JP2002231782A - 半導体ウエハの移送方法、半導体装置の製造方法およびプロセス装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 局所的クリーン環境（ミニエンバイロメン
ト）方式を用いる半導体ウエハの移送、製造工程におい
て、高清浄度における消費電力を小さくし、さらなるラ
ンニングコストを低減した方法を提供する。 【解決手段】 ミニエンバイロンメントにおいて通常時
はファン２１を待機運転させ、ポッドＰから半導体ウエ
ハＣを取り出したときのみファンを高速回転させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、局所的に雰囲気を
清浄にするためのファン・フィルタ・ユニット（ＦＦ
Ｕ）を用いる半導体ウエハの移送方法、半導体装置の製
造方法および半導体製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程において作業環境
に塵埃等が多く存在しているとこうした塵埃が半導体ウ
エハの表面に付着するため製造歩留まりの低下を招くこ
ととなる。特に半導体ウエハの加工線幅の狭小化が進む
今日においては、除去が必要な塵埃の最小粒子径も小さ
くなるため従来よりも作業環境の雰囲気を高清浄度に保
つ必要性が大きくなっている。作業環境を清浄に保つク
リーンルームの構成としては、天井にフィルタを設置し
ファンを回転させることによりフィルタを介してエアを
循環させる構成が広く知られている。高清浄度に保つた
めにはファンを高速回転させて高速でエアを循環させる
ことにより実現される。しかしながら、循環させるエア
の流速の３乗に比例してファンを回転させる必要がある
ため、高清浄度ほど消費電力が大きくなりコストが増大
するという問題が生じる。このようなコストの増大を抑
制するために、いわゆる局所的クリーン環境（ミニエン
バイロンメント）を設置する方法が考案されている。図
７に局所クリーン環境を実現するためのプロセス装置９
２の例を示す。図７に示されるようにクリーンルームと
は別途にプロセス装置９２にＦＦＵ９４を設置し、この
ファンから送出される気流に対してフィルタを通じて塵
埃を低減させて局所的にクリーンな環境を実現してい
る。

【０００３】こうした環境下でオペレータは作業を行う
ので、オペレータが半導体ウエハをプロセス装置にセッ
ト・リセットする際であってもオペレータのウェアなど
の発塵源から発生する塵埃がウエハに付着する確率を低
減させることができる。また、自動でウエハをセットす
る自動機（ＳＭＩＦ：Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｍｅｃｈａｎ
ｉｃａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）を備えるプロセス装置
に局所クリーン環境を実現するＦＦＵを適用した例も多
々ある。たとえば特開平２０００−８２７３１号には、
クリーンルームのランニングコストを増大を抑制しつ
つ、ウエハの汚染を防ぐ方法としてクリーンルームと装
置室間でウエハを受け渡しをするための中間室を形成
し、この中間室を高清浄度に設定する中間室、装置室の
圧力センサを設置し、中間室の圧力値が一番高くなるよ
うにＦＦＵの駆動モータの回転数を制御する技術思想に
ついて開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ミニエ
ンバイロンメント方式を採用することにより従来よりも
ランニングコストは低減されたものの、さらにそのラン
ニングコストを小さくしたいという要請がある。また、
自動機で半導体ウエハを搬送する場合、Ｌ／Ｌドアが開
口している状態において最適となるようにファンフィル
タユニットの流速を設定すると、Ｌ／Ｌドアが閉まって
いる際の流速は過剰となるため搬送中のウエハの振動を
招く。振動によりパーティクルの発生、搬送エラー、ロ
ボットハンドとの衝突、載置ずれ、衝撃によるウエハの
損傷等を招く可能性があることが発明者により明らかに
なった。本発明は上記課題を解決することを目的として
おり、ミニエンバイロンメント方式を用いる半導体ウエ
ハの移送、半導体ウエハの製造工程等において、従来よ
りもランニングコストの低減を可能とする方法等を提供
することを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明によれば、半導体製造装置の装置室を開口する
装置室開口工程と、半導体ウエハを収納している密閉容
器を開口する密閉容器開口工程と、前記半導体ウエハを
前記密閉容器から前記装置室内に移送する移送工程とを
備える半導体ウエハの移送方法において、前記移送工程
は、ファン・フィルタ・ユニットを駆動させて前記半導
体ウエハが通過する移送領域に清浄なガスを所定の速度
で送出させながら、前記半導体ウエハを移送することと
し、移送中の前記ガスの速度は、前記移送をしていない
ときに比べて速度を大きくさせることを特徴とする半導
体ウエハの移送方法である。また、前記装置室はロード
ロック室であることを特徴とする前記半導体ウエハの移
送方法である。また、前記密閉容器の開口を検知するセ
ンサを用い、このセンサから出力される信号に基づいて
前記ファン・フィルタ・ユニットを駆動させることによ
り、前記ガスの速度を制御することを特徴とする前記半
導体ウエハの移送方法である。また、前記移送工程によ
り前記半導体ウエハを装置室内に移送した後に前記装置
室を密閉させる工程を備えるとともに、この密閉を検知
するセンサを用いてこのセンサから出力させる信号に基
づいて前記ファン・フィルタ・ユニットを駆動させるこ
とにより、前記ガスの速度を制御することを特徴とする
請求項１記載の半導体ウエハの移送方法である。

【０００６】また、前記半導体ウエハの移送は、所定の
搬送装置を用いて自動的に行うこととし、前記装置室の
開口は、前記半導体ウエハの移送中に行うこととし、前
記ガスの速度は、この装置室の開口前よりも開口後の方
の速度を大きくさせることを特徴とする前記半導体ウエ
ハの移送方法である。また、半導体ウエハを密閉容器に
収納して各工程に用いられる半導体製造装置間を搬送さ
せる工程と、搬送された前記密閉容器を所定位置にて静
止させ、開口させる密閉容器開口工程と、前記半導体製
造装置の装置室を開口する装置室開口工程と、前記半導
体ウエハを前記装置室内に移送する移送工程と、前記半
導体製造装置を用いて前記半導体ウエハの処理をさせる
工程と、前記処理を終えた前記半導体ウエハを前記密閉
容器に収納させる工程とを備える半導体装置の製造方法
において、前記移送工程は、ファン・フィルタ・ユニッ
トを駆動させて前記半導体ウエハが通過する移送領域に
清浄なガスを所定の速度で送出させながら、前記半導体
ウエハを移送することとし、移送中の前記ガスの速度
は、前記移送をしていないときに比べて速度を大きくさ
せることを特徴とする半導体装置の製造方法である。

【０００７】また、複数の半導体ウエハを支持するウエ
ハカセットを収納する密閉容器を開閉させる開閉装置
と、前記開閉装置により開口された前記密閉容器から取
り出された前記ウエハカセットをこの半導体ウエハの処
理を行うための半導体処理装置内の所定位置まで移送す
るときに通過する領域を局所的に清浄にするためのファ
ン・フィルタ・ユニットとを備える半導体製造装置にお
いて、前記密閉容器の開口を感知する第１のセンサと、
前記密閉容器の密閉を感知する第２のセンサと、前記密
閉容器内の前記ウエハカセットの有無を検知する第３の
センサとを備え、かつ、前記ファン・フィルタ・ユニッ
トは、前記各センサからの信号に基づいて前記ファン・
フィルタ・ユニットに備わるファンを駆動するためのモ
ータの回転数を可変することができる構成となっている
ことを特徴とする半導体製造装置である。また、複数の
ウエハを支持するウエハカセットを収納する密閉容器を
開閉させる開閉装置と、前記ウエハカセットを半導体処
理装置に備わるロードロック室内に搬送するための搬送
装置と、前記搬送により前記ウエハカセットが通過する
領域を局所的に清浄な雰囲気にするためのファン・フィ
ルタ・ユニットとを備える半導体製造装置において、前
記ファン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転数
を可変可能な構成となっており、少なくとも前記搬送装
置が前記ウエハカセットを搬送中は、前記ファンの回転
数を増加させる構成となっていることを特徴とする半導
体製造装置である。

【０００８】また、前記第３のセンサが前記密閉容器内
に前記ウエハカセットが存在すると検知し、かつ、前記
第１のセンサが前記密閉容器の開口を検知した場合に前
記ファン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転数
を増加させるように構成されるとともに、前記第３のセ
ンサが前記密閉容器内に前記ウエハカセットが存在する
と検知し、かつ、前記第２のセンサが前記密閉容器の密
閉を検知した場合に前記ファン・フィルタ・ユニットに
備わるファンの回転数を減少させるように構成されてい
ることを特徴とする前記半導体製造装置である。なお、
本発明において半導体製造装置の装置室とは、プロセス
処理を行う処理室または被処理体の搬入・搬出などを行
うロードロック室その他の開口・密閉可能な室一般のこ
とをいう。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
図面を用いて説明する。本実施の形態は、オペレータが
ウエハカセットＣを移送する領域を局所的に清浄な環境
とするプロセス装置１０を用いた半導体ウエハの移送方
式等に関する。図１に本発明に係るプロセス装置１０お
よびそのプロセス装置１０が配置されるクリーンルーム
の概略構成を示している。図１（ａ）は正面図、（ｂ）
は側面図である。このプロセス装置１０は、ウエハカセ
ットＣを収納するポッドＰを開閉させるポッド開閉装置
１２と、ポッド開閉装置１２によりポッドＰと分離可能
となったウエハカセットＣをオペレータが取り出して移
送する領域を局所的に清浄にするためのファン・フィル
タ・ユニット２１（以下「ＦＦＵ」という）と、オペレ
ータに移送されたウエハカセットＣが載置されるロード
ロック室１６（以下「Ｌ／Ｌ室」という）と、Ｌ／Ｌ室
１６に載置されたウエハカセットＣに保持される半導体
ウエハの処理を行うプロセス処理部１８と、ＦＦＵ２１
により局所的に清浄にされる領域内のオペレータの存在
を検知するセンサ２０とを備える。なお、半導体ウエハ
はウエハカセットＣにより複数枚まとめて保持されてお
り、このウエハカセットＣはポッドＰという密閉容器に
収納される。ポッドＰ内にウエハカセットＣを密閉収納
することにより、ポッドＰ内の半導体ウエハは外部の塵
埃からの汚染を抑止される。半導体ウエハはポッドＰに
密閉された状態で各工程の装置間を搬送される。したが
って装置間の移送経路を高度に清浄にする必要は無く、
例えばクラス１０００程度で良い。

【００１０】次いでプロセス装置１０の各構成要素につ
いて説明する。ポッド開閉装置１２は、密閉されている
ポッドＰを開口させる機能およびウエハカセットＣをポ
ッドＰ内に収納し密閉させる機能を有する。すなわち、
所定の位置（以下「ロードポート」という）にポッドＰ
が載置されると、ポッドＰが開口されてウエハカセット
Ｃと分離可能となる。反対にウエハカセットＣをロード
ポートに載置すると、ポッドＰがウエハカセットＣを収
納・密閉する。ＦＦＵ２１は、オペレータがウエハカセ
ットＣを移送する領域を清浄にする機能を有し、具体的
にはＵＬＰＡ（Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ Ｐｅｎｅｔｒａｔ
ｉｏｎＡｉｒ）フィルタ２２と、ＵＬＰＡフィルタ２２
越しに清浄なエアを送出するためのファン２３と、この
ファン２３を回転させる図示しないモータと、モータの
回転数を制御するインバータ２４と、このインバータ２
４を制御するインバータ制御ユニット２５とを備えてい
る。したがってインバータ制御ユニット２５からの制御
信号に基づいてファン２３の回転数を制御することがで
きる。このＦＦＵ２１は、床方向（鉛直方向）にエアを
送出するように配設されており、後述するようにそのエ
アは床下空間へ排出される構成となっている。

【００１１】また、発塵源となるオペレータがこのプロ
セス装置１０に近づくとファン２３を高速回転させて雰
囲気を清浄に保つために、プロセス装置１０の両端、す
なわちポッド開閉装置１２側とＬ／Ｌ室１６側には２つ
の光センサ２０が備え付けられている。そして各センサ
２０の出力はインバータ制御ユニット２５に送られ、少
なくとも一方のセンサ２０によりオペレータの検知信号
が出力された場合にはファン２３の回転数を高速にする
ような制御信号が出力されるような構成となっている。
また、プロセス処理部１８は、オペレータによりＬ／Ｌ
室１６に載置されたウエハカセットＣに保持される半導
体ウエハの処理を行う機能を有し、例えば成膜処理やエ
ッチング処理などを行う。こうしたプロセス装置１０
は、たとえばダウンフロータイプのクリーンルーム内に
配置される。図１に示されるように、天井にＦＦＵ４２
を設置することにより天井裏空間の空気を清浄にして、
ダウンフローでクリーンルーム内に供給するとともに、
床をグレーチング床４０にしてクリーンルーム内の空気
を床下空間に排出させる。そしてクリーンルーム外側に
配設される図示しない循環路空間を経て再び天井裏空間
に循環されることとなる。

【００１２】以下に上記構成における半導体ウエハの移
送の手順を説明する。ここで図２は、ＦＦＵ２１のファ
ン回転数の時間的変化を示した図である。まず、オペレ
ータにより半導体ウエハを密閉収納するポッドＰがロー
ドポートに載置される。このときセンサ２０はオペレー
タの接近を感知し、検知信号をインバータ制御ユニット
２５に出力する。インバータ制御ユニット２５はこの検
知信号に対応してファン２３の回転速度を所定回転数に
増加させる制御信号をインバータ２４に出力するためロ
ードポートにポッドＰが載置されるのとほぼ同時にファ
ン２３の回転数が待機時より増加することとなる（Ｔ
１）。ファン２３の回転数の増加に伴い移送領域のエア
の速度は上昇するので、発塵源であるオペレータ等の塵
埃は床下へと排出され、半導体ウエハの汚染が抑止され
る。ロードポートに載置されたポッドＰは、ポッド開閉
装置１２により開口される。オペレータはウエハカセッ
トＣを取り出しＬ／Ｌ室１６へと移送する。この際、移
送領域には清浄なエアが高速で送出しているため、局所
的に清浄な環境が実現している。オペレータはＬ／Ｌ室
１６のＬ／Ｌドア１６ａを開け、ウエハカセットＣをＬ
／Ｌ室１６内にセットする。セット完了後Ｌ／Ｌドア１
６ａを密閉し、オペレータはプロセス装置１０から離れ
る。それまでは２つのセンサ２０の少なくともいずれか
一方によりオペレータは検知されていたが、オペレータ
が離れることによりいずれのセンサ２０からも検知信号
がインバータ制御ユニット２５に出力されなくなる。こ
のためインバータ制御ユニット２５はファン２３の回転
数を待機モードに低下させる制御信号を出力する。この
制御信号を受けてファン２３の回転数は低下し、ＦＦＵ
２１から送出されるエアの速度は低下する（Ｔ２）。

【００１３】プロセス処理部１８は、ウエハカセットＣ
に保持される各半導体ウエハに対して順次処理を行う。
処理が終了すると、オペレータはＬ／Ｌドア１６ａを開
けウエハカセットＣを取り出す。この際センサ２０によ
りオペレータが検知されるため（Ｔ３）、上述と同様に
ファン２３は高速回転し、移送領域におけるエアの速度
が上昇し、局所的に清浄になる。オペレータはウエハカ
セットＣを移送し、ロードポートに載置する。ポッド開
閉装置１２は、ウエハカセットＣをポッドＰに密閉収納
する。オペレータはプロセス装置１０から離れる（Ｔ
４）と、ファン２３は再び待機状態の回転数に戻り、エ
アの速度も低下する。以上詳述したように、センサ２０
からの検知信号に基づいてファン２３の回転数を制御す
る構成としたので、半導体ウエハが外部雰囲気に曝され
ているときにおいても、ファン２３の回転数を増加させ
ることにより塵埃による汚染から好適に抑止することが
できる。また、半導体ウエハが密閉状態等汚染のおそれ
が少ない時は、ファン２３の回転数を減少させることに
よりＦＦＵ２１の消費電力を節減することができる。な
お、本実施の形態においてはセンサ２０はオペレータの
接近を検知する光センサ２０を用いたが適宜変形可能で
ある。たとえばポッドＰの開閉およびポッドＰ内のウエ
ハカセットＣの有無を検知するセンサを用いて、ポッド
Ｐ内のウエハカセットＣを取り出すためにポッドＰを開
口させるのと同期してファン２３の回転数を上昇させ、
ポッドＰ内にウエハカセットＣを収納するのと同期して
ファン２３の回転数を減少させるような構成としても良
い。また、発信部と受信部とからなるセンサを設置し、
ロードポートにポッドＰが載置されると信号が遮られる
タイミングでファン２３の回転数を制御する構成として
も良い。あるいは載置されるポッドＰの重量を測定し
て、重量に基づいてＦＦＵ２１を制御しても良い。重量
によればポッドＰ内のウエハカセットＣの有無を検知す
ることもできる。

【００１４】また、ファン２３の回転数を変化させるタ
イミングは、センサ２０からの信号と同時でなくともよ
く、たとえば回転数を減少させる際には、適宜タイムラ
グを設けることにより清浄に万全を期しても良い。ま
た、センサ２０を用いずともポッド開閉装置１２の動作
信号と同期してファン２３の回転数を変化させる構成で
あっても良い。その他少なくともウエハカセットＣが外
部雰囲気に曝されている間は、それ以外の時間帯と比較
してＦＦＵ２１から高速のエアを送出させるような構成
であれば良い。また、ＦＦＵ２１から清浄なエアの送出
方向も鉛直方向に限られない。その他本発明は、他の実
施の形態に示されているのと同様要旨を変更させない範
囲で種々変形可能である。なお、半導体ウエハはポッド
Ｐに密閉収納された状態で、工程で用いられる装置間を
搬送されるが、本発明によればＦＦＵ２１の消費電力を
低減させることができるため、半導体装置の製造コスト
を全体として低減させる効果がある。また、ＦＦＵはフ
ァンを回転させることによりフィルタ越しにガスを送出
させる構成であれば良く、フィルタもＨＥＰＡ等種々の
ものを適用可能である。 （第２の実施の形態）第２の実施の形態は、自動移載機
３２を用いて半導体ウエハを移送する場合に、移送領域
を局所的かつ時間を限定させて清浄にさせる半導体ウエ
ハの移送方法等に関するものである。以下に図面を用い
てその一実施の形態について説明する。

【００１５】図３は、本実施の形態に係るプロセス装置
３０の概略構成図である。このプロセス装置３０は、ポ
ッドＰとウエハカセットＣとを分離・収納させるととも
にウエハカセットＣをＬ／Ｌ室３４に移載させる自動移
載機３２と、この自動移載機３２の側面に配設されるＦ
ＦＵ４０と、このＦＦＵ４０に備わるインバータ４６を
制御するインバータ制御ユニット４１と、ポッドＰと分
離されたウエハカセットＣを載置するＬ／Ｌ室３４と、
Ｌ／Ｌ室３４に載置されたウエハカセットＣに保持され
る半導体ウエハの処理を行うための図示しないプロセス
処理部と、プロセス処理、Ｌ／Ｌ室３４に備わるＬ／Ｌ
ドア３６の開閉および自動移載機３２等を制御するプロ
セス制御ユニット３８とを備える。以下各構成要素につ
いて説明する。自動移載機３２は、上面にロードポート
を備え側面にはＦＦＵ４０が配設される。ロードポート
にポッドＰが載置されるとポッドＰのみが上方に移動さ
れるため、ポッドＰとウエハカセットＣが分離する。ロ
ードポートはＦＦＵ４０が配設されている側壁と一体と
なっているため、ポッドの移動に伴ってＦＦＵ４０は上
方に移動し、ＦＦＵ４０のファン４４とウエハカセット
Ｃは対向する。このためＦＦＵ４０から送出される清浄
なエアは直接ウエハカセットＣに吹き付けられることと
なる。さらに、分離されたウエハカセットＣは図示しな
いロボットアームによりＬ／Ｌ室３４内に移送され、プ
ロセス処理が行われる。

【００１６】また、半導体ウエハの処理後においては、
ロボットアームを用いてＬ／Ｌ室３４内に載置されてい
るウエハカセットＣを自動移載機３２側に移送する。そ
の後上方に保持されていたポッドＰが書こうされてウエ
ハカセットＣを自動的に密閉収納する機能を有する。プ
ロセス制御ユニット３８は、プロセス装置３０に備わる
機器を制御する機能を有する。ここで、図４にファン４
４の回転数の時間変化を示す。ポッドから分離されたウ
エハカセットの汚染を抑止できるように、プロセス処理
前の半導体ウエハをプロセス装置３０内に収納させる場
合においては、ポッドＰとウエハカセットＣの分離と略
同時にインバータ制御ユニット４１にファン４４の回転
数を増加させるための制御信号を出力し、次いでＬ／Ｌ
ドア３６が開くのと略同時に更に回転数を増加させるた
めの制御信号を出力し、Ｌ／Ｌ室３４内にウエハカセッ
トＣが収納されＬ／Ｌドア３６が閉まるのと略同時にフ
ァン４４の回転数を待機状態まで減少させるための制御
信号を出力するように構成される。一方、プロセス処理
後の半導体ウエハをポッドＰに収納させる場合において
は、ウエハカセットＣが載置されるＬ／Ｌ室３４のＬ／
Ｌドア３６を開くのと略同時にファン４４の回転数を増
加させるための制御信号を出力し、次いでウエハカセッ
トＣがロボットアームにより取り出されＬ／Ｌドア３６
が閉まるのと略同時にファン４４の回転数をやや減少さ
せ、さらにウエハカセットＣがポッドＰに収納・密閉さ
せるのと略同時にファン４４の回転数を待機状態にさせ
るための制御信号をインバータ制御ユニット４１に出力
するように構成されている。

【００１７】なお、このプロセス装置３０が設置される
クリーンルームは、第１の実施の形態に示されたものと
同様の構成を有している。上記構成のもと以下のような
手順でプロセスが行われる。まず、半導体ウエハを収納
したポッドＰが、ロードポートに載置される（Ｔ１）。
ここでポッドＰの載置はオペレータが行っても良いし、
あるいは、装置間を自動搬送する自走機に行わせても良
い。自動移載機３２はポッドＰが載置されると、ポッド
Ｐを上方に移動させるので、ウエハカセットＣと分離さ
れる。ポッドＰの移動と同期してインバータ制御ユニッ
ト４１から制御信号がインバータ４６に出力され、それ
まで待機状態で低回転であったファン４４が中速回転と
なる。このため、ウエハカセットＣは周囲の塵埃による
汚染から抑止される。ロボットアームは、ウエハカセッ
トＣを把持しウエハカセットＣを移送する一方、プロセ
ス制御ユニット３８からの制御信号に基づきＬ／Ｌドア
３６が開く（Ｔ２）。Ｌ／Ｌドア３６が開くのと同期し
て、ファン４４の回転数をさらに高速になる。すなわ
ち、Ｌ／Ｌドア３６が開く前後で清浄にすべき領域が異
なり、Ｌ／Ｌドア３６が開いた後ではＬ／Ｌ室３４内を
含めて清浄にする必要が生じるため回転数を増加させた
ものである。

【００１８】ロボットアームによりウエハカセットＣが
Ｌ／Ｌ室３４に載置され、Ｌ／Ｌドア３６が閉じる（Ｔ
３）のと同期してファン４４の回転数は減少し、待機状
態に移行する。その後プロセス装置３０内で各半導体ウ
エハの処理が行われる。半導体ウエハの処理後は、Ｌ／
Ｌドア３６が開きロボットアームによりウエハカセット
Ｃが把持・移送される。Ｌ／Ｌドア３６が開く（Ｔ４）
のと同期してファン４４の回転数が増加する。このとき
の回転数は、Ｌ／Ｌドア３６が開いた状態でウエハカセ
ットＣをＬ／Ｌ室３４内に移送するときの回転数と略同
じである。移送中にプロセス制御ユニット３８からの制
御命令によりＬ／Ｌドア３６が閉じられる（Ｔ５）のと
同期してファン４４の回転数が中速状態へとやや減少す
る。その後ロードポートにウエハカセットＣが載置され
ると、上方に保持されていたポッドＰが下降して（Ｔ
６）半導体ウエハがウエハカセットＣごと収納・密閉さ
れる。ポッドＰの下降に伴いＦＦＵ４０は下降し、ファ
ン４４の回転数も低回転の待機状態に移行する。半導体
ウエハが収納されたポッドＰは、次工程で用いられる装
置へと搬送される。以上詳述したように半導体ウエハが
密閉状態から開口され、外部雰囲気に曝された状態のと
きにファン４４を高速回転させる一方、半導体ウエハが
密閉容器に収納されている状態では低速で待機させる構
成としたので、消費電力の低減を図ることができる。

【００１９】さらに、Ｌ／Ｌドア３６が開いている状態
と閉じている状態とでファン４４の回転数を適宜変化さ
せている。すなわち、半導体ウエハの移送中に周囲の環
境が変化する場合は、ファン４４の回転数をその変化に
応じて適宜調整する要請がある。本実施の形態において
は、Ｌ／Ｌドア３６が開くことにより清浄にするべき領
域が拡大したため、それまでよりファン４４の回転数を
高速にして清浄エアの流速を大きくする要請がある。こ
れにより、流速が過剰となることによる搬送中の半導体
ウエハの振動や搬送エラー、ロボットファン４４ドと半
導体ウエハとの衝突を防止することができる。なお、フ
ァン４４の回転数はさらに細かく制御することも可能で
あり、たとえば半導体ウエハの搬送位置がファン４４か
ら遠くなるに伴い次第に回転数を増加させるような構成
であっても良い。また、ファン４４の送出方向はポッド
ＰからＬ／Ｌ室３４（プロセス装置３０）方向としたた
め、ポッドＰ内を好適に清浄することができるという効
果もある。ただし、ＦＦＵ４０を上方に載置してダウン
フロータイプにしても良い。また、ポッドＰ自体を移動
式のタイプにした方式であっても良い。図５はこの変形
例を模式的に示した図である。移動式ポッドＰ１内に
は、ウエハカセットＣが収納されている。移動式ポッド
Ｐ１とＬ／Ｌ室７６が接続し、ポッドＰ１内に配設され
るロボットアーム７４がウエハカセットＣを把持し、シ
ャッターＳを開いてウエハカセットＣがＬ／Ｌ室７６に
載置される。ここでＬ／Ｌ室７６の天井部にはＦＦＵ７
０が配設され、ダウンフローで清浄なエアが送出される
が、たとえばシャッターＳが開口したときにＦＦＵ７０
のファンを高速回転させる構成としても良い。このよう
にポッドＰ１内に収納されているウエハカセットＣがロ
ボットアーム７４により搬送されている間はファンを高
速回転させる一方、シャッターが閉じている間はファン
を待機状態にする構成にしても消費電力の低減を図るこ
とができる。また、待機状態にはファンを完全停止させ
ても良い。また、図６は他の変形例を示しており半導体
ウエハを移送する中途に中間室を設けた例である。この
場合であっても、密閉容器であるポッドＰからウエハカ
セットＣまたは半導体ウエハをプロセス処理部８４へと
移送している間はＦＦＵ８０のファンを高速駆動させる
一方、その他時間帯は、ファンを待機運転させることに
より消費電力の低減を図ることができる。その他本実施
の形態に限られること無くその他の実施の形態に記載し
たのと同様種々変形可能である。

【００２０】

【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハがポッド
に密閉されている状態と、それ以外の状態とでＦＦＵの
ファンの回転数を適宜変化させるので、半導体ウエハの
汚染を抑止すると共に、従来よりも消費電力の低減を図
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプロセス装置
の構成図。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係るファンの回転
数の時間変化を示した図。

【図３】本発明の第２の実施の形態に係るプロセス装置
の構成図。

【図４】本発明の第２の実施の形態に係るファンの回転
数の時間変化を示した図。

【図５】本発明の変形例を示した図。

【図６】本発明の変形例を示した図。

【図７】従来のプロセス装置の構成図。

【符号の説明】

１０ プロセス装置、２１ ファン・フィルタ・ユニッ
ト、１６ ロード・ロック室、２０ センサ、Ｐ ポッ
ド、Ｃ ウエハカセット。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体製造装置の装置室を開口する装置
   室開口工程と、半導体ウエハを収納している密閉容器を
   開口する密閉容器開口工程と、前記半導体ウエハを前記
   密閉容器から前記装置室内に移送する移送工程とを備え
   る半導体ウエハの移送方法において、 前記移送工程は、 ファン・フィルタ・ユニットを駆動させて前記半導体ウ
   エハが通過する移送領域に清浄なガスを所定の速度で送
   出させながら、前記半導体ウエハを移送し、 移送中の前記ガスの速度を、前記移送をしていないとき
   に比べて大きくすることを特徴とする半導体ウエハの移
   送方法。
2. 【請求項２】 前記装置室はロードロック室であること
   を特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの移送方法。
3. 【請求項３】 前記密閉容器の開口を検知するセンサを
   用い、このセンサから出力される信号に基づいて前記フ
   ァン・フィルタ・ユニットを駆動させることにより、前
   記ガスの速度を制御することを特徴とする請求項１記載
   の半導体ウエハの移送方法。
4. 【請求項４】 前記移送工程により前記半導体ウエハを
   装置室内に移送した後に前記装置室を密閉させる工程を
   備えるとともに、 この密閉を検知するセンサを用いてこのセンサから出力
   させる信号に基づいて前記ファン・フィルタ・ユニット
   を駆動させることにより、前記ガスの速度を制御するこ
   とを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの移送方
   法。
5. 【請求項５】 前記半導体ウエハの移送は、所定の搬送
   装置を用いて自動的に行うこととし、 前記装置室の開口は、前記半導体ウエハの移送中に行う
   こととし、 前記ガスの速度は、この装置室の開口前よりも開口後の
   方の速度を大きくさせることを特徴とする請求項１記載
   の半導体ウエハの移送方法。
6. 【請求項６】 半導体ウエハを密閉容器に収納して各工
   程に用いられる半導体製造装置間を搬送させる工程と、
   搬送された前記密閉容器を所定位置にて静止させ、開口
   させる密閉容器開口工程と、前記半導体製造装置の装置
   室を開口する装置室開口工程と、前記半導体ウエハを前
   記装置室内に移送する移送工程と、前記半導体製造装置
   を用いて前記半導体ウエハの処理をさせる工程と、前記
   処理を終えた前記半導体ウエハを前記密閉容器に収納さ
   せる工程とを備える半導体装置の製造方法において、 前記移送工程は、 ファン・フィルタ・ユニットを駆動させて前記半導体ウ
   エハが通過する移送領域に清浄なガスを所定の速度で送
   出させながら、前記半導体ウエハを移送することとし、 移送中の前記ガスの速度は、前記移送をしていないとき
   に比べて速度を大きくさせることを特徴とする半導体装
   置の製造方法。
7. 【請求項７】 複数の半導体ウエハを支持するウエハカ
   セットを収納する密閉容器を開閉させる開閉装置と、前
   記開閉装置により開口された前記密閉容器から取り出さ
   れた前記ウエハカセットをこの半導体ウエハの処理を行
   うための半導体処理装置内の所定位置まで移送するとき
   に通過する領域を局所的に清浄にするためのファン・フ
   ィルタ・ユニットとを備える半導体製造装置において、 前記密閉容器の開口を感知する第１のセンサと、 前記密閉容器の密閉を感知する第２のセンサと、 前記密閉容器内の前記ウエハカセットの有無を検知する
   第３のセンサとを備え、かつ、前記ファン・フィルタ・
   ユニットは、前記各センサからの信号に基づいて前記フ
   ァン・フィルタ・ユニットに備わるファンを駆動するた
   めのモータの回転数を可変することができる構成となっ
   ていることを特徴とする半導体製造装置。
8. 【請求項８】 複数のウエハを支持するウエハカセット
   を収納する密閉容器を開閉させる開閉装置と、前記ウエ
   ハカセットを半導体処理装置に備わるロードロック室内
   に搬送するための搬送装置と、前記搬送により前記ウエ
   ハカセットが通過する領域を局所的に清浄な雰囲気にす
   るためのファン・フィルタ・ユニットとを備える半導体
   製造装置において、 前記ファン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転
   数を可変可能な構成となっており、少なくとも前記搬送
   装置が前記ウエハカセットを搬送中は、前記ファンの回
   転数を増加させる構成となっていることを特徴とする半
   導体製造装置。
9. 【請求項９】 前記第３のセンサが前記密閉容器内に前
   記ウエハカセットが存在すると検知し、かつ、前記第１
   のセンサが前記密閉容器の開口を検知した場合に前記フ
   ァン・フィルタ・ユニットに備わるファンの回転数を増
   加させるように構成されるとともに、前記第３のセンサ
   が前記密閉容器内に前記ウエハカセットが存在すると検
   知し、かつ、前記第２のセンサが前記密閉容器の密閉を
   検知した場合に前記ファン・フィルタ・ユニットに備わ
   るファンの回転数を減少させるように構成されているこ
   とを特徴とする請求項７記載の半導体製造装置。