JP2002228415A - 配列精度測定装置 - Google Patents
配列精度測定装置Info
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Abstract
イスの配列精度を高い配列精度の測定再現性を経済的で
実現する配列精度測定装置を提供する。 【解決手段】 ベース1上に配置されてその上面に半導
体ウェハ6を載置するウェハ保持部7と、X軸方向に移
動可能なXステージ4と、このステージをX軸方向に案
内駆動するボールねじ3と、このステージ上に配置され
た微動Zステージ5と、そして、Xステージの上方に取
り付けられたテレビ顕微鏡16とを備え、テレビ顕微鏡
の画像信号からウェハ上の磁気ヘッド列の配列精度を測
定する配列精度測定装置において、さらに、微動Zステ
ージ5のX軸方向端面には平面鏡10が取り付けられ、
この平面鏡に近接・対向してレーザ干渉計11が設けら
れ、Xステージ移動の際の真直変動を検出して配列測定
を高精度に実現する。
Description
ヘッドのような、半導体ウェハ上に形成された電子デバ
イスの配列精度を測定する配列精度測定装置に関する。
半導体ウェハ上に薄膜プロセスによって形成し、その
後、この半導体ウェハ上に形成したヘッド列を棒状に切
り出し、一括して加工する。そのため、ウェハ上に焼き
付けたヘッドの配列の真直精度が悪いと、ウェハ上に形
成された個々の磁気ヘッドの磁極形状や寸法が不均一
(ばらばら)となってしまい、得られる磁気ヘッドの特
性が一定でなくなってしまう。そのため、半導体ウェハ
上に形成されるヘッド列の配列精度を高い真直精度で測
定することが要求されている。
の装置としては、直動静圧空気軸受で案内するXステー
ジに、半導体ウェハを、その上の被測定部の配列方向を
Xステージの移動方向と一致するように搭載固定し、こ
れをテレビ顕微鏡で測定しながら、上記Xステージで測
定ピッチ毎にウェハを移動させて配列精度を測定するも
のがあった。
案内精度を基準にして配列精度を測定するが、しかしな
がら、Xステージを駆動するボールねじやリニアモータ
等の駆動機構の真直案内への影響や、空気軸受部での空
気の振動の影響を避けることが難しく、そのため、0.
02μm以内の測定再現性を得ることは困難であった。
体分野において露光装置として使用される添付の図3に
示す装置のように、その上にウェハ6を搭載したX‐Y
ステージ21にX−Y軸に平行する直交平面鏡22を設
け、このステージ21のX軸及びY軸の移動を、上記直
交平面鏡22とその間の変位を測定するレーザ干渉計2
3、24で測定する方法もあった。
た従来の方法では、直交平面鏡22を基準としてウェハ
6上の被測定部(すなわち、形成された電子デバイス)
の配列精度を測定していあるが、しかしながら、このウ
ェハ6上の全エリアにわたって配列精度を測定するため
には、上記X‐Yステージ21及び直交平面鏡22を全
エリアで位置決めする必要がある。そのため、上記直交
平面鏡22とレーザ干渉計23、24との間を上記全エ
リア以上の距離に設定しなければならない。例えば、測
定エリアが200mmφの場合、上記平面鏡22とレー
ザ干渉計23、24との間は少なくとも200mm以上
離れることとなる。この時、温度が0.5℃変化する
と、その間における空気の屈折率の変化によって、20
0mm×0.5℃×10-6/mm・℃=1×10-4mm
=0.1μm変化してしまい、これがそのまま測定誤差
となってしまうという問題点が指摘されていた。
子デバイスの配列精度を測定する場合、その測定誤差は
0.01μm以内にする必要があり、その為には、測定
時の温度差だけでも0.05℃以内に保つ必要がある。
また、上記従来技術の測定装置では、その他、気圧の変
動についてもこれを小さく抑え、他の機械的な熱膨張に
ついても小さく抑える必要があり、これを経済的に実現
することは実際には困難であった。
ける問題点に鑑みてなされたものであり、特に0.01
μm程度の配列精度の測定再現性を経済的に実現するこ
とが可能な配列精度測定装置を提供することを目的とす
るものである。
すべく、本発明によれば、ベースと、前記ベース上に配
置されてその上面に被測定物を載置する被測定物保持部
と、前記被測定物保持部をX軸方向に移動可能なXステ
ージと、前記XステージをX軸方向に案内駆動するX軸
案内駆動手段と、前記Xステージの上方に取り付けられ
た画像検出手段とを備え、前記画像検出手段により検出
した画像信号から前記被測定物の配列精度を測定する配
列精度測定装置において、前記被測定物保持部のX軸方
向の側面に近接・対向して、前記Xステージの移動方向
ににおける変位、すなわちXステージのX方向移動の真
直変動を検出する手段を設け、かつ、前記前記画像検出
手段により検出した画像信号と前記真直変動検出手段で
測定した真直変動とに基づいて、前記被測定物の配列精
度を測定する配列精度測定装置が提供される。
定装置において、さらに、前記ベース上には、前記Xス
テージを跨いでそれと直交する方向に移動可能なYステ
ージを設けると共に、前記画像検出手段を当該Yステー
ジ上に取り付けてもよい。これによれば、前記被測定物
をさらに前記Xステージと直交するY軸方向に移動しな
がらX軸方向の配列精度を測定することが可能となる。
手段を、前記被測定物保持部のX軸方向の側面に取り付
けられた平面鏡と、当該平面鏡の反射面に近接・対向し
て設けられたレーザ干渉計とから構成することにより、
0.001μm程度の高い測定精度を達成することが可
能となる。
と前記被測定物保持部との間に、さらに、前記被測定物
を回転可能なθ回転ステージを設けることより、装置に
よる配列精度測定の際における前記被測定物の傾斜を自
動的に補正し、X軸方向に平行にすることが可能とな
り、高精度の配列精度の測定を可能にする。
動手段を、比較的安価に入手可能なボールねじ又は/及
びモータにより構成しても、十分高い測定精度で被測定
物の配列精度を測定することが可能となる。
て、添付の図面を参照しながら説明する。まず、図1に
は、本発明になる一実施の形態になる配列精度測定装置
が示されており、この装置は、具体的には、薄膜磁気ヘ
ッドのような半導体ウェハ上に形成された電子デバイス
の配列精度を測定するものである。
は、直動空気軸受2により案内されると共に、ボールね
じ3によってX軸方向に駆動される方形状のXステージ
4が配設されている。なお、この駆動機構としては、比
較的安価なボールねじに、さらに、やはり比較的小形で
安価な電動モータを結合し、もって、自動的にX軸方向
に駆動することも可能であり、これによれば、装置を比
較的安価に構成することが可能になる。また、このXス
テージ4上には、さらに、板状の微動Zステージ5が設
けられている。なお、この微動Zステージ5は、オート
フォーカス時において被測定物である半導体ウェハを数
十μmの範囲で上下方向(Z軸方向)に移動させるため
のものであり、例えば圧電素子により図のZ軸方向に駆
動される。
ステージ9が取り付けられ、その上には、さらに、その
上に被測定物であるウェハ6を保持する、所謂、ウェハ
保持部7が設けられている。なお、このθステージ9
は、ウェハ6上に形成された磁気ヘッド列8の配列方向
を上記Xステージ4の移動方向(X軸方向)と一致させ
るため、図のX−Y平面内で回転させるためのものであ
る。
は、図の右側でX軸方向に延びた一の面である端面に
は、上記Xステージ4の移動方向に平行な反射面を有す
る角柱状の平面鏡10が取り付けられている。また、図
からも明らかなように、この平面鏡10の反射面に対向
した近接位置に、レーザ干渉計11が配設されている。
なお、この平面鏡10とレーザ干渉計11との間の距離
は、例えばその反射面から2mmあるいはそれ以下に設
定されて上記ベース1上に固定されている。また、この
平面鏡10は、上記微動Zステージ5の端面において、
上記Xステージ4の移動距離に対応する範囲にわたって
設けられている。
は、さらに、上記Xステージ4を跨いで門状(あるい
は、「コ」の字状)のサブベース12が固定されてお
り、このサブベース12上には、上記Xステージ4に直
交して、Yステージ13が取り付けられている。なお、
このYステージ13は、ボールねじ14によって図のY
軸方向に移動可能となっている。なお、この駆動機構と
しては、比較的安価なボールねじに、さらに、やはり比
較的小形で安価な電動モータを結合し、もって、自動的
にX軸方向に駆動することも可能であり、これによれ
ば、装置を比較的安価に構成することが可能になる。
動ステージ15が設けられ、かつ、このZ粗動ステージ
15上にはテレビ顕微鏡16が取り付けられている。な
お、このテレビ顕微鏡16により得られた映像信号は、
図の画像処理装置17に接続され、さらに、例えば、コ
ンピュータ装置18に接続されている。また、図からも
明らかなように、このコンピュータ装置18には、上記
レーザ干渉計11によって測定される平面鏡10の位置
データも入力されている。
本発明の配列精度測定装置の動作について、以下に、添
付の図2のフローを参照しながら説明する。まず、図示
しないロボットアームなどにより、被測定物である、そ
の表面に多数の磁気ヘッドを形成した半導体ウェハ6
を、上記装置のウェハ保持部7上に載置固定する(ステ
ップS1)。
令に基づき、図示しない制御部の働きによって、Xステ
ージ4及びYステージ13を駆動する。これにより、上
記ウェハ6上に形成されたヘッド列8の一端の磁気ヘッ
ドがテレビ顕微鏡16の視野内に位置するように位置決
めする(ステップS2)。その後、このテレビ顕微鏡1
6で得られた画像のコントラストを画像処理部17で抽
出し、このコントラストが最良となるように微動Zステ
ージ5の働きにより上記ウェハ6を上下方向(Z軸方
向)に移動し、もって、シャープな画像を得る(ステッ
プS3)。このようにして、上記画像処理部17はその
視野内の磁気ヘッドの位置を抽出し、その抽出した位置
をコンピュータ装置18に送ってその位置を記憶してお
く(ステップS4)。
ハ6上に形成されたヘッド列8の他端の磁気ヘッドがテ
レビ顕微鏡16の視野内になるように位置決めし(ステ
ップS5)、上記と同様の過程を経て、その磁気ヘッド
の位置を抽出し、コンピュータ装置18に送って記憶す
る(ステップS6)。これにより、コンピュータ装置1
8は、上記ウェハ6上に形成されたヘッド列8の両端
(即ち、その一端と他端)の位置から、そのヘッド列8
のXステージの移動方向(X軸方向)に対する傾きを算
出する(ステップS7)。そして、この算出結果に基づ
いて、コンピュータ装置18は、図示しない制御部に指
令することにより上記装置のθステージ9を制御駆動
し、もって、上記ウェハ6上のヘッド列8がXステージ
の移動方向(X軸方向)に平行になるように位置決めす
る(ステップS8)。
て、上記ウェハ6上のヘッド列8の各磁気ヘッドが順
次、上記テレビ顕微鏡16の視野内になる位置決めする
(ステップS9)。この時、上記レーザ干渉計11によ
って測定される平面鏡10の位置と、上記テレビ顕微鏡
16及び画像処理部17で測定された磁気ヘッドの位置
とから、上記平面鏡10を基準とした磁気ヘッドの配列
の状態(配列精度)を、上記コンピュータ装置18によ
り算出する(ステップS10)こととなる。
テージ4をX軸方向に駆動する際に生じる悪影響、すな
わち、Xステージ4を駆動するボールねじやリニアモー
タなどの駆動機構による真直案内への影響や、直動空気
軸受2部での空気の振動による影響を、上記レーザ干渉
計11によって測定される上記平面鏡10との間の位置
変動として測定する。そして、この測定した位置変動分
を、上記テレビ顕微鏡16及び画像処理部17で測定さ
れた磁気ヘッドの位置に加算又は除算することにより、
上記平面鏡10を基準として、磁気ヘッドの配列精度を
極めて精度高く測定することが可能となる。
定される、レーザ干渉計11と平面鏡10との間の位置
は、上述したように、互いに対向した近接位置に配設さ
れ、具体的には、2mmあるいはそれ以下の距離に設定
されている。そのため、温度差によるその間の屈折率変
化に起因する測定誤差は、例えばその温度差が0.5℃
の場合には、2mm×0.5℃×10-6/mm・℃=1
×10-6mm=0.001μmとなる。すなわち、目標
とする測定再現誤差である0.01μmに対して十分の
一(1/10)となり、十分な測定精度を達成すること
が可能であることが分かる。
定装置によれば、その位置決めステージ機構を、X軸、
Y軸で独立した構造とした従来からの装置に加えて、単
に、被測定物を位置決めするX軸の真直度をレーザ干渉
計で測定するという構造上及び測定機構上も比較的簡単
な工夫をすることにより、非常に高い精度測定を実現す
ることを可能としている。なお、被測定物であるウェハ
6上のヘッド列8の各磁気ヘッドを撮像する上記テレビ
顕微鏡については、その分解能を高くしてより高い寸法
再現性が得られるように、例えば、その照明光の波長が
200nm〜400nmの短波長のテレビ顕微鏡を用い
ることが望ましい。また、上記Yステージ及びZステー
ジは、上記テレビ顕微鏡を中心にしてY軸方向に対して
対称となるように配置し、もって、その熱変形を最小限
に抑えることが望ましい。
被測定物として、ウェハ上のヘッド列の磁気ヘッドにつ
いて、その配列精度の測定について詳細に述べたが、し
かしながら、本発明はこれのみに限定することなく、こ
れ以外にも、高い真直度の測定が必要な各種の測定に用
いても有効であることは勿論である。また、上記の実施
の形態においては、上記Xステージと一緒に移動する平
面鏡の位置を測定するレーザ干渉計を、これに代え、例
えば静電容量式のセンサーを使用することも可能であ
る。また、上記の平面鏡も、上記の実施の形態では微動
Zステージ5の側面に取り付けられているが、その取付
け位置は、上記Xステージと平行に移動する部位であれ
ばよく、例えば、Xステージの側面に取り付けてもよ
い。
測定物であるウェハ上の複数列の磁気ヘッドについてそ
の配列精度を測定するため(すなわち、テレビ顕微鏡の
Y軸方向への移動をも可能とするため)、上記ベース上
には、さらに、Xステージを跨いで門状(あるいは、
「コ」の字状)のサブベースを固定し、このサブベース
上にYステージを取り付けている。しかしながら、例え
ば、Xステージだけを移動して被測定物の配列精度(真
直度)を測定するものにおいては、かかるYステージを
取り付ける必要がないことは言うまでもない。
に、本発明の配列精度測定装置によれば、比較的安価に
構成可能なであり、かつ、被測定物の配列状態を高い精
度で測定可能であり、特に0.01μm程度の、更に
は、0.001μm程度の配列精度の測定再現性を経済
的に実現することが可能になるという、極めて優れた効
果を発揮するものである。
の構造を示す、一部回路を含む斜視図である。
精度の測定動作の詳細を示すフローチャート図である。
光装置として使用される装置を示す上面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 ベースと、前記ベース上に配置されてそ
の上面に被測定物を載置する被測定物保持部と、前記被
測定物保持部をX軸方向に移動可能なXステージと、前
記XステージをX軸方向に案内駆動するX軸案内駆動手
段と、前記Xステージの上方に取り付けられた画像検出
手段とを備え、前記画像検出手段により検出した画像信
号から前記被測定物の配列精度を測定する配列精度測定
装置において、前記被測定物保持部のX軸方向の側面に
近接・対向して、前記Xステージの移動方向における真
直変動を検出する手段を設け、かつ、前記前記画像検出
手段により検出した画像信号と前記真直変動検出手段で
測定した真直変動とに基づいて、前記被測定物の配列精
度を測定することを特徴とする配列精度測定装置。 - 【請求項2】 前記請求項1に記載の配列精度測定装置
において、さらに、前記ベース上には、前記Xステージ
を跨いでそれと直交する方向に移動可能なYステージを
設けると共に、前記画像検出手段を当該Yステージ上に
取り付けたことを特徴とする配列精度測定装置。 - 【請求項3】 前記請求項1に記載の配列精度測定装置
において、前記真直変動検出手段は、前記被測定物保持
部のX軸方向の側面に取り付けられた平面鏡と、当該平
面鏡の反射面に近接・対向して設けられたレーザ干渉計
とから構成されたことを特徴とする配列精度測定装置。 - 【請求項4】 前記請求項1に記載の配列精度測定装置
において、前記Xステージと前記被測定物保持部との間
には、さらに、前記被測定物を回転可能なθ回転ステー
ジを設けたことを特徴とする配列精度測定装置。 - 【請求項5】 前記請求項1に記載の配列精度測定装置
において、前記前記XステージをX軸方向に案内駆動す
るX軸案内駆動手段は、ボールねじ又は/及びリニアモ
ータから構成される駆動機構から構成されていることを
特徴とする配列精度測定装置。
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JP2017183735A (ja) * | 2017-05-10 | 2017-10-05 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 位置合わせ誤差を求めるための装置と方法 |
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- 2001-02-05 JP JP2001028204A patent/JP3753944B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
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