JP2002235189A - めっき電流供給電源装置 - Google Patents
めっき電流供給電源装置Info
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/18—Electroplating using modulated, pulsed or reversing current
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J1/00—Circuit arrangements for dc mains or dc distribution networks
- H02J1/10—Parallel operation of dc sources
- H02J1/108—Parallel operation of dc sources using diodes blocking reverse current flow
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被めっき物に対して可及的に均一な厚みのめ
っきを形成する。 【解決手段】 被めっき物４に所定の周期で極性が反転
するめっき電流を供給するための、正電流供給用の第１
の直流電源装置３Ａと負電流供給用の第２の直流電源装
置３Ｂとを含む電源装置を有し、さらに上記第１の直流
電源装置から被めっき物に供給される正電流Ｉ２の大き
さと上記第２の直流電源装置から上記被めっき物に供給
される負電流Ｉ１との大きさの比、および上記正電流が
供給される期間Ｔ２と負電流が供給される期間Ｔ１との
比を、均一な厚みのめっきが生成されるように制御する
演算制御装置５８とを有する。
っきを形成する。 【解決手段】 被めっき物４に所定の周期で極性が反転
するめっき電流を供給するための、正電流供給用の第１
の直流電源装置３Ａと負電流供給用の第２の直流電源装
置３Ｂとを含む電源装置を有し、さらに上記第１の直流
電源装置から被めっき物に供給される正電流Ｉ２の大き
さと上記第２の直流電源装置から上記被めっき物に供給
される負電流Ｉ１との大きさの比、および上記正電流が
供給される期間Ｔ２と負電流が供給される期間Ｔ１との
比を、均一な厚みのめっきが生成されるように制御する
演算制御装置５８とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被めっき物、めっ
き液、電極等を含む負荷（以下ではめっき負荷と称す
る）に供給される電流の極性を高速で反転させて被めっ
き物にめっきを行うめっき電流供給電源装置に関するも
のであり、特にスルーホールやビアホールが設けられた
プリント配線板等の被めっき物に対しても均一なめっき
を行うことができるめっき電流供給電源装置に関するも
のである。
き液、電極等を含む負荷（以下ではめっき負荷と称す
る）に供給される電流の極性を高速で反転させて被めっ
き物にめっきを行うめっき電流供給電源装置に関するも
のであり、特にスルーホールやビアホールが設けられた
プリント配線板等の被めっき物に対しても均一なめっき
を行うことができるめっき電流供給電源装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】めっき負荷に供給される電流の極性を高
速で反転させることにより、正電流供給時にめっきを行
い、負電流供給時にめっきの中断またはめっきの溶解を
行ってめっき層の結晶を微細化して被めっき物に均一な
めっきを行うことができることが知られている。
速で反転させることにより、正電流供給時にめっきを行
い、負電流供給時にめっきの中断またはめっきの溶解を
行ってめっき層の結晶を微細化して被めっき物に均一な
めっきを行うことができることが知られている。
【０００３】被めっき物が、例えば図４に示すように電
子部品を高密度で集積する基板Ｐ１、Ｐ２、…からなる
多層プリント配線板では、基板の層数が多くなるほどス
ルーホール１のエッジ部１１のめっき厚と内壁部１２の
めっき厚とに差が生じ、均一な厚みのめっき層Ｍが得ら
れなかった。同様に、ビアホール２についてもエッジ部
２１のめっき厚と内壁部２２のめっき厚との間に差が生
じ、均一なめっき層Ｍが得られなかった。基板Ｐ１、Ｐ
２、…全体にわたって均一な所定の厚みのめっき層Ｍを
形成するためには、特に負電流が流れる時間が、正電流
が流れる時間よりも短く、且つ正電流よりも充分大きい
負電流をスルーホール１、ビアホール２に流す必要があ
ることが判った。
子部品を高密度で集積する基板Ｐ１、Ｐ２、…からなる
多層プリント配線板では、基板の層数が多くなるほどス
ルーホール１のエッジ部１１のめっき厚と内壁部１２の
めっき厚とに差が生じ、均一な厚みのめっき層Ｍが得ら
れなかった。同様に、ビアホール２についてもエッジ部
２１のめっき厚と内壁部２２のめっき厚との間に差が生
じ、均一なめっき層Ｍが得られなかった。基板Ｐ１、Ｐ
２、…全体にわたって均一な所定の厚みのめっき層Ｍを
形成するためには、特に負電流が流れる時間が、正電流
が流れる時間よりも短く、且つ正電流よりも充分大きい
負電流をスルーホール１、ビアホール２に流す必要があ
ることが判った。
【０００４】そこで、本件出願人は、例えば５〜２０ｍ
ｓ（ミリ秒）の周期でめっき負荷に供給される電流の極
性を反転させて、多層基板からなるプリント配線板のよ
うな被めっき物に対しても均一な厚みのめっきを行うこ
とができるめっき電流供給電源装置を特願２０００−３
２０４２３号で提案した。
ｓ（ミリ秒）の周期でめっき負荷に供給される電流の極
性を反転させて、多層基板からなるプリント配線板のよ
うな被めっき物に対しても均一な厚みのめっきを行うこ
とができるめっき電流供給電源装置を特願２０００−３
２０４２３号で提案した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、出願人が提案
した上記のめっき電流供給電源装置、その他の従来のめ
っき電流供給電源装置では、例えば図４に示すようなス
ルーホールやビアホールが設けられた多層プリント配線
板にめっきする場合、通常複数の被めっき物にそれぞれ
めっき電流を流してめっきしているが、それぞれの被め
っき物に均一な厚みのめっき層を形成することは困難で
あった。また、めっきに光沢がでないことがあった。
した上記のめっき電流供給電源装置、その他の従来のめ
っき電流供給電源装置では、例えば図４に示すようなス
ルーホールやビアホールが設けられた多層プリント配線
板にめっきする場合、通常複数の被めっき物にそれぞれ
めっき電流を流してめっきしているが、それぞれの被め
っき物に均一な厚みのめっき層を形成することは困難で
あった。また、めっきに光沢がでないことがあった。
【０００６】本発明は、スルーホールやビアホールが設
けられた多層プリント配線板に対しても、均一な厚みの
めっきを行うことができるめっき電流供給電源装置を提
供することを目的としたものである。
けられた多層プリント配線板に対しても、均一な厚みの
めっきを行うことができるめっき電流供給電源装置を提
供することを目的としたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、め
っき負荷に所定の周期で極性が反転するめっき電流を供
給するための、正電流供給用の直流電源装置と負電流供
給用の直流電源装置とを含む電源装置と、上記正電流供
給用の直流電源装置から上記めっき負荷に供給されるめ
っき電流の正電流値と上記負電流供給用の直流電源装置
から上記めっき負荷に供給されるめっき電流の負電流値
との比、および上記正電流が供給される期間と負電流が
供給される期間との比を制御する演算制御装置とを含む
めっき電流供給電源装置に関するものである。この電源
装置によれば、演算制御装置によりめっき負荷に供給さ
れるめっき電流の正電流の大きさと負電流の大きさ、正
電流が供給される期間と負電流が供給される期間の比を
それぞれ適正に制御することにより、均一でしかも最適
のめっき厚のめっき層を形成することができる。
っき負荷に所定の周期で極性が反転するめっき電流を供
給するための、正電流供給用の直流電源装置と負電流供
給用の直流電源装置とを含む電源装置と、上記正電流供
給用の直流電源装置から上記めっき負荷に供給されるめ
っき電流の正電流値と上記負電流供給用の直流電源装置
から上記めっき負荷に供給されるめっき電流の負電流値
との比、および上記正電流が供給される期間と負電流が
供給される期間との比を制御する演算制御装置とを含む
めっき電流供給電源装置に関するものである。この電源
装置によれば、演算制御装置によりめっき負荷に供給さ
れるめっき電流の正電流の大きさと負電流の大きさ、正
電流が供給される期間と負電流が供給される期間の比を
それぞれ適正に制御することにより、均一でしかも最適
のめっき厚のめっき層を形成することができる。
【０００８】本願の第２の発明は、第１の発明におい
て、特にめっき電流の正電流の大きさと負電流の大きさ
の比を１対２乃至１対３の範囲に選択したことを特徴と
するものである。
て、特にめっき電流の正電流の大きさと負電流の大きさ
の比を１対２乃至１対３の範囲に選択したことを特徴と
するものである。
【０００９】本願の第３の発明は、第１の発明におい
て、特にめっき電流の正電流が供給される期間と負電流
が供給される期間との比を１０対１乃至３０対１の範囲
に選択したことを特徴とするものである。
て、特にめっき電流の正電流が供給される期間と負電流
が供給される期間との比を１０対１乃至３０対１の範囲
に選択したことを特徴とするものである。
【００１０】本願の第４の発明は、第１の発明におい
て、めっき電流の正電流の大きさと負電流の大きさの比
を１対２乃至１対３の範囲に選択すると共に、上記正電
流が供給される期間と負電流が供給される期間との比を
１０対１乃至３０対１の範囲に選択したことを特徴とす
るものである。
て、めっき電流の正電流の大きさと負電流の大きさの比
を１対２乃至１対３の範囲に選択すると共に、上記正電
流が供給される期間と負電流が供給される期間との比を
１０対１乃至３０対１の範囲に選択したことを特徴とす
るものである。
【００１１】本願の第５の発明は、複数のめっき負荷に
それぞれ所定の周期で極性が反転するめっき電流を供給
するための、正電流供給用の直流電源装置と負電流供給
用の直流電源装置とを含む複数の電源装置と、上記正電
流供給用の各直流電源装置から上記複数のめっき負荷の
各々に供給されるめっき電流の正電流値と上記負電流供
給用の各直流電源装置から上記複数のめっき負荷の各々
に供給されるめっき電流の負電流値との比、および上記
正電流が供給される期間と負電流が供給される期間との
比をそれぞれ制御する演算制御装置とを含む、複数のめ
っき負荷にめっき電流を供給するめっき電流供給電源装
置に関するものである。このめっき電流供給電源装置に
よれば、演算制御装置により個々のめっき負荷に供給さ
れるめっき電流の正電流の大きさと負電流の大きさ、正
電流が供給される期間と負電流が供給される期間の比を
それぞれ独立して制御することにより、各被めっき物毎
に均一でしかも最適のめっき厚のめっき層を形成するこ
とができる。
それぞれ所定の周期で極性が反転するめっき電流を供給
するための、正電流供給用の直流電源装置と負電流供給
用の直流電源装置とを含む複数の電源装置と、上記正電
流供給用の各直流電源装置から上記複数のめっき負荷の
各々に供給されるめっき電流の正電流値と上記負電流供
給用の各直流電源装置から上記複数のめっき負荷の各々
に供給されるめっき電流の負電流値との比、および上記
正電流が供給される期間と負電流が供給される期間との
比をそれぞれ制御する演算制御装置とを含む、複数のめ
っき負荷にめっき電流を供給するめっき電流供給電源装
置に関するものである。このめっき電流供給電源装置に
よれば、演算制御装置により個々のめっき負荷に供給さ
れるめっき電流の正電流の大きさと負電流の大きさ、正
電流が供給される期間と負電流が供給される期間の比を
それぞれ独立して制御することにより、各被めっき物毎
に均一でしかも最適のめっき厚のめっき層を形成するこ
とができる。
【００１２】本願の第６の発明は、第５の発明におい
て、特に各めっき負荷に供給されるめっき電流の正電流
の大きさと負電流の大きさの比を１対２乃至１対３の範
囲に選択したことを特徴とするものである。
て、特に各めっき負荷に供給されるめっき電流の正電流
の大きさと負電流の大きさの比を１対２乃至１対３の範
囲に選択したことを特徴とするものである。
【００１３】本願の第７の発明は、第５の発明におい
て、特に各めっき負荷に供給されるめっき電流の正電流
が供給される期間と負電流が供給される期間との比を１
０対１乃至３０対１の範囲に選択したことを特徴とする
ものである。
て、特に各めっき負荷に供給されるめっき電流の正電流
が供給される期間と負電流が供給される期間との比を１
０対１乃至３０対１の範囲に選択したことを特徴とする
ものである。
【００１４】本願の第８の発明は、第５の発明におい
て、各めっき負荷に供給されるめっき電流の正電流の大
きさと負電流の大きさの比を１対２乃至１対３の範囲に
選択すると共に、上記正電流が供給される期間と負電流
が供給される期間との比を１０対１乃至３０対１の範囲
に選択したことを特徴とするものである。
て、各めっき負荷に供給されるめっき電流の正電流の大
きさと負電流の大きさの比を１対２乃至１対３の範囲に
選択すると共に、上記正電流が供給される期間と負電流
が供給される期間との比を１０対１乃至３０対１の範囲
に選択したことを特徴とするものである。
【００１５】本願の第９の発明は、第１乃至第８の発明
において、正電流供給用の直流電源装置が、第１の直流
電源と、該第１の直流電源の一方の出力とめっき負荷が
接続される一方の負荷端子との間に接続された第１のリ
アクトルと制御装置から供給される制御信号に応答して
ターンオン、ターンオフする第１の主スイッチング素子
との直列回路と、上記第１の直流電源の上記一方の出力
と他方の出力との間に接続されていて、上記制御装置か
ら供給される制御信号に応答して上記第１の主スイッチ
ング素子のターンオン、ターンオフと相補的にターンオ
フ、ターンオンする第１の補助スイッチング素子とから
なり、上記第１の直流電源の他方の出力は上記めっき負
荷が接続される他方の負荷端子に接続されており、ま
た、負電流供給用の直流電源装置が、第２の直流電源
と、該第２の直流電源の一方の出力と上記めっき負荷が
接続される上記他方の負荷端子との間に接続された第２
のリアクトルと上記制御装置から供給される制御信号に
応答してターンオン、ターンオフする第２の主スイッチ
ング素子との直列回路と、上記第２の直流電源の上記一
方の出力と他方の出力との間に接続されていて、上記制
御装置から供給される制御信号に応答して上記第２の主
スイッチング素子のターンオン、ターンオフと相補的に
ターンオフ、ターンオンする第２の補助スイッチング素
子とからなり、上記第２の直流電源の他方の出力は上記
めっき負荷が接続される上記一方の負荷端子に接続され
ているものが使用されることを特徴とするものである。
において、正電流供給用の直流電源装置が、第１の直流
電源と、該第１の直流電源の一方の出力とめっき負荷が
接続される一方の負荷端子との間に接続された第１のリ
アクトルと制御装置から供給される制御信号に応答して
ターンオン、ターンオフする第１の主スイッチング素子
との直列回路と、上記第１の直流電源の上記一方の出力
と他方の出力との間に接続されていて、上記制御装置か
ら供給される制御信号に応答して上記第１の主スイッチ
ング素子のターンオン、ターンオフと相補的にターンオ
フ、ターンオンする第１の補助スイッチング素子とから
なり、上記第１の直流電源の他方の出力は上記めっき負
荷が接続される他方の負荷端子に接続されており、ま
た、負電流供給用の直流電源装置が、第２の直流電源
と、該第２の直流電源の一方の出力と上記めっき負荷が
接続される上記他方の負荷端子との間に接続された第２
のリアクトルと上記制御装置から供給される制御信号に
応答してターンオン、ターンオフする第２の主スイッチ
ング素子との直列回路と、上記第２の直流電源の上記一
方の出力と他方の出力との間に接続されていて、上記制
御装置から供給される制御信号に応答して上記第２の主
スイッチング素子のターンオン、ターンオフと相補的に
ターンオフ、ターンオンする第２の補助スイッチング素
子とからなり、上記第２の直流電源の他方の出力は上記
めっき負荷が接続される上記一方の負荷端子に接続され
ているものが使用されることを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１において、３Ａは第１の直流
電源、３Ｂは第２の直流電源であり、これらの直流電源
は通常の商用交流電圧をダイオード、サイリスタ等によ
り整流して直流を生成する装置、あるいは商用交流電圧
を整流して得られた直流を、内蔵するインバータにより
一旦高周波に変換し、さらにダイオードにより再度整流
して直流を生成する装置でよい。第１の直流電源３Ａと
第２の直流電源３Ｂは、負荷端子３３Ａ、３３Ｂ間に接
続された負荷、すなわちめっき負荷４に対して正負のめ
っき電流を交互に供給するように動作する。
電源、３Ｂは第２の直流電源であり、これらの直流電源
は通常の商用交流電圧をダイオード、サイリスタ等によ
り整流して直流を生成する装置、あるいは商用交流電圧
を整流して得られた直流を、内蔵するインバータにより
一旦高周波に変換し、さらにダイオードにより再度整流
して直流を生成する装置でよい。第１の直流電源３Ａと
第２の直流電源３Ｂは、負荷端子３３Ａ、３３Ｂ間に接
続された負荷、すなわちめっき負荷４に対して正負のめ
っき電流を交互に供給するように動作する。
【００１７】先ず、正電流供給用の電源回路について説
明すると、第１の直流電源３Ａの一方の出力、例えば正
出力３１Ａには第１のリアクトル３２Ａが接続されてお
り、該リアクトル３２Ａと第１の負荷端子３３Ａとの間
には第１の逆流防止ダイオード３４Ａと第１のスイッチ
ング素子として働く例えば第１の主ＩＧＢＴ３５Ａとの
直列回路が図示の態様で、すなわち逆流防止ダイオード
３４Ａのアノードが上記リアクトル３２Ａに接続され、
そのカソードがＩＧＢＴ３５Ａのコレクタに接続され、
ＩＧＢＴ３５Ａのエミッタが上記第１の負荷端子３３Ａ
に接続される態様で接続されている。第２の負荷端子３
３Ｂは第１の直流電源３Ａの他方の出力、すなわち負出
力４２Ａに接続されている。第１の主ＩＧＢＴ３５Ａの
コレクタとエミッタとの間にはスナバ回路３６Ａが接続
されている。スナバ回路３６Ａは、主ＩＧＢＴ３５Ａが
オン状態からオフ状態に切り換わったときに、この主Ｉ
ＧＢＴ３５Ａのコレクタ−エミッタ間に発生するスパイ
ク状の高電圧を吸収して、上記主ＩＧＢＴ３５Ａが上記
スパイク状の高電圧によって破壊されるのを防止するた
めのもので、主ＩＧＢＴ３５Ａのコレクタ−エミッタ間
に接続されたダイオード３７Ａとスナバコンデンサ３８
Ａとの直列回路と、スナバコンデンサ３８Ａと並列に接
続された放電抵抗３９Ａとにより構成されている。スナ
バコンデンサ３８Ａとしては、高周波のスパイク状電圧
を吸収することができるように、例えば５μＦ程度の比
較的小さい容量値のフィルムコンデンサが使用され、放
電抵抗３９Ａとしては、例えば数十Ω程度の大きさのも
のが使用される。
明すると、第１の直流電源３Ａの一方の出力、例えば正
出力３１Ａには第１のリアクトル３２Ａが接続されてお
り、該リアクトル３２Ａと第１の負荷端子３３Ａとの間
には第１の逆流防止ダイオード３４Ａと第１のスイッチ
ング素子として働く例えば第１の主ＩＧＢＴ３５Ａとの
直列回路が図示の態様で、すなわち逆流防止ダイオード
３４Ａのアノードが上記リアクトル３２Ａに接続され、
そのカソードがＩＧＢＴ３５Ａのコレクタに接続され、
ＩＧＢＴ３５Ａのエミッタが上記第１の負荷端子３３Ａ
に接続される態様で接続されている。第２の負荷端子３
３Ｂは第１の直流電源３Ａの他方の出力、すなわち負出
力４２Ａに接続されている。第１の主ＩＧＢＴ３５Ａの
コレクタとエミッタとの間にはスナバ回路３６Ａが接続
されている。スナバ回路３６Ａは、主ＩＧＢＴ３５Ａが
オン状態からオフ状態に切り換わったときに、この主Ｉ
ＧＢＴ３５Ａのコレクタ−エミッタ間に発生するスパイ
ク状の高電圧を吸収して、上記主ＩＧＢＴ３５Ａが上記
スパイク状の高電圧によって破壊されるのを防止するた
めのもので、主ＩＧＢＴ３５Ａのコレクタ−エミッタ間
に接続されたダイオード３７Ａとスナバコンデンサ３８
Ａとの直列回路と、スナバコンデンサ３８Ａと並列に接
続された放電抵抗３９Ａとにより構成されている。スナ
バコンデンサ３８Ａとしては、高周波のスパイク状電圧
を吸収することができるように、例えば５μＦ程度の比
較的小さい容量値のフィルムコンデンサが使用され、放
電抵抗３９Ａとしては、例えば数十Ω程度の大きさのも
のが使用される。
【００１８】第１のリアクトル３２Ａと第１の逆流防止
ダイオード３４Ａのアノードとの接続点４１Ａと第１の
直流電源３Ａの他方の出力（負出力）４２Ａとの間に
は、短絡用のスイッチング素子として働く第１の補助Ｉ
ＧＢＴ４０Ａが、そのコレクタが上記接続点４１Ａに接
続され、エミッタが上記他方の出力４２Ａに接続される
態様で接続されている。第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａのコ
レクタとエミッタとの間にはスナバ回路４３Ａが接続さ
れている。スナバ回路４３Ａはスナバ回路３６Ａと同様
に、補助ＩＧＢＴ４０Ａがオン状態からオフ状態に切り
換わったときに、この補助ＩＧＢＴ４０Ａのコレクタ−
エミッタ間に発生するスパイク状の高電圧を吸収して、
該補助ＩＧＢＴ４０Ａを保護するためのもので、コレク
タ−エミッタ間に接続されたダイオード４４Ａとスナバ
コンデンサ４５Ａとの直列回路と、上記スナバコンデン
サ４５Ａと並列に接続された放電抵抗４６Ａとにより構
成されている。スナバ回路３６Ａと同様に、スナバコン
デンサ４５Ａとして例えば５μＦのフィルムコンデンサ
が使用され、放電抵抗４６Ａとして数十Ω程度の大きさ
のものが使用される。
ダイオード３４Ａのアノードとの接続点４１Ａと第１の
直流電源３Ａの他方の出力（負出力）４２Ａとの間に
は、短絡用のスイッチング素子として働く第１の補助Ｉ
ＧＢＴ４０Ａが、そのコレクタが上記接続点４１Ａに接
続され、エミッタが上記他方の出力４２Ａに接続される
態様で接続されている。第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａのコ
レクタとエミッタとの間にはスナバ回路４３Ａが接続さ
れている。スナバ回路４３Ａはスナバ回路３６Ａと同様
に、補助ＩＧＢＴ４０Ａがオン状態からオフ状態に切り
換わったときに、この補助ＩＧＢＴ４０Ａのコレクタ−
エミッタ間に発生するスパイク状の高電圧を吸収して、
該補助ＩＧＢＴ４０Ａを保護するためのもので、コレク
タ−エミッタ間に接続されたダイオード４４Ａとスナバ
コンデンサ４５Ａとの直列回路と、上記スナバコンデン
サ４５Ａと並列に接続された放電抵抗４６Ａとにより構
成されている。スナバ回路３６Ａと同様に、スナバコン
デンサ４５Ａとして例えば５μＦのフィルムコンデンサ
が使用され、放電抵抗４６Ａとして数十Ω程度の大きさ
のものが使用される。
【００１９】第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａのコレクタ−エ
ミッタ間、すなわち接続点４１Ａと第１の直流電源３Ａ
の他方の出力、すなわち負出力４２Ａとの間には第１の
クランプ回路４８Ａが接続されている。第１のクランプ
回路４８Ａはクランプ用ダイオード５０Ａと、スナバ回
路のコンデンサの容量に比して遙かに大きい容量値、例
えば１０００〜２０００μＦの容量値をもった電解コン
デンサからなるクランプ用コンデンサ５１Ａとの直列回
路と、このクランプ用コンデンサ５１Ａと並列に接続さ
れた放電抵抗５２Ａとからなる。第１のクランプ回路４
８Ａは、前述のスイッチング素子として作用する主ＩＧ
ＢＴ３５Ａがターンオフしたときにリアクトル３２Ａに
発生する大きなエネルギを吸収するように作用する。
ミッタ間、すなわち接続点４１Ａと第１の直流電源３Ａ
の他方の出力、すなわち負出力４２Ａとの間には第１の
クランプ回路４８Ａが接続されている。第１のクランプ
回路４８Ａはクランプ用ダイオード５０Ａと、スナバ回
路のコンデンサの容量に比して遙かに大きい容量値、例
えば１０００〜２０００μＦの容量値をもった電解コン
デンサからなるクランプ用コンデンサ５１Ａとの直列回
路と、このクランプ用コンデンサ５１Ａと並列に接続さ
れた放電抵抗５２Ａとからなる。第１のクランプ回路４
８Ａは、前述のスイッチング素子として作用する主ＩＧ
ＢＴ３５Ａがターンオフしたときにリアクトル３２Ａに
発生する大きなエネルギを吸収するように作用する。
【００２０】第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａのコレクタ−エ
ミッタ間には、そのコレクタ−エミッタ間の電圧を検出
するための第１の電圧検出器５４Ａが接続されており、
この第１の電圧検出器５４Ａにより検出された電圧また
はこの電圧を表わす信号は第１の比較器５６Ａに供給さ
れて、該比較器５６Ａに内蔵する基準値と比較される。
上記検出電圧が基準値よりも高くなると、比較器５６Ａ
は後程説明する制御装置（演算処理装置）５８に出力信
号を供給する。
ミッタ間には、そのコレクタ−エミッタ間の電圧を検出
するための第１の電圧検出器５４Ａが接続されており、
この第１の電圧検出器５４Ａにより検出された電圧また
はこの電圧を表わす信号は第１の比較器５６Ａに供給さ
れて、該比較器５６Ａに内蔵する基準値と比較される。
上記検出電圧が基準値よりも高くなると、比較器５６Ａ
は後程説明する制御装置（演算処理装置）５８に出力信
号を供給する。
【００２１】負電流供給用の第２の電源回路の構成は、
前述の正電流供給用の電源回路と実質的に同じで、第２
の直流電源３Ｂの一方の出力、例えば正出力３１Ｂには
第２のリアクトル３２Ｂが接続されており、該リアクト
ル３２Ｂと第２の負荷端子３３Ｂとの間には第２の逆流
防止ダイオード３４Ｂと第２のスイッチング素子として
働く例えば第２の主ＩＧＢＴ３５Ｂとの直列回路が図示
の態様で接続されている。第２の直流電源３Ｂの他方の
出力、すなわち負出力４２Ｂは第１の負荷端子３３Ａに
接続されている。第２の主ＩＧＢＴ３５Ｂのコレクタと
エミッタとの間には、前述の正電流供給用の電源回路に
おけるスナバ回路３６Ａと同様な、ダイオード３７Ｂと
スナバコンデンサ３８Ｂとの直列回路と、該スナバコン
デンサ３８Ｂと並列に接続された放電抵抗３９Ｂとによ
り構成された第２のスナバ回路３６Ｂが接続されてい
る。スナバコンデンサ３８Ｂとしては、高周波のスパイ
ク状電圧を吸収することができるように、例えば５μＦ
程度の比較的小さい容量値のフィルムコンデンサが使用
され、放電抵抗３９Ｂとしては、例えば数十Ω程度の大
きさのものが使用される。
前述の正電流供給用の電源回路と実質的に同じで、第２
の直流電源３Ｂの一方の出力、例えば正出力３１Ｂには
第２のリアクトル３２Ｂが接続されており、該リアクト
ル３２Ｂと第２の負荷端子３３Ｂとの間には第２の逆流
防止ダイオード３４Ｂと第２のスイッチング素子として
働く例えば第２の主ＩＧＢＴ３５Ｂとの直列回路が図示
の態様で接続されている。第２の直流電源３Ｂの他方の
出力、すなわち負出力４２Ｂは第１の負荷端子３３Ａに
接続されている。第２の主ＩＧＢＴ３５Ｂのコレクタと
エミッタとの間には、前述の正電流供給用の電源回路に
おけるスナバ回路３６Ａと同様な、ダイオード３７Ｂと
スナバコンデンサ３８Ｂとの直列回路と、該スナバコン
デンサ３８Ｂと並列に接続された放電抵抗３９Ｂとによ
り構成された第２のスナバ回路３６Ｂが接続されてい
る。スナバコンデンサ３８Ｂとしては、高周波のスパイ
ク状電圧を吸収することができるように、例えば５μＦ
程度の比較的小さい容量値のフィルムコンデンサが使用
され、放電抵抗３９Ｂとしては、例えば数十Ω程度の大
きさのものが使用される。
【００２２】第２のリアクトル３２Ｂと第２の逆流防止
ダイオード３４Ｂのアノードとの接続点４１Ｂと第２の
直流電源３Ｂの他方の出力（負出力）４２Ｂとの間に
は、正電流供給用の電源回路と同様に、短絡用のスイッ
チング素子として働く第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂが接続
されている。この第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂのコレクタ
とエミッタとの間にはスナバ回路４３Ｂが接続されてい
る。スナバ回路４３Ｂは、ダイオード４４Ｂとスナバコ
ンデンサ４５Ｂとの直列回路と、スナバコンデンサ４５
Ｂと並列に接続された放電抵抗４６Ｂとにより構成され
ている。
ダイオード３４Ｂのアノードとの接続点４１Ｂと第２の
直流電源３Ｂの他方の出力（負出力）４２Ｂとの間に
は、正電流供給用の電源回路と同様に、短絡用のスイッ
チング素子として働く第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂが接続
されている。この第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂのコレクタ
とエミッタとの間にはスナバ回路４３Ｂが接続されてい
る。スナバ回路４３Ｂは、ダイオード４４Ｂとスナバコ
ンデンサ４５Ｂとの直列回路と、スナバコンデンサ４５
Ｂと並列に接続された放電抵抗４６Ｂとにより構成され
ている。
【００２３】第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂのコレクタ−エ
ミッタ間、すなわちリアクトル３２Ｂとダイオード３４
Ｂとの接続点４１Ｂと第２の直流電源３Ｂの他方の出力
（負の出力）４２Ｂとの間には、クランプ用ダイオード
５０Ｂと、例えば１０００〜２０００μＦの容量値をも
った電解コンデンサからなるクランプ用コンデンサ５１
Ｂとの直列回路と、このクランプ用コンデンサ５１Ｂと
並列に接続された放電抵抗５２Ｂとからなる第２のクラ
ンプ回路４８Ｂが接続されている。この第２のクランプ
回路４８Ｂは、第１のクランプ回路４８Ａと同様にスイ
ッチング素子として作用する主ＩＧＢＴ３５Ｂがターン
オフしたときにリアクトル３２Ｂに発生する大きなエネ
ルギを吸収するように作用するものである。
ミッタ間、すなわちリアクトル３２Ｂとダイオード３４
Ｂとの接続点４１Ｂと第２の直流電源３Ｂの他方の出力
（負の出力）４２Ｂとの間には、クランプ用ダイオード
５０Ｂと、例えば１０００〜２０００μＦの容量値をも
った電解コンデンサからなるクランプ用コンデンサ５１
Ｂとの直列回路と、このクランプ用コンデンサ５１Ｂと
並列に接続された放電抵抗５２Ｂとからなる第２のクラ
ンプ回路４８Ｂが接続されている。この第２のクランプ
回路４８Ｂは、第１のクランプ回路４８Ａと同様にスイ
ッチング素子として作用する主ＩＧＢＴ３５Ｂがターン
オフしたときにリアクトル３２Ｂに発生する大きなエネ
ルギを吸収するように作用するものである。
【００２４】第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂのコレクタ−エ
ミッタ間には、そのコレクタ−エミッタ間の電圧を検出
するために、第１の電圧検出器５４Ａと同様な第２の電
圧検出器５４Ｂが接続されており、この第２の電圧検出
器５４Ｂにより検出された電圧またはこの電圧を表わす
信号は第２の比較器５６Ｂに供給されて、該比較器５６
Ｂに内蔵する基準値と比較される。上記検出電圧が基準
値よりも高くなると、比較器５６Ｂは制御装置（演算処
理装置）５８に出力信号を供給する。
ミッタ間には、そのコレクタ−エミッタ間の電圧を検出
するために、第１の電圧検出器５４Ａと同様な第２の電
圧検出器５４Ｂが接続されており、この第２の電圧検出
器５４Ｂにより検出された電圧またはこの電圧を表わす
信号は第２の比較器５６Ｂに供給されて、該比較器５６
Ｂに内蔵する基準値と比較される。上記検出電圧が基準
値よりも高くなると、比較器５６Ｂは制御装置（演算処
理装置）５８に出力信号を供給する。
【００２５】正直流電源３Ａが例えば８Ｖ、５００Ａ、
負直流電源３Ｂが例えば１５Ｖ、１５００Ａの時、第１
の主ＩＧＢＴ３５Ａとして例えば６００Ａの素子１個、
第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａとして例えば６００Ａの素子
１個が使用され、第２の主ＩＧＢＴ３５Ｂとして例えば
６００Ａの素子２個を並列接続したもの、補助ＩＧＢＴ
４０Ｂとして例えば６００Ａの素子３個を並列接続した
ものが使用される。各主スイッチング素子３５Ａ、３５
Ｂ、各補助スイッチング素子４０Ａ、４０Ｂとしては、
図示のＩＧＢＴ以外の任意の半導体装置を使用すること
も可能である。リアクトル３２Ａ、３２Ｂが例えば２０
０μＨの時、スナバコンデンサ４５Ｂとして例えば前述
の５μＦのフィルムコンデンサが使用され、放電抵抗４
６Ｂとして数十Ω程度の大きさのものが使用される。
負直流電源３Ｂが例えば１５Ｖ、１５００Ａの時、第１
の主ＩＧＢＴ３５Ａとして例えば６００Ａの素子１個、
第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａとして例えば６００Ａの素子
１個が使用され、第２の主ＩＧＢＴ３５Ｂとして例えば
６００Ａの素子２個を並列接続したもの、補助ＩＧＢＴ
４０Ｂとして例えば６００Ａの素子３個を並列接続した
ものが使用される。各主スイッチング素子３５Ａ、３５
Ｂ、各補助スイッチング素子４０Ａ、４０Ｂとしては、
図示のＩＧＢＴ以外の任意の半導体装置を使用すること
も可能である。リアクトル３２Ａ、３２Ｂが例えば２０
０μＨの時、スナバコンデンサ４５Ｂとして例えば前述
の５μＦのフィルムコンデンサが使用され、放電抵抗４
６Ｂとして数十Ω程度の大きさのものが使用される。
【００２６】図２は図１のめっき電流供給電源装置の各
部の波形を示した図で、図２（ａ）はめっき負荷４に流
れるめっき電流の波形を示し、図２（ｂ）は第１の主Ｉ
ＧＢＴ３５Ａのゲートに供給されるゲート電圧の波形を
示し、図２（ｃ）は第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａのゲート
に供給されるゲート電圧の波形を示し、図２（ｄ）は第
２の主ＩＧＢＴ３５Ｂのゲートに供給されるゲート電圧
の波形を示し、図２（ｅ）は第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂ
のゲートに供給されるゲート電圧の波形を示す。各ＩＧ
ＢＴのゲートに供給されるゲート電圧の期間は、制御装
置５８により予めプログラムされている。
部の波形を示した図で、図２（ａ）はめっき負荷４に流
れるめっき電流の波形を示し、図２（ｂ）は第１の主Ｉ
ＧＢＴ３５Ａのゲートに供給されるゲート電圧の波形を
示し、図２（ｃ）は第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａのゲート
に供給されるゲート電圧の波形を示し、図２（ｄ）は第
２の主ＩＧＢＴ３５Ｂのゲートに供給されるゲート電圧
の波形を示し、図２（ｅ）は第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂ
のゲートに供給されるゲート電圧の波形を示す。各ＩＧ
ＢＴのゲートに供給されるゲート電圧の期間は、制御装
置５８により予めプログラムされている。
【００２７】図２の時刻ｔ１より前の時点では、第１の
主ＩＧＢＴ３５Ａは図２（ｂ）の正のゲート信号が供給
されてオン、第２の主ＩＧＢＴ３５Ｂは図２（ｄ）の０
レベルのゲート信号が供給されてオフで、第１の直流電
源３Ａの第１の出力である正の出力３１Ａより第１のリ
アクトル３２Ａ、第１の逆流防止ダイオード３４Ａ、第
１の主ＩＧＢＴ３５Ａ、第１の負荷端子３３Ａ、めっき
負荷４、および第２の負荷端子３３Ｂを経て上記第１の
直流電源３Ａの第２の出力４２Ａに電流が流れ、めっき
負荷４には図２（ａ）のＩ２で示す正の電流が供給され
てめっきが行なわれる。また、ｔ１より前の時点では第
２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂのゲートには図２（ｅ）の正の
ゲート信号が供給されて、該第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂ
はオン状態にあり、第２の直流電源３Ｂの正の出力３１
Ｂより第２のリアクトル３２Ｂ、オン状態にある上記Ｉ
ＧＢＴ４０Ｂを経て、第２の直流電源３Ｂの負の出力４
２Ｂに電流が流れて、上記第２のリアクトル３２Ｂにエ
ネルギが蓄積される。
主ＩＧＢＴ３５Ａは図２（ｂ）の正のゲート信号が供給
されてオン、第２の主ＩＧＢＴ３５Ｂは図２（ｄ）の０
レベルのゲート信号が供給されてオフで、第１の直流電
源３Ａの第１の出力である正の出力３１Ａより第１のリ
アクトル３２Ａ、第１の逆流防止ダイオード３４Ａ、第
１の主ＩＧＢＴ３５Ａ、第１の負荷端子３３Ａ、めっき
負荷４、および第２の負荷端子３３Ｂを経て上記第１の
直流電源３Ａの第２の出力４２Ａに電流が流れ、めっき
負荷４には図２（ａ）のＩ２で示す正の電流が供給され
てめっきが行なわれる。また、ｔ１より前の時点では第
２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂのゲートには図２（ｅ）の正の
ゲート信号が供給されて、該第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂ
はオン状態にあり、第２の直流電源３Ｂの正の出力３１
Ｂより第２のリアクトル３２Ｂ、オン状態にある上記Ｉ
ＧＢＴ４０Ｂを経て、第２の直流電源３Ｂの負の出力４
２Ｂに電流が流れて、上記第２のリアクトル３２Ｂにエ
ネルギが蓄積される。
【００２８】時刻ｔ１で、第２の主ＩＧＢＴ３５Ｂは図
２（ｄ）の正のゲート信号が供給されてターンオンし、
第１の主ＩＧＢＴ３５Ａは図２（ｂ）の０レベルのゲー
ト信号が供給されてターンオフし、第２の直流電源３Ｂ
の第１の出力である正の出力３１Ｂより第２のリアクト
ル３２Ｂ、第２の逆流防止ダイオード３４Ｂ、オン状態
の第２の主ＩＧＢＴ３５Ｂ、第２の負荷端子３３Ｂ、め
っき負荷４、および第１の負荷端子３３Ａを経て上記第
２の直流電源３Ｂの第２の出力４２Ｂに電流が流れて、
めっき負荷４には図２（ａ）のＩ１で示す負の電流が供
給される。この時、めっき負荷４に供給されるめっき電
流Ｉ１は、第２の直流電源３Ｂの出力電流と、ｔ１まで
の間に第２のリアクトル３２Ｂに蓄積されたエネルギに
よる放出電流の合計値になり、これによりめっき負荷４
に供給される上記負電流Ｉ１は急峻に立ち上がる。この
負電流Ｉ１によってめっき負荷４のめっきの中断または
溶解が行なわれる。
２（ｄ）の正のゲート信号が供給されてターンオンし、
第１の主ＩＧＢＴ３５Ａは図２（ｂ）の０レベルのゲー
ト信号が供給されてターンオフし、第２の直流電源３Ｂ
の第１の出力である正の出力３１Ｂより第２のリアクト
ル３２Ｂ、第２の逆流防止ダイオード３４Ｂ、オン状態
の第２の主ＩＧＢＴ３５Ｂ、第２の負荷端子３３Ｂ、め
っき負荷４、および第１の負荷端子３３Ａを経て上記第
２の直流電源３Ｂの第２の出力４２Ｂに電流が流れて、
めっき負荷４には図２（ａ）のＩ１で示す負の電流が供
給される。この時、めっき負荷４に供給されるめっき電
流Ｉ１は、第２の直流電源３Ｂの出力電流と、ｔ１まで
の間に第２のリアクトル３２Ｂに蓄積されたエネルギに
よる放出電流の合計値になり、これによりめっき負荷４
に供給される上記負電流Ｉ１は急峻に立ち上がる。この
負電流Ｉ１によってめっき負荷４のめっきの中断または
溶解が行なわれる。
【００２９】また、ｔ１で第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａの
ゲートには図２（ｃ）の正のゲート信号が供給されて、
該第２の補助ＩＧＢＴ４０Ａはターンオンし、第１の直
流電源３Ａの正の出力３１Ａより第２のリアクトル３２
Ａ、オン状態にある上記ＩＧＢＴ４０Ａを経て、第１の
直流電源３Ａの負の出力４２Ａに電流が流れて、上記第
１のリアクトル３２Ａにエネルギが蓄積される。
ゲートには図２（ｃ）の正のゲート信号が供給されて、
該第２の補助ＩＧＢＴ４０Ａはターンオンし、第１の直
流電源３Ａの正の出力３１Ａより第２のリアクトル３２
Ａ、オン状態にある上記ＩＧＢＴ４０Ａを経て、第１の
直流電源３Ａの負の出力４２Ａに電流が流れて、上記第
１のリアクトル３２Ａにエネルギが蓄積される。
【００３０】時刻ｔ２で、第２の主ＩＧＢＴ３５Ｂは図
２（ｄ）の０レベルのゲート信号が供給されてターンオ
フ、第１の主ＩＧＢＴ３５Ａは図２（ｂ）の正のゲート
信号が供給されてターンオンし、時刻ｔ１より前の時点
と同様に第１の直流電源３Ａの正の出力３１Ａより第１
のリアクトル３２Ａ、第１の逆流防止ダイオード３４
Ａ、第１の主ＩＧＢＴ３５Ａ、第１の負荷端子３３Ａ、
めっき負荷４、および第２の負荷端子３３Ｂを経て上記
第１の直流電源３Ａの第２の出力４２Ａに図２（ａ）の
正電流Ｉ２が流れてめっきが行なわれる。この時も、時
刻ｔ１〜ｔ２の間に第１のリアクトル３２Ａに蓄積され
たエネルギによる放出電流がＩ２に加わるから、Ｉ２は
急峻に立ち上がる。また、ｔ２で第２の補助ＩＧＢＴ４
０Ｂのゲートには図２（ｅ）の正のゲート信号が供給さ
れて、該第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂはターンオンし、第
２のリアクトル３２Ｂにエネルギが蓄積される。
２（ｄ）の０レベルのゲート信号が供給されてターンオ
フ、第１の主ＩＧＢＴ３５Ａは図２（ｂ）の正のゲート
信号が供給されてターンオンし、時刻ｔ１より前の時点
と同様に第１の直流電源３Ａの正の出力３１Ａより第１
のリアクトル３２Ａ、第１の逆流防止ダイオード３４
Ａ、第１の主ＩＧＢＴ３５Ａ、第１の負荷端子３３Ａ、
めっき負荷４、および第２の負荷端子３３Ｂを経て上記
第１の直流電源３Ａの第２の出力４２Ａに図２（ａ）の
正電流Ｉ２が流れてめっきが行なわれる。この時も、時
刻ｔ１〜ｔ２の間に第１のリアクトル３２Ａに蓄積され
たエネルギによる放出電流がＩ２に加わるから、Ｉ２は
急峻に立ち上がる。また、ｔ２で第２の補助ＩＧＢＴ４
０Ｂのゲートには図２（ｅ）の正のゲート信号が供給さ
れて、該第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂはターンオンし、第
２のリアクトル３２Ｂにエネルギが蓄積される。
【００３１】以下同様に、第２の主ＩＧＢＴ３５Ｂと第
１の主ＩＧＢＴ３５Ａを高速でオン、オフすると共に、
第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａと第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂ
を高速でオン、オフして、めっき負荷４に対して所定の
周期で極性が高速且つ急峻に反転するめっき電流を供給
して被めっき物にめっきすることができる。
１の主ＩＧＢＴ３５Ａを高速でオン、オフすると共に、
第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａと第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂ
を高速でオン、オフして、めっき負荷４に対して所定の
周期で極性が高速且つ急峻に反転するめっき電流を供給
して被めっき物にめっきすることができる。
【００３２】図２（ａ）において、めっきの中断または
溶解を行う負電流Ｉ１が流れる期間Ｔ１、めっきが行な
われる正電流Ｉ２が流れる期間Ｔ２の反転比率Ｔ２／
（Ｔ１＋Ｔ２）は前述のように、制御装置５８によって
制御される。また、めっき負荷４に流れる各電流の大き
さＩ１、Ｉ２は、直流電源３Ｂ、３Ａの電流容量を予め
設定することによって行ってもよいし、図示されていな
いが、めっき負荷４に供給される各電流の大きさを検出
して、その大きさを表わす信号に基づいて制御装置５８
が制御するようにしてもよい。一例として、正めっき電
流Ｉ２が１００Ａ、負めっき電流Ｉ１が２５０Ａ、正め
っき電流が供給される期間Ｔ２が１０ｍｓ（ミリ秒）、
負めっき電流が供給される期間Ｔ１が０．５ｍｓの時、
均一な厚みの良好なめっきが得られた。
溶解を行う負電流Ｉ１が流れる期間Ｔ１、めっきが行な
われる正電流Ｉ２が流れる期間Ｔ２の反転比率Ｔ２／
（Ｔ１＋Ｔ２）は前述のように、制御装置５８によって
制御される。また、めっき負荷４に流れる各電流の大き
さＩ１、Ｉ２は、直流電源３Ｂ、３Ａの電流容量を予め
設定することによって行ってもよいし、図示されていな
いが、めっき負荷４に供給される各電流の大きさを検出
して、その大きさを表わす信号に基づいて制御装置５８
が制御するようにしてもよい。一例として、正めっき電
流Ｉ２が１００Ａ、負めっき電流Ｉ１が２５０Ａ、正め
っき電流が供給される期間Ｔ２が１０ｍｓ（ミリ秒）、
負めっき電流が供給される期間Ｔ１が０．５ｍｓの時、
均一な厚みの良好なめっきが得られた。
【００３３】次に第１の直流電源３Ａよりめっき負荷４
に正電流Ｉ２が流れている状態で、例えば図２のｔ５
で、被めっき物がハンガーから外れる等の何らかの理由
で、めっき負荷４にめっき電流を供給することができな
った場合について説明する。
に正電流Ｉ２が流れている状態で、例えば図２のｔ５
で、被めっき物がハンガーから外れる等の何らかの理由
で、めっき負荷４にめっき電流を供給することができな
った場合について説明する。
【００３４】時刻ｔ５の直前まで第１のクランプ回路４
８Ａのクランプ用コンデンサ５１Ａは、第１の直流電源
３Ａの正出力３１Ａより第１のリアクトル３２Ａ、上記
クランプ回路４８Ａのダイオード５０Ａを経て当該直流
電源３Ａの負出力４２Ａに流れる電流により、第１の補
助ＩＧＢＴ４０Ａの定常時のスイッチングによるサージ
電圧を含む電圧により図３の電圧Ｅまで充電されてい
る。
８Ａのクランプ用コンデンサ５１Ａは、第１の直流電源
３Ａの正出力３１Ａより第１のリアクトル３２Ａ、上記
クランプ回路４８Ａのダイオード５０Ａを経て当該直流
電源３Ａの負出力４２Ａに流れる電流により、第１の補
助ＩＧＢＴ４０Ａの定常時のスイッチングによるサージ
電圧を含む電圧により図３の電圧Ｅまで充電されてい
る。
【００３５】時刻ｔ５において、被めっき物とハンガー
等の給電部との接続が外れる等の原因で第１のリアクト
ル３２Ａに流れていた電流が遮断すると、図３のＥで示
す電圧よりも大きな電圧が第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａの
コレクタ−エミッタ間に発生する。このとき第１のリア
クトル３２Ａの蓄積エネルギーはクランプ用コンデンサ
５１Ａにより吸収されて、上記第１の補助ＩＧＢＴ４０
Ａのコレクタ−エミッタ間に印加される電圧の単位時間
当たりの上昇率は小さくなり、該第１の補助ＩＧＢＴ４
０Ａはこの電圧によって損傷を受けることはない。この
電圧が第１のリアクトル３２Ａ、配線インダクタンスに
より図３のように上昇して行くと、第１の電圧検出器５
４Ａがこの電圧の上昇を検出する。検出された電圧は第
１の比較器５６Ａにおいて基準値と比較される。検出さ
れた電圧すなわち第２の補助ＩＧＢＴ４０Ａのコレクタ
−エミッタ電圧が時刻ｔ６でＦに達すると、比較器５６
Ａは出力信号を制御装置５８に供給する。これによっ
て、制御装置５８は図２の（ｂ）に示すように時刻ｔ６
で第１の主ＩＧＢＴ３５Ａのゲートにターンオフを指令
する０レベルのゲート信号を供給し、また図２の（ｃ）
で示すように第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａのゲートにター
ンオンを指令するゲート信号を供給する。これらのゲー
ト信号により第１の主ＩＧＢＴ３５Ａはターンオフし、
第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａはターンオンする。これによ
り、第１のリアクトル３２Ａに蓄積されたエネルギは第
１の補助ＩＧＢＴ４０Ａを経て第１の直流電源３Ａに回
収される。これによって、第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａに
は高電圧が印加されることはなく、該第１の補助ＩＧＢ
Ｔ４０Ａは保護される。
等の給電部との接続が外れる等の原因で第１のリアクト
ル３２Ａに流れていた電流が遮断すると、図３のＥで示
す電圧よりも大きな電圧が第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａの
コレクタ−エミッタ間に発生する。このとき第１のリア
クトル３２Ａの蓄積エネルギーはクランプ用コンデンサ
５１Ａにより吸収されて、上記第１の補助ＩＧＢＴ４０
Ａのコレクタ−エミッタ間に印加される電圧の単位時間
当たりの上昇率は小さくなり、該第１の補助ＩＧＢＴ４
０Ａはこの電圧によって損傷を受けることはない。この
電圧が第１のリアクトル３２Ａ、配線インダクタンスに
より図３のように上昇して行くと、第１の電圧検出器５
４Ａがこの電圧の上昇を検出する。検出された電圧は第
１の比較器５６Ａにおいて基準値と比較される。検出さ
れた電圧すなわち第２の補助ＩＧＢＴ４０Ａのコレクタ
−エミッタ電圧が時刻ｔ６でＦに達すると、比較器５６
Ａは出力信号を制御装置５８に供給する。これによっ
て、制御装置５８は図２の（ｂ）に示すように時刻ｔ６
で第１の主ＩＧＢＴ３５Ａのゲートにターンオフを指令
する０レベルのゲート信号を供給し、また図２の（ｃ）
で示すように第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａのゲートにター
ンオンを指令するゲート信号を供給する。これらのゲー
ト信号により第１の主ＩＧＢＴ３５Ａはターンオフし、
第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａはターンオンする。これによ
り、第１のリアクトル３２Ａに蓄積されたエネルギは第
１の補助ＩＧＢＴ４０Ａを経て第１の直流電源３Ａに回
収される。これによって、第１の補助ＩＧＢＴ４０Ａに
は高電圧が印加されることはなく、該第１の補助ＩＧＢ
Ｔ４０Ａは保護される。
【００３６】また、第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂには図２
（ｅ）に示すように継続して正のゲート信号が供給され
て、該第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂはオン状態を維持す
る。さらに、第１のリアクトル３２Ａのエネルギが第１
の補助ＩＧＢＴ４０Ａを経て第１の直流電源３Ａに回収
された後、制御装置５８から各直流電源３Ａ、３Ｂにオ
フ指令信号を供給してこれらの直流電源３Ａ、３Ｂの動
作を共に停止させる。これにより、第１および第２のリ
アクトル３２Ａ、３２Ｂ、第１および第２の補助ＩＧＢ
Ｔ４０Ａ、４０Ｂには電流が流れなくなり、これらの各
補助ＩＧＢＴも保護される。表示装置６０は制御装置５
８から供給される信号に応答して、めっき負荷４の回路
が開放したことを表示し、作業者は直ちに回路を点検す
ることができる。６２はリセットスイッチで、回路が回
復した後の再起動に使用される。
（ｅ）に示すように継続して正のゲート信号が供給され
て、該第２の補助ＩＧＢＴ４０Ｂはオン状態を維持す
る。さらに、第１のリアクトル３２Ａのエネルギが第１
の補助ＩＧＢＴ４０Ａを経て第１の直流電源３Ａに回収
された後、制御装置５８から各直流電源３Ａ、３Ｂにオ
フ指令信号を供給してこれらの直流電源３Ａ、３Ｂの動
作を共に停止させる。これにより、第１および第２のリ
アクトル３２Ａ、３２Ｂ、第１および第２の補助ＩＧＢ
Ｔ４０Ａ、４０Ｂには電流が流れなくなり、これらの各
補助ＩＧＢＴも保護される。表示装置６０は制御装置５
８から供給される信号に応答して、めっき負荷４の回路
が開放したことを表示し、作業者は直ちに回路を点検す
ることができる。６２はリセットスイッチで、回路が回
復した後の再起動に使用される。
【００３７】上に説明した図１の実施形態では、第１の
リアクトル３２Ａと第１の主ＩＧＢＴ３５Ａのコレクタ
との間、第２のリアクトル３２Ｂと第２の主ＩＧＢＴ３
５Ｂのコレクタとの間にそれぞれ逆流防止ダイオード３
４Ａ、３４Ｂが接続されているが、第１の直流電源３
Ａ、第２の直流電源３Ｂの中にはそれぞれ整流用ダイオ
ードが含まれているから、上記の各逆流防止ダイオード
を省略してもよい。
リアクトル３２Ａと第１の主ＩＧＢＴ３５Ａのコレクタ
との間、第２のリアクトル３２Ｂと第２の主ＩＧＢＴ３
５Ｂのコレクタとの間にそれぞれ逆流防止ダイオード３
４Ａ、３４Ｂが接続されているが、第１の直流電源３
Ａ、第２の直流電源３Ｂの中にはそれぞれ整流用ダイオ
ードが含まれているから、上記の各逆流防止ダイオード
を省略してもよい。
【００３８】図５は複数のめっき負荷にめっき電流を供
給する本発明のめっき電流供給電源装置の一例を示す。
図５において、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、…Ｌｎは被めっき
物、めっき液、電極等を含むめっき負荷で、図１のめっ
き負荷４に相当するものである。ＰＳ１、ＰＳ２、ＰＳ
３、…ＰＳｎはそれぞれめっき電流供給電源装置で、図
１のめっき負荷４を除くめっき電流供給電源装置からな
る。各めっき電流供給電源装置ＰＳ１〜ＰＳｎは、めっ
き電流の大きさを検出するめっき電流検出器Ｄ１、Ｄ
２、Ｄ３、…Ｄｎを経て上記めっき負荷Ｌ１、Ｌ２、Ｌ
３、…Ｌｎにめっき電流を供給する。
給する本発明のめっき電流供給電源装置の一例を示す。
図５において、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、…Ｌｎは被めっき
物、めっき液、電極等を含むめっき負荷で、図１のめっ
き負荷４に相当するものである。ＰＳ１、ＰＳ２、ＰＳ
３、…ＰＳｎはそれぞれめっき電流供給電源装置で、図
１のめっき負荷４を除くめっき電流供給電源装置からな
る。各めっき電流供給電源装置ＰＳ１〜ＰＳｎは、めっ
き電流の大きさを検出するめっき電流検出器Ｄ１、Ｄ
２、Ｄ３、…Ｄｎを経て上記めっき負荷Ｌ１、Ｌ２、Ｌ
３、…Ｌｎにめっき電流を供給する。
【００３９】１０はＣＰＵを含む演算処理装置で、該演
算処理装置１０は、めっき電流検出器Ｄ１、Ｄ２、Ｄ
３、…Ｄｎから供給される各めっき負荷に供給されるめ
っき電流の大きさ、めっき電流が供給される期間を表わ
す信号に応答して、各めっき電流供給電源装置ＰＳ１〜
ＰＳｎに制御信号を供給し、各めっき電流供給電源装置
から各めっき負荷Ｌ１〜Ｌｎに供給される負電流（めっ
き溶解電流）Ｉ１、正電流（めっき電流）Ｉ２の大き
さ、これらの負電流Ｉ１、正電流Ｉ２が流れている各期
間Ｔ１、Ｔ２を、それぞれのめっき負荷Ｌ１〜Ｌｎの被
めっき物に最適のめっきが行われるように個々に制御す
る。上記の電流Ｉ１、Ｉ２の大きさ、各期間Ｔ１、Ｔ２
は、それぞれの被めっき物について最適のめっき状態が
得られる条件を予め経験的、実験的に得た情報に基づい
て演算処理装置１０にプログラムされている。
算処理装置１０は、めっき電流検出器Ｄ１、Ｄ２、Ｄ
３、…Ｄｎから供給される各めっき負荷に供給されるめ
っき電流の大きさ、めっき電流が供給される期間を表わ
す信号に応答して、各めっき電流供給電源装置ＰＳ１〜
ＰＳｎに制御信号を供給し、各めっき電流供給電源装置
から各めっき負荷Ｌ１〜Ｌｎに供給される負電流（めっ
き溶解電流）Ｉ１、正電流（めっき電流）Ｉ２の大き
さ、これらの負電流Ｉ１、正電流Ｉ２が流れている各期
間Ｔ１、Ｔ２を、それぞれのめっき負荷Ｌ１〜Ｌｎの被
めっき物に最適のめっきが行われるように個々に制御す
る。上記の電流Ｉ１、Ｉ２の大きさ、各期間Ｔ１、Ｔ２
は、それぞれの被めっき物について最適のめっき状態が
得られる条件を予め経験的、実験的に得た情報に基づい
て演算処理装置１０にプログラムされている。
【００４０】図２（ａ）に示すめっき電流において、正
電流Ｉ２と負電流Ｉ１の比が１対２未満の場合、例えば
１対１．５の場合は正電流が大きくなりすぎて図４の配
線板で、各エッジ部１１、２１のめっきが進み、一方ス
ルーホール１の内壁部１２およびビアホール２の内壁部
２２のめっきが充分に行われない。このため、各内部壁
１２、２２のめっき厚が各エッジ部１１、２１のそれよ
りも薄くなり、均一なめっき厚が得られない。また、正
電流Ｉ２と負電流Ｉ１の比が１対３を超える場合、例え
ば１対４になると、負電流が大きくなりすぎて図４の配
線板で、スルーホール１の内壁部１２およびビアホール
２の内壁部２２のめっきは行なわれるが、エッジ部１
１、２１のめっきの溶解が進み、エッジ部１１、２１の
めっきが充分に行なわれず、同様に均一なめっき厚が得
られない。また、この場合は、めっき液の添加剤の消耗
が大きく、添加剤をしばしば補充しなければならない等
の不都合が生じることが確かめられた。正電流の大きさ
Ｉ２と負電流の大きさＩ１の比が１対２乃至１対３の範
囲で、スルーホール１、ビアホール２の各エッジ部１
１、２１のめっき厚と内部壁１２、２２のめっき厚の差
が最も小さくなり、ほヾ均一なめっき厚が得られると共
に、めっき液の添加剤の消耗も少なく、生産性が向上す
ることが確かめられた。
電流Ｉ２と負電流Ｉ１の比が１対２未満の場合、例えば
１対１．５の場合は正電流が大きくなりすぎて図４の配
線板で、各エッジ部１１、２１のめっきが進み、一方ス
ルーホール１の内壁部１２およびビアホール２の内壁部
２２のめっきが充分に行われない。このため、各内部壁
１２、２２のめっき厚が各エッジ部１１、２１のそれよ
りも薄くなり、均一なめっき厚が得られない。また、正
電流Ｉ２と負電流Ｉ１の比が１対３を超える場合、例え
ば１対４になると、負電流が大きくなりすぎて図４の配
線板で、スルーホール１の内壁部１２およびビアホール
２の内壁部２２のめっきは行なわれるが、エッジ部１
１、２１のめっきの溶解が進み、エッジ部１１、２１の
めっきが充分に行なわれず、同様に均一なめっき厚が得
られない。また、この場合は、めっき液の添加剤の消耗
が大きく、添加剤をしばしば補充しなければならない等
の不都合が生じることが確かめられた。正電流の大きさ
Ｉ２と負電流の大きさＩ１の比が１対２乃至１対３の範
囲で、スルーホール１、ビアホール２の各エッジ部１
１、２１のめっき厚と内部壁１２、２２のめっき厚の差
が最も小さくなり、ほヾ均一なめっき厚が得られると共
に、めっき液の添加剤の消耗も少なく、生産性が向上す
ることが確かめられた。
【００４１】また、図２（ａ）の正電流Ｉ２が供給され
る期間Ｔ２と負電流Ｉ１が供給される期間Ｔ１について
見ると、Ｔ２とＴ１の比が３０対１を超えると、めっき
が行なわれる正電流期間が長くなりすぎて、エッジ部１
１、２１のめっきが進むのに対し、内部壁１２、２２の
めっきが充分に行われず、内部壁１２、２２のめっき厚
がエッジ部１１、２１のめっき厚よりも薄くなり、均一
なめっき厚が得られない。正電流期間Ｔ２と負電流期間
Ｔ１の比が１０対１未満になると、エッジ部１１、２１
のめっきの溶解が進みすぎ、また１サイクル当たりの正
電流期間が短くなるため、めっきに要する全体の時間が
長くなる。正電流期間Ｔ２と負電流期間Ｔ１との比が１
０対１乃至３０対１の範囲にあるとき、各エッジ部１
１、２１のめっき厚と各内壁部１２、２２のめっき厚の
差が最も小さく、均一な厚みのめっきが得られることが
確かめられた。
る期間Ｔ２と負電流Ｉ１が供給される期間Ｔ１について
見ると、Ｔ２とＴ１の比が３０対１を超えると、めっき
が行なわれる正電流期間が長くなりすぎて、エッジ部１
１、２１のめっきが進むのに対し、内部壁１２、２２の
めっきが充分に行われず、内部壁１２、２２のめっき厚
がエッジ部１１、２１のめっき厚よりも薄くなり、均一
なめっき厚が得られない。正電流期間Ｔ２と負電流期間
Ｔ１の比が１０対１未満になると、エッジ部１１、２１
のめっきの溶解が進みすぎ、また１サイクル当たりの正
電流期間が短くなるため、めっきに要する全体の時間が
長くなる。正電流期間Ｔ２と負電流期間Ｔ１との比が１
０対１乃至３０対１の範囲にあるとき、各エッジ部１
１、２１のめっき厚と各内壁部１２、２２のめっき厚の
差が最も小さく、均一な厚みのめっきが得られることが
確かめられた。
【００４２】さらに、正電流Ｉ２の大きさと負電流Ｉ１
の大きさの比を上記の１対２乃至１対３の範囲に設定す
ると共に、正電流期間Ｔ２と負電流期間Ｔ１との比を１
０対１乃至３０対１の範囲に設定することにより、最短
の時間で可及的に均一な厚みの良好なめっきを得ること
ができ、しかも添加剤の消耗も少ないことが確かめられ
た。
の大きさの比を上記の１対２乃至１対３の範囲に設定す
ると共に、正電流期間Ｔ２と負電流期間Ｔ１との比を１
０対１乃至３０対１の範囲に設定することにより、最短
の時間で可及的に均一な厚みの良好なめっきを得ること
ができ、しかも添加剤の消耗も少ないことが確かめられ
た。
【００４３】
【発明の効果】以上のように、本発明のめっき電流供給
電源装置によれば、制御装置５８によって、多数の被め
っき物に同時にめっきを行う場合は、制御装置５９と演
算処理装置１０の共同作用によってめっき負荷に流れる
正電流と負電流の大きさ、正電流が流れる期間と負電流
が流れる期間との比をそれぞれ適正に設定することによ
り、短いめっき時間で均一な厚みをもった光沢のあるめ
っきを得ることができる。特に正電流Ｉ２と負電流Ｉ１
のめっき電流の比が１対２乃至１対３の範囲にある時、
正電流期間Ｔ２と負電流期間Ｔ１の比が１０対１乃至３
０対１の範囲にある時にそれぞれ均一な厚みをもった光
沢のあるめっきを得ることができ、両方の条件を同時に
満足するめっき条件では、最短のめっき時間で均一な厚
みのめっきを得ることができると共に、めっき液の添加
剤の消耗が最少で、最も高い生産性が得られた。
電源装置によれば、制御装置５８によって、多数の被め
っき物に同時にめっきを行う場合は、制御装置５９と演
算処理装置１０の共同作用によってめっき負荷に流れる
正電流と負電流の大きさ、正電流が流れる期間と負電流
が流れる期間との比をそれぞれ適正に設定することによ
り、短いめっき時間で均一な厚みをもった光沢のあるめ
っきを得ることができる。特に正電流Ｉ２と負電流Ｉ１
のめっき電流の比が１対２乃至１対３の範囲にある時、
正電流期間Ｔ２と負電流期間Ｔ１の比が１０対１乃至３
０対１の範囲にある時にそれぞれ均一な厚みをもった光
沢のあるめっきを得ることができ、両方の条件を同時に
満足するめっき条件では、最短のめっき時間で均一な厚
みのめっきを得ることができると共に、めっき液の添加
剤の消耗が最少で、最も高い生産性が得られた。
【図１】本発明で使用されるめっき電流供給電源装置の
一実施例の概略回路図である。
一実施例の概略回路図である。
【図２】（ａ）は図１の電源装置からめっき負荷に供給
されるめっき電流を概略的に示した図である。（ｂ）乃
至（ｅ）は図１の電源装置の各スイッチング素子に供給
される信号波形を概略的に示した図である。
されるめっき電流を概略的に示した図である。（ｂ）乃
至（ｅ）は図１の電源装置の各スイッチング素子に供給
される信号波形を概略的に示した図である。
【図３】めっき負荷に供給される電流が遮断したときに
補助スイッチング素子の両端間に現れる電圧の変化を概
略的に示した図である。
補助スイッチング素子の両端間に現れる電圧の変化を概
略的に示した図である。
【図４】被めっき物の一例として示す多層プリント配線
板の一例を示す断面図である。
板の一例を示す断面図である。
【図５】図１に示す電源装置を複数個使用して、複数の
めっき負荷に各別に制御されためっき電流を供給するこ
とができる本発明のめっき電流供給電源装置の一使用例
をブロック図の形で示した図である。
めっき負荷に各別に制御されためっき電流を供給するこ
とができる本発明のめっき電流供給電源装置の一使用例
をブロック図の形で示した図である。
３Ａ 第１の直流電源 ３Ｂ 第２の直流電源 １０ 演算処理装置 ３１Ａ、３１Ｂ 一方の出力（正の出力） ３２Ａ 第１のリアクトル ３２Ｂ 第２のリアクトル ３３Ａ 第１の負荷端子 ３３Ｂ 第２の負荷端子 ３５Ａ 第１の主スイッチング素子 ３５Ｂ 第２の主スイッチング素子 ４０Ａ 第１の補助スイッチング素子 ４０Ｂ 第２の補助スイッチング素子 ４１Ａ、４１Ｂ 接続点 ４２Ａ、４２Ｂ 他方の出力（負の出力） ５８ 制御装置 Ｌ１〜Ｌｎ めっき負荷 Ｄ１〜Ｄｎ めっき電流検出器 ＰＳ１〜ＰＳｎ めっき電流供給電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０２Ｍ 7/00 Ｈ０２Ｍ 7/00 Ａ Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｎ (72)発明者 西岡 吉行 大阪府大阪市東淀川区西淡路３丁目１番56 号 株式会社三社電機製作所内 Ｆターム(参考） 4K024 BB11 CA08 CB05 5E343 AA02 AA11 DD43 DD44 DD46 FF16 GG06 5H006 BB03 BB06 CA01 CC04 CC08 DA02 DB01 DC02 5H410 BB05 CC02 CC05 DD02 EA10 EA38 EB13 EB25 FF03 FF05 FF26
Claims (9)
- 【請求項１】 めっき負荷に所定の周期で極性が反転す
るめっき電流を供給するための、正電流供給用の第１の
直流電源装置と負電流供給用の第２の直流電源装置とを
含む電源装置と、上記第１の直流電源装置から上記めっ
き負荷に供給されるめっき電流の正電流値と上記第２の
直流電源装置から上記めっき負荷に供給されるめっき電
流の負電流値との比、および上記正電流が供給される期
間と負電流が供給される期間との比を制御する演算制御
装置とを含むめっき電流供給電源装置。 - 【請求項２】 演算制御装置により、第１の直流電源装
置から供給されるめっき電流の正電流の大きさと第２の
直流電源装置から供給される負電流の大きさの比を１対
２乃至１対３の範囲に選択したことを特徴とする請求項
１に記載のめっき電流供給電源装置。 - 【請求項３】 演算制御装置により、第１の直流電源装
置から供給されるめっき電流の正電流期間と第２の直流
電源装置から供給される負電流期間との比を１０対１乃
至３０対１の範囲に選択したことを特徴とする請求項１
に記載のめっき電流供給電源装置。 - 【請求項４】 演算制御装置により、第１の直流電源装
置から供給されるめっき電流の正電流の大きさと第２の
直流電源装置から供給される負電流の大きさの比を１対
２乃至１対３の範囲に選択すると共に、上記正電流が供
給される期間と負電流が供給される期間との比を１０対
１乃至３０対１の範囲に選択したことを特徴とする請求
項１に記載のめっき電流供給電源装置。 - 【請求項５】 複数のめっき負荷にそれぞれ所定の周期
で極性が反転するめっき電流を供給するための、正電流
供給用の第１の直流電源装置と負電流供給用の第２の直
流電源装置とを含む複数の電源装置と、上記各第１の直
流電源装置から上記複数のめっき負荷の各々に供給され
るめっき電流の正電流値と上記各第２の直流電源装置か
ら上記複数のめっき負荷の各々に供給されるめっき電流
の負電流値との比および上記正電流が供給される期間と
負電流が供給される期間との比をそれぞれ制御する演算
制御装置とを含む、複数のめっき負荷にめっき電流を供
給するめっき電流供給電源装置。 - 【請求項６】 演算制御装置により、各めっき負荷に供
給されるめっき電流の正電流の大きさと負電流の大きさ
の比を１対２乃至１対３の範囲に選択したことを特徴と
する請求項５に記載のめっき電流供給電源装置。 - 【請求項７】 演算制御装置により、各めっき負荷に供
給されるめっき電流の正電流が供給される期間と負電流
が供給される期間との比を１０対１乃至３０対１の範囲
に選択したことを特徴とする請求項５に記載のめっき電
流供給電源装置。 - 【請求項８】 演算制御装置により、各めっき負荷に供
給されるめっき電流の正電流の大きさと負電流の大きさ
の比を１対２乃至１対３の範囲に選択すると共に、上記
正電流が供給される期間と負電流が供給される期間との
比を１０対１乃至３０対１の範囲に選択したことを特徴
とする請求項５に記載のめっき電流供給電源装置。 - 【請求項９】 正負電流供給用の直流電源装置が、第１
の直流電源と、該第１の直流電源の一方の出力とめっき
負荷が接続される一方の負荷端子との間に接続された第
１のリアクトルと制御装置から供給される制御信号に応
答してターンオン、ターンオフする第１の主スイッチン
グ素子との直列回路と、上記第１の直流電源の上記一方
の出力と他方の出力との間に接続されていて、上記制御
装置から供給される制御信号に応答して上記第１の主ス
イッチング素子のターンオン、ターンオフと相補的にタ
ーンオフ、ターンオンする第１の補助スイッチング素子
とからなり、上記第１の直流電源の他方の出力は上記め
っき負荷が接続される他方の負荷端子に接続されてお
り、 負電流供給用の直流電源装置が、第２の直流電源と、該
第２の直流電源の一方の出力と上記めっき負荷が接続さ
れる上記他方の負荷端子との間に接続された第２のリア
クトルと上記制御装置から供給される制御信号に応答し
てターンオン、ターンオフする第２の主スイッチング素
子との直列回路と、上記第２の直流電源の上記一方の出
力と他方の出力との間に接続されていて、上記制御装置
から供給される制御信号に応答して上記第２の主スイッ
チング素子のターンオン、ターンオフと相補的にターン
オフ、ターンオンする第２の補助スイッチング素子とか
らなり、上記第２の直流電源の他方の出力は上記めっき
負荷が接続される上記一方の負荷端子に接続されてい
る、請求項１乃至８のいずれかに記載のめっき電流供給
電源装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001028680A JP2002235189A (ja) | 2001-02-05 | 2001-02-05 | めっき電流供給電源装置 |
| KR10-2002-0004347A KR100471944B1 (ko) | 2001-02-05 | 2002-01-25 | 도금전류공급 전원장치 |
| TW091101416A TW546903B (en) | 2001-02-05 | 2002-01-29 | Electroplating current supply system |
| US10/061,600 US6666960B2 (en) | 2001-02-05 | 2002-02-01 | Electroplating current supply system |
| CNB021035369A CN1169282C (zh) | 2001-02-05 | 2002-02-05 | 电镀电流供应*** |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001028680A JP2002235189A (ja) | 2001-02-05 | 2001-02-05 | めっき電流供給電源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002235189A true JP2002235189A (ja) | 2002-08-23 |
Family
ID=18893139
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|---|---|---|---|
| JP2001028680A Pending JP2002235189A (ja) | 2001-02-05 | 2001-02-05 | めっき電流供給電源装置 |
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|---|---|
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| KR (1) | KR100471944B1 (ja) |
| CN (1) | CN1169282C (ja) |
| TW (1) | TW546903B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100478002B1 (ko) * | 2002-05-30 | 2005-03-23 | 김용욱 | 웨이퍼 크기별 공급 전원 선택기능을 구비한 도금전원공급장치 |
| WO2005101628A1 (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Kabushiki Kaisha Idx | 陽極酸化用電源装置 |
| CN1317814C (zh) * | 2002-10-09 | 2007-05-23 | 株式会社三社电机制作所 | 用于电镀的控制电源装置 |
| JP2011001624A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Chuo Seisakusho Ltd | 高速反転パルス電源装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3961381B2 (ja) * | 2002-09-19 | 2007-08-22 | 株式会社共立 | 内燃エンジン用シリンダ及びその内周面処理方法 |
| SE0403047D0 (sv) * | 2004-12-14 | 2004-12-14 | Polymer Kompositer I Goeteborg | Pulse-plating method and apparatus |
| WO2011003178A1 (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | National Research Council Of Canada | Novel pulsed power supply for plasma electrolytic deposition and other processes |
| US9768607B2 (en) * | 2015-05-11 | 2017-09-19 | Infineon Technologies Ag | System and method for a multi-phase snubber circuit |
| CN110769616B (zh) * | 2018-07-26 | 2022-08-02 | 健鼎（无锡）电子有限公司 | 电路板结构的制造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161793A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-26 | Hitachi Ltd | 連続電気めつき方法 |
| JPH07138797A (ja) * | 1993-11-18 | 1995-05-30 | Mitsui High Tec Inc | 高速めっき方法及び該方法に使用する電源装置 |
| WO1999018266A1 (en) * | 1997-10-06 | 1999-04-15 | Learonal, Inc. | Programmed pulse electroplating process |
| JP2000500529A (ja) * | 1995-11-21 | 2000-01-18 | アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 金属層の電解析出のための方法 |
| JP2000087292A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-28 | Ibiden Co Ltd | 電気めっき方法、電気めっきによる回路板及びプリント配線板の製造方法、並びに銅被膜からなる回路を有する回路板及び銅被膜からなる配線を有するプリント配線板 |
| JP2000092841A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-03-31 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 高速電流反転めっき用電源装置 |
| JP2002014734A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 高速電流反転めっき用電源装置 |
| JP2002129397A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 高速電流反転めっき用電源装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4666567A (en) * | 1981-07-31 | 1987-05-19 | The Boeing Company | Automated alternating polarity pulse electrolytic processing of electrically conductive substances |
| FI109296B (fi) * | 1999-12-21 | 2002-06-28 | Outokumpu Oy | Menetelmä kuparin elektrolyyttiseksi puhdistamiseksi |
-
2001
- 2001-02-05 JP JP2001028680A patent/JP2002235189A/ja active Pending
-
2002
- 2002-01-25 KR KR10-2002-0004347A patent/KR100471944B1/ko active IP Right Grant
- 2002-01-29 TW TW091101416A patent/TW546903B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-01 US US10/061,600 patent/US6666960B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-05 CN CNB021035369A patent/CN1169282C/zh not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161793A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-26 | Hitachi Ltd | 連続電気めつき方法 |
| JPH07138797A (ja) * | 1993-11-18 | 1995-05-30 | Mitsui High Tec Inc | 高速めっき方法及び該方法に使用する電源装置 |
| JP2000500529A (ja) * | 1995-11-21 | 2000-01-18 | アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 金属層の電解析出のための方法 |
| WO1999018266A1 (en) * | 1997-10-06 | 1999-04-15 | Learonal, Inc. | Programmed pulse electroplating process |
| JP2000087292A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-28 | Ibiden Co Ltd | 電気めっき方法、電気めっきによる回路板及びプリント配線板の製造方法、並びに銅被膜からなる回路を有する回路板及び銅被膜からなる配線を有するプリント配線板 |
| JP2000092841A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-03-31 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 高速電流反転めっき用電源装置 |
| JP2002014734A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 高速電流反転めっき用電源装置 |
| JP2002129397A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 高速電流反転めっき用電源装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100478002B1 (ko) * | 2002-05-30 | 2005-03-23 | 김용욱 | 웨이퍼 크기별 공급 전원 선택기능을 구비한 도금전원공급장치 |
| CN1317814C (zh) * | 2002-10-09 | 2007-05-23 | 株式会社三社电机制作所 | 用于电镀的控制电源装置 |
| WO2005101628A1 (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Kabushiki Kaisha Idx | 陽極酸化用電源装置 |
| JP2011001624A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Chuo Seisakusho Ltd | 高速反転パルス電源装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| CN1169282C (zh) | 2004-09-29 |
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