JP2002261151A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2002261151A JP2002261151A JP2001061154A JP2001061154A JP2002261151A JP 2002261151 A JP2002261151 A JP 2002261151A JP 2001061154 A JP2001061154 A JP 2001061154A JP 2001061154 A JP2001061154 A JP 2001061154A JP 2002261151 A JP2002261151 A JP 2002261151A
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
構の吸着部に堆積した有機物を除去する機構はなく所定
の時期に作業者が吸着部を取外し有機物の除去を実施し
ており工数が掛かり効率が悪かった。また、有機物が堆
積すると吸着ミスや次のウエハの汚染の原因となり製品
の歩留りを悪化させる虞があった。 【解決手段】 ウエハを真空吸着する吸着部先端部10
6はチタンで成り吸着面104aには有機物14の分解
に対して光触媒作用を有する酸化チタン膜107が形成
されておりかつ、紫外線光源103が吸着部104の待
機位置上方に配置されウエハ吸着搬送機構102の待機
時間に紫外線を照射し有機物を除去する。
Description
は半導体チップを真空または静電気で吸着する吸着部を
有する半導体製造装置に関する。
電気を利用して半導体ウエハあるいは半導体チップを吸
着する吸着部を有する設備が多くある。例えば、CVD
装置(自動機)のウエハ吸着搬送機構は半導体ウエハを
吸着しカセットとボート間を搬送する。また、自動機で
なくとも吸着ペンなどのように人手で操作し半導体ウエ
ハや半導体チップを吸着する吸着治具もある。いずれも
多数の半導体ウエハや半導体チップの表面(裏面)と繰
り返し接触すると言う点で共通している。
して縦型CVD装置を用いて説明する。図3に示すよう
に縦型CVD装置1は、ウエハ2を収納するカセット3
を導入して真空排気されるチャンバ4と、このチャンバ
4を真空排気する真空ポンプ5と、チャンバ4に隣接し
て設けられ反応ガスを導入あるいは排気するガス配管系
統と繋がった反応管6と、反応管6を加熱するヒータ7
と、ウエハ2を縦方向に並べて収納するボート8と、ボ
ート8を反応管6内に収納したり取出したりするボート
エレベータ9と、ボートエレベータ9の上昇に伴い反応
管6とチャンバ4とを仕切るフランジ10と、カセット
3とボート8との間でウエハ2を搬送するウエハ吸着搬
送機構11とで構成されている。ウエハ吸着搬送機構1
1はウエハ2裏面を真空吸着する例えばステンレスから
成る吸着部12と、吸着部12と末端で連結された真空
ポンプ(図示せず)と、吸着部12を保持して伸縮及び
回転可能なアーム機構部13とで構成されており、吸着
部12は図4に示すように、ウエハ2裏面と直接接触す
る吸着面12aに開口された吸着穴12bを通して吸着
部12と末端で連結された真空ポンプ(図示せず)によ
り真空排気される。
態でボートエレベータ9によって上限位置に置かれる。
このときフランジ10が反応管6とチャンバ4とを仕切
る。次に、ウエハ2を収納したカセット3を扉を開閉し
て所定の位置に載置する。次に、真空ポンプ5を動作さ
せチャンバ4内を真空排気し、所定の真空度が得られた
後にチャンバ4内を不活性ガスにて充満させる。次に、
ボートエレベータ9によりボート8を下降させ、ウエハ
吸着搬送機構11によりカセット3からウエハ2をボー
ト8に移し替え、再びボートエレベータ9を上昇させ、
ボート8を反応管6に入れ熱処理する。ウエハ吸着搬送
機構11の動作としてはカセット3に収納された熱処理
予定のウエハ2の裏面を吸着部12で1枚づつ真空吸着
しボート8に移載したり、反対に熱処理の完了したウエ
ハ2をボート8からカセット3に収納したりするが、こ
の移載または収納作業が完了するとウエハ吸着搬送機構
11はボート8が上昇/下降する時間やウエハ2が熱処
理されている時間は待機時間となる。
際、吸着面12aがウエハ2裏面とあまり擦れ合わない
ような動作をさせるが多数のウエハ2と繰り返し接触す
るうちに図5に示すように吸着面12aには微少づつで
はあるがウエハ2裏面の有機物14が付着し堆積してあ
る程度の大きさを有するものとなっていく。この有機物
14の堆積に対しては、CVD装置1のメンテナンス時
あるいは所定の時期に作業者がCVD装置1本体から吸
着部12を取外し有機物14の除去を実施するが、吸着
部12に堆積する有機物14の量はばらつくため予測し
がたいものであった。有機物14の除去が遅れると吸着
面12aに堆積した有機物14により吸着面12aとウ
エハ2裏面に隙間が出来て吸着ミスの原因となったり、
有機物14が真空経路に吸い込まれると吸引力が弱くな
りこれも吸着ミスの原因となった。
が静電吸着の場合でも同様であり、吸着面には有機物が
付着し堆積していく。
には、ウエハ吸着搬送機構の吸着部に堆積した有機物を
除去する機構はなくメンテナンス時あるいは所定の時期
に作業者が縦型CVD装置本体から吸着部を取外し有機
物の除去を実施していた。しかしながら、この方法では
除去時期を管理する必要があり煩雑でありまた、工数的
にも縦型CVD装置本体に対して吸着部を脱着する工数
及び除去作業の工数が掛かり効率が悪かった。また、あ
る程度の有機物の堆積を許容することになるため有機物
の堆積が予想以上に早かったりすると吸着ミスの原因と
なったり、堆積した有機物が次のウエハに転写したり付
着したりすると製品の歩留りを悪化させることになっ
た。
除去を吸着部を縦型CVD装置本体から取り外すことな
く効率よく実施できるようにするとともに除去頻度をア
ップし有機物の経時的な堆積を防止することである。
するために提案されたもので、被吸着物を真空または静
電気で吸着する吸着部を有する半導体製造装置におい
て、吸着部の吸着面に光触媒作用のある金属酸化膜を形
成しかつ、吸着部が被吸着物を吸着していない時間に吸
着面に紫外線を照射する紫外線の光源を配備したことを
特徴とする半導体製造装置である。
VD装置を図1を用いて説明する。図1(a)は平面断
面図であり、図1(b)は側面部分断面図である。図3
と同一部分には同一符号を用いて説明を省略する。縦型
CVD装置101は、ウエハ2を収納するカセット3を
導入して真空排気されるチャンバ4と、このチャンバ4
を真空排気する真空ポンプ5と、チャンバ4に隣接して
設けられ反応ガスを導入あるいは排気するガス配管系統
と繋がった反応管6と、反応管6を加熱するヒータ7
と、ウエハ2を縦方向に並べて収納するボート8と、ボ
ート8を反応管6内に収納したり取出したりするボート
エレベータ9と、ボートエレベータ9の上昇に伴い、反
応管6とチャンバ4とを仕切るフランジ10と、カセッ
ト3とボート8との間でウエハ2を搬送するウエハ吸着
搬送機構102と、紫外線光源103とで構成されてい
る。ウエハ吸着搬送機構102はウエハ2裏面を真空吸
着する吸着部104と、吸着部104と末端で連結され
た真空ポンプ(図示せず)と、吸着部104を保持して
伸縮及び回転可能なアーム機構部13とで構成されてい
る。吸着部104は図2に示すように、吸着部本体10
5部分は例えばステンレスで成るが吸着部先端部106
はチタンで成りウエハ2裏面と直接接触する吸着面10
4aには有機物14の分解に対して光触媒作用を有する
反応性スパッタリングで成膜された酸化チタン膜107
が形成されており、吸着面104aに開口された吸着穴
104bを通して吸着部104と末端で連結された真空
ポンプ(図示せず)により真空排気される。紫外線光源
103はウエハ吸着搬送機構102がウエハ2を搬送し
ていないときに吸着部104を待機させる位置の上方
で、かつ吸着面104aに充分な紫外線が照射できる位
置に配置する。尚、吸着面104に形成する金属膜は光
触媒作用を有する金属膜であれば何でもよいが特に酸化
チタンが優れた光触媒作用を有しており好適である。
態でボートエレベータ9によって上限位置に置かれる。
このときフランジ10が反応管6とチャンバ4とを仕切
る。次に、ウエハ2を収納したカセット3を扉を開閉し
て所定の位置に載置する。次に、真空ポンプ5を動作さ
せチャンバ4内を真空排気し、所定の真空度が得られた
後にチャンバ4内を不活性ガスにて充満させる。次に、
ボートエレベータ9によりボート8を下降させ、ウエハ
吸着搬送機構102によりカセット3からウエハ2をボ
ート8に移し替え、再びボートエレベータ9を上昇さ
せ、ボート8を反応管6に入れ熱処理する。ウエハ吸着
搬送機構102の動作としてはカセット3に収納された
熱処理予定のウエハ2の裏面を吸着部104で1枚づつ
真空吸着しボート8に移載したり、反対に熱処理の完了
したウエハ2をボート8からカセット3に収納したりす
る。また、この移載または収納作業が完了するとウエハ
吸着搬送機構102はボート8が上昇/下降する時間や
ウエハ2が熱処理されている時間は待機時間となるので
吸着部104は所定の待機位置に待機する。この待機時
間に待機位置の上方に配置した紫外線光源103で吸着
面104aに紫外線を照射する。この紫外線照射により
待機毎に毎回、吸着面104aに付着した微少な有機物
14の分解を繰り返す。
し有機物14を除去するときに吸着面104aを加熱し
て光触媒作用をアップさせる加熱機能を具備してもよ
い。加熱方法は吸着部104の待機位置近傍に輻射熱で
吸着面104aを加熱するヒータやランプなどの加熱機
(図示せず)を配備してもよいし、吸着部本体105を
通じて熱伝導で加熱してもよい。
VD装置101の例で説明したが、これに限るものでは
なく半導体ウエハ2を吸着部104で吸着固定して搬送
するウエハ吸着搬送機構102を具備する設備であれば
何でもよくまた、自動機に限らず半導体ウエハ2や半導
体チップ(図示せず)を吸着し移し替えたりする吸着ペ
ン(図示せず)など人手で操作するものであってもよ
く、吸着ペン先端部に光触媒活性の金属酸化膜を形成
し、吸着ペンを使用しない休憩時間や1日の作業終了後
に紫外線光源103で紫外線を照射することで同様の効
果が得られる。また、上記では真空吸着を例にして説明
したが静電吸着の場合でも同様であることは言うまでも
ない。
に有機物の分解に対して光触媒活性の金属酸化膜として
酸化チタン膜が形成されており紫外線の照射により有機
物を効率よく除去できる。また、紫外線光源を吸着部の
待機位置上方に配備しかつ、ウエハ吸着搬送機構の待機
時間を利用して待機時間毎に毎回紫外線を照射すること
で吸着部を縦型CVD装置本体から脱着したりすること
なく有機物を除去できる。また、有機物の除去頻度がア
ップするため有機物の堆積を防止でき吸着ミスを低減で
きるとともに堆積した有機物が次のウエハに転写したり
付着したりして製品の歩留りを悪化させることを防止で
きる。
概略図
VD装置の概略図
Claims (5)
- 【請求項1】被吸着物を真空または静電気で吸着する吸
着部を有する半導体製造装置において、前記吸着部の吸
着面に光触媒作用のある金属酸化膜を形成しかつ、前記
吸着部が被吸着物を吸着していない時間に前記吸着面に
紫外線を照射する紫外線の光源を配備したことを特徴と
する半導体製造装置。 - 【請求項2】前記被吸着物が半導体ウエハであることを
特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 【請求項3】前記被吸着物が半導体チップであることを
特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 【請求項4】前記金属酸化膜が酸化チタン膜であること
を特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 【請求項5】前記吸着部を加熱する加熱機能を具備する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001061154A JP2002261151A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001061154A JP2002261151A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002261151A true JP2002261151A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=18920489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001061154A Withdrawn JP2002261151A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002261151A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009055017A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-03-12 | Kyocera Corp | 保持用治具およびそれを用いた吸着装置 |
CN101567324B (zh) * | 2008-04-22 | 2012-01-04 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 处理硅基晶圆的方法与***及封装半导体元件的方法 |
CN114458575A (zh) * | 2020-11-10 | 2022-05-10 | 住友重机械工业株式会社 | 低温泵及低温泵再生方法 |
-
2001
- 2001-03-06 JP JP2001061154A patent/JP2002261151A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009055017A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-03-12 | Kyocera Corp | 保持用治具およびそれを用いた吸着装置 |
CN101567324B (zh) * | 2008-04-22 | 2012-01-04 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 处理硅基晶圆的方法与***及封装半导体元件的方法 |
CN114458575A (zh) * | 2020-11-10 | 2022-05-10 | 住友重机械工业株式会社 | 低温泵及低温泵再生方法 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050118 |
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