JP2002252138A - Reduction-resistant dielectric ceramic, its manufacturing method, and laminated ceramic capacitor using the same - Google Patents

Reduction-resistant dielectric ceramic, its manufacturing method, and laminated ceramic capacitor using the same

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JP2002252138A JP2001046065A JP2001046065A JP2002252138A JP 2002252138 A JP2002252138 A JP 2002252138A JP 2001046065 A JP2001046065 A JP 2001046065A JP 2001046065 A JP2001046065 A JP 2001046065A JP 2002252138 A JP2002252138 A JP 2002252138A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reduction-resistant dielectric ceramic material, which has high insulation resistance and a large CR product, its manufacturing method, and a laminated ceramic capacitor, which uses the ceramic material, varies less in insulation resistance and endurance reliability, and is superior in characteristics for use in an apparatus of intermediate or of high voltage. SOLUTION: This reduction-resistant dielectric ceramic material has spots 3 of glass phase whose main component is silica on its surface. This laminated ceramic capacitor 100 is equipped with a base body 1, provided with internal electrode layers between ceramic dielectric layers 2 and a pair of external electrodes, which are provided to the ends of the base body 1 and electrically connected to the internal electrode layers. The internal electrode layer is formed of base metal, and the ceramic dielectric layer 2 is formed of reduction-resistant dielectric ceramic material.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気製品、特にＡ
Ｃアダプター、スイッチング電源回路、ＤＣ−ＤＣコン
バータで使用される中高圧用の積層セラミックコンデン
サ、特に、内部電極が卑金属から成る中高圧積層セラミ
ックコンデンサに用いられる耐還元性誘電体セラミック
及びその製造方法、それを用いた積層セラミックコンデ
ンサに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electric product,
C-adapter, switching power supply circuit, medium- and high-voltage multilayer ceramic capacitors used in DC-DC converters, particularly reduction-resistant dielectric ceramics used for medium- and high-voltage multilayer ceramic capacitors whose internal electrodes are made of base metal, and a method of manufacturing the same. The present invention relates to a multilayer ceramic capacitor using the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、ノート型パソコン、携帯電話等に
代表される様に電子機器の軽薄短小化に伴いそれに使用
される重要な受動部品の１つであるセラミックコンデン
サも従来の円板型から積層型への移行が急速に進み、ス
イッチング電源回路やＤＣ−ＤＣコンバータ回路、バッ
テリーチャージャーの小型化及び樹脂モールド化に寄与
している。また、信用調査機関のデータによると西暦２
００５年にはセラミックコンデンサの積層化率は９０％
を超える事が確実であり、低定格電圧品のみならず中高
圧品、更には安全規格品の領域にまで積層化が波及する
のは時間の問題である。2. Description of the Related Art In recent years, ceramic capacitors, which are one of the important passive components used in electronic equipment as typified by notebook personal computers and mobile phones, have become smaller than conventional disk-type ones. The transition to the stacked type has been progressing rapidly, contributing to miniaturization and resin molding of switching power supply circuits, DC-DC converter circuits, and battery chargers. According to credit bureau data,
In 2005, the lamination rate of ceramic capacitors was 90%
It is a matter of time before the lamination spreads not only to low rated voltage products but also to medium and high voltage products, and even to the safety standard products.

【０００３】例えば、スイッチング電源回路の１次側ス
ナバ用としては定格電圧が６３０ＶＤＣでＪＩＳ規格Ｂ
特性或いはＥＩＡ規格Ｘ７Ｒ特性を満足する中高圧用積
層セラミックコンデンサが多数使用されている。さら
に、高周波が負荷される部分においては低発熱のＳＬ特
性の高耐圧の積層セラミックコンデンサが使用され、一
大市場を形成しつつある。積層セラミックコンデンサは
面実装が可能であり、低ＥＳＲで半永久的に使用できる
ため、寿命やＥＳＲに問題のある電解コンデンサや面実
装ができないフィルムコンデンサに置き換わると思われ
る。そのため、中高圧で使用される積層セラミックコン
デンサの需用はますます伸びると予想される。For example, for a primary side snubber of a switching power supply circuit, the rated voltage is 630 VDC and JIS standard B
Many medium- and high-voltage multilayer ceramic capacitors satisfying the characteristics or the EIA standard X7R characteristics are used. Further, in a portion to which high frequency is applied, a multilayer ceramic capacitor having a low heat generation and a high withstand voltage having SL characteristics is used, and is forming a large market. Multilayer ceramic capacitors can be surface-mounted and can be used semipermanently with low ESR, so they are likely to replace electrolytic capacitors that have problems in life and ESR and film capacitors that cannot be surface-mounted. Therefore, demand for multilayer ceramic capacitors used at medium and high pressures is expected to increase further.

【０００４】この積層セラミックコンデンサは、セラミ
ック誘電体層と内部電極層が交互に複数積層され、その
積層構造の上下に全体の寸法調整と内部気密封止の為の
誘電体層が設けられている。内部電極層の電気的接続
は、それらの終端部分が露出した両端面に端子電極を設
けることによって行い、これら端子電極表面には半田付
け実装を容易に且つ支障なく行える様に、Ｎｉ鍍金の上
にＳｎ鍍金又はＳｎ−Ｐｂ系の半田鍍金が層状に施され
た構造となっている。In this laminated ceramic capacitor, a plurality of ceramic dielectric layers and internal electrode layers are alternately laminated, and a dielectric layer for adjusting the overall dimensions and hermetically sealing the inside is provided above and below the laminated structure. . The electrical connection of the internal electrode layers is performed by providing terminal electrodes on both end surfaces where their terminal portions are exposed, and the surfaces of these terminal electrodes are plated with Ni plating so that solder mounting can be performed easily and without any trouble. Has a structure in which Sn plating or Sn-Pb-based solder plating is applied in layers.

【０００５】従来から、この様な積層セラミックコンデ
ンサに使用される誘電体組成物は、主成分であるＢａＴ
ｉＯ3に数種類の添加物を加えたものが主流であり、例
えば特公平３−２３５０４号公報にはＢａＴｉＯ3にＮ
ｂ2Ｏ5とＣｏＯを加えた組成物が開示されており、これ
によるとＮｂ2Ｏ5とＣｏＯが静電容量の温度変化率を平
坦化する成分として作用し、ＥＩＡ規格Ｘ７Ｒ特性を満
足することが記載されている。同じく、特公平３−６１
２８７号公報にはＢａＴｉＯ3にＮｂ2Ｏ5、ＣｏＯ、Ｃ
ｅＯ2及びＺｎＯを加えた組成物が開示されており、Ｎ
ｂ2Ｏ5とＣｏＯが静電容量の温度変化率を平坦化し、Ｃ
ｅＯ2は焼成温度を低下し、ＺｎＯは電気特性を改善す
ることが記載されている。しかしながら、上記誘電体組
成物は、内部電極としてＰｄ系貴金属の使用を前提とし
たものであり、特に高積層数高静電容量の品種において
原材料コストの面で問題があった。Conventionally, a dielectric composition used for such a multilayer ceramic capacitor has been made of BaT which is a main component.
The mainstream is one in which several types of additives are added to iO 3. For example, Japanese Patent Publication No. 3-23504 discloses BaTiO 3 with N.
A composition in which b 2 O 5 and CoO are added is disclosed. According to this composition, Nb 2 O 5 and CoO act as components for flattening the rate of change in capacitance with temperature, and satisfy EIA standard X7R characteristics. It is described. Similarly, Tokiko 3-61
No. 287 discloses that BaTiO 3 has Nb 2 O 5 , CoO, C
A composition comprising eO 2 and ZnO is disclosed,
b 2 O 5 and CoO flatten the temperature change rate of the capacitance,
It is described that eO 2 lowers the firing temperature and ZnO improves the electrical properties. However, the above-mentioned dielectric composition is based on the premise that a Pd-based noble metal is used as an internal electrode, and there is a problem in terms of raw material cost particularly in a product having a high number of layers and a high capacitance.

【０００６】これを解決する方法として、Ｐｄ系の貴金
属に代わりコストの安いＮｉあるいはＮｉを主成分とす
る合金を使用することが公知であり、積層セラミックコ
ンデンサに占める卑金属内部電極品の割合は急増してい
る。Ｎｉは卑金属であるので、従来の貴金属の積層セラ
ミックコンデンサの様に酸素雰囲気中で焼成する事は不
可能で、低酸素分圧雰囲気中においてＮｉが酸化されな
いように焼成しなければならない。セラミックコンデン
サ用として公知であるＢａＴｉＯ3に代表されるペロブ
スカイト酸化物は、１０００℃以上の高温においてＮｉ
の酸化還元平衡酸素分圧以下の雰囲気に晒されると還元
され、絶縁抵抗値が低下したり、電界を印加した状態で
の信頼性試験、いわゆる負荷寿命での不良率が増大し、
コンデンサ用誘電体としての機能を果たさなくなる。As a method for solving this problem, it is known to use inexpensive Ni or an alloy containing Ni as a main component instead of the Pd-based noble metal, and the ratio of base metal internal electrode products in the multilayer ceramic capacitor is rapidly increasing. are doing. Since Ni is a base metal, it cannot be fired in an oxygen atmosphere as in a conventional noble metal multilayer ceramic capacitor, and must be fired in a low oxygen partial pressure atmosphere so that Ni is not oxidized. Perovskite oxides, such as BaTiO 3 , which are well known for ceramic capacitors, can be used at high temperatures of 1000 ° C. or higher.
When exposed to an atmosphere below the oxidation-reduction equilibrium oxygen partial pressure, it is reduced, the insulation resistance value decreases, and the reliability test in the state of applying an electric field, the failure rate in the so-called load life increases,
It no longer functions as a dielectric for a capacitor.

【０００７】この課題に対し、これらペロブスカイト酸
化物が、ＡサイトとＢサイトに存在するイオンの化学量
論比を変化させたり、あるいは結晶格子中にドナーとな
って固溶しうる、例えば遷移金属イオン等を添加したり
することによって、前述のような熱処理を行っても還元
されにくくなる性質を利用して、ペロブスカイト酸化物
と微量の添加物から構成される多くの耐還元性誘電体組
成物が考案され、開示されている。以前の耐還元性誘電
体組成物は、静電容量の温度変化率が大きいＪＩＳ規格
Ｆ特性が主流であったが、近年積極的な材料開発が行わ
れ、温度変化率が小さいＪＩＳ規格Ｂ特性或いはＥＩＡ
規格Ｘ７Ｒ特性が薄層大容量積層セラミックコンデンサ
に適用されている。例えば特開平８−１２４７８４号公
報には主成分としてＢａＴｉＯ3を副成分としてＭｇ
Ｏ、Ｙ2Ｏ3、ＢａＯ及びＣａＯから選ばれる少なくとも
１種とＳｉＯ2とを含有するＮｉ及びＮｉ系合金等の卑
金属が使用可能な耐還元性誘電体組成物が開示されてい
る。In order to solve this problem, these perovskite oxides can change the stoichiometric ratio of the ions present at the A site and the B site, or can form a solid solution as a donor in the crystal lattice, for example, a transition metal. Many reduction-resistant dielectric compositions composed of perovskite oxide and a small amount of additives by utilizing the property of being hardly reduced even by performing the above-described heat treatment by adding ions or the like. Have been devised and disclosed. In the past, reduction-resistant dielectric compositions mainly used JIS F characteristics with a large temperature change rate of capacitance, but in recent years active material development has led to JIS B characteristics with a small temperature change rate. Or EIA
Standard X7R characteristics are applied to thin-layer, large-capacity multilayer ceramic capacitors. For example, JP-A-8-124784 discloses that BaTiO 3 is used as a main component and Mg is used as a sub-component.
A reduction-resistant dielectric composition that can use a base metal such as Ni and a Ni-based alloy containing SiO 2 and at least one selected from O, Y 2 O 3 , BaO, and CaO is disclosed.

【０００８】また、特開平９−１７１９３８号公報には
ＢａＴｉＯ3系の主成分に対して、副成分としてＭｇ
Ｏ、及び焼結助剤成分としてＬｉ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−（Ｓ
ｉ，Ｔｉ）Ｏ2系の酸化物を含有した耐還元性誘電体組
成物が開示されている。これにより、静電容量の温度変
化率が小さく、しかも安価なＮｉ系の内部電極を使用し
た大容量の積層セラミックコンデンサが主として１６〜
５０ＶＤＣの低定格電圧品を中心に商品化されている。Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 9-171938 discloses that a main component of BaTiO 3 is Mg
O, and Li 2 O—B 2 O 3 — (S
A reduction-resistant dielectric composition containing an i, Ti) O 2 -based oxide is disclosed. As a result, a large-capacity multilayer ceramic capacitor using an inexpensive Ni-based internal electrode, which has a small rate of change in capacitance with temperature and is inexpensive, is mainly 16 to
It is commercialized mainly with a low rated voltage product of 50 VDC.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
耐還元性誘電体組成物は還元雰囲気中で焼成するため
に、主成分であるペロブスカイト酸化物が酸素欠陥を作
りやすいという欠点があった。そのため、誘電体の絶縁
抵抗が低くなり、ＣＲ積が小さくなる傾向にあった。ま
た、同じ焼成炉、同じ焼成条件においてロット内及びロ
ット間での絶縁抵抗のバラツキが大きく、絶縁抵抗の不
良が大で量産性が悪かった。このように、絶縁抵抗が低
いために沿面でのリークが発生しやすく、寿命試験での
劣化が著しかった。However, since the conventional reduction-resistant dielectric composition is fired in a reducing atmosphere, there is a disadvantage that the perovskite oxide as a main component tends to form oxygen defects. Therefore, the insulation resistance of the dielectric material tends to decrease, and the CR product tends to decrease. In addition, under the same baking furnace and the same baking conditions, the variation in insulation resistance between lots and between lots was large, the insulation resistance was large, and the mass productivity was poor. As described above, since the insulation resistance is low, the leakage along the surface is easily generated, and the deterioration in the life test is remarkable.

【００１０】そこで本発明は以上のような課題を解決
し、絶縁抵抗が高く、ＣＲ積が大きい耐還元性誘電体セ
ラミック及びその製造方法を提供すると共に、その耐還
元性誘電体セラミックを積層セラミックコンデンサに用
いて、絶縁抵抗及び耐久信頼性等のばらつきが小さく、
中高圧用として優れた特性を有する積層セラミックコン
デンサを提供することを目的としている。Accordingly, the present invention solves the above-mentioned problems, and provides a reduction-resistant dielectric ceramic having a high insulation resistance and a large CR product and a method of manufacturing the same. When used for capacitors, variations in insulation resistance and durability reliability are small,
It is an object of the present invention to provide a multilayer ceramic capacitor having excellent characteristics for medium and high pressure.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の耐還元性誘電体セラミックは、表面にシリ
カを主成分とするガラス相の斑点を有することとしたも
のである。In order to solve the above-mentioned problems, a reduction-resistant dielectric ceramic according to the present invention has spots of a glass phase containing silica as a main component on its surface.

【００１２】また、その製造方法は、チタン酸バリウム
またはチタン酸ストロンチウム−チタン酸カルシウムの
主成分粉末に、Ｃａ，ＢａまたはＳｒ，Ｓｉを含有する
焼結助剤の粒子径を調整して、混合し、焼成して、表面
にシリカを主成分とするガラス相の２０μｍ〜２００μ
ｍの斑点を析出させることしたものである。[0012] Further, the manufacturing method is such that the particle diameter of a sintering aid containing Ca, Ba or Sr, Si is adjusted to a main component powder of barium titanate or strontium titanate-calcium titanate and mixed. And calcined, and the surface has a glass phase mainly composed of silica of 20 μm to 200 μm.
The m spots are deposited.

【００１３】更に、本発明の積層セラミックコンデンサ
は、セラミック誘電体層間に内部電極層を備えた基体
と、基体の両端部に設けられ、内部電極層と電気的に接
続された一対の外部電極とを備えた積層セラミックコン
デンサであって、内部電極層が卑金属で構成されると共
に、前記セラミック誘電体層が本発明の耐還元性誘電体
セラミックで構成されたこととしたものである。Further, the multilayer ceramic capacitor of the present invention comprises a substrate having an internal electrode layer between ceramic dielectric layers, and a pair of external electrodes provided at both ends of the substrate and electrically connected to the internal electrode layer. Wherein the internal electrode layer is made of a base metal and the ceramic dielectric layer is made of the reduction-resistant dielectric ceramic of the present invention.

【００１４】[0014]

【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、表面にシ
リカを主成分とするガラス相の斑点を有することを特徴
とする耐還元性誘電体セラミックであって、絶縁抵抗が
高い耐還元性誘電体セラミックが得られるという作用を
有する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The invention according to claim 1 is a reduction-resistant dielectric ceramic characterized by having spots of a glass phase containing silica as a main component on the surface thereof, the reduction-resistant dielectric ceramic having a high insulation resistance. It has the effect that a dielectric ceramic is obtained.

【００１５】請求項２記載の発明は、請求項１におい
て、斑点が２０μｍ〜２００μｍであることを特徴とす
る耐還元性誘電体セラミックであって、高い絶縁抵抗を
安定して維持することができ、強度を維持することがで
きる耐還元性誘電体セラミックが得られるという作用を
有する。According to a second aspect of the present invention, there is provided the reduction-resistant dielectric ceramic according to the first aspect, wherein the spots have a size of 20 μm to 200 μm, and a high insulation resistance can be stably maintained. This has the effect of obtaining a reduction-resistant dielectric ceramic capable of maintaining strength.

【００１６】請求項３記載の発明は、請求項１，２にお
いて、耐還元性誘電体セラミックの主成分が、チタン酸
バリウムであることを特徴とする耐還元性誘電体セラミ
ックであって、高誘電率系の材料において絶縁抵抗の高
い高誘電率系の耐還元性誘電体セラミックが得られると
いう作用を有する。According to a third aspect of the present invention, there is provided a reduction-resistant dielectric ceramic according to the first or second aspect, wherein a main component of the reduction-resistant dielectric ceramic is barium titanate. It has the effect that a high dielectric constant reduction-resistant dielectric ceramic having a high insulation resistance can be obtained from a dielectric constant material.

【００１７】請求項４記載の発明は、請求項３におい
て、耐還元性誘電体セラミックの焼結助剤成分が、Ｃ
ａ，Ｂａ，Ｓｉであることを特徴とする耐還元性誘電体
セラミックであって、低い温度で焼成された耐還元性誘
電体セラミックが得られるという作用を有する。According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect, the sintering aid component of the reduction-resistant dielectric ceramic is C
a, Ba, Si, which is a reduction-resistant dielectric ceramic, which has an effect of obtaining a reduction-resistant dielectric ceramic fired at a low temperature.

【００１８】請求項５記載の発明は、請求項４におい
て、ガラス相は、ＳｉＯ2−ＣａＯ−ＢａＯであること
を特徴とする耐還元性誘電体セラミックであって、絶縁
抵抗の高い耐還元性誘電体セラミックが得られるという
作用を有する。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the reduction resistant dielectric ceramic according to the fourth aspect, wherein the glass phase is SiO 2 —CaO—BaO, and the glass phase is high in insulation resistance. This has the effect of obtaining a dielectric ceramic.

【００１９】請求項６記載の発明は、請求項３〜５にお
いて、耐還元性誘電体セラミックが、Ｄｙ，Ｍｇ，Ｍｎ
から選ばれる少なくとも１種以上の金属元素を含むこと
を特徴とする耐還元性誘電体セラミックであって、温度
特性や寿命特性が良好な耐還元性誘電体セラミックが得
られるという作用を有する。According to a sixth aspect of the present invention, in the third aspect, the reduction-resistant dielectric ceramic is Dy, Mg, Mn.
A reduction-resistant dielectric ceramic containing at least one or more metal elements selected from the group consisting of: (1) having an effect of obtaining a reduction-resistant dielectric ceramic having good temperature characteristics and life characteristics;

【００２０】請求項７記載の発明は、請求項１，２にお
いて、耐還元性誘電体セラミックの主成分が、チタン酸
ストロンチウム−チタン酸カルシウムであることを特徴
とする耐還元性誘電体セラミックであって、高周波発熱
材の材料において絶縁抵抗の高い低発熱用の耐還元性誘
電体組成物が得られるという作用を有する。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a reduction-resistant dielectric ceramic according to the first and second aspects, wherein a main component of the reduction-resistant dielectric ceramic is strontium titanate-calcium titanate. In addition, the high-frequency heating material has an effect that a low-heat-resistant reduction-resistant dielectric composition having high insulation resistance and low heat generation can be obtained.

【００２１】請求項８記載の発明は、請求項７におい
て、耐還元性誘電体セラミックの焼結助剤成分が、Ｃ
ａ，Ｓｒ，Ｓｉであることを特徴とする耐還元性誘電体
セラミックであって、低い温度で焼成された耐還元性誘
電体セラミックが得られるという作用を有する。According to an eighth aspect of the present invention, in the seventh aspect, the sintering aid component of the reduction-resistant dielectric ceramic is C
A reduction-resistant dielectric ceramic characterized by being a, Sr, and Si, which has an effect of obtaining a reduction-resistant dielectric ceramic fired at a low temperature.

【００２２】請求項９記載の発明は、請求項８におい
て、ガラス相は、ＳｉＯ2−ＣａＯ−ＳｒＯであること
を特徴とする記載の耐還元性誘電体セラミックであっ
て、絶縁抵抗の高い耐還元性誘電体組成物が得られると
いう作用を有する。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the reduction-resistant dielectric ceramic according to the eighth aspect, wherein the glass phase is SiO 2 -CaO-SrO, and the glass phase has a high insulation resistance. It has an effect that a reducing dielectric composition can be obtained.

【００２３】請求項１０記載の発明は、請求項７〜９に
おいて、耐還元性誘電体セラミックが、Ｚｒ，Ｃｏ，Ｍ
ｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属元素を含むこ
とを特徴とする耐還元性誘電体セラミックであって、温
度特性や寿命特性が良好な耐還元性誘電体セラミックが
得られるという作用を有する。According to a tenth aspect of the present invention, in any of the seventh to ninth aspects, the reduction-resistant dielectric ceramic is made of Zr, Co, M
n is a reduction-resistant dielectric ceramic containing at least one or more metal elements selected from n, and has an effect of obtaining a reduction-resistant dielectric ceramic having good temperature characteristics and life characteristics.

【００２４】請求項１１記載の発明は、主成分のチタン
酸バリウム粉末に、Ｃａ，Ｂａ，Ｓｉを含有する焼結助
剤の粒子径を調整して、混合し、焼成して、表面にシリ
カを主成分とするガラス相の２０μｍ〜２００μｍの斑
点を析出させることを特徴とする耐還元性誘電体セラミ
ックの製造方法であって、焼成温度を低下させることが
でき、高い絶縁抵抗を安定して維持でき、強度も維持可
能な耐還元性誘電体セラミックを得ることができるとい
う作用を有する。[0024] The invention according to claim 11 is that the particle diameter of the sintering aid containing Ca, Ba and Si is adjusted to the barium titanate powder as a main component, mixed, calcined, and the silica A method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic, characterized in that spots of 20 μm to 200 μm of a glass phase having as a main component are precipitated, the firing temperature can be reduced, and a high insulation resistance can be stably obtained. This has the effect that a reduction-resistant dielectric ceramic which can be maintained and whose strength can be maintained can be obtained.

【００２５】請求項１２記載の発明は、請求項１１にお
いて、主成分のチタン酸バリウム粉末に、添加剤として
Ｄｙ2Ｏ3，ＭｇＯ，Ｍｎ3Ｏ4から選ばれる少なくとも１
種以上の粉末を混合することを特徴とする記載の耐還元
性誘電体セラミックの製造方法であって、温度特性や寿
命特性が良好な耐還元性誘電体セラミックを得ることが
できるという作用を有する。According to a twelfth aspect of the present invention, in the eleventh aspect, at least one of Dy 2 O 3 , MgO and Mn 3 O 4 as an additive is added to the barium titanate powder as a main component.
A method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic according to the above, characterized in that at least one kind of powder is mixed, which has an effect that a reduction-resistant dielectric ceramic having good temperature characteristics and life characteristics can be obtained. .

【００２６】請求項１３記載の発明は、請求項１１，１
２において、焼結助剤はコロイド状懸濁液として、主成
分粉末に混合されることを特徴とする耐還元性誘電体セ
ラミックの製造方法であって、Ｃａ，Ｂａ，Ｓｉを含有
する焼結助剤が、主成分のチタン酸バリウム粉末粒子の
周囲に均一に分散されて混合でき、焼成時に局部的な異
常反応もなく、緻密な構造の耐還元性誘電体セラミック
を得ることができるという作用を有する。The invention of claim 13 provides the invention of claim 11,
2. The method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic according to 2, wherein the sintering aid is mixed with the main component powder as a colloidal suspension, wherein the sintering aid contains Ca, Ba, and Si. The auxiliary agent can be uniformly dispersed and mixed around the main component barium titanate powder particles, and there is no local abnormal reaction at the time of firing, so that a reduction-resistant dielectric ceramic having a dense structure can be obtained. Having.

【００２７】請求項１４記載の発明は、請求項１３にお
いて、コロイド状懸濁液は、Ｃａ，Ｂａの酢酸塩水溶液
と、Ｓｉの金属アルコキシエタノール溶液とを攪拌混合
しながらアンモニア水を滴下して作製されることを特徴
とする耐還元性誘電体セラミックの製造方法であって、
Ｃａ，Ｂａ，Ｓｉを含有する焼結助剤を微細な水酸化物
として形成することができると言う作用を有する。According to a fourteenth aspect of the present invention, in the thirteenth aspect, the aqueous colloidal suspension is obtained by adding ammonia water dropwise while stirring and mixing an aqueous solution of Ca and Ba acetate and a solution of metal alkoxyethanol of Si. A method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic characterized by being produced,
This has the effect that the sintering aid containing Ca, Ba, and Si can be formed as a fine hydroxide.

【００２８】請求項１５記載の発明は、請求項１４にお
いて、アンモニア水の濃度によって、コロイド状懸濁液
のコロイドの粒子径を調整することを特徴とする耐還元
性誘電体セラミックの製造方法であって、簡単な方法で
コロイドの粒子径を調整できると言う作用を有する。According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided a method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic according to the fourteenth aspect, wherein the colloidal particle diameter of the colloidal suspension is adjusted by adjusting the concentration of aqueous ammonia. This has the effect that the particle size of the colloid can be adjusted by a simple method.

【００２９】請求項１６記載の発明は、主成分のチタン
酸ストロンチウム−チタン酸カルシウム粉末に、Ｃａ，
Ｓｒ，Ｓｉを含有する焼結助剤の粒子径を調整して、混
合し、焼成して、表面にシリカを主成分とするガラス相
の２０μｍ〜２００μｍの斑点を析出させることを特徴
とする耐還元性誘電体セラミックの製造方法であって、
焼成温度を低下させることができ、高い絶縁抵抗を安定
して維持でき、強度も維持可能な耐還元性誘電体セラミ
ックを得ることができるという作用を有する。[0029] The invention according to claim 16 is characterized in that strontium titanate-calcium titanate powder as a main component contains Ca,
The particle diameter of the sintering aid containing Sr and Si is adjusted, mixed, and fired to deposit spots of 20 μm to 200 μm of a glass phase containing silica as a main component on the surface. A method for producing a reducing dielectric ceramic, comprising:
This has the effect of reducing the firing temperature, stably maintaining high insulation resistance, and obtaining a reduction-resistant dielectric ceramic capable of maintaining strength.

【００３０】請求項１７記載の発明は、請求項１６にお
いて、主成分のチタン酸ストロンチウム−チタン酸カル
シウム粉末に、添加剤としてＺｒＯ2，ＣｏＯ，Ｍｎ3Ｏ
4から選ばれる少なくとも１種以上の粉末を混合するこ
とを特徴とする耐還元性誘電体セラミックの製造方法で
あって、温度特性や寿命特性が良好な耐還元性誘電体セ
ラミックを得ることができるという作用を有する。According to a seventeenth aspect, in the sixteenth aspect, ZrO 2 , CoO, Mn 3 O is added to the strontium titanate-calcium titanate powder as a main component as an additive.
4. A method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic, comprising mixing at least one powder selected from the group consisting of 4 and 4. The reduction-resistant dielectric ceramic having good temperature characteristics and good life characteristics can be obtained. It has the action of

【００３１】請求項１８記載の発明は、請求項１６，１
７において、焼結助剤はコロイド状懸濁液として、主成
分粉末に混合されることを特徴とする耐還元性誘電体セ
ラミックの製造方法であって、Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉを含有
する焼結助剤が、主成分のチタン酸ストロンチウム−チ
タン酸カルシウム粉末粒子の周囲に均一に分散されて混
合でき、焼成時に局部的な異常反応もなく、緻密な構造
の耐還元性誘電体セラミックを得ることができるという
作用を有する。The invention according to claim 18 is the invention according to claims 16 and 1
7. The method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic according to 7, wherein the sintering aid is mixed with the main component powder as a colloidal suspension, wherein the sintering agent contains Ca, Sr, and Si. The auxiliaries can be uniformly dispersed and mixed around the main component strontium titanate-calcium titanate powder particles, and there is no local abnormal reaction during firing, and a dense structure of reduction-resistant dielectric ceramic is obtained. It has the effect of being able to.

【００３２】請求項１９記載の発明は、請求項１８にお
いて、コロイド状懸濁液は、Ｃａ，Ｓｒの酢酸塩水溶液
と、Ｓｉの金属アルコキシエタノール溶液とを攪拌混合
しながらアンモニア水を滴下して作製されることを特徴
とする耐還元性誘電体セラミックの製造方法であって、
Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉを含有する焼結助剤を微細な水酸化物
として形成することができると言う作用を有する。According to a nineteenth aspect of the present invention, the aqueous colloidal suspension is obtained by adding ammonia water dropwise while stirring and mixing an aqueous solution of Ca and Sr acetate and a solution of metal alkoxyethanol of Si. A method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic characterized by being produced,
This has the effect that the sintering aid containing Ca, Sr, and Si can be formed as a fine hydroxide.

【００３３】請求項２０記載の発明は、請求項１９にお
いて、アンモニア水の濃度によって、コロイド状懸濁液
のコロイドの粒子径を調整することを特徴とする耐還元
性誘電体セラミックの製造方法であって、簡単な方法で
コロイドの粒子径を調整できると言う作用を有する。According to a twentieth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a reduction-resistant dielectric ceramic according to the nineteenth aspect, wherein the colloidal particle size of the colloidal suspension is adjusted by adjusting the concentration of aqueous ammonia. This has the effect that the particle size of the colloid can be adjusted by a simple method.

【００３４】請求項２１記載の発明は、セラミック誘電
体層間に内部電極層を備えた基体と、基体の両端部に設
けられ、内部電極層と電気的に接続された一対の外部電
極とを備えた積層セラミックコンデンサであって、内部
電極層が卑金属で構成されると共に、セラミック誘電体
層が請求項１〜１０いずれか１記載の耐還元性誘電体セ
ラミックで構成されたことを特徴とする積層セラミック
コンデンサであって、絶縁抵抗が高いために、沿面リー
クせず、破壊電圧が高く、寿命テストに優れた積層セラ
ミックコンデンサを実現できるという作用を有する。According to a twenty-first aspect of the present invention, there is provided a base having an internal electrode layer between ceramic dielectric layers, and a pair of external electrodes provided at both ends of the base and electrically connected to the internal electrode layer. A multilayer ceramic capacitor comprising: an internal electrode layer made of a base metal; and a ceramic dielectric layer made of a reduction-resistant dielectric ceramic according to any one of claims 1 to 10. A ceramic capacitor which has a high insulation resistance, does not cause surface leakage, has a high breakdown voltage, and has an effect of realizing a multilayer ceramic capacitor excellent in a life test.

【００３５】請求項２２記載の発明は、請求項２１にお
いて、内部電極層を構成する卑金属が、ＮｉまたはＮｉ
合金であることを特徴とする記載の積層セラミックコン
デンサであって、安価な積層セラミックコンデンサを実
現できるという作用を有する。According to a twenty-second aspect, in the twenty-first aspect, the base metal constituting the internal electrode layer is Ni or Ni.
The multilayer ceramic capacitor according to the above description, which is an alloy, and has an effect that an inexpensive multilayer ceramic capacitor can be realized.

【００３６】請求項２３記載の発明は、請求項２１，２
２において、一対の外部電極に端子をそれぞれ接続し、
基体及び外部電極と、端子の一部とを外装材で埋設した
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサであって、
耐回路基板曲げ性等の機械的応力に対して優れた耐久性
を有する積層セラミックコンデンサを実現できるという
作用を有する。According to the twenty-third aspect of the present invention,
In 2, each terminal is connected to a pair of external electrodes,
A multilayer ceramic capacitor, characterized in that the base and the external electrode, and a part of the terminal are embedded in an exterior material,
This has the effect of realizing a multilayer ceramic capacitor having excellent durability against mechanical stress such as circuit board bending resistance.

【００３７】請求項２４記載の発明は、請求項２１，２
２において、一対の外部電極にリード線をそれぞれ接続
し、基体及び外部電極と、リード線の一部とを外装材で
埋設したことを特徴とする積層セラミックコンデンサで
あって、耐回路基板曲げ性等の機械的応力に対して極め
て優れた耐久性を有する積層セラミックコンデンサを実
現できるという作用を有する。The twenty-fourth aspect of the present invention provides the twenty-first and twenty-second aspects.
2. A multilayer ceramic capacitor according to 2, wherein a lead wire is connected to each of the pair of external electrodes, and the base, the external electrode, and a part of the lead wire are buried with an exterior material. This has the effect of realizing a multilayer ceramic capacitor having extremely excellent durability against mechanical stress such as.

【００３８】このような本発明の耐還元性誘電体セラミ
ックを構成する各材料や製造方法について説明する。The materials constituting the reduction-resistant dielectric ceramic of the present invention and the manufacturing method will be described.

【００３９】耐還元性誘電体セラミックは、耐還元性誘
電体組成物を焼成することにより得られるものである。
本発明に用いられる還元性誘電体組成物は、チタン酸バ
リウム（ＢａＴｉＯ3）、チタン酸ストロンチウム−チ
タン酸カルシウム（ＳｒＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3）等の主
成分に、Ｄｙ2Ｏ3，ＭｇＯ，Ｍｎ3Ｏ4，ＺｒＯ2，Ｃｏ
Ｏ，Ｍｎ3Ｏ4等の添加剤を適宜添加し、Ｃａ，Ｂａ，Ｓ
ｒ，Ｓｉ成分等の焼結助剤を混合するものである。The reduction-resistant dielectric ceramic is obtained by firing the reduction-resistant dielectric composition.
The reducing dielectric composition used in the present invention contains Dy 2 O 3 , MgO, Mn 3 as a main component such as barium titanate (BaTiO 3 ), strontium titanate-calcium titanate (SrTiO 3 —CaTiO 3 ). O 4 , ZrO 2 , Co
Additives such as O, Mn 3 O 4 etc. are added appropriately, and Ca, Ba, S
It mixes sintering aids such as r and Si components.

【００４０】本発明に用いられる耐還元性誘電体組成物
の主成分について説明すると、高誘電率系の材料として
チタン酸バリウム、低発熱材料としてチタン酸ストロン
チウム−チタン酸カルシウムを用いることができる。こ
こで、チタン酸ストロンチウム−チタン酸カルシウム
は、０．６１ＳｒＴｉＯ3−０．３９ＣａＴｉＯ3である
ことが好ましい。また、チタン酸バリウム、チタン酸ス
トロンチウム−チタン酸カルシウム等の主成分の粉末
は、平均粒子径と粒子径分布の幅が小さいものが好まし
い。また、反応性についてはそれが小さい方がＢ特性あ
るいはＸ７Ｒ特性の発現が容易であるので、結晶化度の
高い粉末を使用するのが好ましい。なお、チタン酸バリ
ウム粉末を製造する工程において混入する不純物には、
バリウム以外のアルカリ土類金属や鉄、珪素及びアルミ
ニウム等があるが、これら不純物は数千ｐｐｍのオーダ
で含有されていても特に支障はない。また、更に、主成
分としては、これらチタン酸バリウム、チタン酸ストロ
ンチウム−チタン酸カルシウム以外の材料を用いてもよ
い。The main components of the reduction-resistant dielectric composition used in the present invention are described below. Barium titanate can be used as a material having a high dielectric constant, and strontium titanate-calcium titanate can be used as a low heat generating material. Here, strontium titanate - calcium titanate is preferably 0.61SrTiO 3 -0.39CaTiO 3. In addition, the powder of the main component such as barium titanate or strontium titanate-calcium titanate preferably has a small average particle diameter and a small width of the particle diameter distribution. Further, it is preferable to use a powder having a high degree of crystallinity because the smaller the reactivity, the easier it is to develop the B characteristics or X7R characteristics. In addition, impurities mixed in the process of manufacturing barium titanate powder include:
There are alkaline earth metals other than barium, iron, silicon, aluminum and the like, but there is no particular problem even if these impurities are contained in the order of several thousand ppm. Further, as a main component, a material other than barium titanate and strontium titanate-calcium titanate may be used.

【００４１】また、本発明に用いられる耐還元性誘電体
組成物の添加剤としては、Ｄｙ2Ｏ3，ＭｇＯ，Ｍｎ
3Ｏ4，ＺｒＯ2，ＣｏＯ，Ｍｎ3Ｏ4等である。特に、主
成分をチタン酸バリウムとする場合には、Ｄｙ2Ｏ3、Ｍ
ｇＯやＭｎ2Ｏ3等を添加し、主成分をチタン酸ストロン
チウム−チタン酸カルシウムとする場合には、Ｚｒ
Ｏ2、ＣｏＯやＭｎ2Ｏ3等を添加することによって、温
度特性や寿命特性を良化させることができる。Further, as additives of the reduction resistant dielectric composition used in the present invention, Dy 2 O 3 , MgO, Mn
3 O 4 , ZrO 2 , CoO, Mn 3 O 4 and the like. In particular, when the main component is barium titanate, Dy 2 O 3 , M
When gO or Mn 2 O 3 is added and the main component is strontium titanate-calcium titanate, Zr
By adding O 2 , CoO, Mn 2 O 3, etc., the temperature characteristics and the life characteristics can be improved.

【００４２】即ち、本発明ではチタン酸バリウムに耐還
元性を持たせ、温度特性や寿命特性を良化させるため
に、Ｄｙ2Ｏ3、ＭｇＯやＭｎ2Ｏ3等を微量添加し、ま
た、低発熱材料のチタン酸ストロンチウム−チタン酸カ
ルシウムに耐還元性を持たせ、温度特性や寿命特性を良
化させるために、ＺｒＯ2、ＣｏＯやＭｎ2Ｏ3等を微量
添加することが好ましい。That is, in the present invention, a small amount of Dy 2 O 3 , MgO, Mn 2 O 3, or the like is added in order to impart reduction resistance to barium titanate and improve temperature characteristics and life characteristics. It is preferable to add a small amount of ZrO 2 , CoO, Mn 2 O 3, or the like, in order to impart strontium titanate-calcium titanate, which is a low heat generating material, with reduction resistance and improve temperature characteristics and life characteristics.

【００４３】また、焼結助剤としては、Ｃａ，Ｂａ，Ｓ
ｒ，Ｓｉの酸化物があげられるが、これら焼結助剤は、
主成分と添加剤を混合した粉末に添加される。そして、
主成分チタン酸バリウム粉末には、Ｃａ，Ｂａ，Ｓｉを
焼結助剤とし、主成分チタン酸ストロンチウム−チタン
酸カルシウム粉末には、Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉを焼結助剤と
することが好ましい。また、焼結助剤の主成分、添加剤
混合粉末への添加方法としては、焼結助剤をコロイド状
懸濁液の状態で添加することが好ましい。As sintering aids, Ca, Ba, S
r and Si oxides, and these sintering aids
It is added to the powder obtained by mixing the main components and additives. And
It is preferable that Ca, Ba, and Si are used as sintering aids for the main component barium titanate powder, and Ca, Sr, and Si are used as sintering aids for the main component strontium titanate-calcium titanate powder. As a method of adding the sintering aid to the main component and additive mixed powder, it is preferable to add the sintering aid in the form of a colloidal suspension.

【００４４】このコロイド状懸濁液の添加について、主
成分チタン酸バリウム粉末に、Ｃａ，Ｂａ，Ｓｉの焼結
助剤を添加する場合で説明すると、Ｃａ及びＢａの酢酸
塩水溶液とＳｉの金属アルコキシドエタノール溶液を攪
拌混合しながら、濃度を変化させたアンモニア水等の共
沈剤を滴下してＣａ、Ｂａ及びＳｉ成分を含む凝集コロ
イド状の溶液を作製し、コロイド状懸濁液のコロイドを
熟成させ、これを主成分のチタン酸バリウム粉末及びＤ
ｙ2Ｏ3、ＭｇＯやＭｎ2Ｏ3等の微量の添加剤と共に混合
し、乾燥して、耐還元性誘電体組成物粉末を作製する。The addition of the colloidal suspension will be described in the case of adding a sintering aid of Ca, Ba and Si to barium titanate powder as a main component. While stirring and mixing the alkoxide ethanol solution, a coprecipitant such as aqueous ammonia having a changed concentration is added dropwise to prepare an aggregated colloidal solution containing Ca, Ba and Si components, and the colloid of the colloidal suspension is removed. Aged, and the barium titanate powder as the main component and D
It is mixed with a small amount of an additive such as y 2 O 3 , MgO or Mn 2 O 3 and dried to prepare a reduction-resistant dielectric composition powder.

【００４５】このようにコロイド状懸濁液として添加す
ることによって、Ｃａ、Ｂａ及びＳｉを含有する微粒子
が適度に分散され、主成分であるチタン酸バリウム粒子
の周辺に適度にこの成分が存在するため、焼成時にシリ
カ主成分とするガラス相の斑点が析出し、絶縁抵抗の高
い耐還元性誘電体セラミックが得られる。By adding as a colloidal suspension in this manner, fine particles containing Ca, Ba and Si are appropriately dispersed, and this component is appropriately present around barium titanate particles as a main component. Therefore, spots of a glass phase containing silica as a main component precipitate during firing, and a reduction-resistant dielectric ceramic having high insulation resistance is obtained.

【００４６】更に具体的に説明すると、誘電体組成物の
主成分・添加剤混合粉末と混合するコロイド状懸濁液の
出発材料であるＣａ、Ｂａ及びＳｒの酢酸塩及びＳｉの
アルコキシドは一般的市販品が使用可能である。なお、
これらに含有される不純物は似通った化学的性質を有す
る金属であるため、前述のチタン酸バリウムと同様に数
千ｐｐｍのオーダで含有されていても特に支障はない。
また、アルコキシドを溶解させるエタノールも一般的な
市販品が使用できる。More specifically, acetates of Ca, Ba and Sr and alkoxides of Si, which are starting materials of a colloidal suspension mixed with the main component / additive mixed powder of the dielectric composition, are generally used. Commercial products can be used. In addition,
Since the impurities contained in these are metals having similar chemical properties, there is no particular problem even if they are contained in the order of several thousand ppm as in the above-mentioned barium titanate.
In addition, general commercial products can also be used as ethanol for dissolving the alkoxide.

【００４７】これら酢酸塩やアルコキシドは水ーエタノ
ール溶液中で水和したイオンとして存在し、後のアンモ
ニア水の滴下によって微細な水酸化物をコロイド状懸濁
液の形で生成し、これを主成分のチタン酸バリウム等と
混合するものである。These acetates and alkoxides are present as hydrated ions in a water-ethanol solution, and a fine hydroxide is formed in the form of a colloidal suspension by the subsequent dropwise addition of ammonia water. And barium titanate.

【００４８】また、コロイドの粒子径を調整するため
に、アンモニア水の濃度を１〜１０モル／リットルの間
でコントロールする。これによって、焼成時にシリカを
主成分とするガラス相の斑点の大きさをコントロールす
ることが可能である。In order to adjust the particle diameter of the colloid, the concentration of aqueous ammonia is controlled between 1 and 10 mol / l. This makes it possible to control the size of spots in the glass phase containing silica as a main component during firing.

【００４９】また、焼結助剤の添加量は、Ｃａ、Ｂａ
（或いはＳｒ）に関しては、チタン酸バリウム（或いは
チタン酸ストロンチウム−チタン酸カルシウム）１００
モルに対しＣａ、Ｂａ（或いはＳｒ）成分の内少なくと
も１種が１．５モルを超えると誘電率が低下すると共に
高温負荷寿命が劣化し、また０．５モル未満になると焼
結助剤としての効果が得られず、焼成による緻密化が不
完全となり最適焼成温度が高くなる。Ｓｉ成分に関して
も同様に、３．０モルを超えると誘電率が低下すると共
に高温負荷寿命が劣化し、また１．０モル未満になると
焼結助剤としての効果が得られず、焼成による緻密化が
不完全となる。The amount of the sintering aid added is Ca, Ba
For (or Sr), barium titanate (or strontium titanate-calcium titanate) 100
If at least one of the Ca and Ba (or Sr) components exceeds 1.5 moles, the dielectric constant decreases and the high-temperature load life deteriorates. Cannot be obtained, densification by firing becomes incomplete, and the optimum firing temperature increases. Similarly, if the Si content exceeds 3.0 mol, the dielectric constant decreases and the high temperature load life deteriorates. If the Si content is less than 1.0 mol, the effect as a sintering aid cannot be obtained, and Is incomplete.

【００５０】よって、本発明の焼結助剤の添加量として
は、誘電体組成物の主成分に対してＣａ、Ｂａ及びＳｒ
成分は１．２モル、Ｓｉ成分も１．２モルとすることが
好ましい。Therefore, the addition amount of the sintering aid of the present invention is such that Ca, Ba and Sr are added to the main component of the dielectric composition.
Preferably, the component is 1.2 mol and the Si component is also 1.2 mol.

【００５１】なお、焼結助剤はコロイド状懸濁液の形で
生成し、これを主成分等の粉末と混合した場合で説明し
たが、コロイド状懸濁液とせず、各成分の焼結助剤を粉
体そして主成分等の粉末と混合する方法でもよい。その
場合には、焼成時にシリカを主成分とするガラス相の斑
点の大きさをコントロールするため、混合する焼結助剤
粉体を適宜分級して調整する。しかし、焼結助剤を粉体
で主成分等と混合する場合、主成分粉末粒子の周囲に適
度に分散させることは、コロイド状懸濁液を用いる場合
に比べ容易ではないので、コロイド状懸濁液を用いる事
が好ましい。The sintering aid is produced in the form of a colloidal suspension, which is described as being mixed with a powder of the main component. A method of mixing the auxiliary with the powder and the powder of the main component may be used. In this case, the sintering aid powder to be mixed is appropriately classified and adjusted in order to control the size of spots in the glass phase containing silica as a main component during firing. However, when the sintering aid is mixed with the main component or the like in the form of a powder, it is not easy to disperse the powder around the main component powder particles appropriately as compared with the case of using a colloidal suspension. It is preferable to use a suspension.

【００５２】次に、耐還元性誘電体セラミックの表面に
析出するシリカを主成分とするガラス相の斑点について
説明する。このガラス相の斑点は、平均径が２０〜２０
０μｍの範囲内にあるものである。また、この斑点の平
均径は４０〜１８０μｍが更に好ましい。そして、２０
μｍ以下では絶縁抵抗が低くなり、２００μｍ以上では
素子の強度が弱くなる。なお、本発明における斑点の平
均径は、斑点の最大径と最小径をたして２で割った値で
ある。更に、このシリカを主成分とするガラス相は、チ
タン酸バリウムを主成分とし、焼結助剤にＣａ、Ｂａ、
Ｓｉ成分を用いた場合では、ＳｉＯ2−ＣａＯ−ＢａＯ
である。また、チタン酸ストロンチウム−チタン酸カル
シウムを主成分とし、焼結助剤成分としてＣａ，Ｓｒ，
Ｓｉを用いた場合は、ガラス相は、ＳｉＯ2−ＣａＯ−
ＳｒＯである。Next, a description will be given of spots of a glass phase containing silica as a main component and precipitated on the surface of the reduction-resistant dielectric ceramic. The spots of this glass phase have an average diameter of 20 to 20.
It is within a range of 0 μm. The average diameter of these spots is more preferably 40 to 180 μm. And 20
If it is less than μm, the insulation resistance is low, and if it is more than 200 μm, the strength of the element is weak. The average diameter of spots in the present invention is a value obtained by adding the maximum diameter and the minimum diameter of the spots and dividing by 2. Further, the glass phase containing silica as a main component contains barium titanate as a main component, and Ca, Ba,
When the Si component is used, SiO 2 —CaO—BaO
It is. In addition, strontium titanate-calcium titanate is a main component, and Ca, Sr,
When Si is used, the glass phase is SiO 2 —CaO—
SrO.

【００５３】そして、本発明の耐還元性誘電体セラミッ
クは、表面に析出するシリカ主成分とするガラス相の斑
点を有することにより、絶縁抵抗の高い成分の斑点が適
度に分散されることにより、誘電体の絶縁抵抗が高くな
り、積層セラミックコンデンサに電圧を印加した際に、
沿面開始電圧が高くなった。それに伴い、空気中の絶縁
破壊電圧も向上した。Since the reduction-resistant dielectric ceramic of the present invention has spots of a glass phase mainly composed of silica precipitated on the surface, the spots of the component having a high insulation resistance are appropriately dispersed. When the insulation resistance of the dielectric increases and a voltage is applied to the multilayer ceramic capacitor,
Creepage starting voltage increased. As a result, the breakdown voltage in air has also been improved.

【００５４】また、本発明の耐還元性誘電体セラミック
を用いた積層セラミックコンデンサは、そのセラミック
誘電体層が、上述した耐還元性誘電体セラミックで構成
されるものである。Further, in a multilayer ceramic capacitor using the reduction-resistant dielectric ceramic of the present invention, the ceramic dielectric layer is formed of the above-described reduction-resistant dielectric ceramic.

【００５５】以下、本発明の積層セラミックコンデンサ
について、図面を参照しながら詳しく説明する。Hereinafter, the multilayer ceramic capacitor of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【００５６】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１における積層セラミックコンデンサの斜視図であ
り、図２は本発明の実施の形態１における積層セラミッ
クコンデンサを示す断面図である。図１，２において、
１は基体、２はセラミック誘電体層、３はガラス相の斑
点、４は内部電極層、５は下層外部電極、６は上層外部
電極である。１００は積層セラミックコンデンサを示
す。(Embodiment 1) FIG. 1 is a perspective view of a multilayer ceramic capacitor according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing the multilayer ceramic capacitor according to Embodiment 1 of the present invention. In FIGS. 1 and 2,
1 is a substrate, 2 is a ceramic dielectric layer, 3 is a glass phase spot, 4 is an internal electrode layer, 5 is a lower external electrode, and 6 is an upper external electrode. Reference numeral 100 denotes a multilayer ceramic capacitor.

【００５７】図１に示すように、積層セラミックコンデ
ンサ１００は、基体１のセラミック誘電体層２の表面に
ガラス相の斑点３を有するものである。また、図２に示
すように、基体１は、セラミック誘電体層２間に内部電
極層４を備えた積層体であり、積層体である基体１の両
端部に、内部電極層４と電気的に接続された一対の下層
外部電極５を備えている。更に、下層外部電極５の上に
は上層外部電極６が形成されている。As shown in FIG. 1, a multilayer ceramic capacitor 100 has a glass phase spot 3 on the surface of a ceramic dielectric layer 2 of a base 1. As shown in FIG. 2, the base 1 is a laminate having an internal electrode layer 4 between ceramic dielectric layers 2. The internal electrode layer 4 is electrically connected to both ends of the laminate base 1. And a pair of lower-layer external electrodes 5 connected to the lower electrode. Further, an upper external electrode 6 is formed on the lower external electrode 5.

【００５８】セラミック誘電体層２は、上述した耐還元
性誘電体セラミックが用いられる。そして、ガラス相の
斑点３も上述したように、シリカを主成分とし、平均径
が２０〜２００μｍの範囲内にあるものである。For the ceramic dielectric layer 2, the above-mentioned reduction-resistant dielectric ceramic is used. And, as described above, the speckles 3 of the glass phase are mainly composed of silica and have an average diameter in the range of 20 to 200 μm.

【００５９】内部電極層４は、Ａｇ、Ｐｄ等の貴金属で
はなく、卑金属で構成され、Ｃｕ、Ｎｉ等も用いること
ができ、ＮｉまたはＮｉ合金であることが好ましい。ま
た、下層外部電極５もＮｉまたはＮｉ合金であることが
好ましい。上層外部電極６はＡｇが好ましく、更に、こ
の上層外部電極６の上に、Ｎｉ、Ｓｎを順次鍍金して積
層してもよい。The internal electrode layer 4 is made of a base metal instead of a noble metal such as Ag or Pd. Cu, Ni or the like can also be used, and Ni or a Ni alloy is preferable. Further, it is preferable that the lower external electrode 5 is also made of Ni or a Ni alloy. The upper external electrode 6 is preferably made of Ag, and Ni and Sn may be sequentially plated and laminated on the upper external electrode 6.

【００６０】（実施の形態２）図３は本発明の実施の形
態２におけるモールド型の積層セラミックコンデンサの
断面図であり、７は外装材、８は端子である。また、２
００はモールド型の積層セラミックコンデンサである。
なお、本実施の形態２においては、実施の形態１で説明
した部分には同様の符号を付しており、説明を省略す
る。(Embodiment 2) FIG. 3 is a cross-sectional view of a molded multilayer ceramic capacitor according to Embodiment 2 of the present invention, where 7 is an exterior material and 8 is a terminal. Also, 2
Reference numeral 00 denotes a molded multilayer ceramic capacitor.
In the second embodiment, the same reference numerals are given to the parts described in the first embodiment, and the description will be omitted.

【００６１】図３に示すように、モールド型の積層セラ
ミックコンデンサ２００では、チップ型の積層セラミッ
クコンデンサ１００の上層外部電極６に端子８が接続さ
れ、更に、積層セラミックコンデンサ１００と端子８の
一部が、熱硬化型樹脂等で構成された外装材７に埋設さ
れた構成となっている。As shown in FIG. 3, in the molded multilayer ceramic capacitor 200, the terminal 8 is connected to the upper external electrode 6 of the chip type multilayer ceramic capacitor 100. Are embedded in an exterior material 7 made of a thermosetting resin or the like.

【００６２】即ち、外装材７に埋込まれた積層セラミッ
クコンデンサ１００の両端部から導電性の端子８が引出
され、端子８を介して回路基板に表面実装できるように
構成される。そして、モールド型の積層セラミックコン
デンサ２００のように、外装材７で埋込みモールド型に
することによって、高い信頼性と優れた表面実装性を実
現することができる。That is, the conductive terminals 8 are drawn out from both ends of the multilayer ceramic capacitor 100 embedded in the exterior member 7, and are configured to be surface-mounted on the circuit board via the terminals 8. And, as in the case of the mold-type multilayer ceramic capacitor 200, by using an embedded mold type with the exterior material 7, high reliability and excellent surface mountability can be realized.

【００６３】（実施の形態３）図４は本発明の実施の形
態３におけるリード型の積層セラミックコンデンサの断
面図であり、９はリード線、１０は半田である。また、
３００はリード型の積層セラミックコンデンサである。
なお、本実施の形態３においても、実施の形態１で説明
した部分には同様の符号を付しており、説明を省略す
る。(Embodiment 3) FIG. 4 is a sectional view of a lead-type multilayer ceramic capacitor according to Embodiment 3 of the present invention, where 9 is a lead wire and 10 is solder. Also,
Reference numeral 300 denotes a lead type multilayer ceramic capacitor.
Note that, also in the third embodiment, the same reference numerals are given to the portions described in the first embodiment, and the description will be omitted.

【００６４】図４に示したように、リード型の積層セラ
ミックコンデンサ３００では、チップ型の積層セラミッ
クコンデンサ１００の上層外部電極６にリード線９が半
田１０で接続され、更に、積層セラミックコンデンサ１
００とリード線９の一部が、外装材７に埋設された構成
となっている。As shown in FIG. 4, in the lead type multilayer ceramic capacitor 300, the lead wire 9 is connected to the upper layer external electrode 6 of the chip type multilayer ceramic capacitor 100 by solder 10, and
00 and a part of the lead wire 9 are embedded in the exterior material 7.

【００６５】即ち、外装材７に埋込まれた積層セラミッ
クコンデンサ１００の両端部から導電性のリード線９が
引出され、リード線９を介して回路基板に半田付けでき
るように構成されている。そして、リード型の積層セラ
ミックコンデンサ３００は、回路基板にはリード線９が
半田付けされるため、耐基板曲げ等の機械的応力が一切
印加されず、回路設計上優位性のあるものとなる。That is, the conductive leads 9 are drawn out from both ends of the multilayer ceramic capacitor 100 embedded in the exterior material 7 and can be soldered to the circuit board via the leads 9. Since the lead wire 9 is soldered to the circuit board, no mechanical stress such as bending resistance of the board is applied to the lead-type multilayer ceramic capacitor 300, and the lead-type multilayer ceramic capacitor 300 is superior in circuit design.

【００６６】[0066]

【実施例】次に、実施例により本発明を詳細に説明す
る。なお、本発明は以下の実施例等により、なんら限定
されるものではない。Next, the present invention will be described in detail with reference to examples. The present invention is not limited at all by the following examples and the like.

【００６７】（実施例１）はじめに主成分のチタン酸バ
リウム粉末と添加剤であるＤｙ2Ｏ3と、ＭｇＯと、Ｍｎ
3Ｏ4との配合物と、Ｃａ，Ｂａ及びＳｉより成る焼結助
剤成分のコロイド状懸濁液をボールミルで混合して各々
の出発原料粉末を作製する。Example 1 First, barium titanate powder as a main component, Dy 2 O 3 as an additive, MgO, and Mn
Each starting material powder is prepared by mixing a blend with 3 O 4 and a colloidal suspension of a sintering aid component consisting of Ca, Ba and Si in a ball mill.

【００６８】次に、作製した粉末を使用して、形状が３
２１６サイズで定格電圧が６３０ＶＤＣを保証し１００
００ＰＦの静電容量値が取得可能な積層セラミックコン
デンサを試作して総合評価する。Next, using the produced powder,
The rated voltage is 630VDC in 216 size and 100
A multilayer ceramic capacitor capable of obtaining a capacitance value of 00PF is prototyped and comprehensively evaluated.

【００６９】以下に積層セラミックコンデンサの詳細な
試作手順と評価方法について説明する。A detailed description will now be given of a procedure for producing a multilayer ceramic capacitor and an evaluation method thereof.

【００７０】主成分である平均粒子径０．３μｍチタン
酸バリウム粉末（１００モル）に対して、添加剤である
Ｄｙ2Ｏ3（０．５モル）、ＭｇＯ（０．０１モル）及び
Ｍｎ 3Ｏ4（０．０１モル）の各粉末を電子天秤で所定量
を秤量し、５ｍｍφのＺｒＯ 2質ボールが３５０ｇ入っ
た内容積が６００ＣＣのポリエチレン製ポットミル中に
投入する。Titanium as the main component, average particle size 0.3 μm
Additive to barium acid powder (100 mol)
DyTwoOThree(0.5 mol), MgO (0.01 mol) and
Mn ThreeOFour(0.01 mol) of each powder by electronic balance
Is weighed, and 5 mmφ ZrO Two350g quality ball
In a pot mill made of polyethylene with a capacity of 600 CC
throw into.

【００７１】次にＢａ、Ｃａの酢酸塩及びＴＥＯＳ（テ
トラエトキシシラン）の所定量を電子天秤で秤量した
後、酢酸塩は１００ＣＣの純水に、またＴＥＯＳは１５
０ＣＣのエタノールに別々に溶解させる。After weighing a predetermined amount of Ba and Ca acetates and TEOS (tetraethoxysilane) with an electronic balance, the acetates were dissolved in 100 CC of pure water, and the TEOS was reduced to 15%.
Dissolve separately in 0CC ethanol.

【００７２】そして、該水溶液をエタノール溶液中に投
入して攪拌を続けながら１〜１０規定のアンモニア水を
所定量滴下し、撹はん時間を変化させて、焼結助剤成分
（ガラス相）より成る８種類のコロイド状懸濁液を得
た。この時、アンモニア水の濃度を上記した範囲で変化
させることによって、コロイド粒子の粒径を調整する。Then, the aqueous solution was put into an ethanol solution, and a predetermined amount of 1 to 10 N ammonia water was added dropwise while stirring was continued, and the stirring time was changed to change the sintering aid component (glass phase). Thus, eight kinds of colloidal suspensions were obtained. At this time, the particle size of the colloid particles is adjusted by changing the concentration of the aqueous ammonia within the above range.

【００７３】次に、該コロイド状懸濁液を上記ボールミ
ル中に投入し１００ｒｐｍの回転速度で２０時間混合し
た。混合物は１５０メッシュのシルクスクリーンで濾過
して、テフロン（登録商標）シートを敷いたステンレス
バット中に投入し、ドラフト中で加温しながらエタノー
ル分を揮発させ、アルミ泊で蓋をして１５０℃の温度で
乾燥した。Next, the colloidal suspension was put into the ball mill and mixed at a rotation speed of 100 rpm for 20 hours. The mixture was filtered through a 150-mesh silk screen, poured into a stainless steel vat lined with a Teflon (registered trademark) sheet, evaporated in a draft while heating to evaporate the ethanol content, covered with aluminum and covered at 150 ° C. At a temperature of.

【００７４】乾燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕し
た後、３２メッシュのナイロン篩を通過してアルミナ製
坩堝に入れて４００℃／２時間（昇降温速度：２００℃
／Ｈ）の条件で熱処理してスラリー用粉末とした。The dried lump was crushed in an alumina mortar, passed through a 32-mesh nylon sieve, and placed in an alumina crucible at 400 ° C. for 2 hours (heating rate: 200 ° C.)
/ H) to obtain a slurry powder.

【００７５】次に、内容積が６００ＣＣのポリエチレン
製ポットミル中にスラリー用粉末１００ｇと、溶剤とし
て作用する酢酸ブチル、２−ｎ−ブトキシエタノール及
びエタノールさらに可塑剤として作用するブチルベンジ
ルフタレートをそれぞれ所定量投入し、１０ｍｍφＺｒ
Ｏ2ボール４４０ｇを用いて１００ｒｐｍの回転速度で
６時間混合することにより湿潤した。６時間湿潤後、ス
ラリーをスポイドで平滑なガラス板上に滴下して、成膜
し、光学顕微鏡で分散状態を観察して凝集がないことを
確認した。そして、湿潤が完了した上記ボールミルに、
ポリビニルブチラール樹脂より成るビヒクルを５０ｇ投
入し１００ｒｐｍの回転速度で１２時間混合してシート
成形用スラリーとした。ここで、ポリビニルブチラール
樹脂と可塑剤としてのブチルベンジルフタレートの合計
比率は粉末に対して９〜１８重量％の範囲内であれば後
の積層工程で良好な転写性が得られる。Next, 100 g of powder for slurry, butyl acetate, 2-n-butoxyethanol and ethanol acting as a solvent, and butyl benzyl phthalate acting as a plasticizer in predetermined amounts were each placed in a polyethylene pot mill having an internal volume of 600 CC. Put in, 10mmφZr
Wet by mixing with 440 g of O 2 balls at a rotation speed of 100 rpm for 6 hours. After wetting for 6 hours, the slurry was dropped on a smooth glass plate with a spoid to form a film, and the dispersion state was observed with an optical microscope to confirm that there was no aggregation. Then, in the ball mill where wetting is completed,
50 g of a vehicle made of a polyvinyl butyral resin was charged and mixed at a rotation speed of 100 rpm for 12 hours to obtain a sheet forming slurry. Here, if the total ratio of the polyvinyl butyral resin and butylbenzyl phthalate as a plasticizer is in the range of 9 to 18% by weight with respect to the powder, good transferability can be obtained in the subsequent laminating step.

【００７６】次に、該スラリーを１５０メッシュのシル
クスクリーンで濾過した後、７５μｍの基体上に成膜し
て２０〜２５μｍの厚みを有するセラミック生シートを
得た。そして、該セラミック生シートと、Ｎｉペースト
より作製した内部電極シートを用いて転写工法により所
定の層数に積層した後、切断してグリーンチップを得
た。ここで、セラミック生シートの厚みは１０〜６０μ
ｍの範囲内であれば工程管理上差し支えない。また、使
用するＮｉペースト中のＮｉは気相法若しくは液相法に
より合成されたもの、或いは両方法により合成されたも
のの混合物を使用できる。Next, the slurry was filtered through a 150-mesh silk screen, and then formed into a film on a substrate having a thickness of 75 μm to obtain a ceramic green sheet having a thickness of 20 to 25 μm. Then, a predetermined number of layers were laminated by the transfer method using the ceramic raw sheet and the internal electrode sheet prepared from the Ni paste, and then cut to obtain a green chip. Here, the thickness of the ceramic green sheet is 10 to 60 μm.
If it is within the range of m, there is no problem in process management. Ni used in the Ni paste used may be one synthesized by a gas phase method or a liquid phase method, or a mixture of those synthesized by both methods.

【００７７】次に、湿式法で得られたグリーンチップの
面取りを実施した。まず、可塑剤であるブチルベンジル
フタレートを揮発させる為にグリーンチップを１６０〜
２００℃の温度で、重量減少率が４〜８％の範囲内にな
る様に熱処理した。そして、このグリーンチップを４０
０ＣＣの純水と専用のメディアと共に面取り専用のポッ
トに投入し、２０５ｒｐｍで４〜７分間回転した後、該
グリーンチップを１２０℃で乾燥した。なお、純水中で
の面取りでグリーンチップに不具合が生じる場合は、例
えばグリーンチップの重量減少率が１〜４％の範囲内に
なる様に熱処理した後、専用のメディアと共にＺｒＯ2
質ポット中に投入して所定の回転速度で回転するいわゆ
る乾式法を採用する。Next, the green chip obtained by the wet method was chamfered. First, a green chip was used to volatilize the plasticizer butylbenzyl phthalate.
Heat treatment was performed at a temperature of 200 ° C. so that the weight loss rate was in the range of 4 to 8%. And this green chip is 40
The green chips were put into a pot dedicated to chamfering together with pure water of 0CC and a dedicated medium, rotated at 205 rpm for 4 to 7 minutes, and then dried at 120 ° C. If a problem occurs in the green chip due to chamfering in pure water, the green chip is heat-treated so that the weight reduction rate of the green chip is in the range of 1 to 4%, and then ZrO 2 together with a dedicated medium.
A so-called dry method in which the material is put into a plastic pot and rotated at a predetermined rotation speed is adopted.

【００７８】面取りしたグリーンチップの両端面にＮｉ
外電ペーストを塗布し１２０℃で１０分間乾燥して脱脂
した。脱脂は、該グリーンチップをＡＳ−２１００ジル
コニア粉末を敷いた焼成専用のジルコニアコートさや中
に投入して、Ｎ2ガス中で４００℃で４時間保持して実
施した。そして、回転式雰囲気炉により還元雰囲気焼成
を実施した。グリーンガス、ＣＯ2及びＮ2により調整し
たＮｉの平衡酸素分圧よりも２桁低い酸素分圧雰囲気中
で１２５０℃の温度で２時間保持した。なお、グリーン
チップの両端面に塗布するＮｉペーストは該チップとの
良好な密着性を確保する為、チップを形成しているセラ
ミックと同材質のセラミック粉末を１０〜２０重量％含
有させても差し支えない。On both ends of the chamfered green chip, Ni
An external electric paste was applied and dried at 120 ° C. for 10 minutes to degrease. The degreasing was performed by putting the green chips into a zirconia coat sheath dedicated to firing, on which AS-2100 zirconia powder was spread, and holding the green chips at 400 ° C. in N 2 gas for 4 hours. Then, firing in a reducing atmosphere was performed using a rotary atmosphere furnace. It was maintained at a temperature of 1250 ° C. for 2 hours in an oxygen partial pressure atmosphere two orders of magnitude lower than the equilibrium oxygen partial pressure of Ni adjusted by green gas, CO 2 and N 2 . The Ni paste applied to both end faces of the green chip may contain 10 to 20% by weight of ceramic powder of the same material as the ceramic forming the chip in order to ensure good adhesion to the chip. Absent.

【００７９】そして、焼成したチップの両端面にＡｇを
塗布して大気中６００℃の温度で焼き付けた後、Ｎｉ鍍
金を施し、更にその上にＳｎ鍍金を施して積層セラミッ
クコンデンサを完成させた。また、外部電極としてＣｕ
を使用することも可能で、この場合Ｃｕペーストを塗布
し、Ｎ2雰囲気中９００℃で約つけた後、Ａｇの時と同
様に鍍金を施こせばよい。Then, Ag was applied to both end surfaces of the fired chip, baked at a temperature of 600 ° C. in the air, Ni plating was applied, and Sn plating was further applied thereon to complete a multilayer ceramic capacitor. Also, Cu as an external electrode
In this case, a Cu paste is applied, and after applying a temperature of about 900 ° C. in an N 2 atmosphere, plating may be performed in the same manner as in the case of Ag.

【００８０】次に、試作した積層セラミックコンデンサ
の電気特性を評価した。静電容量（Ｃａｐ）と誘電体損
失（ｔａｎδ）はＹＨＰ製ＬＣＲメータ４２８４Ａを使
用して１Ｖ／１ＫＨｚの信号電圧下で測定した。絶縁抵
抗値（ＩＲ）はアドバンテスト社製絶縁抵抗計Ｒ８３４
０Ａを使用して５００ＶＤＣを１分間印加して測定し
た。絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）は菊水電子製耐圧計を使用
して空気中で直流破壊電圧を測定した。静電容量と誘電
体損失は各々２０個測定に供し、絶縁抵抗値と絶縁破壊
電圧は各々１０個測定し、平均値を算出してそれらの結
果を（表１）に示した。さらに、表面に析出した斑点の
成分の定性をＥＰＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザー）を
用いて行ったところ、ＳｉとＣａとＢａが検出された。Next, the electrical characteristics of the prototyped multilayer ceramic capacitor were evaluated. The capacitance (Cap) and the dielectric loss (tan δ) were measured using a YHP LCR meter 4284A under a signal voltage of 1 V / 1 KHz. The insulation resistance (IR) is measured by Advantest insulation resistance meter R834.
Measurement was performed by applying 500 VDC for 1 minute using OA. The dielectric breakdown voltage (BDV) was obtained by measuring the DC breakdown voltage in air using a Kikusui Electronics pressure gauge. The capacitance and the dielectric loss were each measured for 20 pieces, the insulation resistance value and the insulation breakdown voltage were each measured for 10 pieces, the average value was calculated, and the results are shown in (Table 1). Furthermore, when the qualitative analysis of the components of the spots deposited on the surface was performed using EPMA (X-ray microanalyzer), Si, Ca and Ba were detected.

【００８１】[0081]

【表１】 [Table 1]

【００８２】（表１）より明らかな様に、斑点の平均径
が２０μｍよりしたになると絶縁抵抗が低く、破壊電圧
が低くなった。このとき沿面放電も発生した。斑点の平
均径が２００μｍより大きくなると素子の三点曲げ強度
が著しく低くなり、破壊電圧も低くなった。ちなみに、
斑点径２２５μｍのものは撓み試験を実施したところ規
格値以下で容量ダウン（破壊）した。このことから、斑
点のガラス相がＳｉＯ 2−ＣａＯ−ＢａＯガラス相の斑
点が絶縁抵抗良化に寄与することは明らかである。As is clear from Table 1, the average diameter of spots
Is less than 20 μm, the insulation resistance is low and the breakdown voltage
Became lower. At this time, creeping discharge also occurred. Flat spot
When the average diameter is larger than 200 μm, the three-point bending strength of the element
And the breakdown voltage was also reduced. By the way,
When the bending test was performed for the specimen with a spot diameter of 225 μm,
The capacity was reduced (destructed) below the rated value. From this,
The point glass phase is SiO Two-Spots of CaO-BaO glass phase
It is clear that the points contribute to the improvement of the insulation resistance.

【００８３】以上のことから、この斑点の平均径が２０
〜２００μｍ、好ましくは４０〜１８０μｍであること
が望ましい。この斑点径の範囲で作られた積層セラミッ
クコンデンサは良好な焼結性と電気特性とを有し、また
ＥＩＡ規格Ｘ７Ｒ特性及びＪＩＳ規格Ｂ特性を満足し、
形状が３２１６サイズで定格電圧が６３０ＶＤＣを保証
し、１００００ＰＦの静電容量値を有する中高圧用積層
セラミックコンデンサとして使用可能なものであった。From the above, the average diameter of these spots was 20
It is desirably from 200 to 200 μm, preferably from 40 to 180 μm. The multilayer ceramic capacitor made in the range of the spot diameter has good sinterability and electric characteristics, and satisfies EIA standard X7R characteristics and JIS standard B characteristics,
The shape was 3216 size, the rated voltage was 630 VDC, and it could be used as a medium and high voltage multilayer ceramic capacitor having a capacitance value of 10,000 PF.

【００８４】以上のように、本発明の耐還元性誘電体セ
ラミックは、良好な焼結性と電気特性を有し、内部電極
としてＮｉを用いた中高圧用積層セラミックコンデンサ
を実現することができる。As described above, the reduction-resistant dielectric ceramic of the present invention has good sinterability and electrical characteristics, and can realize a multilayer ceramic capacitor for medium and high voltage using Ni as an internal electrode. .

【００８５】（実施例２）実施例１と同様にして主成分
のチタン酸ストロンチウム−チタン酸カルシウム粉末と
添加剤であるＺｒＯ2とＭｎ3Ｏ4との配合物と、Ｃａ，
Ｓｒ及びＳｉより成る焼結助剤成分のコロイド状懸濁液
をボールミルで混合して各々の出発原料粉末を作製す
る。Example 2 In the same manner as in Example 1, a mixture of strontium titanate-calcium titanate powder as a main component, ZrO 2 and Mn 3 O 4 as additives, and Ca,
A colloidal suspension of a sintering aid component consisting of Sr and Si is mixed in a ball mill to produce each starting material powder.

【００８６】次に、作製した粉末を使用して、形状が３
２１６サイズで定格電圧が６３０ＶＤＣを保証し２２Ｐ
Ｆの静電容量値が取得可能な積層セラミックコンデンサ
を試作して総合評価する。Next, using the produced powder,
216 VDC rated voltage is 630VDC and 22P
A multilayer ceramic capacitor capable of obtaining the capacitance value of F is prototyped and comprehensively evaluated.

【００８７】以下に積層セラミックコンデンサの詳細な
試作手順と評価方法について説明する。A detailed description will now be given of a procedure for producing a multilayer ceramic capacitor and an evaluation method thereof.

【００８８】主成分である平均粒子径０．３μｍのチタ
ン酸ストロンチウム−チタン酸カルシウム（０．６１Ｓ
ｒＴｉＯ3−０．３９ＣａＴｉＯ3）粉末（１００モル）
に対して、添加剤であるＺｒＯ2（０．５モル）、Ｍｎ3
Ｏ4（０．０１モル）の各粉末を電子天秤で所定量を秤
量し、５ｍｍφのＺｒＯ2質ボールが３５０ｇ入った内
容積が６００ＣＣのポリエチレン製ポットミル中に投入
する。次にＳｒ、Ｃａの酢酸塩及びＴＥＯＳ（テトラエ
トキシシラン）の所定量を電子天秤で秤量した後、酢酸
塩は１００ＣＣの純水に、またＴＥＯＳは１５０ＣＣの
エタノールに別々に溶解させる。そして、該水溶液をエ
タノール溶液中に投入して攪拌を続けながら１〜１０規
定のアンモニア水を所定量滴下し、撹はん時間を変化さ
せて、焼結助剤成分（ガラス相）より成る８種類のコロ
イド状懸濁液を得た。Strontium titanate-calcium titanate (0.61S
rTiO 3 -0.39 CaTiO 3 ) powder (100 mol)
To the additives ZrO 2 (0.5 mol), Mn 3
A predetermined amount of each powder of O 4 (0.01 mol) is weighed by an electronic balance, and is charged into a polyethylene pot mill having a capacity of 600 CC containing 350 g of 5 mmφ ZrO 2 material balls. Next, after a predetermined amount of Sr and Ca acetates and TEOS (tetraethoxysilane) are weighed by an electronic balance, the acetates are separately dissolved in 100 CC pure water and the TEOS is dissolved in 150 CC ethanol. Then, the aqueous solution is put into an ethanol solution, a predetermined amount of 1 to 10 N aqueous ammonia is dropped while stirring is continued, and the stirring time is changed to obtain a sintering aid component (glass phase) 8. A variety of colloidal suspensions were obtained.

【００８９】次に、該コロイド状懸濁液を上記ボールミ
ル中に投入し１００ｒｐｍの回転速度で２０時間混合し
た。混合物は１５０メッシュのシルクスクリーンで濾過
して、テフロンシートを敷いたステンレスバット中に投
入し、ドラフト中で加温しながらエタノール分を揮発さ
せ、アルミ泊で蓋をして１５０℃の温度で乾燥した。乾
燥した塊状物はアルミナ乳鉢中で解砕した後、３２メッ
シュのナイロン篩を通過してアルミナ製坩堝に入れて４
００℃／２時間（昇降温速度：２００℃／Ｈ）の条件で
熱処理してスラリー用粉末とした。Next, the colloidal suspension was put into the ball mill and mixed at a rotation speed of 100 rpm for 20 hours. The mixture was filtered through a 150-mesh silk screen, poured into a stainless steel vat lined with a Teflon sheet, evaporated in a fume hood while evaporating the ethanol, covered with aluminum, and dried at 150 ° C. did. The dried mass was crushed in an alumina mortar, passed through a 32 mesh nylon sieve, and placed in an alumina crucible for 4 hours.
Heat treatment was performed under the conditions of 00 ° C./2 hours (temperature rise / fall rate: 200 ° C./H) to obtain a slurry powder.

【００９０】次に、内容積が６００ＣＣのポリエチレン
製ポットミル中にスラリー用粉末１００ｇと、溶剤とし
て作用する酢酸ブチル、２−ｎ−ブトキシエタノール及
びエタノールさらに可塑剤として作用するブチルベンジ
ルフタレートをそれぞれ所定量投入し、１０ｍｍφＺｒ
Ｏ2ボール４４０ｇを用いて１００ｒｐｍの回転速度で
６時間混合することにより湿潤した。６時間湿潤後、ス
ラリーをスポイドで平滑なガラス板上に滴下して、成膜
し、光学顕微鏡で分散状態を観察して凝集がないことを
確認した。そして、湿潤が完了した上記ボールミルに、
ポリビニルブチラール樹脂より成るビヒクルを５０ｇ投
入し１００ｒｐｍの回転速度で１２時間混合してシート
成形用スラリーとした。ここで、ポリビニルブチラール
樹脂と可塑剤としてのブチルベンジルフタレートの合計
比率は粉末に対して９〜１８重量％の範囲内であれば後
の積層工程で良好な転写性が得られる。Next, 100 g of the powder for slurry, butyl acetate, 2-n-butoxyethanol and ethanol acting as a solvent, and butyl benzyl phthalate acting as a plasticizer in predetermined amounts were each placed in a pot mill made of polyethylene having a capacity of 600 CC. Put in, 10mmφZr
Wet by mixing with 440 g of O 2 balls at a rotation speed of 100 rpm for 6 hours. After wetting for 6 hours, the slurry was dropped on a smooth glass plate with a spoid to form a film, and the dispersion state was observed with an optical microscope to confirm that there was no aggregation. Then, in the ball mill where wetting is completed,
50 g of a vehicle made of a polyvinyl butyral resin was charged and mixed at a rotation speed of 100 rpm for 12 hours to obtain a sheet forming slurry. Here, if the total ratio of the polyvinyl butyral resin and butylbenzyl phthalate as a plasticizer is in the range of 9 to 18% by weight with respect to the powder, good transferability can be obtained in the subsequent laminating step.

【００９１】次に、該スラリーを１５０メッシュのシル
クスクリーンで濾過した後、７５μｍの基体上に成膜し
て２０〜２５μｍの厚みを有するセラミック生シートを
得た。そして、該セラミック生シートと、Ｎｉペースト
より作製した内部電極シートを用いて転写工法により所
定の層数に積層した後、切断してグリーンチップを得
た。ここで、セラミック生シートの厚みは１０〜６０μ
ｍの範囲内であれば工程管理上差し支えない。また、使
用するＮｉペースト中のＮｉは気相法若しくは液相法に
より合成されたもの、或いは両方法により合成されたも
のの混合物を使用できる。Next, the slurry was filtered through a 150-mesh silk screen, and then formed into a film on a substrate having a thickness of 75 μm to obtain a ceramic green sheet having a thickness of 20 to 25 μm. Then, a predetermined number of layers were laminated by the transfer method using the ceramic raw sheet and the internal electrode sheet prepared from the Ni paste, and then cut to obtain a green chip. Here, the thickness of the ceramic green sheet is 10 to 60 μm.
If it is within the range of m, there is no problem in process management. Ni used in the Ni paste used may be one synthesized by a gas phase method or a liquid phase method, or a mixture of those synthesized by both methods.

【００９２】次に、湿式法で得られたグリーンチップの
面取りを実施した。まず、可塑剤であるブチルベンジル
フタレートを揮発させる為にグリーンチップを１６０〜
２００℃の温度で、重量減少率が４〜８％の範囲内にな
る様に熱処理した。そして、このグリーンチップを４０
０ＣＣの純水と専用のメディアと共に面取り専用のポッ
トに投入し、２０５ｒｐｍで４〜７分間回転した後、該
グリーンチップを１２０℃で乾燥した。なお、純水中で
の面取りでグリーンチップに不具合が生じる場合は、例
えばグリーンチップの重量減少率が１〜４％の範囲内に
なる様に熱処理した後、専用のメディアと共にＺｒＯ2
質ポット中に投入して所定の回転速度で回転するいわゆ
る乾式法を採用する。Next, the green chips obtained by the wet method were chamfered. First, a green chip was used to volatilize the plasticizer butylbenzyl phthalate.
Heat treatment was performed at a temperature of 200 ° C. so that the weight loss rate was in the range of 4 to 8%. And this green chip is 40
The green chips were put into a pot dedicated to chamfering together with pure water of 0CC and a dedicated medium, rotated at 205 rpm for 4 to 7 minutes, and then dried at 120 ° C. If a problem occurs in the green chip due to chamfering in pure water, the green chip is heat-treated so that the weight reduction rate of the green chip is in the range of 1 to 4%, and then ZrO 2 together with a dedicated medium.
A so-called dry method in which the material is put into a plastic pot and rotated at a predetermined rotation speed is adopted.

【００９３】面取りしたグリーンチップの両端面にＮｉ
外電ペーストを塗布し１２０℃で１０分間乾燥して脱脂
した。脱脂は、該グリーンチップをＡＳ−２１００ジル
コニア粉末を敷いた焼成専用のジルコニアコートさや中
に投入して、Ｎ2ガス中で４００℃で４時間保持して実
施した。そして、回転式雰囲気炉により還元雰囲気焼成
を実施した。グリーンガス、ＣＯ2及びＮ2により調整し
たＮｉの平衡酸素分圧よりも２桁低い酸素分圧雰囲気中
で１２５０℃の温度で２時間保持した。なお、グリーン
チップの両端面に塗布するＮｉペーストは該チップとの
良好な密着性を確保する為、チップを形成しているセラ
ミックと同材質のセラミック粉末を１０〜２０重量％含
有させても差し支えない。Both ends of the chamfered green chip were coated with Ni.
An external electric paste was applied and dried at 120 ° C. for 10 minutes to degrease. The degreasing was performed by putting the green chips into a zirconia coat sheath dedicated to firing, on which AS-2100 zirconia powder was spread, and holding the green chips at 400 ° C. in N 2 gas for 4 hours. Then, firing in a reducing atmosphere was performed using a rotary atmosphere furnace. It was maintained at a temperature of 1250 ° C. for 2 hours in an oxygen partial pressure atmosphere two orders of magnitude lower than the equilibrium oxygen partial pressure of Ni adjusted by green gas, CO 2 and N 2 . The Ni paste applied to both end faces of the green chip may contain 10 to 20% by weight of ceramic powder of the same material as the ceramic forming the chip in order to ensure good adhesion to the chip. Absent.

【００９４】そして、焼成したチップの両端面にＡｇを
塗布して大気中６００℃の温度で焼き付けた後、Ｎｉ鍍
金を施し、更にその上にＳｎ鍍金を施して積層セラミッ
クコンデンサを完成させた。また、外部電極としてＣｕ
を使用することも可能で、この場合Ｃｕペーストを塗布
し、Ｎ2雰囲気中９００℃で焼き付けた後、Ａｇの時と
同様に鍍金を施こせばよい。Then, Ag was applied to both end surfaces of the fired chip, baked at a temperature of 600 ° C. in the air, Ni plating was applied, and Sn plating was further applied thereon to complete a multilayer ceramic capacitor. Also, Cu as an external electrode
In this case, a Cu paste may be applied, baked in an N 2 atmosphere at 900 ° C., and then plated in the same manner as Ag.

【００９５】次に、試作した積層セラミックコンデンサ
の電気特性を評価した。静電容量（Ｃａｐ）と誘電体損
失（ｔａｎδ）はＹＨＰ製ＬＣＲメータ４２８４Ａを使
用して１Ｖ／１ＫＨｚの信号電圧下で測定した。絶縁抵
抗値（ＩＲ）はアドバンテスト社製絶縁抵抗計Ｒ８３４
０Ａを使用して５００ＶＤＣを１分間印加して測定し
た。絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）は菊水電子製耐圧計を使用
して空気中で直流破壊電圧を測定した。静電容量と誘電
体損失は各々２０個測定に供し、絶縁抵抗値と絶縁破壊
電圧は各々１０個、温度変化率は２個測定し、平均値を
算出してそれらの結果を（表２）に示した。さらに、表
面に析出した斑点の成分の定性をＥＰＭＡ（Ｘ線マイク
ロアナライザー）を用いて行ったところ、ＳｉとＣａと
Ｓｒが検出された。Next, the electrical characteristics of the prototype multilayer ceramic capacitor were evaluated. The capacitance (Cap) and the dielectric loss (tan δ) were measured using a YHP LCR meter 4284A under a signal voltage of 1 V / 1 KHz. The insulation resistance (IR) is measured by Advantest insulation resistance meter R834.
Measurement was performed by applying 500 VDC for 1 minute using OA. The dielectric breakdown voltage (BDV) was obtained by measuring the DC breakdown voltage in air using a Kikusui Electronics pressure gauge. Capacitance and dielectric loss were each measured for 20 pieces, insulation resistance value and insulation breakdown voltage were each 10 pieces, temperature change rate was measured for 2 pieces, the average value was calculated and the results were obtained (Table 2). It was shown to. Furthermore, when the qualitative analysis of the components of the spots deposited on the surface was performed using EPMA (X-ray microanalyzer), Si, Ca and Sr were detected.

【００９６】[0096]

【表２】 [Table 2]

【００９７】（表２）より明らかな様に、実施例１と同
様な結果が得られた。斑点の平均径が２０μｍよりした
になると絶縁抵抗が低く、破壊電圧が低くなった。この
とき沿面放電も発生した。斑点の平均径が２００μｍよ
り大きくなると素子の三点曲げ強度が著しく低くなり、
破壊電圧も低くなった。ちなみに、斑点径２２６μｍの
ものは撓み試験を実施したところ規格値以下で容量ダウ
ン（破壊）した。このことから、斑点のガラス相がＳｉ
Ｏ2−ＣａＯ−ＳｒＯガラス相の斑点が絶縁抵抗良化に
寄与することは明らかである。以上のことから、この斑
点の平均径は２０〜２００μｍ、好ましくは４０〜１８
０μｍであることが望ましい。この斑点径の範囲で作ら
れた積層セラミックコンデンサは良好な焼結性と電気特
性とを有し、またＥＩＡ規格Ｘ７Ｒ特性及びＪＩＳ規格
Ｂ特性を満足し、形状が３２１６サイズで定格電圧が６
３０ＶＤＣを保証し、２２ＰＦの静電容量値を有する低
発熱用中高圧用積層セラミックコンデンサとして使用可
能なものであった。As is clear from Table 2, the same results as in Example 1 were obtained. When the average diameter of the spots was less than 20 μm, the insulation resistance was low, and the breakdown voltage was low. At this time, creeping discharge also occurred. When the average diameter of the spots is larger than 200 μm, the three-point bending strength of the element is significantly reduced,
The breakdown voltage has also been reduced. By the way, when the bending test was carried out, the capacity of the sample having a spot diameter of 226 μm was reduced (broken) below the standard value. From this, the glass phase of the spots is Si
It is clear that the spots of the O 2 —CaO—SrO glass phase contribute to improving the insulation resistance. From the above, the average diameter of the spots is 20 to 200 μm, preferably 40 to 18 μm.
Desirably, it is 0 μm. The multilayer ceramic capacitor made in the range of the spot diameter has good sinterability and electric characteristics, satisfies EIA standard X7R characteristics and JIS standard B characteristics, has a shape of 3216, and a rated voltage of 6.
The capacitor guarantees 30 VDC and has a capacitance value of 22 PF, and can be used as a low-heating medium-voltage high-pressure multilayer ceramic capacitor.

【００９８】以上のように、本発明の耐還元性誘電体セ
ラミックは、良好な焼結性と電気特性を有し、内部電極
としてＮｉを用いた低発熱用中高圧用積層セラミックコ
ンデンサを実現することができる。As described above, the reduction-resistant dielectric ceramic of the present invention has good sinterability and electrical characteristics, and realizes a low-heat, medium-high-pressure multilayer ceramic capacitor using Ni as an internal electrode. be able to.

【００９９】[0099]

【発明の効果】以上の様に本発明によれば、セラミック
誘電体層の表面にシリカを主成分とするガラス相の平均
径２０〜２００μｍの斑点が析出しているために、この
セラミック誘電体を使用した中高圧用積層セラミックコ
ンデンサは絶縁抵抗や破壊電圧が高く沿面放電しない。
このため、電気的特性、耐久信頼性及び安全性に優れた
中高圧用積層セラミックコンデンサが得られる。As described above, according to the present invention, spots having an average diameter of 20 to 200 μm of a glass phase containing silica as a main component are precipitated on the surface of the ceramic dielectric layer. The medium- and high-voltage multilayer ceramic capacitors using high insulation resistance and breakdown voltage do not cause creeping discharge.
For this reason, a multilayer ceramic capacitor for medium and high voltage with excellent electrical characteristics, durability reliability and safety can be obtained.

【０１００】更に、絶縁抵抗が高く、ＣＲ積が大きい耐
還元性誘電体セラミック及びその製造方法を提供できる
と共に、その耐還元性誘電体セラミックを積層セラミッ
クコンデンサに用いて、絶縁抵抗及び耐久信頼性等のば
らつきが小さく、中高圧用として優れた特性を有する積
層セラミックコンデンサを提供することができる。Furthermore, a reduction-resistant dielectric ceramic having a high insulation resistance and a large CR product and a method of manufacturing the same can be provided. In addition, by using the reduction-resistant dielectric ceramic for a multilayer ceramic capacitor, the insulation resistance and durability reliability can be improved. Thus, it is possible to provide a multilayer ceramic capacitor having a small variation in the characteristics and the like and having excellent characteristics for medium and high pressures.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施の形態１における積層セラミック
コンデンサの斜視図FIG. 1 is a perspective view of a multilayer ceramic capacitor according to a first embodiment of the present invention.

【図２】本発明の実施の形態１における積層セラミック
コンデンサを示す断面図FIG. 2 is a sectional view showing the multilayer ceramic capacitor according to the first embodiment of the present invention.

【図３】本発明の実施の形態２におけるモールド型の積
層セラミックコンデンサの断面図FIG. 3 is a sectional view of a molded multilayer ceramic capacitor according to a second embodiment of the present invention.

【図４】本発明の実施の形態３におけるリード型の積層
セラミックコンデンサの断面図FIG. 4 is a cross-sectional view of a lead-type multilayer ceramic capacitor according to a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基体 ２ セラミック誘電体層 ３ ガラス相の斑点 ４ 内部電極層 ５ 下層外部電極 ６ 上層外部電極 ７ 外装材 ８ 端子 ９ リード線 １０ 半田 １００ 積層セラミックコンデンサ ２００ モールド型の積層セラミックコンデンサ ３００ リード型の積層セラミックコンデンサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base | substrate 2 Ceramic dielectric layer 3 Spot of glass phase 4 Internal electrode layer 5 Lower external electrode 6 Upper external electrode 7 Exterior material 8 Terminal 9 Lead wire 10 Solder 100 Multilayer ceramic capacitor 200 Molded multilayer ceramic capacitor 300 Lead type lamination Ceramic capacitors

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/30 ３０１ Ｈ０１Ｇ 4/30 ３０１Ｂ ３０１Ｊ (72)発明者 山本 益裕 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 金山 熊夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA11 AA12 AA19 AA22 AA30 AA39 BA09 BA21 BA26 CA03 GA04 GA05 5E001 AB03 AC09 AE00 AE02 AE03 AE04 AF02 AF03 AF06 AG01 5E082 AA01 AA02 AB03 BB04 BC14 BC38 EE04 EE23 EE35 FG26 GG04 GG08 GG10 GG26 GG28 HH27 HH47 JJ03 JJ07 JJ23 JJ27 MM28 PP09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court ゛ (Reference) H01G 4/30 301 H01G 4/30 301B 301J (72) Inventor Masuhiro Yamamoto 1006 Odakadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 5E001 AB03 AC09 AE00 AE02 AE03 AE04 AF02 AF03 AF06 AG01 5E082 AA01 AA02 AB03 BB04 BC14 BC38 EE04 EE23 EE35 FG26 GG04 GG08 GG10 GG26 GG28 HH27 HH47 JJ03 JJ07 JJ23 JJ27 MM28 PP09

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】表面にシリカを主成分とするガラス相の斑
点を有することを特徴とする耐還元性誘電体セラミッ
ク。1. A reduction-resistant dielectric ceramic characterized by having spots of a glass phase mainly composed of silica on the surface. 【請求項２】前記斑点が２０μｍ〜２００μｍであるこ
とを特徴とする請求項１記載の耐還元性誘電体セラミッ
ク。2. The reduction-resistant dielectric ceramic according to claim 1, wherein the spots have a size of 20 μm to 200 μm. 【請求項３】前記耐還元性誘電体セラミックの主成分
が、チタン酸バリウムであることを特徴とする請求項
１，２いずれか１記載の耐還元性誘電体セラミック。3. The reduction-resistant dielectric ceramic according to claim 1, wherein a main component of said reduction-resistant dielectric ceramic is barium titanate. 【請求項４】前記耐還元性誘電体セラミックの焼結助剤
成分が、Ｃａ，Ｂａ，Ｓｉであることを特徴とする請求
項３記載の耐還元性誘電体セラミック。4. The reduction-resistant dielectric ceramic according to claim 3, wherein the sintering aid component of the reduction-resistant dielectric ceramic is Ca, Ba, Si. 【請求項５】前記ガラス相は、ＳｉＯ2−ＣａＯ−Ｂａ
Ｏであることを特徴とする請求項４記載の耐還元性誘電
体セラミック。5. The glass phase is SiO 2 —CaO—Ba.
5. The reduction-resistant dielectric ceramic according to claim 4, wherein the dielectric ceramic is O. 【請求項６】前記耐還元性誘電体セラミックが、Ｄｙ，
Ｍｇ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属元素
を含むことを特徴とする請求項３〜５いずれか１記載の
耐還元性誘電体セラミック。6. The method according to claim 1, wherein the reduction-resistant dielectric ceramic is Dy,
The reduction-resistant dielectric ceramic according to any one of claims 3 to 5, further comprising at least one metal element selected from Mg and Mn. 【請求項７】前記耐還元性誘電体セラミックの主成分
が、チタン酸ストロンチウム−チタン酸カルシウムであ
ることを特徴とする請求項１，２いずれか１記載の耐還
元性誘電体セラミック。7. The reduction-resistant dielectric ceramic according to claim 1, wherein a main component of said reduction-resistant dielectric ceramic is strontium titanate-calcium titanate. 【請求項８】前記耐還元性誘電体セラミックの焼結助剤
成分が、Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉであることを特徴とする請求
項７記載の耐還元性誘電体セラミック。8. The reduction-resistant dielectric ceramic according to claim 7, wherein the sintering aid component of the reduction-resistant dielectric ceramic is Ca, Sr, or Si. 【請求項９】前記ガラス相は、ＳｉＯ2−ＣａＯ−Ｓｒ
Ｏであることを特徴とする請求項８記載の耐還元性誘電
体セラミック。9. The glass phase is SiO 2 —CaO—Sr.
9. The reduction-resistant dielectric ceramic according to claim 8, wherein the dielectric ceramic is O. 【請求項１０】前記耐還元性誘電体セラミックが、Ｚ
ｒ，Ｃｏ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属
元素を含むことを特徴とする請求項７〜９いずれか１記
載の耐還元性誘電体セラミック。10. The method according to claim 10, wherein said reduction-resistant dielectric ceramic is Z
The reduction-resistant dielectric ceramic according to any one of claims 7 to 9, comprising at least one or more metal elements selected from r, Co, and Mn. 【請求項１１】主成分のチタン酸バリウム粉末に、Ｃ
ａ，Ｂａ，Ｓｉを含有する焼結助剤の粒子径を調整し
て、混合し、焼成して、表面にシリカを主成分とするガ
ラス相の２０μｍ〜２００μｍの斑点を析出させること
を特徴とする耐還元性誘電体セラミックの製造方法。11. A barium titanate powder as a main component,
The particle size of the sintering aid containing a, Ba, and Si is adjusted, mixed, and fired to deposit 20 μm to 200 μm spots of a glass phase mainly composed of silica on the surface. Of producing a reduction-resistant dielectric ceramic. 【請求項１２】主成分のチタン酸バリウム粉末に、添加
剤としてＤｙ2Ｏ3，ＭｇＯ，Ｍｎ3Ｏ4から選ばれる少な
くとも１種以上の粉末を混合することを特徴とする請求
項１１記載の耐還元性誘電体セラミックの製造方法。12. The method according to claim 11, wherein at least one powder selected from Dy 2 O 3 , MgO, and Mn 3 O 4 is added as an additive to the barium titanate powder as a main component. A method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic. 【請求項１３】前記焼結助剤はコロイド状懸濁液とし
て、前記主成分粉末に混合されることを特徴とする請求
項１１，１２いずれか１記載の耐還元性誘電体セラミッ
クの製造方法。13. The method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic according to claim 11, wherein said sintering aid is mixed with said main component powder as a colloidal suspension. . 【請求項１４】前記コロイド状懸濁液は、Ｃａ，Ｂａの
酢酸塩水溶液と、Ｓｉの金属アルコキシエタノール溶液
とを攪拌混合しながらアンモニア水を滴下して作製され
ることを特徴とする請求項１３記載の耐還元性誘電体セ
ラミックの製造方法。14. The colloidal suspension is prepared by dropping ammonia water while stirring and mixing an aqueous solution of Ca and Ba acetate and a solution of a metal alkoxyethanol of Si. 14. The method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic according to item 13. 【請求項１５】前記アンモニア水の濃度によって、前記
コロイド状懸濁液のコロイドの粒子径を調整することを
特徴とする請求項１４記載の耐還元性誘電体セラミック
の製造方法。15. The method according to claim 14, wherein the colloidal particle diameter of the colloidal suspension is adjusted by adjusting the concentration of the aqueous ammonia. 【請求項１６】主成分のチタン酸ストロンチウム−チタ
ン酸カルシウム粉末に、Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｉを含有する焼
結助剤の粒子径を調整して、混合し、焼成して、表面に
シリカを主成分とするガラス相の２０μｍ〜２００μｍ
の斑点を析出させることを特徴とする耐還元性誘電体セ
ラミックの製造方法。16. A sintering aid containing Ca, Sr, and Si is adjusted to a strontium titanate-calcium titanate powder, the particle diameter of which is adjusted, mixed and calcined, and silica is mainly applied to the surface. 20 μm to 200 μm of glass phase as a component
A method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic, comprising the steps of: 【請求項１７】前記主成分のチタン酸ストロンチウム−
チタン酸カルシウム粉末に、添加剤としてＺｒＯ2，Ｃ
ｏＯ，Ｍｎ3Ｏ4から選ばれる少なくとも１種以上の粉末
を混合することを特徴とする請求項１６記載の耐還元性
誘電体セラミックの製造方法。17. The strontium titanate as the main component.
ZrO 2 , C as an additive to calcium titanate powder
oO, Mn 3 O reduction-resistant dielectric ceramic manufacturing method according to claim 16, wherein the mixing at least one or more kinds of powder 4 selected from. 【請求項１８】前記焼結助剤はコロイド状懸濁液とし
て、前記主成分粉末に混合されることを特徴とする請求
項１６，１７いずれか１記載の耐還元性誘電体セラミッ
クの製造方法。18. The method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic according to claim 16, wherein the sintering aid is mixed with the main component powder as a colloidal suspension. . 【請求項１９】前記コロイド状懸濁液は、Ｃａ，Ｓｒの
酢酸塩水溶液と、Ｓｉの金属アルコキシエタノール溶液
とを攪拌混合しながらアンモニア水を滴下して作製され
ることを特徴とする請求項１８記載の耐還元性誘電体セ
ラミックの製造方法。19. The colloidal suspension is prepared by dropping ammonia water while stirring and mixing an aqueous solution of Ca and Sr acetate and a solution of metal alkoxyethanol of Si. 19. The method for producing a reduction-resistant dielectric ceramic according to item 18. 【請求項２０】前記アンモニア水の濃度によって、前記
コロイド状懸濁液のコロイドの粒子径を調整することを
特徴とする請求項１９記載の耐還元性誘電体セラミック
の製造方法。20. The method of claim 19, wherein the colloidal particle diameter of the colloidal suspension is adjusted by adjusting the concentration of the aqueous ammonia. 【請求項２１】セラミック誘電体層間に内部電極層を備
えた基体と、前記基体の両端部に設けられ、前記内部電
極層と電気的に接続された一対の外部電極とを備えた積
層セラミックコンデンサであって、前記内部電極層が卑
金属で構成されると共に、前記セラミック誘電体層が請
求項１〜１０いずれか１記載の耐還元性誘電体セラミッ
クで構成されたことを特徴とする積層セラミックコンデ
ンサ。21. A multilayer ceramic capacitor comprising: a base having an internal electrode layer between ceramic dielectric layers; and a pair of external electrodes provided at both ends of the base and electrically connected to the internal electrode layer. A multilayer ceramic capacitor, wherein the internal electrode layer is made of a base metal, and the ceramic dielectric layer is made of a reduction-resistant dielectric ceramic according to any one of claims 1 to 10. . 【請求項２２】前記内部電極層を構成する卑金属が、Ｎ
ｉまたはＮｉ合金であることを特徴とする請求項２１記
載の積層セラミックコンデンサ。22. The base metal forming the internal electrode layer is N
22. The multilayer ceramic capacitor according to claim 21, wherein the capacitor is an i or Ni alloy. 【請求項２３】前記一対の外部電極に端子をそれぞれ接
続し、前記基体及び外部電極と、前記端子の一部とを外
装材で埋設したことを特徴とする請求項２１，２２いず
れか１記載の積層セラミックコンデンサ。23. The terminal according to claim 21, wherein a terminal is connected to each of the pair of external electrodes, and the base, the external electrode, and a part of the terminal are buried in an exterior material. Multilayer ceramic capacitors. 【請求項２４】前記一対の外部電極にリード線をそれぞ
れ接続し、前記基体及び外部電極と、前記端子の一部と
を外装材で埋設したことを特徴とする請求項２１，２２
いずれか１記載の積層セラミックコンデンサ。24. A lead wire is connected to each of said pair of external electrodes, and said base and external electrodes and a part of said terminal are buried with an exterior material.
A multilayer ceramic capacitor according to any one of the preceding claims.
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