JP2002261151A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の縦型ＣＶＤ装置にはウエハ吸着搬送機
構の吸着部に堆積した有機物を除去する機構はなく所定
の時期に作業者が吸着部を取外し有機物の除去を実施し
ており工数が掛かり効率が悪かった。また、有機物が堆
積すると吸着ミスや次のウエハの汚染の原因となり製品
の歩留りを悪化させる虞があった。 【解決手段】 ウエハを真空吸着する吸着部先端部１０
６はチタンで成り吸着面１０４ａには有機物１４の分解
に対して光触媒作用を有する酸化チタン膜１０７が形成
されておりかつ、紫外線光源１０３が吸着部１０４の待
機位置上方に配置されウエハ吸着搬送機構１０２の待機
時間に紫外線を照射し有機物を除去する。
構の吸着部に堆積した有機物を除去する機構はなく所定
の時期に作業者が吸着部を取外し有機物の除去を実施し
ており工数が掛かり効率が悪かった。また、有機物が堆
積すると吸着ミスや次のウエハの汚染の原因となり製品
の歩留りを悪化させる虞があった。 【解決手段】 ウエハを真空吸着する吸着部先端部１０
６はチタンで成り吸着面１０４ａには有機物１４の分解
に対して光触媒作用を有する酸化チタン膜１０７が形成
されておりかつ、紫外線光源１０３が吸着部１０４の待
機位置上方に配置されウエハ吸着搬送機構１０２の待機
時間に紫外線を照射し有機物を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハまた
は半導体チップを真空または静電気で吸着する吸着部を
有する半導体製造装置に関する。
は半導体チップを真空または静電気で吸着する吸着部を
有する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造工程中には真空または静
電気を利用して半導体ウエハあるいは半導体チップを吸
着する吸着部を有する設備が多くある。例えば、ＣＶＤ
装置（自動機）のウエハ吸着搬送機構は半導体ウエハを
吸着しカセットとボート間を搬送する。また、自動機で
なくとも吸着ペンなどのように人手で操作し半導体ウエ
ハや半導体チップを吸着する吸着治具もある。いずれも
多数の半導体ウエハや半導体チップの表面（裏面）と繰
り返し接触すると言う点で共通している。
電気を利用して半導体ウエハあるいは半導体チップを吸
着する吸着部を有する設備が多くある。例えば、ＣＶＤ
装置（自動機）のウエハ吸着搬送機構は半導体ウエハを
吸着しカセットとボート間を搬送する。また、自動機で
なくとも吸着ペンなどのように人手で操作し半導体ウエ
ハや半導体チップを吸着する吸着治具もある。いずれも
多数の半導体ウエハや半導体チップの表面（裏面）と繰
り返し接触すると言う点で共通している。
【０００３】ここでは、従来の半導体製造装置の一例と
して縦型ＣＶＤ装置を用いて説明する。図３に示すよう
に縦型ＣＶＤ装置１は、ウエハ２を収納するカセット３
を導入して真空排気されるチャンバ４と、このチャンバ
４を真空排気する真空ポンプ５と、チャンバ４に隣接し
て設けられ反応ガスを導入あるいは排気するガス配管系
統と繋がった反応管６と、反応管６を加熱するヒータ７
と、ウエハ２を縦方向に並べて収納するボート８と、ボ
ート８を反応管６内に収納したり取出したりするボート
エレベータ９と、ボートエレベータ９の上昇に伴い反応
管６とチャンバ４とを仕切るフランジ１０と、カセット
３とボート８との間でウエハ２を搬送するウエハ吸着搬
送機構１１とで構成されている。ウエハ吸着搬送機構１
１はウエハ２裏面を真空吸着する例えばステンレスから
成る吸着部１２と、吸着部１２と末端で連結された真空
ポンプ（図示せず）と、吸着部１２を保持して伸縮及び
回転可能なアーム機構部１３とで構成されており、吸着
部１２は図４に示すように、ウエハ２裏面と直接接触す
る吸着面１２ａに開口された吸着穴１２ｂを通して吸着
部１２と末端で連結された真空ポンプ（図示せず）によ
り真空排気される。
して縦型ＣＶＤ装置を用いて説明する。図３に示すよう
に縦型ＣＶＤ装置１は、ウエハ２を収納するカセット３
を導入して真空排気されるチャンバ４と、このチャンバ
４を真空排気する真空ポンプ５と、チャンバ４に隣接し
て設けられ反応ガスを導入あるいは排気するガス配管系
統と繋がった反応管６と、反応管６を加熱するヒータ７
と、ウエハ２を縦方向に並べて収納するボート８と、ボ
ート８を反応管６内に収納したり取出したりするボート
エレベータ９と、ボートエレベータ９の上昇に伴い反応
管６とチャンバ４とを仕切るフランジ１０と、カセット
３とボート８との間でウエハ２を搬送するウエハ吸着搬
送機構１１とで構成されている。ウエハ吸着搬送機構１
１はウエハ２裏面を真空吸着する例えばステンレスから
成る吸着部１２と、吸着部１２と末端で連結された真空
ポンプ（図示せず）と、吸着部１２を保持して伸縮及び
回転可能なアーム機構部１３とで構成されており、吸着
部１２は図４に示すように、ウエハ２裏面と直接接触す
る吸着面１２ａに開口された吸着穴１２ｂを通して吸着
部１２と末端で連結された真空ポンプ（図示せず）によ
り真空排気される。
【０００４】次に動作としては、まずボート８は空の状
態でボートエレベータ９によって上限位置に置かれる。
このときフランジ１０が反応管６とチャンバ４とを仕切
る。次に、ウエハ２を収納したカセット３を扉を開閉し
て所定の位置に載置する。次に、真空ポンプ５を動作さ
せチャンバ４内を真空排気し、所定の真空度が得られた
後にチャンバ４内を不活性ガスにて充満させる。次に、
ボートエレベータ９によりボート８を下降させ、ウエハ
吸着搬送機構１１によりカセット３からウエハ２をボー
ト８に移し替え、再びボートエレベータ９を上昇させ、
ボート８を反応管６に入れ熱処理する。ウエハ吸着搬送
機構１１の動作としてはカセット３に収納された熱処理
予定のウエハ２の裏面を吸着部１２で1枚づつ真空吸着
しボート８に移載したり、反対に熱処理の完了したウエ
ハ２をボート８からカセット３に収納したりするが、こ
の移載または収納作業が完了するとウエハ吸着搬送機構
１１はボート８が上昇／下降する時間やウエハ２が熱処
理されている時間は待機時間となる。
態でボートエレベータ９によって上限位置に置かれる。
このときフランジ１０が反応管６とチャンバ４とを仕切
る。次に、ウエハ２を収納したカセット３を扉を開閉し
て所定の位置に載置する。次に、真空ポンプ５を動作さ
せチャンバ４内を真空排気し、所定の真空度が得られた
後にチャンバ４内を不活性ガスにて充満させる。次に、
ボートエレベータ９によりボート８を下降させ、ウエハ
吸着搬送機構１１によりカセット３からウエハ２をボー
ト８に移し替え、再びボートエレベータ９を上昇させ、
ボート８を反応管６に入れ熱処理する。ウエハ吸着搬送
機構１１の動作としてはカセット３に収納された熱処理
予定のウエハ２の裏面を吸着部１２で1枚づつ真空吸着
しボート８に移載したり、反対に熱処理の完了したウエ
ハ２をボート８からカセット３に収納したりするが、こ
の移載または収納作業が完了するとウエハ吸着搬送機構
１１はボート８が上昇／下降する時間やウエハ２が熱処
理されている時間は待機時間となる。
【０００５】ところで吸着部１２がウエハ２を吸着する
際、吸着面１２ａがウエハ２裏面とあまり擦れ合わない
ような動作をさせるが多数のウエハ２と繰り返し接触す
るうちに図５に示すように吸着面１２ａには微少づつで
はあるがウエハ２裏面の有機物１４が付着し堆積してあ
る程度の大きさを有するものとなっていく。この有機物
１４の堆積に対しては、ＣＶＤ装置１のメンテナンス時
あるいは所定の時期に作業者がＣＶＤ装置１本体から吸
着部１２を取外し有機物１４の除去を実施するが、吸着
部１２に堆積する有機物１４の量はばらつくため予測し
がたいものであった。有機物１４の除去が遅れると吸着
面１２ａに堆積した有機物１４により吸着面１２ａとウ
エハ２裏面に隙間が出来て吸着ミスの原因となったり、
有機物１４が真空経路に吸い込まれると吸引力が弱くな
りこれも吸着ミスの原因となった。
際、吸着面１２ａがウエハ２裏面とあまり擦れ合わない
ような動作をさせるが多数のウエハ２と繰り返し接触す
るうちに図５に示すように吸着面１２ａには微少づつで
はあるがウエハ２裏面の有機物１４が付着し堆積してあ
る程度の大きさを有するものとなっていく。この有機物
１４の堆積に対しては、ＣＶＤ装置１のメンテナンス時
あるいは所定の時期に作業者がＣＶＤ装置１本体から吸
着部１２を取外し有機物１４の除去を実施するが、吸着
部１２に堆積する有機物１４の量はばらつくため予測し
がたいものであった。有機物１４の除去が遅れると吸着
面１２ａに堆積した有機物１４により吸着面１２ａとウ
エハ２裏面に隙間が出来て吸着ミスの原因となったり、
有機物１４が真空経路に吸い込まれると吸引力が弱くな
りこれも吸着ミスの原因となった。
【０００６】尚、上記では真空吸着を例にして説明した
が静電吸着の場合でも同様であり、吸着面には有機物が
付着し堆積していく。
が静電吸着の場合でも同様であり、吸着面には有機物が
付着し堆積していく。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の縦型ＣＶＤ装置
には、ウエハ吸着搬送機構の吸着部に堆積した有機物を
除去する機構はなくメンテナンス時あるいは所定の時期
に作業者が縦型ＣＶＤ装置本体から吸着部を取外し有機
物の除去を実施していた。しかしながら、この方法では
除去時期を管理する必要があり煩雑でありまた、工数的
にも縦型ＣＶＤ装置本体に対して吸着部を脱着する工数
及び除去作業の工数が掛かり効率が悪かった。また、あ
る程度の有機物の堆積を許容することになるため有機物
の堆積が予想以上に早かったりすると吸着ミスの原因と
なったり、堆積した有機物が次のウエハに転写したり付
着したりすると製品の歩留りを悪化させることになっ
た。
には、ウエハ吸着搬送機構の吸着部に堆積した有機物を
除去する機構はなくメンテナンス時あるいは所定の時期
に作業者が縦型ＣＶＤ装置本体から吸着部を取外し有機
物の除去を実施していた。しかしながら、この方法では
除去時期を管理する必要があり煩雑でありまた、工数的
にも縦型ＣＶＤ装置本体に対して吸着部を脱着する工数
及び除去作業の工数が掛かり効率が悪かった。また、あ
る程度の有機物の堆積を許容することになるため有機物
の堆積が予想以上に早かったりすると吸着ミスの原因と
なったり、堆積した有機物が次のウエハに転写したり付
着したりすると製品の歩留りを悪化させることになっ
た。
【０００８】本発明の目的は吸着面に付着した有機物の
除去を吸着部を縦型ＣＶＤ装置本体から取り外すことな
く効率よく実施できるようにするとともに除去頻度をア
ップし有機物の経時的な堆積を防止することである。
除去を吸着部を縦型ＣＶＤ装置本体から取り外すことな
く効率よく実施できるようにするとともに除去頻度をア
ップし有機物の経時的な堆積を防止することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために提案されたもので、被吸着物を真空または静
電気で吸着する吸着部を有する半導体製造装置におい
て、吸着部の吸着面に光触媒作用のある金属酸化膜を形
成しかつ、吸着部が被吸着物を吸着していない時間に吸
着面に紫外線を照射する紫外線の光源を配備したことを
特徴とする半導体製造装置である。
するために提案されたもので、被吸着物を真空または静
電気で吸着する吸着部を有する半導体製造装置におい
て、吸着部の吸着面に光触媒作用のある金属酸化膜を形
成しかつ、吸着部が被吸着物を吸着していない時間に吸
着面に紫外線を照射する紫外線の光源を配備したことを
特徴とする半導体製造装置である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例としての縦型Ｃ
ＶＤ装置を図１を用いて説明する。図１（ａ）は平面断
面図であり、図１（ｂ）は側面部分断面図である。図３
と同一部分には同一符号を用いて説明を省略する。縦型
ＣＶＤ装置１０１は、ウエハ２を収納するカセット３を
導入して真空排気されるチャンバ４と、このチャンバ４
を真空排気する真空ポンプ５と、チャンバ４に隣接して
設けられ反応ガスを導入あるいは排気するガス配管系統
と繋がった反応管６と、反応管６を加熱するヒータ７
と、ウエハ２を縦方向に並べて収納するボート８と、ボ
ート８を反応管６内に収納したり取出したりするボート
エレベータ９と、ボートエレベータ９の上昇に伴い、反
応管６とチャンバ４とを仕切るフランジ１０と、カセッ
ト３とボート８との間でウエハ２を搬送するウエハ吸着
搬送機構１０２と、紫外線光源１０３とで構成されてい
る。ウエハ吸着搬送機構１０２はウエハ２裏面を真空吸
着する吸着部１０４と、吸着部１０４と末端で連結され
た真空ポンプ（図示せず）と、吸着部１０４を保持して
伸縮及び回転可能なアーム機構部１３とで構成されてい
る。吸着部１０４は図２に示すように、吸着部本体１０
５部分は例えばステンレスで成るが吸着部先端部１０６
はチタンで成りウエハ２裏面と直接接触する吸着面１０
４ａには有機物１４の分解に対して光触媒作用を有する
反応性スパッタリングで成膜された酸化チタン膜１０７
が形成されており、吸着面１０４ａに開口された吸着穴
１０４ｂを通して吸着部１０４と末端で連結された真空
ポンプ（図示せず）により真空排気される。紫外線光源
１０３はウエハ吸着搬送機構１０２がウエハ２を搬送し
ていないときに吸着部１０４を待機させる位置の上方
で、かつ吸着面１０４ａに充分な紫外線が照射できる位
置に配置する。尚、吸着面１０４に形成する金属膜は光
触媒作用を有する金属膜であれば何でもよいが特に酸化
チタンが優れた光触媒作用を有しており好適である。
ＶＤ装置を図１を用いて説明する。図１（ａ）は平面断
面図であり、図１（ｂ）は側面部分断面図である。図３
と同一部分には同一符号を用いて説明を省略する。縦型
ＣＶＤ装置１０１は、ウエハ２を収納するカセット３を
導入して真空排気されるチャンバ４と、このチャンバ４
を真空排気する真空ポンプ５と、チャンバ４に隣接して
設けられ反応ガスを導入あるいは排気するガス配管系統
と繋がった反応管６と、反応管６を加熱するヒータ７
と、ウエハ２を縦方向に並べて収納するボート８と、ボ
ート８を反応管６内に収納したり取出したりするボート
エレベータ９と、ボートエレベータ９の上昇に伴い、反
応管６とチャンバ４とを仕切るフランジ１０と、カセッ
ト３とボート８との間でウエハ２を搬送するウエハ吸着
搬送機構１０２と、紫外線光源１０３とで構成されてい
る。ウエハ吸着搬送機構１０２はウエハ２裏面を真空吸
着する吸着部１０４と、吸着部１０４と末端で連結され
た真空ポンプ（図示せず）と、吸着部１０４を保持して
伸縮及び回転可能なアーム機構部１３とで構成されてい
る。吸着部１０４は図２に示すように、吸着部本体１０
５部分は例えばステンレスで成るが吸着部先端部１０６
はチタンで成りウエハ２裏面と直接接触する吸着面１０
４ａには有機物１４の分解に対して光触媒作用を有する
反応性スパッタリングで成膜された酸化チタン膜１０７
が形成されており、吸着面１０４ａに開口された吸着穴
１０４ｂを通して吸着部１０４と末端で連結された真空
ポンプ（図示せず）により真空排気される。紫外線光源
１０３はウエハ吸着搬送機構１０２がウエハ２を搬送し
ていないときに吸着部１０４を待機させる位置の上方
で、かつ吸着面１０４ａに充分な紫外線が照射できる位
置に配置する。尚、吸着面１０４に形成する金属膜は光
触媒作用を有する金属膜であれば何でもよいが特に酸化
チタンが優れた光触媒作用を有しており好適である。
【００１１】次に動作としては、先ずボート８は空の状
態でボートエレベータ９によって上限位置に置かれる。
このときフランジ１０が反応管６とチャンバ４とを仕切
る。次に、ウエハ２を収納したカセット３を扉を開閉し
て所定の位置に載置する。次に、真空ポンプ５を動作さ
せチャンバ４内を真空排気し、所定の真空度が得られた
後にチャンバ４内を不活性ガスにて充満させる。次に、
ボートエレベータ９によりボート８を下降させ、ウエハ
吸着搬送機構１０２によりカセット３からウエハ２をボ
ート８に移し替え、再びボートエレベータ９を上昇さ
せ、ボート８を反応管６に入れ熱処理する。ウエハ吸着
搬送機構１０２の動作としてはカセット３に収納された
熱処理予定のウエハ２の裏面を吸着部１０４で1枚づつ
真空吸着しボート８に移載したり、反対に熱処理の完了
したウエハ２をボート８からカセット３に収納したりす
る。また、この移載または収納作業が完了するとウエハ
吸着搬送機構１０２はボート８が上昇／下降する時間や
ウエハ２が熱処理されている時間は待機時間となるので
吸着部１０４は所定の待機位置に待機する。この待機時
間に待機位置の上方に配置した紫外線光源１０３で吸着
面１０４ａに紫外線を照射する。この紫外線照射により
待機毎に毎回、吸着面１０４ａに付着した微少な有機物
１４の分解を繰り返す。
態でボートエレベータ９によって上限位置に置かれる。
このときフランジ１０が反応管６とチャンバ４とを仕切
る。次に、ウエハ２を収納したカセット３を扉を開閉し
て所定の位置に載置する。次に、真空ポンプ５を動作さ
せチャンバ４内を真空排気し、所定の真空度が得られた
後にチャンバ４内を不活性ガスにて充満させる。次に、
ボートエレベータ９によりボート８を下降させ、ウエハ
吸着搬送機構１０２によりカセット３からウエハ２をボ
ート８に移し替え、再びボートエレベータ９を上昇さ
せ、ボート８を反応管６に入れ熱処理する。ウエハ吸着
搬送機構１０２の動作としてはカセット３に収納された
熱処理予定のウエハ２の裏面を吸着部１０４で1枚づつ
真空吸着しボート８に移載したり、反対に熱処理の完了
したウエハ２をボート８からカセット３に収納したりす
る。また、この移載または収納作業が完了するとウエハ
吸着搬送機構１０２はボート８が上昇／下降する時間や
ウエハ２が熱処理されている時間は待機時間となるので
吸着部１０４は所定の待機位置に待機する。この待機時
間に待機位置の上方に配置した紫外線光源１０３で吸着
面１０４ａに紫外線を照射する。この紫外線照射により
待機毎に毎回、吸着面１０４ａに付着した微少な有機物
１４の分解を繰り返す。
【００１２】また、上記の構成に追加して紫外線を照射
し有機物１４を除去するときに吸着面１０４ａを加熱し
て光触媒作用をアップさせる加熱機能を具備してもよ
い。加熱方法は吸着部１０４の待機位置近傍に輻射熱で
吸着面１０４ａを加熱するヒータやランプなどの加熱機
（図示せず）を配備してもよいし、吸着部本体１０５を
通じて熱伝導で加熱してもよい。
し有機物１４を除去するときに吸着面１０４ａを加熱し
て光触媒作用をアップさせる加熱機能を具備してもよ
い。加熱方法は吸着部１０４の待機位置近傍に輻射熱で
吸着面１０４ａを加熱するヒータやランプなどの加熱機
（図示せず）を配備してもよいし、吸着部本体１０５を
通じて熱伝導で加熱してもよい。
【００１３】尚、上記では半導体製造装置として縦型Ｃ
ＶＤ装置１０１の例で説明したが、これに限るものでは
なく半導体ウエハ２を吸着部１０４で吸着固定して搬送
するウエハ吸着搬送機構１０２を具備する設備であれば
何でもよくまた、自動機に限らず半導体ウエハ２や半導
体チップ（図示せず）を吸着し移し替えたりする吸着ペ
ン（図示せず）など人手で操作するものであってもよ
く、吸着ペン先端部に光触媒活性の金属酸化膜を形成
し、吸着ペンを使用しない休憩時間や1日の作業終了後
に紫外線光源１０３で紫外線を照射することで同様の効
果が得られる。また、上記では真空吸着を例にして説明
したが静電吸着の場合でも同様であることは言うまでも
ない。
ＶＤ装置１０１の例で説明したが、これに限るものでは
なく半導体ウエハ２を吸着部１０４で吸着固定して搬送
するウエハ吸着搬送機構１０２を具備する設備であれば
何でもよくまた、自動機に限らず半導体ウエハ２や半導
体チップ（図示せず）を吸着し移し替えたりする吸着ペ
ン（図示せず）など人手で操作するものであってもよ
く、吸着ペン先端部に光触媒活性の金属酸化膜を形成
し、吸着ペンを使用しない休憩時間や1日の作業終了後
に紫外線光源１０３で紫外線を照射することで同様の効
果が得られる。また、上記では真空吸着を例にして説明
したが静電吸着の場合でも同様であることは言うまでも
ない。
【００１４】
【発明の効果】本発明の半導体製造装置によれば吸着面
に有機物の分解に対して光触媒活性の金属酸化膜として
酸化チタン膜が形成されており紫外線の照射により有機
物を効率よく除去できる。また、紫外線光源を吸着部の
待機位置上方に配備しかつ、ウエハ吸着搬送機構の待機
時間を利用して待機時間毎に毎回紫外線を照射すること
で吸着部を縦型ＣＶＤ装置本体から脱着したりすること
なく有機物を除去できる。また、有機物の除去頻度がア
ップするため有機物の堆積を防止でき吸着ミスを低減で
きるとともに堆積した有機物が次のウエハに転写したり
付着したりして製品の歩留りを悪化させることを防止で
きる。
に有機物の分解に対して光触媒活性の金属酸化膜として
酸化チタン膜が形成されており紫外線の照射により有機
物を効率よく除去できる。また、紫外線光源を吸着部の
待機位置上方に配備しかつ、ウエハ吸着搬送機構の待機
時間を利用して待機時間毎に毎回紫外線を照射すること
で吸着部を縦型ＣＶＤ装置本体から脱着したりすること
なく有機物を除去できる。また、有機物の除去頻度がア
ップするため有機物の堆積を防止でき吸着ミスを低減で
きるとともに堆積した有機物が次のウエハに転写したり
付着したりして製品の歩留りを悪化させることを防止で
きる。
【図１】 本発明の一実施例としての縦型ＣＶＤ装置の
概略図
概略図
【図２】 図１の吸着部の拡大断面図
【図３】 従来の半導体製造装置の一例としての縦型Ｃ
ＶＤ装置の概略図
ＶＤ装置の概略図
【図４】 図３の吸着部の拡大断面図
【図５】 図３の吸着部の拡大断面図
１０１ 縦型ＣＶＤ装置 １０２ ウエハ吸着搬送機構 １０３ 紫外線光源 １０４ 吸着部 １０４ａ 吸着面 １０７ 酸化チタン膜 ２ 半導体ウエハ
Claims (5)
- 【請求項１】被吸着物を真空または静電気で吸着する吸
着部を有する半導体製造装置において、前記吸着部の吸
着面に光触媒作用のある金属酸化膜を形成しかつ、前記
吸着部が被吸着物を吸着していない時間に前記吸着面に
紫外線を照射する紫外線の光源を配備したことを特徴と
する半導体製造装置。 - 【請求項２】前記被吸着物が半導体ウエハであることを
特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】前記被吸着物が半導体チップであることを
特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】前記金属酸化膜が酸化チタン膜であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】前記吸着部を加熱する加熱機能を具備する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001061154A JP2002261151A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001061154A JP2002261151A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002261151A true JP2002261151A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=18920489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001061154A Withdrawn JP2002261151A (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002261151A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009055017A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-03-12 | Kyocera Corp | 保持用治具およびそれを用いた吸着装置 |
| CN101567324B (zh) * | 2008-04-22 | 2012-01-04 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 处理硅基晶圆的方法与***及封装半导体元件的方法 |
| CN114458575A (zh) * | 2020-11-10 | 2022-05-10 | 住友重机械工业株式会社 | 低温泵及低温泵再生方法 |
-
2001
- 2001-03-06 JP JP2001061154A patent/JP2002261151A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
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