JP2002237480A - Method of treating base material with discharge plasma - Google Patents
Method of treating base material with discharge plasmaInfo
- Publication number
- JP2002237480A JP2002237480A JP2001200835A JP2001200835A JP2002237480A JP 2002237480 A JP2002237480 A JP 2002237480A JP 2001200835 A JP2001200835 A JP 2001200835A JP 2001200835 A JP2001200835 A JP 2001200835A JP 2002237480 A JP2002237480 A JP 2002237480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- plasma
- electrodes
- substrate
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、大気圧近傍の圧力
下における常圧プラズマ処理方法に関し、特に、放電空
間から離れた位置にある被処理体を常圧プラズマ処理す
る方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a normal-pressure plasma processing method under a pressure near the atmospheric pressure, and more particularly to a normal-pressure plasma processing method for an object to be processed at a position distant from a discharge space.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、低圧条件下でグロー放電プラ
ズマを発生させて被処理体の表面改質、又は被処理体上
に薄膜形成を行う方法が実用化されている。しかし、こ
れらの低圧条件下における処理は、真空チャンバー、真
空排気装置等が必要であり、表面処理装置は高価なもの
となり、大面積基板等を処理する際にはほとんど用いら
れていなかった。このため、大気圧近傍の圧力下で放電
プラズマを発生させる方法が提案されてきている。2. Description of the Related Art Conventionally, a method has been put to practical use in which a glow discharge plasma is generated under a low pressure condition to modify the surface of an object to be processed or to form a thin film on the object to be processed. However, the treatment under these low pressure conditions requires a vacuum chamber, a vacuum evacuation device, and the like, and the surface treatment device is expensive, and is hardly used when treating a large-area substrate or the like. For this reason, a method of generating discharge plasma under a pressure near the atmospheric pressure has been proposed.
【０００３】これまでの常圧プラズマ処理法としては、
ヘリウム雰囲気下で処理を行う方法が特開平２−４８６
２６号公報に、アルゴンとアセトン及び／又はヘリウム
からなる雰囲気下で処理を行う方法が特開平４−７４５
２５号公報に開示されている。しかし、上記方法はいず
れも、ヘリウム又はアセトン等の有機化合物を含有する
ガス雰囲気中でプラズマを発生させるものであり、ガス
雰囲気が限定される。さらに、ヘリウムは高価であるた
め工業的には不利であり、有機化合物を含有させた場合
には、有機化合物自身が被処理体と反応する場合が多
く、所望する表面改質処理が出来ないことがある。[0003] Conventional atmospheric pressure plasma processing methods include:
A method of performing treatment in a helium atmosphere is disclosed in JP-A-2-486.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-745 discloses a method for performing a treatment in an atmosphere comprising argon, acetone and / or helium.
No. 25 discloses this. However, all of the above methods generate plasma in a gas atmosphere containing an organic compound such as helium or acetone, and the gas atmosphere is limited. Furthermore, helium is industrially disadvantageous because it is expensive, and when an organic compound is contained, the organic compound itself often reacts with the object to be treated, and the desired surface modification treatment cannot be performed. There is.
【０００４】また、一般的な常圧プラズマ処理方法で
は、特開平６−２１４９号公報、特開平７−８５９９７
号公報等に記載されているように、主に処理槽内部にお
いて、固体誘電体等で被覆した平行平板型電極間に被処
理体を設置し、処理槽に処理ガスを導入し、電極間に電
圧を印加し、発生したプラズマで被処理体を処理する方
法が採られている。このような方法によると、被処理体
全体を放電空間に置くこととなり、被処理体にダメージ
を与えることになりやすいという問題があった。[0004] In addition, a general normal pressure plasma processing method is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 6-2149 and 7-85997.
As described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. H10-214, the object to be processed is installed between the parallel plate type electrodes coated with a solid dielectric or the like mainly in the inside of the processing tank, a processing gas is introduced into the processing tank, and between the electrodes. A method is employed in which a voltage is applied and a target object is treated with generated plasma. According to such a method, the entire object to be processed is placed in the discharge space, and there is a problem that the object to be processed is likely to be damaged.
【０００５】この問題を解決するものとして、被処理体
の特定部分のみにプラズマ処理を行いやすく、しかも被
処理物を連続的に処理することができる装置として、先
端にプラズマガス吹き出し口を有するガン型プラズマ処
理装置が開発されてきている。例えば、特開平１１−２
５１３０４号公報及び特開平１１−２６０５９７号公報
には、外側電極を備えた筒状の反応管及び反応管の内部
に内側電極を具備し、両電極に冷却手段を設け、反応管
内部でグロー放電を発生させ、反応管からプラズマジェ
ットを吹き出して被処理体に吹きつけるプラズマ処理装
置が開示されている。しかしながら、上記装置において
は、交流によって発生したプラズマを利用しているた
め、高温化するものを冷却するというプロセスを含まざ
るを得ず、効率を悪くし、未だストリーマ放電が起こり
やすいという問題を有している。また、吹き出し口が小
さいので、大面積の処理を行うためには長時間を要し、
さらに、均一な処理を行い難いという問題もあった。[0005] To solve this problem, as an apparatus capable of easily performing plasma processing only on a specific portion of an object to be processed and continuously processing the object to be processed, a gun having a plasma gas outlet at the tip thereof has been proposed. Type plasma processing apparatuses have been developed. For example, JP-A-11-2
JP-A-51304 and JP-A-11-260597 disclose a tubular reaction tube provided with an outer electrode, an inner electrode provided inside the reaction tube, a cooling means provided for both electrodes, and a glow discharge inside the reaction tube. There is disclosed a plasma processing apparatus which generates plasma jets, blows out a plasma jet from a reaction tube, and blows the plasma jet on an object to be processed. However, since the above-described apparatus uses plasma generated by an alternating current, it has to include a process of cooling a material that is heated to a high temperature, and has a problem that efficiency is deteriorated and streamer discharge is still likely to occur. are doing. Also, since the outlet is small, it takes a long time to process large areas,
Furthermore, there was a problem that it was difficult to perform uniform processing.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題に
鑑み、高速処理及び大面積処理に対応可能でかつ、基材
にダメージを与えない常圧プラズマ処理方法を提供する
ことを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a normal-pressure plasma processing method capable of coping with high-speed processing and large-area processing and not damaging a substrate. .
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意研究した結果、パルス状の電界を用
い、大気圧条件下で発生させたプラズマを放電空間外に
配置した被処理基材に接触させることにより、均一で、
高速処理が可能で、かつ基材にダメージを与えない処理
を行うことができることを見出し、本発明を完成させ
た。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, a plasma generated under atmospheric pressure conditions using a pulsed electric field has been arranged outside the discharge space. By contacting the treated substrate,
They have found that high-speed processing can be performed and processing that does not damage the substrate can be performed, and the present invention has been completed.
【０００８】すなわち、本発明の第１の発明は、大気圧
近傍の圧力下、対向する電極の少なくとも一方の対向面
に固体誘電体を設置し、当該電極間に処理ガスを導入し
パルス状の電界を印加することにより得られる放電プラ
ズマを、放電空間外に配置された被処理基材に誘導して
接触させることを特徴とする放電プラズマ処理方法であ
る。That is, according to a first aspect of the present invention, a solid dielectric is placed on at least one of the opposing surfaces of an opposing electrode under a pressure close to the atmospheric pressure, and a processing gas is introduced between the electrodes to form a pulse-like material. A discharge plasma processing method characterized in that discharge plasma obtained by applying an electric field is guided and brought into contact with a substrate to be processed arranged outside a discharge space.
【０００９】また、本発明の第２の発明は、対向する電
極が、平行平板型電極であることを特徴とする第１の発
明に記載の放電プラズマ処理方法である。A second aspect of the present invention is the discharge plasma processing method according to the first aspect, wherein the opposing electrodes are parallel plate electrodes.
【００１０】また、本発明の第３の発明は、対向する電
極が、複数組の平行平板電極の組み合わせであることを
特徴とする第１又は２の発明に記載の放電プラズマ処理
方法である。A third aspect of the present invention is the discharge plasma processing method according to the first or second aspect, wherein the opposing electrodes are a combination of a plurality of sets of parallel plate electrodes.
【００１１】また、本発明の第４の発明は、対向する電
極が、ロール型電極であることを特徴とする第１の発明
に記載の放電プラズマ処理方法である。A fourth aspect of the present invention is the discharge plasma processing method according to the first aspect, wherein the opposing electrodes are roll-type electrodes.
【００１２】また、本発明の第５の発明は、対向する電
極が、対向平行平板型電極と対向ロール型電極の組み合
わせであることを特徴とする第１の発明に記載の放電プ
ラズマ処理方法である。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the discharge plasma processing method according to the first aspect, wherein the opposing electrodes are a combination of an opposing parallel plate type electrode and an opposing roll type electrode. is there.
【００１３】また、本発明の第６の発明は、対向する電
極で発生させたプラズマのプラズマ吹き出し口から被処
理基材に向けて略垂直にガイドを設けてなることを特徴
とする第１〜５のいずれかの発明に記載の放電プラズマ
処理方法である。A sixth invention of the present invention is characterized in that a guide is provided substantially perpendicularly from a plasma outlet of plasma generated by the opposing electrodes toward a substrate to be processed. 5 is a discharge plasma processing method according to any one of the fifth aspects of the invention.
【００１４】また、本発明の第７の発明は、対向電極で
発生させたプラズマのプラズマ吹き出し口が、一辺５０
ｍｍ以上であることを特徴とする第１〜６のいずれかの
発明に記載の放電プラズマ処理方法である。Further, according to a seventh aspect of the present invention, the plasma outlet of the plasma generated by the counter electrode has a length of 50 μm per side.
The discharge plasma treatment method according to any one of the first to sixth inventions, wherein the diameter is equal to or greater than mm.
【００１５】また、本発明の第８の発明は、電極及び／
又は固体誘電体の表面粗度が、１０μｍ以下であること
を特徴とする第１〜７のいずれかの発明に記載の放電プ
ラズマ処理方法である。An eighth aspect of the present invention is directed to an electrode and / or
Alternatively, the discharge plasma processing method according to any one of the first to seventh inventions, wherein the surface roughness of the solid dielectric is 10 μm or less.
【００１６】また、本発明の第９の発明は、被処理基材
温度が、１２０℃以下であることを特徴とする第１〜８
のいずれかの発明に記載の放電プラズマ処理方法であ
る。According to a ninth aspect of the present invention, the temperature of the substrate to be treated is 120 ° C. or less.
The discharge plasma processing method according to any one of the inventions.
【００１７】また、本発明の第１０の発明は、パルス状
の電界が、パルス立ち上がり及び／又は立ち下がり時間
が１０μｓ以下であることを特徴とする第１〜９のいず
れかの発明に記載の放電プラズマ処理方法である。In a tenth aspect of the present invention, the pulse-shaped electric field has a pulse rising and / or falling time of 10 μs or less. This is a discharge plasma processing method.
【００１８】また、本発明の第１１の発明は、パルス状
の電界が、電界強度が１０〜１０００ｋＶ／ｃｍである
ことを特徴とする第１〜１０のいずれかの発明に記載の
放電プラズマ処理方法である。According to an eleventh aspect of the present invention, there is provided the discharge plasma treatment according to any one of the first to tenth aspects, wherein the pulsed electric field has an electric field intensity of 10 to 1000 kV / cm. Is the way.
【００１９】また、本発明の第１２の発明は、プラズマ
を被処理基材に接触させる際、放電状態が安定するまで
予備放電を行い、その後にプラズマを被処理基材に接触
させることを特徴とする第１〜１１のいずれかの発明に
記載の放電プラズマ処理方法である。According to a twelfth aspect of the present invention, when the plasma is brought into contact with the substrate to be processed, a preliminary discharge is performed until the discharge state is stabilized, and thereafter, the plasma is brought into contact with the substrate to be processed. The discharge plasma processing method according to any one of the first to eleventh inventions.
【００２０】また、本発明の第１３の発明は、予備放電
後にガス吹き出し口ノズルを基材表面上に移動させるノ
ズル体待機機構を有することを特徴とする第１２の発明
に記載の放電プラズマ処理方法である。According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a discharge plasma processing apparatus according to the twelfth aspect, further comprising a nozzle body standby mechanism for moving the gas outlet nozzle onto the substrate surface after the preliminary discharge. Is the way.
【００２１】また、本発明の第１４の発明は、被処理基
材への処理が、複数の対向する電極からのプラズマで被
処理基材の表裏両面を同時処理することを特徴とする第
１〜１３のいずれかの発明に記載の放電プラズマ処理方
法である。According to a fourteenth aspect of the present invention, the processing of the substrate to be processed includes simultaneously processing the front and back surfaces of the substrate to be processed with plasma from a plurality of opposed electrodes. It is a discharge plasma processing method according to any one of the first to thirteenth aspects.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】本発明は、大気圧近傍の圧力下、
対向する電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を
設置し、当該電極間に、処理ガスを導入し、該電極間に
パルス状の電界を印加することにより得られる放電プラ
ズマを、放電空間から離れた位置に配置された被処理基
材に誘導して接触させて処理する放電プラズマ方法であ
る。以下に詳細に本発明を説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Discharge plasma obtained by placing a solid dielectric on at least one facing surface of the facing electrodes, introducing a processing gas between the electrodes, and applying a pulsed electric field between the electrodes, This is a discharge plasma method in which a treatment is performed by inducing and contacting a substrate to be treated disposed at a distant position. Hereinafter, the present invention will be described in detail.
【００２３】上記大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３
×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａの圧力下を指す。
中でも、圧力調整が容易で、装置が簡便になる９．３３
１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａの範囲が好まし
い。The above-mentioned pressure near the atmospheric pressure is defined as 1.333.
× 10 4 to 10.664 × 10 4 Pa.
Above all, pressure adjustment is easy and the device is simple 9.33
The range of 1 × 10 4 to 10.297 × 10 4 Pa is preferable.
【００２４】大気圧近傍の圧力下では、ヘリウム、ケト
ン等の特定のガス以外は安定してプラズマ放電状態が保
持されずに瞬時にアーク放電状態に移行することが知ら
れているが、パルス状の電界を印加することにより、ア
ーク放電に移行する前に放電を止め、再び放電を開始す
るというサイクルが実現されていると考えられる。It is known that under a pressure near the atmospheric pressure, except for a specific gas such as helium, ketone, etc., the plasma discharge state is not stably maintained and the state is instantaneously shifted to the arc discharge state. By applying the electric field, it is considered that a cycle of stopping the discharge before starting the arc discharge and restarting the discharge is realized.
【００２５】大気圧近傍の圧力下においては、本発明の
パルス状の電界を印加する方法によって、初めて、ヘリ
ウム等のプラズマ放電状態からアーク放電状態に至る時
間が長い成分を含有しない雰囲気において、安定して放
電プラズマを発生させることが可能となる。At a pressure close to the atmospheric pressure, the method of applying a pulsed electric field according to the present invention is stable for the first time in an atmosphere that does not contain a component that takes a long time to change from a plasma discharge state such as helium to an arc discharge state. As a result, discharge plasma can be generated.
【００２６】なお、本発明の方法によれば、プラズマ発
生空間中に存在する気体の種類を問わずグロー放電プラ
ズマを発生させることが可能である。公知の低圧条件下
におけるプラズマ処理はもちろん、特定のガス雰囲気下
の大気圧プラズマ処理においても、外気から遮断された
密閉容器内で処理を行うことが必須であったが、本発明
のグロー放電プラズマ処理方法によれば、開放系、ある
いは、気体の自由な流失を防ぐ程度の低気密系での処理
が可能となる。According to the method of the present invention, glow discharge plasma can be generated regardless of the type of gas existing in the plasma generation space. In the atmospheric pressure plasma treatment under a specific gas atmosphere as well as the plasma treatment under the known low pressure condition, it is essential to perform the treatment in a closed vessel shielded from the outside air. According to the processing method, the processing can be performed in an open system or a low airtight system that prevents free flow of gas.
【００２７】さらに、大気圧での処理により高密度のプ
ラズマ状態を実現出来るため、連続処理等の半導体素子
の製造プロセスを行う上で大きな意義を有する。上記高
密度のプラズマ状態の実現には、本発明が有する２つの
作用が関係する。Furthermore, since a high-density plasma state can be realized by processing at atmospheric pressure, it has great significance in performing a semiconductor device manufacturing process such as continuous processing. The realization of the high-density plasma state involves two functions of the present invention.
【００２８】第１に、電界強度が０．５〜２５０ｋＶ／
ｃｍで、立ち上がり時間が１００μｓ以下という、急峻
な立ち上がりを有するパルス電界を印加することによ
り、プラズマ発生空間中に存在する気体分子が、効率よ
く励起する作用である。立ち上がりが遅いパルス電界を
印加することは、異なる大きさを有するエネルギーを段
階的に投入することに相当し、まず低エネルギーで電離
する分子、すなわち、第一イオン化ポテンシャルの小さ
い分子の励起が優先的に起こり、次に高いエネルギーが
投入された際にはすでに電離している分子がより高い準
位に励起し、プラズマ発生空間中に存在する分子を効率
よく電離することは難しい。これに対して、立ち上がり
時間が１００μｓ以下であるパルス電界によれば、空間
中に存在する分子に一斉にエネルギーを与えることにな
り、空間中の電離した状態にある分子の絶対数が多く、
すなわちプラズマ密度が高いということになる。First, when the electric field strength is 0.5 to 250 kV /
By applying a pulsed electric field having a steep rise of 100 cm or less and a rise time of 100 cm or less, gas molecules existing in the plasma generation space are efficiently excited. Applying a pulsed electric field with a slow rise corresponds to the stepwise application of energies with different magnitudes.First, the excitation of molecules that ionize with low energy, that is, molecules with a small first ionization potential, takes precedence. When the next higher energy is applied, already ionized molecules are excited to a higher level, and it is difficult to efficiently ionize molecules existing in the plasma generation space. On the other hand, according to the pulse electric field whose rise time is 100 μs or less, energy is simultaneously applied to molecules existing in the space, and the absolute number of ionized molecules in the space is large,
That is, the plasma density is high.
【００２９】第２に、ヘリウム以外のガス雰囲気のプラ
ズマを安定して得られることにより、ヘリウムより電子
を多くもつ分子、すなわちヘリウムより分子量の大きい
分子を雰囲気ガスとして選択し、結果として電子密度の
高い空間を実現する作用である。一般に電子を多く有す
る分子の方が電離はしやすい。前述のように、ヘリウム
は電離しにくい成分であるが、一旦電離した後はアーク
に至らず、グロープラズマ状態で存在する時間が長いた
め、大気圧プラズマにおける雰囲気ガスとして用いられ
てきた。しかし、放電状態がアークに移行することを防
止できるのであれば、電離しやすい、質量数の大きい分
子を用いるほうが、空間中の電離した状態にある分子の
絶対数を多くすることができ、プラズマ密度を高めるこ
とができる。従来技術では、ヘリウムが９０％以上存在
する雰囲気下以外でのグロー放電プラズマを発生するこ
とは不可能であり、唯一、アルゴンとアセトンとからな
る雰囲気中でｓｉｎ波により放電を行う技術が特開平４
−７４５２５号公報に開示されているが、本発明者らの
追試によれば、実用レベルで安定かつ高速の処理を行え
るものではない。また、雰囲気中にアセトンを含有する
ため、親水化目的以外の処理は不利である。Second, since a plasma in a gas atmosphere other than helium can be stably obtained, a molecule having more electrons than helium, that is, a molecule having a larger molecular weight than helium is selected as an atmosphere gas, and as a result, the electron density is reduced. This is the effect of realizing a high space. In general, molecules having many electrons are easier to ionize. As described above, helium is a component that is difficult to ionize. However, once ionized, it does not lead to an arc and remains in a glow plasma state for a long time, so it has been used as an atmospheric gas in atmospheric pressure plasma. However, if it is possible to prevent the discharge state from shifting to an arc, using molecules that are easily ionized and have a large mass number can increase the absolute number of molecules in the ionized state in space and increase the plasma. Density can be increased. In the prior art, it is impossible to generate glow discharge plasma in an atmosphere other than in an atmosphere in which helium is present at 90% or more. 4
Although it is disclosed in JP-A-74525, it is not possible to perform stable and high-speed processing at a practical level according to additional tests by the present inventors. Also, since acetone is contained in the atmosphere, treatments other than for the purpose of hydrophilicity are disadvantageous.
【００３０】上述のように、本発明は、ヘリウムより多
数の電子を有する分子が過剰に存在する雰囲気、具体的
には分子量１０以上の化合物を１０体積％以上含有する
雰囲気下において、はじめて安定したグロー放電を可能
にし、これによって表面処理に有利な、高密度プラズマ
状態を実現するものである。As described above, the present invention is stable only in an atmosphere in which molecules having more electrons than helium are present in excess, specifically, in an atmosphere containing 10% by volume or more of a compound having a molecular weight of 10 or more. It enables glow discharge, thereby realizing a high-density plasma state advantageous for surface treatment.
【００３１】本発明で用いる処理ガスとしては、電界、
好ましくはパルス電界を印加することによってプラズマ
を発生するガスであれば、特に限定されず、処理目的に
より種々のガスを使用できる。The processing gas used in the present invention includes an electric field,
Preferably, the gas is not particularly limited as long as the gas generates plasma by applying a pulsed electric field, and various gases can be used depending on the processing purpose.
【００３２】薄膜の原料としての原料ガスとして、例え
ば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨ２Ｃｌ
２、Ｓｉ（ＣＨ３）４等のシラン含有ガスからアモルフ
ァスシリコン膜、ポリシリコン膜、また上記シラン含有
ガスと無水アンモニア、窒素ガス等の窒素含有ガスから
ＳｉＮ膜、上記シラン含有ガスと上記窒素含有ガスとＯ
２、Ｏ３等の酸素含有ガスからＳｉＯＮ膜がそれぞれ形
成される。As a raw material gas as a raw material of the thin film, for example, SiH 4 , Si 2 H 6 , SiCl 4 , SiH 2 Cl
2 , an amorphous silicon film or a polysilicon film from a silane-containing gas such as Si (CH 3 ) 4, or an SiN film from the above-mentioned silane-containing gas and anhydrous ammonia, or a nitrogen-containing gas such as nitrogen gas; Gas and O
SiON films are respectively formed from oxygen-containing gases such as O 2 and O 3 .
【００３３】また、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、テトラエト
キシシラン等のシラン含有ガスと酸素ガスからＳｉＯ２
等の酸化膜が得られる。 Further, SiH 4, Si 2 H 6 , SiO silane containing gas and oxygen gas, such as tetraethoxysilane 2
Is obtained.
【００３４】また、Ａｌ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（Ｃ
２Ｈ５）３、ＭｏＣｌ６、ＷＦ６、Ｃｕ（ＨＦＡｃＡ
ｃ）２、ＴｉＣｌ６等又はＳｉＨ４等のシランガスの混
合ガスから、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ等の金属薄
膜、ＴｉＳｉ２、ＷＳｉ２等の金属シリサイド薄膜を形
成することができる。Further, Al (CH 3 ) 3 , In (C
2 H 5) 3, MoCl 6 , WF 6, Cu (HFAcA
c) A metal thin film such as Al, In, Mo, W, and Cu, and a metal silicide thin film such as TiSi 2 and WSi 2 can be formed from a mixed gas of silane gas such as 2 and TiCl 6 or SiH 4 .
【００３５】また、Ｉｎ（Ｏｉ−Ｃ３Ｈ７）３、Ｚｎ
（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｉｎ（ＣＨ３）３、Ｚｎ（Ｃ
２Ｈ５）２等よりＩｎ２Ｏ３＋Ｓｎ、ＳｎＯ２＋Ｓｂ、
ＺｎＯ＋Ａｌ等の透明導電膜が形成される。Further, In (Oi-C 3 H 7 ) 3 , Zn
(OC 2 H 5 ) 2 , In (CH 3 ) 3 , Zn (C
2 H 5 ) 2 and so on, In 2 O 3 + Sn, SnO 2 + Sb,
A transparent conductive film such as ZnO + Al is formed.
【００３６】また、Ｂ２Ｈ６、ＢＣｌ３とＮＨ３ガス等
からＢＮ膜、ＳｉＦ４ガスと酸素ガス等からＳｉＯＦ
膜、ＨＳｉ（ＯＲ）３、ＣＨ３Ｓｉ（ＯＲ）３、（ＣＨ
３）２Ｓｉ（ＯＲ）２等からポリマー膜等が形成され
る。A BN film is formed from B 2 H 6 , BCl 3 and NH 3 gas, and a SiOF is formed from SiF 4 gas and oxygen gas.
Film, HSi (OR) 3 , CH 3 Si (OR) 3 , (CH
3) 2 Si (OR) polymer film or the like from 2 etc. are formed.
【００３７】また、Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５、Ｙ（ＯｉＣ
３Ｈ７）３、Ｙ（Ｃ２Ｈ５）３、Ｈｆ（ＯｉＣ３Ｈ７）
４、Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２等からＴａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、
ＨｆＯ２、ＺｎＯ２等の酸化膜等が形成される。Further, Ta (OC 2 H 5 ) 5 and Y (OiC
3 H 7) 3, Y ( C 2 H 5) 3, Hf (OiC 3 H 7)
4 , Zn (C 2 H 5 ) 2, etc. from Ta 2 O 5 , Y 2 O 3 ,
An oxide film such as HfO 2 or ZnO 2 is formed.
【００３８】また、ＣＯ２、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ５ＯＨ等の
炭素含有ガスからＤＬＣ膜を形成することができる。Further, a DLC film can be formed from a carbon-containing gas such as CO 2 , CH 4 and C 2 H 5 OH.
【００３９】さらに、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＦ３ＣＦＣ
Ｆ２、Ｃ４Ｆ８等のフッ素含有化合物ガス、Ｏ２、
Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＣＨ３ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ等の酸素含有
化合物ガス、Ｎ２、ＮＨ３等の窒素含有化合物ガス、Ｓ
Ｏ２、ＳＯ３等のイオウ含有化合物ガス、アクリル酸、
メタクリルアミド、ポリエチレングリコールジメタクリ
ル酸エステル等の重合性親水モノマーガス等をそれぞれ
の目的に応じて用いることができる。Further, CF 4 , C 2 F 6 , CF 3 CFC
Fluorine-containing compound gas such as F 2 , C 4 F 8 , O 2 ,
Oxygen-containing compound gas such as O 3 , H 2 O, CH 3 OH, C 2 H 5 OH, nitrogen-containing compound gas such as N 2 , NH 3 , S
Sulfur-containing compound gas such as O 2 and SO 3 , acrylic acid,
Polymerizable hydrophilic monomer gases such as methacrylamide and polyethylene glycol dimethacrylate can be used according to the respective purposes.
【００４０】また、ハロゲン系ガスを用いてエッチング
処理、ダイシング処理を行ったり、酸素系ガスを用いて
アッシング処理、レジスト処理や有機物汚染の除去を行
ったり、アルゴン、窒素等の不活性ガスによるプラズマ
で表面クリーニングや表面改質を行うこともできる。Further, an etching process and a dicing process are performed by using a halogen-based gas, an ashing process, a resist process and removal of organic contamination are performed by using an oxygen-based gas, and a plasma is formed by an inert gas such as argon and nitrogen. Can be used for surface cleaning and surface modification.
【００４１】本発明では、上記原料ガスをそのまま処理
ガスとして用いてもよいが、経済性及び安全性等の観点
から、原料ガスを希釈ガスによって希釈し、これを処理
ガスとして用いることもできる。希釈ガスとしては、ネ
オン、アルゴン、キセノン等の希ガス、窒素ガス等が挙
げられる。これらは単独でも２種以上を混合して用いて
もよい。従来、大気圧近傍の圧力下においては、ヘリウ
ムの存在下の処理が行われてきたが、本発明の電界、好
ましくはパルス状の電界を印加する方法によれば、上述
のように、ヘリウムに比較して安価なアルゴン、窒素ガ
ス中において安定した処理が可能である。In the present invention, the raw material gas may be used as it is as a processing gas. However, from the viewpoint of economy and safety, the raw material gas may be diluted with a diluent gas and used as a processing gas. Examples of the diluting gas include rare gases such as neon, argon, and xenon, and nitrogen gas. These may be used alone or in combination of two or more. Conventionally, the treatment in the presence of helium has been performed under a pressure near the atmospheric pressure, but according to the method of applying the electric field of the present invention, preferably a pulsed electric field, as described above, Stable processing is possible in argon and nitrogen gas which are relatively inexpensive.
【００４２】従来、大気圧近傍の圧力下においては、ヘ
リウムが大過剰に存在する雰囲気下で処理が行われてき
たが、本発明の方法によれば、ヘリウムに比較して安価
なアルゴン、窒素等の気体中における安定した処理が可
能であり、さらに、これらの分子量の大きい、電子をよ
り多く有するガスの存在下で処理を行うことにより、高
密度プラズマ状態を実現し、処理速度を上げることが出
来るため、工業上大きな優位性を有する。Conventionally, at a pressure near the atmospheric pressure, the treatment has been performed in an atmosphere in which helium is present in a large excess, but according to the method of the present invention, argon and nitrogen are less expensive than helium. And high-density plasma state by increasing the processing speed by performing the processing in the presence of a gas having a large molecular weight and a large number of electrons. Has great industrial advantages.
【００４３】原料ガスと希釈ガスとの混合比は、使用す
る希釈ガスの種類により適宜決定される。原料ガスの濃
度が、処理ガス中の０．０１〜１０体積％であることが
好ましく、より好ましくは０．１〜１０体積％である。The mixing ratio between the source gas and the diluent gas is appropriately determined depending on the type of the diluent gas used. The concentration of the source gas is preferably 0.01 to 10% by volume in the processing gas, more preferably 0.1 to 10% by volume.
【００４４】上記電極としては、銅、アルミニウム等の
金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、金属間化合物等
からなるものが挙げられる。電極の形状としては、特に
限定されないが、電界集中によるアーク放電の発生を避
けるために、対向電極間の距離が一定となる構造である
ことが好ましい。この条件を満たす電極構造としては、
例えば、平行平板型、円筒型、円筒対向平板型、球対向
平板型、双曲対向平板型、同軸円筒型構造等及びこれら
の２種類以上の組み合わせが挙げられる。Examples of the above-mentioned electrodes include those made of a simple metal such as copper and aluminum, alloys such as stainless steel and brass, and intermetallic compounds. The shape of the electrodes is not particularly limited, but is preferably a structure in which the distance between the opposed electrodes is constant in order to avoid the occurrence of arc discharge due to electric field concentration. As an electrode structure satisfying this condition,
For example, a parallel plate type, a cylindrical type, a cylindrical opposed plate type, a spherical opposed plate type, a hyperbolic opposed plate type, a coaxial cylindrical type structure and the like, and a combination of two or more of these are exemplified.
【００４５】また、略一定構造以外では、円筒対向円筒
型で円筒曲率の大きなものもアーク放電の原因となる電
界集中の度合いが小さいので対向電極として用いること
ができる。曲率は少なくとも半径２０ｍｍ以上が好まし
い。固体誘電体の誘電率にもよるが、それ以下の曲率で
は、電界集中によるアーク放電が集中しやすい。それぞ
れの曲率がこれ以上であれば、対向する電極の曲率が異
なっても良い。曲率は大きいほど近似的に平板に近づく
ため、より安定した放電が得られるので、より好ましく
は半径４０ｍｍ以上である。In addition, other than a substantially constant structure, a cylindrically opposed cylindrical type having a large cylindrical curvature can be used as a counter electrode because the degree of electric field concentration causing arc discharge is small. The curvature is preferably at least 20 mm in radius. Although it depends on the dielectric constant of the solid dielectric, at a curvature smaller than that, arc discharge due to electric field concentration tends to concentrate. If the respective curvatures are greater than this, the curvatures of the opposing electrodes may be different. The larger the curvature, the closer to the flat plate, the more stable the discharge can be obtained. Therefore, the radius is more preferably 40 mm or more.
【００４６】さらに、プラズマを発生させる電極は、一
対のうち少なくとも一方の対向面に固体誘電体が配置さ
れていれば良く、一対の電極は、短絡に至らない適切な
距離をあけた状態で対向してもよく、直交してもよい。Further, the electrodes for generating plasma only need to have a solid dielectric disposed on at least one of the opposing surfaces of the pair, and the pair of electrodes are opposed to each other at an appropriate distance so as not to cause a short circuit. Or orthogonal.
【００４７】上記固体誘電体は、電極の対向面の一方又
は双方に設置する。この際、固体誘電体と接地される側
の電極が密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に覆
うようにする。固体誘電体によって覆われずに電極同士
が直接対向する部位があると、そこからアーク放電が生
じやすい。The solid dielectric is provided on one or both of the opposing surfaces of the electrodes. At this time, the solid dielectric and the electrode to be grounded are in close contact with each other and completely cover the opposing surface of the contacting electrode. If there is a portion where the electrodes directly face each other without being covered by the solid dielectric, an arc discharge is likely to occur therefrom.
【００４８】上記固体誘電体の形状は、シート状でもフ
ィルム状でもよく、厚みが０．０１〜４ｍｍであること
が好ましい。厚すぎると放電プラズマを発生するのに高
電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁
破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。ま
た、固体誘電体の形状として、容器型のものも用いるこ
とができる。The shape of the solid dielectric may be a sheet or a film, and preferably has a thickness of 0.01 to 4 mm. If it is too thick, a high voltage may be required to generate discharge plasma, and if it is too thin, dielectric breakdown may occur when a voltage is applied, and arc discharge may occur. As the shape of the solid dielectric, a container type can be used.
【００４９】固体誘電体の材質としては、例えば、ポリ
テトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート
等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニ
ウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化
物、チタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。Examples of the material of the solid dielectric include plastics such as polytetrafluoroethylene and polyethylene terephthalate, glass, metal oxides such as silicon dioxide, aluminum oxide, zirconium dioxide and titanium dioxide, and double oxides such as barium titanate. Objects and the like.
【００５０】特に、２５℃環境下における比誘電率が１
０以上のものである固体誘電体を用いれば、低電圧で高
密度の放電プラズマを発生させることができ、処理効率
が向上する。比誘電率の上限は特に限定されるものでは
ないが、現実の材料では１８，５００程度のものが入手
可能であり、本発明に使用出来る。特に好ましくは比誘
電率が１０〜１００の固体誘電体である。上記比誘電率
が１０以上である固体誘電体の具体例としては、二酸化
ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸
バリウム等の複酸化物を挙げることが出来る。In particular, the relative dielectric constant under an environment of 25 ° C. is 1
The use of a solid dielectric material having a value of 0 or more can generate a high-density discharge plasma at a low voltage, thereby improving the processing efficiency. The upper limit of the relative dielectric constant is not particularly limited, but about 18,500 of actual materials are available and can be used in the present invention. Particularly preferred is a solid dielectric having a relative dielectric constant of 10 to 100. Specific examples of the solid dielectric having a relative dielectric constant of 10 or more include metal oxides such as zirconium dioxide and titanium dioxide, and double oxides such as barium titanate.
【００５１】上記電極間の距離は、固体誘電体の厚さ、
印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮し
て適宜決定されるが、１〜５０ｍｍであることが好まし
い。１ｍｍ未満では、電極間の間隔を置いて設置するの
に充分でないことがあり、一方、５０ｍｍを超えると、
均一な放電プラズマを発生させにくい。The distance between the electrodes is determined by the thickness of the solid dielectric,
It is appropriately determined in consideration of the magnitude of the applied voltage, the purpose of utilizing the plasma, and the like, and is preferably 1 to 50 mm. If it is less than 1 mm, it may not be sufficient to place the electrodes at intervals, while if it exceeds 50 mm,
It is difficult to generate uniform discharge plasma.
【００５２】なお、上記固体誘電体を設けられた対向す
る電極は、一対のみでなく、複数の電極を対向して配置
することにより複数の放電空間を設けることができる。
複数の放電空間を設けることにより、大容量の処理ガス
のプラズマを発生させることができ、高速処理を行うこ
とができる。It is to be noted that not only a pair of opposed electrodes provided with the solid dielectric but also a plurality of discharge spaces can be provided by arranging a plurality of electrodes facing each other.
By providing a plurality of discharge spaces, a large volume of processing gas plasma can be generated, and high-speed processing can be performed.
【００５３】均一な放電を行うために、上記固体誘電体
の表面、又は、電極が固体誘電体に被覆されずに放電空
間側にある場合は、当該電極の表面は、表面粗度が１０
μｍ以下であることが好ましい。このために固体誘電体
や電極の表面は、研磨処理することが好ましい。In order to perform uniform discharge, when the surface of the solid dielectric or the electrode is in the discharge space side without being covered with the solid dielectric, the surface of the electrode has a surface roughness of 10%.
It is preferably not more than μm. For this reason, it is preferable to polish the surface of the solid dielectric or the electrode.
【００５４】本発明のパルス電界について説明する。図
１にパルス電圧波形の例を示す。波形（ａ）、（ｂ）は
インパルス型、波形（ｃ）はパルス型、波形（ｄ）は変
調型の波形である。図１には電圧印加が正負の繰り返し
であるものを挙げたが、正又は負のいずれかの極性側に
電圧を印加するタイプのパルスを用いてもよい。また、
直流が重畳されたパルス電界を印加してもよい。本発明
におけるパルス電界の波形は、ここで挙げた波形に限定
されず、さらに、パルス波形、立ち上がり時間、周波数
の異なるパルスを用いて変調を行ってもよい。上記のよ
うな変調は高速連続表面処理を行うのに適している。The pulse electric field of the present invention will be described. FIG. 1 shows an example of a pulse voltage waveform. The waveforms (a) and (b) are impulse waveforms, the waveform (c) is a pulse waveform, and the waveform (d) is a modulation waveform. Although FIG. 1 shows a case where the voltage application is repeated positive and negative, a pulse of a type that applies a voltage to either the positive or negative polarity side may be used. Also,
A pulse electric field on which a direct current is superimposed may be applied. The waveform of the pulse electric field in the present invention is not limited to the above-mentioned waveforms, and may be modulated using pulses having different pulse shapes, rise times, and frequencies. Such modulation is suitable for performing high-speed continuous surface treatment.
【００５５】上記パルス電界の立ち上がり及び／又は立
ち下がり時間は、１０μｓ以下が好ましい。１０μｓを
超えると放電状態がアークに移行しやすく不安定なもの
となり、パルス電界による高密度プラズマ状態を保持し
にくくなる。また、立ち上がり時間及び立ち下がり時間
が短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行
われるが、１０ｎｓ未満の立ち上がり時間のパルス電界
を実現することは、実際には困難である。より好ましく
は１０ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでいう立ち上が
り時間とは、電圧変化が連続して正である時間、立ち下
がり時間とは、電圧変化が連続して負である時間を指す
ものとする。The rise and / or fall time of the pulse electric field is preferably 10 μs or less. If the time exceeds 10 μs, the discharge state easily shifts to an arc and becomes unstable, making it difficult to maintain a high-density plasma state due to a pulsed electric field. Also, the shorter the rise time and the fall time, the more efficiently the gas is ionized during the generation of plasma, but it is actually difficult to realize a pulse electric field with a rise time of less than 10 ns. More preferably, it is 10 ns to 5 μs. Here, the rise time refers to the time during which the voltage change is continuously positive, and the fall time refers to the time during which the voltage change is continuously negative.
【００５６】また、パルス電界の立ち下がり時間も急峻
であることが好ましく、立ち上がり時間と同様の１０μ
ｓ以下のタイムスケールであることが好ましい。パルス
電界発生技術によっても異なるが、立ち上がり時間と立
ち下がり時間とが同じ時間に設定できるものが好まし
い。Also, the fall time of the pulse electric field is preferably steep, and is 10 μm similar to the rise time.
The time scale is preferably equal to or less than s. Although it depends on the pulsed electric field generation technology, it is preferable that the rise time and the fall time can be set to the same time.
【００５７】上記パルス電界の電界強度は、１０〜１０
００ｋＶ／ｃｍとなるようにするのが好ましい。電界強
度が１０ｋＶ／ｃｍ未満であると処理に時間がかかりす
ぎ、１０００ｋＶ／ｃｍを超えるとアーク放電が発生し
やすくなる。The electric field strength of the pulse electric field is 10 to 10
It is preferable to be 00 kV / cm. If the electric field intensity is less than 10 kV / cm, it takes too much time for the treatment, and if the electric field intensity exceeds 1000 kV / cm, arc discharge is likely to occur.
【００５８】上記パルス電界の周波数は、０．５〜１０
０ｋＨｚであることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であ
るとプラズマ密度が低いため処理に時間がかかりすぎ、
１００ｋＨｚを超えるとアーク放電が発生しやすくな
る。より好ましくは、１〜１００ｋＨｚであり、このよ
うな高周波数のパルス電界を印加することにより、処理
速度を大きく向上させることができる。The frequency of the pulse electric field is 0.5 to 10
Preferably, it is 0 kHz. If the frequency is less than 0.5 kHz, the plasma density is low, so that it takes too much time for the treatment,
If it exceeds 100 kHz, arc discharge is likely to occur. More preferably, the frequency is 1 to 100 kHz. By applying such a high-frequency pulsed electric field, the processing speed can be greatly improved.
【００５９】また、上記パルス電界におけるひとつのパ
ルス継続時間は、０．５〜２００μｓであることが好ま
しい。０．５μｓ未満であると放電が不安定なものとな
り、２００μｓを超えるとアーク放電に移行しやすくな
る。より好ましくは、３〜２００μｓである。ここで、
ひとつのパルス継続時間とは、図１中に例を示してある
が、ＯＮ、ＯＦＦの繰り返しからなるパルス電界におけ
る、ひとつのパルスの連続するＯＮ時間を言う。The duration of one pulse in the pulse electric field is preferably 0.5 to 200 μs. If it is less than 0.5 μs, the discharge becomes unstable, and if it exceeds 200 μs, it is easy to shift to arc discharge. More preferably, it is 3 to 200 μs. here,
One pulse duration, which is shown in FIG. 1 as an example, refers to a continuous ON time of one pulse in a pulse electric field composed of repetition of ON and OFF.
【００６０】本発明において、プラズマを被処理基材に
接触させる手段は、対向する電極間で発生させたプラズ
マを放電空間の外に配置された被処理基材に向かって導
くようにして接触させる方法である。In the present invention, the means for bringing the plasma into contact with the substrate to be treated is such that the plasma generated between the opposing electrodes is brought into contact with the substrate to be treated disposed outside the discharge space. Is the way.
【００６１】本発明の方法は、基材が直接高密度プラズ
マ空間にさらされることが少なく、基材への電気的熱的
負担が軽減された方法である。特に、低融点のプラスチ
ックフィルムで電気回路が集積されたシリコンウェーハ
などに処理することが可能な優れた方法である。The method of the present invention is a method in which the substrate is hardly exposed directly to the high-density plasma space, and the electrical and thermal load on the substrate is reduced. In particular, it is an excellent method that can be processed on a silicon wafer or the like in which an electric circuit is integrated with a low melting point plastic film.
【００６２】具体的方法としては、固体誘電体が延長さ
れてプラズマ誘導ノズルを形成しており、放電空間の外
に配置された被処理基材に向けて吹き付ける方法等が挙
げられ、平行平板型電極と長尺型ノズル、同軸円筒型電
極と円筒型ノズルの組み合わせを用いることができる。
平行平板型電極と長尺型ノズルの組み合わせが大面積処
理を行うことができ好ましい。なお、ノズルの材質は、
必ずしも上記の固体誘電体である必要がなく、上記電極
と絶縁がとれていれば金属等でもかまわない。As a specific method, there is a method in which a solid dielectric is extended to form a plasma induction nozzle and sprayed toward a substrate to be processed disposed outside a discharge space. A combination of an electrode and a long nozzle and a combination of a coaxial cylindrical electrode and a cylindrical nozzle can be used.
A combination of a parallel plate type electrode and a long nozzle is preferable because large area processing can be performed. The material of the nozzle is
It is not always necessary to use the above-mentioned solid dielectric, and a metal or the like may be used as long as it is insulated from the above-mentioned electrodes.
【００６３】また、低圧プラズマでは放電が広がりやす
いため、プラズマを被処理基材の目的とするところに向
かわせるために、対向する電極で発生させたプラズマの
プラズマ吹き出し口から被処理基材に向けて略垂直にガ
イドを設けることが好ましい。このガイドにより、プラ
ズマの拡散を防止することができる。Further, since the discharge is easily spread by the low-pressure plasma, in order to direct the plasma to a target portion of the substrate to be processed, the plasma generated by the facing electrode is discharged from the plasma outlet of the plasma toward the substrate to be processed. Preferably, the guide is provided substantially vertically. With this guide, the diffusion of plasma can be prevented.
【００６４】大面積の基材を処理することを考慮する
と、上記ノズル先端のガス吹き出し口が、５０ｍｍ以上
であることが好ましい。また、発生したプラズマを効率
よく使うために放電空間とガス吹き出し口の間は近い方
がよく、このため、電極もガス吹き出し口の形状に沿っ
た、５０ｍｍ以上のものが好ましい。具体的には、長辺
を有する（ａ）平行平板電極や、（ｂ）ロール電極とロ
ール電極の組み合わせ、（ｃ）ロール電極と板状電極の
組み合わせ、（ｄ）ロール電極と曲面電極の組み合わせ
が好ましい。図２に上記電極の断面図（長辺方向と垂直
な面）を示す。このような電極を用いて、大面積の処理
を高速で行うためには、長辺方向が基材よりも大きいサ
イズの電極を用い、長辺と垂直方向に基材または電極を
動かすことによって行う。本発明ではパルス電界を用い
ているので、上記のような５０ｍｍを超える電極サイズ
でも安定した放電を継続することが可能であり、基材全
面に渡って均一な処理を行うことが可能である。また、
均一な処理を行うためには、電極を通る際のガスが長辺
方向に渡って均一になるようになされていることが好ま
しい。In consideration of treating a large-area substrate, the gas outlet at the nozzle tip is preferably 50 mm or more. In addition, in order to use the generated plasma efficiently, it is preferable that the space between the discharge space and the gas outlet is closer. Therefore, it is preferable that the electrode has a shape of the gas outlet and is 50 mm or more. Specifically, (a) a parallel plate electrode having a long side, (b) a combination of a roll electrode and a roll electrode, (c) a combination of a roll electrode and a plate electrode, (d) a combination of a roll electrode and a curved electrode Is preferred. FIG. 2 shows a cross-sectional view (a surface perpendicular to the long side direction) of the electrode. In order to perform large-area processing at high speed using such an electrode, an electrode having a longer side direction larger than the base material is used, and the base material or the electrode is moved in a direction perpendicular to the longer side. . Since a pulsed electric field is used in the present invention, stable discharge can be continued even with an electrode size exceeding 50 mm as described above, and uniform processing can be performed over the entire surface of the base material. Also,
In order to perform uniform processing, it is preferable that the gas passing through the electrode be uniform over the long side direction.
【００６５】本発明の方法をマルチチャンバー化するこ
ともできる。すなわち、搬送方向に対して、異なるガス
や処理条件のプラズマ装置を並べ、各装置で成膜やエッ
チングや洗浄処理を行うことにより、これらの工程を一
括して連続で行うことが可能である。このマルチチャン
バー装置中では、本発明のプラズマ処理方法と他の方法
を組み合わせてもよい。また、複数組の電極からなる多
段式の装置を用いて処理スピードを上げたり、それぞれ
の段に異なるガスを導入して積層膜を形成したりするこ
ともできる。さらに、本発明の接触処理は、プラズマを
発生させる対向電極を複数用いることにより被処理基材
の片面を多段処理するだけに限らず、両面から行うこと
も可能である。一般に、常圧プラズマでは放電条件が狭
いため、プラズマの影響を及ぼす範囲が限定されるた
め、裏面への処理の回りを容易にさけることができ、か
つ、異なるプラズマを発するリモートソースにより表裏
異なったプラズマ処理を同時に行うことが可能である。
特に、対向電極間に流す処理ガスを変更することにより
表裏両面を異なったガスに基づくプラズマで同時に処理
することもできる。The method of the present invention can be made multi-chambered. That is, by arranging plasma devices with different gases and processing conditions in the transport direction and performing film formation, etching, and cleaning processing in each device, it is possible to perform these steps collectively and continuously. In the multi-chamber apparatus, the plasma processing method of the present invention may be combined with another method. Further, the processing speed can be increased by using a multi-stage apparatus including a plurality of sets of electrodes, or a different film can be introduced into each stage to form a stacked film. Further, the contact treatment of the present invention is not limited to performing one-sided treatment of one surface of the substrate to be treated by using a plurality of counter electrodes for generating plasma, and it is also possible to perform the treatment from both surfaces. In general, since the discharge condition is small in the normal pressure plasma, the range affected by the plasma is limited, so that it is possible to easily avoid the processing on the back surface, and the front and back are different depending on the remote source emitting different plasma. Plasma treatment can be performed simultaneously.
In particular, by changing the processing gas flowing between the opposed electrodes, both the front and back surfaces can be simultaneously processed with plasma based on different gases.
【００６６】なお、本発明の方法と、対向する電極間で
発生するプラズマの放電空間内に基材を配置して基材に
プラズマを接触させる方法とを組み合わて用いてもよ
い。The method of the present invention may be used in combination with the method of arranging a substrate in a discharge space of plasma generated between opposing electrodes and bringing the substrate into contact with the plasma.
【００６７】本発明のプラズマ処理は、従来の高温処理
に比較して、低温、特に１２０℃以下の温度で処理でき
るところに特徴があり、このような低温下に処理するこ
とにより、特に熱的損傷等に敏感な基材に対しても適用
可能となる。また、電極や基材を搬送する搬送手段等に
冷却機構等を付与して温度をコントロールすることもで
きる。また、処理によっては、加熱機構を用いて高温で
処理を行うこともできる。本発明の方法は、高温でも安
定した処理を行うことができる。The plasma treatment of the present invention is characterized in that it can be treated at a lower temperature, particularly at a temperature of 120 ° C. or lower, as compared with the conventional high-temperature treatment. It can also be applied to substrates that are sensitive to damage and the like. Further, the temperature can be controlled by providing a cooling mechanism or the like to the transporting means for transporting the electrodes and the base material. Further, depending on the treatment, the treatment can be performed at a high temperature using a heating mechanism. The method of the present invention can perform stable processing even at a high temperature.
【００６８】また、本発明のプラズマ処理においては、
基材表面の酸化防止や処理後の基材表面が大気中の湿潤
空気やその他の不純物に接触することを防ぐ意味で、プ
ラズマと基材との接触部近傍を不活性ガス雰囲気で処理
を行うこともできる。In the plasma treatment of the present invention,
In order to prevent oxidation of the substrate surface and to prevent the surface of the substrate after treatment from coming into contact with the humid air and other impurities in the atmosphere, the treatment is performed in an inert gas atmosphere near the contact portion between the plasma and the substrate. You can also.
【００６９】プラズマと基材との接触部近傍を不活性ガ
ス雰囲気に保つ機構としては、不活性ガスによるガスカ
ーテン機構、不活性ガスで満たされた容器中で処理を行
う機構等が挙げられる。Examples of a mechanism for keeping the vicinity of the contact portion between the plasma and the base material in an inert gas atmosphere include a gas curtain mechanism using an inert gas, a mechanism performing processing in a container filled with an inert gas, and the like.
【００７０】上記不活性ガスによるガスカーテン機構と
しては、プラズマと基材との接触部近傍の周囲にガス排
気機構を有し、その周囲に不活性ガスによるガスカーテ
ン機構を有することにより、プラズマと基材との接触部
近傍を不活性ガス雰囲気に保つようにすることができ
る。As the gas curtain mechanism using the inert gas, a gas exhaust mechanism is provided around the contact portion between the plasma and the substrate, and a gas curtain mechanism using the inert gas is provided around the gas exhaust mechanism. The vicinity of the contact portion with the substrate can be kept in an inert gas atmosphere.
【００７１】さらに、本発明の装置においては、電極に
電圧印加開始から放電状態が安定するまで予備放電を行
った後、ガス吹き出し口ノズルを基材表面に移動させる
ノズル体待機機構を有するプラズマ発生機構を用いるこ
とにより不良品の発生を抑えることができる。Further, in the apparatus according to the present invention, a plasma generating apparatus having a nozzle body standby mechanism for moving the gas outlet nozzle to the substrate surface after performing preliminary discharge from the start of voltage application to the electrode until the discharge state is stabilized. By using the mechanism, the occurrence of defective products can be suppressed.
【００７２】さらにまた、基材を搬送する手段として
は、基材がフィルム状のものであれば、繰り出しロール
と巻き取りロールからなる搬送系を用い、枚葉のもので
あれば、搬送コンベア、搬送ロボット等の搬送系を用い
ることができる。Further, as a means for transporting the substrate, if the substrate is in the form of a film, a transport system composed of a feeding roll and a winding roll is used. A transfer system such as a transfer robot can be used.
【００７３】本発明における具体的な装置の例を図で以
下に説明する。図３は、平行平板型長尺ノズルによりプ
ラズマガスを被処理基材に吹き付ける装置と、ガス吹き
出し口ノズルの周囲に設けられたガス吸引口を設けた装
置と、被処理体の搬送機構を備えた装置の一例を示す図
である。１は電極、２及び３は電極、４は固体誘電体、
５はガス吹き出し口、７は処理ガス導入口、４２は搬送
ベルト、９は放電空間、１０は排気ガス筒、１４は被処
理基材をそれぞれ表す。例えば、処理ガスは、矢印の方
向にガス導入口７から放電空間９に導入され、電極２と
電極３との間にパルス電界を印加することによって、プ
ラズマとしてガス吹き出し口５から吹き出される。一
方、被処理基材１４は、ベルト４２によりガス吹き出し
口近傍に運ばれ、処理がされる。処理済みのガスは、排
気ガス筒１０より除去され、被処理基材に再付着して汚
染することがない。搬送ベルト４２は、送りスピードを
任意に調整できるものを用いることにより処理の程度を
変更でき、さらに冷却又は加熱機構を付加することもで
きる。また、ノズル体全体は、必要に応じて、電極間に
電圧印加後、予備放電を行い、プラズマが安定するまで
被処理体の外側で待機させるノズル待機機構を具備せる
こともできるし、Ｘ−Ｙ−Ｚ移動機構を具備させて被処
理基材上を掃引させることもできる。An example of a specific device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 3 includes an apparatus for spraying a plasma gas onto a substrate to be processed by a parallel plate-type long nozzle, an apparatus having a gas suction port provided around a gas outlet nozzle, and a transport mechanism for a workpiece. FIG. 2 is a diagram showing an example of a device that has been used. 1 is an electrode, 2 and 3 are electrodes, 4 is a solid dielectric,
Reference numeral 5 denotes a gas outlet, 7 denotes a processing gas inlet, 42 denotes a transport belt, 9 denotes a discharge space, 10 denotes an exhaust gas cylinder, and 14 denotes a substrate to be processed. For example, the processing gas is introduced into the discharge space 9 from the gas inlet 7 in the direction of the arrow, and is blown out from the gas outlet 5 as plasma by applying a pulsed electric field between the electrode 2 and the electrode 3. On the other hand, the substrate to be processed 14 is carried by the belt 42 to the vicinity of the gas outlet and is processed. The treated gas is removed from the exhaust gas cylinder 10 and does not reattach to the substrate to be treated and does not contaminate it. The degree of processing can be changed by using a transfer belt that can arbitrarily adjust the feed speed, and a cooling or heating mechanism can be added. Further, the entire nozzle body may be provided with a nozzle standby mechanism that performs a preliminary discharge after applying a voltage between the electrodes and waits on the outside of the processing object until the plasma is stabilized, if necessary. The substrate to be processed can be swept by providing a YZ moving mechanism.
【００７４】上記排気ガス機構は、図３のように吹き出
し口の近傍にガス吹き出し方向と揃えて設置する以外
に、基材の周囲にガス吹き出し方向と垂直に排気するよ
うに設置したり、基材の処理面の逆側から排気するよう
に設置したりすることもできる。The above-mentioned exhaust gas mechanism is installed in the vicinity of the outlet in the same direction as the gas blowing direction as shown in FIG. It can also be installed so that air is exhausted from the opposite side of the material processing surface.
【００７５】図４は、ガス吹き出し口を供えた円筒状固
体誘電体を用いてプラズマガスを基材に吹き付ける装置
と、ガス吹き出し口ノズルの周囲に設けられたドーナツ
状のガス吸引口を設けた装置と、基材の搬送機構を備え
た装置の一例を示す図である。１は電源、２は外側電
極、３は内側電極、４は固体誘電体、５はガス吹き出し
口、７は処理ガス導入口、１０は排気ガス筒、１４は被
処理基材、４１〜４３は搬送ベルトをそれぞれ表す。例
えば、処理ガスは、白抜き矢印の方向にガス導入口７か
ら筒状の固体誘電体容器内に導入され、筒状固体誘電体
容器の外側に配設された電極２と筒状固体誘電体容器内
部に配置された内側電極３との間にパルス電界を印加す
ることによって、プラズマとしてガス吹き出し口５から
吹き出される。一方、被処理基材１４は、最初は搬入ベ
ルト４１により運ばれ、次に処理ベルト４２によりガス
吹き出し口に運ばれ、処理され、次いで搬出ベルト４３
で運び出されるという搬送工程からなっている。処理済
みのガスは、排気ガス筒１０より、除去され基材に再付
着して汚染することがない。搬送ベルトは、送りスピー
ドを任意に調整できるものを用いることにより処理の程
度を変更でき、さらに冷却又は加熱機構を付加すること
もできる。また、筒状固体誘電体からなるノズル体は、
必要に応じて、電極間に電圧印加後、予備放電を行い、
プラズマが安定するまで基材の外側で待機させるノズル
待機機構を具備せることもできるし、Ｘ−Ｙ−Ｚ移動機
構を具備させて基材上を掃引させることもできる。FIG. 4 shows an apparatus for spraying a plasma gas to a substrate using a cylindrical solid dielectric provided with a gas outlet, and a donut-shaped gas suction port provided around the gas outlet nozzle. It is a figure showing an example of a device and a device provided with a substrate conveyance mechanism. 1 is a power source, 2 is an outer electrode, 3 is an inner electrode, 4 is a solid dielectric, 5 is a gas outlet, 7 is a processing gas inlet, 10 is an exhaust gas cylinder, 14 is a substrate to be processed, and 41 to 43 are Each represents a conveyor belt. For example, the processing gas is introduced into the cylindrical solid dielectric container from the gas inlet 7 in the direction of the outline arrow, and the electrode 2 and the cylindrical solid dielectric disposed outside the cylindrical solid dielectric container are introduced. By applying a pulse electric field between the inner electrode 3 and the inside of the container, plasma is blown out from the gas blowout port 5 as plasma. On the other hand, the substrate to be processed 14 is first carried by the carry-in belt 41, then carried by the treatment belt 42 to the gas outlet, processed, and then carried out by the carry-out belt 43.
The transport process is carried out by the transport. The treated gas is not removed from the exhaust gas cylinder 10 and reattached to the base material to prevent contamination. The degree of processing can be changed by using a transport belt whose feed speed can be arbitrarily adjusted, and a cooling or heating mechanism can be added. Further, the nozzle body made of a cylindrical solid dielectric,
If necessary, after applying a voltage between the electrodes, perform a preliminary discharge,
A nozzle standby mechanism that waits outside the substrate until the plasma is stabilized may be provided, or an XYZ moving mechanism may be provided to sweep over the substrate.
【００７６】図５は、複数のプレート状電極により複数
の放電空間を有するノズル体からなる装置により被処理
基材を処理する方法の一例を説明する図である。１は電
源、２、３は電極、５はガス吹き出し口、７は処理ガス
導入口、１４は被処理基材、４１〜４３は搬送ベルトを
それぞれ表す。ただし、図示されていないが電極は、固
体誘電体で被覆されている。例えば、処理ガスは、白抜
き矢印の方向にガス導入口７から複数の放電空間を有す
るノズル体内に導入され、電極２と電極３との間にパル
ス電界を印加することによって、プラズマとしてガス吹
き出し口５から吹き出される。一方、被処理基材１４
は、最初は搬入ベルト４１により運ばれ、次に処理ベル
ト４２によりガス吹き出し口に運ばれ、処理され、次い
で搬出ベルト４３で運び出されるという搬送工程からな
っている。この装置においては、放電空間を多くするこ
とができるので、大面積被処理基材の処理に好ましい。FIG. 5 is a view for explaining an example of a method for treating a substrate to be treated by an apparatus comprising a nozzle body having a plurality of discharge spaces with a plurality of plate-like electrodes. 1 is a power source, 2 and 3 are electrodes, 5 is a gas outlet, 7 is a processing gas inlet, 14 is a substrate to be processed, and 41 to 43 are transport belts, respectively. However, although not shown, the electrodes are covered with a solid dielectric. For example, the processing gas is introduced into the nozzle body having a plurality of discharge spaces from the gas inlet 7 in the direction of the white arrow, and a pulsed electric field is applied between the electrode 2 and the electrode 3 to blow out gas as plasma. It is blown out from the mouth 5. On the other hand, the substrate to be treated 14
Is carried by a carry-in belt 41 first, then carried by a processing belt 42 to a gas outlet, processed, and then carried out by a carry-out belt 43. In this apparatus, since the discharge space can be increased, it is preferable for processing a large-area substrate to be processed.
【００７７】図６は、ロール電極を用いたノズル体を説
明する斜視図である。ただし、ノズル体の内部を説明す
るために外側ケーシングの一部を点線で表してある。図
７は図６の縦方向の断面図である。図６及び図７におい
て、１は電源、２は接地ロール電極、３は印加ロール電
極、４は固体誘電体、５はプラズマ吹き出し口、７は処
理ガス導入口、３０はケーシング、３１は斜板、３２は
多孔板、３３は処理ガス流通孔をそれぞれ表す。FIG. 6 is a perspective view for explaining a nozzle body using a roll electrode. However, in order to explain the inside of the nozzle body, a part of the outer casing is shown by a dotted line. FIG. 7 is a vertical sectional view of FIG. 6 and 7, 1 is a power supply, 2 is a ground roll electrode, 3 is an application roll electrode, 4 is a solid dielectric, 5 is a plasma outlet, 7 is a processing gas inlet, 30 is a casing, and 31 is a swash plate. , 32 indicate a perforated plate, and 33 indicates a processing gas flow hole.
【００７８】処理ガスは、白抜きの矢印方向にガス導入
口７から導入され、斜板３１、多孔板３２により長さ方
向に流速が均一にされ、ロール電極間に印加されたパル
ス電界によりプラズマとしてプラズマガス吹き出し口５
から吹き出され、近傍に配置される被処理基材に吹き付
けられる。この装置においては、ノズル体は、Ｘ−Ｙ−
Ｚ移動機構を具備させて基材を掃引することもでき、大
面積基材を短時間に処理することができる。The processing gas is introduced from the gas inlet 7 in the direction of the white arrow, the flow velocity is made uniform in the length direction by the swash plate 31 and the perforated plate 32, and the plasma is generated by the pulse electric field applied between the roll electrodes. As plasma gas outlet 5
And is sprayed onto a substrate to be processed disposed in the vicinity. In this device, the nozzle body is XY-
A substrate can be swept by providing a Z movement mechanism, and a large-area substrate can be processed in a short time.
【００７９】さらに、本発明のノズル体は、電極に電圧
印加開始から放電状態が安定するまで予備放電を行った
後、ガス吹き出し口ノズルを基材表面に移動させること
により不良品の発生を抑えることができる。その装置の
概略を図８に示す。Further, the nozzle body of the present invention suppresses generation of defective products by performing preliminary discharge from the start of voltage application to the electrodes until the discharge state is stabilized, and then moving the gas outlet nozzle to the substrate surface. be able to. FIG. 8 shows an outline of the apparatus.
【００８０】図８は、ノズル体待機機構を有するプラズ
マ発生機構を用いる一例を説明する図である。処理ガス
をノズル体６に導入し、プラズマを基材１４上に吹き付
ける装置であるが、ノズル体６は、放電状態が安定する
までの予備放電時にはＡの位置で待機し、放電状態が安
定した後に基材１４表面の窒化膜を形成すべき箇所Ｂに
移動させて窒化膜の被着を開始する。また、この装置に
おいては、支持台１５を取り巻くリング状フード１０を
設けることにより、処理ガスの排気を行うことができ、
さらに、搬送ロボット２０を併設することにより、カセ
ット２１から基材１４の出し入れを行い、効率的に基材
の処理を行うことができる。上記ノズル体待機機構は、
ノズル体を掃引するためのＸ−Ｙ−Ｚ移動装置と併用す
ることができる。また、不活性ガスで満たされた容器に
収納することができる。FIG. 8 is a diagram for explaining an example in which a plasma generating mechanism having a nozzle body standby mechanism is used. This is a device that introduces a processing gas into the nozzle body 6 and sprays plasma onto the base material 14. The nozzle body 6 stands by at the position A during preliminary discharge until the discharge state is stabilized, and the discharge state is stabilized. Thereafter, the substrate 14 is moved to the position B where the nitride film is to be formed, and the deposition of the nitride film is started. Further, in this apparatus, by providing the ring-shaped hood 10 surrounding the support base 15, the processing gas can be exhausted,
Further, by providing the transfer robot 20 in parallel, the base material 14 can be taken in and out of the cassette 21 to efficiently process the base material. The nozzle body standby mechanism,
It can be used together with an XYZ moving device for sweeping the nozzle body. Further, it can be stored in a container filled with an inert gas.
【００８１】また、図９にシート状基材を処理する装置
の一例を示す。ガス導入口７とガス吹き出し口５を備え
た容器３０内で、対向電極２及び３の少なくとも一方の
対向面に固体誘電体を設置し、一方の電極と該固体誘電
体又は該固体誘電体同士の間で励起された原料ガスが矢
印方向に連続的にガス吹き出し口５からロールで移動し
ているシート状又はフィルム状基材１４の表面に吹き付
けられ基材上に薄膜１６を形成する。FIG. 9 shows an example of an apparatus for processing a sheet-like substrate. In a container 30 provided with a gas inlet 7 and a gas outlet 5, a solid dielectric is provided on at least one of the opposing surfaces of the counter electrodes 2 and 3, and one of the electrodes is connected to the solid dielectric or the solid dielectric. The raw material gas excited between them is continuously sprayed in the direction of the arrow in the direction of the arrow from the gas outlet 5 onto the surface of the sheet-like or film-like base material 14 which is being rolled to form a thin film 16 on the base material.
【００８２】さらに、図１０に一対の平行平板電極と一
対の円筒型電極を組み合わせた装置の一例を示す。ガス
導入口７とガス吹き出し口５を備えた容器３０内には、
電極２及び３からなる一対の平行平板電極と電極２’と
３’からなる一対の円筒電極を有し、さらにガス吹き出
し口５の先には被処理基材１４に向けて略垂直にガイド
６’を設けられている。原料ガスは、両電極対間で励起
されプラズマを発生するが、円筒型電極を回転させるこ
とにより、より均一なプラズマとすることができ、さら
にガイド６により基材１４の表面にプラズマを集中する
ことができる。FIG. 10 shows an example of an apparatus in which a pair of parallel plate electrodes and a pair of cylindrical electrodes are combined. In the container 30 provided with the gas inlet 7 and the gas outlet 5,
It has a pair of parallel plate electrodes composed of electrodes 2 and 3 and a pair of cylindrical electrodes composed of electrodes 2 ′ and 3 ′. 'Is provided. The raw material gas is excited between the pair of electrodes to generate plasma. By rotating the cylindrical electrode, more uniform plasma can be obtained, and the plasma is concentrated on the surface of the base material 14 by the guide 6. be able to.
【００８３】本発明のパルス電界を用いた大気圧放電で
は、全くガス種に依存せず、電極間において直接大気圧
下で放電を生じせしめることが可能であり、より単純化
された電極構造、放電手順による大気圧プラズマ装置、
及び処理手法でかつ高速処理を実現することができる。
また、パルス周波数、電圧、電極間隔等のパラメータに
より処理に関するパラメータも調整できる。In the atmospheric pressure discharge using the pulsed electric field according to the present invention, the discharge can be directly generated between the electrodes under the atmospheric pressure without depending on the kind of gas at all. Atmospheric pressure plasma device by discharge procedure,
In addition, high-speed processing can be realized with a processing method.
In addition, parameters relating to processing can be adjusted by parameters such as pulse frequency, voltage, and electrode spacing.
【００８４】本発明の処理方法は、絶縁膜、パッシベー
ション膜、光学膜等に用いる酸化膜、発光に用いるＥＬ
膜、絶縁膜、パッシベーション膜に用いる窒化膜、配
線、燃料電池の触媒に用いる金属膜、パッシベーショ
ン、平滑性の付与、耐食コーティングに用いるＤＬＣ、
ガラス基材、プラスチック基材上電極として用いる透明
導電膜、高周波絶縁膜として用いるｌｏｗ−ｋ膜、高密
度メモリー、圧電（エピゾ）素子に用いるｈｉｇｈ−ｋ
膜、ＴＦＴ（ガラス基材上のＬＳＩ）に用いるｐｏｌｙ
−Ｓｉ膜、太陽電池に用いるａ−Ｓｉ：Ｈ膜等のＣＶＤ
膜形成に用いることができる。The processing method according to the present invention employs an oxide film used for an insulating film, a passivation film, an optical film, etc., and an EL used for light emission.
DLC used for film, insulating film, nitride film used for passivation film, wiring, metal film used for fuel cell catalyst, passivation, imparting smoothness, corrosion-resistant coating,
A transparent conductive film used as an electrode on a glass substrate, a plastic substrate, a low-k film used as a high-frequency insulating film, a high-density memory, and a high-k used for a piezoelectric (epizo) element
Poly used for film and TFT (LSI on glass substrate)
-Si film, CVD of a-Si: H film used for solar cells, etc.
It can be used for film formation.
【００８５】また、半導体工程、電子部品の製造工程に
おける、フォトレジスト、ディスカム等のアッシング処
理、等方性又は異方性のエッチィング処理、酸化膜除
去、有機汚染物除去等の洗浄処理、酸化工程、ドーピン
グ工程、アフターコーティング工程等に有効に用いるこ
とができる。Further, in the semiconductor process and the manufacturing process of electronic parts, ashing process for photoresist, discum, etc., isotropic or anisotropic etching process, oxide film removal, cleaning process for removing organic contaminants, oxidation, etc. It can be effectively used in a process, a doping process, an after coating process and the like.
【００８６】[0086]
【実施例】本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明
するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもので
はない。EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００８７】実施例１ 表面に０．５ｍｍ厚のアルミナをコーティングした２０
０×５０×８ｍｍのＳＵＳ製平行平板型電極を用い、電
極間間隔を２ｍｍとした図３の装置を用い、被処理基材
として回路基板を用い、処理ガスとして酸素２５体積％
とアルゴンガス７５体積％の混合ガスを１０Ｌ／ｍｉｎ
で導入し、次の条件で回路基板の表面洗浄処理を行っ
た。Example 1 20 coated with 0.5 mm thick alumina on the surface
Using a SUS parallel plate type electrode of 0 × 50 × 8 mm, the apparatus shown in FIG. 3 in which the distance between the electrodes is 2 mm, a circuit substrate as a substrate to be processed, and oxygen 25% by volume as a processing gas
And a mixture gas of 75% by volume of argon gas at 10 L / min
And the surface cleaning treatment of the circuit board was performed under the following conditions.
【００８８】放電条件：波形（ａ）、立ち上がり／立ち
下がり時間５μｓ、ＶＰ−Ｐ１２ｋＶ、周波数１０ＫＨ
ｚ、処理時間３０ｓｅｃDischarge conditions: waveform (a), rise / fall time 5 μs, VP -P 12 kV, frequency 10 KH
z, processing time 30 sec
【００８９】発生したプラズマは、ストリーマのない、
均一な放電状態であり、処理中の電極温度は６０℃、基
板温度は４０℃であり、それぞれ最高値であった。処理
後の回路基板の動作テストを行ったところ、正常に動作
していた。ＥＳＣＡによって処理前後の回路基板の表面
の炭素の存在量を調べたところ、処理前が６２ａｔｏｍ
％に対して、処理後は５ａｔｏｍ％であり、優れた洗浄
能力が確認された。The generated plasma has no streamer,
The electrode was in a uniform discharge state, the electrode temperature during processing was 60 ° C., and the substrate temperature was 40 ° C., each being the highest value. When an operation test of the circuit board after the processing was performed, the circuit board was operating normally. The amount of carbon present on the surface of the circuit board before and after the treatment was examined by ESCA.
% Was 5 atom% after the treatment, and excellent cleaning ability was confirmed.
【００９０】実施例２ 処理ガスを乾燥空気２０Ｌ／ｍｉｎとし、ＶＰ−Ｐ２０
ｋＶとしたこと以外は実施例１と同様にして、回路基板
の表面洗浄処理を行った。ストリーマのない、均一な放
電状態が得られ、処理中の電極温度は６０℃、基板温度
は４０℃であり、それぞれ最高値であった。処理後の回
路基板の動作テストを行ったところ、正常に動作してい
た。ＥＳＣＡによって処理前後の回路基板の表面の炭素
の存在量を調べたところ、処理前が６２ａｔｏｍ％に対
して、処理後は４ａｔｏｍ％であり、優れた洗浄能力が
確認された。[0090] Example 2 process gas is dry air 20L / min, V P-P 20
A surface cleaning treatment of the circuit board was performed in the same manner as in Example 1 except that kV was used. A uniform discharge state without a streamer was obtained, and the electrode temperature during processing was 60 ° C. and the substrate temperature was 40 ° C., each being the highest value. When an operation test of the circuit board after the processing was performed, the circuit board was operating normally. When the amount of carbon present on the surface of the circuit board before and after the treatment was examined by ESCA, the result was 62 atom% before the treatment and 4 atom% after the treatment, indicating an excellent cleaning ability.
【００９１】比較例１ 電極間に１３．５６ＭＨｚ、２５０Ｗの高周波電圧を印
加した以外は実施例１と同様にして、回路基板の表面洗
浄処理を行った。ストリーマ放電が観察され、電極温度
が上昇して２００℃以上になり、そのまま処理を続ける
と危険なので、電圧印加から５ｓｅｃで処理を終了させ
た。処理後の回路基板の動作テストを行ったところ、動
作していなかった。熱的損傷を受けてショートしたもの
と考えられる。Comparative Example 1 A circuit board surface was cleaned in the same manner as in Example 1 except that a high frequency voltage of 13.56 MHz and 250 W was applied between the electrodes. Streamer discharge was observed, and the electrode temperature rose to 200 ° C. or higher, and it was dangerous to continue the treatment as it was. Therefore, the treatment was terminated 5 seconds after voltage application. When an operation test of the circuit board after the processing was performed, it did not operate. It is considered that a short circuit occurred due to thermal damage.
【００９２】比較例２ 電極間に１３．５６ＭＨｚ、２５０Ｗの高周波電圧を印
加し、処理ガスとしてヘリウム４５体積％、アルゴン４
５体積％、酸素１０体積％の混合ガスを用いた以外は実
施例１と同様にして、回路基板の表面洗浄処理を行っ
た。ただし、電極温度は、冷却装置を用いて２００℃以
下に保つようにした。ストリーマ放電が観察され、その
まま処理を続けると危険なので、電圧印加から１０ｓｅ
ｃで処理を終了させた。そこで、処理ガスをヘリウム９
０体積％、酸素１０体積％の混合ガスに変更して３０ｓ
ｅｃ処理を行った。基板温度は１５０℃となった。処理
後の回路基板の動作テストを行ったところ、動作してい
なかった。熱的損傷を受けてショートしたものと考えら
れる。なお、ＥＳＣＡによって処理前後の回路基板の表
面の炭素の存在量を調べたところ、処理前が６２ａｔｏ
ｍ％に対して、処理後は４６ａｔｏｍ％であった。Comparative Example 2 A high frequency voltage of 13.56 MHz and 250 W was applied between the electrodes, and 45 vol% of helium and 4
The surface cleaning treatment of the circuit board was performed in the same manner as in Example 1 except that a mixed gas of 5% by volume and 10% by volume of oxygen was used. However, the electrode temperature was kept at 200 ° C. or lower using a cooling device. Streamer discharge is observed, and it is dangerous to continue the process as it is.
The process was terminated at c. Therefore, the processing gas is changed to helium 9
Change to a mixed gas of 0% by volume and 10% by volume of oxygen for 30 seconds
ec processing was performed. The substrate temperature became 150 ° C. When an operation test of the circuit board after the processing was performed, it did not operate. It is probable that short circuit occurred due to thermal damage. The amount of carbon on the surface of the circuit board before and after the treatment was measured by ESCA.
After the treatment, the amount was 46 atom% against the m%.
【００９３】実施例３ 図１０の装置において、表面に０．５ｍｍ厚のアルミナ
をコーティングした２００×５０×８ｍｍのＳＵＳ製平
行平板型電極（電極間間隔を２ｍｍ）と表面に０．５ｍ
ｍ厚のアルミナをコーティングした径２５ｍｍのＳＵＳ
製ロール型電極（電極間間隔を２ｍｍ）を有し、ロール
部直下に向かって長さ３ｍｍのガスガイドをとり付け、
サイドをふさぎ先端のみを開放する機構の装置とした。
被処理基材としてガラス基板をノズルから１ｍｍ離して
配した。処理ガスとしてＣＦ４１００％を流量１ＳＬＭ
で流し、放電出力５００Ｗ、周波数１０ｋＨｚを電極に
印加し、５分間基材をエッチング処理した。エッチング
後、基材表面を探針式の表面形状測定装置でエッチング
深さを測定したところ０．５μの深さに異方性をもって
エッチングされていた。また、放電部にはオレンジ色の
特徴的な発光色がみられた。Example 3 In the apparatus shown in FIG. 10, a 200 × 50 × 8 mm SUS parallel plate type electrode (interelectrode interval: 2 mm) coated with 0.5 mm thick alumina on the surface and 0.5 m on the surface were used.
25mm diameter SUS coated with m-thick alumina
It has a roll type electrode (inter-electrode interval is 2 mm), and attaches a gas guide with a length of 3 mm directly below the roll part,
The device has a mechanism that closes the side and opens only the tip.
A glass substrate was disposed as a substrate to be processed at a distance of 1 mm from the nozzle. 100% CF 4 as processing gas, flow rate 1SLM
And a discharge output of 500 W and a frequency of 10 kHz were applied to the electrode, and the substrate was etched for 5 minutes. After the etching, the etching depth of the substrate surface was measured with a probe-type surface shape measuring device, and it was found that the substrate was anisotropically etched to a depth of 0.5 μm. Further, a characteristic emission color of orange was observed in the discharge part.
【００９４】[0094]
【発明の効果】本発明の常圧プラズマ処理方法は、高速
処理及び大面積処理に対応可能でかつ、被処理基材に熱
的、電気的ダメージを与えない簡便な装置構成による処
理方法であるので、半導体製造工程で用いられる種々の
方法を始めとして、あらゆるプラズマ処理方法におい
て、インライン化及び高速化を実現するのに有効に用い
ることができる。これにより、処理時間の短縮化、コス
ト低下が可能になり、従来では不可能あるいは困難であ
った様々な用途への展開が可能となる。The normal-pressure plasma processing method of the present invention is a processing method with a simple apparatus configuration that can cope with high-speed processing and large-area processing and does not thermally or electrically damage a substrate to be processed. Therefore, in various plasma processing methods including various methods used in a semiconductor manufacturing process, it can be effectively used for realizing in-line and high-speed processing. As a result, the processing time can be reduced and the cost can be reduced, and it can be applied to various applications that were impossible or difficult in the past.
【図１】本発明のパルス電界の例を示す電圧波形の図で
ある。FIG. 1 is a diagram of a voltage waveform showing an example of a pulse electric field of the present invention.
【図２】本発明の電極の形状の組み合わせを説明する図
である。FIG. 2 is a diagram illustrating combinations of electrode shapes according to the present invention.
【図３】本発明の放電プラズマ処理装置の例を示す図で
ある。FIG. 3 is a diagram showing an example of a discharge plasma processing apparatus of the present invention.
【図４】本発明の放電プラズマ処理装置の例を示す図で
ある。FIG. 4 is a diagram showing an example of a discharge plasma processing apparatus of the present invention.
【図５】本発明の放電プラズマ処理装置の例を示す図で
ある。FIG. 5 is a diagram showing an example of a discharge plasma processing apparatus of the present invention.
【図６】本発明のノズル体の一例を示す図である。FIG. 6 is a view showing an example of a nozzle body of the present invention.
【図７】図６の縦方向の断面図である。FIG. 7 is a longitudinal sectional view of FIG. 6;
【図８】本発明の放電プラズマ処理装置の例を示す図で
ある。FIG. 8 is a diagram showing an example of a discharge plasma processing apparatus of the present invention.
【図９】本発明の放電プラズマ処理装置の例を示す図で
ある。FIG. 9 is a diagram showing an example of a discharge plasma processing apparatus of the present invention.
【図１０】本発明の放電プラズマ処理装置の例を示す図
である。FIG. 10 is a diagram showing an example of a discharge plasma processing apparatus of the present invention.
１ 電源（高電圧パルス電源） ２、２’、３、３’ 電極 ４ 固体誘電体 ５ ガス吹き出し口 ６ ノズル体 ６’ ガード ７ ガス導入口 ９ 放電空間 １０ ガス排気筒 １４ 被処理基材 １５ 支持台 １６ 薄膜 ２０ 搬送ロボット ２１ カセット ２２ アーム ３０ ケーシング ３１ 斜板 ３２ 多孔板 ３３ 処理ガス流通孔 ４１、４２、４３ 搬送ベルト DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power supply (high voltage pulse power supply) 2, 2 ', 3 and 3' electrode 4 Solid dielectric 5 Gas outlet 6 Nozzle body 6 'Guard 7 Gas inlet 9 Discharge space 10 Gas exhaust tube 14 Substrate to be treated 15 Support Table 16 Thin film 20 Transport robot 21 Cassette 22 Arm 30 Casing 31 Swash plate 32 Perforated plate 33 Processing gas flow holes 41, 42, 43 Transport belt
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ (72)発明者 湯浅 基和 大阪府三島郡島本町百山２−１ 積水化学 工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BC04 BC06 BC07 BC10 CA47 CA62 CA63 DA18 EB41 EB42 EB43 EC01 EC21 EE01 EE02 EE12 FB01 FB02 FB06 FB12 FC15 5F004 AA14 BA04 BB11 BB29 BD01 BD04 DA23 DA26 5F045 AA08 AB03 AB04 AB33 AB34 AE29 DP22 EH08 EH13 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05H 1/46 H01L 21/302 N (72) Inventor Motokazu Yuasa 2-Momoyama, Shimamotocho, Mishima-gun, Osaka 1 F-term in Sekisui Chemical Co., Ltd. (Reference) 4G075 AA24 AA30 BC04 BC06 BC07 BC10 CA47 CA62 CA63 DA18 EB41 EB42 EB43 EC01 EC21 EE01 EE02 EE12 FB01 FB02 FB06 FB12 FC15 5F004 AA14 BA04 BB11 BB29 ABD043 AB34 AE29 DP22 EH08 EH13
Claims (14)
なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該電極
間に処理ガスを導入しパルス状の電界を印加することに
より得られる放電プラズマを、放電空間外に配置された
被処理基材に誘導して接触させることを特徴とする放電
プラズマ処理方法。1. A discharge obtained by disposing a solid dielectric on at least one opposing surface of an opposing electrode under a pressure close to the atmospheric pressure, introducing a processing gas between the electrodes, and applying a pulsed electric field. A discharge plasma processing method, wherein plasma is guided to and brought into contact with a substrate to be processed arranged outside a discharge space.
ことを特徴とする請求項１に記載の放電プラズマ処理方
法。2. The discharge plasma processing method according to claim 1, wherein the opposing electrodes are parallel plate electrodes.
の組み合わせであることを特徴とする請求項１又は２に
記載の放電プラズマ処理方法。3. The discharge plasma processing method according to claim 1, wherein the opposing electrodes are a combination of a plurality of sets of parallel plate electrodes.
とを特徴とする請求項１に記載の放電プラズマ処理方
法。4. The discharge plasma processing method according to claim 1, wherein the opposing electrodes are roll-type electrodes.
対向ロール型電極の組み合わせであることを特徴とする
請求項１に記載の放電プラズマ処理方法。5. The discharge plasma processing method according to claim 1, wherein the facing electrodes are a combination of a facing parallel plate type electrode and a facing roll type electrode.
ラズマ吹き出し口から被処理基材に向けて略垂直にガイ
ドを設けてなることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
か１項に記載の放電プラズマ処理方法。6. The guide according to claim 1, wherein a guide is provided substantially perpendicularly from a plasma outlet of the plasma generated by the opposed electrodes toward the substrate to be processed. Discharge plasma treatment method.
マ吹き出し口が、一辺５０ｍｍ以上であることを特徴と
する請求項１〜６のいずれか１項に記載の放電プラズマ
処理方法。7. The discharge plasma processing method according to claim 1, wherein a plasma outlet of the plasma generated by the counter electrode has a side length of 50 mm or more.
が、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７
のいずれか１項に記載の放電プラズマ処理方法。8. The electrode and / or the solid dielectric has a surface roughness of 10 μm or less.
The discharge plasma processing method according to any one of the above.
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の
放電プラズマ処理方法。9. The discharge plasma processing method according to claim 1, wherein the temperature of the substrate to be processed is 120 ° C. or lower.
及び／又は立ち下がり時間が１０μｓ以下であることを
特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の放電プ
ラズマ処理方法。10. The discharge plasma processing method according to claim 1, wherein the pulse-like electric field has a pulse rise and / or fall time of 10 μs or less.
１０００ｋＶ／ｃｍであることを特徴とする請求項１〜
１０のいずれか１項に記載の放電プラズマ処理方法。11. A pulse-like electric field having an electric field strength of 10 to 10.
The pressure is 1000 kV / cm.
The discharge plasma processing method according to any one of items 10 to 10.
際、放電状態が安定するまで予備放電を行い、その後に
プラズマを被処理基材に接触させることを特徴とする請
求項１〜１１のいずれか１項に記載の放電プラズマ処理
方法。12. The method according to claim 1, wherein when the plasma is brought into contact with the substrate to be processed, preliminary discharge is performed until the discharge state is stabilized, and thereafter the plasma is brought into contact with the substrate to be processed. 2. The discharge plasma treatment method according to claim 1.
基材表面上に移動させるノズル体待機機構を有すること
を特徴とする請求項１２に記載の放電プラズマ処理方
法。13. The discharge plasma processing method according to claim 12, further comprising a nozzle body standby mechanism for moving the gas outlet nozzle onto the substrate surface after the preliminary discharge.
る電極からのプラズマで被処理基材の表裏両面を同時処
理することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項
に記載の放電プラズマ処理方法。14. The method according to claim 1, wherein the treatment of the substrate to be treated is performed by simultaneously treating both front and back surfaces of the substrate to be treated with plasma from a plurality of opposed electrodes. The discharge plasma processing method according to the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001200835A JP2002237480A (en) | 2000-07-28 | 2001-07-02 | Method of treating base material with discharge plasma |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000229322 | 2000-07-28 | ||
| JP2000-369489 | 2000-12-05 | ||
| JP2000369489 | 2000-12-05 | ||
| JP2000-229322 | 2000-12-05 | ||
| JP2001200835A JP2002237480A (en) | 2000-07-28 | 2001-07-02 | Method of treating base material with discharge plasma |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005209591A Division JP2005347278A (en) | 2000-07-28 | 2005-07-20 | Discharge plasma processing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002237480A true JP2002237480A (en) | 2002-08-23 |
Family
ID=27344200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001200835A Pending JP2002237480A (en) | 2000-07-28 | 2001-07-02 | Method of treating base material with discharge plasma |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002237480A (en) |
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004021748A1 (en) | 2002-08-30 | 2004-03-11 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Plasma processing system |
| JP2004518526A (en) * | 2001-01-30 | 2004-06-24 | ラプト インダストリーズ インコーポレイテッド | Atmospheric pressure reactive atom plasma processing apparatus and method for undamaged surface shaping |
| JP2004207708A (en) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method, and manufacturing method for thin film transistor |
| WO2004064129A1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-07-29 | Hirata Corporation | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| WO2004070822A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Methods for manufacturing semiconductor device and display |
| WO2004070809A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display |
| WO2004070821A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display manufacturing method |
| WO2004070811A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor producing apparatus |
| WO2004070810A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for manufacturing display |
| WO2004070820A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring fabricating method |
| WO2004070823A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display manufacturing method |
| WO2004070819A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display |
| JP2004311983A (en) * | 2003-03-26 | 2004-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Plasma processing apparatus |
| JP2005166895A (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and device for plasma treatment |
| KR100541278B1 (en) * | 2003-04-21 | 2006-01-10 | 윤휘준 | Asymmetrical torch-type apparatus for generating plasma under atmospheric pressure |
| EP1755160A1 (en) | 2005-08-16 | 2007-02-21 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Copper base for electronic component, electronic component, and process for producing copper base for electronic component |
| JP2007048661A (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Sharp Corp | Plasma forming electrode, plasma treatment device, and plasma treatment method |
| JP2007520878A (en) * | 2003-12-22 | 2007-07-26 | フジフィルム マニュファクチャリング ユーロプ ビー．ブイ． | Method and apparatus for removing dirt from substrate surface using atmospheric pressure glow plasma |
| KR100779841B1 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-28 | 엄환섭 | Apparatus and methode for surface treatment by atmospheric plasma |
| CN100392827C (en) * | 2003-02-05 | 2008-06-04 | 株式会社半导体能源研究所 | Method of manufacturing display device |
| JP2008519411A (en) * | 2004-11-05 | 2008-06-05 | ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド | Plasma system |
| US7399704B2 (en) | 2003-10-02 | 2008-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication method of a semiconductor device using liquid repellent film |
| JP2008192618A (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Se Plasma Inc | Plasma generating device in which an inhalation port is formed around projected plasma exhalation port |
| US7416977B2 (en) | 2004-04-28 | 2008-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device, liquid crystal television, and EL television |
| US7459187B2 (en) | 2003-10-29 | 2008-12-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Surface-treatment method and equipment |
| US7510905B2 (en) | 2004-01-29 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Forming method of contact hole, and manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal display device and EL display device |
| WO2009074546A1 (en) * | 2007-12-10 | 2009-06-18 | Construction Research & Technology Gmbh | Method and device for the treatment of surfaces |
| JP2009200112A (en) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Sekisui Chem Co Ltd | Method of producing group iii element added zinc oxide, and substrate |
| US7819081B2 (en) | 2002-10-07 | 2010-10-26 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Plasma film forming system |
| US7824520B2 (en) | 2003-03-26 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma treatment apparatus |
| JP2010535624A (en) * | 2007-08-14 | 2010-11-25 | ユニヴェルシテ リブル ドゥ ブリュッセル | Method for depositing nanoparticles on a support |
| KR101051449B1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-07-22 | 한국기계연구원 | Plasma killer |
| WO2012117696A1 (en) * | 2011-03-03 | 2012-09-07 | パナソニック株式会社 | Semiconductor substrate surface etching device, and method of manufacturing semiconductor substrate whereon uneven shapes are formed upon surface thereof using said device |
| KR101239315B1 (en) | 2010-09-30 | 2013-03-05 | 김기태 | Plasma device |
| KR101456549B1 (en) * | 2012-09-10 | 2014-10-31 | 한국표준과학연구원 | Plassma Enhanced Chemical Vapour Deposition Apparatus And Plassma Enhanced Chemical Vapour Deposition Method |
| KR20160022699A (en) * | 2014-08-20 | 2016-03-02 | 삼성전자주식회사 | Ionizer and substrate transfer system having the same |
| CN108701590A (en) * | 2015-08-17 | 2018-10-23 | 安托士设备***公司 | Use the epitaxial growth of atmospheric pressure plasma preparation process |
| JP2020057608A (en) * | 2019-12-02 | 2020-04-09 | アルファ株式会社 | Plasma processing device and plasma torch |
| JP2021506119A (en) * | 2017-12-04 | 2021-02-18 | ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ | Processing heads, processing systems, and processing methods that process local surface areas of the substrate. |
| US20220020572A1 (en) * | 2020-07-16 | 2022-01-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
-
2001
- 2001-07-02 JP JP2001200835A patent/JP2002237480A/en active Pending
Cited By (79)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004518526A (en) * | 2001-01-30 | 2004-06-24 | ラプト インダストリーズ インコーポレイテッド | Atmospheric pressure reactive atom plasma processing apparatus and method for undamaged surface shaping |
| EP1448030A4 (en) * | 2002-08-30 | 2006-11-22 | Sekisui Chemical Co Ltd | Plasma processing system |
| EP1448030A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-08-18 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Plasma processing system |
| WO2004021748A1 (en) | 2002-08-30 | 2004-03-11 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Plasma processing system |
| US7762209B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-07-27 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| US7322313B2 (en) | 2002-08-30 | 2008-01-29 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Plasma processing system |
| US7819081B2 (en) | 2002-10-07 | 2010-10-26 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Plasma film forming system |
| JP2004207708A (en) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method, and manufacturing method for thin film transistor |
| WO2004064129A1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-07-29 | Hirata Corporation | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US8053174B2 (en) | 2003-02-05 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for wiring |
| CN100459060C (en) * | 2003-02-05 | 2009-02-04 | 株式会社半导体能源研究所 | Manufacture method of display device |
| WO2004070823A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display manufacturing method |
| WO2004070819A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display |
| US8460857B2 (en) | 2003-02-05 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for wiring |
| JP4907088B2 (en) * | 2003-02-05 | 2012-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Manufacturing method of display device |
| KR101061891B1 (en) | 2003-02-05 | 2011-09-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | How to make wiring |
| JPWO2004070819A1 (en) * | 2003-02-05 | 2006-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Manufacturing method of display device |
| JPWO2004070810A1 (en) * | 2003-02-05 | 2006-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Manufacturing method of display device |
| JPWO2004070823A1 (en) * | 2003-02-05 | 2006-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing display device |
| WO2004070810A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for manufacturing display |
| US7176069B2 (en) * | 2003-02-05 | 2007-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacture method of display device |
| JP2010250327A (en) * | 2003-02-05 | 2010-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method of manufacturing thin film transistor and method of manufacturing display device |
| JP4549866B2 (en) * | 2003-02-05 | 2010-09-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Manufacturing method of display device |
| US7189654B2 (en) | 2003-02-05 | 2007-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for wiring |
| WO2004070820A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring fabricating method |
| US7736955B2 (en) | 2003-02-05 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacture method of display device by using droplet discharge method |
| US7510893B2 (en) | 2003-02-05 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device using droplet emitting means |
| CN100392827C (en) * | 2003-02-05 | 2008-06-04 | 株式会社半导体能源研究所 | Method of manufacturing display device |
| WO2004070821A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display manufacturing method |
| US7625493B2 (en) | 2003-02-06 | 2009-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| US7858453B2 (en) | 2003-02-06 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device and display device utilizing solution ejector |
| US8569119B2 (en) | 2003-02-06 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device and display device |
| JP4748990B2 (en) * | 2003-02-06 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Manufacturing method of semiconductor device |
| WO2004070809A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display |
| CN100392828C (en) * | 2003-02-06 | 2008-06-04 | 株式会社半导体能源研究所 | Method for manufacturing display device |
| KR101229385B1 (en) * | 2003-02-06 | 2013-02-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Semiconductor producing apparatus |
| WO2004070811A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor producing apparatus |
| KR101193015B1 (en) * | 2003-02-06 | 2012-10-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Plasma device |
| KR101186919B1 (en) | 2003-02-06 | 2012-10-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Method for manufacturing display device |
| US7922819B2 (en) | 2003-02-06 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing device |
| KR101145350B1 (en) * | 2003-02-06 | 2012-05-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Methods for manufacturing semiconductor device and display |
| WO2004070822A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Methods for manufacturing semiconductor device and display |
| KR101113773B1 (en) | 2003-02-06 | 2012-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Semiconductor producing apparatus |
| JP4503324B2 (en) * | 2003-03-26 | 2010-07-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Plasma processing equipment |
| US7824520B2 (en) | 2003-03-26 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma treatment apparatus |
| JP2004311983A (en) * | 2003-03-26 | 2004-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Plasma processing apparatus |
| KR100541278B1 (en) * | 2003-04-21 | 2006-01-10 | 윤휘준 | Asymmetrical torch-type apparatus for generating plasma under atmospheric pressure |
| US7399704B2 (en) | 2003-10-02 | 2008-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication method of a semiconductor device using liquid repellent film |
| JP2010229557A (en) * | 2003-10-29 | 2010-10-14 | Kobe Steel Ltd | Surface treatment equipment |
| US7459187B2 (en) | 2003-10-29 | 2008-12-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Surface-treatment method and equipment |
| JP4507575B2 (en) * | 2003-12-02 | 2010-07-21 | パナソニック株式会社 | Plasma processing method and apparatus |
| JP2005166895A (en) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and device for plasma treatment |
| JP4668208B2 (en) * | 2003-12-22 | 2011-04-13 | フジフィルム マニュファクチャリング ユーロプ ビー．ブイ． | Method and apparatus for removing dirt from substrate surface using atmospheric pressure glow plasma |
| JP2007520878A (en) * | 2003-12-22 | 2007-07-26 | フジフィルム マニュファクチャリング ユーロプ ビー．ブイ． | Method and apparatus for removing dirt from substrate surface using atmospheric pressure glow plasma |
| US7510905B2 (en) | 2004-01-29 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Forming method of contact hole, and manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal display device and EL display device |
| US7655499B2 (en) | 2004-01-29 | 2010-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Forming method of contact hole and manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal display device and EL display device |
| US7416977B2 (en) | 2004-04-28 | 2008-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device, liquid crystal television, and EL television |
| KR100779841B1 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-28 | 엄환섭 | Apparatus and methode for surface treatment by atmospheric plasma |
| JP2008519411A (en) * | 2004-11-05 | 2008-06-05 | ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド | Plasma system |
| JP2007048661A (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Sharp Corp | Plasma forming electrode, plasma treatment device, and plasma treatment method |
| JP4693544B2 (en) * | 2005-08-11 | 2011-06-01 | シャープ株式会社 | Plasma generating electrode, plasma processing apparatus, and plasma processing method |
| EP1755160A1 (en) | 2005-08-16 | 2007-02-21 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Copper base for electronic component, electronic component, and process for producing copper base for electronic component |
| JP2008192618A (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Se Plasma Inc | Plasma generating device in which an inhalation port is formed around projected plasma exhalation port |
| JP2010535624A (en) * | 2007-08-14 | 2010-11-25 | ユニヴェルシテ リブル ドゥ ブリュッセル | Method for depositing nanoparticles on a support |
| WO2009074546A1 (en) * | 2007-12-10 | 2009-06-18 | Construction Research & Technology Gmbh | Method and device for the treatment of surfaces |
| JP2009200112A (en) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Sekisui Chem Co Ltd | Method of producing group iii element added zinc oxide, and substrate |
| KR101051449B1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-07-22 | 한국기계연구원 | Plasma killer |
| KR101239315B1 (en) | 2010-09-30 | 2013-03-05 | 김기태 | Plasma device |
| WO2012117696A1 (en) * | 2011-03-03 | 2012-09-07 | パナソニック株式会社 | Semiconductor substrate surface etching device, and method of manufacturing semiconductor substrate whereon uneven shapes are formed upon surface thereof using said device |
| CN103140918A (en) * | 2011-03-03 | 2013-06-05 | 松下电器产业株式会社 | Semiconductor substrate surface etching device, and method of manufacturing semiconductor substrate whereon uneven shapes are formed upon surface thereof using said device |
| KR101456549B1 (en) * | 2012-09-10 | 2014-10-31 | 한국표준과학연구원 | Plassma Enhanced Chemical Vapour Deposition Apparatus And Plassma Enhanced Chemical Vapour Deposition Method |
| KR20160022699A (en) * | 2014-08-20 | 2016-03-02 | 삼성전자주식회사 | Ionizer and substrate transfer system having the same |
| KR102164671B1 (en) * | 2014-08-20 | 2020-10-12 | 삼성전자주식회사 | Ionizer and substrate transfer system having the same |
| CN108701590A (en) * | 2015-08-17 | 2018-10-23 | 安托士设备***公司 | Use the epitaxial growth of atmospheric pressure plasma preparation process |
| JP2018532258A (en) * | 2015-08-17 | 2018-11-01 | オントス イクイップメント システムズ インコーポレイテッド | Epitaxial growth using a preparation process with atmospheric pressure plasma |
| JP2021506119A (en) * | 2017-12-04 | 2021-02-18 | ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ | Processing heads, processing systems, and processing methods that process local surface areas of the substrate. |
| JP7332596B2 (en) | 2017-12-04 | 2023-08-23 | ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | A processing head, processing system, and processing method for processing a localized surface area of a substrate |
| JP2020057608A (en) * | 2019-12-02 | 2020-04-09 | アルファ株式会社 | Plasma processing device and plasma torch |
| US20220020572A1 (en) * | 2020-07-16 | 2022-01-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002237480A (en) | Method of treating base material with discharge plasma | |
| TW531801B (en) | Normal plasma processing method and processing device | |
| JP2002158219A (en) | Discharge plasma processor and processing method using the same | |
| JP3823037B2 (en) | Discharge plasma processing equipment | |
| JP5021877B2 (en) | Discharge plasma processing equipment | |
| JP2002151478A (en) | Method and apparatus for dry etching | |
| JP2002151494A (en) | Normal pressure plasma processing method and device therefor | |
| JP2003209096A (en) | Plasma etching treatment method and device therefor | |
| JP2002237463A (en) | Manufacturing method and device of semiconductor element | |
| JP2002155371A (en) | Method and system for manufacturing semiconductor device | |
| JP2002155370A (en) | Method and system for atmospheric pressure plasma treatment | |
| JP2005347278A (en) | Discharge plasma processing apparatus | |
| KR100491140B1 (en) | Method and apparatus for removing contaminants from the surface of a substrate with atmospheric-pressure plasma | |
| JP2002143795A (en) | Method for cleaning glass substrate for liquid crystal | |
| JP2002151480A (en) | Processing method for semiconductor element and device therefor | |
| JP4809973B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device | |
| JP4341149B2 (en) | Surface treatment method | |
| JP2002176050A (en) | Method of forming silicon oxide film and system thereof | |
| JP4546675B2 (en) | Multistage discharge plasma processing method and apparatus | |
| JP3722733B2 (en) | Discharge plasma processing equipment | |
| JP2006005007A (en) | Method and device for forming amorphous silicon layer | |
| JP2002151476A (en) | Method and apparatus for removing resist | |
| JP2002343725A (en) | Method for forming thin film | |
| JP2002151513A (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor element | |
| JP2002151508A (en) | Semiconductor element manufacturing method and apparatus thereof |