JP2002226440A - 第1級アミン混合物の製法 - Google Patents

第1級アミン混合物の製法

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JP2002226440A JP2002000609A JP2002000609A JP2002226440A JP 2002226440 A JP2002226440 A JP 2002226440A JP 2002000609 A JP2002000609 A JP 2002000609A JP 2002000609 A JP2002000609 A JP 2002000609A JP 2002226440 A JP2002226440 A JP 2002226440A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 触媒の存在下に、ニトリルと水素とを反応さ
せて第1級アミンと第2級アミンとから成る混合物を製
造する方法を提供することである。 【解決手段】 式(III): X−CN (III) のニトリルと水素とを、50〜250℃、圧力5〜35
0barで、触媒の全量に対して支持体上にPdを0.
1〜10質量%含有するPd−含有触媒の存在下に反応
させて、式(I): X−CH−NH (I) の第1級アミンと式(II): (X−CH−)NH (II) の第2級アミンとから成る混合物を製造する方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、パラジウム触媒上
でニトリルから第1級および第2級アミン混合物を製造
する方法に関する。
【0002】特に、パラジウム触媒上でニトリルからア
ミンを製造する方法は公知である。
【0003】DE−A−3935641には、3−(ジ
メチルアミノ)プロピオニトリル(DMAPN)からの
アミンの製造が記載されている。形成される生成物は、
ビス(3−ジメチルアミノ)プロピル)アミン(ビス−
DMAPA)およびトリス(3−ジメチルアミノ)プロ
ピル)アミン(トリス−DMAPA)である。反応は、
酸化アルミニウム上のパラジウムを触媒として使用して
実施される。ビス−DMAPAの割合は32%を越えな
い。
【0004】EP−A−0869113は、ニトリルと
第2級アミンとから第3級アミンを製造する方法に関す
る。ここでは、第2級アミンを、支持体である酸化ジル
コニウム上にPd0.9%およびPt0.1%を含有する
触媒上で、水素の存在下に反応させている。
【0005】WO99/32429は、ニトリルと第1
級アミンとから第2級アミンを製造する方法に関する。
反応は、前記と同じ酸化ジルコニウム上にPd0.9%
およびPt0.1%を含有する触媒を用いて、水素の存
在下に実施される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、触媒
の存在下に、ニトリルと水素とを反応させて第1級アミ
ンと第2級アミンとから成る混合物を製造する方法を提
供することである。
【0007】特に、第1級および対称な第2級アミンか
ら成る混合物が製造される。
【0008】この課題は、式(III): X−CN (III) のニトリルと水素とを、50〜250℃、圧力5〜35
0barで、触媒の全量に対して支持体上にPdを0.
1〜10質量%含有するPd−含有触媒の存在下に反応
させて、式(I): X−CH−NH (I) の第1級アミンと式(II): (X−CH−)NH (II) の第2級アミン [式中、Xは、非置換またはC〜C20−アルキル、
〜C−シクロアルキル、C 〜C20−アルキル
シクロアルキル、C〜C20−シクロアルキルアルキ
ル、C〜C20−アルコキシアルキル、C〜C14
−アリール、C〜C20−アルキルアリール、C
20−アラルキル、C20−アルコキシ、ヒドロ
キシ、C20−ヒドロキシアルキル、アミノ、C
〜C20−アルキルアミノ、C〜C20−ジアルキル
アミノ、C〜C12−アルケニルアミノ、C〜C
−シクロアルキルアミノ、アリールアミノ、ジアリール
アミノ、アリール−C〜C−アルキルアミノ、ハロ
ゲン、メルカプト、C〜C20−アルケニルオキシ、
〜C−シクロアルコキシ、アリールオキシおよび
/またはC〜C−アルコキシカルボニルで置換され
たC〜C20−アルキル、C 〜C20−アルケニル
またはC〜C−シクロアルキルである]とから成る
混合物を製造する方法により解決されることが見出され
た。
【0009】触媒は有利に、周期表の第IB族およびV
III族、セリウムおよびランタンから選択される少な
くとも1種の付加的な金属をさらに0.1〜10質量%
で含有する。
【0010】本発明において、ニトリルと水素とを反応
させて第1級および第2級アミン混合物を取得する際に
前記触媒を使用することにより、触媒の実用寿命または
長期安定性が向上する。
【0011】本発明で使用する触媒は、触媒の総量に対
して、パラジウム0.1〜10質量%、有利に0.1〜5
質量%、特に有利には0.2〜1質量%を含有する。
【0012】さらに、触媒は、触媒の総量に対して、元
素の周期表第IB族およびVIII族、セリウムおよび
ランタンから選択される少なくとも付加的な金属を0.
1〜10質量%、有利には0.1〜5質量%、特に有利
には0.2〜1質量%含有する。1種の別の金属または
複数の別の金属混合物を使用できる。有利には銅、白金
およびそれらの混合物、特に有利には白金を使用する。
特に有利に触媒は、触媒の総量に対して、パラジウム
0.2〜1質量%および白金0.2〜1質量%、特に、パ
ラジウム0.3〜0.5質量%および白金0.3〜0.5質
量%を含有する。
【0013】特に有利には支持体であるZrO上に、
触媒の総量に対して、Pd約0.4質量%およびPt約
0.4質量%を含有する。
【0014】触媒は有利に、唯一の活性成分としてPd
およびPtを含有する。触媒は特に支持体上にPdおよ
びPtを含有する。ここで、PdおよびPtは有利に、
ほぼ同量または正に同量の質量で含有される。
【0015】公知なように、適当な支持体を支持体とし
て使用できる。例えば、支持体は、活性炭、炭化ケイ素
および金属酸化物から選択される。有利な金属酸化物
は、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、二酸化チタン、
二酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムまた
はその混合物であり、これらは場合により、アルカリ金
属酸化物および/またはアルカリ土類金属酸化物でドー
プ処理されていてよい。特に有利にはγ−酸化アルミニ
ウム、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウムまたは酸化チ
タンまたはその混合物であり、特に有利にはZrO
ある。使用される支持体は任意の形体であってよい;例
えば射出形、ペレットまたはタブレットとして使用でき
る。触媒は、使用される金属成分から成る溶液を用いた
支持体の含浸などの一般公知の方法により製造できる。
例えばPdClまたはPd(NO 溶液での支持
体の含浸により、パラジウムを施すことができる。
【0016】例えば、支持体は、金属前駆体で被覆でき
る。好適な金属前駆体は、金属塩、例えばニトレート、
ニトロシルニトレート、ハライド、カーボネート、カル
ボキシレート、アセチルアセテート、クロロ錯体、ニト
リト錯体およびアミン錯体である。有利には、ニトレー
ト、クロリド、クロロ錯体およびアミン錯体である。共
沈または共含浸(joint impregnation)により被覆する
のが有利である。金属前駆体は、同時にまたは連続して
施せる。活性成分を施す順序は、自由に選択できる。
【0017】本発明で使用される触媒を製造するための
別の方法は当業者に公知であり、蒸着、スパッタリング
および共沈が含まれる。
【0018】触媒の表面積、孔体積および孔径分布は、
広い範囲で制限を受けない。
【0019】本発明の方法は、50〜200℃、有利に
は90〜170℃、特に有利には120〜160℃で、
圧力5〜300bar、有利には50〜250bar、
特に有利には70〜210barで、オートクレーブ等
の圧力装置または有利には管状反応容器中でバッチワイ
ズまたは有利には連続的に実施される。圧力は有利に反
応容器中の水素による圧力である。管状反応装置を使用
する場合、使用する触媒は固定床触媒としても存在でき
る。
【0020】反応は有利に液層中で、上向きの流れまた
は下向きの流れで、特に有利には上向きの流れで実施で
きる。特に、有利には、アンモニアを使用せずに反応さ
せる。
【0021】使用するニトリルに関する触媒の空間速度
は、有利に0.1〜2kg/(1・h)、特に約0.1k
g/(1・h)である。反応装置から流出する液体の一
部は反応へ再循環できる。反応は、有利には反応容器か
ら流出した1〜20kg/(1cat・h)、特に5〜
10kg/(1cat・h)の量の液体を再循環させて
実施できる。
【0022】本発明の方法は、溶剤不含で、または水、
メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、メチル
tert−ブチルエーテルまたはN−メチルピロリドン
等の溶剤中で実施できる。式(III)のニトリルは溶
剤に溶解できる。溶剤は、別個に、任意の時点で反応容
器中に供給してよい。有利には溶剤不含で反応を実施す
る。
【0023】本発明の方法で得られる式(I)および
(II)のアミンは、混合物から分離でき、例えば蒸留
等の自体公知の方法で精製できる。
【0024】例えば、純粋な第2級アミンを含有する蒸
気と第1級アミンを含有する蒸気とを精留により取得し
て、第1級アミンを含有する蒸気を合成に戻すことがで
きる。
【0025】本発明において、式(I)の第1級アミン
および式(II)の第2級アミンは、有利に10:1〜
1:10、より有利には2〜4:5の割合で形成され
る。第3級アミンは、有利に少量だけ形成され、特に有
利には第3級アミンは形成されない。形成される第3級
アミンの量は、反応容器からの流出物(溶剤を除く)に
対して有利に15質量%を下回り、特に有利には10質
量%を下回る。
【0026】本発明の方法において、式(III)のニ
トリルを反応させる。
【0027】X−CN (III) Xは、C〜C20−アルキル、C〜C−シクロア
ルキル、C〜C20−アルキルシクロアルキル、C
〜C20−シクロアルキルアルキル、C〜C 20−ア
ルコキシアルキル、C〜C14−アリール、C〜C
20−アルキルアリール、C〜C20−アラルキル、
〜C20−アルコキシ、ヒドロキシ、C〜C20
−ヒドロキシアルキル、アミノ、C〜C20−アルキ
ルアミノ、C〜C20−ジアルキルアミノ、C〜C
12−アルケニルアミノ、C〜C−シクロアルキル
アミノ、アリールアミノ、ジアリールアミノ、アリール
−C〜C−アルキルアミノ、ハロゲン、メルカプ
ト、C〜C20−アルケニルオキシ、C〜C−シ
クロアルコキシ、アリールオキシおよび/またはC
−アルコキシカルボニルで置換されていてよいC
〜C20−アルキル、C〜C20−アルケニルまたは
〜C−シクロアルキルである。
【0028】Xは、有利にC〜C12−、特に有利に
〜C−、非常に有利にC〜C、特にC〜C
−アルキルであり、これは分枝鎖または直鎖であって
よく、有利には直鎖である。例えば、構造単位として
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、1
2、13、14、15、16、17、18、19、20
のメチレン単位、C(C)−C−C、C−C(C)−
C、C−C−(C)−Cを有する直鎖の基が挙げられ
る。有利な構造単位は、C、C−C、C−C−C、C−
C−C−C、C−C−C−C−C−C、C−C(C)−
C−C、C−C(C)−C−C、C−C−C(CN)−
C−C−C、特に有利にはC、C−C、C−C−C、C
−C−C−Cである。
【0029】Xは、前記したように、置換されていてよ
い。置換される場合、置換基の数は、X中の置換可能な
水素原子の数までである。基の種類に応じて、1〜5
個、有利には1〜3個、特に有利には0、1または2個
の置換基が存在してよい。可能な置換基は: −C〜C20−アルコキシ、有利にはC〜C−ア
ルコキシ、例えばメトキシ、エトキシ、n−プロポキ
シ、イソプロポキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、s
ec−ブトキシ、tert−ブトキシ、n−ペントキ
シ、イソペントキシ、sec−ペントキシ、ネオペント
キシ、1,2−ジメチルプロポキシ、n−ヘキソキシ、
イソヘキソキシ、sec−ヘキソキシ、n−ヘプトキ
シ、イソヘプトキシ、n−オクトキシ、イソオクトキ
シ、特に有利にはC〜C−アルコキシ、例えばメト
キシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、n
−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキシおよびt
ert−ブトキシ、−ヒドロキシ、−C〜C20−ヒ
ドロキシアルキル、有利にはC〜C−ヒドロキシア
ルキル、特に有利にはC〜C−ヒドロキシアルキ
ル、例えばヒドロキシメチル、1−ヒドロキシエチル、
2−ヒドロキシエチル、2−ヒドロキシ−2−プロピル
および3−ヒドロキシ−n−プロピル、−アミノ、−C
〜C20−アルキルアミノ、有利にはC〜C−ア
ルキルアミノ、特に有利にはC〜C−アルキルアミ
ノ、例えばメチルアミノ、または相当のアミノアルキ
ル、1−アミノエチル、2−アミノエチル、2−アミノ
−n−プロピルおよび3−アミノ−n−プロピル、−C
〜C20−ジアルキルアミノ、有利にはC〜C12
−ジアルキルアミノ、特に有利にはC〜C−ジアル
キルアミノ、例えばN,N−ジメチルアミノ、N,N−ジ
エチルアミノ、N,N−ジプロピルアミノ、N,N−ジ−
(1−メチルエチル)アミノ、N,N−ジブチルアミ
ノ、N,N−ジ−(1−メチルプロピル)アミノ、N,N
−ジ−(2−メチルプロピル)アミノ、N,N−ジ−
(1,1−ジメチルエチル)アミノ、N−エチル−N−
メチルアミノ、N−メチル−N−プロピルアミノ、N−
メチル−N−(1−メチルエチル)アミノ、N−ブチル
−N−メチルアミノ、N−メチル−N−(1−メチルプ
ロピル)アミノ、N−メチル−N−(2−メチルプロピ
ル)アミノ、N−(1,1−ジメチルエチル)−N−メ
チルアミノ、N−エチル−N−プロピルアミノ、N−エ
チル−N−(1−メチルエチル)アミノ、N−ブチル−
N−エチルアミノ、N−エチル−N−(1−メチルプロ
ピル)アミノ、N−エチル−N−(2−メチルプロピ
ル)アミノ、N−エチル−N−(1,1−ジメチルエチ
ル)アミノ、N−(1−メチルエチル)−N−プロピル
アミノ、N−ブチル−N−プロピルアミノ、N−(1−
メチルプロピル)−N−プロピルアミノ、N−(1−メ
チルプロピル)−N−プロピルアミノ、N−(2−メチ
ルプロピル)−N−プロピルアミノ、N−(1,1−ジ
メチルエチル)−N−プロピルアミノ、N−ブチル−N
−(1−メチルエチル)アミノ、n−(1−メチルエチ
ル)−N−(1−メチルプロピル)アミノ、N−(1−
メチルエチル)−N−(1−メトプロピル)アミノ、N
−(1−メチルエチル)−N−(2−メチルプロピル)
アミノ、N−(1,1−ジメチルエチル)−N−(1−
メチルエチル)アミノ、N−ブチル−N−(1−メチル
プロピル)アミノ、N−ブチル−N−(2−メチルプロ
ピル)アミノ、N−ブチル−N−(1,1−ジメチルエ
チル)アミノ、N−(1−メチルプロピル)−N−(2
−メチルプロピル)アミノ、n−(1,1−ジメチルエ
チル)−N−(1−メチルプロピル)アミノおよびN−
(1,1−ジメチルエチル)−N−(2−メチルプロピ
ル)アミノ、−C〜C12−アザシクロアルキル、有
利にはC〜C−アザシクロアルキルアミノ、特に有
利にはC〜C−アザシクロアルキル、例えばピロリ
ジン、ピペリジン、アゼパン、ピペラジン、N−アルキ
ルピペラジンおよびモルホリン、−C〜C−シクロ
アルキルアミノ、例えばシクロプロピルアミノ、シクロ
ブチルアミノ、シクロペンチルアミノ、シクロヘキシル
アミノ、シクロヘプチルアミノおよびシクロオクチルア
ミノ、有利にはシクロペンチルアミノ、シクロヘキシル
アミノおよびシクロオクチルアミノ、特に有利にはシク
ロペンチルアミノおよびシクロヘキシルアミノ、−C
〜C−ジシクロアルキルアミノ、−アリールアミノ、
例えばフェニルアミノ、1−ナフチルアミノおよび2−
ナフチルアミノ、有利にはフェニルアミノ、−アリール
−C〜C−アルキルアミノ、有利にはフェニル−C
〜C−アルキルアミノ、特に有利にはフェニル−C
−アルキルアミノ、例えばフェニルメチルアミノ
およびフェニルエチルアミノ、−ハロゲン、有利にはフ
ッ素、塩素および臭素、特に有利にはフッ素および塩
素、−メルカプト、−C〜C20−オキサシクロアル
キル、有利にはC〜C−オキサシクロアルキル、特
に有利にはC〜C−オキサシクロアルキル、例えば
2−テトラヒドロフラニル、3−テトラヒドロフラニ
ル、2−フラニルおよび3−フラニル、−C〜C
シクロアルコキシ、例えばシクロプロポキシ、シクロブ
トキシ、シクロペントキシ、シクロヘプトキシおよびシ
クロオクトキシ、有利にはシクロペントキシ、シクロヘ
キソキシ、特に有利にはシクロペントキシおよびシクロ
ヘキソキシ、−アリールオキシ、例えばフェノキシ、1
−ナフトキシおよび2−ナフトキシ、有利にはフェノキ
シである。
【0030】0、1または2個のOHまたはC〜C
12−、有利にはC〜C−、特に有利にはC〜C
−ジアルキルアミノ置換基が存在する。特に、置換基
はジメチルアミノまたはOHである。
【0031】式(III)の有利なニトリルは、アセト
ニトリル、プロピオニトリル、イソプロピオニトリル、
ブチロニトリル、バレロニトリル、ペンテンニトリル、
レテンニトリル、3−ヒドロキシプロピオニトリル、3
−メトキシプロピオニトリル、3−エトキシプロピオニ
トリル、3−プロポキシプロピオニトリル、3−イソプ
ロポキシプロピオニトリル、3−シクロヘキソキシプロ
ピオニトリル、2−メチル−3−ヒドロキシプロピオニ
トリル、3−メトキシ−2−メチルプロピオニトリル、
3−エトキシ−2−メチルプロピオニトリル、2−メチ
ル−3−プロポキシプロピオニトリル、3−イソプロポ
キシ−2−メチル−プロピオニトリル、3−シクロヘキ
ソキシ−2−メチルプロピオニトリル、3−メチル−3
−ヒドロキシプロピオニトリル、3−メトキシ−3−メ
チルプロピオニトリル、3−エトキシ−3−メチルプロ
ピオニトリル、3−メチル−3−プロポキシプロピオニ
トリル、3−イソプロポキシ−3−メチルプロピオニト
リル、3−シクロヘキソキシ−3−メチルプロピオニト
リル、3−アミノプロピオニトリル、3−メチルアミノ
プロピオニトリル、3−ジメチルアミノプロピオニトリ
ル、3−エチルアミノプロピオニトリル、3−ジエチル
アミノプロピオニトリル、3−プロピルアミノプロピオ
ニトリル、3−ジプロピルアミノプロピオニトリル、3
−イソプロピルアミノプロピオニトリル、3−ジイソプ
ロピルアミノプロピオニトリル、3−シクロヘキシルア
ミノプロピオニトリル、3−ジシクロヘキシルアミノプ
ロピオニトリル、N−(シアノエチル)−N−メチルア
ニリンである。特に有利には3−ヒドロキシプロピオニ
トリル、3−メトキシプロピオニトリル、3−ジメチル
アミノプロピオニトリル、3−ジエチルアミノプロピオ
ニトリル、3−シクロヘキシルアミノプロピオニトリル
および3−メチルアミノプロピオニトリル、特にビスシ
アノエチルエーテル、ビスシアノエチルアミン、N−メ
チル−ビスシアノエチルアミン、N−エチルビスシアノ
エチルアミン、N−n−プロピルビスシアノエチルアミ
ン、ポリイソブチレンニトリル、N−ポリイソブチレン
アミノプロピオニトリル、トリシアノエチルアミン、5
−アミノバレロニトリル、5−メチルアミノバレロニト
リル、5−ジメチルアミノバレロニトリル、6−アミノ
カプロニトリル、6−メチルアミノカプロニトリル、6
−ジメチルアミノカプロニトリル、5−アミノ−4−メ
チルバレロニトリル、5−メチルアミノ−4−メチルバ
レロニトリル、5−ジエチルアミノ−4−メチルバレロ
ニトリル、5−エチルアミノ−4−メチルバレロニトリ
ル、5−ジエチルアミノ−4−メチルバレロニトリル、
5−アミノ−2−メチルバレロニトリル、5−メチルア
ミノ−2−メチルバレロニトリル、5−ジメチルアミノ
−2−バレロニトリル、5−エチルアミノ−2−メチル
バレロニトリル、5−ジエチルアミノ−2−メチルバレ
ロニトリル、4−シアノスベロニトリル、アクリロニト
リルである。
【0032】特に有利にはアジポニトリル、3−ジメチ
ルアミノプロピオニトリル(DMAPN)および3−ヒ
ドロキシプロピオニトリル、特にDMAPNである。
【0033】アミン混合物、有利にはDMAPAおよび
ビス−DMAPAが、エポキシ樹脂のための硬化剤、ポ
リウレタンのための触媒、第4級アンモニウム化合物製
造のための中間体、可塑化剤、腐蝕防止剤、繊維助剤、
染料および乳化剤である。多官能化された第3級アミン
も、合成樹脂、イオン交換体、医薬品、作物保護剤およ
び殺虫剤を製造するために使用される。
【0034】本発明を以下の実施例により詳細に説明す
る。
【0035】
【実施例】内直径が30mmで、総長が2.0mであ
り、直径が12mmの中央熱電対を装備した電気加熱管
反応装置に、触媒570g(=500ml)およびステ
ンレススチール充填成分450mlを装入する。触媒
は、支持体である二酸化ジルコニウム上にPt0.4質
量%およびPd0.4質量%を含有し、直径が7mm
で、厚さが3mmで、孔直径が3mmの環形を成してい
る。
【0036】反応前に、周囲圧力下に160℃で12時
間かけて、純粋な水素により触媒を還元する。
【0037】3−(ジメチルアミノ)プロピオニトリル
(DMAPN)500g/h、反応装置からの液体流出
物4.0kg/hおよび水素0.38標準m/hを下方
向から並流で通過させる。出発物質を反応装置の上流で
140℃まで加熱する。反応装置を140℃、総圧80
barで維持する。
【0038】反応容器に残った混合物を冷却し、液体の
一部を反応装置の注入口へ再循環させ、残留物を周囲圧
力まで圧抜きする。ガスクロマトグラフィーによる分析
で、ビス(3−ジメチルアミノプロピル)アミン(ビス
−DMAPA)50質量%、3−ジメチルアミノプロピ
ルアミン(DMAPA)30質量%、DMAPN3.0
質量%および種々の副生成物17質量%が反応装置から
の流出物中に含まれることが見出された。DMAPNの
変換率は従って97%であった。
【0039】次いで、反応容器からの液体流出物230
0gをランダム充填構造(20個の理論段)を有するカ
ラムを使用した実験室用蒸留装置中で、頭頂部の圧力が
30mbar(絶対圧力)および還流比が5:1となる
ようにしてバッチワイズで蒸留した。これにより、DM
APA90.0質量%、DMAPN5.5%および副生成
物4.5%を含有する730gの第一フラクション(4
5℃で)およびビス−DMAPA99.3質量%を含有
する960gの第二フラクション(125℃で)を得
た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ミヒャエル ヒュルマン ドイツ連邦共和国 ベンスハイム テオド ール−シュトルム−ヴェーク 16 (72)発明者 アルトゥール ヘーン ドイツ連邦共和国 キルヒハイム オーベ ラー ヴァルトヴェーク 17 (72)発明者 フランク フンケ ドイツ連邦共和国 マンハイム クー7 12アー (72)発明者 フランク オールバッハ ドイツ連邦共和国 デュッセルドルフ エ ルフトシュトラーセ 28 (72)発明者 ティル ゲルラッハ ドイツ連邦共和国 ルートヴィッヒスハー フェン アム ヴァイデンシュラーク 18 Fターム(参考) 4H006 AA02 AC52 BA05 BA08 BA18 BA22 BA25 BA26 BA55 BC10 BC11 BE20 4H039 CA71 CB30

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 式(III): X−CN (III) のニトリルと水素とを、50〜250℃、圧力5〜35
    0barで、触媒の全量に対して支持体上にPdを0.
    1〜10質量%含有するPd−含有触媒の存在下に反応
    させて、式(I): X−CH−NH (I) の第1級アミンと式(II): (X−CH−)NH (II) の第2級アミン [式中、Xは、非置換またはC〜C20−アルキル、
    〜C−シクロアルキル、C 〜C20−アルキル
    シクロアルキル、C〜C20−シクロアルキルアルキ
    ル、C〜C20−アルコキシアルキル、C〜C14
    −アリール、C〜C20−アルキルアリール、C
    20−アラルキル、C20−アルコキシ、ヒドロ
    キシ、C20−ヒドロキシアルキル、アミノ、C
    〜C20−アルキルアミノ、C〜C20−ジアルキル
    アミノ、C〜C12−アルケニルアミノ、C〜C
    −シクロアルキルアミノ、アリールアミノ、ジアリール
    アミノ、アリール−C〜C−アルキルアミノ、ハロ
    ゲン、メルカプト、C〜C20−アルケニルオキシ、
    〜C−シクロアルコキシ、アリールオキシおよび
    /またはC〜C−アルコキシカルボニルで置換され
    たC〜C20−アルキル、C 〜C20−アルケニル
    またはC〜C−シクロアルキルである]とから成る
    混合物を製造する方法。
  2. 【請求項2】 触媒が、さらに、周期表のIB族および
    VIII族、セリウムおよびランタンから選択される少
    なくとも1種の付加的な金属を0.1〜10質量%含有
    することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. 【請求項3】 触媒が、Pd0.2〜1質量%およびP
    t0.2〜1質量%を含有することを特徴とする、請求
    項2に記載の方法。
  4. 【請求項4】 支持体を、活性炭、炭化ケイ素および金
    属酸化物から選択することを特徴とする、請求項1から
    3までのいずれか1項の方法。
  5. 【請求項5】 支持体がZrOであることを特徴とす
    る、請求項4に記載の方法。
  6. 【請求項6】 Xが、2個までの置換基を有する直鎖C
    〜C−アルキルであることを特徴とする、請求項1
    から5までのいずれか1項記載の方法。
  7. 【請求項7】 置換基がC〜C12−ジアルキルアミ
    ノまたはOHであることを特徴とする、請求項6に記載
    の方法。
  8. 【請求項8】 式(III)のニトリルが、ビス(3−
    (ジメチルアミノ)プロピル)アミン)と3−(ジメチ
    ルアミノ)プロピルアミンとから成る混合物へ変換され
    る、3−(ジメチルアミノ)プロピオニトリル(DMA
    PN)であることを特徴とする、請求項7に記載の方
    法。
  9. 【請求項9】 式(I)の第1級アミンと式(II)の
    第2級アミンが、質量比10:1〜1:10で形成され
    ることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1
    項に記載の方法。
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