JP2002226264A - 圧電磁器組成物および圧電共振子 - Google Patents

圧電磁器組成物および圧電共振子

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JP2002226264A JP2001023411A JP2001023411A JP2002226264A JP 2002226264 A JP2002226264 A JP 2002226264A JP 2001023411 A JP2001023411 A JP 2001023411A JP 2001023411 A JP2001023411 A JP 2001023411A JP 2002226264 A JP2002226264 A JP 2002226264A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】共振周波数と***振周波数の間およびその近傍
の周波数で位相歪みが発生せず、厚み滑り振動や厚み縦
振動のP/Vを大きくでき、発振周波数の温度安定性に
優れた圧電磁器組成物および圧電共振子を提供する。 【解決手段】モル比による組成式を(A1-xBix2
4Ti518と表したとき、0<x≦0.3、AはS
r、Ca、(Bi0.5Na0.5)、(Bi0.5Li0.5)お
よび(Bi0.50.5)のうち少なくとも1種を満足する
主成分と、該主成分100重量部に対してMnをMnO
2換算で0.05〜1重量部含有するものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電磁器組成物お
よび圧電共振子に関し、例えば、共振子、超音波振動
子、超音波モータ、あるいは加速度センサ、ノッキング
センサ、およびAEセンサ等の圧電センサなどに適し、
特に、高周波発振子用として好適に用いられる圧電磁器
組成物および圧電共振子に関するものである。
【0002】
【従来技術】従来から、圧電磁器を利用した製品として
は、例えば、フィルタ、圧電共振子(以下、発振子を含
む概念である)、超音波振動子、超音波モータ、圧電セ
ンサ等がある。
【0003】ここで、発振子は、マイコンの基準信号発
振用として、例えば、コルピッツ発振回路等の発振回路
に組み込まれて利用される。図1はコルピッツ発振回路
を基本とした回路構成においてインダクタの部分を圧電
発振子に置き換えたピアス発振回路を示すものである。
このピアス発振回路は、コンデンサ11、12と、抵抗
13と、インバータ14および発振子15により構成さ
れている。そして、この発振回路において、発振信号を
発生するには、以下の発振条件を満足する必要がある。
【0004】即ち、インバータ14と抵抗13からなる
増幅回路における増幅率をα、移相量をθ1とし、ま
た、発振子15とコンデンサ11、12からなる帰還回
路における帰還率をβ、移相量をθ2としたとき、ルー
プゲインがα×β≧1であり、かつ、移相量がθ1+θ2
=360゜×n(但しn=1,2,…)であることが必
要となる。
【0005】一般的に抵抗13およびインバータ14か
らなる増幅回路は、マイコンに内蔵されている。誤発振
や不発振を起さない、安定した発振を得るためにはルー
プゲインを大きくしなければならない。ループゲインを
大きくするには、帰還率βのゲインを決定する、発振子
のP/V、すなわち共振インピーダンスR0および***
振インピーダンスRaの差を大きくする事が必要とな
る。なお、P/Vは20×Log(Ra/R0)の値とし
て定義される。
【0006】また、移相量の条件を満足させるために
は、共振周波数と***振周波数の間およびその近傍の周
波数で、移相が約−90゜から約+90゜まで移相反転
し、且つ共振周波数と***振周波数の間およびその近傍
にスプリアス振動による移相歪みが発生しないことも重
要となる。
【0007】従来、圧電性が高く、例えば高いP/Vが
得られるPZT、PT系材料が使用されていた。しかし
ながら、PZT、PT系材料には鉛が自重の約60%の
割合で含有されているため、酸性雨により鉛の溶出が起
こり環境汚染を招く危険性が指摘されている。そこで、
鉛を含有しない圧電材料への高い期待が寄せられてい
る。鉛を含有しないビスマス層状化合物を主体とする材
料系においては、PZT、PT系材料と比較して機械的
品質係数(Qm)が比較的高いという特徴があり、発振
子用の非鉛圧電材料としての応用が可能である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
鉛を含有しないビスマス層状化合物を主体とする圧電磁
器組成物では、発振子として用いる場合、充分なP/V
が得られられないばかりか、加工性が悪くチッピング
(共振子用磁器エッジの欠け)により共振周波数と***
振周波数の間にスプリアス振動に伴う移相歪みが発生
し、移相の条件を満足しないことから不発振や安定した
発振が得られない問題があった。
【0009】また発振周波数の温度変化率が±5000
ppmよりも大きく、電子機器から要求される温度特性
に対する周波数の許容公差±5000ppm以内の精度
には対応できないという問題があった。
【0010】従って、本発明は、共振周波数と***振周
波数の間およびその近傍の周波数で移相歪みが発生せ
ず、厚み滑り振動や厚み縦振動のP/Vを大きくできる
とともに、−20℃〜+80℃の温度範囲で発振周波数
の温度安定性に優れた非鉛系の圧電磁器組成物および圧
電共振子を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の圧電磁器組成物
は、金属元素として少なくともBiおよびTiを含有す
るBi層状化合物であって、モル比による組成式を(A
1-xBix2Bi4Ti518と表したとき、0<x≦
0.3、AはSr、Ca、(Bi0.5Na0.5)、(Bi
0.5Li0.5)および(Bi0.50.5)のうち少なくとも
1種を満足する主成分と、該主成分100重量部に対し
てMnをMnO2換算で0.05〜1重量部含有するも
のである。
【0012】このような圧電磁器組成物からなる圧電磁
器を用いて圧電共振子を作製した場合、共振周波数と反
共振周波数の間およびその近傍の周波数で位相歪みが発
生せず、特に厚み滑り基本波振動や厚み縦の基本波およ
び3次オーバートーン振動でのP/V値を大きくするこ
とができる。例えば、厚み滑り基本波振動の−20〜8
0℃における共振周波数の温度変化率が±5000pp
m以内となり、かつ共振インピーダンスR0と***振イ
ンピーダンスRaとした時、20×Log(Ra/R0
で表されるP/Vを55dB以上とすることができる。
また、キュリー温度を300℃以上とすることができ
る。
【0013】主成分は、モル比による組成式を(Sr
1-xBix2Bi4Ti518と表したとき、0<x≦
0.3を満足することが望ましい。これは、従来、Sr
Bi4Ti518系のビスマス層状化合物はSrBi4
415系と異なり圧電特性が小さいことが知られてい
たが、本発明では、Srの一部をBiで所定量置換し、
Biをビスマス層状化合物中に固溶させることにより優
れた圧電特性を示すことを見いだしたのである。
【0014】本発明の圧電磁器組成物は、主成分が、モ
ル比による組成式を{(Sr1-aCaa1-xBix2
4Ti518と表したとき、0.05≦x≦0.3、0
<a≦0.8を満足することが望ましい。これにより、
特に厚み滑り基本波振動のP/Vを大きくしながら、発
振周波数の温度安定性をさらに向上することができる。
【0015】本発明の圧電共振子は、圧電磁器の両主面
に電極を形成してなるとともに、前記圧電磁器が上記圧
電磁器組成物からなるものである。このような圧電共振
子では、上記したように、Bi層状化合物からなる非鉛
圧電磁器を用いた圧電共振子、例えば、厚み滑り基本波
振動を適用した発振子ではP/Vが大きくなることから
発振余裕度が高まり、且つ共振周波数と***振周波数の
間およびその近傍の周波数で移相歪みが発生しないこと
から安定した発振が得られるとともに、発振周波数の温
度安定性に優れた高精度な発振が得られ、2〜20MH
zの周波数に適応できる発振子を得ることができる。ま
た、厚み縦振動を適用した発振子とすることにより、P
/Vが大きく、特に発振周波数の温度特性をさらに向上
できる。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の圧電磁器組成物は、金属
元素として少なくともBiおよびTiを含有するBi層
状化合物であって、モル比による組成式を(A1-x
x2Bi4Ti 518と表したとき、0<x≦0.3、
AはSr、Ca、(Bi0.5Na0.5)、(Bi0.5Li
0.5)および(Bi0.50.5)のうち少なくとも1種を
満足する主成分と、該主成分100重量部に対してMn
をMnO2換算で0.05〜1重量部含有するものであ
る。
【0017】ここで、Aの種類およびxを上記の範囲に
設定した理由ついて説明する。上記組成式において、x
を0<x≦0.3の範囲に設定した理由は、xが0.3
より多い場合には、体積固有抵抗値が下がり、分極時に
電流が流れ充分な分極ができずP/Vが低くなるからで
ある。一方、xが0の時、加工時にチッピングが起こり
易く、共振周波数と***振周波数の間で移相が約−90
゜から約+90゜に位相反転した周波数帯域において、
10゜を超える位相歪みが発生することから発振条件を
満足しなくなり発振停止がおこるためである。
【0018】AにおけるBiの置換量を示すxはP/V
を大きくし、移相歪みの発生を抑制するという点から、
0.05≦x≦0.3、特には0.1≦x≦0.2であ
ることが望ましい。
【0019】また、Aの種類をSr、Ca、(Bi0.5
Na0.5)、(Bi0.5Li0.5)および(Bi
0.50.5)のうち少なくとも1種を満足するとしたの
は、これによりP/Vを55dBより大きくすることが
できるからである。特に、大きなP/Vが得られるとい
う点から、主成分のモル比による組成式が(Sr1-x
x2Bi4Ti518と表わされるものが望ましい。A
としては、特には、SrとCaの組合せが望ましい。
【0020】さらに、本発明では、上記主成分100重
量部に対して、MnをMnO2換算で0.05〜1重量
部含有することが望ましい。Mnを含有せしめることに
より、P/Vの向上に大きく向上できるが、MnO2
有量が主成分l00重量部に対してl重量部よりも多く
なると体積固有抵抗値が下がり、分極時に電流が流れ充
分な分極ができずP/Vが低くなるからである。一方、
0.05重量部よりも少なくなると、P/Vが低下し、
移相歪みが発生しやすくなるからである。
【0021】Mnは、焼結性を高め、P/Vを大きくす
ると言う理由から、主成分100重量部に対して、Mn
2換算で0.2〜0.7重量部含有することが望まし
い。
【0022】本発明では、主成分が、モル比による組成
式を{(Sr1-aCaa1-xBix 2Bi4Ti518
表したとき、0.05≦x≦0.3、0<a≦0.8を
満足することが望ましい。これは、Caによる適量置換
により、P/Vが60dB以上で、特に発振周波数の温
度変化率を±3000ppm以内に減少することも可能
となるからである。厚み縦振動を適用した発振子では、
特に発振周波数の温度変化率をア1030ppm以内に
減少することも可能となる。
【0023】一方、xが0.05よりも小さい場合には
P/Vが小さくなる傾向にあり、0.3よりも大きい場
合には、移相歪みができやすく損失が大きくなることか
らP/Vが小さくなるからであり、aが0.8よりも大
きい場合にはP/Vが小さくなるとともに移相歪みが出
やすくなる傾向があるからである。
【0024】AがSrおよびCaの場合、P/Vを大き
くし、発振周波数の温度変化率を小さくするという点か
ら、0.05≦x≦0.2、0.3≦a≦0.7、Mn
含有量が0.2〜0.7重量部であることが望ましい。
【0025】本発明の圧電磁器組成物からなる圧電磁器
は、粉砕時のZrO2ボールからZr等が混入する場合
もあるが、微量であれば特性上問題ない。
【0026】本発明の圧電磁器組成物からなる圧電磁器
は、実質的に、一般式が(A1-xBix2Bi4Ti5
18で表わされるBi層状化合物からなる結晶相で構成さ
れており、Mnは前記Bi層状化合物に殆ど固溶する
が、ごくわずかMn化合物の結晶として粒界に析出する
場合がある。Biについても、Bi層状化合物に殆ど固
溶するが、ごくわずか粒界に析出する場合がある。
【0027】また、本発明の圧電磁器組成物は、一般式
が(A1-xBix2Bi4Ti518で表わされ、Mnが
固溶したBi層状化合物からなる結晶相で構成されるこ
とが望ましいが、その他に、パイロクロア相、ペロブス
カイト相、構造の異なるBi層状化合物がごくわずか存
在することもあるが、微量であれば特性上問題ない。
【0028】本発明の圧電磁器組成物は、例えば、原料
として、SrCO3、CaCO3、Bi23、MnO2
TiO2、Na2CO3、K2CO3、Li2CO3からなる
各種酸化物或いはその塩を用いることができる。原料は
これに限定されず、焼成により酸化物を生成する炭酸
塩、硝酸塩等の金属塩を用いても良い。
【0029】これらの原料を上記した組成となるように
秤量し、混合後の平均粒度分布(D 50)が0.2〜1μ
mの範囲になるように粉砕し、この混合物を750〜1
050℃で仮焼し、所定の有機バインダを加え湿式混合
し造粒する。このようにして得られた粉体を、公知のプ
レス成形等により所定形状に成形し、大気中等の酸化性
雰囲気において1000〜1300℃の温度範囲で2〜
5時間焼成し、本発明の圧電磁器組成物が得られる。
【0030】本発明の圧電磁器組成物は、図1に示すよ
うなピアス発振回路の発振子の圧電磁器として最適であ
るが、それ以外の圧電共振子、超音波振動子、超音波モ
ータおよび加速度センサ、ノッキングセンサ、AEセン
サ等の圧電センサなどもに最適であり、特に厚み滑り振
動の基本波振動を利用する高周波用として最適な圧電磁
器である。また、優れた発振周波数の温度特性が要求さ
れる場合には、本発明の圧電磁器組成物を圧み縦振動モ
ードで作動させることが望ましい。
【0031】図2に本発明の圧電共振子を用いた発振子
を示す。この発振子は、圧電磁器1の両面に電極2、3
を形成して構成されている。このような圧電共振子で
は、厚み滑り振動における基本波のP/Vを高くでき、
発振余裕度が高まり、共振周波数と***振周波数の間及
びその近傍の周波数で移相歪みが発生しないことから安
定した発振が得られ、さらに発振周波数の温度安定性に
優れた高精度な発振が得られ、特に2〜20MHzの周
波数に適応できる圧電発振子を得ることができる。
【0032】
【実施例】まず、出発原料として純度99.9%のSr
CO3、CaCO3、Bi23、MnO2、TiO2、Na
2CO3、K2CO3、Li2CO3の粉末を用いて、モル比
による組成式を(A1-xBix2Bi4Ti518、また
は{(Sr1-aCaa1-xBix2Bi4Ti518と表
したとき、A、x、aが表1、2に示す元素、値の主成
分と、該主成分100重量部に対してMnをMnO2
算で表1、2に示すような重量部となるように秤量混合
し、純度99.9%のジルコニアボール、イソプロピル
アルコール(IPA)と共に500mlポリポットに投
入し、16時間回転ミルにて混合した。
【0033】混合後のスラリ−を大気中にて乾燥し、#
40メッシュを通し、その後、大気中950℃、3時間
保持して仮焼し、この合成粉末を純度99.9%のZr
2ボールとイソプロピルアルコール(IPA)と共に
500mlポリポットに投入し、20時間粉砕して評価
粉末を得た。
【0034】この粉末に適量の有機バインダーを添加し
て造粒し、金型プレスにて150MPaで長さ25m
m、幅38mm、厚みl.0mmの板状に成形して、大
気中において1160℃の温度で3時間本焼成し厚み滑
り用の圧電磁器を得た。
【0035】その後、長さ6mm、幅30mmに加工
し、長さ方向に分極するための端面電極を形成し分極処
理を施した。その後、分極用電極を除去し、厚み0.1
7mmに加工した。その後、長さ6mmと幅30mmか
らなる面の両面にCr−Agを蒸着し、電極と磁器との
密着強度を高めるために200℃で12時間のアニール
処理を施した。
【0036】その後、図2に示す電極構造となるよう
に、無電極に相当する部位の電極をエッチングで除去
し、長さ4.45mm(L)、幅0.9mm(W)、厚
み0.17mm(H)形状にダイシングソーやワイヤー
ソーを用いて加工し、8MHz発振に相当する厚み滑り
振動の基本波振動用発振子を得た。
【0037】一方、厚み縦振動の基本波振動用発振子に
おいては、長さ6mm、幅30mmの圧電磁器を作製
し、厚み方向に分極するために主両面にCr−Agを蒸
着し電極を形成した。その後、密着強度を高めるために
200℃で12時間のアニール処理を施し分極処理をお
こなった。
【0038】その後、長さ6mm(L)、幅6mm
(W)、厚み0.25mm(H)形状にダイシングソー
やワイヤーソーを用いて加工し、8MHz発振に相当す
る厚み縦振動の基本波振動用発振子を得た。
【0039】上記圧電磁器について、x線回折測定を行
って結晶相を確認したところ、本発明の組成の圧電磁器
は、一般式が(A1-xBix2Bi4Ti518で表わさ
れ、Mnが固溶した結晶相から構成されていた。
【0040】発振子の特性は、インピーダンスアナライ
ザによリインピーダンス波形を測定し、厚み滑り振動ま
たは厚み縦振動の基本波振動でのP/VをP/V=20
×Log(Ra/R0)の式により算出した(但し、R
a:***振インピーダンス、R0:共振インピーダン
ス)。
【0041】さらにインピーダンス波形より、共振周波
数と***振周波数の間で移相が約−90゜から約+90
゜に移相反転した後の約+90゜の位相からなる周波数
帯域において、10゜を超える移相歪みが発生するか否
かを調査した。移相歪みの評価は、移相歪み=|最大移
相値−最大値から局所的に変化した移相値|により求
め、共振子100個中5個以上において10゜を超える
移相歪みが発生した場合においては×、それ以下の場合
は○とした。
【0042】さらに、発振周波数の温度変化率は、25
℃の発振周波数を基準にして、−20℃もしくは+80
℃での発振周波数の変化を以下の式により算出した。
【0043】Fosc変化率(ppm)={(Fosc
(drift)一Fosc(25))/Fosc(2
5)}×100、但し、Fosc(drift)は、−
20℃もしくは+80℃での発振周波数であり、Fos
c(25)は25℃での発振周波数である。これらの結
果を表1、2に示す。
【0044】
【表1】
【0045】
【表2】
【0046】表1、2から明らかなように、本発明の範
囲内の試料は、厚み滑り振動または厚み縦振動の基本波
振動のP/V値が55dB以上と大きくでき、且つ位相
歪みの発生が起こりにくいことから安定した発振を得る
ことができ、さらに、発振周波数の温度変化率が±50
00ppm以内となり小さいことが判る。
【0047】特に、AとしてSrおよびCaを用い、x
が0.05〜0.2、aが0.3〜0.7、Mn含有量
を0.2〜0.7重量部とすることにより、高いP/V
値を維持した状態、特に68dB以上を維持し、発振周
波数の温度変化率が±5000ppm以内、特には±3
000ppm以内と小さくできることが判る。
【0048】また、厚み縦基本波振動を適用した場合、
特にP/V値を60dB以上、発振周波数の温度変化率
が±1030ppm以内と小さくできることが判る。
【0049】また、Mnを含有しない比較例の試料N
o.14、35の場合には焼結体の密度が低く、P/V
値が40dB以下と小さいことが判る。一方、Mn量が
1.1重量部の場合にはP/V値が41dB以下と小さ
いことが判る。
【0050】また、xの値が0の試料No.9の場合、
試作した発振子100個中5個を上回る発振子において
10゜を上回る移相歪みが発生し、安定した発振が得ら
れられないことが判る。一方xの値が0.3より多い試
料No.11、32の場合、P/Vが小さくなり安定し
た発振が得られられないことが判る。
【0051】また、Aの種類をSrにした試料No.1
の場合、P/Vが72dBと著しく大きくなることが判
る。さらに、Aの種類をSrとCaに複合化した試料N
o.3、24の場合、aの値が0.5でP/Vが77d
B以上と大きな値を有しながら、−20〜80℃の発振
周波数の温度変化率が厚み滑り振動の場合で±3000
ppm以内、厚み縦振動の場合で±1030ppm以内
と優れた温度特性を有し発振子として最も好ましい特性
となる。
【0052】このように、本発明の圧電磁器において
は、特に、厚み滑り振動や厚み縦振動の基本波振動のP
/Vを大きくするとともに、共振周波数と***振周波数
の間において、10゜を超える移相歪みの発生を著しく
少なく、さらに、−20℃〜80℃での発振周波数の温
度変化率を小さくすることができ、安定した発振子とし
て使用できることが判る。
【0053】図3に試料No.3のインピーダンス特性
を、図4に発振周波数の温度変化率を、図5に試料N
o.3のx線回折測定結果を示す。本発明の組成の圧電
磁器は、図5に示すように、一般式が{(Sr1-a
a1-xBix2Bi4Ti518で表わされた結晶相か
らなり、Mnのピークが存在しないことにより、Mnが
固溶した上記結晶相から構成されていることが判る。
【0054】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の圧電磁器
組成物では、厚み滑り振動や厚み縦振動のP/V値を大
きくしながら、共振周波数と***振周波数の間で10゜
を超える移相歪みが発生せず、発振周波数の温度変化率
が小さく、これにより、発振子を構成した場合、発振余
裕度が高まり、安定した発振と、発振周波数の温度安定
性に優れた高精度な発振特性が得られ、例えば、厚み滑
り振動の基本波振動を用いた2〜20MHz発振子用素
子として好適な発振子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】コルピッツ型発振回路を基本としたピアス発振
回路を示した概略図である。
【図2】8MHz用発振子の概略図である。
【図3】実施例である試料No.3のインピーダンス特
性を示すグラフである。
【図4】実施例である試料No.3の発振周波数の温度
変化率を示すグラフである。
【図5】実施例である試料No.3のX線回折測定結果
を示す図である。
【符号の説明】
l・・・圧電磁器 2、3・・・電極

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属元素として少なくともBiおよびTi
    を含有するとともに、モル比による組成式を (A1-xBix2Bi4Ti518 と表したとき、 0<x≦0.3 AはSr、Ca、(Bi0.5Na0.5)、(Bi0.5Li
    0.5)および(Bi 0.50.5)のうち少なくとも1種を
    満足する主成分と、該主成分100重量部に対してMn
    をMnO2換算で0.05〜1重量部含有することを特
    徴とする圧電磁器組成物。
  2. 【請求項2】主成分が、モル比による組成式を {(Sr1-aCaa1-xBix2Bi4Ti518 と表したとき、 0.05≦x≦0.3 0<a≦0.8 を満足することを特徴とする請求項1記載の圧電磁器組
    成物。
  3. 【請求項3】請求項1または2記載の圧電磁器組成物か
    らなる圧電磁器の両主面に、電極を形成してなることを
    特徴とする圧電共振子。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008179532A (ja) * 2006-12-26 2008-08-07 Kyocera Corp 圧電磁器および圧電素子
CN108074737A (zh) * 2016-11-17 2018-05-25 昆山万盛电子有限公司 一种贴片安规电容芯片材料及制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0648825A (ja) * 1992-07-31 1994-02-22 Toyota Motor Corp ビスマス層状化合物
JP2000034194A (ja) * 1998-07-15 2000-02-02 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 結晶配向ビスマス層状ペロブスカイト型化合物及びその製造方法
JP2000313662A (ja) * 1999-04-28 2000-11-14 Kyocera Corp 磁器組成物
JP2001158662A (ja) * 1999-11-29 2001-06-12 Tokin Corp 圧電体磁器組成物
JP2001158663A (ja) * 1999-11-30 2001-06-12 Kyocera Corp 圧電磁器組成物
JP2001220226A (ja) * 2000-02-08 2001-08-14 Tdk Corp 圧電セラミックス
JP2001302343A (ja) * 2000-04-19 2001-10-31 Tokin Corp 圧電磁器組成物

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0648825A (ja) * 1992-07-31 1994-02-22 Toyota Motor Corp ビスマス層状化合物
JP2000034194A (ja) * 1998-07-15 2000-02-02 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 結晶配向ビスマス層状ペロブスカイト型化合物及びその製造方法
JP2000313662A (ja) * 1999-04-28 2000-11-14 Kyocera Corp 磁器組成物
JP2001158662A (ja) * 1999-11-29 2001-06-12 Tokin Corp 圧電体磁器組成物
JP2001158663A (ja) * 1999-11-30 2001-06-12 Kyocera Corp 圧電磁器組成物
JP2001220226A (ja) * 2000-02-08 2001-08-14 Tdk Corp 圧電セラミックス
JP2001302343A (ja) * 2000-04-19 2001-10-31 Tokin Corp 圧電磁器組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008179532A (ja) * 2006-12-26 2008-08-07 Kyocera Corp 圧電磁器および圧電素子
CN108074737A (zh) * 2016-11-17 2018-05-25 昆山万盛电子有限公司 一种贴片安规电容芯片材料及制备方法

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