JP2002229482A

JP2002229482A - 発光装置

Info

Publication number: JP2002229482A
Application number: JP2001022486A
Authority: JP
Inventors: Hajime Kimura; 肇木村
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2001-01-30
Filing date: 2001-01-30
Publication date: 2002-08-14
Anticipated expiration: 2021-01-30
Also published as: US6828725B2; US20020101152A1; TW536837B; JP4693253B2

Abstract

(57)【要約】【課題】発光素子を有する発光装置において、光の取り
出し効率を向上する。【解決手段】発光装置に光反射物を設けることにより、
有機化合物層から発せられ、基板と空気との界面におい
て全反射していた光が、光反射物において反射し、外部
に達することができるようになった。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た発光素子を、該基板とカバー材の間に封入した発光パ
ネルに関する。また、該発光パネルに駆動回路を実装し
た発光モジュールに関する。なお本明細書において、発
光パネル及び発光モジュールを発光装置と総称する。具
体的には、発光素子からの光の取り出し効率の向上に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、基板上にＴＦＴを形成する技術が
大幅に進歩し、アクティブマトリクス型表示装置（発光
装置）への応用開発が進められている。特に、ポリシリ
コン膜を用いたＴＦＴは、従来のアモルファスシリコン
膜を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度（モビリティと
もいう）が高いので、高速動作が可能である。そのた
め、従来、基板外の駆動回路で行っていた画素の制御
を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行うこと
が可能となっている。

【０００３】このようなアクティブマトリクス型の発光
装置は、同一基板上に様々な回路や素子を作り込むこと
で製造コストの低減、電気光学装置の小型化、歩留まり
の上昇、スループットの低減など、様々な利点が得られ
る。

【０００４】そしてさらに、自発光型素子として発光素
子を有したアクティブマトリクス型の発光装置の研究が
活発化している。

【０００５】なお、本明細書では、発光素子は一対の電
極（陽極と陰極）間に有機化合物層が挟まれた構造とな
っている。有機化合物層は、積層構造となっている場合
もあり、一例として、正孔輸送層／有機有機化合物層／
電子輸送層という積層構造が挙げられる。本明細書中で
は、キャリアの注入、輸送または再結合が行われる層を
すべて含めて有機化合物層という。また、有機化合物層
におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底
状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底
状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明はど
ちらの発光を用いた発光装置にも適用可能である。

【０００６】発光素子が有する有機化合物層は熱、光、
水分、酸素等によって劣化が促進されることから、一般
的にアクティブマトリクス型の発光装置の作製におい
て、画素部に配線やＴＦＴを形成した後に発光素子が形
成される。

【０００７】そして発光素子が形成された後、発光素子
が設けられた基板とカバー材とを、発光素子が外気に曝
されないように貼り合わせてシール材等により封止（パ
ッケージング）する。

【０００８】パッケージング等の処理により気密性を高
めたら、基板上に形成された発光素子又は回路から引き
回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネク
ター（ＦＰＣ、ＴＡＢ等）を取り付けて、アクティブマ
トリクス型の発光装置が完成する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】光の屈折について説明
する。光の屈折の角度は、図１５に示すように入射光の
角度（入射角）とその媒質の屈折率により決まる。さら
に、この関係は以下の数１（スネルの法則）に従う。屈
折率がｎ₁である媒質８０１においてθ₁の角度で入射し
た光（入射光）が、屈折率がｎ₂である媒質８０２に出
射するとき、以下の数１を満たすような角度θ₂の光
（屈折光）となる。

【００１０】

【数１】ｎ₁*sinθ₁＝ｎ₂*sinθ₂・・・（１）

【００１１】屈折光または透過光の角度θ₂が９０°と
なるような入射角θ₁を臨界角とよぶ。また、媒質８０
２に対する入射角θ₁が臨界角よりも大きくなるとき
に、入射光は全反射する。つまり、光が媒質８０１に閉
じ込められることになる。

【００１２】次に媒質８０１がガラス（ｎ₁＝１．５
２）であり、媒質８０２が空気（ｎ₂＝１．００）であ
る場合において、入射角と反射率の関係を図１６に示
す。

【００１３】図１６から、界面への反射率が３５°以上
になると、反射率が急増していることが分かる。また、
界面への入射角が４１°以上になると、光は全反射し、
媒質８０１のガラスの外に光が出ることは出来ない。

【００１４】なお、本明細書において、臨界角とは、光
が、媒質１と媒質２の界面で全反射する角度であり、該
角度以上は全て全反射してしまう角度のことを示す。勿
論、臨界角は、媒質によって異なる。例えば、媒質８０
１がガラスであり、媒質８０２が空気である場合は、臨
界角は４１°になる。また、媒質８０１がアクリルであ
り、媒質８０２が空気の場合は、臨界角は４２．２°に
なる。

【００１５】図１７を参照する。２０２は有機化合物層
であり、図１７に示す有機化合物層２０２からの矢印
は、有機化合物層２０２から発せられた光を示してい
る。有機化合物層２０２から発せられた光は、あらゆる
方向に拡散し、基板２０８の底面と空気２０９との界面
に入射する。光は屈折率の高い媒質に進む性質があるた
め、基板２０８と空気２０９の界面への入射角の小さい
光のみが空気２０９の方へ達することができる。

【００１６】ここで、図１７に示す基板２０８をガラス
基板（屈折率を１．５２）とする。図１６のグラフか
ら、入射角が３５°以上４１．１°以下の光は、界面で
の反射率が急上昇し、入射角４１．１°以上の光は、界
面で全反射するため、基板２０８の外には出られない。
そのため、有機化合物層２０２から発光した光を取り出
すときの取り出し効率は２０〜５０％と低い値であっ
た。

【００１７】なお、本明細書中では、基板２０８の屈折
率と空気２０９との屈折率との差が非常に大きく、また
説明を簡単にするために、有機化合物層２０２から発せ
られた光が、ゲート絶縁膜や層間絶縁膜などの固体薄膜
の界面で屈折したり、反射したりする光は無視すること
にする。実際は、透明電極と層間絶縁膜との界面や層間
絶縁膜とゲート絶縁膜との界面などにおいて全反射した
り、屈折したりする光は存在する。

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされたものであり、本発明の発光装置の構
造を図１（Ａ）に示す。図１（Ａ）に示す有機化合物層
２０２からの矢印は、有機化合物層２０２から発せられ
た光を示している。

【００１８】図１において、２０１は透明電極（画素電
極）、２０２は有機化合物層、２０３は陰極である。透
明電極２０１と、有機化合物層２０２と、陰極２０３と
が重なった部分が発光素子２００に相当する。２０２は
光反射物である。２０８は絶縁表面を有する基板であ
り、２０９は空気、２０５は第一層間絶縁膜、２０４は
第二層間絶縁膜である。また、２０７はパッシベーショ
ン膜である。

【００１９】本発明では、図１（Ａ）に示すように、有
機化合物層２０２の近くに光反射物２２０を形成する。
光反射物２２０は、有機化合物層２０２から基板２０８
に対して垂直に発せられる光に対して傾いている。本明
細書では、有機化合物層２０２から基板２０８に対して
垂直に発せられる光に対しての光反射物２２０の角度
を、光反射物２２０のテーパー角とよぶ。

【００２０】また、本明細書中において、光反射物と
は、光を反射させる機能を有するものとする。具体的に
は、有機化合物層で発光して固体薄膜を透過した光を、
光反射物において反射させる機能を有するものとする。

【００２１】図１（Ｂ）を参照する。図１（Ｂ）は図１
（Ａ）の点線で囲まれた部分を拡大した図である。な
お、図１（Ｂ）において、説明を簡単にするために、透
明電極２０１は省略している。有機化合物層２０２から
の出射角θaが大きい光は、光反射物２２０に当たり反
射される。そして、基板２０８と空気２０９との界面へ
入射角θcで入射する。この際、光反射物２２０は基板
２０８に対して傾いているため、入射角θcは出射角θa
よりも必ず小さくなる。その結果、光反射物２２０に反
射した光は、空気２０９に達することができる。

【００２２】次に、光反射物２２０が存在しない場合
を、図１（Ｂ）において、点線の矢印で示す。有機化合
物層２０２からの出射角θaの光は、基板２０８と空気
２０９との界面において、入射角θaで入射する。この
場合の入射角θaは、出射角θaと等しく、値が大きいた
め、基板２０８と空気２０９との界面において全反射
し、空気２０９に達することはできない。

【００２３】また、有機化合物層２０２からの出射角θ
aが小さい光は光反射物２２０には当たらず、光反射物
２２０の影響を受けることなく、空気２０９（外部）に
達することができる。

【００２４】以上のように、有機化合物層２０２から発
せられ、基板２０８と空気２０９との界面において全反
射していた光が、光反射物２２０において反射し、空気
２０９に達することができるようになった。その結果、
光の取り出し効率は改善される。

【００２５】次に、本発明の発光装置に設けられる光反
射物のテーパー角について、図１３を用いて説明する。
図１３は、図１（Ｂ）において点線で示す部分を拡大し
た図であり、有機化合物層２０２から発せられた光が、
光反射物２２０に反射し、基板２０８の外に取り出され
た場合を示している。

【００２６】図１３において、θaは、有機化合物層２
０２から発せられた光の出射角とする。θbは、光反射
物２２０のテーパー角を示しており、テーパー角とは有
機化合物層２０２から基板２０８に向かって垂直に発せ
られる光に対しての光反射物２２０の角度である。θc
は、光反射物２２０で反射した光の基板２０８と空気２
０８との界面への入射角を示している。ここで、θaか
らθbを引いた角をθeとおくと、式の式が求められ
る。

【００２７】

【数２】 θe＝θa−θb・・・（２）

【００２８】また、θcは、θbからθeをひいた角とな
るので、式の式が求められる。

【００２９】

【数３】 θc＝θb−θe・・・（３）

【００３０】上記の式（２）と式（３）の式から、θ
a、θb、θcの関係を表す式（４）の式が求められる。

【００３１】

【数４】 θc＝２θb−θa・・・（４）

【００３２】基板２０８をガラス基板とすると、基板２
０８の屈折率は１．５２となる。空気２０９の屈折率は
１．０なので、図１６のグラフより、基板２０８と空気
２０９の界面での臨界角は４１°となる。つまり、θa
＞４１°の光は、光反射物２２０が無い場合、基板２０
８の外に取り出すことは出来ない。そのため、θaは４
１°以上の場合について考えればよい。次にθcについ
て考えると、θcは、光反射物２２０に反射した光を基
板２０８の外に取り出すためには、以下の式（５）を満
たすことが必要となる。

【００３３】

【数５】 −４１°＜θc＜４１°・・・（５）

【００３４】次に、式（５）に式（４）を代入してみる
と、以下の式（６）が求められる。

【００３５】

【数６】 −４１°＜２θb−θa＜４１°・・・（６）

【００３６】式（６）を整理すると、以下の式（７）が
求められる。

【００３７】

【数７】（−４１°+θa）/２＜θb＜（４１°+θa）/２・・・（７）

【００３８】ここで、θaは４１°以上の場合について
考えればよい。まず、θa＝４１°を式（７）に代入す
る。すると、以下の式（８）が求められる。

【００３９】

【数８】０°＜θb＜４１°・・・（８）

【００４０】次に、θa＝４２°を式（７）に代入する
と、以下の式（９）が求められる。

【００４１】

【数９】０．５°＜θb＜４１．５°・・・（９）

【００４２】次に、θa＝６０°を式（７）に代入する
と、以下の式（１０）が求められる。

【００４３】

【数１０】８．５°＜θb＜５０．５°・・・（１０）

【００４４】次に、θa＝９０°を式（７）に代入する
と、以下の式（１１）が求められる。

【００４５】

【数１１】２４．５°＜θb＜６５．５°・・・（１１）

【００４６】上記のとおり、θaの値によって、θbの角
度範囲は異なることが分かる。しかし、式（１１）よ
り、θaの最大値（＝９０°）のとき、θb＜６５．５°
であるので、θbの最大値は、６５．５°であることが
分かる。また、θbを６５．５°よりも大きくする必要
がないことが分かる。

【００４７】θbを６５．５°よりも大きくする必要の
ない場合は、基板２０８がガラス基板の場合である。次
に、基板２０８と空気２０９との界面での臨界角をθf
として、光反射物２２０のテーパー角θbの最大値を求
めることにする。式（７）に、臨界角であるθfを代入
すると、以下の式（１２）が求められる。

【００４８】

【数１２】（−θf+θa）/２＜θb＜（θa+θf）/２・・・（１２）

【００４９】ここで、θbの最大値は、θaの最大値（＝
９０°）を式（１２）に代入し、求めることができる。

【００５０】

【数１３】 θb＜（９０°+θf）/２・・・（１３）

【００５１】式（１３）を整理すると、以下の式（１
４）を求めることができる。

【００５２】

【数１４】 θb＜（４５°+θf /２）・・・（１４）

【００５３】上記のとおり、光反射物２２０のテーパー
角は、式（１４）を満たすような角度になるように形成
するとよい。

【００５４】

【発明の実施の形態】（実施形態１）本実施の形態で
は、ＴＦＴに接するように設けられた第一の絶縁膜に開
孔（コンタクトホール）を形成し、該開孔（コンタクト
ホール）を覆うように光反射物を形成した例について、
図２及び図３を用いて説明する。図２は、本実施の形態
の断面構造を示した図であり、図３は一画素を示した上
面図である。また、図２は図３のＡ−Ａ`の断面図であ
り、図２及び図３において、適宜同じ番号を使用するの
で参照するとよい。

【００５５】図２において、２０１は透明な金属材料か
らなる透明電極（陽極）である。なお、透明電極（陽
極）として酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜や酸化イ
ンジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合し
た透明導電膜を用いると良い。さらに可視光の透過率や
導電率を高めるためにガリウム（Ｇａ）を添加した酸化
亜鉛（ＺｎＯ：Ｇａ）といった酸化物導電膜を好適に用
いることができる。

【００５６】２０２は有機化合物層であり、２０３は陰
極である。また、陰極２０３には、ＭｇＡｇやＬｉＦ/
Ａｌのような公知の材料を用いることができる。発光素
子２００の有機化合物層２０２において陰極２０３から
注入される電子と陽極から注入される正孔の再結合によ
り発光が生じる。また、陰極２０３上には、保護膜とし
て機能するパッシベーション膜２０７が設けられてい
る。

【００５７】また、絶縁表面を有する基板２０８上には
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。なお、
本明細書で、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とは、半導体
膜、並びに該半導体膜に接するように形成されたゲート
絶縁膜及びゲート絶縁膜に接するように形成されたゲー
ト電極からなるものを示す。図２には、画素内部に形成
された透明電極２０１と電気的に接続されている電流制
御用ＴＦＴ２０６が示されている。また、２２０は光反
射物、２０９は空気、２０５は第一層間絶縁膜、２０４
は第二層間絶縁膜、２０７はパッシベーション膜であ
る。また、２１１は電源線、２１２はゲート電極、２２
１は接続配線、２１３はソース線である。

【００５８】本実施の形態では、作製工程において、絶
縁表面を有する基板２０８上に電流制御用ＴＦＴ２０６
のゲート電極２１２とゲート線２１７を同時に形成した
後、電流制御用ＴＦＴ２０６とゲート線２１７を覆うよ
うに第一層間絶縁膜２０５を形成する。そして第一層間
絶縁膜２０５に、電源線２１１、接続配線２２１及び光
反射物２２０を形成するための開孔（コンタクトホー
ル）を形成する。

【００５９】電源線２１１は、第一層間絶縁膜２０５に
形成された開孔（コンタクトホール）を介して電流制御
用ＴＦＴ２０６に接続するように形成する。接続配線２
２１は、第一層間絶縁膜２０５に形成された開孔（コン
タクトホール）を介して電流制御用ＴＦＴ２０６に接続
するように形成する。そして、電源線２１１および接続
配線２２１と光反射物２２０を同時に形成する。そのた
め、電源線２１１および接続配線２２１と光反射物２２
０の材料は同じであることが好ましい。しかし、本発明
はこれに限定されず、電源線２１１および接続配線２２
１と光反射物２２０を異なる材料で別々に形成してもよ
い。

【００６０】そして、透明電極２０１は、第一層間絶縁
膜２０５を覆うように形成し、その際、接続配線２２１
と透明電極２０１は電気的に接続されるようにする。

【００６１】次に、透明電極２０１と、接続配線２２１
と、電源線２１１を覆うように、第一層間絶縁膜２０５
上に第二層間絶縁膜２０４が形成される。その後、第二
層間絶縁膜は一部エッチングされ、透明電極２０１は露
出した状態となる。

【００６２】そして、透明電極２０１と第二層間絶縁膜
２０４を覆って、有機化合物層２０２と、陰極２０３
と、パッシベーション膜２０７とを順に積層して形成す
る。透明電極２０１と、有機化合物層２０２と、陰極２
０３とが重なっている部分が発光素子２００に相当す
る。

【００６３】なお、２２０に用いられる材料としては、
反射率の高い材料を用いることが好ましい。具体的に
は、可視光領域における光の反射率が６０％以上である
ことが好ましく、さらに好ましくは８０％以上である材
料のことをいう。具体的には、Ａｇ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｐｂといった材料のこと
をいう。

【００６４】また、電流制御用ＴＦＴ２０６の極性は、
ｎチャネル型でもｐチャネル型でもどちらでも良い。た
だし、図２では、透明電極２０１は陽極であるため、ｐ
チャネル型であるのが望ましい。

【００６５】また、図２に示す有機化合物層２０２から
の矢印は、有機化合物層２０２から発せられた光を示し
ている。有機化合物層２０２から発せられた光のうち出
射角の大きい光は、光反射物２２０に反射して、空気２
０９に達することができる。

【００６６】なお、図２及び図３では、光反射物２２０
を覆うように透明電極２０２が形成されているが、本発
明はこれに限定されず、光反射物２２０を覆うように透
明電極２０２が形成されなくてもよい。また、図２及び
図３では、光反射物２２０とソース配線２１３及び電源
線２１１は接続しないように形成されているが、接続さ
れていてもよい。ただし、その場合は、画素に流れる電
流がショートしないように、光反射物２２０と透明電極
２０１が電気的に接続しないようにする必要がある。

【００６７】また、図３において、光反射物２２０は、
開孔（コンタクトホール）を覆うように形成されるが、
図を見やすくするため、開孔（コンタクトホール）の印
は図示せずに、光反射物２２０が形成される箇所を点線
で示すのみとした。また、画素に光反射物２２０が形成
される場所は、特に限定されず、設計者が適宜設計する
ことが可能である。

【００６８】図４は、図２及び図３で示した本実施の形
態の一画素分の発光領域と反射領域を示した図である。
ここで発光領域とは、発光素子２００が形成されている
領域であり、反射領域とは、光反射物２２０が形成され
ている領域を示す。図４（Ａ）は、光反射物を設けない
場合を示しており、画素は発光領域のみを有している。
図４（Ｂ）は、本発明の光反射物２２０が設けられた場
合を示しており、発光領域と反射領域を有している。

【００６９】図４（Ｂ）に示すように、有機化合物層２
０２から発せられた光が、基板２０８と空気２０９の界
面で全反射してしまい、基板２０８の外には取り出せな
かった光を、光反射物２２０を設けることによって、反
射領域から基板２０８の外に取り出すことが出来るよう
になった。その結果、有機化合物層２０２から発せられ
た光の取り出し効率は改善される。

【００７０】（実施形態２）本実施の形態では、ＴＦＴ
に接するように設けられた第一の絶縁膜に開孔（コンタ
クトホール）を形成し、該開孔（コンタクトホール）を
覆うように発光素子の用いられる陰極を形成した発光装
置について、図５及び図６を用いて説明する。図５は、
断面構造を示した図であり、図６は一画素を示した上面
図である。また、図５は図６のＡ−Ａ`の断面図であ
り、図５及び図６においては、適宜同じ番号を使用する
ので参照するとよい。

【００７１】図５において、２０１は透明電極、２０２
は有機化合物層、２０３は陰極である。透明電極２０１
と、有機化合物層２０２と、陰極２０３とが重なった部
分が発光素子２００に相当する。２０２は光反射物であ
る。電流制御用ＴＦＴ２０６は、絶縁表面を有する基板
２０８に形成されており、２０９は空気、２０５は第一
層間絶縁膜、２０４は第二層間絶縁膜、２０７はパッシ
ベーション膜である。また、２１１は電源線、２１２は
ゲート電極、２２１は接続配線、２１３はソース線であ
る。

【００７２】本実施の形態では、作製工程において、絶
縁表面を有する基板２０８上に電流制御用ＴＦＴ２０６
のゲート電極２１２とゲート線２１７を同時に形成した
後、電流制御用ＴＦＴ２０６とゲート線２１７を覆うよ
うに第一層間絶縁膜２０５を形成する。そして第一層間
絶縁膜２０５に、電源線２１１、接続配線２２１及び光
反射物２２０を形成するための開孔（コンタクトホー
ル）を形成する。

【００７３】電源線２１１は、第一層間絶縁膜２０５に
形成された開孔（コンタクトホール）を介して電流制御
用ＴＦＴ２０６に接続するように形成する。接続配線２
２１は、第一層間絶縁膜２０５に形成された開孔（コン
タクトホール）を介して電流制御用ＴＦＴ２０６に接続
するように形成する。そして、電源線２１１および接続
配線２２１を同時に形成する。そのため、電源線２１１
と接続配線２２１の材料は同じであることが好ましい。

【００７４】そして、透明電極２０１は、第一層間絶縁
膜２０５を覆うように形成し、その際、接続配線２２１
と透明電極２０１は電気的に接続されるようにする。な
お、透明電極２０１を形成する際には、光反射物２２０
を形成するための開孔（コンタクトホール）にレジスト
マスクなどを形成し、開孔（コンタクトホール）上には
透明電極が形成されないよう注意する。

【００７５】次に、透明電極２０１と、接続配線２２１
と、電源線２１１を覆うように、第一層間絶縁膜２０５
上に第二層間絶縁膜２０４が形成される。透明電極２０
１は露出するように、第二層間絶縁膜２０４は一部エッ
チングされる。

【００７６】そして、透明電極２０１と第二層間絶縁膜
２０４を覆って、有機化合物層２０２と、陰極２０３
と、パッシベーション膜２０７とを順に積層して形成す
る。その際同時に、光反射物２２０を形成するための開
孔（コンタクトホール）を覆うように、有機化合物層２
０２と、陰極２０３と、パッシベーション膜２０７とを
順に積層して形成する。透明電極２０１と、有機化合物
層２０２と、陰極２０３とが重なっている部分が発光素
子に相当する。

【００７７】また、電流制御用ＴＦＴ２０６の極性は、
ｎチャネル型でもｐチャネル型でもどちらでも良い。た
だし、図５では、透明電極２０１は陽極であるため、ｐ
チャネル型であるのが望ましい。

【００７８】図５に示す有機化合物層２０２からの矢印
は、有機化合物層２０２から発せられた光を示してい
る。光反射物２２０は、基板２０８に対して傾いている
ため、有機化合物層２０２から発せられた光のうち出射
角の大きい光は、光反射物２２０に反射して、基板２０
８の外に出ることができる。

【００７９】なお、図５では、光反射物２２０を形成す
るための開孔（コンタクトホール）に、第一層間絶縁膜
２０５に接するように有機化合物層２０２を形成し、前
記有機化合物層２０２上に陰極２０３を形成し、前記陰
極２０３上にパッシベーション膜２０７を形成している
が、本発明はこれに限定されない。有機化合物層２０２
から発せられた光は、陰極２０３に反射する。そのた
め、開孔（コンタクトホール）を覆うように陰極２０３
のみを形成してもよい。

【００８０】また、図６において、光反射物２２０は、
開孔（コンタクトホール）を覆うように形成されるが、
図を見やすくするため、開孔（コンタクトホール）の印
は図示せずに、光反射物２２０が形成される箇所を点線
で示すのみとした。また、画素に光反射物２２０が形成
される場所は、特に限定されず、設計者が適宜設計する
ことが可能である。

【００８１】なお、本実施の形態は、実施の形態１と自
由に組み合わせることが可能である。

【００８２】（実施形態３）本実施の形態では、光反射
物として発光素子が有する陰極を用いる例について、実
施の形態２とは異なる場合を説明する。図７は、断面構
造を示した図であり、図８は一画素の上面図を示した図
である。また、図７は図８のＡ−Ａ`の断面図であり、
図７及び図８においては、適宜同じ番号を使用するので
参考にするとよい。

【００８３】図７において、２０１は透明電極、２０２
は有機化合物層、２０３は陰極である。透明電極２０１
と、有機化合物層２０２と、陰極２０３とが重なった部
分が発光素子２００に相当する。２０２は光反射物であ
る。電流制御用ＴＦＴ２０６は、絶縁表面を有する基板
２０８に形成されており、２０９は空気、２０５は第一
層間絶縁膜、２０４は第二層間絶縁膜、２１５は第三層
間絶縁膜、２０７はパッシベーション膜である。また、
２１１は電源線、２１２はゲート電極、２２１は接続配
線、２１３はソース線である。

【００８４】本実施の形態では、作製工程において、絶
縁表面を有する基板２０８上に電流制御用ＴＦＴ２０６
のゲート電極２１２とゲート線２１７を同時に形成した
後、電流制御用ＴＦＴ２０６とゲート線２１７を覆うよ
うに第一層間絶縁膜２０５を形成する。そして第一層間
絶縁膜２０５に、電源線２１１、接続配線２２１及び光
反射物２２０のための開孔（コンタクトホール）を形成
する。

【００８５】電源線２１１は、第一層間絶縁膜２０５に
形成された開孔（コンタクトホール）を介して電流制御
用ＴＦＴ２０６に接続するように形成する。接続配線２
２１は、第一層間絶縁膜２０５に形成された開孔（コン
タクトホール）を介して電流制御用ＴＦＴ２０６に接続
するように形成する。そして、電源線２１１及び接続配
線２２１とソース線２１３を形成する。

【００８６】そして、電源線２１１及び接続配線２２１
とソース線２１３を覆うように第一層間絶縁膜２０５を
形成する。そして、第一層間絶縁膜２０５に、透明電極
２０１が接続配線２２１と電気的に接続できるように開
孔（コンタクトホール）を形成する。その際、同時に光
反射物２２０を形成するための開孔（コンタクトホー
ル）を形成する。

【００８７】そして、透明電極２０１は、第２層間絶縁
膜２０４を覆うように形成し、その際、接続配線２２１
と透明電極２０１は電気的に接続されるようにする。な
お、透明電極２０１を形成する際には、光反射物２２０
を形成するための開孔（コンタクトホール）にレジスト
マスクなどを形成し、開孔（コンタクトホール）上には
透明電極が形成されないようにする。

【００８８】次に、透明電極２０１を覆うように、第二
層間絶縁膜２０４上に第三層間絶縁膜２１５が形成され
る。その後、第三層間絶縁膜２１５は一部エッチングさ
れ、透明電極２０１は露出した状態となる。

【００８９】そして、透明電極２０１と第三層間絶縁膜
２１５を覆って、有機化合物層２０２と、陰極２０３
と、パッシベーション膜２０７とを順に積層して形成す
る。その際、同時に、光反射物２２０を形成するための
開孔（コンタクトホール）を覆うように、有機化合物層
２０２と、陰極２０３と、パッシベーション膜２０７と
を順に積層して形成する。透明電極２０１と、有機化合
物層２０２と、陰極２０３とが重なっている部分が発光
素子に相当する。

【００９０】また、電流制御用ＴＦＴ２０６の極性は、
ｎチャネル型でもｐチャネル型でもどちらでも良い。た
だし、図５では、透明電極２０１は陽極であるため、ｐ
チャネル型であるのが望ましい。

【００９１】なお、光反射物２２０を形成するための開
孔（コンタクトホール）は、第一層間絶縁膜２０５を形
成し、第二層間絶縁膜２０４を形成した後に開けてもよ
いし、第一層間絶縁膜２０５を形成した後と、第二層間
絶縁膜２０４を形成した後の複数回に分けて形成しても
よい。

【００９２】また、図７に示す有機化合物層２０２から
の矢印は、有機化合物層２０２から発せられた光を示し
ている。光反射物２２０は、基板２０８に対して傾いて
いるため、有機化合物層２０２から発せられた光のうち
出射角の大きい光は、光反射物２２０に反射して、基板
２０８の外に出ることができる。

【００９３】なお、図７では、光反射物２２０を形成す
るための開孔（コンタクトホール）に、第一層間絶縁膜
２０５及び第二層間絶縁膜２０４に接するように有機化
合物層２０２を形成し、前記有機化合物層２０２上に陰
極２０３を形成し、前記陰極２０３上にパッシベーショ
ン膜を形成しているが、本発明はこれに限定されない。
有機化合物層２０２から発せられた光は、陰極２０３に
反射する。そのため、開孔（コンタクトホール）を覆う
ように、陰極２０３のみを形成してもよい。また、光反
射物を形成するための開孔（コンタクトホール）に金属
膜を形成し、該金属膜上に有機化合物層及び陰極を形成
してもよい。

【００９４】また、図８において、光反射物２２０は、
開孔（コンタクトホール）を覆うように形成されるが、
図を見やすくするため、開孔（コンタクトホール）の印
は図示せずに、光反射物２２０が形成される箇所を点線
で示すのみとした。また、画素に光反射物２２０が形成
される場所は、特に限定されず、設計者が適宜設計する
ことが可能である。

【００９５】また、本実施の形態では、光反射物２２０
を形成するための開孔（コンタクトホール）に陰極２０
３を形成したが、本発明はそれに限定されず、電源線２
１１、ソース線２１３と同じ材料を用いて形成してもよ
い。その場合、光反射物２２０とソース配線２１３及び
電源線２１１は接続しないように形成してもよいし、接
続するように形成してもよい。ただし、その場合は、画
素に流れる電流がショートしないように、光反射物２２
０と透明電極２０１が電気的に接続しないようにする必
要がある。

【００９６】なお、本実施の形態は、実施の形態１及び
実施の形態２と自由に組み合わせることが可能である。

【００９７】（実施形態４）本実施の形態では、光反射
物として発光素子が有する陰極を用いる例について、実
施の形態２及び実施の形態３とは異なる場合を説明す
る。図９は、断面構造を示した図であり、図１０は一画
素を示した上面図である。また、図９は図１０のＡ−Ａ
`の断面図であり、図９及び図１０においては、適宜同
じ番号を使用するので参考にするとよい。

【００９８】図９において、２０１は透明電極、２０２
は有機化合物層、２０３は陰極である。透明電極２０１
と、有機化合物層２０２と、陰極２０３とが重なった部
分が発光素子２００に相当する。２２０は光反射物であ
る。電流制御用ＴＦＴ２０６は、絶縁表面を有する基板
２０８に形成されており、２０９は空気、２０５は第一
層間絶縁膜、２０４は第二層間絶縁膜、２０７はパッシ
ベーション膜、２１４は樹脂膜である。また、２１１は
電源線、２１２はゲート電極、２２１は接続配線、２１
３はソース線である。

【００９９】本実施の形態では、作製工程において、絶
縁表面を有する基板２０８上に電流制御用ＴＦＴ２０６
のゲート電極２１２とゲート線２１７を同時に形成した
後、電流制御用ＴＦＴ２０６とゲート線２１７を覆うよ
うに第一層間絶縁膜２０５を形成する。そして第一層間
絶縁膜２０５に、電源線２１１、接続配線２２１及び光
反射物２２０のための開孔（コンタクトホール）を形成
する。

【０１００】電源線２１１は、第一層間絶縁膜２０５に
形成された開孔（コンタクトホール）を介して電流制御
用ＴＦＴ２０６に接続するように形成する。接続配線２
２１は、第一層間絶縁膜２０５に形成された開孔（コン
タクトホール）を介して電流制御用ＴＦＴ２０６に接続
するように形成する。そして、電源線２１１及び接続配
線２２１とソース線２１３を同時に形成する。

【０１０１】次に、第一層間絶縁膜２０５と、電源線２
１１と、接続配線２２１と、ソース配線２１３とを覆う
ように、樹脂膜２１４を形成する。そして樹脂膜２１４
のパターニングを行う。その際、樹脂膜２１４上に形成
される透明電極２０２と接続配線２２１が電気的に接続
されるようにパターニングを行う必要がある。また、樹
脂膜２１４は電源線２１１を作成する前に形成してもよ
い。

【０１０２】図９及び図１０では、樹脂膜２１４は、透
明電極２０１と重なるように、光反射物２２０を除いた
箇所に形成されているが、本発明はこれに限定されな
い。樹脂膜２１４を全面に塗布し、その後パターニング
をする箇所は設計者が適宜決めることができる。また、
樹脂膜を、柱状となるようにパターニングしてもよい。
そして、柱状の樹脂膜を画素に複数形成されるようにし
てもよい。

【０１０３】樹脂膜２１４の厚さは、２〜５０μｍが好
ましく、前記範囲内で可能な限りなるべく高く形成する
とよい。樹脂膜２１４の材料は、球状のＳｉＯ₂（二酸
化珪素）やポリスチレンや、ポリイミド、ポリアミド、
アクリル、ポリビニルシンナメートのうちいずれか一つ
を主成分とするものを用いることが可能である。また上
記以外にも、液晶表示装置などに用いられる公知のスペ
ーサの材料を用いることができる。

【０１０４】そして、透明電極２０１は、第１層間絶縁
膜２０４及び樹脂膜２１４の大部分を覆うように形成
し、その際、接続配線２２１と透明電極２０１は電気的
に接続されるようにする。なお、透明電極２０１を形成
する際には、光反射物２２０を形成するための開孔（コ
ンタクトホール）にはレジストマスクなどを形成し、開
孔（コンタクトホール）上には透明電極が形成されない
ようにする。

【０１０５】次に、透明電極２０１を覆うように、第二
層間絶縁膜２０４が形成される。その後、第二層間絶縁
膜２０４は一部エッチングされ、透明電極２０１は露出
した状態となる。

【０１０６】そして、透明電極２０１と第二層間絶縁膜
２０４を覆って、有機化合物層２０２と、陰極２０３
と、パッシベーション膜２０７とを順に積層して形成す
る。その際、同時に、光反射物２２０を形成するための
開孔（コンタクトホール）を覆うように、有機化合物層
２０２と、陰極２０３と、パッシベーション膜２０７と
を順に積層して形成する。透明電極２０１と、有機化合
物層２０２と、陰極２０３とが重なっている部分が発光
素子に相当する。

【０１０７】また、電流制御用ＴＦＴの極性は、ｎチャ
ネル型でもｐチャネル型でもどちらでも良い。ただし、
図５では、透明電極２０１は陽極であるため、ｐチャネ
ル型であるのが望ましい。

【０１０８】なお、光反射物２２０を形成するための開
孔（コンタクトホール）は、第一層間絶縁膜２０５を形
成し、第二層間絶縁膜２０４を形成した後に開けてもよ
いし、第一層間絶縁膜２０５を形成した後と、第二層間
絶縁膜２０４を形成した後の複数回に分けて形成しても
よい。

【０１０９】図９に示す有機化合物層２０２からの矢印
は、有機化合物層２０２から発せられた光を示してい
る。光反射物２２０は、基板２０８に対して傾いている
ため、有機化合物層２０２から発せられた光のうち出射
角の大きい光は、光反射物２２０に反射して、基板２０
８の外に出ることができる。

【０１１０】なお、図９では、光反射物２２０を形成す
るための開孔（コンタクトホール）に、第一層間絶縁膜
２０５及び第二層間絶縁膜２０４に接するように有機化
合物層２０２を形成し、前記有機化合物層２０２上に陰
極２０３を形成し、前記陰極２０３上にパッシベーショ
ン膜を形成しているが、本発明はこれに限定されない。
有機化合物層２０２から発せられた光は、陰極２０３に
反射する。そのため、開孔（コンタクトホール）を覆う
ように陰極２０３のみを形成してもよい。

【０１１１】また、図１０において、光反射物２２０
は、開孔（コンタクトホール）を覆うように形成される
が、図を見やすくするため、開孔（コンタクトホール）
の印は図示せずに、光反射物２２０が形成される箇所を
点線で示すのみとした。また、画素に光反射物２２０を
形成される場所は、特に限定されず、設計者が適宜設計
することが可能である。

【０１１２】また、本実施の形態では、光反射物２２０
を形成するための開孔（コンタクトホール）に陰極２０
３を形成したが、本発明はそれに限定されない。電源線
２１１、ソース線２１３等と同じ材料を用いて、光反射
物２２０を形成するための開孔（コンタクトホール）を
覆うように形成してもよい。その場合、光反射物２２０
とソース配線２１３及び電源線２１１は接続しないよう
に形成してもよいし、接続するように形成してもよい。
ただし、その場合は、画素に流れる電流がショートしな
いように、光反射物２２０と透明電極２０１が電気的に
接続しないようにする必要がある。

【０１１３】なお、本実施の形態は、実施の形態１乃至
実施の形態３と自由に組み合わせることが可能である。

【０１１４】（実施形態５）本実施の形態では、光反射
物として発光素子が有する陰極を用いる例について、実
施の形態２乃至実施の形態４とは異なる場合を説明す
る。図１１は、断面構造を示した断面図であり、図１２
は一画素を示した上面図である。また、図１１は図１１
のＡ−Ａ`の断面図であり、図１１及び図１２において
は、適宜同じ番号を使用するので参照するとよい。

【０１１５】図１１において、２０１は透明電極、２０
２は有機化合物層、２０３は陰極である。透明電極２０
１と、有機化合物層２０２と、陰極２０３とが重なった
部分が発光素子２００に相当する。２２０は光反射物で
ある。２０９は空気、２０５は第一層間絶縁膜、２０４
は第二層間絶縁膜、２１５は第三層間絶縁膜である。ま
た、２１１は電源線、２１２はゲート電極、２２１は接
続配線、２１３はソース線、２２２は接続配線、２２４
は容量配線である。

【０１１６】図１１に示す２０６は電流制御用ＴＦＴ、
２１９はスイッチング用ＴＦＴであり、それぞれ絶縁表
面を有する基板２０８上に形成されている。

【０１１７】電流制御用ＴＦＴ２０６とスイッチング用
ＴＦＴ２１９を覆って、第１層間絶縁膜２０５が形成さ
れている。そして第１層間絶縁膜２０５上にはソース線
２１３と、接続配線２２１、電源線２１１、接続配線２
２２とが形成されている。

【０１１８】ソース線２１３は第１層間絶縁膜２０５に
形成された開孔（コンタクトホール）を介してスイッチ
ング用ＴＦＴ２１９接続されている。また接続配線２２
１は、第１層間絶縁膜２０４に形成された開孔（コンタ
クトホール）を介して電流制御用ＴＦＴ２０６と接続さ
れている。

【０１１９】接続配線２２２は、第１層間絶縁膜２０５
に形成された開孔（コンタクトホール）を介してスイッ
チング用ＴＦＴ２１９と接続されている。また、電源線
２１１は第２層間絶縁膜１１７に形成された開孔（コン
タクトホール）を介して電流制御用ＴＦＴ２０６と接続
されている。

【０１２０】ソース線２１３と、接続配線２２１、２２
２と、電源線２１１を覆うように、第１層間絶縁膜２０
５上に第２層間絶縁膜２０４が形成されている。そして
第２層間絶縁膜２０４上に透明電極２０１が形成されて
いる。

【０１２１】透明電極２０１は第２層間絶縁膜２０４に
形成された開孔（コンタクトホール）を介して接続配線
２２１に形成されている。

【０１２２】本実施例では、接続配線２２２と容量配線
２２４との間に第２層間絶縁膜２０４が形成されている
部分において、保持容量２２３が形成されている。容量
配線２２４は透明電極２０１と同じ導電膜から形成する
ことができるため、工程数を増やさなくても保持容量を
形成することが可能である。また、スイッチング用ＴＦ
Ｔ２１９と重なるように保持容量２２３が形成されるた
めに、保持容量を形成しても開口率の低下を抑えること
ができる。

【０１２３】容量配線２２４と、透明電極２０１とを覆
うように、第２層間絶縁膜２０４上に第３層間絶縁膜２
１５が形成されている。第３層間絶縁膜２１５は一部エ
ッチングされ、透明電極２０１が露出している。

【０１２４】そして画素電極２０１と第３層間絶縁膜２
１５を覆って有機化合物層２０２と陰極２０３とが順に
積層されており、透明電極２０１と、有機化合物層２０
２と、陰極２０３とが重なっている部分が、発光素子２
００に相当する。

【０１２５】なお本実施例において、ＴＦＴは図１１に
示した構造に限定されない。また、本発明では、接続配
線２２２と容量配線２２４を用いて形成される保持容量
２２３に加えて、別の構成の保持容量を有していても良
い。

【０１２６】また、本発明では、接続配線２２２がスイ
ッチング用ＴＦＴ２１９と重なるように形成されるた
め、発光素子から発せられる光や、発光装置の外部から
入射する光がスイッチング用ＴＦＴ２１９にあたること
で、スイッチング用ＴＦＴ１０１にオフ電流が流れるの
を防ぐことができる。

【０１２７】なお本実施例では、電流制御用ＴＦＴ２０
６とスイッチング用ＴＦＴ２１９はｐチャネル型ＴＦＴ
でもｎチャネル型ＴＦＴでもどちらでも良い。ただし、
図２では透明電極２０１として陽極を用いているので、
電流制御用ＴＦＴ２０６はｐチャネル型ＴＦＴであるの
が望ましい。

【０１２８】また、本実施の形態では、画素に２つＴＦ
Ｔが設けられた例について示したが、本発明はこの構成
に限定されない。

【０１２９】また、本実施の形態は、実施の形態１乃至
実施の形態４と自由に組み合わせることが可能である。（実施形態６）本実施の形態では、実施の形態１乃至実
施の形態５とは異なる場合を説明する。図２７は、断面
構造を示した図であり、図２８は一画素を示した上面図
である。また、図２７は図２８のＡ−Ａ`の断面図であ
り、図２７及び図２８においては、適宜同じ番号を使用
するので参考にするとよい。

【０１３０】図２７において、２０１は透明電極、２０
２は有機化合物層、２０３は陰極である。透明電極２０
１と、有機化合物層２０２と、陰極２０３とが重なった
部分が発光素子２００に相当する。２２０は光反射物で
ある。電流制御用ＴＦＴ２０６は、絶縁表面を有する基
板２０８に形成されており、２０９は空気、２０５は第
一層間絶縁膜、２０４は第二層間絶縁膜、２０７はパッ
シベーション膜、２１４は樹脂膜である。また、２１１
は電源線、２１２はゲート電極、２２１は接続配線、２
１３はソース線である。

【０１３１】本実施の形態では、作製工程において、絶
縁表面を有する基板２０８上に電流制御用ＴＦＴ２０６
のゲート電極２１２とゲート線２１７を同時に形成した
後、電流制御用ＴＦＴ２０６とゲート線２１７を覆うよ
うに第一層間絶縁膜２０５を形成する。そして第一層間
絶縁膜２０５に、電源線２１１、接続配線２２１及び光
反射物２２０のための開孔（コンタクトホール）を形成
する。

【０１３２】電源線２１１は、第一層間絶縁膜２０５に
形成された開孔（コンタクトホール）を介して電流制御
用ＴＦＴ２０６に接続するように形成する。接続配線２
２１は、第一層間絶縁膜２０５に形成された開孔（コン
タクトホール）を介して電流制御用ＴＦＴ２０６に接続
するように形成する。そして、電源線２１１及び接続配
線２２１とソース線２１３を同時に形成する。

【０１３３】次に、第一層間絶縁膜２０５と、ソース配
線２１３とを覆うように、樹脂膜２１４を形成する。そ
して樹脂膜２１４のパターニングを行う。その際、樹脂
膜２１４上に形成される透明電極２０２と接続配線２２
１が電気的に接続されるようにパターニングを行う必要
がある。また、樹脂膜２１４は電源線２１１を作成する
前に作成してもよい。

【０１３４】図２７及び図２８では、樹脂膜２１４は、
透明電極２０１と重なるように、光反射物２２０を除い
た箇所に形成されているが、本発明はこれに限定されな
い。樹脂膜２１４を全面に塗布し、その後パターニング
をする箇所は設計者が適宜決めることができる。また、
樹脂膜を、柱状となるようにパターニングしてもよい。
そして、柱状の樹脂膜を画素に複数形成されるようにし
てもよい。なお、本実施の形態では樹脂膜２１４を光反
射物２２０で挟み、樹脂膜２１４上にある有機化合物層
２０２からの光は、光反射物２２０で反射させるように
なっている。そのため、柱状の樹脂膜２１４を形成する
場合は、樹脂膜２１４上に形成された有機化合物層２０
２からの光を光反射物２２０で反射出来るように、光反
射物２２０を形成するための開孔（コンタクトホール）
を、樹脂膜の周囲に形成しなければならない。

【０１３５】樹脂膜２１４の厚さは、２〜５０μｍが好
ましく、前記範囲内で可能な限りなるべく高く形成する
とよい。樹脂膜２１４の材料は、球状のＳｉＯ₂（二酸
化珪素）やポリスチレンや、ポリイミド、ポリアミド、
アクリル、ポリビニルシンナメートのうちいずれか一つ
を主成分とするものを用いることが可能である。また上
記以外にも、液晶表示装置などに用いられる公知のスペ
ーサの材料を用いることができる。

【０１３６】そして、透明電極２０１は、樹脂膜２１４
を覆うように形成し、その際、接続配線２２１と透明電
極２０１は電気的に接続されるようにする。なお、透明
電極２０１を形成する際には、光反射物２２０を形成す
るための開孔（コンタクトホール）にはレジストマスク
などを形成し、開孔（コンタクトホール）上には透明電
極が形成されないようにする。

【０１３７】次に、透明電極２０１を覆うように、第二
層間絶縁膜２０４が形成される。その後、第二層間絶縁
膜２０４は一部エッチングされ、透明電極２０１は露出
した状態となる。

【０１３８】そして、透明電極２０１と第二層間絶縁膜
２０４を覆って、有機化合物層２０２と、陰極２０３
と、パッシベーション膜２０７とを順に積層して形成す
る。その際、同時に、光反射物２２０を形成するための
開孔（コンタクトホール）を覆うように、有機化合物層
２０２と、陰極２０３と、パッシベーション膜２０７と
を順に積層して形成する。透明電極２０１と、有機化合
物層２０２と、陰極２０３とが重なっている部分が発光
素子２００に相当する。

【０１３９】また、電流制御用ＴＦＴ２０６の極性は、
ｎチャネル型でもｐチャネル型でもどちらでも良い。た
だし、図５では、透明電極２０１は陽極であるため、ｐ
チャネル型であるのが望ましい。

【０１４０】なお、光反射物２２０を形成するための開
孔（コンタクトホール）は、第一層間絶縁膜２０５を形
成し、第二層間絶縁膜２０４を形成した後に開けてもよ
いし、第一層間絶縁膜２０５を形成した後と、第二層間
絶縁膜２０４を形成した後の複数回に分けて形成しても
よい。

【０１４１】図２７に示す有機化合物層２０２からの矢
印は、有機化合物層２０２から発せられた光を示してい
る。光反射物２２０は、基板２０８に対して傾いている
ため、有機化合物層２０２から発せられた光のうち出射
角の大きい光は、光反射物２２０に反射して、基板２０
８の外に出ることができる。

【０１４２】図２８において、光反射物２２０は、開孔
（コンタクトホール）を覆うように形成されるが、図を
見やすくするため、開孔（コンタクトホール）の印は図
示せずに、光反射物２２０が形成される箇所を点線で示
すのみとした。また、画素に光反射物２２０を形成され
る場所は、特に限定されず、設計者が適宜設計すること
が可能である。また、図２７及び図２８において、透明
電極２０１と光反射物２２０は接続されているが、本発
明はこれに限定されず、接続されていなくてもよい。

【０１４３】また、電源線２１１、ソース線２１３等と
同じ材料を用いて、光反射物２２０を形成するための開
孔（コンタクトホール）を覆うように形成してもよい。
その場合、光反射物２２０とソース配線２１３及び電源
線２１１は接続しないように形成してもよいし、接続す
るように形成してもよい。ただし、その場合は、画素に
流れる電流がショートしないように、光反射物２２０と
透明電極２０１が電気的に接続しないようにする必要が
ある。

【０１４４】なお、本実施の形態は、実施の形態１乃至
実施の形態５と自由に組み合わせることが可能である。

【０１４５】

【実施例】（実施例１）本実施例では、有機化合物層２
０２と光反射物２２０との距離の関係を、図１４を用い
て求める。

【０１４６】ここで、有機化合物層２０２から光が発せ
られる領域から、光反射物２２０までの横方向の最も長
い直線距離をＬとおく。また、有機化合物層２０２から
光反射物２２０までの縦方向の最大厚さをＤとおく。こ
こで、横方向とは、有機化合物層２０２から基板２０８
に向かって垂直に発せられる光に対して、垂直な方向を
指す。縦方向とは、前記横方向に対して垂直な方向を指
す。図１４に示すように、また、有機化合物層２０２か
ら発せられる光の出射角をθaとすると、以下の式（１
５）が求められる。

【０１４７】

【数１５】ｔａｎθa＝Ｌ/Ｄ・・・（１５）

【０１４８】また、基板２０８をガラス基板とする。そ
うすると、前述したように、θa＞４１°の光は、光反
射物２２０に当たらないと、基板２０８の外に取り出す
ことが出来ない。そのため、θa＞４１°の光が、光反
射物２２０に当たるようにするためには、以下の

【数１６】が求められる。

【０１４９】

【数１６】ｔａｎ４１°＝０．８６９＜ｔａｎθa・・・（１６）

【０１５０】式（１６）に式（１５）を代入すると、以
下の式（１７）が求められる。

【０１５１】

【数１７】０．８６９＜Ｌ/Ｄ・・・（１７）

【０１５２】式（１７）より、基板２０８がガラス基板
の場合は、ＬはＤよりも小さいことが望ましいことが分
かる。また、ＬがＤよりも小さいほど、有機化合物層２
０２から発せられた光のうち、光反射物２２０に達する
光が増加することが分かる。ここで、基板２０８と空気
２０９との界面における臨界角をθfとすると、以下の
式（１８）が求められる。

【０１５３】

【数１８】ｔａｎθf＜Ｌ/Ｄ・・・（１８）

【０１５４】上記のとおり、有機化合物層２０２と光反
射物２２０の関係は、式（１８）を満たすように形成す
るとよい。

【０１５５】なお、本実施例は、実施の形態と自由に組
み合わせることが可能である。

【０１５６】（実施例２）図１８は本発明の発光装置の
画素部の回路図である。１０１はスイッチング用ＴＦ
Ｔ、１０２は電流制御用ＴＦＴ、１０３は発光素子、１
０４は保持容量である。

【０１５７】画素部にはソース線Ｓ１〜Ｓｘ、電源線Ｖ
１〜Ｖｘ、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙが形成されている。各画
素はソース線Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つと、電源線Ｖ１
〜Ｖｘのいずれか１つと、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙのいずれ
か１つとを有している。

【０１５８】なお、本実施例は、実施の形態および実施
例１と自由に組み合わせることが可能である。

【０１５９】（実施例３）図２９は本発明の発光装置の
画素部の回路図である。３０１はスイッチング用ＴＦ
Ｔ、３０２は電流制御用ＴＦＴ、３０３は発光素子、３
０４は保持容量、３０５はリセット用ＴＦＴである。

【０１６０】画素部にはソース線Ｓ１〜Ｓｘ、電源線Ｖ
１〜Ｖｘ、ゲート線Ｇ１〜Ｇｙ、リセット線Ｒ１〜Ｒｘ
が形成されている。各画素はソース線Ｓ１〜Ｓｘのいず
れか１つと、電源線Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つと、ゲー
ト線Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つと、リセット線Ｒ１〜Ｒ
ｘのいずれか一つを有している。

【０１６１】なお、本実施例は、実施の形態および実施
例１または実施例２と自由に組み合わせることが可能で
ある。

【０１６２】（実施例４）本発明の発光装置の作製方法
の一例について、図１９〜図２３を用いて説明する。こ
こでは、光反射物として金属膜を用いる例について、工
程に従って詳細に説明する。

【０１６３】まず、本実施例ではコーニング社の＃７０
５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウ
ムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラス
などのガラスからなる基板２０００を用いる。なお、基
板２０００としては、透光性を有する基板であれば良
く、石英基板を用いても良い。また、本実施例の処理温
度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いて
もよい。

【０１６４】次いで、図１９（Ａ）に示すように、基板
２０００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪
素膜などの絶縁膜から成る下地膜２０１０を形成する。
本実施例では下地膜２０１０として２層構造を用いる
が、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造
を用いても良い。下地膜２０１０の一層目としては、プ
ラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ₄、ＮＨ₃、及びＮ₂Ｏを
反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜２０１０ａを
１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）形成
する。本実施例では、膜厚５０ｎｍの酸化窒化珪素膜２
０１０ａ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４
％、Ｈ＝１７％）を形成した。次いで、下地膜２０１０
のニ層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、Ｓｉ
Ｈ₄、及びＮ₂Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪
素膜２０１０ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００
〜１５０ｎｍ）の厚さに積層形成する。本実施例では、
膜厚１００ｎｍの酸化窒化珪素膜２０１０ｂ（組成比Ｓ
ｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成
した。

【０１６５】次いで、下地膜２０１０上に半導体層２０
２０〜２０４０を形成する。半導体層２０２０〜２０４
０は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパ
ッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）に
より成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化
法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱
結晶化法等）を行って得られた結晶質半導体膜を所望の
形状にパターニングして形成する。この半導体層２０２
０〜２０４０の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０
〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料
に限定はないが、好ましくは珪素（シリコン）またはシ
リコンゲルマニウム（Ｓｉ_XＧｅ_1-X（Ｘ＝０．０００１
〜０．０２））合金などで形成すると良い。本実施例で
は、プラズマＣＶＤ法を用い、５５ｎｍの非晶質珪素膜
を成膜した後、ニッケルを含む溶液を非晶質珪素膜上に
保持させた。この非晶質珪素膜に脱水素化（５００℃、
１時間）を行った後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を
行い、さらに結晶化を改善するためのレーザーアニ―ル
処理を行って結晶質珪素膜を形成した。そして、この結
晶質珪素膜をフォトリソグラフィ法を用いたパターニン
グ処理によって、半導体層２０２０〜２０４０を形成し
た。

【０１６６】また、半導体層２０２０〜２０４０を形成
した後、ＴＦＴのしきい値を制御するために、半導体層
２０２０〜２０４０に微量な不純物元素（ボロンまたは
リン）をドーピングしてもよい。

【０１６７】また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜
を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型の
エキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ₄レーザー
を用いることができる。これらのレーザーを用いる場合
には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学
系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良
い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものである
が、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数
３００Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４
００ｍＪ／ｃｍ²(代表的には２００〜３００ｍＪ／ｃｍ
²)とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその
第２高調波を用いパルス発振周波数３０〜３００ｋＨｚ
とし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００ｍＪ／
ｃｍ²(代表的には３５０〜５００ｍＪ／ｃｍ²)とすると
良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μ
ｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射
し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバー
ラップ率）を５０〜９８％として行えばよい。

【０１６８】次いで、半導体層２０２０〜２０４０を覆
うゲート絶縁膜２０５０を形成する。ゲート絶縁膜２０
５０はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さ
を４０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成す
る。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１０ｎｍ
の厚さで酸化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５
９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成した。勿論、ゲート
絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の
珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても
良い。

【０１６９】また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラ
ズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosiliｃat
e）とＯ₂とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３０
０〜４００℃とし、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力密
度０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ²で放電させて形成すること
ができる。このようにして作製される酸化珪素膜は、そ
の後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜
として良好な特性を得ることができる。ここまでの工程
によって、図１９（Ａ）に示す断面図が完成する。

【０１７０】次いで、レジストからなるマスク２０６０
を形成し、ｎ型不純物元素（本実施例では、リン）を添
加して、高濃度にリンを含む不純物領域２０７０〜２０
９０を形成する。この領域には、リンが１×１０²⁰〜５
×１０²¹atoms/cm³、代表的には２×１０²⁰〜１×１０
²²atoms/cm³の濃度が含まれるようにする。（図１９
（Ｂ））

【０１７１】そして、ゲート絶縁膜２０５０上にゲート
電極を形成するための耐熱性導電層を形成する（図１９
（Ｃ））。耐熱性導電層２１００は単層で形成しても良
いし、必要に応じて二層あるいは三層といった複数の層
から成る積層構造としても良い。本実施例では、導電膜
（Ａ）２１００ａおよび導電膜（Ｂ）２１００ｂでなる
積層膜を形成する。耐熱性導電層にはタンタル（Ｔ
ａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングス
テン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）から選
ばれた元素、または前記元素を主成分とする導電膜（代
表的には、窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒化
チタン膜等）、または前記元素を組み合わせた合金膜
（代表的にはＭｏ−Ｗ合金膜、Ｍｏ−Ｔａ合金膜、タン
グステンシリサイド膜等）を用いることができる。が含
まれる。本実施例では、導電膜（Ａ）２１００ａとして
ＴａＮ膜、導電膜（Ｂ）２１００ｂとしてＷ膜を用い
る。これらの耐熱性導電層はスパッタ法やＣＶＤ法で形
成されるものであり、低抵抗化を図るために含有する不
純物濃度を低減させることが好ましく、特に酸素濃度に
関しては３０ｐｐｍ以下とすると良い。Ｗ膜はＷをター
ゲットとしてスパッタ法で形成しても良いし、６フッ化
タングステン（ＷＦ₆）を用いて熱ＣＶＤ法で形成する
こともできる。いずれにしてもゲート電極として使用す
るためには低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は
２０μΩｃｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒
を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、
Ｗ中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻
害され高抵抗化する。このことより、スパッタ法による
場合、純度９９．９９％または純度９９．９９９９％の
Ｗターゲットを用い、さらに成膜時に気相中からの不純
物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成すること
により、抵抗率９〜２０μΩｃｍを実現することができ
る。

【０１７２】一方、耐熱性導電層２１００にＴａ膜を用
いる場合には、同様にスパッタ法で形成することが可能
である。Ｔａ膜はスパッタガスにＡｒを用いる。また、
スパッタ時のガス中に適量のＸｅやＫｒを加えておく
と、形成する膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止す
ることができる。α相のＴａ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ
程度でありゲート電極に使用することができるが、β相
のＴａ膜の抵抗率は１８０μΩｃｍ程度でありゲート電
極とするには不向きであった。ＴａＮ膜はα相に近い結
晶構造を持つので、Ｔａ膜の下地にＴａＮ膜を形成すれ
ばα相のＴａ膜が容易に得られる。また、図示しない
が、耐熱性導電層２１００の下に２〜２０ｎｍ程度の厚
さでリン（Ｐ）をドープしたシリコン膜を形成しておく
ことは有効である。これにより、その上に形成される導
電膜の密着性向上と酸化防止を図ると同時に、耐熱性導
電層２１００が微量に含有するアルカリ金属元素が第１
の形状のゲート絶縁膜２０５０に拡散するのを防ぐこと
ができる。いずれにしても、耐熱性導電層２１００は抵
抗率を１０〜５０μΩｃｍの範囲ですることが好まし
い。

【０１７３】その後、導電膜（Ａ）２１００ａおよび導
電膜（Ｂ）２１００ｂを所望の形状にパターニングし
て、ゲート電極２１１０、２１２０及び容量電極２１３
を形成する（図１９（Ｄ））。なお図１９（Ｄ）ではわ
からないが、容量電極２１３はゲート電極２１２０と接
続されている。

【０１７４】（図１９（Ｄ））の工程が終了した時点に
おける画素の上面図を図２０に示す。（図１９（Ｄ））
は図２０に示す画素の、Ａ−Ａ’における断面図に相当
する。なお、図を分かり易くするために、ゲート絶縁膜
２０５０は省略している。また、２５００はゲート線に
相当し、ゲート電極２１１０と接続されている。

【０１７５】次いで、ゲート電極２１１０をマスクとし
て用いて、ｎ型を付与する不純物元素（以下、ｎ型不純
物元素とする）を後のＴＦＴの活性層となる半導体層２
０２０、２０３０に添加する。ｎ型不純物元素として
は、周期表の１５族に属する元素、典型的にはリンまた
はヒ素を用いることができる。この工程により、第１不
純物領域２１５０〜２１７０、２２００、２２１０、第
２不純物領域２１８０、チャネル形成領域２１９０、２
２２０が形成される。第１不純物領域２１５０と２１７
０は、一方がソース領域、もう一方がドレイン領域とし
て機能する。また第２不純物領域２１８０はＬＤＤ領域
として機能させるための低濃度不純物領域であり、ｎ型
不純物元素が１×１０¹⁶〜５×１０¹⁸atoms/cm³（代表
的には、１×１０¹⁷〜５×１０¹⁸atoms/cm³）の濃度で
含まれている（図２１（Ａ））。

【０１７６】次いで、後のｎチャネル型ＴＦＴとなる領
域をマスク２２３０で覆い、後のｐチャネル型ＴＦＴの
活性層となる半導体層２０３０にｐ型不純物元素として
ボロンを３×１０²⁰〜３×１０²¹atoms/cm³、代表的に
は５×１０²⁰〜１×１０²¹atoms/cm³の濃度が含まれる
ように添加する（図２１（Ｂ））。この工程によって、
半導体層２０３０に第３不純物領域２２４０、２２５０
が形成される。

【０１７７】次に、ゲート電極２１１０、２１２０、容
量電極２１３０およびゲート絶縁膜２０５０上に第１層
間絶縁膜２２６０を形成する。第１層間絶縁膜２２６０
は酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン
膜、またはこれらを組み合わせた積層膜で形成すれば良
い。いずれにしても第１層間絶縁膜２２６０は無機絶縁
物材料から形成する。第１層間絶縁膜２２６０の膜厚は
１００〜２００ｎｍとする。第１層間絶縁膜２２６０と
して酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ
法でＴＥＯＳとＯ₂とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基
板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６MH
z）電力密度０．５〜０．８W/cm²で放電させて形成する
ことができる。また、第１層間絶縁膜２２６０として酸
化窒化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法
でＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏ、ＮＨ₃から作製される酸化窒化シリ
コン膜、またはＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化
シリコン膜で形成すれば良い。この場合の作製条件は反
応圧力２０〜２００Ｐａ、基板温度３００〜４００℃と
し、高周波（６０MHz）電力密度０．１〜１．０W/cm²で
形成することができる。また、第１層間絶縁膜２２６０
としてＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏ、Ｈ₂から作製される酸化窒化水
素化シリコン膜を適用しても良い。窒化シリコン膜も同
様にプラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、ＮＨ₃から作製するこ
とが可能である。

【０１７８】そして、それぞれの濃度で添加されたｎ型
またはｐ型を付与する不純物元素を活性化する工程を行
う（図２１（Ｃ））。なお、本実施例でゲート電極とし
て用いている導電膜は、非常に酸化されやすく、酸化す
ると抵抗率が上がってしまうという問題があった。そこ
で、本実施例における活性化のための加熱処理は、ロー
タリーポンプおよびメカニカルブースターポンプにより
排気を行って雰囲気中の酸素濃度を低減し、減圧の雰囲
気下で加熱処理を行うことが好ましい。

【０１７９】次いで、熱的に励起された水素により活性
層中のダングリングボンドを終端する水素化のため、水
素雰囲気中で、４１０℃で１時間の加熱処理を行う。水
素化の他の手段として、プラズマにより励起された水素
を用いるプラズマ水素化を行ってもよい。

【０１８０】次いで、第２層間絶縁膜２２７０を膜厚５
００〜１０００ｎｍ（本実施例では８００ｎｍ）に形成
する。第２層間絶縁膜２２７０としては、アクリル、ポ
リイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）
といった有機絶縁膜、もしくは、酸化窒化シリコン膜も
しくは窒化酸化シリコン膜といった無機絶縁膜を用いれ
ばよい。

【０１８１】その後、所定のパターンのレジストマスク
を形成し、第１不純物領域２１５０、２１７０、第３不
純物領域２２４０、２２５０、不純物領域２０９０に達
する開孔（コンタクトホール）を形成する。ただし、図
２１（Ｄ）では不純物領域２０９０に達する開孔（コン
タクトホール）は省略している。開孔（コンタクトホー
ル）はドライエッチング法で形成する。この場合、エッ
チングガスにＣＦ₄、Ｏ₂、Ｈｅの混合ガスを用い有機樹
脂材料から成る第２層間絶縁膜２２７０をまずエッチン
グし、その後、続いてエッチングガスをＣＦ₄、Ｏ₂とし
て第１層間絶縁膜２２６０をエッチングする。さらに、
半導体層との選択比を高めるために、エッチングガスを
ＣＨＦ₃に切り替えてゲート絶縁膜２０５０をエッチン
グすることにより開孔（コンタクトホール）を形成する
ことができる。

【０１８２】そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真
空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エ
ッチングすることで、ソース線２２８０、接続配線２２
９０、２３００、電源線２３１０、光反射物２６００を
形成する。ソース線２２８０は第１不純物領域２１５０
に、接続配線２２９０は第１不純物領域２１７０に、接
続配線２３００は第３不純物領域２２００に、電源線２
３１０は第３不純物領域２２１０に接続されている。ま
た（図２１（Ｄ））では図示していないが、接続配線２
２９０は、ゲート電極２１２０と接続されている。また
（図２１（Ｄ））では図示していないが、電源線２３１
０は不純物領域２０９０に接続されている。

【０１８３】図示していないが、本実施例ではこの配線
を、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜
（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜で形成した（図２
１（Ｄ））。

【０１８４】（図２１（Ｄ））の工程が終了した時点に
おける画素の上面図を図２２に示す。（図２１（Ｄ））
は図２２に示す画素の、Ａ−Ａ’における断面図に相当
する。なお、図を分かり易くするために、ゲート絶縁膜
２０５０及び第１及び第２層間絶縁膜２２６０、２２７
０は省略している。また、２５００はゲート線である。

【０１８５】接続配線２２９０とゲート電極２１２０と
が接続されている様子を、図２０（Ａ）に示す。なお図
２０（Ａ）は図２２に示す画素の、Ｂ−Ｂ’における断
面図に相当する。接続配線２２９０は第２層間絶縁膜２
２７０及び第１層間絶縁膜２２６０に形成された開孔
（コンタクトホール）を介して、ゲート電極２１２０に
接続されている。

【０１８６】電源線２３１０と不純物領域２０９０とが
接続されている様子を、図２０（Ｂ）に示す。なお図２
０（Ｂ）は図２２に示す画素の、Ｃ−Ｃ’における断面
図に相当する。電源線２３１０は第２層間絶縁膜２２７
０及び第１層間絶縁膜２２６０に形成された開孔（コン
タクトホール）を介して、不純物領域２０９０に接続さ
れている。

【０１８７】次いで、第３層間絶縁膜２３３０を形成す
る。第３層間絶縁膜２３３０は、平坦化する必要がある
ため、ポリイミド、アクリルといった有機絶縁膜を用い
て膜厚１．５μmに形成する。そして、第３層間絶縁膜
２３３０に接続配線２３００に達する開孔（コンタクト
ホール）を形成し、次いで、第３層間絶縁膜２３３０上
に透明導電膜を８０〜１２０ｎｍの厚さで形成し、パタ
ーニングすることによって画素電極２３４０及び容量配
線２３５０を形成する（図２３（Ａ））。なお、本実施
例では、透明導電膜として酸化インジウム・スズ（ＩＴ
Ｏ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）を混合した透明導電膜を用いる。

【０１８８】容量配線２３５０は、第３層間絶縁膜２３
３０を間に介して接続配線２２９０と重なっている。本
発明では、容量配線２３５０と、第３層間絶縁膜２３３
０と、接続配線２２９０とによって、保持容量２３６０
が形成されている。

【０１８９】図２３（Ａ）の工程が終了した時点におけ
る画素の上面図を図２４に示す。図２３（Ａ）は図２４
に示す画素の、Ａ−Ａ’における断面図に相当する。な
お、図を分かり易くするために、第３層間絶縁膜２３３
０は省略している。

【０１９０】なお、図２３（Ａ）では図示していない
が、保持容量２３６０を形成している容量配線２３５０
は、隣り合う画素間で互いに接続している。

【０１９１】２２８０はソース線、２３１０は電源線で
ある。そして接続配線２２９０は図９に示すとおり、隣
接する画素間において接続または共有されており、全て
の接続配線２２９０には一定の電位が与えられている。
なお、２５００はゲート線に相当し、ゲート電極２１１
０と接続されている。

【０１９２】次に、図２３（Ｂ）に示すように、画素電
極２３４に対応する位置に開口部を有する第４層間絶縁
膜２３７０を形成する。第４層間絶縁膜２３７０は絶縁
性を有していて、バンクとして機能し、隣接する画素の
有機化合物層を分離する役割を有している。本実施例で
はレジストを用いて第４層間絶縁膜２３７０を形成す
る。

【０１９３】次に、有機化合物層２３８０を蒸着法によ
り形成し、更に蒸着法により陰極（ＭｇＡｇ電極）２３
９０および保護電極２４００を形成する。このとき有機
化合物層２３８０及び陰極２３９０を形成するに先立っ
て画素電極２３４０に対して熱処理を施し、水分を完全
に除去しておくことが望ましい。なお、本実施例では発
光素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用いるが、公知の他
の材料であっても良い。

【０１９４】なお、有機化合物層２３８０としては、公
知の材料を用いることができる。本実施例では正孔輸送
層（Hole transporting layer）及び有機化合物層（Emi
tting layer）でなる２層構造を有機化合物層とする
が、正孔注入層、電子注入層若しくは電子輸送層のいず
れかを設ける場合もある。このように組み合わせは既に
様々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いて
も構わない。

【０１９５】本実施例では正孔輸送層としてポリフェニ
レンビニレンを蒸着法により形成する。また、有機化合
物層としては、ポリビニルカルバゾールに１，３，４−
オキサジアゾール誘導体のＰＢＤを３０〜４０％分子分
散させたものを蒸着法により形成し、緑色の発光中心と
してクマリン６を約１％添加している。

【０１９６】また、保護電極２４００でも有機化合物層
２３８０を水分や酸素から保護することは可能である
が、さらに好ましくは保護膜２４１０を設けると良い。
本実施例では保護膜２４１０として３００ｎｍ厚の窒化
珪素膜を設ける。この保護膜も保護電極２４００の後に
大気解放しないで連続的に形成しても構わない。

【０１９７】また、保護電極２４００は陰極２３９０の
劣化を防ぐために設けられ、アルミニウムを主成分とす
る金属膜が代表的である。勿論、他の材料でも良い。ま
た、有機化合物層２３８０、陰極２３９０は非常に水分
に弱いので、保護電極２４００までを大気解放しないで
連続的に形成し、外気から有機化合物層を保護すること
が望ましい。

【０１９８】なお、有機化合物層２３８０の膜厚は１０
〜４００[ｎｍ]（典型的には６０〜１５０[ｎｍ]）、陰
極２３９０の厚さは８０〜２００[ｎｍ]（典型的には１
００〜１５０[ｎｍ]）とすれば良い。

【０１９９】こうして図２３（Ｂ）に示すような構造の
発光装置が完成する。なお、画素電極２３４、有機化合
物層２３８０、陰極２３９０の重なっている部分２４２
０が発光素子に相当する。

【０２００】本実施例では、不純物領域２０９０と、ゲ
ート絶縁膜２０５０と、容量電極２１３０とで、保持容
量２４３０が形成される。また、容量電極２１３０と、
第２層間絶縁膜２２７０と、電源線２３１０とで保持容
量２４４０が形成される。不純物領域２０９０と容量電
極２１３０とは電源線２１３０と重なっているので、保
持容量２４３０、２４４０は開口率を下げることなく形
成することができる。

【０２０１】なお、２４５０はスイッチング用ＴＦＴで
あり、２４６０は駆動用ＴＦＴである。

【０２０２】なお、実際には図２３（Ｂ）まで完成した
ら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガ
スの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線
硬化樹脂フィルム等）や透光性のシーリング材でパッケ
ージング（封入）することが好ましい。その際、シーリ
ング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材
料（例えば酸化バリウム）を配置したりすると発光素子
の信頼性が向上する。

【０２０３】本発明の発光装置の作製方法は、本実施例
において説明した作製方法に限定されない。本発明の発
光装置は公知の方法を用いて作成することが可能であ
る。

【０２０４】なお、本実施例は、実施の形態および実施
例１乃至実施例４と自由に組み合わせることが可能であ
る。

【０２０５】（実施例５）本実施例では、本発明を用い
て発光装置を作製した例について、図２５を用いて説明
する。

【０２０６】図２５（Ａ）は、発光素子が形成された基
板をシーリング材によって封止することによって形成さ
れた発光装置の上面図であり、図２５（Ｂ）は、図２５
（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図、図２５（Ｃ）は図２
５（Ａ）のＢ−Ｂ’における断面図である。

【０２０７】基板４００１上に設けられた画素部４００
２と、ソース線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲ
ート線駆動回路４００４ａ、ｂとを囲むようにして、シ
ール材４００９が設けられている。また画素部４００２
と、ソース線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲー
ト線駆動回路４００４ａ、ｂとの上にシーリング材４０
０８が設けられている。よって画素部４００２と、ソー
ス線駆動回路４００３と、第１及び第２のゲート線駆動
回路４００４ａ、ｂとは、基板４００１とシール材４０
０９とシーリング材４００８とによって、充填材４２１
０で密封されている。

【０２０８】また基板４００１上に設けられた画素部４
００２と、ソース線駆動回路４００３と、第１及び第２
のゲート線駆動回路４００４ａ、ｂとは、複数のＴＦＴ
を有している。ソース線駆動回路４００３はソース線に
ビデオ信号を入力する回路であり、第１及び第２のゲー
ト線駆動回路４００４ａ、ｂは、選択信号によってゲー
ト線を選択する回路である。

【０２０９】図２５（Ｂ）では代表的に、下地膜４０１
０上に形成された、ソース線駆動回路４００３に含まれ
る駆動回路用ＴＦＴ（但し、ここではｎチャネル型ＴＦ
Ｔとｐチャネル型ＴＦＴを図示する）４２０１及び画素
部４００２に含まれる駆動用ＴＦＴ（発光素子への電流
を制御するＴＦＴ）４２０２を図示した。

【０２１０】本実施例では、駆動回路用ＴＦＴ４２０１
には公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴまたは
ｎチャネル型ＴＦＴが用いられ、駆動用ＴＦＴ４２０２
には公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴが用い
られる。また、画素部４００２には駆動用ＴＦＴ４２０
２のゲートに接続された保持容量（図示せず）が設けら
れる。

【０２１１】駆動回路用ＴＦＴ４２０１及び駆動用ＴＦ
Ｔ４２０２上には層間絶縁膜（平坦化膜）４３０１が形
成され、その上に駆動用ＴＦＴ４２０２のドレインと電
気的に接続する画素電極（陽極）４２０３が形成され
る。画素電極４２０３としては仕事関数の大きい透明導
電膜が用いられる。透明導電膜としては、酸化インジウ
ムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛と
の化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを
用いることができる。また、前記透明導電膜にガリウム
を添加したものを用いても良い。

【０２１２】そして、画素電極４２０３の上には絶縁膜
４３０２が形成され、絶縁膜４３０２は画素電極４２０
３の上に開口部が形成されている。この開口部におい
て、画素電極４２０３の上には有機化合物層４２０４が
形成される。有機化合物層４２０４は公知の有機発光材
料または無機発光材料を用いることができる。また、有
機発光材料には低分子系（モノマー系）材料と高分子系
（ポリマー系）材料があるがどちらを用いても良い。

【０２１３】有機化合物層４２０４の形成方法は公知の
蒸着技術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、有
機化合物層の構造は正孔注入層、正孔輸送層、有機化合
物層、電子輸送層または電子注入層を自由に組み合わせ
て積層構造または単層構造とすれば良い。

【０２１４】有機化合物層４２０４の上には遮光性を有
する導電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を
主成分とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層
膜）からなる陰極４２０５が形成される。また、陰極４
２０５と有機化合物層４２０４の界面に存在する水分や
酸素は極力排除しておくことが望ましい。従って、有機
化合物層４２０４を窒素または希ガス雰囲気で形成し、
酸素や水分に触れさせないまま陰極４２０５を形成する
といった工夫が必要である。本実施例ではマルチチャン
バー方式（クラスターツール方式）の成膜装置を用いる
ことで上述のような成膜を可能とする。そして陰極４２
０５は所定の電圧が与えられている。

【０２１５】以上のようにして、画素電極（陽極）４２
０３、有機化合物層４２０４及び陰極４２０５からなる
発光素子４３０３が形成される。そして発光素子４３０
３を覆うように、絶縁膜４３０２上に保護膜４３０３が
形成されている。保護膜４３０３は、発光素子４３０３
に酸素や水分等が入り込むのを防ぐのに効果的である。

【０２１６】４００５ａは電源供給線に接続された引き
回し配線であり、駆動用ＴＦＴ４２０２のソース領域に
電気的に接続されている。引き回し配線４００５ａはシ
ール材４００９と基板４００１との間を通り、異方導電
性フィルム４３００を介してＦＰＣ４００６が有するＦ
ＰＣ用配線４３０１に電気的に接続される。

【０２１７】シーリング材４００８としては、ガラス
材、金属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス
材、プラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を
用いることができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ
（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌ
ａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）
フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムま
たはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。ま
た、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフ
ィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。

【０２１８】但し、発光素子からの光の放射方向がカバ
ー材側に向かう場合にはカバー材は透明でなければなら
ない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリ
エステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透明
物質を用いる。

【０２１９】また、充填材４１０３としては窒素やアル
ゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または
熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルク
ロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥ
ＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることができ
る。本実施例では充填材として窒素を用いた。

【０２２０】また充填材４１０３を吸湿性物質（好まし
くは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しうる物質にさ
らしておくために、シーリング材４００８の基板４００
１側の面に凹部４００７を設けて吸湿性物質または酸素
を吸着しうる物質４２０７を配置する。そして、吸湿性
物質または酸素を吸着しうる物質４２０７が飛び散らな
いように、凹部カバー材４２０８によって吸湿性物質ま
たは酸素を吸着しうる物質４２０７は凹部４００７に保
持されている。なお凹部カバー材４２０８は目の細かい
メッシュ状になっており、空気や水分は通し、吸湿性物
質または酸素を吸着しうる物質４２０７は通さない構成
になっている。吸湿性物質または酸素を吸着しうる物質
４２０７を設けることで、発光素子４３０３の劣化を抑
制できる。

【０２２１】図２５（Ｃ）に示すように、画素電極４２
０３が形成されると同時に、引き回し配線４００５ａ上
に接するように導電性膜４２０３ａが形成される。

【０２２２】また、異方導電性フィルム４３００は導電
性フィラー４３００ａを有している。基板４００１とＦ
ＰＣ４００６とを熱圧着することで、基板４００１上の
導電性膜４２０３ａとＦＰＣ４００６上のＦＰＣ用配線
４３０１とが、導電性フィラー４３００ａによって電気
的に接続される。

【０２２３】本実施例は、実施の形態および実施例１乃
至実施例５と自由に組み合わせて実施することが可能で
ある。

【０２２４】（実施例６）発光装置は自発光型であるた
め、液晶ディスプレイに比べ、明るい場所での視認性に
優れ、視野角が広い。従って、様々な電子機器の表示部
に用いることができる。

【０２２５】本発明の発光装置を用いた電子機器とし
て、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディス
プレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーショ
ンシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディ
オコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲー
ム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電
話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備
えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク
（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しう
るディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特
に、斜め方向から画面を見る機会が多い携帯情報端末
は、視野角の広さが重要視されるため、発光装置を用い
ることが望ましい。それら電子機器の具体例を図２６に
示す。

【０２２６】図２６（Ａ）は発光表示装置であり、筐体
３００１、支持台３００２、表示部３００３、スピーカ
ー部３００４、ビデオ入力端子３００５等を含む。本発
明の発光装置は表示部３００３に用いることができる。
発光装置は自発光型であるためバックライトが必要な
く、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることがで
きる。なお、発光表示装置は、パソコン用、ＴＶ放送受
信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含
まれる。

【０２２７】図２６（Ｂ）はデジタルスチルカメラであ
り、本体３１０１、表示部３１０２、受像部３１０３、
操作キー３１０４、外部接続ポート３１０５、シャッタ
ー３１０６等を含む。本発明の発光装置は表示部３１０
２に用いることができる。

【０２２８】図２６（Ｃ）はノート型パーソナルコンピ
ュータであり、本体３２０１、筐体３２０２、表示部３
２０３、キーボード３２０４、外部接続ポート３２０
５、ポインティングマウス３２０６等を含む。本発明の
発光装置は表示部３２０３に用いることができる。

【０２２９】図２６（Ｄ）はモバイルコンピュータであ
り、本体３３０１、表示部３３０２、スイッチ３３０
３、操作キー３３０４、赤外線ポート３３０５等を含
む。本発明の発光装置は表示部３３０２に用いることが
できる。

【０２３０】図２６（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の
画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本
体３４０１、筐体３４０２、表示部Ａ３４０３、表示部
Ｂ３４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部３４０
５、操作キー３４０６、スピーカー部３４０７等を含
む。表示部Ａ３４０３は主として画像情報を表示し、表
示部Ｂ３４０４は主として文字情報を表示するが、本発
明の発光装置はこれら表示部Ａ、Ｂ３４０３、３４０４
に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再
生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。

【０２３１】図２６（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ
（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体３５０
１、表示部３５０２、アーム部３５０３を含む。本発明
の発光装置は表示部３５０２に用いることができる。

【０２３２】図２６（Ｇ）はビデオカメラであり、本体
３６０１、表示部３６０２、筐体３６０３、外部接続ポ
ート３６０４、リモコン受信部３６０５、受像部３６０
６、バッテリー３６０７、音声入力部３６０８、操作キ
ー３６０９等を含む。本発明の発光装置は表示部３６０
２に用いることができる。

【０２３３】ここで図２６（Ｈ）は携帯電話であり、本
体３７０１、筐体３７０２、表示部３７０３、音声入力
部３７０４、音声出力部３７０５、操作キー３７０６、
外部接続ポート３７０７、アンテナ３７０８等を含む。
本発明の発光装置は表示部３７０３に用いることができ
る。なお、表示部３７０３は黒色の背景に白色の文字を
表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができ
る。

【０２３４】なお、将来的に有機発光材料の発光輝度が
高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡
大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクター
に用いることも可能となる。

【０２３５】また、上記電子機器はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。有機発光材料の応
答速度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好まし
い。

【０２３６】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。

【０２３７】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電子機器は実施の形態および実施
例１乃至実施例５に示したいずれの構成の発光装置を用
いても良い。

【０２３８】

【発明の効果】光反射物を発光装置に設けることによ
り、有機化合物層から発せられた光の取り出し効率が改
善される。また、従来と同様の消費電力を用いた場合に
は、発光装置の輝度が向上する。また発光装置の輝度が
従来と同じ場合には、消費電力を抑えることが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の発光装置の画素の断面図。

【図２】本発明の発光装置の画素の断面図。

【図３】本発明の発光装置の画素の上面図。

【図４】本発明の発光装置の構成を示す図。

【図５】本発明の発光装置の画素の断面図。

【図６】本発明の発光装置の画素の上面図。

【図７】本発明の発光装置の画素の断面図。

【図８】本発明の発光装置の画素の上面図。

【図９】本発明の発光装置の画素の断面図。

【図１０】本発明の発光装置の画素の上面図。

【図１１】本発明の発光装置の画素の断面図。

【図１２】本発明の発光装置の画素の上面図。

【図１３】本発明の光反射物のテーパー角を説明する
図。

【図１４】本発明の光反射物を説明する図。

【図１５】スネルの法則を説明する図。

【図１６】入射角と反射率の関係を示した図。

【図１７】画素の断面図。

【図１８】本発明の発光装置の画素部の回路図。

【図１９】本発明の発光装置の作製工程を示す図。

【図２０】本発明の発光装置の作製工程を示す図。

【図２１】本発明の発光装置の作製工程を示す図。

【図２２】本発明の発光装置の作製工程を示す図。

【図２３】本発明の発光装置の作製工程を示す図。

【図２４】本発明の発光装置の作製工程を示す図。

【図２５】本発明の発光装置の上面図及び断面図。

【図２６】本発明の発光装置を用いた電子機器の図。

【図２７】本発明の発光装置の画素の断面図。

【図２８】本発明の発光装置の画素の上面図。

【図２９】本発明の発光装置の画素部の回路図。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｚ 33/14 33/26 Ｚ 33/22 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｚ 33/26 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB05 BA06 CA01 CB01 CC01 DA00 DB03 EA00 EA02 EB00 FA01 5C094 AA10 AA15 AA22 AA42 AA43 AA44 AA60 BA03 BA27 CA19 EA04 EA05 EA06 EB02 ED11 HA05 HA06 HA07 HA08 HA10 5F110 AA30 BB02 CC02 DD01 DD02 DD03 DD13 DD14 DD15 DD17 EE01 EE04 EE05 EE06 EE08 EE14 EE44 EE45 FF02 FF04 FF28 FF30 GG01 GG02 GG13 GG25 GG32 GG43 GG45 GG47 HJ01 HJ04 HL04 HL06 HM15 NN03 NN22 NN23 NN24 NN27 NN35 NN72 NN73 PP03 PP05 PP10 PP34 PP35 QQ11 QQ24 QQ25

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁表面を有する基板上に形成された透明
電極、前記透明電極上に形成された有機化合物層及び前
記有機化合物層上に形成された陰極からなる発光素子が
設けられた発光装置において、前記発光装置には、前記基板と前記発光素子との間の絶
縁膜に開孔が設けられており、前記開孔を覆うように光
反射物が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】絶縁表面を有する基板上に形成された発光
素子及び薄膜トランジスタが設けられた発光装置におい
て、前記発光素子には、透明電極と、前記透明電極上に形成
された有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成され
た陰極とが設けられており、前記発光装置には、前記薄膜トランジスタに接する第一
の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に前記第一の絶縁膜に
接する前記発光素子が設けられており、前記第一の絶縁膜には開孔が形成され、前記開孔を覆う
ように光反射物が設けられていることを特徴とする発光
装置。
【請求項３】絶縁表面を有する基板上に形成された発光
素子及び薄膜トランジスタが設けられた発光装置におい
て、前記発光素子には、透明電極と、前記透明電極上に形成
された有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成され
た陰極とが設けられており、前記発光装置には、前記薄膜トランジスタに接する第一
の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に前記第一の絶縁膜に
接する前記発光素子が設けられており、前記第一の絶縁膜には開孔が形成され、前記開孔を覆う
ように前記陰極が設けられていることを特徴とする発光
装置。
【請求項４】絶縁表面を有する基板上に形成された発光
素子及び薄膜トランジスタが設けられた発光装置におい
て、前記発光素子には、透明電極と、前記透明電極上に形成
された有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成され
た陰極とが設けられており、前記発光装置には、前記薄膜トランジスタに接する第一
の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜に接する第二の絶縁膜
と、前記第二の絶縁膜上に前記第二の絶縁膜に接する前
記発光素子とが設けられており、前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜には開孔が形成
され、前記開孔を覆うように光反射物が設けられている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項５】絶縁表面を有する基板上に形成された発光
素子及び薄膜トランジスタが設けられた発光装置におい
て、前記発光素子には、透明電極と、前記透明電極上に形成
された有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成され
た陰極とが設けられており、前記発光装置には、前記薄膜トランジスタに接する第一
の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜に接する第二の絶縁膜
と、前記第二の絶縁膜上に前記第二の絶縁膜に接する前
記発光素子とが設けられており、前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜には開孔が形成
され、前記開孔を覆うように前記陰極が設けられている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項６】請求項２乃至請求項５のいずれか一項にお
いて、前記開孔は、前記発光素子と重ならないように設
けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】請求項２乃至請求項５のいずれか一項にお
いて、前記絶縁表面を有する前記基板上には第一の配線
及び第二の配線が設けられており、前記開孔は、前記第
一の配線と前記第二の配線に囲まれた領域に設けられて
いることを特徴とする発光装置。
【請求項８】請求項７において、前記第一の配線及び第
二の配線は、ソース線、ゲート線、電源線、容量線、リ
セット線のいずれか一つであることを特徴とする発光装
置。
【請求項９】請求項２または請求項３において、前記発
光装置は、前記第一の絶縁膜に接する第二の絶縁膜を有
し、前記第一の絶縁膜に設けられた開孔と第二の絶縁膜に設
けられた開孔とが重なっていることを特徴とする発光装
置。
【請求項１０】請求項４または請求項５において、前記
第一の絶縁膜に設けられた開孔と、前記第二の絶縁膜に
設けられた開孔は重なっていることを特徴とする発光装
置。
【請求項１１】請求項４または請求項５において、前記
発光装置は、前記第二の絶縁膜に接する第三の絶縁膜を
有し、前記第二の絶縁膜に設けられた開孔と第三の絶縁膜に設
けられた開孔とが重なっていることを特徴とする発光装
置。
【請求項１２】絶縁表面を有する基板上に形成された薄
膜トランジスタ、並びに該薄膜トランジスタに電気的に
接続された透明電極、前記透明電極上に形成された有機
化合物層及び前記有機化合物層上に形成された陰極から
なる発光素子が設けられた発光装置において、前記発光装置には、前記薄膜トランジスタに接する第一
の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜に接する第二の絶縁物
と、前記第二の絶縁物上に前記第二の絶縁物に接する前
記発光素子とが設けられており、前記第一の絶縁膜には開孔が形成され、前記開孔を覆う
ように光反射物が設けられていることを特徴とする発光
装置。
【請求項１３】絶縁表面を有する基板上に形成された薄
膜トランジスタ、並びに該薄膜トランジスタに電気的に
接続された透明電極、前記透明電極上に形成された有機
化合物層及び前記有機化合物層上に形成された陰極から
なる発光素子が設けられた発光装置において、前記発光装置には、前記薄膜トランジスタに接する第一
の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜に接する第二の絶縁物
と、前記第二の絶縁物上に前記第二の絶縁物に接する前
記発光素子とが設けられており、前記第一の絶縁膜には開孔が形成され、前記開孔を覆う
ように前記陰極が設けられていることを特徴とする発光
装置。
【請求項１４】絶縁表面を有する基板上に形成された薄
膜トランジスタ、並びに該薄膜トランジスタに電気的に
接続された透明電極、前記透明電極上に形成された有機
化合物層及び前記有機化合物層上に形成された陰極から
なる発光素子が設けられた発光装置において、前記発光装置には、前記薄膜トランジスタに接する第一
の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜に接する第二の絶縁膜
と、前記第二の絶縁膜に接する第三の絶縁物と、前記第
三の絶縁物上に前記第三の絶縁物に接する前記発光素子
とが設けられており、前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜には開孔が形成
され、前記開孔を覆うように光反射物が設けられている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１５】絶縁表面を有する基板上に形成された薄
膜トランジスタ、並びに該薄膜トランジスタに電気的に
接続された透明電極、前記透明電極上に形成された有機
化合物層及び前記有機化合物層上に形成された陰極から
なる発光素子が設けられた発光装置において、前記発光装置には、前記薄膜トランジスタに接する第一
の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜に接する第二の絶縁膜
と、前記第二の絶縁膜に接する第三の絶縁物と、前記第
三の絶縁物上に前記第三の絶縁物に接する前記発光素子
とが設けられており、前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜には開孔が形成
され、前記開孔を覆うように前記陰極が設けられている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１６】請求項１２または請求項１３において、
前記第二の絶縁物と接するように前記光反射物が設けら
れていることを特徴とする発光装置。
【請求項１７】請求項１２または請求項１３において、
前記第二の絶縁物は柱状であることを特徴とする発光装
置。
【請求項１８】請求項１４または請求項１５において、
前記第三の絶縁物と接するように前記光反射物が設けら
れていることを特徴とする発光装置。
【請求項１９】請求項１４または請求項１５において、
前記第三の絶縁物は柱状であることを特徴とする発光装
置。
【請求項２０】絶縁表面を有する基板上に形成された発
光素子及び光反射物を有する発光装置であって、前記発光装置は、前記発光素子が設けられた第一の領域
と、前記光反射物が設けられた第二の領域を有し、前記第一の領域は、前記第二の領域に囲まれていること
を特徴とする発光装置。
【請求項２１】請求項１乃至請求項２０のいずれか一項
において、前記光反射物は金属膜で形成されていること
を特徴とする発光装置。
【請求項２２】請求項１乃至請求項２０のいずれか一項
において、前記光反射物は前記第一の配線または前記第
二の配線と同じ材料で形成されていることを特徴とする
発光装置。
【請求項２３】請求項１乃至請求項２２のいずれか一項
において、前記光反射物のテーパー角（θb）と、前記
発光装置と空気の界面での臨界角（θf）は、θb＜（４
５°＋θf/２）の関係であることを特徴とする発光装
置。
【請求項２４】請求項１乃至請求項２３のいずれか一項
において、前記有機化合物層から前記光反射物までの最
長距離（Ｌ）及び前記有機化合物層から前記光反射物ま
での最大厚さ（Ｄ）と、前記発光装置と空気の界面での
臨界角（θf）は、Ｌ/Ｄ＜tanθfの関係であることを特
徴とする発光装置。
【請求項２５】請求項３または請求項５または請求項１
３または請求項１５において、前記開孔を覆うように形
成された前記陰極のテーパー角（θb）と、前記発光装
置と空気の界面での臨界角（θf）は、θb＜（４５°＋
θf/２）の関係であることを特徴とする発光装置。
【請求項２６】請求項３または請求項５または請求項１
３または請求項１５において、前記有機化合物層から前
記光反射物までの最長距離（Ｌ）及び前記有機化合物層
から前記開孔を覆うように形成された前記陰極までの最
大厚さ（Ｄ）と、前記発光装置と空気の界面での臨界角
（θf）は、Ｌ/Ｄ＜tanθfの関係であることを特徴とす
る発光装置。
【請求項２７】請求項１乃至請求項２６のいずれか一項
に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電子機器。