン成分１００
重量部に対して無機物フィラー５０〜２５００重量部か
らなるコンパウンドであることが好ましい。
【００１０】また、上下両面表層部の薄膜補強層の厚み
が０．００２〜０．５ｍｍの範囲であり、その間の未加
硫のコンパウンド層の厚みが０．２５〜１０ｍｍの範囲
であることが好ましい。
【００１１】また、厚さ方向から荷重を１０ｇｆ／ｍｍ
2以上かけたとき、内層の未加硫のコンパウンド層が外
側にはみ出すことが好ましい。
【００１２】また、厚さ方向から荷重をかけ、５０％圧
縮した後、１分後の荷重値が、２０ｇｆ／ｍｍ2以下で
あることが好ましい。
【００１３】また、表面表層部のアスカーＣ硬度が１０
以上であることが好ましい。
【００１４】本発明の半導体の冷却構造は基板上に実装
された基板からの高さが異なる半導体，基板上に散在し
ている半導体，均一の厚みでない放熱体を少ない枚数の
放熱シートで熱対策ができるため簡単な熱設計，実装を
実現できる。
【００１５】放熱シートの材質はアクリル，ウレタン，
シリコーンなどがありそれらの誘導体も適宜使用してよ
い。耐熱性を考慮するとシリコーンを使用するのが好ま
しい。
【００１６】両表面の架橋密度を高くさせる方法として
は放熱シートを構成する樹脂分を硬化させる成分を放熱
シート表面に多く存在させ硬度を硬くするのが好まし
い。
【００１７】以下、図面とともに本発明の放熱シートを
説明する。図１は本発明の一実施形態の低硬度放熱シー
トの断面図である。放熱シート１は、上下両面表層部が
ゴム状に硬化させた薄膜補強層２，３と、その間の未加
硫のコンパウンド層４によって形成されている。図２
は、厚さ方向に圧縮荷重がかかったときの断面図であ
る。未加硫のコンパウンド層４は両方の側面から膨出す
るため、応力を緩和でき、荷重値を低くすることができ
る。
【００１８】本発明の放熱シートは、好適には上下面の
いずれかの表層部から荷重を１０ｇｆ／ｍｍ2以上かけ
たとき、内層の未加硫のコンパウンド層が外側にはみ出
す。これにより、圧縮荷重がかかったとき、内層の未加
硫のコンパウンド層の外側へのはみ出しにより、応力を
緩和でき、その結果、発熱素子に加わる荷重を低減する
ことができる。
【００１９】本発明の未加硫のコンパウンドを薄膜補強
層にするには、シリコン原子に直接結合している水素原
子が１分子中に少なくとも２個含有するオルガノハイド
ロジェンポリシロキサンが好適に使用される。
【００２０】薄膜補強層の作成方法は、樹脂フィルムに
あらかじめオルガノハイドロジェンポリシロキサンを塗
布しておき、得られたオルガノハイドロジェンポリシロ
キサン層を内側に配置してその２枚の樹脂フィルムの間
に未加硫のコンパウンドを充填し、前記オルガノハイド
ロジェンポリシロキサン層を未加硫のコンパウンドの両
表面に転写して一体成形するのが好ましい。
【００２１】成形方法としてはプレス成形、コーティン
グ成形、カレンダー成形等があり未加硫のコンパウンド
の性状でどの加工方法にするかは任意に選択できる。
【００２２】樹脂フィルムにポリオルガノハイドロジェ
ンポリシロキサンを塗布するにはナイフコーター，バー
コーター，グラビアコーター，多段ロールコーターなど
がありどれを用いてもよい。
【００２３】放熱シートの切り口から未加硫のコンパウ
ンドが滲みでてこないように未加硫のコンパウンドの稠
度は１８０以上が好ましい。
【００２４】未加硫のコンパウンドは架橋剤の添加され
ていないポリオルガノシロキサン成分１００重量部に対
して無機物フィラー５０〜２５００重量部から構成され
る。
【００２５】前記低硬度放熱シートは、スパーカッター
などのように刃がシート上面から下りて裁断する形式で
はカット面が凸凹になりやすいため、ロータリーカッタ
ーのような丸刃で裁断されることが好ましい。
【００２６】コンパウンドは、無機物フィラーが酸化ア
ルミニウム，酸化亜鉛，酸化マグネシウム及び窒化硼素
から選ばれる少なくともひとつの無機粒子であることが
好ましい。無機物フィラーにはシランカップリング剤，
チタンカップリング剤，アルミニウムカップリング剤な
どの処理をしてもよい。
【００２７】難燃性付与のため白金系化合物を添加しも
よい。白金系化合物としては塩化白金酸，アルコール変
性塩化白金，白金オレフィン錯体，メチルビニルポリシ
ロキサン白金錯体から選ばれる少なくともひとつである
ことが好ましい。また、難燃助剤として酸化鉄，酸化チ
タン，水酸化アルミニウム，水酸化マグネシウムなどが
あり一種または二種の混合物が好適に用いられる。
【００２８】前記した本発明の低硬度放熱シートは上下
面表層部がゴム状に硬化させた薄膜補強層であり、その
間に未加硫のコンパウンドが存在することにより発熱素
子に加わる荷重を低減することのできる放熱シートにな
りしかも上下面表層部がゴム状に硬化させた薄膜補強層
であるため取り扱い性が良好な低硬度放熱シートを得る
ことができる。
【００２９】
【実施例】以下実施例により本発明をさらに具体的に説
明する。
【００３０】ここで使用する無機物フィラーは、フィラ
ー表面をビニルトリメトキシシランなどのカップリング
剤（例えば商品名「ＳＺ６３００」、東レ・ダウコーニ
ングシリコーン株式会社）により処理をした。処理方法
は乾式法であり、具体的には無機物フィラーをニーダー
ミキサーなどの混練機で攪拌中に前記カップリング剤を
滴下し、３０分間攪拌した後、１２０℃に設定した熱風
オーブン中で１時間乾燥して、目的とする無機物フィラ
ーを得た。
【００３１】樹脂フィルムはポリプロピレンフィルムを
使用した。
【００３２】樹脂フィルムへのオルガノハイドロジェン
ポリシロキサン（ＳＨ１１０７ 東レ・ダウコーニング
シリコーン（株）製）をバーコーターにより厚さ５μｍ
で塗布した。得られた２枚の樹脂フィルムのオルガノハ
イドロジェンポリシロキサン層を内側に配置してその間
に未加硫のコンパウンドを充填し、前記オルガノハイド
ロジェンポリシロキサン層を未加硫のコンパウンドの両
表面に転写して一体成形する方法を採用した。
【００３３】
【実施例１】架橋剤が添加されてないポリオルガノシロ
キサン１００重量部（ＳＥ４４００のＡ液 東レ・ダウ
コーニングシリコーン（株））製に酸化アルミニウム１
００重量部（ＡＬ３０ 昭和電工株式会社製））を添加
混練りすることによって、未加硫のコンパウンドを得た
（稠度：１９０）。これを前記オルガノハイドロジェン
ポリシロキサンを塗布した樹脂フィルム二枚でプレスで
１２０℃、５分で硬化させ成型することで放熱シートを
得ることができた。
【００３４】得られた放熱シートの両表面の薄膜補強層
の厚みは０．１ｍｍ、未加硫のコンパウンド層の厚みは
１．８ｍｍ、トータル厚さ２．０ｍｍであった。
【００３５】得られた放熱シートの特性は、硬度（アス
カーＣ）が２３であり、５０％圧縮荷重（１分後）１０
kgf荷重で１６gf/mm2、熱伝導率は２．５W/m・Kであ
り、表層部から荷重を10gf/mm2かけたとき、内層の未加
硫のコンパウンド層が外側にはみ出す性質を有してい
た。
【００３６】得られた放熱シート１を図３Ａに示す半導
体実装基板に組み込んだ。具体的には、基板５の表面の
半径５２ｍｍの円内に、高さ１．８ｍｍの半導体（Ｉ
Ｃ）６ａと、高さ２．０ｍｍの半導体（ＩＣ）６ｂと、
高さ１．８ｍｍの半導体（ＩＣ）６ｃが実装されてい
る。図３Ｂの側面図に示すように、基板５と放熱板であ
る厚さ２ｍｍのアルミニウム板７との間に１枚の放熱シ
ート１を挟み込み実装した。
【００３７】その結果、一枚の放熱シートのみですべて
の半導体温度を７０℃以下にすることができた。
【００３８】以上の実施例によれば、基板5上に実装さ
れた高さの異なる複数の半導体6a,6b,6cから発生する熱
を放熱シート1で放熱体7に放熱する構造体であって、半
導体6a,6b,6cと放熱体７の間には半導体の数より少ない
数の放熱シート１を介在させる。放熱シート１は上下両
面表層部がゴム状に硬化させた薄膜補強層であり、内層
に未加硫のコンパウンド層が存在し、前記内層は外側に
はみ出す程度に流動性がある。これにより、内部のコン
パウンドは未硬化なため圧力がかかっても徐々に緩和し
ていくため多少の半導体と放熱体と間の距離は吸収でき
る。
【００３９】
【実施例２】実施例１と同様な方法で厚さ１．５ｍｍの
放熱シート（図４Ｂの符号１１）と厚さ３．０ｍｍの放
熱シート（図４Ｂの符号１２）を得た。得られた放熱シ
ートの両表面の薄膜補強層の厚みは０．１ｍｍであっ
た。
【００４０】得られた放熱シートの特性は、硬度（アス
カーＣ）が２３であり、５０％圧縮荷重（１分後）１０
kgf荷重で１６gf/mm2、熱伝導率は２．５W/m・Kであ
り、表層部から荷重を10gf/mm2かけたとき、内層の未加
硫のコンパウンド層が外側にはみ出す性質を有してい
た。
【００４１】得られた放熱シートを図４Ａに示す半導体
実装基板に組み込んだ。具体的には、基板１５の表面の
半径６０ｍｍの円内に、高さ２．３ｍｍの半導体（Ｉ
Ｃ）１６ａと、高さ２．５ｍｍの半導体（ＩＣ）１６ｂ
と、高さ２．５ｍｍの半導体（ＩＣ）１６ｃと、高さ
１．８ｍｍの半導体（ＩＣ）１６ｄと、高さ１．５ｍｍ
の半導体（ＩＣ）１６ｅが実装されている。図４Ｂの側
面図に示すように、基板１５と放熱板である厚さ２ｍｍ
のアルミニウム板１７との間に２枚の放熱シート１１，
１２を挟み込み実装した。
【００４２】その結果、実施例１と同様に効率よく半導
体の冷却ができた。
【００４３】
【実施例３】実施例１と同様な方法で厚さ１．３ｍｍの
放熱シート（図５Ｂの符号２１）を得た。得られた放熱
シートの両表面の薄膜補強層の厚みは０．１ｍｍであっ
た。
【００４４】得られた放熱シートの特性は、硬度（アス
カーＣ）が２３であり、５０％圧縮荷重（１分後）１０
kgf荷重で１６gf/mm2、熱伝導率は２．５W/m・Kであ
り、表層部から荷重を10gf/mm2かけたとき、内層の未加
硫のコンパウンド層が外側にはみ出す性質を有してい
た。
【００４５】得られた放熱シートを図５Ａに示す半導体
実装基板に組み込んだ。具体的には、基板２５の表面の
半径５２ｍｍの円内に、高さ１．８ｍｍの半導体（Ｉ
Ｃ）２６ａと、高さ１．８ｍｍの半導体（ＩＣ）２６ｂ
と、高さ１．８ｍｍの半導体（ＩＣ）２６ｃが実装され
ている。図５Ｂの側面図に示すように、基板２５と放熱
板であるアルミニウム板（通常の部分の厚さ２．０ｍ
ｍ，凸部の厚さ２．３ｍｍ）２７との間に１枚の放熱シ
ート２１を挟み込み実装した。
【００４６】その結果、実施例１と同様に効率よく半導
体の冷却ができた。
【００４７】以上の実施例によれば、基板25上に実装さ
れた複数の半導体26a,26b,26cを有し、放熱体27の厚み
の差がある実装体の半導体から発生する熱を放熱シート
21で放熱体27に放熱する構造体であって、半導体26a,26
b,26cと放熱体2７の間に半導体の数より少ない数の放熱
シート21を介在させる。放熱シート2１は上下両面表層
部がゴム状に硬化させた薄膜補強層であり、内層に未加
硫のコンパウンド層が存在し、前記内層は外側にはみ出
す程度に流動性がある。これにより、内部のコンパウン
ドは未硬化なため圧力がかかっても徐々に緩和していく
ため多少の半導体と放熱体と間の距離は吸収できる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
半導体と放熱体と間の距離に違いがあっても熱対策が必
要な半導体の数より少ない数の放熱シートを介在するこ
とによって半導体の冷却ができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の低硬度放熱シートの断面
図である。
【図２】同、厚さ方向に圧縮荷重がかかったときの断面
図である。
【図３】Ａは本発明の実施例１で用いる半導体実装基板
の平面配置図、Ｂは同実施例１の放熱シートを挟み込み
実装した側面図である。
【図４】Ａは本発明の実施例２で用いる半導体実装基板
の平面配置図、Ｂは同実施例２の放熱シートを挟み込み
実装した側面図である。
【図５】Ａは本発明の実施例３で用いる半導体実装基板
の平面配置図、Ｂは同実施例３の放熱シートを挟み込み
実装した側面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩見 淳三 愛知県西加茂郡小原村鍛冶屋敷175番地 富士高分子工業株式会社愛知工場内 (72)発明者 舟橋 一 愛知県西加茂郡小原村鍛冶屋敷175番地 富士高分子工業株式会社愛知工場内 Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BB21 BC24 BD21

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に実装された基板からの高さの異な
    る複数の半導体、または放熱体の厚みの差がある実装体
    の半導体から発生する熱を放熱シートで冷却する構造体
    であって、 前記半導体と前記放熱体の間には半導体の数より少ない
    数の放熱シートを介在させるとともに、 前記放熱シートは上下両面表層部がゴム状に硬化させた
    薄膜補強層であり、内層に未加硫のコンパウンド層が存
    在し、前記内層は外側にはみ出していることを特徴とす
    る半導体の冷却構造体。
  2. 【請求項２】基板からの高さの異なる複数の半導体の基
    板からの高さの差が、０．２ｍｍ以上である請求項１に
    記載の半導体の冷却構造体。
  3. 【請求項３】半導体の高さは同じであるが放熱体の厚み
    の差がある実装体の厚みの差が、０．２ｍｍ以上である
    請求項１に記載の半導体の冷却構造体。
  4. 【請求項４】未加硫のコンパウンド層の稠度が１８０以
    上である請求項１に記載の半導体の冷却構造体。
  5. 【請求項５】薄膜補強層および未加硫のコンパウンド層
    が、いずれもポリオルガノシロキサン成分１００重量部
    に対して無機物フィラー５０〜２５００重量部からなる
    コンパウンドである請求項１に記載の半導体の冷却構造
    体。
  6. 【請求項６】上下両面表層部の薄膜補強層の厚みが０．
    ００２〜０．５ｍｍの範囲であり、その間の未加硫のコ
    ンパウンド層の厚みが０．２５〜１０ｍｍの範囲である
    請求項１〜５のいずれかに記載の半導体の冷却構造体。
  7. 【請求項７】厚さ方向から荷重を１０ｇｆ／ｍｍ2以上
    かけたとき、内層の未加硫のコンパウンド層が外側には
    み出す請求項１〜６のいずれかに記載の半導体の冷却構
    造体。
  8. 【請求項８】厚さ方向から荷重をかけ、５０％圧縮した
    後、１分後の荷重値が、２０ｇｆ／ｍｍ2以下である請
    求項１〜７のいずれかに記載の半導体の冷却構造体。
  9. 【請求項９】表面表層部のアスカーＣ硬度が１０以上で
    ある請求項１〜８のいずれかに記載の半導体の冷却構造
    体。
JP2001060315A 2001-03-05 2001-03-05 半導体の冷却構造体 Expired - Lifetime JP3679721B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001060315A JP3679721B2 (ja) 2001-03-05 2001-03-05 半導体の冷却構造体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001060315A JP3679721B2 (ja) 2001-03-05 2001-03-05 半導体の冷却構造体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002261206A true JP2002261206A (ja) 2002-09-13
JP3679721B2 JP3679721B2 (ja) 2005-08-03

Family

ID=18919755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001060315A Expired - Lifetime JP3679721B2 (ja) 2001-03-05 2001-03-05 半導体の冷却構造体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3679721B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006165498A (ja) * 2004-11-10 2006-06-22 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置および、半導体装置の製造方法
EP1675174A1 (en) 2004-12-27 2006-06-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of heat transfer member and heat-dissipating structure
KR100703434B1 (ko) 2005-01-07 2007-04-03 삼성전자주식회사 휴대 단말기의 인쇄회로기판
JP2011116806A (ja) * 2009-11-30 2011-06-16 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シートの製造方法及び熱伝導性シート
JP2011159930A (ja) * 2010-02-04 2011-08-18 Nec Corp 電子装置及びその製造方法
US9392732B2 (en) 2013-02-12 2016-07-12 Denso Corporation Electronic control unit and rotating electric machine
WO2020022243A1 (ja) * 2018-07-27 2020-01-30 日本精機株式会社 表示装置
JP6705067B1 (ja) * 2019-03-07 2020-06-03 富士高分子工業株式会社 熱伝導性シート及びその製造方法
WO2020179115A1 (ja) * 2019-03-07 2020-09-10 富士高分子工業株式会社 熱伝導性シート及びその製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006165498A (ja) * 2004-11-10 2006-06-22 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置および、半導体装置の製造方法
EP1675174A1 (en) 2004-12-27 2006-06-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of heat transfer member and heat-dissipating structure
US7527830B2 (en) 2004-12-27 2009-05-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of heat transfer member and heat-dissipating structure
KR100703434B1 (ko) 2005-01-07 2007-04-03 삼성전자주식회사 휴대 단말기의 인쇄회로기판
JP2011116806A (ja) * 2009-11-30 2011-06-16 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シートの製造方法及び熱伝導性シート
JP2011159930A (ja) * 2010-02-04 2011-08-18 Nec Corp 電子装置及びその製造方法
US9392732B2 (en) 2013-02-12 2016-07-12 Denso Corporation Electronic control unit and rotating electric machine
WO2020022243A1 (ja) * 2018-07-27 2020-01-30 日本精機株式会社 表示装置
JPWO2020022243A1 (ja) * 2018-07-27 2021-08-12 日本精機株式会社 表示装置
JP7459793B2 (ja) 2018-07-27 2024-04-02 日本精機株式会社 表示装置
JP6705067B1 (ja) * 2019-03-07 2020-06-03 富士高分子工業株式会社 熱伝導性シート及びその製造方法
WO2020179115A1 (ja) * 2019-03-07 2020-09-10 富士高分子工業株式会社 熱伝導性シート及びその製造方法
US11667825B2 (en) 2019-03-07 2023-06-06 Fuji Polymer Industries Co., Ltd. Thermally conductive sheet and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP3679721B2 (ja) 2005-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3976166B2 (ja) Ｐｄｐパネル
TWI670464B (zh) 熱傳導片、熱傳導片之製造方法、散熱構件及半導體裝置
JP5084987B2 (ja) 裸のシリコンチップを搭載した回路板からの熱の散逸
JP5752299B2 (ja) 熱伝導シートの製造方法、熱伝導シート、及び放熱部材
CN108461462B (zh) 导热片的制造方法、导热片及散热部件
KR102149708B1 (ko) 열전도성 복합 실리콘 고무 시트
KR20020070449A (ko) 열 전도성 시이트 및 이 시이트의 제조 방법
US11597196B2 (en) Method for producing thermally conductive sheet
JPH091738A (ja) 熱伝導性複合シリコーンゴムシート
JP3679721B2 (ja) 半導体の冷却構造体
EP3533579A1 (en) Three-dimensionally shaped thermally conductive molded body, and manufacturing method thereof
WO2020017350A1 (ja) 熱伝導性シート及びその製造方法、熱伝導性シートの実装方法
TW202132532A (zh) 熱傳導性片材及其製造方法、熱傳導性片材之安裝方法
US6531771B1 (en) Dissipation of heat from a circuit board having bare silicon chips mounted thereon
US20240010898A1 (en) Thermally conductive sheet and method for manufacturing thermally conductive sheet
JP2009076657A (ja) 熱伝導シート
JPH11307697A (ja) 熱伝導性複合シート
US20230032968A1 (en) Graphite composite and electronic component
JP4101391B2 (ja) 電子部品の放熱部材
JP4099364B2 (ja) 放熱シート及びｐｄｐパネル
JP3537384B2 (ja) 低硬度放熱シート
JP3372487B2 (ja) シリコーンゴム成形体
JP2005042096A (ja) 熱伝導性組成物及びこれを用いたパテ状放熱シートと放熱構造体
JP2001217360A (ja) 柔軟性放熱スペーサー
JP2023166451A (ja) 放熱シートとその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050223

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050303

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050317

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050404

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050509

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050513

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3679721

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080520

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090520

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090520

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100520

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100520

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110520

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120520

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120520

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130520

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term