JP2002231782A - 半導体ウエハの移送方法、半導体装置の製造方法およびプロセス装置 - Google Patents
半導体ウエハの移送方法、半導体装置の製造方法およびプロセス装置Info
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- JP2002231782A JP2002231782A JP2001025197A JP2001025197A JP2002231782A JP 2002231782 A JP2002231782 A JP 2002231782A JP 2001025197 A JP2001025197 A JP 2001025197A JP 2001025197 A JP2001025197 A JP 2001025197A JP 2002231782 A JP2002231782 A JP 2002231782A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 局所的クリーン環境(ミニエンバイロメン
ト)方式を用いる半導体ウエハの移送、製造工程におい
て、高清浄度における消費電力を小さくし、さらなるラ
ンニングコストを低減した方法を提供する。 【解決手段】 ミニエンバイロンメントにおいて通常時
はファン21を待機運転させ、ポッドPから半導体ウエ
ハCを取り出したときのみファンを高速回転させる。
ト)方式を用いる半導体ウエハの移送、製造工程におい
て、高清浄度における消費電力を小さくし、さらなるラ
ンニングコストを低減した方法を提供する。 【解決手段】 ミニエンバイロンメントにおいて通常時
はファン21を待機運転させ、ポッドPから半導体ウエ
ハCを取り出したときのみファンを高速回転させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、局所的に雰囲気を
清浄にするためのファン・フィルタ・ユニット(FF
U)を用いる半導体ウエハの移送方法、半導体装置の製
造方法および半導体製造装置に関する。
清浄にするためのファン・フィルタ・ユニット(FF
U)を用いる半導体ウエハの移送方法、半導体装置の製
造方法および半導体製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において作業環境
に塵埃等が多く存在しているとこうした塵埃が半導体ウ
エハの表面に付着するため製造歩留まりの低下を招くこ
ととなる。特に半導体ウエハの加工線幅の狭小化が進む
今日においては、除去が必要な塵埃の最小粒子径も小さ
くなるため従来よりも作業環境の雰囲気を高清浄度に保
つ必要性が大きくなっている。作業環境を清浄に保つク
リーンルームの構成としては、天井にフィルタを設置し
ファンを回転させることによりフィルタを介してエアを
循環させる構成が広く知られている。高清浄度に保つた
めにはファンを高速回転させて高速でエアを循環させる
ことにより実現される。しかしながら、循環させるエア
の流速の3乗に比例してファンを回転させる必要がある
ため、高清浄度ほど消費電力が大きくなりコストが増大
するという問題が生じる。このようなコストの増大を抑
制するために、いわゆる局所的クリーン環境(ミニエン
バイロンメント)を設置する方法が考案されている。図
7に局所クリーン環境を実現するためのプロセス装置9
2の例を示す。図7に示されるようにクリーンルームと
は別途にプロセス装置92にFFU94を設置し、この
ファンから送出される気流に対してフィルタを通じて塵
埃を低減させて局所的にクリーンな環境を実現してい
る。
に塵埃等が多く存在しているとこうした塵埃が半導体ウ
エハの表面に付着するため製造歩留まりの低下を招くこ
ととなる。特に半導体ウエハの加工線幅の狭小化が進む
今日においては、除去が必要な塵埃の最小粒子径も小さ
くなるため従来よりも作業環境の雰囲気を高清浄度に保
つ必要性が大きくなっている。作業環境を清浄に保つク
リーンルームの構成としては、天井にフィルタを設置し
ファンを回転させることによりフィルタを介してエアを
循環させる構成が広く知られている。高清浄度に保つた
めにはファンを高速回転させて高速でエアを循環させる
ことにより実現される。しかしながら、循環させるエア
の流速の3乗に比例してファンを回転させる必要がある
ため、高清浄度ほど消費電力が大きくなりコストが増大
するという問題が生じる。このようなコストの増大を抑
制するために、いわゆる局所的クリーン環境(ミニエン
バイロンメント)を設置する方法が考案されている。図
7に局所クリーン環境を実現するためのプロセス装置9
2の例を示す。図7に示されるようにクリーンルームと
は別途にプロセス装置92にFFU94を設置し、この
ファンから送出される気流に対してフィルタを通じて塵
埃を低減させて局所的にクリーンな環境を実現してい
る。
【0003】こうした環境下でオペレータは作業を行う
ので、オペレータが半導体ウエハをプロセス装置にセッ
ト・リセットする際であってもオペレータのウェアなど
の発塵源から発生する塵埃がウエハに付着する確率を低
減させることができる。また、自動でウエハをセットす
る自動機(SMIF:Standard Mechan
ical Interface)を備えるプロセス装置
に局所クリーン環境を実現するFFUを適用した例も多
々ある。たとえば特開平2000−82731号には、
クリーンルームのランニングコストを増大を抑制しつ
つ、ウエハの汚染を防ぐ方法としてクリーンルームと装
置室間でウエハを受け渡しをするための中間室を形成
し、この中間室を高清浄度に設定する中間室、装置室の
圧力センサを設置し、中間室の圧力値が一番高くなるよ
うにFFUの駆動モータの回転数を制御する技術思想に
ついて開示されている。
ので、オペレータが半導体ウエハをプロセス装置にセッ
ト・リセットする際であってもオペレータのウェアなど
の発塵源から発生する塵埃がウエハに付着する確率を低
減させることができる。また、自動でウエハをセットす
る自動機(SMIF:Standard Mechan
ical Interface)を備えるプロセス装置
に局所クリーン環境を実現するFFUを適用した例も多
々ある。たとえば特開平2000−82731号には、
クリーンルームのランニングコストを増大を抑制しつ
つ、ウエハの汚染を防ぐ方法としてクリーンルームと装
置室間でウエハを受け渡しをするための中間室を形成
し、この中間室を高清浄度に設定する中間室、装置室の
圧力センサを設置し、中間室の圧力値が一番高くなるよ
うにFFUの駆動モータの回転数を制御する技術思想に
ついて開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ミニエ
ンバイロンメント方式を採用することにより従来よりも
ランニングコストは低減されたものの、さらにそのラン
ニングコストを小さくしたいという要請がある。また、
自動機で半導体ウエハを搬送する場合、L/Lドアが開
口している状態において最適となるようにファンフィル
タユニットの流速を設定すると、L/Lドアが閉まって
いる際の流速は過剰となるため搬送中のウエハの振動を
招く。振動によりパーティクルの発生、搬送エラー、ロ
ボットハンドとの衝突、載置ずれ、衝撃によるウエハの
損傷等を招く可能性があることが発明者により明らかに
なった。本発明は上記課題を解決することを目的として
おり、ミニエンバイロンメント方式を用いる半導体ウエ
ハの移送、半導体ウエハの製造工程等において、従来よ
りもランニングコストの低減を可能とする方法等を提供
することを目的としている。
ンバイロンメント方式を採用することにより従来よりも
ランニングコストは低減されたものの、さらにそのラン
ニングコストを小さくしたいという要請がある。また、
自動機で半導体ウエハを搬送する場合、L/Lドアが開
口している状態において最適となるようにファンフィル
タユニットの流速を設定すると、L/Lドアが閉まって
いる際の流速は過剰となるため搬送中のウエハの振動を
招く。振動によりパーティクルの発生、搬送エラー、ロ
ボットハンドとの衝突、載置ずれ、衝撃によるウエハの
損傷等を招く可能性があることが発明者により明らかに
なった。本発明は上記課題を解決することを目的として
おり、ミニエンバイロンメント方式を用いる半導体ウエ
ハの移送、半導体ウエハの製造工程等において、従来よ
りもランニングコストの低減を可能とする方法等を提供
することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明によれば、半導体製造装置の装置室を開口する
装置室開口工程と、半導体ウエハを収納している密閉容
器を開口する密閉容器開口工程と、前記半導体ウエハを
前記密閉容器から前記装置室内に移送する移送工程とを
備える半導体ウエハの移送方法において、前記移送工程
は、ファン・フィルタ・ユニットを駆動させて前記半導
体ウエハが通過する移送領域に清浄なガスを所定の速度
で送出させながら、前記半導体ウエハを移送することと
し、移送中の前記ガスの速度は、前記移送をしていない
ときに比べて速度を大きくさせることを特徴とする半導
体ウエハの移送方法である。また、前記装置室はロード
ロック室であることを特徴とする前記半導体ウエハの移
送方法である。また、前記密閉容器の開口を検知するセ
ンサを用い、このセンサから出力される信号に基づいて
前記ファン・フィルタ・ユニットを駆動させることによ
り、前記ガスの速度を制御することを特徴とする前記半
導体ウエハの移送方法である。また、前記移送工程によ
り前記半導体ウエハを装置室内に移送した後に前記装置
室を密閉させる工程を備えるとともに、この密閉を検知
するセンサを用いてこのセンサから出力させる信号に基
づいて前記ファン・フィルタ・ユニットを駆動させるこ
とにより、前記ガスの速度を制御することを特徴とする
請求項1記載の半導体ウエハの移送方法である。
に本発明によれば、半導体製造装置の装置室を開口する
装置室開口工程と、半導体ウエハを収納している密閉容
器を開口する密閉容器開口工程と、前記半導体ウエハを
前記密閉容器から前記装置室内に移送する移送工程とを
備える半導体ウエハの移送方法において、前記移送工程
は、ファン・フィルタ・ユニットを駆動させて前記半導
体ウエハが通過する移送領域に清浄なガスを所定の速度
で送出させながら、前記半導体ウエハを移送することと
し、移送中の前記ガスの速度は、前記移送をしていない
ときに比べて速度を大きくさせることを特徴とする半導
体ウエハの移送方法である。また、前記装置室はロード
ロック室であることを特徴とする前記半導体ウエハの移
送方法である。また、前記密閉容器の開口を検知するセ
ンサを用い、このセンサから出力される信号に基づいて
前記ファン・フィルタ・ユニットを駆動させることによ
り、前記ガスの速度を制御することを特徴とする前記半
導体ウエハの移送方法である。また、前記移送工程によ
り前記半導体ウエハを装置室内に移送した後に前記装置
室を密閉させる工程を備えるとともに、この密閉を検知
するセンサを用いてこのセンサから出力させる信号に基
づいて前記ファン・フィルタ・ユニットを駆動させるこ
とにより、前記ガスの速度を制御することを特徴とする
請求項1記載の半導体ウエハの移送方法である。
【0006】また、前記半導体ウエハの移送は、所定の
搬送装置を用いて自動的に行うこととし、前記装置室の
開口は、前記半導体ウエハの移送中に行うこととし、前
記ガスの速度は、この装置室の開口前よりも開口後の方
の速度を大きくさせることを特徴とする前記半導体ウエ
ハの移送方法である。また、半導体ウエハを密閉容器に
収納して各工程に用いられる半導体製造装置間を搬送さ
せる工程と、搬送された前記密閉容器を所定位置にて静
止させ、開口させる密閉容器開口工程と、前記半導体製
造装置の装置室を開口する装置室開口工程と、前記半導
体ウエハを前記装置室内に移送する移送工程と、前記半
導体製造装置を用いて前記半導体ウエハの処理をさせる
工程と、前記処理を終えた前記半導体ウエハを前記密閉
容器に収納させる工程とを備える半導体装置の製造方法
において、前記移送工程は、ファン・フィルタ・ユニッ
トを駆動させて前記半導体ウエハが通過する移送領域に
清浄なガスを所定の速度で送出させながら、前記半導体
ウエハを移送することとし、移送中の前記ガスの速度
は、前記移送をしていないときに比べて速度を大きくさ
せることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
搬送装置を用いて自動的に行うこととし、前記装置室の
開口は、前記半導体ウエハの移送中に行うこととし、前
記ガスの速度は、この装置室の開口前よりも開口後の方
の速度を大きくさせることを特徴とする前記半導体ウエ
ハの移送方法である。また、半導体ウエハを密閉容器に
収納して各工程に用いられる半導体製造装置間を搬送さ
せる工程と、搬送された前記密閉容器を所定位置にて静
止させ、開口させる密閉容器開口工程と、前記半導体製
造装置の装置室を開口する装置室開口工程と、前記半導
体ウエハを前記装置室内に移送する移送工程と、前記半
導体製造装置を用いて前記半導体ウエハの処理をさせる
工程と、前記処理を終えた前記半導体ウエハを前記密閉
容器に収納させる工程とを備える半導体装置の製造方法
において、前記移送工程は、ファン・フィルタ・ユニッ
トを駆動させて前記半導体ウエハが通過する移送領域に
清浄なガスを所定の速度で送出させながら、前記半導体
ウエハを移送することとし、移送中の前記ガスの速度
は、前記移送をしていないときに比べて速度を大きくさ
せることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0007】また、複数の半導体ウエハを支持するウエ
ハカセットを収納する密閉容器を開閉させる開閉装置
と、前記開閉装置により開口された前記密閉容器から取
り出された前記ウエハカセットをこの半導体ウエハの処
理を行うための半導体処理装置内の所定位置まで移送す
るときに通過する領域を局所的に清浄にするためのファ
ン・フィルタ・ユニットとを備える半導体製造装置にお
いて、前記密閉容器の開口を感知する第1のセンサと、
前記密閉容器の密閉を感知する第2のセンサと、前記密
閉容器内の前記ウエハカセットの有無を検知する第3の
センサとを備え、かつ、前記ファン・フィルタ・ユニッ
トは、前記各センサからの信号に基づいて前記ファン・
フィルタ・ユニットに備わるファンを駆動するためのモ
ータの回転数を可変することができる構成となっている
ことを特徴とする半導体製造装置である。また、複数の
ウエハを支持するウエハカセットを収納する密閉容器を
開閉させる開閉装置と、前記ウエハカセットを半導体処
理装置に備わるロードロック室内に搬送するための搬送
装置と、前記搬送により前記ウエハカセットが通過する
領域を局所的に清浄な雰囲気にするためのファン・フィ
ルタ・ユニットとを備える半導体製造装置において、前
記ファン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転数
を可変可能な構成となっており、少なくとも前記搬送装
置が前記ウエハカセットを搬送中は、前記ファンの回転
数を増加させる構成となっていることを特徴とする半導
体製造装置である。
ハカセットを収納する密閉容器を開閉させる開閉装置
と、前記開閉装置により開口された前記密閉容器から取
り出された前記ウエハカセットをこの半導体ウエハの処
理を行うための半導体処理装置内の所定位置まで移送す
るときに通過する領域を局所的に清浄にするためのファ
ン・フィルタ・ユニットとを備える半導体製造装置にお
いて、前記密閉容器の開口を感知する第1のセンサと、
前記密閉容器の密閉を感知する第2のセンサと、前記密
閉容器内の前記ウエハカセットの有無を検知する第3の
センサとを備え、かつ、前記ファン・フィルタ・ユニッ
トは、前記各センサからの信号に基づいて前記ファン・
フィルタ・ユニットに備わるファンを駆動するためのモ
ータの回転数を可変することができる構成となっている
ことを特徴とする半導体製造装置である。また、複数の
ウエハを支持するウエハカセットを収納する密閉容器を
開閉させる開閉装置と、前記ウエハカセットを半導体処
理装置に備わるロードロック室内に搬送するための搬送
装置と、前記搬送により前記ウエハカセットが通過する
領域を局所的に清浄な雰囲気にするためのファン・フィ
ルタ・ユニットとを備える半導体製造装置において、前
記ファン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転数
を可変可能な構成となっており、少なくとも前記搬送装
置が前記ウエハカセットを搬送中は、前記ファンの回転
数を増加させる構成となっていることを特徴とする半導
体製造装置である。
【0008】また、前記第3のセンサが前記密閉容器内
に前記ウエハカセットが存在すると検知し、かつ、前記
第1のセンサが前記密閉容器の開口を検知した場合に前
記ファン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転数
を増加させるように構成されるとともに、前記第3のセ
ンサが前記密閉容器内に前記ウエハカセットが存在する
と検知し、かつ、前記第2のセンサが前記密閉容器の密
閉を検知した場合に前記ファン・フィルタ・ユニットに
備わるファンの回転数を減少させるように構成されてい
ることを特徴とする前記半導体製造装置である。なお、
本発明において半導体製造装置の装置室とは、プロセス
処理を行う処理室または被処理体の搬入・搬出などを行
うロードロック室その他の開口・密閉可能な室一般のこ
とをいう。
に前記ウエハカセットが存在すると検知し、かつ、前記
第1のセンサが前記密閉容器の開口を検知した場合に前
記ファン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転数
を増加させるように構成されるとともに、前記第3のセ
ンサが前記密閉容器内に前記ウエハカセットが存在する
と検知し、かつ、前記第2のセンサが前記密閉容器の密
閉を検知した場合に前記ファン・フィルタ・ユニットに
備わるファンの回転数を減少させるように構成されてい
ることを特徴とする前記半導体製造装置である。なお、
本発明において半導体製造装置の装置室とは、プロセス
処理を行う処理室または被処理体の搬入・搬出などを行
うロードロック室その他の開口・密閉可能な室一般のこ
とをいう。
【0009】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
図面を用いて説明する。本実施の形態は、オペレータが
ウエハカセットCを移送する領域を局所的に清浄な環境
とするプロセス装置10を用いた半導体ウエハの移送方
式等に関する。図1に本発明に係るプロセス装置10お
よびそのプロセス装置10が配置されるクリーンルーム
の概略構成を示している。図1(a)は正面図、(b)
は側面図である。このプロセス装置10は、ウエハカセ
ットCを収納するポッドPを開閉させるポッド開閉装置
12と、ポッド開閉装置12によりポッドPと分離可能
となったウエハカセットCをオペレータが取り出して移
送する領域を局所的に清浄にするためのファン・フィル
タ・ユニット21(以下「FFU」という)と、オペレ
ータに移送されたウエハカセットCが載置されるロード
ロック室16(以下「L/L室」という)と、L/L室
16に載置されたウエハカセットCに保持される半導体
ウエハの処理を行うプロセス処理部18と、FFU21
により局所的に清浄にされる領域内のオペレータの存在
を検知するセンサ20とを備える。なお、半導体ウエハ
はウエハカセットCにより複数枚まとめて保持されてお
り、このウエハカセットCはポッドPという密閉容器に
収納される。ポッドP内にウエハカセットCを密閉収納
することにより、ポッドP内の半導体ウエハは外部の塵
埃からの汚染を抑止される。半導体ウエハはポッドPに
密閉された状態で各工程の装置間を搬送される。したが
って装置間の移送経路を高度に清浄にする必要は無く、
例えばクラス1000程度で良い。
図面を用いて説明する。本実施の形態は、オペレータが
ウエハカセットCを移送する領域を局所的に清浄な環境
とするプロセス装置10を用いた半導体ウエハの移送方
式等に関する。図1に本発明に係るプロセス装置10お
よびそのプロセス装置10が配置されるクリーンルーム
の概略構成を示している。図1(a)は正面図、(b)
は側面図である。このプロセス装置10は、ウエハカセ
ットCを収納するポッドPを開閉させるポッド開閉装置
12と、ポッド開閉装置12によりポッドPと分離可能
となったウエハカセットCをオペレータが取り出して移
送する領域を局所的に清浄にするためのファン・フィル
タ・ユニット21(以下「FFU」という)と、オペレ
ータに移送されたウエハカセットCが載置されるロード
ロック室16(以下「L/L室」という)と、L/L室
16に載置されたウエハカセットCに保持される半導体
ウエハの処理を行うプロセス処理部18と、FFU21
により局所的に清浄にされる領域内のオペレータの存在
を検知するセンサ20とを備える。なお、半導体ウエハ
はウエハカセットCにより複数枚まとめて保持されてお
り、このウエハカセットCはポッドPという密閉容器に
収納される。ポッドP内にウエハカセットCを密閉収納
することにより、ポッドP内の半導体ウエハは外部の塵
埃からの汚染を抑止される。半導体ウエハはポッドPに
密閉された状態で各工程の装置間を搬送される。したが
って装置間の移送経路を高度に清浄にする必要は無く、
例えばクラス1000程度で良い。
【0010】次いでプロセス装置10の各構成要素につ
いて説明する。ポッド開閉装置12は、密閉されている
ポッドPを開口させる機能およびウエハカセットCをポ
ッドP内に収納し密閉させる機能を有する。すなわち、
所定の位置(以下「ロードポート」という)にポッドP
が載置されると、ポッドPが開口されてウエハカセット
Cと分離可能となる。反対にウエハカセットCをロード
ポートに載置すると、ポッドPがウエハカセットCを収
納・密閉する。FFU21は、オペレータがウエハカセ
ットCを移送する領域を清浄にする機能を有し、具体的
にはULPA(Ultra Low Penetrat
ionAir)フィルタ22と、ULPAフィルタ22
越しに清浄なエアを送出するためのファン23と、この
ファン23を回転させる図示しないモータと、モータの
回転数を制御するインバータ24と、このインバータ2
4を制御するインバータ制御ユニット25とを備えてい
る。したがってインバータ制御ユニット25からの制御
信号に基づいてファン23の回転数を制御することがで
きる。このFFU21は、床方向(鉛直方向)にエアを
送出するように配設されており、後述するようにそのエ
アは床下空間へ排出される構成となっている。
いて説明する。ポッド開閉装置12は、密閉されている
ポッドPを開口させる機能およびウエハカセットCをポ
ッドP内に収納し密閉させる機能を有する。すなわち、
所定の位置(以下「ロードポート」という)にポッドP
が載置されると、ポッドPが開口されてウエハカセット
Cと分離可能となる。反対にウエハカセットCをロード
ポートに載置すると、ポッドPがウエハカセットCを収
納・密閉する。FFU21は、オペレータがウエハカセ
ットCを移送する領域を清浄にする機能を有し、具体的
にはULPA(Ultra Low Penetrat
ionAir)フィルタ22と、ULPAフィルタ22
越しに清浄なエアを送出するためのファン23と、この
ファン23を回転させる図示しないモータと、モータの
回転数を制御するインバータ24と、このインバータ2
4を制御するインバータ制御ユニット25とを備えてい
る。したがってインバータ制御ユニット25からの制御
信号に基づいてファン23の回転数を制御することがで
きる。このFFU21は、床方向(鉛直方向)にエアを
送出するように配設されており、後述するようにそのエ
アは床下空間へ排出される構成となっている。
【0011】また、発塵源となるオペレータがこのプロ
セス装置10に近づくとファン23を高速回転させて雰
囲気を清浄に保つために、プロセス装置10の両端、す
なわちポッド開閉装置12側とL/L室16側には2つ
の光センサ20が備え付けられている。そして各センサ
20の出力はインバータ制御ユニット25に送られ、少
なくとも一方のセンサ20によりオペレータの検知信号
が出力された場合にはファン23の回転数を高速にする
ような制御信号が出力されるような構成となっている。
また、プロセス処理部18は、オペレータによりL/L
室16に載置されたウエハカセットCに保持される半導
体ウエハの処理を行う機能を有し、例えば成膜処理やエ
ッチング処理などを行う。こうしたプロセス装置10
は、たとえばダウンフロータイプのクリーンルーム内に
配置される。図1に示されるように、天井にFFU42
を設置することにより天井裏空間の空気を清浄にして、
ダウンフローでクリーンルーム内に供給するとともに、
床をグレーチング床40にしてクリーンルーム内の空気
を床下空間に排出させる。そしてクリーンルーム外側に
配設される図示しない循環路空間を経て再び天井裏空間
に循環されることとなる。
セス装置10に近づくとファン23を高速回転させて雰
囲気を清浄に保つために、プロセス装置10の両端、す
なわちポッド開閉装置12側とL/L室16側には2つ
の光センサ20が備え付けられている。そして各センサ
20の出力はインバータ制御ユニット25に送られ、少
なくとも一方のセンサ20によりオペレータの検知信号
が出力された場合にはファン23の回転数を高速にする
ような制御信号が出力されるような構成となっている。
また、プロセス処理部18は、オペレータによりL/L
室16に載置されたウエハカセットCに保持される半導
体ウエハの処理を行う機能を有し、例えば成膜処理やエ
ッチング処理などを行う。こうしたプロセス装置10
は、たとえばダウンフロータイプのクリーンルーム内に
配置される。図1に示されるように、天井にFFU42
を設置することにより天井裏空間の空気を清浄にして、
ダウンフローでクリーンルーム内に供給するとともに、
床をグレーチング床40にしてクリーンルーム内の空気
を床下空間に排出させる。そしてクリーンルーム外側に
配設される図示しない循環路空間を経て再び天井裏空間
に循環されることとなる。
【0012】以下に上記構成における半導体ウエハの移
送の手順を説明する。ここで図2は、FFU21のファ
ン回転数の時間的変化を示した図である。まず、オペレ
ータにより半導体ウエハを密閉収納するポッドPがロー
ドポートに載置される。このときセンサ20はオペレー
タの接近を感知し、検知信号をインバータ制御ユニット
25に出力する。インバータ制御ユニット25はこの検
知信号に対応してファン23の回転速度を所定回転数に
増加させる制御信号をインバータ24に出力するためロ
ードポートにポッドPが載置されるのとほぼ同時にファ
ン23の回転数が待機時より増加することとなる(T
1)。ファン23の回転数の増加に伴い移送領域のエア
の速度は上昇するので、発塵源であるオペレータ等の塵
埃は床下へと排出され、半導体ウエハの汚染が抑止され
る。ロードポートに載置されたポッドPは、ポッド開閉
装置12により開口される。オペレータはウエハカセッ
トCを取り出しL/L室16へと移送する。この際、移
送領域には清浄なエアが高速で送出しているため、局所
的に清浄な環境が実現している。オペレータはL/L室
16のL/Lドア16aを開け、ウエハカセットCをL
/L室16内にセットする。セット完了後L/Lドア1
6aを密閉し、オペレータはプロセス装置10から離れ
る。それまでは2つのセンサ20の少なくともいずれか
一方によりオペレータは検知されていたが、オペレータ
が離れることによりいずれのセンサ20からも検知信号
がインバータ制御ユニット25に出力されなくなる。こ
のためインバータ制御ユニット25はファン23の回転
数を待機モードに低下させる制御信号を出力する。この
制御信号を受けてファン23の回転数は低下し、FFU
21から送出されるエアの速度は低下する(T2)。
送の手順を説明する。ここで図2は、FFU21のファ
ン回転数の時間的変化を示した図である。まず、オペレ
ータにより半導体ウエハを密閉収納するポッドPがロー
ドポートに載置される。このときセンサ20はオペレー
タの接近を感知し、検知信号をインバータ制御ユニット
25に出力する。インバータ制御ユニット25はこの検
知信号に対応してファン23の回転速度を所定回転数に
増加させる制御信号をインバータ24に出力するためロ
ードポートにポッドPが載置されるのとほぼ同時にファ
ン23の回転数が待機時より増加することとなる(T
1)。ファン23の回転数の増加に伴い移送領域のエア
の速度は上昇するので、発塵源であるオペレータ等の塵
埃は床下へと排出され、半導体ウエハの汚染が抑止され
る。ロードポートに載置されたポッドPは、ポッド開閉
装置12により開口される。オペレータはウエハカセッ
トCを取り出しL/L室16へと移送する。この際、移
送領域には清浄なエアが高速で送出しているため、局所
的に清浄な環境が実現している。オペレータはL/L室
16のL/Lドア16aを開け、ウエハカセットCをL
/L室16内にセットする。セット完了後L/Lドア1
6aを密閉し、オペレータはプロセス装置10から離れ
る。それまでは2つのセンサ20の少なくともいずれか
一方によりオペレータは検知されていたが、オペレータ
が離れることによりいずれのセンサ20からも検知信号
がインバータ制御ユニット25に出力されなくなる。こ
のためインバータ制御ユニット25はファン23の回転
数を待機モードに低下させる制御信号を出力する。この
制御信号を受けてファン23の回転数は低下し、FFU
21から送出されるエアの速度は低下する(T2)。
【0013】プロセス処理部18は、ウエハカセットC
に保持される各半導体ウエハに対して順次処理を行う。
処理が終了すると、オペレータはL/Lドア16aを開
けウエハカセットCを取り出す。この際センサ20によ
りオペレータが検知されるため(T3)、上述と同様に
ファン23は高速回転し、移送領域におけるエアの速度
が上昇し、局所的に清浄になる。オペレータはウエハカ
セットCを移送し、ロードポートに載置する。ポッド開
閉装置12は、ウエハカセットCをポッドPに密閉収納
する。オペレータはプロセス装置10から離れる(T
4)と、ファン23は再び待機状態の回転数に戻り、エ
アの速度も低下する。以上詳述したように、センサ20
からの検知信号に基づいてファン23の回転数を制御す
る構成としたので、半導体ウエハが外部雰囲気に曝され
ているときにおいても、ファン23の回転数を増加させ
ることにより塵埃による汚染から好適に抑止することが
できる。また、半導体ウエハが密閉状態等汚染のおそれ
が少ない時は、ファン23の回転数を減少させることに
よりFFU21の消費電力を節減することができる。な
お、本実施の形態においてはセンサ20はオペレータの
接近を検知する光センサ20を用いたが適宜変形可能で
ある。たとえばポッドPの開閉およびポッドP内のウエ
ハカセットCの有無を検知するセンサを用いて、ポッド
P内のウエハカセットCを取り出すためにポッドPを開
口させるのと同期してファン23の回転数を上昇させ、
ポッドP内にウエハカセットCを収納するのと同期して
ファン23の回転数を減少させるような構成としても良
い。また、発信部と受信部とからなるセンサを設置し、
ロードポートにポッドPが載置されると信号が遮られる
タイミングでファン23の回転数を制御する構成として
も良い。あるいは載置されるポッドPの重量を測定し
て、重量に基づいてFFU21を制御しても良い。重量
によればポッドP内のウエハカセットCの有無を検知す
ることもできる。
に保持される各半導体ウエハに対して順次処理を行う。
処理が終了すると、オペレータはL/Lドア16aを開
けウエハカセットCを取り出す。この際センサ20によ
りオペレータが検知されるため(T3)、上述と同様に
ファン23は高速回転し、移送領域におけるエアの速度
が上昇し、局所的に清浄になる。オペレータはウエハカ
セットCを移送し、ロードポートに載置する。ポッド開
閉装置12は、ウエハカセットCをポッドPに密閉収納
する。オペレータはプロセス装置10から離れる(T
4)と、ファン23は再び待機状態の回転数に戻り、エ
アの速度も低下する。以上詳述したように、センサ20
からの検知信号に基づいてファン23の回転数を制御す
る構成としたので、半導体ウエハが外部雰囲気に曝され
ているときにおいても、ファン23の回転数を増加させ
ることにより塵埃による汚染から好適に抑止することが
できる。また、半導体ウエハが密閉状態等汚染のおそれ
が少ない時は、ファン23の回転数を減少させることに
よりFFU21の消費電力を節減することができる。な
お、本実施の形態においてはセンサ20はオペレータの
接近を検知する光センサ20を用いたが適宜変形可能で
ある。たとえばポッドPの開閉およびポッドP内のウエ
ハカセットCの有無を検知するセンサを用いて、ポッド
P内のウエハカセットCを取り出すためにポッドPを開
口させるのと同期してファン23の回転数を上昇させ、
ポッドP内にウエハカセットCを収納するのと同期して
ファン23の回転数を減少させるような構成としても良
い。また、発信部と受信部とからなるセンサを設置し、
ロードポートにポッドPが載置されると信号が遮られる
タイミングでファン23の回転数を制御する構成として
も良い。あるいは載置されるポッドPの重量を測定し
て、重量に基づいてFFU21を制御しても良い。重量
によればポッドP内のウエハカセットCの有無を検知す
ることもできる。
【0014】また、ファン23の回転数を変化させるタ
イミングは、センサ20からの信号と同時でなくともよ
く、たとえば回転数を減少させる際には、適宜タイムラ
グを設けることにより清浄に万全を期しても良い。ま
た、センサ20を用いずともポッド開閉装置12の動作
信号と同期してファン23の回転数を変化させる構成で
あっても良い。その他少なくともウエハカセットCが外
部雰囲気に曝されている間は、それ以外の時間帯と比較
してFFU21から高速のエアを送出させるような構成
であれば良い。また、FFU21から清浄なエアの送出
方向も鉛直方向に限られない。その他本発明は、他の実
施の形態に示されているのと同様要旨を変更させない範
囲で種々変形可能である。なお、半導体ウエハはポッド
Pに密閉収納された状態で、工程で用いられる装置間を
搬送されるが、本発明によればFFU21の消費電力を
低減させることができるため、半導体装置の製造コスト
を全体として低減させる効果がある。また、FFUはフ
ァンを回転させることによりフィルタ越しにガスを送出
させる構成であれば良く、フィルタもHEPA等種々の
ものを適用可能である。 (第2の実施の形態)第2の実施の形態は、自動移載機
32を用いて半導体ウエハを移送する場合に、移送領域
を局所的かつ時間を限定させて清浄にさせる半導体ウエ
ハの移送方法等に関するものである。以下に図面を用い
てその一実施の形態について説明する。
イミングは、センサ20からの信号と同時でなくともよ
く、たとえば回転数を減少させる際には、適宜タイムラ
グを設けることにより清浄に万全を期しても良い。ま
た、センサ20を用いずともポッド開閉装置12の動作
信号と同期してファン23の回転数を変化させる構成で
あっても良い。その他少なくともウエハカセットCが外
部雰囲気に曝されている間は、それ以外の時間帯と比較
してFFU21から高速のエアを送出させるような構成
であれば良い。また、FFU21から清浄なエアの送出
方向も鉛直方向に限られない。その他本発明は、他の実
施の形態に示されているのと同様要旨を変更させない範
囲で種々変形可能である。なお、半導体ウエハはポッド
Pに密閉収納された状態で、工程で用いられる装置間を
搬送されるが、本発明によればFFU21の消費電力を
低減させることができるため、半導体装置の製造コスト
を全体として低減させる効果がある。また、FFUはフ
ァンを回転させることによりフィルタ越しにガスを送出
させる構成であれば良く、フィルタもHEPA等種々の
ものを適用可能である。 (第2の実施の形態)第2の実施の形態は、自動移載機
32を用いて半導体ウエハを移送する場合に、移送領域
を局所的かつ時間を限定させて清浄にさせる半導体ウエ
ハの移送方法等に関するものである。以下に図面を用い
てその一実施の形態について説明する。
【0015】図3は、本実施の形態に係るプロセス装置
30の概略構成図である。このプロセス装置30は、ポ
ッドPとウエハカセットCとを分離・収納させるととも
にウエハカセットCをL/L室34に移載させる自動移
載機32と、この自動移載機32の側面に配設されるF
FU40と、このFFU40に備わるインバータ46を
制御するインバータ制御ユニット41と、ポッドPと分
離されたウエハカセットCを載置するL/L室34と、
L/L室34に載置されたウエハカセットCに保持され
る半導体ウエハの処理を行うための図示しないプロセス
処理部と、プロセス処理、L/L室34に備わるL/L
ドア36の開閉および自動移載機32等を制御するプロ
セス制御ユニット38とを備える。以下各構成要素につ
いて説明する。自動移載機32は、上面にロードポート
を備え側面にはFFU40が配設される。ロードポート
にポッドPが載置されるとポッドPのみが上方に移動さ
れるため、ポッドPとウエハカセットCが分離する。ロ
ードポートはFFU40が配設されている側壁と一体と
なっているため、ポッドの移動に伴ってFFU40は上
方に移動し、FFU40のファン44とウエハカセット
Cは対向する。このためFFU40から送出される清浄
なエアは直接ウエハカセットCに吹き付けられることと
なる。さらに、分離されたウエハカセットCは図示しな
いロボットアームによりL/L室34内に移送され、プ
ロセス処理が行われる。
30の概略構成図である。このプロセス装置30は、ポ
ッドPとウエハカセットCとを分離・収納させるととも
にウエハカセットCをL/L室34に移載させる自動移
載機32と、この自動移載機32の側面に配設されるF
FU40と、このFFU40に備わるインバータ46を
制御するインバータ制御ユニット41と、ポッドPと分
離されたウエハカセットCを載置するL/L室34と、
L/L室34に載置されたウエハカセットCに保持され
る半導体ウエハの処理を行うための図示しないプロセス
処理部と、プロセス処理、L/L室34に備わるL/L
ドア36の開閉および自動移載機32等を制御するプロ
セス制御ユニット38とを備える。以下各構成要素につ
いて説明する。自動移載機32は、上面にロードポート
を備え側面にはFFU40が配設される。ロードポート
にポッドPが載置されるとポッドPのみが上方に移動さ
れるため、ポッドPとウエハカセットCが分離する。ロ
ードポートはFFU40が配設されている側壁と一体と
なっているため、ポッドの移動に伴ってFFU40は上
方に移動し、FFU40のファン44とウエハカセット
Cは対向する。このためFFU40から送出される清浄
なエアは直接ウエハカセットCに吹き付けられることと
なる。さらに、分離されたウエハカセットCは図示しな
いロボットアームによりL/L室34内に移送され、プ
ロセス処理が行われる。
【0016】また、半導体ウエハの処理後においては、
ロボットアームを用いてL/L室34内に載置されてい
るウエハカセットCを自動移載機32側に移送する。そ
の後上方に保持されていたポッドPが書こうされてウエ
ハカセットCを自動的に密閉収納する機能を有する。プ
ロセス制御ユニット38は、プロセス装置30に備わる
機器を制御する機能を有する。ここで、図4にファン4
4の回転数の時間変化を示す。ポッドから分離されたウ
エハカセットの汚染を抑止できるように、プロセス処理
前の半導体ウエハをプロセス装置30内に収納させる場
合においては、ポッドPとウエハカセットCの分離と略
同時にインバータ制御ユニット41にファン44の回転
数を増加させるための制御信号を出力し、次いでL/L
ドア36が開くのと略同時に更に回転数を増加させるた
めの制御信号を出力し、L/L室34内にウエハカセッ
トCが収納されL/Lドア36が閉まるのと略同時にフ
ァン44の回転数を待機状態まで減少させるための制御
信号を出力するように構成される。一方、プロセス処理
後の半導体ウエハをポッドPに収納させる場合において
は、ウエハカセットCが載置されるL/L室34のL/
Lドア36を開くのと略同時にファン44の回転数を増
加させるための制御信号を出力し、次いでウエハカセッ
トCがロボットアームにより取り出されL/Lドア36
が閉まるのと略同時にファン44の回転数をやや減少さ
せ、さらにウエハカセットCがポッドPに収納・密閉さ
せるのと略同時にファン44の回転数を待機状態にさせ
るための制御信号をインバータ制御ユニット41に出力
するように構成されている。
ロボットアームを用いてL/L室34内に載置されてい
るウエハカセットCを自動移載機32側に移送する。そ
の後上方に保持されていたポッドPが書こうされてウエ
ハカセットCを自動的に密閉収納する機能を有する。プ
ロセス制御ユニット38は、プロセス装置30に備わる
機器を制御する機能を有する。ここで、図4にファン4
4の回転数の時間変化を示す。ポッドから分離されたウ
エハカセットの汚染を抑止できるように、プロセス処理
前の半導体ウエハをプロセス装置30内に収納させる場
合においては、ポッドPとウエハカセットCの分離と略
同時にインバータ制御ユニット41にファン44の回転
数を増加させるための制御信号を出力し、次いでL/L
ドア36が開くのと略同時に更に回転数を増加させるた
めの制御信号を出力し、L/L室34内にウエハカセッ
トCが収納されL/Lドア36が閉まるのと略同時にフ
ァン44の回転数を待機状態まで減少させるための制御
信号を出力するように構成される。一方、プロセス処理
後の半導体ウエハをポッドPに収納させる場合において
は、ウエハカセットCが載置されるL/L室34のL/
Lドア36を開くのと略同時にファン44の回転数を増
加させるための制御信号を出力し、次いでウエハカセッ
トCがロボットアームにより取り出されL/Lドア36
が閉まるのと略同時にファン44の回転数をやや減少さ
せ、さらにウエハカセットCがポッドPに収納・密閉さ
せるのと略同時にファン44の回転数を待機状態にさせ
るための制御信号をインバータ制御ユニット41に出力
するように構成されている。
【0017】なお、このプロセス装置30が設置される
クリーンルームは、第1の実施の形態に示されたものと
同様の構成を有している。上記構成のもと以下のような
手順でプロセスが行われる。まず、半導体ウエハを収納
したポッドPが、ロードポートに載置される(T1)。
ここでポッドPの載置はオペレータが行っても良いし、
あるいは、装置間を自動搬送する自走機に行わせても良
い。自動移載機32はポッドPが載置されると、ポッド
Pを上方に移動させるので、ウエハカセットCと分離さ
れる。ポッドPの移動と同期してインバータ制御ユニッ
ト41から制御信号がインバータ46に出力され、それ
まで待機状態で低回転であったファン44が中速回転と
なる。このため、ウエハカセットCは周囲の塵埃による
汚染から抑止される。ロボットアームは、ウエハカセッ
トCを把持しウエハカセットCを移送する一方、プロセ
ス制御ユニット38からの制御信号に基づきL/Lドア
36が開く(T2)。L/Lドア36が開くのと同期し
て、ファン44の回転数をさらに高速になる。すなわ
ち、L/Lドア36が開く前後で清浄にすべき領域が異
なり、L/Lドア36が開いた後ではL/L室34内を
含めて清浄にする必要が生じるため回転数を増加させた
ものである。
クリーンルームは、第1の実施の形態に示されたものと
同様の構成を有している。上記構成のもと以下のような
手順でプロセスが行われる。まず、半導体ウエハを収納
したポッドPが、ロードポートに載置される(T1)。
ここでポッドPの載置はオペレータが行っても良いし、
あるいは、装置間を自動搬送する自走機に行わせても良
い。自動移載機32はポッドPが載置されると、ポッド
Pを上方に移動させるので、ウエハカセットCと分離さ
れる。ポッドPの移動と同期してインバータ制御ユニッ
ト41から制御信号がインバータ46に出力され、それ
まで待機状態で低回転であったファン44が中速回転と
なる。このため、ウエハカセットCは周囲の塵埃による
汚染から抑止される。ロボットアームは、ウエハカセッ
トCを把持しウエハカセットCを移送する一方、プロセ
ス制御ユニット38からの制御信号に基づきL/Lドア
36が開く(T2)。L/Lドア36が開くのと同期し
て、ファン44の回転数をさらに高速になる。すなわ
ち、L/Lドア36が開く前後で清浄にすべき領域が異
なり、L/Lドア36が開いた後ではL/L室34内を
含めて清浄にする必要が生じるため回転数を増加させた
ものである。
【0018】ロボットアームによりウエハカセットCが
L/L室34に載置され、L/Lドア36が閉じる(T
3)のと同期してファン44の回転数は減少し、待機状
態に移行する。その後プロセス装置30内で各半導体ウ
エハの処理が行われる。半導体ウエハの処理後は、L/
Lドア36が開きロボットアームによりウエハカセット
Cが把持・移送される。L/Lドア36が開く(T4)
のと同期してファン44の回転数が増加する。このとき
の回転数は、L/Lドア36が開いた状態でウエハカセ
ットCをL/L室34内に移送するときの回転数と略同
じである。移送中にプロセス制御ユニット38からの制
御命令によりL/Lドア36が閉じられる(T5)のと
同期してファン44の回転数が中速状態へとやや減少す
る。その後ロードポートにウエハカセットCが載置され
ると、上方に保持されていたポッドPが下降して(T
6)半導体ウエハがウエハカセットCごと収納・密閉さ
れる。ポッドPの下降に伴いFFU40は下降し、ファ
ン44の回転数も低回転の待機状態に移行する。半導体
ウエハが収納されたポッドPは、次工程で用いられる装
置へと搬送される。以上詳述したように半導体ウエハが
密閉状態から開口され、外部雰囲気に曝された状態のと
きにファン44を高速回転させる一方、半導体ウエハが
密閉容器に収納されている状態では低速で待機させる構
成としたので、消費電力の低減を図ることができる。
L/L室34に載置され、L/Lドア36が閉じる(T
3)のと同期してファン44の回転数は減少し、待機状
態に移行する。その後プロセス装置30内で各半導体ウ
エハの処理が行われる。半導体ウエハの処理後は、L/
Lドア36が開きロボットアームによりウエハカセット
Cが把持・移送される。L/Lドア36が開く(T4)
のと同期してファン44の回転数が増加する。このとき
の回転数は、L/Lドア36が開いた状態でウエハカセ
ットCをL/L室34内に移送するときの回転数と略同
じである。移送中にプロセス制御ユニット38からの制
御命令によりL/Lドア36が閉じられる(T5)のと
同期してファン44の回転数が中速状態へとやや減少す
る。その後ロードポートにウエハカセットCが載置され
ると、上方に保持されていたポッドPが下降して(T
6)半導体ウエハがウエハカセットCごと収納・密閉さ
れる。ポッドPの下降に伴いFFU40は下降し、ファ
ン44の回転数も低回転の待機状態に移行する。半導体
ウエハが収納されたポッドPは、次工程で用いられる装
置へと搬送される。以上詳述したように半導体ウエハが
密閉状態から開口され、外部雰囲気に曝された状態のと
きにファン44を高速回転させる一方、半導体ウエハが
密閉容器に収納されている状態では低速で待機させる構
成としたので、消費電力の低減を図ることができる。
【0019】さらに、L/Lドア36が開いている状態
と閉じている状態とでファン44の回転数を適宜変化さ
せている。すなわち、半導体ウエハの移送中に周囲の環
境が変化する場合は、ファン44の回転数をその変化に
応じて適宜調整する要請がある。本実施の形態において
は、L/Lドア36が開くことにより清浄にするべき領
域が拡大したため、それまでよりファン44の回転数を
高速にして清浄エアの流速を大きくする要請がある。こ
れにより、流速が過剰となることによる搬送中の半導体
ウエハの振動や搬送エラー、ロボットファン44ドと半
導体ウエハとの衝突を防止することができる。なお、フ
ァン44の回転数はさらに細かく制御することも可能で
あり、たとえば半導体ウエハの搬送位置がファン44か
ら遠くなるに伴い次第に回転数を増加させるような構成
であっても良い。また、ファン44の送出方向はポッド
PからL/L室34(プロセス装置30)方向としたた
め、ポッドP内を好適に清浄することができるという効
果もある。ただし、FFU40を上方に載置してダウン
フロータイプにしても良い。また、ポッドP自体を移動
式のタイプにした方式であっても良い。図5はこの変形
例を模式的に示した図である。移動式ポッドP1内に
は、ウエハカセットCが収納されている。移動式ポッド
P1とL/L室76が接続し、ポッドP1内に配設され
るロボットアーム74がウエハカセットCを把持し、シ
ャッターSを開いてウエハカセットCがL/L室76に
載置される。ここでL/L室76の天井部にはFFU7
0が配設され、ダウンフローで清浄なエアが送出される
が、たとえばシャッターSが開口したときにFFU70
のファンを高速回転させる構成としても良い。このよう
にポッドP1内に収納されているウエハカセットCがロ
ボットアーム74により搬送されている間はファンを高
速回転させる一方、シャッターが閉じている間はファン
を待機状態にする構成にしても消費電力の低減を図るこ
とができる。また、待機状態にはファンを完全停止させ
ても良い。また、図6は他の変形例を示しており半導体
ウエハを移送する中途に中間室を設けた例である。この
場合であっても、密閉容器であるポッドPからウエハカ
セットCまたは半導体ウエハをプロセス処理部84へと
移送している間はFFU80のファンを高速駆動させる
一方、その他時間帯は、ファンを待機運転させることに
より消費電力の低減を図ることができる。その他本実施
の形態に限られること無くその他の実施の形態に記載し
たのと同様種々変形可能である。
と閉じている状態とでファン44の回転数を適宜変化さ
せている。すなわち、半導体ウエハの移送中に周囲の環
境が変化する場合は、ファン44の回転数をその変化に
応じて適宜調整する要請がある。本実施の形態において
は、L/Lドア36が開くことにより清浄にするべき領
域が拡大したため、それまでよりファン44の回転数を
高速にして清浄エアの流速を大きくする要請がある。こ
れにより、流速が過剰となることによる搬送中の半導体
ウエハの振動や搬送エラー、ロボットファン44ドと半
導体ウエハとの衝突を防止することができる。なお、フ
ァン44の回転数はさらに細かく制御することも可能で
あり、たとえば半導体ウエハの搬送位置がファン44か
ら遠くなるに伴い次第に回転数を増加させるような構成
であっても良い。また、ファン44の送出方向はポッド
PからL/L室34(プロセス装置30)方向としたた
め、ポッドP内を好適に清浄することができるという効
果もある。ただし、FFU40を上方に載置してダウン
フロータイプにしても良い。また、ポッドP自体を移動
式のタイプにした方式であっても良い。図5はこの変形
例を模式的に示した図である。移動式ポッドP1内に
は、ウエハカセットCが収納されている。移動式ポッド
P1とL/L室76が接続し、ポッドP1内に配設され
るロボットアーム74がウエハカセットCを把持し、シ
ャッターSを開いてウエハカセットCがL/L室76に
載置される。ここでL/L室76の天井部にはFFU7
0が配設され、ダウンフローで清浄なエアが送出される
が、たとえばシャッターSが開口したときにFFU70
のファンを高速回転させる構成としても良い。このよう
にポッドP1内に収納されているウエハカセットCがロ
ボットアーム74により搬送されている間はファンを高
速回転させる一方、シャッターが閉じている間はファン
を待機状態にする構成にしても消費電力の低減を図るこ
とができる。また、待機状態にはファンを完全停止させ
ても良い。また、図6は他の変形例を示しており半導体
ウエハを移送する中途に中間室を設けた例である。この
場合であっても、密閉容器であるポッドPからウエハカ
セットCまたは半導体ウエハをプロセス処理部84へと
移送している間はFFU80のファンを高速駆動させる
一方、その他時間帯は、ファンを待機運転させることに
より消費電力の低減を図ることができる。その他本実施
の形態に限られること無くその他の実施の形態に記載し
たのと同様種々変形可能である。
【0020】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハがポッド
に密閉されている状態と、それ以外の状態とでFFUの
ファンの回転数を適宜変化させるので、半導体ウエハの
汚染を抑止すると共に、従来よりも消費電力の低減を図
ることができる。
に密閉されている状態と、それ以外の状態とでFFUの
ファンの回転数を適宜変化させるので、半導体ウエハの
汚染を抑止すると共に、従来よりも消費電力の低減を図
ることができる。
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るプロセス装置
の構成図。
の構成図。
【図2】本発明の第1の実施の形態に係るファンの回転
数の時間変化を示した図。
数の時間変化を示した図。
【図3】本発明の第2の実施の形態に係るプロセス装置
の構成図。
の構成図。
【図4】本発明の第2の実施の形態に係るファンの回転
数の時間変化を示した図。
数の時間変化を示した図。
【図5】本発明の変形例を示した図。
【図6】本発明の変形例を示した図。
【図7】従来のプロセス装置の構成図。
10 プロセス装置、21 ファン・フィルタ・ユニッ
ト、16 ロード・ロック室、20 センサ、P ポッ
ド、C ウエハカセット。
ト、16 ロード・ロック室、20 センサ、P ポッ
ド、C ウエハカセット。
Claims (9)
- 【請求項1】 半導体製造装置の装置室を開口する装置
室開口工程と、半導体ウエハを収納している密閉容器を
開口する密閉容器開口工程と、前記半導体ウエハを前記
密閉容器から前記装置室内に移送する移送工程とを備え
る半導体ウエハの移送方法において、 前記移送工程は、 ファン・フィルタ・ユニットを駆動させて前記半導体ウ
エハが通過する移送領域に清浄なガスを所定の速度で送
出させながら、前記半導体ウエハを移送し、 移送中の前記ガスの速度を、前記移送をしていないとき
に比べて大きくすることを特徴とする半導体ウエハの移
送方法。 - 【請求項2】 前記装置室はロードロック室であること
を特徴とする請求項1記載の半導体ウエハの移送方法。 - 【請求項3】 前記密閉容器の開口を検知するセンサを
用い、このセンサから出力される信号に基づいて前記フ
ァン・フィルタ・ユニットを駆動させることにより、前
記ガスの速度を制御することを特徴とする請求項1記載
の半導体ウエハの移送方法。 - 【請求項4】 前記移送工程により前記半導体ウエハを
装置室内に移送した後に前記装置室を密閉させる工程を
備えるとともに、 この密閉を検知するセンサを用いてこのセンサから出力
させる信号に基づいて前記ファン・フィルタ・ユニット
を駆動させることにより、前記ガスの速度を制御するこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハの移送方
法。 - 【請求項5】 前記半導体ウエハの移送は、所定の搬送
装置を用いて自動的に行うこととし、 前記装置室の開口は、前記半導体ウエハの移送中に行う
こととし、 前記ガスの速度は、この装置室の開口前よりも開口後の
方の速度を大きくさせることを特徴とする請求項1記載
の半導体ウエハの移送方法。 - 【請求項6】 半導体ウエハを密閉容器に収納して各工
程に用いられる半導体製造装置間を搬送させる工程と、
搬送された前記密閉容器を所定位置にて静止させ、開口
させる密閉容器開口工程と、前記半導体製造装置の装置
室を開口する装置室開口工程と、前記半導体ウエハを前
記装置室内に移送する移送工程と、前記半導体製造装置
を用いて前記半導体ウエハの処理をさせる工程と、前記
処理を終えた前記半導体ウエハを前記密閉容器に収納さ
せる工程とを備える半導体装置の製造方法において、 前記移送工程は、 ファン・フィルタ・ユニットを駆動させて前記半導体ウ
エハが通過する移送領域に清浄なガスを所定の速度で送
出させながら、前記半導体ウエハを移送することとし、 移送中の前記ガスの速度は、前記移送をしていないとき
に比べて速度を大きくさせることを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項7】 複数の半導体ウエハを支持するウエハカ
セットを収納する密閉容器を開閉させる開閉装置と、前
記開閉装置により開口された前記密閉容器から取り出さ
れた前記ウエハカセットをこの半導体ウエハの処理を行
うための半導体処理装置内の所定位置まで移送するとき
に通過する領域を局所的に清浄にするためのファン・フ
ィルタ・ユニットとを備える半導体製造装置において、 前記密閉容器の開口を感知する第1のセンサと、 前記密閉容器の密閉を感知する第2のセンサと、 前記密閉容器内の前記ウエハカセットの有無を検知する
第3のセンサとを備え、かつ、前記ファン・フィルタ・
ユニットは、前記各センサからの信号に基づいて前記フ
ァン・フィルタ・ユニットに備わるファンを駆動するた
めのモータの回転数を可変することができる構成となっ
ていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項8】 複数のウエハを支持するウエハカセット
を収納する密閉容器を開閉させる開閉装置と、前記ウエ
ハカセットを半導体処理装置に備わるロードロック室内
に搬送するための搬送装置と、前記搬送により前記ウエ
ハカセットが通過する領域を局所的に清浄な雰囲気にす
るためのファン・フィルタ・ユニットとを備える半導体
製造装置において、 前記ファン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転
数を可変可能な構成となっており、少なくとも前記搬送
装置が前記ウエハカセットを搬送中は、前記ファンの回
転数を増加させる構成となっていることを特徴とする半
導体製造装置。 - 【請求項9】 前記第3のセンサが前記密閉容器内に前
記ウエハカセットが存在すると検知し、かつ、前記第1
のセンサが前記密閉容器の開口を検知した場合に前記フ
ァン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転数を増
加させるように構成されるとともに、前記第3のセンサ
が前記密閉容器内に前記ウエハカセットが存在すると検
知し、かつ、前記第2のセンサが前記密閉容器の密閉を
検知した場合に前記ファン・フィルタ・ユニットに備わ
るファンの回転数を減少させるように構成されているこ
とを特徴とする請求項7記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001025197A JP2002231782A (ja) | 2001-02-01 | 2001-02-01 | 半導体ウエハの移送方法、半導体装置の製造方法およびプロセス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001025197A JP2002231782A (ja) | 2001-02-01 | 2001-02-01 | 半導体ウエハの移送方法、半導体装置の製造方法およびプロセス装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002231782A true JP2002231782A (ja) | 2002-08-16 |
Family
ID=18890230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001025197A Pending JP2002231782A (ja) | 2001-02-01 | 2001-02-01 | 半導体ウエハの移送方法、半導体装置の製造方法およびプロセス装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002231782A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP7481568B2 (ja) | 2020-02-28 | 2024-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理システム |
-
2001
- 2001-02-01 JP JP2001025197A patent/JP2002231782A/ja active Pending
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